Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | (c) Se a componente continua pode ser desprezada, quais ajustes podem ser feitos no osciloscépio para melhorar a legibilidade do sinal? Desenha na tela da es- querda como o sinal apareceria apés 0s ajustes. Obs.: Indicar o nivel de zero. 2. Teoria dos Semicondutores 2.1, A Estrutura do Atomo © Atomo é formado basicamente por trés particulas elementares: elétrons, prétons e néutrons. A carga elétrica do elétron é igual a do préton, porém de sinal contrério. Os elétrons giram em torno do nticleo (composto de prétons e néutrons) distribuidos em até sete camadas. Em cada atomo, a camada mais externa é chamada de camada de valéncia e geralmente é ela que participa das reagdes quimicas. Todos os materiais encontrados na natureza sdo formados por diferentes ti- pos de dtomos, com quantidades de prétons, néutrons e elétrons diferentes. Cada material tem intimeras caracteristicas, mas a mais importante para a eletrdnica 6 a capacidade de conducdo de corrente. Os materiais se dividem quanto a capacidade de conducdo em trés categorias: 2.1.1, Mater is Condutores So materiais que oferecem pouca resisténcia & passagem de corrente. Quan- to menor a resisténcia, melhor condutor é 0 material. 0 que caracteriza o material bom condutor é 0 fato de que os elétrons da camada de valéncia esto fracamente ligados ao nucleo, encontrando facilidade de abandonar seus dtomos e se movimenta- rem livremente pelo material. O cobre, por exemplo, com somente um elétron em sua camada de valéncia, tem facilidade em cedé-lo para ganhar estabilidade. O elétron cedido pode tornar-se um elétron livre. ‘Adenes Schwantz 12Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | 2.1.2, Materiais Isolantes S80 materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a pas. sagem da corrente elétrica. Os elétrons de valéncia sao fortemente ligados a seus dtomos, sendo necessaria muita energia para desprender elétrons das moléculas, ne- cessérios a circulago de corrente pelo material. O nivel de isolagio tende a ser maior em substancias compostas, como borracha, mica, baquelite, etc... 2.1.3. Materiais Semicondutores So materiais que apresentam resistividade intermedidria. Como exemplo, temos 0 germanio (Ge) e 0 silicio (Si) Os atomos desses elementos possuem quatro elé- trons na camada de valéncia. Quando esses dtomos agru- pam-se, formam uma estrutura cristalina, ou seja, so subs- tncias cujos étomos se posicionam regularmente espaca- dos, formando estruturas ordenadas Nessa estrutura, cada dtomo une-se a outros qua- tro, por meio de ligagdes covalentes, e cada elétron da ca- mada de valéncia é compartilhado com um dtomo vizinho. Assim cada dois 4tomos adjacentes compartilham dois elétrons. Essas estruturas cristalinas, compostas exclusivamente de dtomos iguais, so chamadas de cristais semicondutores intrinsecos, Se as estruturas nao permitissem 0 rompimento das ligagdes covalentes, o si- licio e o germanio seriam materiais isolantes. Entretanto, com o aumento da tempera- tura, algumas ligagBes recebem energia suficiente para se romperem, fazendo com que elétrons passem a se movimentar pelo cristal, tornando-se elétrons livres, Com a quebra das ligacdes, no local onde havia um elétron, passa a existir uma regio com carga positiva, j4 que o desbalanceamento de cargas faz com que 0 tomo fique com um préton a mais, tornando a regidio mais receptiva a elétrons. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna. As lacunas nao existem realmente, pois sdo espacos vazios deixados por elé- trons que deixaram suas ligacdes covalentes. Sempre que uma ligagio é rompida, surgem um elétron livre e uma lacuna. Ao mesmo tempo, 0 processo de recombinagdo ocorre quando um elétron livre preenche ‘Adenes Schwantz 13Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | uma lacuna. Como os elétrons livres e as lacunas aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar que o ntimero de lacunas é sempre igual ao de elétrons livres. Quando o cristal de silicio ou germanio é submetido a uma diferenca de po- tencial, os elétrons livres se movem em direc ao maior potencial elétrico, fazendo com que as lacunas se desloquem no sentido contrario, Quando um cristal semicondutor intrinseco 6 submetido a uma diferenca de potencial, ele permite a passagem de uma corrente baixa, devido a sua resistividade. Com a circulago de corrente, parte da poténcia é dissipada em forma de calor, outra parte é absorvida por elétrons, o que aumenta seu nivel de energia, fazendo com que troquem de camada ou sejam libertos de seus dtomos, caso estejam na camada de valéncia, Esse processo aumenta a disponibilidade de portadores para a circulagdo de corrente, que aumenta a energia absorvida pelos elétrons e a dissipag3o de calor. Essa cadeia de causa e efeito, chamada efeito avalanche, faz com que surjam niveis de cor- rente to altos que destroem o dispositive. 2.2. Impurezas Os cristais semicondutores so encontrados na natureza misturados a outros elementos. Dada a dificuldade de se controlar as caracteristicas dos cristais in natura, & feito um processo de purificagéo do cristal, gerando o cristal intrinseco. Em seguida, so injetados propositalmente e de forma controlada atomos de outro elemento, que séo chamados de impurezas. O cristal intrinseco, com a adi¢io de impurezas, passa a se chamar cristal semicondutor extrinseco. As impurezas so introduzidas na ordem de 1 tomo de impureza para 10° dtomos do material semicondutor. 0 nome desse pro- cesso é chamado dopagem, e é responsdvel por introduzir elétrons livres ou lacunas no cristal semicondutor. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: ‘* Impurezas Doadoras So adicionados étomos pentavalentes (com 5 elétrons na camada de valéncia, como o Fésforo e o Antiménio). © étomo pentavalente substitui um dtomo de silicio dentro do cristal, absorvendo suas 4 ligagdes covalen- tes e restando um elétron fracamente ligado ao nuicleo do dtomo pentava- lente. Assim uma pequena quantidade de energia pode tornar esse elé- tron livre. OOO ait = ‘© Impurezas Receptoras Sao adicionados dtomos trivalentes (com 3 elétrons na camada de va- l€ncia, como Boro, Aluminio e Gélio). © étomo trivalente substitui um dos ‘Adenes Schwantz 14Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | 4tomos do cristal, absorvendo trés das quatro ligagdes. Isto significa que existe uma lacuna (falta de elétron) na camada de valéncia em cada dtomo trivalente. Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas (falta de elétrons). Os cristais dopados com impurezas doadoras so chamados de semiconduto- res tipo N (negativo), que devido ao maior numero de elétrons livres que lacunas, os elétrons livres sdo chamados de portadores majoritérios em semicondutores tipo N, enquanto que as lacunas s4o os portadores minoritarios. Os cristais dopados com impurezas receptoras séo de tipo P (positivo), pois apresentam mais lacunas do que elétrons livres. Assim os portadores majoritarios em semicondutores tipo P sao as lacunas, enquanto que os minoritdrios sdo os elétrons. A existéncia dos portadores minoritérios nos cristais se deve as imperfeicoes no processo de purificagdo que nao é capaz de retirar todos os dtomos diferentes. As sim, apesar dos esforcos, sempre restam impurezas, tanto doadoras quanto receptoras no cristal intrinseco em pequena quantidade, cerca de 1 impureza a cada 10"° étomos. 2.3. Jungdo PN Quando um material semicondutor tipo N é unido a outro tipo P, de modo a formar um bloco composto e fundido na drea da juncdo, uma jungio PN é formada. Esta é a base da constituicao de todos os dispositivos de estado sdlido, desde os dio- dos semicondutores até circuitos integrados e microprocessadores. Quando a jungo PN é formada, alguns elétrons do material tipo N atravessam essa junco, tomando o lugar das lacunas do material tipo P, criando lacunas nos dto- mos que abandonaram o material tipo N. Esse deslocamento de elétrons que ocorre durante a formacao da juncéo é chamada corrente de difusdo e ocorre apenas na zona proxima a jun¢do. ‘Adenes Schwantz 15Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | Apés cessar a corrente de difusio, tem-se como consequéncia uma ionizagio positiva ou formago de cétions no material tipo N e uma ionizago negativa ou for- macdo de Anions no material tipo P. Esta ionizaco dos materiais tipo P e N ocorre apenas na zona préxima a jun- ¢40 porque a presenga de elétrons no material tipo P constitui uma barreira, que im- pede que todos os elétrons do material tipo N se recombinem com as lacunas do ma- terial tipo P. A zona da jungo, onde ocorrem as ionizagées, 6 conhecida como regio de carga especial, regidio de esgotamento, regio de transi¢ao ou zona de deplecdo. Devido & ionizaco ocorrida na regido, aparece ai uma diferenga de potencial, tendo sua polaridade positiva no material tipo N e a negativa no material tipo P. Essa diferenca de potencial é chamada de potencial de barr barreira de potencial (Vs) e tem um valor diferente para cada tipo de material da jun- ¢80 PN: 0 potencial de barreira de uma jun¢o PN de silicio varia de 0,6 V a 0,8 Ve de uma jun¢do de germénio varia de 0,2 V 0,4 V. a ou tensdo de +4444 ++$444 ++$444 +$t 444! ? 23.1. Jungao PN Polarizada Inversamente Quando uma fonte de tenséo continua (Vcc) é aplicada nos extremos de uma junc3o PN de maneira que o polo negativo da fonte seja ligado ao material tipo P e 0 polo positivo da fonte ao material tipo N, diz-se que a junco PN esté polarizada inver- samente. Neste caso, a regido da transico aumenta, pois as lacunas do material tipo P € 0s elétrons livres do material tipo N sao atraidos para longe da juncao, deixando em seu lugar étomos carregados eletricamente: cétions no material tipo N e anions no material tipo P. Assim, 0 potencial de barreira aumenta, ficando com valor igual 8 da tenséo da fonte. Por no dispor de portadores de corrente préximos a zona da jun¢o, a cor- rente I no circuito & praticamente zero (existe somente uma corrente de fuga, prati- camente desprezivel). A tensdo inversa da fonte ndo pode ser aumentada indefinidamente sobre a jungo PN. Existe um limite maximo para cada dispositivo, conhecida como Tensdo Reversa de Ruptura ou Tensdo Inversa de Pico Maxima (Vanm), fornecido pelo fabrican- te. Se a tensdo inversa superar este valor, ocorre o efeito avalanche, a resisténcia da jung3o cai bruscamente e a corrente sobe a niveis insuportdveis pela junco, vindo a destrui-la. ‘Adenes Schwantz 16Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | fet yttt WW Vee 2.3.2. Jung&o PN Polarizada Diretamente Quando uma fonte de tensdo é aplicada nos extremos de uma juncao PN de maneira que 0 polo positivo da fonte seja ligado ao material tipo P e 0 polo negativo da fonte ao material tipo N, diz-se que a junco PN esta polarizada diretamente. Neste caso, se a tensa da fonte for de valor inferior a Ve, a intensidade da corrente é prati- camente zero. Se a tensdo for maior ou igual a Vs, um fluxo de corrente se estabelece através dos materiais P e N, com valor entre milhares e bilhdes de vezes maiores que 2 corrente de fuga, encontrada na polarizacdo reversa. Quando a tensio da fonte for maior que Vs, a regido de transigdo se estreita e 05 elétrons livres do material tipo N atravessam a jun¢do para se recombinar com as lacunas do material tipo P. Para cada elétron que atravessa a junco, simultaneamente outro ingressa no material tipo N proveniente do polo negativo da fonte e outro aban- dona 0 material tipo P em direco ao positive da fonte. Quanto maior for o valor da tensdo de polarizago direta, maior a corrente que circula na jungo PN. A tenso da fonte nao pode ser aumentada indefinidamente, pois existe um limite maximo da corrente que uma jun¢3o PN suportar. Este valor é expresso por linix (corrente direta maxima). I F¥ttt4 44] Ft44t4 te F4+h44 44] Fete d+ 44] ‘Adenes Schwantz 7Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | Exercicios 2.1 —Caracteriza um material semicondutor. 2.2. -O que é uma estrutura cristalina? 2.3. -O que significa material semicondutor intrinseco? 2.4 —Por que dizemos que um determinado tomo ¢ trivalente? 2.5. -O que é dopagem de um semicondutor? 2.6 -O que so impurezas aceitadoras? 2.7 - Como obtemos materiais semicondutores tipo P e tipo N? 2.8 — Quais so os portadores de corrente no material tipo P? 2.9 - Como polarizamos diretamente uma juncao PN? Qual seu comportamento neste caso? 2.10 ~ 0 que ocorre internamente em uma jungo PN polarizada inversamente? 3. Diodo Retificador E constituido por uma juncao PN, normalmente de silicio, e apesar de ter um grande numero de aplicagdes, seu uso principal esté associado a fontes de alimen- taco. Tais fontes transformam tensdo alternada em tensdo continua, sendo indispen- saveis ao funcionamento de circuitos eletrdnicos. Diferentemente dos resistores, os diodos retificadores ndo apresentam um. comportamento linear, ou seja, a corrente que circula pelo diodo n&o é proporcional & tensdo aplicada. Isso se deve a barreira de potencial existente nos diodos. 3. . Simbologia ANODO (A) CATODO (K) 3.2. Curva Caracteristica Corrente x Tensdo Conforme a curva abaixo, a corrente é zero nos primeiros décimos de volts em polarizacao direta. Ao se aproximar da potencial de barreira, os elétrons comegam a cruzar a juncdo PN cada vez em maior quantidade (aumento da corrente). Ultrapas- sando o potencial de barreira, um pequeno aumento na tens&o provoca um grande aumento na corrente. Polarizado inversamente, uma corrente chamada corrente de ‘Adenes Schwantz 18Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | fuga circula pelo diodo. A corrente reversa é extremamente pequena, exceto na regio de ruptura, onde a corrente cresce excessivamente, danificando 0 diodo. Diodo Real Ib Diode teal _ fis Regio de Polarizagao Polarizagao Ruptura Reversa Corrente 1) Direta Dict proximagio Usual — Corrente de ° Existem casos criticos que a nao linearidade deve ser observada e a curva real do diodo utilizada para determinar sua queda de tensdo para determinada corren- te, mas esses casos sdo excegGes. Em situagdes nao criticas, sao utilizadas aproxima- ges para facilitar o projeto e anélise de circuitos com diodos. A curva do diodo ideal ¢ utilizada com frequéncia em cdlculos que a tensao do circuito é ordens de magnitude maior que o valor do potencial de barreira. Neste caso, 0 diodo é considerado uma chave fechada quando o diodo esté polarizado dire- tamente ou uma chave aberta com polarizagdo reversa Quando a tensio do circuito é préxima ao valor do potencial de barreira, 0 modelo do diodo ideal nao é aconselhavel por inserir um erro de modelagem nos céi culos que pode afetar o resultado. Neste caso se utiliza a aproximaco usual, que con- sidera 0 diodo bloqueado para tenses menores que Vs € igual ao potencial de barrei- ra para qualquer valor acima de Vj. Vorov vero ‘Adenes Schwantz 19Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | © circuito do diodo retificador, diretamente polarizado, apresenta as se- guintes caracteristicas: 1) Pode ser comparado a um interruptor fechado ou ligado; 2) Aresisténcia shmica do diodo é muito baixa (poucos Ohms); 3) A corrente elétrica no circuito é alta, ou pelo menos, de valor aprecidvel; 4) A tensao sobre o diodo retificador é igual ao valor do potencial de barreira do semicondutor utilizado (0,6V para o Silicio e 0,2V para o Germanio); 5) Existe uma queda de tensdo sobre R1, devido a corrente que percorre 0 circuito. 3.4. Polarizacdo Reversa >| Verov VorVs Veov s Kuma Vs | | a | | rT © circuito do diodo retificador, diretamente reversamente, apresenta as seguintes caracteristicas: v 1) Pode ser comparado a um interruptor aberto ou desligado; 2) Aresisténcia shmica do diodo é muito altissima, praticamente infinita; 3) A corrente elétrica no circuito é praticamente zero. Existe somente uma corrente de fuga; 4) A tensio sobre 0 diodo retificador é igual da fonte; 5) Existe uma queda de tensdo sobre R1 é praticamente nula Baseado nos circuitos acima, se observa que 0 diodo se comporta como uma chave automitica, que esté fechada quando 0 material P (anodo) possuir um po- tencial elétrico de aproximadamente 0,7V a mais que o material N (catodo), e esté aberta, caso contrério. Deve ser ressaltado que, para o diodo retificador conduzir ndo é obrigaté- rio que haja potencial positivo no anodo e negativo no catodo. Ambos os eletrodos podem ser positivos ou negativos, desde que haja a diferenca de potencial correta en- tre eles. Exemplos: Determina se os diodos abaixo esto conduzindo ou bloquea- dos, baseado nas tensdes de seus terminais. al ov oy a| sov a) av k| 2 k| ay k| aay «| nav ‘Adenes Schwantz 20Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | V4 = 107) 13V Vax = —3V Conduzindo Bloqueado—Conduzindo-—Bloqueado-—Conduzindo.Condurindo Determina no circuito ao lado, as tensdes oh 1,02 @ V3 @ determina se os diodos esto conduzindo ou bloqueados. Inicialmente, todos os diodos séo considerados bloqueados e as tensdes so calculadas. 20v TORQ + 22k + 15kN+ 2200 p= YX 593,124 ~ 33,72k0 at vy = Ryl = 2200,593,12HA = 0,13V v2 = (Ry + Ry)I = (2200 + 1,5k0)593,120A v2 = 1,72k0, 593,124 = 1,02V 1; = (Ry + Ry + Ral = (2200 + 1,5k0 + 22k9)593,12"A vy = 14,070 Com essas tensdes, os diodos sio avaliados quanto a conducdo, baseados na tensdo aplicada a eles. Diodo | Va Ve Vax Operagao D, | 10V | 14077 | 10V—1407V =-407V _| Bloqueado D, | sv | 102v SV —1,02V = 3,987 | Condugao D,_|or3v| 2 0,13V -2v =~1,87V __| Bloqueado Os diodos considerados em conducdo so subs- tituidos no circuito pelo valor de sua barreira de potencial (0,6V), os outros continuam a ser considerados como blo- ~ i fk queados. Bee Fate A tensao vz agora nao é determinada pelo divi- sor de tensdo, mas pela soma das fontes no circuito: 3 v2 = SV —0,6V = 437 A tensio v3 é determinada pelo divisor de ten- so entre R; e Ry, em relagdo a v2 wR, __43V.2200 _ 946 3 Ry 15KQ+2200 1720— Assim, o anodo de D, fica com 0,55V e seu catodo com 2V, dessa forma Vax(os) = 0,55V — 2V = -1,45V O5sv v3 = Portanto D3 permanece bloqueado. A tensdo v,neste caso é determinada por 20V—y, _ 4-437 10k 22k ‘Adenes Schwantz 2.Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | 11@20V — v4) _ 5(% —4,3V) T10KQ 110kQ 11(20V — v,) = 5(, — 4,3) 220V — 110, = Sv, - 21,40 16v, = 241,47 v, = 15,09V Assim, anodo de D, fica com 10V e seu catodo com 15,09V, dessa forma Vaxcoy = 10V — 15,09V = —5,09V Portanto D, permanece bloqueado, Como os diodos permanecem como na situacao anterior, o exemplo est finalizado. Se algum dos diodos tivesse entrado em condugdo, os célculos deveriam ser refeitos Resposta: v, = 15,09V; v2 = 4,3V; v3 = 0,55V, com D, € D; bloqueados e D, em condusio. 3.5. Especificagdes do Diodo Retificador Todo componente eletrénico tem algumas caracteristicas que devem ser levadas em considerago na sua escolha para um projeto. O resistor, por exemplo, além da resisténcia, também deve ser considerada a poténcia do resistor. No caso do diodo, as caracteristicas mais importantes a considerar sao: © Ipmax ~ Corrente direta maxima: € a maior corrente suportada pelo diodo quando submetido & tensdo de polarizaco direta. © Tes — Corrente direta de surto maxima: € a maior corrente de curta du- ragao que o diodo suporta em polarizagio direta. ‘© Vega ~ Tensdo reversa de ruptura: £ a maior tenso que pode ser aplicada a0 diodo com polarizacao reversa Exercicios 5.1 - Qual a aplicag3o principal de diodos semicondutores? 5.2 - Qual a queda de tensio sobre um diodo retificador polarizado inversamente? Qual a corrente que o percorre, idealmente? 5.3 - Como um diodo semicondutor é polarizado diretamente? 5.4- Quais os principais parametros devem ser levados em considerago na escolha de um diodo? 5.5 - Desenha o gréfico da tenséo da fonte e da corrente do circuito abaixo: > ‘Adenes Schwantz 22Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | 5.6 - Calcule as tenses solicitadas nos circuitos abaixo e determina como seus diodos esto polarizados: 5,7 - Determina se os diodos do circuito abaixo esto ou néo conduzindo: (eae z ait" a) | b) ss son LOR 1 540 u7ka i ° + — Anode cathode Quando um diodo conduz, ocorre liberagdo de energia devido & recombi- ago de elétrons e lacunas. Nos diodos retificadores, essa energia é liberada em for- ma de calor, enquanto que nos LEDs, a energia é liberada na forma de luz. ‘Adenes Schwantz 23Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | A luz produzida pelos LEDs pode ser de cor verde, azul, amarela, laranja ou infravermelha (invisivel), dependendo do material de que sdo feitos, como Arsenieto de Galio (GaAs), Fosfeto de Galio (GaP), etc. Os LEDs so utilizados como indicadores de funcionamento, acionadores para controles remotos, etc... A tensao de barreira de potencial dos LEDs varia icamente de 1,5V a 3,5V, para correntes entre 10mA e SOmA. Essa tensao depende da corrente, da cor e da tolerancia do LED. Exemplos de Caracter Is If (mA) Vf Taranto | cor | terte tinal ft Materia Vermelha Difusa is | 50 | 17 |21| 28 Arsenieto de Galio e Transparente 30-200 [as [a] 22 | Aluminio AtaAs) ‘Amarela Difusa 20 | 160 | 2,0 [2,3 | 2,6 | Fosfato de Indio, Galioe Transparente | 30 | 160 | 15 | 2,0| 26 Aluminfo (AlGainP) Redondo [_Laranja Difusa 30 | 160 | 1,7 | 2,0 | 2,8 | Fosfato de Gallo (GaP) 3mm Verde Difusa 30 | 160 | 1,7 | 21| 2,8 | Nitreto de Galio e Indio Transparente | 30 | 160 | 1,7 | 21| 28 (inGaN) Azul Transparente | 30 | 100 | 3,2 | 3,5 | 4,0 Nitreto de Galio (GaN) or fsfro amarlo Gomme [__bifwa [asso [a7 [oa | 2a Transpurente | 30-200 [us [ae] 22 ‘Amarela Difusa 20 160 | 17 | 20} 28 Transperente 50150-[ 37 [2.4| 30 Dives) 30460 [a7 [2.0 | 28 Redondo | laren Fransparente [75 100. | 22} 26 Verde Difusa 30_| 160 | 1,7 | 2,0| 28 Transperente | 30100 [32 [35] 40 may Diva [30-100 [32] 35-40 Transparente | 30100 [32 [35] 40 Branca | Wanspurente 30400 [32 [35 | 43 Vermelha Difusa 30 | 160 | 1,7 | 2 2.8 Transperente 50-[-400 [a7 [2 | 26 Yue [Disa 30 [16047 [2a] 28 Redondo Transparenie 40 [100 [32 [as] 40 10mm pag, [Dives —|-29-| 46037 [20] 28 Transparent |-50-[-150 [22 [24] 30 Haul —|Trarsporente 30-| 10032] 35 | 49 Branca | Tansporente | 30] 100-32 [35 | 43 Verma | bitua 1-40 | 01a [20] 24 Retanewlar "Verde | —ivsa 1-30 46037 [2 | 24 Amarela Difusa to | 160 | 145 | 2,0] 24 ‘Adenes Schwantz 24Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | If (mA) Vf Tamanho Cor Lente Tip Max [Min [Tip | Max Material Vemena [bisa [30 [ 160) 25 [30] Transparenie 20-400 = [2.1 36 fuss 1-30) 460125 [30] ssc, ett ansparenie| = [a00 T= [a5] 40 Amarela Difusa 20 | 160 | 2,5 | 3,0 - peo) Disa —|-30-| 10032 | 35 | 40 Transparente |= [400 = [25] 40 Bicolor Vermelha Difusa 30 _| 160 | 1,7 | 2,0| 24 3/5/10 mm Verde Difusa 30 | 160 | 2,1 | 24| 25 ngs _Wermelha | Transparente-/-20[ 300 | a8 [2« | 20 B68 Verde Transparente "20 [30035 [4s 20 | ‘ul —[Trarsparente [29-[ 100 [35 [as [20 O brilho do LED dependa da corrente que circula por ele. Idealmente, a me- Ihor forma de se controlar o brilho é aplicar uma fonte de corrente ao LED. A melhor forma de se obter uma fonte de corrente é utilizar uma fonte de tensio (Vs) de valor elevado associado a um resistor em série (Rs). Neste caso, a corrente no LED é dada por Exemplo: Projeta o resistor para que uma fonte de SV alimente um LED vermelho de 5mm (Vien = 1,8V € [ep = 30mA), Rs V\\r 5 Vuror 8V usp 30mA sv Ws ZV BS soma Rs = 106,670 0 valor determinado nao é comercial, o valor mais préximo é 1000, por- tanto o valor comercial é considerado no célculo da poténcia dissipada pelo resistor: gg = Mia lisp pp, = OV =18VP _ G.2V)? es 1002 «1000 P, ro2av" 102,4mW ts = Foon ile O resistor série fica definido por 1009. 1/4W. ‘Adenes Schwantz 25Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | Exercicios 4.1. — Do que depende a cor da luz gerada por um LED? Do que depende seu brilho? 4.2 - Como procedemos para ligar um LED corretamente? Exemplifica, 4.3 — Quais as diferengas entre um LED e uma lampada incandescent. 4.4 Como se procede para utilizar um LED, com barreira de potencial de 2,4V e cor- rente de 35mA, como indicador de funcionamento de uma fonte de alimentago de 12V? Desenha e calcule o circuito. 4.5- Uma fonte de alimentagdo de 12V deve ter um LED vermelho redondo Smm (Viz0=2,1V, luzo=15mA), com lente difusa, como indicador de funcionamento, cal- cule o resistor série para este circuito. 5. Diodo Zener O diodo zener tem funcionamento semelhante ao diodo retificador, exceto quando em seu comportamento polarizado inversamente. No diodo retificador, a aplicac&o de tens&o acima de um limite (Vea) faz com que o diodo entre em avalanche, com a corrente subindo rapidamente e levando © semicondutor & destruig&o. O diodo zener tem construcio muito parecida com a do retificador, sé que com uma area de dissipacao de poténcia capaz de suportar o efeito ites. O interessante dessa caracteristica é uma variaco avalanche, dentro de certos li minima na tenso sobre o diodo mesmo com grande variagdo na corrente, a partir de determinado nivel de tenso aplicado inversamente. Este nivel de tensio, chamado de tensdo zener (Vz), é um dos principais pardmetros do diodo zener. A tensdo zener varia conforme o tamanho e nivel de dopagem da junc PN. 5.1, Simbologia e Curva Caracteristica K i caropo A ANoDO A curva caracteristica mostra que a tensdo reversa Vz se mantém pratica- a) € Izmax mente constante com a corrente reversa entre Izmin (Corrente zener minit (corrente zener maxima). Comercialmente, Vz varia entre 2V e 200V. ‘Adenes Schwantz 26Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | 5.2, Caracteristicas do Diodo Zener As principais especificagées do diodo zener sao: «Vz ~ Tensdo Zener: Tensio praticamente constante sobre o diodo zener quando polarizado reversamente © Lgmin ~ Corrente Minima: Corrente minima aplicdvel ao diodo zener, em polarizacao reversa, que garante uma queda de tenséo reversa préxima a Vy, ‘*P;~Poténcia Maxima: Maior poténcia que o diodo zener suporta, sem se danificar. O diodo zener dissipa esta poténcia quando a sua corrente é a maxima (Izmax) Pz = Valzmax 5.3. Regulagem de Tensdo Como Vz permanece praticamente constante na polarizado reversa, a principal aplicacao do diodo zener é de atuar com regulador de tensao. jv Ve t 1 Para o dimensionamento de Rs, devem ser determinados: © Tensao Zener; ‘© Correntes minima e maxima no zener; © Faixa de correntes na carga; + Limites de variacao da tensdo de entrada. A tensio e a corrente minima do zener so fornecidas pelo fabricante. Em alguns casos, a corrente minima nao esta disponivel, neste caso a pratica comum & utilizar 10% da corrente maxima. A corrente maxima é determinada por P, Tmax = 7 Com todos os dados disponiveis, o valor de Rs 6 determinado através de seus limites minimos e maximos: ‘Adenes Schwantz 27Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | Regulador com Tensio de Entrada Varidvel e Carga Fixa Vimax Ry > ae Tomax + I Yimin Rss Regulador com Tensdo de Entrada Fixa e Carga Varidvel Vi Ve Roe lzmax + nmin Regulador com Tensio de Entrada e Carga Variévels ne > imax Ve ie Lima Ve lzmax + Iimin Ovalor de Rs deve ser escolhido como um valor comercial, entre os valores encontrados, com preferéncia para valor mais préximo ao minimo. Uma tabela com valores comerciais comuns so encontradas no Apéndice I. Com o valor comercial de- finido, a poténcia de Rs é dada por — Vimax = Vz)" Pr, Rsceom) Exemplo: Dimensionar Rs para um regulador de tensdo utilizando um diodo zener de 6,2V x 1/2W, conectado a uma fonte de 10V + 10%, que alimenta uma carga de 1802. 0 primeiro passo é calcular as correntes zener e a corrente de carga: Pz _ 0,5W Tamax =F = Ve 627 Tgmin = 10%lzmax = 10%. 80,65mA = 8,07mA Vz 6,2V => R, 1800 = 80,65mA 34,44mA Os limites da tensao de entrada também deve ser determinado: OV + 10% = 10V +1 = 11V Vv Vimax Vimin = 10V — 10% = 10V —1V = A partir das correntes, Rs pode ser determinado: Vimax Vz _11V-6,2V_4,8V Tomax 80,65mA — 80,65mA Yimin — Vz 9V - 6,27 2.8 = 59,520 Pela tabela E-24, o valor intermediario é de 620. (iv -62Vv)? _ 23,04? 620, 371,61mW ‘Adenes Schwantz 28Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | Portanto, o resistor série vale 620. 1/2W. Exerc 5.1 Como se comporta um diodo zener polarizado diretamente? 5.2 Podemos utilizar um diodo zener como retificador? Por qué? 5.3. Cita os parémetros de um diodo zener que devem ser considerados no projeto de um regulador de tensio. 5.4 Projeta um regulador que, a partir de uma fonte com tenséo de 24V + 10%, forneca 18V fixos e uma corrente de 130mA. 5.5 Projeta um regulador que alimenta um reprodutor de CD portétil com 4,7V, a partir de uma fonte de 15V. O aparelho consome entre 47mA (com volume bai- xo) ¢ 190mA (em volume maximo). 5.6 Projeta um regulador com tensdo de saida de 16V para uma carga de 2202, a partir de uma fonte de 25V, com uma variagao de +1,5V. 5.7 Projeta um regulador para uma tensio de entrada de 15V e tensdo de saida de 9,1V, ligado a um circuito que consome uma corrente entre 63mA e 180mA. 5.8 Projeta o estagio regulador de uma fonte de alimentagao de uso geral com ten- s8o média de 17V e variag3o de ++0,95V e que forneca 12V e até 400mA. A fonte deve ter um LED vermelho redondo Smm (Vieo=2,1V, lueo=15mA) indicador de funcionamento, ligado na saida do regulador. Bibliografia * BOYLESTAD, R. & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrénicos e Teoria de Circuitos. 5? edicdo, PHB, © CIPELLI, A. & SANDRINI, W. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrénicos, Editora Erica * LURCH, E. N. Fundamentos de Eletrénica. Vol. 1. LTC. * MALVINO, A. P. Eletrénica. Vols. 1 e 2. 42 edigdo. Makron Books. * MARQUES, ALVES CRUZ & CHOUERI JR. Dispositivos Semicondutores ~ diodos e transistores, Editora Erica. * CAPUANO, Francisco Gabriel & MARINO, Maria Aparecida Mendes. Laboratério de eletricidade e eletrénica. Editora Erica. ‘Adenes Schwantz 29Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrénicos | Apéndice |: Tabela de Valores de Resistores Tabela E-12 (Tolerancia 10%) aon] 1002[ 108 10a] 10Ka[ 10K | s00KR| z0Ma] some 0,120 1,202, 129 1202 1,2kQ 12kQ | 120k | 1,2MQ 12Mo assay 4500] 150] 150] aska] 1sko | 250K 15ma| 1sMo 0,182 1,802 182 1802 1,8kQ 18kQ | 180kQ | 1,8M2 18Mo_ 220 | 2,202] 220] 2200 | 2,20 | 22k | 220K2| 2.2m] _22MO 0,272 2,702 272. 2702 2,7kQ 27kQ. | 270kQ | 2,7MQ : 0330 | 3302] 332] 3300 | 3.32] 33k) 330K | 3,3MO = 0,392 3,902, 392 3902 3,9kQ 39kQ | 390k | 3,9MQ : 0470 | 4700 | 470 | 4700 | 4.7K | 47k | 470K. |_4,7MO = 0,562 5,602 562. 5602 5,6kQ. S6kQ | 560kQ2 | 5,6MQ : 0,682 6,802, 682. 6802 6,8kQ 68kQ_ 680kK2 | 6,8MQ = 0,820 8,202 822. 8202 8,2kQ 82kQ | 820k2 | 8,2MQ : Tabela E-24 (Tolerancia 5%) 100] 1002 [ 108 | 1002] 10K | 10K | s00KR| 10M] soma 0110 1,102, 119 1102 11kQ 11kQ | 110k | 1,1MQ 11Mo orn] 120a[ 1208] 1200 | 1.2K0 | 12K | 120K | 1.2ma| 12MO 0,132 1,302 132 1302 1,3kQ 13kQ | 130kQ | 1,3MQ 13MQ. 0150 | 1500 150] soa |aska] 15k | 150K | 15Mo| _15Ma 0,162 1,602 162. 1602 1,6kQ 16kQ | 160k | 1,6M2 16MQ. 0180 | 1800 180 | 1800 | 1.8K] 18k | 180K | 1.ma | _isMa 0,202 2,002 202 2002 2,0k2 20kQ | 200k2 | 2,0MQ 20MQ_ 0220 | 2,202 220 | 2700 | 2,20] 22k | 220K | 2,2M9.| 22M 0,240 2,402 242 2402 2,4kQ. 24kQ. | 240kQ | 2,4MQ : 0,272 2,702, 272 2702 2,7kQ 27kQ_ | 270kQ | 2,7MQ = 10300 [ 3,002 | 302] 300a| 3.0K] 30K 300K | 3,0M0 = 0,332 3,302, 332 3302 3,3kQ 33kQ__ 330k | 3,3MQ = 0360 | 3.600] 360] 3600] 3.640] 36k | 360K | 3,6M0 = 0,392 3,902, 392 3902 3,9kQ 39kQ 390k | 3,9MQ = 43a] 4300] 430] 4300 | 43k] 43k | 430KQ | 4.3M0 0,472 4,702 470. 4702 47k ATkKQ | 470k |_4,7MQ = asin] 5102] sia) sion | 5.1k2] 51k) 510K | 5.MO = 0,562 5,602, 562. 5602 5,6kQ. S6kQ | 560kQ | 5,6MQ : 0620 | 6200| 620 | 6200 | 6.2K] 62k | 620k | 6,2M0 = 0,680 6,802 682. 6802 6,8kQ 68kQ | 680kK2 | 6,8MQ : 0750 [7,500 750] 7500 | —7.5k9| 75k | 750K |_7,5MO = sz} 8202| 820| e200] 8.2K0] 82K) _820K2| 8.20 = 0,912 9,102, 912 9102 9,1kQ 91kQ | 910k | 9,1MQ = Potén Tew| wvaw] ipw[ iw] aw] sw] iow] _20w Adenes Schwantz 30