Documento Recurso N°1

Unidad: Diodos y Transistores MPEL01

Nombre : …………………

Fecha : ..…/.…./…….

Semestre : …………………

Sección : ……………….
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Contenidos:

1.1 Átomo:

 Teoría atómica.
 Estructura.
 Electrones de valencia.
 Clasificación de los materiales según su conductividad:
 Semiconductores.
 Uniones tipo N y P.

1.2 Diodos:
Nom : ............................................
 Función. .............
 Funcionamiento.
 Encapsulados. Prénom : .....................................
..............
 Simbología.
 Curva característica del diodo zener.
 Clasificación. Date : ............................................
................
1.3 Componentes pasivos:

 Resistor.
 Condensador.
 Aplicaciones.
 Mediciones de magnitudes y señales eléctricas:
 Circuito rectificador de media onda.
 Circuito rectificador de onda completa.

1.4 Transistor bipolar:

 Uniones PNP y NPN.

 Función.
 Clasificación.
 Funcionamiento.
 Encapsulados.
 Simbología.
 Configuración Darlington.
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 Aplicaciones:
 Conmutador.
 Amplificador.
 Oscilador.
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1. Diodos y Transistores

1.1 El Átomo

1.1.1. Teoría Atómica

Cualquier sustancia está compuesta de átomos: si pudiéramos

dividir una sustancia en partículas cada vez más diminutas, entonces
llegaremos a un punto en que no es posible dividirla más sin cambiar la
sustancia en si. Las partículas más diminutas de una sustancia se
llaman moléculas. Como se muestra en la figura, si nosotros
continuamos dividiendo las moléculas aún más, entonces llegaremos a
los átomos. Hay diferentes átomos disponibles; se conocen más de cien
tipos individuales de átomos. La materia puede estar compuesta por
una combinación de diferentes átomos, en este caso, como ya hemos
mencionado, la partícula más pequeña se llama molécula. Esta puede
estar constituida de un solo tipo de átomo, entonces se llama elemento.
Pero hasta el átomo puede dividirse en diferentes partes. Para entender
la naturaleza de la electricidad es necesario entender la estructura de un
átomo. Este está formado por un núcleo (protones y neutrones) y
electrones. Los protones están cargados positivamente, mientras que
los electrones están cargados negativamente. Como su nombre lo
indica, los neutrones son neutros en términos de carga eléctrica. De
acuerdo con el modelo del átomo de Bohr, los protones y neutrones
están concentrados en el núcleo y los electrones en orbitas alrededor del
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núcleo. Esto puede compararse con el sistema planetario, donde los

planetas orbitan alrededor del sol.

1.1.2. Estructura de Electrones

El átomo es eléctricamente neutro, porque tiene igual cargas

positivas, como cargas negativas. Las cargas de signo contrario se
atraen. La órbita periférica da al átomo sus propiedades químicas y
eléctricas, y no puede tener más de ocho electrones, y permite clasificar
a estos en:

a. Los átomos que tienen 1, 2 ó 3 electrones en la órbita

periférica, tienen la tendencia a perderlos y reciben el nombre de
electrones libres. Estos átomos se vuelven “iones positivos”
pues, eléctricamente se vuelven positivos. Este es el caso de los
elementos conductores (Cobre, Plata, Oro, Aluminio, etc.).

b. Los átomos que tengan 5, 6 ó 7 electrones en la órbita

periférica, tienen la tendencia de completar esta órbita a ocho
electrones. Estos átomos se vuelven “iones negativos” pues,
eléctricamente se vuelven negativos. Este es el caso de los
Aislantes (Azufre, Cloro, etc.).

c. Los átomos que tienen 4 electrones en la órbita periférica,

son intermedios. Estos átomos son semiconductores (Carbono,
Germanio, Silicio, etc.).

d. Los átomos que tengan 8 electrones en la órbita periférica,

no tienen tendencia alguna. Estos son los gases raros (Neón,
Argón, etc.).

8 Protones (+) 8 Neutrones

8 Electrones (-)

Anillos Orbitales K
L
(K, L, M, N….)
Átomo de Oxigeno
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Un átomo al que se le ha removido un electrón se carga

positivamente y si se agrega un electrón llega a estar negativamente
cargado. Estos átomos se llaman iones negativos o positivos. Es
posible añadir o remover más de un electrón; en este caso podemos
decir que esta doble o múltiplemente, negativamente o positivamente
cargado.

1.1.3. Electrones de Valencia

Junto con los electrones que están fijos al núcleo y sus propias
orbitas, hay algunos electrones existentes que pueden abandonar su
órbita y moverse libremente entre los átomos sin una trayectoria fija.
La cantidad de electrones libres de un material depende del material en
sí mismo, por ejemplo, en los metales existe una cantidad relativamente
alta de electrones libres mientras que en los materiales de goma existe
una cantidad pequeña. Esto se debe a la estructura atómica de cada
material. La estructura de un metal, por ejemplo, es aquella donde
existen una gran cantidad de electrones libres.

- - -
- + -- - +
- +
- -
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1.1.4. Clasificación de los materiales según su conductividad

Una sustancia con muchos electrones libres es un conductor y una

sustancia con unos pocos electrones libres es un aislante. Pero aún en
el caso de un conductor, donde existe una gran cantidad de electrones
libres, no hay electricidad sin una fuerza externa, de modo que los
electrones se mueven sin una dirección específica y el conductor es
eléctricamente neutro. Si se aplica una fuerza externa los electrones
comienzan a moverse en una dirección específica debido a que se
produce una diferencia de potencial. La sustancia con una pequeña
cantidad de electrones libres pone una alta resistencia al flujo de
electrones; estos materiales se llaman no conductores o también
llamados aislantes.

1.1.4.1 Semiconductores

Existe una clase de materiales entre los conductores y los aislantes,

conocidos como semiconductores. Por ejemplo, el Selenio, el Óxido de
Cobre, el Asenato de Galio. Probablemente los dos materiales
semiconductores más comunes y conocidos son el Silicio y el Germanio.

Éstos en su forma pura no atribuirán a cabo completamente las

funciones requeridas, pero cada uno puede ser modificado para reunir
las especificaciones eléctricas deseadas. Recuerde que la corriente
eléctrica es un flujo de electrones. En un semiconductor de cristal puro
los electrones se encuentran en una configuración muy “estrecha” y no
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hay lugar para que los electrones se muevan. Lo que tenemos que
crear es un exceso o una ausencia de electrones.

Esto se realiza por una “inyección” o una adición de impurezas al

cristal puro, en su punto de fusión. El tipo de impurezas agregadas
determinará si tiene un exceso o una ausencia de electrones.

La inyección de Fósforo al Silicio puro, por ejemplo, resultará en un

material tipo–N. Esto ocasionará que tenga un exceso de electrones.

Inyectándolo con Boro, se creará un material tipo–P. Esto

ocasionará que tenga ausencia de electrones. Si se aplica voltaje a este
cristal de Silicio “inyectado”, ahora puede causar un flujo ordenado de
electrones de una de las terminales de la fuente de voltaje, a la otra.

El voltaje bombea un electrón en un extremo del cristal, y un

electrón sale en el extremo opuesto, así mantendrá un número
constante de electrones en el material.
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1.1.4.2 Principio de Funcionamiento de los Semiconductores

Los átomos se unen compartiendo pares de electrones entre

átomos vecinos, en consecuencia, surge el Enlace Covalente. Esta
situación origina a las Bandas de Energía; la “Banda de Valencia”,
que corresponde a la zona en que los electrones se encuentran
semilibres, la “Banda de Conducción”, que corresponde a la zona
donde los electrones se encuentran con la suficiente energía para
moverse libremente en una estructura cristalina, y la “Banda
Prohibida” que corresponde a la zona cerrada al paso libre de los
electrones entre las bandas de Conducción y de Valencia.

Para explicar el funcionamiento de los semiconductores es

necesario definir el concepto de “Par Hueco”. Como se ha visto los
átomos se unen unos a otros mediante enlaces covalentes. Cuando a
un átomo se le saca un electrón de éstos enlaces, queda un “hueco”
que puede ser eventualmente llenado por otro electrón. Por lo tanto, el
hueco es ausencia de carga en una posición del átomo en que debería
existir carga. Al hueco se le asigna carga positiva.
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1.1.5. Unión N–P

A través de procesos físico–químicos es posible unir dos

semiconductores extrínsecos, uno del TIPO–N y el otro del TIPO–P, en
un encapsulado, lo que provoca una zona de separación denominada
UNIÓN.

En el cristal N–P se produce una difusión de portadores

mayoritarios. Los electrones de la zona N pasarán a la zona P y los
huecos de la zona P pasarán a la zona N, cruzando la unión. Esta
difusión se produce debido a que los electrones tenderán a llenar los
huecos adyacentes a la unión, dejando a su vez una zona de huecos en
la posición original. La difusión se manifiesta en los lados adyacentes de
la frontera y se denomina “Zona de Transición”.
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a. Polarización Directa: En este caso existe una inyección de

portadores mayoritarios por la diferencia de potencial aplicada, con
lo cual se reduce la barrera de potencial y se produce la conducción

b. Polarización Inversa: Los portadores mayoritarios son atraídos

por el potencial contrario aplicado en sus extremos, lo cual hace
que aumente el potencial de barrera; por lo tanto, los electrones no
tendrán la suficiente energía para atravesar la barrera y la corriente
será prácticamente nula.
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1.2 Diodos

1.2.1. Función

Un diodo es un dispositivo eléctrico que permitirá el paso de

corriente a través de él, en una sola dirección. Aplicando la teoría
convencional del flujo de corriente, el diodo permitirá el flujo de esta
solamente en la dirección de la “flecha”.

1.2.2. Funcionamiento:

Otra forma de entender cómo funciona un diodo es a través de su

gráfico, del cual podemos deducir que es un dispositivo NO lineal.
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Donde:

 OA: Zona de baja polarización directa, pequeña corriente.

 AB: Zona de Conducción (a partir de los 0,6 (V)).
 OC: Corriente inversa de saturación, a partir de C, zona de
avalancha.
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1.2.2.1 Aplicaciones del diodo

 Rectificación: Cambio de corriente alterna a continua.

 Circuito de control: Corriente directa en direcciones específicas
entre circuitos.
 Protección: Controla los pick de voltaje que pueden dañar
circuitos de estado sólido sensibles. Mantener el voltaje
del circuito dentro de un rango específico.

Cuando cuatro diodos son montados dentro de dos disipadores de

calor, el ensamble es llamado “Puente Rectificador de corriente alterna
(AC)”.

1.2.2 Encapsulados

En dependencia de la tensión o voltaje que soportan, la intensidad

de la corriente de trabajo, la función específica que tendrán asignada
dentro de un circuito electrónico y la potencia que disipan en watt, los
diodos se comercializan con diferentes tipos de encapsulados. Además,
un diodo específico puede tener tamaño y características de trabajo
diferentes, así como diferente forma de encapsulado.
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Existen también componentes miniaturizados para montar

directamente sobre circuitos impresos, denominados “SMD” (Surface
Mount Device). Entre esos componentes podemos encontrar,
igualmente, diodos de silicio como los que aparecen en la foto de la
izquierda identificados como D7 y D8. Nótese los pocos milímetros que
poseen tanto esos dos diodos como el resto de los componentes que le
acompañan.

1.2.3 Simbología

Las normativas vigentes

para designar los símbolos de los
componentes en un circuito eléctrico
corresponden a las especificaciones
internacionales DIN EN 60617-2 DIN EN
60617 a 12, y NEMA ICS 19-2002, ANSI
Y32.2. Los símbolos más empleados de
estas normativas son:
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1.2.4 Diodo Zener

Es un tipo de diodo diseñado especialmente para conducir

satisfactoriamente el flujo de corriente en sentido inverso. Es decir, para
trabajar en la zona de ruptura, comportándose en polarización directa
como diodos rectificadores y en polarización inversa como referencias de
voltaje.
La principal característica de este tipo de diodo, es que se le
inyectan más impurezas de lo normal durante su fabricación.

El cátodo se identifica generalmente mediante una banda de color

marcada alrededor del cuerpo del dispositivo.

1.2.4.1 Funcionamiento

En la curva del diodo zener se observa que, al aumentar

negativamente la tensión eléctrica aplicada, la corriente eléctrica que
circula por él aumenta muy poco.

Pero una vez que se alcanza la denominada Tensión Eléctrica

Zener (Vz), el aumento de la corriente eléctrica (siempre
negativamente) es leve, considerándose constante. Con esta magnitud
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de tensión eléctrica la corriente que atraviesa el diodo zener puede

variar en un gran rango de valores. A esta región se le llama la Zona
Operativa. Esta es la característica del diodo zener que se aprovecha
para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se
mantiene prácticamente constante para una gran variación de corriente.

1.2.4.2 Clasificación

Existen diversos criterios de clasificación para los diodos, pero más

utilizados se presentan a continuación.

Criterio Nº1: de acuerdo a la base del semiconductor:

Los más utilizados son los de Silicio, que presentan 0,6~0,7 voltios de
tensión de umbral, y los de Germanio que poseen una tensión de 0,3
voltios de tensión de umbral.

Criterio Nº2: de acuerdo a la función del dispositivo:

Diodo Zener

Diodo tunel : también denominado Esaki, presentan una curva o

comportamiento diferente de V-I.

Diodo Schotcky : tienen una tensión de umbral de 0,3 voltios.

Varicap : poseen una capacitancia que depende la tensión

inversa aplicada, se utilizan en el tuning de las nuevas radios.

Diodos de señal : para la circuitería eléctrica en general.

Diodos rectificadores

Diodos de potencia : mayor poder de disipación y circulación de

corriente eléctrica.
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1.4 Componentes pasivos:

1.4.1 Resistencia Eléctrica.

Una resistencia es un elemento que causa oposición al paso de la

corriente, causando que en sus terminales aparezca una diferencia de
tensión (un voltaje). En el gráfico más abajo tenemos un bombillo / foco
en el paso de la corriente que sale del terminal positivo de la batería y
regresa al terminal negativo. La máxima cantidad de corriente que
puede pasar por una resistencia, depende del tamaño de su cuerpo.

Los valores de potencia disipadoras de calor comunes de las

resistencias son: 1/4, 1/2, 1 Watt, aunque hay de valores mayores. El
bombillo / foco/ampolleta que todos tenemos en nuestros hogares se
comporta como una resistencia, pues limita el paso de la corriente,
disipa calor, pero a diferencia del foco o bombillo, la resistencia no emite
luz.

Las resistencias se representan con la letra R y el valor de éstas se

mide en Ohmios (Ω).

Las resistencias son fabricadas principalmente de carbón y se

presentan en una amplia variedad de valores. Hay resistencias con
valores de Ohmios (Ω), Kilohmios (KΩ), Megaohmios (MΩ). Estas dos
últimas unidades se utilizan para representar resistencias muy
grandes. A continuación, se puede ver algunas equivalencias entre ellas:

 1 Kilohmio (KΩ) = 1,000 Ohmios (Ω)

 1 Megaohmio (MΩ) = 1,000,000 Ohmios (Ω)
 1 Megaohmio (MΩ) = 1,000 Kilohmios (KΩ)
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Para poder saber el valor de las resistencias sin tener que

medirlas, existe un código de colores de las resistencias que permite
obtener con facilidad su magnitud con sólo verlas.

Para obtener la resistencia de cualquier elemento de un material

específico, es necesario conocer algunos datos propios de éste, como
son: su longitud, área transversal, resistencia específica o resistividad
del material con que está fabricada.

1.4.1.1 Clasificación de las resistencias.

De acuerdo al comportamiento de la magnitud de la resistencia

eléctrica, éstas se clasifican en tres grupos:
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Resistencias lineales fijas : su valor de resistencia es

constante y está predeterminado por el fabricante;
carbón y metálicas.

Resistencias variables : su valor de resistencia

puede variar dentro de unos límites; potenciómetro.

Resistencias no lineales : distintas variables físicas

afectan a la magnitud de su resistencia eléctrica
(temperatura, luminosidad, etc.); tiristor, fotoresistor y
termistancia.

1.4.1 Simbología
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1.4.2 Condensador

Se denomina condensador al dispositivo formado por dos placas

conductoras cuyas cargas son iguales, pero de signo opuesto.
Básicamente es un dispositivo que almacena energía en forma de campo
eléctrico. Para almacenar la carga eléctrica, utiliza dos placas o
superficies conductoras en forma de láminas separadas por un material
dieléctrico (aislante). Estas placas son las que se cargarán
eléctricamente cuando lo conectemos a una batería o a una fuente de
tensión. Las placas se cargarán con la misma cantidad de carga (q) pero
con distintos signos (+ y -). Una vez cargado el dispositivo, se presenta
entre las dos placas una tensión eléctrica, este queda lista para entregar
su carga cuando lo conectemos a un receptor de salida o consumo
eléctrico.
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El material dieléctrico que separa las placas o láminas suele ser

aire, tantalio, papel, aluminio, cerámica y ciertos plásticos, depende del
tipo de condensador. Un material dieléctrico es usado para aislar
componentes eléctricamente entre sí, por eso deben de ser buenos
aislantes. En el caso del condensador separa las dos láminas con carga
eléctrica.
La cantidad de carga eléctrica que almacena se mide en Faradios.
Esta unidad es muy grande, por eso se suele utilizar el microfaradio 10
elevado a menos 6 faradios; 1 µF = 10 -6 F. También se usa una unidad
menor el picofaradio, que son 10 elevado a menos 12 Faradios; 1 pF =
10-12F. La cantidad de carga que puede almacenar un condensador, se
llama Capacidad y es expresada por la siguiente fórmula:

C=q/V, faradios.

Donde:
q = a la carga de una de las dos placas. Se mide en Culombios.
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V = es la tensión eléctrica entre los extremos o placas o tensión del

condensador. Se mide en voltios.

Según la fórmula del condensador con una carga de 1 Culombio con

una tensión de 1 Voltio, tendrá una capacidad de 1 Faradio. Al despejar
la tensión eléctrica del condensador en la fórmula anterior y quedaría:

V = q/C, voltios.

1.4.2.1 Código de los Condensadores

   Los condensadores tienen un código de colores para calcular el

valor de su capacidad, pero en picofaradios (10-12 Faradios).

El primer color, indica el valor de la primera cifra de la capacidad,

el segundo el de la segunda y el tercero el del factor de multiplicación,
que es 10 elevado al número del código del color.

El cuarto color nos indica la tolerancia, el porcentaje que puede

variar del valor teórico (el sacado de los 3 primeros colores) de su
capacidad. Por ejemplo 10%, 20%, etc. Si un condensador tiene un
valor de 1000 pF y una tolerancia del 10%, quiere decir que el valor real
puede oscilar entre un 10% más o un 10% menos. Podría valer entre
900 y 1100 pF, aunque normalmente se ajustan bastante al valor
teórico, en este caso 1000 pF. El quinto color nos indica la tensión
de trabajo del condensador, es decir tensión a la que se carga.
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¿Qué capacidad tiene el condensador de la figura?

Existe otro código que se usa en los condensadores es el llamado

Código Japonés o Código 101. Este código lleva dígitos alfabéticos y
números.

Este condensador lleva el código japonés. Los 2 primeros

dígitos hay que multiplicarlos por 10 elevado al tercer dígito (llamado
multiplicador) para calcular su capacidad, en picofaradios (10 -12
Faradios). En este ejemplo sería 10 x 10 4 picofaradios = 0.1
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microfaradios. Este condensador se llamaría condensador poliéster

104.
También se usa el código de letras, en lugar de banda de colores
se imprimen en el propio condensador unas letras y números. Por
ejemplo, la letra K indica cerámico, pero el resto de letras nos indica la
tolerancia. Al final o al principio aparece un número que es el valor de la
capacidad o de la tensión.
Por poner un ejemplo, pero hay muchos diferentes, si vemos un
condensador marcado con las letras 47J, la J indica tolerancia del 5% y
el número 47 quiere decir 47 pF.
  
1.4.2.2 Clasificación

Los condensadores se clasifican según el dieléctrico que utilizan, los

más utilizados son los electrolíticos, de papel, de aire y los
cerámicos.
Los electrolíticos son condensadores que tienen polaridad, es decir
tienen positivo y negativo para su conexión. El material más usado para
la fabricación de condensadores es el Tantalio, por su gran capacidad de
almacenamiento y su poder de miniaturización, condensadores muy
criticados por ser un mineral que procede del Coltan.
Los condensadores electrolíticos están formados por una disolución
química corrosiva, por eso siempre hay que conectarlos con la polaridad
correcta. Tienen una patilla larga y una corta, la larga siempre debe ir al
positivo y la corta al negativo.
También se pueden clasificar como fijos y variables. Los fijos
tienen un valor de la capacidad fija y los variables tienen una capacidad
que se puede ajustar.
 En la tabla se muestran algunos de los diferentes tipos de
capacitores:
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1.4.2 Simbología.
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1.4.3 Aplicaciones

1.4.3.1 Rectificador de Corriente Alterna de Media Onda

Este es el circuito más simple que puede convertir corriente

alterna en corriente continua. Este rectificador lo podemos ver
representado en la siguiente figura:

Durante el semiciclo positivo de la tensión del primario, el bobinado

secundario tiene una media onda positiva de tensión entre sus
extremos. Este aspecto supone que el diodo se encuentra en
polarización directa. Sin embargo, durante el semiciclo negativo de la
tensión en el primario, el arrollamiento secundario presenta una onda
sinusoidal negativa. Por tanto, el diodo se encuentra polarizado en
inversa.
La onda que más interesa es V L, que es la que alimenta a R L. Pero
es una tensión que no tiene partes negativas, es una "Tensión Continua
Pulsante", y nosotros necesitamos una "Tensión Continua Constante".
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1.4.3.1.1 Mediciones de magnitudes eléctricas

 Tensión Eléctrica Peak: Es la magnitud máxima que alcanza la

corriente alterna rectificada, se calcula a través:

V p =√ 2×V RMS
 Tensión Eléctrica Media: representa la tendencia de la magnitud
de la corriente alterna rectificada, su magnitud se estima a través
de:
Vp
V m=
π
 Intensidad Eléctrica Media: representa la tendencia de la
magnitud de la intensidad de corriente alterna rectificada, su
magnitud se calcula por:
Ip
I m=
π

1.4.3.2 Rectificador de Corriente Alterna de Onda Completa

Es un circuito empleado para convertir una señal de corriente

alterna de entrada (Vi) en corriente de salida (V o) pulsante. A diferencia
del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la
señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se
convertirá en negativa, según se necesite una señal positiva o negativa
de corriente continua.
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Mediante el uso de 4 diodos en vez de 2, este diseño elimina la

necesidad de la conexión intermedia del secundario del transformador.
La ventaja de no usar dicha conexión es que la tensión en la carga
rectificada es el doble que la que se obtendría con el rectificador de
onda completa con 2 diodos.

1.4.3.2.1 Rectificación del semiciclo positivo: durante el semiciclo

positivo de la tensión de la red, los diodos D 1 y D3 conducen,
esto da lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de
carga.

1.4.3.2.2 Rectificación del semiciclo negativo: los diodos D2 y D4

conducen durante el semiciclo negativo, lo que produce otro
semiciclo positivo en la resistencia de carga.

1.4.3.2.3 Mediciones de
magnitudes eléctricas

 Tensión Eléctrica Media:

2×V p
V m=
π
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 Intensidad Eléctrica Media:

2×I p
I m=
π

1.4.3.2.4 Aplicación del Condensador o Filtro.

A la salida de un rectificador se obtiene una tensión continua

pulsante. Para mejorar esta señal y dejarla lo más cercano posible a
una señal continua pura, se utilizan los filtros. Existen diferentes tipos
de filtros, como son los “capacitivos” (condensadores), filtro “inductivo”
(bobinas). Además, pueden usarse ambos juntos (filtro inductivo–
capacitivo).

El condensador se carga a través de la tensión continua pulsante

que entrega el rectificador, una vez que el condensador almacena un
valor máximo de tensión, comienza su descarga hasta que nuevamente
la tensión continua pulsante alcance el valor del condensador,
comenzando nuevamente su carga, situación que permite aumentar la
media de la corriente rectificada.

1.5 Transistores

1.5.1 Función

Es un dispositivo eléctrico utilizado para controlar el flujo de

corriente. En ésta sección la operación del transistor es descrita por
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observación de las condiciones bajo las cuales el flujo de corriente no

permite el paso de corriente. Su resistencia interna puede variar en
función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que
sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que está
conectado.

1.5.2 Uniones

Cuando se forma una segunda sección de material TIPO P con la

unión N–P, se forma un “Transistor”.

El material “P” en el lado izquierdo es llamado “emisor”, el

material tipo “N” en el centro es la “base” y el material tipo “P” en el
lado derecho es llamado “colector”. Este arreglo es conocido como un
transistor PNP. Por el contrario, si los semiconductores del costado
poseen polaridad eléctrica negativa y el dispositivo central tiene un
potencial positivo, entonces se forma un transistor del tipo NPN.

1.5.2.1 Transistor NPN

Está formado por una capa fina tipo P entre dos capas N,
contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio,
presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El emisor emite
portadores de carga hacia el interior de la base, en ésta se gobiernan
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dichos portadores y en el colector se recogen los portadores que no

puede acaparar la base.

1.5.2.2 Transistor PNP

Las tensiones de corriente continua aplicadas son opuestas a las del

NPN, éstas fluyen en sentido contrario; el emisor emite huecos,
controlados por la base. El exceso de huecos que no pueden
recombinarse en la base del dispositivo fluyen hacia el colector.

1.5.3 Clasificación

De acurdo a las características constructivas y la función que

desempeña el transistor, estos se clasifican en:
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 Transistores de unión bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y

NPN; se utilizan para amplificar señales analógicas, tratamiento de
señales digitales y como conmutador de potencia eléctrica, en
circuitos con componentes discretos e integrados.

 Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente

tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-
oxido-semiconductor (MOS o MOSFET).

 Los transistores JFET pueden ser de canal “n” o de canal “p”;

estos, se utilizan para amplificar señales de baja frecuencia y
potencia (señales de audiofrecuencias).

 Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET

de “empobrecimiento o deflexión”, MOSFET de “acumulación
o enriquecimiento” y MESFET.

 Los MOSFET de empobrecimiento o deflexión pueden ser de

canal “n” o canal “p”; estos tienen aplicaciones limitadas en
amplificadores de radiofrecuencias de alta frecuencias en
etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido.

 Los MOSFET de enriquecimiento o acumulación, se utilizan

ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de
integración como las compuertas lógicas, memorias
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semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc.

También se disponen de MOSFET de enriquecimiento como
conmutador de alta potencia eléctrica (ejemplo el VMOS).

 Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos

con material semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son
de canal “n” y se los utiliza por su rapidez de conmutación en
circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y
sistemas lógicos de alta velocidad.

 Transistores de inducción estática (SIT): Son dispositivos de

alta potencia y alta frecuencia. Son similares a los JFET, excepto
por su construcción vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza
en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y
microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta caída de
tensión en sus terminales.

 Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT): Se los

utiliza fundamentalmente en circuitos de conmutación de potencia
eléctrica por ejemplo en circuitos inversores de corriente continua a
corriente alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan
las ventajas de los transistores BJT y MOSFET.

1.5.4 Encapsulado.

Los transistores bipolares, triacs, FETs y otros tipos de dispositivos

semiconductores vienen en muchas presentaciones o encapsulados.
La utilización del encapsulado depende del tipo de aplicación en que se
les van a utilizar.

Cada transistor (dispositivo semiconductor) tiene impreso en el

cuerpo del mismo, el tipo de transistor que es, siendo así muy fácil
poder encontrar sus características técnicas en un manual como el ECG,
NTE u otro. En estos manuales también se pueden encontrar
transistores de características similares o muy parecidas a los que se
les llama “equivalentes”. Entre los encapsulados más comunes están.

 El TO-92: Este transistor pequeño es muy utilizado para

la amplificación de pequeñas señales. La asignación de
patitas (emisor – base – colector) no está estandarizado,
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por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales de

equivalencias para obtener estos datos.

 TO-18: Es un poco más grande que el encapsulado TO-

92, pero es metálico. En la carcasa hay un pequeño
saliente que indica que la patita más cercana es el emisor.
Para saber la configuración de patitas es necesario a veces
recurrir a los manuales de equivalencias.

 TO-39: Tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es

más grande. Al igual que el anterior tiene una saliente que
indica la cercanía del emisor, pero también tiene la patita
del colector pegado a la carcasa, para efectos de
disipación de calor.

 TO-126: Este tipo de encapsulado se utiliza mucho en

aplicaciones de pequeña a mediana potencia. Puede o no
utilizar disipador dependiendo de la aplicación en que es
utilizado. Se al disipador por medio de un tornillo aislado en
el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante.

 TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de

gran potencia debido a que tiene que disipar bastante
calor. Está fabricado de metal y es muy normal ponerle un
“disipador” para liberar la energía que este genera en
calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del
transistor, pues este estaría conectado directamente con el colector
del transistor (ver siguiente párrafo). Para evitar el contacto se
pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen
conductor térmico. El disipador de fija al transistor con ayuda de
tornillos adecuadamente aislados que se introducen en los orificios
que estos tienen. (ver la figura). En el transistor con encapsulado
TO-3 el colector está directamente conectado al cuerpo del mismo
(carcasa), pudiendo verse que sólo tiene dos pines o patitas.
Los terminales no están en el centro del transistor, sino que
ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se muestra en
la figura, al lado izquierdo estará el emisor y la derecha la base.
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1.5.5 Simbología.
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1.5.6 Funcionamiento
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1.5.6.1 Configuraciones
 
Las configuraciones eléctricas que adquiere el dispositivo
dependen del terminal que se elija común en la entrada y en la salida
del circuito eléctrico, obteniendo distintos comportamientos. Por
ejemplo, se puede conseguir ganancia en tensión, en intensidad o en
ambas, según la clase de configuración aplicada.

Es evidente que los transistores no se utilizan como elemento único

en los circuitos, sino que forman parte de una red compleja de
elementos unidos entre sí. La forma de comportarse dentro de este
circuito eléctrico depende de la polarización que se otorgue a cada uno
de sus terminales.

De acuerdo a lo anterior, el transistor funciona en tres modos

cuando trabajo en un circuito eléctrico, son:

 Activa: Al polarizar directamente el diodo emisor – base, circula

una pequeña corriente que depende del valor de Rb, la que hace
que se establezca otra mayor entre el emisor y el colector (Ic),
proporcional a la corriente de base. De esta forma tenemos una
corriente en el circuito emisor – colector elevada que se puede
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controlar mediante otra mucho menor, el transistor funciona como

un amplificador de corriente.

 Saturación: Cuando el transistor conduce el máximo de Ic que

puede tolerar. Esta disposición se utiliza cuando queremos el
transistor funcionando como interruptor.

 Corte: En serie con la base se conecta una resistencia de

polarización Rb. Si el diodo emisor – base está polarizado en
inversa no puede circular corriente alguna.
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1.5.6.2 Aplicaciones.

 Configuración Darlington

Es un dispositivo que combina dos transistores bipolares en un

tándem en un único encapsulado. Esta configuración sirve para que el
dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y,
al estar todo integrado, requerir menos espacio que dos transistores
normales en la misma configuración.

La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de

los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en
corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento
de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda
convertirse fácilmente en inestable.

β Darlington =β1 ×β 2 +β 1 + β2
La ganancia se determina multiplicando las de los transistores
individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la
intensidad de la base por la beta total.

β Darlington≈ β 1×β 2

En lo que respecta al automóvil se destaca la importancia del transistor

en la utilización como Relé y amplificador.
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 Como Relé: se deben dar órdenes a la base del transistor, a

través de una débil polarización, para conseguir el paso de una
gran corriente entre emisor – colector.

 Como Amplificador: Estos se utilizan cuando se trata de recibir

señales procedentes de sensores o captadores, los cuales trabajan
con señales muy bajas. Para que éstas señales puedan ser
incorporadas a dispositivos electrónicos, tales como: módulos de
encendido, unidad de control electrónica de inyección u otro
microprocesador, deben amplificar las señales.

En resumen, un amplificador es un dispositivo por medio del cual

una débil corriente producida por una fuente, hace provocar una
fuerte corriente en la salida.
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