Amplificatore Hi-Fi da 50 W realizzato con i Darlington BDV 64A e BDV 65A in contenitore SOT-93 Viene presentato il progetto completo di un amplificatore Hi-Fi con potenza d'uscita di SOW, nello stadio finale sono stati impiegati i transistori di potenza darlington Philips / Elcoma BDV 64A / BDV 65A in contenitore SOT-93. 4, - INTRODUZIONE 1 vantaggi del nuovo contenitore SOT-93 che sosti- tuisce nei transistori di potenza Vormai noto TO3, sono stati gia ampiamente illustrati in un precedente lavoro apparso su questa rivista, Questo nuovo conte- nitore (fig. 1) deve considerarsi il miglior sistema di chiusura ermetica realizzato fino ad oggi per | conte- nitori in plastica, Combina infatti felicemente fattori economici, grande sicurezza di funzionamento e ridot- ta "fatiga” termica. Queste due ultime caratteristiche sono state ottenute grazie all'impiego di due noti pro cessi tecnologici: la saldatura eutettica ¢ la passiva zione del cristallo. T fattori economlci a cui abbiamo accennato pitt sopra riguardano le velocita di assemblaggio che questo cortenitore consente di realizzare in sede di fabbrica Zione del translstore; in particolare, possono essere rese completamente automatiche, la saldatura eutettica € quella ad ultrasuoni impiegata per unire i terminali alle parti attive del cristalio, In questo articolo esporremo il progetto, completo i circuito stampato e di altri dati caratteristici im portanti, dell'amplificatore Hi-Fi da 50W sommaria- mente jllustrati nel precedente lavoro Nello stadio finale di potenza vengono anche in questo caso impiegati i transistori darlington BDV 644, BDV 65A in configurazione complementare. Per at- tenuare la perdita di risposta alle frequenze pitt basse @ stato eliminato il condensatore elettrolitico di accop piamento all’altoparlante, Fig. 1 - Parte anteriore & posteriore di un_transistore arlington di potenza in contenitore SOT-93. Sono i tran. Sistort BDV 64A ¢ BDVGSA impiegati nello stadio finale. 107Fig. 2 - Struttura interna di un transistore di potenza cou il nuovo contenitore SOT-93. 1 = cristallo ricoperto in ve tro (e ciok passivate). 2 = giuntura eutettica or0/silicio. 3 = pettne di rame. 4 5 filo.di collegamento in allumtinio, 5 = saldatura ad ultrasuoni dei fil di collegamento. 6 = cap- ‘ula in silicone speciale, 7 = terminali di rame stagnato, Il segnale fornito dalla copia complementare finale sara pertanto accoppiatu direttamente (in c.c.) all'alto- parlante. Vantaggi: economia (Velettrolitico costa) © migliore risposta alle basse frequenze, come gia detto. Cid richiede perd due tensioni di alimentazione uguali € contrarie (alimentatore con presa centrale); inoltre, la “tensione” sulla presa centrale (¢ cio la tensione zero 0 massa) dovra essere rigorosamente stabilizzata sul valore di zero in modo che, in nessun caso, si abbia circolazione di corrente nella bobina mobile dell'alto- parlante, Cid si ottiene applicando I'eventuale varia. zione in piti o in meno rispetto massa (tensione off-set), presente sulla presa centrale, ad una delle basi di uno stadio dell’amplificatore differenziale presente all'in- gresso, L'amplificatore & munito di un sistema di protezione contro i danni derivanti da un eventuale cortocircuito dei morsetti dell'altoparlante. Incorpora inoltre altri perticolari circuiti che rendono il suo funzionamento Stabile anche nel caso di collegamento a carichi di natura complessa (altoparlanti static. I vantaggi derivanti dall'aver impiegato in questo amplificatore transistori in contenitore SOT-93 al posto Gi quelli in T0-3 (per es. BDX 64 € BDX 65) sono 5 seguenti: Tabella 1 — POTENZA « TRATTATA:» DAI NUOVI TRANSISTORI IN SOT-93 E DA CORRI- SPONDENTI IN CONTENITORE TO-3 | Bpxesa BDV64A | BDX65A BDV65A (703) | (SOT93)| (TO3) | (SOT-93) 0 u7 12s 17 125 30 1 125 7 was 6 8 4 18 6 80 8 28 8 2 massima potenza dissipata (in W) a Tun = 108 — come si pud vedere dalla tabella 1, questo trpo di contenitore consente di trattare poterze fino a $ volte superiori a quelle trattate dagli equivalent in TO3, — il montaggio del radiatore & pit semplice, riduzione nella misura del 30% della resistenza termica tra giunzione e base di montaggio, — Velevata frequenza di taglio riduce Ja distorsione secondaria di incrocio, prodoita dalle caratterist che di lavoro dei due transistori (distorsione di cross-over), a livelli trascurabil 2. - DESCRIZIONE DEL CIRCUITO Ul circuito dell'amplificatore @ riportato in fig. 3a, il circuito di protezione in fig, 3b; la piastra del cireuito stampato sul quale & montato in fig. 4. Come gid detto, per ragioni di economia e per mi- gliorare la risposta alle basse frequenze l'altoparlante & collegato direttamente all'uscita dell'amplificatore; cid richiede un alimentatore con presa centrale. Una rete di controreazione in c.c. impedisce che nella bo: bing dell’altopartante possa circolare una componente di corrente continua. Questa rete consiste nell’applicare ad_una delle basi di un transistore dell’amplificatore differenziale d’ingresso, Veventuale tensione off-set, Ce pero V’eventualita che una linea di alimentazione delt‘amplificatore possa essere interrotta, nel qual ca- so una ccrrente continua molto intensa potrebbe ci colare nella bobina mobile dell’altoparlante con tutte le prevedibili conseguenze, Per annullare questo serio pericolo occorre inserire sia nella linea di alimentazione positiva che in quella negativa un fusibile da 2A. Stadio d'ingresso differenziale e stabilizzazione della tensione sul punto centrale dell'alimentatore Lo stadio d’ingresso differenziale & formato da TRI fe TR2: TR3 & collegato agli emettitori di questi tran- sistori ¢ funziona da sorgente di corrente di 1 mA. La inevitabile variazione di tolleranza nei valori dei gua- dagni di TRI e TR2 produrra ovviamente tensioni di differente valore ai capi di R2 e RI7, Questa inevitabile differenza di tensione viene mantenuta entro limiti accettabili impiegando nell'amplificatore differenziale i transistori BC 547C, facendoli lavorare con una cor- rente con valore nominale di 0,5 mA e assegnando ai resistori R2 ¢ R17 il valore di 22k. La massima ten- sione off-set riscontrabile in pratica dipendera pertanto dallo spread del guadagno e dalla tensione Ver di TRI e TR2 impiegati Per il BC S47C con una Ic = 0,5 mA, un hire au = 760 € un Diem = 375, avremo una Tew = 133A e una Tre = 0,66 4A, Lloffset della tensione di base prodotto dalle variazioni delle tolleranze del guadagno sara: Rs (Tame = Tenn 22 x 10° (1.33 — 0,66) x 10 = 15 mV. Per un BC © una Vara © con una Ie = 0,5 mA, Vow. 10 mV 575 mV, l'offset della tensione di baseSt aH Fig. 3 Fransistori finalt. prodotto dalle tolleranze di Var nelle suddette condi- Zioni di lavoro sar’ Verwn = Varnn = (610—575) x 10° = 35mV Lioffset massimo complessivo per una corrente di collettore di 0.5 mA in TRI e TR2 sara: (15 + 35) x 10° 50 mA. Tl guadagno complessivo in alternata dell’am: plificatore @ determinato dal rapporto dei valori dei resistori (RI7 + R18)/RI8 e da (RI + R2)/R2 La stabilita complessiva in alternata dell’amplificatore & assicurata da} yesistore Ri, dal condensatore C3 e dalle reti RC R3C4, RIGCT € RIVC9. Stadio pilota II segnale in uscita dallo stadio differenziale din. ‘gresso viene collegato alla base di TR4, Questo tran. sistore lavora come pilota in classe A, ed ha come sorgente di corrente TR6 che permette di avere una corrente di collettore di 7 mA. a) Amplifcatore di potenza HiFi da 50W. (b) Circuito i Drbicgione det transistor iat (VERS & fasato sul raditore det . we Stadio finale I transistori complementari dello stadio finale, la- voranti in classe AB, assorbono una corrente di riposo di TmA. Questo valore di corrente viene fissato. dal trimmer R11 ed & stabilizzato termicamente sfruttando la tensione Ver di TRS il cui valore dipende dalla tem- peratura, Questa variazione di Ver in funzione della temperatura viene sfruttata per neutralizzare le varia- ioni baseemettitore dei transistori finali La stabilizzazione termica della corrente di collet: tore dei transistori finali viene ulteriormente assicu- rata montando TRS in diretto contatto termico sul radiatore dove sono montati i transistori finali, e cok legando inoltre resistori da 0,5 in serie agli emetti- tori di TRT © TRE. Linduttore da 4H con in paral- lelo i resistore R20, conegate in serie all'aitoparlante, previene eventuali fenomeni di instabilita che potreb- bero verificarsi in caso di collegamento di altoparlanti ad un carico capacitivo (altoparlanti elettrostatici).ee S Seek © |) eo oe he TH Fig. 4 - Circuito stampato per ta realizzazione del'amplificatore; (in alto) visto datla parte del rame: (in basso) visto dal aio component. Circuito di protezione contro sovraccarichi Si sa che cortocircuitahdo i terminali dell’altopar. lante, j transistori d'uscita vanno incontro a sicura di struzione. Il circuito di protezione riportato in fig. 3b mantiene, anche in caso di cortocircuito, la potenza dissipata’dai transistori finali entro i massimi lim consentiti (curve SOAR). I circuiti di protezione o: venzionali proteggono i tr i finali ma agiscono su um solo parametro nel senso che impediscono che no oi transistori finali circoli ana corrente che indubbia- mente li distruggerebbe. Il circuito di protezione di fig. 3b agisce su due parametri: anch’esso impedisce che nei transistori fi ali possa circolare una corrente distruttiva, in pits impedisce anche che ai capi dei medesimi si formi una rensione altrettanto distruttiva, Evidentemente, questi due limiti di lavoro estendono la possibilita d'impiego doi transistor’Fig. 4a - (a) Prototipo di laboratorio deli'amplificatore HeFi di figura 3. 3. - ALCUNI CALCOLI PER IL PROGETTO DELL'AM- PLIFICATORE L’amplificatore & stato progettato in maniera che nelle condizioni di lavoro pili gravose e con una tem- peratura ambiente di 45°C non venga mai superata nei transistori finali la massima temperatura (Tj.s) ammis- sibile alla giunzione. Per il calcolo dei dissipatori di calore dello stadio finale si & proceduto nella seguente maniera: La corrente massima di picco d’uscita che da la massima potenza (e cioé 50 W) oltre la quale si verifica i fenomeno del taglio, arnmonta, se il carico & 49, b= | ane = [ooo = 5A. La tensione d'uscita di picco sara: 2P, 100 = 20v La caduta di tensione (valore di pi ‘TRI (nella met& superiore del circuito) Varese © (LeR14) + Veco TRI + (R12 TRT + Vem TRA) = (5X05) + 2,5 + (150 x 5 x 10°) +065 = 64V Le perdite in TR6 © TR8 sono pressapoco le stesse. La tensione di alimentazione, a picno carico, dovra pertanto essere Va = Wet Vou 20 + 64 = 27V. Il grado di stubilizzazione della tensione di alimen- tazione @ definito da V in assenza di carico — V in presenza di carico V in assenza di carico Supponiamo di impiegare una tensione di alimenta- zione non stabilizzata con un fattore di stabil 15%, ¢ cio’: Vewo — Vee = 015 Veo Risolvendo per la condizione di tensione in assenza di carico (Ve) si avra: Veo = 118 Vio = 22. La massima dissipazione di collettore si verifica quando Ja potenza dissipata dall'uno e dall’altro tran- sistore & uguale alla potenza che "passa” nel carico. Se il pilotaggio ¢ con segnale sinusoidale, la massima potenza sara (2/n), corrispondente cio® allo 0,4 della massima potenza. Il valore della tensione di alimentazione, in queste condizioni di carico, sara: wom ove fr -(SE) 2] = 0,904 Veo = 29V. Supponendo che si verifichi un aumento della ten- sione di rete nella misura del 10% ed una contempora- nea riduzione del 20% del carico, la massima dissipa- zione in TR8 caso limite sara (ul x 29) — sw 7 (0,8R. + Ro) La potenza dissipata in TRY, teoricamente, infe- riore a quella di TR8; agli effetti pratici pud comunque considerarsi uguale. La resistenza termica complessiva tra la giunzione di ciascun transistore finale e 'ambiente circostante @ data da: Ran = 38°c/w Pra 215 La resistenza termica tra la giunzione e la base di montaggio (Ra nu) & 1°C/W, quella tra base di mon- taggio ¢ ambiente & 0,8°C/W, nel caso il transistore venga montato isolato dal radiatore e interposta pasta al silicone. La resistenza termica che dovra avere il radiatore sul quale verra montato ciascun transistore finale non dovra pertanto essere superiore a: Raya = (Reins + Rann) e clot 38 — (1 + 08) = 2°C/W. ul1 Tie fo ' duos ~ EARS aoe a 075 050 025] 10 10-7 1 10 02 0 107 108 108 108 Poot (W ‘equeney {He} Fig, 5 - Distorsione armonica complessiva in funzione della Fig, 6 - Distorsivwe armonica complessiva in funcione della potenea duscita frequenza (Px = 10W). 4, - PRESTAZIONI DELL’AMPLIFICATORE — guadagno (anello aperto} 77: 4B Si riferiscono all'amplificatore di fig. 3 con alto- guadagno (anello chiuso) aeB parlante da 40. — sensibitita d'ingresso per Ps = 50 W 600 mV — alimentazione senza carico Vaw potenza d’uscita (distorsione [IT armonica = 0,7%) 50W min — alimentaz, con mass. carico Vir — larghezza di banda della potenza (distorsione IID armonical srrore di tensione sul punto intermedio (offset) 50 mV _max 07% a — 1dB) < 20 Hz... > 20 kHz —corrente di lavoro — risposta in frequenza (a — 1 dB) (ce) per TRS Iims (livelio riferimento Ps = 5 W — corrente di lavoro a \kHz . 20 Hz... 30 KH (ce) per TRA/TRE yma — distursione armunica complessiva — corrente di lavoro fino a Py = 50W(f = 1 kHz) 0.1% max (ce.) di TRI/TR2 05 mA distorsione per intermodulazione — corrente di riposo aP = 50W 05% max (ce) di TRI/TRE 50 mA — rapporto segnale disturbo 80dB min — impedenza d'ingresso 25 ka — assorbimento di corrente alla — impedenza d'uscita 004.9 massima potenza +164 distorsione per intermodulazione _Fig, 8 - Distorsione sceondaria di crossover ¢ segnale di 2 8kHE: VilV[, = 4, Orize. = 500 Hsu nscita {= JOKEz, Pe = TW, dun = 005% 12Distorsione armonica Vengono date due curve: in una, la distorsione & funzione della potenza d'uscita con la frequenza come parametro (fig. 5); nell'altra, la distorsione & data in funzione della frequenza ma ad una potenza d'uscita i 10 W. Entrambe le curve indicano ii basso valore di distorsione dato dall’amplifcatore. La fig. 5 indica che quando l'amplificatore da una potenza di 50W alla frequenza di 1 kHz, la massima distorsione armonica & dello 0,1%, Distorsione per intermodulazione La fig. 7 riporta lo spettro della distorsione per inter- modulazione intorno ad un segnale di 8 kHz (f2) pro- dotta da un segnale d'ingresso (f1) di 250 Hz. Sono -queste le condizioni richieste dalle norme DIN 45 500, alla massima potenza dell’amplificatore e con Vn = 4V». La distorsione per intermodulazione misurata in questo amplificatore risulto inferiore allo 05%! (Le norme DIN prevedono invece un minimo del 2%). Fattore di smorzamento E’ il rapporto tra Vimpedenza del carico esterno Vimpedenza d’uscita dell'amplificatore. Nel nostro caso, impiegando un altoparlante con impedenza di 49, sara: 4/004 = 100, Distorsione secondaria nel punto di crossover Questo tipo di distorsione ha luogo specialmente alle frequenze elevate ed & prodotta da cariche elet- triche immagazzinate nelle basi dei transistori; in par- ticolar modo in quelle dello stadio finale. Cid introduce ‘an certo ritardo nel raggiungimento del punto d’incro- cio, delle caratteristiche del punto cioé in cui la sc- mionda fornita da un transistore finale viene a "sal- darsi” con la semionda fornita dall'altro transistore. A questo ritardo da imputare la distorsione di cross- ‘over come ‘appunto indicato in fig. 8 La cosa pit importante al riguardo @ che questa particolare forma di distorsione non assuma la forma a "spiga”. Risposta in frequenza Secondo le norme DIN 45 500, 1a curva di un ampli- ficatore Hi-Fi deve essere pressocché piatta (+ 1 dB) ra 40 Hz e 16 kHz; il segnale d'ingresso impiegato per la misura deve avere la frequenza di 1 kHz deve avere un livello tale da produrre una potenza d'uscita 10 dB al di sotto di quella massima fornibile dall'am- plificatore, La curva di risposta di fig. 9 2 quella del nostro amplificatore rilevata secondo le norme DIN suddette: 20 Hz e 30 kHz, Ia risposta si trova entro 1 dB rispetto alla risposta ad 1 kHz, Guadagno In fig. 10 & riportato Vandamento de! guadagno in funzione della frequenza per le condizioni di anello aperto (curve in alto) ¢ anello chiuso (curva in basso). Larghezza di banda della potenza Questa caratteristica non @ altro che la risposta in frequenza corrispondente ad un livello di distorsione fisso (dm) del segnale d'uscita, Secondo le norme DIN citate, la larghezza di banda minima della potenza deve estendersi da 40 Hz a 12,5 kHz. Nel nostro caso (fig. 11), con distorsione fissa da. = 0.7%, la larghezza di banda della potenza va da 20 Hz 30 kz, = 8 ica 2 o 5 10 10? 107 108 108 Feequency (He) Fig. 9 - Risposta ix frequenza dell'amplificatore, Fig, 10 Guadagno ad anello aperto (in alto) e ad aneto 10 10? 107 107 108 frequency (He) Fig. IT - Curva deita larghezza di banda della potenza (vedi testo) 113\? on Fig. 12-1 terminali del SOT93 si trovano sullo stesso piano di montaggio del transistore. 1 = punto sul quale si Dud esercitare una pressione per consentire il mighior con fatto tre base di montaggio del transistore (collettore) € dissipatore di calore. 2 = superficie in diretto contatto con i radiatore, 5. - SUGGERIMENTI PER IL CORRETTO MONTAGGIO DEI TRANSISTORI IN CONTENITORE SOT-93 AL RADIATORE DI CALORE Innanzitutto non si dovranno esercitare forti solle- citazioni meccaniche sui terminali e sul contenitore del transistore, Anche la caduta accidentale del tran- sistore su una superficie dura (cemento, ferro) pud danneggiarlo. Come gi accennato, & possibile abbassare conside. revolmente la resistenza termica tra base di montaggio det transistore e radiatore di calore spalmando le due superfici di contatto con paste al silicone. Nel caso di montaggio con isolamento converra spalmare con Ia suddetta pasta, la parte della mica che “guarda” il contenitore a faccia del radiatore a contatto con la mica. Per cid che riguarda la saldatura del transistore al circuito si dovra distinguere: a) saldatura con bagno di stagno La massima temperatura dello stagno non potra superare i 260°C; il contenitore dovra distare al- meno Smm dal bagno. I terminali non dovranno rimanere nel bagno di stagno piit di 7 secondi. Fig. 13 Esempio di fissaggio di un contenitore SOT-93 ‘mediante clip (36379). 1 = apertura rettangolare sul radia ore, 2-— bordo del radiatore, 3 = clip. -4 ~ 4 terminal! possono essere collegati direltamente al circuit stampato us Fig. 14 - Aecessoré per montaggio isolato del contenitore SO793; a desire c’é la rondella isolante; a sinistra la boc ‘ola per la vite di fissaggio. b) saldatura con normale saldatore La massima temperatura del saldatore non dovra superare i 275°C. Il saldatore non dovra essere por- tato pitt vicino di 3mm dal contenitore e la salda tura dei terminali non covra durare pitt di 5 secondi. Il contenitore del transistore non dovra essere por- fato a contatto con un corpo con temperatura superiore a 200°C. Il contenitore non dovra inoltre essere saldato al radiatore di calore dato che in questo caso la giunzione verrebbe sottoposta ad una temperatura superiore a quella prescritta. Non si deve correggere Ia posizione del contenitore dopo che i suoi terminali sono stati saldati al circuito, Se ci si atterra alle regole sopraddette, la resistenza termica tra base di montaggio ¢ radiatore di calore (Rao) avr i seguenti valori montaggio montaggio diretto con isolamento senza pasta al silicone sul radiatore 08-c/w 22°c/w con pasta al silicone sul radiatore 02 c/w og-clw ¢) Montaggio mediante clip In sede di produzione di una data apparecchiatu:: il montaggio dei transistori «li potenza richiede in generale un tempo considerevole se lo si raffronta alle altre fasi di montaggio. Cid vale in particolare per il "vecchio” TO:3. Il nuovo TO.93 abbrevia senza dubbio i tempi di montaggio del transistore al ra- diatore, Innanzitutto perche a differenza del TO. i suoi terminali si trovano sullo stesso piano del radiatore; in secondo luogo, poiche potendosi eser- citare una notevole pression sulla parte centrale del radiatore (fig. 12), questo contenitore pud es- sere posto in stretto contatto con Ja superficie del radiaiore mediante clip (fig. 13). Ovviamente, il TO-93 pud essere fissato sul radia tore anche mediante vite di fissaggio e, nel caso ill collettore debba essere isolato dal radiatore, @ pre- vista una rondella di mica e la relativa boccola isolante per la vite (Fig. 14).