Practica No.

4 Experimento del efecto Hall Introduccin Efecto Hall El efecto Hall consiste en que en un metal o semiconductor con corriente, situado en un campo magntico perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo elctrico transversal y un diferencia de potencial. La causa del efecto Hall es la desviacin que experimentan los electrones que se mueven en el campo magntico bajo la accin de la fuerza de Lorentz. Las siguientes figuras muestran las direcciones del campo magntico B, de la densidad de corriente J, la fuerza de Lorentz F, la velocidad de las cargas V (segn sean estas positivas o negativas), as como los signos de las cargas concentradas en las caras opuestas superior e inferior para cada tipo de carga (negativa y positiva). La figura 1a es vlida para metales y semiconductores tipo n; para semiconductores tipo p, los signos de las cargas que se concentran en las superficies son opuestos (figura 1b).

fig. 1a fig. 1b Las cargas siguen siendo desviadas por el campo magntico hasta que la accin de la fuerza en el campo elctrico transversal equilibre la fuerza de Lorentz. La diferencia de potencial debida al efecto Hall es pues, en el equilibrio:

(1) Cuestionario RL = RESISTENCIA LIMITADORA CORRIENTE DE LA MUESTRA mA VOLTAJE HALL mV Tabla de resultados caso uno RL = RESISTENCIA LIMITADORA CORRIENTE DE LA MUESTRA mA VOLTAJE HALL mV RL = RESISTENCIA LIMITADORA CORRIENTE DE LA MUESTRA mA VOLTAJE HALL mV Tabla de resultados caso tres 1. Con los datos de voltaje y resistencia limitadora calcule la corriente que circula en la sonda de Hall. RL = RESISTENCIA LIMITADORA CORRIENTE DE LA MUESTRA mA VOLTAJE HALL mV 1 K! 7.8 X 104 mA 0.9 mV 1 K! 7.8 X 104 mA 0.9 mV 1 K! 7.8 X 104 mA 0.9 mV 1 K! 7.8 X 104 mA 0.9 mV

2. Del valor obtenido del voltaje de Hall, calcule el valor de la concentracin. R = VH = (1/Qn)(ixBz/Wz) n = 1/VH Q)(ixBz/Wz) n = 2469135802 2

3. Qu tipo de portador de carga tiene la muestra de Hall? R= Portador con carga negativa 4. Si la muestra de Hall, cambia de dimensiones pero utiliza el mismo material (mismo semiconductor y concentrador de impurezas) se medirn voltajes de Hall diferentes R= No, El factor decisivo para que se detecte un voltaje Hall es la diferencia en movilidad de los portadores de carga: un voltaje Hall puede aparecer slo si los portadores de carga positivos y negativos tienen movilidades diferentes. 5. Cuantas aplicaciones del efecto Hall conoce .Mencione almenas tres? R= Se utilizan en censores , taxmetros, laceres semiconductores de alta estabilidad 6. Que sentido llevan las lneas de campo magntico en el imn, para que determine la direccin de este? R= Van del polo negativo al positivo 7. Donde se localiza el norte magntico del globo terrestre? R= La tierra acta como un imn gigantesco con su polo magntico sur cerca de su polo geogrfico norte

8. Que mano aplica para determinar el producto VXB cuando hizo la medicin? R= La derecha, la regla de la mano derecha para recordar la direccin del campo magntico; cuando el pulgar apunta en la direccin de la corriente convencional, los dedos entorno del alambre apuntan en la direccin del campo magntico F=q (VXB) 9.Ilustra el circuito para la medicin del efecto hall si cambiamos la polaridad de la fuente de alimentacin e 3

ilustre los campos del efecto hall.

vN B S Resistencia limitada Corriente de muestra Voltaje 9.22 Ohms 7.8mA 0.9mv

10. Ilustre el diagrama elctrico si colocamos del sur del imn arriba con la polaridad de la fuente de alimentacin como se muestra el primer caso considerando que la fuente es un material tipo N

S B Nv Resistencia limitada Corriente de muestra Voltaje Conclusiones Con esta practica pudimos reafirmar nuestros conocimientos como los portadores de carga que estos dan lugar al campo magntico tambin que algunos son electrones y otros huecos gracias a esta practica pudimos comprobar que al aplicarle un campo magntico y una diferencia de potencial a la sonda de hall, se acumulan las cargas en las caras del material geomtrico generndose as el efecto de hall despus de esto cuando el voltaje es positivo se trata de un material semiconductor de tipo N y si el voltaje es negativo es un material de tipo P. Laboratorio de fsica III Practica No.4 Experimentacin del efecto Hall Fecha de entrega: 16 de octubre de 2002 B 9.22 Ohms 7.8mA 0.9mv

N S v B N V Tabla de resultados caso dos S N B S V A V d UH B