Professional Documents
Culture Documents
Chapter2 3 Nong Do Hat Dan Noi Tai
Chapter2 3 Nong Do Hat Dan Noi Tai
HIEU NGUYEN
Ở phần này, ta luôn xét bán dẫn ở điều kiện cân bằng
nhiệt: bán dẫn không bị tác động bởi các điều kiện kích
thích bên ngoài như ánh sáng, áp suất hay điện trường.
Mẫu bán dẫn khi xét phải có nhiệt độ không đổi trên
toàn mẫu.
1
F (E ) =
E − EF
exp( )+1
kB T
Trong đó:
kB = 8, 62.10−5 eV /K là hằng số Boltzmann
Ở T = 300K thì kB T = 0.026eV
EF là mức năng lượng Fermi
Đối với bán dẫn thuần, mức năng lượng Fermi EF nằm ở
chính giữa dải cấm
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 12 / 52
Phân bố Fermi - Dirac
Mức năng lượng Fermi EF nằm ở giữa dải cấm nên
không có electron tồn tại trên mức này.
Tuy nhiên, về mặc toán học, nếu xét xác suất
electron xuất hiện ở trạng thái chiếm mức năng
lượng EF thì: F (EF ) = 0.5
Điều này chỉ nói lên số electron tự do (trên dãi dẫn)
và số lỗ (ở dải hóa trị) bằng nhau (do bẻ gãy liên
kết cộng hóa trị tạo 1 electron tự do và 1 lỗ trống)
Nếu ở điều kiện nào đó, số electron tự do 6= số lỗ
trống thì mức EF sẽ thay đổi lệch về phía có số hạt
dẫn nhiều hơn
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 13 / 52
Phân bố Fermi - Dirac
1
Fh (E ) = 1 − F (E ) =
EF − E
exp( )+1
kB T
Do các vạch rất gần với nhau (coi như liên tục), ta
chuyển tổng thành tích phân:
Z ∞
n= F (E ).NC (E ).dE (1)
E =EC
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 21 / 52
Tính nồng độ electron - lỗ trống
4π p
Trong đó: NC (E ) = 3 2me3 (E − EC ) và
h
E − EF E − EF
F (E ) = [exp( ) + 1]−1 ≈ exp(− )
kB T kB T
xét ở điều kiện E − EF > 3kT
Thế tất cả vào tích phân và tính toán, ta được:
EC − EF
n = NC exp(− ) (2)
kB T
Tương tự, ta tìm được nồng độ lỗ trống:
EF − EV
p = NV exp(− ) (3)
kB T
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 22 / 52
Nồng độ hạt dẫn nội tại
Ở bán dẫn thuần, cứ 1 electron tự do sinh ra sẽ kéo theo
1 lỗ trống do đó n=p. Người ta gọi giá trị này là nồng độ
hạt dẫn nội tại ni
n = p = ni
Hoặc có thể viết lại ở dạng sau - Định luật tác động
số đông
ni2 = np (4)
Thế n và p từ (2) và (3), ta được:
p EG
ni = NC NV exp(− ) (5)
2kB T
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 23 / 52
Nồng độ hạt dẫn nội tại
Biểu thức (5) chứng minh rằng, khi T tăng thì nồng
độ hạt dẫn nội tại (hay số hạt dẫn hiện có) tăng.
Nó cho ta công thức định lượng về số hạt dẫn theo
nhiệt độ
Định luật tác động số đông (biểu thức (4)) không
chỉ đúng đối với bán dẫn nội tại, mà nó còn đúng
đối với bán dẫn có tạp chất
Nếu cần sự phân bố của hạt dẫn (electron tự do và
lỗ trống) theo năng lượng, ta chỉ cần lấy nguyên
hàm của tích phân (1). Đồ thị biểu diễn sự phân bố
hạt dẫn như ở hình sau
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 24 / 52
Nồng độ hạt dẫn nội tại
EC + EV kB T N V
Ei = + ln( )
2 2 NC
Lưu ý: Ei đặc trưng cho vật liệu bán dẫn nên khi pha tạp
chất làm n và p 6= ni , Ei không thay đổi mà chỉ có EF
thay đổi
EF − Ei
n = ni exp( )
kB T
Ei − EF
p = ni exp( )
kB T
Biểu thức này cho thấy, khi thay đổi n và p thì EF thay
đổi theo
Đặc biệt, khi EF = Ei thì n = p = ni (Bán dẫn thuần)
Năng lượng ion hóa (năng lượng dùng để ion hóa nguyên
tử tạp chất):
- Với Donor: EC − ED
- Với Acceptor: EA − EV
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 33 / 52
Ví dụ năng lượng ion hóa
np = ni2
n + NA = p + ND
Ei − EF
Thế Fermi: ϕF =
q
Dấu của thế Fermi cho biết bán dẫn loại gì
Dùng để xác định vị trí mức Fermi
Dùng để viết gọn phương trình n và p
Thế khối: ϕb = −ϕF
HIEU NGUYEN (HCMUT) VẬT LÝ BÁN DẪN Chương 2-3 46 / 52
Ví dụ mức Fermi của vật liệu Si
Mức Fermi là hàm của nhiệt độ và nồng độ tạp chất