Physique des composants semi-conducteurs 3

Le but de cette unité est d’étudier quelques phénomènes se manifestant

dans les matériaux semi-conducteurs de dimensions comparables à la
longueur d’onde de l’électron. Ces effets entrainent des modifications
dans le comportement de ces matériaux et doivent être pris en compte.

1- Les effets quantiques dans les composants semi-conducteurs

La physique quantique est une branche moderne de la physique qui décrit

le comportement des atomes et des particules, c’est-à-dire au niveau
atomique et tout ce qu’il y’a de plus petit que l’atome notamment les
électrons et les protons,…etc.

Les effets quantiques sur les propriétés électroniques des composants

semi-conducteurs sont les principales conséquences de la réduction des
dimensions de ces derniers.

1.1 Diode tunnel

La diode tunnel est composée d’une jonction PN entre deux régions semi-
conductrices dopées de façon dégénérée (n>Nc =2,8 1019 cm-3 et
p>Nv=1,04 1019 pour Si). En conséquence, le niveau de fermi dans la
région N se trouve au–dessus du minimum de la BC et le niveau de fermi
dans la région P se trouve au–dessous du maximum de la BV. Les
dopages sont tellement élevés que la ZCE a une largeur extrêmement
faible, inférieure à 10nm.

La formation de la ZCE est liée à la formation d’une barrière de potentiel

laquelle est relativement élevée mais elle est très mince.

1
L’effet tunnel est un phénomène quantique qui attribue aux particules (en
particulier aux électrons) une probabilité non nulle de traverser la barrière
de potentiel (même si son énergie est inférieure à celle-ci).

Certaines conditions doivent être respectées :

- l’énergie de l’électron doit être conservée, cela signifie que l’électron

doit se déplacer de N vers P selon une trajectoire horizontale.

- il doit exister des états permis occupés du côté de la jonction qui vont
émettre les électrons.

- il doit exister des états permis inoccupés du côté de la jonction qui vont
recevoir ces électrons.

- la barrière de potentiel doit être suffisamment mince.

Pour tracer les diagrammes de bandes d’énergie d’une jonction, on

procède comme suit :

2
1. Lors de la formation de la jonction (à l’équilibre thermodynamique),
les niveaux de Fermi s’alignent. Ceci permet de tracer les diagrammes de
bandes dans les zones neutres (loin de la jonction) des deux S/C.

2. Les niveaux d’extraction qΦ1 et qΦ2 restent inchangés dans les zones
neutres des 2 S/C, ce qui permet de tracer le niveau du vide loin de la
jonction.

3. Les niveaux du vide des 2 S/C se raccordent entre eux par une courbe à
variation continue (la variation la plus importante se trouve dans le S/C le
moins dopé).

4. Les affinités (qχ ) restent inchangées dans la ZCE , ce qui permet de

tracer les bandes Ec1,Ev1,Ec2 et Ev2.

5. Les niveaux de valence et de conduction se raccordent à la jonction.

- Effet Tunnel :

- 1 Partons d’une tension appliquée nulle. Dans ce cas les niveuax de

fermi son alignés , le courant est nul.

-2 Si on applique une faible tension directe (positive), le niveau de Fermi

et les bandes d’énergie du côté N vont se soulever par rapport au côté P,
les électrons dans la bande de conduction de la région n vont atteindre les
3
états vides de la bande de valence dans la région p. Cela va créer un
courant tunnel de polarisation directe.

-3 Au fur et à mesure que la tension appliquée augmente, le courant

tunnel augmente aussi jusqu’à atteindre sa valeur maximale.

-4 Si on augmente encore la tension, les niveaux occupés de la BC (côté

n) se retrouvent en face des niveaux de la BI (côté p). Par conséquent, le
courant tunnel diminue à zéro, mais le courant direct augmente car la
barrière de potentiel devient plus faible.

4
à

- 5 Avec l'augmentation de la tension, la caractéristique I-V de la diode

tunnel est similaire à celle d'une diode p-n normale.

En polarisation inverse, le courant tunnel créé par les é qui vont de P vers
N est important. La diode ne bloque pas.

5
1.2 Puits quantiques

Les techniques modernes de croissance de matériaux semi-conducteurs

telles que l'épitaxie par jet moléculaire MBE (Molecular Beam Epitaxy)
permettent de réaliser des couches monocristallines avec une maîtrise
exceptionnelle de la composition chimique, des qualités
cristallographiques et de l'épaisseur.
Ces techniques permettent la réalisation des hétéro-structures constituées
par la juxtaposition de couches de matériaux différents.
Différents types de semi-conducteurs, tels que les composés III-V ou II-
VI peuvent être épitaxiés les uns sur les autres pour former différents
types d'hétéro-structures. Les hétéro-structures les plus simples sont d'une
part les hétérojonctions entre deux semi-conducteurs différents, et d'autre
part les structures Schottky ou MIS.
Un puits quantique est formé par une fine couche (valeur proche de
la longueur d'onde de De Broglie de la particule : quelques dizaines de
nanomètres) semi-conductrice A (matériau puits) placée entre deux
couches d’un semi-conducteur B (matériau barrière) (2hétérostructures).
Ainsi, un électron dans la couche de A sera confiné et ne pourra pas en
sortir si son énergie est suffisamment petite. On a donc un puits
quantique.

Représentation schématique d’un puits quantique et du potentiel résultant.

6
On distingue deux types de puits quantique :

- Puits quantique de type I où les électrons et les trous sont confinés dans
le même matériau constituant le puits.
- Puits quantique de type II où les électrons et les trous sont confinés
séparément dans le puits et la barrière respectivement.

1.2.1 Structure du puits quantique de type I :

7
 Oz
Configuration des bandes d’énergie d’une hétérostructure .
- A forme le puits.
- B forme la barrière de potentiel ΔEc pour les électrons et ΔEv pour les
trous.
On remarque que :
- la bande de conduction du S/CA est plus basse pour les é que celle du
S/CB . Elles sont séparées par une différence d’énergie ΔEc.
- de même, la bande de valence du S/CA est plus basse pour les trous que
celle du S/CB (le sens positif de l’énergie est l’inverse pour les trous).
Elles sont séparées par une différence d’énergie ΔEv.
En conséquence, les é vont s’accumuler dans la bande de conduction de
du S/CA (ils passent du S/C ayant le niveau de fermi le plus élevé vers
celui ayant le niveau de Fermi le moins élevé) et les trous font de même
dans la bande de valence du S/CA également.
Le S/CA joue le rôle de la zone d’accumulation pour les é et les trous et le
S/CB joue le rôle de la zone de déplétion pour les é et les trous. Une telle
hétéro-structure est dite hétéro-structure de type I.
Si les couches de S/CB et surtout celle S/CA sont assez épaisses Ls/cA>λDB
(longueur d’onde de De Broglie des porteurs de charges)
Le S/CA se comporte comme un puits de potentiel classique pour les
électrons et les trous :
- les porteurs de charges ne peuvent quitter cette couche de S/CA qu’en
franchissant par le sommet la barrière de potentiel ΔEc pour les é et ΔEv
pour les trous et ce en obtenant de l’extérieur une énergie suffisante.

8
- dans la limite de cette couche, les é et trous sont libre de se déplacer
dans les 3 directions de l’espace.
Si l’épaisseur de la couche de S/CA est inférieure à la longueur d’onde de
De Broglie des porteurs de charges Ls/cA <λDB , alors :
- la couche de S/CA se comporte comme un puits de potentiel quantique :
- une seule dimension Oz est confinée quantiquement, il en résulte un
puits quantique 2D.
- Dans les deux autres directions Ox et Oy (plan x,y), S/CA continue à se
comporter comme un puits de potentiel classique où les porteurs de
charge sont libres de se déplacer.

1.2.2 Spectre d’énergie

Pour obtenir le diagramme des niveaux d'énergie accessibles pour un
électron dans un puits quantique, il faut résoudre l'équation de
Schrödinger, où l'électron est décrit par sa fonction d'onde Ψ(x).
Le mouvement des électrons est quasi-libre (modèle de Sommerfeld : ne
subit pas d’attraction de la part des atomes du cristal).
On peut séparer le mouvement dans le plan de la structure (mouvement
libre) du mouvement dans la direction perpendiculaire (mouvement
confiné).
L'équation de Schrödinger est donnée par :
ħ2 𝑑 2Ψ(x)
− + V(x)Ψ(x) = EΨ(x)
2𝑚 𝑑𝑥 2

Où :
- Ψ est la fonction d’onde.
- V : le potentiel auquel est soumise la particule.
- m : sa masse.
- E : son énergie.
- ħ = h/2π (h=constante de Planck)
9
Conditions aux limites :
∞
- ∫−∞|Ψ2 | 𝑑𝑥 = 1
- Continuité de la fonction d’onde.
- Continuité de la dérivée première.

1.2.2.1 Puits de potentiel infini :

A l’intérieur du puits, l’équation de Schrödinger s’écrit :

2𝑚 2𝑚
Ψ’’(x) + E Ψ(x) = 0, 𝑘 2 = E
ħ2 ħ2

Ou Ψ’’(x) + 𝑘 2 Ψ(x) =0

La solution est :

ψ (x)=Asinkx+Bcoskx

Conditions aux limites :

A l’extérieur du puits, la fonction d’onde est nulle :
- Ψ(0)=0 →B=0

- Ψ(L)=0 → AsinLx=0→kL=nπ→k= nπ/L

Donc Ψ(x)=Asin(nπ/L)x

D’autre part, la particule doit se trouver quelque part dans l’espace donc :

10
 ∞
∫ |Ψ2 | 𝑑𝑥 = 1
−∞

𝐿 2 2
∫0 𝐴2 sin2 (nπ/L)x𝑑𝑥 = 1 → A=√ → Ψ(x)= √ sin(nπ/L)x
𝐿 𝐿

2 2
𝑛2 ℎ 2
E=ħ 𝐾 /2𝑚 et k= nπ/L d’où E=
8𝑚𝐿2

Il y’a n-1 nœuds dans chaque fonction

1.2.2.2 Puits de potentiel fini :

E<V0

V0 si x < -a (I)

V(x) = 0 si -a < x< a (II)

11
 V0 si x > a (III)

Dans les régions I et III, l’équation de Schrödinger est :

𝟐𝒎 𝟐𝒎
𝚿’’(𝐱) − (V0- E) Ψ(x) = 0, 𝐾 2 = (𝑽𝟎 − 𝐄)
ħ𝟐 ħ𝟐

Dans la région II, l’équation de Schrödinger est :

𝟐𝒎 2𝑚𝐸
𝚿’’(𝐱) + E Ψ(x) = 0, 𝑞2 =
ħ𝟐 ħ2

- La solution dans la région I est ψ (x)=AeKx + Be-Kx quand x → −∞ le

terme Be-Kx diverge (or la fonction est bornée) → ψI (x)=AeKx

- La solution dans la région III est ψ (x)=HeKx + Ge-Kx quand x → +∞ le

terme HeKx diverge (fonction bornée) → ψIII (x)=Ge-Kx

- La solution dans la région II est ψ II (x)=Ccosqx+Dsinqx

Le potentiel étant symétrique, les fonctions d’ondes sont soit paires ψ 1(x)
où impaires ψ2(x).

- les fonctions d’ondes paires sont telles que : ΨI(-x)= ΨIII(x) → A=G

ΨII(-x)= ΨII(x) → D=0

Ψ𝐼 (𝑥 ) = 𝐴𝑒 𝐾𝑥
Ψ1(x) = {Ψ𝐼𝐼 (𝑥 ) = 𝐶𝑐𝑜𝑠𝑞𝑥
Ψ𝐼𝐼𝐼 (𝑥 ) = 𝐴𝑒 −𝐾𝑥

- les fonctions d’ondes impaires sont telles que : ΨI(-x)= - ΨIII(x) →

A=- G

ΨII(-x)= -ΨII(x) → C=0

12
 Ψ𝐼 (𝑥 ) = 𝐴𝑒 𝐾𝑥
Ψ2(x) = { Ψ𝐼𝐼 (𝑥 ) = 𝐷𝑠𝑖𝑛𝑞𝑥
Ψ𝐼𝐼𝐼 (𝑥 ) = −𝐴𝑒 −𝐾𝑥

- les fonctions paires :

ΨI(-a)= ΨII(-a) → Ae-Ka = Ccos(-qa) = Ccos(qa) (1)

ΨI’(-a)= ΨII’(-a) → AKe-Ka = -Cqsin(-qa) = Cqsin(qa) (2)

D’où (2)/(1) → K=qtg(qa) ou Ka=qatg(qa).

- les fonctions impaires :

ΨII(a)= ΨIII(a) → Dsin(qa) = - Ae-Ka (3)

ΨII’(a)= ΨIII’(a) → Dqcos(qa) = AKe-Ka (4)

D’où (4)/(3) → - K=qcotg(qa) ou - Ka=qacotg(qa).

On pose Y=Ka ey X=qa

- Pour les fonctions paires :

On obtient in système d’équations :

𝑋2 + 𝑌2 = 𝑅2 𝟐𝒎
{ 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑅 2 = 𝑘02 = 𝟐 𝑽𝟎 a2
𝑌 = 𝑋𝑡𝑔𝑋 ħ

La solution est l’intersection du cercle de rayon R avec XtgX

- Pour les fonctions impaires :

𝑋2 + 𝑌2 = 𝑅2
:{ 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑅 2 = 𝑘02
𝑌 = −𝑋𝑐𝑜𝑡𝑔𝑋

La solution est l’intersection du cercle de rayon R avec –XcotgX

13
Les énergies sont quantifiées :

(tg(qa)=Ka/qa >0 → n𝜋 < qa < n𝜋+ 𝜋/2 pour les fonctions paires)

(cotg(qa)=- Ka/qa<0 → n𝜋 +𝜋/2< qa < (n+1)𝜋 pour les fonctions paires)

Remarques sur les puits quantiques :

- Les énergies des bandes de conduction et de valence du S-CA sont

maintenant quantifiées. Elles ne forment plus un continuum pour les
porteurs de charge mais seulement certaines énergies sont accessibles.
Elles forment un spectre discontinu. Pour la bande de conduction, il est
noté E1,E2,… et pour la bande de valence, il est noté HH1,HH2,… pour les
trous lourds et LH1,LH2,.. pour les trous légers.

- Le confinement quantique induit une modification de la bande interdite

EG.

1.2.3 Hétérostructure à double et multi-puits quantiques :

14
1.2.3.1 Hétérostructures à double puits quantiques :
Les Hétérostructure à double puits quantiques sont formées par 2 puits et
3 barrières.

- LB > λDB, les deux puits sont complètement découplés et donc isolés l’un
de l’autre. Les porteurs sont entièrement confinés dans les puits et seul le
transport parallèle est possible.

- LB < λDB , les deux puits sont couplés et donc dépendants l’un de l’autre.
Les porteurs ne sont pas entièrement confinés dans le puits, car ils ont une
probabilité non nulle de traverser la barrière par effet tunnel : un porteur
du puits de gauche peut transiter par effet tunnel à travers la barrière vers
le puits de droite et vice-versa.

15
Il existe deux types d’hétérostructures à double puits quantique :
symétrique et assymétrique.
- Hétérostructure symétrique : dans ce cas LP1= LP2 , les états confinés
dans le puits 1 sont exactement en face des états confinés dans le puits 2 :
E11 =E12 ,HH11 =HH12 ,LH11=LH12, ..
De même les fonctions d’onde des états quantiques dans le puits 1 sont
exactement identiques à ceux dans le puits 2. Cela implique que la
probabilité de transférer un porteur du puits 1vers le puits 2 est égale à
celle de 2 vers 1.
- Hétérostructure assymétrique : dans ce cas LP1≠ LP2 , les états confinés
dans le puits 1 sont situés à des positions différentes de celles des états
confinés dans le puits 2 :
E11 ≠ E12 ,HH11 ≠ HH12 ,LH11≠ LH12, ..
De même les fonctions d’onde sont également différentes. Il en résulte
une probabilité de transfert différente.
Une hétérostructure à multi-puits quantique est formée par n puits
quantiques séparés par n+1 barrières.

1.2.4 Super-réseau :
Un super-réseau est une hétérostructure à multi-puits quantique
particulière, dans laquelle les largeurs des barrières et des puits vérifient
un certain nombre de conditions :
- LB1= LB2= LB3= …..= LBn.
- LP1 = LP2= LP3= …...=LPn.
- LBi << λ de DE Broglie pour toutes les barrières, c’est-à-dire que tous
les puits sont très fortement couplés.
- LPi << λ de DE Broglie, pour toutes les puits, c’est-à-dire que tous les
puits sont quantifiés.

16
- LP1 + LB1= LP2+ LB2= LP3+ LB3= …...=LPn+ LBn=L où L est la période
du super-réseau.

Un réseau cristallin est formé par la distribution périodique des atomes

dans l’espace donnant lieu à une structure de bande : une bande de
conduction pour les électrons libres et une bande de valence pour les
trous libres.
Le super-réseau est une succession périodique de puits quantiques (qui se
rajoutent à la périodicité du réseau cristallin) fortement couplés qui se
traduit par une quasi –structure de bandes : une mini-bande de conduction
pour les électrons et une mini-bande de valence pour les trous (les
porteurs ont accès à un continuum d’énergie et non pas à des niveaux
d’énergies discrets ou à un spectre discontinu).

1.3 Le transistor HEMT

Le transistor HEMT est une évolution du MESFET qui constitue la
structure de base des transistors é effet de champs élaborés à parti des S-
C III-V de type GaAs, InP ou GaN.
Le transistor à effet de champ est constitué d’un barreau conducteur
appelé canal dont les extrémités portent deux électrodes appelées

17
respectivement source et drain. Lorsque le barreau est polarisé
longitudinalement par une tension drain-source, un courant appelé
courant de drain circule dans le canal.
Une troisième électrode appelée électrode de commande ou grille permet
de moduler le courant drain.
Il existe trois types de transistors à effet de champ :
- JFET (l’électrode de commande est une jonction pn polarisée en
inverse)
- MESFET (la grille est une diode Schottky).
- MOSFET (à grille isolée) .
Ces transistors sont utilisés dans certaines applications (hautes
fréquences).
La montée en fréquence exige un surdopage du canal conducteur ce qui
limite la mobilité des porteurs en raison de l’influence des interactions
coulombiennes.
La structure HEMT permet de contourner ce problème en séparant les
porteurs mobiles des charges fixes dont ils sont issus.

Le rôle de chaque couche est le suivant :

- En partant du haut de la figure, il apparaît tout d’abord une couche

18
de GaAs (N+) très dopée. Comme pour le MESFET, elle permet de
réduire la valeur des résistances de drain et de la source.
- La couche GaAlAs souvent très dopée laquelle apporte les électrons qui
vont être transférés dans la couche de GaAs (fournit les é libres à la
structure, c’est la couche donneuse).
- Bien que les électrons et les donneurs soient spatialement séparés, la
distance entre les deux types de charge permet des interactions
électroniques c’est l’interaction coulombienne. Pour accroître encore plus
cette distance et donc minimiser l’interaction, une couche de quelques
dizaines d’Angstrom de GaAlAs non dopée est intercalée entre l’GaAlAs
et le GaAs. Cette couche appelée "espaceur" ou "spacer" permet
d’accroître la vitesse des porteurs et par suit leur mobilité.
- La couche de GaAs reçoit les électrons libérés par les donneurs de la
couche GaAlAs très dopée où ils constituent un gaz d'électrons
bidimensionnel (2D) à l'interface de l'hétérojonction. Dans cette couche,
le gaz d'électrons constitue le canal du transistor (On utilise le terme de «
gaz » car les électrons du puits subissent peu d’interactions
coulombiennes avec les impuretés ionisées du fait de leur séparation
spatiale et ce gaz est qualifié de « bidimensionnel », parce que les
électrons se déplacent sous l’effet d’une polarisation drain-source dans le
plan parallèle à l’interface.
- Enfin, le substrat semi-isolant de GaAs possède les mêmes propriétés et
les mêmes fonctions que dans le cas du MESFET comme un support
mécanique pour le reste du composant.

Fonctionnement :
La juxtaposition d’un matériau à grand gap et d’un matériau à petit gap
implique l’existence d’une hétérojonction. Les niveaux de Fermi

19
s’alignent entrainant des courbures de bandes de conduction et de
valence, ainsi que des discontinuités à l’interface pour ces deux bandes.
Cette hétérojonction entraine la formation d’un puits de potentiel étroit de
forme triangulaire dans le matériau à petit gap où transfèrent et
s’accumulent les é provenant de la couche donneuse. L’étroitesse du
puits de potentiel implique l’apparition d’effets quantique (l’épaisseur du
canal < λDe Broglie).
Ces effets quantiques se manifestent par la quantification des niveaux
d’énergie et par la restriction des porteurs dans un plan parallèle à
l’hétérojonction. La couche de GaAlAs non dopée permet de séparer
spatialement les atomes donneurs ionisés et les é libres. Ces é ne sont plus
soumis aux interactions avec les impuretés ionisés et peuvent atteindre
des mobilités importantes, équivalentes à celle du matériau intrinsèque.
Alors que dans le cas du MESFET, l'électrode de grille contrôle la section
du canal disponible pour la conduction, dans le cas du HEMT, elle
contrôle la densité d'un gaz d'électrons libres dans une zone non dopée
située sous l'hétérointerface qui constitue le canal du transistor.
Le gaz d’électrons étant créé, il est possible de contrôler la densité de
porteurs dans le canal par l’intermédiaire de la tension appliquée sur la
grille.
Lorsque la tension Vgs augmente, le puits de potentiel devient de plus en
plus profond, permettant à un nombre plus grand d’électrons de diffuser
dans le GaAs.
Comme pour le MESFET, la tension Vds crée un champ électrique dans
le canal qui entraîne les électrons de la source vers le drain formant ainsi
un courant Ids (drain-source). Pour des tensions de grille négatives, la
densité des porteurs dans le canal diminue et pour des tensions
suffisamment négatives la densité de porteurs dans le canal devient

20
négligeable et aucun courant significatif ne circule dans le canal. Le
HEMT est alors bloqué.
L’évolution du courant de drain en fonction de la tension de drain et pour
différentes valeurs de la tension de grille est sensiblement la même que
pour le MESFET.

21
1.4 Modèle Kronig-Penney

Pour 0<x<a :

22
𝑑2 2𝑚
ψ+ 𝐸 ψ =0
𝑑𝑥 2 ħ

La solution est :
𝑑 √2𝑚𝐸
Ψ=Asinαx+Bcosαx et ψ = Acosαx-Bsinαx avec α =
𝑑𝑥 ħ

Pour –b<x<0 :
𝑑2 2𝑚
ψ- (𝑉0 − 𝐸) ψ =0
𝑑𝑥 2 ħ

Dont la solution est :

𝑑
Ψ=Csinh(γx)+Dcosh(γx) et ψ = Cγcosh(γx)+Dγsinh(γx)
𝑑𝑥
√2𝑚(𝑉0 −𝐸)
avec γ =
ħ
𝑑
Ψ et ψ sont continues à x=0, d’où B=D et Aα=Cγ ou C=(α/γ)A
𝑑𝑥

D’après le théorème de Bloch (pour un potentiel périodique, la fonction

d’onde dans la région II ne diffère que par ejkx de la fonction d’onde dans
la région III ) :
ΨII(x)= ΨIII(x)ejkx ou
𝑑Ψ 𝑑Ψ
Ψ(a)= ejk(a+b) Ψ(-b) , |𝑎 = 𝑒 𝑗𝑘(𝑎+𝑏) |−𝑏
𝑑𝑥 𝑑𝑥

Les coefficients ne sont différents de zéro que si le déterminant de la

matrice est nul, ce qui donne la relation :

23
La solution peut être simplifiée si on considère que :
V0 →∞, b →0 et V0b = u laquelle est une constante.
2𝑚𝑉0 2𝑚 𝑢
Alors γb=𝑏√ = 𝑏√ →0
ħ2 ħ2 √𝑉0

cosh(γb) →1 et sinh(γb) → γb

𝛾2 − 𝛼2 𝛾 2𝑚𝑉0 𝑚𝑢
sinh(𝛾𝑏) → 𝛾𝑏 = 𝑏 =
2𝛼𝛾 2𝛼 2𝛼ħ2 𝛼ħ2
On aura :
sin(𝛼𝑎) mV0
𝑀 + cos(𝛼𝑎) = cos(𝑘𝑎) où M= ba
𝛼𝑎 ħ2

Comme -1≤ cos(𝑘𝑎) ≤1 mais le terme à gauche de l’égalité n’est pas

borné entre -1 et 1
Certaines valeurs de α (donc de E) sont permises tandis que d’autres sont
interdites, ceci donne une explication des bandes d’énergies permises
sin(𝛼𝑎)
|𝑀 + cos(𝛼𝑎) | ≤ 1 et des bandes d’énergies
𝛼𝑎
sin(𝛼𝑎)
interdites| 𝑀 + cos(𝛼𝑎) | ≥ 1.
𝛼𝑎

24
1.5 Effet tunnel résonnant dans un puits quantique à double
barrière :

L'effet tunnel découle directement des bases de la physique quantique : la

notion de fonction d'onde et l'équation de Schrödinger. La continuité de la
fonction d'onde et de sa dérivée laisse entrevoir (prévoir) la possibilité
pour une particule de "franchir" des barrières de potentiel supérieures à
son énergie, phénomène exclu en mécanique classique.
L'effet tunnel est décrit par deux paramètres. Le premier est le coefficient
de réflexion R qui désigne la probabilité de la particule quantique d'être
réfléchie par la barrière de potentiel et le seconde le coefficient de
transmission T désignant la probabilité de la particule quantique d'être
transmise à travers celle-ci. Ces deux processus sont les deux seuls
possibles, la somme de leur probabilité est donc égale à l'unité: R+ T = 1.

L’effet tunnel résonnant se manifeste lorsqu’une particule doit traverser

successivement deux barrières de potentiel. Même si le coefficient de
transmission T est toujours inférieur à 1 dans le cas d’une barrière simple,
il est possible de l’augmenter en ajoutant une autre barrière identique à
une distance l plus loin. Ceci peut paraître surprenant, mais c’est possible
si la longueur d’onde de de Broglie de la particule incidente coïncide à
peu près avec la distance entre les barrières : il s’agit d’un phénomène de

25
résonance. En fait, il faut que l’énergie E coïncide avec l’énergie d’un
état quasi-lié qui existe dans le puits situé entre les deux barrières.

Considérons l’hétérostructure constituée d’un puits quantique pris en

sandwich entre deux barrières . Le puits est constitué d’un
semiconducteur (SC1) faiblement dopé, de gap Eg1 et d’épaisseur L1,
entre deux couches de structures (SC2) non dopé, de gap Eg2>Eg1 et
d’épaisseur commune L2. Ce semiconducteur à trois couches est bordé à
ses extrémités par des couches de semiconducteur SC 1 dégénéré de type
n. Ces deux extrémités constituent l’émetteur et le collecteur du dipôle.
Les figures 1-19 b, c et d présentent le diagramme énergétique de la
bande de conduction de la structure et son évolution sous une polarisation

26
Pour une certaine valeur de polarisation positive du collecteur, l'énergie
E1 se trouve en face des états occupés de la bande de conduction de
l'émetteur. Les électrons de ce dernier peuvent alors traverser la première
barrière par effet tunnel pour occuper l’état E1 du puits. De là, les
électrons peuvent passer, par effet tunnel à travers la deuxième barrière,
sur les états vides de la bande de conduction du collecteur.
Le courant tunnel, lequel était nul en l'absence de polarisation, augmente
à mesure que le nombre d'états occupés dans la bande de conduction de
l'émetteur et vides dans E1 augmente (augmentation maximale :

27
résonnance : Tmax). L’état d’énergie E1 sert de pont pour assister l'effet
tunnel entre l'émetteur et le collecteur à travers les deux barrières.
Au-delà, le niveau E1 passe au-dessous de la bande de conduction de
l'émetteur, la résonance disparaît et le courant tunnel diminue rapidement
puis s'annule.
Il y’a gamme de tension où le courant diminue lorsque la tension
augmente, ce qui fait de ce dipôle une résistance différentielle négative.
Lorsque la tension continue d'augmenter, le courant augmente à nouveau
par émission thermique au-dessus des barrières. Cette émission est
éventuellement assistée par effet tunnel des niveaux d’énergie
E2,E3,E4…

28