PVT a eel C tg Michel Villoz Adrien Villoz INSTALLATIONS PHOTOVOLTAIQUES Conception et dimensionnement d'installations raccordées au réseau 6° EDITION LES + EN + DUNODInstallations photovoltaiques Elaboration du silicium métallurgique Le silicium existe en grande quantité dans la nature sous forme oxydée, puisqu’il est le constituant de base du sable, sous forme de silice ($iO,). C’est Ie deuxiéme élément chimique le plus présent dans la crofite terrestre apres Voxygene. Pour fabriquer du silicium pur, on va donc employer du sable sous forme de quartz cristallisé. Le procédé de raffinage est une réduction dans un four a arc électrique par du carbone. La réaction suit ’équation : SiO, +2C Si+2CO On fabrique selon ce procédé plusieurs millions de tonnes de silicium par an, dit « métallurgique ». Sa pureté est de l’ordre de 98 A 99 %, les impuretés les plus importantes étant l'aluminium et le fer. Le silicium est utilisé avant tout comme additif de l’aluminium et de I'acier. Aujourd’hui une grande proportion de cette production est purifiée pour l'industrie électronique et solaire. Afin d’obtenir un matériau suffisamment pur pour fabriquer des com- posants électroniques ou solaires, on utilise le procédé Siemens qui trans- forme le silicium en trichlorosilane a l'aide d’acide chlorhydrique : Si+3HCl © SIHCl; +H Cette réaction étant réversible, elle servira également a récupérer le sili- cium aprés la purification, qui est réalisée par distillation fractionnée du trichlorosilane. Le silicium obtenu par réduction a ’hydrogéne se déposera finalement sur une baguette de silicium chauffée sous forme de petits grains polycristal- lins. Ce silicium polycristallin, pur a environ 99,999 %, est onéreux car cette derniére étape a un faible rendement de matiére (environ 37 %) et nécessite beaucoup d’énergie. Remarque : ce silicium polycristallin n’est pas le méme que celui que l’on emploie dans les panneaux dits « polycristallins », car les grains en sont trop fins (voir ce qui suit). Fabrication des tranches de silicium ou wafers A partir de ce silicium purifié, on doit produire des tranches de silicium des- tinées a devenir des cellules solaires. Silicium monocristallin Pour obtenir ces tranches, ou wafers, il faut d’abord passer de ce silicium pur en granulés A un matériau massif. Il existe aujourd’hui une méthode encore tres répandue pour obtenir du silicium monocristallin, la plus classique : le 44Chapitre 2 ~ Technologie des panneaux solaires procédé Czochralski, qui consiste a étirer des barreaux cylindriques a partir de silicium fondu. Le polycristal en grains est fondu dans un creuset avec un matériau dopant, par exemple du bore pour obtenir un matériau de base de type p (sur le principe du dopage, § 1.3.3). Au sommet de ce bain, on place une bouture de silicium monocristallin dans orientation précise que l’on veut obtenir et Yon fait croitre le cristal sous la bouture en tirant, tournant et controlant trés, précisément la température. On fait croitre ainsi dans la méme orientation que la bouture des cristaux de 1 a 2 m de long et jusqu’a 45 cm de diamétre. Germe Sciam fondu Barreau Figure 2.3 — Procédé Czochralski Un autre procédé dit « de fusion de zone », proche du Czochralski, consiste a étirer plus rapidement puis a faire fondre une zone du barreau par une bobine électromagnétique afin de lui permettre de cristalliser réguli¢rement a partir du germe. Ensuite, pour obtenir des tranches de silicium (wafers) d’environ 150 a 200 ym d’épaisseur, les barreaux sont découpés aujourd’hui avec une scie a fil. Un fil d’acier de 0,05 & 0,1 mm de diametre, avec en surface des grains diamantés abrasifs, passe a grande vitesse sur le silicium. Le procédé permet de scier en méme temps plus d'une centaine de wafers, le fil tournant autour du lingot en formant une trame. Le sciage actuel a un rendement en matiére assez bon, environ 78 % pour un wafer de 0,18 mm d’épaisseur. 4sInstallations photovoltaiques Vere fae are Figure 2.21 — Empilement des couches d’un panneau au CdTe (documentation : Calyxo) La production industrielle qui a longtemps buté sur des problémes de maitrise des procédés, comme le dopage p du CdTe, et sur des problémes de stabilité des panneaux, sensibles 4 I’humidité, est aujourd’hui florissante. Le plus grand fabricant actuel produit des cellules avec un rendement de l’ordre de 19 4 20 % et un coefficient de température assez favorable de - 0,37 %/°C. La durée de vie semble aujourd'hui maitrisée, et atteint le standard du mar- ché de 25 ans, au prix d’une encapsulation bi-verre sans doute pour renforcer la barrigre a I’humidité : un verre face avant support des couches, et un verre face arriére, et non un film plastique (cf. figure 2.28). Mais il y a aujourd’hui plusieurs facteurs qui risquent de freiner le déve- loppement de la filigre technologique CdTe, parmi lesquels la toxicité du cadmium. I] est déja mis a l'index par la directive européenne dite RoHS (Restriction of Hazardous Substances, « restriction sur I'usage de certaines subs- tances dangereuses ») publiée en 2003. Elle interdit le cadmium, le plomb, et d’autres substances toxiques dans les produits électriques et électroniques, avec des exceptions (a compter de juillet 2006)!, Certains pays, comme les Pays-Bas et le Japon, ont interdit totalement I'usage du cadmium. C’est sur- tout un probléme d’image, car le risque n’est pas lié a l'utilisation de tels panneaux photovoltaiques mais plutdt a la manipulation de ces substances en usine, et il peut étre maitrisé. Un autre contre-argument habituel est de dire que ce cadmium est employé largement encore dans d’autres secteurs industriels, pour les pigments par exemple. Pour contrecarrer vette difficulté et rassurer leurs clients, les producteurs développent des filigres complates de collecte et de recyclage de ces produits (décriés par certains, car sources potentielles d’une toxicité importante). La question ne se pose néanmoins pas dans l'immédiat compte tenu de la durée de vie des panneaux de l’ordre de 20 ans. 1 Directive 2002/95/CE du parlement européen, texte en francais téléchargeable sur le site http://europa.eu.int 78Chapitre 2 ~ Technologie des panneaux solaires Figure 2.22 ~ Centrale 500 kW en panneaux CdTe a Springerville (Etats-Unis) 2.4 Panneaux au CIS et CIGS Le CIS, plus exactement Culnse,, est un autre matériau photovoltaique com- posé d’un alliage de cuivre, d’indium et de sélénium. Il est couplé, comme le Cae, a une couche fenétre en CdS de type n. Théoriquement, cette hétérojonction peut atteindre 25 % de rendement, Elle a d’excellentes propriétés d’absorption, mais son gap est un peu faible (.04eV). C’est pourquoi on ajoute du gallium pour l’augmenter : en effet, le gap optique du CuGaSe, est de 1.65eV. L’alliage appelé CIGS, pour Cu(In,Ga) Se,, est obtenu en ajustant la concentration de gallium pour obtenir un gap optique autour de 1.45eV. Nous ne donnerons pas ici plus d’informations, cette technologie repré- sentant une part infime des modules disponibles. 2.5 Panneaux spéciaux Certains panneaux ou éléments photovoltaiques ont des caractéristiques tres particuligres, souvent pour répondre a des applications bien précises, et nous allons en citer quelques-uns. 2.5.1 Panneaux souples Les panneaux vraiment souples font appel aux couches minces car les cel- lules au silicium cristallin ne sont pas souples par nature et ne supportent 79Installations photovoltaiques Figure 5.38 - Centrale Mothes sud Le tableau 5.1 présente les résultats ayant changé pour ces deux variantes a partition optimisée : Tableau 5.1 - Comparaison de deux variantes de centrales Paramétre Variante sud | Variante est | Différence (9%) Modules 39130 40.456 3,39 Productible 1281 1273 ~ 0,62 Energie produite (MWh) 27073 27 804 2,70 Gain transposition 11,80 10,80 = 1,00 Perte ombrages proches ~ 2,26 2,47 =0,21 Perte AM -2,61 - 2,67 - 0,06 Perte due au niveau d’irradiance = 0,93 -0,95 = 0,02 Perte due & la température champ =2,73 - 2,67 0,06 ‘brages# prea ec selon ~ 1,06 {Gea 022 Perte onduleur en opération (efficacité) | - 1,24 1,24 0,00 Perte onduleur, surpuissance ~ 2,59 = 2,35 0,24 Somme des pertes et gain | -162 -2,39 -0,77 174Chapitre 5 ~ Centrales photovoltaiques Les différences ne sont pas trés importantes et pour faire un choix, il faut examiner les cofits de chaque variante. On voit que 3,39 % plus de puis- sance produit 2,7 % plus d’énergie. La perte principale vient de l’'azimut a ~ 20 degrés (- 1,0 %) mais les autres pertes sont également modifiées en plus ou moins. Par exemple, les ombrages sont plus mauvais a I’est en valeur linéaire, mais meilleurs en valeur électrique. Et la saturation de l’onduleur est moins forte a l’est parce que l’orientation moins bonne fait baisser les crétes de puissance. Pour résumer, en estimant les cofits des panneaux, supports et onduleurs installés a 70 % d’un total de 1 €/We, la variante est produit une énergie lége- rement moins chére avec un coiit actualisé de I’énergie (LCOE) qui passe de 0,036 a 0,032 €/kWh. Si cette énergie est revendue au réseau a 5 € cts/kWh, le temps de retour sur investissement passe de 13,7 a 12,8 années. La variante orientée est produit 731 MWh de plus, ce qui, a ce tarif, cor- respond a 36,6 k€ par an. 5.6.3 Terrain — sol irrégulier Dans PVsyst, on peut également importer un terrain en 3D, ajouter les modules suivant le relief et calculer I’énergie produite. Nous montrons dans la variante « Montagne » un exemple de centrale de plus petites dimensions mais sur une pente importante avec toujours les mémes composants « bloc » préparés. Nous recalculerons I’angle optimal sur ce terrain descendant en moyenne a 7 degrés en direction d'un angle de 37 degrés ouest. Figure 5.39 - Centrale Mothes en pente 7 degrés 175