Teknologi Rangkaian Terintegrasi 2

TEKNOLOGI RANGKAIAN TERINTEGRASI
IR. SULAIMAN, MT
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS BINA DARMA
TEKNIK ELEKTRO
TEKNOLOGI RANGKAIAN TERINTEGRASI
Defnisi
Rangkaian terintegrasi ( IC = Integrated Circuit ) merupakan rangkaian yang
didalamnya terdiri dari elemen elemen listrik yang terpisah akan tetapi merupakan
rangkaian yang mempunyai satu kesatuan dan kontinyu.
Adapun karakteristik dasar dari rangkaian terintegrasi adalah :
1. Ukurannya kecil
2. Harganya murah
3. Mempunyai keandalan tinggi
4. Mempunyai unjuk kerja yang tinggi ( performance )
Struktur dari rangkaian terintegrasi
 Bahan terbuat Semikonduktor yaitu :
a. Bipolar ( dua kutup )
b. MOS ( Metal Oxide Semikonduktor )
 Bahan terbuat dari lapisan lapisan / hybrid yaitu :
a. Lapisan tipis
b. Lapisan tebal
Fungsi dari rangkaian terintegrasi
Adapun fungsi dari rangkaian terintegrasi adalah :
1. Sebagai rangkaian Digital yang dapat berupa :
a. Serbagai rangkaian DTL ( Dioda Transistor Logic )
b. Sebagai rangkaian TTL ( Transistor Transistor Logic )
c. Sebagai rangkaian CML ( Current Mode Logic )
2. Sebagai rangkaian Analog yang dapat berupa :
a. Sebagai rangkaian penguat bidang lebar ( Band Width )
b. Sebagai penguat operasional ( OP – Amp )
OPERATION AMPLIFIER ( 0P – AMP )
Op amp diberikan pada penguat gain yang tinggi untuk menyelesaikan tugas
matematis seperti, penjumlahan, pengurangan, perkalian dan pembagian ,
diferensiasi , integral dengan tegangan ± 300 V.
OP amp berfungsi untuk memperkuat sinyal pada harga tertentu, Op amp ini
merupakan penguat yang terdiri dari rangkaian elektronik , dengan penguatan
ditentukan oleh elemen pasif yang terdapat pada op amp ( R dan C ).
Karakteristik Op amp
1. Penguatan sangat tinggi
2. Lebar bidang ( band widh ) yang lebar
3. Impedansi masukan yang tinggi
Penguat pembalik ( Penguat negatif )
A. Tegangan positif ke negative penguat
RF
R1 IF M
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
E1 = Tegangan input ( V )
V0 = Tegangan out ( V )
I1 = Arus input ( A )
IF = Arus pada RF ( A )
I0 = Arus pada op amp ( A )
IL = Arus beban RL ( A )
IT = Arus total ( A )
Persamaan arus
I1 = I 0 + I F
I0 sangat kecil karena Op amp mempunyai impedansi sangat tinggi, sehingga
I 1 = IF
IT = I F + I L
Persamaan tegangan
E1 = I1 R1 + EB ; I1 = ( E1 – EB ) / R1
E B = I F RF + V 0 ; IF = ( EB – V0 ) / RF
Karena : I1 = IF , maka
( E1 – EB ) / R1 = ( EB – V0 ) / RF
Dengan penguat tegangan : A = - V0 / EB, maka
( E1 – EB ) RF = ( EB – V0 ) R1
: X ( V0 / EB )
( V0 / EB ) ( E1 – EB ) RF = ( V0 / EB ) ( EB – V0 ) R1
( V0 E1 RF ) / EB - ( V0 EB RF ) / EB = ( V0 EB R1 ) / EB – V0 2 R 1 / EB
( V0 E1 RF ) / EB - V0 RF = V0 R1 - V0 2 R 1 / EB
- A E1 RF - V0 RF = V0 R1 + A V0 R1
- A E1 RF = V0 R1 + A V0 R1 + V0 RF
= V0 (R1 +A R1 + RF )
V 0 / E 1 = - A R F / ( R 1 + A R 1 + RF )
Karena A sangat besar maka :
V0 / E 1 = - RF / R1 = ( ACL )
( Perbandingan tegangan out dengan input pada penguat negative )
I1 = E1 / R1
V0 = - RF E1 / R1
Contoh soal 1
RF
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Bila R1 = 10 kΩ ; RF = 100 kΩ ; E1 = 1V ; RL = 25 kΩ
Hitung :
a. I1 ; b. V0 ; c.ACL ; d. IL ; e. IT
Solusi
a. I1 = 1 / 10000 = 0,0001 A
b. V0 = - ( 100 / 10 ) 1
= - 10 V
c.ACL = - ( 100 /10 ) = - 10
d. IL = - 10 / 25000
= - 0,0004 A ( arah arus yang berlawanan )
e. IT = 0,0001 + 0.0004
= 0,0005 A
B. Tegangan negatif ke negatif penguat
RF
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Semua rumus sama dengan rumus pada input positif

Contoh 2
R1 = 10 kΩ ; RF = 250 kΩ ; E1 = - 0,5 V ; IL = 2mA
Hitung :
a.I1 b.VF c.V0 d.RL e.IT
Solusi
a. I1 = - 0,5 / 10000
b. VF = 0,00005x 250000
= 12,5 V
c. V0 = - ( 250 / 10 ) ( - 0,5 )
= 12,5 V
d. RL = 12,5 / 0,002
= 6250 Ω
e. IT = 0,00005 + 0,002
= 0,00205 A
C. Tegangan AC ke penguat negatif
RF
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
ac RL
IL
Contoh soal.3
Bila : R1 = 50 kΩ ; RF = 500 kΩ ; E1 = 0,1 V
Hitung : a. ACL b. V0
Solusi
a. ACL = - 500 / 50
= - 10
b. V0 = - ( 500 / 50 ) 0,1
= - 1V
D. Penjumlahan penguat pembalik
R1
E1 I1
R2 RF
E2 I2 IF
E3 R
3
I3 I0 IT V0
RL
IL
RF RF RF
V0 = - E1 + E2 + E3
R1 R2 R3
IF = I 1 + I 2 + I 3
IT = I F + I L
I1 = E1 / R1
I2 = E2 / R2
I3 = E3 / R3
Sehingga :
V 0 = - ( I 1 RF + I2 RF + I3 RF )
= - ( I 1 + I2 + I 3 ) R F
Contoh. 4
Dengan : E1 = 2 V ; E2 = 3 V ; E3 = 1 V
Semua tahanan harganya = 10 kΩ
Hitung : V0 ; IT
Solusi :
a. V0 = - ( 2 + 3 + 1 ) = - 6 V
b. IT = IF + IL
IF = ( I 1 + I 2 + I 3 )
I1 = 2 / 10000 = 0,0002 A
I2 = 3 / 10000 = 0,0003 A
I3 = 1 / 10000 = 0,0001 A
IL = V 0 / R L
= - 6 / 10000 = - 0,0006 A ( arah arus berlawanan )
IF = 0,0002 + 0,0003 + 0,0001
= 0,0006 A
Maka : IT = 0,0006 + 0,0006
= 0,0012 A
E. Pengikut Tegangan
I1 = 0
V0 = E 1
IT
ac
E1 = 4 V IL RL = 10 kΩ
ACL = V0 / E1 = 1
Contoh soal.5
Rangkaian seperti pada gambar diatas
Hitung :
a. V0 ; b. IL ; c. I0
Solusi
a. V0 = 4 V
b. IL = 4 / 10000 = 0,0004 A
c. IT = I1 + IL
= 0 + 0,0004 = 0,0004 A
F. Rangkaian differensiator
RF
C IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
V0 RF
= -( )
E1 1/jωC
= - (j ω C RF )
= - ( SCRF )
S= jω; ω=2Πf ; f = Frekuensi ( Hz )
G. RANGKAIAN INTEGRATOR
C
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
V0 / E1 = - ( 1 / j ω C ) / R1
= - ( 1 / j ω C R1 )
Contoh soal .6
Rangkaian differensiator RF
C IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Bila : RF = 1 kΩ ; C = 100 µF ; E1 = 12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz
Hitung : a. V0 ; b. IT
Solusi :
a. V0 = - ( jωC RF ) E1
= - ( j 2Πf C RF ) E1
= - ( j 2x3,14x 10x 10 -4
x 1000 ) 12
= - j 75,36 V
b. IT = IF + IL
IF = I1 = E1/ ( 1/ jωC )
= jωC E1
= j 2x3,14x 10x10 -4 x 12
= j 0,0753 A
IL = V 0 / R L
= - j 75,36 / 5000
= - j 0,015 A
Maka : IT = j 0,0753 - j 0,015
= j 0,0603 A
Soal 7..Rangkaian Integrator
C
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Bila : R = 1 kΩ ; C = 100 µF ; V0 = -12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz

Hitung : a. E1 ; b. IT
Solusi :
a. V0 / E1 = - 1/ ( jωC R )
E1 = - V0 jωCR
= - ( -12 ) j 2x3,14x 10 x 10 -4
x 1000
b. IT =
H. PENGUAT TAK MEMBALIK ( PENGUAT POSITIF )
1. Tegangan inputnya positif
RF
IF
R1 IT
I1 V0
E1
IL RL
Persamaan tegangan.dan arus
V 0 = ( 1 + R F / R1 ) E 1
V0 / E1 = ACL
IT = I F + I L
V F = I F RF
E 1 = I1 R1
V 0 = IL RL
Contoh soal.8
R1 = 5 kΩ ; RF = 20 kΩ ; E1= 2 V ; RL = 5 kΩ
Hitung :
a. V0 ;b.ACL ;c.IT
Solusi :
a. V0 = ( 1 + RF / R1 ) E1
= ( 1 + 20 / 5 ) 2
= 10 V
b.ACL = V0 / E1
= 10 / 2 = 5
c. IT = IF + IL.
IF = I 1
I1 = E1 / R1
= 2 / 5000 = 0,0004 A
IL = V 0 / R L
= 10 / 5000 = 0,002 A
Maka : IT = I1 + IL
= 0,0004 + 0,002
= 0,0024 A
I.Penguat positif
2. Tegangan inputnya negatif
RF
IF
R1 IT
I1 V0
E1
IL RL
Persamaan tegangan V0 = ( 1 + RF / R1 ) E1
V0 / E1 = ACL
Soal. 9.
Pada gambar diatas : ACL = 16
E1 = 0,2 V ; R1 = 2 kΩ ; RL = 5 kΩ
Hitung : a.RF ;b. IT
Solusi :
a. ACL = ( 1 + RF / R1 )
16 = ( 1 + RF / 2 )
16 -1 = RF / 2
RF = 15 x 2 = 30 kΩ
b. IT = IF + IL
IF = I1 = E1 / R1
= 0,2 / 2000 = 0,0001 A
IL = V 0 / R L
V0 / E1 = ACL
V0 = 0,2 x 16 = 3,2 V
IL = 3,2 / 5000 = 0,00064 A
Maka :
IT = 0,0001 + 0,00064 = 0,00074 A
J. Penjumlahan penguat positif

RF
IF
R1 IT
I1 V0
A
R2 R3 R4 IL RL
E1 E2 E3
Persamaan tegangan :
VA = ( E 1 + E 2 + E 3 ) / 3
V0 = ( E 1 + E 2 + E 3 )
Tahanan RF dibuat :
RF = ( n – 1 ) R
R = R 1 = R2 = R 3 = R4
n = Jumlah tegangan input
Soal .10
Seperti gambar diatas dengan :
E1 = E2 = 2 V ; E3 = -1 V
R1 = R2 = R3 = R4 = 10 kΩ
RL = 5 kΩ
Hitung :
a. RF ;b. V0 ; c. IT
Solusi :
a. RF = ( 3 – 1 ) 10
= 20 kΩ
c. V0 = ( E1 + E2 + E3 )
=3V
d. IT = IL + IF
IL = V 0 / R L
= 3 / 5000 = 0,0006 A
IF = I 1
I1 = E1 / R1 = 2 / 10000 = 0,0002 A
Maka :
IT = 0,0006 + 0,0002 = 0,0008 A
K. Rangkaian Umpan balik Positif
Umpan balik positif didapatkan dengan mengambil sebagian tegangan V0 dan
menempatkannya pada masukan positif, seperti gambar dibawah ini.
V0
301
R1
VLT VUT R2
VUT = Tegangan ambang atas ( Bila : V0 = + VSat )

R2
VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
VLT = Tegangan ambang bawah ( bila V0 = - VSat )
R2
VLT = ( - Vsat )
R1 + R 2
Soal : 11
Pada gambar diatas harga : R1 = 100 kΩ; R2 = 100 kΩ
VSat = 14 V
Hitung : VUT
Solusi :
R2
VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
100
= 14
100 + 100
= 7V
Untuk : VSat = - 13 V
R2
VLT = ( - Vsat )
R1 + R 2
100
= ( - 13 )
100 + 100
= - 6,5 V
L. Pengubah beda tegangan ke arus
R R
E1
V0
E2 R R
IL jika E1 < E2
VL RL
IL Jika E1 > E2
Tegangan output
V0 = 2 VL – E2
Arus beban IL
E1 _ E2
IL =
R
Tegangan beban VL
V L = IL RL
Soal.12
Pada gambar diatas : R = 10 kΩ, E2 = 0 ; RL = 5 kΩ ; dan E1 = 5 V
Hitung :
a. IL ; b.VL ;c.V0
Solusi
E1 _ E2
a. IL =
R
= 5 / 10000 = 0,0005 A
b.VL = IL RL
= 0,0005x 5000 = 2,5 V
c. V = 2 VL – E2
= 2 x 2,5 = 5 V
M. Penggeser pasa
Rangkaian penggeser pasa harus memancarkan gelombang tanpa mengubah
amplitudonya tetapi mengubah sudut pasanya.
100kΩ
Ri = 100kΩ 15 pF
301 V0 = E 1 θ
RL
E1 Ri 0,01µF = Ci
θ = ω R i C1
Tang θ = Tan ω Ri C1 = Tan 2πf Ri Ci
θ = Arctan 2Π f Ri Ci
Soal 12
Pada gambar diatas dengan Ri = 100 kΩ, f = 1khz ; Ci = 0,01 μF
Hitung : sudut pasa
Solusi :
θ = Arctan 2 Π f Ri Ci
= Arctan ( 2x3,14x1000x100000x1x10-8 )
= 80,95 0
N. Rangkaian Multivibrator
Multivibrator begetar bebas ( astabil ) adalah pembangkit gelombang persegi .
RF
C
301
V0
R1
VLT VUT R2
R2 = 0,86 R1
t1 dan t2 adalah selang waktu perubahan VC dan V0
Prioda osialsi T adalah waktu yang diperlukan untuk satu siklus lengkap, karena T
adalah penjumlahan dari t1 dan t2
T = 2RF C
f = 1 / T = 1 / 2RF C
Soal.13
Pada gambar diatas dengan R1 = 100 kΩ; R2 = 86 kΩ
VSat = 15 V dan - VSat = - 15 V
Hitung :
a.VUT b. VLT
Solusi : R2
a. VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
= ( 86 ) 15 / ( 86 + 100 )
= 6,93 V
R2
b. VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
= 86 x ( - 15 ) / 186
= - 6,93 V
O. Pembangkit gelombang segitiga

Pembangkit gelombang segitiga membutuhkan dua Op amp, seperti pada gambar
dibawah ini
Pembangkit Pembanding
1µF R= 20kΩ
Ri=1MΩ R = 10kΩ
_
_ V0
+
RL= 10kΩ RL= 10kΩ
VLT = - VSat / n
VUT = VSat / n
n = Gain
f = n / 4 Ri C
Soal.13
Pada gambar pembangkit gelombang segitiga diatas
VSat = ± 15 V
Hitung :
a. VLT b. VUT ; c. f
Solusi
a. VLT = - VSat / n
nR = 20 kΩ ; n = 20 / 10 = 2
VLT = - 15 / 2 = - 7,5 V
b. VUT = 15 / 2 = 7,5 V
c. f = 2 / 4x 10 6 x1 x10 -6
= 0,5 Hz
O. Rangkaian Substractor ( Rangkaian Pengurangan )

1. Tujuan
Mempelajari dan memahami 0perasional amplifier yang bekerja sebagai
substractor.
2. Teori dasar
RF
R2
V2 + V0
V1
R1
R3 RL
Untuk penguat positif
R2 + R F R3
V0 = x V1
R2 R1 + R 3
Contoh soal untuk rangkaian substractor yang menggunakan penguat positif adalah :
8k
5 kΩ
15 V + V0
12 V
3kΩ
2 kΩ 10 kΩ
Hitung : V0
Solusi :
5 +8 2
V0 = x 12
5 3+2
= 2,6 ( 0,4 ) 12 = 12,48 V
Untuk penguat negatif
RF
V0 = - V2
R2
Saklar ( On-OFF led ) dioperasikan oleh sinyal audio ( suara )

Pada gambar. 1. Memperlihatkan tentang pengaktrifan saklar oleh suara.dg
sensitifitas dikendalikan oleh potensiometer.100 – 1kΩ
V + = 15V
15 V
15kΩ
LED
102- Potensiometer
1kΩ D 10kΩ SCR
G
1kΩ
V=-15V
Mikrofon Vout
Prinsip kerja gambar 1. adalah ::

1. Rangkaian penguat negative disuply dengan 15 V dan tegangan -15
V,sedangkan terminal positifnya diinput dengan besaran suara melalui
mikrofon dengan kondisi lebih besar dari tegangan -15 V.dan potensiometer
diseting untuk tegangan input negative melalui switch S ( potensiometer
berharga nol merupakan fungsi on dan off input tegangan negative. Sehingga
tegangan output penguat negative ini menjadi positif dan akan
mengoperasikan diode dengan besar arus 1mA. Arus 1 mA menuju gerbang
SCR .
2. Disisi LED tegangan 15 V diaktifkan sehingga arus akan mengalir melalui
SCR dan LED akan ON, hal ini disebabkan adanya trigger arus diode 1 mA
dari sisi penguat negative. ( catatan : bila arus diode adalah nol maka led akan
OFFF )
Design volt meter dengan indicator rangkaian LED
15 V
Rcal 0 – 10 kΩ
V+
220 Ω
R10=1kΩ Vref10=10 V
V-
220 Ω
9V
R9=1kΩ
Utk mengkonekan 10 rangk. opamp
S
220 Ω
2V
R2=1kΩ
220 Ω
R1=1kΩ 1V
E1
Gnd
Catatan :
1. Opamp yag digunakan adalah IC. 741
2. Jumlah opamp = 10 opamp
3. Saklar berfungsi utk melengkapi jumlah opamp menjadi 10 opamp
Cara kerja rangkaian :
Rangkaian ini berfungsi untuk menampilkan besaran tegangan yang
dikonversi dengan besaran cahaya ( LED )
1. Tegangan 15 V diinputkan pada penguat negative dengan melalui beberapa
harga tahanan.
2. Setting input tegangan pada potensiometer sehingga besaran tegangan out
negative menjadi positif yg bertujuan untuk memforward operasi diode.pada
masing masing rangkaian opamp.
3. Bila diode bekerja maka LED akan ON, sehingga akan menunjukan nilai biner
pada masing masing rangakaian opamp.
4. Cara membaca bilangan biner pada rangkaian opamp, dimulai dari rangkaian
paling bawah atau rangkain pertama.
5. Contoh : Bila LED yang ON adalah LED Nomor 1 sampai dengan LED
nomor 4 maka binernya = 1111 = 15 V
Sinyal isyarat berfungsi untuk mengubah

1. Gelombang sinus ke gelombang persegi.
2. Pengendali siklus operasional.
3. Pengubah lebar pulsa dari modulator dengan menggunakan opamp.
Cara merobah gelombang sinus menjadi gelombang persegi.dapat dilakukan dengan

rangkaian penguat positif.
Vref = 0 V + V
VO
Vref =5V RL
E1 -V
E1
E1p = 10V Gel.
T
Vref
0 8 16 32
t ( ms)
-E1p=-10V
T
Vsat d = 4ms
Gel.
T=16ms
-Vsat
Siklus D = ( waktu sinyal ON) / Prioda T
Bila harga E1P,E1, dan Vref diketahui maka :
Siklus D = ( E1p – Vref ) / 2 E1p
Contoh :Bila : V1p = 10 V ( gelombang segitiga ) dan Vref = 5 V
( gelombang segi empat )
Gambarkan: bentuk kedua gelombang.
Solusi :
Untuk menggambarkan gelombang segitiga dan gelombang segi empat
maka :harus dihitung :
1. Harga D
2. Harga d
3. Harga T
Siklus D = ( 10 – 5 ) / 2x10
= 5/ 20 = 0,25
D=d/T
¼ = d/T
T = 4 d, …………………………………………….. ( 1 )
Persamaan (1) dapat diselesaikan dengan cara persamaan linier.
Bila : d = 1ms, maka T = 4ms ( milli scond )
d = 4ms, maka T = 16 ms
Rangkaian Voltmeter DC
Rangkaian voltmeter dc dapat dibuat dengan opamp.741
Disply voltmeter
1kΩ Im Rmeter ( tahanan dalam voltmeter )
: Im V
+
+ terminal ukur.
E1 0,5V(batere)
Persamaan arus :
Im = E1 / R1
Im = arus pada volt meter ( penggerak pointer )
Pada rangkaian diatas R1 = 1 kΩ
Maka : Im = 0,5 / 1000 = 5x 10 -4 A
= 0,5 mA
Merobah skala voltmeter.
Besaran tegangan pada volt meter berbanding lurus dengan Tahanan input R1,
Contoh :
1. Tegangan E1 dari voltmeter yang lama akan dirobah menjadi E 1= 10 V, maka
harga R1 yang baru adalah :
E1baru / E1 lama = R1baru / R1 lama
10/1 = R1baru / 1kΩ
R1baru = 10 kΩ :
Merobah skala ampermeter
Besaran arus pada ampermeter merupakan fungsi tegangan full scale atau
tegangan skala penuh terhadap besaran tahanan. Akibatnya untuk merobah skala
ampermeter menjadi lebih atau lebih kecil adalah dengan merobah besaran tahanan
yang terlihat pada rumus berikut :
R1= EFS / IFS
Contoh .sebuah ampermeter dengan awalnya mempunyai Arus skala penuh I FS = 0,5
mA. Hitung besar harga R1untuk IFS = 50 μA dan tegangan full scale ( E FS ) = 5 V dari
tegangan awalnya EFS = 0,5 V.
Solusi :
R1 = EFS / IFS
= 5 / 50x 10 – 6 = 10 5 Ω
= 100 kΩ
Perancangan Voltmeter dengan tahanan tinggi
Perancangan ini dilakukan dengan cara merobah besaran tegangan menjadi
besaran arus.yang lebih dikenal dengan voltmeter universal.
Voltmeter universal dapat digunakan sebagai alat ukur:
1. Tegangan dc positif dan negative.
2. Tegangan rms (ac)
Dalam perancangan voltmeter universal yang perlu dirobah adalah satu besaran
tahanan.( R1).
IFS = 50 μA
200 kΩ ( R1a) D1 D3
180kΩ(R1b) DC (1) D4 D2
Vrms(2)
127,2kΩ S V+
(R1c) VP(3)
63,6kΩ d(4) V-
(R1d) e E1 = tegangan yg diukur.( 5 )
Prinsip kerja rangkaian :

1. Untuk pengukuran tegangan Vdc, saklar pada posisi 1
2. Untuk pengukuran tegangan ac ,Vrms, saklar pada posisi 2.
3. Untuk pengukuran tegangan Vp (ac), saklar pada posisi 3
4. Untuk pengukuran d, saklar pada posisi 4.
Dalam pengukuran parameter tegangan dan d, terminal yg diukur adalah terminal (5)
Langkah langkah perancangan voltmeter universal :
1. Voltmeter dc
R1 = Edc full scale / ImFS
ImFS arus pada voltmeter dg kondisi milli full scale
2. Volt meter ac ( rms )
R1 = 0.9 ( Erms skala penuh / ImFS )
3. Voltmeter tegangan puncak Volmeter ac puncak ke puncak( gel. Sinus ).
R1 = 0,636 ( Erms full scale ) / ImicroFullscale
4. Voltmeter puncak ke puncak
R1 = 0,318 ( EPtoP Fullscale ) / ImFS
Contoh.
Pada voltmeter dengan arus skala penuh = IFS = 50μA dan R1 = 5 kΩ
Bagaimana merancang saklar yang merupakan fungsi tahanan.untuk :
a. Tegangan 10 V dc
b. Tegangan 10 Vrms
c. Tegangan 10 V puncak
d. Tegangan 10 VP to P
Solusi :
a.R1a = EFS / ImFS
= 10 / 50. 10 -6
= 200 kΩ
b.R1b = 0,9 ( Erms skala penuh / ImFS )
= 0,9 ( 10 / 50. 10 -6 )
= 180 kΩ
c. R1c = 0,636 ( Erms full scale ) / ImicroFullscale
= 0,636 ( 10 / 50.10 -6 )
= 127,2 kΩ
d. R1d = 0,318 ( EPtoP Fullscale ) / ImFS
= 0,318 ( 10 / 50. 10 -6 )
= 63,6 kΩ
Pembaur Audio
Pembaur audio yang dimaksud adalah bagaiman caranya memisahkan
frekuensi pada parameter tegangan yang dikonversi dengan microfon, sehingga
besaran suara yang dikeluarkan akan saling terdengar. ( gambar .penguat negative )
R= 100kΩ R
Mic.1
R
V0
Mic.2 RL
R
Mic.3
Note : E N terdiri dari E1, E2, E3, diganti dengan Mic.1,2,3 dg masing masing R = 100
kΩ
Prinsip kerja penguat negative
1. Mic.1,2.3. akan saling terdengar pada saat IC.741 ON
Detektor opamp positif dan Hysterisis

Detector opamp positif adalah rangkaian opamp dengan besaran tegangan
seperti VREF , VUT, VLT, VCTR, VH dan E1, VSAT
VREF
V0
E1 R nR
Bentuk gelombang detector opamp positif dan hysteresis ( V0 fr ( E1 ) )
V0
VSAT
VREF
VLT VUT E1
VH
VCTR
` - VSAT
n = Kelipatan R
E1= Tegangan input opamp positif ( V )
VSAT = Tegangan jenuh ( V )
VREF = Tegangan acuan ( V )
VUT = Tegangan ambang batas atas ( V )
VLT = Tegangan batas bawah ( V )
VH = Tegangan Hysterisis ( V )
VCTR = Tegangan tengah ( V )
VUT = Vref ( 1 + 1/n ) – ( - Vsat / n )
VLT = VREF ( 1 + 1/n ) – VSat / n
VH = VUT - VLT
= VREF ( 1 + 1/n ) – ( - VSAT / n ) – (VREF ( 1 + 1/n ) – VSat / n )
= 2 VSat / n
VCTR = ( VUT + VLT ) / 2
= Vref ( 1 + 1/n ) – ( - Vsat / n ) + Vref ( 1 + 1/n ) – VSat / n
2
= VREF ( 1 + 1/n )
Contoh soal :
Rancanglah besaran besaran opamp penguat positif diatas :
VUT =12 V ; VLT = 8 V ; VSAT = 15 V
Solusi : Besaran besaran Opamp positif adalah :
a. VH = VUT - VLT
= 12 – 8 = 4 V
b. VCTR = ( VUT + VLT ) / 2
= ( 12+8 ) / 2 = 10 V
c. VH = 2 VSat / n
4 = 2 (15 ) / n
n = 30 / 4 = 7,5
d. VCTR = VREF ( 1 + 1/n )
10 = VREF ( 1 + 1 / 7,5 )
10 = 1,133 VREF
VREF = 8,826
Detektor opamp negative.

Detector opamp negatif adalah rangkaian opamp dengan besaran tegangan
VREF
V0
E1 R nR
Bentuk gelombang detector opamp negatif dan hysteresis ( V0 f ( E1 )
V0
VSAT
VREF
VLT VUT E1
VH
VCTR
` - VSAT
n = Kelipatan R
VUT = Vref ( n / ( n + 1 ) + Vsat / n + 1
VLT = VREF ( n / n + 1 ) – VSat / n + 1
VH = VUT - VLT
= VREF ( n / n + 1 ) + VSAT / n + 1 ) – (VREF ( n / n + 1 ) – VSat / n + 1 )
= 2 V SAT / n + 1
= VREF ( n / n + 1 ) + VSAT / n + 1 ) + (VREF ( n / n + 1 ) – VSat / n + 1 )
2
= VREF ( n / n + 1 )
Contoh soal :
Rancanglah detector penguatan negative dengan :
VUT = 12 V ; VLT = 8 V ; VSAT = 15 V
Solusi.
a. VH = VUT - VLT
= 12 – 8 = 4 V
b. VCTR = ( VUT + VLT ) / 2
= (12 + 8 ) / 2 = 10 V
c. VH = 2 V SAT / n + 1
4 = 30 / n + 1
4n + 4 = 30
n = 26/ 4 = 6,5
d. VCTR = VREF ( n / n + 1 )
10 = VREF ( 6,5 / 7,5 )
10 = 0,866 VREF
VREF = 11,547 V
Seting tegangan Hysterisis ( VH ) dan tegangan tengah ( VCTR ) sebagai detector

Pada gambar berikut dapat dilihat detector tegangan sebagai fungsi dari
tegangan hysteresis ( detektornya adalah n ) dan tegangan tengah ( VCTR = detektornya
adalah m ). VCTR juga merupakan fungsi tahanan m dan VREF.
nR
R V+
VO
E1 V – = VREF
mR
Bentuk gelombang rangkaian diatas adalah :
VSAT
VO
VCTR
E1
VLT VUT
- VSAT
VUT = VSAT / n - VREF / m
VLT = - VREF/ m – VSAT/ n
VH = VUT - VLT
VH = (VSAT / n - VREF / m ) – (- VREF/ m – VSAT/ n )
VH = 2 VSAT / n
VCTR = (VUT + VLT) / 2
[ (VSAT / n - VREF / m ) + (- VREF/ m – VSAT/ n ) ] / 2
= - VREF / m
Contoh soal :
Batere 12 V, pada kondisi tegangan batere turun = 10,5 V dan setelah diisi tegangan
batere 13,5 V dan Off secara otomatis.,sedangkan besaran lain adalah :
VUT = 13,5,V ; VLT = 10,5 V ; VREF = -15 V ( input V - ) ; VSAT = 13 V
Hitung :
a. VH dan VCTR
b. Tahanan mR
c. Taahanan nR
Solusi :
a1. VH = VUT - VLT
=3V
a2.VCTR = Tegangan tengah = (VUT + VLT)
= ( 10.5 + 13.5 ) / 2 = 12 V
b. VCTR = - VREF / m
12 = - ( -15 ) / m
m = 1,25
c.VH = 2 VSAT / n
3 = 26 / n
n = 8,66
Bila tahanan R = 100 kΩ, maka mR =125 kΩ dan nR = 866 kΩ
Konverter besaran tegangan ke besaran arus
Konversi besaran tegangan ke besaran arus yang dimaksud adalah perubahan
besaran arus beban IL sangat tergantung dengan perubahan besaran tegangan E1 dan E2
serta tahanan R atau ,lihat gambar berikut :
R R
E2 I1 IF1
0V VO = 2 VL – E2
I2 R IF2 R
E1 VL RL IL jika E1< E2
IL jika E1> E2
Cara kerja converter besaran tegangan ke besaran arus.

1. Bila E1 > E2 , maka arus IL positif ( IL menuju ground )
2. Tegangan output VO positif.
3. Tegangan beban VL positif
4. Bila E1 < E2. maka arus IL negative ( IL dari ground )
5. Tegangan output VO akan negative
6. Tegangan beban VL negative.
Bekerjanya converter ini dapat dilihat dengan rumus :
E1 – E2 = IL R
Dengan :
E1 – E2 = Perobahan tegangan ( V )
IL = Arus beban ( A )
R = Tahanan input dan tahanan medan ( Ω )
Besaran tegangan out put VO adalah :
E2 = VR + VL ……………………… ( 1 )
VR = E2 – VL ………………………( 2 )
E 2 = VR + VR + VO
E 2 = 2 VR + VO …………………( 3 )
E2 = 2 ( E2 – VL ) + VO
Subst: pers ( 2 ) ke pers ( 3 )
E2 = 2 ( E2 – VL ) + VO
E2 = 2 E2 – 2 VL + VO
Maka VO = 2 VL – E2 ( kondisi opamp tidak jenuh )
Contoh 1.
10 kΩ 10 kΩ
0V I1 IF1
0V VO = 2 VL – E2
I2 10 kΩ IF2 10 kΩ
5V VL 5kΩ
IL
Hitung :a.IL ; b. VL ; c. VO
Solusi :
a. E1 – E2 = IL R
5 – 0 = 10000 IL
IL = 5/10000 = 0,0005 A = 0,5 mA
b. VL = IL RL
= 0,0005 ( 5000 ) = 2,5 V
c. VO = 2VL – E2
= 2 ( 2,5 ) – 0 = 5 V
Contoh 2.Konverter beda tegangan ke besaran arus
10 kΩ 10 kΩ
5V I1 IF1
0V VO = 2 VL – E2
I2 10 kΩ IF2 10 kΩ
0V VL 5kΩ
IL
Hitung :
a. IL ; b. VL c. VO
Solusi
a. E1 – E2 = IL R
0 – 5 = IL 10000
IL = - 5 / 10.000 = - 0,0005 A = -0,5 mA
b. VL = IL RL
= -,0005 ( 5.000 ) = - 2,5, V
c. VO = 2VL – E2
VO = 2 ( -2,5 ) - 5
= -5 – 5 = -10V
Besaran arus pada fotodetektor
Fotodetector adalah bahan semikonduktor yang berfungsi untuk mendeteksi
besaran cahaya dan dikonversi menjadi besaran arus listrik.
Prinsip kerja dari fotodetektor adalah merobah besaran cahaya menjadi besaran listrik
( I ) dengan kondisi :
a. Cahaya gelap maka arus yang mengalir pada fotodetektor kecil karena
tahanan besar ( > 500 kΩ ).
b. Cahaya terang maka arus yang mengalir pada fotodetektor besar karena
tahanan kecil ( = 5 kΩ ).
Pada umumnya fotodetektor terdiri dari :
1. Fotodioda
2. Fototransistor
3. LDR
Rangkaian pengukur arus pada fotodetector
I1
LDR 1 RF
2 S
E1 Fotodioda 3
IL RL
Solar cell
Cara kerja rangkaian.
1. Pada saat saklar pada posisi 1 maka yang diukur adalah besaran arus pada
LDR
2. Untuk mengukur besaran arus pada fotodioda maka saklar pada posisi 2
3. Pada posisi 3 maka besaran arus yg diukur adalah pada solar cell.
Contoh :
1. Pada gambar diatas tegangan E1 = 5 V, saklar pada posisi 1, R F = 10 kΩ,
bila arus yang diukur adalah 10 μA dan 1 mA pada kondisi gelap dan
terang.
Hitung : VO pada kondisi gelap dan terang
Solusi :
a. Kondisi gelap.
VO = I RF = 10x10 -6 x10x103 = 10 -1 V
b. Kondisi terang
VO = IRF = 10-3 x 10 4
= 10 V
2. Saklar pada posisi 2, RF = 100 k Ω,
Hitung :a. VO pada kondisi gelap dengan arus adalah 1μA
b.VO pada kondisi terang dengan arus adalah 50 μA
Solusi :
a. VO = IRF = 10 -6. 10 5 = 10 -1 V
b. VO = IRF = 50.10-6. 105 = 5 V
3. Saklar pada posisi3, RF = 1,1,Ω ( tahanan Forward diode )
Hitung : a. VO pada kondisi gelap dengan arus 10 μA ( Arus reverse diode 4001 )
b.VO pada kondisi terang dengan arus 1 A ( arus forward diode 4001 )
Solusi :
a. VO = - IRF = 10.10 -6. 1,1 = - 11. 10 -6 V
b. V0 = - IRF = 1.1,1 = - 1.1 V
Simpulan : 1. Pada LDR tegangan luarannya pada kondisi gelap 0,1 V dan 10 V pada
Kondisi terang.
2.Pada Photo diode tegangan luarannya adalah 0,1 V pada kondisi gelap
5 V pada kondisi terang.
3.Pada solar cell tegangan luarannya adalah - 11. 10 -6 V pada kondisi
gelap dan -1,1 V pada kondisi terang.
Rangkaian penguat arus
Bertujuan untuk memperbesar arus yang sudah ada.atau biasa disebut sebagai
rangkaian pengali arus atau penguat arus.
Sumber dari arus tersebut adalah Arus hubung singkat I SC. Arus ISC melalui tahanan
mR. dapat dilihat pada gambar berikut :
R = 1kΩ
IL = (1+m)ISC
0V mISC
99kΩ(mR) ISC ke beban
ISC = 100 μA V+
0V Sensor ( led + phototransistor )
V-
Dari gambar diatas : Hitung : IL
Solusi :
IL = ( 1+m ) ISC
mR = 99 kΩ
m 1kΩ = 99 kΩ ; m = 99 kΩ / 1kΩ = 99
IL = ( 1 + 99 ) 100x10 -6
= 10-2 A
Simpulan : Arus input 100μA sedangkan besara arus out 10 -2
A, artinya rangkaian ini
dapat memperkuat arus sebesar ; 10 -2
/ 100x10 -6 = 100 kali
Rangkaian pembagi arus :( Konverter arus ke arus )
0 - 100μA Tahanan dlm ampermeter ( Rm )

800 Ω 99,2kΩ
A Tahanan skala ammeter
Im = 100μA
ISC = 0,5 A VO
RF = 20Ω
Solar cell V+ ISC + Im
V - 5mA ISC
V+
VO = ISCRF = Im d RF
d = ISC / Im
contoh :
Pada gambar diatas arus skala penuh untuk Im = 100 μA ; ISC = 0,5 A
Hitung : a. dRF; b. Rscale
Solusi : a.dRF
d = ISC / Im
= 0,5 / 100. 10 -6
= 5000
maka : dRF = 5000x20 =10 5 Ω = 100 kΩ
b.Rscale =dR - Rm ; dengan : R = RF, maka :
= 5000 (20) – 800
= 100.000 – 800
= 99.200 Ω = 99,2 kΩ
Simpulan
1. Tahanan skala penuh 99,2 kΩ berfungsi untuk menahan arus ISC = 0,5 A
2. Tahanan 800 Ω berfungsi untuk menstarting arus 100 μA( I m pada tahanan
dalam Rm )
Proses perekaman data baik video maupun audio.
Dalam perekaman data yang dapat dilakukan dengan cara :
1. Kecepatan tetap
Kecepatan tetap artinya adalah mempertahankan amplido ( A ) pada besaran
yang telah ditentukan secara kontinyu. Akibat kecepatan amplitude ini
bergerak secara horizontal,.
Contoh 1: Bila amplitude ( A ) masukan constan 10 mV, dengan kecepatan pada
bidang horizontal adalah V = 5 cm/ dtk, maka jarak puncak ke puncak ( d )
adalah :lihat gambar : A
10mV d
d = V/ 2F ω = 2πF
Contoh 2. Hitung goresan melintang puncak ke puncak :dengann sinyal isyarat
berupa sinyal suara :
a. F = 100 HZ
b. F = 10 kHz
Tegangan masukan = 10 mV
V ( kecepatan ) = 5 cm/dtk
Solusi :
a. Untuk F = 100 HZ
d = V / 2F
d = 5/ ( 2) 100 = 0,05 cm
b. d = V/ 2F
= 5 / 2 ( 10.000 ) =0,00025 HZ
Rangkaian pra penguat Playback
Rangkaian pra penguat Playback( RIAA= Record Industry Association of
America ) dapat dilihat pada gambar berikut yang menggunakan 2 IC.RC4739
V+15V
V-15V
5,9 14 7 1,13 (Pin )
6,8 VO
Jarum play E1 R1 RF 1= 1 MΩ
back 47kΩ
C1 = 5μF RF2=100kΩ
C2= 0,0027μF
RIN = 1,2 kΩ
C3= 750 pF
Cara kerja rangkaian:
1. Rangkaian terdiri dari 2 opamp RC4739 dengan kedua opamp berfungsi
menghasilkan suara streo pada masing masing opampnya ( opamp A dan
opamp B )
2. Pada kondisi frekwensi = 0 dan semua hubungan kapasitor terbuka dan
Gain ( V0/ E1 = 1)
3. Pada frekuensi semakin tinggi dari 0,03 sampai 26 hz, maka harga
reaktansi 1/ XC1 ( 1/ 2πfC1 ) ,akan semakin kecil.
Pada frekuensi rendah ini gain akan bertambah dari 1 sampai harga yang
diinginkan sesuai dengan pers :
ACL = ( RF1 + RIN ) / RIN = (10 6 + 1200) / 1200
ACL = 834,33
4. Pada frekuensi 54 – 580 HZ, harga XC 2 akan semakin berkurang.( C1
dihubiung singkat dan C3 dalam keadaan open ). Pada kondisi ini R F1
dihubungkan parallel dengan RF2, dengan tujuan untuk mengurangi gain :
Pada kondisi diatas : RF1 // RF2 = ( 10 6 x 10 5 ) / 1.100.000 = 90909,09 Ω
Maka : ACL = ( 90909,09 + ? ) / ?= belum dapat
Multifibrator.
Multifibrator adalah rangkaian yang outputnya dapat menghasilkan getaran.hal
ini dapat dilihat pada gambar berikut.
a. Multivibrator diinput tegangan negative ( Pengisian kapasitor )
C diisi oleh I dr VLT
RF
Menuju VUT
C I+
IT
IC
IL R1
VO = VSAT
VUT R2
VLT dan VUT = tegangan umpan balik

1. Kapasitor C ( VC < VUT ) diisi arus I + oleh tegangan VO melalui tahanan
RF sampai tegangan VC = VUT.
2. Bila VC > VUT maka opamp negative berobah menjadi opamp positif
sehingga VO = - Vsat , dan
R2
VUT = ( VSAT )
R1 + R 2
Dengan
VUT = Tegangan Upper Threshol = tegangan ambang atas
VLT = Tegangan Lower threshold = tegangan ambang bawah.
b. Multivibrator diinput tegangan positif.( pengosongan kapasitor )

RF
C diisi oleh I+ dr
VUT ke VLT I+
IT
C IC
IL R1
VO = - VSAT
VUT R2

Pada kondisi awal C bermuatan VC = VUT, maka :
1. Pada kondisi pengosongan C maka VC menuju = 0 V = VLT.
2. Pada kondisi pengisian C, VC menuju = VUT
R2
VLT = ( - VSAT )
R1 + R 2
Kondisi point ( a ) dan ( b ) terjadi berulang yang menyebabkan vibrator bergetar

bebas.
Point ( a ) dan ( b ) dapat disimpulkan sbb:
1. Pada kondisi pengisian C, yaitu VLT menuju VUT maka V0 = - VSAT
2. Pada kondisi pengosongan C yaitu VUT menuju VLT maka V0 = VSAT
3. Waktu pengisian dan pengosongan C akan menentukan frekuensi
multivibrator.
Frekuensi osilasi
Frekuensi osilasi adalah frekuensi yang disebabkan terjadinya pengisian dan
pengosongan kapasitor.gambar sama dengan dua gambar diatas. Dan kurvanya dapat
dilihat pada gambar berikut dengan R2 = 86 kΩ dan R1 = 100 kΩ artinya R2 = 0,86 R1.
Pengisian dan pengosongan kapasitor merupakan fungsi waktu yang dapat dilihat
pada persamaan :Dengan prioda osilasi T merupakan penjumlahan t 1 dan t2.
T = 2 Rf C dengan R2 = 0,86 R1.
R1 dan R2 = tahanan output

f = frekuensi osilasi.= i/T = 1 ( 2 Rf C )
C = kapasitor input.
VOUT
VOUT = VSAT
15
10 T = 2RfC= 1/f
VUT
VLT
10 t 1 = Rf C t 2 = Rf C
15 VOUT = - VSAT
Contoh soal.
1. Dari gambar diatas ( a )
R1 = 100 kΩ ; R2 = 86 k Ω ;VSAT = 15 V dan – 15 V
Hitung : a. VUT dan b. VLT
Solusi :
a. Pada pengosongan kapasitor
R2
VLT = VSAT
R1 + R 2
86
VUT = 15 = 6,93 V
100 + 86
R2
b. VLT = ( - VSAT )
R1 + R 2
86
= ( - 15 ) = - 6,93 V
186
2. Dari gambar ( a ) :
Rf = 100 kΩ ; C = 0,1 μF
Solusi :
T = 2 Rf C
= 2 10 5 10 -7 = 2. 10 – 2
= 0,02 detik = 20 mdetik
3. Pada gambar ( b )
Hitung : frekuensi isolasi
Solusi :
1
f=
T
= 1/ 0,02 = 50 HZ
3.Buktikan : T = 2 Rf C dengan R2 = 0,86 R1

Solusi :
T = t1 + t2
= Rf C + R f C
= 2 Rf C ( terbukti )
Multivibrator pada kondisi stabil
D1 RF = 100k
I+
IT
C IC
IL R1
VO = - VSAT
VUT R2
Tingkat Integrasi
Rangkaian terintegrasi ini mempunyai tingkat integrasi dengan skala seperti :
a. Skala SSI ( Small Scale Integrated ), mempunyai kurang dari 24 gerbang
( Gates ) atau mempunyai kurang dari 50 transistor
b. Skala MSI ( Middle Scale Integrated ), mempunayai 24 - 100 gates atau
mempunyai 50 – 200 transi stor )
c. Skala LSI ( Large Scale Integrated ), mempunyai 100 – 10.000 gates atau
mempunyai 200 – 20.000 transistor
d. Skala VLSI ( Very Large Scale Inntegrated ), mempunyai 10.000 – 500.000
gates atau mempunyai 20.000 – 1000.000 transistor
e. Skala GSI ( Giga Scale Integrated ), mempunyai lebih besar dari 500.000
gerbang atau > 1000.000 transistor.
Catatan : 1 gerbang = ± 2 transistor
Sekarang ini dengan bahan Neouron Mosfet: 1 Transistor dapat berfungsi menjadi
beberapa gerbang.
ISOLATOR
Isolator adalah bahan listrik yang berfungsi untuk menghambat arus listrik dengan
hambatan ( R ) yang sangat tinggi ( Mega Ohm )
Gambar struktur isolator.
Pita konduksi ( Conduct Band )
Jarak Pita Valensi ( Valence Band )
KONDUKTOR
Konduktor adalah bahan listrik yang dapat dilalui arus dengan hambatan yang sangat
kecil .
Struktur dari bahan konduktor
Pita konduksi
Pita Valensi
SEMIKONDUKTOR
Semikonduktor adalah bahan listrik yang dapat berfungsi sebagai konduktor
atau isolator dengan mempunyai tahanan yang relative kecil.
Struktur Semikonduktor
Pita konduksi
Jaraknya dekat ( R = relative kecil )
Pita Valensi
Pita konduksi adalah tempat untuk berhubungan ( konduksi ) electron

sehingga electron yang berada pada pita tersebut disebut electron bebas yaitu electron
yang siap lepas.
Pita Valensi adalah tempat kumpulan electron valensi dengan electron kulit terluar
dari suatu atom. Pada pita valensi terdapat lobang ( hole ) bebas yaitu ketika electron
keluar atau tertarik ke pita konduksi maka electron akan akan meninggalkan hole
yang elektronnya disebut electron bebas ( berada pada pita konduksi ) dan holenya
disebut hole bebas ( berada pada pita valensi )
TIPE SEMIKONDUKTOR
a. Tipe I ( intrinsic ) adalah semikonduktor yang relative murni ( belum diberi
pengotor atau doping dengan jumlah electron = jumlah hole
b. Tipe N ( Ekstrinsik ) Adalah semikonduktor yang tidak murni atau sudah
diberi pengotor / doping, dengan jumlah electron > jumlah hole atau tipe
negative
c. Tipe P ( Ekstrinsik ) : Adalah semikonduktor yang tidak murni ( sudah diberi
pengotor / doping ), dengan jumlah electron < jumlah hole ( tipe positif )
Konsep Band
Tipe N adalah semikonduktor yang tidak murni didoping dengan atom = 5
elektron valensi
Tipe P adalah semikonduktor yang tidak murni didoping dengan atom = 3 elektron
valensi.
Semikonduktor Tipe P
Jumlah hole setiap cm 3
/ konsentrasi ( tingkat kepadatan ) hole dari
semikonduktor berbeda beda.
Tipe P : konsentrasinya 10 15
- 10 17 per cm 3
Tipe P + : lebih padat dari tipe P : jumlah hole 10 18
– 10 20 per cm3
Tipe P + + : lebih padat dari tipe P + : jumlah hole 10 21 – 10 22 per cm 3
Tipe P – : kurang padat dari tipe P : jumlah hole 10 14
per cm 3
Tipe P - - : kurang padat dari tipe P - : jumlah hole 10 13
per cm3
Tipe π : sangat rendah konsentrasinya : 10 12
per cm 3
Semikonduktor tipe N
Tipe N : konsentrasinya 10 15
– 10 17 per cm 3
Tipe N + : konsentyrasinya 10 18
- 10 20
per cm 3
Tipe N + + : konsentyrasinya 10 21
- 10 22
per cm 3
Tipe N - : konsentyrasinya 10 14
per cm 3
Tipe N - - : konsentyrasinya 10 13
per cm 3
Tipe V : konsentyrasinya 10 12
per cm 3
PROSES PEMBUATAN
Materi :
Proses pembuatan Kristal tunggal ; proses pemurnian semikonduktor secara
kimia dan fisika ; metoda pembekuan normal / penarikan ; metoda pemurnian daerah /
pelelehan daerah disertai keuntungan dan kerugiannya ; pengertian perbedaan wafer,
substrat dan bulb
Teknologi pembuatan Wafer
Karakteristik rangkaian terintegrasi sangat bergantung pada kemurnian bahan
semikonduktor dan kesempurnaan Kristal tunggal dari semikonduktor.
Kemurnian bahan semikonduktor sangat berpengaruh pada karakteristik komponen
dari bahan tersebut.
Tingkat kemurnian bahan yang ada sekarang adalah 99,9999 %
Kristal tunggal dari semikonduktor sangat penting karena berhubungan dengan
keawetan lapisan dari bahan
Substrat rangkaian terintegrasi adalah :
1. Bagaimana caranya memperoleh tingkat kemurnian bahaan
2. Bagaimana caranya untuk menambahkan ketidakmurnian pada bahan
SUBSTRAT rangkaian terintegrasi adalah bahan dasar yang digunakan sebagai
tempat untuk membuat rangkaian terintegrasi
INGOT adalah hasil proses pemurnian sekaligus pembuatan Kristal tunggal dari
bahan semikonduktor sebelum dipotong.
WAFER adalah hasil potongan dari Ingot yang berbentuk seperti CD,
Proses Pemurnian Semikonduktor
Proses pemurnian semikonduktor dapat dilakukan dengan cara :
1. Pemurnian secara proses kimia
Tujuan proses ini adalah untuk memisahkan semikonduktor dari bahan
kompon, missal :
a. Germanium ( Ge )
b. Silikon
2. Pemurnian secara proses fisika
Proses ini menggunakan sifat fisika yang dikenal dengan gejala Segregasi.
Sifat Segregasi merupakan ketidak murnian dari bagian yang padat terserap ke
bagian yang sedang meleleh
Cara cara pemurnian berdasarkan sifat Sgregasi :
1. Cara pembekuan normal yaitu bahan semikonduktor dilelehkan seluruhnya
kemudian dibekukan kembali
2. Cara pemurnian wilayah atau pelelehan wilayah yaitu bagian yang meleleh
digeser sepanjang semikonduktor kemudian dibekukan kembali.
Keuntungan metoda pemurnian daerah dengan pembekuan normal
Metoda Pembekuan normal
1. Volume daerah yang dibekukan semakin besar
2. Volume daerah yang dilelehkan semakin kecil
Metoda pemurnian daerah
1. Konsentrasi ketidak murnian sedikit
METODA ZONE MELTING ( Pelelehan daerah )

Tujuan dari pelelehan daerah untuk memurnikan bahan semikonduktor, dan
membuat Kristal tunggal ( substrat ) dengan memberikan ketidak murnian secara
merata.
PROSES PABRIKASI RANGKAIAN TERINTEGRASI
Pada proses pabrikasi rangkaian terintegrasi secara global dapat dilakukan dengan
sebagai berikut : layout masker, masker, pencucian wafer, oksidasi, difusi,
fotolitografi dan etsa oksida ( oxide ), metalisasi ( pemberian kontak metal ),
fotolitografi dan etsametal
Untuk membahas proses pabrikasi rangkaian terintegrasi maka akan ditinjau
sebuah diode pada rangkaian terintegrasi seperti pada gambar 1.
metal metal
Oxide Oxide
N+
Substrat tipe P
Gambar. 1
Bila Substrat dari bahan silicon ( Si ) maka oxidanya adalah silicon dioksida ( SiO2 )
dan jika substrat dari bahan Germanium ( G e ) maka oksidanya adalah Germanium
dioksida ( GeO2 ) sedangkan metal dari gambar tersebut dapat berupa emas, perak atau
alumunium.
Pada umumnya substrat tersebut mempunyai ketebalan berkisar 380 μm – 420 μm
Sedangkan oxida dan metal mempunyai ketebalan 0,25 μm – 1 μm.
Proses masker
Layout masker dari komponen rangkaian terintegrasi adalah bila seluruh
masker dijadikan satu dan hasil dapat dilihat pada gambar 2. Tampak atas Masker
adalah gambar / pola yang dibuat untuk fotolitografi yaitu proses memphoto atau
memindahkan pola masker ke atas permukaan substrat
Dari gambar layout masker ada tiga ( 3 ) masker yang harus dibuat yaitu:
1. Masker untuk difusi N
2. Masker untuk lobang kontak
3. Masker untuk kontak / metal
Masker untuk difusi N
Tampak atas Gambar.2 Tampak samping
Masker untuk lobang kontak
Tampak atas Tampak samping
Masker untuk kontak
Tampak atas Tampak samping

PROSES PENCUCIAN WAFER
Proses pencucian wafer merukan tahap pertama ( setelah pembuatan masker )
yang harus dilakukan sebagai persiapan proses pembuatan IC. Pada proses pembuatan
IC ini dilakukan dengan suhu tinggi dan dijaga jangan terjadi kontaminasi terhadap
logam lain dimana hal ini akan mempengaruhi karakteristik IC
PROSES OKSIDASI 1
Proses oksidasi adalah proses melapisi substrat dengan oksida. Karena
substratnya adalah silicon maka oksidanya silicon dioksida ( SiO2 ) dengan fungsi
sebagai isolator dan mengisolasi substrat dari pengaruh luar.
PROSES FOTOLITOGRAFI DAN ETSA OKSIDA
Proses ini adalah proses memfoto pola yang ada pada masker ke permukaan
substrat. Sedangkan etsa oksida adalah melobangi lapisan oksida sesuai dengan pola
masker yang tercetak. Lubang berfungsi untuk jalan masuk proses berikutnya , hasil
dari proses fotolitgrafi dan etsa oksida dapat dilihat pada gambar 3.
Oxide Oxide
Substrat tipe P
Gambar 3
PROSES DIFUSI TIPE N
Proses difusi tipe N adalah proses untuk memberikan ketidak murnian
kedalam substrat. Untuk difusi tipe N maka bahan yang digunakan adalah bahan yang
mempunyai 5 elektron valensi yaitu Boron ( B ). Hasil proses difusi tipe N seperti
gambar 4.
Oxide Oxide
N +
Substrat tipe P
Gambar. 4
PROSES OKSIDASI 2
Setelah proses difusi maka lobangnya harus ditutup kembali dengan
melakukan proses oksidasi ke dua ( 2 ) sehingga terisolasi kembali, lihat gambar 5.
Oxide
N +
Substrat tipe P
Gambar 5.
PROSES FOTOLITOGRAFI KE 2 DAN ETSA OKSIDA
Setelah lobang ditutup oleh oksida maka dilakukan proses fotolitografi 2
menggunakan masker ke 2 yaitu masker untuk lobang kontak, setelah peroses
fotolitografi maka dilakukan proses etsa oksida sehingga terbentuk lobang untuk
kontak seperti gambar 6
Lobang kontak
Oxide Oxide Oxide

N+
Substrat tipe P
Gambar 6.
PROSES METALISASI
Setelah terbentuk lobang maka seluruh permukaan dilapisi dengan metal yang
disebut dengan proses metalisasi.
Bahan untuk proses metalisasi adalah emes, perak, alumunium dengan tahanan R
sangat kecil berfungsi sebagai konduktor yang baik.
Hasil proses metalisasi dapat dilihat pada gambar 7.
metal
Oxide oxide oxide
N +
Substrat tipe P
Gambar 7.
FOTOLITOGRAFI KE 3 DAN ETSA METAL
Setelah seluruh permukaan tertutup oleh metal maka dilakukan kembali proses
fotolitografi menggunakan masker ke 3 kemudian dietsa metal sehingga tersisa metal
sesuai dengan pola masker.
Hasil Proses Fotolitografi tahap ke 3 dapat dilihat pada gambar. 8.
metal metal
oxide oxide oxide
N+
Substrat P
Gambar 8
Fabrikasi IC Monolitik
Fabrikasi dan Karakteristik IC
Sebuah rangkaian terintegrasi (integrated circuit/IC) difabrikasi dengan chip silikon
kristal tunggal, biasanya dengan permukaan 50 kali 50 mil, mengandung komponen-
komponen baik yang aktip maupun yang pasip dengan interkoneksinya. IC seperti itu
dibuat melalui proses-proses yang sama dengan proses fabrikasi membuat komponen
diskrit seperti transistor, dan dioda. Proses-proses itu terdiri dari pertumbuhan
epitaksial, difusi impuriti dengan masker, pertumbuhan oksida, dan pengikisan oksida
dengan proses fotolitografi untuk membuat polanya.
Dengan menggunakan metoda yang dinamakan batch processing maka dapat
dilakukan pengulangan dengan baik yang dapat diterapkan untuk memproduksi IC
secara besar-besaran berbiaya rendah.
Teknologi Rangkaian Terintegrasi
Fabrikasi IC berdasarkan atas bahan-bahan, proses-proses, dan prinsip-prinsip
perancangan yang digunakan, yang menimbulkan teknologi semikonduktor (teknologi
silikon) atau teknologi rangkaian terintegrasi atau teknologi mikroelektonika yang
sedang berkembang dengan cepat. Struktur dasar sebuah IC sederhana seperti gambar
di bawah ini, yaitu struktur IC gerbang Diode Transistor Logic Inverter (DTL
Inverter) dengan satu input, yang terdiri empat lapisan bahan yang berlainan.
Lapisan terbawah (1) adalah silikon jenis-p (tebal 6 mil) sebagai substrat, yang di
atasnya akan dibentuk IC-nya.
Lapisan kedua (2) adalah lapisan jenis-n yang tipis (biasanya 25 mikrometer = 1 mil)
yang ditumbuhkan sebagai kelanjutan lapisan substrat kristal tunggal. Semua
komponen baik yang aktip maupun yang pasip dibentuk di dalam lapisan kedua
(jenis-n) yang tipis ini dengan menggunakan seranngkaian proses difusi. Komponen-
komponen itu adalah transistor, dioda, kapasitor, dan resistor, yang dibuat dengan
jalan mendifusikan impuriti jenis-p dan impuriti jenis-n. Komponen yang paling rumit
difabrikasi adalah transistor, sedangkan komponen-komponen yang lain diproses
melalui salah satu atau lebih cara proses untuk membuat transistorn itu.
Dalam fabrikasi semua komponen di atas tadi diperlukan untuk mendistribusikan
impuriti pada bagian-bagian tertentu secara tepat ke dalam lapisan (2) adalah jenis-n.
Difusi impuriti itu dilakukan secara selektip dengan menggunakan lapisan pelindung
silikon dioksida (SiO2) untuk melindungi bagian wafer yang lain terhadap perembesan
impuriti. Jadi, lapisan (3) adalah silikon dioksida (SiO2), dan silikon dioksida itu juga
sebagai pelindung permukaan wafer dari kontaminasi.
Pada bagian-bagian yang akan dilaksanakan difusi, lapisan silikon oksidanya dikikis
(di-etching) habis, bagian silikon sisanya tetap terlindungi dari proses difusi. Untuk
pengikisan silikon dioksida secara selektip dikerjakan dengan proses fotolitografi
pada lapisan silikon dioksida.
Terakhir, untuk membuat interkoneksi antar komponen, di atas permukaan wafer di
lapisi dengan lapisan metalik (aluminum) sebagai lapisan keempat (4). Kemudian
dengan proses fotolitografi dan proses etching di atas lapisan (4) dibuat pola
interkoneksinya.
Gerbang DTL Inverter Untuk membuat IC gerbang DTL Inverter (Diode Transistor
Logic Inverter) dengan satu input di bawah ini dalam bentuk terintegrasi (terpadu)
maka diperlukan teknik dan proses yang akan dibahas disini. Konfigurasi ini
dinamakan IC monolitik karena IC ini difabrikasi di dalam chip silikon kristal
tunggal. Kata 'monolitik' berasal dari bahasa Yunani 'monos' yang berarti 'tunggal' dan
'lithos' yang berarti 'batu'. Jadi, IC monolitik itu difabrikasi pada 'batu tunggal', atau
'kristal tunggal'.
Diagram Skema Gerbang DTL Inverter

Prinsip kerja (Operation principle) dari gerbang DTL dapat dianalisis dengan
memberi berturut-turut input LOW dan input HIGH. Pertama diberi input LOW.
Dioda input menjadi forward bias, dan dioda di belakangnya reversed bias, sehingga
transistor output menjadi cutoff. Output DTL menjadi HIGH. Jika rangkaian ini diberi
input HIGH, maka dioda input menjadi reversed bias dan dioda di belakanngnya
forward bias, sehingga transistor output menjadi saturation. Output DTL menjadi
LOW. Maka jika dibuat tabel kebenarannya (truth tabel) diperoleh tabel berikut ini.
INP OUT
L H
H L
Tabel di atas ini merupakan tabel kebenaran INVERTER atau gerbang NOT. Karena
itu rangkaian di atas tadi disebut DTL INVERTER yang standard atau gerbang NOT>
Disini akan dibahas secara kualitatip fabrikasi gerbang DTL INVERTER menjadi
bentuk IC. Selanjutnya akan dijelaskan proses-proses: epitaksial, fotolitografi, dan
difusi secara rinci. Gerbang logika DTL INVERTE di atas ini mengandung
komponen-komponen yang banyak digunakan dalam IC: resistor, dioda, dan
transistor, (kapasitor dengan nilai kapasitansi rendah, bila ada).
Penampang Struktur IC Gerbang DTL INVERTER
Tahap1.
PertumbuhanEpitaksial
Diawali dengan menumbuhkan lapisan epitaksial, biasanya setebal 25 mikro m, di
atas substrat jenis-p yang resistivbitasnya biasanya sebesar 10 ohm.cm untuk N A = 1,4
x 1015 atom/cm3. Untuk lapisan epitaksial jenis-n disini dipilih yang berharga 0,1
sampai 0,5 ohm.cm. Sesudah dipoles dan dibersihkan, seluruh permukaan wafer
dilapisi dengan lapisan silikon oksida (SiO2) tipis setebal 0,5 mikrometer = 5.000
angstroom.
Pertumbuhan Epitaksial
Lapisan SiO2 itu ditumbuhkan dengan jalan dimasukkan ke dalam lingkungan
oksigen sambil dipanasi dengan suhu 1.000oC. Sifat SiO2 tidak tembus difusi
impuriti. Sifat ini dimanfaatkan pada tahap-tahap berikutnya.
Tahap2.
DifusiIsolasi
Pada gambar di bawah ini, lapisan silikon dioksida sudah dibuang dari
permukaan wafer. Pembuangan lapisan silikon dioksida itu dilakukan dengan
menggunakan peralatan etching (pengikisan) dalam proses fotolitografi. Silikon dioda
yang tidak terkikis menjadi penutup/pelindung dari difusi impuriti akseptor (dalam hal
ini, impuriti boron).
Sekarang pada wafer itu dikerjakan proses yang disebut isolation diffusion (difusi
isolasi) yang dilaksanakan pada suhu dan selama selang waktu yang diperlukan oleh
impuriti jenis-p untuk bisa merembes masuk ke dalam lapisan epitaksial jenis-p dan
bisa mencapai substrat jenis-p. Jadi, menghasilkan bagian-bagian jenis-n seperti yang
terlihat pada gambar di bawah ini.
Difusi Isolasi
Bagian-bagian jenis-n itu dinamakan isolation island, atau isolated region, karena
bagian-bagian jenis-n itu terpisah oleh dua buah back-to-back pn junction (back-to-
back diode>. Tujuannya agar di antara komponen-komponen IC yang berlainan itu
terdapat elektrical isolation (isolasi elektrik). Misalnya, akan menjadi jelas nanti
bahwa sebuah isolation region yang berlainan harus digunakan untuk collector dari
setiap transistor yang terpisah. Substrat jenis-p harus selalu dihubungkan pada sebuah
potensial negatip terhadap isolation island sehingga pn junction menjadi reverse-
biased. Jika dioda-dioda ini menjadi forward-biased dalam IC yang sedang bekerja,
maka, tentu saja, isolasinya akan lenyap.
Konsentrasi atom akseptor (NA = 5 x 1020 atom/cm3) di bagian isolation island
biasanya jauh lebih besar (dan karena itu diberi tanda p+) dibandingkan dengan yang
di bagian substrat jenis-p. Alasannya kenapa kerapatannya lebih tinggi adalah untuk
menghindari timbulnya depletion region dari isolation-to-substrat junction yang
reverse-biased itu melebar sampai pada bahan jenis-p+, sehingga ada kemungkinan
terjadi hubungan antara dua isolation island.
KapasitansiParasitis
Isolation Region, atau junction, terhubung oleh yang dinamakan significant barrier,
atau kapasitansi transisi CTs, dengan substrat jenis-p, adanya kapasitansi itu dapat
mempengaruhi bekerjanya IC. Karena, CTs itu hasil sampingan yang tidak diinginkan
dari proses isolasi, sehingga CTs disebut kapasitansi parasitis.
Kapasitansi parasitis merupakan jumlah dua komponen, yaitu kapasitansi Ci dari
setelah bawah bagian jenis-n ke substrat, dan C2 dari sisi samping isolation island ke
bagian p+.
Komponen sebelah bawah, Ci, timbul akibat dari step junction sehingga berubah
berbanding terbalik dengan akar kuadrat tegangan V antara isolation region dengan
substrat.
Kapasitansi sisi samping, C2, berhubungan dengan graded junction berubah
berbanding lurus dengan V-1/2. Untuk komponen ini, luas junction sama dengan
keliling isolation region kali ketebalan lapisan epitaksial jenis-n, y. Kapasitansi total
itu dalam orde beberapa pikofarad.
Tahap3.
DifusiBase
Di atas wafer dibuat lapisan silikon dioksida baru, dan digunakan lagi proses
fotolitografi untuk menggambar pola pembukaan lubang-lubang seperti gambar
berikut ini.
Difusi Base
Impuriti jenis-p (boron) didifusikan melalui lubang-lubang bukaan itu. Dengan cara
ini dibuat base dari transistor sekaligus membuat resistor, anoda dari dioda, dan
kapasitor junction (bila ada).
Kedalaman difusi base harus dikontrol sedemikian rupa sehingga kedalamannnya
tidak sampai mencapai substrat. Resistivitas lapisan base jauh lebih besar dari pada
resistivitas isolation region.
Tahap4.
DifusiEmiter
Sekali lagi di seluruh permukaan wafer dibuat lapisan silikon dioksida, dilanjutkan
dengan proses pemasangan masker dan pengikisan dikerjakan lagi untuk membuka
yang dinamakan window pada bagian jenis-n seperti pada gambar di bawah ini.
Difusi Emiter
Melalui lubang bukaan ini didifusikan impuriti jenis-n (fosfor) untuk membuat emitter
dari transister, dan bagian katoda dari dioda, serta kapasitor junction (kalau ada).
Window tambahan (seperti W1 dan W2 seperti dalam gambar di atas ini) sering dibuat
pada bagian jenis-n, tempat menghubungkan sambungan dengan menggunakan
aluminium sebagai ohmic contact, atau logam interkoneksi.
Selama dikerjakan difusi fosfor pada titik-titik yang akan menjadi tempat-tempat
kontak dengan aluminium, terbentuk suatu konsentrasi yang pekat (yang disebut n +.
Aluminium merupakan impuriti jenis-p dalam silikon, dan konsentrasi fosfor yang
tinggi untuk menghindari terbentuknya pn-junction bila aluminium dicampur untuk
membentuk ohmic contact.
Tahap5.
MetalisasiAluminium
Semua pn-junction dan resistor untuk IC telah selesai dibuat pada tahap-tahap
sebelum ini. Beberapa komponen IC itu sekarang tinggal diinterkoneksikan sesuai
dengan rangkaiannya, dalam proses metalisasi aluminium. Untuk membuat
sambungan itu dilakukan pembuatan lubang-lubang window pada lapisan silikon
oksida yang baru dibuat, seperti yang terlihat pada gamabar di bawah ini, pada titik-
titik tempat kontak akan dibuat.
Metalisasi Aluminium
Untuk membuat interkoneksinya, pertama-tama dengan menggunakan Vacuum
Deposition untuk membuat lapisan aluminium tipis merata di seluruh permukaan
wafer. Kemudian dengan teknik fotoresis, dikerjakan pengikisan lapisan aluminium
tipis yang tidak dikehendaki, menyisakan pola interkoneksi yang diinginkan di antara
resisstor-resistor, dioda-dioda, dan transistor, seperti pada gambar di atas.
Untuk memproduksi suatu IC yang identik seperti itu dalam jumlah besar (beberapa
ratus) dilakukan manufaktur secara simultan pada wafer tunggal.
Sesudah proses metalisasi selesai, wafer itu dipotong-potong dengan alat yang
berujung berlian, dipisahkan menjadi chip individual. Kemudian setiap chip
diletakkan pada sebuah wafer keeramik dan dipasang pada yang dinamakan header.
Sambungan-sambungan paket dihubungkan pada IC dengan stitch bonding berupa
kawat aluminium atau emas 1 mil dari terminal pad pada IC ke sambungan paket
(kemasan).
Rangkuman
Di atas tadi telah dijelaskan metoda difusi epitaksial dari fabrikasi IC. Telah
diterangkan proses-proses berikut ini.
1. Pertumbuhan kristal dari sebuah substrat
2. Pertumbuhan silikon dioksida
3. Proses photoetching
4. Proses difusi
5. Proses vacuum evaporation aluminium
Dengan menggunakan teknik-teknik ini, dimungkinkan untuk memproduksi

komponen-komponen dalam chip yang sama: taransistor, dioda, resistor, kapasitor,
dan interkoneksi aluminium.
Fabrikasi IC Monolitik
Diagram Alir Fabrikasi IC Silikon
PertumbuhanEpitaksial
Proses epitaksial menghasilkan lapisan film tipis (thin film) silikon kristal tunggal dari
fase gas di atas wafer kristal yang ada dari bahan yang sama. Lapisan epitaksial itu
biasanya yang jenis-p maupun yang jenis-n. Pertumbuhan suatu lapisan film tipis
epitaksial dengan atom-atom boron yang terperangkap dalam penumbuhan lapisan
tipis seperti gambar dibawah ini.
Disini diinginkan membuat lapisan film tipis epitaksial dengan konsentrasi impuriti
yang spesifik, maka harus menggunakan impuriti-impuriti misalnya phosphine untuk
doping jenis-n atau biborane untuk doping jenis-p yang dimasukkan ke dalam aliran
gas tetrachloride-hydrogen. Peralatan untuk memproduksi suatu lapisan epitaksial
seperti pada gambar berikut ini.
Dalam sistem ini, tabung kuartz panjang yang berbentuk silinder dililiti dengan
kumparan induksi frekuensi tinggi. Wafer-wafer silikon diletakkan pada papan
graphite segiempat yang disebut boat. Boat itu dimasukkan ke dalam ruang reaksi,
dan graphite itu panasi secara induktip sampai sekitar 1.200oC. Pada masukan ruang
reaksi terdapat yang dinamakan control console untuk mengatur pemasukan beberapa
macam gas yang diperlukan dalam penumbuhan lapisan-lapisan epitaksial yang
cocok. Jadi, dimungkinkan untuk membentuk pn-junction yang hampir abrupt step.
OPERATION AMPLIFIER ( 0P – AMP )
Op amp diberikan pada penguat gain yang tinggi untuk menyelesaikan tugas
matematis seperti, penjumlahan, pengurangan, perkalian dan pembagian ,
diferensiasi , integral dengan tegangan ± 300 V.
OP amp berfungsi untuk memperkuat sinyal pada harga tertentu, Op amp ini
merupakan penguat yang terdiri dari rangkaian elektronik , dengan penguatan
ditentukan oleh elemen pasif yang terdapat pada op amp ( R dan C ).
Karakteristik Op amp
4. Penguatan sangat tinggi
5. Lebar bidang ( band widh ) yang lebar
6. Impedansi masukan yang tinggi

B. Tegangan positif ke negative penguat
RF
R1 IF M
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
E1 = Tegangan input ( V )
V0 = Tegangan out ( V )
I1 = Arus input ( A )
IF = Arus pada RF ( A )
I0 = Arus pada op amp ( A )
IL = Arus beban RL ( A )
IT = Arus total ( A )
Persamaan arus
I1 = I 0 + I F
I0 sangat kecil karena Op amp mempunyai impedansi sangat tinggi, sehingga
I 1 = IF
IT = I F + I L
Persamaan tegangan
E1 = I1 R1 + EB ; I1 = ( E1 – EB ) / R1
E B = I F RF + V 0 ; IF = ( EB – V0 ) / RF
Karena : I1 = IF , maka
( E1 – EB ) / R1 = ( EB – V0 ) / RF
Dengan penguat tegangan : A = - V0 / EB, maka
( E1 – EB ) RF = ( EB – V0 ) R1
: X ( V0 / EB )
( V0 / EB ) ( E1 – EB ) RF = ( V0 / EB ) ( EB – V0 ) R1
( V0 E1 RF ) / EB - ( V0 EB RF ) / EB = ( V0 EB R1 ) / EB – V0 2 R 1 / EB
( V0 E1 RF ) / EB - V0 RF = V0 R1 - V0 2 R 1 / EB
- A E1 RF - V0 RF = V0 R1 + A V0 R1
- A E1 RF = V0 R1 + A V0 R1 + V0 RF
= V0 (R1 +A R1 + RF )
V 0 / E 1 = - A R F / ( R 1 + A R 1 + RF )
Karena A sangat besar maka :
V0 / E 1 = - RF / R1 = ( ACL )
( Perbandingan tegangan out dengan input pada penguat negative )
I1 = E1 / R1
V0 = - RF E1 / R1
Contoh soal 1
RF
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Bila R1 = 10 kΩ ; RF = 100 kΩ ; E1 = 1V ; RL = 25 kΩ
Hitung :
a. I1 ; b. V0 ; c.ACL ; d. IL ; e. IT
Solusi
a. I1 = 1 / 10000 = 0,0001 A
b. V0 = - ( 100 / 10 ) 1
= - 10 V
c.ACL = - ( 100 /10 ) = - 10
d. IL = - 10 / 25000
e. IT = 0,0001 + 0.0004
= 0,0005 A
B. Tegangan negatif ke negatif penguat
RF
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Semua rumus sama dengan rumus pada input positif

Contoh 2
R1 = 10 kΩ ; RF = 250 kΩ ; E1 = - 0,5 V ; IL = 2mA
Hitung :
a.I1 b.VF c.V0 d.RL e.IT
Solusi
f. I1 = - 0,5 / 10000
g. VF = 0,00005x 250000
= 12,5 V
h. V0 = - ( 250 / 10 ) ( - 0,5 )
= 12,5 V
i. RL = 12,5 / 0,002
= 6250 Ω
j. IT = 0,00005 + 0,002
= 0,00205 A
C. Tegangan AC ke penguat negatif
RF
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
ac RL
IL
Contoh soal.3
Bila : R1 = 50 kΩ ; RF = 500 kΩ ; E1 = 0,1 V
Hitung : a. ACL b. V0
Solusi
c. ACL = - 500 / 50
= - 10
d. V0 = - ( 500 / 50 ) 0,1
= - 1V
D. Penjumlahan penguat pembalik
R1
E1 I1
R2 RF
E2 I2 IF
E3 R
3
I3 I0 IT V0
RL
IL
RF RF RF
V0 = - E1 + E2 + E3
R1 R2 R3
IF = I 1 + I 2 + I 3
IT = I F + I L
I1 = E1 / R1
I2 = E2 / R2
I3 = E3 / R3
Sehingga :
V 0 = - ( I 1 RF + I2 RF + I3 RF )
= - ( I 1 + I2 + I 3 ) R F
Contoh. 4
Dengan : E1 = 2 V ; E2 = 3 V ; E3 = 1 V
Semua tahanan harganya = 10 kΩ
Hitung : V0 ; IT
Solusi :
a. V0 = - ( 2 + 3 + 1 ) = - 6 V
b. IT = IF + IL
IF = ( I 1 + I 2 + I 3 )
I1 = 2 / 10000 = 0,0002 A
I2 = 3 / 10000 = 0,0003 A
I3 = 1 / 10000 = 0,0001 A
IL = V 0 / R L
= - 6 / 10000 = - 0,0006 A ( arah arus berlawanan )
IF = 0,0002 + 0,0003 + 0,0001
= 0,0006 A
Maka : IT = 0,0006 + 0,0006
= 0,0012 A
E. Pengikut Tegangan
I1 = 0
V0 = E 1
IT
ac
E1 = 4 V IL RL = 10 kΩ
ACL = V0 / E1 = 1
Contoh soal.5
Rangkaian seperti pada gambar diatas
Hitung :
a. V0 ; b. IL ; c. I0
Solusi
d. V0 = 4 V
e. IL = 4 / 10000 = 0,0004 A
f. IT = I1 + IL
= 0 + 0,0004 = 0,0004 A
F. Rangkaian differensiator
RF
C IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
V0 RF
= -( )
E1 1/jωC
= - (j ω C RF )
= - ( SCRF )
S= jω; ω=2Πf ; f = Frekuensi ( Hz )
G. RANGKAIAN INTEGRATOR
C
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
V0 / E1 = - ( 1 / j ω C ) / R1
= - ( 1 / j ω C R1 )
Contoh soal .6
Rangkaian differensiator RF
C IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Bila : RF = 1 kΩ ; C = 100 µF ; E1 = 12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz
Hitung : a. V0 ; b. IT
Solusi :
e. V0 = - ( jωC RF ) E1
= - ( j 2Πf C RF ) E1
= - ( j 2x3,14x 10x 10 -4
x 1000 ) 12
= - j 75,36 V
f. IT = IF + IL
IF = I1 = E1/ ( 1/ jωC )
= jωC E1
= j 2x3,14x 10x10 -4 x 12
= j 0,0753 A
IL = V 0 / R L
= - j 75,36 / 5000
= - j 0,015 A
Maka : IT = j 0,0753 - j 0,015
= j 0,0603 A
Soal 7..Rangkaian Integrator
C
R1 IF
E1 B
I1 I0 IT V0
RL
IL
Bila : R = 1 kΩ ; C = 100 µF ; V0 = -12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz

Hitung : a. E1 ; b. IT
Solusi :
e. V0 / E1 = - 1/ ( jωC R )
E1 = - V0 jωCR
= - ( -12 ) j 2x3,14x 10 x 10 -4
x 1000
=
b. IT =
H. PENGUAT TAK MEMBALIK ( PENGUAT POSITIF )
1. Tegangan inputnya positif
RF
IF
R1 IT
I1 V0
E1
IL RL
Persamaan tegangan.dan arus

V 0 = ( 1 + R F / R1 ) E 1
V0 / E1 = ACL
IT = I F + I L
V F = I F RF
E 1 = I1 R1
V 0 = IL RL
Contoh soal.8
R1 = 5 kΩ ; RF = 20 kΩ ; E1= 2 V ; RL = 5 kΩ
Hitung :
a. V0 ;b.ACL ;c.IT
Solusi :
a. V0 = ( 1 + RF / R1 ) E1
= ( 1 + 20 / 5 ) 2
= 10 V
b.ACL = V0 / E1
= 10 / 2 = 5
c. IT = IF + IL.
IF = I 1
I1 = E1 / R1
= 2 / 5000 = 0,0004 A
IL = V 0 / R L
= 10 / 5000 = 0,002 A
Maka : IT = I1 + IL
= 0,0004 + 0,002
= 0,0024 A
I.Penguat positif
2. Tegangan inputnya negatif
RF
IF
R1 IT
I1 V0
E1
IL RL
Persamaan tegangan V0 = ( 1 + RF / R1 ) E1
V0 / E1 = ACL
Soal. 9.
Pada gambar diatas : ACL = 16
E1 = 0,2 V ; R1 = 2 kΩ ; RL = 5 kΩ
Hitung : a.RF ;b. IT
Solusi :
a. ACL = ( 1 + RF / R1 )
16 = ( 1 + RF / 2 )
16 -1 = RF / 2
RF = 15 x 2 = 30 kΩ
b. IT = IF + IL
IF = I1 = E1 / R1
= 0,2 / 2000 = 0,0001 A
IL = V 0 / R L
V0 / E1 = ACL
V0 = 0,2 x 16 = 3,2 V
IL = 3,2 / 5000 = 0,00064 A
Maka :
IT = 0,0001 + 0,00064 = 0,00074 A
J. Penjumlahan penguat positif

RF
IF
R1 IT
I1 V0
A
R2 R3 R4 IL RL
E1 E2 E3
VA = ( E 1 + E 2 + E 3 ) / 3
V0 = ( E 1 + E 2 + E 3 )
Tahanan RF dibuat :
RF = ( n – 1 ) R
R = R 1 = R2 = R 3 = R4
n = Jumlah tegangan input
Soal .10
Seperti gambar diatas dengan :
E1 = E2 = 2 V ; E3 = -1 V
R1 = R2 = R3 = R4 = 10 kΩ
RL = 5 kΩ
Hitung :
a. RF ;b. V0 ; c. IT
Solusi :
a. RF = ( 3 – 1 ) 10
= 20 kΩ
f. V0 = ( E1 + E2 + E3 )
=3V
g. IT = IL + IF
IL = V 0 / R L
= 3 / 5000 = 0,0006 A
IF = I 1
I1 = E1 / R1 = 2 / 10000 = 0,0002 A
Maka :
IT = 0,0006 + 0,0002 = 0,0008 A
K. Rangkaian Umpan balik Positif
Umpan balik positif didapatkan dengan mengambil sebagian tegangan V0 dan
V0
301
R1
VLT VUT R2
VUT = Tegangan ambang atas ( Bila : V0 = + VSat )
R2
VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
VLT = Tegangan ambang bawah ( bila V0 = - VSat )
R2
VLT = ( - Vsat )
R1 + R 2
Soal : 11
Pada gambar diatas harga : R1 = 100 kΩ; R2 = 100 kΩ
VSat = 14 V
Hitung : VUT
Solusi :
R2
VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
100
= 14
100 + 100
= 7V
Untuk : VSat = - 13 V
R2
VLT = ( - Vsat )
R1 + R 2
100
= ( - 13 )
100 + 100
= - 6,5 V
L. Pengubah beda tegangan ke arus
R R
E1
V0
E2 R R
IL jika E1 < E2
VL RL
IL Jika E1 > E2
Tegangan output
V0 = 2 VL – E2
Arus beban IL
E1 _ E2
IL =
R
Tegangan beban VL
V L = IL RL
Soal.12
Pada gambar diatas : R = 10 kΩ, E2 = 0 ; RL = 5 kΩ ; dan E1 = 5 V
Hitung :
a. IL ; b.VL ;c.V0
Solusi
E1 _ E2
a. IL =
R
= 5 / 10000 = 0,0005 A
b.VL = IL RL
= 0,0005x 5000 = 2,5 V
c. V = 2 VL – E2
= 2 x 2,5 = 5 V
M. Penggeser pasa
Rangkaian penggeser pasa harus memancarkan gelombang tanpa mengubah
amplitudonya tetapi mengubah sudut pasanya.
100kΩ
Ri = 100kΩ 15 pF
301 V0 = E 1 θ
RL
E1 Ri 0,01µF = Ci
θ = ω R i C1
Tang θ = Tan ω Ri C1 = Tan 2πf Ri Ci
θ = Arctan 2Π f Ri Ci
Soal 12
Pada gambar diatas dengan Ri = 100 kΩ, f = 1khz ; Ci = 0,01 μF
Hitung : sudut pasa
Solusi :
θ = Arctan 2 Π f Ri Ci
= Arctan ( 2x3,14x1000x100000x1x10-8 )
= 80,95 0
N. Rangkaian Multivibrator
Multivibrator begetar bebas ( astabil ) adalah pembangkit gelombang persegi .
RF
301
V0
R1
VLT VUT R2
R2 = 0,86 R1
t1 dan t2 adalah selang waktu perubahan VC dan V0
Prioda osialsi T adalah waktu yang diperlukan untuk satu siklus lengkap, karena T
adalah penjumlahan dari t1 dan t2
T = 2RF C
f = 1 / T = 1 / 2RF C
Soal.13
Pada gambar diatas dengan R1 = 100 kΩ; R2 = 86 kΩ
VSat = 15 V dan - VSat = - 15 V
Hitung :
a.VUT b. VLT
Solusi : R2
a. VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
= ( 86 ) 15 / ( 86 + 100 )
= 6,93 V
R2
b. VUT = ( Vsat )
R1 + R 2
= 86 x ( - 15 ) / 186
= - 6,93 V
O. Pembangkit gelombang segitiga

Pembangkit gelombang segitiga membutuhkan dua Op amp, seperti pada gambar
dibawah ini
Pembangkit Pembanding
1µF R= 20kΩ
Ri=1MΩ R = 10kΩ
_
_ V0
+
RL= 10kΩ RL= 10kΩ
VLT = - VSat / n
VUT = VSat / n
n = Gain
f = n / 4 Ri C
Soal.13
Pada gambar pembangkit gelombang segitiga diatas
VSat = ± 15 V
Hitung :
a. VLT b. VUT ; c. f
Solusi
a. VLT = - VSat / n
nR = 20 kΩ ; n = 20 / 10 = 2
VLT = - 15 / 2 = - 7,5 V
b. VUT = 15 / 2 = 7,5 V
c. f = 2 / 4x 10 6 x1 x10 -6
= 0,5 Hz
O. Rangkaian Substractor ( Rangkaian Pengurangan )

1. Tujuan
Mempelajari dan memahami 0perasional amplifier yang bekerja sebagai
substractor.
2. Teori dasar
RF
R2
V2 + V0
V1
R1
R3 RL
Untuk penguat positif
R2 + R F R3
V0 = x V1
R2 R1 + R 3
Contoh soal untuk rangkaian substractor yang menggunakan penguat positif adalah :
8k
5 kΩ
15 V + V0
12 V
3kΩ
2 kΩ 10 kΩ
Hitung : V0
Solusi :
5 +8 2
V0 = x 12
5 3+2
= 2,6 ( 0,4 ) 12 = 12,48 V
Untuk penguat negatif
RF
V0 = - V2
R2
Saklar ( On-OFF led ) dioperasikan oleh sinyal audio ( suara )

Pada gambar. 1. Memperlihatkan tentang pengaktrifan saklar oleh suara.dg
sensitifitas dikendalikan oleh potensiometer.100 – 1kΩ
V + = 15V
15 V
15kΩ
LED
10 -
2
Potensiometer
1kΩ D 10kΩ SCR
G
1kΩ
V=-15V
Mikrofon Vout
Prinsip kerja gambar 1. adalah ::

3. Rangkaian penguat negative disuply dengan 15 V dan tegangan -15
V,sedangkan terminal positifnya diinput dengan besaran suara melalui
mikrofon dengan kondisi lebih besar dari tegangan -15 V.dan potensiometer
diseting untuk tegangan input negative melalui switch S ( potensiometer
berharga nol merupakan fungsi on dan off input tegangan negative. Sehingga
tegangan output penguat negative ini menjadi positif dan akan
mengoperasikan diode dengan besar arus 1mA. Arus 1 mA menuju gerbang
SCR .
4. Disisi LED tegangan 15 V diaktifkan sehingga arus akan mengalir melalui
SCR dan LED akan ON, hal ini disebabkan adanya trigger arus diode 1 mA
dari sisi penguat negative. ( catatan : bila arus diode adalah nol maka led akan
OFFF )
Design volt meter dengan indicator rangkaian LED
15 V
Rcal 0 – 10 kΩ
V+
220 Ω
R10=1kΩ Vref10=10 V
V-
220 Ω
9V
R9=1kΩ
Utk mengkonekan 10 rangk. opamp
S
220 Ω
2V
R2=1kΩ
220 Ω
R1=1kΩ 1V
E1
Gnd
Catatan :
4. Opamp yag digunakan adalah IC. 741
5. Jumlah opamp = 10 opamp
6. Saklar berfungsi utk melengkapi jumlah opamp menjadi 10 opamp
Cara kerja rangkaian :
Rangkaian ini berfungsi untuk menampilkan besaran tegangan yang
dikonversi dengan besaran cahaya ( LED )
6. Tegangan 15 V diinputkan pada penguat negative dengan melalui beberapa
harga tahanan.
7. Setting input tegangan pada potensiometer sehingga besaran tegangan out
negative menjadi positif yg bertujuan untuk memforward operasi diode.pada
masing masing rangkaian opamp.
8. Bila diode bekerja maka LED akan ON, sehingga akan menunjukan nilai biner
pada masing masing rangakaian opamp.
9. Cara membaca bilangan biner pada rangkaian opamp, dimulai dari rangkaian
paling bawah atau rangkain pertama.
10. Contoh : Bila LED yang ON adalah LED Nomor 1 sampai dengan LED
nomor 4 maka binernya = 1111 = 15 V
Sinyal isyarat berfungsi untuk mengubah

4. Gelombang sinus ke gelombang persegi.
5. Pengendali siklus operasional.
6. Pengubah lebar pulsa dari modulator dengan menggunakan opamp.
Cara merobah gelombang sinus menjadi gelombang persegi.dapat dilakukan dengan

rangkaian penguat positif.
Vref = 0 V + V
VO
Vref =5V RL
E1 -V
E1
E1p = 10V Gel.
T
Vref
0 8 16 32
t ( ms)
-E1p=-10V
T
Vsat d = 4ms
Gel.
T=16ms
-Vsat
Siklus D = ( waktu sinyal ON) / Prioda T
Bila harga E1P,E1, dan Vref diketahui maka :
Siklus D = ( E1p – Vref ) / 2 E1p
Contoh :Bila : V1p = 10 V ( gelombang segitiga ) dan Vref = 5 V
( gelombang segi empat )
Gambarkan: bentuk kedua gelombang.
Solusi :
Untuk menggambarkan gelombang segitiga dan gelombang segi empat
maka :harus dihitung :
4. Harga D
5. Harga d
6. Harga T
Siklus D = ( 10 – 5 ) / 2x10
= 5/ 20 = 0,25
D=d/T
¼ = d/T
T = 4 d, …………………………………………….. ( 1 )
Persamaan (1) dapat diselesaikan dengan cara persamaan linier.
Bila : d = 1ms, maka T = 4ms ( milli scond )
d = 4ms, maka T = 16 ms
Rangkaian Voltmeter DC
Rangkaian voltmeter dc dapat dibuat dengan opamp.741
Disply voltmeter
1kΩ Im Rmeter ( tahanan dalam voltmeter )

: Im V
+
+ terminal ukur.
E1 0,5V(batere)
Buat Buku = 200 hal

Dalam buku hrs ada
nilai tambah
Tiap bulan juli
Persamaan arus :
Im = E1 / R1
Im = arus pada volt meter ( penggerak pointer )
Pada rangkaian diatas R1 = 1 kΩ
Maka : Im = 0,5 / 1000 = 5x 10 -4 A
= 0,5 mA
Merobah skala voltmeter.
Besaran tegangan pada volt meter berbanding lurus dengan Tahanan input R1,
Contoh :
2. Tegangan E1 dari voltmeter yang lama akan dirobah menjadi E 1= 10 V, maka
harga R1 yang baru adalah :
E1baru / E1 lama = R1baru / R1 lama
10/1 = R1baru / 1kΩ
R1baru = 10 kΩ :
Merobah skala ampermeter
Besaran arus pada ampermeter merupakan fungsi tegangan full scale atau
tegangan skala penuh terhadap besaran tahanan. Akibatnya untuk merobah skala
ampermeter menjadi lebih atau lebih kecil adalah dengan merobah besaran tahanan
yang terlihat pada rumus berikut :
R1= EFS / IFS
Contoh .sebuah ampermeter dengan awalnya mempunyai Arus skala penuh I FS = 0,5
mA. Hitung besar harga R1untuk IFS = 50 μA dan tegangan full scale ( E FS ) = 5 V dari
tegangan awalnya EFS = 0,5 V.
Solusi :
R1 = EFS / IFS
= 5 / 50x 10 – 6 = 10 5 Ω
= 100 kΩ
Perancangan Voltmeter dengan tahanan tinggi
Perancangan ini dilakukan dengan cara merobah besaran tegangan menjadi
besaran arus.yang lebih dikenal dengan voltmeter universal.
Voltmeter universal dapat digunakan sebagai alat ukur:
3. Tegangan dc positif dan negative.
4. Tegangan rms (ac)
Dalam perancangan voltmeter universal yang perlu dirobah adalah satu besaran
tahanan.( R1).
IFS = 50 μA
200 kΩ ( R1a) D1 D3
180kΩ(R1b) DC (1) D4 D2
Vrms(2)
127,2kΩ S V+
(R1c) VP(3)
63,6kΩ d(4) V-
(R1d) e E1 = tegangan yg diukur.( 5 )

5. Untuk pengukuran tegangan Vdc, saklar pada posisi 1
6. Untuk pengukuran tegangan ac ,Vrms, saklar pada posisi 2.
7. Untuk pengukuran tegangan Vp (ac), saklar pada posisi 3
8. Untuk pengukuran d, saklar pada posisi 4.
Dalam pengukuran parameter tegangan dan d, terminal yg diukur adalah terminal (5)
Langkah langkah perancangan voltmeter universal :
5. Voltmeter dc
R1 = Edc full scale / ImFS
ImFS arus pada voltmeter dg kondisi milli full scale
6. Volt meter ac ( rms )
R1 = 0.9 ( Erms skala penuh / ImFS )
7. Voltmeter tegangan puncak Volmeter ac puncak ke puncak( gel. Sinus ).
R1 = 0,636 ( Erms full scale ) / ImicroFullscale
8. Voltmeter puncak ke puncak
R1 = 0,318 ( EPtoP Fullscale ) / ImFS
Contoh.
Pada voltmeter dengan arus skala penuh = IFS = 50μA dan R1 = 5 kΩ
Bagaimana merancang saklar yang merupakan fungsi tahanan.untuk :
e. Tegangan 10 V dc
f. Tegangan 10 Vrms
g. Tegangan 10 V puncak
h. Tegangan 10 VP to P
Solusi :
a.R1a = EFS / ImFS
= 10 / 50. 10 -6
= 200 kΩ
b.R1b = 0,9 ( Erms skala penuh / ImFS )
= 0,9 ( 10 / 50. 10 -6 )
= 180 kΩ
g. R1c = 0,636 ( Erms full scale ) / ImicroFullscale
= 0,636 ( 10 / 50.10 -6 )
= 127,2 kΩ
h. R1d = 0,318 ( EPtoP Fullscale ) / ImFS
= 0,318 ( 10 / 50. 10 -6 )
= 63,6 kΩ
Pembaur Audio
Pembaur audio yang dimaksud adalah bagaiman caranya memisahkan
frekuensi pada parameter tegangan yang dikonversi dengan microfon, sehingga
besaran suara yang dikeluarkan akan saling terdengar. ( gambar .penguat negative )
R= 100kΩ R
Mic.1
R
V0
Mic.2 RL
R
Mic.3
Note : E N terdiri dari E1, E2, E3, diganti dengan Mic.1,2,3 dg masing masing R = 100
kΩ
Prinsip kerja penguat negative
2. Mic.1,2.3. akan saling terdengar pada saat IC.741 ON
Detektor opamp positif dan Hysterisis

Detector opamp positif adalah rangkaian opamp dengan besaran tegangan
VREF
V0
E1 R nR
Bentuk gelombang detector opamp positif dan hysteresis ( V0 fr ( E1 ) )
V0
VSAT
VREF
VH
VLT VUT E1
VCTR
` - VSAT
n = Kelipatan R
VUT = Vref ( 1 + 1/n ) – ( - Vsat / n )
VLT = VREF ( 1 + 1/n ) – VSat / n
VH = VUT - VLT
= VREF ( 1 + 1/n ) – ( - VSAT / n ) – (VREF ( 1 + 1/n ) – VSat / n )
= 2 VSat / n
= Vref ( 1 + 1/n ) – ( - Vsat / n ) + Vref ( 1 + 1/n ) – VSat / n
2
= VREF ( 1 + 1/n )
Contoh soal :
Rancanglah besaran besaran opamp penguat positif diatas :
VUT =12 V ; VLT = 8 V ; VSAT = 15 V
Solusi : Besaran besaran Opamp positif adalah :
e. VH = VUT - VLT
= 12 – 8 = 4 V
f. VCTR = ( VUT + VLT ) / 2
= ( 12+8 ) / 2 = 10 V
g. VH = 2 VSat / n
4 = 2 (15 ) / n
n = 30 / 4 = 7,5
h. VCTR = VREF ( 1 + 1/n )
10 = VREF ( 1 + 1 / 7,5 )
10 = 1,133 VREF
VREF = 8,826
Detektor opamp negative.

Detector opamp negatif adalah rangkaian opamp dengan besaran tegangan
VREF
V0
E1 R nR
Bentuk gelombang detector opamp negatif dan hysteresis ( V0 f ( E1 )
V0
VSAT
VREF
VLT VUT E1
VH
VCTR
` - VSAT
n = Kelipatan R
VUT = Vref ( n / ( n + 1 ) + Vsat / n + 1
VLT = VREF ( n / n + 1 ) – VSat / n + 1
VH = VUT - VLT
= VREF ( n / n + 1 ) + VSAT / n + 1 ) – (VREF ( n / n + 1 ) – VSat / n + 1 )
= 2 V SAT / n + 1
= VREF ( n / n + 1 ) + VSAT / n + 1 ) + (VREF ( n / n + 1 ) – VSat / n + 1 )
2
= VREF ( n / n + 1 )
Contoh soal :
Rancanglah detector penguatan negative dengan :
VUT = 12 V ; VLT = 8 V ; VSAT = 15 V
Solusi.
e. VH = VUT - VLT
= 12 – 8 = 4 V
f. VCTR = ( VUT + VLT ) / 2
= (12 + 8 ) / 2 = 10 V
g. VH = 2 V SAT / n + 1
4 = 30 / n + 1
4n + 4 = 30
n = 26/ 4 = 6,5
h. VCTR = VREF ( n / n + 1 )
10 = VREF ( 6,5 / 7,5 )
10 = 0,866 VREF
VREF = 11,547 V
Seting tegangan Hysterisis ( VH ) dan tegangan tengah ( VCTR ) sebagai detector

Pada gambar berikut dapat dilihat detector tegangan sebagai fungsi dari
tegangan hysteresis ( detektornya adalah n ) dan tegangan tengah ( VCTR = detektornya
adalah m ). VCTR juga merupakan fungsi tahanan m dan VREF.
nR
R V+
VO
E1 V – = VREF
mR
Bentuk gelombang rangkaian diatas adalah :
VSAT
VO
VCTR
E1
VLT VUT
- VSAT
VUT = VSAT / n - VREF / m
VLT = - VREF/ m – VSAT/ n
VH = VUT - VLT
VH = (VSAT / n - VREF / m ) – (- VREF/ m – VSAT/ n )
VH = 2 VSAT / n
VCTR = (VUT + VLT) / 2
[ (VSAT / n - VREF / m ) + (- VREF/ m – VSAT/ n ) ] / 2
= - VREF / m
Contoh soal :
Batere 12 V, pada kondisi tegangan batere turun = 10,5 V dan setelah diisi tegangan
batere 13,5 V dan Off secara otomatis.,sedangkan besaran lain adalah :
VUT = 13,5,V ; VLT = 10,5 V ; VREF = -15 V ( input V - ) ; VSAT = 13 V
Hitung :
d. VH dan VCTR
e. Tahanan mR
f. Taahanan nR
Solusi :
a1. VH = VUT - VLT
=3V
a2.VCTR = Tegangan tengah = (VUT + VLT)
= ( 10.5 + 13.5 ) / 2 = 12 V
b. VCTR = - VREF / m
12 = - ( -15 ) / m
m = 1,25
c.VH = 2 VSAT / n
3 = 26 / n
n = 8,66
Bila tahanan R = 100 kΩ, maka mR =125 kΩ dan nR = 866 kΩ
Konverter besaran tegangan ke besaran arus

Konversi besaran tegangan ke besaran arus yang dimaksud adalah perubahan
besaran arus beban IL sangat tergantung dengan perubahan besaran tegangan E1 dan E2
serta tahanan R atau ,lihat gambar berikut :
R R
E2 I1 IF1
0V VO = 2 VL – E2
I2 R IF2 R
E1 VL RL IL jika E1< E2
IL jika E1> E2
Cara kerja converter besaran tegangan ke besaran arus.

7. Bila E1 > E2 , maka arus IL positif ( IL menuju ground )
8. Tegangan output VO positif.
9. Tegangan beban VL positif
10. Bila E1 < E2. maka arus IL negative ( IL dari ground )
11. Tegangan output VO akan negative
12. Tegangan beban VL negative.
Bekerjanya converter ini dapat dilihat dengan rumus :
E1 – E2 = IL R
Dengan :
E1 – E2 = Perobahan tegangan ( V )
IL = Arus beban ( A )
R = Tahanan input dan tahanan medan ( Ω )
Besaran tegangan out put VO adalah :
E2 = VR + VL ……………………… ( 1 )
VR = E2 – VL ………………………( 2 )
E 2 = VR + VR + VO
E 2 = 2 VR + VO …………………( 3 )
E2 = 2 ( E2 – VL ) + VO
Subst: pers ( 2 ) ke pers ( 3 )
E2 = 2 ( E2 – VL ) + VO
E2 = 2 E2 – 2 VL + VO
Maka VO = 2 VL – E2 ( kondisi opamp tidak jenuh )
Contoh 1.
10 kΩ 10 kΩ
0V I1 IF1
0V VO = 2 VL – E2
I2 10 kΩ IF2 10 kΩ
5V VL 5kΩ
IL
Hitung :a.IL ; b. VL ; c. VO
Solusi :
d. E1 – E2 = IL R
5 – 0 = 10000 IL
IL = 5/10000 = 0,0005 A = 0,5 mA
e. VL = IL RL
= 0,0005 ( 5000 ) = 2,5 V
f. VO = 2VL – E2
= 2 ( 2,5 ) – 0 = 5 V
Contoh 2.Konverter beda tegangan ke besaran arus

10 kΩ 10 kΩ
5V I1 IF1
0V VO = 2 VL – E2
I2 10 kΩ IF2 10 kΩ
0V VL 5kΩ
IL
Hitung :
b. IL ; b. VL c. VO
Solusi
d. E1 – E2 = IL R
0 – 5 = IL 10000
IL = - 5 / 10.000 = - 0,0005 A = -0,5 mA
e. VL = IL RL
= -,0005 ( 5.000 ) = - 2,5, V
f. VO = 2VL – E2
VO = 2 ( -2,5 ) - 5
= -5 – 5 = -10V
Besaran arus pada fotodetektor
Fotodetector adalah bahan semikonduktor yang berfungsi untuk mendeteksi
besaran cahaya dan dikonversi menjadi besaran arus listrik.
Prinsip kerja dari fotodetektor adalah merobah besaran cahaya menjadi besaran listrik
( I ) dengan kondisi :
c. Cahaya gelap maka arus yang mengalir pada fotodetektor kecil karena
tahanan besar ( > 500 kΩ ).
d. Cahaya terang maka arus yang mengalir pada fotodetektor besar karena
tahanan kecil ( = 5 kΩ ).
Pada umumnya fotodetektor terdiri dari :
4. Fotodioda
5. Fototransistor
6. LDR
Rangkaian pengukur arus pada fotodetector
I1
LDR 1 RF
2 S
E1 Fotodioda 3
IL RL
Solar cell
Cara kerja rangkaian.
4. Pada saat saklar pada posisi 1 maka yang diukur adalah besaran arus pada
LDR
5. Untuk mengukur besaran arus pada fotodioda maka saklar pada posisi 2
6. Pada posisi 3 maka besaran arus yg diukur adalah pada solar cell.
Contoh :
4. Pada gambar diatas tegangan E1 = 5 V, saklar pada posisi 1, R F = 10 kΩ,
bila arus yang diukur adalah 10 μA dan 1 mA pada kondisi gelap dan
terang.
Hitung : VO pada kondisi gelap dan terang
Solusi :
c. Kondisi gelap.
VO = I RF = 10x10 -6 x10x103 = 10 -1 V
d. Kondisi terang
VO = IRF = 10-3 x 10 4
= 10 V
5. Saklar pada posisi 2, RF = 100 k Ω,
Hitung :a. VO pada kondisi gelap dengan arus adalah 1μA
b.VO pada kondisi terang dengan arus adalah 50 μA
Solusi :
c. VO = IRF = 10 -6. 10 5 = 10 -1 V
d. VO = IRF = 50.10-6. 105 = 5 V
6. Saklar pada posisi3, RF = 1,1,Ω ( tahanan Forward diode )
Hitung : a. VO pada kondisi gelap dengan arus 10 μA ( Arus reverse diode 4001 )
b.VO pada kondisi terang dengan arus 1 A ( arus forward diode 4001 )
Solusi :
c. VO = - IRF = 10.10 -6. 1,1 = - 11. 10 -6 V
d. V0 = - IRF = 1.1,1 = - 1.1 V
Simpulan : 1. Pada LDR tegangan luarannya pada kondisi gelap 0,1 V dan 10 V pada
Kondisi terang.
2.Pada Photo diode tegangan luarannya adalah 0,1 V pada kondisi gelap
5 V pada kondisi terang.
3.Pada solar cell tegangan luarannya adalah - 11. 10 -6 V pada kondisi
gelap dan -1,1 V pada kondisi terang.
Rangkaian penguat arus
Bertujuan untuk memperbesar arus yang sudah ada.atau biasa disebut sebagai
rangkaian pengali arus atau penguat arus.
Sumber dari arus tersebut adalah Arus hubung singkat I SC. Arus ISC melalui tahanan
mR. dapat dilihat pada gambar berikut :
R = 1kΩ
IL = (1+m)ISC
0V mISC
99kΩ(mR) ISC ke beban
ISC = 100 μA V+
0V Sensor ( led + phototransistor )
V-
Dari gambar diatas : Hitung : IL
Solusi :
IL = ( 1+m ) ISC
mR = 99 kΩ
m 1kΩ = 99 kΩ ; m = 99 kΩ / 1kΩ = 99
IL = ( 1 + 99 ) 100x10 -6
= 10-2 A
Simpulan : Arus input 100μA sedangkan besara arus out 10 -2
A, artinya rangkaian ini
dapat memperkuat arus sebesar ; 10 -2
/ 100x10 -6 = 100 kali
Rangkaian pembagi arus :( Konverter arus ke arus )
0 - 100μA Tahanan dlm ampermeter ( Rm )
800 Ω 99,2kΩ
A Tahanan skala ammeter
Im = 100μA
ISC = 0,5 A VO
RF = 20Ω
Solar cell V+ ISC + Im
V - 5mA ISC
V+
VO = ISCRF = Im d RF
d = ISC / Im
contoh :
Pada gambar diatas arus skala penuh untuk Im = 100 μA ; ISC = 0,5 A
Hitung : a. dRF; b. Rscale
Solusi : a.dRF
d = ISC / Im
= 0,5 / 100. 10 -6
= 5000
maka : dRF = 5000x20 =10 5 Ω = 100 kΩ
b.Rscale =dR - Rm ; dengan : R = RF, maka :
= 5000 (20) – 800
= 100.000 – 800
= 99.200 Ω = 99,2 kΩ
Simpulan
3. Tahanan skala penuh 99,2 kΩ berfungsi untuk menahan arus ISC = 0,5 A
4. Tahanan 800 Ω berfungsi untuk menstarting arus 100 μA( I m pada tahanan
dalam Rm )
Proses perekaman data baik video maupun audio.
Dalam perekaman data yang dapat dilakukan dengan cara :
2. Kecepatan tetap
Kecepatan tetap artinya adalah mempertahankan amplido ( A ) pada besaran
yang telah ditentukan secara kontinyu. Akibat kecepatan amplitude ini
bergerak secara horizontal,.
Contoh 1: Bila amplitude ( A ) masukan constan 10 mV, dengan kecepatan pada
bidang horizontal adalah V = 5 cm/ dtk, maka jarak puncak ke puncak ( d )
adalah :lihat gambar : A
10mV d
d = V/ 2F ω = 2πF
Contoh 2. Hitung goresan melintang puncak ke puncak :dengann sinyal isyarat
berupa sinyal suara :
c. F = 100 HZ
d. F = 10 kHz
Tegangan masukan = 10 mV
V ( kecepatan ) = 5 cm/dtk
Solusi :
c. Untuk F = 100 HZ
d = V / 2F
d = 5/ ( 2) 100 = 0,05 cm
d. d = V/ 2F
= 5 / 2 ( 10.000 ) =0,00025 HZ
Rangkaian pra penguat Playback
Rangkaian pra penguat Playback( RIAA= Record Industry Association of
America ) dapat dilihat pada gambar berikut yang menggunakan 2 IC.RC4739
V+15V
V-15V
5,9 14 7 1,13 (Pin )
6,8 VO
Jarum play E1 R1 RF 1= 1 MΩ
back 47kΩ
C1 = 5μF RF2=100kΩ
C2= 0,0027μF
RIN = 1,2 kΩ
C3= 750 pF
Cara kerja rangkaian:
5. Rangkaian terdiri dari 2 opamp RC4739 dengan kedua opamp berfungsi
menghasilkan suara streo pada masing masing opampnya ( opamp A dan
opamp B )
6. Pada kondisi frekwensi = 0 dan semua hubungan kapasitor terbuka dan
Gain ( V0/ E1 = 1)
7. Pada frekuensi semakin tinggi dari 0,03 sampai 26 hz, maka harga
reaktansi 1/ XC1 ( 1/ 2πfC1 ) ,akan semakin kecil.
Pada frekuensi rendah ini gain akan bertambah dari 1 sampai harga yang
diinginkan sesuai dengan pers :
ACL = ( RF1 + RIN ) / RIN = (10 6 + 1200) / 1200
ACL = 834,33
8. Pada frekuensi 54 – 580 HZ, harga XC 2 akan semakin berkurang.( C1
dihubiung singkat dan C3 dalam keadaan open ). Pada kondisi ini R F1
dihubungkan parallel dengan RF2, dengan tujuan untuk mengurangi gain :
Pada kondisi diatas : RF1 // RF2 = ( 10 6 x 10 5 ) / 1.100.000 = 90909,09 Ω
Maka : ACL = ( 90909,09 + ? ) / ?= belum dapat
Multifibrator.
Multifibrator adalah rangkaian yang outputnya dapat menghasilkan getaran.hal
ini dapat dilihat pada gambar berikut.
c. Multivibrator diinput tegangan negative ( Pengisian kapasitor )
C diisi oleh I dr VLT RF
Menuju VUT
C I+
IT
IC
IL R1
VO = VSAT
VUT R2
VLT dan VUT = tegangan umpan balik

3. Kapasitor C ( VC < VUT ) diisi arus I + oleh tegangan VO melalui tahanan
RF sampai tegangan VC = VUT.
4. Bila VC > VUT maka opamp negative berobah menjadi opamp positif
sehingga VO = - Vsat , dan
R2
VUT = ( VSAT )
R1 + R 2
Dengan
VUT = Tegangan Upper Threshol = tegangan ambang atas
VLT = Tegangan Lower threshold = tegangan ambang bawah.
d. Multivibrator diinput tegangan positif.( pengosongan kapasitor )

RF
C diisi oleh I+ dr
VUT ke VLT I+
IT
C IC
IL R1
VO = - VSAT
VUT R2

Pada kondisi awal C bermuatan VC = VUT, maka :
3. Pada kondisi pengosongan C maka VC menuju = 0 V = VLT.
4. Pada kondisi pengisian C, VC menuju = VUT
R2
VLT = ( - VSAT )
R1 + R 2
Kondisi point ( a ) dan ( b ) terjadi berulang yang menyebabkan vibrator bergetar

bebas.
Point ( a ) dan ( b ) dapat disimpulkan sbb:
4. Pada kondisi pengisian C, yaitu VLT menuju VUT maka V0 = - VSAT
5. Pada kondisi pengosongan C yaitu VUT menuju VLT maka V0 = VSAT
6. Waktu pengisian dan pengosongan C akan menentukan frekuensi
multivibrator.
Frekuensi osilasi
Frekuensi osilasi adalah frekuensi yang disebabkan terjadinya pengisian dan
pengosongan kapasitor.gambar sama dengan dua gambar diatas. Dan kurvanya dapat
dilihat pada gambar berikut dengan R2 = 86 kΩ dan R1 = 100 kΩ artinya R2 = 0,86 R1.
Pengisian dan pengosongan kapasitor merupakan fungsi waktu yang dapat dilihat
pada persamaan :Dengan prioda osilasi T merupakan penjumlahan t 1 dan t2.
T = 2 Rf C dengan R2 = 0,86 R1.
R1 dan R2 = tahanan output
f = frekuensi osilasi.= i/T = 1 ( 2 Rf C )
C = kapasitor input.
VOUT
VOUT = VSAT
15
10 T = 2RfC= 1/f
VUT
VLT
10 t 1 = Rf C t 2 = Rf C
15 VOUT = - VSAT
Contoh soal.
4. Dari gambar diatas ( a )
R1 = 100 kΩ ; R2 = 86 k Ω ;VSAT = 15 V dan – 15 V
Hitung : a. VUT dan b. VLT
Solusi :
c. Pada pengosongan kapasitor
R2
VLT = VSAT
R1 + R 2
86
VUT = 15 = 6,93 V
100 + 86
R2
d. VLT = ( - VSAT )
R1 + R 2
86
= ( - 15 ) = - 6,93 V
186
5. Dari gambar ( a ) :
Rf = 100 kΩ ; C = 0,1 μF
Solusi :
T = 2 Rf C
= 2 10 5 10 -7 = 2. 10 – 2
= 0,02 detik = 20 mdetik
6. Pada gambar ( b )
Hitung : frekuensi isolasi
Solusi :
1
f=
T
= 1/ 0,02 = 50 HZ
3.Buktikan : T = 2 Rf C dengan R2 = 0,86 R1

Solusi :
T = t1 + t2
= Rf C + R f C
= 2 Rf C ( terbukti )
Multivibrator pada kondisi stabil
D1 RF = 100k
I+
IT
C IC
IL R1
VO = - VSAT
VUT R2

Teknologi Rangkaian Terintegrasi 2

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Teknologi Rangkaian Terintegrasi 2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

TEKNOLOGI RANGKAIAN TERINTEGRASI

UNIVERSITAS BINA DARMA

OPERATION AMPLIFIER ( 0P – AMP )

Semua rumus sama dengan rumus pada input positif

Bila : RF = 1 kΩ ; C = 100 µF ; E1 = 12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz

Bila : R = 1 kΩ ; C = 100 µF ; V0 = -12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz

H. PENGUAT TAK MEMBALIK ( PENGUAT POSITIF )

1. Tegangan inputnya positif

J. Penjumlahan penguat positif

VUT = Tegangan ambang atas ( Bila : V0 = + VSat )

t1 dan t2 adalah selang waktu perubahan VC dan V0

adalah penjumlahan dari t1 dan t2

Pada gambar diatas dengan R1 = 100 kΩ; R2 = 86 kΩ

VSat = 15 V dan - VSat = - 15 V

O. Pembangkit gelombang segitiga

RL= 10kΩ RL= 10kΩ

O. Rangkaian Substractor ( Rangkaian Pengurangan )

Untuk penguat positif

= 2,6 ( 0,4 ) 12 = 12,48 V

Untuk penguat negatif

Saklar ( On-OFF led ) dioperasikan oleh sinyal audio ( suara )

Prinsip kerja gambar 1. adalah ::

Design volt meter dengan indicator rangkaian LED

Sinyal isyarat berfungsi untuk mengubah

Cara merobah gelombang sinus menjadi gelombang persegi.dapat dilakukan dengan

Prinsip kerja rangkaian :

Detektor opamp positif dan Hysterisis

Bentuk gelombang detector opamp positif dan hysteresis ( V0 fr ( E1 ) )

Detektor opamp negative.

Bentuk gelombang detector opamp negatif dan hysteresis ( V0 f ( E1 )

Seting tegangan Hysterisis ( VH ) dan tegangan tengah ( VCTR ) sebagai detector

Cara kerja converter besaran tegangan ke besaran arus.

Contoh 2.Konverter beda tegangan ke besaran arus

99kΩ(mR) ISC ke beban

0 - 100μA Tahanan dlm ampermeter ( Rm )

VLT dan VUT = tegangan umpan balik

b. Multivibrator diinput tegangan positif.( pengosongan kapasitor )

Prinsip kerja rangkaian :

Kondisi point ( a ) dan ( b ) terjadi berulang yang menyebabkan vibrator bergetar

R1 dan R2 = tahanan output

3.Buktikan : T = 2 Rf C dengan R2 = 0,86 R1

Pita konduksi ( Conduct Band )

Jarak Pita Valensi ( Valence Band )

Pita konduksi adalah tempat untuk berhubungan ( konduksi ) electron

METODA ZONE MELTING ( Pelelehan daerah )

Tampak atas Gambar.2 Tampak samping

Masker untuk lobang kontak

Tampak atas Tampak samping

Masker untuk kontak

Tampak atas Tampak samping

Oxide Oxide Oxide

Diagram Skema Gerbang DTL Inverter

Dengan menggunakan teknik-teknik ini, dimungkinkan untuk memproduksi

Penguat pembalik ( Penguat negatif )

Semua rumus sama dengan rumus pada input positif

Bila : RF = 1 kΩ ; C = 100 µF ; E1 = 12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz

Bila : R = 1 kΩ ; C = 100 µF ; V0 = -12 V ; RL = 5 kΩ ; f = 10Hz

Persamaan tegangan.dan arus

J. Penjumlahan penguat positif

t1 dan t2 adalah selang waktu perubahan VC dan V0

adalah penjumlahan dari t1 dan t2

Pada gambar diatas dengan R1 = 100 kΩ; R2 = 86 kΩ

VSat = 15 V dan - VSat = - 15 V