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J  Mater  Sci:  Mater  Electron  (2014)  25:146–151  
DOI  10.1007/s10854­013­1564­9

Céramiques  CaCu3Ti4O12  de  différentes  méthodes :  microstructure  
et  diélectrique

Yuguo  Yang  •  Xuping  Wang  •  Bing  Liu

Reçu :  3  septembre  2013 /  Accepté :  19  octobre  2013 /  Publié  en  ligne :  27  octobre  2013
Springer  Science+Business  Media  New  York  2013

Résumé  Les  céramiques  CaCu3Ti4O12  (CCTO)  ont  été  synthétisées   plage  de  température  de  100  à  600  K  [1–4].  De  plus,  à  l'aide  de  la  
par  des  méthodes  sol­gel,  une  réaction  à  l'état  solide  traditionnelle   diffraction  des  neutrons  sur  poudre  [2]  et  de  la  diffraction  des  rayons  
et  la  décomposition  thermique  d'une  solution  organique.  Les  résultats   X  à  haute  résolution  [3],  aucune  transition  ferroélectrique  n'a  été  
montrent  que  les  microstructures  et  les  caractéristiques  électriques trouvée  dans  CCTO  de  100  à  600  K.  Un  tel  matériau
sont  affectés  par  les  méthodes  de  synthèse.  Les  diagrammes  de   est  très  prometteur  pour  les  applications  de  condensateurs  et  
fraction  de  différence  de  rayons  X  montrent  que  tous  les  échantillons   certainement  pour  la  microélectronique,  les  appareils  hyperfréquences  
ont  une  phase  pérovskite  comme  CCTO.  De  plus,  les  céramiques   (téléphones  portables  par  exemple),  où  la  petite  taille  des  appareils  
CCTO  issues  de  la  réaction  traditionnelle  à  l'état  solide  ont  les   est  cruciale.  De  plus,  Chung  et  al.  [5]  avaient  rapporté  que  CCTO  
phases  de  TiO2  et  CuO.  Les  images  de  microscopie  électronique  à   présente  une  caractéristique  courant­tension  non  linéaire,  qui  provient  
balayage  montrent  que  les  céramiques  CCTO  de  différentes  méthodes  ont  
des
de  la  barrière  Schottky  qui  existe  aux  joints  de  grains  et  peut  être  
tailles  de  grains,  joints  de  grains  et  densités.  Les  propriétés   appliquée  dans  un  nouveau  domaine,  comme  la  varistance.
diélectriques  des  céramiques  CCTO  ont  été  caractérisées  dans  une   Le  CCTO  est  isostructural  représentant  une  phase  de  type  
large  gamme  de  fréquences  (10–107  Hz)  à  température  ambiante. pérovskite  ACu3Ti4O12 .  La  symétrie  cristalline  est  cubique  (groupe  
Les  céramiques  CCTO  issues  de  la  décomposition  thermique  de   d'espace  Im3  et  un  paramètre  de  réseau  de  7,391  A˚ )  avec  un  
solution  organique  ont  une  constante  diélectrique  supérieure  à  5  9   quadruplement  de  la  cellule  de  pérovskite  ABO3  idéale.  La  formule  
104  à  10  Hz.  La  relation  non  linéaire  entre  la  densité  de  courant  et   générale  de  CCTO  est  [AC3]  (B4)  O12,  où  A  =  Ca,  Cd,  Sr,  Na  ou  Th,  
l'intensité  du  champ  électrique  peut  être  observée  dans  les  trois   B  =  Ti  ou  (Ti?M5?)  et  C  =  Cu2?  ou  Mn3 ?
échantillons. [6–8].  Le  Ca2 ?  est  en  coordination  dodécaédrique  par  les  ions  
oxygène,  Cu2?  est  en  coordination  plan­carré  (l'oxygène  étant  le  
plus  proche  voisin)  et  Ti4 ?  coordonne  les  six  ions  oxygène  dans  un  
1.  Introduction octaèdre  légèrement  déformé.  Les  groupes  de  TiO6  sont  inclinés  par  
rapport  à  l'axe  de  la  cellule  unitaire  [5].  La  structure  cristalline  de  
Les  électro­céramiques  associées  à  des  constantes  diélectriques   CaCu3Ti4O12  est  encore  affinée  et  reste  centrosymétrique  bcc  sur  
géantes  et  accompagnées  de  faibles  pertes  diélectriques  sont  de   une  large  gamme  de  températures  [8].
plus  en  plus  demandées  en  raison  de  leur  utilisation  potentielle  
dans  des  dispositifs  actifs  (ou  passifs)  miniaturisés.  CaCu3Ti4O12   Actuellement,  il  existe  quelques  hypothèses  pour  expliquer  
(CCTO)  a  une  constante  diélectrique  géante  et  indépendante  de  la   l'origine  des  valeurs  diélectriques  géantes  dans  CCTO,  incluant  
température  [1].  Le  monocristal  ou  la  céramique  de  CCTO  a  une   principalement  les  facteurs  extrinsèques  (défauts  et  grains  liés,  etc.)  
constante  diélectrique  élevée  de  l'ordre  de  104  à  température   et  les  facteurs  intrinsèques  (vibrations  de  réseau,  etc.).
ambiante  et  reste  presque  constante  pendant  la Un  modèle  de  condensateur  à  couche  barrière  interne  [9]  a  été  
largement  accepté  pour  décrire  leurs  microstructures  et  comme  le  
mécanisme  le  plus  susceptible  de  clarifier  la  constante  diélectrique  
Y.  Yang  (&)  X.  Wang  B.  Liu  New  
géante  dans  CCTO.  Il  a  également  été  rapporté  que  les  propriétés  
Materials  Research  Institute,  Shandong  Academy  of  
Sciences,  Jinan  250014,  République  populaire  de  Chine   diélectriques  des  céramiques  CCTO  sont  très  sensibles  au  
Courriel :  yyuguo@126.com traitement  [10,  11].  Donc  CCTO  dopé  ou  non  dopé

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des  céramiques  synthétisées  avec  différentes  méthodes  ont  été   C16H36O14Ti  a  été  ajouté  dans  la  solution  mère  ci­dessus  sous  
signalées,  telles  que  la  méthode  de  réaction  à  l'état  solide  traditionnelle   agitation  continue  de  15  min.  La  solution  finale  a  été  chauffée  à
[12–14],  la  méthode  de  co­précipitation  [15,  16],  la  méthode  sol­gel  [17– 70  C  pour  volatiliser  l'alcool  de  grain.  Les  poudres  obtenues  ont  été  
19]  et  d'autres  méthodes  chimiques  [20–23] . broyées  et  pressées  à  froid  en  pastilles  de  12  mm  de  diamètre  et  1  
La  méthode  de  réaction  à  l'état  solide  traditionnelle  pour  la  synthèse   mm  d'épaisseur.  Ces  pastilles  ont  été  frittées  à  900  C  pendant  3,5  h  
de  CCTO  souffre  des  inconvénients  des  températures  de  frittage   sous  air  puis  refroidies  à  température  ambiante  dans  le  four  à  moufle  
élevées,  des  temps  de  réaction  longs,  de  la  non  uniformité  et  des   classique.
processus  fastidieux.  Mais  les  méthodes  chimiques  (par  exemple,  co­ Le  diagramme  de  diffraction  des  rayons  X  (DRX)  de  la  poudre  a  été  
précipitation  et  sol­gel)  présentent  plusieurs  avantages  tels  que  la   examiné  à  l'aide  du  système  de  diffraction  des  rayons  X  Japon  RigaKu  
pureté,  un  contrôle  stoechiométrique  étroit,  des  réactions  chimiques  à   D/max­g  avec  irradiation  Cu  Ka  monochromatique  au  graphite  (k  =  
basse  température,  une  microstructure  uniforme  et  des  propriétés   1,5418  A˚).  Les  images  de  microscopie  électronique  à  balayage  (SEM)  
électriques  améliorées.  Le  présent  article  rapporte  la  synthèse  de   ont  été  prises  sur  un  microscope  électronique  à  balayage  (Quanta  200,  
céramiques  CCTO  par  sol­gel,  réaction  traditionnelle  à  l'état  solide  et   Philips,  Pays­Bas).  Une  spectroscopie  de  rayons  X  à  dispersion  
décomposition  thermique  d'une  solution  organique.  Les  effets  du   d'énergie  (EDS)  attachée  au  SEM  a  été  utilisée  pour  analyser  les  
traitement  sur  la  microstructure  et  les  propriétés  électriques  de  la   compositions  chimiques.  Des  points  d'Aurum  (Au),  fabriqués  par  la  
céramique  CCTO  ont  été  systématiquement  étudiés. technique  de  pulvérisation  cathodique  à  l'aide  d'un  masque  perforé,  ont  
été  utilisés  comme  électrodes  supérieures  pour  les  mesures  électriques.  
La  propriété  diélectrique  a  été  testée  à  l'aide  d'un  spectromètre  
diélectrique  à  large  bande  Novocontrol  Concept  80  sur  une  gamme  de  
2  Détails  expérimentaux fréquences  de  10  à  107  Hz.  La  relation  entre  la  densité  de  courant  et  
l'intensité  du  champ  électrique  (JE)  des  échantillons  a  été  mesurée  en  
Pour  l'échantillon  n°  1,  CCTO  a  été  synthétisé  par  la  technologie  sol­ utilisant  la  méthode  à  deux  sondes  par  un  électromètre,  Keithley  6517A.  
gel  en  utilisant  des  matières  premières  de  Ca(NO3)24H2O  (C  99,5  %),   Toutes  les  mesures  ont  été  prises  à  température  ambiante.
Cu(NO3)23H2O  (C  99,5  %)  et  [CH3(CH2)3O]  4Ti  (98  %).
Le  solvant  est  l'éther  monométhylique  d'éthylène  glycol  (C3H8O2,  95  
%).  Le  sol  de  CCTO  a  été  séché  à  200  C  pendant  6  h  puis  fritté  à  800  
C  pendant  4  h  dans  l'air  pour  préparer  des  poudres  de  CCTO.  Les   3  Résultats  et  discussions
poudres  CCTO  ont  été  soigneusement  broyées  et  réenterrées  à  450  C  
pendant  30  min.  Les  poudres  de  CCTO  ont  été  à  nouveau  broyées  et   3.1  DRX
pressées  à  froid  en  pastilles  de  12  mm  de  diamètre  et  1  mm  d'épaisseur.  
Ces  pastilles  ont  été  frittées  à  1  000  C  pendant  6  h  sous  air  puis   La  figure  1  montre  les  modèles  XRD  de  céramiques  CCTO  préparées.  
refroidies  à  température  ambiante  dans  le  four  à  moufle  classique. Les  deux  modèles  montrent  les  orientations  normales  de  CCTO,  
indiquant  que  les  échantillons  sont  monophasés.  Les  diagrammes  de  
Pour  l'échantillon  n°  2,  CCTO  a  été  préparé  par  la  technique  de   diffraction  confirment  la  bonne  cristallinité  de  la  phase  CCTO.  Comme  
réaction  traditionnelle  à  l'état  solide  en  utilisant  des  matériaux  de  départ   on  peut  l'observer  sur  la  figure  1,  les  diagrammes  XRD  des  échantillons  
de  réactifs  CaCO3  (C99,5  %),  CuO  (C99,5  %)  et  TiO2  (C  99,5  %).  Les   indiquent  que  le  pic  à  34,2  associé  à  la  phase  CCTO  est  présent.  On  
matières  premières  ont  été  pesées  selon  le  rapport  stoechiométrique,   peut  également  remarquer  par  les  diagrammes  de  diffraction  qu'il  y  a  
puis  mélangées  dans  un  broyeur  planétaire  à  billes  avec  de  l'éthanol   une  présence  d'autres  phases  dans  les  diagrammes  XRD  de  l'échantillon  
pendant  8  h.  Les  poudres  ont  été  séchées  à  100  C  pendant  12  h,  puis   n°  2.  Les  phases  de  TiO2  et  CuO  ont  été  trouvées  lors  de  la  formation  
à  nouveau  broyées  pendant  8  h  et  calcinées  à  950  C  pendant  12  h.  Le   de  CCTO  par  la  technique  de  réaction  à  l'état  solide  traditionnelle.
mélange  calciné  a  été  broyé  à  billes  et  pressé  en  pastilles  de  12  mm  
de  diamètre  et  1  mm  d'épaisseur.
Les  pastilles  ont  été  frittées  à  1  050  C  sous  air  pendant  6  h  puis   3.2  SEM
refroidies  à  température  ambiante  dans  le  four  à  moufle  classique.
Les  caractéristiques  de  la  microstructure  des  céramiques  CCTO  ont  été
Pour  l'échantillon  n°  3,  le  CCTO  a  été  préparé  par  décomposition   étudié  à  travers  les  images  SEM,  comme  le  montre  la  Fig.  2.
thermique  de  la  technologie  des  solutions  organiques  en  utilisant  des   Les  surfaces  des  céramiques  CCTO  ont  été  polies.  Les  grains  
matières  premières  de  Ca(NO3)24H2O  (C99,5  %),  Cu(NO3)23H2O   s'assemblent  de  manière  compacte,  ce  qui  peut  affecter  les  propriétés  
(C99,5  %)  et  titanate  de  tétrabuty  (C16H36O14Ti ,  99 %).  L'alcool  de   diélectriques  de  la  céramique.  On  observe  des  différences  significatives  
grain  (C2H6O,  95  %)  a  été  choisi  comme  solvant.  Le  Ca(NO3)24H2O   dans  la  granulométrie,  allant  d'environ  1,2  lm  pour  l'échantillon  n°  1  à  
et  le  Cu(NO3)23H2O  ont  été  pesés  selon  le  rapport  stoechiométrique,   un  maximum  de  55  lm  pour  l'échantillon  n°  2.  Les  tailles  de  grains  de  
et  mélangés  dans  le  C2H6O  sous  agitation  continue  de  15  min.  Ensuite,   l'échantillon  n°  1  sont  comprises  entre  1,2  et  8,5  lm,  comme  montrer  
le  rapport  stoechiométrique  de sur  la  figure  2a.  Les  tailles  de  grains  de

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[25].  C'est­à­dire  que  l'apparition  de  gros  grains  dans  l'échantillon  n°  
2  peut  être  attribuée  à  la  forte  mobilité  des  joints  de  grains.

3.3  Diélectrique

La  figure  3  montre  la  constante  diélectrique  (e)  et  la  perte  diélectrique  
(tand)  des  céramiques  CCTO.  La  figure  3a  montre  les  constantes  
diélectriques  de  tous  les  échantillons  dans  la  plage  de  10  à  107  Hz  à  
température  ambiante.  On  constate  que  l'échantillon  n°3  présente  la  
constante  diélectrique  la  plus  élevée  de  plus  de  5  9  104  à  10  Hz.  La  
constante  diélectrique  est  presque  stable  pour  tous  les  échantillons,  
indiquant  l'indépendance  de  fréquence  dans  la  plage  de  102  à  105  
Hz.  L'échantillon  n°  3  a  la  valeur  la  plus  élevée  de  e.  L'échantillon  n°  
2  a  la  plus  faible  valeur  de  e,  bien  qu'il  ait  la  plus  grande  taille  de  
grain.  Il  a  été  rapporté  que  la  constante  diélectrique  dans  CCTO  
dépend  fortement  de  la  taille  des  grains,  et  l'augmentation  de  la  taille  
des  grains  conduit  à  une  augmentation  de  la  permittivité  diélectrique  
[26].  Il  peut  être  indiqué  par  e  =  egb  (D/d),  où  D  est  la  taille  du  grain,  
d  est  l'épaisseur  du  joint  de  grain  et  egb  est  la  constante  diélectrique  
du  joint  de  grain  [27].  Cependant,  ce  principe  ne  peut  pas  expliquer  
nos  résultats.  La  présente  étude  révèle  que  l'échantillon  n°  3  a  la  
microstructure  la  plus  dense  que  les  échantillons  n°  1  et  n°  2.  Nous  
Fig.  1  Diagrammes  de  diffraction  des  rayons  X  des  échantillons pensons  donc  que  la  densité  de  l'échantillon  est  le  facteur  clé  qui  
donne  lieu  à  la  grande  constante  diélectrique  dans  nos  échantillons.
l'échantillon  n°  2  se  situe  dans  la  plage  de  8  à  55  lm,  comme  le  
montre  la  figure  2b.  La  granulométrie  de  l'échantillon  n°  3  est  comprise  
entre  2  et  10  µm,  comme  le  montre  la  Fig.  2c.  Les  densités  des   De  plus,  la  formation  de  CuO  dans  l'interface  peut  entraîner  la  
échantillons  sont  d'environ  4,8  g  cm­3  pour  l'échantillon  n°  1,  4,6  g   variation  de  la  structure  liée  à  l'énergie  des  céramiques  CCTO,  ce  qui  
cm­3  pour  l'échantillon  n°  2  et  4,9  g  cm­3  pour  l'échantillon  n°  3,   se  traduit  par  la  constante  diélectrique  inférieure  de  l'échantillon  n°.
respectivement. 2.  La  relaxation  est  observée  aux  fréquences  supérieures  à  105  Hz,  
Il  n'y  a  d'énormes  grains  que  dans  l'échantillon  n°  2  synthétisé  par   avec  une  diminution  progressive  de  e,  appelée  relaxation  de  type  
la  technique  traditionnelle  de  réaction  à  l'état  solide,  qui  sont  entourés   Debye  [28].  Il  résulte  de  relaxations  dipolaires  entre  grains  CCTO  
de  petits  grains.  Sur  les  joints  de  grains,  on  peut  également  voir   semi­conducteurs,  séparés  par  des  joints  de  grains  isolants.  Les  
qu'une  phase  liquide  mouille  les  grains  dans  l'échantillon  n°  2.  Il  a  été   porteurs  de  charge  s'accumulent  aux  interfaces  entre  les  grains  et  
rapporté  que  CuO  est  une  source  de  phase  liquide  dans  la  synthèse   les  joints  de  grains,  conduisant  à  la  polarisation  de  la  charge  d'espace  
de  CCTO  [24] .  Afin  de  déterminer  davantage  l'élément  de  Cu  sur  les   interfaciale.  Aux  basses  fréquences,  le  champ  électrique  alternatif  
joints  de  grains  dans  l'échantillon  n°  2,  l'analyse  EDS  est  appliquée.   est  si  lent  que  les  dipôles  peuvent  suivre  les  variations  de  champ.  
Le  résultat  de  l'analyse  EDS  est  illustré  à  la  Fig.  2d. Lorsque  la  fréquence  de  mesure  devient  beaucoup  plus  élevée,  
l'alignement  du  dipôle  est  en  retard  sur  le  champ  électrique,  
On  peut  voir  que  le  rapport  molaire  des  éléments  du  joint  de  grains   provoquant  la  diminution  de  la  constante  diélectrique  et  l'augmentation  
est  Ca:Cu:Ti  =  1:45.71:8.86  à  partir  de  l'analyse  EDS,  ce  qui  indique   de

l'existence  d'une  phase  riche  en  Cu  dans  les  joints  de  grains.  En   la  perte  diélectrique  correspondante.
général,  la  croissance  des  grains  dans  les  céramiques  est   La  figure  3b  montre  une  dépendance  en  fréquence  significative  de  
principalement  motivée  par  la  mobilité  des  joints  de  grains.  Ceci  est   la  perte  diélectrique.  La  perte  diélectrique  de  tous  les  échantillons  
contrôlé  par  la  diffusion  d'ions,  d'atomes  et  (ou)  d'espèces  chargées   diminue  avec  l'augmentation  de  la  fréquence  jusqu'à  105  Hz,  puis  
du  grain  à  travers  le  joint  de  grain.  La  phase  liquide  CuO  peut   augmente  avec  l'augmentation  de  la  fréquence.  Ceux­ci  suggèrent  
augmenter  le  taux  de  densification  et  la  mobilité  des  joints  de  grains   que  les  pertes  d'énergie  dans  les  diélectriques  peuvent  se  produire  
grâce  à  un  transport  de  matière  amélioré  à  travers  les  joints  de  grains.   par  deux  mécanismes,  à  savoir  la  migration  des  ions  et  les  pertes  par  
Nous  supposons  que  le  CuO  se  transforme  en  une  phase  liquide  au   conduction.  Le  pic  de  relaxation  t  apparaît  également  à  la  fréquence  de  105  Hz.
cours  de  la  synthèse  et  induit  la  croissance  anormale  des  grains,   Le  modèle  de  Debye  des  effets  de  relaxation  peut  également  expliquer  
comme  indiqué  pour  BaTiO3 le  pic  de  relaxation  tand  [28].

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Fig.  2  Images  SEM  et  EDS  
d'échantillons  une  image  SEM  de  
l'échantillon  n°  1 ;  b  Image  SEM  de  
l'échantillon  n°  2 ;  c  Image  MEB  de  
l'échantillon  n°  3 ;  d  EDS  de  
l'échantillon  n°  2

Fig.  3  Constante  diélectrique  et  
perte  diélectrique  des  échantillons

3.4  La  densité  de  courant augmente  considérablement  sous  les  champs  électriques  plus  élevés.
D'une  manière  générale,  dans  les  courbes  J  –  E  pour  les  semi­
La  figure  4  trace  la  relation  entre  la  densité  de  courant  et  l'intensité  du   conducteurs,  la  caractéristique  non  linéaire  peut  indiquer  l'existence  
champ  électrique  (JE)  de  la  céramique  CCTO  à  température  ambiante.   de  régions  inhomogènes  avec  des  propriétés  électriques  différentes,  
Des  caractéristiques  J  –  E  non  linéaires  peuvent  être  observées  dans   telles  qu'un  grain  semi­conducteur  et  une  limite  de  grain  isolante.  
les  trois  échantillons.  Et  la  densité  de  courant L'augmentation  drastique  de  la  densité  de  courant

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les  céramiques  montrent  une  indépendance  de  fréquence  dans  la  gamme  
de  fréquences  inférieures  à  105  Hz,  tandis  que  la  perte  diélectrique  montre  
une  dépendance  de  fréquence  significative  dans  la  gamme  de  10  à  107  Hz.  
De  plus,  la  relation  entre  la  densité  de  courant  (J)  et  le  champ  électrique  
(E)  des  céramiques  CCTO  est  influencée  par  les  méthodes  de  synthèse.

Remerciements  Ce  travail  est  soutenu  financièrement  par  la  National  Science  
Foundation  of  China  (Grant  Nos.  51102158  et  51202135),  le  Jinan  Science  and  
Technology  Fund  of  Young  Star  (Grant  No.  20120122)  et  le  Fonds  de  recherche  
promotionnelle  pour  les  excellents  jeunes  scientifiques  d'âge  moyen  du  Shandong.  
Province  (subvention  no.
BS2010CL042).

Fig.  4  La  densité  de  courant  et  les  caractéristiques  d'intensité  du  champ  électrique  
des  échantillons Les  références

sous  les  champs  supérieurs  indique  que  la  barrière  énergétique  pour  le   1.  CC  Homes,  T.  Vogt,  SM  Shapiro,  S.  Wakimoto,  AP  Ramirez,  Science  293,  
transport  électrique  est  surmontée  par  le  champ  électrique  fort.  Le  coefficient   673  (2011)
2.  MA  Subramanian,  D.  Li,  N.  Duan,  BA  Reisner,  AW  Sleight,  J.  Solid,  État.  
non  linéaire  (a)  et  le  champ  de  claquage  (Eb)  pour  les  céramiques  CCTO  
Chim.  151 ,  323  ( 2000 )
sont  calculés  à  partir  des  courbes  J–E.  Les  valeurs  de  a  déterminées  dans   3.  AP  Ramirez,  MA  Subramanian,  M.  Gardel,  G.  Blumberg,  D.
la  plage  de  densité  de  courant  de  1  à  10  mA  cm­2  sont  de  4,09,  4,18  et   Li,  T.  Vogt,  SM  Shapiro,  Solid  State  Commun.  115,  217  (2000)
4,39  pour  les  échantillons  n°  1,  n°  2  et  n°  3,  respectivement.  Les  valeurs  de   4.  P.  Lunkenhrimer,  R.  Fichtl,  SG  Ebbinghaus,  A.  Loidl,  Phys.
Rév.  B.  70,  172102  (2004)
Eb  obtenues  à  J  =  1  mA  cm­2  sont  438,  496  et  647  V  cm­1
5.  S.­Y.  Chung,  I.­D.  Kim,  S.­JL  Kang,  Nat.  Mater.  3 774  (2004)
6.  MA  Subramanian,  AQ  Sleight,  Solid  State  Sci.  4,  347  (2002)
. On  constate  que  les  valeurs  de  a  et  Eb  sont  influencées   7.  MH  Whangbo,  MA  Subramanian,  Chem.  Mater.  18,  3257
par  les  tailles  de  grains  et  la  seconde  phase  située  aux  joints  de  grains.   (2006)
8.  L.  He,  JB  Neaton,  MH  Cohen,  D.  Vanderbilt,  CC  Homes,
D'une  manière  générale,  l'augmentation  de  la  taille  moyenne  des  grains  se  
Phys.  Rév.  B.  65,  214112  (2002)
traduira  par  la  réduction  de  la  densité  des  joints  de  grains,  ce  qui  entraîne   9.  DC  Sinclair,  TB  Adams,  FD  Morrison,  AR  West,  Appl.
la  réduction  des  valeurs  de  Eb  [12].  Cependant,  les  caractéristiques   Phys.  Lett.  80,  2153  (2002)
électriques  sont  également  influencées  par  la  phase  secondaire  située  aux   10.  BA  Bender,  M.­J.  Pan,  Mater.  Sci.  Ing.  B  117,  339  (2005)
11.  V.  Brize´,  G.  Gruener,  J.  Wolfman,  K.  Fatyeyeva,  M.  Tabellout,  M.  Gervais,  F.  
joints  de  grains  [29].  La  phase  secondaire  située  aux  joints  de  grains  
Gervais,  Mater.  Sci.  Ing.  B  129,  135  (2006)
provoque  l'augmentation  des  valeurs  de  Eb .  Sur  la  base  de  ceux­ci,   12.  J.  Jumpatam,  B.  Putasaeng,  T.  Yamwong,  P.  Thongbai,  S.
l'échantillon  n°  3  a  la  valeur  la  plus  élevée  de  Eb,  mais  l'échantillon  n°  1  a   Maensiri,  Ceram.  Int.  39,  1057  (2013)
la  valeur  la  plus  basse  de  Eb. 13.  C.  Puchmark,  G.  Rujijanagul,  Ferroélectriques  415,  107  (2011)
14.  Q.  Zheng,  H.  Fan,  J.  Mater.  Sci.  Technol.  28 920  (2012)
15.  B.  Barbier,  C.  Combettes,  S.  Guillemet­Fritsch,  T.  Chartier,  F.
Rossignol,  A.  Rumeau,  T.  Lebey,  E.  Dutarde,  J.  Eur.  Ceram.  Soc.  29,  731  
(2009)  
4.  Conclusions 16.  Y.  Zhao,  R.  Gao,  G.  Su,  H.  Lin,  C.  Wang,  C.  Cheng,  Mater.  Lett.  91,  187  (2013)

17.  S.  Jesurani,  S.  Kanagesan,  R.  Velmurugan,  T.  Kalaivani,  J.  Mater.
Les  céramiques  CCTO  ont  été  synthétisées  par  des  méthodes  de  sol­gel,   Sci. :  Mater.  Électron.  23 668  (2012)
de  réaction  à  l'état  solide  traditionnelle  et  de  décomposition  thermique  d'une   18.  J.  Zhao,  J.  Liu,  G.  Ma,  Ceram.  Int.  38,  1221  (2012)  
solution  organique.  Les  modèles  XRD  montrent  que  tous  les  échantillons   19.  Y.  Huang,  D.  Shi,  Y.  Li,  G.  Li,  Q.  Wang,  L.  Liu,  L.  Fang,  J.
Mater.  Sci. :  Mater.  Électron.  24,  1994  (2013)
ont  une  phase  CCTO  de  type  pérovskite.  Les  images  SEM  montrent  que  
20.  J.  Liu,  RW  Smith,  Chem.  Mater.  19,  6020  (2007)
les  céramiques  CCTO  de  différentes  méthodes  ont  des  tailles  de  grains,  
21.  P.  Thongbai,  B.  Putasaeng,  T.  Yamwrong,  S.  Maensiri,  J.  Mater.
des  joints  de  grains  et  des  densités  différents.  La  constante  diélectrique  et   Sci. :  Mater.  Électron.  23 795  (2012)
la  perte  diélectrique  du  CCTO 22.  L.  Singh,  US  Rai,  KD  Mandai,  Adv.  Appl.  Céram.  111,  374
(2012)
les  céramiques  ont  été  mesurées  sur  une  gamme  de  fréquences  de  10  à  
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.112.2010 ,  Google  Scholar  Crossref ,  CAS  23.  P.  Thongbai,  S.  
107  Hz  à  température  ambiante.  Les  céramiques  CCTO  issues  de  la   Vangchangyia,  E.  Swatsitang,  V.  Amornkit  Bamrung,  T.  Yamwong,  S.  Maensiri,  J.  Mater.  Sci. :  Mater.
synthèse  chimique  entraînent  une  augmentation  de  la  constante  diélectrique. Électron.  24 875  (2013)
Les  céramiques  CCTO  issues  de  la  décomposition  thermique  de  solution   24.  P.  Thongbai,  J.  Jumpatam,  T.  Yamwong,  S.  Maensiri,  J.  Eur.
La  cire  Soc.  32,  2423  (2012)
organique  ont  une  constante  diélectrique  supérieure  à  5  9  104  à  10  Hz.  Les  
25.  M.  Demartin,  C.  Hérard,  C.  Carry,  J.  Lemaître,  J.  Am.  Céram
constantes  diélectriques  de  CCTO
Soc.  80,  1079  (1997)

123
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J  Mater  Sci:  Mater  Electron  (2014)  25:  146­151 151

26.  AR  West,  TB  Adams,  FD  Morrison,  DC  Sinclair,  J.  Eur. 28.  VV  Daniel,  Relaxation  diélectrique  (Academic  Press,  New  York,
La  cire  Soc.  24,  1439  (2004) 1967)
27.  F.  Amaral,  MA  Valente,  LC  Costa,  J.  Non­Cryst,  Solids  356, 29.  W.­X.  Yuan,  ZJ  Li,  J.  Phys.  Chim.  Solides  73,  599  (2012)
822  (2010)

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