Dispozitive și circuite electronice

            Realizarea tuburilor electronice cu vid (dioda cu vid în 1904 de către John Fleming,

trioda în 1906 de către Lee Forest) şi a tuburilor electronice cu gaz (dioda cu gaz sau
gazotronul, trioda cu gaz sau tiratronul) au permis dezvoltarea electronicii informaţionale
(studiază obţinerea, prelucrarea şi transmiterea semnalelor electrice) şi a electronicii energetice
(studiază posibilităţile de conversie a energiei curentului electric).
            Urmează apoi descoperirea dispozitivelor semiconductoare (tranzistorul bipolar în 1948
de către Bardeen, Brattain şi Shockley, tranzistorul cu efect de câmp de către Shockley şi
Pearson, tiristorul de către Moll şi Tanenbaum), care sunt caracterizate prin gabarit şi consum
energetic reduse, dar cu o durată mare de funcţionare, calităţi remarcabile care au permis
înlocuirea cu succes a tuburilor electronice din aplicaţiile curente în automatică şi tehnica de
calcul.  Totuşi, tuburile electronice speciale (magnetronul, clistronul, tubul cu undă progresivă)
rămân indispensabile în electronica tehnologică, la încălzirea prin curenţi de înaltă frecvenţă, în
radiocomunicaţii şi radiolocaţie, datorită puterii utile mari şi stabilităţii la radiaţii şi temperatură.
Tehnica miniaturizării aparaturii electronice ia un mare avânt după 1958, când inginerul
american Jack Kilby a realizat primele circuite integrate.
            Circuitele electronice conţin pe lângă dispozitivele electrice (rezistoare, bobine,
condensatoare) şi dispozitive electronice (diode, tranzistoare, tiristoare etc.) cu ajutorul cărora se
pot realiza diverse funcţii, precum:
*redresarea – constă în transformarea curentului alternativ  în curent continuu  de către
redresoarele electronice;
*amplificarea – constă în modificarea amplitudinii semnalelor electrice cu păstrarea formei
acestora  de către amplificatoarele electronice;
*modularea – constă în modificarea de către modulatoarele electronice  a parametrilor unui
semnal purtător în ritmul dat de un semnal modulator, având ca rezultat semnalul modulat;
*demodularea– constă în extragerea de către  demodulatoarele  electronice a semnalului
modulator din semnalul modulat;
*generarea oscilaţiilor – constă în producerea unor semanle electrice sinusoidale sau de altă
formă de către generatoarele de  semnal (oscilatoare electronice).
            Aceste funcţii pot fi realizate datorită  proprietăţilor deosebite ale dispozitivelor
electronice (caracterul neliniar al conducţiei electrice, conducţia unidirecţională şi posibilitatea
de control a conducţiei electrice).
            În prezent, a căpătat o mare dezvoltare tehnologia circuitelor integrate. Acestea sunt
circuite electronice microminiaturizate, realizate într-o structură unică pe o plăcuţă de material
semiconductor (de obicei siliciu), numită cip (din engl. “chip”- aşchie). Un cip obişnuit are
forma unui  pătrat  cu  latura  de  circa 1,25 mm şi poate conţine între 100 şi 1000 de componente
(tranzistoare, diode, rezistoare, condensatoare).
            Din punct de vedere funcţional, circuitele integrate se pot împărţi în două categorii:
•  liniare sau analogice  –  prelucrează semnale continue;
•  digitale sau numerice – prelucrează semnale binare pentru realizarea unor funcţii logice ŞI,
SAU, de memorare, etc.).
            Din punct de vedere constructiv, circuitele integrate pot fi:
*peliculare – elementele sale sunt pelicule subţiri depuse pe un suport din material dielectric;
*monolitice – elementele sunt realizate în acelaşi monocristal din material semiconductor şi
interconectate prin trasee metalice, depuse pe un strat izolant de bioxid de siliciu crescut la
suprafaţa pastilei;
*hibride – elementele sale sunt realizate în parte pelicular, şi în monocristal, iar apoi
interconectate.
            În prezent, tehnologia cea  mai frecvent  utilizată  pentru  fabricarea circuitelor integrate
monolitice  este  tehnologia planară. În cadrul acestei metode, la suprafaţa pastilei
semiconductoare (care reprezintă substratul) se creşte un strat epitaxial monocristalin (cu
concentraţie de impurităţi controlată), prin depunere din fază gazoasă sau prin evaporare în vid.
Apoi, prin difuziune selectivă de impurităţi, se realizează în stratul epitaxial structura
dispozitivelor semiconductoare care intră în componenţa circuitului integrat.
            Pentru realizarea circuitelor integrate cu straturi subţiri sau groase, cele mai utilizate
procedee sunt :
• evaporare în vid – prin încălzirea materialului care trebuie depus la temperaturi suficient de
ridicate;
• pulverizare catodică – prin bombardarea materialului care trebuie depus (fixat la catod) cu
particule accelerate la energii mari;
• depunere serigrafică–  prin presarea unor cerneluri speciale (conductoare, rezistive sau
izolante) prin ochiurile neobturate ale unei site serigrafice şablon.
 După  realizarea circuitului integrat, cipul este întrodus  în capsule metalice sau din  plastic.
…………………………………………………………………………………………
Cei interesați de conținutul integral al lucrării “Dispozitive și circuite electonice” pot accesa
http://www.telisavonline.ro/2023/04/17/dispozitive-si-circuite-electronice