V- Les conducteurs et les semi-conducteurs

Objectif : Étudier les caractéristiques des matériaux semi-

explicitant le fonctionnement des composants actifs.
Contenu : Notions de la physique des semi-conducteurs : semi-conducteurs intrinsèque et extrinsèque. Semi-

-
conducteurs. Il doit permettre de savoir « Dimensionner
de comprendre les limitations inhérentes à ce dimensionnement.
Il est nécessaire de connaître en détail le principe de fonctionnement (interne) des composants comme la diode
et le transistor pour apprécier leurs caractéristiques électriques.

5.1- États énergétiques des électrons dans un atome

5.1.1- Atome Isolé

ne -ci ne peuvent donc occuper

Les différents états possibles sont figurés par des droites horizontales
positionnées par rapport à un axe gradué. Le niveau « 0 » en énergie se situe

Les droites du diagramme ne représentent pas un état énergétique mais un

pour le niveau s et 6 pour le niveau p.
Fig. 5.1 :

certains électrons à des états énergétiques plus élevés normalement

nnement
définie par :
c
E h*v h*
Fig. 5.2 : I
Nombres quantiques et classification périodique des éléments
La classification des éléments nécessite, afin de pouvoir différentier l
quatre nombres:
Le nombre quantique principal n => 1, 2, 3, ; il définit la couche du tableau de Mendeleïev (K, L, M,
N,
Le nombre quantique orbital (secondaire) -1 ; il définit la sous couche

33
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Le nombre quantique magnétique m => - ,

Le nombre quantique de spin s => +1/2 ou 1/2.

l, m) caractérisent les états quantiques. Ces derniers peuvent comporter deux électrons de spin antiparallèle.

possibles par couche :

TAB. 5.1

Exemple:
Hydrogène Z=1 (1 électron) n=1, l=0, m=0 Couche incomplète 1s1
Hélium Z=2 (2 électrons) n=1, l= 0, m=0 Couche complète 1s2
Bore Z=5 (5 électrons) n=2, l=0, 1, m= -1, 0, 1 Couche externe incomplète 1s2, 2s2, 2p1
Silicium Z=14 (14 electrons) n=3, l=0, 1, 2, m= -2, -1, 0,1,2 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p2

Formation des bandes

N atomes (N
très grand) suffisamment éloignés de ma
PAULI

Fig. 5.3 : Formation des bandes

22 3
correspondre maintenant N niveaux p cm (ce

La distance interatomique d0 correspondant à la maille élémentaire du cristal définit la largeur de la bande

correspondant aux principaux matériaux.

34
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

La figure suivante illustre schématiquement la multiplication des niveaux à partir de deux niveaux uniques 2s

Fig. 5.4 : Multiplication des niveaux

Isolants, Semi-conducteurs, Métaux

La différence entre ces trois éléments tient essentiellement à la structure de bandes de la couche externe.

b) Métal c) Semi-conducteur ou isolant

Fig. 5.5 : structure de bandes de la couche externe
Cas du Diamant
Le Diamant est constitué de Carbone pur cristallisé. Sa formule atomique est: 1s 2 2s2 2p2. Les niveaux 2s et
2p correspondant à la couche externe sont appelés « niveaux de valence ». Ils peuvent accepter au total 8
électrons: 2 sur le niveau 2s, 6 sur le niveau 2p.
plus et donc se lier avec
quatre atomes voisins afin de former un cristal. La couche externe sera donc une couche pleine.

35
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

des distances suffisamment faibles

devient inférieure à d1, les bandes se chevauchent. Les N niveaux 2p

de la bande supérieure passent dans les niveaux 2s. Si on continue a
rapprocher les atomes, les bandes se séparent à nouveau (voir figure
ci-dessous).
Pour la distance interatomique réelle d2 de ce cristal, les 2N niveaux
de la bande inférieure (bande de valence) sont pleins à 0°K alors que
les 2N niveaux 2p de la bande supérieure (bande de conduction) sont
vides. Ces deux bandes sont séparées par une bande Interdite. Fig. 5.6 : Atome de Carbone

Fig. 5.7 : Structure sur le Silicium et le Germanium

On observe la même structure sur le Silicium et le Germanium.

La figure précédente (figure 5.5 b)) montre que le Métal possède une structure de bande continue au niveau

ni
créant ainsi un courant électrique.

de valence une énergie supérieure à la largeur de la bande interdite pour les faire passer dans un état excité
(les places possibles se situant dans la bande de conduction). Ils pourront alors, comme dans le cas du métal,
participer à des phénomènes de conduction.
-dessous duquel le matériau se comporte comme un isolant. Ce seuil
correspond au « Gap »:
EG EC EV : Suivant sa valeur, le matériau pourra être Isolant ou semi-conducteur.

Par exemple, à 300 °K, les valeurs de EG sont:

Germanium (Ge) 0,67 eV

Silicium (Si) 1,12 eV Semi-conducteurs
Arséniure de Gallium (As Ga) 1,40 eV
Diamant 6,00 eV Isolant

celle assurant la cohésion du cristal. De ce fait, il y aura destruction du matériau avant que de pouvoir générer
des électrons libres.

36
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

5.1.3-Répartition des porteurs sur les états quantiques, Niveau de FERMI

Les répartitions de porteurs obéissent à des lois qui peuvent dépendre du type de particules. Trois types de lois
peuvent être utilisés :

E
n n0 exp
kT

1
n n0 *
La statistique de FERMI-DIRAC pour les particules de spin demi- E
entier 1 exp
kT

1
n n0 *
La statistique de BOSE-EINSTEIN pour les particules de spin entier E
(photons, phonons). exp 1
kT

Le cas qui nous intéresse correspond à celui des électrons et suit donc la statistique de FERMI-DIRAC. La
f(E). Elle est donnée par la
formule :
1
f n (E)
E EF
1 exp
kT

Cette expression fait apparaître un niveau énergétique E F qui correspond à une probabilité de présence égale
1 1
à : f n ( EF )
2 2
Ce niveau correspond, au zéro absolu, à la séparation entre les
niveaux vides et les niveaux pleins. On parle parfois «
» ou de « taux moyen de remplissage ».
Si on trace la fonction correspondante, on obtient:
Pour une température égale à 0°K
Pour une température T1 Fig. 5.8 : statistique de FERMI-DIRAC
Pour T2 > TI
1
On pourra remarquer que, quelle que soit la température: f n ( EF )
2
Dans le cas de matériaux semi-conducteurs, on peut assurer que le niveau de FERMI se trouve dans la bande
interdite. En effet, au zéro degré absolu, la bande de valence est pleine et la bande de conduction vide :
En considérant que le niveau de FERMI est situé au milieu de la bande
f n (EC ) = 0
interdite, ce que nous justifierons plus loin, on peut calculer la probabilité de EV EF EC
f n (EV ) = 1

Exemple du Silicium:

5,35 10-36 à 80 °K
EG = 1,12 eV
f n ( EC ) 3,92 10-10 à 300 °K
k = 8,619 10 5 eV/°k
5,36 10-7 à 450 °K

Ces probabilités de présence sont donc très faibles et varient énormément en fonction de la température.

37
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Le calcul précédent amène à une conclusion très intéressante; on peut remarquer que, quelle que soit la
E EF
température, le terme exp est toujours très grand devant 1. On peut donc simplifier la fonction
kT
probabilité de présence qui devient
1 E EF
f n (E) f n (E) exp
E EF kT
1 exp
kT

La statistique de FERMI-DIRAC se ramène donc dans ce cas, à la statistique de BOLTZMANN. Ce sera vrai
pour les Semi- ue.

5.1.4-

matériaux présentant une structure de bandes telle que celle des semi-
conducteurs : alternance de bandes permises et interdites.

La radiation va échanger son énergie avec le matériau et permettre de

faire passer un électron de la bande de valence vers la bande de
conduction. Ce départ va donner naissance à un « trou » dans la bande
de valence. Fig. 5.9 : Structure de bandes
-dessus, casser une liaison faisant ainsi
apparaître une liaison manquante (trou) et un électron libre. Ces deux

électrique), se déplacer donnant naissance à des courants électriques. Ces

charges étant de type opposé et se déplaçant en sens contraire donnent
naissance à des courants additifs.
1. Les semi-conducteurs
Les semi-conducteurs doivent leur nom au fait que leur conductivité
Fig. 5.10 :Si
(résistivité) est intermédiaire entre celle des conducteurs comme les
métaux et celle des isolants. En fait, la différence la plus caractéristique réside dans le sens de la variation de
la conductivité avec la température. Alors que la résistance d'un fil métallique
augmente avec la température, celle d'un semi-conducteur diminue.
Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le silicium et le germanium qui sont
des éléments tétravalents qui appartiennent à la quatrième colonne de la
classification périodique des éléments. Leurs atomes comportent quatre électrons
(de valence) sur la couche périphérique (couche de valence). Ces éléments
Fig.5.11 : structure d'un Si
cristallisent dans un système cubique, avec sur chaque cube élémentaire, un atome
à chaque sommet, un atome au centre de chaque face et 6 atomes à l'intérieur. Avec cette structure, chaque
atome se trouve au centre d'un tétraèdre régulier dans les quatre atomes voisins occupent les sommets (Fig.
5.11).
On sait qu'une couche électronique est particulièrement stable quand elle a 8 électrons; les semi-conducteurs
réalisent cette situation en mettant en commun chaque électron de la couche de valence par deux atomes
voisins, la figure Fig. 5.12 illustre un exemple simplifié de cette situation. Cette figure n'est qu'une
représentation commode, car, en réalité, un atome et ses 4 voisins ne sont pas situés sur le même plan. Cette
représentation n'est d'ailleurs pas très bonne bien qu'elle soit largement utilisée. En effet, les électrons gravitent
autour du noyau atomique comme les satellites gravitent autour de la terre. La stabilité de leur orbite
38
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

résulte de l'équilibre entre la force

d'attraction électrostatique exercée par
le noyau la force centrifuge due à leur
rotation. Quand on dit que deux atomes
voisins mettent en commun un électron
chacun, cela signifie que ces deux
électrons gravitent sur une orbite qui
entoure les deux noyaux (Fig. 5.13). Fig. 5.12 : liaisons de Valence Fig. 5.13 : orbites des électrons
2. Agitation thermique
Les particules qui constituent la matière sont en perpétuel mouvement. Les électrons tournent autour des
noyaux, et ceux-ci, bien que figés dans le cristal, vibrent autour de leurs positions moyennes. Ces mouvements
s'appellent l'agitation thermique dont l'ampleur augmente avec la température, et sarrette complètement au
zéro absolu (-273°C).
3. Bande de Valence
Nous avons vu comment les électrons de la dernière couche étaient coupés à assurer la liaison de valence avec
les atomes voisins, c'est pour ça qu'on les appelle les électrons de valence. Leur niveau d'énergie se situe entre
des limites qui constituent une bande d'énergie dite bande de Valence.
4. Bande de conduction
Si un électron reçoit une énergie suffisante par échauffement ou par rayonnement, il peut quitter son orbite et
devenir libre dans le réseau cristallin d'une façon analogue à un satellite auquel on communique une énergie
suffisante pour le libérer de l'attraction terrestre. Les électrons libres ont leur énergie qui se situe dans une
bande d'énergie dite bande de conduction, car, étant libres, ils peuvent participer à la conduction d'un courant
électrique si un champ est appliqué au semi-conducteur.
5. Les conducteurs
Dans les conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction se chevauchent, il n'a pas de gap entre
les deux. Un électron n'a aucun mal de quitter son atome pour aller "vagabonder" dans le réseau cristallin, on
dit qu'il passe dans la bande de conduction. L'énergie d'agitation thermique à la température ambiante fait que
chaque atome libère au moins un électron qui voyage librement dans le cristal et on se retrouve avec un nombre
extrêmement de porteurs libres qui, dès qu'on crée un champ électrique au sein du conducteur à l'aide d'un
générateur, vont être attirés par la borne positive de ce dernier créant un courant électrique important.
6. Les Isolants
Les isolants sont caractérisés par une bande interdite très importante séparant la bande de valence de la bande
de conduction. Ce qui veut dire qu'il faut beaucoup trop d'énergie pour arracher un électron de sa liaison de
valence. Le résultat est qu'on ne trouve aucun électron libre dans le cristal et même si on applique un champ
électrique, aucun courant n'en résulte.

5.2-Les semi-conducteurs intrinsèques-

5.2.1- Définition
Par matériau Intrinsèque on entend un matériau idéal, dépourvu de toute impureté et dont la structure
cristalline est parfaite. Le

-conducteur intrinsèque est la densité des électrons et des trous libres.

Ces densités sont égales et sont représentées par les lettres: n pour les électrons, p pour les trous.
n p
La barre située au-
39
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

5.2.1- Calcul de la densité des porteurs dans les bandes permises, à

probabilité de présence non nulle,

Si nous nous plaçons dans la bande de conduction, nous pouvons écrire, autour
Fig. 5.14 :

dn
n( E ) * f n ( E ) n(E)
dE
conduction.

n dn n( E ) *f n ( E )dE
EC
EC

Ce calcul fait appel à des notions de mécanique quantique et pourra être détaillé mais nous nous limitons au
:
2 3 E EF
n 3
*(2 mkT ) 2 exp( C )
h kT
On peut remarquer que cette expression fait apparaître deux termes:

EC EF
exp( ) EC : fn(EC)
kT

2 3 EC .
N 3
*(2 mkT ) 2
h
C
possédant N états possibles.

On obtient un résultat analogue pour les trous en changeant EC EF par EF EV .

Ces relations sont toutefois des relations approchées mais qui sont bien suffisantes pour décrire le
comportement des dispositifs à semi-
leur masse au repos (m0 = 9,1 10 28 g), mais leur masse en mouvement appelée « masse effective ». Cette

dans la bande.
Les valeurs moyennes couramment admises sont:
mc = 1,05 m0 pour les électrons,
mv = 0,62 m0 pour les trous.
Dans la majorité des cas et sauf indication contraire, nous prendrons m c = mv = m0. On en déduit une densité

N = Nc = Nv = 2,7 10 19(T/300) (3/2) cm 3

soit 2,7 10 19 cm 3
à 300 °K

5.3- Densité Intrinsèque, Niveau de Fermi, densité des porteurs en fonction de T°

Compte tenu du calcul précédent, nous avons montré que les densités de porteurs

40
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

2 3 E EF
n3
*(2 mkT ) 2 exp( C )
h kT
2 3 E EV
p 3
*(2 mkT ) 2 exp( F )
h kT
Le produit de ces deux densités possède une propriété très intéressante. On peut en effet remarquer
constante la loi
.

2
Ce terme est appelé: Densité Intrinsèque
2 3 EC EV E 2
n*p 3
*(2 mkT ) 2 *exp( ) N 2 *exp( G ) et noté ni avec : n * p ni
h kT kT

Germanium (Ge) 2,5 1013 cm -3

Par exemple, à 300 °K, les valeurs de ni sont: Silicium (Si) 1,6 1010 cm -3
Arséniure de Gallium (As Ga) 1,1 107 cm-3

Justification de la position de niveau de Fermi :

-conducteur intrinsèque, le niveau de Fermi se trouvait au
milieu de la bande interdite. Nous pouvons, à partir des équations établies, justifier cette hypothèse. Il suffit
ions donnant les densités de porteurs. Nous pouvons remarquer que, si les masses
effectives étaient égales, le niveau de Fermi se trouverait strictement au milieu de la bande interdite. En réalité,
on obtient:
EF EV 3kT m 3kT m
EF ln( v ) EI ln( v )
2 4 mc 4 mc

Compte tenu des valeurs des masses effectives, ce décalage vaut à température ambiante, dans le cas du
Silicium: 1,04 10-2 eV ce qui est négligeable.

5.3.1- Densité des porteurs en fonction de la Température.

La température est un paramètre important car elle intervient de manière directe dans les différents termes de
la fonction qui définit la densité des porteurs dans les bandes. Toutefois, son influence peut être différente
suivant le type de fonction dans laquelle elle est prése

EG
n*p ni 2 N 2 *exp( )
kT
Dans cette expression, T apparaît de manière explicite dans le terme exponentiel mais aussi dans le terme
N2).
4
N2 6
* (2 mk )3 * T 3
h
EG
ni 2 C te *T 3 *exp( )
La sensibilité à la température se met en évidence en calculant la variation kT
1 ni 2
relative
ni 2 T
1 ni 2 3 EG
intrinsèque : 2 ( )
ni T T kT 2

41
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

On peut donc calculer cette variation relative autour de la température ambiante pour les principaux éléments
précités. On obtient :
Germanium (Ge) 9,63% /°K
1 ni 2
Silicium (Si) 15,4% /°K
ni 2 T
Arséniure de Gallium (As Ga) 19,04% /°K
On constate donc une grande sensibilité par rapport à la température.

5.3.2- Calcul de la sensibilité en température

EG 4 4 E
ni 2 N 2 *exp( ) avec N 2 6
*(2 mk )3 * T 3 soit ni 2 6
*(2 mk )3 * T 3 *exp( G )
kT h h kT
La dérivation de cette équation donne:
ni 2 4 E EG 4 E
3 6 *(2 mk )3 * T 2 *exp( G ) 2 6
*(2 mk )3 T 3 *exp( G )
T h kT kT h kT
2
On peut dans cette équation mettre ni en facteur.
ni 2 4 E 3 EG
3 6 *(2 mk )3 * T 3 *exp( G )
T h kT T kT 2

n 2 1 ni 2 3 EG
Il suffit donc de diviser les deux termes par i pour obtenir : 2 ( )
ni T T kT 2

Application numérique : Autour de la température ambiante : T=300 °K, k = 8,619 10-5 eV/°K
EG Variation/°Kelvin
Germanium: 0,67 eV 9,63%
Silicium: 1,12 eV 15,43%
Arséniure de Gallium: 1,4 eV 19,04%

5.3.3- Calcul de la densité des porteurs dans les bandes

-à-dire pour un matériau homogène
et une température constante. En mécanique quantique, on associe une onde à une particule. La fonction
caractéristique corres unidimensionnel :

( x, t ) Ae( kx t)
dans lequel: =2 est la pulsation, k=2 / est le vecteur d'onde.

h
par : E h
2
m 2 p2
Pour une particule libre, son énergie est purement cinétique et vaut : E v On en déduit la vitesse:
2 2m
p dE 1
v ;o écrire : x* k
m dp 2
donc, si k est constant, k 0

fréquences très voisines. alors :

42
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

( x, t ) f (k )ei ( kx ( k )t )
dk
dans laquelle f(k) est représentée ci-contre
(figure 5.15).
La position de la particule correspond au
*
maximum de la fonction défini par :

d ( kx ( k )t ) d
0, soit x 0 = t Fig. 5.15 :
dk dk Fig. 5.16 :

vaut :

dx 0 d d E 1 dE dE dE 1 dE
v or E = soit v comme v il s'en suit: soit dp = *dk
dt dk dk dk dp dp dk

En intégrant cette relation on obtient : p dk k Cette relation est connue sous le nom de Relation de
De Broglie.

p d k k k2
v soit d * dk kdk
m dk m m m 2m
2
k2
Comme E on obtient : E .
2m

2
k2
Pour les élections de la bande conduction on a : E EC
2m

5.3.4- Généralisation à trois dimensions.

de

2 * n( x ) 2 * n( y ) 2 * n( z )
kx ky kz
L( x) L( y ) L( z )
avec n( x), n( y ) et n( z ) nombres entiers positifs, négatifs ou nul

2
n( x ) 2 n( y ) 2 n( z ) 2
alors : E (n( x), n( y ), n( z )) EC
2m L ( x ) 2 L( y )2 L( z )2

43
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

5.3.5- Calcul de la densité des états accessibles aux électrons.

E et E+dE, il est

k 0, ceux-ci forment un réseau périodique suivant les trois

dimensions, de périodicité : 2 x y z Compte tenu de la

proportionnel au volume.
La figure 5.17 suivante montre une représentation des sites possible
pour les électrons en fonction des valeurs de k. On a noté avec des
couleurs différentes les sites possibles correspondant à des plans
définis par des valeurs de ky constantes.

L( x) L( y ) L( z ) V
N (k ) * * Il est donc proportionnel au
2 2 2 8 3 Fig. 5.17 :
volume.

2* N ( k ) 1
nk
V 4 3

E et
dn
E+dE n( E ) *f n ( E )
dE
La dualité énergie n(E )dE n(k )dV (k )

Le volume é
sphère de rayon k.
Fig. 5.18 :
4 3
V (k ) k d'ou dV ( k ) 4 k 2 dk n(k )* dV (k )
3
1 2 k 2 dk 2mE
3
4 k dk 2
or k 2 2
4
1 3
(2 E ) 2 m 2 dE
n( E ) * dE 2 3
en reportant dans n dn n( E )*f n ( E ) dE il vient:
EC EC
1 3
1 (2 E ) 2 m 2 dE
n *
EC 1 exp(
E EF 2 3
)
kT
écrire :
E EF E EF
1 exp( ) exp( )
kT kT

fonction exponentielle qui est décroissante. On obtient donc :

1 3 1 3
(2) 2 m 2
E EF 1 (2) 2 m 2
EC EF E EC 1
n 2 3
exp( )( E ) 2 dE 2 3
exp( ) exp( )( E) 2 dE
EC kT kT EC kT
En posant u ( E - Ec) /(kT ), on obtient :
44
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

1 3 3 1 3 3
2 2 m 2 (kT ) 2
EC EF 1 2 2 m 2 (kT ) 2
EC EF 1
n exp( ) (u ) exp( u )du
2
exp( )
2 3
kT EC 2 3
kT 2

avec 1 (intégrale d'Euler)

2 2
h 2 3 E EF
En remplacant par et en reduisant les termes, on obtient: n 3
2 mkT 2 exp( C )
2 h kT
Ce résultat fait apparaître le produit de deux termes :
E EF
f n ( EC ) exp( C ) qui est la probabilité de présence d ' un électron sur le niveau EC : fn( EC )
kT
2 3
N 3
*(2 mkT ) 2 qui est la densité d ' états correspondant au niveau EC.
h
Tout se passe comme si la bande de conduction se ramenait à un seul niveau possédant N états possibles.

5.4- Semi-conducteurs extrinsèques

Ce sont des semi-conducteurs intrinsèques dans lesquels on a introduit des atomes étrangers qu'on appelle
impuretés ce qui va modifier complètement leurs caractéristiques électriques. Cette opération d'injections
d'impuretés s'appelle dopage d'un semi-conducteur.

5.4.1- Densité des porteurs

.

composants et des circuits intégrés, contiennent de nombreuses imperfections consistant en impuretés ou en

dans le réseau afin de conférer au matériau des propriétés particulières. Les impuretés néfastes proviennent

Nous avons vu dans ce qui précède que la densité intrinsèque des porteurs vaut, pour le silicium : ni = 1,6 1010
cm-3. Pour que les impuretés puissent être considérées comme négligeables dans ce

7
ou 108 cm-3. On peut comparer ce chiffre avec le nombre
3
. Celui-ci se calcule aisément à partir de la connaissance
du système de cristallisation du silicium.

diagonale. La figure ci-contr

Fig. 5.19 :
cette structure correspond à 8 atomes par maille. On peut donc calculer le nombre
al de silicium. Il vaut :
1
N 8* Soit N 5, 02 1022 cm-3
Volume dela maille

de : 10 8/ 10 22 soit sensiblement 10 14. Ceci est absolument

inconcevable compte tenu des opérations nécessaires pour obtenir le silicium monocristallin. Les limites
12
cm 3.

constante extrêmement importante qui est la densité intrinsèque ni.

45