CHAPITRE 7 Récepteurs optoélectroniques 7.1. Photodétecteurs Les photodiodes a semi-conducteurs, bien que n’étant pas les photodétecteurs les plus sensibles, présentent les avantages d’étre trés rapides et faciles a utiliser dans un ‘systme de transmission. Elles sont de deux types principaux. 7.1.1. Photodiode PIN Elle utilise la photodétection (conversion d’un photon en une paire électron-trou) ‘dans un semi-conducteur. Comme on I’a vu au chapitre 6, seuls les photons @’énergic hy supérieure 4 E, pourront étre détectés. Afin d’ obtenir un bon rendement, on utilise une structure de diode PIN polarisée en inverse (figure 7.1) : les photons sont absorbés dans la zone intrinséque (i) qui, du fait de la polarisation, est vide de porteurs mobiles (zone de charge d’espace); les _ lectrons et les trous ainsi créés ont une faible probabilité d’étre recombinés. Ils sont : séparés par le champ électrique E qui régne dans la zone intrinséque et qui les dirige vers les zones n et p ot ils sont majoritaires. La zone traversée par la lumiére doit étre de faible épaisseur, et protégée par une couche anti-reflets qui améliore le rendement externe et protége le matériau.Photons Couche anti- { reflets © trous électrons. courant Couche d’absorption Substrat Tum Structure Réponse spectrale Figure 7.1. Photodiode PIN 7.1.2. Caractéristiques de la photodiode Il s’établit dans la jonction de la photodiode un courant inverse, d’ expression : i=igtip avec : i, = S.P photocourant proportionnel a la puissance optique P. S, en A/W, est la sensibilité (responsivity) de la photodiode : 2 0a : hv avec : —n = rendement quantique ; —q = charge de I’électron = 1,6.10 C. La sensibilité S augmente avec la longueur d’onde, jusqu’d une valeur ot elle e: maximale, puis chute brusquement 4 l’approche de la longueur donde limit donnée par : Xe= Pe Au-dela, le matériau est transparent.ip est le courant d’obscurité (dark current), qui circule dans la jonction en Vabsence d’éclairement. II provient a la fois de courants de fuite et de génération thermique ; il augmente avec la température et la tension de polarisation. Lorsque celle-ci est nulle, ip = 0 ; la photodiode se comporte en un générateur de courant (toujours inverse), tirant son énergie de la lumiére regue et présentant, Jorsqu’elle débite dans une charge R, une tension directe 4 ses bornes, correspondant a la barriére de potentiel. C’est le fonctionnement photovoltaique du détecteur (figure 7.2), utilisé dans les cellules solaires ou dans les appareils de mesure de puissance optique ; mais le temps de réponse est trop grand pour |’utilisation en transmissions. C’est le montage utilisé dans les appareils de mesure de puissance optique, qui sont de ce fait trés sensibles et assez lents (ils mesurent une puissance moyenne). En revanche, lorsque la photodiode est polarisée en inverse (quelques volts suffisent), son temps de réponse est trés court (moins d’une nanoseconde pour une photodiode classique éclairée par la surface ; on le diminue en augmentant la tension de polarisation). Elle se comporte comme une source de courant en paralléle avec la capacité de la jonction. Une photodiode polarisée en direct a la caractéristique classique d’une diode, sans intérét ici. a : i obscurité Conventions de signe éclairement croissant Fonctionnement avalanche photovoltaique Droite de charge, pente -1/R. Fonctionnement en photodiode N Figure 7.2. Caractéristique d’une photodiode7.1.3. Photodiode @ avalanche Le signal regu étant souvent trés faible, il est nécessaire amplifier |e photocourant. Le bruit du préamplificateur étant en général prépondérant, on peut avoir intérét a utiliser un composant a gain interne, la photodiode 4 avalanche (PDA). Son principe est ionisation en chaine, par impact des porteurs, sous Peffet dun champ électrique trés intense. C’est effet d’avalanche qui, s’il n’est Pas contrdlé, aboutit au claquage de la jonction pour une tension inverse Vy (voir figure 7.2), Chaque porteur primaire va donner naissance Am porteurs secondaires. Ce champ électrique est obtenu, sous forte polarisation inverse, dans une jonction pn abrupte, en général séparée de la zone d’absorption, épaisse et peu dopée 3 c’est le principe de la structure prpn (figure 7.3), utilisée surtout dans les PDA au silicium (7 correspond a p’). On obtient alors des coefficients de multiplication M élevés : M est le nombre moyen de porteurs secondaires créés (c’est-a-dire la valeur moyenne de m). Le photocourant devient alors : ’;=M.S.P Le courant d’obscurité est multiplié par un coefficient un peu inférieur a M. II augmente a la fois avec la tension de polarisation et avec la température. Grice a la forte résistivité de la zone m, on peut bien contréler le gain. Pour des raisons liées au matériau, les PDA au germanium ont en général une simple structure pn ; le gain est plus faible, mais obtenu sous une tension moins élevée, On admet dans ce cas une loi du type : sg 1 EWI, avec m’ valant typiquement de 3 a 6. On définit également le coefficient d’ionisation des électrons, o, et des trous, p, par la probabilité pour chaque porteur de créer un second porteur par ionisation, qui vaut adx sur une profondeur de matériau dx. On injecte les porteurs ayant le plus fort coefficient d’ionisation (c’est le cas des électrons dans le silicium).; - L’emploi des photodiodes 4 avalanche se réduit du fait du développement des amplificateurs optiques a fibres dopées erbium. Photons Zone de : multiplication me q électrons 7 (jonction abrupte) a secondaires Veer ange Zone. d'absorption Substrat champ électrique interne M (échelle log) 100 T=0°C 0 50 100 150 200 V Figure 7.3. Photodiode a avalanche et courbe gain-tension 7.1.4. Matériaux utilisés en photodétection Contrairement a I’émission, il n’est pas obligatoire que le semi-conducteur utilisé soit direct. Aussi le silicium, semi-conducteur indirect, largement employé pour les -capteurs d’images et les cellules solaires, est-il utilisé jusqu’a sa limite de sensibilité (vers 1 jum). Ses performances sont trés bonnes et son coiit faible, d’ot Vintérét de la « premiére fenétre » de transmission. Toutefois, les PDA au silicium, qui nécessitent de fortes tensions de polarisation, sont de plus en plus réservées aux applications instrumentation (réflectométrie, spectroscopie, intensificateurs d’images...). Au-dela de 1 jm, d’autres matériaux doivent étre employés..Le-germanium, matériau traditionnel mais de médiocres performances, a été progressivement remplacé par les semi-conducteurs III-V (GalnAs sur InP), beaucoup plus performants car pouvant étre réalisés A base d’hétérojonctions (figure 7.4). En particulierL’éclairement A travers le substrat, transparent pour la longueur d’onde détectée, permet d’augmenter le rendement et de réduire les courants de fuite. L’éclairement par la tranche dans les photodiodes ultrarapides utilise la couche _ active comme un guide (de grande profondeur pour les photons mais de faible temps — de transit pour les porteurs) et nécessite aussi une hétérojonction. Combinée avec une structure de ligne de propagation adaptée, ces composants ont une bande passante de plus de 40 GHz, mais leur raccordement avec la fibre optique est aussi délicat que pour les diodes laser a émission par la tranche. De plus, les matériaux IIJ-V permettent d’intégrer sur le méme substrat des détecteurs, des émetteurs, des dispositifs d’optique intégrée (coupleurs et commutateurs optiques) et des composants électroniques. Ainsi un module d’émission complet, — avec photodiode de contréle, circuit de régulation et méme multiplexeur optique peut étre intégrée de fagon monolithique. pCO Mesa (réduit la Zone active — largeur de la Zone active = guide de GalnAs n maT couche active) trés faible épaisseur Substrat. transparent aux photons Couche antireflets - Photons Contact Photodiode a illumination par le substrat Photodiode a illumination par la tranche Figure 7.4. Photodiodes GalnAs Le tableau 7.1 donne les principales caractéristiques des différents matériaux. HgCdTe, composé II-VI, est surtout utilisé en instrumentation infrarouge et peu en " télécommunications. ; Le germanium connait un regain d’intérét sous la forme de l’alliage SiGe, permettant des composants trés rapides intégrables avec des circuits silicium. Cependant, les compositions de SiGe compatibles avec un substrat silicium ont une teneur réduite en germanium, pour ne pas avoir un trop fort désaccord de maille (il s’agit de couches contraintes), et donc sont surtout utilisables dans la premiéré fenétre jusqu’a 0,98 pm. Des travaux de report de photodiodes germanium sur — substrat Sol (Silicon on Insulator) sont également poursuivis.Fenétre Premiere Deuxiéme et troisiéme Matériau Si Ge GalnAs HgCdTe ham Gum) 10 16 17 1,782,2 S,,,, (A/W) 0,6 07 0,8 0,9 i, @A) Tas 500 Tas 10 En avalanche lc: ¢0'd200 25 100 a 160 100 Vv.) gain max 100 10 20 30 exposant x 0,5 1 0,7 0,5 Tableau 7.1. Caractéristiques des photodiodes selon leur matériau 7.1.5. Phototransistor C’est un transistor dont la base est éclairée (figure 7.5). La zone de charge d’espace de la jonction collecteur base, polarisée en inverse, joue le réle de la photodiode. Si la jonction base-émetteur est polarisée, le photocourant réinjecté dans la base est amplifié par le gain B du transistor, qui vaut typiquement de 30 a 100. C’est donc un composant a gain interne, plus simple et plus fiable qu’une photodiode a avalanche, car ne demandant pas de forte tension. Ie 2P & P Ie P a Nex 5 Vee E Schéma Structure équivalent Photons. Emetteur Collecteur Caractéristique Figure 7.5. Phototransistor Le phototransistor silicium n’est cependant pas trés performant, car la base doit étre relativement épaisse, 4 cause de la grande profondeur de pénétration. Dans ces Conditions, le gain et la fréquence de transition du transistor sont assez faibles, Ge Composant, intéressant pour son faible coat, est plutét utilisé dans les automatismes ou la réception de télécommande infrarouge, le plus souvent en mode logique (laréception d’un certain niveau de lumiére rend le transistor passant, sinon il est bloqué). Les phototransistors 4 hétérojonctions (HPT, heterojonction Phototransistors) GaAlAs sur GaAs, GalnAs sur InP ou plus récemment SiGe sur Si sont beaucoup plus performants, Mis au point a partir des structures de transistors bipolaires 4 hétérojonctions (TBH), ils présentent des fréquences de transition de plusieurs dizaines de GHz et des gains dépassant la centaine. Leur rendement est meilleur car seule la base est réalisée avec le matériau de plus faible gap, elle absorbe la majorité des photons et il y a gain en courant (alors que les photons absorbés dans |e collecteur donnent un photocourant qui n’est pas multiplié). Ils sont potentiellement intéressants pour leurs capacités @intégration dans des amplificateurs ou des oscillateurs, mais sont encore peu utilisés. 7.2. Interface optique de réception 7.2.1. Structure L’ensemble constitué de la photodiode, de son circuit de polarisation et du préamplificateur est souvent intégré dans un boitier unique, raccordé au cable par une fibre amorce, ou muni d’une embase de connecteur optique. La technologie hybride est beaucoup employée pour les hautes fréquences. Si le signal ne contient pas de composantes continues, la photodiode peut étre reliée au préamplificateur par une capacité de liaison, qui élimine le courant d’obscurité ip (mais pas le bruit quantique qui lui est associé). L’interface optique de réception est un sous-ensemble analogique, qui délivre une tension de signal proportionnelle a la puissance optique recue. On le trouve dans tous les types de liaisons. II est souvent suivi de plusieurs étages d’amplification. C’est cependant lui qui va apporter l’essentiel du bruit sur la liaison et sa réalisation doit étre particuligrement soignée. Il existe deux structures de préamplificateurs (figure 7.6) : ~ amplificateurs 4 haute impédance d’entrée (sans contre-réaction), utilisant un amplificateur opérationnel (a faible fréquence) ou un transistor a effet de champ. En donnant une forte valeur 4 Rp, on a un récepteur trés sensible (le rapport v/P, donné en général en mV/LW, est tres élevé) et de trés faible bruit. Mais la constante de temps t = RC est alors trés élevée, d’ot un effet de filtrage passe-bas (soit @intégration du signal au-dela de la fréquence de coupure). L’amplificateur doit posséder une forte dynamique et étre suivi d’un égaliseur, dont le réglage est délicat car t est peu reproductible, et qui augmente le bruit en hautes fréquences ;—amplificateurs transimpédance munis d’une contre-réaction paralléle Rc. Si le gain de la chaine amplificatrice (discréte ou intégrée) est grand, on a v, * -Rci,. Le coefficient v/P est moins élevé que dans la structure précédente, mais il est plat et reproductible sur une large bande passante. La constante de temps est divisée par le taux de contre-réaction. En revanche, la résistance de polarisation apporte un supplément de bruit. 4V. Haute impédance Transimp édance Figure 7.6. Structures de préamplificateurs 7.2.2. Bruit des photodiodes 7.2.2.1. Dans les photodiodes PIN Du fait de la répartition aléatoire des instants d’arrivée des photons done de génération des paires électron-trou, il apparait dans la jonction un bruit de grenaille (shot noise), dit aussi bruit quantique. C’est un bruit blanc gaussien de densité - Spectrale en courant : He = 2qi avec i courant moyen dans la photodiode et q charge de I’électron. Ce bruit, dont la puissance est proportionnelle a la puissance optique recue (alors que la puissance du signal électrique est en P”), constitue la limite théorique a la Portée des systémes de transmission. II est en effet du a la nature quantique de la lumiére, les photons arrivant de maniére aléatoire, en suivant une distribution de Poisson, la probabilité de détecter n photons pendant l’intervalle de temps {t, ttAt} vaut : Nae Oe: n! avec N nombre moyen de photons détectés pendant une durée At.7.2.2.2. Dans les photodiodes a avalanche Dans ce cas, la multiplication s’accompagne d’un excés de bruit (excess noise). En effet, chaque porteur primaire donne naissance a m porteurs secondaires, m étant une variable aléatoire dont la moyenne est M. La puissance du bruit quantique est alors multipliée par sa moyenne quadratique , supérieure a M, qu’on note : = M’.F(M) avec F(M) facteur d’excés de bruit. Ce facteur dépend du matériau, et, plus précisément, du rapport k’ entre le coefficient d’ionisation des électrons et le coefficient (ionisation des trous, dans le sens tel que k’<1, toujours 4 condition @injecter les porteurs de plus forte ionisation. Sa loi est : F(M)=kM+ (2-1/M) (1-k’) que l’on peut mettre sous la forme approchée : F(M) = M* Dans le cas le plus défavorable ob a" = a’, ona x = 1 (c'est le cas du germanium). Au total, le courant de bruit dans une photodiode a avalanche a pour moyenne quadratique : 2: cif =2gq(SP + ip). M’™ (expression approchée) 7.2.3. Modélisation du récepteur optique Du point de vue du signal (et des bruits), le récepteur peut se modéliser comme en figure 7.7 ott on a fait apparaitre = i — la photodiode modélisée comme une source de courant de signal, en paralléle. avec une capacité Cpp (capacité de la jonction et capacités parasites réparties) et la source de bruit quantique ; a — Jes résistances de polarisation Rp et éventuellement de contre-réaction Re i (Ro= si il n’y a pas de contre-réaction) ; ces résistances sont associées a des sources de courant de bruit thermique d’expression générale : 1 d _ 4k. df R avec k= 1,38 .107? /K constante de Boltzmann, T est la température absolue ;—la chaine amplificatrice modélisée, classiquement, par un quadrip6le sans bruit, d’admittance d’entrée modélisée par un dipdle Ra//Ca, précédé d’une source de tension et d’une source de courant de bruit, indépendantes et en général données dans la notice de l’amplificateur. Résistance de contre-réaction Re | (et son bruit) Photodiode Résistance de polarisation Préamplificateur Filtre (et son bruit) Figure 7.7. Modélisation du récepteur optique | 7.2.4. Calcul du courant de bruit Le signal étant un courant (i,), le bruit doit étre mis sous forme d’un courant, | ramené en entrée du montage. Sa moyenne quadratique est la somme des moyennes quadratiques des différents courants de bruit, soit : Posey a 4 SiR > = + + , bruit de la chaine amplificatrice, provient de la source de courant de bruit et de la source de tension de bruit, qui, débitant dans une admittance Y, ¢quivaut a un courant : = |YPavec : et: C=CatCpp Pour que cette contribution ne soit pas excessive, il faut que R soit grand, et que | C soit petit, c’est-a-dire que la capacité globale (photodiode — préamplificateur — capacités réparties du circuit) soit la plus faible possible (de l’ordre du pF). Y dépendant de la fréquence f, on écrit en réalité : AE} ios. [| d | d| 5.4: 2 ice +e] at emtcy? | at ou AF est la largeur de bande de bruit du filtre qui suit le préamplificateur. Par intégration, on obtient, si les sources de bruit de la chaine amplificatrice sont — blanches : s d . d-| Spot a ae AF Cette hypothése n’est pas toujours vérifiée, notamment en hautes fréquences ob la densité spectrale de bruit a tendance 4 augmenter, mais aussi en trés basses fréquences a cause du bruit en 1/f qui n’est pas négligeable avec les composants III- V ; pour I’éviter on filtre les basses fréquences (ce qui est une raison supplémentaire de coder le signal). Si l’on utilise une structure haute impédance avec un transistor a effet de champ, R est trés grand et est négligeable. La puissance du bruit augmente alors en © AF? ; cette structure est la moins bruyante en dessous d’une fréquence de I’ordre de 50 MHz (figure 7.8). (A, échelle log) Transistor a effet de champ 10" Transistor a effet de champ GaAs bore 10° 10". Transistor bipolaire 10°” 1 10 100 1000 MHz Figure 7.8. Comparaison des structures de préamplificateurs Au-dela, on utilise un amplificateur transimpédance 4 transistors bipolaires, moins bruyant et de grande bande passante. Cette solution est limitée par des problémes de stabilité en trés hautes fréquences, et on utilise alors des structures intégrées a transistors a effet de champ InP intégrant la photodiode. Elles atteignent des bandes passantes de plus de 10 GHz pour les systémes 4 trés haut débit. Des bandes passantes de plus de 40 GHz ont récemment été obtenues avec des structures de photodiodes a éclairement par la tranche qui minimisent la surface done la capacité parasite. 7.2.5. Calcul du rapport signal @ bruit En sortie du préamplificateur et du filtre (figure 7.7), ce rapport vaut, en puissances : RSB= aia (MSP)2 — ++ avec: ~ i,’ est la puissance électrique du signal au niveau de la photodiode (c’est Pourquoi on considére les bruits ramenés a ce niveau) ; si l’on utilise une modulation analogique (voir chapitre 8), c’est alors la puissance de la sous-porteuse électrique ;—=2q.SP.M’F(M)AF est le bruit quantique ; bien qu’il dépende du signal, on pourra considérer sa valeur moyenne, proportionnelle 4 Py, puissance optique moyenne recue ; — = 4kTAF [z: +t) + représente le bruit de fond, indépendant p Re du signal, di aux circuits électroniques du récepteur, auquel on peut ajouter, si elle n’est pas négligeable, la part du bruit quantique due au courant d’obscurité de la photodiode (car indépendante du signal optique). Ce terme est souvent, mais improprement, désigné par « bruit thermique » ; — = RIN.i,.AF qui provient du bruit de la source, transmis et détecté de la méme fagon que le signal optique, ce bruit peut ne pas étre négligeable pour les diodes laser, caractérisées par leur bruit relatif d’intensité RIN (relative intensity noise), en Hz’! (voir paragraphe 6.4.4). Cette puissance de bruit étant proportionnelle 4 la valeur instantanée de P”, sa valeur moyenne est proportionnelle a , valeur quadratique moyenne de P, et non & Pm”. Ces expressions sont valables pour une photodiode a avalanche, ainsi que pour une photodiode PIN en faisant M = F(M) = 1. On peut faire apparaitre le terme de bruit : iB> Ss qui est égal a la puissance optique qui donnerait, par photodétection, un courant égal au courant efficace de bruit ramené en entrée. Ce terme étant en VAF en cas de bruit blanc, on mesure cette puissance dans une bande de | Hz ; elle est appelé puissance (optique) équivalente de bruit ou PEB (NEP = Noise Equivalent Power), en W/VHz . Afin de caractériser intrins¢quement le récepteur, elle est mesurée dans le noir, seul le bruit de fond du récepteur intervient. Alors : 2, PEB = wee en W/E, compte tenu de l’ordre de grandeur, l’unité habituelle est le pW/-VHz ).Certains fabricants d’interfaces de réception donnent toutefois une PEB mesurée dans toute leur bande passante et exprimée en W (ou méme en dBm, unité Jogarithmique) : il faut alors vérifier quelle est cette est cette bande passante. 7.2.6. Optimisation du rapport signal @ bruit En pratique, trois cas se présentent (figure 7.9) : — si la puissance optique P est faible, et si le gain M est petit (ou avec une photodiode PIN), le bruit de fond du récepteur est prépondérant et on peut écrire : eae (spy? (MP)? ~ “ PEB2.AF il augmente en P’ et en M?(d’ou ’intérét de la PDA) ; —si P et/ou M sont élevés, le bruit quantique est prépondérant, et l’on a : parSL Sp RSB = SR(MpAF qui augmente cette fois en P, mais diminue en M* lorsque !’on augmente le gain de la PDA, puisque l’excés de bruit de la multiplication, qui augmente avec le signal, devient prépondérant ; ~enfin, si P est trés élevé, le bruit da a la source peut devenir prépondérant et : ee bite RSB= RINAF /AF ae) ot ( qx(SP+ip) Ce gain est d’autant plus élevé que P est faible, que x est petit (Mopr atteint de fortes valeurs dans le silicium), et que le bruit de fond de l’électronique est fort, puisque l’emploi de la photodiode a avalanche a pour but de le masquer en partie. Cette formule est pessimiste, car elle suppose que le courant d’obscurité est entiérement multiplié. RSB (4B) Bruit de la source dominant Ase Bruit quantique dominant So Bruit de fond dominant RSB (dB) P (log) Figure 7.9. Rapport signal a bruit en sortie du récepteur 7.3. Autres schémas de photodétection 7.3.1. Détection hétérodyne La détection directe dans une photodiode délivre un courant proportionnel a la puissance optique donc au carré du champ, il s’agit d’une détection quadratique. La photodiode joue le réle d’un mélangeur, cette propriété permet de transposer 4 VP optique le principe de la détection hétérodyne bien connu en radio. On effectue un battement entre l’onde optique regue, de pulsation @,, et un oscillateur local qui est une diode laser stabilisée de pulsation ,, de fagon a transposer le signal modulé 4 une fréquence intermédiaire lo, - ode plusieurs GHz, od il sera ensuite démodulé. L’intérét est de pouvoir pratiquer des modulations de phase ou de fréquence optiqueet de mettre en ceuvre une transmission cohérente (voir paragraphe 9.1.5), alors que la détection directe n’autorise que la modulation d’amplitude. Cette transposition de fréquence se fait en mélangeant, dans un coupleur a fibre monomode, les champs électriques du signal : E,(t) cos w,t ou E,(t), amplitude complexe du champ regu, contient |’information, et de l’oscillateur local : E, cos at (figure 7.10). Il faut pour cela que leurs polarisations soient alignées, ce qui est une des principales difficultés de ce type de systéme. Ce signal est ensuite détecté par une photodiode qui, du fait de la détection quadratique, va délivrer un courant proportionnel 4 , out E est la somme des champs, on a alors : E(t) = E,(t)’cos’a,t + E,2cos"a,t + E,(t).E, cos(@,+o)t + E,(t).E,, cos(o,-@)t Aprés photodétection (qui correspond a un filtrage passe-bas, de fréquence de coupure trés inférieure a la fréquence de la lumiére), les deux premiers termes ont une moyenne constante, le troisiéme a une moyenne nulle, et le quatriéme est le signal transposé en fréquence intermédiaire. Il est amplifié car son amplitude est multipliée par celle de l’oscillateur local. Ce gain est cependant limité par le bruit quantique généré au niveau de la photodiode et dont la puissance est pratiquement proportionnelle 4 E,”, l’oscillateur local étant beaucoup plus puissant que le signal regu. Photodiode 2 mae (mélangeur) Contréle polarisation Sortie en fréquence intermédiaire w, - os Coupleur signal optique entrant A ws Contréle de «, Oscillateur local 4 @ (laser) Figure 7.10. Détection hétérodyne Il est en théorie possible d’avoir w, = wr, c’est la détection homodyne qui permet de gagner 3 dB mais est encore plus complexe a mettre en ceuvre, il faut en effet asservir la phase du laser en plus de sa fréquence et de la polarisation.7.3.2. Détection équilibrée Ce procédé, ou balanced photodetection, utilise deux photodiodes recevant deux puissances optiques modulées par des signaux en opposition de phase (figure 7.1 1). Si les photodiodes sont identiques, ce mode différentiel permet d’annuler les courants d’obscurité et la composante continue du signal lumineux, délivrant directement a la charge le signal modulant s(t). Il permet surtout de faire disparaitre le bruit de la source (bruit relatif d’intensité ou RIN du laser — chapitre 6, émission spontanée amplifiée ou ASE d’un amplificateur optique — chapitre 8) au niveau du récepteur, puisque ces bruits optiques sont une composante de mode commun et que les courants qu’ils générent s’annulent dans les photodiodes, ne laissant que les bruits quantiques des photodiodes. Modulateur Mach-Zehnder YF Source P(I+s)/2 sortie Fibres optiques A Signal modulant s(t) P(1-s)/2 P Contréle retard Figure 7.11. Détection équilibrée C’est néanmoins un procédé trés complexe puisqu’il faut amener le signal par deux fibres optiques de longueurs et d’atténuations parfaitement identiques (I’écart de chemin optique doit rester inférieur a la distance parcourue par la lumiére pendant une période du signal modulant, ce qui nécessite en général une ligne retard optique asservie) et qu’il faut lui appliquer une modulation externe par un modulateur de Mach-Zehnder modifié, délivrant sur deux sorties deux signaux modulés avec des enveloppes en opposition de phase. C’est possible en ajoutant a l’interférométre un coupleur guides accordés (paragraphe 2.4.3) et en exploitant l’effet de quadrature de phase optique sur le signal couplé, on montre qu’on peut obtenir la somme sur une sortie et la différence sur l’autre. Il est done utilisé dans des cas trés particuliers, notamment pour le déport de signaux micro-ondes sur fibres optiques sur de courtes distances : il permet de résoudre le probléme du bruit optique de la source, qui est limitant pour ce type d’application, et utiliser deux fibres paralléles est envisageable a courte distance, méme si en pratique il est nécessaire d’introduire une ligne a retard commandable sur une voie.Les réalisations faites jusqu’ici, pour le déport de signaux radar par exemple, utilisent de plus une (ou plusieurs) paires de photodiodes intégrées, de fagon a ce qu’elles aient les caractéristiques les plus identiques possible. Un mélangeur équilibré est également intéressant en détection hétérodyne, car il élimine les composantes continues et le bruit du laser oscillateur local (mais pas le bruit quantique associé dans les photodiodes).