You are on page 1of 1

中國材料科學學會111年年會

MRS-Taiwan Annual Meeting 2022


2022年11月18-19日 國立聯合大學
MoOx薄膜之結構與光學性質
鄭勝壬 蔡定侃 吳泓昱 蔡適澤
虎尾科技大學材料科學與綠色能源研究所

過渡金屬氧化物具可大範圍調變之光、電、磁性質,可藉由改變氧含量,調整鍵結型態,呈現不同之光學性質。本實驗利用反應式磁控濺鍍系統濺鍍膜厚100 nm
之Mo與不同氧含量的MoOx薄膜,使用能量散射光譜儀(EDS)分析,MoOx薄膜之氧含量分別35.0 at. %、60.3 at. %、71.5 at. %及75.7 at. %;XRD、 XPS及Raman光譜
分析顯示,氧含量增加,MoOx晶體結構由Cubic-Mo及Hexagonal-MoO2混和相,經非計量之γ-Mo4O11及m-Mo9O26相,變成計量比之-MoO3相;UV/Vis/NIR光譜儀
量測光學性質, MoOx薄膜隨氧含量增加,反射率下降、穿透率上升、光學能隙值增加。
關鍵字:Mo、MoOx、光學能隙

實驗方法
本實驗以反應式磁控濺鍍系統將Mo、MoOx單層薄膜濺鍍於p-type Si (100)及玻璃上,使用鉬靶(99.99 wt%),背景壓力為5.0×10-6 torr,工作壓力為4.0×10-3 torr,濺
鍍源與基材距離為8 cm,功率為150 W。MoOx薄膜依O2/Ar+O2比率0.01、0.05、0.1、0.2,分別以MoO-0.01、MoO-0.05、MoO-0.1及MoO-0.2標示。
Mo膜層之濺鍍參數,使用直流(DC)濺鍍源,氬氣通量為40 sccm。MoOx膜層之濺鍍參數,皆使用射頻(RF)濺鍍源,氣體通量分別為:MoO-0.01,氬氣通量為30
sccm、混合氣體通量(95%Ar+5%O2)為10 sccm;MoO-0.05,混合氣體通量(95%Ar+5%O2)為40 sccm;MoO-0.1,氬氣通量為36 sccm、氧氣通量為4 sccm;MoO-0.2,
氬氣通量為32 sccm、氧氣通量為8 sccm。

結果與討論
EDS成份分析 拉曼光譜分析
Mo MoO-0.01 MoO-0.05 MoO-0.1 MoO-0.2
Mo 86.1 65.0 39.7 28.5 24.3
O 13.9 35.0 60.3 71.5 75.7 1. Mo 與 MoO-0.01 沒 有 明 顯 拉 曼 峰
MoOx 薄膜中氧含量隨O2/Ar+O2 比率增加而增加,MoO-0.01、MoO-0.05 位出現,推測由於氧化鉬的量很
的成分低於MoO2之計量比,MoO-0.1、MoO-0.2則接近MoO3計量比,分 少,訊號強度太弱所致。
別顯現金屬(MoO2)與電介(MoO3)屬性的成分。 2. MoO-0.05 的 組 成 相 有 MoO2 、
Mo4O11及Mo9O26相。
3. MoO-0.1的主要組成相有Mo4O11 、
XRD分析 Mo9O26及-MoO3相。
4. MoO-0.2則有更多的 Mo9O26 及 -
MoO3相生成。

光學性質分析

1. Mo薄膜主要組成相是Cubic-Mo相。
2. MoO-0.01薄膜為Cubic-Mo與Hexagonal-MoO2混和組成相。
3. MoO-0.05、MoO-0.1及MoO-0.2薄膜之繞射峰呈寬化現象,分布於2θ
= 20°〜40°:
(1) MoO-0.05主要由Hexagonal-MoO2、γ-Mo4O11及m-Mo9O26相構成。
(2) MoO-0.1主要組成相有γ-Mo4O11、m-Mo9O26及-MoO3相。
(3) MoO-0.2則由m-Mo9O26與-MoO3相構成。
組成相由Cubic-Mo相改變至低氧計量比之Hexagonal-MoO2 相,經非計
量之γ-Mo4O11及m-Mo9O26相,最後變成高氧計量比之-MoO3相。
MoO薄膜氧含量增加,晶體結構由Mo、MoO2變成MoO3相,金屬屬性降低,
介電屬性增加,導致反射率下降、穿透率上升。
XPS分析
Mo Mo-0.01 Mo-0.05

1 1−𝑅
𝛼= × ln[ ] (1)
𝑑 𝑇

(hv)2 = B(hv − Egopt) (2)


Mo-0.1 Mo-0.2
MoO 薄 膜 隨 著 氧 含 量
增加,Mo之鍵結型態
逐 漸 由 Mo 、 Mo+4 、
Mo+5 轉 變 至 Mo+6 。 鍵 利用量測到的反射率與穿透率,代入公式(1)求得光學吸收係數,再藉
結型態改變的趨勢與 由公式(2)作圖可得光學能隙。將公式(2)作圖曲線做切線,切線與X軸的
XRD 結 構 組 成 相 的 變 截距即為光學能隙值。
化趨勢一致。 MoO薄膜隨氧含量增加,光學能隙值由1.32 eV增至3.48 eV。

結論
1. 利用反應式磁控濺鍍系統製備Mo與氧含量35.0 at. %、60.3 at. %、71.5 at. %及75.7 at. %之MoOx單層膜。
2. MoOx氧含量由35.0 at. %增至75.7 at. %,晶體結構由Cubic-Mo與Hexagonal-MoO2混合相,經非計量之γ-Mo4O11及m-Mo9O26相,最後變成計量比之-MoO3相。
3. MoOx薄膜隨氧含量增加,反射率下降、穿透率上升、光學能隙值由1.32 eV增至3.48 eV。

You might also like