FLÁVIO MACEDO CUNHA

MATERIAIS ELÉTRICOS E MAGNÉTICOS

INTRODUÇÃO

1. ESTRUTURA DOS MATERIAIS

2. CONDUTORES
3. SEMICONDUTORES
4. DIELÉTRICOS
5. MATERIAIS MAGNÉTICOS

2012

1
 INTRODUÇÃO

A história da humanidade, de certa forma, tem sido datada a partir do domínio de

determinadas técnicas empregadas e dos materiais usados por nossos antepassados em determinadas
épocas. Nesse contexto os pesquisadores dessa área definem a ‘Idade da Pedra’ como uma fase em que
os homens usavam a pedra como ferramenta, muitas vezes criando instrumentos com esses materiais
para seu manuseio. No período de 2000 até 1000 a.C. já eram usadas ligas de cobre e estanho e foi
caracterizada como ‘Idade do Bronze’. O período de 1000 a.C. até o ano zero caracteriza a ‘Idade do
Ferro’, quando era utilizada a técnica de fabricação de ligas de ferro. Em diversas sociedades da
antiguidade observou-se o uso da cerâmica e do vidro. Já a tecnologia do aço foi desenvolvida na
Idade Moderna. Na segunda metade do século XX duas grandes tecnologias mudaram os costumes e
utilizações de recursos materiais: a invenção do plástico e a tecnologia do silício grau eletrônico. Esses
materiais produziram grandes impactos nos bens consumo atualmente empregados. As tendências
futuras indicam que o domínio tecnológico dos materiais concentra-se nos campos da biotecnologia e
a neurotecnologia.

O desenvolvimento da tecnologia dos materiais tem sido associado a um conhecimento, cada

vez mais profundo, da física dos materiais. Portanto, sempre que se refere ao estudo dos materiais,
usa-se o termo ‘ciência e engenharia’, referindo-se à engenharia de base científica. No entanto, cada
modalidade de engenharia tem um foco definido para o estudo dos materiais no seu campo específico.
Na engenharia civil, por exemplo, o estudo dos materiais leva em consideração as forças de tração e
compressão, os processos de corrosão, a dilatação térmica, a durabilidade dos os materiais. Na
engenharia mecânica os esforços mecânicos, as propriedades térmicas e químicas, os desgastes por
atrito devem ser levados em consideração ao aplicar os materiais. Na engenharia elétrica os materiais
são estudados sob o ponto de vista também dos fatores físicos (esforços em uma estrutura metálica,
esforços em barramentos por curto-circuito, dentre outros), químicos (oxidação e desgaste de contatos
elétricos, por exemplo), térmica (dissipação de calor em equipamentos, aquecimento de cabos
elétricos, etc), mas, sobretudo, visa ao estudo do comportamento dos materiais sob campo elétrico e
campo magnético. Para realizar o estudo com esse foco é fundamental iniciarmos pela estrutura dos
materiais, especialmente o estudo do modelo do átomo e das ligações dos átomos entre si na
constituição de um sólido.

O campo de estudos da ciência dos materiais tem como núcleo central a física, a química e a
matemática. A ciência dos materiais se estrutura em torno desse núcleo implicando alguns campos de
especialização tais como: geociência, biociência, metalurgia, cerâmicas, semicondutores dentre outras.
Numa circunferência mais ampla, está a aplicação tecnológica que inclui áreas da medicina, farmácia,
agricultura e as engenharias. Cada modalidade de engenharia, em seu campo específico, aborda alguns
aspectos desse conhecimento. Cabe ao engenheiro adquirir competências para realizar sua atividade
em interação com outras áreas, mesmo que ele não tenha conhecimento especializado em
determinados tipos de conteúdos no campo específico de materiais. Mas é importante que alguns
fundamentos nessa área sejam conhecidos.

Um problema que deve ser cada vez mais levado em conta é a questão ecológica. Uma vez que
os materiais produzidos pela indústria e, cada vez mais consumidos pela sociedade, são obtidos da
natureza, constata-se que esta fonte está atingindo o limite de sua capacidade. Além disso e o que é
mais grave, é o retorno desses produtos para o meio ambiente na forma de lixo. Essa prática precisa
2
ser revista. É urgente que sejam desenvolvidas tecnologias de reaproveitamento e reciclagem desses
produtos em nível econômico para reutilização desses materiais, nos diversos campos. Essa é uma
tarefa da engenharia de materiais e que deve atuar em consonância com uma política de Estado nessa
área.

O estudo dos materiais apresentado nesse texto foi organizado para fornecer um conteúdo
técnico dos materiais usados na área eletroeletrônica com ênfase nos fundamentos da ciência dos
materiais. Trata-se, de um modo geral, do estudo da física dos materiais, com foco nas aplicações no
campo da engenharia. Busca-se, dessa forma, destacar as principais aplicações dos materiais na área de
eletroeletrônica. Deve-se, o quanto antes, destacar que a área de materiais é uma das mais pesquisadas
na atualidade, o que implica sempre em inovação tecnológica. O texto está estruturado considerando
os seguintes pontos: fornecer os conceitos básicos da física dos materiais, apresentar e compreender as
grandezas físicas relacionadas aos materiais e destacar algumas aplicações no campo da engenharia.
Ao final de cada capítulo algumas questões são colocadas para uma melhor compreensão do estudo e
solução de problemas. São indicados ainda alguns temas relacionados ao estudo realizado no capítulo
para que o estudante desenvolva pesquisa em determinados assuntos que possam complementar sua
formação.

O texto que constitui esse material é apresentado em cinco capítulos. No primeiro capítulo
estuda-se a estrutura dos materiais, com foco inicial no modelo atômico passando para a organização
estrutural da matéria e destacando-se algumas propriedades dos materiais usados na área
eletroeletrônica. O entendimento dos conceitos tratados no primeiro capítulo é fundamental para a
compreensão dos capítulos posteriores. Nos capítulos 2, 3 e 4 o estudo considera o comportamento dos
materiais sob campo elétrico. Cada um desses capítulos aborda uma categoria específica de matérias:
condutores, semicondutores e dielétricos. Nesses últimos encontram-se os isolantes. O capítulo cinco
trata do comportamento dos materiais sob campo magnético. O estudo desse material deve ser
precedido por uma base matemática inicial própria dos cursos de engenharia, pelo estudo da física em
especial eletricidade e magnetismo e pelos conceitos da química inorgânica. Na estrutura de um curso
de engenharia no campo da eletroeletrônica, esse estudo fornece uma base conceitual para os
conteúdos de eletrotécnica, eletrônica e máquinas elétricas.

3
 1
ESTRUTURA DOS MATERIAIS

Neste capítulo abordamos o estudo da estrutura dos materiais destacando os seguintes pontos:
modelo atômico, níveis de energia atômico, bandas de energia nos sólidos, ligações atômicas, estrutura
cristalina e amorfa. Apresentamos dois modelos atômicos – Rutherford e Bohr – desenvolvidos no
início do século XX e que serviram de base para a evolução dos estudos posteriores no campo da física
dos materiais e das pesquisas tecnológicas aplicadas. Evidencia-se o contraste entre a física clássica e
a física quântica enquanto modelos para explicação de fenômenos observados no comportamento dos
materiais. Ao considerar o modelo de bandas de energia, visamos introduzir a classificação dos
materiais em condutores, semicondutores e isolantes, que constitui o foco dos capítulos posteriores. O
estudo das estruturas cristalinas visa conhecer a aplicação de algumas propriedades importantes dos
materiais usados na engenharia. Para o estudo da física dos materiais é fundamental esta introdução na
estrutura da matéria e nos modelos apresentados.
Aspectos teóricos e fundamentos conceituais que deverão ser compreendidos:
- os modelos atômicos e a transição do modelo clássico para o modelo quântico;
- bandas de energia e a classificação dos materiais em condutores, semicondutores e isolantes;
- a estrutura cristalina e amorfa dos materiais e suas propriedades principais.

1 Materiais e a física

Antes de tratarmos dos tópicos específicos relacionados à estrutura da matéria, alguns dados
devem ser destacados para início desse estudo, em caráter de revisão de conceitos da física, conforme
segue. Os átomos são constituídos de nêutrons (no) e prótons (p+) no núcleo central com elétrons (e-)
girando em órbita. Um átomo com 1 p+ e 1 e- apresenta um raio de 10-10 m, enquanto que o raio do e-
é da ordem de 10-15 m. O e- gira em torno do núcleo atômico cerca de 10 trilhões de voltas por
segundo. Quando analisamos a matéria no nível atômico, parece existir um imenso ‘vazio’, uma vez
que as dimensões das partículas são extremamente pequenas e suas distâncias muito grandes se
comparadas com essas dimensões. Observe os dados acima. Por outro lado, os valores atribuídos às
massas das partículas são também intrigantes. A massa do próton (ou do nêutron) é 1,66x10-24 g e
constitui uma unidade de massa atômica (uma). Se fizermos 1/(1 uma) obtemos o 6,02x1023 que
representa o número de prótons (ou nêutrons) necessários para obter 1 grama. Esse é o número de
Avogadro. O número de prótons no núcleo atômico define o número atômico de um elemento que
obtemos facilmente ao consultarmos uma Tabela Periódica de elementos químicos. Assim, um átomo
de carbono tem 6 prótons, de silício 14, de ferro 26. A quantidade de nêutrons não afeta a identidade
química. Estaremos utilizando ainda alguns conceitos físicos durante esse estudo, tais como ‘corrente
elétrica’ e ‘eletron-volt’(eV). Apenas a título de revisão, uma corrente de 1A equivale a 1C/s ou a
6,25x1018 elétrons fluindo por segundo. Observe que a carga do elétron é 1,6x10-19C. Um eV
corresponde à energia adquirida por um elétron em um potencial de 1 volt, ou seja, 1eV = 1,6x10-19J.

No estudo que vamos iniciar serão apresentados dois modelos atômicos: Rutherford e Bohr.
Visamos, além de apresentar a descrição desses modelos, principalmente, descrever a evolução do
modelo de átomo desenvolvido no paradigma da física clássica para o modelo desenvolvido na física
quântica. Vale lembrar que a idéia de átomo como partícula elementar da matéria foi proposta na
Grécia Antiga por Demócrito. Certamente que esse conceito no contexto grego era bastante diferente
do que foi desenvolvido na modernidade. O átomo teria sido uma proposição de que haveria uma base
elementar da matéria que era indivisível (a-tomo). Esse conceito permaneceu apenas no nível

4
qualitativo, ao considerar a idéia de existir uma partícula elementar que pudesse ser o fundamento do
mundo material. No entanto, uma vez aprofundado os estudo da estrutura da matéria, o átomo
moderno, como sabemos, tornou-se constituído de partículas ainda menores, os elétrons, os prótons e
os neutrons. Ainda assim os prótons e nêutrons são constituídos por quarks. Enquanto que o elétron é
considerado uma partícula sem estrutura interna, não se sabe ainda exatamente o que é um quark.
Novas descobertas no campo da física das partículas podem alterar essas conclusões. Da Grécia
Antiga até meados do século XIX, pouca coisa foi mudada em termos de modelo para o átomo. Com a
descoberta do próton e do elétron, o átomo deixou de ser indivisível e passou, até final do século XIX,
a ser considerado uma estrutura constituída pela junção de prótons e elétrons. Na primeira década do
século XX o nêutron ainda não havia sido descoberto. Portanto, o modelo do átomo era ainda simples
em relação ao que hoje é conhecido. O modelo de Rutherford foi o primeiro que considerou o átomo
com núcleo central. Conforme veremos, o modelo de Bohr evoluiu esse conceito levando em
consideração as descobertas da física quântica no início do século XX.

2 O modelo atômico de Rutherford

O modelo atômico proposto por Rutherford em 1911, consiste de um núcleo com carga
positiva em torno do qual circundam os elétrons. Para o átomo de hidrogênio o núcleo é constituído
pelo próton como carga positiva em torno do qual gira um elétron com carga negativa conforme Fig.
1. O próton contém praticamente toda a massa do átomo. Quanto ao valor da carga, o elétron e o
próton apresentam a mesma intensidade, porém sinais opostos. Existe, portanto, uma força de atração

1 q2
F=
4πε o r 2
entre estas duas cargas, dada pela Lei de Coulomb:

onde: q = valor da carga do elétron ou do próton;

r = raio do átomo de hidrogênio;
εo = constante de permissividade para o espaço livre.

órbita do elétron

raio próton

Fig. 1 – Modelo átomo de Rutherford

Supondo que o elétron desenvolva um movimento circular uniforme, com uma

velocidade V, o mesmo estará submetido a uma força dada por:

mV 2
Fc =
r
Igualando as equações:

1 q2
mV = 2
4πε0 r

5
 O termo à direita da equação é a energia potencial do elétron. Esta energia é igual a
zero quando r tende ao infinito, que corresponde ao maior valor da energia potencial (observe o sinal
negativo). Assim, a energia potencial é:

1 q2
Ep = −
4 πε 0 r

Para a energia cinética do elétron temos:

mV 2
Ec =
2
onde m é a massa do elétron.

Para um determinado valor de r, e tendo como referência a lei da conservação da energia, podemos
considerar que a energia total do elétron será:

W = Ec + E p

mV 2 q2
W= −
2 4 πε 0r

Das equações acima resulta:

q2
W=−
8πε 0r

Esta equação nos fornece a energia do elétron em relação à distância deste ao núcleo. À
medida que o elétron se aproxima do núcleo sua energia diminui. Deve-se destacar, no entanto que,
apesar de sua formulação ter sido elaborada com base em dados experimentais, esse modelo atômico
apresentou uma contradição com uma lei clássica do eletromagnetismo. Segundo esta lei: “uma carga
oscilando a uma freqüência f, irá irradiar energia com essa freqüência.”

Deste modo, o elétron deveria emitir uma radiação na mesma freqüência em que gira em torno
de sua órbita. Deveria haver, portanto, uma radiação emitida pelo átomo, de freqüência igual à
freqüência de giro do elétron. Se o elétron está irradiando energia, sua energia total deveria diminuir
de uma quantidade igual à energia emitida. Se a energia total diminui então o raio r diminui, de forma
que o elétron iria girar em órbitas cada vez menores até atingir o núcleo. Deve-se ainda considerar
que, como a freqüência depende do tamanho da órbita circular, a energia irradiada deveria ser de
freqüência gradativamente em mudança. Entretanto esta variação de freqüência, conforme descrito
acima, não era observada na prática. Observe que, apesar do modelo de Rutherford ter sido
apresentado a partir de dados experimentais (fica por conta do estudante pesquisar o tipo de
experimento realizado por Rutherford) e de ter sido estruturado em termos dos conhecimentos e
formalismos da física de sua época, seu modelo apresentou contradições com alguns conceitos
existentes na física. Como então explicar este modelo atômico em contraste com as leis clássicas do
eletromagnetismo? Esta foi uma questão que surgiu na época e buscaremos a analisar as tentativas de
soluções no item seguinte.

6
3 O modelo atômico de Bohr

O modelo atômico alternativo e, de certa forma, complementar ao de Rutherford, foi

apresentado por Bohr em 1913. Bohr utilizou os dados observados no diagrama de linhas espectrais do
hidrogênio. Para explicar os fenômenos observados na prática, Bohr propôs três leis fundamentais
conhecidas como postulados de Bohr que serão citados sucintamente e, na sequência, analisados com
mais detalhes.

Primeiro postulado:
O elétron no átomo ocupa estados discretos de energia, representados por níveis n = 1, 2, 3 ..., e não
emite radiação nesses estados.
Segundo postulado:
A energia de cada estado é um valor discreto dado em função de n, cuja equação em eV é
En = - 13,6/n2.
Terceiro postulado:
Quando o elétron salta de um nível para outro irá emitir ou absorver energia com freqüência
proporcional à diferença da energia entre os níveis, i.e. ∆E α f.

Com esses postulados as questões destacadas em relação ao modelo de Rutherford foram

praticamente respondidas. Vamos agora analisar com mais detalhes os postulados acima citados.
Os estados no átomo são considerados níveis discretos não irradiantes. Para o hidrogênio estes
níveis são representados na Fig. 2, denominado diagrama de linhas espectrais. Portanto, o elétron não
cai no núcleo. O elétron pode ocupar os níveis n = 1,2,3,..., até o infinito ( ∞ ). Enquanto o elétron
permanecer nesses níveis não há emissão de radiação. O elétron ainda não pode ocupar estados de
energia que não sejam esses mencionados, i.e. pode ocupar apenas os estados 1, 2, 3... Dessa forma o
elétron não ocupará uma posição entre os níveis 1 e 2 ou entre os níveis 2 e 3 e assim por diante.

n E (eV)

∞ 0

5 -0,56

4 -0,87

3 -1,53

2 -3,41

1 -13,60

Fig. 2 - níveis de energia para o hidrogênio

7
Podemos agora avaliar a energia correspondente a cada nível da Fig. 2. Tomando-se como ponto de
partida a equação de Einstein que apresenta a equivalência entre matéria e energia, temos:

E = mc2

onde c = velocidade da luz no espaço livre.

Outro conceito da física moderna é a hipótese quântica de Planck, que considera que uma radiação de
freqüência f apresenta energia dada por:

E = hf

onde h = constante de Planck.

A equação de Planck introduz o conceito de quantum de energia. Temos ainda que a relação entre
freqüência e comprimento de onda λ de uma radiação que propaga a uma velocidade v em um meio
é:


=

Portanto obtemos a equação de E:

v
E=h
λ
Usamos v no lugar de c para a equação apresentada. Neste caso trata-se da velocidade do elétron na
órbita atômica, que não corresponde à velocidade da luz. O elétron gira em torno do núcleo cerca de
10.000 bilhões de vezes por segundo. Assim, a eq. para o comprimento de onda é:

h
λ=
mv
A equação acima é resultado dos trabalhos de Louis de Broglie, denominada equação de de
Broglie, que buscou aplicar o conceito da dualidade onda-partícula (antes atribuída apenas à natureza
da luz) ao elétron na órbita atômica. Esta conclusão considera a natureza ondulatória e corpuscular do
elétron. Deve-se, portanto, considerar o elétron como uma partícula com movimento ondulatório
deslocando em torno do núcleo em uma órbita de raio r. Portanto, uma volta completa do elétron
deverá corresponder a n comprimentos de ondas, de forma a não haver irradiação de energia, onde n
são números inteiros (ver Fig.3). Podemos então escrever:

nλ = 2 πR (onde n = 1,2,3 ...)

Substituindo a equação do comprimento de onda, resulta:

nh
= 2 πR
mv
A expressão para v será:

nh
v=
2 πmR

8
ou

n2h2
v2 =
4 π 2 m2 R 2
A equação da velocidade no modelo clássico é:

q2
v2 =
4 πε 0 Rm

Igualando as equações de velocidade obtemos a expressão para os raios permitidos para o

hidrogênio, isto é:

n2h 2 ε 0
R=
πq 2 m

A equação acima nos fornece os raios para os níveis n =1,2,3, ... que o elétron pode ocupar no átomo.
Substituindo esta equação na equação do modelo de Rutherford obtemos:

q 4m 1
Wn = −
8ε 20 h 2 n 2

onde Wn são valores de energia (em joules) para os níveis n = 1,2,3, ... respectivamente. O estudante
agora pode fazer uma análise comparativa das equações de Rutherford e de Bohr.
Sendo 1eV = 1, 6 x10−19 joules, assim a equação de energia dos níveis do H pode ser escrita na
forma:
1
En = −13, 6
n2
para En em eV.
Os valores da energia para (En) para o hidrogênio é indicado na Fig. 2.
A Fig. 3 indica algumas órbitas possíveis para o H a partir da equação de de Broglie.

2 1
a-) n = 2, λ = πn b-) n = 3, λ = πn c-) n = 4, λ = πn
3 2

Fig. 3 - Algumas órbitas possíveis para o átomo H

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Consideremos agora dois estados com energia W1 e W2 no átomo de H. Quando o elétron passar de
um estado para outro, haverá uma irradiação de energia cuja freqüência da onda será diretamente
proporcional à diferença de energia desses dois estados. Assim temos:

W2 – W1 α f

A constante de proporcionalidade para este caso é a constante de Planck. A equação resultante é:

W2 − W1 = hf

Esta equação pode também ser expressa em função do comprimento de onda ( λ ) da radiação em
angstron (A0) e com os valores de energia (E) em eV. Temos 1eV = 1,6 x 10 -19 J.

Sendo f = c / λ e substituindo h por seu valor (em J.s), obtemos:

12400
E 2 − E1 = (unidade em eV)
λ
Retornando agora à Fig. 2, para que o elétron salte do nível n=1 (menor energia) para o nível n = 2
(maior energia), haverá absorção de energia. Ao saltar do nível 2 para o nível 1 haverá emissão de
energia pelo átomo na forma de um fóton.

4 Excitação e ionização do átomo

Para o átomo de hidrogênio, Fig. 2, o elétron normalmente ocupa o nível n =1, denominado de
estado normal, que corresponde ao estado de menor energia do átomo. Para o átomo de H, quando o
elétron ocupa os níveis n = 2, 3, 4 e 5, o átomo está excitado. Esses são os níveis de excitação do H. À
medida que o elétron recebe determinadas quantidades de energia poderá mover-se para esses níveis.
Se o átomo receber uma quantidade de energia muito grande, suficiente para retirar seu elétron da ação
do núcleo, dizemos que o elétron atingiu o nível n → ∞ ou nível de ionização. Neste momento, o
átomo fica ionizado, resultado da perda de um elétron e da obtenção de um íon H+.

Sabemos agora que, para o elétron mover-se do estado normal n = 1 para o nível de excitação
n = 2, precisamos fornecer energia ao átomo. Qual a quantidade de energia necessária para que ocorra
essa translação de níveis? Essa energia será exatamente igual à diferença de energia dos dois níveis n
= 1 e n = 2, isto é, 10,19 eV. Esta energia incidente no átomo pode ser na forma de uma radiação.
Podemos, portanto, calcular a freqüência (em Hz) desta radiação. Com este mesmo raciocínio você
pode calcular a freqüência e o comprimento de onda da radiação absorvido pelo átomo, para que o
elétrons possa mover de n = 2 para n = 3, de n = 3 para n = 4. Qual seria a energia necessária para
ionizar o átomo de hidrogênio, ou seja, para mover o elétron do nível n = 1 para o nível infinito?

Como vimos acima, o átomo ao absorver uma radiação pode saltar para um nível excitado.
Porém o elétron não mantém neste estado, i.e., retorna ao estado normal após um intervalo de tempo
de 10-8s. Nesta etapa de retorno do elétron (por exemplo, de n = 2 para n = 1) o átomo emitirá uma
radiação cuja energia será igual à diferença de energia dos dois níveis. A energia emitida será, portanto
igual a W2 - W1 = hf. Esta energia é denominada fóton de energia e é dada pelo produto da constante h
pela freqüência f da radiação. Esta característica quantizada da onda eletromagnética foi introduzida
por Planck em 1900. Portanto quando o elétron, no átomo de hidrogênio, salta de n = 2 para n = 1
haverá emissão de uma radiação de λ = 1216 A0, correspondente ao comprimento de onda do

10
ultravioleta. Para o infravermelho temos λ = 18750 A0, correspondente à transição de n = 4 para n = 3.
Portanto, a emissão de luz por um átomo ocorre somente durante a transição de um nível para outro de
menor energia. De n = 3 para n = 2 a radiação emitida correspondente à luz visível. A luz, portanto,
não é emitida continuamente por um átomo. Não percebemos a radiação descontínua devido a grande
quantidade de átomos emitindo energia.

A esta altura é interessante analisar como se pode provocar a excitação do átomo. Como levar
o elétron de n = 1 para n = 2, por exemplo, no átomo de H? Suponhamos ainda que a energia fornecida
ao átomo seja suficiente para o elétron ultrapassar o nível n = 2, mas insuficiente para que o mesmo
atinja o nível n = 3. Esta energia será absorvida pelo átomo? Como se explica esta questão? Um dos
métodos de fornecer energia ao átomo é fazer que sofra colisões com um elétron, transferindo-lhe
energia necessária para levar o átomo ao estado de excitação correspondente. Neste caso, a quantidade
de energia excedente será mantida como energia cinética pelo elétron após a colisão. As colisões com
elétrons podem ser elásticas ou inelásticas. Em uma colisão elástica não ocorre alteração de energia
cinética, i. e., o elétron transmite uma pequena energia cinética ao átomo, devido à pequena massa do
elétron. Em uma colisão inelástica, há uma alteração interna na energia do átomo, ocorrendo uma
excitação, conforme descrito acima.

Outro método de fornecer energia a um átomo é fazer que sofra colisões com um fóton. Neste
caso, para que o átomo seja excitado, a energia da radiação eletromagnética incidente deverá ser
exatamente igual à diferença de energia de dois níveis atômicos. Isto se deve à característica
quantizada da radiação eletromagnética incidente. Nos processos em que o átomo absorve energia de
forma a ocorrer uma passagem de seu elétron para um nível mais elevado e, em seguida, seu retorno
ao nível de origem com a emissão de energia, dizemos que ocorreu uma fotoexcitação. No caso em
que a radiação que colide com o átomo possua energia no mínimo igual à energia de ionização do
átomo, o resultado poderá ser um íon e um elétron livre, i. e., o elétron não retornará ao nível de
origem. Temos, no final deste processo, uma ionização.

Como podemos constatar, o modelo de Bohr descreve uma série significativa de fenômenos,
mas é designada de ‘antiga teoria quântica’. A evolução das pesquisas em relação ao átomo levou a
outras versões da teoria denominada de ‘nova teoria quântica’. Essa evolução correspondeu ao modelo
de Erwin Schrodinger, que considerou o conceito de onda associada a cada partícula material. Nessa
versão o elétron passou a ser percebido não como um ponto material, mas como uma entidade
matemática denominada ‘função de onda’. Essa função é a solução da equação de Schrodinger e
assume diferentes valores em diferentes pontos do espaço. Nosso estudo, no entanto, não irá abordar
esse conceito, que deixamos como um tema que pode ser pesquisado pelo estudante de acordo com
seus interesses.

5 Os números quânticos

O nível de energia em que o elétron se encontra no átomo é denominado de número quântico

principal e identificado pelo número n = 1, 2, 3... Para representar a quantidade de movimento angular
do elétron, que refere-se ao subnível, usa-se o número quântico secundário que assume os valores de
l = 0,1,2, ...,(n-1). O número quântico magnético (m) refere-se ao orbital no qual o elétron se
encontra e assume valores de m = - l ... -1, 0, +1 ...+ l . O movimento de rotação do elétron em torno
de seu próprio eixo é denominado de spin que pode ser de ½ ou -½, equivalendo à rotação no sentido
horário ou anti-horário. Portanto, cada estado atômico é formado por um conjunto de quatro números
quânticos. Pelo princípio de exclusão de Pauli não mais que dois elétrons de spins opostos podem
ocupar o mesmo orbital de energia, ou seja, dois elétrons com spins iguais não ocupam o mesmo
estado quântico. Os elétrons de um átomo que estão em um mesmo nível ou camada apresentam um
11
mesmo valor de n. Temos n = 1,2,3, ... ou representado por K, L, M, ... Esses níveis se dividem em
subníveis correspondentes aos valores de l ou representados pelas letras s, p, d, f. Portanto para n =
1, l = 0, m = 0, spin = -½, temos dois estados denominados 1s. Sabemos que o número atômico Z
indica o número de elétrons em torno do núcleo. Assim, a configuração eletrônica para o sódio (Z =
11) será 1s2 2s2 2p6 3s1. Temos então indicados os estados específicos de energia nos quais os elétrons
ocupam neste átomo (Fig. 4).

spin m l n

½ 0 0 3

½ -½ 1, 0, -1 1

½ -½ 0 0

½ -½ 0 0 1

Fig. 4 – representação dos números quânticos para Z =11

Observa-se que existe uma relação entre os números quânticos dada por:

n = 1, 2, 3...
l = 0, 1, 2, 3... n -1
m = - l ... -1, 0, +1, ... , + l
O spin, indicado por uma seta, tem dois valores + ½ ou – ½.
Verifica-se que em n = 3, existe um estado semi-cheio, que pode ser preenchido por um elétron com
spin oposto ao spin existente.

6 Níveis de energia molecular

Num cristal formado por átomos, os níveis de energia dos elétrons das camadas mais internas
de cada átomo não são afetados apreciavelmente pela presença de átomos vizinhos. Entretanto os
níveis de energia dos elétrons da camada mais externa são preenchidos parcialmente. As condições
para os níveis de energia de um elétron que se move em um campo de núcleos múltiplos são diferentes
em relação ao nível de apenas um átomo. Os níveis de energia no cristal são denominados de bandas.
Um cristal constituído de n átomos terá uma distribuição de elétrons similar aos níveis atômicos,
porém na forma de bandas. Portanto um subnível s (que contém 2 elétrons) se converte em uma banda

12
com capacidade para 2N elétrons. Um subnível p se converte em uma banda com capacidade para 6n
elétrons. Na fig. 5 temos os átomos suficientemente afastados nos níveis de energia, que serão os
mesmos do átomo isolado. Se o espaço interatômico for diminuído, um átomo exercerá uma força
elétrica sobre os átomos vizinhos, resultando um grande número de níveis de energia discretos, mas
bastante próximos. São as bandas de energia. As bandas constituem estados de níveis moleculares
múltiplos correspondendo aos níveis atômicos de iguais energias de cada átomo.

Assim se considerarmos os níveis n = 1 e n = 2, poderíamos representar esquematicamente a

interação entre estes níveis em função da proximidade dos átomos, resultando a formação de bandas
de energia conforme indica a fig. 5.

2p6 6N elétrons banda de energia

2s2 2N elétrons banda de energia
região entre 2 níveis (sem estados) “gap” ou proibida

1s2 2N elétrons banda de energia

Fig. 5 - Interação entre os átomos resultando na formação de bandas de energia

A banda de energia proibida representa a não existência de estados que possam ser ‘ocupados’
por elétrons. Os elétrons dos estados internos não afetados pela aproximação dos átomos e são
denominados de elétrons centrais ou níveis internos. Os elétrons dos estados exteriores são
denominados de elétrons de valência. A energia do estado mais alto ocupado por elétrons (a 0K)
recebe o nome de Nível de Fermi. Em temperaturas elevadas a energia térmica levará os elétrons
acima do Nível de Fermi. Portanto um elétron poderá passar acima do Nível de Fermi, apenas se
receber energia suficiente.

Para o alumínio, Z = 13, sua configuração eletrônica é 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1. O diagrama de
banda de energia para o sólido pode ser representado conforme a Fig. 6 para os níveis externos. Uma
banda pode ter todos os estados preenchidos ou parcialmente preenchidos com elétrons. Uma região
proibida corresponde a não existência de estados que possam receber elétrons. A banda de maior
energia (mais alta) está parcialmente cheia e recebe o nome de banda de condução.

Banda de condução ou de energia livre (e- livres)

Banda de valência (e- de ligação)

Região proibida

Banda cheia

Elétrons centrais correspondentes aos níveis internos

Fig. 6 - Modelo de bandas de energia para um cristal

13
7 Modelo de bandas para condutores, semicondutores e isolantes

No diagrama de bandas de energia da Fig. 6, correspondente ao alumínio, apenas os elétrons

acima do Nível de Fermi atingirão a banda de energia livre e consequentemente estarão livres para
constituir a corrente elétrica. Alguns materiais, entretanto, apresentam uma região proibida entre a
região de energia livre e região cheia, dificultando a liberação de elétrons livres. Esses diagramas
levam a uma diferenciação de classes de materiais em função da sua condutividade elétrica. A Fig. 7
relaciona os diagramas de níveis energia para condutores, semicondutores e isolantes. Nesses diagrmas
estão representadas apenas as bandas de condução e de valência, pois os níveis internos não exercem
influência nesse caso, uma vez que estão completamente preenchidos. Esta classificação esta ligada à
facilidade em se obter o elétron livre. O elétron livre, que conduz a corrente elétrica, fica na banda de
condução.

Condutor Semicondutor Isolante

condução condução condução

proibida proibida

valência valência valência

Fig. 7 - Diagrama de bandas de energia para condutor, semicondutor e isolante

Os condutores são materiais nos quais a banda ocupada pelos elétrons de valência está em
contato com a banda de energia livre e inclusive se sobrepõe a esta. Em conseqüência, os elétrons
nesta região podem passar para a banda de energia livre com facilidade. Sob ação de um campo
elétrico esses irão constituir uma corrente elétrica.

Os semicondutores são materiais com uma estreita banda proibida, que dificulta a passagem de
elétrons para a banda de níveis de energia livre. Entretanto os elétrons podem atingir esta região de
energia livre, se recebere energia externa, tal como calor.

Os isolantes são materiais nos quais a banda de energia proibida é muito grande, dificultando a
passagem de elétrons para o nível de energia livre. Portanto a condutividade é muito pequena nesses
materiais.

Em um semicondutor, um elétron poderá saltar a zona proibida e atingir a região livre, com o
fornecimento de energia da ordem de 1 eV. A partir daí, este elétron poderá se deslocar sob ação de
um campo elétrico. Para o isolante esta energia deve ser da ordem de 4,5 a 7 eV.

As propriedades elétricas são determinadas pela estrutura da matéria, i.e., do modo como os
átomos (ou as moléculas) se organizam, não constituindo uma particularidade de um dado átomo.
Como exemplo, temos o carbono que, na forma de diamante é um isolante elétrico e na forma de
grafite apresenta condutividade elétrica alta. Portanto, o estudo da estrutura dos materiais deve levar
em conta, não apenas os diagramas de níveis de energia do átomo e de bandas de energia nos sólidos,
mas também a forma como os átomos e as moléculas se organizam na constituição do sólido. Este é o
estudo das estruturas cristalinas e amorfas.

14
 8 Estruturas cristalinas e amorfas

Os sólidos podem ser classificados em dois tipos segundo sua estrutura: amorfos e cristalinos.
Num sólido de estrutura amorfa os átomos (ou moléculas) não apresentam um ordenamento regular na
distribuição espacial. Nos sólidos cristalinos observa-se um ordenamento regular dos átomos (ou das
moléculas) formando um retículo (Fig. 8). De uma forma geral todos os átomos apresentam alguma
ordem. Mesmo os sólidos amorfos apresentam um determinado ordenamento em torno de cada átomo
denominado de ordem de curto alcance. Um sólido que não se cristaliza é aquele que suas moléculas
podem se imobilizarem em uma grande variedade de arranjos.

Estrutura amorfa

Estrutura cristalina

Fig. 8 – Estrutura amorfa e estrutura cristalina

No estado cristalino os átomos mantêm-se unidos por ação de diversas forças que constituem
as ligações: iônica, covalente, metálica e molecular, conforme Fig.9. Os elétrons de ligação são os
elementos constitutivos dessas ligações.

Na ligação iônica um átomo perde elétron para outro constituindo íons. Esses íons obtêm um
arranjo regular graças ao equilíbrio entre atração e repulsão das cargas. Exemplo é o NaCl.

Na ligação covalente os átomos partilham seus elétrons constituindo o cristal com orientações
definidas. Como exemplo, temos o diamante, no qual cada átomo de C está ligado a quatro outros
átomos eqüidistantes resultando numa configuração tetraédrica.

Na ligação metálica os átomos compartilham seus elétrons de valência. O resultado é um

retículo de íons positivos circundados por uma nuvem eletrônica que neutralizam esses íons. Esses
elétrons podem mover através do retículo resultando em alta refletividade óptica e a condutividade
elétrica e térmica característica dos metais.

Na ligação molecular existe uma fraca atração entre os átomos. Esse tipo de ligação pode
ocorrer entre líquidos e gases assim como em determinados cristais. Exemplo típico é o grafite no qual
lâminas de átomos de C, ligados por covalência, são fracamente unidos por forças de Van der Walls, o
15
que possibilita que essas lâminas deslizem umas sobre as outras. Essa característica que faz do grafite
um material macio quando comparado com um metal, por exemplo.

Ligação iônica: Na Cl

Estrutura metálica cúbica

Esquema da ligação covalente de 2 átomos

Fig. Fig. 9 – Ligações atômica

O processo de formação dos cristais é denominado cristalização. A cristalização pode ocorrer

de diversos modos, destacando-se: a partir de uma solução, a partir de uma massa em fusão e a partir
do vapor.
A cristalização a partir de uma solução ocorre, por exemplo, com o NaCl, quando há
evaporação da água de uma solução, resultando agrupamento dos íons de Na e Cl em uma forma
definida.
A formação de um cristal a partir de uma massa em fusão resulta normalmente da redução da
temperatura do material fundido com o posicionamento de seus átomos em pontos definidos mediante
a formação dos centros de nucleação que, posteriormente dá origem à estrutura cristalina. É o caso da
obtenção de ligas metálicas.
A cristalização a partir do vapor ocorre mediante o resfriamento do gás com a conseqüente
aglutinação de seus átomos que se agrupam obedecendo a uma orientação definida. Esse processo é
utilizado para obter o crescimento do cristal a partir de uma ‘semente’. Uma ‘semente’ é um cristal
16
com orientação cristalográfica bem definida e que servirá de guia para orientar o crescimento do
cristal. O crescimento ocorre em um ambiente com temperatura e pressão sob controle de modo a
produzir a agregação dos átomos na ‘semente’. Um exemplo é o crescimento do cristal de quartzo
piezoelétrico utilizado nos osciladores eletrônicos. O silício grau eletrônico pode ser também obtido
mediante esse processo.

9 Retículos cristalinos

Podemos caracterizar o cristal como uma estrutura geométrica, denominada rede cristalina, na
qual cada ponto é associado ao átomo ou conjunto de átomos, denominado de base. No cristal de NaCl
a base é constituída por átomos diferentes de Na e Cl. O paralelepípedo que gera a rede cristalina é
denominado célula unitária da rede. Quando temos paralelepípedos de diferentes tamanhos, o menor
paralelepípedo é denominado célula primitiva da rede.

Um retículo cristalino é definido de acordo com as relações entre os lados e os ângulos da

célula unitária. Esses retículos ou redes cristalinas podem ser divididos em sete sistemas cristalinos.
Cada um desses sistemas pode apresentar um ou mais tipos de retículos. Esse estudo foi realizado por
Bravais, em 1848, resultando daí nos 14 retículos espaciais de Bravais. A rede geométrica mais
simples é a cúbica, que pode apresentar três tipos de retículos: cúbica simples, cúbica de face central
(Al, Cu, Au) e cúbica de corpo central (Cr, Cs, W) (Fig. 10).

Fig. 10 – célula unitária cúbica: um átomo em cada vértice.

10 Direções em um cristal

A direção de um cristal é definida por um vetor identificado por 3 números inteiros. Por uma
questão de simplificação deste estudo vamos considerar apenas o cristal cúbico. Esse cristal apresenta
3 direções, definidas a partir dos eixos x, y, z denominadas:
[100] – direção correspondente à aresta do cubo
[110] – direção correspondente à diagonal da face
[111] – direção correspondente à diagonal do cubo
A Fig. 11 apresenta os eixos x, y, z com as direções indicadas por vetores, para o caso específico da
célula unitária cúbica.
[111]

[100]

[110]

Fig. 11 – direções [100], [110], [111]

17
 Em um cristal cúbico define-se um plano cristalográfico como o plano perpendicular ao eixo
cristalino correspondente. Assim, ao eixo [100] corresponde o plano (100) que é a face do cubo.

Diversas propriedades dos cristais são definidas em função do eixo cristalográfico. A

propriedade que mais nos interessa é a anisotropia cristalina. Anisotropia cristalina caracteriza-se pela
variação do comportamento do material em função da direção do eixo cristalográfico em que
determinado parâmetro físico é medido. Esses parâmetros podem ser permeabilidade magnética,
dureza, condutividade elétrica etc.

Apresentamos, a seguir, alguns exemplos de anisotropia cristalina.

Ex. 1 – Para o cobre a resistência à tração é função da direção cristalográfica conforme apresentado:
Direção [100] – 14,60 Kgf/mm2
[110] – 20,15 Kgf/mm2
[111] – 35,00 Kgf/mm2

Ex. 2 – O FeSi GO (grãos orientados) utilizado nos núcleos magnéticos dos transformadores 60Hz, a
magnetização é maior na direção [100] (Fig. 12). Observe que a melhor magnetização ocorre na
direção [100]. O tema será retomado no capítulo de materiais magnéticos.

direção [100]: melhor magnetização

direção [110]

direção [111]

Fig. 12 – Curva M x H para o FeSi GO (linearizada)

Ex. 3 – Determinados tipos de cristais líquidos apresentam índice de refração da luz variável em
função da direção cristalográfica em que a luz incide no material.

Ex. 4 – A cianita é um mineral que forma cristais alongados em lâminas que pode ser facilmente
riscado na direção paralela ao comprimento do cristal e que apresenta alta dureza na direção
perpendicular.

Os cristais podem ainda ser classificados em monocristalinso e policristalinos. Um

monocristal apresenta um eixo cristalográfico único. Um policristal é um cristal com diversas
orientações cristalográficas. Assim, um monocristal pode apresentar propriedade anisotrópica, o que
pode não ocorrer com um policristal. O silício grau eletrônico usado na indústria eletrônica além de
apresentar alta pureza precisa ser monocristalino. Essa propriedade garante a fabricação dos
dispositivos na microeletrônica e na nanoeletrônica. O mesmo ocorre com o cristal piezoelétrico para
fabricação de osciladores eletrônicos. A anisotropia não pode ser verificada nos materiais amorfos, em
função da não existência de eixo cristalográfico único nesses materiais.

Outras propriedades observadas nos cristais são destacadas a seguir.

18
a – Piezoeletricidade: formação de carga elétrica no cristal em função da aplicação de uma pressão em
uma determinada direção. O cristal que apresenta esse fenômeno não tem um centro de simetria.
Exemplo típico é o quartzo piezoelétrico, usado nos osciladores eletrônicos e que é obtido por
crescimento por vapor.

b – Pireletricidade: aparecimento de cargas elétricas em um cristal quando a temperatura é variada sob

determinadas condições. O efeito pirelétrico é devido à expansão térmica desigual no material. É o
caso da turmalina.

c – Luminescência: é o fenômeno de emissão de luz por um material que não seja resultado direto da
incandescência. Os 2 tipos principais são a fluorescência e a fosforescência. Na fluorescência o
material emite luz quando submetido à radiação ultravioleta, raio x e raios catódicos. Na
fosforescência o material emite luz sob radiação eletromagnética, porém a emissão perdura após a
interrupção da radiação excitante.

QUESTÕES

1 - Fazer um estudo comparando os modelos atômicos de Rutherford e de Bohr. Avaliar, nesse

caso, os conceitos introduzidos pela física quântica no modelo de Bohr.
2 - Conceituar fotoexcitação de um átomo e citar situações práticas desse efeito.
3 - Conceituar fotoionização de um átomo e citar situações práticas desse efeito.
4 – Explicar o que são os números quânticos.
5 - Explicar o modelo de bandas de energia para condutores, semicondutores e isolantes.
6 - Definir colisão elástica e inelástica e citar exemplos.
7 - Considerando o diagrama de linhas espectrais do hidrogênio, calcular a energia nos níveis n =
1, 2 e 3.
8 - Calcular o fóton de energia emitido por um átomo de hidrogênio quando o elétron passa de n =
3 para n = 2. Explicar o que é um fóton.
9 - O átomo de hidrogênio é excitado de forma que emitirá uma radiação quando o elétron retorna
de n=2 para o estado normal (nível 1). a) Calcular a freqüência da radiação emitida; b) Calcular o
comprimento de onda correspondente.
10 - Calcular o raio da órbita de menor energia do átomo de hidrogênio (raio de Bohr).
11 - Calcular a energia de ionização do átomo de hidrogênio a partir do estado normal.

12 - Com o bombardeamento do átomo de hidrogênio observou-se raios fluorescentes de 1216 Ao

e de 6563 Ao. a) Calcular o comprimento e a freqüência da onda da radiação de bombardeamento;
b) Quais foram os níveis atingidos, neste átomo, no processo acima citado.
13 - Um elétron com energia cinética Ec = 11eV colide com o átomo de hidrogênio em seu esta
normal. Verificar se seria possível a excitação do átomo de hidrogênio com esta colisão.
14 - Se a colisão (descrita na questão 13) fosse realizada por um fóton de freqüência f = 2,65 x
1015 Hz, poderia ocorrer excitação no hidrogênio. Explicar.

19
 15 – Explicar como a luz é produzida em uma lâmpada se descarga em gás.
16 – Explicar o que é um material: monocristalino, policristalino e amorfo.
17 – Explicar o que é direção em um cristal e citar as direções preferenciais do cristal cúbico.
18 – Explicar o que é anisotropia cristalina de um material e citar aplicações na engenharia.

TEMAS PARA PESQUISA

- Raio Laser: princípios físicos e aplicações

- Lâmpadas de descarga em gás: princípio de funcionamento e tecnologias
- Fenômenos incandescentes, fosforescentes e fluorescentes e suas aplicações
- O surgimento da física quântica e suas influências no desenvolvimento da tecnologia moderna
- Metais amorfos e aplicações em transformadores elétricos
- Piezoeletricidade e aplicações na engenharia
- Medições nos cristais utilizando difração de raio X
- Anisotropia cristalina: princípios e aplicações

20
 2

CONDUTORES

Neste capítulo apresentamos as características e aplicações dos materiais condutores, iniciando

com o conceito de condutividade elétrica dos materiais e os fatores que interferem nesse parâmetro
tais como temperatura e impurezas. Retomando o diagrama de bandas de energia realizamos uma
análise da estatística de distribuição eletrônica nos metais com ênfase no nível de Fermi e aplicação
nos efeitos termelétricos. Destacamos diversas aplicações dos condutores metálicos mais usados na
engenharia, com destaque para o cobre e alumínio e algumas ligas metálicas. Realizamos um estudo
dos contatos elétricos com destaque para a influência do arco voltaico nos equipamentos. Abordamos,
com foco no tema de condutores, os seguintes tópicos: efeito corona, efeito pelicular e
supercondutores.

Aspectos teóricos e fundamentos conceituais que deverão ser compreendidos:

- condutividade elétrica nos metais e ligas metálica;
- a influência da temperatura e impurezas na condutividade elétrica dos metais;
- nível de Fermi nos metais, estatística de distribuição de elétrons e efeitos termelétricos;
- metais e ligas e aplicações na engenharia elétrica;
- efeitos físicos nos condutores elétricos e suas aplicações.

1 Condutores na engenharia elétrica

As características que precisam ser consideradas em um condutor, tendo em vista sua

aplicação na engenharia elétrica, envolvem conceitos de condutividade elétrica, resistividade
mecânica, resistência à oxidação, comportamento térmico especialmente em temperaturas elevadas,
tudo isso associado a fatores econômicos. Quanto mais adequadas essas características para uma
determinada aplicação, mais investimentos em pesquisa e inovação tecnológica são requeridos. No
caso, por exemplo, do uso de metais como o cobre e o alumínio para fabricação de fios e cabos, a
condutividade elétrica é um fator fundamental, mas não é o único. Diversos outros fatores devem ser
avaliados na escolha do material incluindo critérios econômicos, facilidade de manutenção e vida útil
do sistema. Muitas vezes é mais interessante usar uma liga metálica em determinadas aplicações que
o metal puro, em função de fatores físicos, químicos e econômicos. O engenheiro tem o papel de
conhecer e analisar essas questões para tomar decisões adequadas. Para isso é necessário
conhecimento de conceitos técnicos e científicos, alguns dos quais são estudados nesse texto.

Os sólidos condutores mais usados em engenharia elétrica são os metais e de modo particular
as ligas metálicas, que juntam características importantes acima citadas para aplicações diversas. Uma
das formas de melhorar as características elétricas do metal é aumentar seu grau de pureza. Este
tratamento pode ser trabalhoso e muitas vezes a melhoria de uma propriedade pode resultar em
prejuízo para outras. O cobre encontrado em sua forma natural apresenta-se com uma pureza em torno
de 2,5%. Às vezes, requer-se deste metal com grau de pureza de até 99,9999% para aplicações
especiais. O alumínio é outro metal bastante empregado na engenharia elétrica. Encontrado na
natureza em forma de bauxita (50 % Al203) é abundante no Brasil, o que não ocorre com o cobre.
Alguns metais tem importância em aplicações específicas, como é o caso do níquel na construção de
baterias. Constitui fator de desenvolvimento de uma nação saber utilizar os recursos de que dispõe
21
dominando todo o ciclo tecnológico para a fabricação de produtos. O conhecimento dos fundamentos
da física desses materiais fornece ao engenheiro capacidade para tomar decisões quanto à definição de
projetos de engenharia, ao planejamento de processos de manutenção e à escolha, tanto econômica
quanto técnica, de suas aplicações tecnológicas.

Considerando-se a resistividade elétrica os materiais podem ser classificados em condutores,

semicondutores e isolantes, de acordo com a tabela abaixo.

CLASSE DE MATERIAIS ρ (Ωm) TIPODE CONDUÇÃO

-8 ___ -5
Condutor 10 10 por elétrons
-6 ___
Semicondutor 10 108 por elétrons (n e p)
Isolante 107___ 1016 por elétrons e íons

A diferença estrutural entre os materiais é uma das principais razões de seu comportamento
diverso, razão pela qual é necessário estudar a própria estrutura molecular do material e suas
características de ionização e excitação. A circulação de corrente elétrica é notada em materiais sólidos
e nos líquidos, e sob condições favoráveis, também nos gasosos. A maior parte dos materiais
condutores no estado sólido são os metais e ligas. No grupo dos líquidos, temos os eletrólitos, os
metais em estado de fusão e o mercúrio, único metal que à temperatura ambiente se encontra no estado
líquido. O mercúrio solidifica-se a –39ºC. Os gasosos tornam-se condutores quando submetidos a
campos muito intensos, ocorrendo ionização. A corrente elétrica nos gases é um deslocamento de
cargas (elétrons e íons) que se realiza em virtude da aplicação de energia externa, fazendo com que as
partículas elementares que compõem o átomo elevem seu nível de energia. Neste capítulo o estudo dos
condutores elétricos será focalizado especialmente nos sólidos. Iniciamos esse estudo com o conceito
de condutividade elétrica.

2 Condutividade elétrica dos metais

Os metais e ligas, conforme vimos no capítulo 1, caracterizam-se por apresentar uma estrutura
cristalina. Não obstante algumas ligas, dependendo de seu processo de produção, podem ter estrutura
amorfa o que lhes confere o nome de ‘vidros metálicos’. Na formação dos cristais, os átomos
individuais respeitam entre si determinados afastamentos evitando, assim, que se choquem. A
representação gráfica para os metais, indicando apenas os núcleos de seus átomos, pode ser uma
estrutura cristalina tridimensional. Na maior parte dos casos a célula unitária tem o formato de cubo
havendo casos de disposições hexagonais. O afastamento entre os átomos é da ordem de 10-8 cm. Os
átomos não permanecem parados, mas apresentam um movimento vibratório. Essa vibração está
associada a um equilíbrio de forças de atração e repulsão dando origem a uma situação designada
coesão. Se a temperatura for elevada, a amplitude aumentará até que os átomos rompam seu percurso
normal de vibração, fazendo com que a energia cinética supere a ação da força de coesão e o metal
passará para o estado líquido. Por isso, de um modo geral, os metais mais duros e resistentes
mecanicamente, com elevada coesão entre seus núcleos, são também metais cujo ponto de fusão é
mais elevado. Nos metais a estrutura cristalina resulta da ligação metálica, na qual os átomos
compartilham seus elétrons de valência. Na ligação metálica, devido à liberação dos elétrons de
valência, os átomos da estrutura tornam-se eletropositivos. Resultam nesta ligação, elétrons livres que
preenchem os espaços entre os átomos formando uma nuvem eletrônica que por sua vez exerce força
de atração entre os átomos eletropositivos.

A condutividade elétrica dos metais é realizada pelos elétrons livres da banda de valência. A
teoria eletrônica clássica considera o condutor sólido como um sistema formado por uma rede
22
cristalina (núcleo do átomo mais elétrons internos) sendo uma média de 1 a 2 elétrons livres para cada
átomo do metal. O elétron livre desloca-se nessa estrutura sofrendo colisões, conforme Fig. 1.

_ +

Fig. 1 – Deslocamento do elétron livre na rede cristalina metálica indicada pelas setas

O movimento destes elétrons chocando-se contra a rede cristalina, sob ação do campo externo,
resulta em perda de energia de deslocamento e consequentemente no aquecimento do metal. A
quantidade de energia perdida pela nuvem de elétrons por unidade de tempo (W) é dado por:

W = σ E2

onde: σ é a condutividade elétrica do material, cuja unidade é Simens/m ou 1/ (Ωm) e E é campo

elétrico aplicado

Quando o metal é submetido a um campo elétrico, o movimento dos elétrons livres são
orientados de forma a constituir uma corrente elétrica. A existência do elétron livre é uma hipótese que
pode ser verificada por alguns tipos de argumentos, conforme descrito a seguir:

- se durante um grande período passa uma corrente elétrica de um metal para o outro, não
observa-e que os átomos de um metal penetram uns nos outros;

- em altas temperaturas, os elétrons livres aumentam a velocidade e chegam a desprender-se

do metal, vencendo a força da barreira de potencial superficial;

- se um condutor move rapidamente e pára instantaneamente, os elétrons livres, devido à

inércia, tendem a continuar movendo-se; e se colocarmos um instrumento medidor nos
extremos deste condutor, este indicará uma d.d.p. no instante da parada.

O campo elétrico E atua sobre o elétron de carga q com uma força F, que tende acelerá-lo:

F = qE

Considerando a massa do elétron igual a m, temos:

F = ma

Igualando as duas equações acima, resulta:

ma = qE

qE
a=
m

23
 O elétron sob ação dessa força não é acelerado indefinidamente, pois irá perder energia devido
a colisões com impurezas, imperfeições estruturais da rede e fónons (quanta de energia térmica sob
forma de onda). Essas colisões ocorrem em um tempo de relaxação, indicado pela letra τ. Ver Fig. 2.
Portanto, sendo a velocidade média do elétron igual a vm, a aceleração pode ser dada por:

vm
a=
τ

qEτ
v m = aτ =
m

pontos de colisões do elétron na rede cristalina

0 2τ 4τ

Fig. 2 – Velocidade do elétron no metal (τ: tempo de relaxação)

A densidade de corrente J em um material é dada por:

J = nqv m
ou ainda:

nq 2 Eτ
J=
m
em que n é o número de elétrons livres por unidade de volume.

Quando circula corrente em um condutor sólido geralmente a densidade de corrente é

proporcional ao campo elétrico aplicado, isto é:

JαE
O fator de proporcionalidade é a condutividade elétrica do material (σ) que refere-
se à facilidade de condução de corrente elétrica de um material. Temos portanto:

J=σE

Igualando-se as equações de densidade de corrente acima, obtemos:

nq2τ
σ = -------
m

24
 Conclui-se, portanto, que a condutividade elétrica é função do número de elétrons livres por
unidade de volume sendo que este número é maior nos metais e varia de metal para metal. A equação
demonstra ainda que a condutividade é função do tempo de relaxação que, por sua vez, depende da
temperatura, das impurezas e imperfeições do metal.

A densidade de corrente em um condutor é:

I
J=
A
A resistência de fio metálico de comprimento L e seção A (unidade em Ω) é:

L
R = ρ ----
A

onde ρ = 1 / σ, é a resistividade do material (Ωm).

Portanto a resistência R de um material é função de sua configuração geométrica (L/A) e depende da

natureza e condições intermoleculares do material (ρ ). O efeito das impurezas e da temperatura na
condutividade dos metais é objeto de estudo dos próximos tópicos.

3 Regra de Matthiessen e equação de Nordhein

O estudo da condutividade elétrica dos metais nos permite concluir que a condutividade é
função do número de elétrons livres e do tempo de relaxação. Esse tempo tem uma relação com o
número de colisões que o elétron sofre ao deslocar-se na estrutura do material. As colisões, por sua
vez, ocorrem em função da vibração térmica e dos defeitos estruturais, das impurezas e bolhas no
material. Assim, a resistividade do metal pode ser expressa em função de dois parâmetros
denominados resistividade térmica (ρT) e resistividade residual (ρR), resultando na equação de
Matthiessen:

ρ = ρT + ρR

A ρT é maior quanto mais alta a temperatura do metal. A ρR é devida às impurezas, ranhuras

internas e outras imperfeições estruturais. Nos materiais, mesmo a 0 K , quando temos ρT = 0, existe a
parcela ρR.

Uma forma de determinar a pureza e perfeição de um material condutor é medindo a razão de

sua resistividade a 25ºC (298K) e à temperatura de 4,2K (temperatura do hélio líquido):

K = ρ( 298 K ) / ρ( 4 ,2 K )
Considerando ρT ≅ 0 na temperatura de 4,2 K, resulta ρ = ρR . Portanto para esta
temperatura temos:

ρ
K≅
ρR
Assim, quanto mais puro o metal, menor o valor de ρR, consequentemente maior o valor de K.
Para metais puríssimos temos K = 100.000. Para materiais comerciais K pode chegar a 100.

25
Como vimos, a adição de impurezas aumenta a resistividade residual do material. A
variação de ρR em função da adição de impurezas, indicado na Fig. 3, é dado por:

ρR = Ax ( 1 − X )

Essa expressão é denominada de equação de Nordheim,

onde: Ax é a constante de Nordheim para um dado metal base com uma impureza específica;

X é a concentração da impureza no metal base.

Para soluções diluídas, x<<1, temos:

ρR = Ax

ρR A x(1-x)

Fig. 3 – resistividade residual em função da concentração de impurezas

Para valores muito pequenos de x, a relação entre a resistividade residual e a concentração de

impurezas no metal é uma relação linear. A fig. 4 mostra a variação da resistividade elétrica do cobre a
20ºC em função da percentagem de impurezas de Fe, Mn e Ag. Como vemos para cada tipo de
impureza haverá uma declividade característica da curva. A resistividade de 1,7 x 10-8 representa a
resistividade do cobre puro na temperatura de 293K.

ρ (x10-8) Ω.m Fe

2,5 Mn

Ag

1,7

0 0,05 0,10 0,15 0,20 % impureza por massa

Fig. 4 – Resistividade do cobre em função da percentagem de impureza (Fe, Mn e Ag

26
4 Coeficiente de Temperatura

Como vimos, a resistividade elétrica de um metal varia com a percentagem e

com o tipo de impureza existente no mesmo. Outro fator que influencia na variação da
resistividade elétrica do metal é a temperatura do mesmo. A variação da resistividade
elétrica do metal em função da temperatura é indicada pela curva da fig. 5. Trata-se de uma reta de
inclinação ∆T / ∆ρ , cuja expressão matemática é:

ρ = ρ0 ( 1 + α 0T )
onde ρ é a resistividade elétrica do metal na temperatura T
ρ0 é a resistividade a 0º C
α0 é um coeficiente relacionado à temperatura de 0º

região de supercondutividade

-273oC (Zero K) 0 Temperatura

Fig. 5 – Curva de variação da resistividade elétrica em função da temperatura para metais

A variação da resistividade de um metal (ou liga metálica) com a temperatura, (T – T1) pode ser
calculada pela equação:

ρ = ρ1 [1 + α1 ( T − T1 )]

α1 é o coeficiente de temperatura relacionado à temperatura T1 e ρ1 refere-se à

temperatura T1.

Normalmente a temperatura T1 é tomada como T1=20ºC. Neste caso α1=α20.

A tabela 1 indica os valores característicos de α e ρ para os valores de metais referidos à

temperatura de 20ºC. A coluna Tf refere-se ao ponto de fusão dos metais sob pressão normal.

De uma forma geral os materiais podem apresentar coeficiente positivo de temperatura (CPT
ou PTC) ou coeficiente negativo de temperatura (CNT ou NTC). PTC constituem o grupo dos
materiais condutores (metais e ligas) e NTC referem-se aos materiais semicondutores e isolantes. A
Fig. 6 indica a curva da resistividade com a temperatura para esses grupos.

27
 ρ NTC ρ PTC

T T

Fig. 6 – Variação da resistividade com a temperatura para materiais: NTC e PTC

TABELA 1 – PROPRIEDADE DOS METAIS

METAL ρ (Ωm) X 108 TF ( ºC ) α X (10-4) (K-1)

Mercúrio Hg 95.8 -39 9

Sódio Na 4.6 97.7 50

Índio In 9.6 156 47

Estanho Sn 12.0 232 44

Cádmio Cd 7.6 321 42

Chumbo Pb 21.0 327 37

Zinco Zn 5.9 420 40

Magnésio Mg 4.5 651 42

Alumínio Al 2.8 657 42

Prata Ag 1.6 961 40

Ouro Au 2.4 1063 38

Cobre Cu 1.7 1083 43

Berílio Be 4.0 1284 60

Níquel Ni 7.3 1455 65

Cobalto Co 6.2 1490 60

Ferro Fe 9.8 1535 60

Platina Pt 10.5 1773 39

Zirconio Zr 41.0 1860 45

Nióbio Nb 18.0 2415 30

Tungstênio W 5.5 3380 46

28
 Deve-se observar que o valor de αT depende da escolha inicial da temperatura de
referência. Metais puros possuem uma estrutura cristalina perfeita, o que reduz sua resistividade. As
impurezas, mesmo em quantidades mínimas, alteram a perfeição da estrutura,
elevando consequentemente a resistividade do material. Pode-se referir a um material
indicando sua resistividade em função do padrão internacional.

Assim para o cobre duro comercial 97% 0 20ºC sua característica será:

ρ100
ρ97 =
0.97

onde ρ100 é resistividade padrão do cobre a 20ºC.

O coeficiente de temperatura para o cobre é:

Α 20/97 = αp . 0,97

sendo αp o coeficiente de temperatura padrão do cobre a 20ºC.

5 Nível de Fermi nos metais

No capítulo 1 apresentamos o diagrama de bandas de energia nos metais, destacando os níveis

de maior energia que representam as bandas de valência e de condução. Na banda de condução estão
os elétrons livres. Pergunta-se agora, que fatores interferem na concentração de elétrons livres
existentes na banda de condução e como podem ser determinados? A determinação do número de
elétrons livres consiste em um estudo probabilístico, definido pela função de probabilidade de Fermi-
Dirac e apresenta uma relação de dependência com a temperatura.

No prisma da física quântica os elétrons nos materiais são distribuídos em níveis crescentes de
energia e atendem ao princípio da exclusão de Pauli segundo o qual “não mais que dois elétrons de
spins opostos podem ocupar o mesmo orbital energético”. Os elétrons de maior energia são os elétrons
que estão na banda de valência. Partindo, portanto, do diagrama de bandas de energia para os metais,
podemos considerar que:

- a zero K, a energia máxima que os elétrons podem apresentar corresponde ao Nível de Fermi (NF);
portanto, a zero K todos os elétrons estão abaixo do NF;
- os elétrons livres em um metal não estão sujeitos a quaisquer forças desde que não haja nenhum
campo no metal;
- para temperatura acima de zero K, alguns elétrons passam acima do NF;
- para que um elétron salte para fora da superfície do metal deverá adquirir uma energia mínima acima
da energia de Fermi, indicada por EW.
Os postulados acima podem ser representados na Fig. 7.

29
 (a) (b) (c)
Figura 7a – indica que à medida que distanciamos do núcleo aumentam o número de elétrons livres
com energia próximo de EB.

Figura 7b - indica a densidade de elétrons com energia acima de EF para temperatura de 2500oK e
inclusive a densidade de elétrons que podem escapar para T > 2500oK.

Figura 7c – diagrama indicando o N.F. e a distribuição de energia a 2500oK.

A densidade de elétrons livres com energia E num metal é:

d nE
ρ E =
dE
onde dnE = número de elétrons livres/m3

dE = intervalo de energia ∆E que estes elétrons livres possuem.

Podemos ainda expressar ρE por :

ρ(E) = f(E) N(E)

onde f(E) = probabilidade de ter um estado quântico com energia E, ocupado por 1 elétron.

N(E) = número de estados / eV . m3.

A 0 K temos:
- a probabilidade de encontrar elétrons com energia En < EF é f(E) = 1, ou seja, a 0K todos os elétrons
estão abaixo no NF.
- a probabilidade de encontrar elétrons com energia En > EF é f(E) = 0, ou seja, a 0K nenhum elétron
está acima do NF
A expressão para f(E) é a função probabilidade de Fermi-Dirac.

1
f (E) =
e (E - E F ) / KT
+1

onde KT = energia térmica do elétron.

30
Para E = EF, i.e., se quisermos saber a probabilidade de encontrar elétrons com energia E=EF (qualquer
que seja T) temos:

1 1
f (E) = =
e +1 2
0

Assim, analisando a expressão de f(E), temos:

1
f (E) = ∆E/0
=1
e +1
Para T = 0K e E < EF [∆E negativo]

1
f (E) = ∆E/0
=0
e +1
Para T = 0K e E > EF [∆E positivo]

A Fig. 8 indica o gráfico de E em função de f(E) nas temperaturas 0K e 2500K.

Fig. 8 – Nível de Fermi nos metais a 0oK e a 2500oK.

A 2500K a probabilidade de encontrar elétrons com energia E = E1 (com < EF) é 0,75;

para E = E2 (com > EF) a probabilidade é 0,25.

A probabilidade de encontrar elétrons com energia E = EF é 0,5 para qualquer T.

A 0K é impossível para um elétron escapar da superfície do metal, pois precisaríamos de no

mínimo Energia = EB. O máximo de energia que temos a 0K é EF. A quantidade de energia acima de
EF que devemos fornecer ao elétron para que ele escape da superfície do metal é:

Ew = EB - EF

Ew é denominada função trabalho do metal

31
A corrente termoiônica resultante dos elétrons que podem ultrapassar a superfície do metal (com
E>EB) é dada por:

I TERMOIÔNICA = SAT2 e-Ew /KT)

onde S = área do metal e A = constante (A/m2 . K2)

A corrente termoiônica ocorre sempre que uma superfície metálica sob campo elétrico intenso é
aquecida. Esse tema pode ser importante no efeito do arco voltaico que ocorre na abertura e
fechamento dos contatos a vácuo como é o caso dos disjutores e contatores a vácuo.

6 Efeito termelétrico nos metais

O efeito termelétrico que trataremos nesse tópico é denominado Efeito Seebeck. Considere a
Fig.8 em que uma barra metálica apresenta uma extremidade quente e a outra extremidade fria. Os
elétrons na extremidade quente ganham energia passando acima do Nível de Fermi e, como
conseqüência, difundem-se para a extremidade fria. Dessa forma, o lado quente fica positivo em
relação ao lado frio. É possível medir uma ddp ao longo da barra, desde que sejam usados materiais
diferentes entre a barra e o medidor. A ddp é função da diferença de temperatura entre as extremidades
da barra, não importando como esta se distribui ao longo da barra.

QUENTE FRIA

+ - V1

E V

V
V2

Fig.8 Efeito Seebeck e o circuito equivalente

A tensão induzida pode ser medida por um voltímetro conectado nas extremidades quente/fria
da barra. Os condutores que fazem a ligação da barra ao voltímetro também estão sujeitos à
temperatura quente e fria. Dessa forma, surgem também nesses condutores a ddp com polaridades
positiva (no lado quente) e negativa (no lado frio). O modelo equivalente do efeito pode ser indicado
por duas fontes cc, com valores V1 e V2. Observe que, se o material do fio de conexão for o mesmo
da barra, teremos V1 = V2. Neste caso a leitura no voltímetro será zero e o efeito não será medido.
Para que o efeito possa ser medido no voltímetro, o material do fio de conexão deve ser diferente do
material da barra. Assim, V1 será diferente de V2 e o voltímetro indicará a diferença dessa leitura.
Essa variação da tensão com a diferença de temperatura define a potência termelétrica da junção:

ST = dV / dT

A tensão induzida termicamente é denominada de Potencial de Seebeck.

O Efeito Seebeck pode ser aplicado na medição de temperatura utilizando-se o par termelétrico. O par
termelétrico consiste de uma junção de dois metais diferentes em que uma extremidade é mantida
numa temperatura a ser medida (geralmente a junção quente) e a outra em outra temperatura (que pode
32
ser a temperatura ambiente). Nessa região utiliza-se um voltímetro para indicar a tensão induzida.
Mediante o potencial de Seebeck pode-se obter a temperatura no ponto de medição. Um dos pares
termelétricos mais usados é o ferro-constantan. A Fig 9 apresenta a força eletromotriz (fem) térmica
do par ferro-constantan. É fácil obter informações sobre outros pares comercialmente usados.

V
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0
0 400 800 1200 K

Fig.9 Fem térmica em função da diferença de temperatura na junção termopar Fe-constantan

7 Metais e ligas metálicas

Os metais podem ser classificados em quatro categorias:

1. Alcalino: lítio, sódio, potássio;

2. Nobres: ouro, cobre, prata, platina;
3. Bivalentes: berílio, estrôncio, cálcio, bário;
4. de Trânsito: ferro, níquel, cobalto, tungstênio.

Neste tópico vamos dar ênfase às características e aplicações do cobre, do alumínio e de algumas ligas
metálicas empregadas na engenahria.

Quanto à estrutura cristalina os metais podem ser:

1- Cúbica de corpo central (ccc)

2- Cúbica de face central (cfc)
3- Hexagonal fechada

Conforme estudamos no capítulo 1 uma das propriedades importantes dos metais é a anisotropia
cristalina. A estrutura cristalina, no entanto, pode apresentar defeitos técnicos durante o processo de
solidificação, o que nem sempre possibilita a propriedade anisotrópica. No processo de solidificação
de um metal podem surgir defeitos técnicos na estrutura do mesmo entre os quais se destacam:
- bolhas e poros: durante a fusão os metais absorvem gases como oxigênio, nitrogênio, gás
carbônico e outros. No processo de solidificação esses gases podem se separar novamente dos
metais ou ser absorvidos pelos mesmos.
- fissuras: um resfriamento rápido ou a presença de materiais que não se combinam com o metal
leva a formação de fissuras, devido ao processo de contração metálica durante o resfriamento.
- impurezas: a presença de impurezas depende do ambiente e do processo de resfriamento do metal
e apresentam grande influência nas características elétrica e mecânica dos metais.

Nos itens seguintes vamos destacar algumas características de dois metais amplamente usados como
condutores elétricos na engenharia: o cobre e o alumínio.

33
 COBRE

Entre os metais condutores, o cobre apresenta as seguintes vantagens:

pequena resistividade com valor superior apenas ao da prata que possui elevado preço dificultando
seu uso;

características mecânicas favoráveis á fabricação e utilização de fios e cabos;

baixa oxidação para a maioria das aplicações, sendo que esta oxidação é bastante rápida quando o
metal sofre elevação de temperatura;

fácil deformação a frio e a quente o que possibilita obter fios de milímetros de diâmetro.
A pureza no cobre aplicado na fabricação de condutores é em torno de 99,9%. A presença
de impurezas dificulta a mobilidade dos elétrons. O cobre resiste bem à ação de água, sulfatos e
carbonatos sendo corrosível pelo oxigênio do ar em presença de ácidos e sais de amoníaco. Em
presença de ar, a uma temperatura acima de 120ºC o cobre oxida, formando uma camada escura e
de elevada resistividade.
Na natureza o cobre é encontrado em minérios como CuFeS2 e Cu2S, em que a
percentagem de cobre varia de 0,5 a 3,5%. Com o tratamento do minério obtém-se o cobre
eletrolítico, com 99,9% de pureza. Este processo consiste em uma cuba eletrolítica com sulfato de
cobre e ácido sulfúrico de forma em que em seus eletrodos haja a deposição do cobre. Uma vez
obtido, o cobre com este grau de pureza é transformado em lingotes. De acordo com o tipo de
tratamento pode-se obter três tipos de cobre:

Cobre duro: resultante de tratamento mecânico a frio (laminação), apresenta maior resistividade
elétrica e maior resistência à tração, sendo usado em fios que ficam sob a ação de esforços de
tração, barramentos, barras de aterramento, etc;

Cobre semiduro: obtido pelo recozimento parcial do cobre duro, que consiste no aquecimento do
material seguido de resfriamento lento;

Cobre mole: resultante de recozimento, é utilizado em fios para enrolamentos, condutores
isolados, etc, e apresentam menor resistividade elétrica e menor resistência à tração.

De uma forma geral, a fabricação de fios de cobre passa pelas seguintes etapas:

1. Refino eletrolítico – obtêm-se o cobre por tratamento eletrolítico com 99,9% de pureza e 100% de
condutibilidade elétrica, segundo normas internacionais.
2. Laminação – neste processo obtém-se os vergalhões utilizando-se um laminador e submetidos a
controles dimensionais, mecânicos e elétricos.
3. Recozimento – utilizado quando pretende-se obter o cobre semiduro ou cobre mole.
4. Decapagem – consiste na eliminação dos óxidos superficiais inerentes ao processo de laminação
sendo que a superfície externa é posteriormente tratada para evitar nova oxidação.
5. Trefilação – após a decapagem, os vergalhões de cobre estão em condições de serem trefilados, o
que envolve diversas etapas, nas quais o fio é puxado através de fieiras adequadas, dispostas em
sequências apropriadas, até alcançar o diâmetro final desejado.
Em muitos casos o cobre não pode ser usado na forma pura empregando-se então, ligas de
cobre conforme veremos adiante.

ALUMÍNIO

O alumínio é um metal amplamente usado em eletricidade, principalmente por motivos

econômicos, podendo ser aplicado em substituição ao cobre, apesar de sua fragilidade mecânica e
rápida oxidação. Os principais minérios são a bauxita (Al2O3-H2O) e de hidróxido de alumínio (Al-O-
(OH)), frequentemente misturado com impurezas. O alumínio mais puro é usado nas folhas e eletrodos
de capacitores, por exemplo, com 99,95% de pureza. Tomando por base o padrão internacional do
cobre recozido (IACS), obtemos a comparação das características físicas entre o cobre e o alumínio,
conforme a Tabela 2.

34
 TABELA 2 – Al, Cu, padrão IACS
CARACTERÍSTICA FÍSICA Al (DURO) Cu (DURO) PADRÃO
(IACS)
Condutividade mínima percentual a 61 97 100
20ºC
Densidade a 20ºC (g/cm3) 2.7 8.89 8.89
Resistividade máxima a 20ºC 0.0282 0.0177 0.0172
Calor específico (cal/gºC) 0.214 0.092 0.092
Condutividade térmica (cal/cm3 s ºC) 0.48 0.93 0.93
Coeficiente de dilatação linear (ºC) 23x10-6 17x10-6 17x10-6

O alumínio oxida-se rapidamente formando uma película de óxido de grande

resistividade elétrica. Isso evita a ampliação da corrosão, mas em contrapartida, dificulta a
condutividade nas regiões de emendas e conexões. Cuidados especiais devem ser tomados nas
emendas de cobre e alumínio. Em relação ao cobre, o alumínio apresenta menor condutividade térmica
o que acarreta sobreaquecimento em caso de soldagem. Por outro lado, para uma mesma bitola, o fio
de cobre é aproximadamente duas vezes mais pesado que o de alumínio, o que é um dado importante
na construção de torres de linha de transmissão. Para a aplicação de cabos isolados de alumínio, o
aumento da seção transversal implica em maior gasto de material isolante. A resistência mecânica do
alumínio é muito inferior à do cobre, sendo conveniente o uso de cabo de Al com têmpera meio dura.
Em função da baixa resistência à tração, os cabos de alumínio são reforçados com cabos de aço,
denominados por ACSR. O seu emprego como conector requer adição de elementos no sentido de
aumentar a resistência mecânica.
Nas linhas de transmissão em alta tensão, o aumento do diâmetro do condutor de alumínio
(ACSR) apresenta vantagens com relação a dois fenômenos: o Efeito Corona e o Efeito Pelicular. No
tópico seguinte vamos fazer uma análise desses dois fenômenos.

LIGAS METÁLICAS

As ligas constituem-se na mistura de dois ou mais metais que se ligam estruturalmente

no estado de fusão. Destacamos dois tipos de ligas dos metais:
1 - Ligas com formação eutética
Representadas por dois metais, que, no estado de fusão, misturam-se entre si
formando uma liga plena, mas que ao solidificarem separam-se novamente. Temos como exemplo a
liga chumbo-antimônio (Pb-Sb).
2 - Ligas com estruturas cristalinas mistas
Este tipo de liga ocorre quando dois metais são perfeitamente combináveis tanto no
estado sólido quanto no líquido. Os átomos diferentes participam na construção da estrutura cristalina.
Um cristal misto não deve ser entendido como uma ligação química. Exemplo: liga cobre-níquel (Cu-
Ni).

Entre os vários tipos de ligas metálicas destacamos as seguintes:

1 - Contantan – liga Cu-Ni, caracteriza-se pela não variação da resistividade ao variar a temperatura;
emprega-se na fabricação de reostatos e dispositivos de controle que precisam funcionar a temperatura
de até aproximadamente 400ºC_ρ20 = 0,50Ω.mm2/m ;
2 - Manganina – liga Cu-Mn empregada para fabricação de resistores de precisão para fins de
medição, devido a sua elevada capacidade térmica ρ20 = 0.34Ω.mm2/m; também recomendadas para
temperaturas de até 400ºC.
3 - Niquelina – liga Cu-Ni-Mn usada como matéria prima para dispositivos de partida, em que uma
baixa resistência é suficiente e onde a resistividade não precisa se manter constante com a variação da
temperatura.
4 - Kanthal - liga Cr-Al-Fe apresenta baixo coeficiente de resistividade e um elevado ponto de fusão
podendo, portanto, funcionar em temperaturas elevadas; são aplicadas principalmente em aquecimento
elétrico.

35
5 - Duralumínio – liga Cu-Mg-Al que pode ser aplicada em fio, cabos, tubos e barras condutoras é
também utilizada na confecção de dissipadores térmicos.
6 - Latão – liga Cu-Zn, de condutividade relativamente baixa, resistente à corrosão, empregada em
barramentos, bornes e conexões em equipamentos elétricos. Um dos problemas de emprego desta liga
é a tendência à formação de rachaduras (Season Cracking) efeito este que é mais acentuado quanto
maior for a quantidade de zinco empregado. O alívio das tensões internas de forma a diminuir estes
efeito é obtido submetendo-se o material ao recozimento.
7 - Bronze – liga Cu-Sn, de boa condutividade elétrica e elevada resistência à corrosão e à fadiga.
Outros dados referentes às ligas bronze e latão são referidos na tabela 5.

8 Efeito Corona

Um condutor sob ação de um campo elétrico apresenta linhas de campo radialmente

distribuídas conforme indicado na Fig. 10. Próximo à superfície do condutor as linha de campo
elétrico estão muito próximas entre si. Esta situação de alta densidade de campo provoca, dependendo
da tensão aplicada, uma ionização e excitação das moléculas do ar em torno do condutor denominado
de Efeito Corona. Esse efeito é mais intenso quanto maior for a concentração das linhas de campo.
Essa concentração de linhas de campo, por sua vez, é maior quando o condutor tem pequeno diâmetro
ou quando há rugosidades e pontas na superfície do mesmo. Esse dado explica uma das vantagens do
uso do cabo ACSR nas redes de alta tensão, pois o cabo ACSR apresenta um diâmetro maior que um
cabo equivalente (em termos de condutância) de cobre. Ao apresentar um maior diâmetro as linhas de
força do campo elétrico ficam mais distantes entre si na superfície do cabo.

Fig. 10 Linhas de força de campo elétrico radiais ao condutor

O efeito corona é mais significativo na tensão alternada senoidal, quando a tensão atinge o valor de
pico da senoide. O termo ‘corona’ é devido à formação de uma ‘coroa’ em torno do condutor. O
resultado é a produção de radiações eletromagnéticas. Inicialmente observa-se um ruído audível,
quando a tensão passa pelo valor de pico. Se o campo elétrico for mais intenso, pode chegar à
produção de radiação ultravioleta e mesmo à produção de arco voltaico entre as fases ou fase-terra. As
normas estabelecem limites máximos para o efeito corona, uma vez que uma rede elétrica poderá gerar
radiações da ordem de radiofreqüências causando radiointerferências nos equipamentos elétricos, além
de representar perdas elétricas na rede. O Efeito Corona representa também perdas no sistema elétrico.

9 Efeito Pelicular

O efeito pelicular relaciona-se à distribuição da corrente no interior de um condutor sob

corrente alternada. Um condutor homogêneo sob corrente contínua tem uma distribuição uniforme da
corrente na seção transversal do condutor. Se o mesmo condutor estiver submetido à corrente
alternada, o fluxo concatenado com um filamento central no condutor será maior que num filamento
na periferia desse condutor. O fluxo concatenado corresponde às linhas do campo magnético que
envolvem os filamentos de corrente, conforme mostrado na Fig. 11. Como o fluxo magnético é
variável, surge uma tensão induzida dada pela Lei de Faraday [e = N dφ/dt] no condutor. O fluxo
interno existente no interior do condutor contribui para a tensão induzida no mesmo. Quanto maior o
número de linhas de fluxo, maior o efeito da força contra-eletromotriz sobre a corrente, produzindo
uma redução da corrente nesse filamento. Portanto, a densidade de corrente será menor no filamento
central do condutor (com mais fluxo concatenado) que na periferia do mesmo, onde o fluxo
concatenado é menor.

36
 Fig.11 Linhas de fluxo concatenado no filamento central do condutor maior que no filamento
perifèrico

Como conseqüência a corrente fica com menor densidade no centro do condutor metálico que
na periferia. A tendência da corrente é circular na periferia (película) do condutor. No cabo ACSR o
centro sendo de aço terá menor corrente que a parte externa que é de alumínio, o que constitui uma
solução para a resistividade do condutor. Observa-se ainda que o efeito pelicular é proporcional à
freqüência da rede (observe a Lei de Faraday). Esse efeito tem também importância fundamental nas
redes de alta freqüência, tal como nas linhas de comunicação.

10 Aplicações na engenharia

LIGAS FUSÍVEIS

Os elementos mais utilizados em ligas fusíveis são o chumbo, o estanho, o bismuto e o

cádmio. O fusível é um dispositivo usado para proteção de circuito contra sobrecorrentes, mediante a
fusão do elemento fusível devido ao Efeito Joule [P = Ri2]. Em função do tipo de liga temos o ponto
de fusão determinado conforme indica a Tabela 3.

TABELA 3 – PONTO DE FUSÃO DE LIGAS FUSÍVEIS

LIGA PONTO DE FUSÃO
67% Pb – 33% Sn 200
38% Pb – 62% Sn 183
50% Pb – 50 % Bi 160
32% Pb – 50% Sn – 18% Cd 145
27% Pb – 13%Sn – 50%Bi – 10% Cd 72

A corrente necessária à fusão de um fio é função de seu diâmetro e pode ser dado pela
fórmula de Preece;
I = Ad3/2
Onde: I é a corrente com a qual o fio funde
A é a constante que é função do tipo de material
d é o diâmetro do fio

Vemos que a característica de fusão de uma liga fusível é função do tipo de liga tal como sua
emissividade térmica e geometria do material. A Tabela 4 fornece o valor de A (da fórmula de Preece)
para alguns metais e ligas.

TABELA 4 – Valor de ‘A’ para metais e ligas sendo d em mm e I em Ampères

METAL OU LIGA A
Cobre 80.0
Alumínio 59.3
Constantan 44.4
Estanho 12.83
Chumbo 10.77
67% Pb – 33% Sn 10.30

37
 BIMETAL

Usa-se a denominação bimetal para dois metais diferentes unidos entre si, de forma que, em
função das propriedades de cada metal possamos obter um comportamento do conjunto que venha
atender a certas aplicações em engenharia. Vamos citar em especial o bimetal ‘tipo copperweld’ e o
bimetal térmico.
a) Bimetal tipo copperweld
Em certos casos, para economizar o uso de metais não ferrosos e melhorar as
propriedades mecânicas dos condutores, emprega-se o chamado bimetal copperweld que consiste de
um fio de aço recoberto por uma camada de cobre. Com esta disposição obtêm-se maior condutividade
em corrente alternada, proteção do aço contra corrosão e aumento da resistência mecânica. Emprega-
se em linhas de transporte de energia e em hastes de aterramento. Podem ser aplicadas também em
chaves fusíveis para distribuição em função do seu efeito de mola.
b) Bimetal Térmico
Consiste na união de duas lâminas metálicas que apresenta valores de coeficientes de
dilatação térmica diferentes entre si. Este conjunto quando aquecido sofre um processo de deflexão,
uma vez que uma das lâminas irá dilatar linearmente mais que a outra. O bimetal térmico é utilizado
principalmente em relés térmicos bimetálicos e nos disjuntores térmicos para proteção de circuitos
contra sobrecorrentes.

CONDUTORES NÃO-METÁLICOS

Existem outros meios condutores que não são metálicos tais como as soluções iônicas
eletrolíticas (exemplo: solução NaCl) e a grafita. Um eletrólito pode ser usado, por exemplo, como um
resistor variável, mediante a variação do nível de eletrólito numa cuba. A grafita é uma forma
alotrópica do carbono, formado de lâminas hexagonais e pode ser usada como eletrodos e em
‘escovas’ para contatos elétricos móveis. A grafita usada como eletrodo de carbono possui coeficiente
de temperatura negativo i.e., a resistividade elétrica varia inversamente proporcional à variação da
temperatura, o que é uma vantagem nos contatos móveis que naturalmente sofrem aquecimento. Alem
desta vantagem a grafita pode ser usada como um lubrificante das partes móveis ao realizar contato
com um anel de cobre. A grafita é uma modificação do carbono puro, possui estrutura laminar e
anisotropia elétrica e mecânica.

CONTATOS METÁLICOS

Uma das grandes utilizações dos metais em equipamentos elétricos consiste em suas
aplicações como peças metálicas para contato. Os contatos podem estar sujeitos a efeitos físicos –
resistividade do material, capacidade térmica, transferência de elétrons, arcos voltaicos – e a efeitos
químicos – oxidação e gases corrosivos.
Ao estabelecer contato entre duas partes metálicas há uma distinção ente a superfície
real e a superfície aparente. Quando um contato móvel fecha-se sobre um contato fixo, a área de uma
peça que realmente mantém contato com a outra não corresponde à área geométrica (AG) dos
contatos. Na realidade a área de contato, que chamamos de área mecânica (AM) é muito menor que a
área geométrica (Fig. 12).

Área geométrica Área mecânica

Fig. 12 Pontos de contatos e a distinção entre AM e AG

38
 A corrente, entretanto, circula apenas através da área elétrica (AE) que é menor que a
mecânica, pois esses pontos de contato podem estar recobertos por óxidos semicondutores. Portanto:
AG > AM
AM > AE
Entretanto a área de contato é função da pressão aplicada e da dureza do material.
Assim,

P
A=
H

Onde A é a área, P é a pressão e H é a dureza do material. Esses fatores são considerados nos
processos de fabricação dos contatos usados nos dispositivos elétricos.
Normalmente um contato elétrico é construído usando-se um metal base (geralmente o cobre)
revestido por um metal ou liga metálica que não sofre aumento significativo da resistividade elétrica
por influência da temperatura e oxidação. O revestimento pode ser uma fina camada de prata (Ag) ou
compostos como AgNi, AgCd, AgCdO (Fig. 13).

Revestimento de Ag (0,1 mm)

Metal base (Cu)

Fig. 13 Contato metálico com revestimento de Ag

Outro fator importante a ser observado nos contatos elétricos consiste na conexão de metais
diferentes, como é o caso de conexão de cobre e alumínio. Nesse caso os materiais que apresentam
potenciais eletroquímicos diferentes, poderão sofrer corrosão galvânica, mediante a transferência de
um material para o outro. A resistividade do ponto de contato poderá ser muito alta com o passar do
tempo, trazendo uma série de problemas para o circuito. Esse problema pode ser resolvido utilizando-
se contato bimetálico, que consiste em usar um terceiro metal entre os dois metais, com potencial
eletroquímico intermediário. É o caso de usar o estanho na conexão do cobre com o alumínio.

ARCO VOLTÁICO

O arco voltaico nos contatos elétricos de um equipamento de manobra (interruptor, disjuntor

etc) surge no instante em que o circuito é interrompido, em conseqüência da f.e.m. da fonte que tende
a manter a corrente elétrica através do circuito. A intensidade do arco é função da tensão e da corrente.
O arco produz uma grande dissipação térmica podendo elevar a temperatura até a 6 000 oC. No
ambiente em que o arco voltaico se forma surge uma grande quantidade de elétrons livres e íons
(plasma) que mantém uma descarga de corrente, alimentado pela fonte de energia elétrica com a
produção de intensa energia térmica. A elevação da temperatura entre os contatos produz desgaste e
oxidação e, dependendo da intensidade do arco, pode fundir os contatos. O desgaste ocorre devido à
emissão de elétrons e materiais da superfície dos contatos e a oxidação é uma reação química que é
intensificada pela elevada temperatura. Esses fatores produzem o aumento da resistividade do contato,
reduzindo sua área elétrica (AE). Portanto, o arco voltaico precisa ser reduzido ao máximo nas
operações de ligar e desligar os equipamentos.
Os recursos utilizados nos equipamentos elétricos de manobra para extinção do arco voltaico
consideram os seguintes fatores que, geralmente, são conjugados entre si na construção dos
equipamentos:
1 – maior rapidez na abertura dos contatos;
2 – uso de meio adequado entre os contatos no momento da abertura;
3 – emprego de câmara de extinção de arco. A câmara de extinção do arco é um sistema que
facilita a remoção do calor gerado e é empregado juntamente com um mecanismo de molas que
promove a rápida abertura dos contatos. Em equipamentos de abertura ‘a seco’ o meio no qual os
contatos são abertos é o ar. Em equipamentos que manobram valores elevados de energia elétrica (alta

39
corrente e/ou alta tensão), são empregados meios adequados entre os contatos tais como: óleo isolante,
gases (como é o caso do SF6) e outros recursos similares, sempre com o objetivo de extinção rápida do
arco. A tendência atual é o uso de câmara de extinção a vácuo, como é o caso de contatores e
disjuntores a vácuo.

SUPERCONDUTORES

O fenômeno da supercondutividade foi observado pela primeira vez pelo físico Kamerling-
Onnes, em 1911, ao verificar que um anel de mercúrio colocado numa temperatura de 4,2K
apresentava resistência elétrica nula. O fenômeno recebeu a denominação de supercondutividade. Um
material torna-se supercondutor quando sua temperatura fica abaixo de determinado valor (geralmente
muito próximo de 0K) denominado de temperatura crítica. A Fig.14 indica o gráfico da resistividade
em função da temperatura para um supercondutor, com destaque para a temperatura crítica (Tc). Para
uma temperatura acima de Tc o efeito da supercondutividade desaparece.

Tc T

Fig. 14 Resistividade x temperatura: para T < Tc o material é supercondutor

Posteriormente diversos materiais pesquisados apresentaram esse fenômeno da supercondutividade.

Materiais como os metais e algumas ligas apresentam Tc muito baixa: Al (1,2K), Nb (9,7K), Nb3Sn
(18K). Certos compostos apresentam valores mais elevados de Tc: MgB2 (40K). O óxido composto de
Hg-Ba-Ca-Cu chegou à Tc = 130K, o que é um caso especial.
A supercondutividade está limitada por três pontos críticos. Um deles é a Tc como já foi mencionado,
fator esse que dificulta sua aplicação em escala comercial. Os outros dois pontos críticos são o campo
magnético crítico (Hc) e a densidade crítica de corrente (Jc). Quando um supercondutor é submetido a
um campo acima de Hc, a supercondutividade desaparece. O mesmo acontece com a densidade de
corrente. O fenômeno da supercondutividade indica que uma vez iniciada a corrente, esta irá continuar
circulando pelo material sem necessidade de uma fonte de energia para mantê-la. No entanto, é
necessário manter a temperatura abaixo da Tc, o que é um fator limitador de seu uso. Pode-se, por
exemplo, obter uma bobina supercondutora, gerando um campo magnético constante. Porém, essa
bobina fica limitada aos fatores críticos descritos. Uma aplicação promissora desse fenômeno é o trem
que movimenta em trilhos magnéticos pelo efeito diamagnético dos supercondutores. Esse assunto fica
indicado para o estudante como tema para pesquisa.

QUESTÕES

1 – Em um fio de cobre de 1,5 mm2 circula uma corrente de 10A. O cobre apresenta cerca de 8,4 x
1022 elétrons livres por cm3. Calcular a velocidade média do elétron no condutor e avaliar o resultado
considerando o conceito de Vetor de Pointing.

2 – Calcular a resistividade elétrica do cobre a 100oC. Usar os dados da resistividade do cobre a 20oC,
fornecidos na Tab. 1.

3 – Calcular a resistividade elétrica da grafita a 200oC. Dados: resistividade (20oC) = 5x10-5 Ωxm;
coeficiente de temperatura = - 5 x 10-4 oC-1. Interpretar o resultado e comparar com a questão n. 2.

4 – Calcular as perdas por efeito Joule por metro, em um fio de cobre de 2,5mm2, percorrido por uma
corrente contínua de: a) 10A; b) 20A. Idem para um fio de alumínio.
40
5 – Considere os dados fornecidos na Tab. 1. Calcular a queda de tensão em uma rede de cobre de 2,5
mm2 e 100m de extensão, percorrido por uma corrente contínua de 10A. Idem para uma rede de
alumínio.

6 – Com relação à questão n.5, o que altera no cálculo da queda de tensão se a corrente for alternada
senoidal (10 A eficaz) com freqüência 60Hz?

7 – Considere os dados da Fig. 4. Calcular: a) a resistividade térmica do cobre puro a 20oC; b) a

resistividade residual do cobre com 0,1% de Mn.

8 – Considere o Nivel de Fermi para o Tungstênio cujo valor é EF = 8,95 eV com N(E) = 1,99x1028
estados/eV.m3. Calcular quantos elétrons por m3 possuem energia entre 8,5 e 8,6 eV nas temperaturas
de: a) 0 K; b) 2500 K.

9 – Definir Nivel de Fermi para os metais.

10 – Explicar: a) efeito pelicular em um condutor; b) efeito corona em um condutor.

11 – Explicar, com base na teoria eletrônica e no diagrama de bandas de energia, como ocorre a
variação da condutividade elétrica para os materiais: a) CPT; b) CNT.

12 – Calcular a FEM térmica da liga Fe-constantan. Ver curva da FEM térmica.

13 – Descrever os fatores críticos que interferem na supercondutividade.

TEMAS PARA PESQUISA

– Condutores elétricos de alta tensão: características construtivas, tipos de materiais e aplicações

– Materiais condutores para redes elétricas aéreas de baixa tensão e de alta tensão
– Equipamentos elétricos de comando em baixa e em alta tensão: recursos para extinção do arco
voltaico
– Efeito pelicular em cabos de alta freqüência
– Ligas metálicas usadas na engenharia elétrica
– Tecnologia para medição de temperatura: Termopar e Termometria
– Perdas por Efeito Corona em redes de média e de alta tensão
– Supercondutores: princípio físico, tecnologia e tendências futuras

41
 3

SEMICONDUTORES
Neste capítulo realizamos uma análise das propriedades dos materiais semicondutores
iniciando pelo modelo do diagrama de banda de energia. O estudo aborda as propriedades dos
semicondutores intrínsecos e extrínsecos, o comportamento dos semicondutores n e p obtidos
mediante dopagem, a condutividade elétrica, os processos de difusão, o efeito da luz e da temperatura
e as aplicações na eletrônica. A análise do nível de Fermi que é realizada neste capítulo possibilita
compreendermos a relação dos portadores de carga em função da temperatura e da luz nesses
materiais. Realizamos, ao final do capítulo, um estudo do diodo de junção pn.

Aspectos teóricos e fundamentos conceituais que deverão ser compreendidos:

- semicondutores intrínsecos: bandas de energia, ligação covalente, portadores;
- semicondutores extrínsecos: bandas de energia, tipo p e n, dopantes, estrutura de ligação;
- condutividade nos semicondutores: por deriva e por difusão;
- como a luz e a temperatura interferem na condutividade e na geração de portadores e suas aplicações;
- nível de Fermi nos semicondutores.

1 Semicondutores e aplicações na engenharia

Os semicondutores constituem um grupo de substâncias cuja resistividade à temperatura

normal se encontra entre a resistividade dos condutores e dielétricos. Com os semicondutores torna-se
possível transformar diversos tipos de energia em energia elétrica alterando-se a condutividade elétrica
dos mesmos por meio de temperatura (termorresistências), da luz (células fotorresistentes), do campo
elétrico (resistências não lineares), de esforços mecânicos (capacitores tensométricos), etc. Os
materiais semicondutores se classificam em semicondutores simples e compostos. Os semicondutores
simples constituem os elementos da tabela periódica cujos principais encontram-se relacionados na
Tabela1.

TABELA 1 – semicondutores simples

ELEMENTO ENERGIA P/ VENCER A BANDA PROIBIDA GRUPO

(EV)
Boro B 1,1 III - A
Silício Si 1,12 IV - A
Germânio Ge 0,72 IV - A
Fósforo P 1,5 V-A
Arsênio As 1,2 V- A
Enxofre S 2,5 VI- A
Selênio Se 1,7 VI - A
Telúrio Te 0,36 VI - A
Iodo I 1,25 VII - A

Os compostos químicos são compostos formados entre elementos dos grupos conforme mostra a
Tabela 2. Quanto aos semicondutores simples destacam o Ge e o Si, sendo este último mais abundante
na crosta terrestre e de maior uso nos dispositivos eletrônicos.
Os dispositivos fabricados com materiais semicondutores apresentam maior duração, pequenas
dimensões, boa resistência mecânica, baixo consumo de energia e tornam-se econômicos quando

42
fabricados em grande escala. O desenvolvimento da técnica da microeletrônica possibilitou um maior
aperfeiçoamento destes dispositivos. O grande avanço da eletrônica nos últimos anos se deve ao
estudo da física dos semicondutores, amplamente desenvolvida a partir dos conceitos da física
quântica e ao desenvolvimento de tecnologias cada vez mais apropriadas ás pequenas dimensões.

TABELA 2 – semicondutores compostos

Grupos Compostos
I - VIII CuCI, AgBr
I – VI Cu20, CuS
I–V K Sb
II –VII AzCl2, CdCl2
II – VI Zn0, CdS, ZnS
II –V ZnSB, Mg3Sb2
II –IV Mg, Sn, Ca2Si
III –VI Ga S, In2Fe3
III – V Ga P, GaAs
IV –VI GeO2, PbS
V – VI Bi2S3
VI – VI M003
VIII – VI Fe203
I – VII – VI Cu Al S2

2 Semicondutores intrínsecos

A teoria das bandas de energia nos sólidos caracterizam os semicondutores por possuírem um
estreita banda proibida, cuja energia para ser vencida é da ordem de 0,2 a 2,5 eV. A Fig. 3.1 representa
o diagrama de níveis de energia de um semicondutor intrínseco, no qual a banda de energia livre
recebe elétrons da banda de valência, indicado, nesse caso, pela seta.

Fig. 1 - Diagrama de níveis de

energia para o semicondutor
intrínseco

Em uma determinada temperatura T vários elétrons passam da banda de valência para a banda
de condução, originando na banda de valência um número equivalente de lacunas. Portanto, o número
de lacunas é igual ao número de elétrons livres, de forma que a concentração de lacunas p é igual à
concentração de elétrons n, resultando: n = p = ni, onde ni é a concentração intrínseca.
O germânico e o silício são os dois mais importantes semicondutores usados em dispositivos
eletrônicos. A estrutura cristalina desses semicondutores tem o formato de um tetraedro com um
átomo em cada vértice. O silício possui número atômico 14. A sua configuração atômica é.

43
 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Portanto o átomo de silício possui quatro elétrons de valência e sua estrutura em duas
dimensões está representada na Fig.2. Cada átomo do cristal contribui com quatro elétrons de valência
constituindo desta forma uma ligação covalente ou par eletrônico.

Si Si Si
Fig. 2 - Estrutura do cristal de silício; cada átomo
possui 4 elétrons de valência
Si Si Si

Si Si Si

Uma vez que cada elétron de valência é utilizado para ligar os átomos entre si, isto faz com
que os mesmos estejam fortemente ligados (são os elétrons de ligação), não liberando elétron livre o
que resulta em baixa condutividade. Para o silício é necessário 1,1 eV para obter o elétrons livre. Isto
produz uma quebra da ligação covalente resultando uma lacuna que irá contribuir para a
condutividade.

3 Semicondutores extrínsecos

A maioria dos dispositivos semicondutores são constituídos de semicondutores extrínsecos. A

obtenção do semicondutor extrínseco é feita adicionando-se uma pequena quantidade de átomos
trivalente ou pentavalente ao semicondutor intrínseco, assim como outras impurezas, ou ainda a
produção de defeitos na rede cristalina, microranhuras, etc. O resultado é um semicondutor dopado ou
impuro. O átomo que atua como dopante pode doar elétrons à banda de condução do semicondutor ou
receber elétrons dos níveis de sua banda de valência. Os primeiros são ditos doadores e os segundos
receptores.

Doadores

As impurezas doadoras caracterizam-se por terem sua banda de valência próximo à banda de
energia livre do semicondutor no qual está localizado. Desta forma essas impurezas doam seus
elétrons de valência à banda condutora do semicondutor.

Fig. 3 – semicondutor
extrínseco tipo n

n>p

Esses elétrons, por sua vez, fazem parte da condução de corrente (Fig. 3).

Observamos que no semicondutor haverá maior concentração de elétrons que de lacunas,

portanto recebe o nome de semicondutor tipo n. Um exemplo de impureza doadora é o átomo de
fósforo (P - número atômico = 15) que possui cinco elétrons de valência. Esses átomos deslocarão

44
alguns átomos da rede cristalina. Quatro de seus cinco elétrons de valência farão ligações covalentes
com os átomos de silício e o quinto elétron ficará não ligado. A energia necessária para deslocar este
quinto elétron a partir do átomo é da ordem de 0,05 eV. Este elétron será utilizado como portador de
corrente. A representação no plano de um semicondutor extrínseco tipo n de silício dopado com
fósforo está indicado na Fig.4. Um campo elétrico aplicado neste semicondutor, fará com que o elétron
livre desloque, resultando uma corrente elétrica.

Si Si Si Fig. 4 - Rede cristalina com um átomo

e-. de silício dopado por fósforo e
+ Si P Si _ indicação do sentido do deslocamento
do elétron (e-).

Si Si Si

Para cada átomo de P corresponde 1 elétron livre introduzido na rede cristalina do Si. Temos,
nesse caso, n>p. O semicondutor é tipo n.

Receptores

Outras impurezas podem introduzir níveis que se situam na banda proibida do semicondutor,
próximo de sua banda de valência. A excitação térmica fará com que os elétrons da banda de valência
do semicondutor saltem para os níveis de energia introduzidos pela impureza. São denominadas de
impurezas receptoras. No semicondutor irá surgir uma concentração de lacunas maior que de elétrons.
Temos então um semicondutor extrínseco tipo p. Em virtude do afastamento dos átomos da impureza,
os elétrons nos níveis de energia livre das mesmas não participam da corrente elétrica.

Fig. 5 – semicondutor extrínseco

tipo p.

p>n

Um átomo do boro (B - número atômico = 5) introduzido na rede de silício permitirá o

preenchimento de apenas três ligações covalentes e teremos a ausência de um elétron na quarta
ligação. Observe que o boro possui três elétrons de valência. Surge assim, uma lacuna p na rede
cristalina, correspondente ao elétron não ligado. Um campo elétrico aplicado neste semicondutor fará
um deslocamento de lacunas no mesmo sentido do campo. Isto pode ser entendido (Fig. 6)
observando-se que um elétron irá ocupar esta lacuna deslocando-se no sentido oposto ao campo. Desta
forma o elétron irá deixar uma lacuna do local de onde saiu. Dizemos, portanto, que a lacuna desloca
em função do campo elétrico no semicondutor extrínseco tipo p.
Para cada átomo de B corresponde 1 lacuna introduzida na rede cristalina do Si. Temos, nesse
caso, p>n. O semicondutor é tipo p.

45
4 Concentração de portadores

Em um semicondutor existem quatro classes de partículas carregadas.

Partículas com carga positiva.
• Lacunas móveis - p
• Íons doadores imóveis - ND

Partículas com carga negativa.

• Elétrons móveis - n
• Íons receptores imóveis - NR

Desta forma a densidade total de carga no semicondutor pode ser dada por:

ρ = q(p + N D - n - N R )

Em um semicondutor homogêneo e uniformemente dopado a densidade de carga espacial é

nula.
Os portadores cuja concentração é maior no semicondutor dado chamam-se majoritários, e
aqueles cuja concentração é menor, minoritários. Assim nos semicondutores tipo n os elétrons são
majoritários e as lacunas minoritários. No semicondutor tipo p, os portadores majoritários são as
lacunas e os minoritários os elétrons.

5 Condução de corrente

Em uma condição de equilíbrio as partículas móveis no semicondutor apresentam um

movimento térmico aleatório. A alteração deste equilíbrio poderá resultar em uma corrente elétrica no
material. Existem dois tipos de corrente elétrica:
• Corrente de deriva obtida pela aplicação de um campo elétrico no semicondutor;
• Corrente de difusão resultante da distribuição não uniforme dos portadores.

Para um semicondutor intrínseco a 0K o material comporta-se como um “isolante”, pois não

possui portadores livres de corrente elétrica. Em temperaturas ambiente a energia térmica é suficiente
para quebrar algumas ligações covalentes, resultando na condução de corrente elétrica. A energia
necessária para quebrar esta ligação covalente para o Ge e Si é:
• Ge – E = 0,72 eV
• Si – E = 1,1 eV

Com a quebra desta ligação resulta o aparecimento de um elétron livre (n) e de uma lacuna (p) no
semicondutor intrínseco. Como vimos, a adição de impureza em um semicondutor intrínseco irá
resultar um semicondutor extrínseco cuja energia necessária para obtenção do elétron livre será menor
que no caso do semicondutor intrínseco base. Conforme vimos a quantidade de energia necessária para
deslocar o elétron que não participa da ligação covalente, para Ge e Si, com impureza doadora é;
• Ge (extrínseco tipo n ) 0,01 eV
• Si (extrínseco tipo n ) 0,05 eV

46
 A condução devido aos elétrons na banda de condução é diferente da condução devido às
lacunas na banda de valência. No semicondutor intrínseco a quantidade de elétrons é igual à
quantidade de lacunas. Shockley usa a seguinte explicação para o processo de condução nos
semicondutores. Uma garagem com dois pavimentos possui o pavimento inferior completamente
lotado de veículos e o pavimento superior completamente vazio. Nestas condições não e permitido o
movimento de nenhum automóvel no pavimento inferior. Se um automóvel é deslocado para o
pavimento superior este terá liberdade de movimento devido ao grande espaço livre. No movimento
inferior os automóveis poderão deslocar no espaço deixado pela vaga do automóvel que foi
transportado para o andar de cima. A vaga de carros no andar de baixo corresponde às lacunas.
Quando um carro move nesse andar (banda de valência), equivale ao movimento de um elétron de
ligação. Dizemos que é a vaga (portanto a lacuna) que move. O carro no andar de cima corresponde ao
elétron livre que se encontra na banda de condução. Dessa forma, a mobilidade dos elétrons livres é
maior que a mobilidade das lacunas.

Fig. 7 – deslocamento de n e p

Com essa analogia, percebe-se que a condutividade no semicondutor depende das cargas livres
existentes constituídos por elétrons e lacunas. A corrente de elétrons em um semicondutor intrísenco é
mostrada na Fig. 7, para uma temperatura acima de 0 K. Vemos a indicação do movimento de um
elétron livre (para a placa positiva) e de uma lacuna (para a placa negativa). Observe que o movimento
da lacuna trata-se na realidade do deslocamento de um elétron de valência (elétron ligado) e não de
elétron livre. Considera-se o movimento de lacunas para efeito de aplicação de equações clássicas. A
seguir faremos um estudo da corrente de deriva e corrente de difusão no semicondutor.

Corrente de deriva

Deriva refere-se ao movimento dos portadores (elétrons e lacunas) sob ação de um campo
elétrico. A corrente é dificultada pela ação térmica. A densidade de corrente em um material é:

J = nqv
onde: n = número de portadores por unidade volume

q = carga do elétron

v = velocidade média dos portadores de carga

Temos ainda que J α E, i.e., a densidade de corrente é proporcional ao campo elétrico.

A constante de proporcionalidade é a condutividade elétrica (σ) do meio:

Resulta:

47
 J=σE

Igualando as equações acima, temos:

σ = nqv/E

A razão v/E é denominada de mobilidade elétrica do material e é constante para uma determinada
temperatura:

µ = v/E

A equação para a condutividade elétrica aplica a mobilidade dos elétrons (µn) e das lacunas (µp), cuja
unidade pode ser obtida da própria definição: sendo v(cm/s) e E(V/cm) resulta µ(cm2/v.s). Como já foi
mencionado a mobilidade dos elétrons é maior que a mobilidade das lacunas.

A condutividade total é a soma da condutividade devido aos elétrons e lacunas.

σ = qn µn + qpµp = q (nµn + pµp)

onde n = concentração de elétrons livres
p = concentração de lacunas
µn = mobilidade de elétrons
µp = mobilidade das lacunas

A energia da banda proibida geralmente é calculada à 300K. Com o aumento da temperatura

diminui a energia necessária para vencer a zona proibida. A densidade de elétrons livres pode ser
calculada para temperaturas próximas de 300K. O aumento de pares elétrons-lacunas corresponde ao
aumento da condutividade do material. Para o silício a concentração de átomos é 5,0 x 1028 átomos/m3
e de elétron livres é 1,7 x 1016 elétrons/m3. Assim, somente um átomo em 1012 átomos de silício
contribui com um elétron livre (e também com uma lacuna) para o cristal devido à quebra de ligações
covalentes. O estudo de concentração acima é relacionado a um semicondutor intrínseco. Se em um
semicondutor adicionamos átomos doadores obteremos um material com número de elétrons livres
muito superior ao número de lacunas. Podemos dizer que para um semicondutor tipo n a concentração
de elétron livre é aproximadamente igual a densidade de átomos doadores, representando na forma:

n = Nd

onde n = concentração de elétrons livres

Nd = concentração de átomos doadores.
Desta forma, tomando a equação da condutividade teremos, para o semicondutor tipo n, n >>p
resultando p≈0. Então a condutividade para um semicondutor tipo n será:

σn = qnµn

Analogamente a condutividade para um semicondutor tipo p será:

σp = qpµp

As equações acima podem ser expressas em função da densidade de corrente. Assim temos.

J = q(nµn + pµp)E

48
 Jn = qnµn E

Jp = qpµp E

Corrente de Difusão

A corrente de difusão irá ocorrer sempre que partículas móveis se encontrarem distribuídas
não uniformemente em um meio. Os efeitos que podem provocar essa distribuição não uniforme
podem ser, dentre outros, variações da temperatura, luminosidade e concentração de impurezas no
semicondutor.

Seja a Fig. 8 representando uma maior concentração de partículas à esquerda do semicondutor

tipo p. Resulta, em função deste desequilíbrio, um fluxo de lacunas da esquerda para a direita dado
por: -Dp (dp/dx), onde Dp é o coeficiente de difusão de lacunas. O sinal negativo significa que os
portadores vão da região de maior concentração para a região de menor concentração, i. e. a
declividade da curva é negativa.

Fig. 8 – Semicondutor tipo p com distribuição não uniforme de partículas (a); densidade de partículas
dp
J p = - q Dp ( )
dx
(b).

A densidade de corrente de lacuna associada à difusão é:

De forma análoga podemos obter a densidade de corrente de difusão de elétrons.

dn
J n = qD n (
dx)

O sinal positivo associado à equação é devido ao valor negativo da carga do elétron.

O valor de Jp e Jn depende da distribuição da concentração e não do valor da concentração.

49
6 Deriva e difusão simultâneos e relações de Einstein

Em situações nas quais estão presentes o gradiente de concentração e o campo elétrico teremos
as correntes de difusão e deriva ocorrendo simultaneamente, de forma que Jp e Jn poderão ser escritos
da seguinte forma.

Jp = Jp (deriva) + Jp (difusão)

Jn = Jn (deriva) + Jn (difusão)

→ →
J = q(pµ p E - D p ∇p)
→ →
J = q(nµ n E + D n ∇n)
Ou então

A razão entre o coeficiente de difusão e mobilidade dos portadores fornece a tensão

térmica (KT/q).
Obtém-se assim as relações de Einstein.

Dp KT
=
µp q
Dn KT
=
µn q

7 Influência da luz e da temperatura

Em um semicondutor a temperatura e a luz apresentam um efeito especial sobre o mesmo que

é a geração de portadores em excesso, i.e., aumento do número de elétrons e lacunas. Vamos analisar
cada efeito separadamente.

Influência da temperatura

A Fig. 9 indica a variação da concentração de portadores em excesso com a temperatura para

um semicondutor intrínseco. Observa-se que n e p aumentam na mesma proporção à medida que à
temperatura aumenta. Se o semicondutor é extrínseco (Fig. 10) à medida que a temperatura aumenta
os portadores p crescem, em níveis proporcionais, mais rapidamente que n, até T1. Para valores de
temperatura acima de T1, temos n ≈ p e o semicondutor comporta como se fosse um semicondutor
intrínseco. Portanto o semicondutor é extrínseco até determinada temperatura. A Fig. 11 indica o
diagrama de bandas de energia para um semicondutor tipo n. Quando fornecemos energia ao mesmo
aumentando sua temperatura e são gerados pares elétron-lacunas . Podemos considerar a seguinte
relação.

p = p0 + p’
n = n0 + n’

50
Onde po e no representam o valor de equilíbrio da concentração; p’e n’os portadores em excesso
gerados ou concentração em excesso; p e n são os valores da concentração total. À temperatura To (
por exemplo 300K) temos:

p = po

n = no

se aumentarmos a temperatura para T’, teremos:

p = p0 + p’

n = n0 + n’

Fig.10 - Variação de n e p em um
Fig.9 - Variação de ni com a
semicondutor tipo n, em função da
temperatura para um semicondutor
temperatura.
intrínseco.

Fig.11- Geração de pares elétron-

lacunas - modelo para
semicondutor tipo n;

para T =To p = po = 1e n = no = 3

Para T > To temos:

p = po + p’=1+2 = 3

n = no + n’= 3 + 2 = 5

51
 Como para cada lacuna gerada em excesso (p’) temos um elétron em excesso (n’)
correspondente, então n’≈ p’, resultando um semicondutor quase neutro. A carga total é
aproximadamente neutra. Em condição de equilíbrio temos que o produto pn de um semicondutor é
constante para um determinado valor de temperatura, ou seja:

pn = ni2

Observe que para um metal o aumento de temperatura resulta em diminuição de sua

condutividade. Em um semicondutor este efeito é oposto ao que ocorre nos metais, i. e. a
condutividade de um semicondutor aumenta com a elevação da temperatura. A diminuição da
resistividade é uma relação exponencial bem diferente do quase linear crescimento da resistividade de
um metal. O aumento da temperatura do metal provoca o movimento térmico de íons dificultando o
trânsito de elétrons livres. Para os semicondutores o aumento da temperatura faz com que o elétron
salte a zona proibida aumentando, desta forma, a concentração dos portadores de carga. Esta variação
da condutividade com a temperatura limita o uso de dispositivos semicondutores em alguns circuitos e
permite sua aplicação em outras situações, como é o caso do termistor, geralmente usado como
dispositivo de controle atuando por variações de temperatura. Para o germânio a condutividade
aumenta 6% para um grau de temperatura. Para o silício é 8%. Entretanto, o Ge e o Si não são usados
como termistores pois suas características são muito sensíveis às impurezas. Os termistores comerciais
consistem em misturas sintetizadas de óxido tais como o Ni0, Cu203, Mn203.

Influência da Luz

De forma análoga ao que ocorre com a temperatura nos semicondutores, a radiação

eletromagnética sobre um semicondutor resulta em aumento de sua condutividade. A este fenômeno
dá-se o nome de fotocondutividade, que pode ser explicado pela teoria quântica da luz. Portanto a
energia de um fóton em um semicondutor intrínseco irá formar no mesmo pares de elétron-lacunas,
devido à passagem do elétron da banda de valência à banda de condução. A energia radiante recebida
pelo semicondutor ioniza as ligações covalentes, “quebrando-as”. Este aumento de portadores de
corrente diminui a resistência do material, daí o material é dito fotorresistor ou fotocondutor. A Fig. 12
indica o diagrama de bandas de energia em que um par elétron-lacuna (n’-p’) é gerado devido à
incidência de radiação eletromagnética no semicondutor.

Fig. 12 – geração de par n’-p’ em um semicondutor sob ação de radiação eletromagnética

Para provocar a excitação, um fóton necessita de uma energia E dada por:

12.400
E= (eV)
λ c

Onde λc é o comprimento de onda do fóton, em Ao

52
 Se o comprimento de onda da radiação excede λc , então a energia do fóton não é suficiente
para deslocar o elétron para a banda de condução. A energia mínima para excitação intrínseca é a
energia da banda proíbida.
O comprimento de onda crítico ou de corte de um material (λ c) é o valor do comprimento de
onda acima do qual a energia do fóton não é suficiente para elevar o elétron à banda de condução.

Temos: λ c ( Si) = 1,13µm e E = 1,1 Ev λ c (Ge) = 1,72µm e E = 0,72 Ev

Um dispositivo fotocondutor consiste geralmente de uma célula de CdS (sulfeto de Cádmio)
com impurezas de prata, antimônio e índio. Na falta de raios luminosos (escuro) a resistência desta
célula chega a 2MΩ. Quando estimulada pela luz forte a resistência pode ser menor que 10Ω. Este
dispositivo pode ser usado em medição de intensidade luminosa ou aplicado em relé fotoelétrico.

8 Recombinação e geração de portadores em excesso

Aumentando a temperatura ou incidindo luz em um semicondutor são gerados, no mesmo,

portadores em excesso (n’ e p’) resultando desequilíbrio no semicondutor. Portanto temos o aumento
de p’e n’. Ao retornar para o nível de origem esses portadores em excesso irão recombinar-se. A

n' p'
R= ou R =
τ τ
recombinação dessas cargas pode ser:

onde R - taxa de recombinação

τ - tempo de vida dos portadores

9 O efeito Hall

Considere um cristal semicondutor percorrido por uma corrente I. Considere ainda que exista um
campo magnético H transversal ao percurso da corrente (Fig. 13). Os elétrons em movimento ficam
submetidos a uma força magnética e são deslocados para uma das superfícies do cristal, dependendo
do sentido relativo entre o campo magnético e a corrente. Entre as duas superfícies opostas surge,
como conseqüência, uma ddp denominada de tensão de Hall (VH).

_- - - - - - - - - - - - - - - elétrons deslocam-se para a face superior

VH H I corrente convencional

++++++++++++
Fig. 13 – Efeito Hall

O efeito Hall pode ser utilizado em instrumentação como no caso de medição de campo. Pode-se ainda
determinar se um semicondutor é tipo n ou p. A Fig. 13 indica o tipo n. Para o tipo p a polaridade da
tensão seria invertida.

10 Nível de Fermi nos semicondutores

Para o semicondutor intrínseco o N.F. está no meio da Banda Proibida (também denominada
Gap). O número de n e de p depende da temperatura, porém, no intrínseco n=p.

53
Fig. 14 – N.F. [EF] no semicondutor intrínseco

A 300oK temos algumas lacunas na BV e alguns elétrons na BC. Todavia, 50% dos estados ocupados
(dos elétrons) têm energia igual a EF.

Para o semicondutor extrínseco ocorre o deslocamento do N.F. No tipo n, observe que o

número de elétrons na BC aumenta sem o aumento proporcional de lacuna na BV e no tipo p o número
de lacunas aumenta na BV (Fig. 15).

Fig. 15 – N.F. para tipo n e tipo p

Se no semicondutor tipo n aumentamos a temperatura, o N.F. pode baixar, pois a BV irá injetar
elétrons para BC e consequentemente aumentam as lacunas na BV (Fig. 16). EF, nesse caso, tende a
equivaler a EI. Compare o que ocorre na Fig. 16 com o que ocorre na Fig. 10. Nos dois casos observe
que quando a temperatura aumenta, aumentam os pares elétron-lacunas no material.

54
Figura 16 – Deslocamento do N.F. com o aumento da temperatura no tipo n

Para uma melhor compreensão da relação de portadores com a temperatura, vamos fazer uma
analogia com a atmosfera terrestre em que o número de partículas na atmosfera descresse
exponencialmente com a altura.

n = n0 e-V/KT

Onde V = mgh energia potencial das moléculas para um dado h.

Para os semicondutores podemos escrever a equação referente ao número de elétrons e lacunas

de forma semelhante devido à similaridade em relação à atmosfera. Podemos obter o número de
elétrons (n) que aumentam em relação a ni, quando aumenta a temperatura ou impurezas no
semicondutor. Isto ocorre devido ao deslocamento do N.F. de EI (N.F. no semicondutor intrínseco a
20oC) para EF (N.F. no semicondutor dopado).

A concentração de n e de p é:

n = ni e (EF – EI)/KT

p = ni e(EI – EF)/KT

Fig. 17 – Representação de EI e EF para semicondutores tipo n e p.

Para EF = EI, ou seja, para um semicondutor intrínseco em que EF = EI, temos n = ni.

Tanto para tipo p quanto para tipo n o produto n.p será.

2 (E F - E I ) + E I - E F )

np = n i e KT

2
55
np = n i
Para um semicondutor intrínseco ou extrínseco podemos escrever as concentrações de elétrons livres
ou lacunas de acordo com as equações.

n = N c e - (E c - E F ) / KT
p = N V e -(E F - E V ) / KT

Fig. 18 – Representação de EV e EC para semicondutor intrínseco.

Onde NC = número de níveis (ou estados) disponíveis na BC.

NV = número de níveis (ou estados) disponíveis na BV.
Temos:

2
np = n i
então :
- (E C - E F ) - (E F - E V )
np = N C N V e
KT
np = N C N V e -(E C - E V ) / KT
np = N C N V e -E G / KT
N C = K 1T 3 / 2
N V = K 2T 3 / 2
Então :
N C N V = K 1 K 2T 3 = KT 3

2
n i = A 0T 3 e -E G /KT
Fazendo K = Ao:

56
11 Materiais com propriedades semicondutoras

Germânio

A quantidade de germânio existente na crosta terrestre é aproximadamente 7 x 10-4% O germânio

pode ser utilizado na fabricação de dispositivos semicondutor. Ao fundir o germânio sua
condutividade aumenta aproximadamente 13 vezes. Quando o germânio absorve partículas registra-se
um impulso de corrente. Portanto este material pode ser utilizado em contadores de partículas
nucleares. Utilizando na fabricação de retificadores de corrente alternada, transistores e dispositivos
utilizados na eletrônica em geral.

Silício

Apresenta a rede cúbica do tipo do diamante. É um dos elementos mais abundantes na crosta
terrestre, 26% aproximadamente. Amplamente utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores,
o silício pode ser empregado em níveis de temperatura mais elevado que o germânio. A maioria dos
circuitos integrados (CI) usados na microeletrônica são construídos com pastilhas de silício grau
eletrônico.

Varistores

Um composto de elementos usado como vartistor é o SiC que apresenta a seguinte composição
estequiométrica: 70,00% de Si e 30% de C (em massa). Raramente encontrado na natureza pode ser
obtido em fornos. Com adição de impurezas pode ser semicondutor do tipo n ou p. Para o SiC a
característica tensão-corrente do varistor é não linear.

Fig. 14

Característicatensão-
corrente do SiC.
(b)
(a) Pára-raios

Os varistores são utilizados como resistência de descarregadores de válvulas (para-raios) que

protegem linhas de transmissão dos efeitos de sobretensões. Quando a tensão da rede torna-se elevada
este material permite a passagem de corrente, cortando esta corrente assim que a tensão anula. Um dos
compostos mais usados na fabricação dos para-raios é o ZnO.

GaAs

A largura da banda proibida do GaAs é maior que a do Ge e do Si, sendo também maior a
mobilidade de seus elétrons. Estas características são importantes na fabricação de circuito integrado
de alta qualidade. Apresenta também uma característica interessante quanto ao retorno dos elétrons
para a banda de valência, processo no qual há a emissão de luz em contraste com a liberação de
energia calorífica resultante no Ge e Si.

57
 TABELA 3 – dados para o Ge e o Si

PROPRIEDADES Ge Si
Número atômico 32 14
Peso atômico 72,6 28,1
Densidade, g/cm3 5,32 2,33
Constante dielétrica rel. 16 12
Átomos/cm3 4,2 x 1022 5,0 x 1022
Wg, eV a 300K 0,72 1,12
Constante A (300K) 1.83 x 1021 7,96 x 1021
Resistividade intrínseca, Ω.cm a 300K 45 230.000
µn , cm2/V.s a 300K 3.800 1.300
µp , cm2/V.s a 300K 1.600 500
Ni, cm-3 a 300K 2,5 x 1013 1,5 x 1010

12 Diodo de junção pn

O diodo é um dispositivo constituído por uma junção de material semicondutor p e n (ver Fig.
15). No lado p as impurezas receptoras são indicadas por um círculo em branco (íon negativo) e no
lado n as impurezas doadoras são indicadas por um círculo com um sinal + (íon positivo). São
representados também os elétrons e as lacunas (indicado na Fig 15). Existe uma região na junção pn
denominada ‘região de carga espacial’ ou ‘região de deplexão’. Nessa região os elétrons e as lacunas
se recombinam. Como resultado desse processo de recombinação pn, surge uma densidade de carga
negativa no lado p e positiva no lado n, devido às impurezas receptoras (NR -) e doadoras (ND +).
Haverá, dessa forma, um campo elétrico interno (Ei) na camada de deplexão.

Tipo p Tipo n

lacuna(p) elétron(n)

largura da camada de deplexão

campo interno Ei - +

barreira de potencial para lacunas

barreira de potencial para elétrons

Fig. 15 Diodo de junção pn

58
Devido ao campo elétrico interno há uma barreira de potencial para lacunas que impede o livre fluxo
das lacunas (p) para o lado n e uma barreira de potencial de elétrons que impede o livre fluxo dos
elétrons (n) para o lado p. Na condição em que não há polarização externa não ocorre fluxo de cargas
na região de deplexão. O fluxo de carga através dessa região surge quando o diodo for polarizado. O
diodo pode ser polarizado por uma fonte cc de duas maneiras: polarização direta e polarização reversa.

Polarização direta

Na polarização direta os terminas da fonte variável cc são acoplados da seguinte forma:

positivo no lado p e negativo no lado n. A Fig. 16 indica a polarização direta usando a simbologia do
diodo pn e a curva da corrente (i) x tensão (v). A polarização direta corresponde ao sentido positivo do
eixo v. Considere que inicialmente a tensão aplicada é muito pequena e produz um campo elétrico (E)
entre os terminais do diodo inferior ao campo interno Ei. Neste caso, sendo E<Ei, não há corrente no
diodo. A partir do instante em que E fica maior que Ei inicia uma corrente no diodo. A tensão que
produz essa corrente inicial é denominada de tensão de limiar (Vi) indicada na curva ixv. No diodo de
silício Vi=0,7V. A partir desse valor de tensão a corrente tende a crescer exponencialmente. Neste
caso os elétrons livres (n) cruzam a junção de n para p e as lacunas (p) cruzam de p para n. Na região
de deplexão ocorre uma recombinação desses portadores entre si. Para cada elétron que a fonte cc
insere no lado n resulta uma lacuna correspondente no lado p. Dessa forma há um fluxo de n e p no
diodo com os portadores n fluindo para o terminal positivo e os portadores p para o negativo.

lado p lado n

+ - polarização direta (positivo no p)

- + polarização reversa (negativo no p)

-Vp -Io Vi v

Reversa Direta

Fig. 16 Polarização direta e reversa do diodo; curva i x v do diodo

59
Polarização reversa

Na polarização reversa o terminal positivo fica ligado no lado n e negativo no lado p. Neste
caso, à medida que a tensão da fonte cc aumenta, o campo elétrico aplicado no diodo aumenta no
mesmo sentido do campo elétrico interno Ei. As lacunas são atraídas para o terminal positivo e os
elétrons para o terminal negativo. Como consequência a largura da camada de deplexão aumenta.
Dessa forma, não há circulação de portadores majoritários na junção e não há corrente no diodo, i.e., o
diodo não conduz corrente. Porém, os portadores minoritários (elétrons no lado p e lacunas no lado n)
fluem através da junção constituindo uma corrente de minoritários (Io). Se a tensão inversa aplicada
ultrapassar um determinado valor (Vp) – denominada de tensão de pico inversa ou de ruptura – ocorre
um aumento súbito da corrente inversa gerando um avalanche no diodo. Isso ocorre devido ao
processo de colisão das cargas com os átomos do cristal que vão arrancando mais portadores e
produzindo o avalanche de cargas que pode danificar o diodo por excesso de calor.

Nível de Fermi na junção pn

Na junção pn sem polarização o N.F. indica o mesmo patamar para n e p (Fig. 17). Ao
polarizar o diodo diretamente, ocorre um desequilíbrio entre os dois lados, com o N.F. (n) ficando
acima do N.F. (p). Como conseqüência os elétrons fluem de n para p. Na polarização reversa o
desequilíbrio do N.F. entre os dois lados impede esse fluxo.

p n p n

NF

desnível (NF)

Fig. 17 - NF na junção pn sem polarização e NF na junção pn com polarização direta

Modelo do diodo

O diodo ideal pode ser modelado como uma chave aberta na polarização reversa e fechada na
polarização direta. Na polarização direta, o diodo apresenta uma tensão de limiar (Vi) que é
representado, no modelo do circuito equivalente, por uma fonte cc em oposição ao fluxo da corrente
(indicada por Vi). No Diodo real há também uma resistência R que limita a corrente e que produz a
inclinação da reta do diodo. O modelo do diodo é indicado na Fig. 18. Na polarização direta é
representado um circuito com uma chave fechada com a fonte Vi e resistência R.

+ -

Vi R

Pol. Reversa Pol. Direta

Fig. 18 Circuito equivalente para o diodo

60
Corrente no diodo

A corrente no diodo pode ser obtida pela equação:

I = Io [e kV/T – 1]

onde Io = corrente de minoritários

k = constante que depende do material
T = temperatura em K
V é a tensão aplicada no diodo

Observe que V pode ser positiva (na polarização direta) ou negativa (na polarização reversa).

Observe ainda que para V = 0, I = 0. Para V positivo e valor acima de Vi, a corrente tem forma
exponencial. Para V negativo (antes de atingir –Vp) I = Io.

LED e fotodiodo

O LED (light emitting diode) é uma junção pn que é polarizada diretamente. Nesse caso, os
elétrons, ao recombinarem-se com as lacunas, emitem radiação eletromagnética na freqüência da luz
visível. Já o fotodiodo é uma junção pn polarizada reversamente. Neste caso, o fotodiodo conduz
apenas quando recebe radiação eletromagnética na junção, devido á geração de portadores p e n.

Célula fotovoltaica

Uma junção pn constituída com dopagem adequada, ao receber luz (fótons com determinada
frequência), produz pares elétrons-lacunas. Os terminas operam como uma bateria podendo produzir
uma corrente elétrica em um circuito fechado. A descrição detalhada dos dispositivos descritos acima
fica indicada como pesquisa complementar.

QUESTÕES

1. Calcular a resistividade do silício a puro a 300K. Usar dados da Tabela 3.

2. No silício do puro adiciona-se átomos de P numa proporção de 1 átomo de P para 1012 átomo de
Si. Calcular a resistividade do Si extrínseco resultante a 300K.
3. Determinar a relação entre a concentração de átomos e a concentração de elétrons livres no Si puro
a 300K.
4. Se pretendermos aumentar a condutividade do Si puro de 10 vezes, adicionando-se ao mesmo
átomos de B, qual deverá ser a proporção de átomos de B para átomos de Si. Temperatura de
referência 300K.
5. Determinar a concentração de minoritários em uma amostra de Si tipo n, no qual a concentração
de impureza doadora é 5 x 1016 átomos/cm3. (Ref. 300K)
6. A energia para vencer a banda proíbida para o Ge é 0,72 eV. Calcular o maior valor de
comprimento de onda da radiação para que o elétron atinja a banda de condução.
7. Determinar a concentração de elétrons livre e lacunas no Si a 300K, no qual a concentração de
átomos doadores é ND = 1014 átomos/cm3 e de átomo receptores é NR = 1013 átomos/cm3.
8. Uma radiação eletromagnética atinge uma barra de Si, de volume 10-3 cm3 , dopada com 5 x 1011
átomos de boro por cm3. Como resultado são gerados 1012 pares elétron-lacunas por segundo.
Calcular a condutividade do semicondutor nestas circunstâncias, a 300K. Considerar o tempo de
recombinação 100µs.
9. Explicar o que é dopagem de um semicondutor descrevendo as características dos semicondutores
tipo n e tipo p.

61
10. Explicar: a) corrente de deriva; b) corrente de difusão.
11. Explicar como a luz e a temperatura influenciam a condutividade dos semicondutores.
12. Explicar o funcionamento do diodo de junção pn.
13. Comparar os metais com os semicondutores considerando: a) influência da temperatura; b)
influência das impurezas; c) influência da luz.

TEMAS PARA PESQUISA

• Processos de obtenção do cristal de quartzo piezoelétrico

• Processos de obtenção do silício monocristalino grau eletrônico
• Técnicas de dopagem de semicondutores e fabricação de circuitos integrados
• O processo de implantação iônica
• Para-raios de ZnO
• Célula Fotovoltaica
• Dispositivos eletrônicos: LED, fotodiodo, varicap, zener
• Termistores e fotocondutores
• Efeito Hall
• Memristor

62
 4

DIELÉTRICOS
Neste capítulo abordamos o estudo dos materiais dielétricos destacando os seguintes pontos:
polarização, condução de corrente, perdas e perfuração nos dielétricos. O tema é complementado com
diversas aplicações dos dielétricos na engenharia elétrica. O estudo da polarização visa destacar como
esse fenômeno ocorre nos dielétricos e quais suas implicações para a aplicação desses materiais sob
campo elétrico. As características dos capacitores, tanto para eletrônica quanto para aplicações em
tensões elevadas, especialmente o valor da capacitância, relacionam-se ao fenômeno da polarização. O
estudo da condutância tem como foco a compreensão desse fenômeno nos isolantes elétricos e suas
implicações para as redes elétricas e equipamentos. As perdas constituem um ponto importante a ser
considerado na qualidade dos dispositivos e dos equipamentos e das instalações elétricas (de baixa e
de alta tensão). A perfuração é importante na segurança das instalações e dispositivos elétricos, tanto
para as pequenas tensões quanto para as tensões elevadas. Esses conceitos constituem uma base
essencial para a compreensão das características dos materiais dielétricos e suas aplicações nos
dispositivos e equipamentos eletroeletrônicos.

Aspectos teóricos e fundamentos conceituais dos dielétricos que deverão ser compreendidos:
- polarização: conceito, tipos e grandezas físicas relacionadas à polarização;
- condução de corrente: tipos de correntes e fatores que interferem na condutividade nos dielétricos;
- perdas: conceito, tipos e métodos de redução;
- perfuração: rigidez dielétrica e tipos de perfuração nos gases, líquidos e sólidos.

1 Dielétricos e isolantes

Dielétricos são materiais que polarizam quando submetidos à presença de um campo elétrico.
Existem, no entanto, alguns materiais que polarizam sob determinadas condições, mesmo sem a
presença de campo elétrico. Geralmente os dielétricos e isolantes são tratados como equivalentes,
porém esses termos apresentam diferenças conceituais. Os isolantes são dielétricos que apresentam
resistividade elétrica elevada. Isso significa que, na prática, um dielétrico que tenha características de
isolante elétrico impede a passagem de corrente elétrica significativa pelo material, até o limite de
determinado valor de campo elétrico. Normalmente usa-se simplesmente o termo “isolante elétrico”
para esses materiais. Portanto, um material pode ser um bom isolante até um determinado valor de
campo. O valor crítico de campo elétrico que um material isolante suporta sem perfurar é definido pela
rigidez dielétrica do material. Alguns dielétricos podem suportar altos valores de campo elétrico sem
conduzir praticamente nenhuma corrente elétrica, enquanto outros materiais dielétricos conduzem
correntes mesmo quando submetidos a pequenos campos elétricos. Além do valor do campo elétrico,
outros fatores interferem tanto na polarização quanto na condutância dos materiais dielétricos, tais
como a temperatura, a poluição, a umidade, a pressão etc.

Na engenharia elétrica a utilização dos dielétricos relaciona-se tanto às propriedades de

polarização quanto de isolamento elétrico dos materiais. A polarização tem aplicação em parâmetros
relacionados à capacitância o que implica avaliação dos modelos de circuitos de alta, média e baixa
tensão até os circuitos eletrônicos. O isolamento elétrico tem aplicação nos parâmetros relacionados à
resistência tanto em corrente contínua quanto em corrente alternada, incluindo o comportamento dos
dispositivos em altas frequências e em baixa e em alta tensão. Assim, um capacitor usado na eletrônica
pode ser específico para aplicação em corrente contínua, dependendo do material dielétrico empregado
na sua fabricação. Se for usado em corrente alternada, o valor da capacitância de um capacitor pode
63
estar definida para determinados limites de frequência assim como de tensão. Um material adequado
para um capacitor em baixa tensão pode ser inadequado para utilização em alta tensão. Da mesma
forma, ao escolher um líquido isolante para uso em alta tensão, as propriedades de polarização assim
como o comportamento sob determinados limites de temperatura, de pressão e de umidade devem ser
consideradas. Um líquido isolante para um transformador, por exemplo, deve ser avaliado
considerando-se todos esses aspectos, além do aspecto econômico. Outros fatores a serem
considerados nos dielétricos de uma maneira geral são as características químicas, pH, isotropia etc.

No presente capítulo o estudo dos dielétricos com foco nos materiais para uso na área
eletroeletrônica abrange os seguintes tópicos: 1) a polarização dos dielétricos e os parâmetros físicos
que envolvem a avaliação da polarização; 2) a condução de corrente nos dielétricos e os parâmetros
relacionados à condutividade elétrica com foco principalmente nos isolantes elétricos; 3) as perdas
dielétricas, os tipos de perdas e os parâmetros físicos relacionados às perdas; 4) a perfuração dos
dielétricos, os tipos de perfuração e os parâmetros físicos relacionados. Ao final desse capítulo há um
destaque para aplicações dos dielétricos não lineares, cristais líquidos e fibra optica.

2 Polarização dos dielétricos

A propriedade básica de um dielétrico é o fato de ser polarizado sob ação de um campo

elétrico externo. A polarização consiste em um deslocamento limitado ou na orientação das cargas
elétricas do material produzindo no mesmo um momento elétrico. Para descrever o fenômeno da
polarização vamos considerar um dielétrico entre duas placas metálicas paralelas, não submetidas a
um campo externo, como indicado na Fig. 1. Na ausência de um campo externo as cargas do dielétrico
não apresentam um momento resultante, ou seja, a soma algébrica das cargas resultantes é igual a
zero.

+- +- -+ -+
+ + _
-+ -+ -+ -+

Fig. 1 – Dielétrico sem campo externo (a); dielétrico sob campo elétrico externo (b)

Cada par [+ -] constitui um dipolo elétrico que pode ser dado por um vetor p indicado do lado
negativo para o positivo:

p=q.d

onde q é a carga do elétron e d é a distância entre as duas cargas positiva/negativa.

A unidade de p é C.m.

Na Fig. 1b há um campo elétrico externo aplicado nas placas. Como consequência as cargas
elementares do dielétrico sofrem uma ordenação, com o lado negativo indicado para a placa positiva e
o lado positivo para a placa negativa. Neste caso as cargas do dielétrico se somam resultando uma
polarização P que será a somatória dos vetores p num volume infinitesimal.

n ∆V
P = lim [1 / ∆V] Σ pi
∆V 0 i=1
A unidade de P é C/m2.

64
3 Vetores E, P e D

Na Fig.2 temos duas placas paralelas (como em um capacitor) com área A e uma distância d
entre si. Entre as placas há vácuo. Uma fonte de tensão V é ligada aos terminais de cada lado
produzindo um campo elétrico externo V = E/d. Surge um fluxo elétrico φ entre as placas carregadas.
Supondo que as linhas de fluxo são paralelas e sem dispersão, temos uma densidade de fluxo Do= φ/A.
Assim como o fluxo, a densidade é proporcional ao campo elétrico E cujo valor da constante de
proporcionalidade é εo. Dessa forma o valor de Do (no vácuo) é:

Do = εo E

Onde εo é a constante de permissividade no espaço livre.

+ -
_ P +
+ - + -
+ - + _ +-
+ -

Fig. 2 – Placas no vácuo (a); placas com dielétrico (b)

Ao introduzir um dielétrico entre as placas sem alterar a configuração das mesmas e sem mudar o
valor da tensão V aplicada, irá surgir uma polarização no dielétrico e, consequentemente um vetor P.
A nova densidade de fluxo nas placas será acrescida do vetor P:

D = εo E + P

Observe que a densidade de cargas nas placas aumenta quando existe o dielétrico e é proporcional à
densidade de cargas polarizadas no dielétrico.

O novo valor da densidade depende do dielétrico e é proporcional ao campo elétrico. A constante de

proporcionalidade é a permissividade no meio ou a constante dielétrica do material (ε). Assim, o valor
de DαE fica:

D=εE

Para um dielétrico linear a polarização é diretamente proporcional à intensidade de campo elétrico em

um dado ponto. O fator de proporcionalidade é χeεo, onde χe é a susceptibilidade elétrica do material. O
valor da polarização é:

P = χeεo E

Normalmente usa-se o valor da constante dielétrica (ou permissividade) relativa do material:

εr = ε / εo

Portanto, sendo D = ε E e D = εoE + P, resulta:

ε E = εoE + P

Ou ainda:

ε E = εoE + χeεo E

65
Dividindo os dois termos da equação acima por εo,obtemos:

εr = 1 + χe

Ou seja, a permissividade relativa é a susceptibilidade acrescida da unidade.

Observe que para o vácuo χe = 0 e εr = 1. A Tabela 1 apresenta o valor da constante dielétrica e da

rigidez dielétrica para alguns materiais. A rigidez dielétrica será analisada no tópico referente à
perfuração dos dielétricos.

Tabela 1 – Constante dielétrica e rigidez dielétrica

Material εr Rigidez dielétrica (kV/mm)

[vácuo] 1 ---
Ar 1,00054 3
Papel 3,5 14
Mica 5,4 60
Porcelana 6,5 4
Baquelite 4,8 12
Polietileno 2,3 50
Óleo mineral 2,2 15
TiO2 100 6

Os dados da Tabela 1 são válidos para a temperatura ambiente (300K) e em condições tais que o
campo não varia com o tempo. A rigidez dielétrica no vácuo não é avaliada, pois não existe meio
material para perfuração. A rigidez dielétrica no óleo mineral depende do grau de pureza e da
densidade do mesmo, além da temperatura e pressão.

4 Capacitância

Em um capacitor de placas paralelas com tensão V, a carga armazenada é Q = CV. O valor da

capacitância é diretamente proporcional à área das placas (A) e inversamente proporcional à distância
das mesmas entre si. A constante de proporcionalidade é ε do dielétrico:

C = ε [A/d]

Se entre as placas existe o vácuo, então Co = εo [A/d].

Sendo εr = ε /εo então, se existir um material dielétrico entre as placas:

C = εr εo [A/d]

Portanto, a carga total acumulada nas placas do capacitor é:

Q = Qo + QD

onde Qo é a carga nas placas sob vácuo e QD é a carda devido à polarização do dielétrico.

Quando um dielétrico é polarizado surge um campo elétrico ED oposto ao campo externo aplicado
(Fig. 3). O campo resultante no interior do dielétrico é E = E(ext) + ED.

66
 - ED +

+ _
- E +

E(ext)

Fig. 3 – Composição do campo elétrico em um dielétrico

5 Dielétrico polar e não-polar

Os dielétricos podem ser subdivididos em duas classes: polar e não-polar. Uma molécula não-
polar apresenta uma disposição geométrica das cargas de modo a não ocorrer uma resultante em um
determinado sentido. Temos como exemplo o CO2 (que apresenta um centro de simetria) e a molécula
de benzeno. Quando a disposição geométrica das cargas na molécula apresenta uma resultante temos
uma molécula polar. É o caso de H2O (água) e KI. O iodeto de potássio constitui o exemplo típico de
um dipolo elétrico.

6 Tipos de polarização

A polarização é a ordenação no espaço de cargas elétricas sob ação de um campo elétrico. Os

principais tipos de polarização são descritos a seguir e dependem do tipo de material.

1 – Polarização eletrônica: consiste da alteração da disposição da camada eletrônica dos átomos sob
campo elétrico. Ocorre em um tempo de aproximadamente 10-15 s, não há perdas por aquecimento e
está presente em todos os dielétricos.

2 – Polarização iônica: consiste no deslocamento parcial dos íons em um sólido de estrutura iônica
quando um campo elétrico é aplicado. O tempo de polarização é da ordem de 10-13 s e produz perdas.

3 – Polarização dipolar: consiste na orientação das moléculas dipolares de um líquido sob influência
do campo elétrico externo. O tempo de estabelecimento da polarização depende das características do
líquido dipolar assim como da temperatura. Resulta em perdas. A Fig. 1 ilustra um caso típico de
polarização dipolar.

4 – Polarização por cargas espaciais: consiste na orientação de cargas em determinados espaços

internos no material em função do campo aplicado externamente.

5 – Polarização por migração: consiste no deslocamento de cargas em determinadas microregiões ou

dentro dos limites de uma impureza em um material não-homogêneo.

Um mesmo material pode estar sujeito a mais de uma dessas polarizações simultaneamente, o que
pode depender da temperatura e da frequência do campo. Cada tipo de polarização contribui
separadamente com um valor de εR.

7 Polarização nos gases, líquidos e sólidos

A intensidade da polarização é medida pela constante dielétrica do material. Diversos fatores

interferem nessa grandeza e, portanto, na polarização. Um dos fatores é o estado físico do material.
Neste caso, vamos analisar a polarização para os gases, líquidos e sólidos.

67
Polarização nos gases

Os gases apresentam moléculas distantes entre si, o que resulta em uma constante dielétrica relativa
próxima da unidade. A temperatura e a pressão interferem na constante dielétrica do gás. Maior
pressão implica em maior quantidade de moléculas por unidade de volume, portanto maior εr. Maior
temperatura implica em maior vibração térmica das moléculas, portanto menor εr. Como está indicado
na Tabrela 1, εr do ar é 1,00054 o que na prática, indica que o ar equivale ao vácuo em termos de
efeito da polarização.

Polarização nos líquidos

Os líquidos podem ser polar ou não-polar. As curvas da Fig. 4 indicam a variação da constante
dielétrica em função da frequência e da temperatura para líquidos não-polares e polares. Para um
líquido não-polar, quando este entre em ebulição, εr fica próximo de 1. Para líquido não-polar εr não
varia com a frequência. Para líquido polar a constante dielétrica consiste na somatória de dois tipos de
efeitos de polarização: ε = εE + εD, i.e. polarização eletrônica e polarização dipolar. Para um campo
elétrico variável, quando a frequência aumenta a ponto de impedir o efeito da polarização dipolar,
devido á intensa vibração das moléculas, fica apenas o efeito da polarização eletrônica. Para líquido
polar, o aumento da temperatura implica no aumento da viscosidade assim como no aumento da
vibração térmica, resultando uma curva em que εr aumenta até determinado valor e depois decai.

ε ε ε ε

T f f T

não-polar polar

Fig. 4 – Constante dielétrica em função da frequência e da temperatura pra líquido não-polar e polar.
O gráfico é linearizado e considera valores genéricos de T e f.

A constante dielétrica dos líquidos não-polares varia em torno de 2 a 2,5. Estes são valores ideais para
aplicação como líquidos isolantes em campo variável (ca) desde que a rigidez dielétrica seja
compatível.

Polarização nos sólidos

A constante dielétrica nos sólidos pode apresentar valores diversos dependendo da estrutura do sólido.
Nos sólidos podem ocorrer vários tipos de polarização. Apresentamos alguns casos típicos como
segue. Parafina (molécula não-polar): εr = 2,2; NaCl (iônica): εr = 6; celulose (orgânico): εr = 6,5;
BaTiO3 (ferroelétrico): εr = 1500. Os ferroelétricos são materiais da classe de dielétricos não-lineares e
apresentam características e aplicações especiais.

8 Circuito equivalente de um dielétrico

Considere a Fig. 5 que representa um circuito com uma fonte de corrente contínua em kV
aplicando tensão em um corpo de prova (um material isolante entre duas placas) no qual é possível
medir a variação da corrente no instante em que a chave é fechada. A corrente que pode ser observada
é indicada no gráfico de ixt. Inicialmente a corrente decai exponencialmente (corrente de polarização)
até estabilizar num determinado valor constante (corrente de fuga).

68
 i

kV iP R C

iF

Fig. 5 – Ensaio em um dielétrico em cc; curva ixt; circuito equivalente do dielétrico.

A corrente de polarização corresponde ao aumento das cargas nas placas até que essas fiquem
totalmente carregadas. A variação da corrente ocorre devido ao aumento gradual das cargas,
equivalente ao que ocorre em um capacitor ao se polarizar. A corrente de fuga ocorre devido à
presença de cargas livres no dielétrico e corresponde à corrente em um resistor. Portanto, IP equivale a
IC e IF equivale a IR. A corrente de fuga, por sua vez, divide em corrente superficial e volumétrica. A
corrente superficial depende de vários fatores tais como as características da superfície do dielétrico
(rugosidade, presença de impurezas, presença de líquidos etc) e do meio ambiente (pressão,
temperatura, umidade relativa do ar etc). A corrente volumétrica corresponde à corrente no interior do
material e da mesma forma depende de suas características como porosidade e impurezas além de
fatores ambientais como a temperatura.

A resistência de isolamento do dielétrico é dada por R = V / iF.

Assim como a corrente de fuga se divide em volumétrica e superficial, a resistência pode ser
considerada também a partir desses parâmetros em volumétrica (RV) e superficial (RS):

RV = ρV [L/AV]

RS = ρS [L/LS]

Onde ρV = resistividade volumétrica (Ω.m)

ρS = resistividade superficial (Ω)
L = distância entre os eletrodos (m)
AV = área da seção transversal cortada pela corrente volumétrica (m2)
LS = largura da superfície por onde a corrente superficial percorre (m)

A partir do modelo RC paralelo do dielétrico pode-se obter a constante de tempo τ = RC, que
corresponde ao tempo durante o qual o capacitor é carregado.

Sendo R = ρ[L/A] e C = εrεo[A/L], resulta:

τ = RC = ρ εr εo

A constante de tempo é maior quanto maior forem R e C. Se R é grande, implica que a corrente
demora a descarregar pelo resistor. Se C é grande, implica que gasta-se muito tempo para descarregar
toda a carga armazenada no capacitor.

9 Isoladores elétricos

Os isoladores elétricos são construídos considerando-se o efeito da resistividade volumétrica e

superficial. A resistividade volumétrica depende especialmente do material utilizado. Os mais usados
são isoladores de porcelana, de vidro temperado, de epóxi e poliméricos. A forma do isolador tem uma

69
geometria (denominada de “saias”) cuja função é aumentar a resistência superficial, reduzindo a
corrente de fuga superficial que, por sua vez, depende dos fatores externos tais como poluição, chuva e
umidade. Essa geometria tem também a função de dispersar as linhas de campo elétrico no isolador,
reduzindo as descargas elétricas superficiais, especialmente quando o mesmo é submetido à
sobretensão. A Fig. 6 apresenta imagem de isolador de porcelana onde podemos observar detalhes das
“saias” com as funções acima descritas.

Fig. 6 – Isolador de porcelana tipo disco

A Fig. 7 apresenta a variação da resistividade superficial de um isolante em função da umidade

relativa do ar e do tipo de material: não-polar, polar sem poros e polar com poros na superfície.
Observa-se a redução da resistividade superficial com o aumento da umidade do ar no material polar
com poros.

ρ Material não-polar
Material polar sem poros
Material polar com poros

Umidade relativa do ar

Fig. 7 – Resistividade elétrica superficial em função da umidade relativa do ar

10 Perdas dielétricas

Perda dielétrica corresponde à energia dissipada em um dielétrico na unidade do tempo,

quando o material está submetido a um campo elétrico, resultando em aquecimento. Se a tensão da
fonte é c.c. as perdas ocorrem devido à corrente de fuga que depende da resistividade volumétrica e
superficial. Se a fonte é c.a. além da corrente de fuga uma série de fatores interferem nas perdas e
relacionam-se aos efeitos de polarização. Nos isoladores elétricos a presença de impurezas e de
umidade, aliada a porosidade e ranhuras na superfície dos mesmos, é determinante nas perdas de
energia e na capacidade de isolação desses dispositivos.

As perdas em c.a. podem ser avaliadas quantitativamente a partir do modelo de um circuito RC

paralelo de um dielétrico cujo diagrama fasorial da tensão e corrente é apresentado na Fig. 8.

IR

IC Fig. 8 – Diagrama
fasorial para um
δ I
dielétrico com modelo RC
paralelo

V
70
 A corrente de fuga é I = IC + IR. Consideramos, no modelo RC paralelo, os elementos ideais.
No capacitor a corrente está adiantada 90o da tensão e no resistor a corrente está em fase com a tensão.
O ângulo entre I e IC é o ângulo de perdas dielétricas δ. Definimos a tangente desse ângulo como
tangente de perdas dielétricas:

tgδ = IR / IC

O valor de δ é maior quanto maior for a IR. Desta forma, se IR for zero, o que caracteriza uma situação
ideal, as perdas serão nulas. Maior δ significa maiores perdas dielétricas. O inverso da tgδ é o fator de
qualidade do dielétrico:

Q = 1/tgδ

A potência ativa dissipada no resistor é:

P = VIR = V IC tgδ

Sendo IC = V.2.π.f.C ou IC = VwC então a potência será:

P = V2 wCtgδ

A equação das perdas acima indica que os fatores que interferem nas perdas dielétricas são
relacionados ao material assim como ao campo elétrico. Quanto ao material considera-se parâmetros
como a tgδ e a capacitância. Em relação ao campo a intensidade e freqüência influem também no valor
das perdas. A tgδ e a capacitância, por sua vez, são dependentes da freqüência do campo.

11 Tipos de perdas dielétricas

Os tipos de perdas dielétricas dependem do tipo de material e estão relacionados tanto à

corrente de fuga quanto aos processos de polarização que podem ocorrer no material.

1 – Perda por corrente de fuga

A corrente de fuga (IF) nos dielétricos surge devido à presença de cargas elétricas no material que
podem ser internas (IV) ou na superfície (IS). Fatores externos tais como temperatura, umidade e
presença de impurezas (devido à poluição ou à maresia, por exemplo) podem aumentar as correntes de
fuga e, portanto, as perdas. Pelo modelo RC paralelo o aumento de IF implica no aumento da tgδ.
Fatores externos, como a poluição, aumentam a corrente de fuga superficial e, consequentemente, as
perdas. Nos equipamentos elétricos essas perdas podem ser reduzidas mediante procedimentos de
manutenção adequada nas partes isolantes da rede e dos equipamentos.

2 – Perdas por polarização

São perdas que ocorrem nos dielétricos de estrutura dipolar e iônica. A vibração térmica dos dipolos
elétricos e íons, sob ação de corrente alternada, produzem dissipação de energia e aquecimento. Existe
um valor característico de frequência de campo para o qual a vibração é máxima e, portanto, a perda é
máxima. A temperatura também interfere nessas perdas. Como as perdas são proporcionais à tgδ,
existe uma temperatura para a qual a tgδ é máxima, que corresponde ao valor máximo de vibração dos
dipolos.

71
3 – Perdas por ressonância

Estas perdas ocorrem quando a frequência do campo fica próxima à frequência natural de oscilação
das cargas no dielétrico. Para cada tipo de material existe uma frequência natural de oscilação que
caracteriza o máximo de perdas por ressonância.

4 – Perdas por ionização

São típicas de dielétricos no estado gasoso e ocorrem quando o campo elétrico aplicado produz o
início da ionização no gás. Seu efeito mais prejudicial pode ocorrer em dielétricos sólidos com poros
contendo gás. Nesses poros surgem descargas parciais que produzem desgastes no interior dos poros
podendo resultar em danos para os materiais. Nas redes elétricas as perdas por ionização no ar
resultam no fenômeno denominado Efeito Corona que implica em perdas na rede. Os fatores resultam
em aumento do Efeito Corona relacionam-se à geometria do campo elétrico (entre fases e fase-terra), à
superfície do cabo (que pode ser lisa, com pequenas pontas, com curvatura irregular etc), à umidade
(como acúmulo de gotas de água na superfície do cabo), às impurezas depositadas no cabo (poluição,
maresia etc) dentre outros fatores. Efeitos similares podem ocorrer nos isoladores elétricos.

5 – Perdas por migração

Corresponde à polarização por migração em pequenas regiões no sólido, produzindo aquecimento em

determinados pontos do material.

12 Perfuração nos dielétricos e rigidez dielétrica

Existe um valor de campo elétrico para o qual os dielétricos perdem suas características
isolantes e passam a conduzir correntes abruptamente. Nesses casos o material sofre uma perfuração.
O valor do campo que produz a perfuração do isolante é denominado de rigidez dielétrica e é dado
por:

ED = VR / d

Onde VR é a tensão de ruptura do material e d é a distância entre as placas onde o campo elétrico é
aplicado.

A unidade mais utilizada para ED é kV/mm.

A fig. 9 indica dois eletrodos com distância d e um dielétrico entre os mesmos. O gráfico de ixV
indica que a perfuração ocorre quando a tensão atinge o valor de ruptura (VR) e a corrente aumenta
subitamente entre as placas.

V
+ - kV VR

Fig. 9 – Dielétrico (isolante) entre dois eletrodos e curva ixV indicando a perfuração

72
13 Perfuração nos gases

Em muitas situações nas instalações elétricas e nos equipamentos elétricos o ar é usado como
isolante. A rigidez dielétrica do ar é, no entanto, inferior à de diversos outros gases assim como
inferior à dos líquidos e sólidos de uma maneira geral. Quando um gás é submetido a um campo
elétrico, há a liberação do elétron livre no catodo que pode ocorrer com os fenômenos de emissão de
campo ou emissão termoiônica. Dessa forma os íons e elétrons livres no meio gasoso adquirem uma
energia adicional dada por:

W = q.Vx

Onde q é a carga do elétron e Vx é a tensão ao longo do espaço livre percorrido x. Sendo o campo
homogêneo a intensidade de campo é:

E = Vx / x

Resulta:

W = q.E.x

Se o deslocamento das partículas (elétrons e íons) no espaço livre resultar em um valor de energia W
maior que a energia de ionização do gás (Wi), pode ocorrer excitação ou ionização das moléculas do
gás com conseqüente produção de fótons e/ou mais elétrons livres no meio gasoso. Esse processo
tende a acelerar até um fenômeno de avalanche que caracteriza a perfuração do gás. Nos meios
gasosos esse fenômeno é caracterizado como arco voltaico, que consiste em um meio de alta energia
produzindo altas temperaturas e desgaste dos materiais envolvidos no processo.

14 Perfuração nos dielétricos líquidos

A rigidez dielétrica dos líquidos é muito maior que a dos gases em condições normais. A
perfuração nos líquidos pode ser de três tipos, conforme descrito a seguir.

1 - Perfuração eletrônica

De forma semelhante ao que ocorre nos gases este processo de perfuração desenvolve devido à
existência de elétrons livres que adquirem energia suficiente para ionizar as moléculas do líquido. A
liberação do elétron livre no catodo pode ocorrer com os fenômenos de emissão de campo e emissão
termoiônica. Observa-se que um dos fatores que eleva o valor da tensão de ruptura dos líquidos, em
relação aos gases, é o fato das moléculas dos líquidos estarem mais próximas entre si que a dos gases.

2 - Perfuração por cativação

Este efeito está relacionado com a formação de bolhas no líquido. Quando surge uma bolha
esta tenderá alongar-se na direção do campo de forma a minimizar a energia potencial sob ação do
campo. O formato adquirido pela bolha facilitará a perfuração do líquido. A Fig. 10 indica uma bolha
normal que não está submetida à ação do campo elétrico e o efeito na bolha sob ação do campo que
caracteriza o processo de perfuração.

73
Fig.10 - Bolha em um líquido sem campo elétrico e alongamento da bolha sob efeito do campo
elétrico.

3 - Perfuração por partículas suspensas

Se o líquido apresenta partículas suspensas, essas partículas serão polarizadas sob ação do
campo elétrico mediante ação de uma força que tenderá a alinhá-las entre os dois eletrodos. Desta
forma as partículas formarão uma ponte entre os dois eletrodos podendo constituir um caminho para a
perfuração do dielétrico líquido. A Fig. 11 representa esquematicamente esse fenômeno. A presença
de umidade é também um fator determinante na perfuração de um líquido isolante. A Fig. 12 indica a
variação da rigidez dielétrica do óleo mineral isolante com a temperatura, considerando o óleo puro
(curva 1) e o óleo com umidade (curva 2).

Fig. 11- Efeito das partículas suspensas no líquido sob campo elétrico.

Fig. 12- Rigidez dielétrica do óleo mineral isolante em função da temperatura.

1 - óleo seco; 2 - óleo com umidade.

74
15 Perfuração nos dielétricos sólidos

Podemos caracterizar os seguintes tipos de perfuração nos sólidos.

1 - Perfuração elétrica.

Esta perfuração desenvolve-se por um processo puramente eletrônico, no qual poucos elétrons
livres iniciais criam no sólido um avalanche eletrônico. Caracteriza-se por desenvolver muito
rapidamente (10-7 a 10-8 s). A movimentação dos elétrons resulta dissipação de energia na rede
cristalina. Os elétrons que alcançam uma velocidade crítica determinada arrancam novos elétrons o
que significa produzir no sólido uma ionização por choques com elétrons. Observa-se que em
materiais com maior energia de ligação da rede cristalina a tensão de ruptura é maior. Em monocristais
de estrutura uniforme, como alguns polímeros, Ed atinge valor muito elevado.

2 - Perfuração térmica

A perfuração térmica ocorre devido ao aquecimento do material sob ação do campo elétrico,
atingindo valores de temperatura correspondente às perdas de suas propriedades isolantes com o
correspondente aumento da condutância transversal e das perdas dielétricas. Os dielétricos orgânicos
apresentam valores mais baixos de tensões de ruptura correspondente à perfuração térmica que os
inorgânicos. Para calcular a tensão de perfuração térmica do dielétrico deve-se considerar sua tgδ e
constante dielétrica em função da temperatura. Alguns materiais acusam crescimento brusco da tg δ
quando a temperatura ultrapassa 20 a 300C. Outros materiais já apresentam a variação da tgδ dentro do
intervalo amplo de temperatura (150 - 2000C). A perfuração térmica irá ocorrer em torno destes
valores de temperatura. A temperatura de aquecimento de um isolador se estabelece quando o calor
desprendido é igual ao calor transferido ao meio ambiente. Para os sólidos existe uma classificação em
“classe de isolamento” que indica a temperatura que o material pode ser submetido sob campo elétrico
sem causar danos ao mesmo.

3 - Perfuração por descargas parciais.

Alguns tipos de isolantes apresentam cavidades ou poros contendo gases com menor valor de
tensão de ruptura que o sólido. A constante dielétrica do material dos poros é normalmente menor que
a constante dielétrica do isolante sólido, o que causa uma intensidade de campo maior nos poros. Essa
característica dos sólidos pode resultar em um fenômeno denominado de descargas parciais. A Fig. 13
indica o efeito do poro no interior de um sólido, considerando-se os parâmetros D, E e P.

75
Fig. 13 – Vetores D,E,P em um dielétrico com poros, sendo ε = constante dielétrica do sólido e ε1=
constante dielétrica no poro.

Sendo a densidade de fluxo elétrico a mesma nos dois meios, temos:

D
E = campo eletrico no solido
ε

D
E1 = campo eletrico no poro
ε1

Se ε > ε1 , então

E < E1

Sob condições normais de trabalho a tensão na cavidade pode exceder o valor de ruptura do dielétrico.
Podemos propor um modelo para um circuito que represente a situação do dielétrico acima, conforme
Fig. 14.

76
 C = capacitância do dielétrico;

C1 = capacitância do poro submetido a uma tensão V1.

Fig. 14 - Circuito equivalente para dielétrico com poros

Como a densidade de carga no poro é igual à densidade de carga no dielétrico, então.

ε 0 ε r1 E1 = ε 0 ε r E
ε r 1 E1 = ε r E

Se na cavidade temos o ar, εr1 = 1 e sendo E1 = V1/d1 e E = V/d resulta:

V1 V
= εr para d1 << d
d1 d

Sob uma tensão V, quando V1 alcança o valor de ruptura na cavidade irá ocorrer descarga elétrica
nesta cavidade. A Fig. 15 mostra a sequência de descargas sob tensão alternada senoidal na cavidade.
A linha pontilhada indica a tensão (V1) que apareceria na cavidade se não houvesse descarga. Assim
que V atinge o valor V1 a descarga ocorre e a tensão cai. Novamente a tensão na cavidade aumenta até
V1 quando então ocorre nova descarga. Portanto diversas descargas ocorrerão. Teremos então pulsos
de corrente positivos e negativos dentro da cavidade.

Alguns elétrons colidindo no anodo podem ter energia suficiente para quebrar as ligações
químicas do sólido na superfície. De forma análoga, bombardeios no catodo por íons positivos podem
causar danos pelo aumento da temperatura e produção de instabilidade térmica local. Como resultado
dessas descargas haverá uma degradação química com consequente produção de 03 e N02, aumentando
assim das perdas dielétricas. Esta deterioração da malha produz descargas parciais no material e
consequentemente reduz a espessura do sólido até resultar em sua total perfuração. O tempo para
ocorrer a perfuração por descargas parciais pode ser de poucos dias ou vários anos.

77
Fig. 15 - Sequência de descargas em uma cavidade sob tensão alternada.

A Tabela 2 indica o valor da rigidez dielétrica de alguns materiais sólidos na frequência de 50Hz.

Tabela 2 – Rigidez dielétrica e a estrutura de alguns sólidos

MATERIAL Ed (kV/mm) ESTRUTURA

Vidro 100 - 300 Homogêneo e denso; laminado
NaCl 100 - 150 com campo perpendicular às
Mica 100 - 300 lâminas
Papel impregnado 100 – 300
Cerâmica 10 – 30 não homogêneo poros
Micalex 10 - 15 interligados
Plástico 10 – 15
Mármore 4–5 com porosidade aberta
Cerâmica c/ poros 1,5 - 2,5
Madeira 4-6
Papel não imprenado 7 – 10

16 Dielétricos lineares e não lineares: aplicações na engenharia

Dielétricos lineares são caracterizados pelo fato de sua polarização P ser diretamente
proporcional à intensidade do campo dielétrico E, isto é:

P = χE εoE

Sendo ε0 constante e χE susceptibilidade dielétrica. Nos dielétricos não-lineares essa relação entre P e
E não obedece, como o próprio termo indica, a uma relação linear i.e., χE varia com o campo. Os
principais dielétricos não-lineares são descritos a seguir.

Ferroelétricos
Este tipo de dielétrico apresenta as seguintes características:

78
a) histerese sob ação de uma tensão alternada, semelhante ao ciclo de histerese magnético, no que se
refere à relação entre carga e tensão aplicada;
b – alto valor de permeabilidade ε;
c - suas propriedades variam significativamente com a temperatura;
d – pode ocorrer polarização espontânea sem presença de um campo elétrico atuando no dielétrico.
Portanto, o comportamento dos ferroelétricos sob ação de um campo elétrico, assemelha-se ao
dos ferromagnéticos sob ação de um campo magnético. Exemplo de ferroelétrico: sal de La Rochelle
(Na K C4 H4 )6 . 4H2 0) e Ba Ti 03. A polarização espontânea nos ferroelétricos desaparece em certas
temperaturas, denominada ponto de Cúrie do ferroelétrico. Equivale dizer que a constante dielétrica ε
varia com a temperatura.

Electreto
Um electreto é um dielétrico que conserva sua polarização por um longo tempo depois de ter
sido retirado o campo dielétrico que produziu esta polarização. Podemos fazer analogia com os
materiais magnéticos que permanecem magnetizados mesmo depois de retirado o campo magnético.

Piezoelétricos
Quando um cristal não possui um centro de simetria, ou seja, o cristal não apresenta
distribuição simétrica dos átomos, este cristal pode ser polarizado por deformações mecânicas devido
ao deslocamento dos íons. Os cristais piezoelétricos aplicam-se em transdutores que transformam
energia elétrica em mecânica e vice-versa, em microfones, acendedor de chamas , etc.
A Fig. 16 mostra um cristal com centro de simetria que não apresenta a característica de
piezoeletricidade e um cristal sem simetria que, submetido a uma deformação mecânica irá provocar o
aparecimento de um pulso de tensão devido à energia fornecida aos íons assimetricamente
distribuídos.

Quando os íons, antes tracionados, retornam à sua

posição original, irão provocar o aparecimento de uma
d.d.p.

Fig. 16 - Piezoeletricidade
79
Cristal líquido
Os cristais líquidos constituem uma classe de materiais denominados eletro-ópticos. O efeito
eletro-óptico aparece em função de uma alteração na permissividade da substância sob ação de um
campo elétrico. O cristal líquido foi descoberto em 1888, porém aplicado comercialmente cerca de 100
anos depois. Estas substâncias apresentam um estado intermediário entre líquido e sólido, com as
propriedades específicas dos cristais (anisotropia) e dos líquidos (fluidez). O estado característico do
cristal líquido depende da temperatura. Abaixo de uma determinada temperatura o material poderá
apresentar-se no estado sólido, acima de uma determinada temperatura no estado líquido. Na fase
cristal-líquido em que a substância apresenta uma fase intermediária de transição é denominada
mesofase.
A molécula do cristal líquido apresenta uma forma alongada. Assim para a molécula de p-
metoxibenzilidene-p-n-butyl-anilina, cuja mesofase corresponde à faixa de temperatua de 22 a 480C,
tem a forma.

De acordo com sua estrutura classificam-se os cristais líquidos em: nemático - as moléculas alongadas
são dispostas enfileiras; sméctico - as moléculas são orientadas em camadas ou em grupos; colestérico
- as moléculas são dispostas em camadas porém orientada na forma de espiral. Fig. 17.

Fig. 17 - Estrutura dos cristais líquidos

O cristal ácido n-heptyl-oxienzóico varia de fase com relação à temperatura da seguinte forma:

A orientação das moléculas resulta em determinadas propriedades anisotrópicas do cristal líquido:

índice de refração, permissividade, resistividade, viscosidade, etc, parâmetros que são diferentes se
aplicados paralelamente ou perpendicularmente ao eixo molecular. A Fig. 18 mostra a variação do
índice de refração no cristal líquido que é anisotrópico abaixo de uma determinada temperatura Tiso e
isotrópico acima desta temperatura. Enquanto o cristal é anisotrópico temos o índice de refração igual
a N0 se aplicado na direção paralela ao eixo. Quando o material não mais apresenta a fase de cristal
líquido, torna-se isotrópico.

80
Fig. 18 - Índice de refração versus temperatura para o p-azoxy-anizole

As propriedades do cristal líquido são similares às propriedades dos ferroelétricos, consistindo

também de regiões em que as moléculas alinham-se numa mesma direção (domínios). Alguns cristais
líquidos apresentam uma histerese sob ação de um campo alternado.
Fatores externos podem alternar a estrutura dos cristais líquidos como temperatura, pressão,
campo elétrico e magnético. Estas mudanças na estrutura resultam em alterações nas propriedades
elétricas, ópticas, etc. Alterações nas propriedades ópticas do cristal líquido submetidos a um campo
elétrico externo constituem o princípio de operação de alguns dispositivos. Um pequeno campo
elétrico aplicado no cristal líquido tende a alinhar as moléculas na direção do campo. Porém quando a
tensão excede um determinado valor é destruída a estabilidade da estrutura. Com a tensão ainda mais
elevada, as moléculas apresentarão um movimento turbulento e tornam opticamente não homogêneas.
Neste estado o cristal líquido espalha luz em todas as direções. Desta forma há uma mudança na
transparência do líquido sujeito a um campo elétrico. O tempo para ocorrer este processo é de 1 a
10ms. Células de cristais líquido consiste de 2 eletrodos transparentes separados por cristal líquido,
com espessura por volta de 5 a 50µm. Aplicando uma tensão de limiar neste eletrodos ocorre o
processo de espalhamento e reflexão da luz. É utilizado nos visores (display) de CL. A resistividade de
cristais líquidos puros é da ordem de 108 - 1010 Ωm. Uma célula de cristal líquido não consome mais
que 1W/m2 enquanto que um LED consome aproximadamente 105W/m2.

Vidro
O vidro é uma substância amorfa constituída por sistemas complexos de diversos óxidos. A
densidade do vidro varia de 2000 a 8000kg/m3 e a resistência à compressão é muito maior que à
tração. Como se trata de um composto amorfo o vidro não apresenta uma temperatura de fusão em
definida. Ao aquecer a viscosidade diminui paulatinamente, começando a deformar entre 400 e
16000C. Quando se aquece ou esfria o vidro repentinamente, aparecem tensões mecânicas que tendem
a quebrá-lo, devido à irregularidade de distribuição de temperatura através do material. A maioria dos
vidros é transparente aos raios visíveis do espectro eletromagnético. Havendo impurezas de óxido de
ferro o vidro absorve os raios ultravioletas. O índice de refração varia entre 1,47 e 1,96. Vidros de
peso atômico pequeno são transparentes aos raios X. Vidro com pouca estabilidade hidrolítica
apresenta pouca resistividade superficial, sendo que o quartzo é tipo mais estável. Dependendo de sua
composição a resistividade varia de 106 a 1015 Ωm, ε varia de 3,8 a 16,2 e tg δ varia de 0,0002 a 0,01.
A condutividade superficial depende do estado da superfície, sendo que em tensões contínuas e campo
homogêneo Ed chega a 500kV/mm. Na fabricação do vidro o material deve ser fundido rapidamente.

81
Se a substância é fundida lentamente aumenta a probabilidade desta passar ao estado cristalino. A
matéria prima utilizada é areia de quartzo Si02, Na2C03, K2C03, CaC03 MgC03, Na2SO4, etc. Dentre
diversas aplicações do vidro, vamos destacar a fibra óptica, cuja função é transmissão de dados.
Fibra óptica é um filamento fabricado com material de vidro ou plástico, usado para
transmissão de informação por intermédio da luz. A informação é transmitida ao longo da fibra de
comunicação óptica através de um sinal de luz variável. Isto pode ser comparado a sinais elétricos
variáveis em um fio de cobre. A fibra é análoga a um condutor de um cabo elétrico no sentido de
transmitir informações. Um cabo óptico pode ter uma ou mais fibras envolto por uma capa protetora.
As fibras de comunicação óptica são eletricamente seguras, transportam grandes quantidades de
informações, são imunes à interferência eletromagnética, apresentam boas características dielétricas,
não apresentam perigo de incêndio e são flexíveis.
Uma fibra única apresenta diâmetro na faixa de 0,02 a 2mm. Um filamento de fibra ótica (Fig.
19) é constituído de um núcleo e uma capa externa de vidro de composição e índices de refração
diferene entre si. Sendo n1 e n2 os índices de refração do núcleo e da capa respectivamente é necessário
que n1 seja maior que n2. Um raio de luz que incidir do meio mais denso (núcleo) com o meio menos
denso (revestimento), irá refletir internamente e desta forma prosseguirá ao longo da fibra sem sair do
espaço circundante, até a extremidade da fibra.

Fig. 19 - Raio de luz em uma fibra ótica

Um raio de luz incidindo sobre a interface entre materiais óticos transparentes com índices de
refração diferentes será totalmente refletido internamente se o raio estiver no material mais denso e
desde que o ângulo formado pelo raio com a normal para a interface for maior que um ângulo crítico.
Um raio de luz atravessando uma fibra de 50µm de diâmetro pode ser refletido 100 vezes por
centímetro de comprimento da fibra. Este número aumenta em proporção direta à diminuição do
diâmetro. A reflexão interna total entre dois meios ópticos transparentes resulta numa perda de menos
de 0,001% por reflexão.
A temperatura máxima de operação das fibras de vidro pode situar-se em torno de 4000C. As
fibras de sílica podem ser usadas em temperaturas muito mais altas. A fibra óptica apresenta grande
flexibilidade e resistência mecânica devido à orientação das moléculas de sua capa superficial e ao
processo de fabricação onde o filamento de vidro fundido é resfriado rapidamente. Na fabricação o
vidro é fundido numa cuba em alta temperatura. No fundo da cuba contém orifícios por onde saem fios
de massa vítrea. Este fio é enrolado em cilindro mantendo-se flexível. Como a principal função da
fibra ótica é o transporte de luz a capacidade e característica da transmissão depende de perdas da
reflexão superficial de entrada e saída, da dispersão interfacial do núcleo, do tamanho da fibra, da
homogeneidade do vidro do núcleo, dos defeitos do núcleo e do revestimento. A fig. 20 apresenta um
esquema simplificado de transmissão e recepção de sinal por uma fibra óptica. Os índices
apresentados indicam:

82
1 - Chave ou contato NA
2 - relé
3 - Circuito eletrônico
4 - LED
5 - Fibra ótica
6 - Fototransistor
7 - Circuito eletrônico
8 - Relé
9 - Contato NA do relé B
10 - Lâmpada de sinalização

Fig. 20 - Esquema simplificado de um transmissor-receptor usando fibra ótica.

QUESTÕES

1 – Conceituar polarização e descrever os tipos de polarização.

2 – Descrever os vetores E, P e D relacionados aos dielétricos.
3 – explicar o significado físico de ε e χ.
4 – Considere os dados da Tabela 1 para responder aos itens seguintes: a) qual o material que
apresenta maior polarização; b) qual o melhor isolante elétrico; c) qual o valor da polarização no
vácuo; d) qual o material indicado para se obter um maior valor de capacitância em um capacitor de
placas paralelas.
5 – Com relação à Fig. 2, considere que cada par de carga +/- equivale a 1nC/m2. Obter o valor de : a)
Do (no vácuo); b) D (com material dielétrico entre as placas); c) εR do material.
6 – Explicar a diferença entre dielétrico polar e não-polar e suas aplicações nos equipamentos e
dispositivos.
7 – Qual a relação entre constante dielétrica e frequência para: a) dielétrico polar; b) dielétrico não-
polar.
8 – Explicar porque a constante dielétrica relativa dos gases é próxima de 1.
9 – Interpretar os dados da Tabela 2.
10 – Explicar a diferença entre dielétricos lineares e não-lineares.
11 – Avaliar o que significa a constante de tempo de um dielétrico.
12 – Citar e explicar os fatores que interferem na condutância superficial de um isolador.
13 – Explicar o que é o ângulo de perdas de um dielétrico e a relação com o fator de qualidade.
14 – Explicar o circuito RC equivalente do dielétrico.
15 – Citar e explicar os tipos de perdas dielétricas.
16 – Explicar os fatores que interferem na perfuração de dielétricos: a) gasoso; b) líquido; c) sólido.

83
17 – Explicar como ocorre a perfuração por descargas parciais em um sólido com poros.
18 - Um isolador apresenta tgδ = 2x10-2. Um ensaio realizado no isolador com tensão de 10kV, 60Hz,
resultou em 0,01W de perdas. Calcular: a) a capacitância equivalente do isolador; b) a resistência
equivalente. Considere o modelo RC paralelo.
19 - Um isolador de material homogêneo e forma cilíndrica apresenta as seguintes dimensões:
altura = 10 cm; diâmetro = 6 cm. As resistividades, volumétrica e superficial para o isolador são: ρV =
5x1012Ω.m e ρS = 8x1011Ω. Calcular a resistência equivalente. Calcular as correntes IV e IS para uma
tensão aplicada de 5kV, 60 Hz.

TEMAS PARA PESQUISA

- SF6 : características e aplicações na engenharia

- Isolantes e isoladores elétricos: materiais usados, tipos, ensaios elétricos
- Cristal líquido e princípio de operação do LCD
- Fibra ótica: princípio de atuação, tipos, aplicações
- Piezoeletricidade: princípios físicos e aplicações
- Eletretos: princípios físicos e aplicações
- Materiais ferroelétricos: propriedades e aplicações
- Isolantes líquidos: tipos, características, aplicações
- Descargas parciais nos isolantes sólidos
- O efeito corona
- Perfuração nos isolantes sólidos
- Descargas superficiais em isoladores
- Índice de polarização e índice de absorção nos isolantes
- Ensaios em equipamentos da alta tensão
- O vácuo em altas tensões
- Cabos de alta tensão: construção, funções da blindagem e da fita semicondutora

84
 5

MATERIAIS MAGNÉTICOS
Neste capítulo o estudo direciona-se para o comportamento dos materiais sob ação do campo
magnético. Assim como foi realizado nos capítulos anteriores faremos um estudo do comportamento
magnético dos materiais, inicialmente focalizando esses aspectos no nível microscópio e a partir daí
estudar suas principais propriedades e aplicações na engenharia. Veremos que os efeitos magnéticos
são produzidos pelos elétrons circulando em torno do núcleo do átomo e que um campo magnético
externo poderá produzir momento de dipolo magnético induzido em um material, modificando o
campo original. Iniciamos nosso estudo pela análise do movimento do elétron em uma órbita circular
e do momento magnético resultante, definindo o magnéton de Bohr. Apesar de destacarmos os
vários tipos de materiais quanto ao comportamento sob campo magnético, o foco desse estudo será
principalmente os materiais ferromagnéticos, tendo em vista analisar suas propriedades e aplicações
nos equipamentos elétricos.
Aspectos teóricos e fundamentos conceituais que deverão ser compreendidos:
- o princípio de magnetização nos materiais e o magnéton de Bohr;
- os tipos de materiais em função do comportamento magnético;
- análise qualitativa e quantitativa envolvendo as grandezas: campo magnético, magnetização,
permeabilidade magnética, susceptibilidade magnética;
- o ciclo de histerese magnética;
- as perdas magnéticas e os meios usados para reduzi-las;
- as principais ligas magnéticas e suas aplicações.

1 O Magneton de Bohr

Seja um elétron movendo-se com velocidade V numa órbita circular de Bohr (Fig. 1).

Fig. 1 - Órbita circular de Bohr

O momento deste elétron será

→ → →
τ = r x F
r = raio do átomo
F = força tangencial que produz a rotação do elétron.

85
 →
O momento angular Pθ será.

→ →
d P = τ dt

temos
→ → →
F = m a = m d v/ dt
m = massa do elétron

Sendo
→ →
τ = d pθ / dt

Então

→ →
d pθ → → dv →
= r x F = m x r
dt dt

Resulta
→
Pθ = mvr

Pela relação de deBroglie, com o princípio da dualidade onda-partícula, temos.

h
mv =
λ
Sendo

nλ = 2πr

Resulta

2πr
λ =
n

Da equação de deBroglie obtemos

h
λ =
mv

Resulta das equações acima que

2πr h
=
n mv

O valor de r será

86
 nh
r =
2πmv

nh nh
Pθ = mv =
2πmv 2π

h
Pθ = n
2π

O momento angular do elétron é um inteiro de quantidade h/2π= h.

Igualando as equações do momento angular e considerando a órbita do átomo de H ( n = 1), obtemos.

h
mvr =
2π

Ou então

h
r =
2πmv

O elétron no átomo H girando na órbita n = 1 em torno do núcleo apresenta um momento magnético.

Por outro lado podemos considerar o elétron circulando no átomo de H equivalente a uma corrente.

q q
I = =
t 2π / w

Onde t = 2π/w = período

Esta corrente correspondente a um momento magnético m cujo valor é

m = IA

Onde A = área da circunferência percorrida pela corrente I, figura 2.

Fig. 2 - Corrente numa circunferência de área A.

Das equações de corrente acima resulta

q qw 2
m = A = πr
t 2π

87
 qwr 2
m =
2

Temos ainda que

v = wr

Tomando a equação do raio

h 1
r =
2π mwr

r
2
h 1
=
2π mw

Substituindo a equação de r na do momento magnético (acima), obtemos o magneton de Bohr

qw  h  hq
mB =   =
2  2πmw  4πm

hq
mB =
2m

Onde

h
h =
2π

O magnéton de Bohr é uma unidade natural que mede o momento de dipolo magnético
atômico, ou seja, mede o momento do elétron girando em sua órbita, para uma órbita circular de Bohr.
O valor de mB é 9,3 x 10-24 A.m2.

Neste capítulo consideraremos o conceito de magnéton de Bohr aplicado ao comportamento

magnético dos materiais.

2 Diamagnetismo

Considera-se que todos os materiais apresentam um comportamento diamagnético, porém em

muitos deles a existência de um momento magnético permanente mascara este efeito devido aos
momentos de dipolos induzidos, conforme vermos nos paramagnéticos

Nos diamagnéticos quando aplicamos um campo B resulta uma magnetização M. Quando B é

removido M desaparece. Portanto os materiais diamagnéticos não apresentam magnetização
permanente, porém podem sofrer uma magnetização por efeito de um campo externo. Esta
magnetização irá reduzir o campo interno total no material.

Vamos analisar como ocorre esse efeito nos materiais. Considere um elétron numa órbita
circular de raio r, com momento de spin ms (Fig. 3). Sem campo externo, temos morb = ms, portanto
morb + ms = 0. O material, neste caso, não apresenta magnetização.

88
 Fig.3 - Elétron numa órbita circular de raio r.
Momento orbital morb e momento de spin ms.

Ao aplicarmos um campo externo observa-se um aumento da força centrífuga resultando

diminuição da velocidade orbital do elétron para manter o raio constante. Como resultado da redução
da velocidade, o morb diminui de forma que teremos morb menor que ms o que, por sua vez, implica na
redução do campo interno em relação ao campo externo. Assim, a susceptibilidade magnética é
negativa nos diamagnéticos.

3 Paramagnetismo

Os materiais paramagnéticos apresentam dipolos magnéticos i .e, momento orbital e momento

de spin, mesmo na ausência de campos externos. Portanto existem dipolos atômicos, porém estes
anulam-se quando não há campo externo aplicado. Neste caso a magnetização resultante é nula.

Se aplicarmos um campo magnético este tenderá a orientar estes momentos paralelamente ao

campo aplicado, que é a posição de menor energia, ou seja, ocorre o alinhamento dos dipolos
permanentes com o campo. Desta forma o campo dentro do material cresce. Os elétrons em órbita
apresentam um comportamento diamagnético, porém este efeito, por ser muito fraco, é mascarado pelo
paramagnetismo. O efeito paramagnético, que consiste na tendência de orientar dos dipolos
magnéticos é dificultada pela agitação térmica.

4 Ferromagnetismo

Nos materiais ferromagnéticos, como é o caso do Fe, Co e Ni, o momento de spin supera os
demais momentos magnéticos, resultando em cada átomo um momento de dipolo alto e
consequentemente resulta a constituição dos domínios magnéticos. Portanto a magnetização é devida
aos spins paralelos e não aos momentos de dipolos magnéticos orbitais. Estes momentos magnéticos
alinhados paralelamente constituem os domínios magnéticos que surgem em pequenas regiões do
material, que apresentam magnetização individualmente.

Sem campo magnético externo os domínios magnéticos anulam-se. Não temos magnetização
resultante no material. Quando aplicamos um campo magnético externo os domínios magnéticos
sofreram um crescimento e rotação na direção do campo resultando um grande valor de campo
magnético interno (Fig.4).

89
Fig.4 - Domínios magnéticos: com campo e sem campo externo aplicado no material

Analisaremos agora a razão da existência dos domínios magnéticos. Os domínios magnéticos

surgem devido à tendência de todo sistema ocupar o menor estado de energia. Consideremos então,
dois imãs com orientação paralela entre si, em função de seus pólos (Fig. 5a).

Fig. 5 - Dois imãs - a - paralelos; b – antiparalelos

A força mútua entre esses dois imãs faz com que assumam posição antiparalela (Fig. 5b) que é
uma posição de equilíbrio estável e de menor energia. Da mesma forma, em um material
ferromagnético, são gerados um grande número de domínios magnéticos, de modo a reduzir a energia
interna. A configuração de menor energia é aquela em que os domínios tendem a formar um ângulo
reto (Fig. 6) resultando um envoltório fechado do campo magnético.

Fig.6 - Domínios magnéticos - configuração de menor energia

A tendência, portanto seria a formação de um número muito grande de domínios de volume

infinitesimal. Entretanto isso não ocorre, pois, à medida que os domínios são formados, resulta
aumento na energia dos mesmos, que compensa a redução acima referida. Esse aumento de energia
ocorre devido à formação de “paredes” entre os domínios magnéticos. A “energia das paredes” tem
90
duas componentes, a energia de troca e a energia de anisotropia. A análise detalhada da natureza
dessas energias implica num estudo aprofundado em bases puramente quânticas. Sua análise indica
que existe um efeito que impede a redução dos domínios a nível infinitesimal.

A “energia das paredes” e “energia de troca” pode ser analisada conforme descrito a seguir.

A parede dos domínios magnéticos é uma transição gradual e requer uma pequena quantidade
de energia para mover-se (Fig. 7). A parede é a região de transição de dois domínios (Fig. 7).

Fig.7 – Parede: região de transição de dois domínios magnéticos.

Desta forma, para que todos os dipolos ficassem antiparalelos teria que vencer a energia das
paredes, que opõe à rotação dos mesmos. Existe um ponto no qual os dois processos se compensam,
i.e, há um ponto de mínima energia no qual a energia das paredes e a energia para girar os momentos e
torná-los antiparalelos se equilibrarão.

Para o Fe temos o subnível d com 6 elétrons. A energia de troca é a energia dos quatro elétrons
em cada átomo, do subnível d, dispostos como indicado na Fig. 8.

Podemos imaginar os spins como pequenos imãs. Esses imãs tendem a alinhar-se para ocupar
um estado de menor energia. Da mesma forma que no caso da energia das paredes, processo que
conduziria o sistema a um volume infinitesimal de pequenos imãs antiparalelos, é compensado pela
energia de troca. Portanto, assim como acontece com os imãs, os momentos de spins tenderão a uma
menor energia.

Fig. 8- Subnível d – átomo de Fe

Quanto à energia de anisotropia podemos considerar que os momentos orientam-se em

direções preferenciais no cristal, de modo que a energia será um mínimo quando todos os momentos
estiverem orientados ao longo da direção preferencial. Quando ocorre a rotação de um domínio deverá
ser fornecido energia para que o sistema saia deste mínimo.

91
 Analisaremos agora como ocorre o movimento dos domínios magnéticos quando aplicamos
um campo magnético no material. Sob ação de um campo externo em um material não magnetizado
observamos primeiramente o crescimento dos domínios magnéticos e finalmente a rotação dos
mesmos. Este fenômeno é explicado a seguir.

Ao aplicarmos um campo externo no material inicialmente nota-se um crescimento dos

domínios cujos momentos magnéticos formam um menor ângulo com a direção do campo (Fig. 9). À
medida que intensificamos o valor do campo externo aplicado, maior valor de H, resulta o crescimento
dos domínios que vão orientando-se na direção do campo. Finalmente com o crescimento completo
dos domínios, ocorrerá a rotação dos domínios restantes, que ainda não estavam alinhados com o
campo externo. Para obter a rotação dos domínios gasta-se grande quantidade de energia.

Fig. 9 - Crescimento e rotação dos domínios magnéticos indicado na curva BxH

5 Ferrimagnetismo e antiferrimagnetismo

Em certas substâncias cristalinas o mínimo de energia do sistema correspondente à disposição

antiparalela dos momentos magnéticos, sendo que haverá uma preponderância de um sentido sobre o
outro. Os materiais que apresentam esta características são os ferrimagnéticos (Fig.10b).

Os antiferrimagnéticos caracterizam-se por apresentar momentos magnéticos que alinham de

forma oposta ou antiparalela (Fig. 10c). A Fig. 10 apresenta os domínios magnéticos dos
ferromagnéticos em comparação com os ferrimagnéticos e antiferrimagnéticos.

Fig.10 - a - Ferromagnéticos ; b - Ferrimagnéticos; c - Antiferrimagnéticos

92
6 Magnetização e vetores H, M e B

A indução magnética B0 resultante no vácuo, quando temos neste meio um campo magnético
H, é dada pela relação

B0 = µ0H onde,
µ0 = permeabilidade no vácuo e tem valor 4π x 10-7 H/m.

a – no vácuo

b – com material

Fig. 11 – Indução magnética em um entreferro: a – no vácuo; b – com material

A Fig.11 mostra os polos norte e sul de um imã gerando campo magnético H. Quando o meio
entre os polos é o vácuo, a permeabilidade é µ0 e o campo induzido é B0 . Se entre os polos
introduzimos um material de permeabilidade magnética µ, então a indução magnética B neste meio
será:

B = µH

Sendo µ > µ0 , o campo induzido é maior no meio em que existe um material ferromagnético.
Nesse caso o campo aumenta nesta região. Podemos também escrever a indução magnética B na
seguinte forma.

B = µ0H + µ0M

onde M = magnetização do material.

Observa-se que, quando introduzimos um material de µr > 1, o campo é acrescido de um valor

µ0M, no mesmo sentido do campo externo aplicado. Significa que o material contribui com este
aumento do campo. Isto ocorre devido à orientação dos domínios magnéticos do material sob ação do
campo externo aplicado. A intensidade deste campo interno dependerá do tipo de material que usamos.

Normalmente a permeabilidade de um meio é dada em função da permeabilidade no vácuo,

denominada de permeabilidade relativa.

93
 µ
µr =
µ0

Um material sob ação de um campo H sofrerá uma magnetização M tal que M α H. A

constante de proporcionalidade é denominada susceptibilidade magnética, X m . Desta forma obtemos.

M = Xm H

Sendo B = µH e dividindo os termos da equação de B (acima) por µ0H, obtemos.

µ M
= 1 +
µ0 H

Resultando

µr = 1 + χm

Observe que a permeabilidade magnética relativa equivale ao valor da susceptibilidade magnética

acrescida da unidade. Sugerimos que o estudante compare essa equação e seus respectivos parâmetros
com a equação dos dielétricos em que εr = 1 + χe

A Tabela 1 fornece a classificação de alguns materiais quanto a seu comportamento magnético e o

valor da permeabilidade relativa dos mesmos.

TABELA 1 – Classificação dos materiais sob campo magnético

MATERIAL CLASSIFICAÇÃO µR
Bismuto Diamagnético 0,99983

Prata Diamagnético 0,99998

Chumbo Diamagnético 0,999983
Cobre Diamagnético 0,999991

Água Diamagnético 0,999991

Vácuo ---- 1

Ar Paramagnético 1,0000004
Alumínio Paramagnético 1,00002

Cobalto Ferromagnético 250

Níquel Ferromagnético 600

Ferro(0,2 de impureza) Ferromagnético 5.000

Ferro-silício (4 Si) Ferromagnético 7.000
Mumetal Ferromagnético 100.000

Supermaloy Ferromagnético 1.000.000

94
 Os materiais diamagnéticos apresentam µr < 1 e implicam numa magnetização negativa da
ordem de 10-5 . Os materiais paramagnéticos apresentam µr > 1 com valor muito pequeno e
magnetização positiva da ordem de 10-5 . Para os ferromagnéticos µr e χm são muito grandes resultando
em alta magnetização.

7 Ciclo de histerese magnética

Os ferromagnéticos apresentam um processo de magnetização que implica no crescimento e

rotação dos domínios magnéticos. Considerando um campo externo H aplicado no material e a
indução magnética resultante B, obtemos a curva indicada na Fig. 12, denominada ciclo de histerese.
Neste caso o campo H é uma função alternada senoidal.

Fig. 12 - Ciclo de histerese magnética

Segue o comentário sobre a curva BxH. Considerando H a partir de zero, vemos que
inicialmente o aumento de H irá provocar uma pequena variação de B. O valor de B irá aumentar mais
rapidamente a partir de H1 até H2 . A variação de B torna novamente pequena a partir de H2 quando
inicia a indução de saturação Bs. A partir daí aumentando-se o valor de H, B permanecerá
praticamente constante. Isto ocorre porque todos os domínios magnéticos foram orientados.

Se agora o valor do campo H reduzir, o valor de B irá diminuir, porém não passando pela
curva original. Desta forma, quando H = 0, teremos B = Br resultando no material um campo induzido
remanente quando é retirado totalmente a ação do campo externo. Para continuarmos reduzindo o
valor de B é necessário invertermos o sentido do campo H (H fica negativo). Quando B = 0 o valor de
H = -Hc , denominado força coerciva. O valor de H continuará aumentando neste sentido até
atingirmos B = - Bs. O processo de variação de B em função de H continua no sentido oposto até
retornarmos ao valor de BS positivo. A curva obtida com a variação do campo sobre o material é
denominada ciclo de histerese. O trabalho necessário para obtermos este ciclo é proporcional à área da
curva e será considerado no item de perdas por histerese magnética.

8 Ponto de Curie

Acima de uma determinada temperatura, denominada temperatura de Cúrie, os materiais

ferromagnéticos perdem a capacidade de magnetização comportando-se como paramagnético. Isto

95
ocorre porque a agitação térmica quebra o alinhamento dos dipolos magnéticos. Temos os seguintes
valores de temperatura de Cúrie - Tc.

Fe 1043K
Co 1400K
Ni 631K
Para valores de temperatura abaixo de Tc, podemos considerar que sendo N = número de spins
alinhados paralelamente no ferro de µ R = 1000, a magnetização será dada por.

M = N.mB

Se considerarmos M = 1,6 x 109 A/m e sendo mB = 9,3 x 10-24 A.m2

1,6 x 109 A / m
N = - 24 2
= 1,7 x 1032 spins / m3
9,3 x 10 AXm

9 Anisotropia ferromagnética

Um monocristal ferromagnético apresenta orientação identificada pelas direções [100], [110] e

[111] (Fig. 13).

Fig. 13 – monocristal cúbico

direção 100 - aresta

direção 110 - diagonal da face

direção 111 - diagonal do cubo

A curva B x H depende do sentido de aplicação do campo em relação ao cristal. A

magnetização será função do sentido do campo em relação a uma das direções [100], [110] ou [111],
sendo mais fácil numa direção que na outra, conforme indica a Fig. 14.

96
Fig. 14 - Magnetização em função do campo para as direções [100], [110] e [111].

a - ferro b - níquel

10 Magnetostricção

O efeito de um campo magnético através de um sólido faz com que suas distâncias
interatômicas alterem-se, dependendo do sentido de aplicação do campo. Essas distâncias podem
aumentar ou diminuir. Esse fenômeno é denominado magnetoestricção (Fig. 15) que ocorre devido à
rotação dos momentos magnéticos do dipolo em campo alternado.

Fig. 15 – Magnetoestricção: alteração das distâncias interatômicas em função de M

a - ferro b - níquel

11 Perdas magnéticas

As perdas magnéticas ou perdas no ferro são de dois tipos: perda por histerese e perda por
correntes parasitas.

97
Perda por Histerese (PH)

A perda por histerese se expressa pela fórmula.

PH = K . f . Bα

K = constante que depende do tipo de ferro

f = frequência de magnetização

α = expoente para a indução B, determinado experimentalmente

B = valor máximo da indução magnética, para B entre 0,8 e 1,6 T, temos α = 2

A área do ciclo de histerese é proporcional ao trabalho necessário para orientar os domínios

magnéticos em relação ao campo. A perda por histerese é função da frequência e do valor máximo da
indução magnética. Pode-se obter uma redução da perda por histerese aplicando-se o campo
magnético na direção de maior magnetização do material em função da propriedade anisotrópica do
mesmo. A Fig. 14 indica essas direções preferenciais para o Fe e o Ni. Na prática usa-se a liga FeSi
grãos orientados.

Perda por Correntes Parasitas (PF)

A variação do fluxo magnético através do núcleo de ferro irá provocar no mesmo o

aparecimento de correntes de Foucault ou correntes parasitas segundo a lei de Faraday. Estas
correntes, circulando no núcleo de ferro, irão provocar no mesmo aquecimento por efeito Joule. A
perda por correntes parasitas por unidade de massa se expressa por:

PF = R.i2 = Kf2B2

i = corrente de Foucault
K = constante que depende do tipo e espessura da chapa
R = Resistência elétrica do material
A perda por correntes parasitas pode ser reduzida mediante dois processos. Um meio é o uso
de chapas de ferro laminadas e isoladas entre si de forma a diminuir a área de circulação das correntes
de Foucault. Outro procedimento consiste em adicionar silício ao ferro de modo a aumentar sua
resistividade elétrica.

12 Perdas em um circuito magnético

Vamos agora referir ao circuito magnético da Fig. 16.

98
Fig. 16 - Circuito magnético com tensão alternada

A potência nos terminais de um enrolamento de um circuito magnético é uma medida

da taxa de fluxo de energia que entra no circuito através desse enrolamento. Portanto a potência nos
terminais deste enrolamento é dada por:

dN∅  dN d∅ 
P = e • i = i = i ∅ + N
dt  dt dt 

Cuja unidade é watt ou joule/seg.

Para um intervalo de tempo de t1 a t2 a variação de energia no circuito magnético é dada por.

t2 ϕ2
W = ∫t1
p dt = N ∫ϕ 1
dϕ

N= constante
Temos:
Ni = HL
dϕ = A dB
Resulta

B2 B2
W = ∫B1
H • L • A • dB = A • L ∫
B1
H dB

Onde, A . L = volume do núcleo, e H dB = densidade de energia magnética no núcleo.

A variação de B em função de H no circuito magnético é indicado pela linha de 0 a A,

conforme mostra a Fig. 17.

99
Fig. 17 - Área de densidade de energia de materiais ferromagnéticos

A energia total neste processo corresponde à área OAMO. Quando H é reduzido a zero
somente uma parte da energia que foi absorvida durante o processo ascendente é devolvida. Esta
energia devolvida é dada pela área AMN. Com a redução de H a zero o retorno se faz pelo caminho
AN. Neste ponto temos o B remanente. Uma parte da energia é dissipada como pedra no núcleo
causada pela histerese e pelas correntes de Foucault. Se H for aumentado e diminuído de modo a
obtermos um ciclo de histerese, a área envolvida por este ciclo representa a energia gasta no processo
de magnetização e desmagnetização. Esta energia é gasta ao forçar os fragmentos do cristal e aparece
em forma de calor.

Portanto as perdas no ferro estão ligadas à variação do fluxo magnético no mesmo e à perda de
energia devida à histerese magnética. Um núcleo de transformador com corrente alternada 60Hz, será
percorrido pelo ciclo de histerese 60 vezes por segundo. O trabalho para efetuar o ciclo de histerese é
o necessário para empurrar as paredes dos domínios magnéticos para trás e para frente. Para diminuir a
perda de energia a área do ciclo de histerese deveria ser a menor possível e a permeabilidade e indução
de saturação deveriam ser bem grandes. Da mesma forma as correntes parasitas causam perdas em
função da frequência. O aumento da resistividade do material para diminuir os efeitos das perdas por
correntes parasitas, em contrapartida, pode causar aumento das perdas por histerese.

13 Lei da Ampére

Seja um condutor reto percorrido por uma corrente i. A uma distância R deste condutor será
induzido um campo magnético B cuja relação de proporcionalidade com i e R será.

µ i
B = •
2π R

Se B for integrado ao longo de um caminho de raio R circundando temos.

µ i µ0
∫ B • dL =
2π
•
R ∫ dL =
2πR
2 π R = µ0 i

∫ B • dL = µ i
A equação é valida para todos os casos em que a integração é feita ao longo de um caminho fechado.

100
Figura 18 - Fio percorrido por uma corrente i e o campo induzido a uma distância R

A equação pode tornar-se independente do meio introduzindo-se o vetor H, tal que:

B
H=
µ

Obtemos, portanto

∫ H dL = i

A relação acima é conhecida como lei de Ampère: “a integral de linha de H ao longo de um único
caminho fechado é igual à corrente envolvida pelo caminho”. Para o circuito magnético simplificado
da Fig. 19 podemos tratar o segundo membro da equação como um produto Ni (número de espira
vezes a corrente). Vamos também supor H constante ao longo de um percurso L, de forma que
obteremos a relação.

H . L = N.i

Figura 19 - Circuito magnético - núcleo de ferro

O campo H produz no ferro uma indução magnética B dada por

B = µH

A unidade de B é weber/m2 , onde 1 weber é igual a 108 linhas de campo magnético. Para o
vácuo temos µ0 = 4π x 10-7 weber/(A.m). Por sua vez a unidade de H é A/m. Ao longo do circuito
magnético haverá um fluxo magnético ∅. Considerando para o circuito magnético uma seção
transversal constante de área A, a indução magnética poderá ser considerada uniforme através desta
área, de forma que o fluxo será.

∅=B•A
101
Esta relação pode ser expressa em termos de ∅ da seguinte forma:

B ∅ • L
Ni = HL = = L =
µ A • µ

O termo N.i é chamado força magneto-motriz (f.m.m.) e pode ser expresso em função da relutância do
circuito magnético ℜ da seguinte forma:

L
f . m. m. = ∅
A • µ

f . m. m = ∅ • ℜ
L
onde, = ℜ
A • µ

Sugerimos que o estudante compare a relutância de um circuito magnético com a resistência de um

circuito elétrico.

14 Lei de Faraday

A variação de um fluxo magnético ∅ através de uma bobina de uma única espira irá induzir
na mesma uma força eletro-motriz (f.e.m) "e" igual à taxa de variação do fluxo, cuja equação
correspondente é:

d∅
e = -
dt

O sinal negativo é devido à Lei de Lenz: “a corrente induzida numa espira ocorre sempre num
sentido tal que produz um fluxo que se opõe à variação do campo magnético sobre esta espira”.
Para uma bobina de N espira a f.e.m. induzida será.
d∅ d
e = - N = (N∅)
dt dt

A Fig. 20 indica uma espira colocada em um campo magnético B que varia com o tempo.

Figura 20 - Espira em um campo magnético variável.

102
A variação do fluxo magnético através da espira produz um campo elétrico induzido E em todos os
pontos da espira. Podemos escrever:

d∅
∫ E dL = -
dt

Esta é a Lei de Faraday: “a f.e.m. total induzida num circuito fechado é igual à taxa de variação em
relação ao tempo do fluxo magnético que atravessa o circuito”.

Consideremos agora uma bobina de N espiras, na qual não estejam presentes materiais
magnéticos, atravessada por um fluxo variável ∅. A corrente resultante nesta bobina será proporcional
a N∅ , i • e.,

N∅ α i

A corrente de proporcionalidade é a indutância do meio, de forma que temos.

N ∅ = Li

Da Lei de Faraday podemos escrever

d d
e = - (N∅ ) = (Li)
dt dt

Se a indutância é variável no tempo, teremos.

di dL
e = L + i
dt dt

Para circuitos magnéticos estáticos em que a indutância é fixa a equação é

di
e = L
dt

Obtemos, portanto

e
L =
di / dt

Cuja unidade é 1 volt. segundo/Ampère igual a 1 H.

Relação entre o sistema MKS e gaussiano:

(H) - 1 A/m = 4 x 10-3 oersteds
(B) - 1 weber/m2 = 104 gauss

103
15 Aplicações dos matérias magnéticos

Os materiais magnéticos podem ser classificados em duros e moles

Materiais magneticamente moles apresentam baixa força coerciva, pequenas perdas por
histerese, alta permeabilidade magnética e são usados em núcleo de transformadores, eletroimãs,
motores dentre outros aparelhos onde pretende-se obter a maior indução possível com o menor gasto
de energia. Nos materiais moles as paredes dos domínios são movidas facilmente (Fig. 21a).

Materiais magneticamente duros possuem elevada força coerciva, são difíceis de serem
magnetizado e apresentam dificuldade à movimentação das paredes de seus domínios (Fig. 21b). São
usados como imãs permanentes.

B B

H H

Fig. 21 – Material magnético mole e duro(curvas BxH linearizadas)

Os materiais moles são geralmente usados na forma de ligas que são descritas a seguir.

Liga Ferro-Silício (FeSi)

Antes de 1900 aplicava-se o aço pobre em carbono nos núcleos de equipamentos de baixa
frequência tais como transformadores, geradores, motores. Para estas aplicações atualmente emprega-
se a liga ferro-silíco (FeSi). A adição de silício no ferro aumenta sua resistividade elétrica reduzindo as
perdas por corrente de Foucault e por histerese. O ferro com silício apresenta também maior
permeabilidade magnética. Normalmente emprega-se o ferro-silício laminado. Quando este processo
de laminação se realiza de forma a orientar os monocristais numa direção favorável à magnetização
temos o ferro-silício de grãos orientados ou FeSi GO. A magnetização ocorre mais facilmente numa
determinada direção de aplicação do campo no monocristal. Se os monocristais estão orientados
caoticamente, denominado de FeSi GNO, os grãos não orientados dificultam a magnetização do
material.

104
Fig. 22 - Lâmina de FeSi indicando os cristais: FeSi GNO e FeSiGO
a - com orientação caótica ou FeSiGNO
b – com grãos orientados ou FeSiGO

Na Fig. 23 temos a comparação da curva B x H para o ferro fundido com 3% de carbono (1) com
menor permeabilidade magnética que o ferro silício com orientação caótica (2), e este por sua vez,
apresentando magnetização inferior ao ferro-silício orientado (3).

B 3
2
1

Fig. 23 – Curva B x H
1 - ferro fundido
2 - ferro silício não orientado (FeSi GNO)
3 - ferro silício orientado (FeSi GO)

Liga Ferro-Níquel (FeNi)

As principais ligas de ferro-níquel são:

permaloy - 45% Ni - 55% Fe

mumetal - 75% Ni - 5% Cu - 2% Cr - 18% Fe
supermaloy - 79% Ni - 15% Fe - 5% Mo e Ma

105
 O permaloy e mumetal apresentam maior permeabilidade magnética inicial e menores perdas
por histerese e por correntes de Foucault que as ligas ferro-silício. Observa-se que a permeabilidade do
FeSi para campos fracos é relativamente baixa. Este problema pode ser solucionado empregando-se
ligas FeNi. Portanto aplicam-se as ligas FeNi em equipamentos eletrônicos de alta sensibilidade e
fidelidade. As características magnéticas da liga FeNi são sensíveis a tratamentos térmicos e
mecânicos. O permaloy apresenta grande anisotropia em relação à direção de aplicação do campo
magnético. Deformações plásticas na liga FeNi reduz drasticamente sua permeabilidade. A Tabela 2
apresenta algumas características dos materiais magnéticos moles.

TABELA II - Materiais magnéticos moles

Material µr inicial para Perdas p/ histerese j/m3 Indução de saturação

B~0 por ciclo weber/m2
Fe - 4% Si caótico 500 50 - 150 1,95
Fe - 3% Si orientado 15.000 35 - 140 2,0
Permaloy 2.700 120 1,6
Mumetal 30.000 20 0,8
Supermaloy 100.000 2 0,79

O tratamento térmico adequado da liga FeNi permite obter altas permeabilidades magnéticas.
Resulta deste processo o ciclo de histerese quadrado (Fig. 24).

Fig. 24 - Curva de histerese 65% Ni - 35% Fe

Ferrite

Ferrites são materiais magnéticos com condutividade elétrica muito pequena, sendo sua
resistividade elétrica 106 - 1011 vezes maior que a do ferro. Portanto as perdas de energia em altas
frequências são pequenas e as propriedades magnéticas são altas. As ferrites são aplicadas em altas
frequências. A fórmula geral da ferrite é XOFe203 onde X é um metal geralmente divalente,
apresentando rede cristalina cúbica.

106
Tal como os ferromagnéticos existem ferrites duros e moles. Os grupos de ferrites mais usados são
níquel-zinco (Ni 0-Zn0-Fe203), lítio zinco (Li20-Zno-Fe203), manganes-zinco (Mn0-Zn0-Fe203). A
Tabela 3 indica a gama de frequência que se aplicam estas ferritas.

TABELA 3 - Ferrites

Ferrita Frequência (Hz) ~µµ

MnO-Zn0-Fe203 103 - 106 103
Ni 0 - Zn0 - Fe203 105 - 108 10 - 103
2

Li20 - Zn0 - Fe203 106 - 109 10 - 102

Mg0 - Fe203 108 - 1010 10

A ferrite com 50% Mg0 e 50% MnO apresenta ciclo de histerese quadrado e aplica-se em
memórias de equipamentos eletrônicos. Normalmente transformadores de equipamentos de alta
frequência, como televisores, utilizam-se núcleos de ferrite. As granadas ferrimagnéticas possuem a
fórmula 3M203 - 5Fe203 , onde M é um elemento terra rara (Sm, Eu, Gd, etc). A granada 3Y203 -
5Fe203, denominada granada itrio-ferro ou YIG, possui uma elevada resistividade e pequenas perdas
por histerese na frequência de micro-ondas.

Imãs Duros

Os imãs permanentes são materiais com elevados valores de magnetização de saturação e de

remanência e alta força coerciva. A permeabilidade magnética dos materiais para imãs permanentes é
inferior à dos materiais magneticamente moles e quanto maior é a força coerciva tanto maior é a
permeabilidade. Um imã em forma toroidal não cede energia ao exterior. Para ceder energia é
necessário que exista um espaço de ar entre seus polos (circuito magnético aberto). Um dos
parâmetros que caracteriza um imã é sua curva de energia externa (Fig. 25). A energia potencial
magnética do material magnetizado, isto é, a energia no espaço exterior pode ser dado pela equação.

W=B.H

Onde H é a intensidade de campo correspondente à indução B.

Esta energia pode ser obtida da curva B.H em função de H. O valor máximo de B.H se
denomina produto de energia do imã. Na Fig. 25 temos o produto de energia de dois materiais
diferentes com suas curvas de desmagnetização. Em geral, a energia disponível de qualquer imã é
aproximadamente igual ao produto do volume do imã por seu produto de energia.

107
 Fig. 25 - produto de energia de dois materiais

Com certos valores de B e H a energia chega ao seu valor máximo, sendo

Wmáx = BHmáx

Isto indica o valor de energia em que o imã pode ser melhor utilizado. Este é um fator importante para
definir a qualidade de um material usado como imã permanente. Os imãs permanentes comercialmente
usados são:

Cunife - Cu - Ni - Fe
Cunico - Cu - Ni - Co
Alnico - Ni - Co
Alnico V - 14%Ni - 24%Co - 8%Al - 3%Cu - 51%Fe
Ferroxdur - BaFe12019 - Ferrita magnética dura

Fitas e películas - superparamagnetismo

As fitas magnéticas para gravação são constituídas de uma película de óxido de ferro ou de
cromo sobre material plástico. O óxido magnético é depositado na forma de pequenas partículas e
recebem orientação magnética através de um eletroimã, de forma que todos os dipolos magnéticos se
orientem numa determinada direção.

A gravação na fita é realizada, conforme indica a Fig. 26, usando um núcleo de material
ferromagnético com entreferro e uma bobina que é o cabeçote de gravação.

108
Fig. 26 - Cabeçote de gravação

Quando aplicamos um sinal alternado na bobina, forma-se um fluxo magnético no núcleo

ferromagnético que passa pelo entreferro. A fita que está em contato com o cabeçote de gravação terá
seus dipolos reposicionados de acordo com a variação do fluxo de dispersão no entreferro, resultando
na gravação na bobina.

A reprodução do sinal gravado na fita se dá de maneira inversa, ou seja, a fita passa em

contato com o cabeçote próximo ao entreferro de forma que seus dipolos magnéticos irão induzir no
núcleo ferromagnético um fluxo variável que irá por sua vez, induzir uma ddp na bobina, gerando
assim um sinal compatível com o que está gravado na fita.

QUESTÕES

1. Definir magnéton de Bohr.

2. Explicar a teoria da formação dos domínios magnéticos nos materiais ferromagnéticos.
3. Explicar o sentido físico da permeabilidade magnética de um material e a relação com a
susceptibilidade magnética.
4. Explicar: a) Lei de Àmpere; b) Lei de Faraday
4. Explicar a classificação dos materiais quanto ao comportamento magnético.
5. Descrever o ciclo de histerese magnética.
6. descrever o que é ponto Curie nos ferromagnéticos.
7. Explicar e indicar as aplicaçoes de: a) anisotropia ferromagnética; b) magnetoestricção
8. Explicar as perdas por histerese e Foucault. Citar métodos utilizados para reduzir essas perdas em
equipamentos elétricos?
9. Explicar o que se entende por material magnético: a) mole; b) duro.
10.a) Qual a melhor orientação de magnetização de FeSi orientado? b) Quais as suas aplicações? c)
Porque usa-se laminar núcleos de FeSi para transformadores? d) Qual a vantagem do uso de ligas
de ferro em relação ao emprego de ferro tecnicamente puro?
11. Explicar a curva BxH definindo os seguintes parâmetros: B, H, B de saturação, força coerciva,
campo remanente.
109
12 . Analisar os dados da Tabela 1 considerando a classificação dos materiais e a relação com as
constantes µr e χr.
13. Descrever o que é relutância magnética de um material.
14. Quais as vantagens de se usar ligas FeNi em altas frequências e pequenos valores de campo?
15. Porque as ferrites são tecnicamente empregadas em núcleos de alta frequência?
13. Como podemos avaliar a energia disponível em um imã?

TEMAS PARA PESQUISA

- Aplicações do magnetismo em instrumentação eletro-eletrônica

- Armazenamento magnético de dados

- Liga FeSi e FeNi: análise comparativa, propriedades e aplicações.

- Ferromagnetismo e antiferrimagnetismo

- Anisotropia feromagnética e magnetostriccão

- Uso de vidros metálicos como materiais magnéticos

- Imãs duros: aplicações na engenharia

110
 APÊNDICE

CONSTANTES FÍSICAS

C Velocidade da luz no vácuo 3 x 108 m/s

No Número de Avogadro 6,02 x 1023 mol-1
K Constante de Boltzmann 1,38 x 10-23 J/K
H Constante de Planck 6,63 x 10-34 J.s
Εo Permissividade no vácuo 8,85 x 10-12 F/m
µo Permeabilidade no vácuo 1026 x 10-6 H/m
M Massa do elétron em repouso 9,1 x 10-31 kg
q Carga do elétron 1,6 x 10-19 C

111