Materiales Semiconductores

 Su conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un

10-15 S.m-1 10-5 S.m-1 106 S.m-1
aislante.
 Pertenecen a dos clases: de un solo cristal y compuesto.

Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si)

tienen una estructura cristalina repetitiva.
Los compuestos como el arseniuro de galio (GaAs),el sulfuro de cadmio (CdS),
el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen
de dos o más materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de
dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
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Utilización de los Semiconductores a lo largo de la historia

El Si
Ge
GaAs
esera
menos
opera
fácil de
asensible
aencontrar
velocidades
la temperatura
y estaba
hastay5uno
Germanio disponible
de
veces
los la
materiales
delen
Si.grandes
Se más
usa Arseniuro de
[Ge] cantidades.
abundantes
en la actualidad
en la Galio [GaAs]
naturaleza
1939-49 1970

Silicio [Si]
1954
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28,085
Número Atómico → 14 4

Configuración Electrónica →
3265
1414
2,33 Si
(Ne)3S23p2
Silicio
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El Silicio – Estructura Atómica
14 Protones +
14 Neutrones

Capa de Valencia

Electrón de
Valencia +

El potencial de ionización (energía) para remover un electrón de valencia de la estructura

atómica es significativamente más bajo que el requerido para cualquier otro electrón en la
estructura.
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El Silicio – Enlaces Covalentes

Si Si Si
Enlace Covalente
Electrones Compartidos

Si Si Si

Aunque el enlace covalente produce un enlace más fuerte entre los electrones de valencia
y su átomo padre, aún es posible que los electrones de valencia absorban suficiente
energía cinética proveniente de causas externas para romper el enlace covalente y asumir
el estado “libre”
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El Silicio
 El término libre se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la
estructura fija y es muy sensible a cualquier campo eléctrico aplicado.
 A temp. ambiente hay alrededor de 1.5 x 1010 portadores libres en un 1 cm3
de material de silicio intrínseco (15.000.000.000).
 El término intrínseco significa lo más puro posible que se pueda fabricar con la
tecnología actual.
 La movilidad relativa (µn) de los portadores libres en el material es la
µn = 1500 cm2/V.s
capacidad de los electrones libres de moverse por todo el material.
 Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temp. negativo
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Niveles de Energía

Energía

Nivel de Valencia (capa más externa)

Brecha de Energía
Segundo Nivel (siguiente capa interna)
Brecha de Energía
Tercer Nivel

Núcleo

Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía.
Los electrones libres tienen un estado mayor de energía que todo electrón que
permanezca en la estructura atómica.
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Niveles de Energía

Energía
Electrones “libres”
para establecer la
conducción Banda de conducción
Eg =0.67 eV (Ge)
Eg = 1.1 eV (Si)
Eg
Eg = 1.43 eV (GaAs)
Electrones de
valencia para
enlazar la Banda de valencia
estructura atómica

Hay un nivel de energía mínimo asociado con electrones que se encuentran en la banda de
conducción y un nivel de energía máximo de electrones enlazados a la capa de valencia del
átomo. Entre los dos hay una brecha de energía que el electrón en la banda de valencia
debe salvar para convertirse en portador libre.
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Materiales extrínsecos: Materiales tipo N y tipo P

 Las características de un material semiconductor se pueden modificar con el
agregado de átomos de impureza al material relativamente puro.
 Estas impurezas sólo se agregan en 1 parte en 10 millones, pero pueden
alterar la estructura de las bandas cambiando las propiedades eléctricas.
 Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de agregar
impurezas (dopado) se conoce como material extrínseco.
 Hay dos materiales extrínsecos de importancia en la fabricación de
dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p.
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Material tipo N

Átomo de Antimonio
Si Si Si
Pentavalente (Arsénico,
Fósforo)

Este electrón restante,

enlazado de manera poco
firme a su átomo de
Si Sb Si
antimonio, está libre para
moverse dentro del material
tipo n recién formado, el
átomo de impureza ha
donado un electrón “libre” a
la estructura. Si Si Si
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Material tipo N

Energía

Banda de conducción

Eg

Eg Nivel de Energía de un donador

Banda de valencia

Los electrones libres creados por la impureza agregada se establecen en este nivel de
energía y absorben con menos dificultad una cantidad suficiente de energía térmica para
moverse en la banda de conducción a temperatura ambiente. El resultado es que a
temperatura ambiente, hay un gran número de portadores (electrones) en el nivel de
conducción y la conductividad del material se incrementa de manera significativa.
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Material tipo N
 Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia (pentavalentes) se
conocen como átomos donadores.
 El material tipo n es eléctricamente neutro porque el número de protones en
los núcleos es igual al de los electrones libres y en órbita.
 A temperatura ambiente en un material de Si intrínseco hay alrededor de un
electrón libre por cada 1012 átomos. Si el nivel de dopado es de 1 en 10
millones (107), la razón 1012/107 = 105 indica que la concentración de
portadores se ha incrementado en una razón de 100,000:1
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Material tipo P

Si Si Si
Átomo de Boro
Trivalente (Galio, Indio)

El vacío resultante se llama

hueco. Indica la ausencia de Si B Si
una carga negativa. Por lo
tanto, el vacío resultante
aceptará con facilidad un
electrón libre.

Si Si Si
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Material tipo P
 Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia (trivalentes) se
conocen como átomos aceptadores.
 El material tipo p es eléctricamente neutro porque el número de protones en
los núcleos sigue siendo igual al de los electrones libres y en órbita.
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Flujo de electrones y huecos

Si Si Si Si Si

Huecos

Si Si Si B Si
Electrones

Si Si Si Si Si
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Portadores de carga Mayoritarios y Minoritarios

Material tipo N

+ - -
- - -
+ Huecos: minoritarios
-
- +
- - - + - Electrones: mayoritarios

- - - + - - -

En el estado intrínseco hay un número de electrones que rompen el enlace covalente

dejando huecos en la estructura cristalina del semiconductor.

En el material tipo N el número de electrones libres que aportan las impurezas

pentavalentes superan ampliamente a la cantidad de huecos.
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Portadores de carga Mayoritarios y Minoritarios

Material tipo P

+ - +
+ - + -
+ Electrones: minoritarios
+ +
+
+ + + Huecos: mayoritarios
+ + +
+ - + + - + +

En el estado intrínseco hay un número de electrones que rompen el enlace covalente

quedando libres para la conducción.

En el material tipo P el número de huecos que se generan a partir de las impurezas

trivalentes superan ampliamente a la cantidad de electrones libres.
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Material tipo N y Material tipo P

Juntura N-P
N P
- +
- - + +
- +
- +

¿Qué sucede si se juntan un material tipo N y uno tipo P?

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¡¡¡¡ MUCHAS GRACIAS POR SU ATENCIÓN !!!!