3.

TRANSISTORES

transistor = transfer resistor = resistor de transferência

3.1 Transistor Bipolar de Junção - BJT

Flaming (1904) – Diodo a válvula

Lee de Forest (1906) – válvula triodo polarizada

O potencial da grade (negativo), dificulta a passagem dos elétrons, controlando

a corrente de carga RL.

Qualquer pequena variação de VG, provoca uma pequena variação na sua

corrente IG, causando uma grande variação na corrente de anodo I A.

Assim, existe um ganho ou amplificação do triodo:

Transistor bipolar ou transistor de junção ® material semicondutor!

Labs de pesquisa da indústria Bell Telephones (USA), 1947.

Vantagens:
- menor tamanho
- muito mais leve
- sem necessidade de filamento
- mais resistente
- mais eficiente (menor perda)
- não necessidade de tempo de aquecimento
- menores tensões de alimentação
3.1.1 Estrutura do BJT

Aspectos construtivos e símbolos dos transistores:

Aspectos físicos dos transistores:

Dopagem:

O emissor é fortemente dopado e tem a função de emitir portadores de carga

para a base (elétrons no NPN e lacunas no PNP)

A base tem dopagem média e é muito fina, assim a maioria dos portadores
lançados do emissor conseguem atravessá-la, dirigindo-se para o coletor.

O coletor é levemente dopado, realizando a coleta dos portadores que vêm

da base, sendo a maior das 3 camadas, pois é nele que se dissipará a maior
parte da potência dos circuitos transistorizados.

Junções e camadas de depleção:

Se no material tipo N os portadores majoritários são os elétrons e no material

tipo P são as lacunas, existirão duas junções PN em cada transistor:

Função básica do transistor em circuitos eletrônicos: controlar a corrente

entre emissor e coletor através da corrente de base.
3.1.2 Operação física – polarização das junções do BJT

- Análise de cada junção polarizada separadamente:

a) Polarização direta Emissor-Base:

b) Polarização reversa Base-Coletor:

- Análise das junções polarizadas ao mesmo tempo:

Tensões e correntes nos transistores:

Aplicando-se as equações de Kirchhoff:

NPN ou PNP: IE = IB + IC

NPN: VCE = VBE + VCB

PNP: VEC = VEB + VBC

3.1.3 Análise do “efeito transistor”

Os elétrons (portadores majoritários) do emissor serão repelidos pelo polo

negativo da fonte e atraídos pela base (polarização direta);

Quando chegam à base são atraídos novamente pelo coletor (terminal positivo
da outra fonte) vencendo a junção J2 (base-coletor);

Assim a intensidade de corrente dos elétrons é praticamente a mesma daquela

intensidade que passou pelo J1 (base-emissor).

Análise do transistor como um quadripolo:

V1, I1 – tensão e corrente de entrada

V2, I2 – tensão e corrente de saída

Ganhos do quadripolo:

Efeito amplificação:

Sendo IB bem menor que IC;

Sendo que uma pequena variação de IB implica em uma grande variação de IC;

Significa que a variação na corrente de coletor é um reflexo amplificado da

variação da corrente de base!
Por isso o transistor é considerado um dispositivo ativo.
3.1.4 Configurações do BJT

Configurações básicas:

Análise dos ganhos nas configurações:

- Configuração de Base Comum (BC)

- Configuração de Coletor Comum (CC)

- Configuração de Emissor Comum (EC)

Das 3 configurações, a configuração de EC é a que apresenta ganho > 1 nos
três parâmetros (corrente, tensão e potência), por isso é a mais utilizada em
circuitos!

Na configuração BC, o ganho em corrente é denominada de α, assim:

Na configuração EC, o ganho em corrente é denominada de b, assim:

Na elaboração de projetos, o fabricante fornece uma faixa de valores para os

parâmetros α e b.

Relação entre alfa e beta:

Se:

3.1.5 Curva característica do BJT - Configuração EC!!

Serve para relacionar seus principais parâmetros de entrada e de saída para a

devida utilização em projetos.

Levantamento da curva característica:

Polarização do transistores
Curva característica de entrada: VBE(V) x IB(mA)

Variar IB (pela variação de VBB) e determinar VBE, com VCE = cte (VCC = cte).

Curva característica de saída: VCE(V) x IC(mA), com IB = cte

Fixar valores de IB (Valores discretos de VBB) e variar VCE (pela variação de

VCC).

Para IB = 0, aparece uma pequena corrente de fuga I CE0 = corrente entre coletor
e emissor com base em aberto).
Valores fornecidos pelo fabricante (datasheet):

VCE0max = tensão máxima entre C e E com base em aberto;

ICmax = corrente máxima de coletor
PCmax = potência máxima (= VCE x IC)
hFE(b) = ganho de corrente na configuração EC

3.1.6 Polarização DC do BJT - Configuração EC!!

Polarização = estabelecimento das correntes de coletor (I C), de base (IB) e da

tensão entre coletor e emissor (VCE).

Polarização = é o ponto de trabalho do transistor!

Para a polarização de um transistor NPN emissor comum (EC), torna-se

necessário dimensionar RB e RC tendo como valores preestabelecidos: VBB, VCC,
IB, e VCE.
Na prática utiliza-se somente uma fonte: esse circuito é denominado “circuito
de polarização com corrente de base constante”.

Exemplo1: Determinar RB e RC. Dados: b = 100; VCE = VCC/2; IC = 10mA.

Obs.: um transistor sofre influência da temperatura, assim pode haver uma
alteração da corrente de fuga (portadores minoritários)
Þ são alterados os parâmetros b (ganho do transistor) e a tensão VBE;
Þ se a temperatura varia Þ IC varia;
Þ transistor é INSTÁVEL!

Para resolver o problema de instabilidade, coloca-se em série com o emissor

um resistor RE: “circuito de polarização com corrente de emissor
constante”.
O resistor RE, quando percorrido pela corrente I E, apresenta uma queda de
tensão VRE que varia conforme a corrente de coletor IC.

Quando aumentar com a elevação da temperatura, VRE tenderá a aumentar

também, isso faz diminuir VRB para compensar a equação da malha de entrada!

VCC = VRB + VBE + VRE

Se VRB diminui, então IB também diminuirá, pois IC = b.IB, compensando a

variação e oferecendo uma maior estabilidade ao circuito devido às variações
de temperatura.

Para o dimensionamento de RB, RC e RE, escolhe-se um valor de referência

para VRE e aplica-se as equações acima!
Exemplo2: Determinar RB, RC e RE. Dados: b = 100; VCE = VCC/2; VRE = VCC/10;
IC = 20mA.
Para melhorar ainda mais a estabilidade da polarização do transistor, utiliza-se
o “circuito de polarização por divisão de tensão na base”.

Fixa-se VRB2 e faz-se IB < IB2/10, pois IB = IB1 + IB2.

Se VRB2 = VBE + VRE, como VBE e VRE praticamente não variam, VRE » cte Þ
estabilizando a corrente de emissor e a de coletor (I E e IC » ctes) Þ mantém os
parâmetros de polarização independente das variações de b.
Exemplo3: Determinar RC, RE, RB1 e RB2. Dados: b = 100; VCE = VCC/2; VRE =
VCC/10; VBE = 0,7V; IC = 20mA, IB = IB2/10.
To be continued...
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