“Año del Buen Servicio al Ciudadano”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE
INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERIA ELÉCTRICA Y
ELECTRÓNICA

INFORME FINAL N°5

CURVAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR
CURSO: Laboratorio de Electrónica I
DOCENTE: Jimenez Heredia Eladio Jacinto
GRUPO: 3
INTEGRANTES:

Arroyo Mendoza Eder Victor --- 20141269K

Gutierrez Condor Diego ---
20131095J
Paulino Valencia Rene Wilfredo --- 20152118I

2017 -

INFORME FINAL N° 5
LABORATORIO DE ELECTRONICA I 25 de octubre de 2017

CURVAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

DESARROLLO DEL CUESTIONARIO

1. Haga una tabla comparando los valores teóricos con los valores
experimentales

 Para la curva I c vs V CE se obtuvieron los sisguientes datos con

I B=40 uA

IC IC
V CE (V )
Teórico exp
0,2 3,42 4,9
0,5 3,66 5,4
1 3,92 5,42
2 4,55 5,46
3 5,2 5,5
4 5,57 5,53
5 6,15 5,6
6 6,76 5,62
7 7,30 5,7
8 7,92 5,71
9 8,49 5,73
10 8,93 5,8

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LABORATORIO DE ELECTRONICA I 25 de octubre de 2017

 Para la curva Ic vs V CE se obtuvieron los sisguientes datos

con I B=80 uA

IC IC
V CE (V )
Teórico exp
0,2 6,74 10
0,5 7,4 11,2
1 7,89 11,8
2 9,09 11,9
3 10 12
4 11 12,1
5 13 12,2
6 14 12,3
7 15 12,4
8 16 12,9
9 17 13
10 18 13,1

 Para la curva Ic vs IB se obtuvieron los sisguientes datos

con V CE=5 V

I B (uA) I C (mA ) I C (mA ) β β

Teórico exp Teórico exp
2
5
10
20 3,41 3,9 170 185
30 5,65 4,8 180 160
40 7,54 5,2 180 130
50 8,99 7,2 170 144
60 9,32 9,8 150 163,3
70 11,67 11 160 157,14
80 14,6 12,5 180 156,25
90 15,01 14 160 155,6
100 16 15,2 160 152

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LABORATORIO DE ELECTRONICA I 25 de octubre de 2017

 Para la curva IB vs V BE se obtuvieron los sisguientes datos

con V CE=5 V
V BE ( V ) V BE ( V )
I B (uA)
Teorico exp
10
20 0,64 4,7
30 0,65 5,07
40 0,65 5,32
50 0,7 5,38
60 0,66 5,6
70 0,67 5,67
80 0,67 6,08
90 0,68 6,01
100 0,68 5,67
110 0,68 5,39
120 0,68 5,33

2. Calculamos el porcentaje de error que hay entre los valores

experimentales y los teóricos

TABLA 1

I C (mA ) I C (mA )
V CE (V ) Error( )
Teorico Experimental
0,2 3,42 4,9 −43,27
0,5 3,66 5,4 −47,54
1 3,92 5,42 −38,27
2 4,55 5,46 −20,00
3 5,2 5,5 −5,77
4 5,57 5,53 0,72
5 6,15 5,6 8,94

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LABORATORIO DE ELECTRONICA I 25 de octubre de 2017

6 6,76 5,62 16,86

7 7,3 5,7 21,92
8 7,92 5,71 27,90
9 8,49 5,73 32,51
10 8,93 5,8 35,05

TABLA 2

I C ( mA ) I C (mA )
V CE (V ) Error( )
teorico experimental
0,2 6,74 10 −48,37
0,5 7,4 11,2 −51,35
1 7,89 11,8 −49,56
2 9,09 11,9 −30,91
3 10 12 −20,00
4 11 12,1 −10,00
5 13 12,2 6,15
6 14 12,3 12,14
7 15 12,4 17,33
8 16 12,9 19,38
9 17 13 23,53
10 18 13,1 27,22

TABLA 3

I C ( mA ) I C (mA ) ß ß
Vi Error( ) Error( )
Teorico Experim . Teorico Experim .
2
5
10
20 3,41 3,9 −14,37 170 185 −8,82
30 5,65 4,8 15,04 180 160 11,11
40 7,54 5,2 31,03 180 130 27,78
50 8,99 7,2 19,91 170 144 15,29
60 9,32 9,8 −5,15 150 163,3 −8,87
70 11,67 11 5,74 160 157,14 1,79
80 14,6 12,5 14,38 180 156,25 13,19
90 15,01 14 6,73 160 155,6 2,75

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100 16 15,2 5,00 160 152 5,00

TABLA 4

V BE (V ) V BE (V )
I B (uA) Error( )
teórico experimental
10
20 0,64 4,7 −634,38
30 0,65 5,07 −680,00
40 0,65 5,32 −718,46
50 0,7 5,38 −668,57
60 0,66 5,6 −748,48
70 0,67 5,67 −746,27
80 0,67 6,08 −807,46
90 0,68 6,01 −783,82
100 0,68 5,67 −733,82
110 0,68 5,39 −692,65
120 0,68 5,33 −683,82

3. Graficamos IC vs V CE ; IC vs IB ; β vs IC é IB vs
V BE

 Para determinar las curvas I C vs V CE , se debe tener: I B en

40 μA

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 Para determinar las curvas I C vs V CE , se debe tener : IB

en 80 μA

C I
 Curvas I C vs I B : ( β= I ), manteniendo V CE =5 V
B

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 Curva β vs I C

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B vs Ic (experimental)
200
150
100
B

50
0
2 4 6 8 10 12 14 16
Ic

 Curva I B vs V BE :

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4. Indique y explique sus observaciones y conclusiones

Arroyo Mendoza Eder Victor (20141269K)

 Se puede concluir que la corriente del colector puede

gobernarse de la corriente de base y voltaje base-emisor.
Pero esto se da en su funcionamiento del transistor en su
zona activa la cual necesita que el voltaje de base emisor
sea superador por la alimentacion en dichos terminales.

 Durante el desarrollo de la experiencia se debe evitar que

en transistor se caliente excesivamente ya que esto fuede
afectar su correcto funcionamiento inclusive llegar a su
deterioro.

Gutierrez Condor Diego (20131095J)

 En este laboratorio se comprueba las ecuaciones del transistor ,

cuando este se encuentra, en la zona de amplificación por eso es

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LABORATORIO DE ELECTRONICA I 25 de octubre de 2017

de suma importancia conocer el potencial de saturación del

transistor para que de esa manera se trabaje en la zona correcta.

 Se trabaja en la zona de amplificación ya que en esta zona el

transistor amplifica las señales, por eso es de suma importancia
saber conocer la corriente de saturación.

 Paulino Valencia Rene Wilfredo (20152118I)

 Según las condiciones de operación el transistor puede operar en la

región lineal o activa, la región de corte y la región de saturación.
Esto va depender de la aplicación que le demos, por ejemplo si se
quiere que funcione como amplificador lineal, entonces la región
activa es la adecuada para este propósito.

 Un factor de polarización importante es la temperatura, ya que las

altas temperaturas hacen que la corriente de fuga se incremente y
también que cambien las condiciones de operación. (El punto de
operación no se estabiliza).

 Para analizar el transistor, nosotros empezamos determinando la

corriente de la base, ya que la corriente del colector y emisor están
relacionados con :
I C =β I B
I E =( β +1)I B

5. BIBLIOGRAFIA

 Circuitos micro electrónicos Sedra-Smith - 4° Edición.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FIEE-UNI 10

LABORATORIO DE ELECTRONICA I 25 de octubre de 2017

 Electrónica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos – Boylestad-

10° Edición

 Electrónica de potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones-

Muhamar Rashid

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