Electrónica Potencia y Aplicaciones Tiristores

TIRISTORES

Los tiristores son dispositivos que se diferencian de los transistores principalmente

por tener cuatro capas básicas en su estructura interna. Estos dispositivos también
funcionan de forma diferente, generalmente el diseñador puede controlar su disparo a
través de una señal electrónica de bajo nivel, pero su bloqueo está determinado por las
corrientes y voltajes en el circuito de potencia.

Entre los tiristores más utilizados están el SCR o rectificador controlado de silicio,
el TRIAC o triodo de corriente alterna y el GTO o tiristor de apagado por compuerta. Estos
dispositivos tienen diferentes aplicaciones y rangos de trabajo para la corriente y el voltaje
que pueden manejar.

El objetivo de todos estos dispositivos es controlar la cantidad de energía que le

llega una carga en un tiempo determinado, aunque ocasionalmente se puedan utilizar sólo
como interruptores para activar o desactivar una carga determinada.

En los convertidores de electrónica de potencia muy poco se utilizan los TRIAC,

los cuales son más utilizados en circuitos analógicos para controlar la energía que le llega
a una carga en un proceso industrial.

El SCR es el dispositivo más utilizado en los convertidores de electrónica de

potencia, básicamente en los rectificadores trifásicos controlados. Este es el dispositivo
con mayor capacidad de manejo de corriente y voltaje que se puede conseguir.

En el caso de que se requiera un interruptor controlable tanto en el disparo como en

el bloqueo puede utilizarse un GTO. Este es el único tiristor que permite al diseñador
controlar el momento del bloqueo. Sin embargo, este dispositivo requiere un circuito de
comando muy robusto, pero es una alternativa cuando los valores de voltaje y corriente no
pueden ser manejados por ninguno de los transistores vistos anteriormente.
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4.1 RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO – SCR

Los SCR fueron inventados a finales de la década del 50 por General Electric y
desde entonces han sido utilizados en una infinidad de aplicaciones, en donde se hacía
necesario el control de la energía proporcionada a una carga eléctrica.

El símbolo y la curva característica de salida para un SCR típico se muestran en la

figura 4.1. El terminal de disparo definido como compuerta se identifica por la letra G.
Éste es un dispositivo bidireccional en voltaje y unidireccional en corriente, la cual sólo
puede circular de ánodo (A) a cátodo (C), aunque también presenta el fenómeno de
recuperación reversa visto en los diodos. Este dispositivo normalmente se dispara
mediante un pulso de corriente de puerta de magnitud y duración apropiadas. Para esto
debe conseguirse la aplicación de un voltaje determinado entre el terminal de compuerta y
el terminal de cátodo.

Aunque no sea el propósito del diseñador, el dispositivo se disparará si el voltaje

entre ánodo y cátodo supera el valor VBO, para lo cual no se requiere corriente de
compuerta. En este caso la corriente por el dispositivo depende sólo de la carga. También
puede dispararse el dispositivo si el voltaje aplicado entre ánodo y cátodo aumenta a una
mayor velocidad que la permitida por el fabricante (dV/dt).

Después que el dispositivo comienza a conducir se mantendrá en este estado

mientras que su corriente no caiga por debajo de un valor denominado corriente de
mantenimiento (IH). Debido a esto, los SCR son muy utilizados en circuitos de corriente
alterna, porque al final de cada semiciclo la corriente se extingue y el voltaje en el
dispositivo se invierte llevándolo al estado de corte. Al principio del próximo semiciclo
positivo debe aplicarse nuevamente un pulso de disparo con un retado igual o diferente al
usado en el ciclo anterior. En circuitos de corriente directa debe haber un circuito auxiliar
para poner en corto o invertir la polaridad del voltaje aplicado al dispositivo. Esta
condición hace que los SCR sean menos utilizados en circuitos de corriente directa.
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Figura 4.1. Símbolo del SCR y curva característica de salida.

Es importante señalar que al adquirir un SCR su voltaje VDRM o VBO debe ser mayor
al voltaje máximo de la aplicación. Por ejemplo, si se utilizará el SCR en un circuito
de 120Vrms, se debe considerar que el voltaje máximo es de 169.7V, por lo que el SCR
debe ser por lo menos de 200V.

En la figura 4.2 se muestra un diagrama de la estructura interna del un SCR, puede

notarse su construcción vertical de ánodo a cátodo

Figura 4.2 Sección transversal vertical de un SCR.

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En términos de sus dimensiones laterales los tiristores están entre los

semiconductores más grandes fabricados en la actualidad. Su sección transversal se parece
a la del BJT de potencia, aún considerando el grosor y la densidad de impurezas de sus
capas. La región n- actúa igual que en el transistor, permitiéndole al SCR soportar grandes
voltajes cuando está apagado. La capa p en el ánodo del SCR es la que hace que el mismo
se comporte de forma diferente al BJT de potencia.

Con los SCR se da un fenómeno parecido al que se presenta en los diodos con el
tiempo de recuperación reversa. Al apagar el dispositivo polarizándole inversamente, se
genera una corriente de recuperación reversa Irr, durante un tiempo identificado como trr.
Esto obliga al diseñador a no aplicar un voltaje directo hasta que no haya transcurrido un
tiempo conocido como tiempo de recobro (tq), caso contrario el dispositivo volverá a
conducir.

Figura 4.3 Circuito resistivo para el disparo de SCR.

Con el circuito anterior se puede variar el momento en que se aplican los valores de
corriente y voltaje de compuerta necesarios para la conducción del SCR (IGT, VGT). Esto
se consigue mediante la variación de R2.

El tiempo transcurrido desde el cruce por cero de la señal de voltaje de corriente

alterna y el momento en que se da la corriente necesaria para la conducción, se conoce
como ángulo de disparo y normalmente se denota con la letra griega . Para el circuito
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mostrado en la figura 4.3,  sólo puede ser aumentado hasta un límite de 90°, más allá de
este valor no se tiene control sobre el ángulo de disparo.

Pregunta:
Explique por que razón no se pueden conseguir ángulos de disparo mayores con este
circuito.

Figura 4.4. Ángulos de disparo diferentes para el circuito de disparo anterior. El valor de
R2 para el caso a) es mayor que el valor utilizado para el caso b).

Si se desean ángulos de disparo mayores a 90° se deberá utilizar un circuito como

el de la figura 4.5, donde se utiliza un capacitor para retrasar la subida del voltaje aplicado
a la compuerta del dispositivo, y la corriente de compuerta es controlada por el resistor R3.
En la figura 4.5 b se consigue un mayor retraso debido al doble RC.

En la práctica estos circuitos no se analizan en detalle sino de forma aproximada.

Por ejemplo, para el cálculo de la primera constante de tiempo R1C, se utiliza un valor
pequeño, en el caso de una señal de 60Hz, puede estar entre 1 y 2ms. Para la segunda
constante de tiempo (R1+R2)C se utiliza un valor mayor que el período de la señal en
cuestión, por ejemplo 20ms. Para el caso de la tercera constante de tiempo R3C2 se utiliza
un valor algo superior a la primera constante de tiempo, tal vez, 4ms. Con estos valores se
procede a armar el circuito y de forma empírica se hacen los ajustes necesarios.
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Figura 4.5 Circuitos de control de compuerta para SCR, con los cuales se pueden
conseguir ángulos mayores que 90°.

En la figura 4.6 se muestra un circuito con dos SCR, el cual permite utilizar ambos
semiciclos de la señal de voltaje de corriente alterna. En la parte b) se observa la forma de
onda rectificada y el ángulo de disparo. En esta figura no se hace énfasis en el circuito de
control del ángulo de disparo, pero este puede ser similar a los mostrados anteriormente o
puede ser algo más complejo, inclusive puede ser una señal generada por un
microcontrolador y aplicada al SCR a través de un optoacoplador.

NOTA:
La mayoría de los circuitos de control para los SCR y TRIAC permite el control del
ángulo de disparo entre 30 y 150°, lo que a primera vista puede parecer el resultado
de un control con poca precisión, al pensar que no se tiene control sobre un tercio de
la señal total (180°). Ahora bien, si se piensa en el objetivo del circuito, que es
controlar la potencia aplicada a la carga y se recuerda que la potencia es función del
cuadrado del voltaje, se tendrá una situación muy particular. La onda de voltaje es
senoidal y si se grafica el seno2 se tendrá que la potencia aplicada a la carga es
proporcional al área bajo esta curva. Durante los primeros 30 y los últimos 30 grados
de la señal seno2, el área bajo la curva es realmente mínima, menor al 5%, por lo tanto
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no existe un gran desperdicio de energía al no hacer uso de estos ángulos de

conducción.

Figura 4.6 Control de potencia rectificada de onda completa, usando dos SCR y un
transformador con derivación central.

Hojas de datos

A continuación se presentará información sobre el SCR 50RIA de International

Rectifier, el cual puede manejar hasta 50 A y tiene un tiempo de bloqueo de 110s
soportando un amplio rango de voltajes, dependiendo del dispositivo.
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Entre las principales características de disparo relacionadas a la compuerta tenemos

las relacionada con las corriente IGT y el voltaje VGT.

En las curvas adjuntas se

muestra la relación entre la corriente de
ánodo y el voltaje ánodo-cátodo. Como
puede verse el voltaje aumenta de forma
lineal hasta aproximadamente los 100A.
Sin embargo, debe recordarse que éste
es un dispositivo de 50 A, valor para el
cual la caída de voltaje es de sólo 1.3V.
Tampoco debe olvidarse que este
dispositivo puede llegar a conducir más
de 1000 A de forma momentánea.
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A continuación se presentarán resúmenes de hojas de datos para que el lector pueda

comparar los parámetros de SCR´s de diferentes capacidades.

ST180C
Características
Compuerta con amplificación central
Encapsulado metálico con aislante
cerámico

Aplicaciones
Control de motores DC
Fuentes de energía DC
Controladores AC

ST3230C
Características
Enfriamiento de doble lado
Alta capacidad contra transitorios
Libre de fatiga

Aplicaciones típicas
Control de motores DC
Fuentes de energía DC
Controladores AC
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4.2 TIRISTOR DE APAGADO POR COMPUERTA - GTO

En varios aspectos, los tiristores están cerca de ser los interruptores ideales para
usarse en las aplicaciones de electrónica de potencia. Ellos pueden bloquear altos voltajes
(varios miles de volts) cuando están apagados y pueden conducir grandes corrientes (varios
miles de amperes) cuando están encendidos, con una caída de voltaje de sólo unos cuantos
volts. Además, una de sus mejores características es que pueden ser disparados con una
pequeña corriente que se aplica a su terminal de compuerta.

Sin embargo, los tiristores tienen una seria deficiencia, la cual impide su uso como
interruptores controlables; esta es la incapacidad de bloquear al dispositivo mediante la
aplicación de una señal de control en su terminal de compuerta. La inclusión de esta
capacidad en un tiristor requiere de algunas modificaciones al dispositivo y de algunos
compromisos que deben cumplirse para la operación del mismo.

Figura 4.7 Sección transversal vertical y vista en perspectiva de un GTO.

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El GTO mantiene la estructura básica de cuatro capas y los perfiles de dopaje del
SCR, pero presenta tres diferencias fundamentales. Primero, la estructura cátodo-
compuerta está altamente interdigitalizada, donde se usan varios tipos de formas
geométricas entre el cátodo y la compuerta, con el fin de maximizar la periferia del cátodo
y minimizar la distancia de la compuerta al centro de la región del cátodo.

Segundo, la región del cátodo normalmente termina en islas, que en el momento del
encapsulado hacen contacto con el metal del disipador de calor, creando así la conexión
con el mundo exterior. Tercero, la mayor diferencia aparece en la región del ánodo. A
intervalos reguladores, regiones de material semiconductor n+ penetran en la región de
cátodo p+. Las regiones n+ hacen contacto directo con el metal del ánodo, por lo cual se
llaman ánodo en corto. Estas estructuras tienen como propósito incrementar la velocidad
de apagado del GTO.

Las curvas características del GTO son muy similares a las del SCR en polarización
directa, sin embargo, en polarización inversa los GTO prácticamente no poseen capacidad
de bloqueo de voltaje, gracias a la estructura conocida como ánodo en corto. La capacidad
de bloqueo de los GTO se define por la unión J3 y está limitada a 20 ó 30V, por este motivo
algunos GTO se fabrican sin la estructura conocida como ánodo en corto. Si es necesario
aumentar la capacidad del bloqueo del circuito, puede usarse un diodo en serie con el GTO,
con lo cual se cubre su deficiencia.

4.2.1 CONMUTACIÓN DEL GTO.

Los GTO son muy útiles cuando los otros interruptores controlables no pueden
manejar la potencia requerida por la carga, sin embargo el utilizarlos no es lo más fácil que
pueda encontrarse en electrónica de potencia. Estos dispositivos tienen amplificaciones de
corriente diferentes para el disparo y el bloqueo, siendo mucho más sensibles a la hora del
disparo, y presentando límites en las corrientes que pueden ser bloqueadas.
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En la Figura 4.8 se presenta un circuito para el disparo de un GTO en el que puede

observarse la complejidad de los requerimientos. Este circuito se puede describir de la
siguiente manera:

1. Se necesita de un pulso elevado de corriente para disparar el dispositivo, por lo cual

se manda un pulso de corriente a la base de TG2 y TG1.
2. Luego de disparado el dispositivo debe mantenerse un cierto nivel de corriente en
la compuerta, con si fuera un BJT. El problema reside en que si la corriente de
ánodo disminuye demasiado debido a la carga, algunas de las islas del cátodo
dejarán de conducir, sin embargo, si la carga aumenta repentinamente, las islas que
quedaron conduciendo manejarán toda la carga, lo que puede exceder sus
especificaciones, destruyendo el dispositivo.
3. Para el bloqueo se utiliza un MOSFET de potencia. Debido a que la ganancia de
bloqueo es menor (típicamente 5 o menos), la corriente necesaria para el bloqueo
será mucho mayor que la corriente necesaria para el disparo. Utilizando un
MOSFET de potencia se tendrán menos pérdidas ya que se trabaja a voltajes
reducidos.

Debido a la complejidad necesaria para el control de la compuerta, este dispositivo

es utilizado casi exclusivamente para niveles de medias potencias. También es importante
aclarar que debe utilizarse snubber de bloqueo con los GTO, tal como se muestra en la
figura 4.8.

4.3 TRIODO DE CORRIENTE ALTERNA - TRIAC

Los TRIAC´s son dispositivos semiconductores diseñados para el control de la

energía que se le suministra a una carga determinada para la realización de un trabajo. Este
control se logra, en principio, de la misma forma como se hace con los SCR, con la salvedad
de que el dispositivo de control de compuerta debe generar pulsos de disparo tanto en el
semiciclo positivo como en el negativo.
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Figura 4.8 Circuito de control de la compuerta para un Tiristor de bloqueo por

compuerta – GTO.

Estos dispositivos son bidireccionales en corriente y en voltaje y su curva

característica es la mostrada en la figura 4.9. Para este dispositivo los parámetros en directa
y en reversa tienen básicamente las mismas funciones y características. Si se supera el
voltaje VDRM o el voltaje VRRM el dispositivo entrará en conducción. Si la corriente de
ánodo disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH el dispositivo se apagará.
A diferencia de los SCR, si el voltaje entre los terminales principales MT2 y MT1 es
negativo y sobre pasa el valor de VRRM el dispositivo no se destruirá.
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Figura 4.9 Curva característica I-V para el TRIAC.

A diferencia del SCR, el TRIAC soporta corrientes de compuerta negativas, sin

embargo, estas corrientes negativas no tienen el objetivo, como en el caso del GTO, de
apagar el dispositivo. Tanto las corrientes positivas como las negativas en la compuerta,
tienen el mismo propósito, disparar al TRIAC. Las polaridades entre los terminales
principales y entre la compuerta y terminal principal 1 pueden ser dependientes o no, esto
guarda estrecha relación con el tipo de circuito utilizado para el control de la compuerta.

En la figura 4.10 se muestran los cuatro posibles cuadrantes de disparo para el

TRIAC, pero debido a que la estructura semiconductora del TRIAC no es totalmente
simétrica, estos cuadrantes no tienen la misma sensibilidad. El primer cuadrante es el más
sensible de todos, mientras que la sensibilidad del segundo y tercer cuadrante es muy
similar y el cuarto cuadrante es el menos sensible.

Para evitar que la sensibilidad de disparo para el semiciclo positivo y negativo sea
diferente se prefiere utilizar una fuente de voltaje negativo, cuando la polaridad de la
corriente de disparo no depende de la polaridad de los terminales principales, o sea, cuando
la fuente de disparo es independiente.
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Figura 4.10 Cuadrantes de disparo para el TRIAC. El primer cuadrante es el más sensible
y el cuarto es el menos sensible.

Hojas de datos

A continuación se presentan algunas de las características del TRIAC MAC16D

de Motorola. Además de los valores máximos se presentan sus características de
compuerta (IGT, VGT) en función de la temperatura de juntura. Este es un dispositivo con
capacidad para manejar una corriente rms de 16A y una corriente máxima no-repetitiva de
150A durante un ciclo completo de una señal de 60Hz. Se puede obtener para 400, 600 y
800V. La potencia promedio disipada por la compuerta es de 0.5W y en rango de operación
de la temperatura de la juntura está definido por –40 y 125°C.

En las características de disparo mostradas se observa que para el primer cuadrante

sólo se requieren 16mA, mientras que para el segundo cuadrante se requieren 18mA y para
el tercer cuadrante 22mA. Para este dispositivo la corriente de mantenimiento es de 20mA.
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En las siguientes curvas se muestra como la temperatura de la juntura afecta los

parámetros de disparo (VGT, IGT). Al aumentar la temperatura se requiere menos voltaje y
menos corriente de compuerta.
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En la curva adjunta se observa

como la corriente de mantenimiento
también se ve afectada por la tempe-
ratura de juntura. Puede observarse
también que la corriente de mante-
nimiento no es la misma para ambos
semiciclos, necesitándose menos
corriente en el semiciclo negativo.

En la figura 4.11c se muestra el efecto resultante de disparar el TRIAC con un

circuito RC, el cual trabaja normalmente en el primer y tercer cuadrante, los cuales tienen
sensibilidad diferente. Al tener el primer cuadrante mayor sensibilidad su ángulo de
disparo es menor. Esto puede ocasionar un parpadeo en la carga y esta es de tipo lumínica.
Para mejorar esto se pueden utilizar algunos dispositivos, conocidos como dispositivo de
transición conductiva.

4.4 DISPOSITIVOS DE TRANSICIÓN CONDUCTIVA UTILIZADOS PARA EL

DISPARO DE TIRISTORES

Cuando se utilizan circuitos análogos para el disparo de tiristores el objetivo es

generar un retardo para obtener el ángulo de disparo deseado. Este retardo se puede generar
mediante una red RC como se a mostrado, o mediante un circuito algo más complejo
llamado oscilador de relajación. Para la construcción de estos osciladores se utilizan
normalmente dos pequeños transistores; el Transistor de Unijuntura y el Transistor de
Unijuntura Programable. En los próximos puntos se analizarán estos dispositivos, así como
algunos circuitos de aplicación.
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Figura 4.11 Disparo de un TRIAC. A)Ángulo de disparo de 30° y ángulo de conducción de

150°, b)Ángulo de disparo de 120° y ángulo de conducción de 60°, c)Ángulos
de disparo diferente, ocurre normalmente cuando se utiliza un arreglo RC
para el disparo del TRIAC.

4.4.1 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA - UJT

El transistor de unijuntura es un dispositivo de tres terminales denominados base 1

(B1), base 2 (B2) y emisor (E), y se utiliza típicamente en un circuito llamado oscilador de
relajación, cuyo objetivo es el disparo de tirstores, tales como SCR y TRIAC.
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Operativamente los terminales del UJT no tienen ninguna relación con los terminales de
un transistor bipolar.

El símbolo, modelo y curva característica del UJT se muestran en la figura 4.12.

En el modelo se puede observar que no existe ninguna juntura entre B2 y B1, por lo tanto
el semiconductor se comporta de forma resistiva entre estos terminales. El valor de esta
resistencia comúnmente oscila entre 6 y 10k.

El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: cuando se aplica un voltaje

entre las bases se define un voltaje en el cátodo del diodo el cual podría ser calculado por
divisor de voltaje, si se conoce el valor de ambas resistencias. Mientras el voltaje en el
emisor (el ánodo del diodo) sea menor que el voltaje en el cátodo, el dispositivo no
conducirá. Cuando el voltaje en el emisor sea mayor que el voltaje en el cátodo más el
voltaje de umbral del diodo (0.6V típicamente), el dispositivo comenzará a conducir; a este
voltaje se le conoce como voltaje pico (Vp). Los portadores de carga que ingresan a la
región de la base 1, disminuirán su resistencia eléctrica y el voltaje en el dispositivo caerá
rápidamente hasta llegar al valor conocido como voltaje valle (Vv). En este momento si la
corriente que atraviesa el emisor es mayor que la corriente valle Iv, el dispositivo
continuará conduciendo, si la corriente es menor el dispositivo se apagará.

A partir del modelo del UJT, se puede definir la relación intrínseca en función de
sus resistencia internas. A partir de este valor se puede definir el valor del voltaje pico para
el cual el dispositivo conducirá.

rB1
VEB1 = VD + VB 2 B1 (4.1)
rB1 + rB 2

rB1 r
= = B1 (4.2)
rB1 + rB 2 rBB

VP = VS + VD (4.3)
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Figura 4.12. Símbolo, modelo y curva característica del UJT.

A continuación se muestran las características principales del UJT NTE6400,

donde se puede observar su relación intrínseca, su resistencia de interbase y los valores de
las corrientes de pico y valle. Obsérvese que para la corriente pico sólo se muestra el valor
máximo, esto se debe a que esta corriente se utiliza para el cálculo de la resistencia máxima
que puede utilizarse en el emisor para un oscilador de relajación. Nótese también que para
la corriente de valle sólo se define el valor mínimo utilizado para el cálculo del valor
mínimo de la resistencia de emisor. Otros valores podrían llevar a definir rangos para Re,
para los cuales el dispositivo puede muy bien dejar de oscilar.
NTE6400
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Oscilador de relajación

En la figura 4.13 se muestra el circuito y las formas de onda de un oscilador de

relajación con UJT. La salida de este circuito está en la base 1, punto que puede ser
utilizado para el disparo de un SCR o TRIAC. En este circuito el capacitor se cargará de
la fuente DC a través de la resistencia RE. Cuando el voltaje de emisor alcance el valor de
Vp el dispositivo empezará a conducir, siempre que la corriente que pasa por RE sea mayor
que la corriente pico, caso contrario el capacitor continuará cargándose hasta llegar a VS y
el circuito no oscilará.

De lo anterior se desprende que RE tiene un valor máximo que está definido por VP,
IP y VS, esta relación puede observarse en la siguiente ecuación.

VS − VP
RE _ max = (4.4)
IP

Cuando el UJT conduce, su voltaje decae rápidamente hasta alcanzar el valor de

VV. Es en esta etapa de la operación del circuito que el capacitor se descarga,
produciéndose un pico de corriente en el emisor. Dependiendo de la carga acumulada en
el capacitor el proceso de descarga durará más o menos, pero siempre será mucho menor
que el período de carga, debido precisamente a su constante de tiempo. El valor del voltaje
en la resistencia R1 subirá rápidamente hasta un valor cercano a VP-VV, y decaerá con la
velocidad que lo haga el voltaje en el capacitor.

Cuando la carga del capacitor se agota, la corriente del emisor será igual a la
corriente que atraviesa la resistencia RE, si ésta es menor que la corriente de valle el
transistor se apagará, si es mayor que la corriente de valle el transistor continuará
conduciendo. Para que el circuito oscile es necesario que el transistor se apague al llegar
al voltaje de valle, es por esto que la resistencia de emisor también tiene un límite inferior
el cual está definido por la siguiente ecuación.
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VS − VV
RE _ min = (4.5)
IV

Para definir el valor de R1 debe considerarse la forma de onda del voltaje en esta
resistencia, en la cual se generan picos de voltaje en el momento que el UJT conduce, y
permanece un voltaje residual cuando el mismo está apagado. Los tiristores sólo deben ser
disparados por los picos de voltaje y nunca por señales de ruido que se sumen al voltaje
residual. Por esta razón el voltaje residual debe mantenerse alrededor de 0.3V, algo alejado
del voltaje de disparo de los tiristores (0.6V). Si se considera que los voltajes típicos en
estos circuitos, así como los valores de resistencia interbase, se tendrá como resultado una
corriente en R1 cercana a los 3mA. Para que el voltaje en R1 no supere los 0.3V, dicha
resistencia no debe superar los 100.

En la figura 4.13 se observa un oscilador de relajación con UJT utilizado para el

comando del la compuerta de un SCR. Debe considerarse que aunque el SCR es
bidireccional en voltaje, el UJT no funciona para voltajes negativos, motivo por el cual se
utiliza un diodo zener.

Ejemplo de aplicación
El funcionamiento del circuito de la figura 4.13 puede describirse de la siguiente forma:
1. Durante el semiciclo positivo el voltaje de entrada aumenta rápidamente hasta
alcanzar el valor del voltaje zener.
2. En este momento el zener fija el voltaje para el circuito de oscilación y la resistencia
Rd soporta el voltaje excedente.
3. El capacitor CE se carga a través de las resistencia de emisor, esta carga durará más
o menos, dependiendo de los valores fijados en las resistencias.
4. Cuando el voltaje en el capacitor alcance el valor de Vp el UJT conducirá y el
capacitor se descargará a través del UJT.
5. Durante la descarga del capacitor se presentará un pico de voltaje en R1. Dicho
voltaje será utilizado para el disparo del SCR.
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6. La variación del resistor REV cambiará la constante de tiempo de carga del

capacitor, cambiando así el ángulo de disparo del SCR y la potencia que le llega a
la carga en cada semiciclo.
7. Una vez disparado el SCR, el voltaje aplicado al oscilador de relajación caerá a un
par de volts, el voltaje de conducción del SCR, y el circuito no volverá a oscilar.
8. Durante el semiciclo negativo, el zener conducirá, aplicando un voltaje de
aproximadamente –0.7V al oscilador de relajación, por lo tanto, este circuito no
funcionará durante este intervalo de tiempo.

Figura 4.13 Uso de un oscilador de relajación con UJT para el disparo de un SCR en los
semiciclos positivos.

4.4.2 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE - PUT

El transistor de unijuntura programable es un dispositivo más versátil que el UJT

ya que sus parámetros no dependen exclusivamente del fabricante y de la temperatura de
operación. El diseñador puede definir la corriente pico, la corriente valle y el voltaje pico
del dispositivo mediante la selección apropiada de la resistencia equivalente vista desde su
compuerta. Esta versatilidad también hace que el PUT sea un dispositivo algo más difícil
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de utilizar, ya que si no se cuenta con las curvas del fabricante es muy probable que no se
pueda definir el rango correcto de valores de RE para los cuales el dispositivo oscila.

En la figura 4.14 se muestra el símbolo del dispositivo, así como su curva

característica, la cual no difiere mucho de la curva del UJT. En la figura 4.15 se presenta
un oscilador de relajación con PUT, para este caso la resistencia equivalente será el paralelo
de 16k y 27k, o sea 10k. El voltaje equivalente o Vs se puede obtener del divisor de
voltaje, siempre y cuando se conozca el voltaje de la fuente. Suponga que la fuente es de
10V, entonces Vs será igual a 6.28V.

Figura 4.14 PUT. a) Símbolo y circuito equivalente de compuerta. b)Curva característica.

Figura 4.15 Oscilador de relajación con PUT. El voltaje de salida puede ser utilizado para
el disparo de un SCR o TRIAC.
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La ventaja del oscilador de relajación con PUT, mostrado en la figura 4.15, con
relación al oscilador con UJT es su inmunidad al ruido. Esto se debe a que antes de que el
dispositivo conduzca, la corriente que lo atraviesa es aproximadamente cero, y el voltaje
residual en el resistor de 20 es prácticamente cero.

A continuación se presentan algunos datos de la hoja de especificaciones del PUT

2N6027 de Motorola. Este dispositivo puede soportar hasta 40V entre ánodo y cátodo y
puede manejar una corriente promedio de 150mA en el ánodo. Su disipación de potencia
es de 300mW y decrece a razón de 4mW por cada grado centígrado de aumento en la
temperatura del encapsulado.

PUT 2N6027

En las curvas siguientes se tiene la información necesaria para la programación de

la corriente de valle, así como el efecto que tiene la temperatura ambiente sobre dicha
corriente.
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A continuación se presentan las curvas para la programación de la corriente pico,

como también el efecto de la temperatura sobre este parámetro. Nótese que tanto para la
corriente valle como para la corriente pico, las curvas están dadas para ciertos valores de
RG, por lo cual debe tratarse de que la resistencia equivalente este cercana a los valores
definidos en las curvas.
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4.5 PROTECCIÓN CONTRA SOBREVOLTAJES TRANSITORIOS

En las siguientes páginas se presenta una descripción breve de los

sobrevoltajes transitorios de corta duración, atendiendo a su causa, efectos y
maneras de protegernos contra estos fenómenos eléctricos.
En primera instancia debemos aclarar que los sobrevoltajes a los que
nos referimos en este punto son variaciones bruscas de la onda de tensión de
corta duración (microsegundos) con una magnitud mayor a dos veces el
valor rms de la señal. Estas variaciones pueden ser generadas por
fuentes naturales como las descargas eléctricas directas o indirectas, o
fuentes artificiales como cortocircuitos, daño de transformadores o hasta
la conmutación de cargas de gran tamaño.
También es importante dejar claro que dispositivos como UPS y
reguladores de voltaje no pueden proteger a nuestras cargas sensibles de este tipo de
fenómeno. Por lo tanto, las cargas que tienen un costo elevado por sí solas o las cargas que
tienen un impacto directo en nuestra producción, ya que su pérdida implica necesariamente
la pérdida de horas de producción, deben ser protegidas contra este tipo de eventos.

Existen diferentes tecnologías para la

protección contra los sobrevoltajes transitorios
como son los Varistores de óxido metálicos
(MOV), los Gas filled Arresters, o los diodos
supresores de transientes. Los primeros
representan la tecnología más desarrollada y
común hoy en día, los segundos son los que
pueden absorber más energía y los últimos los que reaccionan ante voltajes menores.
Estadísticamente podemos hablar de que existen una 2000 tormentas simultaneas
en el planeta y caen cerca de 100 rayos por segundos, lo que nos lleva a 4000 tormentas y
9 millones de rayos cada día, matando alrededor de 1000 personas cada año. Otro motivo
de preocupación es que Panamá tiene un clima que hace propicia la formación de tormentas
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eléctricas, y aunque no existen estadísticas oficiales de

afectaciones se sabe que las descargas eléctricas han
causados muchas pérdidas directas e indirectas a
industrias y comercios y también en el sector residencial.
Como se dijo anteriormente la tecnología más
utilizada son los Varistores de óxido metálico y su
tamaña define la cantidad de energía que pueden
absorber, definiéndose normalmente en kiloampers (kA).
Otro parámetro importante es el voltaje de operación, o sea, indicar si se van a utilizar en
un sistema de 120/208V o 277/480V. El tipo de sistema también es importante,
principalmente cuando se compran soluciones comerciales como los provistos por la marca
APT (Advance Protection Technologies INC).
La forma en que estos dispositivos operan es bastante sencilla, lo que hacen es que
al presentarse un voltaje mayor al umbral de activación, su resistencia disminuye
drásticamente por lo que prácticamente entran en corto. Esto provee un camino de baja
impedancia hacia tierra, para el evento de alta energía que provoca el sobrevoltaje. Lo
anterior quiere decir que de nada nos sirven los supresores de sobrevoltajes si la instalación
no tienen un sistema de aterrizaje apropiado.
Por último, en la actualidad los supresores se definen como supresores de tipo 1,
tipo 2 y tipo 3, como se muestra en la siguiente imagen, siendo el tipo 1 el supresor que
puede ser colocado en cualquier
parte de la instalación sin peligro
alguno. Como se muestra, la
idea es hacer una coordinación
entre los diferentes tipos de
supresores para reducir paso a
paso el evento de sobrevoltaje
hasta niveles manejables por los
equipos.
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PROBLEMAS RESUELTOS:

PROBLEMA 1: Para el circuito mostrado:

a.) Calcule el valor de R2 que causará un retardo de disparo de 90°.
b.) Si R2 = 2.5 kΩ, calcule el ángulo de conducción y el ángulo de retardo de
disparo.

Rcarga

+ R1
1k
SCR1
115 Vrms SCR

60Hz R2 I =35mA
GT

Solución
a)
VS = 115 2sen(90) = 162.63 V a 90

Cuando α=90° IGT = 35mA

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162.63
R1 + R2 = = 4.65 k
35  10 −3

R2 = 4.65 − 1 = 3.65 k
b)
R1 + R2 = 2.5 + 1 = 3.5 k = Rtotal

VS = Rtotal * I GT = 3.5(35) = 122.5 V

VS = 115 2 sin 

 122.5 
 = sin −1   = 48.87
 115 * 2 
 condución = 180 − 48.87 = 131.13

PROBLEMA 2: El siguiente circuito de control es usado con una fuente

conmutada de voltaje CD de 60 V. La IGT del SCR es 10 mA.
a.) Si la fuente de CD es encendida repentinamente, para los valores mostrados
en el esquema de circuito. ¿Cuánto tiempo transcurre antes del disparo del
SCR?
b.) ¿Qué valor de C causará un retardo de tiempo de 70 ms entre el cierre del
interruptor y el disparo del SCR.

Rcarga

R1
S1 1k

R2
+ 2.5k R3 D1
60V 1k SCR1
SCR
C
0.5uF

Solución:
a.)  1 = (R1 + R2 )C = 3.5  103 (0.5  10−6 ) = 1.75 ms

( )
VC = I GT R3 + VD + VGT = 1  103 10  10−3 + 0.7 + 0.6 = 11.3 V
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Utilizando la ecuación de carga del capacitor podemos calcular el

tiempo de disparo del SCR

 −t


VC = VS 1 −   
 
 −t

11.3 = 601 −  1.7510 
−3

 
 
De aquí, resolviendo para t tenemos que

t = 0.365 mseg
b.) Para resolver este apartado recurrimos nuevamente a la ecuación de carga del
capacitor. Con esto encontraremos la constante de tiempo necesaria para que
el disparo del SCR ocurra en 70 ms y a partir de aquí el valor de la
capacitancia necesaria para dicha constante de tiempo

 
−3
−7010

11.3 = 60 1 −   
 
 
−7010 −3
1 − 0.1883 =  

 −7010 
−3

ln (0.811667 ) = ln    
 
 
− 70  10 −3
− 0.208665 =

 = 335.5 ms

 335.5  10 −3
C= = = 95.86 F
(R1 + R2 ) 3.5  10 3
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PROBLEMA 3: Para el circuito mostrado la fuente de voltaje es de 220 Vrms, 60 Hz.

El resistor de carga es de 16 Ω. Ignore el VT del SCR.

Rcarga
16

R1

Fuente de R2
Voltaje

a.) ¿Cuánta potencia es proporcionada a la carga si el ángulo de retardo de

disparo = 0° ?
b.) ¿Cuánto si el ángulo de retardo de disparo = 90° ?
c.) Si el ángulo de retardo de disparo = 135°, ¿Será menor que la mitad o
mayor que la mitad de la cantidad proporcionada para un ángulo de
retardo de disparo de 90°? Explique.

Solución: Para calcular la potencia disipada por la carga para los diferentes ángulos
de disparo haremos uso de la ecuación de la potencia instantánea por medio de la
integral del cuadrado del voltaje

1  2 V 2 ( )
P=  d
T 1 R

donde:

( )
V 2 ( ) = 220 2 * sin( ) = 2 * 220 2 sin 2 ( )
2

T = 2 , reemplazando en la integral de potencia nos queda

2202 2
P=  sin 2 ( )d
16 1

Resolviendo dicha integral tenemos que

P = −481.44(sin   cos −  ) , evaluado de θ1 a θ2

a.) Para un ángulo de retardo de disparo de 0°, θ1 = 0 a θ2 = π.

P = −481.44(−  ) = 1512.5 W
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b.) Para un ángulo de retardo de disparo de 90 grados, θ1 = π/2 a

θ2 =π.
P = −481.44(−  / 2) = 756.25 W
c.) Con un ángulo de retardo de disparo de 135° , θ1 = 3π/4 a
θ2 =π.
  3 3 3 
P = −481.44(sin   cos −  ) −  sin  cos − 
  4 4 4 
 3 
P = −481.440 −  + 0.5 +  = −481.44 * −0.2854 = 137.4 W
 4
Como era de esperarse la cantidad de potencia suministrada a la carga con un
ángulo de retardo de disparo de 135 grados es menor que la mitad producida
por un ángulo de retardo de disparo de 90 grados. Esto se debe a que ya sea
dentro de los primeros o últimos 90 grados de un semiciclo de una onda
senoidal la señal no es lineal, por tanto el rango de las amplitudes de voltaje
son menores después de los 135 grados dando como resultado una menor
potencia entregada a la carga

PROBLEMA 4: En el siguiente Rcarga

circuito:
a)Si C = 0.47μF , encuentre los tamaños R1
adecuados de R1 y R2 para un rango
amplio de ajuste del ángulo de retardo Fuente de R2
de disparo. Voltaje
R3
b)Si R1= 4.7kΩ y R2 =100kΩ, escoja un
tamaño aproximado de C que permita C
que el ángulo de retardo de disparo sea
ajustado muy tarde.
Solución: Para éste tipo de circuito se ha establecido que la constante de tiempo .
 1 = (R1 + R2 )C de estar entre 1 y 30 ms para un amplio rango de ajuste del ángulo
de retardo de disparo. Basándonos en este enunciado de la teoría para circuitos de
disparo RC para SCR se calculan los valores deseados.

Si C = 0.47μF, entonces la constante de tiempo mínima está determinara por R1 y C.

Seleccionando τmin = 2 ms , tenemos que :
2  10−3
R1 = = 4255 
0.47  10−6
Cuando la red de disparo ofrece su mayor resistencia entonces la constante de tiempo
es la máxima permisible para el disparo del SCR. Por ende asignamos
τ max = 28 ms.
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28  10−3
R2 = − R1 = 55.32 k
0.47  10−6

Si R1= 4.7kΩ y R2 =100kΩ y se requiere que el ángulo de retardo de disparo sea

ajustado muy tarde seleccionamos nuevamente τ max = 28 ms.
|

PROBLEMA 5: Dado el siguiente circuito encuentre:

vC
a.
t
b. α
c. RF =120
d. El valor del ángulo de disparo mínimo?
Carga

Rd

R2
25k
5k
R4
1k
PNP
24v D2
60 Hz n=0.58 SCR1
RF 8k C1 . T2 SCR
0.5uF

Solución:
dv C dv i vc I c
a. Debemos recordar que iC = C de aquí que c = c , entonces = .
dt dt C t C
Con esto vemos que es necesario calcular IC. Es importante notar que estamos
asumiendo que IB = 0 y que IC ≈ IE
24  8
VB = = 14.77 V
13
VE = VB + VEB = 14.77 + 0.7 = 15.47 V
VR 2 = 24 − VE = 24 − 15.47 = 8.53 V
V 8.53
I E = R2 = = 3.412 mA  I C
R2 2.5 103

vc I c 3.41 10−3

= = = 6.82 V ms
t C 0.5  10−6
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b. Calcule el ángulo de disparo

V p =   VB 2 B1 + 0.6
V p = 0.58  (24) + 0.6 = 14.52 V
vc VP
= VP
t t 6.82
14.52
t = = 2.13 ms 1 ms
6.82
180  2.13  10−3
= , tα
8.33  10−3
8.33 ms equivale al T/2 de una onda de 60 Hz
 = 46
c. RF =120 = ?
180 → 8.33 ms
120 → t
8.33  120
t = = 5.55 ms
180
vc VP
=
t t
**
vc
Ic = C = 0.5  10 −6  (2.616 V ms ) = 1.308 mA = I E
t

( )
VR 2 = R2 I E = 2.5  103  1.308 10−3 = 3.27 V

VRF = VZ − VR 2 − VEB = 24 - 3.27 - 0.7 = 20.03 V

24 − VRF 3.97
I RF = I 5 k = = = 794 A
5k 5 10 3

VRF 20.03
RF = =
I RF 0.794  10 −3
RF = 25.2 k
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PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1
En el circuito de la figura 4.15 se mide el voltaje en el capacitor Cc con un osciloscopio
para observar la forma de onda, o sea, la carga y descarga del capacitor, sin embargo, sólo
se observa un valor constante de 12V, que es el mismo valor de alimentación VB.
a) Qué sucedió con el PUT y que habría que hacer para que el circuito pueda oscilar.
b) Conteste la pregunta anterior si el voltaje visto en el osciloscopio fuera igual al
voltaje de valle.

PROBLEMA 2
El siguiente circuito tiene como función autorregular el voltaje que se le aplica al foco de
manera que la iluminación se mantenga constante aunque se presente variaciones en el
voltaje de alimentación. Indique como este circuito regula el voltaje aplicado a la lámpara
partiendo de un supuesto aumento en el voltaje de alimentación de CA:
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PROBLEMA 3
Para el siguiente circuito responda lo siguiente:
a. Qué dispositivo es el encargado de limitar la corriente que le llega a la carga.
b. En que cuadrantes es disparado el TRIAC
c. Por qué el transformador de pulsos muestra la polaridad indicada.
d. Son iguales los ángulos de disparo en los semiciclos positivo y negativo, por qué?
e. Cuál es la función de R2 desde el punto de vista del usuario.
f. Si se retira el SUS se puede garantizar que los ángulos de disparo en ambos
semiciclos sean iguales?

PROBLEMA 4
Utilice el circuito mostrado abajo para diseñar un generador de diente de sierra con un
voltaje máximo de 10V y una frecuencia de 10Hz. Además:
a. Determine la amplitud máxima que puede ser generada con este circuito.
b. Por qué la carga del capacitor no es de tipo exponencial, sino lineal?
c. Cómo nos aseguramos de que el circuito en realidad está oscilando?
NOTA: Puede cambiar el valor de los elementos excepto el de las resistencias del
transistor. Utilice las curvas para el PUT presentadas en este folleto.

PROBLEMA 5
Cuál es el error en el circuito del último problema de los problemas resueltos?
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PROBLEMA 6
El circuito siguiente muestra señales en un oscilador de relajación con UJT el cual se
alimenta de una fuente de 20V.
a. Determine los parámetros del UJT(Vv, Vp, )
b. Dibuje el circuito del oscilador. C=0.1nF.

PROBLEMA 7
Encuentre el valor y la potencia del resistor que determina la corriente en el emisor
para la activación de un MOC3011. La resistencia se encuentra en serie con el
diodo emisor y con un transistor que trabaja en las regiones de saturación y corte
(VCEON=0.2V). Escoja el voltaje de alimentación según los datos de la hoja de
especificaciones.

PROBLEMA 8
Investigue el diagrama de potencia de un arrancador suave para motores de
corriente alterna y explique cómo piensa usted que funciona?