Fabrication des cellules et

panneaux photovoltaïques
Par Michel Villoz – PVsyst SA
michel.villoz@pvsyst.com

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Table des matières

• Cellules au silicium
• Cellules couches-minces
• Technologies des cellules solaires
• Fabrication des cellules solaires
• Panneaux solaires
• Champ photovoltaïque

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 Cellules au silicium

Silicium pur dopé au phosphore dopé au bore

En ajoutant des matériaux avec trop (P) ou pas assez (B) d’électrons
dans la couche externe, on dope le semi-conducteur pour lui donner une
polarité intrinsèque positive ou négative.
Les matériaux les plus favorables pour ce dopage seront voisins du Si
(exemple) pour s’adapter facilement à la taille du cristal.

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Matériau des cellules

Les dopants « naturels » les plus proches du Si sont Al et P. On utilise aussi le

plus souvent B comme dopant intrinsèque du cristal (wafer). La jonction se fait
en surface avec du P et le contact arrière avec Al qui créée une zone p+
fortement dopée.

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 Fabrication du silicium cristallin

• Le silicium est le 2e élément le plus abondant sur la croute terrestre (25.7%

de la masse).
• Il se trouve sous forme oxydée SiO2 par exemple en sable de quartz.
• Le verre est une très ancienne application du silicium oxydé.
• Pour produire du Si pur, on va le réduire dans un four à arc par du carbone
SiO2 + 2C Si + 2CO.
• On fabrique ainsi plus d’un million de tonnes de silicium métallurgique par
an comme additif pour les métaux. Sa pureté est de l’ordre de 99 % mais ne
permet pas de fabriquer directement des semi-conducteurs (trop
d’impuretés résiduelles). On devra donc nettoyer ce matériau pour les
applications électroniques.
• Le procédé de purification le plus ancien est une distillation fractionnée du
trichlorosilane (Si transformé par l’acide chlorhydrique).
Si + 3 HCl SiHCl3 + H2

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Fabrication du silicium cristallin

• Le silicium obtenu est un poly cristal de pureté 99.999 %.
• Le procédé a un mauvais rendement de matière (33 %) et consomme
beaucoup d’énergie.
• Pour le transformer en mono-cristal, on le fond en ajoutant par exemple du
bore pour le dopage initial (p) et on le lie à une bouture de mono cristal en
tirant et faisant croître le cristal dans la même orientation que la bouture
(procédé Czochralski).
• Le tout tourne et on obtient un barreau de 1 à 2 m pour 20 à 40 cm de
diamètre. On découpe ensuite les barreaux avec aujourd’hui une scie à fil
pour obtenir des wafers de 150 à 200 µm d’épaisseur.
• Le procédé « floating zone » fait passer une anneau de chaleur le long d’un
barreau de poly cristal et permet une meilleure purification du Si où les
impuretés restent en bout de cristal dans la zone liquide.
• Beaucoup d’autres procédés sont en tests pour essayer de simplifier ces
opérations, économiser de l’énergie, et produire un matériau de base moins
cher.

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 Tirage du silicium

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Procédés Czochralski ou Floating zone

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 Lingots de silicium

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Fabrication de la cellule silicium

Une fois les wafers de silicium constitués, le plus souvent de type p, il reste les étapes
suivantes pour fabriquer la cellule solaire (technologie simple) :
• Le décapage de la surface pour éliminer les défauts de sciage, puis une gravure
sélective pour obtenir une surface texturée en petites pyramides, ce qui améliore la
collecte de la lumière dans toutes les directions.
• Une diffusion de phosphore pour réaliser la jonction p-n pour obtenir une couche n+
en surface et n à la jonction.
• Un dopage de l'arrière avec de l'aluminium (sérigraphie et cuisson), ce qui crée une
diffusion p+ et une surface métallisée améliorant la collecte des charges.
• L’abrasion latérale de la diffusion n (contact entre l’avant et l’arrière).
• Le dépôt d'une couche antireflet sur l'avant.
• Le dépôt d’une grille de métallisation sur la face avant (électrode (-)).
• Le dépôt d'un métal soudable sur l'arrière (électrode (+)).
• Le test et tri de toutes les cellules fabriquées.

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 Cellule silicium

1. Grille de collection
avant
2. Couche antireflets
3. Surface avant dopée
n et texturée
3-4. Jonction et
champ électrique
4. Substrat dopé p
4-5. BSF, champ arrière
5 Dopage p+
6 Métallisation
aluminium
7. Métallisation
soudable

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Fabrication de la cellule silicium

• Le 2e composant le plus cher de la cellule (wafer = no1) est la part d’argent

contenue dans la métallisation de la grille avant. Beaucoup d’équipes
testent de nouveaux procédés pour en réduire la quantité utilisée ou
remplacer ce matériau.
– On peut sérigraphier en 2 fois la grille avant pour augmenter son épaisseur mais
pas sa largeur et permettre l’utilisation d’une 2e couche contenant moins
d’argent.
– On étudie son remplacement par le cuivre (bon conducteur), matériau critique à
lier après un interface car diffusant à basse température dans le silicium.

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 Cellule poly cristalline

• Pour éviter le tirage en mono cristal, on refont tous les déchets cristallins
dans un creuset carré. Des cristaux d’orientations multiples se forment et
les impuretés ont tendance à être repoussées aux frontières entre
orientations (joins de grains).
• Ce matériau est ensuite découpé en tranches carrées (gain de matière) par
les mêmes scies à fil.
• La présence d’impuretés plus nombreuses peu poser des problèmes et les
orientations multiples réduisent l’homogénéité de surface de la cellule mais
le prix de base du matériau plus abordable est intéressant.

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Wafer polycristallin

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 Cellule au silicium amorphe (a-Si)

• Le matériau est sous forme vitreuse non cristallisée. Les liaisons sont
maintenues à courtes distances (2 à 3 liaisons atomiques).
• Sous forme pur, ne peut pas être dopé mais fabriqué à partir du Silane
(SiH4), la présence d’H se liant aux liaisons pendantes réduit les défauts et
permet le dopage.

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Cellule au silicium amorphe (a-Si)

• Le matériau absorbe la lumière plus fortement que le Si pur et permet de

réduire l’épaisseur de la cellule à moins de 1 µm.
• Il est fabriqué à partir du silane sous vide par plasma. Le support est un
verre sur lequel a été déposé une métallisation transparente pour former la
grille avant. Sous cette forme (support isolant), tout le panneau est fabriqué
par étapes successives sans devoir assembler les cellules séparément.
• On ajoute les dopants sous forme gazeuse directement dans l’enceinte de
vide et on peut ajouter plusieurs couches sensibles à des longueurs
d’ondes différentes pour augmenter le rendement.
• Théoriquement, on pourrait obtenir un rendement plus élevé que le Si pur
mais en pratique on ne trouve pas de panneaux multi couches aussi
performants.
• Les impuretés du a-Si vont entraîner un affaiblissement des performances
du panneau dans les premiers mois d’exposition au soleil (10 à 25%). Il
faudra en tenir compte lors du dimensionnement des systèmes.

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 Cellule au silicium amorphe (a-Si)

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Cellules au CdTe, CIS

Le CdTe est intéressant du fait de son gap optique 1.45eV et de sa forte

absorption qui permet en moins de 2 µm d’épaisseur d’absorber la quasi-
totalité du spectre visible. Il est ordinairement déposé sur du CdS (sulfure de
cadmium) de type n, qui sert de couche avant, pour former une hétérojonction
(jonction à 2 matériaux).
C’est le matériau le plus utilisé dans les couches minces (> GW annuel) surtout
par First Solar. Les rendements labo s’approchent des 20 % alors que les
meilleurs panneaux commercialisés sont environ à 13 – 14 %.

Le CIS (CuInSe2) ou encore avec du Ga (CIGS) permet d’obtenir des cellules

aussi performantes. Les rendements sont proches et progressent pour se
rapprocher de plus en plus du cristallin.
Les cellules spatiales utilisent des couches minces multiples pour dépasser les
20% de rendement. Le spectre reçu hors atmosphère est assez stable pour
optimiser une cellule sensible à plusieurs couleurs.

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 Réponse spectrale

Le Si amorphe répond mieux aux petites longueurs d’onde que le cristallin et est plus
proche de notre sensibilité spectrale. C’est pourquoi il fonctionne mieux pour alimenter
des appareils fonctionnant sous éclairages artificiels (lumière froide).

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Cellules cristalline et amorphe

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Courant [mA/cm²]

Cellule au silicium
25 monocristallin
Icc = 29 mA
Voc = 0.60 V
20
FF = 0.72
η = 12.5 %
15

Cellule au silicium
10 amorphe
Icc = 13 mA
Voc = 0.85V
5
FF = 0.68
η = 7.5 %

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Tension [V]

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 Cellules Si et a-Si

Les 2 courbes I/V illustrent bien les différences entre ces 2 matériaux.
Avantages du cristallin :
• Plus grande densité de courant.
• Courbe I/V plus carrée (meilleur FF).
• Rendement actuel plus élevé, typique 17 à 24 %.

Avantages des couches-minces :

• Quantité de matière nécessaire très réduite.
• Tension plus élevée par cellule.
• Dépendance en température plus faible.
• Rendement spectral meilleur par temps couvert (réponse aux bleus).
• Rendement plus élevé à faibles éclairements.
• Possibilité d’entasser les couches à sensibilités spectrales différentes.

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Cellule a-Si multi-jonctions

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 Cellule Si à contacts arrières

Les cellules type Sunpower ont des caractéristiques particulières :

1. Un substrat n (pas de pertes LID).
2. Une diffusion avant légèrement dopée réduisant les recombinaisons.
3. Surface avant texturée et couche anti-reflets très efficace.
4. Effet miroir de l’arrière pour renvoyer les photons « perdus » vers l’avant.
5. Contacts locaux réduisant les pertes de recombinaison.
6. Grille arrière sans ombrages et fortement conductrice.
7. Couche de passivation SiO2 réduisant les recombinaisons.

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Cellule Si à contacts arrières

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 Panneaux à cellule Si à contacts arrières

Les autres avantages de cette technologie sont :

• Un courant d’obscurité plus faible (shunt) parce que la surface de la
jonction est nettement plus petite.
• Une résistance série réduite (pas d’ombrages) améliorant le FF proche de
80 %.
• Une dépendance en température plus faible (Vmp plus élevé par cellule).
• Des contacts arrières uniquement permettant de densifier les cellules sur le
panneau.
• Les meilleurs modules dépassent les 21 % de rendement (cellules à 24%).

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Panneaux à cellule Si à contacts arrières

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 Cellule HIT

Une hétérojonction est un assemblage de technologies différentes. Les cellules

HIT (Heterojonction with Intrinsic Layer) sont composées de Si cristallin et de
couches de a-Si (sans couche AR).
Deux couches de silicium amorphe i et p sont déposées en face avant et i et n
en face arrière.
Les derniers résultats de laboratoire atteignent 24.7 % de rendement pour une
cellule de 100 µm d’épaisseur (Panasonic).
L’intérêt de cette technologie est une augmentation de tension par cellule, un
rendu spectral amélioré dans les bleus et une dépendance en température plus
faible.
Les modules sur le marché atteignent jusqu’à 19.4 % de rendement.
Le substrat cristallin n n’a pas de problème de pertes LID.

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Cellule HIT

Comparaison entre une cellule Si traditionnelle à substrat p et une hetero

jonction HIT à substrat n.

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 Cellule HIT

Publicité Sanyo (Panasonic) vantant les mérites de productibilité des

cellules HIT comparées à d’autres technologies (sans Sunpower).

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