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    ‘PROBATOIRE 2016 Premitse Partie: TECHNOLOGIE 1. Deux paramere fondamantaux pormetiant de choc une diode Zeer Ve! Tension Zener ly Courant direct Ime : courant maximal de regulation, : Courant inven 2 Indquons le ancitor qui permet * Une grande capac de stockago : MOS 1 Une plus grande vitesse de fonetionnement: fe tansstorbpoare 3. L2 transistor Darlington est une combinason de deux Wansisior Spolakes Wentques ayant yy gain él a produit du gain de chaque transistor “4. Le transistor Dartington ete de champ et lt unipolae pace quilfontionne avec Un Seige 6 poteur ds charges (ous ou electrons), ‘5, Sipniication des termes suivants * ASCII: American standard Code for Information Interchange + JPET : Joncton Field Effet Transistor + TTL: Teanssioe Transistor Logie + MOSFET : Metal One Sem conducteur Fisk fot Transistor. + cmos : Complementary Metal Onyde Semiconductor 6, Diferonce ene une bascule asynchrane el une bascule synchrone ; pour une base ‘synehrone, fa soa dépend uniquement es niveau logiques des ents, sors que pour une base synchrone fe changement dat del sae et commands ou syacronis parle signal éoroge. 7, vantage et nconvénin! du compeur asynehrone Trantages —[Inconvirrent Tansspton ace 8, GRAFCET Grapte Fonctionnal de commande pat apes et Wenstons, Régle 4: iniasaton prise fétape active au début du foncbonnerrent, Regle 2 le franchissement dune tranetion sefecue lorsque Tetae oy ls apes immstman précédantes cont acves el que la rceptite associé ala raneion est ie Régle 3. Ie franchssement dune tanation provoque Factvaicn de Vétape ou los étapes immédiatoment suivante ela désachation de Tetape ou des apes inmedtatoment prcédente Moin apie Deuxléme Parte : CIRCUITS ANALOGIQUES 24. Courant variable 24.1.08terminons fs admittances complexes ¥, =8:107siémens x 2af 5 10.10°% = 314.107 mai y= 2,68.10°%2~ 86,961" Smet 2.4.2.Caloul ds valeurs complexes des intonstés des courant travereatchacune des branches T=¥yxU AM: by =x 220200" = 112904 1 = 1.12904 Ty = Y_XU AN: fy = 314,10°%2— 86961" x 220290" = Q692180°A Ty = 0,692180"4 1, = YyXU ANS 1, = 265.1072 ~ 86961" x 220290" 1y = 0,58323,004 2.4..Valours instantandes des ntenses 1 = 1 1VFsin(ot +90"); f= 0,69VEsin(we + 180") b= 0,583VFsin(o 3,04") avo decison Gs lctronigues, Indl et Nanri ou Probate 6, 184 22. Transistor & effet de champ en application ‘p.Régimestatique 2.2.4.Schéma équlvlent on régime statue (or page suivant) 22.2.Caleul du courant de Drain py ot deduction de Voss wr J-Rels =F Ie =0 one !-Ver-Rale =O => Veg lon = EAN: Ing = hy = 1081.10 oo = 10,81 mA i RolonVoso~Roloy = 0 Vos = Vao-Roloe~Retoo I oso = 30~(1000 4370) = 1036.10°° = 15,19 Vose= 15.190 £22:3.Tragons fa dote de charge elaique et plagons le point de repos = Bat Rally lpm POEEIES sty = Mates RAT] STATS] Ves [ot 0] B. Régime dynamique | 224.Sshéma équtvant en égine dynamique 1 225.Déterminons pour Ry = 10kM 8) Vampiicaton en tension Ay = Vest ~inlisls 2 hy 2 by neat mt ee sxe tage dcemecto 2) npiace dente €) Inptdace do sre Bem ry/ Ry 2, = EM 25 = 2 wg952 23. Amplitesteut opérationnel 2..4.Exprmons Ven fonction de Vs; Vp: Ry et Ro WoWg> Rabe Vo fee V5 By 44) FY dot Vy By #4) % Git 23.2.60ression dev siky = 47 Met R= Ry = 1k wa oes) > Wy= 427+ V2) Lavoie di succisen Circuits Llectroniques, Industrie et Nuumcriques au Crosatoire F 185 233.Condiions pour que ¥; = ¥;~¥> ) Wanque B= 18 1) Expression U en fnton dH fs oF b) Sit VY mMe= = 12V oY 2 IBV = SL SUK = Hee HAV = HEV > 8) Ceat un comparstour Troishime Pact 3.4-Ciruitslogiques:systime e'éetairage de véhicute SSA.A-Table do vies dcrvant le fonctinnement 3.4.2.Equation logique de la sorte simplification (= OW + OV + OVW + UTVSUTW* UV, ‘Sinpfcation de fequain deta sorte, Tableau de Kamaugh dela vation logue de sori Lol U, Vel W sont des enrées sion a:=UV-+0V4W ow L= UBv+W oo] ora 3.4.3 Schéma élctique Ter et 3:4.4.Schéma logiave re | tT 2.2. Techniques numériques : Comptour synchrone modulo 6 4.2.4. Table de vert dela bascule JK eK Commentaires 7 (Watton de at dea sae T Nise 4260 dol sore n ise .un dea sie 0, | Basculament de tat de a ota 13.2.2.Tableau ection de a bascule JK o 7 7 1 '3.2.3.Nombre de bascues nécesslre pour realisar ce compteur Modu N= 6.2 < 6< 2°=5N = 3 baseules JK “a wie ds succbs on Ciets Blactronigues, Industries ot Numiriguesau Probatoie F, 186 Se |324.Tableau des états de ce compteur Sorts présentes | Sores fatures ‘Entrees Ree @ Ta To fo fata [aleTs [ela oo fopofot:opxtotxtite oe po po popet ptt 0 Oe a i a a se 126.Equationssimplifioes dos entrées des bascules 8 ar ar AS [oo] or 1) Trois types de diodes avee application & app + Diode 2 jancton;appicaton :radressement * Diode Zener: application :stabieation, certage + Diode éecroluminescente (DEL) ; appicaton : ignakeaon * Diode tuner; application: eruts osilatour haute fréquence 2) ) Vasile de FOhmmétre dévelreque la tode & jncton est fonctonnale "2 i de 1Ohmmetre ne dvi pas argue ace joncton ext etecuese. ) Type Potaté [TA | Vero) | Vert] 8 [Paw [MP ens) monz] nen [ost s0_[ te [200] os [20 [100 4) agi dun transistor bipolar 1) Detintion des indications 'e : Courant de collectoue ‘Vert! Tension de saturation Colleteut-Emetteur B: Gain en courant du transistor ‘ua: Temps de commutation 4 vantages et ncorwénients ds transistors bipolales par rapport au TEC. * Avantages : Haut gain en tension, robust, file impedance de sort, *Inconvénients: Faible impédance dente, fable gan en courant, fable gain en pu fore influence e ia température, fort facteur de brut, vlesse de commulaion moyenne. 5) Applications des muliplexeurs : conversion parallalstrie,sHlecton de données, fonction logique, dbcodage dun clair matic 6) Diterence ‘ene une bascule nchrone et une bascule synevon> pour une ‘asynchrone, la soe dépend uniquement des niveau logigues des entees, alors que pour uno ba synchone le changement at de ls soiewst command ou synchronise parle signal éhrong 7) Avantages et inconvénients ie comptour asynchrone vantages | Tnconvéniet Hie de mise en ure = [Contin se] Temes do pone 58) GRAFCET: Graphe Fonctonnel de-commands par Etapes ot Torsone, ‘Trois régles d'évolution dun gratcet + Uintstisation préciserétape active au début du fonctionnemen. *_betranchissement une transtion ne peut so prduire que lrque Ia tansion est aie ‘ue la dceptivisassociée & catia ranation est vaie * Le fanchissement lune tansiion entraine simuitanément Fact Imméalatement suivant tion de toutes las tye a désacivation de fotos fs éapes imméditement procéente 9) Deux conditions pourlefranchissement dune transition + La wanction dot tre valibo * La écopitéassooie cate transon dot ie wale, Deusiime Parte : CIRCUITS ANALOGIOUES 2.4. Courant variable = 120Zeosti00) 200" «= 100m Le 1ami= 12810H; 0 WF =50.10-¢F Xe 0366 = Mc * 63,662-90°0 = —/63,668 Nc 128.1079 1002 = 402 Xi= 402e90°9 = 4,008 x x, x, ry rT On B e Ea a call de Zr Mell > Eon 429290 Ze 429000 on n= 398 Caleul de Erm fim = ge = Heenan En = 128,0520°V = 128,050 2-Dsston nade de Noten 2 ey Oops nope de tasomaon i mad de Thévenin vs fe Mode Je Noon | <1 Pour calcul 2, ona implement by sn 9 By = 4292900 on Zy = 4,298 a vied succts en Circuits lectronigques, Industries et Munirigue au @robataie Fy 188 En = Zul > by 2 ni by =25,850-90%4 29,084 < te ht Mba aye be taanc sega 22. Transistor bpoaite en régimes statqueetdynamiqye Consi:ons le menage émetour commun oles données sont ¢ osy: p 200.5} = 200.8; Yog = SV Vee A. Régime etatlque 4, Sehéta de ce montage en régime de poarsaton. sot Ren tka La valeur du courant de base fy Drapes Iso de fonctionnement dy tranietoren appt Bln = Bag IANS Ig = IE 6) Cau de valor de Re La mate dente nous dors: Vie-Rlo-Vau'® Oo fe = tite AN: ty = E%% = 70000 y= 70K0 60- 10-* Ino = 60 uA B.Résime éynamique \| I eee | Hoe ™ Blno AN: Ico = 150 x 132-10-* = 0.0198 Ico = 19,8mA | 222. Dlumeaten de Staten | * Calcul de Ea: D'aprés la maille d'entrée du modéte de Thévenin, on a: fey

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