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智能低邊電源開關 HITFET   BSP  75N

數據表修訂版  1.4

特徵

‧  邏輯電平輸入
‧  輸入保護（ESD）
‧  帶自動重啟功能的熱關斷
‧  過載保護
‧  短路保護
‧  過壓保護
‧  電流限制
‧  綠色產品（符合RoHS）
‧  AEC  壓力測試資格

應用
‧  開關應用中的各種電阻性、電感性和電容性負載
‧  µC  兼容電源開關，適用於  12  V  和  24  V  DC  應用以及  42  V
電力網
‧  取代機電繼電器和分立電路

一般說明

智能功率技術中的  N  溝道垂直功率  FET。內置保護功能提供全面保護。

類型 訂購代碼 包裹
HITFET   BSP  75N 根據要求 PG‑SOT223‑4

產品概要
範圍 象徵 價值 單元

連續漏源電壓 虛擬數字系統 60 V
通態電阻 導通電阻（開） 550 毫歐

電流限制 內徑(lim) 1 A
標稱負載電流 ID（名義） 0.7 A
箝位能量 電子防盜系統 550 毫焦耳

數據表修訂版  1.4 1 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

維布

HIT場效應管 中號

邏輯 輸出
階段
過電壓
保護
流走

dV/dt
在 局限性

短路
超過 保護
溫度
保護 當前的
靜電放電
局限性
來源

圖1 框圖

1 在

2 流走
源
來

3 來源

圖2 引腳配置

引腳定義及功能

引腳號  符號  功能
1 在 輸入;激活輸出並提供內部邏輯
2 流走 輸出至負載

3  +  TAB  源極接地；  pin3和TAB內部相連

數據表修訂版  1.4 2 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

電路說明

BSP  75N  是一款採用智能電源技術  (SPT)  的單片電源開關，具有邏輯電平輸入、開漏  DMOS  輸出級和集成保護功能。

它專為汽車和工業應用中的各種電阻性和電感性負載（繼電器、螺線管）
而設計。

保護功能

‧過壓保護：內部箝位將輸出電壓限制在VDS(AZ)  （最小值）。
60V），當感性負載關閉時。
‧電流限制：通過內部電流測量，漏極電流被限制在ID(lim)  （1.4  ‑  1.5  A  典型值）。如果電流限制處於活動狀態，則器
件在線性區域運行，因此功耗可能會超出散熱器的能力。

此操作會導致結溫升高，直至達到過溫閾值。

‧過溫和短路保護：該保護基於感測芯片溫度。傳感器的位置確保了快速、準確的結溫檢測。最低溫度為  150  °C  時會發
生過溫關閉。典型的滯後。  10  K  可通過冷卻自動重啟。

該器件具有符合人體模型  (4  kV)  的  ESD  保護和負載突降保護（請參閱最大額定值）。

數據表修訂版  1.4 3 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

絕對最大額定值
Tj  =  25  °C，除非另有說明
範圍 符號值 單位備註
1）
連續漏源電壓  漏源電壓 虛擬數字系統 60 V  –

虛擬數字系統 36 V  –
短路保護

連續輸入電壓  峰值輸入電壓  連續 車架號 ‑0.2  ⋯  +10  V  –

輸入電流 車架號 ‑0.2  ⋯  +20  V  –

IIN 嘛  ‑
‑0.2V≤VIN≤10V  _  _ 沒有限制
VIN<‑0.2V  或VIN>10V |  IIN  |≤  2mA
‑40  ⋯  +150 ℃ –
工作溫度範圍 溫度

儲存溫度範圍 特斯特格
‑55  ⋯  +150 ℃
功耗（直流） Ptot 1.8 W

未箝位單脈衝感應能量EAS 550 mJ  ID(ISO)  =  0.7  A；

Vbb  =32V
2）
負載突降保護 負載轉儲 V  V負載轉儲=
IN  =  低或高  (8  V)；  RL  =  50  Ω 80 VP  +  VS；

IN  =  高（8V）；  RL  =  22  Ω 47 VP  =  13.5V
右 3）  =2Ω；
我

td  =  400  毫秒；
靜電放電電壓（人體模型） 血管內皮生長因子受體 4000 V  –

根據  MIL  STD  883D、方法  3015.7  和  EOS/ESD  
assn。標準  S5.1  ‑  1993

熱阻

連接焊點 實時響應系統 ≤  10 千瓦/瓦  –

4）
結點  ‑  環境 熱熔法 ≤  70 千瓦/瓦  –

1)另請參見圖7和圖  10。
2）
根據  ISO  7637‑1  和  DIN  40  839  設置VLoadDump ，無需將  DUT  連接到發生器。另請參見第7頁。
3）
RI  =  拋負載測試脈衝發生器LD200的內阻。

4)器件位於  40  mm  ×  40  mm  ×  1.5  mm  環氧樹脂  PCB  上，銅面積為  6  cm2，用於引腳  4  連接。

數據表修訂版  1.4 4 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

電氣特性
Tj  =  25  °C，除非另有說明
範圍 象徵 極限值  單元測試條件

分鐘。典型值最大限度。

靜態特性

漏源箝位電壓 VDS(AZ)  60  – 75  V  ID  =  10  mA，  Tj  =  ‑40  ⋯  

+150  °C  5  µA  VIN  =  0  
關斷狀態漏極電流 IDSS  –  – V，  VDS  =  32  V，  Tj  =  ‑40  
⋯  +150  °C

輸入閾值電壓 VIN(th)  1 1.8  2.5V  ID  =  10mA

輸入電流：正常工 µA輸入電壓=  5V
IIN(1) – 100   200  
作，  ID  <  ID(lim)：
限流模式，  ID  =  ID(lim)： IIN(2) – 250   400  
熱關斷後，  ID  =  0  A： IIN(3) 1000 1500 2000
通態電阻 RDS（開） mΩ  ID  =  0.7A，  
–
溫度=  25  °C 第490章 第675章
VIN  =  5V
– 850 1350
溫度=  150  °C
通態電阻 RDS（開） mΩ  ID  =  0.7A，  
– 430   550  
溫度=  25  °C VIN  =  10V
– 750 1000
溫度=  150  °C
標稱負載電流 ID（標稱）  0.7  –  –  A  VBB  =  12V，  VDS  =  0.5V，  TS  =  
85  °C，  Tj  <  
150  °C  1.5  1.9  
A  VIN  =  10V，  
電流限制 內徑(lim) 1 VDS  =  12V

動態特性1)

開啟時間 VIN至  90%  ID：噸 –
10  20  µs  RL  =  22  Ω，
VIN  =  0  至  10V，
VBB  =  12V  
關閉時間 VIN至  10%  ID：  toff –
10  20  µs  RL  =  22Ω，
VIN  =  10  至  0V，
VBB  =12V

數據表修訂版  1.4 5 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

電氣特性（續）
Tj  =  25  °C，除非另有說明
範圍 象徵 極限值  單元測試條件

分鐘。典型值最大限度。
壓擺率 – 5 10伏/
70  至  50%  VBB：  ‑dVDS/ RL  =  22  Ω，
德頓 微秒 VIN  =  0  至  10V，
VBB  =12V
壓擺率關閉 – 10 15V/
50  至  70%  VBB：  dVDS/ RL  =  22  Ω，
結束時間 微秒 VIN  =  10  至  0V，
VBB  =12V

保護功能2)

熱過載跳閘溫度 特吉特
150  165  180  ℃  –

熱滯後 Δ Tjt  – 10  –  Κ  –

未箝位單脈衝電感 電子防盜系統
mJ  ID(ISO)  =  0.7  A，
550 – –
活力 溫度=  25  °C VBB  =  32V
200 – –
溫度=  150  °C

反向二極管

連續源漏電壓VSD  – 1 –  VIN  =  0V，
‑ID  =2×0.7A
1)另請參見圖9。
2）
集成保護功能旨在防止  IC  在數據表中描述的故障條件下遭到破壞。故障情況被視為“超出”
正常工作範圍。保護功
能不適用於連續、重複的操作。

數據表修訂版  1.4 6 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

EMC‑特性
以下  EMC  特性概述了典型設備的行為。它們不屬於任何生產測試。

表格1 測試條件

範圍 符號值 單元 評論

TA 23±5 ℃ –
溫度
VS 13.5 V –
電源電壓
加載 RL 27 Ω 歐姆

脈寬調製 – –
操作模式 fINx=100Hz，D=0.5
直流 – – 開關

特定於  DUT VIN( 高 )=5V

快速電瞬變

附件符合  ISO  7637

測試結果
最大限度。 脈衝週期時間和發生器
測試1) OUTx受壓
測試
脈衝
級別 阻抗
在 離開

1 ‑200V C C 500  毫秒；  10Ω
2 +200V C C 500  毫秒；  10Ω
3a ‑200V C C 100  毫秒；  50Ω
3b +200V C C 100  毫秒；  50Ω
4 ‑7V C C 0.01Ω
5 175V E(65V) E(75V) 400毫秒；  2Ω
1)測試脈衝施加於VS

功能狀態的定義

班級 內容

C 在受到⼲擾後，設備的所有功能均按設計執行。

乙 設備的一項或多項功能在暴露後無法按設計運行，並且在不修理或更換設備的情況下無法恢復
正常運行。字符後面的值顯示限制。

數據表修訂版  1.4 7 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

傳導磁化率
脈衝 附件。  47A/658/CD  IEC  62132‑4（直接電源注
VBB
入）
直接功率注入：正向功率  CW
RL
BSP75N
失效標準：幅度或頻率變化最大值。  10%  輸出
在 流走

來源
典型值。  DC‑ON/OFF  和  PWM  時的Vbb敏
感性
40

圖3 ISO脈衝測試電路
35

30

傳導發射
25

附件。  IEC  61967‑4（1Ω/150Ω方法） 20
貝
分

15

典型值。具有150Ω  匹配網絡的PWM  模式 10

限制

下的Vbb發射 5 輸出、開啟

輸出、關閉

輸出、脈寬調製
100
噪音水平 0
BSP75N
90 1 10 100 1000
150歐姆6級
150歐姆1級
頻率/兆赫
80

70

60

50
150Ω/8‑H
40
伏
微
貝
分

30 VBB
20
150Ω/13‑N 禁止
10

‑10
BSP75N RL
‑20
0,1 1 10 100 1000
頻率/兆赫 在 流走

來源 高頻

VBB

傳導敏感性測試電路2)
BSP75N RL

在 流走

來源 150Ω‑網絡 1)為了實現規定的去耦和高再現性，在  Vbb‑Line  中插入
規定的扼流圈（1MHz  時為  5μH）。

2)寬帶人工網絡（簡稱：BAN） 由與發射測量相同的扼流
圈（1MHz  時為  5μH）
和相同的  150  歐姆匹配網絡組
傳導發射測試電路1) 成，以實現定義的解耦和高再現性。
圖4

數據表修訂版  1.4 8 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

框圖
VBB

我
D

微控制器VCC BSP75N
HIT場效應管
我
在 PX.1 在 D
在 流走 維布 接地 來源

來源 虛擬數字系統
車架號

圖8 應用電路
圖5 條款

來源

圖6 輸入電路（ESD保
護）
ESD  齊納二極管不適用於直流電流。

加載

流走
瓦茲

虛擬數字系統

力量
來源
DMOS
我

圖7 電感和過壓輸出箝位

數據表修訂版  1.4 9 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

時序圖
車架號

車架號
t
我

D(林姆)
t
我
D
虛擬數字系統

t
t
j
熱滯後
我
D 0.9*內徑
t
0.1*內徑

t
t
在
關閉_
圖11  短路

圖9 切換電阻
加載

車架號

VDS(AZ) t

虛擬數字系統
VBB

t
我
D

圖  10  開關電感
加載

數據表修訂版  1.4 10 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

最多  1  個允許功耗Ptot  =  f(TAmb) 2  通態電阻RON  =  f(Tj );  ID  =0.7A；車
輛識別號=  10V
2 1000
總壓力 右導
通900
米  Ω

寬
1,6 800

最大限度。
700
最大限度。

1,2 600

500 典型值

0,8 400

300

0,4 200

100

0 0
0 25 50 75  100  125  150 ℃ ‑50  ‑25  0  25  50  75  100  125  150 ℃

時間 Tj  
安布 _

3  通態電阻RON  =  f(Tj );  ID  =0.7A；車 4  典型值輸入閾值電壓VIN(th)  =  
輛識別號=  5V f(Tj );  ID  =10毫安；  VDS  =  12V
1400 2,5
右
在 V IN(次)

米歐
1200
電壓2
典型值

1000
最大限度。

1,5
800

典型值

600
1

400

0,5
200

0 0
‑50  ‑25  0  25  50  75  100  125  150 ℃ ‑50  ‑25  0  25  50  75  100  125  150 ℃

Tj   Tj  
_ _

數據表修訂版  1.4 11 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

5  典型值通態電阻RON  =  f(VIN)； 6  典型值。電流限制ID(lim)  =  f(Tj );
ID  =0.7A；溫度=  25  °C VDS  =  12V，  VIN  =  10V
2000年 2
我
右 D(林姆)
在

典型值 典型值
米Ω
1500 1,5  _

1000 1

500 0,5

0 0
0 2 4 6 V  
8 10 ‑50  ‑25  0  25  50  75  100  125  150 ℃

V 在
Tj  
_

7  典型值短路電流 最多  8  個瞬態熱阻抗
ID(SC)  =  f(VIN);  VDS  =  12V，  Tj  =  25°C ZthJA  =  f(tp)  @  6cm²；參數：D  =  tp/T
2 100
我
D(SC)
Z  th(JA)

典型值

1,5  _

10
千瓦/瓦

D=
0.5
0.2
1 0.1

0,5 0.05
0.02
0.01
0

0
0 2 4 6 V  
8 10 0,1
0,00001  0,001 0,1 10 s 100000
1000  
V 在 t 磷

數據表修訂版  1.4 12 2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

封裝外形  HITFET  BSP  75N

1 封裝外形  HITFET   BSP  75N

6.5  ±0.2 1.6±0.1
A
3 ±0.1 最大  0.1

4 乙

°  5最
大
1
3.0±7

  2.05±
.3
1 2 3

2.3
0.7  ±0.1 0.28±0.04
  5分
鐘
.0

4.6
0...10°
0.25毫安_
0.25MB  _  _

GPS05560

圖  12  PG‑SOT223‑4  （塑料綠色小外形晶體管封裝）

綠色產品（符合RoHS）
為了滿足全球客戶對環保產品的要求並符合政府法規，該設備作為綠色產品提供。綠色產品符合  RoHS  
標準（即引線上無鉛表面處理，並且適合根據  IPC/JEDEC  J‑STD‑020  進行無鉛焊接）。

下單時請註明需要的包裝（如綠色包裝）

您可以在我們的包裝中找到我們所有的包裝、各種包裝和其他產品
英飛凌網頁：  http://www.infineon.com/packages。 尺寸（毫米）

數據表 13 修訂版  1.4,  2008‑07‑10
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HITFET   BSP  75N

修訂記錄

2 修訂記錄

版本日期 變化

Rev.  1.4  2008‑07‑10  修復了免責聲明頁面中的格式錯誤

Rev.  1.3  2008‑04‑14  封裝命名更新為  PG‑SOT223‑4

Rev.  1.2  2007‑04‑12  發布汽車綠色版本
將軟件包命名從  ‑11  更改為  PG‑SOT223‑4‑7

修訂版  1.1  2007‑03‑28  最大額定值中刪除了封裝參數（濕度和氣候）

添加了  AEC  圖標
添加了  RoHS  圖標
綠色產品（符合  RoHS  標準）
已添加到功能列表中
包裹信息更新為綠色
添加了綠色說明

Rev.  1.0  2003‑01‑10  發布生產版本

數據表 14 修訂版  1.3，2008‑04‑14
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HITFET   BSP  75N

版本2008‑07‑10

由英飛凌科技股份公司出版，
81726  慕尼黑,  德國
©英飛凌科技股份公司  2008。
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數據表 15 2008‑07‑10