These Nabil BOUGHANMI

Cycle de Formation Doctorale
République Tunisienne
dans la Discipline Génie Electrique
Ministère de l’Enseignement Supérieur,
de la Recherche Scientifique Electronique
et de la Technologie Thèse de DOCTORAT
N° d’ordre: 181/09
Université de Sfax
École Nationale d’Ingénieurs de Sfax
THESE
Présentée à
L’Éc ole N a t iona le d’I ngé nie urs de Sfa x

En vue de l’obtention du
DOCT ORAT
Dans la discipline Génie Electrique
Spécialité : Electronique
Par
Nabil BOUGHANMI
Ingénieur en Génie Electrique
(Centre Technique des Industries Mécaniques et Electriques CETIME)
(DEA – Electronique)
Contribution à la conception d’un oscillateur à

faible bruit de phase pour le radio mobile
Soutenue le 29 Janvier 2010, devant le jury composé de :
M. Lotfi KAMOUN Président

M. Hamadi GHARIANI Examinateur
M. Kais OUNI Rapporteur
M. Mongi LAHIANI Rapporteur
M. Mounir SAMET Membre
M. Abdennaceur KACHOURI Membre
Résumé
L’objet de cette thèse est la conception d’un oscillateur entièrement intégré apte d’être
utilisé dans un système de télécommunication. Nous avons formulé une harmonie entre la
spécification des paramètres de conception du VCO et l’optimisation de ses performances.
Ce travail montre une vaste étude des principales caractéristiques des varactors et
l'influence de leurs structures sur les performances du VCO dont le but est d’offrir la
possibilité de contrôler la fréquence des oscillateurs. Il illustre un aperçu sur le principe de
conception et sur les éléments technologiques.
Nous avons appliqué une méthodologie d’optimisation des paramètres de conception ;

ce qui nous a permis d’identifier les principaux mécanismes physiques fondamentaux
commandant les propriétés du bruit dans le VCO. Cette méthodologie permet d’optimiser le
bruit de phase en tenant compte des principales contraintes de conception : dissipation de
puissance, amplitude du résonateur, gamme d'accord, condition de démarrage. Nous nous
sommes intéressés aussi à l’optimisation géométrique qui se base sur une stratégie de
dimensionnement du circuit permettant de minimiser le bruit de phase et la consommation.
Dans ce contexte, nous avons analysé le bruit de phase causé par les dispositifs de
polarisation. Nous avons montré aussi les solutions efficaces pour remédier à ces
phénomènes. Par conséquent, des filtres de bruit sont additionnés au transistor qui commande
le courant du couple différentiel.
En présence des circuits de filtrage de bruit, tous les VCO étudiés oscillent à des
fréquences qui dépassent les 2 GHz ; et ce, sous une tension d'alimentation de 2,5V et une
tension de contrôle de 1V. Les résultats de mesure montrent la performance du VCO proposé
par rapport aux structures étudiées dans la littérature. Pour un courant de quelques
milliampères injecté par la source de polarisation, le bruit de phase du VCO proposé est de
l’ordre de -153 dBc/Hz pour une fréquence fm relative à la porteuse de 1 MHz.
Mot-clé :
VCO, varactor, courbes C-V, filtre, spécifications, paramètres de conception,
Optimisation, puissance, bruit.
Abstract
The memory object is registered primarily, within the framework of entirely integrated
oscillator design ready to be used in telecommunication system. We formulated a harmony
between the design parameters specification of the VCO and optimization of its performances.
This work shows a vast study of the varactors principal characteristics and influence of
their structures on the VCO performances in order to make it possible to control the
oscillators frequency. It illustrates a preview on the design principle and the technological
elements.
We applied a methodology of design parameter optimization; what enabled us to

identify the principal fundamental physical mechanisms ordering the noise properties in the
VCO. This methodology makes it possible to optimize the phase noise by taking account of
the design principal constraints: power dissipation, resonator amplitude, tuning range, start-up
condition. We were also interested, with the geometrical optimization which is based on a
circuit dimensioning strategy making it possible to minimize the phase noise and
consumption.
In this context, we analyzed the phase noise caused by the polarization devices. We
also showed, the effective solutions to cure these phenomena consequently, noise filters are
added with the transistor which orders the differential couple current.
In the presence of the noise filtering circuits, all the studied VCO oscillate at
frequencies which exceed the 2 GHz; and this, under a supply voltage of 2,5V and a tuning
tension of 1V. The measurement results show the performance of proposed VCO compared to
the structures studied in the literature. For an injected current of a few milliamperes by the
bias source, the phase noise of the proposed VCO is about -153 dBc/Hz for a 1 MHz offset
frequency fm.
Key-Word:
VCO, varactor, C-V curves, filter, specifications, design parameter, Optimization,
parameter, power, noise.
A ma mère, à mon père que Dieu les protège et leur prête bonne santé et
longue vie.
Je ne saurais exprimer par ces quelques lignes toute ma reconnaissance

pour leurs sacrifices consentis, leurs encouragements et leur amour qu’ils
n’ont cessé de prodiguer et qu’ils trouvent dans ce travail l’accomplissement
de leur éducation
Je dédie ce travail
A mes parents, à mes sœurs, à mon épouse, et
A ‘‘ma petite MARAM’’.
A tous ceux qui me supportent, dans tous les sens du terme.
A tous ceux que je n'ai pu citer, et ils sont nombreux, par souci de concision.
Je les ai toujours sur le cœur et leur exprime par conséquent toute ma

reconnaissance
Remerciement
La rédaction de ce manuscrit est une entreprise dont on ne mesure réellement
l’envergure que lorsque l’on est « dedans ». Et, dans les moments difficiles comme dans
les moments où « tout va bien », l’entourage est essentiel. Et cette page fut sans aucun
doute celle qui aura nécessité le plus d'efforts et d'attention de ma part, tant je tenais à
remercier comme il se doit les personnes ayant participé, directement ou non, à
l'achèvement de ce travail. Je demande l’indulgence à tous, en espérant n’oublier
personne.
Tout d’abord, cette thèse n’aurait pas pu s’accomplir sans la participation de mes
directeurs de thèse. Ils ont su d’une part me transmettre leurs savoirs théoriques et
expérimentaux et, d’autre part, me donner l’autonomie et la rigueur scientifique
nécessaires à l’apprentissage consciencieux et passionnant du travail de chercheur.
Je souhaiterais en premier lieu adresser mes sincères remerciements au professeur

Monsieur Mounir SAMET qui m'a accueilli dans leurs équipe de recherche et m'a permis
d'effectuer mes travaux dans d'excellentes conditions. Je le remercie de la confiance qu’il
m’a accordée en me donnant un sujet original de recherche. Ses grandes compétences
théoriques et pratiques m’ont été précieuses tout au long de cette étude. Ces mots de
remerciements s’adressent également à Monsieur Abdennaceur KACHOURI, pour ses
recommandations qui ont significativement contribué à l'avancement de mes travaux. Sa
disponibilité pour les discussions de fond, toujours fructueuses, a constitué une grande
source de motivation, et sa rigueur scientifique et son souci de perfectionnement ont
nettement amélioré la qualité du mémoire et m’a offert, tous les jours de la rédaction, un
support d’une importance et d’une qualité inestimables
Je remercie le président du jury, Monsieur Lotfi KAMOUN, pour avoir expertisé

avec attention ce manuscrit ainsi qu’à l’examinateur Hamadi GHARIANI pour avoir
accepté de participer à ma soutenance de thèse. Je les remercie de l’intérêt qu’ils ont
manifesté pour ce travail.
C’est avec grand plaisir que je retrouve dans ce jury les rapporteurs Monsieur
Kais OUNI, et Monsieur Mongi LAHIANI. Ils n’ont compté ni leurs efforts ni leurs temps
pour rédiger un rapport sur ce mémoire. Leurs critiques constructives et leurs questions
pertinentes m’ont été d’un grand bénéfice.
Je tiens à exprimer mes sincères remerciements à l’ensemble de l’équipe LETI du

L’ENIS pour avoir gracieusement mis à ma disposition les moyens techniques,
technologiques et humains nécessaires à la réalisation de cette thèse.
En dehors du contexte purement scientifique de ce travail, ces années ont été

également l’occasion de rencontres, d’échanges et de moments de convivialité ; je tenais
également à remercier tous ceux ayant contribué à cette bonne ambiance et
particulièrement mes camarades de travail au CETIME et à l’ISTMT, qui m'ont accueilli
au sein de leur groupe et qui m'ont beaucoup aidé grâce à leurs conseils avisés.
J’adresse un mot de remerciement à Monsieur le Directeur Général du CETIME

Mohamed Ferid LEHRELLI, pour son aide à la recherche et pour toutes les remarques
constructives qu’ils m’ont apportées et les débats d’idées fréquents qu’ils ont suscités
qu’ils font partie des bons moments du travail au CETIME.
Je ne saurais oublier mon ami l’expert Joseph BERREBI pour leur soutien moral
inconditionnel et pour leur encouragement tout au long de mes travaux. Leur gentillesse à
mon égard m’a permis de travailler dans une ambiance agréable, et je leur exprime ici
toute ma sympathie
Je tiens à exprimer toute ma gratitude envers ceux qui n’ont pas hésité à me
fournir un généreux coup de main aux moments les plus opportuns : Mohamed Ali, Nabil,
Tawfik, Ismail, Dalenda, Anis,…. Les nombreuses discussions techniques qu’ils m’ont
permis d’avoir, ainsi que leur franche camaraderie, ont rendu l’ensemble des mes travaux
des plus agréables.
Mes dernières pensées se tournent évidemment vers ma famille et mes proches, que
j’ai trop souvent laissés dans «l’ombre », dans l’attente et dans l’inquiétude au cours de
cette thèse. Je leur exprime ma plus profonde gratitude pour leur patience, leur soutien et
leur affection, qui sont pour moi d’une valeur inestimable et sans lesquels je ne serais pas
venu à bout de cet ouvrage. Une pensée affectueuse singulière à ma mère et à mon
épouse.
Table des matières
RESUME
ABSTRACT
INTRODUCTION GENERALE
Chapitre I :
SPECIFICATIONS DES PARAMÈTRES DE CONCEPTION D’UN OSCILLATEUR

RADIO-FREQUENCE
Résumé :
Mots-clés :
I. Introduction……………………………………………………………………...…1
II. Généralités sur les oscillateurs radiofréquences………………………...…………2
III. Etude et caractérisations des notions de base d’un oscillateur –LC…………….…4
IV. Méthodologie de conception du VCO……………………………………………11
V. Effet du bruit de phase sur les performances d’un oscillateur RF………………..13
VI. Modélisation analytique du bruit de phase d’un VCO-LC ………………………15
VII. Etude des principaux paramètres d’optimisation du VCO-RF………………...…26
VIII. Conclusion..…………………………………………….…………………….…..28
Références bibliographiques
Chapitre II :
ETUDE ET AMELIORATION DES TECHNIQUES DE CONTROLE DE LA

FREQUENCE D’UN VCO-RF
Résumé :
Mots-clés :
I. Introduction ………………………………………………………………………30
II. Eude et caractérisation d’une structure de varactor MOS………………..……….30
III. Etude des courbes C-V d’un varactor MOS …………………………………..….34
IV. Etude et conception d’un varactor performant……..…………………..…..……..38
V. Contribution au perfectionnement des performances du VCO-VC …………...…43
VI. Conclusion………………………………………….……………………………..50
Chapitre III :
PROCEDE DE MODELISATION ET D’OPTIMISATION DE LA PUISSANCE ET

DU BRUIT DE PHASE D’UN VCO-LC
Résumé :
Mots-clés :
I. Introduction ………………………………………………………………………52
II. Intérêt de la limitation du courant d’un oscillateur…………………….…………52
III. Critères d'évaluation des performances d'une inductance….………………….…56
IV. Critère d’optimisation de la puissance consommée et du bruit de phase…………62
V. Procédé d'optimisation de puissance………………………………………..……65
VI. Optimisation de puissance du VCO à concevoir…………………………………68
VII. Dimensionnement d’une structure de base d’un VCO, associée à la méthode
d’optimisation…………………………………………………………………….69
VIII. Conclusion…………………………………………………………………. ……73
Chapitre IV :
METHODOLOGIE D’OPTIMISATION D'UN OSCILLATEUR LC VIA

SATISFACTION DES CONTRAINTES DE CONCEPTION
Résumé :
Mots-clés :
I. Introduction………………………………………………………………….……74
II. Caractérisation des paramètres fondamentaux du bruit de phase…………...……74
III. Eude et modélisation des paramètres de conception d’un oscillateur LC ……..…83
IV. Procédé de satisfaction des contraintes de conception du VCO par l'intermédiaire
de la méthode graphique …………………………………………………………86
V. Optimisation du bruit de phase…………………………………………….. ……95
VI. Spécifications comparatives entre le VCO optimisé et un VCO ordinaire……….99
VII. Etude des procédés de filtrage du bruit de phase dans un VCO-RF………….…101
VIII. Conclusion …………………………………………………………………..…106
CONCLUSION GENERALE
ANNEXE A
A1 : Exemple de téléphone cellulaire et de chaîne de traitement
A2 : Origines des sources de bruit basse-fréquence
A3 : Modèle d’Hajimiri
A4 : Détermination de l’ISF
ANNEXE B
B1 : Equations analytiques des courbes C-V d’un varactor MOS
B 2 : Détermination des courbes C-V d’un varactor MOS
ANNEXE C
Annexe C1 : modélisation des paramètres de conception
Annexe C2 : Détermination des contraintes de conception du VCO-LC
ANNEXE D:
D1 : Présentation générale du bruit de phase d’un oscillateur
D-2 : Bruit de modulation d’amplitude
D-3 : Bruit de modulation de phase ou de fréquence
Liste des figures
Chapitre I :

RADIO-FREQUENCE
Figure I-1. Arbre hiérarchique des oscillateurs électroniques………………………..…....2
Figure I-2. Schéma de principe d’un oscillateur en anneau ………………………….…....3
Figure I-3: Structure du VCO _LC………………………………………………….……..4
Figure I-4. Topologies d'oscillateur de rétroaction ……...………………………….……..5
Figure I-5. Digramme représentatif d'un oscillateur LC…………………………………..6
Figure I-6. Modèle de résistance négative d’un oscillateur LC………………….………..6
Figure I-7. Digramme à haut niveau d’un oscillateur –GM..…………….………………....7
Figure I-8. Modèle asymétrique du VCO……………………………...………….…….....7
Figure I-9. Modèle différentiel du VCO.…………..…………………….....……….……..9
Figure I-10. Inverseurs couplés en croisement…………………………………….……..10
Figure I-11. Modèle de résistance négative d’un oscillateur LC……………………..…..10
Figure I-12. Résistance négative fournit par les transistors de l’oscillateur LC …….…...10
Figure I-13. Schéma fonctionnel simplifié d'un émetteur-récepteur...……………..……..13
Figure I-14 : Effet du bruit de phase a) en émission b) en réception……………………..14
Figure I-15. Conversion du bruit BF autour d’un signal RF……………………….……..14
Figure I-16. Modèle d’un oscillateur LC avec résonateur bruité en courant……………..16
Figure I-17. Circuit du résonateur en présence des éléments parasites ………..………..18
Figure I-18. Modèle de la réponse impulsionnelle en phase……………………..………20
Figure I-19. Impulsion injectée dans un Résonateur LC idéal……………………………21
Figure I-20. Impulsion injectée (a) à la crête (b) au passage par zéro (c) ………..………21
Figure I-21. Les blocs du modèle de VCO………………………………………….……22
Figure I-22. Schéma fonctionnel du modèle de bruit de phase LTV…………….….……23
Figure I-23. Mécanisme de conversion du bruit autour de la fréquence d’oscillation……24
Figue I-24. Octogone de conception. …………………………………………………….27
Figure I-25. Structure performante du VCO à concevoir………………………...………27
Chapitre II :
EUDE ET AMELIORATION DES TECHNIQUES DE CONTROLE DE LA

Figure II-1. Architecture du VCO à concevoir……………………………………….…..30
Figure II-2 : Structure d’un condensateur MOS ……………………………….………..31
Figure II-3. Circuits équivalents d’un condensateur MOS………………………...……..32
Figure II-4. Courbe CV de basse fréquence pour un varactor MOS idéal………………..33
Figure II-5. Effets de la fréquence sur le profil C-V pour un varactor MOS. …….……..33
Figure II-6. Coupe de varactor MOS. …………………………………………………....34
Figue II-7. Caractéristique C-V d’un condensateur MOS ……………………...………..35
Figue II-8. Coupe du varactor MOS en présence des capacités variables …………...…..35
Figure II-9. Condensateur PMOS D=S=B : a) Vues de coupe, b) Courbe C-V ..………..36
Figure II-10. Coupe de varactor PMOS en mode A……………………………….……..36
Figure II-11. Condensateur MOS en mode d'accumulation …………………….………..37
Figure II-12. Varactor PMOS : a) Vues de coupe de b) Modèle électrique…………..…..37
Figure II-13. Condensateur MOS en mode d’inversion…………………………………..37
Figure II-14. Circuit du varactor MOS (pour une liaison D ≡ S ≡ B).………………..…..39
Figure II-15. Capacité en fonction de VCtr = -VG Tension de contrôle (V).…….....……..37
Figure II-16. Modèle électrique du varactor PMOS ……………………………………..40
Figure II-17 Circuit du varactor MOS …………………………………………………..41
Figure II-18. Caractéristique de CG en fonction de la tension de substrat VB. …………..41
Figure II-19. Vctr entre Grille et Drain – Source…………………………………….…..42
Figure II-20. Caractéristique de la capacité en fonction de Vctr………………………...42
Figure II-21. Circuit d'essai d’un varactor HF …………………………………….……..43
Figure II-22. Analyse du courant et de la tension de grille du varactor ……………...…..43
Figure II-23. Caractéristique C-V de la capacité en fonction de VCtr…………………...44
Figure II-24. Topologie de VCO avec paires de varactor complémentaires. …………....45
Figure II-25. Signal de sortie du VCO-VC. ……………………………………………..45
Figure II-26. Spectre de sortie du VCO-VC ……………………………………………..46
Figure II-27. Décomposition du spectre de bruit de phase d’un oscillateur………….…..47
Figure II-28. Topologie d’un VCO-VC faible bruit de phase (VCO renforcé)..…..……..49
Figure II- 29: Implantation des varactors dans l'inductance. ……………………...……..50
Chapitre III :
Figure III-1. Topologie du VCO à concevoir : ………….………………………………53
Figure III-2. Spectres de sortie de deux oscillateur avec et sans limitation de courant …53
Figure III-3. Signaux de sortie de deux oscillateurs avec et sans limitation de courant …54
Figure III-4. Topologies des inductances spirales intégrés ……………………...………56
Figure III-5. Inductance intégrée en forme carré…………………………………………57
Figure III-6. Gabarits des inductances 1,25 tours et 2,25 tours. …………………………57
Figure III-7. Modèle d'une inductance spirale intégrée …………………….……………59
Figure III-8. Facteur de qualité Q en fonction l’inductance L..…….………………….…63
Figure III-9. Topologie d’oscillateur faible puissance……………………………………63
Figure III-10. Représentation graphique du rapport de bruit (Q/L) en fonction de L. ...…64
Figure III-11. Représentation du rapport de puissance (LQ) pour fréquence variable….. 65
Figure III-12. Circuit équivalent d’une inductance spirale……………………………….65
Figure III-13. Configuration du VCO utilisé. ……………………………………………70
Figure III-14. Circuit équivalent de résistances à la sortie du VCO. ……………….……73
Chapitre IV :
Figure IV-1 Oscillateur LC CMOS en présence des sources de bruit principales…..……75
Figure IV-2: Modèle simplifié de transistor MOSFET en présence de bruit thermique....76
Figure IV-3. Topologie d’oscillateur LC CMOS à haute fréquence………………..……78
Figure IV-4. Courbes représentatives de Erésonateur en fonction de L. .……………………81
Figure IV-5. Courbe représentative de L2 g L3 en fonction de l'inductance d’un VCO-LC...82
Figure IV-6. Topologie d’oscillateur CMOS à optimisé…………………………………83
Figure IV-7. Modèle de l’oscillateur LC ……………………………………………...…84
Figure IV-8. Modèle équivalent de l'oscillateur LC CMOS………………….…………..84
Figure IV-9. Algorithme d’optimisation du bruit de phase du VCO par l’intermédiaire de
la méthode graphique ………………………………………………………………….…86
Figure IV-10. Région optimale de conception du VCO-LC en technologie CMOS…..…92
Figure IV-11. Région faisable de conception dépendante de l'inductance L…………..…93
Figure IV-12. (a) Réduction L-limitée par des contraintes d'amplitude de résonateur...…94
Figure IV-13. Sources de bruit dans un VCO-LC en technologie CMOS. ………………95
Figure IV-14. Variation du bruit de phase en fonction de la taille du transistor .…...……99
Figure IV-15. Filtrage capacitif de la source de courant de queue du VCO….…………101
Figure IV-16. Filtre de bruit LC intégré avec le transistor de polarisation...……………102
Figure IV-17. Schéma équivalent simplifié du filtre LC. ………………………………102
Figure IV-18. Impédance équivalente du filtre LC en fonction de la fréquence. ………103
Figure IV-19 : Filtrage de la contribution en bruit de la source de courant………..……104
Liste des tableaux
Chapitre I :

RADIO-FREQUENCE
Tableau I-1. État de l’art des VCOs proposés……………………………………..…..…11
Tableau I-2. Sommaire de résultats de recherche de conception d’un VCO……….……12
Tableau I-3. Grille d’appréciations des améliorations proposées…………………..……28
Chapitre II :
EUDE ET AMELIORATION DES TECHNIQUES DE CONTROLE DE LA

Tableau II-1. Etat de l'art des VCO à hautes fréquence. …………………………………28
Tableau II-2. performances du VCO-VC. …………………………………………….…28
Tableau II-3. Bruit de phase du VCO pour des fréquences relatives à la fréquence …….28
Tableau II-4 : comparaison entre deux VCO avec simple et double paires de varactors...28
Tableau II-5 : performances du VCO renforcé. …………………………….……………28
Chapitre III :

Tableau III-1 : Consommation du VCO en fonction du courant de polarisation…………54
Tableau III-2 : Contribution du courant de polarisation au bruit de phase du VCO…...…54
Tableau III-3 : Bruit de phase en fonction des offsets de la fréquence centrale....……….55
Tableau III-4. Sommaire d’états des recherches de conception d’un VCO………..….….55
Tableau III-5. Coefficients de forme de la formule modifiée de Wheeler ……………….58
Tableau III-6. Spécification de valeur de l’inductance en fonction de nombre de tours…59
Tableau III-7. Rapports d’optimisation de la puissance et du bruit de phase du VCO...…64
Tableau III-8. Grandeurs de conception du VCO….……………………………….….…68
Tableau III-9. Capacité parasite totale aux bornes des transistors du VCO…………...…68
Tableau III-10. Courant de polarisation minimum exigé pour différentes inductance...…69
Tableau III-11. Bruit de phase pour différentes inductance………………………………69
Tableau III-12. Dimensions physiques des MOSFETS. …………………………………72
Tableau III-13. Résistances de sortie des transistors utilisés. ……………………………72
Chapitre IV :

Tableau IV-1. Spécification des paramètres de performance du VCO ………………….79
Tableau IV-2. Performance du VCO en bruit de phase ……………………………….…80
Tableau IV-3. Bruit de phase du VCO-LC, pour L = 3nH ………………………………80
Tableau IV-4. Spécification des principaux paramètres de bruit de phase ………………82
Tableau IV-5. Désignation des variables de conception indépendantes …………………89
Tableau IV-6. Spécification des paramètres de conception : …………………………….89
Tableau IV-7. Modélisation de bruit de phase en fonction des offsets de fréquence. ...…98
Tableau IV-8. Spécification des performances du VCO suivant la région de conception. 99
Tableau IV-9. Tableau comparatif des résultats de quelques recherches.………………100
Tableau IV- 10. Paramètres de conception du filtre LC. …………………………….…103
Tableau IV-11. Performances du VCO en présence d’un filtre de bruit de type LC...…105
Tableau IV-12. Bruit du VCO pour des fréquences relatives à la fréquence porteuse….105
Tableau IV-13: Etat de l’art des différents VCO en présence de filtre de bruit. …….…106
Glossaire
AM: Modulation d’Amplitude
ADS: Advanced Design System
AsGa: Arséniure de Gallium
A-MOS : MOS en mode d’accumulation
BB : Bande de Base
BF : Basse Fréquence
BiCMOS : Bipolar Complementary Metal Oxyde Semiconductor
CMOS : Complementary Metal Oxyde Semiconductor
C-V : Capacité - Tension
FET : Field Effect Transistor
FI : Fréquence Intermédiaire
FPB : Filtre Passe Bas
GSM : Global System for Mobile communications
GP: Geometric programming
HF : Haute Fréquence
I-MOS : Inversion mode MOS transistor
IRR : Image Rejection Ratio
ISF : Impulse Sensitivity Function
LNA : Low Noise Amplifier
LTI : Modèle Linéaire à Temps-Invariant ()
LTV : Modèle linéaire à Temps-Variant ()
MIM : Metal Interlayer Metal
MOS : Metal Oxyde Semiconductor
MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor Field-Effect Transistor
NMOS : Transistor MOS à canal N
NTI : Modèle Non-Linéaire à Temps-Invariant
OCT : Oscillateur Contrôlé en Tension
OL : Oscillateur Local
PCS : Personal Communications System
PFD : Phase Frequency Detector
PLL : Boucle de verrouillage de phase
P.M : Modulation de phase
PMOS : Transistor MOS à canal P
RF : Radio-Fréquence
rms : root mean square
RTS : Random Telegraph Signal
Rx : Partie réception
SiGe : Silicium Germanium
Tx : Partie émission
UMTS: Universal Mobile Telecommunications System
VCO : Voltage Controlled Oscillator
WLAN : Wireless Local Area Network
Introduction
générale
Introduction générale
INTRODUCTION GENERALE
Introduction :
Ces dernières années ont été marquées par un développement spectaculaire,
notamment des technologies en matière de réalisation de composants électroniques et en
particulier de circuits intégrés. Cela a permis l’apparition d’objets de plus en plus puissants,
tels que les systèmes de télécommunication dont les performances atteignent des niveaux très
importants. Le caractère portable de ces objets a inspiré l’apparition et le développement des
réseaux locaux sans fil qui sont devenus une priorité fatale.
Dans nos sociétés modernes, les communications sont un enjeu important pour nos
activités quotidiennes. Les liaisons satellitaires ou terrestres entre appareils ou individus
constituent le flot journalier des transmissions. Afin d’assurer ces échanges, le signal
analogique devient le relais de la parole, de l’image et des données. Avec l’augmentation de la
quantité d’information à véhiculer, l’électronique analogique qui est le support du signal doit
faire face à des contraintes imposées par nature de l’échange, de l’utilisateur et de la physique.
Ce développement a conduit à une évolution importante de tous les domaines de
l’électronique RF liée aux exigences sur l’intégration, le coût et la fiabilité des circuits. Il
conduit aussi, à une recherche de technologies robustes et fiables, à des spécifications
relativement raisonnables. Plusieurs études développées dans ce cadre sont à l’origine d’une
évolution importante de tous les secteurs d’activités radio-mobile.
Les oscillateurs sont utilisés dans la plupart des systèmes de communications. Ils
constituent un maillon essentiel de tout système d'émission — réception fonctionnant à haute
fréquence.
La conception d’un VCO performant implique la résolution des problèmes qui peuvent
modifier les signaux traités. Ce qui nécessite de définir le contexte dans lequel se déroule ce
processus. En effet, l’intérêt de cette conception réside dans le fait qu’il s’agit précisément
d’un circuit oscillatoire dédié à une application dans le cadre de communications sans fil.
Par conséquent, la réalisation de cet oscillateur requiert l’optimisation de leurs
constituants sans dégrader leurs performances. Ceci nécessite de minimiser les pertes
énergétiques et les fluctuations aléatoires. Afin de satisfaire toutes ces conditions, les
caractéristiques fondamentales de l’oscillateur s’appuient sur des normes définies en fonction
de l’utilisation finale. Elles sont généralement définies en fonction de :
La puissance du signal émis en sortie ;
La sensibilité aux signaux reçus en entrée ;
La fréquence de fonctionnement ;
La gamme d’accord ;
La linéarité de sa fonction de transfert C-V ;
Bruit de phase et Jitter.
Suivant les applications visées, plusieurs normes sont plus ou moins contraignantes
vis-à-vis du circuit à réaliser. Pour répondre aux exigences d’une telle application du système
de télécommunication, le travail de cette thèse est mobilisé pour le développement d’une
architecture d’oscillateur RF performant et répondant aux contraintes technologiques et
i
Nabil BOUGHANMI : ‘‘Contribution à la conception d’un oscillateur à faible bruit de phase pour le radio mobile’’
économiques,
Dans ce contexte, les spécifications des oscillateurs en termes de bruit de phase et de
consommation d’énergie sont de plus en plus draconiennes. De plus, les délais de conception
sont de plus en plus courts et il est donc très important de connaître rapidement les limites en
bruit de phase ainsi que la puissance consommée qu’il faut atteindre avec une technologie
donnée. Lors de l’étape de conception d’un circuit, la minimisation du bruit de phase des
oscillateurs doit donc être l’objet d’une attention particulière. Il est par conséquent nécessaire
que nous allions sa disposition des méthodes permettant de prévoir et de réduire la
consommation et le bruit de phase en respectant nos exigences de conception du VCO.
Problématique :
L'objectif de ce travail de thèse consiste à réaliser un oscillateur performant à faible
consommation asservi pour radio-mobile. Il s’appuie sur un bilan de performances mettant en
considération les caractéristiques dynamiques, la consommation de puissance et le bruit de
phase lors de la conception de l'oscillateur.
Il consiste aussi, à développer des méthodes pour la spécification des critères de
sélection des paramètres de conception. Et ce, pour concevoir un oscillateur totalement
intégré, à hautes performances, en adoptant des approches de conception appropriées.
Cependant, la conception d’un tel oscillateur intégré harmonieux reste une tâche
difficile et son succès dépend des outils de simulations et des estimations analytiques, et ce,
pour prévoir le fonctionnement de la façon la plus exacte possible, avant d’avancer à la
réalisation pratique.
Organisation de ce mémoire :
Dans ce cadre, la synthèse de ce travail de thèse sera composée de quatre chapitres
décrivant les étapes et les points clés de la conception d’un oscillateur RF à faible
consommation.
Dans le premier chapitre, une présentation générale des principaux systèmes de
radiocommunication mobile existant dans « la littérature » sera proposée. Cette présentation
permettra de montrer l’importance des oscillateurs et l’intérêt d’intégrer leurs éléments vitaux
qui les constituent, pour concevoir des systèmes d’émission-réception totalement intégrés.
Une deuxième partie de ce chapitre permettra de faire le point sur les notions de base des
circuits oscillatoires existants dans la bibliographie. Par conséquent, l'étude et la
caractérisation de la structure de l'oscillateur sera un élément concurrent dans ce chapitre.
Ceci nécessite d’élargir l’étude architecturale des systèmes de communications et des normes
qui les accompagnent. Le but est de motiver l’intérêt au développement des nouvelles
architectures des oscillateurs à hautes fréquences capables d’être utilisés pour des systèmes de
transmission ou pour tout autre système de radiocommunication.
Les spécifications des oscillateurs radiofréquence en termes de bruit de phase sont de
plus en plus radicales. De plus, les délais de conception sont de plus en plus courts et il est
donc très important de connaître rapidement les limites en bruit de phase qu’il est possible
d’atteindre avec une technologie donnée. Après avoir modélisé les phénomènes de bruit de
l’oscillateur, nous nous amenons directement à l’analyse de sa pureté spectrale dans les
chapitres ultérieurs.
Le deuxième chapitre exposera les différentes méthodes d’analyse des condensateurs
variables. Dans un premier temps, des rappels sur les caractéristiques C-V des varactors, les
ii
architectures correspondantes et quelques méthodes permettant d’analyser ces varactors seront

formulés. Dans une seconde partie, nous développerons l’application des formalismes
analytiques pour l’analyse de différents varactors présentés. Cette méthode d’analyse nous
permet d’obtenir des résultats préliminaires et d’établir des premiers critères de choix, ce qui
permettra par la suite d’aborder la partie conception d’un varactor intégré sur la même puce
avec un oscillateur performant de haute fréquence, en connaissant l’influence de l’ensemble
des paramètres.
Une grande partie du troisième chapitre est consacrée à l’estimation de la
consommation de puissance, tout en mettant en avant la contribution en bruit du VCO qui est
particulièrement problématique en solution toute intégrée. Les résultats de mesures en terme
de fréquence, consommation de puissance, bruit de phase et facteur de qualité ont permis la
possibilité d’alternative intéressante que pourrait offrir la stratégie proposée pour
l’optimisation des performances de l’oscillateur RF.
Les propriétés inhérentes du bruit de phase mènent à une méthodologie d’optimisation
proposée, dans le quatrième chapitre. Ce processus d'optimisation nécessite une méthode
graphique intuitive pour visualiser les contraintes de conception telles que l'amplitude du
résonateur, la gamme d'accord de fréquence, et l'état de démarrage, permettant la
minimisation du bruit de phase tout en satisfaisant les contraintes de conception spécifiées.
Nous commençons par l’étude des oscillateurs LC du point de vue physique, en fournissant
des perspicacités essentielles dans leurs caractéristiques de bruit. Pour une topologie
spécifique, nous étudions les principales contraintes de conception imposées au VCO. Des
résultats raffinés de simulation du VCO optimisé prévoyant exactement le bruit de phase sont
montrés dans ce chapitre. Finalement, les résultats de plusieurs revues sont rappelés pour
comparer l'exécution de notre VCO à celles d'autres oscillateurs ; ce qui prouve l'adéquation
de notre méthodologie d’optimisation.
Dans la suite de ce chapitre, des techniques de conception mettent en avant la
suprématie du phénomène de bruit de phase sur le fonctionnement du VCO. La réduction du
bruit de phase est basée sur la conception des filtres de bruit. Ce chapitre porte donc sur
l’étude et la conception des nouveaux circuits de filtre de bruit complètement intégré. La
faisabilité de l’ensemble des circuits sera argumentée par différents résultats de simulation et
par l’étude de l’impact du bruit de phase sur le comportement du VCO.
La comparaison de la topologie employée avec les plusieurs travaux dans la littérature
nous permettra de conclure sur son avenir au sein d’un système de télécommunication de
hautes performances.
Finalement, les investigations actuelles et les perspectives de nos travaux de recherche
sont présentées dans la conclusion générale qui fait la synthèse de ces années de thèse, et
revient sur les résultats obtenus.
Contribution :
Étude des Notions de base des contraintes de conception d’un oscillateur :
Étude et caractérisation des notions de base des oscillateurs LC (Actif, LC) ;
Modélisation analytique du bruit de phase d’un VCO-RF ;
Étude détaillée des paramètres d’optimisation des variables de conception du VCO.
Amélioration des circuits de sélection de fréquence :
Étude et perfectionnement du varactor ;
Réduction du bruit de varactor.
iii
Optimisation de puissance :
Étude de l’intérêt de limitation de courant ;
Modélisation de l’inductance spirale intégrée et des contraintes de conception d’un
résonateur LC ;
Présentation des critères d’optimisation de puissance et du bruit de phase ;
Optimisation des capacités parasites et du courant de polarisation.
Optimisation paramétrique :
Modélisation des contraintes de conception du VCO ;
Modélisation du bruit de phase dans les VCO-LC en technologie CMOS ;
Optimisation du bruit de phase par l’intermédiaire de la méthode de satisfaction des
contraintes.
Étude de techniques de réduction de bruit de phase
Filtrage du bruit de la source de polarisation ;
Compensation d’effet de capacités parasites ;
Proposition d’un circuit performant capable de minimiser le bruit de phase du VCO.
iv
Chapitre
Spécifications des paramètres

de conception d’un oscillateur
Radio-fréquence
Chapitre I :
SPECIFICATIONS DES PARAMÈTRES
DE CONCEPTION D’UN OSCILLATEUR RADIO-
FREQUENCE
Résumé :
Le travail de ce chapitre s’inscrit essentiellement, dans le cadre d’une normalisation de
conception d’un oscillateur radiofréquence. Il s’agit d’une présentation détaillée d’un
compromis de spécifications technologiques et normatives permettant notamment,
l’introduction des standards internationaux dans l’ordre de la conception d’un oscillateur
performant.
Ce chapitre présente une procédure spécifique pour déterminer les variables

fondamentales des oscillateurs, à partir des contraintes de normes et d’architectures. Il illustre
un aperçu sur le principe de conception et sur les éléments technologiques. À partir de ces
paramètres, nous déterminerons les spécifications du système notamment en termes de
fréquence, gamme d’accords, bruit, consommation, sensibilité, gain…
Afin d’étudier l’instabilité de ces oscillateurs, nous rappelons les sources de bruits et
l’impact de celles-ci sur le fonctionnement général des oscillateurs. Spécialement, nous
analysons plusieurs modèles de bruit de phase dans un oscillateur radiofréquence.
En résumé, ce chapitre étudie les notions de base de la conception d'un VCO

radiofréquence. L’état de l’art des divers VCOs existants fait ressortir le support principal
pour une conception performante. Ainsi, une proposition de base sera maintenue en tant que
référence de départ pour les autres chapitres.
Mots-clés :
Spécifications, oscillateur, VCO, technologie, fréquences, résonateur, inductance, état
de l’art, bruit, modèle.
Chapitre I Spécifications des paramètres de conception d’un oscillateur Radio-fréquence
I. Introduction
Un oscillateur est un dispositif instable générant un signal périodique sans autre apport
d’énergie extérieure que l’énergie continue fournie par sa polarisation. L’oscillateur-RF
délivre en général, un signal sinusoïdal ou quasi sinusoïdal (oscillateurs harmoniques), et il
est utilisé comme référence de fréquence dans les systèmes d’émission et de réception [1].
L’oscillateur contrôlé en tension (VCO) est capable de délivrer un signal sur une bande de
fréquence grâce à une tension de contrôle. Généralement, l’oscillateur se compose d’une
partie active (basée sur des transistors), dont le rôle est d’amplifier le signal, et d’un circuit
passif de contre-réaction qui permet de sélectionner la fréquence d’oscillation. Les
principales caractéristiques des oscillateurs sont :
la fréquence centrale ;
la puissance délivrée ;
la sélectivité, qui évalue la réjection des harmoniques ;
le spectre de bruit de phase, qui évalue la pureté spectrale de l’oscillateur.
Dans le cas d’un oscillateur contrôlé en tension, nous pouvons également, citer deux
autres caractéristiques : la bande d’accord qui définit la bande de fréquence dans laquelle
fonctionne le VCO et la sensibilité (i.e. la pente de la caractéristique tension/fréquence) qui est
une mesure de la linéarité de la conversion tension/fréquence.
Dans ce chapitre, nous nous intéressons à étudier et caractériser le principe de
fonctionnement de la structure de base d’un oscillateur [2]. Nous montrons quelques
architectures convenables dont nous proposons d’en étudier les avantages et les
inconvénients. En effet, nous avons montré les principales contributions de conception des
oscillateurs spécifiés aux systèmes de radiocommunication mobile, existant dans « la
littérature » [3, 4, 5]. Celles-ci permettent de motiver l’intérêt des oscillateurs et faire le point
sur leurs positionnements dans le système radiofréquence [6, 7].
Premièrement, une présentation générale des principaux circuits oscillatoires [2, 12]
permettra de comprendre le fonctionnement des oscillateurs et l’intérêt d’intégrer les éléments
assurant cette fonction pour accomplir les systèmes d’émission - réception totalement
intégrés. Une deuxième partie de cette section permettra de faire le point sur les différentes
topologies des VCO-LC existant [2, 14]. Le but est de motiver l’intérêt au développement des
nouvelles architectures d’oscillateurs capables d’être utilisés pour les systèmes de
transmission de signaux [3].
Une deuxième section de ce chapitre exposera les différentes méthodes d’analyse et de
caractérisation des VCO [2, 16]. Dans un premier temps, des rappels sur les architectures des
oscillateurs –GM et quelques méthodes permettant d’analyser ces oscillateurs seront exposées
[1, 13]. Dans un second temps, nous développerons l’analyse de circuits mis en jeux. Ces
études ont pour but d’étudier et d’optimiser les structures de VCO comportant des éléments
passifs (inductances, capacités et varactances) et ensuite de concevoir un VCO optimisé
performant [10, 15]. Cette méthode d’analyse permet d’obtenir des résultats préliminaires et
d’établir les premiers critères de choix. Ceci nous permettra d’aborder la partie conception des
oscillateurs en connaissant l’influence de l’ensemble des paramètres de conception [4, 10].
Le bruit généré par les dispositifs de télécommunication, est en effet critique aussi
bien en émission où un signal bruité va générer une chute du taux d’erreur qu’en réception où
il conditionne la réception des données avec perte d’information [8, 9]. Lors de l’étape de
conception d’un circuit, la minimisation du bruit de phase des oscillateurs doit donc être
l’objet d’une attention particulière. Il est par conséquent nécessaire que nous mettions à notre
disposition des méthodes permettant de prévoir et de réduire ce bruit de phase [4, 5, 15].
1
N.BOUGHANMI, ‘‘Contribution à la conception d’un oscillateur à faible bruit de phase pour le radio mobile’’
II. Généralités sur les oscillateurs radiofréquences

L’oscillateur constitue un maillon essentiel de tout système d'émission-réception
fonctionnant aux hautes fréquences. En définitive, il existe une grande variété d’applications
des systèmes de télécommunication dont l’activité majeure reste la transmission des signaux
engendrés par les oscillateurs qui sont l’objet de notre travail de recherche. Les oscillateurs
occupent une place particulière en raison du verrou technologique qu’ils représentent.
Suivant son utilité, le VCO peut être réalisé d’une manière différente. En plus de sa
structure, il se diffère d’autres par ses avantages et ses lacunes. Dans cette section nous
discutons quelques structures d’oscillateurs. La figure I-1 présente quelques types
d’oscillateurs existants.
Oscillateurs
Oscillateur LC Oscillateur Oscillateur Oscillateur à Oscillateur

RC Crystal relaxation en anneau
Figure I-1. Arbre hiérarchique des oscillateurs électroniques
En termes d'intégration, les oscillateurs en anneau sont les plus préférés. Cependant,
les oscillateurs LC fournissent habituellement une meilleure performance en bruit de phase en
les comparant avec les oscillateurs en anneau aux fréquences radio. Dans une certaine
application, leur performance est même comparable aux oscillateurs en cristal, qui a une
qualité en bruit de phase meilleure. Concernant les VCOs à relaxation, habituellement, ne sont
pas un bon choix pour application à haute fréquence due à la quantité énorme de bruit de
phase présentée. Puisque les oscillateurs LC fournissent une performance à faible bruit très
attrayante, les oscillateurs LC sont la matière principale en cette dissertation
Les besoins des circuits oscillatoires ont connu une croissance importante. Avec
l’amélioration des outils de conception assistés par ordinateur, il fut possible d’accroitre le
niveau de complexité dans la réalisation de circuits analogiques de hautes fréquences. Pour
des raisons d’amélioration des performances, les systèmes actuels tendent à intégrer
l’ensemble des fonctionnalités analogiques et numériques sur une seule puce électronique
[14]. L’Annexe A-1 illustre un exemple typique d’une chaîne de traitement pour un téléphone
cellulaire. Aussi, dans l’Annexe A-1, il y a un exemple d’architecture d’un téléphone
cellulaire conçu pour applications RF.
Dans un émetteur-récepteur radiofréquence, la fréquence de l’oscillateur local doit être
définie avec une précision importante. De plus, dans la plupart des cas, cette fréquence doit
varier par pas relativement petits définissant l’écart de fréquence minimal généré par
l’oscillateur. Dans ces conditions, l’erreur sur la fréquence synthétisée doit rester négligeable.
De plus, la limitation du spectre hertzien, l’augmentation des débits et l’émergence des
émetteurs-récepteurs multistandards sont autant de facteurs qui imposent des contraintes de
plus en plus sévères sur l’oscillateur. En plus des problèmes liés à la précision en fréquence,
plusieurs autres paramètres ou phénomènes tels que la génération de bandes latérales, le bruit
de phase et la sensibilité de l’oscillateur, influencent les performances du système global. Par
conséquent, lorsque l’oscillateur est inséré au sein du synthétiseur de fréquence, il peut
apparaître dans son spectre des bandes latérales parasites qui peuvent s’avérer relativement
gênantes notamment en réception.
2
Jusqu’alors, plusieurs recherches [2, 6, 12, 14] ont, en effet, développé des systèmes
assez similaires dans le principe, mais parfois éloignés dans leur réalisation. Tels que, le GSM
(Global System for Mobile Communications) désigne une technique de transmission
largement utilisée en Tunisie. Il fonctionne, sur 1900 MHZ en Amérique du Nord (PCS),
tandis qu’il fonctionne sur 900 MHZ et 1800 MHZ (DCS) en Europe.
Après une présentation sommaire des principaux systèmes de télécommunications,
nous nous intéresserons dans cette section à étudier les notions de base des oscillateurs RF.
II.1. L'oscillateur en anneau
Parmi les structures les plus utilisées en radiofréquence, nous considérons les
oscillateurs en anneau. Ces types d'oscillateurs sont basés sur le temps de commutation des
inverseurs. En connectant, un nombre bien défini d'inverseurs, nous obtenons un signal
oscillant naturellement à la sortie de chaque inverseur de la chaîne (figure I-2). Généralement,
ils se trouvent en deux topologies : asymétriques de types CMOS ou symétriques de type
paire différentielle (bipolaire et/ou MOS). Le premier est le plus simple, consiste à cascader
des inverseurs MOS. Ainsi, un nombre impair d’inverseurs est nécessaire au bon
fonctionnement. Cependant, il est possible d’utiliser un nombre pair d’opérateurs en
introduisant des portes non-inverseurs. Dans ce dernier cas, la topologie différentielle est
généralement mise en œuvre, de façon à équilibrer les temps de propagation des opérateurs
inverseurs et non-inverseurs [14].
La fréquence d'oscillation est directement liée au nombre d'inverseurs. Plus on a
d'inverseurs et plus la fréquence diminue. L'inconvénient majeur de ce type d'oscillateur est la
forte dépendance de sa fréquence avec les paramètres technologiques. La fréquence n'est pas
très stable et surtout non contrôlable. On peut difficilement prédire avec précision cette
fréquence d'oscillation.
+ - + - +
td1 td2 tdn
- + - + -
a) asymétriques b) symétriques
Figure I-2. Schéma de principe d’un oscillateur en anneau
II-2. L'oscillateur LC
Un autre type d’oscillateur qui était sous l’attention de plusieurs recherches à cause de
sa stabilité par rapport à un oscillateur en anneau, c’est l’oscillateur LC. Ce dernier est défini
comme un dispositif instable générant un signal périodique sans autre apport d’énergie
extérieure que l’énergie continue fournie par sa polarisation. Cet oscillateur délivre en général
un signal sinusoïdal ou quasi sinusoïdal (oscillateur harmonique), et il est utilisé comme
référence de fréquence dans les systèmes d’émission et de réception ou les radars [1, 3]. Un
oscillateur contrôlé en tension (VCO) est capable de délivrer un signal sur une bande de
fréquence grâce à une tension de commande. Les oscillateurs LC sont basés sur le principe de
la capacité du circuit résonnant RLC. La difficulté essentielle de ces types d’oscillateurs est de
réaliser des capacités variables aussi parfaites que possible [15, 16]. C’est pour cette raison
qu’un nouveau principe de compensation des déphasages parasites, déphasant le courant
capacitif, a été conçu [3, 4, 10]. Généralement, l’oscillateur LC se compose d’une partie
active (basée sur transistors), dont le rôle est d’amplifier et de limiter le signal, et d’un circuit
3
passif qui permet de sélectionner la fréquence d’oscillation [9, 12].

La figure I-3 présente le schéma de principe d’un oscillateur LC, à savoir le circuit
RLC et la paire différentielle. Cet oscillateur comprend généralement, trois parties distinctes :
•
•
Le circuit RLC définissant notamment la fréquence de résonance ;
•
La partie différentielle permettant au système d’osciller ;
La capacité variable permettant de contrôler la fréquence d’oscillation.
Circuit résonnant RLC
Tension de contrôle
Vcont
Capacité variable Paire différentielle
Figure I-3: Structure du VCO _LC

II-3. Interprétation
Etant donné, les principales contraintes présentes sur les performances que doit fournir
le VCO à concevoir, le choix d’une structure à base de résonateur LC est inévitable. En effet,
une structure basée sur un oscillateur en anneau ne permet pas de satisfaire les critères
imposés par l’application RF pour les raisons montrées dans [1, 12]. De même, le désir de
pouvoir influer sur la fréquence du VCO pour générer une fréquence stable pour le VCO,
oriente le choix vers une inductance externe de valeur précise. Alors qu’il est possible
d’intégrer à la fois le VCO à concevoir avec une inductance interne en présence d’un
condensateur variable (Varactor). Dans la section suivante nous caractérisons l’architecture de
base pour la conception d’un oscillateur LC performant.
III. Etude et caractérisations des notions de base d’un oscillateur -LC
L’oscillateur LC est un système autonome générant un signal périodique à partir d’une
énergie continue. Il est le circuit de base de tout système de synthèse et peut être défini
comme un mécanisme auto-entretenu qui fait croître une partie de son bruit afin qu’elle
devienne un signal périodique de fréquence non nulle. Il s’agit alors de vérifier que le gain de
l’ensemble est suffisant pour assurer l’entretien du signal. Les oscillateurs contrôlés en
tension (VCO) sont des oscillateurs en lesquels la fréquence d’oscillation est proportionnelle à
une tension externe appliquée. Cette description correspond à la vision du système bouclé
présenté dans la section III.2. Le fonctionnement de base de tous les oscillateurs comporte la
rétroaction de la sortie de l'oscillateur à son entrée. Ainsi, le signal périodique soutient et se
régénère d'un cycle à un autre [2, 15, 16]. Dans cette section, nous présenterons tout d’abord
les notions essentielles liées au principe de fonctionnement des oscillateurs LC avant de nous
intéresser à l’analyse de leur pureté spectrale.
III.1. Modèle de rétroaction d’un oscillateur

Habituellement, les oscillateurs sont vus comme des systèmes bouclés.
Mathématiquement, l’étude des pôles de la fonction de transfert d’un système bouclé permet
de déterminer les conditions d’oscillation. Pour que ce système oscille à une pulsation ω0, les
critères de Barkhausen doivent, satisfaire les deux conditions suivantes :
4
1. le gain en boucle ouverte doit être égal à l'unité à la fréquence d'oscillation, c.-à-d.
G(jω0 ).H(jω0 ) = +1; (I-1)
2. le déphasage total autour de la boucle doit être égal à 0 pour une rétroaction positive et à
180° pour une rétroaction négative.
Avec, G(s) est le gain de bloc (amplificateur) et H(s) est le bloc de rétroaction,
Nous venons donc de définir les conditions d’obtention du régime établi d’un
oscillateur en utilisant deux modèles différents. Ces conditions permettent notamment de
déterminer la fréquence des oscillations. Pour déterminer l’amplitude d’oscillation, il est
nécessaire de passer par l’étude des conditions initiales de l’oscillateur au démarrage. Ainsi, si
(résonateur), autrement dit, si le gain dans la boucle est supérieur à 1 { G ( jω ).H ( jω ) > 1} ,
le gain de la partie active de l’oscillateur l’emporte sur l’atténuation de la partie passive
alors l’oscillateur démarre en faveur du bruit interne présent dans les composants le
constituant. Dans ces conditions, l’amplitude du signal de sortie croît jusqu’à ce que l’élément
parfaitement les pertes du résonateur { G ( jω ).H ( jω ) = 1} . L’amplitude s’arrête alors de

actif non linéaire (amplificateur) sature. Son gain diminue alors jusqu’à ce qu’il compense
croître et se maintient à une valeur fixe. Nous en déduisons donc que l’amplitude des
oscillations est limitée par la saturation de l’élément actif.
Ces critères prouvent que n'importe quel système de rétroaction peut osciller si le gain
en boucle fermée et le déphasage de l'entrée à la sortie sont bien choisis. En pratique, G(jω0)
représente la fonction de transfert de l’élément actif de l’oscillateur et H(jw0) la fonction de
transfert de la cellule de réaction passive qui joue le rôle de sélection et de stabilisation de la
fréquence d’oscillation. Cette cellule de réaction est communément appelée résonateur.
En fait, outre cette vision à deux ports des oscillateurs, il existe une autre façon de les
appréhender. Ils peuvent être envisagés comme la connexion de deux circuits à un port. Dans
ce cas, un des circuits sera le résonateur modélisé par un circuit RLC en parallèle et l’autre
sera un circuit chargé de compenser la résistance parallèle parasite du premier. Cette manière
de considérer le problème n’est qu’une autre modélisation. Elle peut, comme tout outil,
s’avérer utile pour le dimensionnement des éléments constitutifs.
VDD VDD
VDD VDD
Réseau sélectif de fréquence

(résonateur)
(a) (b)
Figure I-4. Topologies d'oscillateur de rétroaction : (a) Oscillateur de Colpitts (b)
oscillateur différentiel
Dans un oscillateur LC, le réseau sélectif de fréquence se compose d'une inductance et
d’un condensateur. Ces éléments passifs sont présents pour choisir et stabiliser la fréquence
de sortie de l'oscillateur. Pour le VCO, le condensateur prend la forme d'une varactance dont
5
la capacité peut être variée suivant la fréquence centrale de l’oscillateur [2, 15]. La capacité de
la varactance est contrôlée par une tension de polarisation extérieurement appliquée.
Généralement, G(s) peut être un simple transistor tel que le cas d'un oscillateur de Colpitts
(figure I-4-a), ou il est composé de deux transistors ou plus dans le cas d'un oscillateur
différentiel (figure I-4-b) [16].
Alternativement, l'oscillateur peut être composé en tant que deux réseaux couplés
ensemble : réseau de partie actif et réseau de fréquence sélectif (figure I-5). Un signal de
sortie périodique et constant est obtenu par l'échange de l'énergie entre les inductances et les
condensateurs dans le résonateur. Mais dans n'importe quel circuit pratique, ces composants
passifs sont liés avec des résistances parasites. Par conséquent, le résonateur ne peut pas
soutenir, tout par lui-même, un signal de sortie d'amplitude constante parce que de l'énergie
sera perdue, à chaque cycle, dans ces résistances parasites. Le réseau de partie actif est
présenté donc, pour compléter le niveau d’énergie perdue par cycle [2].
-R +R
Réseau sélectif de
Circuit Actif
fréquence
Figure I-5. Digramme représentatif d'un oscillateur LC

Le résonateur sélectif de fréquence peut être exprimé par un simple circuit RLC avec
la résistance parallèle équivalente, R. C'est la résistance responsable de la perte d'énergie
stockée par cycle. Le circuit actif compense cette perte en fournissant une résistance négative
- R, d'amplitude égale à la résistance parallèle équivalente du résonateur. Ainsi, du point de
vue opérationnel, la résistance du résonateur est ignorée et elle apparaît comme réseau sans
pertes. L'oscillateur peut maintenant soutenir un signal de sortie d'amplitude constante. Un
autre point important est le démarrage des oscillateurs LC. Pour assurer ce phénomène, le
à la pulsation de résonance de l'inductance et du condensateur ω 0 = 1

gain en boucle fermée de l'oscillateur nécessite une valeur supérieure à 1. L’oscillateur oscille
[1, 2, 15].
LC
La figure I-6 montre le schéma équivalent d’un oscillateur LC. L'inductance est
normalement la source principale de perte. Elle est aussi responsable d'une fraction
significative de tout le bruit de phase de l'oscillateur [12, 14].
Dispositifs actifs
−1
Rp L C
gm
Figure I-6. Modèle de résistance négative d’un oscillateur LC

L'amplitude d’oscillations stables se produit quand -1/gm=RP. Le résonateur LC filtre
intrinsèquement, les fréquences loin de la crête résonnante. En outre, le stockage d'énergie par
inductance et condensateur nécessite l’ajout d’un minimum d'énergie par les dispositifs actifs,
pour améliorer davantage les performances en bruit de phase. Généralement, la gamme
d'accord de l’oscillateur LC est très limitée. Ainsi que le contrôle est accompli à l'aide d'une
6
varactance qui est considérée comme condensateur variable. Puisque, les varactances
intégrées limitent la gamme d'accord, les oscillations ne peuvent pas rivaliser avec des
oscillateurs en anneau à cet égard [2, 15]. Le VCO conçu dans ce chapitre peut être classé en
tant qu'oscillateur à transconductance négative (-GM).
La figure I-7 est un diagramme d’oscillateur -GM, qui illustre les deux composants
principaux : le circuit résonnant et le circuit actif. A la résonance, l'impédance du circuit
résonant est égale à la valeur de la résistance équivalente, Req. Puisque les circuits purement
résistifs ne présentent aucun déphasage, le critère de Barkhausen de boucle est satisfait pour
l'oscillation [2, 15].
Amplificateur et résistance Circuit de résonance Haute
négative équivalente réglable impédance
Vout+
- RGm = Req
GM
Vout-
Figure I-7. Digramme à haut niveau d’un oscillateur –GM

Le deuxième critère de Barkhausen déclare que la grandeur du produit perte-gain
autour de la boucle de rétroaction doit être supérieure à 1. Pour calculer ce produit,
l'amplificateur est normalement considéré pour être un amplificateur de transconductance GM
avec un facteur de gain défini par [2]:
Gm =
i0
(I-2)
vi
Où GM est la transconductance (en Siemens), i0 est le courant de sortie d'amplificateur,
et vi est la tension d'entrée pour l'amplificateur. GM dépend en grande partie du point de
polarisation des composants actifs et du niveau de signal d'entrée. L'impédance vue par le
résonateur est approximée par :
RGm = −
1
(I-3)
Gm
Cette résistance négative doit compenser la perte du résonateur LC pour satisfaire le
deuxième critère de Barkhausen. C.-à-d. la grandeur de la résistance négative de
l'amplificateur doit être inférieure ou égale à la résistance équivalente parallèle positive
présentée par le résonateur. Ceci pourrait être embrouillant puisque, intuitivement, la grandeur
du gain devrait être plus grande que la perte. Cependant, puisqu'une représentation parallèle
est employée ici, des valeurs plus élevées de résistance indiquent que moins de perte et le gain
devrait être ainsi moins que Req [Annexe A5]. Cette condition aura comme conséquence
l'oscillation dans la boucle de rétroaction à la fréquence de résonance du résonateur LC. Dans
le meilleur des cas, la résistance de perte et le gain d'amplificateur décommanderaient
exactement afin de produire l'oscillation avec un minimum de puissance consommée. En
réalité, il doit y avoir un certain facteur de sûreté additionnel pour s'assurer que le gain ne
chute pas au-dessous d'une certaine valeur critique pour que le circuit continue à osciller. Ce
facteur de sûreté ou de démarrage, α, peut être défini par :
α = RGm R (I-4)
eq
III.2. Topologie des VCO LC

7
Pratiquement, tous les synthétiseurs de fréquence, spécifiés pour des applications de

communications utilisent majoritairement des oscillateurs harmoniques. Parmi les
architectures qui peuvent être employées dans des applications RF est l’oscillateur différentiel
en technologie MOSFET qui fait présence à un résonateur intégré LC. Ce choix est expliqué
par son meilleur rapport entre le bruit de phase et la consommation de la puissance [3, 12]. En
raison de sa bonne performance relative en bruit de phase, ce type de VCO est une topologie
habituellement, préférée pour la conception d'un VCO entièrement intégré [4, 8, 10] et elle
sera le cœur de notre travail de recherche [12, 14, 15, 16].
V VCC
CC
Buffer
Boucle de (T1)
(T1)
rétoaction Haute Zin
Tension de
polarisation
(a) Zin=1/Gm (b)

Figure I-8. Modèle asymétrique du VCO : a) avec rétroaction b) en présence de buffer
La figure I-8-a) montre le schéma d’un oscillateur asymétrique. Ce schéma est
semblable à celui de la figure I-7, sauf que le bloc d'amplificateur GM a été remplacé avec un
transistor (T1) polarisé près de la région active par une source de basse tension et une source
de courant [2]. Le circuit de résonateur se compose d’une inductance, un condensateur, et une
résistance qui représente la perte du circuit. Dans cette configuration, l'impédance aux bornes
de la boucle de rétroaction du circuit résonnant est approximativement égale à 1/GM. Cette
valeur de résistance est généralement, basse si nous la comparons à la résistance équivalente
en parallèle au circuit du résonateur. Elle chargera le circuit du résonateur, en réduisant son
facteur de qualité Q. Puisque Q devrait être aussi haut que possible, le résonateur peut être
protégé contre la basse résistance d'entrée à l'aide d'un amplificateur buffer comme représenté
sur la figure I-8-b). Le buffer peut être réalisé par un deuxième transistor (T2) polarisé dans
une configuration, de source (transistor NMOS) comme montré dans la figure I-9(a). Cette
configuration est caractérisée par une impédance d'entrée élevée [15].
Vcc Vcc
(T2)
Vout Vout
(T1) + -
Haute Zin (T1) (T2)
(a) (b)
Figure I-9. Modèle différentiel du VCO : a) intégration d'un buffer (tampon), b)
implémentation différentielle
En ajoutant un second circuit de résonateur, identique au premier, au drain du
8
transistor T2 en liaison avec T1 de sorte qu'il agisse aussi en tant qu'un buffer pour le
deuxième circuit de résonateur mène à une implémentation différentielle comme représentée à
la figure I-9 (b).
Dans l'implémentation différentielle, les oscillations sont en opposition de phase, tout
en fournissant respectivement, aux nœuds de drain de chaque transistor des tensions Vout+ et
Vout -. Les oscillateurs différentiels ont deux avantages distincts par rapport aux oscillateurs
asymétriques. D'abord, les mélangeurs de conversion pour lesquels le VCO agit en tant que
source (LO) sont proprement différentiels. En second lieu, les circuits différentiels fournissent
le rejet en mode commun alors que les circuits asymétriques n’en peuvent pas. Puisque les
deux sorties du VCO sont différentielles, elles peuvent être soustraites pour doubler leur
tension de sortie maximale. En les soustrayant, les signaux de bruit qui sont communs aux
deux sorties sont menés à un haut CMRR (rapport de rejection en mode commun). Pour ces
raisons, ces réalisations différentielles sont préférées dans les applications RF en dépit une
consommation de puissance supplémentaire du deuxième dispositif actif. Plusieurs types
d’oscillateurs -GM contrôlés par varactance sont largement répandus dans des circuits RF,
puisqu'ils conviennent à l’intégration totale [3, 7].
L’utilisation d’un VCO-LC différentiel permet, par sa commande en mode différentiel,
de diminuer le bruit de phase dû aux perturbations présentes sur l’alimentation et dans le
substrat. Cette structure peut être employée aussi bien sur un oscillateur en anneau (deux
transistors MOS pour contrôler le courant des inverseurs) que sur un circuit LC (diode
varactor différentielle) [4, 5, 10]. Un oscillateur idéal se compose d'un résonateur LC. Si nous
supposons que l'inductance et le condensateur sont idéaux, le résonateur LC oscillerait.
Dans un résonateur LC idéal sans pertes résistives, l'inductance et le condensateur
oscillent indéfiniment. Puisqu’il est impossible d'établir pratiquement, un circuit passif sans
pertes, des dispositifs actifs sont utilisés pour produire une résistance négative. Ceci permet
d’annuler toutes les pertes parasites dans le résonateur [2]. L'inductance est normalement la
plus grande source de perte pour le circuit résonateur. Elle est aussi responsable d'une fraction
significative de tout le bruit de phase de l'oscillateur [8, 9, 12]. Nous devons injecter l'énergie
dans le résonateur pour soutenir les oscillations. La quantité d'énergie injectée dans le
résonateur devrait être égale à l'énergie perdue.
La figure I-10 représente le circuit d’oscillation comme Etant une paire d'inverseurs
interconnectés en parallèle avec un circuit résonateur.
R L C
Figure I-10. Inverseurs couplés en croisement

Les transistors NMOS interconnectés fournissent une résistance négative pour
décommander les pertes présentées par le résonateur LC en parallèle. D'ailleurs, les dispositifs
PMOS permettent, avec une meilleure symétrie, d'être achevés sur chacun des nœuds
résonnants en égalisant la force positive et négative d'entraînement. Il s'avère que les côtés
gauches et droits de cet oscillateur complémentaire GM sont identiques à la structure d'un
inverseur CMOS. Ceci fournit une manière très intuitive de comprendre l'opération du VCO
complémentaire. L’oscillateur complémentaire en technologie CMOS (utilisant des paires de
PMOS et NMOS couplées et croisées en parallèle) est préféré pour des applications RF en
9
dépit de la consommation de puissance supplémentaire du deuxième dispositif actif. Ceci

parce que les deux sorties du VCO sont différentielles, elles peuvent être soustraites pour
doubler leur tension maximale à la sortie [2].
III.3. Modèle de résistance négative des oscillateurs

Il est commode d'appliquer le modèle de rétroaction à quelques types d'oscillateurs tels
que les oscillateurs en anneau. Cependant, pour les oscillateurs basés sur des résonateurs, une
conception alternative fournissant plus de perspicacité dans le phénomène d'oscillation utilise
le concept de la ‘‘résistance négative’’.
Si nous plaçons en parallèle avec un résonateur, un circuit d'un seul port, présentant
une résistance négative, nous pouvons avoir un circuit oscillatoire de cette combinaison. La
figure I-11 montre une topologie du modèle de résistance négative.
+ VT -
IT
_2
gm
X Y
Cp Lp Rp
CircuitActif
M2 M1
- Rp
Figure I-11. Modèle de résistance négative d’un oscillateur LC
Le circuit actif peut fournir la résistance négative exigée dans le modèle de résistance
négative. Dans l'oscillateur LC, les transistors interconnectés peuvent être modelés par le
circuit équivalent de petit signal présenté dans la figue I-12.
L L
C
V1 V2
VX
X Y IX
V1 V2
M2 M1 gm1V2 gm2V1
I
Schéma équivalent
aux variations
Figure I-12. Résistance négative fournit par les transistors de l’oscillateur LC
Si une source de tension est appliquée à l'entrée, l’expression de la résistance négative
10
peut être dérivée des équations de tension et de courant suivantes :

I X = g m 2 .V1 = − g m1V2 (I-5)
⎛ 1 1 ⎞
VX = V2 -V1 = − I X ⎜ + ⎟
⎝ g m1 g m 2 ⎠
(I-6)
Si la rétroaction est suffisamment positive (le gain de boucle est négatif), une
résistance négative est réalisée [2, 12]. En petit signal, si deux transistors sont identiques, la
résistance équivalente entre les deux drains des transistors est donnée par l’équation suivante :
⎛ 1 1 ⎞
Rnégative = = −⎜⎜ + ⎟⎟ = −
Vx 2
⎝ g m1 g m 2 ⎠
(I-7)
Ix gm
Où gm est la transconductance d'un transistor.
À la résonance, le résonateur de la figure I-12 est équivalent à une résistance Rrésonateur.
Celle-ci est en parallèle avec la résistance Rnégative = −
2
.
gm
Cette résistance négative compense la perte d'énergie et maintient les oscillations dans
le résonateur si R résonateur ≤
2
et l'oscillation peut se maintenir dans l'oscillateur LC. En
gm
résumé, le rôle de la structure active est de compenser les pertes résistives liées au résonateur
en présentant, en parallèle à ce dernier, une résistance négative. Ceci permet de maintenir une
oscillation en régime permanent. L'oscillateur linéaire fonctionnel basé sur la génération d'une
résistance négative montre plusieurs problèmes :
Si Rrésonateur > Rnégative, les oscillations mourront ;
Si Rrésonateur < Rnégative, les oscillations se développeront ;
IV. Méthodologie de conception du VCO

Dans les télécommunications modernes, nous avons besoin des VCOs de taille
minimum et donnant des performances acceptables en consommation d’énergie et en bruit de
phase. Diverses analyses concernant ce sujet sont traitées dans [7, 8, 9].
En effet le procédé de choix des variables de conception joue un rôle important pour
l'optimisation de la consommation et du bruit de l’oscillateur. Ceci nous mène à la conception
d’une stratégie basée sur un arrangement de choix des paramètres de conception, fournissant
un support pour une procédure détaillée d'optimisation qui sera présentée plus tard dans ce
travail.
Le tableau I.1 résume les travaux de la littérature que nous avons établi pour valider
notre choix technologique et chercher les modifications possibles pour améliorer les
performances de la structure du VCO à concevoir. Il faut cependant rappeler que nous avons
limité notre étude aux oscillateurs susceptibles d’être appliqués dans les domaines des
radiofréquences. N’ont pas été traités les oscillateurs utilisés pour des applications basses
fréquences tel que les oscillateurs à quartz par exemple, ou d’autres types d’oscillateurs qui
sont utilisés pour des applications à très hautes fréquences
Tableau I-1. Etat de l’art des VCOs proposés

11
Résonateur
Référence Technologie Structure propositions Amélioration
condensateur inductance
Condensateur Optimisation de
[1] Si NMOS intégré Block de contrôle numérique
contrôlable puissance
InGaP HBT Bipolaire Varactor Diode intégré Cellule différentielle LC

[2] Optimisation de bruit
GaAs HBT Bipolaire Varactor Diode intégré Cellule de Colpitts
-ajout d’un Buffer

Deux bandes de
[3] 0.18µm Si CMOS Varactor MOS intégré -ajout d’un filtre bruit à la
fréquence
sortie
0.12-µm
[4] CMOS Varactor MOS intégré Satisfaction des contraintes Optimisation de bruit
SOI
[5] 0.35-µm Si MOS Varactor MOS intégré Satisfaction des contraintes Optimisation de bruit
[6] 0.35 µm Si BiCh4OS Varactor MOS intégré Satisfaction des contraintes Optimisation de bruit
[7] 0.25 µm Si CMOS Varactor MOS intégré Satisfaction des contraintes Optimisation de bruit
Satisfaction des contraintes - Optimisation de bruit

[8] 0.25 µm Si CMOS Varactor MOS intégré Optimisation de conductance - Optimalisation de
du résonateur facteur de qualité
Les résultats de ces contributions sont montrés dan le tableau I-2, dont ils seront des
références pour motiver nos travaux de recherche.
Tableau I-2. Sommaire de résultats de recherche de conception d’un VCO
Technologie de Consommation Fréquence Gamme Bruit de phase

Référence Alimentation
fabrication d’énergie centrale d’accord @1MHz (dBc/Hz)
[1] MOS (Si) 0,5 V 660µA 2,56GHz 18 % -120@ 1MHz

Bipolaire
[2] 3,5 V 13,2mW 5GHz 290MHz -118@ 1MHz
(InGaP HBT )
Bipolaire
[2] 3,5 V 13,2mW 5GHz 190MHz -118@ 1MHz
(GaAs HBT )
[3] 0.18µm CMOS 1.8 V 8.1mW 4.84GHz 20% -120.7@ 1MHz
0.12-µm 2.2 V
[4] 500 µW 5- GHz 22 % - 126@ 1MHz
SOI CMOS Icore = 9 mA
[5] 0.35-µm MOS 2.5 V 4 mA 2.4-GHz 26% -117@600kHz

0.35 µm RF
[6] 2.5 V 4mA 42.4GHz 26% - ll7@600-kHz
BiCh4OS
[7] 0.25 µm CMOS 3V 6 mW 1.8-GHz - 121@600kHz
V. Effet du bruit de phase sur les performances d’un oscillateur

12
radiofréquence
Afin de mieux comprendre l’importance du bruit de phase dans les systèmes de
communications sans fil, reprenons le schéma fonctionnel simplifié d'un émetteur récepteur
superhétérodyne de la figure I-13, montrant le rôle du synthétiseur de fréquence au sein d’un
émetteur-récepteur radiofréquence.
Fluctuation Spectre de Bruit de Phase
Aléatoire de Bruit
Conversion
Fréquence Fréquence
Canal adjacent Canal désiré Bande de base convertisseur
Filtre VCO
LNA
Accouplement de
VCO à LNA
Circulation/Commutateur Synthétiseur
Filtre de Commande PA
d'Émission
Jupe sur la
sortie de PA convertisseur
Deuxième IF
Figure I-13. Schéma fonctionnel simplifié d'un émetteur-récepteur

Le synthétiseur de fréquence (oscillateur local (OL)) fournit le signal à la fréquence FOL
pour l’émission comme pour la réception. L’oscillateur produit la fréquence de l’oscillateur
local ou ‘‘LO’’. Lorsqu’il est inséré au sein du synthétiseur de fréquence, il peut apparaître
dans son spectre des bandes latérales parasites qui peuvent s’avérer relativement gênantes. Le
signal d’OL contenant du bruit de phase participe alors, à la dégradation des performances du
système [6, 7]. En effet, dans le système de transmission radiofréquence, la fréquence de
l’oscillateur local doit être définie avec une précision importante. Cette fréquence doit varier
par un écart de fréquence minimal généré par le synthétiseur et qui correspond à la distance
entre deux canaux adjacents. Cependant, les limites supérieures et inférieures de chaque canal
sont définies précisément. De plus, la limitation du spectre hertzien, l’émergence des
émetteurs-récepteurs multistandards sont autant de facteurs tendant à modifier l’écart de
fréquence, et imposant par la même des contraintes de plus en plus sévères sur le synthétiseur.
Considérons dans un premier temps, le cas de l’émission et imaginons un récepteur non
bruyant devant recevoir un signal de faible puissance à la fréquence f2. Alors, le bruit de
phase du signal émis à forte puissance et à une fréquence f1 sur un canal adjacent vient
13
perturber le signal à recevoir à la fréquence f2 dégradant ainsi son rapport signal sur bruit
comme le montre la figure I-14. Le problème est d’autant plus critique que dans la plupart des
cas, la différence entre f1 et f2 peut être de l’ordre de quelques dizaines de kilohertz,
seulement pour des fréquences porteuses (f1 et f2) de l’ordre du gigahertz. Ceci impose bien
évidemment des spécifications draconiennes sur le bruit de phase du signal de l’OL [8, 15].
Brouilleur
Siganl reçu
Siganl de sortie Siganl
du synthétisuer converti
fRF fB fréquence f1 fréquence f1 f2 fréquence

Figure I-14 : Effet du bruit de phase
Dans le cas de réception, le signal à recevoir est accompagné de brouilleurs de forte
puissance dans les canaux adjacents. Considérons pour simplifier l’étude dans le cas où le
signal reçu sur l’antenne est constitué du signal utile à la fréquence FRF et d’un seul brouilleur
à la fréquence FB. Alors, en mélange avec le signal de l’OL bruité, nous retrouvons le signal
utile converti autour de la fréquence intermédiaire (FI) mais perturbé par le bruit de phase du
brouilleur converti. Le rapport signal sur bruit à la fréquence intermédiaire s’en trouve alors
dégradé. Ce phénomène est donc particulièrement, gênant pour les normes à faible largeur de
canal telles que la norme GSM [12].
En résumé, le bruit de phase s’avère extrêmement critique dans un système de
communications sans fil puisqu’il dégrade le rapport signal sur bruit en sortie du récepteur,
que ce soit par effet d’interférences avec les canaux d’émission adjacents, par mélange des
brouilleurs avec le bruit de phase de l’OL ou par l’erreur de phase qu’il engendre.
Les faux composants ont pu être provoqués par des fréquences d'horloge connues dans
la source de signal, l’interférence de ligne de puissance, et les produits de mélangeur.
L'élargissement provoqué par la fluctuation aléatoire des bruits est dû au bruit de phase [7,
15]. Cela peut être le résultat du bruit thermique, du bruit de projectile et/ou du bruit de
Flicker dans des dispositifs actifs et passifs. Le bruit de phase d'un oscillateur détermine la
capacité du système de séparer les canaux adjacents.
Un VCO idéal n'aurait aucun bruit de phase. Sa sortie serait une ligne spectrale simple.
Naturellement, en pratique, ce n'est pas le cas. Il y aura du Jitter sur la sortie [15]. Un
oscillateur à bruit blanc (moins bruité) est censé de fournir une référence parfaite de temps au
circuit. Cependant, la sortie de l'oscillateur n'est pas parfaitement périodique à cause du bruit
de phase (interférence de plusieurs signaux parasites). Le bruit de phase prévu dans les
oscillateurs qui sont présents dans un système RF, est extrêmement important parce qu'il
affecte en critique la performance en bruit du système global.
V (f)
f0 -fm f0 + fm
Fréquence
fm f0 2f0 3f0
Figure I-15. Conversion du bruit BF autour d’un signal RF
14
Le canal désiré qui doit être converti est montré comme flèche pleine sur la figure I-
15. En raison du bruit de phase dans l'oscillateur local, le spectre de la sortie de l'oscillateur
n'est pas une fonction de delta, mais est écarté autour de la fréquence d’oscillation [9, 10, 11].
Si un canal adjacent est également, transmis en même temps, dès que la densité spectrale de
puissance de la sortie de l'oscillateur bruyant se diffère de zéro à cette fréquence adjacente de
canal, le canal adjacent sera également, converti en bande de base. En conséquence, nous
nous intéressons, dans cette section, à la pureté spectrale des oscillateurs en présentant le
mécanisme de conversion responsable du bruit de phase dans un oscillateur.
Nous résumons que le signal bruité à la sortie de l’oscillateur est le signal utile autour
de la fréquence centrale, mais perturbé par le bruit de phase. Le rapport signal/bruit à la
fréquence désirée s’en trouve alors dégradé. Ce phénomène est donc particulièrement gênant
pour les normes à faible largeur de canal telles que la norme GSM. Malheureusement, ce
phénomène perturbe l’information contenue dans la phase de la porteuse. Dans un oscillateur
idéal, le spectre de sortie est monochromatique, c'est-à-dire qu’il est composé d’un signal pur
à ω0. En réalité, il est perturbé par des fluctuations de phase (ou de fréquence) et des
fluctuations d’amplitude qui peuvent être assimilées à des modulations. En effet, le bruit
basse-fréquence est converti autour de la porteuse et des harmoniques par un phénomène de
mélange [1, 3, 16].
Dans ce point, une formule pratique étalée par Leeson permet une évaluation linéaire
du bruit de phase d’un oscillateur, mais peut se révéler inexacte, ce qui nous conduira à en
proposer plusieurs littératures qui formulent analytiquement le bruit de phase. Le bruit de
phase permet donc de quantifier la pureté spectrale de l’oscillateur. Nous verrons dans la suite
en quoi ce paramètre est extrêmement critique dans tout système de télécommunication.
VI. Modélisation analytique du bruit de phase d’un VCO-LC
Pour la conception et la réalisation d’un VCO performant, plusieurs modèles décrivant
le comportement statique et dynamique de ces composants sont mis en évidence. Cependant,
afin d‘optimiser leur comportement, il est nécessaire de s‘intéresser au bruit que ces
composants génèrent. Ces modèles décrivent la manière dont le bruit provenant des
différentes sources est converti en bruit de phase. Certains considèrent l’oscillateur comme
Etant un système linéaire invariant dans le temps [4, 8, 9, 11, 16]. D’autres modèles
considèrent l’oscillateur comme un système linéaire variant dans le temps. C’est à cette classe
qu’appartient le modèle développé dans [1, 4, 10, 11]
VI.1. Modèle Linéaire Invariant dans le Temps (LTI)
Habituellement, l’oscillateur peut être approximativement, modelé en tant qu’un
système linéaire. Le LTI est un modèle linéaire du bruit de phase qui ne dépend pas du temps,
il a été proposé par Leeson [9, 10, 11]. Typiquement le spectre de bruit de phase à la sortie du
VCO se découpe en trois régions : une région de bruit très proche de la porteuse, dont la
densité spectrale de puissance diminue en 1 3 . Ce bruit provient de la translation du bruit
f
en 1 de l’oscillateur. Une deuxième région, montant une dépendance en 1 2 trouve son
f f
origine dans les sources de bruit blanc. Et enfin, autre région plancher du bruit, très loin de la
porteuse, est due au bruit blanc minimum présent dans le VCO.
Le résonateur- LC filtre proprement, les fréquences loin de la crête de résonnance, ce
qui améliore la performance en bruit de phase, en particulier avec un résonateur de facteur de
qualité Q élevé. En outre, le stockage d'énergie à l'aide d'une inductance et d'un condensateur
ne demande que seulement, l’ajout d’un minimum d'énergie par les dispositifs actifs, pour
15
aider davantage, à l’amélioration des performances en bruit de phase. En utilisant le modèle

d'un oscillateur à un seul port, nous pouvons comprendre l'origine du bruit de phase et de
dériver les expressions nécessaires qui nous permettraient de le mesurer [4, 5, 11]. Nous
supposerons que le circuit actif qui produit la résistance négative est non bruité. Dans cette
section nous dériverons une expression du bruit de phase d'un oscillateur, en supposant que le
circuit actif contribue une quantité finie de bruit au circuit, c'est-à-dire,
Le circuit actif n'ajoute pas de bruit
Le circuit actif agit en tant que R active = R résonateur seulement à la résonance et
R active = infini à toutes autres fréquences
Il est commode de modeler l’oscillateur LC comme modèle de résistance négative d'un
seul port comme montré dans la figure I-16. Toutes les sources de bruit dans le circuit sont
combinées dans une simple source de courant I R2 tan k .
2
Vrésonateur
C L
I R2 ,résonateur Rrésonateur 2
Vrésonateur - (Ractive = 1/gm)
f1 fh f
Figure I-16. Modèle d’un oscillateur LC avec résonateur bruité en courant

Dans ce modèle, la transconductance du circuit actif, gm, doit compenser la perte
provoquée par la résistance parasite Rrésonateur dans le résonateur. La fonction de transfert en
boucle ouverte pour cet oscillateur est exprimée par :
Tboucle ( s ) = g m
sL
1+ s + s LC
(I-8)
L 2
Rrésonateur
(
ω L 1 − ω 2 LC )
La partie imaginaire de cette fonction de transfert de boucle est égale à :
Im [Tboucle (ω ) ] = g m
( 2⎛
) L ⎞
(I-9)
1 − ω LC + ω ⎜ ⎟
2
2
⎝ Rrésonateur ⎠
2
Si la partie imaginaire de la fonction de transfert de boucle est nulle et le gain de

boucle ouverte est plus grand que 1, le système oscillera à la pulsation ω0 =
1
. Ainsi gm
LC
compensera la perte d'énergie dans le résonateur, ce qui signifie g m ≤
1
.
Rrésonateur
VI.1.1. Bruit du résonateur
Dans la figure I-16, les parasites du résonateur sont simplement, modélisés par une
résistance en parallèle. Le bruit thermique sera aussi modélisé, par le courant de bruit in2 ,
mis en parallèle avec le résonateur. Dans ce cas, l’oscillateur est vu comme système LTI.
Pour étudier qualitativement, l'impact du bruit produit par la perte du résonateur sur
l'oscillateur, nous sommes prêts à déterminer la tension aux bornes du résonateur.
16
⎡ ⎤
⎢ ⎥
Vrésonateur (ω ) = ⎢ ⎥ .iR ,résonateur (ω )
1
⎢ 1 + 1 + jωC ⎥
(I-10)
⎢⎣ R jω L ⎥⎦
La tension de sortie totale est définie par :
⎡ ⎤
⎢ ⎥
= ∫ Vrésonateur (ω ).d ω = ∫ ⎢ ⎥ .4 KTRdf = KT
α α
⎢ ⎥
1
⎢ ⎜ ⎟ + ⎛⎜ 1 + jωC ⎞⎟ ⎥
0 ⎛ 1 ⎞
2
Vtotal 2 2
(I-11)
C
⎣⎢ ⎝ R ⎠ ⎝ jω L ⎠ ⎦⎥
0
Les perturbations en phase dues au bruit aléatoire dans l’oscillateur sont le résultat
d'un décalage aléatoire de la fréquence centrale. Ces variations aléatoires de fréquence sont
provoquées par le bruit thermique et le bruit de Flicker. Le bruit thermique est une fonction de
la température, de la largeur de bande et de la résistance. Le bruit de Shot est une fonction de
courant de polarisation. Le bruit de Flicker est une fonction des caractéristiques du dispositif
actif. Le bruit de phase d'une simple bande latérale est défini comme la puissance de bruit
dans une largeur de bande de 1-Hz à une certaine fréquence relative à la fréquence
d'oscillation. En général, le bruit de phase peut être défini par :
B ( ∆ω ) {dBc / Hz} = 10.log ⎢ sideband 0

⎡P (ω + ∆ω ,1Hz ) ⎤
⎥
⎣ ⎦
(I-12)
Pcarrier
Dans (I-12), Psideband (ω 0 + ∆ω , 1Hz ) représente la puissance d'une simple bande

latérale à une offset de pulsation (∆ω), et Pcarrier représente la puissance totale de la porteuse.
Il convient de noter que l’équation (I-12) inclut les fluctuations d'amplitude et de phase.
Autrement, nous l’exprimons par :
, résonateur ( ∆ω ) /1Hz
B (ω0 + ∆ω ) =
2
Vnoise
2
(I-13)
Vrms , sig
La tension de bruit à la sortie de l’oscillateur peut être exprimée par :

Vnoise , résonateur (ω0 + ∆ω ) = ( ) iR , résonateur (ω0 + ∆ω )
1
+ + j (ω0 + ∆ω )C
(I-14)
R j (ω0 + ∆ω ) L
1 1
Ceci nous permet de trouver la formule suivante
, résonateur (ω0 + ∆ω ) =
4 KTR
⎛ 2Q.∆ω ⎞
2
Vnoise (I-15)
1+ ⎜ ⎟
2
⎝ ω0 ⎠
Il en résulte que
⎛ ω0 ⎞
(ω 0 + ∆ω ) ≈ 4 KTR.⎜⎜ ⎟⎟
2
⎝ 2Q.∆ω ⎠
2
V noise , résonateur (I-16)
Où ω0 est la pulsation d'oscillation ∆ω est une offset de pulsation et Q est le facteur de

qualité dans le résonateur LC, exprimé par Q = R
ω0 L . Autrement il est défini par [13] :
17
Q = 2π .
Maximum d'énergie stockée
(I-17)
Energie dissipée par cycle
Le résonateur Q perpétrera fortement, de bruit de phase et de puissance d'énergie sur
l’oscillateur. L'inductance dans le VCO-LC est habituellement, l'élément de circuit le plus
critique dans la conception typique. Le facteur Q de l'inductance domine tout le facteur Q du
circuit de résonateur. En outre, la gamme d'accord du VCO est fortement affectée par
l'inductance. Le facteur Q du système peut être alors défini par [11, 16] :
Q=
ω0
∆ω
(I-18)
Où ∆ω est la largeur de bande à -3 dB du système. En conséquence, pour une bande, la

densité spectrale de la tension de bruit à la sortie du VCO est exprimée par :
⎡ ω ⎤
(∆ω ) = 4 KTg P ⎢ 0 ⎥ ω02 L2
2
⎣ 2 ∆ω ⎦
2
V on , gp (I-19)
Où gp est la conductance de l’oscillateur.
V 2 ( f ) ∆φ 2
Le bruit de phase peut être exprimé aussi, par la relation suivante :
B { f m } = SSB 2 m = dBc / Hz @ HZ (I-20)
VS 2
Celle-ci nous permet d’exprimer le bruit de phase d’une SSB par :
⎛ ω0 ⎞
4.K .T .R ⎜ ⎟
2
⎧V 2 ⎫
B ( ∆ω ) {dBc / Hz} = 10* ⎨
⎪ noise , tan k [@(ω + ωm )] /1Hz ⎪ ⎝ 2.Q.∆ω ⎠
⎬ ≈
⎪⎩ ⎪⎭
2
10. 2
(I-21)
V sig V sig
La tension de bruit décrite ici inclut réellement le bruit d'amplitude (bruit AM) et le
bruit de phase (bruit P.M.). Si l'oscillateur utilise un circuit de contrôle de gain automatique
(AGC), le bruit AM sera enlevé pour une offset de fréquence. Par conséquent, même lorsqu’il
existe du bruit AM, il peut être disparu avec le temps [4]. Ainsi, il n’a pas d’effet considérable
sur le bruit de phase à la sortie. En négligeant le bruit AM, la densité spectrale de la tension de
bruit s’écrit comme :
⎡ ω0 ⎤ 2 2
Von , gp (∆ω ) = 2 KTg P ⎢ ⎥ ω0 L
2
⎣ 2 ∆ω ⎦
2
(I-22)
Pratiquement, les résonateurs peuvent avoir des éléments parasites (annexe A).
VOUT
RL RC
RP
L C
Figure I-17. Circuit du résonateur en présence des éléments parasites

Où RL et Rc représentent respectivement, la résistance parasite en série avec
l'inductance et le condensateur. Dans ce cas, nous définissons la résistance efficace en série,
Reff par :
R eff = RL + RC +
RPω02C 2
1
(I-23)
18
Nous pouvons montrer que la densité spectrale de la tension de bruit de sortie est [4] :
⎡ ω ⎤
Von2 , gp (∆ω ) = 2 KTReff ⎢ 0 ⎥
2
⎣ 2 ∆ω ⎦
(I-24)
En conséquence, pour compenser les pertes de ce résonateur, gm de l'élément actif doit
( )
être :
g m = R eff ω0 C
2
(I-25)
VI.1.2. Bruit d'élément actif

Le bruit se trouve également dans les éléments actifs de l’oscillateur. Ce bruit peut
2
être modélisé par un courant de bruit de sortie in , gm , comme montré par l’équation (I-26)
in2, gm = 4 KT .Fgm .g m (I-26)
Où Fgm est le facteur de bruit de l'amplificateur. En utilisant (I-25) et en appliquant le

même procédé, la densité spectrale de la tension de bruit à la sortie de l’oscillateur est [4] :
⎡ ω ⎤
Von2 , gp (∆ω ) = 2 KTReff .Fgm . ⎢ 0 ⎥
2
⎣ 2 ∆ω ⎦
(I-27)
Les oscillateurs non linéaires ont habituellement, un facteur de bruit différent du

facteur de bruit linéaire FGm. Par conséquent, un facteur α est multiplié à Fgm pour représenter
la quantité de bruit que l'amplificateur bruyant réel produit en excès par rapport à un
amplificateur bruyant idéal [4]. En définissant A par α Fgm, nous récrivons (I-27) par :
⎡ ω ⎤
(∆ω ) = 2 KTReff . A. ⎢ 0 ⎥
2
⎣ 2 ∆ω ⎦
2
V on , gm (I-28)
La densité spectrale du bruit global d’une bande est indiquée par :

⎡ ω ⎤
V (∆ω ) = 2 KTReff . (1 + A ) . ⎢ 0 ⎥
2
⎣ 2∆ω ⎦
2
on (I-29)
Pour une oscillation sinusoïdale d’amplitude V0, le bruit de phase de l'oscillateur pour
une offset ∆ω est donné par :
⎡ ω0 ⎤
B(∆ω ) = . (1 + A) . ⎢ ⎥
2
4 KTReff
⎣ 2∆ω ⎦
(I-30)
V02
Cette équation présente le bruit de phase de l’oscillateur LC prévu par le modèle LTI.
Nous notons qu'une méthode semblable peut être également, appliquée à d'autres types
d'oscillateurs tels que les oscillateurs en anneau [4, 11].
VI.1.3. Limitation du modèle de bruit de phase LTI

Le modèle de bruit de phase LTI explique avec succès pourquoi le bruit de phase
diminue avec une pente de -20dB/dec pour le bruit additif. Cette théorie classique et simple
peut être appliquée à différents genres d'oscillateurs et fournit une évaluation acceptable dans
quelques conceptions. Elle précise également, deux manières pour réduire le bruit de phase
selon l'équation (I-30), soit par une diminution de la résistance efficace Reff soit par une
augmentation d'amplitude d'oscillation [4, 11, 16].
Cependant, en raison de la nature non-linéaire de l’oscillateur, le modèle LTI ne peut
19
pas expliquer beaucoup d'effets de bruit de phase des oscillateurs. Il ne permet

malheureusement pas de faire des prévisions quantitatives. De plus, il ne s’applique pas à tous
les oscillateurs et n’intègre pas efficacement les sources de bruit cyclostationnaires. Par
1
exemple, il ne peut pas expliquer la région 3 résultant par le bruit de Flicker. Les expériences
f
indiquent également que le bruit du dispositif aux hautes fréquences peut être interféré dans la
bande de porteuse et contribue au bruit de phase à la sortie (également appelé bruit
multiplicatif).
Le modèle LTI ne peut plus expliquer ce phénomène. En outre, il n'y a aucune
équation analytique pour le paramètre A de l’équation (I-30) et donc c'est toujours un
paramètre empirique. Par conséquent, ce modèle linéaire a été souvent employé car il ne
d’Hajimiri [8, 9, 10], il considère que le point ω 1 d’intersection entre les régions de bruit
dépend que du facteur de bruit A qui peut être mesuré ou simulé. Contrairement au modèle
f3
en 1 et 1 2 est identique au point ω 1 d’intersection entre le bruit en 1/f et le bruit blanc

f3 f f
au niveau des sources de bruit. De plus, le modèle considère que le bruit de phase est un
phénomène indépendant du temps alors que le modèle d’Hajimiri vérifie cette dépendance [4].
En résumé, cette approche ne représente aucune amélioration fondamentale par rapport
au modèle du Leeson. Dans la seconde partie, nous présentons le modèle LTV du bruit de
phase qui dépend de la fonction de Sensibilité Impulsion du VCO ISF [4, 11].
VI.2. Modèle de Hajimiri : Modèle linéaire Variant dans Temps (LTV)

Dans le modèle de bruit de phase LTI, les réponses de l'oscillateur aux sources de bruit
sont rapprochées par des systèmes LTI. Cependant, tous les oscillateurs sont essentiellement
des systèmes à variables en fonction du temps. C’est à cette classe qu’appartient le modèle
développé dans [4, 10, 11]. C’est ce dernier que nous présentons ici, car il a l’avantage de
donner une expression simple de bruit de phase permettant de faire des prévisions
quantitatives. Il convient de plus particulièrement bien à la réception du bruit de phase dans
les VCO en anneaux ou LC.
La tension et le courant dans un oscillateur doivent être changés périodiquement pour
produire l'oscillation. A partir de la nature de temps-variant des oscillateurs, Hajimiri a
proposé un nouveau modèle de bruit de phase (LTV) [4, 11]. Ce modèle consiste à considérer
un oscillateur comme un système à n entrées (chacune associée à une source de bruit) et deux
sorties : A(t) et Ф(t) où ces deux grandeurs représentent respectivement, les fluctuations
d’amplitude et de phase caractéristiques du signal de sortie d’un oscillateur. Les sources de
bruit en entrée Etant modélisées par des sources de courant injectées aux nœuds du circuit et
des sources de tension en série dans les branches du circuit [4, 11].
VI.2.1. Fonction de sensibilité d'impulsion (ISF)

Le modèle proposé par Hajimiri considère que le bruit de phase est dépendant du
temps de l’injection. Il dépend alors, de la fonction de la sensibilité ISF de l’oscillateur.
Cette fonction est, par définition, sans dimension, elle ne dépend pas de l’amplitude et de la
fréquence d’oscillation. Comme nous l’avons spécifié à la section V, le bruit d’amplitude est
négligeable devant le bruit de phase. Par conséquent, pour chaque source d’entrée, nous
pouvons assimiler l’oscillateur au système présenté par la figure I-18, dans lequel hФ(t, ) est
une réponse impulsionnelle en phase de l’oscillateur [4, 11].
20
i (t ) i (t )
i (t ) φ (t )
hφ (t ,τ )
0 τ t 0 τ t
Figure I-18. Modèle de la réponse impulsionnelle en phase
La même perturbation se produisant à différents temps aura comme conséquence
différents déphasages dus à la nature de temps-variant des oscillateurs. Par conséquent, selon
l’instant auquel est injectée l’impulsion en courant, (figure I-19), la réponse en phase de
l’oscillateur est différente [1, 6].
i(t) L C
Figure I-19. Impulsion injectée dans un Résonateur LC idéal

En injectant un courant dans un résonateur LC idéal comme montré dans la figure I-19,
l'amplitude d'oscillation augmenterait de ∆V si l'injection se produisait à la crête (pente nulle)
(figure I-20 (a)). Nous notons que le temps de passage par zéro (pente maximale) n'est pas
changé dans ce cas. Dans des oscillateurs pratiques, cette variation d'amplitude disparaîtra
rapidement en raison de leur perte. Ainsi, la perturbation à la crête présente peu de bruit de
phase. Au contraire, si la même perturbation est injectée au passage à zéro, elle n'exerce
aucun effet sur l'amplitude d'oscillation, mais produit un déphasage comme montré dans la
figure I-20 (b). Bien que la dépendance de temps représentée dans la figure I-20 soit
seulement démontrée par un circuit LC idéal, un phénomène semblable se produit dans tous
les oscillateurs [4, 15].
∆V
VOUT VOUT
∆V
a) b)
Figure I-20. Impulsion injectée : (a) à la crête, (b) au passage par zéro
Le système de la figure I-19 peut donc être considéré comme un système linéaire
variant dans le temps, en supposant la linéarité de la phase par injection de courant. Cette
hypothèse est vérifiée en pratique compte tenu du fait que les sources de bruit sont de faible
amplitude par rapport au signal utile. Dans ces conditions, la réponse impulsionnelle hФ(t, )
caractérise complètement le système.
En considérant le circuit d’un oscillateur typique, les sources de bruit dans le circuit
sont, d’une part les résistances parasites de l’inductance et de varactor et d’autre part le
courant des drains des transistors NMOS et PMOS. Le signal v(t) varie d’une valeur
21
∆q
∆V = à cause de l’injection. À partir de Hajimiri [11], la réponse de la phase à une
C
injection est donc un échelon dont l’amplitude dépend périodiquement du temps auquel est
Γ (ω0τ )
injectée l’impulsion, soit :
hφ ( t ,τ ) = u (t −τ ) (I-31)
qmax
Où,
* u(t) est la fonction de Heavyside (fonction de pas d'unité),
* qmax = CeqVmax est la variation de charge maximale aux bornes de la capacité du nœud
d’injection Ceq, Vmax la dynamique maximale en tension de l’oscillateur au nœud considéré ;
* Γ(x) est une fonction sans dimension, périodique en ω0, traduisant la sensibilité en
phase de l’oscillateur et appelée ISF (Impulse Sensitivity Function).
La variation de phase résultant de l’injection de courant est définie selon Hajimiri par :
∆V ∆q
∆Φ = Γ (ω0t ) = Γ (ω0t ) (I-32)
Vmax qmax
Cette dernière fonction peut par conséquent être décomposée en série de Fourier :
Γ (ω0τ ) = + ∑ Cn cos ( nω0τ )

C0 ∞
(I-33)
2 n =1
Où Cn représente les coefficients de Fourier réels [1, 4, 11].
La connaissance de la fonction hФ (t, ) permet donc de déterminer la réponse en phase
de l’oscillateur à un courant d’entrée arbitraire i(t) injecté à un nœud du circuit :
φ (t ) = ∫ hφ ( t ,τ ) i (τ ) dτ = q ∫ Γ (ω τ ) i (τ ) dτ
+∞ t
1
0 (I-34)
−∞ max −∞
Considérons maintenant que le courant injecté à un nœud donné du circuit est
i (t ) = I n cos ⎡⎣( nω0 + ∆ω ) t ⎤⎦

sinusoïdal à une fréquence proche d’un multiple de la fréquence d’oscillation, il s’écrit alors :
(I-35)
Où n est un entier et ω0 est la pulsation d’oscillation,

Avec ∆ω est une pulsation négligeable devant ω0.
En substituant (I-36) dans (I-37), la phase excessive, Ф(t), est indiquée par :
∫ i (τ ) dτ +∑ Cn
1 ⎡ C0 ⎤
φ (t ) = ∫ ( ) ( )
∞
⎢ τ ω τ τ ⎥
t t
qmax ⎣ 2 ⎦
i cos n d (I-36)
n =1
0
−∞ −∞
Nous pouvons alors exprimer Ф(t) de la façon suivante :

I n Cn sin ( ∆ωt )
φ (t ) ≈
2qmax ∆ω
(I-37)
Finalement, le signal de l’oscillateur est obtenu directement par la relation (I-37). Le

diagramme en bloc du modèle est montré dans la figure I-21.
22
CO
∫
t
C1.cos (ω0t + ϕ1 )
0
∫ ϕ (t )
t
cos (ω0t + ϕ (t ) ) V (t )
i (t )
Cn .cos ( nω0t + ϕn )
0
qmax
∫
t
Figure I-21. Les blocs du modèle de VCO
VI.2.2. Transformation phase-tension

Pour calculer le bruit de phase, il est nécessaire de calculer la densité spectrale
de puissance (PSD) de la tension de sortie de l'oscillateur. Ceci exige la connaissance de
liens entre cette tension et les variations de phase excessives. Les deux processus en
cascades (figure I-22) permettent la conversion du courant de bruit du dispositif en
tension de sortie.
convertisseur Bruit - phase convertisseur phase - tension
φ (t )
(LTV) (non linéaire)
i(t) V(t)
Modualtion de
intégrateur
phase
ISF
Figure I-22. Schéma fonctionnel du modèle de bruit de phase LTV

Le premier processus de courant-à-phase LTV a été discuté dans la section V.2.1, alors
que le deuxième système est un système non-linéaire de modulation de phase (P.M.) qui
Vout (t ) = V0 cos [ω0 t + Vm sin ∆ω t ]

transforme la phase excessive à la tension de sortie. Un signal en cosinus P.M. peut être écrit :
(I-38)
Il est bien connu qu'un tel procédé P.M. ait comme conséquence deux bandes latérales
supplémentaires aux pulsations ω0 ± ∆ω (si Vm est petite) [4]. Vout est alors donné par :
Vout (t ) = V0 cos ω0 t − ⎡cos (ω0 − ∆ω ) t − cos (ω0 + ∆ω ) t ⎤⎦

2 ⎣
VmV0
(I-39)
Par conséquent, pour un courant injecté au nœud considéré, à une fréquence proche de
soit Sφ (ω ) , comprend deux raies à ±∆ω . Ainsi, par modulation de phase du signal
tout entier multiple de la fréquence d’oscillation f0, la densité spectrale de puissance de Ф(t),
d’oscillation à la fréquence f0, la densité spectrale de puissance de la tension de sortie de
23
l’oscillateur ( Sφ (ω ) ) comprend deux raies à ω0 ± ∆ω [4, 6]. La puissance de l’une de ces

raies par rapport à la porteuse est alors donnée par :
⎛ I n cn ⎞
PB (ω ) = 10.log ⎜ ⎟
2
⎝ 4qmax ∆ω ⎠
(I-40)
Considérons à présent une source de courant de bruit In(t) dont la densité spectrale de courant
( S In (ω ) =
in2
∆f
) comprend à la fois un plancher de bruit et une région en 1/f. Nous notons que
=
∆f
I n2 in2
In représente l'amplitude maximale, d’où, pour une largeur de bande d'unité.
2
Le mécanisme de conversion de ce bruit autour de la porteuse est décrit, d’après ce
modèle, par la figure I-23. En outre, un courant injecté à nω0-∆ω aura comme conséquence les
mêmes bandes latérales égales. Ainsi, l’expression (I-40) devrait être multipliée par un facteur
S I n (ω )
de 2 [1, 4].
Bruit de Fliker
ω
ω0 2ω 0 3ω0
Sφ (ω ) C0
C1 C2
C3
ω
ω0 2ω 0 3ω0
SV (ω )
Modulation de phase
ω
ω0 2ω 0 3ω0
Figure I-23. Mécanisme de conversion du bruit autour de la fréquence d’oscillation
Les composantes de bruit localisées près des multiples entiers de f0 sont donc,
Sφ (ω ) correspond à la somme des contributions de chaque source de bruit au voisinage des

converties en bruit de phase dans le spectre de la tension de sortie v(t) de l’oscillateur [1].
multiples entiers de ω0 pondérée par les coefficients de Fourier Cn de la fonction «ISF» [4].
En se basant sur cette analyse, la densité spectrale de bruit de phase (dBc/Hz) due à une
source de courant de bruit blanc à un nœud donné du circuit et à une pulsation ∆ω de la
⎡ in2 ∞ 2 ⎤
porteuse vaut :
⎢ .∑ Cn ⎥
∆f
Sφ {∆ω} = B (ω ) = 10.log ⎢ 2 n =0 2 ⎥
⎢ 4qmax ∆ω ⎥
(I-41)
⎢ ⎥
⎣⎢ ⎦⎥
24
Où, * Cn représentent les coefficients de Fourier de la fonction « ISF » ;

in2
∆f
* est la densité spectrale de courant de la source de bruit considérée.
∑ cn = ∫ Γ ( x ) dx = 2Γ2rms
Selon la relation de Parseval, le terme d'addition est donné par :
∞ 2π
π
2 1 2
(I-42)
n=à
Où Γ rms est la valeur efficace (rms) de la fonction ISF, le bruit de phase est défini par :
0
⎡ in2 ⎤
⎢ 2 ⎥
Γ rms ∆f ⎥
B {∆ω } = 10.log 2
⎢
⎢ qmax 2.∆ω 2 ⎥
(I-43)
⎢ ⎥
⎣⎢ ⎦⎥
Cette équation modélise donc, le bruit de phase d’un oscillateur dans la zone de
conversion de bruit thermique. En employant le modèle LTV, le rapport entre l’angle du
dispositif 1 et l’angle du bruit de phase 1 3 peut être trouvé. Nous notons que ces deux
f f
fréquences de l’angle sont habituellement supposées confondues. Cependant, les mesures
annulent fréquemment une telle égalité [4, 11]. Le spectre de bruit du dispositif dans la partie
ω1
dominée par le bruit de Flicker peut être dénoté par :
in2, 1 = in2
∆ω
f
(I-44)
f
En suivant la même dérivation, le bruit de phase résultant du bruit de Flicker est :

⎛ ⎞
⎜ 2 ω1 ⎟
in2
∆f
B {∆ ω } = 10.log ⎜ 20
f ⎟
⎜ qmax 4.∆ ω 2 ∆ ω ⎟
c (I-45)
⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ⎠
Par conséquent, la fréquence de l’angle peut être résolue par :
ω 1 =ω1
c02
f 2Γ
2
(I-46)
f3 rms
Nous résumons que le modèle d’Hajimiri donne une expression de la fréquence
d’intersection entre la zone de conversion de bruit en 1/f et la zone de conversion de bruit
thermique, soit f 1 :
1 ⎛ C0 ⎞
f3
= f1 ⎜ ⎟
2
2 ⎝ C1 ⎠
f1 (I-47)
f3 f
Avec, f 1 est la fréquence de coupure du bruit en 1/f, C0 et C1 sont les deux premiers
f
coefficients de Fourier de la fonction « ISF ». Pour plus d’information concernant le modèle

d’Hajimiri et la détermination de l’ISF, voir Annexe A-2
VI.2.3. Avantages et inconvénients du modèle LTV

Le modèle de phase d'Hajimiri (LTV) est un modèle général qui peut être appliqué à
toutes sortes d'oscillateurs. Il peut être même, prolongé pour estimer le bruit de phase d'autres
25
circuits dans lesquels le point de fonctionnement change avec le temps. La difficulté

principale de ce modèle est l'obtention de l'ISF, qui est évidemment le noyau du modèle. Bien
qu'il y’a plusieurs méthodes, parmi les plus fiables et plus précises est d'injecter un courant de
perturbation et d'observer la réponse de phase des oscillateurs (annexe A). Cependant, pour
obtenir un ISF avec exactitude, beaucoup de simulations en fonction du temps doivent être
effectuées [11].
VI.3. Modèle de Samori : Modèle Non-Linéaire à Temps-Invariant (NTI)

La prétention que les transistors des oscillateurs fonctionnent dans leur région linéaire
n'est habituellement pas tenable. Comme mentionné avant, le modèle de phase LTI ne peut
pas expliquer les nombreux effets non-linéaires tels que l’interférence de bruit. Par
conséquent, la non-linéarité dans les oscillateurs devrait être prise en considération dans le
modèle de bruit de phase.
Avec la maturité des inductances intégrées, les oscillateurs LC sont largement
répandus dans des conceptions de télécommunication dues à leur bonne performance en bruit
de phase, exécution simple et sortie différentielle. Le bruit de phase de ce type d'oscillateur
est devenu une matière de recherches très répandue [3, 11, 15]. Samori a proposé un modèle
non-linéaire de bruit de la phase en temps-invariant (NTI) pour les VCO [4, 5]. Ce modèle
explique comment le bruit d’un dispositif produit le bruit de phase en analysant la non-
linéarité de la conductance de la paire différentielle dans les oscillateurs LC. Le modèle
fournit également beaucoup de perspicacités de conception et de règles très utiles
d'optimisation pour réduire le bruit de phase. Le bruit de sortie produit par un résonateur a été
ωC
calculé dans la dérivation du modèle LTI (équation (I-19)). Il est bien connu que le facteur Q
du résonateur soit Q = 0 où got est la conductance parallèle équivalente du résonateur
g ot
ω 2C 2
donnée par :
g ot ≈ g pC + g pL + 0 + 2 2
ω0 L g sL
1
(I-48)
g sC
Où les termes gSC et gSL sont respectivement, les conductances parasites en série avec
C et L, gPC et gPL sont les conductances en parallèle aux mêmes éléments réactifs, et ω0 est la
fréquence d'oscillation.
Par définition [4], la densité spectrale d'une bande de la tension de bruit de sortie peut
KT ω0 1
également être exprimée par :
Von2 , got (∆ω ) =
C Q ∆ω 2
(I-49)
Semblables au facteur A dans le modèle LTI de l’équation (I-33), toutes autres

tensions de bruit produites par les dispositifs actifs sont prises en considération en multipliant
Von2 , got (∆ω ) par un facteur F. Par conséquent, le bruit de phase pour une offset ∆ω est égal à :
2 KT ω0 1
L ( ∆ω ) = (1 + F )
A02 C Q ∆ω 2
(I-50)
Où A0 est l'amplitude d'oscillation.
VII. Etude des principaux paramètres d’optimisation du VCO-RF

L’évolution des technologies des semi-conducteurs vers des géométries de plus en
plus fines permet un accroissement des performances et des fonctionnalités par puce, mais
s’accompagne simultanément d’une augmentation de la puissance dissipée. Alors que
26
les utilisateurs sont de plus en plus friands d’applications portables, la conception de

circuits intégrés doit désormais prendre en compte la valeur limite de la puissance
consommée. Il est donc essentiel de développer des circuits microélectroniques très basse
puissance. La réduction de la tension d’alimentation VDD s’avère une approche très
intéressante puisque cela permet de réduire la puissance dynamique statique. Cependant,
bien que réduire fortement la tension d’alimentation soit une méthode efficace pour
diminuer la consommation, elle ne peut pas être appliquée arbitrairement, car cela affecte
négativement les performances, le délai dans les cellules augmentant lorsque VDD devient
inférieure à la tension de seuil. Il faut donc trouver un compromis entre fréquence et
consommation.
En fait, Quelque soit l'application, certaines abréviations, que nous devons respecter
sont trop restrictives. Elles peuvent être récapitulées par : Puissance dissipée; Tension
d'alimentation ; Bruit ; Linéarités ; Gain ; Adaptation d’Entrée/sortie; Amplitude
d'oscillations; Fréquence….
Pour compliquer l'activité de conception, plusieurs de ces paramètres échangent l'un

avec un autre. Suivant la technologie employée, l’amélioration des performances se fera sur la
base d’un compromis. Un aperçu des paramètres à ajuster pour la conception de circuits
analogiques est décrit en utilisant ‘‘l’octogone analogue de conception’’ illustré dans la figure
I-24. Par exemple, il est possible d’améliorer le gain, mais au détriment de la sensibilité en
entrée du circuit, donc du bruit, ou de la puissance consommée.
Bruit Linéarités Gain
Tension
Puissance dissipée VCO-RF
d'alimentation
Adaptation de tension Amplitude

Fréquence
contrôle / sortie d'oscillations
Figue I-24. Octogone de conception

En particulier les exigences de bruit pour des applications sans fil commerciales sont
trop dures pour être respectées en utilisant les technologies standards CMOS ou BiCMOS à
bas coût. Le substrat CMOS de faible résistivité empêche la réalisation des inductances de
haute qualité et cause des parasites et des effets dévastateurs.
L’amélioration des paramètres cités à la figure précédente impose la recherche et le
développement de nouvelles technologies financièrement compétitives, avec un faible temps
de mise sur le marché. Des efforts importants sont à fournir dans la compréhension des
phénomènes physiques, afin de guider le technologue et le concepteur dans la réalisation et
l’optimisation de circuit micro-ondes. En résumé, en s’aidant des divers travaux de
recherche, nous pouvons prévoir une structure performante pour le VCO à concevoir. La
figure I-25 montre une structure future que nous estimons plus performante. Notre travail est
consacré pour l’optimisation de cette structure en tenant compte de diverses contraintes
existantes.
27
Optimisation des paramètres de conception
Amplificateur Resonateur
-gm LC
+ - Contrôle de
- gm frequénce
- +
Circuit de Itail
protection VBias Synthèse de
fréquence
Filtrage de
bruit
Figure I-25. Structure performante du VCO à concevoir

Les modifications proposées sont mises dans le tableau suivant :
Tableau I-3. Grille d’appréciations des améliorations proposées
Contributions Améliorations attendues

- Choix de structure (NMOS, PMOS, Minimisation de bruit, sensibilité,
CMOS) consommation
Circuit actif
- Dimensionnement - Stabilité
- Modélisation
Inductance - Facteur de qualité
- Optimisation paramétrique
résonateur
condensateur Choix du varactor (type, structure) - Fréquence
-circuit de polarisation - Limitation de courant
Circuits d’amélioration - Filtre de bruit - Suppression de bruit
- Buffer - Amplitude de signal de sortie

- Asservissement (PLL) - Réglage d’amplitude
- Spécifications paramétriques - Réduction de bruit et de Jitter
Structure globale - Satisfaction des contraintes - Optimisation de bruit de phase
Optimisation de la région de conception - Optimisation de consommation
-Arrangement des composants -Minimisation des capacités parasites
28
Dans ce travail, nous nous basons sur les divers modèles analytiques existants et les
simulations par ADS, MATLAB et SPICE pour prévoir le fonctionnement de l’oscillateur,
puis nous améliorons le VCO proposé.
VIII. Conclusion
Après être assuré du fonctionnement oscillant, il est nécessaire d'étudier le bruit de
phase dans le VCO ainsi que la consommation puissance. Ceci nécessite une étude
approfondie concernant les différents paramètres de conception ainsi que des modélisations
des différents phénomènes participant à la gradation du signal.
Nous avons consacré une grande partie de ce chapitre pour une présentation de
plusieurs modèles de bruit de phase de: Leeson, LTI, LTV et NTI. Le modèle de Leeson est
un modèle empirique qui ne peut pas être employé dans la prévision du bruit de phase. Les
constantes empiriques dans ce modèle doivent être obtenues à partir des mesures. En
appliquant la théorie linéaire classique de circuit, le modèle LTI donne une explication de la
pente de -20dB dans le plan du bruit de phase. Il fournit également de la perspicacité de
conception pour supprimer le bruit de phase. Cependant, puisque la non-linéarité dans
l’oscillateur est négligeable, le modèle ne représente aucune amélioration fondamentale
rivalisant avec le modèle du Leeson. Le modèle LTV et le modèle NTI considèrent
l'oscillateur comme système non-linéaire. Dans le modèle NTI, pour un oscillateur-LC, la
transconductance de la paire différentielle est considérée directement, comme non-linéaire.
Cette non-linéarité plie le bruit à différentes fréquences dans la bande de porteuse. D'autre
part, le modèle LTV considère l'oscillateur comme système linéaire, mais variant dans le
temps, aux sources de bruit. Si un système linéaire est variant dans le temps, il peut également
produire des composantes de fréquence qui n'existent pas dans le signal d'entrée (les
fréquences de bruit). En d'autres termes, dans le modèle LTV, l'oscillateur agit en tant que
VCO et changeant sa fréquence de fonctionnement due à la modulation FM provoquée par le
bruit produit. Dans le modèle NTI, le bruit de phase vient du mélange des petits signaux du
bruit dû au comportement non-linéaire de l'oscillateur, où le bruit se mélange au signal et aux
harmoniques d'oscillation pour produire des fréquences de bande latérale de chaque côté du
signal mère. De ce point de vue, nous pouvons conclure que ces deux modèles sont deux
manières différentes de regarder le même problème. Nous notons que le modèle LTV est un
modèle général, mais le modèle NTI discuté ici est utilisé seulement pour des oscillateurs LC.
Cependant, le modèle NTI fournit beaucoup de perspicacités très utiles de conception qui
mènent à beaucoup de techniques de suppression de bruit de phase.
En résumé, comme nous avons indiqué dans ce chapitre, depuis de nombreuses
années, les recherches technologiques en télécommunication sont les bases de nos travaux
effectués. Ces travaux requièrent une bonne connaissance des modèles compacts et fiables de
bruit de phase afin de spécifier les problématiques fondamentales de conception et identifier
les origines physiques des différentes sources de bruit dans le VCO. Dans ce contexte nous
nous sommes intéressés à la caractérisation et à la modélisation des oscillateurs LC.
Après avoir abordé les notions de base de conception, nous nous serons focalisés dans
le deuxième chapitre sur l’amélioration de la structure du VCO, permettant une optimisation
complète et performante. Le travail présenté dans ce chapitre est, au final, une porte ouverte à
la contribution aux problématiques primordiales de conception qui seront l’objet de notre
travail de recherche.
29
Bibliographie
Bibliographie
Chapitre I
Bibliographie
Référence :
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accordables en fréquence en technologies Si et SiGe pour les radiocommunications",
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3. S.Mazet ‘‘Conception et réalisation d’oscillateurs contrôlés en tension à faible bruit de
phase pour des systèmes de télécommunications spatiales’’, thèse N° d’ordre : 46-
2003 Université de Limoges, 20 novembre 2003.
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5. 5. Z.Zhu, W.Alan Davis, Kamal Sinha, ‘‘An Optimization Procedure in Low-Phase-
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Midwest Symposium on, Vol.1, Issue, 7-10 Aug. 2005, pp: 519-522.
6. R.Ramzan, S.Andersson, J.Dabrowski, C.Svensson ‘‘Multiband RF-sampling receiver
front-end with on-chip testability in 0.13µm CMOS’’, Springer, Analog Integr Circ
Sig Process, 20 February 2009.
7. Y.Yu, L.Bu, S.Shen, B.Jalali-Farahani, G.Ghiaasi, P.Zhang, M.Ismail, ‘‘A 1.8V Fully
Integrated Dual-band VCO for Zero-IF WiMAX/WLAN Receiver in 0.18µm CMOS’’
IEEE Circuits and Systems, 2005. 48th Midwest Symposium on, 2005. pp1248-1259.
8. A.Hajimiri, T. H.Lee, “A general theory of phase noise in electrical oscillators,” IEEE
J. Solid-State Circuits, vol. 33, no. 2, Feb. 1998. pp: 179-194,
9. T.H.Lee, A.Hajimiri, “Oscillator phase noise: a tutorial,” IEEE J. Solid-State Circuits,
vol. 35, no. 3pp. 326-336, March 2000.
10. D.Ham, A.Hajimiri, ‘‘Concepts and Methods in Optimization of Integrated LC
VCOs’’ IEEE Journal of solid-State circuits, vol. 36, no. 6, June 2001.
11. W.Altabban, P.Desgreys, H.Petit, ‘‘Implémentation et Simulation d’un modèle LTV
du bruit de phase dans un VCO’’, 8ème colloque sur le Traitement Analogique de
l’Information, du Signal et ses Applications, TAISA2007, Lyon, Octobre 2007
12. N.Boughanmi, A.Kachouri, M.Samet, ‘‘Optimum VCO’s for radiofrequency
Applications’’, The 56th Electronic Components and Technology Conference,
ECTC2006, California, June, 2006.
13. N.Boughanmi, A.Kachouri, M.Samet, ‘‘High Q-VCO with Low phase noise for
Communications applications’’ JTEA, Tunisia, Mai 2006
14. N.Boughanmi, A.Kachouri, M.Samet, ‘‘Conception et caractérisation d’un oscillateur
utilisé en GSM’’, ICISP, Agadir, Juin, 2003
15. N.Boughanmi, A.Kachouri, M.Samet, ‘‘Optimization of phase noise in fully integrated
LC-VCO for RF Applications’’, JS-EABA 2007 5èmes Journées Scientifiques, Borj el
Amri, Mai 2007.
16. N.Boughanmi, A.Kachouri, M.Samet, ‘‘Conception of Low Phase Noise RF-VCO
Using MOS Varactor’’, IJCSNS International Journal of Computer Science and
Network Security, vol.7, no.9, September 2007.
Chapitre
II
Etude et amélioration des

techniques de contrôle de
fréquence d’un VCO-RF
Chapitre II : ETUDE ET AMELIORATION DES
TECHNIQUES DE CONTROLE DE LA FREQUENCE
D’UN VCO-RF
Résumé :
Ce chapitre présente une vaste étude des principales caractéristiques des varactors, et ce
pour prévoir la possibilité de contrôler la fréquence des oscillateurs conçus pour un système
de télécommunication.
Ce chapitre consiste à étudier l'influence des diverses structures de varactor sur les
performances du VCO. Pour cela, nous présenterons une étape de caractérisation et de
modélisation des varactors et de leurs caractéristiques C-V. Nous avons développé un plan
analytique pour déterminer le varactor convenable. Les propriétés des varactors décrites dans
ce chapitre orientent notre choix vers une structure de haute fréquence. Enfin, nous montrons
nos contributions architecturelles du VCO à concevoir.
Les résultats de simulations montrent clairement que le VCO en présence des paires de
varactors en séries peut atteindre des hautes fréquences autour de 3,2 GHz. Le bruit de phase
du VCO-VC est de l’ordre de -146 dBc/Hz à 1 MHz et de -132 dBc/Hz à 200 kHz de la
porteuse pour des tensions de contrôle appliquées égales à 1V et une tension d’alimentation
de 2,5 V. Les contributions apportées au VCO-renforcé permettent d’améliorer les
performances du VCO en bruit de phase qui est de l’ordre de -163dBc/Hz.
Ce chapitre est fini par des propositions intéressantes qui seront à la base de
conception d’une architecture de VCO performante.
Mots-clés :
Varactor, oscillateur, fréquence, capacité, C-V, MOS, filtre, bruit de phase.
Chapitre II Eude et amélioration des techniques de contrôle de la fréquence d’un VCO-RF
I. Introduction
L’inductance joue un rôle important dans un VCO-LC, elle influe sur les performances
du VCO en fréquence, bruit de phase et en consommation. Par conséquent, la conception d’un
condensateur fortement réglable est nécessaire. Le varactor MOS est un condensateur
variable, c’est un composant intéressant à caractériser dans la perspective de la réalisation des
circuits à accord variable tels que les oscillateurs-LC contrôlés en tension (VCO) (figure II-1).
Le varactor ou varactance est l'élément le plus utilisé dans les applications de systèmes de
communications (chaîne d'émission et de réception).
VDD
VDD VDD
M3 M4
Contrôle de
fréquence
circuit de
résonance
Vout - Vout +
M1 M2
Figure II-1. Architecture du VCO à concevoir

Dans ce chapitre, nous étudions la conception et la modélisation des condensateurs
réglables. Nous montrons une stratégie de modélisation et évaluation des capacités, des divers
varactors et des paramètres de conception du VCO. Aussi, nous étudions les caractéristiques
C-V des varactors MOS, qui contiennent de riches informations sur le comportement de semi-
conducteur. A la fin de ce chapitre nous proposons quelques techniques d’affermissement des
performances du VCO souhaité.
II. Eude et caractérisation d’une structure de varactor MOS

Les considérations de conception pour un condensateur de contrôle RF incluent : la
fréquence de fonctionnement, le rapport entre les capacités maximum et minimum et le
facteur de qualité. Les caractéristiques dépendent de l'application prévue du condensateur
variable. Les varactors MOS sont des condensateurs variables, contrôlés en tension, basés sur
une structure MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) [2, 5]. Leurs
applications principales sont le contrôle de fréquence des oscillateurs LC contrôlés en tension
(VCOs). Le transistor MOSFET est constitué de :
deux zones appelées : source et drain (régions semi-conductrices de même type de
dopage) reliées à leur électrode respective.
une électrode de commande appelée grille qui surplombe la zone de canal.
Le courant dans les transistors MOS est un courant unipolaire de porteurs
majoritaires :
les électrons dans le cas du transistor NMOS (source et drain sont de type N).
30
les trous dans le cas du transistor PMOS (source et drain sont de type P).
Le contrôle se fait via le potentiel appliqué entre grille et source. La grille (G) permet
de contrôler le courant entre les deux électrodes source (S) et drain (D). Ce système constitué
par une capacité MOS (Métal-Oxyde-Silicium) permet une commande avec de très faibles
courants consommés. Nous parlons de transistors à grilles isolées. Nous pouvons assimiler le
système drain/source à une résistance dont la valeur varie entre Ron (valeur min) lorsque le
transistor est saturé et Roff (valeur max) lorsque le transistor est bloqué.
Nous devons aborder tout d’abord la capacité MOS car ses propriétés définissent
celles du transistor MOS (figure II-2).
VG
Métallisation de grille
isolateur
Dioxyde de silicium (SiO2)
silicium
Métallisation
Figure II-2 : Structure d’un condensateur MOS

Le condensateur MOS est formé par des contacts en parallèles. Il présente deux
électrodes l'une en silicium et l'autre en métal. L’isolateur (isolant) est généralement une
couche d'oxyde de silicium (SiO2). L'électrode en métal est également connue en tant que
grille du système. Le silicium a un contact ohmique pour fournir un contact électrique
externe. L'épaisseur de la couche de l'isolateur détermine la capacité MOS.
Dans ce cas, la grille en polysilicium et le canal du MOSFET représentent les plaques
du condensateur. La capacité de ce composant varie non-linéairement, avec une variation de
polarisation de la grille du MOS, à travers accumulation, déplétion et inversion. Par
conséquent une structure dans laquelle est toujours présent un processus CMOS peut être
utilisé comme élément de réglage de l’oscillateur.
Pour comprendre les mesures de capacité-tension, il est nécessaire d'abord de tenir
compte de la dépendance de la fréquence de la mesure. Cette dépendance de fréquence se
produit principalement dans l'inversion puisque la production des porteurs minoritaires dans
la couche d'inversion nécessite un minimum de temps. L'équilibre thermique n'est alors pas
obtenu immédiatement. Nous récapitulons que la capacité totale de la structure MOS est la
combinaison des séries de capacité différentielle de silicium par unité de surface, CS, et la
capacité d'oxyde CO [2, 3, 11].
La figure II-3 montre un modèle simple qui représente l'effet du substrat. La structure
est donc équivalente à deux capacités en série, dont l'une résulte de la présence de l'isolant et
l'autre de la charge d'espace du semi-conducteur. La capacité associée à la charge d'espace du
semi-conducteur résulte de deux termes car cette charge est constituée, d'une manière
générale, de porteurs libres et de charges fixes QS = Ql + Qdep [5, 11, 12].
Nous obtenons la capacité associée au semi-conducteur en dérivant l'expression de QS
par rapport VS. Ainsi,
31
⎛ dQ dQdep ⎞
CS = − = −⎜⎜ l + ⎟ = Cl + C dep
dVS ⎟⎠
dQS
⎝ dVS
(II-1)
dVS
Où VS est le potentiel de surface et QS est la charge dans le semi-conducteur.
VG
Métal
Oxyde eOX CO CO
silicium CS Cl Cdep
Figure II-3. Circuits équivalents d’un condensateur MOS

⎛ dQ ⎞ ⎛ dQ ⎞
Avec C l = −⎜⎜ l ⎟⎟ et C dep = −⎜⎜ ⎟
⎟
dep
⎝ dVS ⎠ ⎝ dV S ⎠
(II-2)
Cl représente la capacité dynamique résultant de la variation de la charge Ql due aux

porteurs libres, Cdep représente la capacité dynamique associée à la variation de la charge de
déplétion. Cdep est analogue à la capacité de transition de la jonction pn. Ainsi, la capacité
globale de la structure s'écrit :
= +
1 1 1
C C0 (Cl + Cdep )
(II-3)
Les capacités du MOS peuvent être dérivées de :
C=
C S CO
C S + CO
(II-4)
ε0
La capacité de l'oxyde par unité de surface est donnée par l’équation (II-5).
C0 = (II-5)
d0
La capacité CS est la différence de la charge divisée par la différence de la tension de
grille [11, 12]. La première région de la courbe C-V (région d’accumulation) correspond à
une polarisation négative. Dans cette phase, la charge de trou sur la surface de silicium est de
grande densité, ce qui contribue une grande capacité CS >> C0 , il vient alors,
ε
C ≈ CO = O (II-6)
dO
Dans la technologie CMOS, presque tous les condensateurs emploient l’oxyde de
ε OX
silicium (SiO2) comme isolateur. La capacité d'un ‘‘condensateur d'oxyde’’ est égale à
A. (Annexe B).
Tox
Où, OX = KOX. 0 (constante diélectrique d'oxyde [SiO2])
0 = 8.85x10
-14
F/cm (constante diélectrique de l'espace libre)
tOX est l'épaisseur de l'oxyde.
Pour une polarisation de grille moins négative, la densité de surface de trou diminuera,
par conséquent CS diminuera. En conséquence en utilisant l’équation (II-4), C devient
32
inferieure à C0.
Quand la polarisation de grille diminue à zéro, nous sommes aux bandes plates (flat-
bands) pour la situation idéale de MOS. Dans ce cas, nous devons tenir compte de l'oxyde et
de la capacité de silicium. La capacité totale, C, sera plus faible que celle de l'accumulation.
Pendant que la polarisation de grille est rendue plus positive, des trous sont repoussés de la
surface de silicium ayant pour résultat la formation d'une couche de déplétion d'accepteurs
ionisés. Les bandes se plient vers le bas [11, 12].
Pendant que la polarisation de grille est rendue de plus en plus positive, la couche de
déplétion s'élargit, rendant la capacité CS plus petite. Par conséquent C devient plus petit.
Pendant que la polarisation de grille est rendue plus positive, la densité entière de surface
diminue tandis que la densité de surface d'électron augmente. Par la suite une couche
d'inversion d'électrons est formée. Au recourbement de la bande de surface, ΦS ≥2 ΦB
(potentiel de substrat), puis nS (densité de charge de surface) ≥Na et la capacité différentielle
de la couche d'inversion devient considérable, et puis excède C0, c.-à-d. CS>>C0, et C
s'approche asymptotiquement de C0 [5, 11]. La capacité de basse fréquence de la structure
MOS par unité de superficie peut maintenant être calculée à partir de [12] :
d ε S ,eq
CLF = = εS
dQS
⎛ ε ⎞
d ⎜ φS + tOX ε S ,eq (φS ) S ⎟
(II-7)
ε OX ⎠
dVG
⎝
Avec VG est la polarisation de grille, ΦS est et S,eq sont respectivement le champ et le
potentiel sur la surface à l'équilibre thermique (Annexe B).
Ce résultat est désigné souvent sous le nom de la capacité de basse fréquence d'un
condensateur MOS puisque nous avons calculé le changement responsable entre deux
situations d'équilibre (figure II-4) [11, 12].
C/C0
Accumulation Inversion
1
Bandes plates
Déplétion
VG
0
Figure II-4. Courbe CV de basse fréquence pour un varactor MOS idéal
Le résultat peut être interprété comme raccordement en série de la capacité d'oxyde et
de la capacité de basse fréquence CS,LF du semi-conducteur. L'augmentation de la capacité
dans l'inversion se produit seulement si la génération/recombinaison des électrons peut suivre
le signal appliqué. En présence d’un résonateur d’électrons (les régions de source et du drain
n+ du MOSFET), le comportement de basse fréquence peut être étendu pour une bande de
quelques mégahertz.
Si la polarisation de grille VG et la tension de mesure de petit signal varient à une
vitesse plus rapide à ce que peut être permis par recombinaison/génération sur la surface,
alors, aucune couche d'inversion ne se forme et le dispositif MOS entre dans l'épuisement
profond (figure II-5) [11, 12].
33
C/C0
Accumulation Inversion Basse fréquence
1
(quasistatique)
Bandes plates Fréquence moyenne
Haute fréquence
Déplétion déplétion profond

0 VG
Figure II-5. Effets de la fréquence sur le profil C-V pour un varactor MOS
En résumé, Le varactor est représenté par sa capacité variable en fonction de la
différence de potentiel appliquée à ses bornes. Il est simplement une jonction PN polarisée en
inverse dont la largeur de la zone de déplétion forme une capacité variable en fonction de
cette tension inverse.
Nous pouvons également utiliser des diodes pour réaliser une capacité; cependant, les
circuits utilisant des varactors à base de transistors MOS présentent une meilleure
performance en fréquence que ceux à base de diodes.
III. Etude des courbes C-V d’un varactor MOS

Pour contrôler le VCO, il est nécessaire de spécifier le type de varactor utilisé. Il existe
en effet plusieurs types de varactors à base de transistors MOS avec grille connectée au circuit
résonnant : les capacités MOS avec drain, source et substrat connectés à la tension de contrôle
(Vctl), les capacités MOS en régime d’accumulation (A-MOS) et les capacités MOS en régime
d’inversion (I-MOS) [2, 4, 13]. Cette section examinera brièvement, trois types de
condensateurs MOS qui sont convenables d’être utilisés comme varactor. La figure II-6
montre des coupes des varactors MOS en mode d'accumulation, de déplétion et d'inversion.
VG VG VG
VCtr VCtr VCtr VCtr VCtr

++ ++++ - - - ------
------ ++ +++ +++++
++ +++++ + + + +
+ + + + +
N N N
a) Accumulation b) Deplition C) Inversion
Figure II-6. Coupe de varactor MOS
Dans le cas d'un condensateur PMOS, en appliquant une tension VBG négative, les
trous sont attirés à l’interface isolant-semiconducteur (sous la grille) et les électrons sont
repoussés verticalement dans le substrat B. Par conséquent, le canal d'inversion avec les trous
mobiles s'accumule.
Lorsque la tension VBG dépasse une valeur particulière notée VT , où VT est la tension
de seuil du transistor qui dépend des paramètres de l’interface isolant-semiconducteur, une
couche d’inversion apparaît et le transistor devient de plus en plus passant.
34
La condition V BG >> VT garantit que le condensateur MOS fonctionne dans la région

de forte inversion. D'autre part, pour une certaine tension V BG > VT , le dispositif MOS décrit
la région d'accumulation, où la tension à l'interface entre l'oxyde de grille et le semi-
conducteur est positive et assez haut pour permettre aux électrons de se déplacer librement.
Les différentes régions de fonctionnement du transistor sont illustrées dans la figure II-7 [15].
Cox Capacité Cox
Accumulation forte Inversion
Déplétion
Faible Inversion Vsg
version Modérée
Figue II-7. Caractéristique C-V d’un condensateur MOS
ε .S , où S, t et ε sont respectivement la
Ainsi, dans les deux cas de forte région d’inversion et d’accumulation, la valeur de la
capacité MOS, CMOS peut être égale à C ox = ox
t ox ox ox
surface du canal du transistor, l’épaisseur de l’oxyde et la permittivité de l’oxyde. Ces

différentes capacités sont illustrées clairement dans la figure II-8. Trois régions
supplémentaires peuvent être distinguées pour des valeurs intermédiaires d'inversion modérée,
d'inversion faible et de déplétion de VBG.
COX COX COX

Cd
Rinv
Rwell Rwell
a) Accumulation b) Deplition C) Inversion
Figue II-8. Coupe du varactor MOS en présence des capacités et résistances variables
Dans ces régions, il y a peu ou très peu de porteurs mobiles de charge à l’interface
oxyde de la grille, qui cause la diminution de la capacité C MOS du dispositif MOS (c.-à-d.,
CMOS est plus faible que COX). CMOS peut être maintenant modelé par les capacités en parallèle
Ci et Cb. Cb explique la modulation de la région de déplétion au-dessous de l'oxyde, alors que
Ci est liée à la variation du nombre de trous à l'interface d'oxyde de grille. Si Cb (Ci) domine,
le dispositif de MOS fonctionne dans la région de déplétion (inversion modérée) ; dans le cas
où aucune capacité est dominante, le dispositif de MOS fonctionne dans la région de faible
inversion [13, 15].
III.1. Principe des varactors pour (D=S=B=Vctr)
Les différentes variations sur la structure de base du MOS sont explorées pour réaliser
des varactors avec le plus haut facteur de qualité possible. La première structure (Figure II-9
(a)) est constituée d’un transistor PMOS avec le drain, la source et le substrat connectés
35
ensemble (D=S=B) pour former un nœud de condensateur, et avec la grille du poly silicium
l'autre nœud. Cette structure a une capacité qui varie non-monotonement, puisque le
composant peut opérer en inversion, déplétion et accumulation.
En appliquant une tension VGB négative, une capacité à travers la couche de dioxyde
de silicium (SiO2) se forme entre la grille et la partie du substrat sous-jacente. Les charges
négatives sont accumulées sur la grille et les charges positives dans le substrat. Les charges
positives initialement présentes dans le substrat de type N se déplacent de telle sorte qu’une
zone désertée de porteurs se forme. Les charges négatives sont repoussées vers la région
située en dessous de la grille. Ce principe est illustré à la figure II-9 (b) [9].
G D,S,B Vctr Capacité normalisée
D S
B Cmax Cmax
p+ p+ p+ n+
Chemin de porteur
puits n-
de charge
Cmin
a) Tension Bias Vsg (V)

substrat b)
Figure II-9. Condensateur PMOS D=S=B : a) Vue de coupe, b) Courbe C-V
Ce type de montage présente l’inconvénient d’avoir une variation de la valeur de la
capacité non-monotone. En effet, le transistor MOS passe par tous les modes de
fonctionnement (inversion, déplétion et accumulation). La valeur maximale que peut atteindre
W .L.ε 0 .ε Si
la capacité Etant Cox définie par l’équation (II-8).
Cox = (II-8)
tox
est la permittivité du vide, ε Si la permittivité du silicium et tox l’épaisseur d’oxyde.

Où W et L sont respectivement la largeur et la longueur de la capacité (canal du transistor), 0
III.2. Principe d’un varactor en mode d’accumulation A-MOS pour D=S=Vctl et B

supprimé
Les composants qui sont en déplétion ou accumulation (A-MOS) pour une gamme de
tension positive sont appelés des varactors en mode d'accumulation. La figure II-10 montre
une coupe d'un varactor en mode A dans un puits n. Ce type de varactor permet d’avoir une
variation monotone de la valeur de la capacité en s’assurant de rester en régime
d’accumulation [9].
VG
VCtr Poly P+ VCtr

Cox
P+ Cd P+
n-
Figure II-10. Coupe de varactor PMOS en mode A
36
La deuxième structure (Figure II-11 (a)) est constituée d’un transistor PMOS avec le
drain et la source connectés ensemble (D=S) pour former un nœud du condensateur, et avec la
grille du poly silicium comme l'autre nœud. La figure II-11 (b) montre la courbe C-Vctr [9].
G Capacité normalisée
D S D, S
Vctr Cmax
p+ p+
puits n-
Cmin
Tension Bias Vsg (V)

a) substrat b)
Figure II-11. Condensateur MOS en mode d'accumulation a) Structure, b) Courbe C-V
III.3. Principe des varactors en mode d'inversion I-MOM pour D=S=Vctl et B=VDD
(PMOS)
La figure II-12 montre une coupe d'un varactor NMOS et son modèle en petits
signaux. Généralement c’est l’équivalent d’une capacité variable en série avec une résistance
variable.
VG
VCtr Poly P+ VCtr

Cox
P+ Cd P+
RV CV
n-
Figure II-12. Varactor PMOS : a) Vues de coupe de b) Modèle électrique
La capacité variable CV paraît entre le nœud de la grille et la masse. Essentiellement,
elle est définie par la connexion en série de la capacité de l'oxyde de grille Cox et de la
capacité variable de la région de déplétion Cd.
= +
1 1 1
(II-9)
CV Cox Cd
La figure II-13 illustre la structure en mode d’inversion ainsi qu’une présentation de la
courbes C-Vctr. Les capacités MOS fonctionnant en régime d’inversion (faible et forte)
permettent aussi d’avoir une variation monotone avec la tension de commande mais la pente
est très raide sur une courte plage de tension. Comme la tension sur la grille oscille, la valeur
du varactor est en fait la moyenne de sa capacitance (fixée par VGS).
Les structures I-MOS et A-MOS présentent de nombreux avantages par rapport à la
structure D=S=B dont une plus grande plage de fréquence, une fréquence de fonctionnement
plus élevée et une variation monotone de la capacité.
37
G
VDD Capacité
Vctr D S Cmax
B
p+ p+ n+
puits n-
Cmin
a) substrat b) Tension Bias Vsg (V)
Figure II-13. Condensateur MOS en mode d’inversion a) Structure, b) Courbe C-V

Concernant la contribution en bruit de phase, le varactor obtenu à partir du transistor
MOS n’est pas idéal et présente donc une résistance parasite de valeur [2, 4] :
12.K P .W . (VBG − VT )
RMOS =
L
(II-10)
K P = µ P .Cox avec, µP est la mobilité des trous dans un PMOS, VBG la tension entre la grille du
Avec W, L et Kp sont respectivement la largeur, la longueur et le facteur gain du MOS.
varactor MOS et le substrat et VT la tension seuil du transistor.
IV. Etude et conception d’un varactor performant

IV.1. Etude comparative des différents types de varactors
Vue la variété des varactors MOS, une synthèse bibliographique est nécessaire pour
identifier les phénomènes liés à leurs natures. Pour des applications des circuits à hautes
fréquences, nous devons aussi montrer quelques travaux fréquents, réalisés à 40GHz et au
delà. Ainsi, le Tableau II-1 présente un comparatif des trois circuits que nous avons recensés
en technologie MOSFET.
Tableau II-1. Etat de l'art des VCO à hautes fréquence
Puissance Bruit de phase

Technologie Fréquence Gamme d’accord
Références Architecture consommée @1MHZ
[µm] centrale [GHz] [%]
[mW] dBc/Hz
LC NMOS
[12] SOI 0,12 46,2 12,7 15,0 -94,5
PMOS
[13] LC NMOS SOI 0,09 57,0 16,0 21,0 -90,0
LC NMOS SOI-PD
[14] 40,0 9,0 11,2 -90,0
PMOS 0,13
Cette étape consiste à étudier l'influence des changements des diverses structures de
varactor sur les performances du VCO. Pour cela, nous commençons notre étude par une
caractérisation et une modélisation des varactors. Nous analyserons le fréquentiel et les
performances en bruit de phase. Puis nous montrons nos contributions sur l’architecture du
VCO à concevoir.
38
IV.2. Caractérisation des varactors ordinaires

Les varactors MOS changent la capacité simplement en ajustant la tension de contrôle
Vctr [15]. La conception du varactor implique principalement l'optimisation de la largeur, de la
longueur et du nombre de port de grille du MOS. Cette optimisation exige d’une part une
différence entre le facteur de haute qualité, réalisé en réduisant la grille et les résistances de
canal, et d’autre part la large gamme d'accord réalisée en réduisant les capacités de
chevauchement. En outre, un varactor de haute qualité est nécessaire pour obtenir un faible
bruit de phase sur la pleine gamme d'accord du VCO [8].
IV.2.1. Etude du varactor MOS

L'importance des techniques de mesure C-V est qu'un grand nombre de paramètres du
dispositif peuvent être extraits à partir des courbes C-V. Ces paramètres peuvent fournir des
transistor PMOS, drain, source et substrat sont liées ( D ≡ S ≡ B ). Une tension continue
informations critiques du dispositif et du processus. Nous considérons le cas où les pattes du
variable Vctr est donc appliquée en ce point de contact (figure II-14).

D
W = 1µm
L = 0.35µ m
(T)
G
V1
- B
Vctr
+
S
Figure II-14. Circuit du varactor MOS (pour une liaison D ≡ S ≡ B)
La caractéristique représentant la capacité en fonction de la tension de commande Vctr
est montrée dans figure II-15. Cette caractéristique peut être facilement, déterminée en suivant
les instructions de l’annexe B2.
Figure II-15. Capacité en fonction de la tension de contrôle VCtr = -VG

D’après la caractéristique présentée par la figure II-15, nous distinguons trois régimes
de fonctionnement selon la tension de contrôle.
Pour des tensions grille positives ( Vctr = - VG < 0 ), les électrons sont attirés à la surface
et les trous sont attirés par le substrat ; et une très fine couche de charges négatives (la couche
39
d‘accumulation) est alors formée. Le transistor PMOS fonctionne donc dans le régime
d’accumulation. Entre les deux bornes, grille et substrat, il apparaît un condensateur dont la
capacité est constante et équivalente à la capacité d’oxyde Cox.
⎧CSC >> Cox
⎨
⎩C ≈ Cox = Cmax
(II-11)
ε ox ε sc
Avec Cox = Constante = et CSC capacité du semi conducteur définie par CSC = ,
eox xd
xd est la largeur de surface remplie par les trous comme indiquée dans la figure II-16.
Vctr < 0 V >0 Vctr> 0
ctr
+ + + + - - - - - - - -
---------- ++++++ xd xdmax + + + + + + + +

- - - ++++++ ++
N N N
Accumulation Déplétion Inversion

Figure II-16. Fonctionnement du varactor PMOS
Avec l’augmentation de Vctr, la courbure des bandes devient plus faible, jusqu’à une
certaine valeur où il n’y a plus de courbure des bandes. Cette valeur particulière de tension de
contrôle est désignée par la tension de bandes plates VT. Au-delà de ce point, la courbure des
bandes est opposée à celle en accumulation et une charge positive est en train de se former.
En effet, en augmentant la tension Vctr, la charge négative à la grille repousse les électrons de
la surface du silicium et fait apparaître une charge positive (due aux ions donneurs
immobiles), appelée charge de déplétion. Par conséquent, la densité de trous diminue et un
épuisement commence à se former sous l’oxyde. Le transistor fonctionne ainsi dans le régime
de déplétion. La capacité équivalente vaut les deux capacités en série Cox et Cdep qui
représentent respectivement la capacité d’oxyde et la capacité de déplétion.
f (Vctr ) = = +
1 1 1
(II-12)
C Cox CSC
En augmentant la tension Vctr, la densité de trous diminue et un épuisement commence
à se former sous l’oxyde ; le transistor fonctionne ainsi dans le régime de déplétion.
En augmentant la tension Vctr, encore plus, nous trouvons la courbure des bandes vers
le bas. Dans ce cas, une couche conductrice composée de charges positives mobiles (trous) est
alors formée. La surface du semi-conducteur se comporte donc, comme un matériau de type p,
d’où le nom de région d’inversion. La couche de déplétion qui est faiblement dépendante de
la tension de polarisation de la grille est écrantée par cette charge. En conséquence le
couplage entre l’extension de la courbure des bandes et l’augmentation de la tension de
contrôle est alors fortement réduit. Nous parlons d’inversion lorsque la densité de charge
mobile dans la couche d’inversion est supérieure à la densité de charge fixe dans la couche de
déplétion. A cette étape, un canal apparaît et le transistor commence à fonctionner dans le
régime d’inversion. La capacité équivalente vaut :
= + =
1 1 1 1
(II-13)
C Cox CSC ,min Cmin
40
La charge d’inversion peut alors être mise en contact via les régions de source et de
drain. Par conséquent en appliquant une tension VDS entre le drain et la source, un courant
peut circuler dans le canal. Puisque la charge d’inversion dépend fortement de la tension de
contrôle Vctr. cette tension nous permet de moduler le courant circulant dans le canal.
IV.2.2. Effet d’une tension appliquée au substrat

De la même manière, nous pouvons utiliser le circuit du varactor indiqué par la figure
II-17, dans le quel la tension de contrôle est appliquée au substrat. Chaque tension appliquée
coïncide avec une capacité de grille.
(T)
+
-
VG W = 10µ m
L = 0.35µ m
VB
Figure II-17 Circuit du varactor MOS commandé par le substrat

Nous pouvons estimer la caractéristique de la capacité en fonction de la tension de
commande VG, en utilisant l’expression de la capacité CG suivante :
CG =
iG
2.π . f . VG
(II-14)
Les mesures montrent qu’une faible polarisation sur le substrat donne la capacité
minimum Cmin. Quand la tension appliquée au substrat augmente à partir de -1,5V, la capacité
augmente. Par conséquent, nous pouvons dire que la variation de potentiel au niveau du
substrat influe sur le fonctionnement du varactor. Cet effet peut être utile pour améliorer les
performances en bruit de phase du varactor et du VCO. Cependant, nous devons prendre
quelques précautions en mesurant et en interprétant des données de C-V. Nous devons
également noter les limitations des mesures (voir annexe B2).
Figure II-18. Caractéristique de la capacité CG en fonction de la tension de substrat VB

Durant les trois régimes de fonctionnement, nous remarquons la présence d’une capacité
parasite Cpar en parallèle avec Cox et Cdep. Selon le régime de fonctionnement du transistor, la
41
capacité équivalente change d’une valeur maximale Cmax à une valeur minimale Cmin [13] :
C max = C par + C ox (II-15)
C min = C par +
C ox .C dep
C ox + C dep
(II-16)
IV.2.3. Substrat à VDD

Nous considérons maintenant, le cas où le drain et la source sont connectés entre eux
et ils sont contrôlés par une tension Vctr, le substrat Etant relié au potentiel le plus haut comme
indiqué dans la figure II-19.
W = 10 µ m
L = 0.35µ m
VDD
Ve
Vctr
Figure II-19. Vctr entre Grille et Drain – Source (Substrat à VDD)

D’après la caractéristique : capacité en fonction de la tension Vctr (figure II-20),
nous remarquons que lorsque la tension Vctr est inférieure à la valeur absolue de la tension
de seuil VT, il apparaît un épuisement du canal sous l’oxyde et la capacité équivalente
(deux capacités Cox et Cdep en série) est minimale. Dès que la tension Vctr devient très
supérieure à VT , il y aura apparition du canal et la capacité équivalente est égale à Cox.
Variation de la capacité en fonction de la tension

C (pF)
de contrôle
12
4
Tension de contrôle (V)
0
0 0,5 1 1,5 2 2 ,5
Figure II-20. Caractéristique de la capacité en fonction de Vctr (Vctr < 0)
∆C
En conclusion, le transistor PMOS fonctionne dans le régime d’inversion (faible,
∆Vctrl
moyen et forte inversion) d’où l’appellation I-MOS. La sensibilité mos est importante, elle
est plus grande que celle du cas précédent. La résistance parasite associée au fonctionnement
dans le régime de forte inversion est donnée par l’expression (II-11). Cette résistance devient
plus importante lorsque la tension VBG s’approche de la tension de seuil VT .
42
A la place du transistor PMOS, nous pouvons utiliser la capacité d’un NMOS qui
donne une grande valeur ; mais dans ce cas, l’effet du substrat est plus important.
IV.2.4. Interprétations
Dans cette section nous avons vu, plusieurs famille de varactors MOS intégrables, ces
groupes se répartissent en trois : MOS (transistor classique), I-MOS (Inversion) et A-MOS
(Accumulation). Ces types des varactors sont avantageux par rapport aux structures basées sur
des diodes :
Les varactors MOS présentent l’inconvénient de varier de façon non-monotone entre une
valeur minimale et une valeur maximale.
Le varactor I-MOS (inversion faible ou forte) garantit une variation monotone de la valeur
de la capacité. Cependant, il ne présente qu’une faible excursion de tension conduisant à
une variation de la valeur de la capacité effective.
Le varactor A-MOS montre également une variation monotone de la capacité mais sur une
plage de tension plus étendue que dans le cas du varactor en mode d’inversion.
V. Contribution au perfectionnement des performances du VCO-VC

Le bruit de phase du VCO-VC dépend des facteurs de qualité du circuit résonnant LC
et du varactor. Pour avoir un coefficient global Q élevé, il faut donc optimiser le facteur de
qualité de chacun des éléments qui constituent l’oscillateur. La borne de commande du VCO-
VC est sensible au bruit, puisque les harmoniques qui traversent le varactor participent à la
réduction du facteur de qualité du résonateur (Q). Cette imperfection peut être surmontée par
la commande différentielle largement répandue dans les oscillateurs en anneau.
V.1. Contrôle différentiel de capacité du varactor

Une illustration de l’intérêt d’une structure différentielle est présentée sur la figure II-21.
Nous constatons que l’emploi de deux varactors évoluant en sens opposé par rapport à la
tension de commande permet de diminuer la fluctuation de la fréquence du VCO causée par la
variation de la capacité du circuit LC.
V VDD
DD
L1 L2
L1 L2
Cv1 Cv1
Cctr +
Cv1 Cv1 Cctr Cv2 Cv2 Cctr -
( CV1 +CV2 ) ≈ Cst

1 1
C Tot = C V1 CTot =
2 2
Figure II-21. VCO-VC à varactors simples et complémentaires
Les études réalisées sur le comparatif de ces deux structures ont mis en avant des
performances en bruit nettement meilleures pour une structure complémentaire en technologie
CMOS. La figure II-22 montre le circuit électrique d’un varactor haute fréquence
complémentaire.
43
Vctrl, p
(Mp1) (Mp2)
VDD
Cp,1 Cp,2
VX Vctrl, n VY
(Mn1) (Mn2)
Cn, 1 Cn,, 2
Figure II-22. Structure du varactor à faible bruit de phase

Dans la topologie de la figure II-22, les transistor MP.1 et MP.2 (CP.1 = CP.2) sont
alimentés par une tension de commande positive Vctrl,p, tandis que les transistor Mn,1 et Mn.2
(Cn.1=Cn.2) sont alimentés par une tension de commande négative Vctrl,n.
Cette structure sera appliquée au VCO-VC pour améliorer les performances en bruit
de phase. Ces différences s’expliquent par le fait que les fronts montant et descendant sont
symétriques. La conséquence de la symétrie des fronts montant et descendant est une
limitation du bruit en 1 3 . Cet argument n’est pourtant pas évident si nous nous basons sur
f
l’équation (II-17) qui définit la fréquence de coin du bruit en 1 f :
f corner =
g m2
CoxWL 4 KT γ g d 0
K 1
(II-17)
Où K est une constante, Cox la capacité d’oxyde, W et L les dimensions du transistor, gm la

transconductance et gd0 la conductance du transistor MOS.
Si les structures des quatre varactors sont identiques, la caractéristique
complémentaire de C-Vctrl sera obtenue comme prévu par la figure II-23.
Capacité
Cp
Cn
Vctrl, p
Figure II-23. Caractéristique C-Vctrl du varactor complémentaire

Observons plus spécialement la superposition des deux capacités NMOS et PMOS à la
fréquence d’oscillation. Nous pouvons donc s'attendre à obtenir une plage de variation
quasiment identique de la fréquence des VCO à varactors NMOS et à varactors PMOS. En se
basant sur les résultats de simulation, l'écart entre les capacités maximum et minimum du
44
CMax
varactor est de 10pF (la capacité varie entre 2 et 12pF). Le rapport vaut 6. La dynamique
CMin
de fréquence attendue serait de 1,22 GHz ; soit une plage de variation autour de 3,53 GHz de
34,56 %.
La capacité instantanée pour Cn.1 et CP.1 sont respectivement, données par [1] :
C n,1 = C0 + k var,n ⎡⎣ Vx − Vctrl,n ⎤⎦ (II-18)
C p,1 = C0 + k var,p ⎡⎣ Vctrl,p − Vx ⎤⎦ (II-19)
Où C0 est la capacité qui correspond à une tension de polarisation nulle, kvar,n et kvar,p
sont les coefficients de sensibilité des varactors. Si les tensions sont parfaitement
complémentaires, kvar = kvar,n = kvar,p, la capacité instantanée globale C = Cn.1 + CP.1 peut être
C = 2C0 + k var ( Vctrl,p − Vctrl,n )

exprimée par [1] :
(II-20)
Cette équation prouve que la technique de commande différentielle supprime

efficacement le bruit en mode commun dans l'oscillateur LC. Par conséquent, elle peut réduire
le bruit de phase résultant du bruit de Flicker dans la source de courant de queue.
L'évolution vers des fréquences élevées conduit à l'utilisation des varactors de plus en
plus performants et facilement intégrables [2, 4]. Ceci explique l'importance grandissante de
l’utilisation du varactor HF dans le VCO. La figure II-24 montre une topologie du VCO qui
peut osciller à 4GHz.
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
L Vctrl, p
(M1P) (M2P) L
VDD
Vout- Vctrl, n Vout+

(M1n) (M2n)
(M1) (M2)
ITail
Vbias
Figure II-24. Topologie de VCO avec paires de varactor complémentaires (VCO-VC)

45
A titre d'exemple, la sortie différentielle du VCO-VC comportant deux paires de

varactors, est représentée sur la figure II-25. Les oscillations sont établis au bout de 12ns, et
ce pour monter les déférents régimes de fonctionnement de l’oscillateur (continu, démarrage,
permanant).
Figure II-25. Signal de sortie du VCO-VC

En conclusion, les simulations temporelles ont démontré une bonne adéquation avec
nos objectifs de conception. Mais il faut garder en mémoire que les varactors simulés utilisent
des modèles spécifiques au transistor MOS 0.35µm. L’utilisation des technologies plus
adéquates dans la simulation peut conduire à des résultats plus performants.
Le spectre de sortie du VCO-VC est montré dans le figure II-26, il est obtenu dans les
conditions suivante : une tension d’alimentation de 2,5V, une tension de polarisation 1V, et
une tension de contrôle Vctr,n et Vctr,p respectivement de 1V et -1V.
Figure II-26. Spectre de sortie du VCO-VC

L’augmentation de fréquence n’est pas le seul argument pour juger l’efficacité de
varactor-VC. Il est nécessaire d’étudier les performances du VCO-VC en consommation, bruit
de phase, .etc. Les résultats de simulations sont résumés dans les tableaux II-2, II-3 et II-4.
46
Tableau II-2 : performances du VCO-VC
VCO-VC
Vctrl, n = - Vctrl, p (V) -0,5 -0,7 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
f (GHz) 3,200 3,200 3,200 3,3200 3,3200 3,3200 3,3200
VOut, Crê-à-crête (V) 3,004 3,002 3,002 3,004 3,001 2,989 3,004
∆f-3dBc (MHz) 15,710 15,708 15,788 15,460 15,753 15,868 15,612
Q 211,337 203,718 210,286 214,754 210,709 209,22 212,663
gp (µS) 25,216 27,216 25,343 24,815 25,297 25,472 25,059
Bruit @1MHz
-146,505 -146,825 -146,484 -146,575 -146,495 -146,462 -146,825
(dBc/Hz)
La caractérisation en bruit, du VCO-VC, passe par la connaissance du spectre de bruit

de phase. Pour les fréquences proches de la porteuse, le bruit de phase est prépondérant. Le
spectre de bruit de phase du VCO-VC peut être décomposé en plusieurs parties correspondant
à la conversion des sources de bruit basse-fréquence, notamment le bruit de scintillation et le
bruit thermique. Les contributions de diverses sources de bruits sur le VCO peuvent être
identifiées par le tableau II-3 pour une plage d’offsets de fréquence varie entre 0,2 et 2MHz.
Tableau II-3 : Bruit de phase du VCO pour des fréquences relatives à la fréquence
porteuse
fm (MHz) 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
Bruit de
-132,5 -138,52 -142,04 -144,54 -146,48 -148,06 -149,40 -150,56 -151,59 -152,50
phase (dBc/Hz)
Le bruit de phase du VCO-VC avec paires de varactor complémentaires montre peu de

dépendance à l’égard des offsets de fréquence. La petite différence est probablement due au
petit changement du facteur de qualité de résonateur avec la fréquence. Typiquement, d’après
le tableau II-3, nous pouvons présenter le spectre du bruit de phase du VCO par trois zones
successives (figure II-27).
Une zone correspondant à la conversion du bruit en 1/f autour de la porteuse ;

Une zone correspondant à la conversion du bruit thermique autour de la porteuse ;
Une zone du bruit de scintillation de phase ou bruit Flicker ;
Une zone du bruit thermique ou "bruit plancher", dans laquelle les phénomènes de
conversion n'interviennent plus.
47
conversion du bruit en 1/f

-30dB/décade
conversion du bruit thermique
-20dB/décade
bruit thermique additif

-10dB/décade
Figure II-27. Décomposition du spectre de bruit de phase d’un oscillateur

En négligeant le bruit de Flicker, nous pouvons limiter théoriquement le VCO-VC
par un modèle simplifié du bruit de phase exprimé par (II-21) :
⎪⎧ 2 K T ⎡ f 0 ⎤ ⎫⎪
B {∆ω} = 10 log ⎨ ⎢ ⎥⎬
⎩⎪ PS ⎣ 2 QL ∆f ⎦ ⎪⎭
(II-21)
Le bruit de phase du VCO est déterminé principalement par le facteur Q global du

circuit. Afin de concevoir un circuit avec un Q élevé, la largeur de bande d'accord doit être
rendue petite. Par conséquent, un VCO conçu pour une performance de faible bruit de phase
aura une plus petite gamme d'accord.
La densité spectrale de fluctuation de phase, due à la modulation de phase du signal de
la porteuse, est représentée par le modèle de Leeson [15] :
⎧ 2 ⎛ ∆ω 1 ⎞ ⎫
⎪2F K T ⎡ ⎛ ω 0 ⎞ ⎤⎜ f 3 ⎟⎪
B {∆ ω } = 10 log ⎨ ⎢1 + ⎜ ⎟ ⎥ ⎜1 + ⎟⎬
⎢ ⎝ ∆ ω ⎠ ⎥ ∆ ω
⎪ ⎣ ⎦ ⎝⎜ ⎟⎪
(II-22)
⎩ ⎠⎭
Ps 2 Qch
température, PS est la Puissance moyenne dissipée du signal, ω0 est la fréquence d'oscillation,

Où F est le facteur de bruit de l’élément actif, K est la constante de Boltzmann, T est la
Qch est le facteur de qualité en charge du résonateur LC, ∆ω est l’offset de fréquence, et
ω1 f 3 est la pulsation de coin.
Il est bien connu que le bruit de phase diminue proportionnellement, en inverse par
rapport au facteur de qualité Q dans un résonateur LC. La meilleure expression de ce profil de
bruit est donnée par la formule semi-empirique de Leeson
⎛1⎡ ⎛ f ⎞ ⎡ f C ⎤ ⎡ FkT0 ⎤ ⎤ ⎟⎞
L( f m ) = 10 log ⎜ ⎢1 + ⎜ ⎟ ⎢ + ⎥⎢ ⎥⎥
2
⎜ 2 ⎢ ⎝ 2Qch f m ⎠ ⎣ f m ⎦ ⎣ PS ⎦ ⎥ ⎟
0
⎝ ⎣ ⎦⎠
1 (II-23)
Avec fc est la fréquence de corné (ou de coin).

La formule (II-23) montre encore que le facteur de qualité doit être le plus élevé
possible pour minimiser le bruit de phase. En effet, le VCO-VC (oscillateur utilisant structure
complémentaire de varactors) montre un facteur de qualité de valeur 210,286 avec une
fréquence centrale de 3,327 GHz, alors qu’un VCO de simple structure de varactor présente
moins de performance comme illustré dans le tableau comparatif II-4.
48
Tableau II-4 : Comparaison entre deux VCO avec simple et double paires de varactors
VCO - simple VCO - VC
Technologie 0.35µm NMOS 0.35µm NMOS
Tension d’alimentation (V) 2,5 V 2,5 V
Fréquence centrale (GHz) 1.858 GHz 3,327 GHz
Gamme d’accord 102,5 MHz 276,2 MHz
Facteur de qualité Q 130 210,286
Bruit @1MHz (dBc/Hz) -116,496 -146,484
VI.3. Amélioration du varactor en fonction du bruit de phase

Comme déjà mentionné précédemment, le facteur Q sera dégradé si le nœud en mode
commun S du VCO a une basse impédance. De même si S a une impédance très élevée, et si
les tensions de commande (Vx - Vctrl) et (Vy -Vctrl) sont différentes, il en résulte une différence
dans la capacité instantanée des deux varactors [1]. Un tel déséquilibre produit dans les
harmoniques qui traversent les varactors, dégrade le facteur Q et augmente le bruit de phase à
la sortie [1, 14].
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
Vctrl, p
L (M1P) (M2P) L LV
VDD CV
Vctrl,n
LV
(M1n) (M2n) CV
X Y
(M1) (M2)
S
ITail
Vbias
Figure II-28. Topologie d’un VCO-VC faible bruit de phase (VCO renforcé)
49
La même idée de filtrage de bruit LC peut être appliquée à la ligne de commande,

comme montré dans la figure II-28. L'inductance LV et le condensateur CV devraient être
accordés pour résonner à la fréquence 2ω0. Le circuit de la bande étroite LC supprime
seulement l'harmonique de second ordre et n'a aucun effet sur le signal de basse fréquence.
Par conséquent, la caractéristique f-Vctrl du VCO est inchangée.
En résumé pour LV = L1 = L2 = 3nH, et CV = 3pF, le VCO renforcé consomme 21,251
mA en présence d’un bruit de phase égal à -160@1MHz. Le tableau II-5 montre précisément
les performances de cet oscillateur.
Tableau II-5 : performances du VCO renforcé
VCO renforcé
Vctrl, n (V) 0, 3 0,5 1 1,5 2
f (GHz) 2,141 2,133 2,114 2,059 2,020
VOut, Crê-à-crête (V) 3,669 3,3817 1,442 2,103 1,262
∆f-3dBc (MHz) 0,671 0,777 1,739 1,467 0,987
Q 3190,68 2745,28 1215,51 1403,86 2047,19
gp (µS) 2,59 3,02 6,86 6,12 4,28

Bruit @1MHz
-164,01 -163,408 -160,00 -160,955 -162,839
(dBc/Hz)
VI.4. Rangement des composants intégrés du VCO

Afin d'accroître la compacité du circuit résonnant et donc du VCO global, nous
pouvons écarter les bornes de l'inductance afin de placer le varactor à l'intérieur (figure II-29).
Cette disposition présente l'intérêt de minimiser les capacités parasites et la taille globale du
VCO [9].
Inductance
intégré Tension de
contrôle
Vractors-CV
Figure II- 29: Implantation des varactors dans l'inductance
VI. Conclusion.
Dans ce chapitre, nous avons montré des équations analytiques qui permettent de
tracer la capacité du MOS en fonction de la tension de contrôle. Nous avons montré aussi une
50
présentation analytique et graphique de plusieurs varactors et leurs caractéristiques de

transfert C-Vctr. Nous avons présenté une étude, en présence de simulation, de différentes
approches en vue de l'optimisation de fréquence du varactor et donc du VCO. Nous avons
développé un plan analytique pour déterminer le varactor convenable.
Les résultats de simulations montrent clairement que le VCO, en présence des paires
de varactors en séries, peut atteindre des hautes fréquences de l’ordre de 4GHz. Le VCO
montré dans ce chapitre peut être intégré dans un processus standard de 0,35µm CMOS, sous
une tension d’alimentation de 2,5 V et une tension d'accord de 1V. Nous avons également
mesuré le bruit de phase du VCO-VC. Celui-ci varie selon les tensions de contrôle appliquées,
il est de l’ordre de -146 dBc/Hz à 1 MHz et de -132 dBc/Hz à 200 kHz de la porteuse. A titre
comparatif, le bruit de phase mesuré pour un simple VCO est de -116 dBc/Hz à 1 MHz et -90
dBc/Hz à 200 kHz de la porteuse. Ce chapitre est fini par des propositions intéressantes qui
seront à la base de conception d’une architecture de VCO performante.
Notons bien que les bruits de fluctuation qui perturbent le VCO trouvent leurs origines
dans des processus aléatoires stationnaires. Le comportement non-linéaire du VCO produit un
processus de mélange ou de conversion des différentes sources de bruit présentes dans le
circuit autour de la fréquence porteuse. Le bruit de phase résultant est appelé bruit de
modulation et sera l’objet d’étude dans les chapitres suivants.
51
Bibliographie
Bibliographie
Chapitre II
Bibliographie
Référence :
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JTEA , Hammamet, 04 Mai 2008,
Communications applications’’, DTIS, Tunis, September 2006.
Chapitre
III
Procédé de modélisation et
d’optimisation de la puissance
et du bruit de phase d’un
VCO-LC
Chapitre III : PROCEDE DE MODELISATION ET
D’OPTIMISATION DE LA PUISSANCE ET DU BRUIT
DE PHASE D’UN VCO-LC
Résumé :
La conception et l’optimisation du VCO est un continuel challenge. Dans ce cadre,
plusieurs méthodes d’optimisation sont développées comme l’optimisation géométrique.
Celle-ci se base sur une stratégie de dimensionnement du circuit pour réduire au minimum le
bruit de phase et la consommation. Ceci n’est plus valable sans connaissance profonde des
divers modèles existants.
Dans ce chapitre, nous présentons une technique permettant de réduire la

consommation de la puissance du VCO-LC. Cette technique nous permet de trouver les
contraintes de puissance pour des variables de conception données, et d’optimiser la
résistance en série d'inductance et la capacité parasite. Nous employons alors cette technique
en présence d’une modélisation analytique de puissance et de bruit de phase. La performance
de l'oscillateur est vérifiée par l'intermédiaire de la simulation qui assortit bien les
performances prévues. Les conceptions optimisées employant cette technique peuvent avoir
comme conséquence une réduction considérable de puissance d’un VCO à faible bruit de
phase. Le VCO optimisé est capable d’osciller à une fréquence centrale qui dépasse les 3GHz.
Pour une inductance de 3nH, sous une tension d’alimentation de 2,5 V et pour une
consommation minimale de 1,56µA, le bruit de phase du VCO de l’ordre de -139 dBc/Hz
pour une offset de fréquence de 1 MHz.
En résumé ce chapitre, nous permet de présenter une méthodologie permettant de

minimiser la consommation de puissance d’un oscillateur-LC à faible bruit.
Mots -clé :
VCO, puissance consommée, bruit de phase, courant polarisation, capacité parasite.
Chapitre III Procédé de modélisation et d’optimisation de la puissance et du bruit de phase d’un VCO-LC.
I. Introduction
L’évolution des technologies des semi-conducteurs vers des géométries de plus en
plus fines et l’augmentation de la densité d’intégration des transistors permettent un
accroissement des performances et des fonctionnalités par puce mais s’accompagne
simultanément d’une augmentation de la puissance dissipée. Cette dernière est désormais
devenue un facteur limitatif dans l’application des circuits électroniques, facteur qui doit être
considéré très tôt dans la phase de notre conception. La réduction de la puissance dissipée est
alors un des objectifs prioritaires lors de la conception du VCO. Il est donc essentiel de
chercher une stratégie pour la conception d’un VCO très basse puissance.
La réduction de la tension d’alimentation VDD s’avère une approche très intéressante
puisque cela permet de réduire la puissance dynamique et la puissance statique. L’utilisation
de tensions d’alimentation très basses a été explorée par [1, 2] en utilisant des technologies
spéciales, dont les transistors possèdent des tensions de seuil proches de zéro volt. Cependant,
bien qu’une réduction de la tension d’alimentation soit une méthode efficace pour diminuer la
consommation, elle ne peut pas être appliquée arbitrairement car cela affecte négativement les
performances du délai dans les portes. Il faut donc trouver un compromis entre vitesse et
consommation.
Dans ce chapitre, nous allons reprendre, dans un premier temps, deux structures avec
et sans limitation de courant, prenant en compte l’avantage et l’inconvénient de ces structures
sur les performances en bruit de phase du VCO. La deuxième section est consacrée à la
caractérisation et l’optimisation des inductances pour concevoir un VCO avec des
performances suffisantes [6, 7, 17]. Nous présentons les principaux mécanismes physiques
participant aux pertes dans ce composant intégré [15]. Dans la troisième partie, l’optimisation
de la consommation de puissance du VCO sera étudiée.
II. Intérêt de la limitation du courant d’un oscillateur

La structure montrée dans la figure III-1-a) peut être employée aussi bien sur un
oscillateur en anneau (deux transistors MOS pour contrôler le courant des inverseurs) que sur
un circuit LC (diode varactor différentielle). Le courant de limitation se crée en plaçant un
transistor NMOS entre la masse et les sources de la paire croisée de transistors NMOS (figure
III-1-b). L'alimentation en courant peut être aussi, assurée par un miroir de courant NMOS ou
PMOS. Le courant de polarisation en travers la partie de miroir, désigné par le courant ITail
peut être utilisé pour commander le courant de polarisation, et donc la résistance négative du
circuit.
Cependant, les idées présentées sont applicables pour la plupart des oscillateurs
accordés par résonateur différentiel [1, 5]. Pour réaliser la compensation des pertes d’un VCO
basé sur un résonateur LC, il existe deux types de structure : simple paire croisée (NMOS ou
PMOS) et double paire croisée (CMOS) [9, 15].
La plupart des circuits de VCO intégrés sont réalisés avec un transistor MOS servant à
limiter le courant consommé par le circuit. Dans certains cas, il peut être avantageux
d'éliminer entièrement la source de courant ITail puisqu’elle contribuera à une partie de bruit
au circuit. Le transistor de queue MTail requiert en général un circuit supplémentaire pour
supprimer sa contribution en bruit [13, 15].
L’ensemble de cette étude comparative sera effectué pour un VCO composé d’une
double paires de varactor et d’une inductance intégrée, et ce en présence et en absence d’une
52
limitation de courant (figure III-1).

VDD
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
VDD VDD
(M3) (M4)
L Vctrl, p
Vctrl, p (M1P) (M2P) L
L VDD
(M1P) (M2P) L
VDD
Vctrl, n
Vctrl, n (M1n ) (M2n)
(M1n) (M2n)
(M1) (M2)
(M1) (M2)
(MTail ) ITail
Vbias
a) VCO 1 b) VCO 2
Figure III-1. Topologie du VCO à concevoir : a) sans courant de limitation (VCO 1)
b) avec courant de limitation (VCO 2)
Pour montrer l’intérêt de la limitation de courant, la figure III-2, montre que
l’oscillateur en présence d’un transistor de queue est plus bruité qu’un oscillateur ordinaire.
Figure III-2. Spectres de sortie de deux oscillateurs avec et sans limitation de courant
53
En absence des circuits de filtrage de bruit, le courant qui circule dans le VCO1 (sans
limitation de courant) est moins bruité que celui du VCO2 (avec limitation de courant). Le
principal argument avancé en faveur du transistor MOS limitant le courant est qu’il assure le
mode différentiel. Cependant, il permet de s’affranchir du bruit de polarisation du circuit. Cet
argument n’est évidemment valable que lorsque la polarisation du circuit introduit un bruit
significatif. Afin de vérifier l’impact de la présence de limitation de courant sur les
performances en bruit de phase du VCO à concevoir, ce dernier a été simulé avec et sans
source de courant de limitation (figure III-3).
Figure III-3. Signaux de sortie de deux oscillateurs avec et sans limitation de courant
Les performances en bruit de phase du VCO sans limitation de courant sont comme
prévues meilleures que celles du VCO avec limitation du courant. L’explication réside en
partie dans le fait que le transistor apporte sa contribution en bruit au VCO. Cependant, le
transistor MOS limitant le courant diminue la dynamique de tension appliquée sur la source
de la paire différentielle de transistors PMOS. Par conséquent, l’amplitude de la tension aux
bornes du circuit résonnant LC se trouve diminuée et le bruit de phase augmente. La
simulation du VCO avec limitation de courant en augmentant progressivement le courant
autorisé à circuler dans le VCO a permis de constater, sur les tableaux III-1 et III-2, que le
niveau du bruit de phase diminue et la consommation augmente.
Tableau III-1 : Consommation du VCO en fonction du courant de polarisation

Vbias (mA) 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Courant de limitation (mA) 3,49 6,631 14,668 16,872 19,461 20,839
Courant consommé (mA) 3,38 5,631 6,757 10,885 8,678 12,690
Tableau III-2 : Contribution du courant de polarisation au bruit de phase du VCO

Vbias (V) 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Bruit de phase @1MHz (dBc/Hz) -130,23 -125,57 -124,73 -115,828 -108,85 -101,91
Ces variations s’accompagnent également d’une variation de la tension de drain-

source du transistor MOS limitant le courant. Les valeurs figurant sur les tableaux III-1 et III-
2 sont liées à la taille des transistors MOS utilisés, mais le phénomène est également
observable pour des dimensions de transistors différentes.
Les performances en bruit de phase s’améliorent au fur et à mesure que le courant de
54
limitation devient plus faible. Par contre, le niveau en bruit de phase reste toujours supérieur à
celui du VCO sans limitation de courant. Ce constat permet de confirmer notre hypothèse
selon laquelle la présence d’un transistor MOS pour limiter le courant augmente le bruit de
phase du VCO même dans les cas où il n’est plus utilisé en source de courant. Il faut
augmenter fortement la tension VGS de ce transistor pour diminuer l’influence de sa chute de
tension VDS sur le bruit de phase du VCO. Le transistor qui limitait le courant se comporte
alors comme une simple résistance entre la source de la paire croisée de transistors et la
masse. Le tableau III-3 montre une comparaison du bruit de phase d’un VCO sans et avec
limitation de courant.
Tableau III-3 : Bruit de phase en fonction des offsets de la fréquence centrale d’un
oscillateur sans et avec courant de limitation (3mA)
Fréquence relative fm (en
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
MHz)
Bruit VCO1 (sans source
-128,50 -134,46 -137,98 -140,48 -142,41 -143,20 -145,38 -166,496 -147,52 -148,44
de phase de courant)
(dBc/Hz) VCO2 (avec source
-96,05 -102,07 -115,59 -118,09 -120,03 -131,51 -132,96 -134,11 -135,13 -136,05
de courant)
Un autre aspect important consiste à étudier le comportement des circuits lorsque l’on
s’écarte des conditions typiques d’utilisation. En utilisant le VCO sous une température assez
importante, la consommation du VCO sans limitation de courant a tendance à augmenter
tandis que ses performances en bruit de phase restent inchangées. Dans le cas du VCO avec
limitation de courant, c’est la consommation qui reste stable alors que les performances en
bruit de phase se détériorent. Ce constat permet d’arriver à la conclusion selon laquelle les
deux types de circuit peuvent être complémentaires suivant la caractéristique la plus
importante. Le choix d’une structure de VCO peut s’avérer intéressant dans de nombreuses
publications et notamment celles qui concernent les systèmes de télécommunication (tableau
III-4).
Tableau III-4. Sommaire d’états des recherches de conception d’un VCO
Type Fréquence consommation Bruit de phase Figure de

Référence Technologie
d’inductance centrale de Puissance @1MHz Mérite
Bondwires
[9] CMOS 1.4 GHz 3 mW -127 dBc/Hz 315 dB
Fils de connexion
[10] CMOS Bondwires 1.6 GHz 0, 5 mW -115 dBc/Hz 312 dB
[11] CMOS Bondwires 1.8 GHz 24 mW -129 dBc/Hz 310 dB
[12] BJT Bondwires 1.1 GHz 2 mW -125 dBc/Hz 312 dB
[13] BiCMOS spirale 1.8 GHz 70 mW -108 dBc/Hz 285 dB
[14] CMOS Circuit actif 1.8 GHz 6 mW -125 dBc/Hz 312 dB
[15] BJT Externe 1.6 GHz 3 mW -115 dBc/Hz 304 dB
[16] CMOS Bondwires 1.89 GHz 15mW -110 dBc/Hz 301 dB
55
III. Critères d'évaluation des performances d'une inductance

III.1 Caractérisation d’une inductance intégrée spirale
Les inductances jouent un rôle très important dans les circuits analogiques
radiofréquences. Elles sont notamment utilisées pour les circuits de polarisation, d’adaptation,
de stabilisation et d’accord fréquentiel. Cette section est consacrée à la caractérisation et
l’optimisation des inductances pour concevoir un VCO avec des performances satisfaisantes
[6, 7, 17]. Nous présentons les principaux mécanismes physiques participant aux pertes dans
ce composant intégré [15]
Il y’a plusieurs architectures des inductances intégrées (figure III-4), elles sont de
forme : circulaires, octogonales, hexagonales, ou carrés [7, 15].
Figure III-4. Topologies des inductances spirales intégrées (a) de forme carrée (b) de
forme hexagone (c) de forme circulaire (d) symétrique utilisant deux inductances
spirales de forme carrée et (e) de forme carrée symétrique
En effet, les performances du VCO-LC, telles que la puissance de sortie, le bruit de
phase et la puissance consommée dépendent largement des facteurs de qualité des inductances
[18]. Pour mieux dégager les solutions permettant d'améliorer leurs performances, d’une
manière générale, une bonne inductance se définit par :
Une valeur d’inductance suffisante ;
Une faible résistance série ;
Une superficie réduite ;
De faibles pertes par le substrat ;
Une fréquence de résonance suffisamment élevée ;
Un facteur de qualité maximum à la fréquence de travail.
Il est alors nécessaire d’optimiser l’inductance, ce qui passe par la minimisation des
pertes qui sont d’origines multiples : pertes résistives dans le ruban métallique (spires), pertes
capacitives et inductives dans le substrat silicium (voir Annexe C2).
56
L'optimisation des différents paramètres qui caractérisent la géométrie d’une

inductance : diamètre, largeur de ruban, écartement inter spire, valeur, coefficient de qualité
ainsi que fréquence de résonance, a été menée au cours de plusieurs recherches [6, 17].
Généralement une inductance intégrée est caractérisée par (figure III-5) :
(i) nombre de tours, n ;
(ii) largeur de la ligne en métal, W ;
(iii) l’espacement entre les lignes en métal, s ;
(iv) diamètre externe, interne et moyen, respectivement, dout, din et d avg =0.5(d out + d in ) ;
(v) nombre de côtés, N, pour les inductances en polygone.
Ces cinq variables ne sont pas indépendantes. D'autres paramètres de géométrie
d'intérêt qui peuvent être exprimés comme fonctions de monôme des variables de conception
2
incluent la longueur de l'inductance l = 4nd avg , et la surface de l'inductance A = d out .
dout- w
dout- w
dout- w
s dout- w-s
w dout
Figure III-5. Inductance intégrée en forme carrée
Nous avons repris ces résultats pour le dimensionnement de nos éléments. D’après la
figue III-5, nous pouvons authentifier que la kème tours en extérieur est le diamètre de
d (k ) = d out − 2k (n − 1)( w + s )
l’inductance que nous définissons par :
(III-1)
⎛ n ( n − 1) ⎞
Et la longueur totale d’itinéraire de l’inductance par :
l = 4 ⎜ n ( d out − w ) − 2 ( w + s ) ⎟
⎝ ⎠
(III-2)
2
différents présentés dans la figure III-6. Nous notons qu’un tour est égale à 4 ( d (k ) − w) .
D’après [15], les inductances intégrées sont fabriquées à partir de deux gabarits
Figure III-6. Gabarits des inductances 1,25 tour et 2,25 tours. Expression de la longueur
totale ltot en fonction des dimensions de l'inductance
57
La valeur de l’inductance est dépendent de sa géométrie, l’expression (III-3) montre la

possibilité d’estimer numériquement la valeur de l’inductance à partir du nombre de tours et
des diamètres interne et externe :
L = K1µ0
n 2 d moyen
1 + K2 ρ
(III-3)
n: nombre de tours
w: largeur de ruban
µ0 = 4π 10-7 H/m est la perméabilité magnétique de l'espace libre.

s: écartement inter spire
K1 et K2 : coefficients de forme, dont les valeurs sont indiquées par le tableau III-5 :
Tableau III-5. Coefficients de forme de la formule modifiée de Wheeler
Forme K1 K2
Carrée 2.34 2.75
Hexagonale 2.33 3.82
Octogonale 2.25 3.55
Nous définissons aussi le remplissage de densité par l’expression suivante :
d out − din
ρ=
d out + din
(III-4)
Et le diamètre moyen par l’expression suivante :
d moyen = ( dout + din )

1
(III-5)
2
Où din et dout sont respectivement diamètre interne et diamètre externe de l’inductance
K1µ0 n 2 ⎡⎣d out -2 ( n − 1)( w + s ) ⎦⎤

La formule (III-3), présentée par [16], peut être définie par:
L=
( n − 1)( w + s )
(III-6)
1 + K2
d out − ( n − 1)( w + s )
Suivant [6, 16], il possible aussi, de déterminer le nombre de tours en fonction du paramètre
(d )
spécifique de l’inductance :
+ s − l (w + s) ⎥
⎡ ⎤
n= d out + s ±
2(w + s) ⎣
⎢
1 2
⎦
out (III-7)
En procédant de cette façon, la fréquence pour laquelle les performances de

l'inductance sont optimales dépend de sa valeur. Pour valider nos critères de choix de
l’inductance, plusieurs motifs de mesures sont étudiés. La variation de la valeur de
l'inductance est obtenue en choisissant d'abord le nombre de tours puis le diamètre externe
dout. La largeur du ruban métallique w ainsi que l'écartement inter spires s ont tous deux été
choisis constants et égaux respectivement à 10µm et 5µm pour toutes les inductances.
Les résultats sont présentés sur le tableau III-6 :
58
Tableau III-6. Spécification de la valeur de l’inductance en fonction du nombre de tours

Nombre de tours n
Grandeur Équation
1,25 2,25 3,25
l (µm) (III-2) 962,5 1642,5 2242,5
din (µm) (III-1) 195 175 155
d out − din
ρ=
d out + din
(III-4) 12,658.10-3 66,67.10-3 126,76.10-3
d moyen = ( dout + din )

1
(III-5) 195,5 187,5 177,5
2
LCarré (nH) 0,855 2,097 3,312
LHexagonal (nH) (III-6) 0,836 1,922 2,894
LOctogonal (nH) 0,815 1,894 2,884
III.2. Modèle simplifié associé à une inductance plane de forme spirale.

La figure III-7 illustre le modèle simplifié d’une inductance intégrée [16].
Substrat de Silicium
Oxide
COX COX
GS i CS i GS i
LS RS CS i
a)
CS CS
LS RS LS RS
COX
CS i GS i CP RP
b) c)
Figure III-7. Modèle d'une inductance spirale : (b) modèle-π, (c) modèle simplifié.
59
Les différents éléments indiqués sur le modèle électrique de l’inductance intégrée sont
caractérisés par :
Inductance Ls : pour une inductance spirale intégrée, [17] montre une expression précise
de monôme de la forme :
Ls = β dout ω d moyen nα 4 sα 5
α1 α 2 α 3
(III-8)
Où β et αi sont des coefficients indépendants de la technologie, β = 1.66.10-3 , α1 = -1.33 ,

α 2 = -1.125 , α 3 = 2.50 , α 4 = 1.83 α 5 = -0.022 ; Avec l'inductance en nH et les dimensions en µm
Résistance en Série Rs : Rs représente les pertes séries, dans le ruban métallique (pertes
ohmiques intrinsèques et celles dues à l’effet de peau et à l’effet de proximité). Rs peut
contenir également, les pertes par courants de Foucault dans le substrat. Elle est donnée
par l'expression de monôme suivante
⎛ ⎞ k l
⎜ σ ω δ ( i − e−t / δ ) ⎟ ω
RS = ⎜ ⎟ = 1 ,
l
⎝ ⎠
(III-9)
Où est la conductivité, t est l'épaisseur de tour et est la profondeur de peau. La profondeur

de peau est indiquée par δ = 2 , où ω est la pulsation et µ0 = 4π 10-7 H/m est la
(ωµ0σ )
perméabilité magnétique de l'espace libre [15, 17].
Capacité en série Cs. Cs est la capacité entre la sortie et l’entrée représentant les capacités
entre segments adjacents de la spirale et le recouvrement entre le ruban métallique et le
contact central « underpass ». La première capacité est négligeable, car les segments
adjacents sont presque au même potentiel [17]. Elle est modélisée par l'expression de
⎛ ε nω2 ⎞
monôme suivante :
Cs = ⎜ ox
⎜t ⎟⎟ = k3 n ω
⎝ ⎠
2
(III-10)
ox , M 1− M 2
Où t ox,M1-M2 est l'épaisseur d'oxyde entre la spirale et l'underpass.
Capacité de substrat Csi. La capacité de substrat est donnée par l'expression de monôme
⎛ C lω ⎞
suivante :
Csi = ⎜ sub ⎟ = k4 l ω
⎝ 2 ⎠
(III-11)
Où Csub est la capacité de substrat par unité de superficie.

Capacité d'oxyde du substrat-Spirale Cox. Cox représente la capacité entre la spire et le
substrat. Elle représente la majeure partie de la capacité parasite de l'inductance. Elle peut
être rapprochée par l'expression de monôme suivante :
⎛ ε lω ⎞
Cox = ⎜ ox ⎟ = k2lω ,
⎝ ox ⎠
(III-12)
2t
Où ε ox est la permittivité d'oxyde égale à 3.45.10-13 F/cm et tox est l'épaisseur d'oxyde entre la
spirale et le substrat.
60
Résistance de substrat Rsi : La résistance qui modélise l’effet résistif du substrat silicium
peut être exprimée par le monôme suivant :
⎛ G lω ⎞
Csi = ⎜ sub ⎟ = k4l ω
⎝ 2 ⎠
(III-13)
Où Gsub est la conductibilité de substrat par unité de superficie.

D’après le modèle équivalent d'inductance montré dans la figure III-7, nous pouvons
aussi, déterminer les éléments RP et CP.
Résistance de shunt RP. La résistance de shunt est donnée par l'expression de monôme
⎛ 1 + [ω Rsi (Csi + Cox )]2 ⎞ ⎛ k ⎞

suivante :
Rp = ⎜ ⎟=⎜ 6 ⎟
⎜ ω ⎟ ⎝ ω ⎠
⎝ ⎠
2 2
(III-14)
R si C ox l
Capacité de shunt CP. La capacité de shunt est donnée par l'expression polynomiale
Cox + ω 2 Rsi ( Csi + Cox ) Csi Cox

suivante :
Cp = = kr lω + ks ( lω )
1 + ⎡⎣ω Rsi ( Csi + Cox ) ⎤⎦
2
2
(III-15)
III.3 Caractérisation des Contraintes de conception de l'inductance

Dans cette section, nous montrons que la variété de spécifications de conception de
l’inductance peut être exprimée en tant que des contraintes d'égalité de monômes, ou des
contraintes d'inégalité polynomiales ; ces contraintes peuvent être donc manipulées par une
programmation géométrique [17].
Contraintes sur LS, Rs et Ctot : Puisque l'inductance est donnée par une expression de
monôme, nous pouvons fixer nos exigences de conception pour l'inductance pour être
dans une certaine marge, c.-à-d.
Ls = Lreq Lmin ≤ Ls ≤ Lmax (III-16)
La résistance en série, Etant monôme, peut être pareillement bornée. Nous pouvons
également imposer une limite à la capacité contribuée par l'inductance avec la contrainte
polynomiale :
C tot ≤ C tot,max . (III-17)
Facteur de qualité : Le facteur de qualité d'une inductance est défini par le rapport de
l'énergie magnétique maximale sans l'énergie électrique maximale sur la déperdition
d'énergie en un cycle (voir [17]),
R p (1 − − ω 2 Ls Ctot
Rs 2 Ctot
ω Ls
QL = ⋅
Ls
⎡⎛ ω L ⎞ 2 ⎤
(III-18)
RP + ⎢⎜ s ⎟ + 1⎥ Rs
Rs
⎢⎣⎝ Rs ⎠ ⎥⎦
61
C tot
Où R p =2R p et C tot = pour les dispositifs à deux-port et R p =R p et C tot =C tot pour des
2
spécifications pour le facteur de qualité minimum ( Q L ≥ Q L,min ) peuvent être écrites en tant
dispositifs d'un seul-port. L'équation (III-18) n'est pas polynomiale en nature. Cependant, les
qu’inégalité polynomiale de variables de conception.

QL ,min Rs ⎡ (ω Ls ) 2 ⎤ Rs 2 Ctot
⎢ p + + s⎥+ + ω 2 Ls Ctot ≤ 1
ω Ls R p ⎣ ⎦
R R (III-19)
Rs Ls
D’après cette expression, nous pouvons donc indiquer le facteur de qualité minimum
demandé.
Fréquence de résonance-self minimum : La fréquence de résonance-self ωsr est la
fréquence de résonance-inductance minimum ωsr ≥ ωsr,min , peut être écrite par l’inégalité
fréquence à laquelle le facteur de qualité QL est nul (voir [17]). Une condition sur la
polynomiale suivante :
ωsr2 ,min Ls Ctot ≤1

Rs 2 Ctot
(III-20)
Ls
Par conséquent, nous pouvons manipuler des spécifications de la fréquence de
maximum ωsr,min sujet à contrainte (III-20)).

résonance-self minimum et nous pouvons maximiser la fréquence de résonance-self (par le
Contraintes de la géométrie : Les inégalités de monôme w ≥ w min et s ≥ s min manipulent

les contraintes de processus qui limitent la taille minimum du dispositif. Le secteur
≤ A max .
d'inductance peut être contraint ou réduit au minimum en utilisant l'inégalité de monôme
2
d out
Le rayon moyen dmoyen est lié aux autres variables de conception par l’expression
d avg +(n - 1)s + nw = d out . Notant que l'espacement s est en général petit par rapport au davg,
dout et W ; nous pouvons remanier cette dernière équation comme contrainte polynomiale,
d moyen + ns + nω ≤ d out (III-21)
IV. Critère d’optimisation de la puissance consommée et du bruit de

phase
Actuellement plusieurs recherches concernant l’optimisation des VCO, s’intéressent
beaucoup au bruit de phase et à la consommation de puissance. Malheureusement, que
rarement que nous trouvons certaines discussions concernant le choix des valeurs optima de
l'inductance dans un résonateur-LC, celles suggérées par Hajimiri dans [3] réduit au minimum
le bruit de phase sous certaine contrainte de consommation de puissance, plutôt que la
consommation de puissance sera réduite au minimum sous une certaine contrainte de bruit de
phase. En outre, les recherches négligent les spécifications de l'amplitude de sortie du VCO.
L'approche proposée en cette section réduit au minimum la puissance consommée sous
des contraintes indiquées de bruit de phase et d’amplitude de sortie. En se basant sur le
modèle de Leeson, la densité spectrale de bruit d’un VCO est exprimée par :
62
⎧ 2 ⎛ ∆ω 1 ⎞⎫
⎪2 F K T ⎡ ⎛ ω ⎞ ⎤⎜ ⎟ ⎪ ≈ 10 log ⎧⎪ 2 FK T ⎛ ω0 ⎞ ⎫⎪
B {∆ω} = 10 log ⎨ ⎢1 + ⎜ ⎟ ⎥ ⎜1 + ⎟⎬ ⎨ ⎜ ⎟ ⎬ (III-22)
2
⎢⎣ ⎝ 2 Q ∆ω ⎠ ⎥⎦ ⎜ ∆ω ⎝ 2 Q ∆ω ⎠
f3
⎪ PS ⎟⎪ ⎪⎩ PS ⎪⎭
0
⎩ ⎝ ⎠⎭
Où PS est la puissance moyenne absorbée et Q est le facteur de qualité du résonateur
[1]. D'après la définition de Q, PS peut être exprimée par :
1 1 2
PS = =2 = 23 ∝
2
Eemmagasiné CVamp Vamp
ωQ ωQ ω LQ LQ
1
(III-23)
Où Vamp est l'amplitude à la sortie du VCO.

Puisque Vamp est déterminée par certaines spécifications, nous pouvons voir que la
consommation de puissance est inversement proportionnelle à LQ (rapport de puissance) pour
une amplitude de sortie et une fréquence d'oscillation fixées. En combinant l'équation (III-22)
et l'équation (III-23), nous obtenons :
⎧⎪ F K T ω 3 ⎛ ω 0 ⎞ ⎫⎪ ⎛L⎞
B {∆ω} ≈ 10 log ⎨ LQ ⎜ ⎟ ⎬ ∝ 10 log ⎜ ⎟
2
⎪⎩ Vamp ⎝ Q ∆ω ⎠ ⎪⎭ ⎝Q⎠
2
(III-24)
Le bruit de phase du VCO montré dans l’équation (III-24) est inversement

proportionnel à la valeur de L/Q (rapport de bruit). Avec un faible L/Q, le bruit de phase du
VCO s'améliore. D’après l’équation (III-23) et l’équation (III-24), il est possible de voir que
la consommation de puissance et le bruit de phase peuvent être réduits au minimum si LQ et
Q/L sont maximisés. Cependant, puisque Q est une fonction de L comme montré dans figure
III-8, LQ et Q/L ne peuvent pas être maximisés simultanément.
Q
250
200
150
100
50
L (nH)
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Figure III-8. Facteur de qualité Q en fonction l’inductance L
Ce résultat peut être déterminé en utilisant le circuit du VCO indiqué dans la figure
III-9. Nous pouvons à chaque fois déterminer la valeur de la capacité du condensateur utilisé
tout en gardant la fréquence fixe et en changeant la valeur de l’inductance intégrée. Ou bien,
nous déterminons les différentes valeurs du facteur de qualité correspondant aux choix
d’inductance, pour une tension de contrôle bien déterminée.
63
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
L Vctrl, p
(M1P) (M2P) L
VDD
VOut - VOut +
Vctrl, n
(M1n) (M2n)
CL CL
(M1) S1 (M2)
IBias
Figure III-9. Topologie d’oscillateur faible puissance
Les résultats énumérés dans le tableau III-7 prouvent l’intérêt des modèles analytiques
utilisés pour optimiser le bruit de phase et la puissance consommée.
Tableau III-7. Rapports d’optimisation de la puissance et du bruit de phase du VCO
Grandeurs Spécifications
L (nH) 1 2 3 5 6 7 9 10
f(GHz) 3,541 2.440 1,980 1,520 1,361 1,28 1,12 1,06
Q 197 150 108 47 38 37 31 34
Q.L (nH) 197 300 324 235 228 259 279 340
L/Q (pH) 5,076 13,334 27,778 106,383 157,895 189,189 290,323 294,118
Ces résultats peuvent être vus dans la figure III-10 et la figure III-11, où L/Q et LQ
sont tracés en fonction des différentes valeurs de L. Nous notons que le graphe L/Q détermine
le bruit de phase tandis que LQ détermine la consommation de puissance du VCO.
64
L/Q (pH)
Rapport de bruit
400
300 Réduire le bruit de phase
200
100
L (nH)
0
0 2 4 6 8 10 12
Figure III-10. Représentation graphique du rapport de bruit (Q/L) en fonction de L
Par conséquent, pour une telle condition qui définit le bruit de phase, nous pouvons
fixer une limite supérieure de L/Q. C'est-à-dire, afin de répondre à l'exigence du bruit de
phase, l'inductance doit être choisie de telle façon que son L/Q soit le plus petit que possible.
Rapport de puissance
Q.L (nH)
400
300
200
réduire la consommation
100
de puissance
L (nH)
0
0 2 4 6 8 10
Figure III-11. Représentation graphique du rapport de puissance (LQ) en fonction de L

pour fréquence variable
Parmi les diverses valeurs d'inductance qui répondent à cette exigence, l'inductance
devrait être choisie tel que LQ est maximisé, afin de réduire au minimum la consommation de
puissance. Pour fixer la fréquence à 2GHz, nous prenons C =2,11pF pour L = 3nH point
optimum. A ce point, la puissance est optimisée pour un bruit de phase acceptable.
V. Procédé d'optimisation de puissance

Le facteur de qualité d’une inductance dépend aussi de la capacité parasite CP et de la
résistance en série RS avec l’inductance [2, 7]. Les pertes à basses fréquences sont en effet
dues aux pertes Joules engendrées par ce composant. En revanche, à hautes fréquences, les
pertes sont essentiellement dues aux courants d’Eddy qui circulent dans les sections et en
chauffant le métal. Nous pouvons déterminer la valeur de la capacité parasite et la résistance
en série en se basant sur la géométrie de l'inductance [5, 6].
65
La capacité parasite s'ajoute à la capacité du résonateur, elle diminue donc la gamme

d'accord de fréquence relative de l'oscillateur. La résistance en série détermine le facteur de
qualité (Q) de l'oscillateur et donc la performance en bruit de phase. Le facteur de qualité de
l’inductance a tendance à augmenter avec la fréquence contrairement à celui des varactors.
C’est une des raisons qui fait que les oscillateurs peuvent être conçus à des fréquences plus
élevées. Les fréquences sont ensuite divisées afin d’atteindre la fréquence souhaitée. La
consommation du diviseur de fréquence est négligeable ; par contre, le bruit de phase est
meilleur qu’avec un VCO oscillant directement à la fréquence souhaitée. Pour que cette
dernière propriété soit vérifiée, il faut, là encore, se placer dans le cas où les fréquences à
générer sont très inférieures à la limite imposée par la technologie. La figure III-12 montre le
circuit équivalent d'une inductance spirale.
RS L
CP
Figure III-12. Circuit équivalent d’une inductance spirale
Pour des paramètres de processus et une capacité de varactor donnée, nous pouvons
considérer qu’une telle conception d'inductance est une contrainte qui s’ajoute avec les
contraintes de conception du VCO, en bruit de phase, amplitude d'oscillation, gamme
d'accord. Par conséquent, l'optimisation de puissance se base sur le choix d’une conception
optimale d'inductance. Le facteur de qualité Q d’un résonateur LC est donné par la
combinaison en parallèle des facteurs de qualité de l'inductance (QL) et de varactor (QV)
comme montré dans l'équation :
Q=
1
⎛ 1 1 ⎞
(III-25)
⎜ + ⎟
⎝ QL Qv ⎠
QV est habituellement plus grand que QL [2]. Par conséquent pour cette analyse, nous
supposons que la résistance en série du varactor est négligeable et que les seuls paramètres de
varactor d'intérêt sont les capacités maximum et minimum disponible. Le procédé
d'optimisation de puissance suivi dans ce chapitre se manifeste alors de la manière suivante :
Déterminer la puissance consommée pour une conception d'inductance donnée ;
Balayer les valeurs et les géométries d'inductances pour réduire au maximum la
consommation de puissance.
Pour réduire au maximum la consommation de puissance, nous devons l’exprimer en
termes des caractéristiques du VCO. Pour une structure complémentaire CMOS, nous
pouvons choisir une transconductance de la paire différentielle PMOS égale à celle de la paire
NMOS ; ce qui permet d’assurer des temps de montés et de descentes symétriques ; et par
suite, réduire la conversion du bruit de l/f [2]. Cette différence est expliquée par la grande
transconductance de la paire NMOS par rapport à celle de la paire PMOS, pour une capacité
parasite indiquée. Dans notre cas (figure III-9) les transistors Ml et M2 sont de faible longueur
pour réduire au maximum la capacité parasite.
Les spécifications de la fréquence centrale et de la gamme d'accord déterminent les
fréquences maximum et minimum d'oscillation.
66
f min ≈
1
⎛ ⎞
(III-26)
2π ⎜ CPa + CPL + CL + Cr ,max ⎟ L
1
⎝ 2 ⎠
f max ≈
1
⎛ ⎞
(III-27)
2π ⎜ CPa + CPL + CL + Cr ,min ⎟ L
1
⎝ 2 ⎠
La capacité totale est la somme de la capacité parasite due à l'inductance, la capacité
parasite due aux transistors Ml-M4 et de la capacité du condensateur variable (varactor MOS).
α f min − f max
L'équation III-28 montre l’expression de la capacité parasite maximale [2].
CPa ≤ − C pL − CL
4π f max f min L (α − 1)
2 2
1
2 2 2
(III-28)
2
Où fmin et fmax sont respectivement, les fréquence d'oscillation minimum et maximum,
α est le rapport entre les capacités de varactor maximum et minimum. CpL est la capacité
d'inductance changeante et CL est la capacité de charge aux nœuds de sortie du VCO [2].
Une première contrainte sur le courant est que la transconductance doit être de grande
valeur pour assurer l'oscillation. Autrement, elle doit être plus grande que la conductance
équivalente en parallèle avec l'inductance. Cette conductance équivalente est donnée par
l'équation :
R p ,eq RS ( Q 2 + 1)
=
1 1
(III-29)
RS est la résistance en série de l'inductance et Q est le facteur de qualité d'inductance.

Cette transconductance minimum exige un courant minimum donné par
l'équation III-30, où AV est le gain de boucle qui doit être plus grand que 1 (il est
habituellement de valeur deux ou trois pour assurer l'oscillation). En général, rDS est beaucoup
plus grande que RPeq, elle est ignorée dans toutes les équations.
I bias ≥
( )
AV2
RS Q + 1 µ Cox
(III-30)
2 2 2 W
L
Une deuxième contrainte sur le courant est l'amplitude d'oscillation exigée. Nous
avons supposé que, pour un système sans fil de basse puissance, le VCO ne commute pas
entièrement. C'est-à-dire, à l'amplitude maximum d'oscillation, tous les transistors restent en
saturation. [2] exprime le courant de polarisation par l’équation :
I bias = + µ Cox
µ Cox RS ( Q + 1)
2
1 W V peak
(III-31)
W 2 2 2 L 4
L
Où Vpeak est la tension de crête à la sortie du VCO.
La contrainte finale sur le courant est le bruit de phase maximum autorisé. Le bruit de
phase dû aux sources de bruit thermiques pour ce circuit peut être modélisé analytiquement
par l’équation :
B { f off } = 2rms 2 . 2
in2
Γ2 ∆f
8π f off qmax
(III-32)
67
Où Γ rms est la valeur efficace (rms) de la fonction «ISF», foff est l'offset de la fréquence
centrale, in2 est la puissance de bruit thermique, et qmax = CeqV peak est la charge maximum aux
bornes du circuit du résonateur (voir premier chapitre).
Dans ce chapitre, nous ne tenons pas compte du bruit de Flicker. Ceci nous permet de
dériver la transconductance minimum requise pour répondre aux spécifications du bruit de
phase. En fixant les tailles du dispositif, une autre contrainte de courant sera présentée par
g m = B { f off } 2
8π 2 f off2 CeqV peak
l'équation III-33 :
−
2 2
CeqV peak
Γ rms KT γ RPγ
(III-33)
En résumé, pour une conception d'inductance donnée, il y a trois contraintes sur le

courant. Ces contraintes de courants permettent de déterminer le courant de polarisation
minimum autorisé, et donc la consommation de puissance du circuit. Généralement, la
condition la plus rigoureuse est le bruit de phase, suivie de l'amplitude d'oscillation et
finalement des conditions exigées pour l'oscillation. La conception des inductances spirales a
été étudiée intensivement dans les littératures [5, 6, 7, 8,]. Il est possible de déterminer une
conception d'inductance valable pour un VCO qui répond à toutes les caractéristiques avec
une consommation de puissance minimum.
VI. Optimisation de puissance du VCO à concevoir

La technique d'optimisation de puissance sera appliquée à un exemple de conception.
Nous essayons de concevoir un VCO optimisé en puissance qui soit utilisable dans un
système de télécommunication avec une fréquence centrale de 2GHz, une gamme d'accord
nominale de 10%, et une amplitude d'oscillation de 1V. La chaîne d'accord réelle tient compte
des variations d'inductance et de condensateur. L'oscillation de tension de sortie, relativement
basse, est spécifiée par les conditions de fonctionnement de l’oscillateur et par le besoin de
basse consommation de puissance. Nous supposons que la capacité maximum du varactor est
deux fois la capacité minimum du varactor. Nous montrons les principales grandeurs de
conception du VCO à concevoir dans le tableau III-8.
Tableau III-8. Grandeurs de conception du VCO
Grandeurs Spécification
AV 3
RS 2Ω
µn µn = 43.8409.10−3 m2 / (V .s )
µp µ p = 9.79576.10−3 m2 / (V .s )
Cox 8.463 x 10−3 F / m
W 10 µm
L 0,35 µm
68
En ne tenant pas compte de l’effet capacitif de l’inductance et de la capacité de charge

aux nœuds de sortie du VCO, l’équation III-34 sera approximée par :
α f m2i x − f max
CPa ≤
L (α − 1)
2
4π 2 f max
2 2
(III-34)
f min
Le tableau III-9 montre les valeurs critiques de la capacité parasite totale
Le tableau III-9. Capacité parasite totale aux bornes des transistors du VCO
L (nH) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Cpa(fF) 67,24 33,62 22,41 16,81 13,45 11,21 9,61 8,41 7,47 6,72
Ce résultat place donc une limite supérieure sur l'inductance autorisée dans chaque
configuration. Il est clair que la plus basse capacité parasite soit atteinte à la valeur maximum
d’inductance. Comme illustré dans la figure III-8, le facteur de qualité varie pour toute
variation d’inductance. Le changement de valeur d’inductance se manifeste par le changement
de sa conception (largeur, nombre des tours…). En respectant l’équation III-31, il est clair que
la variation du facteur de qualité Q affecte le courant de polarisation minimum exigé.
L’équation III-34 se traduit numériquement, par le tableau III-10.
Tableau III-10. Courant de polarisation minimum exigé pour différentes inductances
L (nH) 1 2 3 5 6 7 9 10
Ibias minimum exigé
0,14 0,42 1,56 43,46 101,65 113,09 229,35 158,56
(µA)
D’après le tableau III-10, le choix d’une inductance de 3nH permet d’avoir une
puissance exigée minimum de 4,68 µW.
Comme montré précédemment, le bruit de phase est plus faible en augmentant la
valeur de l’inductance. Le courant de bruit diminue réellement avec l'augmentation de
l'inductance, ainsi que les capacités parasites correspondantes diminuent aussi. Par conséquent
les courants de bruit injectés, mènent à un bruit de phase plus faible pour des inductances de
grande valeur [2, 4]. Ceci est montré analytiquement dans le tableau III-11, pour une tension
d’alimentation de 2,5V, une tension de contrôle de 1V et un courant de polarisation de
1,56uA.
Tableau III-11. Bruit de phase pour différentes inductances
L (nH) 1 2 3 5 6 7 9 10
L(∆ω)@1MHz (dBc/Hz) -143,51 -141,73 -139,01 -132,89 -130,3 -129,71 -128,21 -129,11
69
Comme mentionnée précédemment, la valeur de l’inductance dépend de sa

caractéristique de conception. En effet, l'augmentation de la largeur en métal de l’inductance
diminuerait sa résistance en série, de ce fait le facteur de qualité sera augmenté. En même
temps, une augmentation de largeur en métal augmenterait la capacité parasite de l'inductance.
Par conséquent, le choix de la largeur du métal permet d’optimiser la puissance consommée et
le bruit de phase.
VII. Dimensionnement d’une structure de base d’un VCO, associée à la

méthode d’optimisation
L’utilisation d’un VCO-LC différentiel permet, par sa commande en mode différentiel,
de diminuer le bruit dû aux perturbations présentes sur l’alimentation et dans le substrat. Cette
structure peut être employée aussi bien sur un oscillateur en anneau (deux transistors MOS
pour contrôler le courant des inverseurs) que sur un circuit LC (diode varactor différentielle).
De même, pour une consommation identique, la transconductance est plus grande par
rapport à celle d’une topologie NMOS. Ce qui permet une commutation plus rapide c'est-à-
dire l’injection de charges est ainsi plus rapide et le bruit de phase s’en trouve diminué. Par
conséquent, la symétrie du montage CMOS offre des performances en bruit meilleures qu’un
VCO NMOS. Enfin, pour commuter les transistors dans le montage uniquement à base de
transistors NMOS, il faut une plus forte différence de tension car la valeur DC sur le drain est
celle de la tension d’alimentation.
Il est possible donc de déterminer le point optimum qui permet d’avoir un bruit de
phase minimum avec une consommation minimum pour une technologie donnée (transistor et
résonateur). Connaissant ces caractéristiques, nous pouvons par la suite spécifier les éléments
nécessaires pour la conception active dans une configuration d’oscillateur utilisable dans un
système de télécommunication.
Les tailles des transistors dans les VCOs CMOS sont réglables. Le rapport W/L du
transistor est étroitement lié à certains paramètres importants tels que la transconductance de
la paire différentielle et la capacité parasite. Par conséquent, il doit être pris en considération
dans le procédé d'optimisation.
Comme déjà énoncé précédemment, g L ≈ g tank , les transistors NMOS et PMOS doivent
être conçus tel que chacun des quatre transistors du VCO possède individuellement, une
g m ,n = g m , p = 82,74 µS
valeur de transconductance bien définie, par exemple :
(III-35)
En prenant le montage de la figure III-13 en tant qu’exemple associé à la méthode de

dimensionnement, nous pouvons fixer le gain à la valeur désirée. Ceci nous permet
d’expliquer la perte additionnelle du résonateur due à gm et aux éléments passifs du
résonateur.
Le dimensionnement des MOSFETs doit être précisé en respectant la valeur désirée de
gm. La relation entre gm et la taille du transistor MOSFET est spécifiée par le modèle de MOS,
où la transconductance est exprimée par :
g m = 2µ0Cox
W
ID (III-36)
L
Où µ0 est la mobilité des porteurs dans le canal tandis que ID est le courant de drain qui
circule dans le transistor MOSFET.
70
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
Vctrl, p L2
L1
(M1P) (M2P)
VDD
VOut - VOut +
Vctrl, n
(M1n) (M2n)
Miroir de courant
Vbias (M1) S (M2)
IBias
Circuit de
polarisation
(MM1) (MM2)
Figure III-13. Configuration du VCO utilisé

Nous pouvons fixer le courant de drain, selon la valeur désirée de la tension
d'oscillation à la sortie du VCO. L'amplitude du résonateur est indiquée par :
Vrésonateur = I bias .R p = I bias .ω0 .L.QL (III-37)
En spécifiant l'amplitude désirée du résonateur, par exemple, par Vrésonateur = 55mV, le
courant de polarisation exigé sera alors :
I bias = I tail = = 3.06 mA
55 mV
18 Ω
(III-38)
Puisque le courant de polarisation traverse également les deux branches du VCO, la

valeur du courant de drain de chaque MOSFET du VCO est alors la moitié de celle du courant
de polarisation. D’après [14], la mobilité des électrons et la mobilité des trous sont
µn = 43.8409.10−3 m2 / (V .s )
respectivement indiquées par :
µ p = 9.79576.10−3 m2 / (V .s )
(III-39)
Et (III-40)
εε
Ainsi la capacité d'oxyde est déterminée par :
3.9 x 8.854 x 10−12 F / m
Cox ,n = Cox , p = r 0 = −9
= 8.463 x 10−3 F / m (III-41)
tox 4.08 x 10 m
71
En utilisant les valeurs montrées précédemment, nous pouvons calculer le

rapport W des transistors NMOS et PMOS.
L
=
g m2
L 2 µ0Cox I D
W
D’après (I-13), (III-42)
Soit :
NMOS: W = 1,115 et PMOS: W = 4,990
L L
La différence entre les rapports des transistors MOSFETs N et P est
approximativement d’un facteur de 4,475. La raison de cette différence réelle est due à la
différence entre les mobilités des deux types des MOSFET. Le canal du MOSFET N est
constitué principalement par des électrons, tandis que les porteurs dans le canal PMOS sont
principalement des trous. Puisque les électrons ont une mobilité sensiblement plus élevée que
les trous, la mobilité du NMOS est en général plus haute que la mobilité des PMOS.
La définition de gm montrée dans l'équation (III-33) est un modèle simplifié comparé
aux modèles fortement complexes utilisés dans des environnements de simulation. En se
basant sur ce fait, les aspects des ratios trouvés de gm sont optimisés dans la cadence avec le
but d’obtenir les valeurs désirées du gm,n et gm,p. Le courant de polarisation est fourni à travers
un miroir de courant qui fournit ainsi, un courant ID de 1,53 mA. En se basant sur ce courant
de polarisation, les dimensions des MOSFETS sont ajustées jusqu'à ce que les
transconductances désirées soient obtenues ; ceci pour garantir un gain gneg,actif plus grand que
grésonateur ; ce qui permet le démarrage des oscillations.
En résumé, le rapport de NMOS est W = 1,115 rapporte un gm de 82,74 µS ; aussi le
L
rapport de PMOS est optimisé à W = 4,990 fournissant une valeur de gm de même valeur.
L
En conséquence, ces résultats prouvent également, que l'équation simplifiée de gm a fourni
une indication valide du dimensionnement nécessaire du transistor. Les dimensions finales
des MOSFETS et de leurs résistances correspondantes à la sortie sont montrées dans le
tableau III-12.
Tableau III-12. Dimensions physiques des MOSFET
MOSFET Type L (µm) W (µm)

M1 NMOS 0,35 0,44
M2 NMOS 0,35 0,44
M3 PMOS 0,35 1,75
M4 PMOS 0,35 1,75
Les conductances de drain-source des MOSFET contribuent à la perte du résonateur-

LC. Les valeurs réelles sont montrées dans le tableau III-13, en respectant les équations
(VG S − VTN )
suivantes.
= 12 K n
1 W
g ds,n = (III-43)
( VG S − VTP )
R NMOS Lcanal
= 12 K p
1 W
Et g ds,p = (III-44)
R PMOS Lcanal
72
En fixant VGS -VTN = VG S − VTP = = 1,5V , nous pouvons déterminer les valeurs
VDD
2
des conductances gds,n et gds,p.
g ds,n ≈ g ds,p = = 7, 447 mS
1
R NMOS
Il en résulte alors les valeurs des résistances de sortie des transistors qui sont montrées
dans le tableau III-13.
Tableau III-13. Résistances de sortie des transistors utilisés.
rds =
1
MOSFET Type gds (mS) (Ω)
g ds
M1 NMOS 7,447 134,282
M2 NMOS 7,447 134,282
M3 PMOS 7,447 134,282
M4 PMOS 7,447 134,282
Dans cet exemple, les résistances des MOSFET sont sensiblement plus faibles que la
résistance équivalente parallèle de l’inductance, à savoir Rp = 12,068 kΩ, ces résistances de
sortie sont ajoutées à l'inductance RP comme représenté sur la figure III-14.
Rp, inductance
1 1
g ds ,n g ds , p
1 1
g ds ,n g ds , p
Figure III-14. Circuit équivalent de résistances à la sortie du VCO
En tenant compte des résistances de sortie de MOSFET, les nouvelles RP égales à :
RP = = 11, 088 k Ω
1
+ +
(III-45)
1 1 1
R p, inductance rds, n rds, p
Comme observé dans l'équation (III-45), la résistance totale RP du résonateur-LC est
maintenant réduite mais ceci n'implique aucune conséquence critique puisque les dimensions
de la partie active de l’oscillateur agissent sur les conditions de démarrage des oscillations.
La contribution capacitive de gm au résonateur-LC dépend essentiellement de la
73
tension d'oscillation. L'amplitude d'oscillation est au commencement placée à 100 mV en se

basant sur une résistance RP de 11,088 kΩ.
VIII. Conclusion
Ce chapitre discute l’application du modèle de bruit et les contraintes de conception
pour la réalisation d’un VCO performant. La réduction de puissance et du bruit de phase se
manifeste par optimisation des paramètres de conception. Le VCO étudié est capable
d’osciller à une fréquence centrale qui dépasse les 3GHz. Pour une inductance de 3nH, sous
une tension d’alimentation de 2,5V et pour un courant de polarisation minimum exigé de
1,56µA, le bruit de phase du VCO de l’ordre de -139 dBc/Hz pour une offset de fréquence de
1 MHz.
74
Bibliographie
Bibliographie
Chapitre III
Bibliographie
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Geometric Programming, 1988
Communications applications’’ JTEA, Tunisia, Mai 2006.
Chapitre
IV
Méthodologie d’optimisation
d'un oscillateur LC via
satisfaction des contraintes de
conception
Chapitre IV :
METHODOLOGIE D’OPTIMISATION
D'UN OSCILLATEUR LC VIA SATISFACTION DES
CONTRAINTES DE CONCEPTION
Résumé :
Dans ce chapitre, nous allons détailler une méthodologie d’optimisation des
paramètres de conception d’un oscillateur LC. Ceci nous permettra d’identifier les principaux
mécanismes physiques fondamentaux commandant les propriétés de bruit dans les oscillateurs
radiofréquence.
La stratégie de conception sera concentrée sur l’arrangement de choix des composants
(transistor, varactor, inductance…) pour l'optimisation du bruit. Celle-ci sera exécutée en
utilisant une méthode graphique pratique d'optimisation. Cette méthodologie permet
d’optimiser le bruit de phase en tenant compte des principales contraintes de conception telles
que : la dissipation de puissance, l'amplitude du résonateur, la gamme d'accord, l'état de
démarrage et les caractéristiques des inductance spirales. Nous avons comparé les niveaux
de bruit de phase obtenus pour différents points de fonctionnement du VCO ; ce qui nous a
permis d’en déduire la méthode à adopter pour obtenir un bruit de phase minimum de
l’oscillateur pour une technologie donnée et une consommation du circuit fixée. Les
conclusions tirées de cette méthode concernant la minimisation du bruit de phase des
oscillateurs sont largement utilisées pour optimiser la conception du VCO à résonateur LC
complémentaire.
Enfin, nous constatons qu’un VCO de la ‘‘région de conception’’ présente des

performances modales. Ainsi, un bruit de phase de l’ordre de -142 dB/Hz est obtenu avec une
fréquence centrale égale à 2 GHz et une puissance consommée de 12.5 mW. Ces
performances montrent des avantages considérables : le circuit est optimisé en bruit de phase
et garantit les spécifications exigées. Il est enfin intéressant de noter que le VCO optimisé
présente un facteur de mérite considérable (-165,25dB). Les contributions apportées au VCO
optimisé (filtrage de bruit) permettent de réduire de plus, le bruit jusqu’à -150,65 dBc/Hz,
dans les mêmes conditions de polarisation.
Mots-clés :
Optimisation, Oscillateurs, VCO, paramètre de conception, plan C-W, inductance,
bruit de phase, fréquence.
N.BOUGHANMI, M.SAMET, A.KACHOURI : ‘‘Contribution à la conception d’un oscillateur à faible bruit de phase pour le radio mobile’’
Chapitre IV Méthodologie d’optimisation d'un oscillateur LC via satisfaction des contraintes de conception
I. Introduction
Ce chapitre définit les objectifs de ce travail de recherche en s’appuyant sur certains
paramètres critiques pour la conception d’un oscillateur-LC, complètement intégré en
technologie silicium. Parallèlement, nous avons développé une méthode de détermination du
niveau de bruit de phase minimum des oscillateurs LC. Après quelques rappels sur le bruit
dans les oscillateurs, nous avons effectué l’analyse théorique de l’architecture d’oscillateur
LC choisie en concluant sur les principales spécifications.
Plusieurs modèles de bruit de phase ont été discutés dans le premier chapitre. Ils
fournissent des perspicacités valables dans la conception d'oscillateur. Cependant, pour
réduire au maximum le bruit de phase, nous avons besoin habituellement d'un procédé simple
pour atteindre des performances en bruit de phase optimisées [1].
Dans ce chapitre, en se basant sur un simple modèle physique de phase pour
l'oscillateur LC, plusieurs expressions de bruit de phase sont dérivées [1, 2]. Ces équations
mènent à un nouveau critère de sélection de l’inductance, sur lequel nous proposons notre
procédé d'optimisation. Ce procédé est appliqué pour des oscillateurs LC en technologie
bipolaires ou CMOS [3, 4, 5]. La description de cette méthode d’optimisation commence par
la présentation de son principe en s’appuyant sur les éléments de conception clés permettant
la minimisation du bruit de phase [1, 6]. La présentation de la structure utilisée ainsi que des
résultats de simulation significatifs sont ensuite exposés.
Ce chapitre présente des méthodologies permettant de déterminer, de manière efficace,
le bruit de phase en respectant les exigences de conception spécifiées, que nous pouvons
atteindre pour une technologie d’oscillateur bien définie. En dépit de leur efficacité, ils
fournissent une perspicacité physique limitée dans le choix d’une conception optima. Par
conséquent, même en présence de tels outils de simulation, nous avons besoin d’une
compréhension fondamentale des paramètres de conception pour augmenter des innovations
de circuit et pour augmenter la productivité de conception [1, 7, 8, 9].
Une méthodologie d'optimisation géométrique a été récemment employée dans la
première partie de ce chapitre pour trouver une conception optimum pour certaines topologies
d'oscillateur LC. C'est particulièrement important quand le nombre de paramètres de
conception est grand, car n'importe quel outil d'optimisation exploite injustifiablement les
limitations des modèles utilisés [8, 9]. Par conséquent pour concevoir le VCO [14, 15], il est
nécessaire de déterminer les contraintes les plus importantes. Dans la plupart des cas, ces
contraintes sont : les minimisations conjointes de la consommation et du bruit de phase. Dans
notre cas, la principale contrainte est la réduction du bruit de phase de l’oscillateur [10, 16,
17]. La consommation quant à elle doit également, être minimisée pour ne pas trop contribuer
à la consommation totale du système. Finalement, l’objet de la dernière partie de ce chapitre
est consacré aux filtres de bruit pour améliorer les performances de notre conception du VCO
en bruit de phase [11, 12, 13, 18, 20].
En conclusion, nous vérifions par simulation l’efficacité de l’oscillateur LC CMOS à
concevoir. Les contraintes exprimées dans le cas de la réalisation d’une telle structure
électronique apparaissent.
II. Caractérisation des paramètres fondamentaux du bruit de phase

II.1 Modèle physique de bruit (LTI)
Nous illustrons dans cette section un modèle physique simple de bruit de phase. Ce
modèle est au commencement employé pour estimer le bruit de phase produit dans les
75
oscillateurs LC [1, 2]. En utilisant ce modèle, le bruit de phase peut être modélisé par des
équations analytiques. Par conséquent, il est très utile pour la conception d'oscillateurs LC.
II.1.1 Bruit du résonateur
Le bruit de phase produit par la résistance parasite du résonateur a été dérivé dans le
modèle de bruit de phase LTI discuté en chapitre I. Dans cette dérivation, le résonateur a été
considéré comme un circuit RLC en parallèle avec une inductance L, un condensateur C et
une résistance parasite RP. Pour une conception pratique du VCO LC, le circuit du résonateur
est habituellement mis en application par deux inductances et deux condensateurs (fig. IV-1).
Zhipeng Zhu [1, 2] prouve que le courant de bruit est également séparé en deux
sources de bruit avec une densité spectrale de 4kT.2g p . Nous notons que la densité spectrale
⎛ ω ⎞
de la tension de bruit de sortie produite par deux sources de courant de bruit est inchangée,
(∆ω ) = 2 KTg p ⎜ 0 ⎟ .ω02 L2

2
⎝ 2∆ω ⎠
2
V on , gp (IV-1)
Par conséquent, pour une oscillation sinusoïdale d’amplitude V0, l’expression du bruit
de phase devient :
2 KTg p ⎛ ω0 ⎞2 2 2
Bgp (∆ω ) = ⎜ ⎟ .ω0 L
V02 ⎝ 2∆ω ⎠
(IV-2)
VDD
2qIg 2qIg
VDD VDD
2qID 2qID
4kTRg 4kTRg
L/2 Vctr L/2

4kT2gP 2C 2C 4kT2gP
VOUT - VOUT +
4kTRg 4kTRg
2qID 2qID
2qIg 2qIg
ITail
Vbias In
Figure IV-1 Oscillateur LC CMOS en présence des sources de bruit principales

Dans des oscillateurs LC, les inductances intégrées sont généralement des inductances
spirales. Celles-ci ont habituellement des facteurs de qualités Q faibles. Ils limitent le facteur
de qualité du résonateur dans la plupart des conceptions d'oscillateur. Par conséquent, la
conductance parasite efficace des inductances fournit une bonne approximation de gp. Dans ce
cas, la conductance efficace pour chaque inductance L est gp. Cette prétention est employée
76
dans la dérivation de ce chapitre. Nous notons que les condensateurs peuvent également,
détériorer le facteur du résonateur Q, particulièrement, quand nous utilisons des condensateurs
de commutation pour augmenter la gamme d'accord de fréquence et pour réduire le gain du
VCO [3, 4, 5].
II.1.2 Bruit du circuit actif

Le bruit produit par les transistors croisés contribue également au bruit de phase de
sortie et c'est la partie dominante dans le bruit de phase global dans la plupart des cas. Pour
l'oscillateur LC mis en œuvre, en technologie CMOS [6, 7, 8], le bruit thermique du canal et
le bruit de Flicker du dispositif contribuent au bruit de phase de l'oscillateur. En se basant sur
un modèle physique simple du bruit de phase, plusieurs équations seront dérivées pour
calculer le bruit de phase résultant de ces sources de bruit.
II.1.2.1 Bruit de phase dans la résistance de grille Rg

Deux sources de bruit intrinsèques influent à la grille du transistor MOS: le bruit de
résistance de grille et le bruit thermique induit "par grille" (figure IV-2).
G D
2
Cgs
ing ig2 gmVgs
in2d
ri
Rg
S
Figure IV-2: Modèle simplifié de transistor MOSFET en présence de bruit thermique
2
dans la résistance de grille ing et le bruit grille induit dans le canal ig2 .
2
Le bruit de résistance de grille ing est le bruit thermique produit dans la résistance de la
grille Rg. Ce bruit peut être exprimé comme source courant de Norton [8, 9] :
2
ing = 4 KTRg ∆f (IV-3)
Où Rg est la résistance intrinsèque de grille, qui est donnée par :

Rg =
Rg , sq W
(IV-4)
3 L
Où Rg,sq est la résistance de la couche du matériau de la grille, W et L sont
respectivement, la largeur et la longueur du canal (Voir annexe D1).
Le bruit produit par la résistance de grille Rg, de chaque transistor de l’oscillateur
proposé, est modélisé par une tension de bruit avec la densité spectrale de Vn2,Rg = 4 KTRg
comme montré dans la figure IV-1.
La densité spectrale de la tension de bruit de sortie au petit offset ∆ω peut être calculée
en multipliant in2 par le carré de l'impédance de résonateur à ω0 ± ∆ω . Nous notons que pour le
circuit du résonateur illustré dans la figure IV-1, l'impédance est donnée par [1] :
⎡ ⎤
⎢ ⎥
2
( ) 2 . ω0 ⎥
L
∆ ω = ⎢
⎢ 2 j 2C ∆ω ⎥
2 1
Z noise , Rp . (IV-5)
⎢⎣ ⎥⎦
Par conséquent, la densité spectrale du bruit de sortie est indiquée par :
77
qR b IT2 ⎛ ω0 ⎞ 2 2
V (∆ω ) = .⎜ ⎟ .ω0 L
2
2π V0 ⎝ 2∆ω ⎠
2
on , gp (IV-6)
Les deux résistances de grille produiront le même bruit à la sortie. Par conséquent, le
bruit de phase produit par les résistances de grille de l'oscillateur LC peut être exprimé par :
qR g IT2 ⎛ ω0 ⎞2 2 2
BRg (∆ω ) = .ω L
π V03 ⎜⎝ 2∆ω ⎟⎠ 0
. (IV-7)
II.1.2.3 Bruit de phase produit par le bruit de Shot du courant du drain

Le bruit de Shot lié au courant drain est modélisé comme courant de bruit dans la
figure IV-1. En appliquant le même procédé, l'expression de bruit de phase produit par le bruit
4 K T IT ⎛ ω0 ⎞ 2 2
de Shot associé avec le courant ID est donnée par l’expression suivante (Voir annexe D1) :
BI D (∆ω ) = .ω L
π V03 ⎜⎝ 2∆ω ⎟⎠ 0
2
. (IV-8)
Nous considérons ici le bruit produit par les deux transistors.

II.1.2.4 Interprétations
Le bruit de Shot lié au courant de fuite dans la grille modélisé par 2qIg dans la figure
IV-1, peut habituellement être négligé parce qu'il est beaucoup plus petit que le courant de
drain [1]. En appliquant les techniques présentées au chapitre I, nous assumons que le bruit de
phase contribué par le bruit de Flicker de la paire différentielle, le bruit blanc et le bruit de
Flicker dans la source de courant de queue, sont efficacement supprimés.
En d'autres termes, cette étude se concentre sur la limitation du bruit de phase résultant
du bruit blanc des dispositifs et de la résistance parasite du résonateur dans les oscillateurs
LC. Nous notons que c'est le bruit de phase minimum selon le modèle de bruit de la phase de
Samori. D’après Zhipeng Zhu, l'amplitude de la tension de sortie V0 de l’oscillateur LC
illustré dans la figure IV-1, est égale à V0 =
2.IT .Rg
π
.
En se basant sur les équations montrées dans l’annexe D1, les équations qui estiment le
π 2 K T g 3p ⎛ ω0 ⎞2 2 2
bruit de phase résultant de 2kTgp, 4kTRg, 2qID sont respectivement, données par :
Bgp (∆ω ) = .⎜ ⎟ .ω0 L

⎝ 2∆ω ⎠
(IV-9)
IT2
π 2 q Rg g 3p ⎛ ω0 ⎞2 2 2
BRg (∆ω ) = .⎜ ⎟ .ω0 L
⎝ 2∆ω ⎠
(IV-10)
4 IT2
π 2 K T g 3p ⎛ ω0 ⎞2 2 2
BI (∆ω ) = .⎜ ⎟ .ω0 L
⎝ 2∆ω ⎠
(IV-11)
D
2 IT2
Nous notons que l'équation (IV-9) est valide seulement si l'oscillateur fonctionne dans
la région ‘‘limitée en courant’’ [1]. Dans cette région, l'amplitude d'oscillation augmente avec
l'augmentation du courant de queue. Par conséquent, le bruit de phase est réduit selon (IV-9),
(IV-10) et (IV-11). Cependant, l'alimentation d'énergie limite l'amplitude maximum dans
chaque oscillateur pratique.
Par exemple, en considérant l’oscillateur LC de la figure IV-1, la limite supérieure
d’amplitude est habituellement fixée par l'alimentation d'énergie. Après que l'amplitude
d'oscillation atteigne sa valeur maximum, un accroissement plus ultérieur du courant de queue
ne peut pas augmenter l'amplitude. Au contraire, il augmente le bruit produit dans les
78
dispositifs actifs et détériore ainsi la performance en bruit de phase.

II.2 Spécifications des principales variables du bruit de phase d’un VCO-LC
II.2.1 Spécifications préliminaires des paramètres de performance du VCO
Pour plus de simplicité, l’inductance est modélisée par une inductance idéale en série
avec une résistance comme montré dans la figure IV-3. Pour une comparaison circonspecte,
nous fixons par exemple la valeur de la résistance en série avec L, RS à 2Ω. En réalité, cette
résistance RS n’est pas fixe, elle varie avec la variation des paramètres de conception. Pour
plus de simplicité de calculs, nous avons négligé l’effet de cette variation. Nous plaçons aussi,
le courant de queue ITail à 3 mA et l’alimentation VDD à 2,5V. En conséquence, en suivant des
procédures de calculs bien définies, nous pouvons déterminer le facteur de qualité Qrésonateur et
la conductance gp dans le but d’optimiser l’oscillateur [1, 7].
VDD
VDD VDD
Inducteur
RS RS
L L
C
Vout- Vout+
Vbias ITail
Figure IV-3. Topologie d’oscillateur LC CMOS à haute fréquence

Le facteur de qualité du résonateur QRésonateur représentant les pertes globales du
résonateur est énoncé par l’expression suivante :
Qrésonateur = P
ω0 L
R
(IV-12)
Où RP est la résistance équivalente en parallèle modélisant la perte globale du

résonateur tandis que ω0 est la pulsation de résonance. Le facteur de qualité du résonateur est
dépendant des facteurs de qualité des composants inductifs QL et capacitifs QC, comme suit :
= +
1 1 1
(IV-13)
Qrésonateur QL QC
L'équation (IV-13) définit la relation entre la valeur-QL et la valeur-QC
respectivement, de l'inductance et du condensateur. Le facteur de qualité de l'inductance est
indiqué par l’expression suivante :
79
ω0 L
QL = (IV-14)
RS
Le facteur de qualité du condensateur est énoncé par l’expression suivante :
(R ω C)
QC =
1
'
(IV-15)
S 0
Où RS' dénote la résistance en série du condensateur. En se basant sur le fait que nous
assumons que la valeur QC de la partie capacitive réelle du résonateur est suffisamment plus
=> Qrésonateur ≈ QL
haute que la valeur QL d’inductance, le rapport suivant est valide :
QL 2 QC (IV-16)
En utilisant le rapport montré par l'équation (IV-12) la résistance équivalente en
[ω0 L ] ⎛ ω0 L ⎞
parallèle du résonateur est définie par :
RP = Qrésonateur .ω0 L = =⎜ ⎟ .RS = QL .RS

2 2
⎝ S ⎠
2
(IV-17)
RS R
Où R P = 1 est l’inverse de la conductance équivalente globale du résonateur.
gP
Avec la condition de (IV-17), pour différentes valeur de l'inductance, nous pouvons
trouver la valeur de RP en utilisant l’expression suivante :
⎛ω L⎞
RP = QL2 . ⎜ 0 ⎟
⎝ QL ⎠
(IV-18)
Pour démontrer l'efficacité des procédures d’optimisation et des modèles utilisés,

l’oscillateur LC (voir Chapitre I) est conçu et simulé par SPICE. A chaque fois, nous
ω0
déterminons la fréquence d’oscillation et la valeur du facteur de qualité QRésonateur que nous
définissons par Qrésonateur =
∆ω
. Les résultats de simulation sont énumérés dans le tableau IV-1:
Tableau IV-1. Spécifications des paramètres de performance du VCO
L (nH) 1 2 3 5 6 7 9 10
f(GHz) 3,541 2.440 1,980 1,520 1,361 1,28 1,12 1,06
∆f (MHz) 18.009 16,347 18,301 32,307 35,794 34,200 36,79 30,846
Q résonateur 197 150 108 47 38 37 31 34
Le bruit de phase est mesuré pour une offset de pulsation ∆ω = 2π.∆f = 2π.1 MHz. Le
⎛ ω ⎞
tableau IV -2 montre les résultats de calculs en respectant l’expression suivante :
B(∆ω ) = 2 KTg p ⎜ 0 ⎟ .ω02 L2

2
⎝ 2∆ω ⎠
(IV-19)
Avec : K= 1,38.10 −23 J / K : constante de Boltzmann

T = 25° C = 298 K : température ambiante
∆ω = 2π.200kHz : offset de pulsation
Le tableau IV-2 montre l’influence de l’inductance sur le bruit de phase pour une
fréquence relative à la porteuse de 1MHz :
80
Tableau IV-2. Performance du VCO en bruit de phase

L (nH) 1 2 3 5 6 7 9 10
gP(µΩ -1) 25,36 48,34 82,74 247,66 342,10 373,58 509,59 490,92
B (∆ω)@200kHz
-115,36 -119,03 -120,32 -120,16 -120,67 -121,36 -122,38 -123,45
(dBc/Hz)
En s’éloignant de la fréquence centrale d’un décalage fréquentiel fm (ou ∆ω), les

signaux parasites interférés sur le signal mère à la sortie de VCO, participent au bruit de phase
total du VCO. Le tableau IV-3 montre l’ordre du bruit de phase en fonction des fréquences fm
relatives à la fréquence centrale 2GHz, pour L = 3nH.
Tableau IV-3. Bruit de phase du VCO-LC, pour L = 3nH
fm (MHz) 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
B (∆ω) en (dBc/Hz) -106,34 -112,36 -115,88 -118,38 -120,32 -121,32 -123,24 -124,4 -125,43 -126,34
Il est souhaitable d’avoir RP aussi grand que possible puisque ceci peut être traduit à
une valeur Q plus élevée et donc une basse résistance série du résonateur. Un facteur de
qualité plus élevé signifie une meilleure performance en bruit de phase qui est l'un des
principaux buts dans la conception de VCO.
II.2.2 Caractérisation du mode de fonctionnement du VCO-LC

Pour un oscillateur LC typique, nous identifions deux modes de fonctionnement,
appelés régime limité en courant et régime limité en tension, tout en considérant le courant de
polarisation comme variable indépendant [8, 9]. Dans le régime limité en courant, l'amplitude
Vrésonateur du résonateur croit linéairement avec le courant de polarisation selon l’équation :
I
Vrésonateur = bais , jusqu'à ce que l'oscillateur atteint le régime limité en tension, dans lequel,
g résonateur
l'amplitude est limitée par Vlimit. Vlimit est déterminée par la tension d'alimentation et/ou un
changement du mode de fonctionnement des dispositifs actifs. Ainsi, Vrésonateur peut être
exprimée par l’expression suivante :
⎧ I bais / g résonateur ( I − Limté )
Vrésonateur = ⎨
⎩Vlim it (V − Limitée)
(IV-20)
Ces deux modes de fonctionnement peuvent être vus d'une perspective différente, en
employant l'inductance L du résonateur comme variable indépendante au lieu de Ibias.
L'énergie Erésonateur du résonateur est définie par E tan k =
2
CVrésonateur
. Vrésonateur peut être
2
exprimée en fonction de Erésonateur par :
= = 2 E résonateurω 02 L
2 2 E résonateur
Vrésonateur (IV-21)
C
Où, ω 0 =
1
est la fréquence d'oscillation.
LC
81
L'amplitude du résonateur croit avec L pour Erésonateur et ω0 donnés. De la même

manière, pour le régime limité en courant, nous nous référons ce mode en tant que régime
limité en inductance quand L est la variable indépendante. Ainsi Vrésonateur est réécrite
⎧⎪2 E résonateur ω 02 L ( L − Limitée )
=⎨ 2
⎪⎩Vlim t (V − Limitée )
2
V résonateur (IV-22)
Pour plus de simplicité, nous montrons sur la figure IV-4 une représentation graphique
des différentes zones de limitation (en courant, tension, inductance).
Erésonateur 2 > Erésonateur 1
Vrésonateur Limite en tension
A2 A1
Vlimt
Limite en couarnt
Inductance L
L2 L1
Figure IV-4. Courbes représentatives de Vrésonateur en fonction de L obtenues à partir de
(IV-22) pour deux différentes énergies du résonateur Erésonateur.2 > Erésonateur.1.
En augmentant l’inductance, l'amplitude du résonateur croit jusqu'à ce qu'elle atteigne
Vlimit (régime limité en inductance). Une fois que l'amplitude du résonateur atteint ce stade,
elle cesse de croître avec l’accroissement plus ultérieur de l'inductance (régime limitée en
tension). Les parties de courbes avec des lignes discontinues sont non réalisables.
L’équivalent de la relation (IV-21) donne :
Vrésonateur = 2 E résonateur ω 0 L (IV-23)
En respectant l’équation (IV-19), il est clair que le bruit de phase est dépendant de
certains paramètres dont nous définissons selon leur régime de fonctionnement :
⎧⎪ L2 g L2 / I bias ( I − Limtée)
B{ f off } ∝ ⎨ 2
⎪⎩ L I bias / Vsup ply (V − Limitée)
2
(IV-24)
II.2.3. Considérations de conception pour l'inductance

Selon l'équation (IV-24), pour un courant de polarisation donné, le bruit de phase
augmente avec la croissance de L dans le régime limité en tension. L'équation (IV-24) indique
également que, pour une inductance donnée L, le bruit de phase augmente avec le courant de
polarisation dans le régime limité en tension. Ceci induit le gaspillage de puissance.
L’expression analytique (IV-11) du bruit de phase produit dans le VCO étudié, indique que ce
dernier est proportionnel au facteur L2 .g L3 pour un courant de polarisation et une fréquence
d'oscillation donnée [1, 8].
Dans le cas d’une inductance spirale intégrée L donnée, la transconductance efficace
minimum gL diminue avec la croissance de l'inductance. Le facteur L2 g L3 décroit alors, avec la
croissance de l'inductance. Ainsi, pour un Ibias (3mA) donné, le bruit de phase augmente avec
l'inductance dans le régime limité en inductance.
La stratégie de conception pour le VCO est récapitulée ainsi, par : « trouver
82
l'inductance minimum qui satisfait les contraintes d'amplitude et de démarrage du résonateur

pour le courant de polarisation maximum autorisé par les caractéristiques de conception ».
Nous pouvons effectuer certaines approximations, en se basant sur le fait que la
plupart des pertes sont causées par l’inductance. Nous pouvons ainsi, négliger l’influence de
la résistance RP. Nous pouvons donc, utiliser directement, la résistance en série RS de
l’inductance à la place de celle du résonateur.
La phase suivante consiste à assurer que le circuit du VCO fournira suffisamment de
courant pour permettre au montage d’osciller. La condition à satisfaire est la suivante [8, 9] :
g m ≥ α min g résonateur ,max (IV-25)
Où αmin est le gain minimal en petits signaux de la boucle. La valeur du paramètre αmin
est généralement, choisie entre 2 et 3 pour garantir le démarrage de l’oscillation du VCO.
La valeur de la conductance gL est définie par l’expression suivante [1] :
gL = gP + ≈ gP
( 2π . f0 ) .L2
RS
2
(IV-26)
Pour le cas d’une inductance intégrable, l’ordre de grandeur du facteur de qualité de

l’inductance est prédictible. Nous pouvons donc, spécifier le niveau du bruit de phase du
VCO dans le tableau IV-4.
Tableau IV-4. Spécifications des principaux paramètres du bruit de phase
L (nH) 1 2 3 5 6 7 9 10
f(GHz) 3,541 2.440 1,980 1,520 1,361 1,280 1,120 1,060
Q 197 150 108 47 38 37 31 34

gP ≈ gP (µΩ -1) 25,36 48,34 82,74 247,66 342,10 373,58 509,59 490,92
L g ( 10 .H / Ω )
2 3
L
−27 2 3
0,00002 0,001 0,005 0,8 1,44 2,56 10,72 11,83
Selon un modèle physique simple de bruit de phase, plusieurs expressions analytiques

ont été dérivées pour décrire le bruit de phase produit dans les oscillateurs LC.
Figure IV-5. Courbe représentative de L2 g L3 en fonction de l'inductance d’un VCO-LC
83
En résumé, la figure IV-5 montre clairement que le facteur L2 g L3 , augmente avec

l'augmentation de l'inductance L.
III. Etude et modélisation des paramètres de conception d’un oscillateur

LC
Le procédé de choix des variables de conception joue un rôle important pour
l'optimisation de la consommation et du bruit de phase du VCO.
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
L1 L2
Vctrl, p
(M1P) (M2P)
VDD
Vctrl, n
(M1n) (M2n)
(M1) (M2)
ITail
Vbias
Figure IV-6. Topologie d’oscillateur CMOS à optimiser

Ceci nous mène à la réalisation d’une stratégie basée sur un arrangement de choix des
paramètres de conception, fournissant un support pour une procédure détaillée d'optimisation
qui sera présentée plus tard dans ce travail (pour plus d’informations voir Annexe E2). Pour
aborder ce sujet, nous considérons la physique fondamentale de la structure du VCO montrée
dans la figure IV-6. Cette structure est une topologie standard qui présente l’avantage de
pouvoir fixer la capacité du condensateur à la valeur souhaitée en agissant sur l’une des
tensions de contrôle [3, 4, 5].
La figure IV-7 rappelle les conditions nécessaires et suffisantes pour l’oscillation du
VCO. Dans ce modèle grésonateur représente la perte du résonateur et -gacitve est la
transconductance négative efficace des dispositifs actifs qui compense les pertes dans le
résonateur [8].
84
−1
Rrésonateur =
1
L C
gm grésonateur
Dispositifs actifs Résonateur RLC
Figure IV-7. Modèle de l’oscillateur LC

La conception du VCO nécessite d’étudier le modèle équivalent du circuit de
l'oscillateur CMOS. Pour ce faire, nous avons en recours à une présentation de Van der Pol
dans la figure IV-8, où la ligne discontinue au milieu représente le mode commun ou la
masse. Cette topologie sera choisie pour concevoir un oscillateur de 2 GHz avec une gamme
d'accord de 10% et la performance en bruit de phase soit optimisée [1, 7, 8, 9].
(gds, p) (gds, p)
Transistor PMOS
- (gmp) - (gmp)
CPMOS CPMOS
CL=CS+CP CL=CS+CP
RP RP
Inductance spirale
L RS RS L
CV RV RV CV
Varctors PMOS
CV RV RV CV
Varctors NMOS
CNMOS CNMOS
- (gmn) - (gmn) Transistor NMOS
(gds, n) (gds, n)
Figure IV-8. Modèle équivalent de l'oscillateur LC CMOS
85
IV. Procédé de satisfaction des contraintes de conception du VCO par

l'intermédiaire de la méthode graphique
Dans cette section, nous démontrons une stratégie de conception en utilisant la
topologie de l'oscillateur montré dans la figure IV-6. Cette démarche décrite, sera appliquée à
l’étude du VCO en technologie MOSFET-0.35µm afin d’en illustrer son bon fonctionnement.
Il faut tout de même signaler que cette démarche peut s’appliquer à la conception d’un VCO
avec inductance aussi bien externe qu’interne.
Par conséquence, nous indiquons le maximum de contraintes de conception. Ainsi
nous détaillons la stratégie de conception du circuit dans le but d'optimiser le VCO en bruit de
phase. Nous commençons par modéliser les différents paramètres de conception dans le but
d’extraire les principales contraintes pour concevoir un oscillateur à faible bruit de phase.
IV.1 Processus d'optimisation

Cette approche de conception peut être récapitulée par les étapes montrées dans la
figure IV-9.
Réglage du courant de polarisation à

Imax
Conjecture initiale d'une valeur

d'inductance L
Trouver l'inductance qui réduit au

maximum gL
Tracer les contraintes de conception

dans un plan C-W
S'il y a plus qu'un point
de conception optimale
diminuer l'inductance dans le plan C-W
Un seul point dans le plan C-W la région optimale se

rétrécisse à un point
optimum : inductance L Satisfaction des

Faible bruit contraintes
C et W optima
Figure IV-9. Algorithme d’optimisation du bruit de phase du VCO par la méthode

graphique
86
La stratégie d’optimisation se base alors sur les points suivants [1]:
a) Régler le courant de polarisation à Imax, et sélectionner une présupposition initiale

pour une valeur d'inductance ;
b) Trouver l'inductance qui réduit au maximum gL ;
c) Tracer les contraintes de conception dans un plan CW en poursuivant l'inductance

choisie ;
d) S'il y a plus qu'un point de conception optimal dans le plan CW, diminuer
l'inductance et répéter jusqu'à ce que la région optimale se rétrécisse à un seul point. Ce
point représente l'optimum de C et W et correspond à l'inductance L optima.
IV.2. Etude et Caractérisation des contraintes de Conception

Nous prouvons maintenant que les caractéristiques de conception de l'oscillateur LC
peuvent être exprimées en tant que contraintes d'égalité de monômes, ou contraintes
d'inégalité polynomiales. Nous pouvons donc les manier par une présentation graphique ou
une programmation géométrique GP en vue d’optimiser le VCO par la méthode de satisfaction
des contraintes.
Dans cette section, nous imposons les contraintes de conception au bruit de phase (qui
est le but principal de l'optimisation), à la dissipation de puissance, à l'amplitude du
résonateur, à la gamme d'accord de fréquence, à l'état de démarrage et au diamètre des
inductances spirales. Nous pouvons alors, montrer l’existence de onze variables de
conception :
Dimensions des transistors MOS (Wn, Ln, wp et Lp) ;
Paramètres géométriques des inductances spirales intégrées (largeur du métal b,

l’espacement S entre deux bandes d’un métal, le nombre de tours n et le diamètre d) ;
Valeurs maximum et minimum des varactors (Cv,max et Cv,min) ;
Courant de polarisation de queue (Ibias) dans le noyau de l'oscillateur.

Ces variables de conception sont limitées par les contraintes de conception
suivantes [1, 7, 8, 9]:
IV.2.1 Puissance dissipée

D'abord, la contrainte maximum de puissance est imposée sous forme de courant de
polarisation maximum Imax.
Elle est donnée par l’expression suivante :
I bias ≤ I max (IV-27)
Nous pouvons exprimer aussi la puissance dissipée par le produit de la tension
d'alimentation Vdd et le courant de polarisation Ibias
P = I bias Vdd (IV-28)
maximum avec une contrainte de monôme ( P ≤ Pmax ).

Puisque l'équation (IV-28) est monôme, nous pouvons borner la puissance dissipée
87
IV.2.2 Amplitude de tension différentielle

En second lieu, l'amplitude du résonateur est exigée pour être plus grande qu'une
certaine valeur, Vrésonateur,min. Nous pouvons la déterminer suivant le mode de fonctionnement
de l'oscillateur en mode limité en courant ou limité en tension. L'amplitude de la tension
différentielle à la borne du résonateur peut être exprimée par :
⎧ I ⎫
Vamp = min ⎨ bias , VDD ⎬
⎩ g résonateur ⎭
(IV-29)
Nous pouvons imposer une oscillation minimum ( Vamp ≥ Vamp,min ) avec les deux
⎛ ⎞
contraintes de monôme,
V DD ≥ Vrésonateur, max ≥ ⎜⎜Vrésonateur = ⎟ ≥ Vrésonateur, min

⎟
I bias
⎝ ⎠
(IV-30)
g résonateur, max
IV.2.3 Gamme d'accord de fréquence

Nous pouvons imposer une contrainte à la pulsation de résonance maximum ωresmax.
Cette contrainte est indiquée par l'expression polynomiale suivante:
ωres,max =
1
(IV-31)
Lrésonateur Crésonateur, min
De même, la gamme d'accord de la fréquence d'oscillation est exigée pour être au-
dessus d'un certain pourcentage minimum de la fréquence centrale, elle est indiquée par les
contraintes suivantes :
Lrésonateur Crésonateur, min ≤

ωmax
1
2
(IV-32)
Lrésonateur Crésonateur, max ≥

ωmin
1
2
(IV-33)
IV.2.4 Gain de boucle

La condition de démarrage de l’oscillateur complémentaire, peut être exprimée par
g m ,n + g m, p
gm = ≥ α g g résonateur (IV-34)
2
Où αg est le gain excessif, il est typiquement ≈ 2 à 3 .
IV.2.5 Chaîne d'accord de varactor

Bien que la valeur absolue de la capacité de varactor ne soit pas typiquement limitée,
le rapport d'accord maximum β v = v ,max est limité. En imposant un βv maximum, nous
C
Cv ,min
pouvons mentionner la contrainte en forme d’un monôme
Cv ,max ≤ β v Cv ,min (IV-35)
IV.2.6 Contraintes d'inductance

Les inductances jouent un rôle très important dans le circuit de VCO. L’obtention
d’une inductance optimale est un problème complexe qui dépend largement de la technologie
et de la structure de l’inductance. D’une manière générale, la qualité de l’inductance dépend
88
de la valeur de l’inductance, la résistance série, la superficie, les pertes par le substrat, la

fréquence de résonance et le facteur de qualité à la fréquence de travail.
Dans cette section, le choix de l’inductance s’est déroulé dans le cadre de la
conception du VCO oscillant à une fréquence de 2GHz. Les caractéristiques de l'inductance
minimum et maximum dépondent essentiellement du secteur maximum, de l'espacement de
tour, la largeur minimum, etc. Dans notre cas, nous pouvons spécifier un diamètre maximum
dmax, pour l'inductance spirale c.-à-d :
d ≤ d max (IV-36)
IV.2.7. Contraintes de la géométrie
Nous pouvons exiger que la largeur et la longueur des dispositifs soient bornées dans
une marge d’espace, en utilisant les contraintes de monômes suivantes :
⎧ Wmin ≤ W ≤ Wmax
⎨
⎩LCanal, min ≤ LCanal ≤ LCanal, max
(IV-37)
≤ Amax
Nous pouvons également limiter le secteur d'inductance en imposant la contrainte de
2
monôme d out
IV.3. Spécifications des variables indépendantes
Puisque le bruit thermique de la source de courant de queue, à proximité de la
fréquence d'oscillation, n'affecte pas le bruit de phase de l'oscillateur dû à son fonctionnement
différentiel [1], nous employons dans cette section Ibias comme paramètre de conception plutôt
que les dimensions du transistor de polarisation. Nous justifierons que l'approximation ne
fourvoie pas brièvement la conception.
Tous les paramètres électriques dans le modèle du circuit équivalent peuvent être
exprimés en termes de variables de conception, en utilisant des formules existantes pour les
paramètres du transistor et du résonateur intégrables [7, 8, 9]. Dans la figure IV-6, les
paramètres qui apparaissent fréquemment, dans l'optimisation sont :
- les pertes grésonateur ;
- la transconductance négative efficace (-gm) ;
- l'inductance du résonateur Lrésonateur ;
- la capacité du résonateur Crésonateur.
Le nombre de variables de conception indépendantes peut être réduit à six en tenant

compte de certaines considérations appropriées de conception. D'abord, pour la contrainte de
consommation de puissance (IV-28), Ibias est ajusté à Imax.
En second lieu, pour des transistors MOS, les longueurs de canaux Ln et Lp sont fixés
au minimum possible par le processus pour réduire les capacités parasites et réaliser la
transconductance la plus élevée. Même en employant un transistor MOS avec Wn = Wp, les
transconductances gmn et gmp sont distinctes accuse de la différence entre les mobilités des
porteurs électrons et trous. Par conséquence les transistors MOS présentent seulement une
variable indépendante de conception, W = Wn = Wp.
Troisièmement, les varactors MOS présentent seulement une variable de conception
C
CV,max puisque dans un varactor typique, le rapport V,max est principalement déterminé par la
CV,min
89
physique fondamentale du varactor.

Le tableau IV-5 montre les variables indépendantes.
Tableau IV-5. Désignation des variables de conception indépendantes
Composants Variables de conception Notation

Transistor W w
Inductance spirale b, s, n, d b, s, n, d
Varactor Cv,max C
Le tableau IV-6 montre un exemple des contraintes de conception.
Tableau IV-6. Spécification des paramètres de conception
contraintes de Conception Équations Spécifications Valeurs
Puissance dissipée (IV-27) Ibias = IMax 3 mA

Vrésonateur, min 100 mV
Amplitude de tension (IV-30)
Vrésonateur, max 2,5 V
Fréquence de résonance (IV-31) fCentrale 2 GHz
Démarrage (IV-34) αmin 3
(IV-33) fMin 1,8 GHz
Gamme d'accord
(IV-32) fMax 2,2 GHz
Chaîne d'accord du
(IV-35) β = CV max C 2
varactor V min
Résistance en série RS 2Ω
Contraintes d'inductance L 3 nH
Alimentation VDD 2,5 V
Taille (longueur du canal) Lcanal 0,35 µm
IV.4. Détermination de la région optimale de conception du VCO-LC

Dans cette section, la valeur de l'inductance L est fixée pour montrer la faisabilité de
conception des points dans le plan C-W (condensateur, largeur des transistors). On règle L à
3nH. Les paramètres géométriques de l'inductance tels que b, s, n et d sont choisis pour
réduire au maximum gL.
Toutes les contraintes de conception (de (IV-27) à (IV-35)) sont visualisées dans le
plan C-W (figure IV-10) ; où W (largeur des transistors en micromètres) et C (capacité du
varactor en picofarads). La ligne d'amplitude de résonateur est le lieu des points C-W ayant
Vrésonateur = I bias .R p = I bias .ω0 .L.QL

pour résultat une amplitude du résonateur Vrésonateur,min indiquée par l’équation suivante :
(IV-38)
90
Nous avons déjà spécifié l'amplitude minimum du résonateur par 100mV, le courant
de polarisation exigé sera alors Ibias = 8,28 µA. Les points au-dessous de cette courbe
d'amplitude du résonateur correspondent à des valeurs supérieures à 100mV.
⎛C ⎞
Dans cette partie, nous tenons compte des caractéristiques CV du varactor MOS et du
rapport ⎜ v,max ⎟ . Ce rapport est presque une constante, principalement déterminée par la
⎝ C v,min ⎠
⎛C ⎞
physique fondamentale du varactor. Par conséquent, nous pouvons fixer β = ⎜ v,max ⎟à 2
⎝ C v,min ⎠
dans cette conception.

Les mêmes contraintes de conception énumérées dans la section IV sont imposées à ce
VCO. Comme mentionné précédemment, la contrainte de puissance d'énergie est limitée et
ITail devrait être placée au courant maximum possible.
Dans cette section, nous pouvons seulement, tenir compte de deux variables de
conception : la largeur du transistor NMOS, W et la capacité du varactor, C = CV. Tous les
autres paramètres apparaissant dans (IV-27) à (IV-35) peuvent être obtenus à partir de Wn et
CV. Par conséquent, l'axe des abscisses et l'axe des ordonnées dans les figures IV-10 et IV-11
sont respectivement, W et C.
Dans tout ce qui suit, L et β sont fixés respectivement à 3nH et 2, alors que CL est
négligé devant les autres capacités. CNMOS et CPMOS (y compris Cgs, Cdb et Cgd) sont
rapprochés par les expressions suivantes [1, 9] :
C NMOS = Cgs,n + Cdb,n + 4Cgd,n (IV-39)
C PMOS = Cgs,p + Cdb,p + 4Cgd,p (IV-40)
L’équation LC min ≤
ωmax
1
2
, nous permet de limiter C et W par l’équation suivante:
C Vmin ≤ − C PMOS − C NMOS − C L

Lωmax
1
2
(IV-41)
CL est la capacité totale de l'inductance spirale donnée par Cs+Cp. Elle est approximée
à une capacité constante que nous négligeons prochainement dans cet exemple de conception.
En suivant les instructions de l’annexe E2, nous trouvons :
C V ≤ 1, 75.10−12 − 6 065,15.10-12 .W
Nous définissons alors, la première contrainte par
FMax : C = − 6 065,15.10-12 .W + 1, 75.10−12 (III-42)
De la même manière, en se basant sur l’expression suivante LC max ≥ 1

ωmin
2 et en
C V ≥ 1,3.10−12 − 3 032,575.10-12 .W
suivant les instructions de l’annexe E2, nous trouvons :
La deuxième contrainte est définie alors, par
FMin : C = − 3 032,575.10-12 .W + 1,3.10−12 (VII-43)
En traçant les caractéristiques FMin et FMax, si un point se trouve entre ces courbes dans
le plan CV-Wn, il satisfera la contrainte de gamme d'accord.
91
g mn + g mp (g d ,n + g d , p + g v + g L )
La contrainte de démarrage correspond à l'expression suivante
gm = ≥ α g résonateur = α (IV-44)
2 2
Pour garantir le démarrage d’oscillation, nous pouvons par exemple, choisir le
minimum αmin = 3. Les paramètres gm et go peuvent être facilement calculés selon la taille du
dispositif et le courant de queue, qui est le courant maximum autorisé (3mA dans ce cas).
Or nous avons :
⎧
⎪ g m ,n = 2 µ nCOX
W
⎪
ID
⎨
L
⎪ g = 2µ C
(IV-45)
⎪⎩ m , p
W
p OX ID
L
Le courant de polarisation traverse également les deux branches du VCO. En
polarisation. En considérant la mobilité des porteurs µ n = 43.8409.10 −3 m 2 / V /S

conséquence, le courant du drain de chaque MOSFET est égal à la moitié du courant de
et µ p = 9.79576.10−3 m2 / V /S , nous pouvons prouver que :
gm =
1
2
( g m,n + g m,p ) = 1,3132.W 0,5 (IV-46)
En respectant la démarche montrée dans l’annexe E2, nous pouvons déterminer les
expressions des conductances suivantes.
⎧ gV = −12,951.109.Cvar .W −1
⎪
⎪ g d ,n = 19, 081.10 W
⎨
3
⎪ g d , p = − 4, 264.10 W
(IV-47)
⎪
3
⎩g L = 82,74 µ S
Ce qui mène à :
(IV-44), (IV-45), (IV-46) et (IV-47) mène à l’équation suivante
Cvar ≥ 1,144.10 −6 W 2 − 67,598.10−12 W 1,5 + 18,918.10−15 W (IV-48)
Nous pouvons alors, définir la troisième contrainte par :
α Démar : C = 1,144.10−6 W 2 − 67,598.10−12 W 1,5 + 18,918.10−15W (III-49)
L'oscillateur devrait fonctionner dans la région limitée en courant afin de minimiser l'énergie
consommée. Dans cette région, l'amplitude se développe linéairement avec le courant de
I
queue selon V= Tail . En s’aidant de l’annexe D2 et l’équation (IV-30), nous pouvons
g résonateur
déterminer la contrainte de tension d’amplitude inférieure, définie par :
Cvar ≥ 1,144.10−6 W 2 − 19, 226.10 −15W (IV-50)
Il vient que,
Vlim it ,min : Cvar = 1,144.10−6 W 2 − 19, 226.10−15 W (III-51)
92
De la même manière, nous pouvons déterminer la contrainte de tension d’amplitude

supérieure définie par :
Cvar ≤ 1,144.10−6 W 2 + 17,945.10 −15W (IV-52)
Il en résulte donc :
Vlim it ,max : Cvar = 1,144.10−6 W 2 + 17,945.10−15W (III-53)
Le procédé d'optimisation est visualisé par la figure IV-10. La ligne discontinue avec
un tiret et un point, représente une limite en tension sous laquelle, l'oscillation se produit dans
le régime limité en tension avec l'amplitude du résonateur, Vlimit = VDD = 3V .
(B) (B) (A)

A) A)
Figure IV-10. Région optimale de conception du VCO-LC en technologie CMOS

Les droites (Fmax) et (Fmin) sont obtenues respectivement, à partir de (IV-42) et (IV-
43). Une gamme d'accord au moins de 10% avec une fréquence centrale de 2 GHz est réalisée
si un point de conception se trouve au-dessous de la droite (Fmax) et au-dessus de la droite
(Fmin). La courbe de démarrage est obtenue à partir (IV-49). Pour un gain en boucle au delà de
αmin = 3, le point de conception se trouve du côté droite de la ligne de démarrage pour garantir
le démarrage. La région hachurée dans la figure IV-10 satisfait toutes les contraintes dans (IV-
42) à (IV-49) et représente donc un ensemble de points optimum de conception. Par
conséquent, la région optimale de conception est constituée par la partie du plan bornée par
les courbes de (Fmax), (Fmin) et (dém).
D’autre part le secteur au-dessous de la courbe (Vlimit) est la région limitée en tension
dans laquelle l'énergie est gaspillée. La région optimale de conception devrait alors, être
toujours gardée au-dessus de cette courbe. Autrement, le courant de queue devrait être réduit.
93
Évidemment, la région optimale de conception répond à cette exigence pour une inductance
L=3nH.
Nous voulons choisir la valeur de L aussi petite que possible. Mais la réduction de L
translate la ligne d'amplitude du résonateur vers le bas et la ligne de démarrage vers la droite,
rétrécissant le secteur optimum de conception dans le plan C-W. Par conséquent, pour une
valeur de L inférieure à 3nH, les nouvelles courbes (pointillées) (Fmax), (Fmin), (dém) et (Vlimit)
sont tracées sur la figure IV-11.
Figure IV-11. Région faisable de conception dépendante de l'inductance L

Nous pouvons conclure que la région constituée par (Fmax), (Fmin) et la courbe de
démarrage (dém) est déplacée vers la droite selon cette figure. Elle suggère que la région
optimale de conception se rétrécisse dans un point avec la diminution de l'inductance, qui
correspond à une paire optimum de C-W. En même temps, l'inductance atteint l'inductance
optimum. Nous pouvons donc, atteindre le facteur minimum de L2 g L3 . Par conséquent, le VCO
avec la nouvelle valeur d’inductance L, améliore sa performance en bruit de phase selon le
modèle de bruit de phase.
Pour gL, au-dessus d'une certaine valeur critique, la contrainte d'amplitude du
résonateur minimale ou la contrainte de démarrage sera changée. L'inductance correspondant
à ce gL critique est l'inductance optimum Lopt. Pour L = Lopt, il existe, seulement, un seul point
optimum de conception dans le plan CW, qui se trouve sur la ligne d'amplitude du résonateur
ou la ligne de démarrage.
Si la limite d'amplitude du résonateur est atteinte, le seul point optimum de conception
se trouve sur la ligne d'amplitude du résonateur à L = Lopt, comme montré dans figure IV-12
(a). Ce point unique de conception dans le plan C-W représente l'optimum de C et W. D'autre
part, quand le démarrage devient la première contrainte, la région de la praticabilité se
rétrécira à un seul point B situé sur la courbe de démarrage, comme montré dans figure IV-12
(b) [8].
94
FMax Démarrage FMax Démarrage

Amplitude du résonateur
FMin FMin
B
A
Régime de division
Amplitude du résonateur
a) b)
Figure IV-12. (a) Réduction L-limitée par des contraintes d'amplitude du résonateur
(b) Réduction L- limitée par les contraintes de démarrage
Comme représenté sur la figure IV-11, la courbe est relevée quand l'inductance
augmente et elle croise la région optimale constituée par les courbes (Fmax), (Fmin), (dém). Par
conséquent, la région optimale de conception sans perte d'énergie est encore rétrécie. Si la
courbe se trouve au-dessus de la région optimale constituée par ces courbes, le courant de
queue doit être réduit. Le procédé d'optimisation de conception pour le VCO proposé peut
être récapitulé comme suit :
Placer le courant de queue au courant maximum permis par les spécifications de
puissance d'énergie.
Sélectionner une première conjecture pour la valeur d'inductance et obtenir la région
optimale de conception sur le plan C-W, comme montré dans la figure IV-11.
S'il y a plus qu'un point de conception optimum, il est nécessaire d’augmenter
l'inductance et répéter jusqu'à ce que le secteur optimum de conception se rétrécisse à un seul
point. Le point correspond aux dispositifs optima de la taille et de la capacité du varactor. Il
fournit également la valeur optimum d'inductance. Si le point se situe dans la région limitée
en tension, le courant de queue devrait être réduit jusqu'à ce que la ligne de régime de division
traverse le seul point optimum de conception pour éviter le gaspillage de puissance. Nous
notons qu'une certaine marge de conception est toujours nécessaire et la région de conception
optimale ne peut être rétrécie ainsi à un seul point dans un circuit pratique et robuste.
IV.5. Conclusion
Dans la section IV précédente, nous avons montré une méthodologie d’optimisation de
bruit de phase via une présentation graphique des contraintes de conception. A chaque fois
que nous agissons sur la valeur de l’inductance, la région de conception bornée par les
courbes des contraintes se rétrécit jusqu’à qu’elle se transforme en un seul point dans le plan
C-W. Ce point correspond au bruit de phase optimum, qui peut être changé en faveur d’une
telle contrainte suivant nos exigences.
Dans la section V suivante, nous proposons une méthodologie d’optimisation
complémentaire à la méthode graphique de satisfaction des contraintes de conception. Dans
celle-ci, il n’est pas nécessaire d’agir sur la valeur de l’inductance pour optimiser la
conception optimale, c’est au contraire, nous pouvons fixer L suivant les spécifications
désirées. Par la suite, nous récrivons l’expression du bruit de phase uniquement en fonction
des variables du plan C-W (c.-à-d. le bruit de phase en fonction de C et W). Nous optimisons
le bruit de phase dans la région de conception bornée par les contraintes dans le plan C-W.
Autrement, nous déterminons le bruit optimum pour une largeur W et une capacité C définies
dans un intervalle d’espace.
95
V. Optimisation du bruit de phase

V.1. Modèle du bruit de phase
La modélisation des sources de bruit de phase dans le VCO étudié mène à une
stratégie de conception pour l'optimisation de bruit de phase. La figure IV-13 montre les
sources de bruit dans le VCO-LC en technologie CMOS [8, 9].
VDD
iM2 , gp iM2 , gp
∆f ∆f
2
VDD VDD
i iM2 ,dp
∆f ∆f
M , gp
MP 1 MP 2
vR2 p vR2 p
∆f ∆f
RP RP
vR2 s vR2 s
∆f ∆f
L RS RS L
VCtr,
vC2 v p vC2 v
CV RV ∆f ∆f RV CV
VCtr , n
vC2 v vC2 v
∆f ∆f
CV RV RV CV
MN 1 MN 2
iM2 , gn iM2 ,dn
∆f iM2 , gn iM2 , gn ∆f
∆f ∆f
IBias
Figure IV-13. Sources de bruit dans un VCO-LC en technologie CMOS.
Selon l'analyse LTV, montrée dans le premier chapitre, le spectre du bruit de phase
dans une bande latérale dû à une source de courant de bruit blanc est donné par l’équation
⎛ in2 ⎞
suivante :
B{ f m } = ⋅
8π 2 f m2 q max
⋅ ∑n ⎜ ∆f rms ⎟
⎜ ⋅ Γ 2 ⎟
1 1
⎝ ⎠
2
(IV-54)
Où Γ rms est la valeur efficace de l’ISF qui est égale à 1 pour des sources de bruit
2
i 2n
∆f
différentielles [9], est la densité spectrale de puissance du courant de bruit dans une bande
96
∆f ∑i
2
latérale et fm est la différence de fréquence par rapport à la porteuse. est la somme des n
densités de courant de bruit équivalent de la paire différentielle des différentes sources de

bruit [12]. qmax est l'oscillation de charge globale du résonateur donnée par l'expression de
monôme suivante :
L résonateurωres
Vrésonateur
q max = C résonateur Vamp = 2
(IV-55)
V.1.1. Bruit thermique du canal du transistor

La densité de bruit du courant thermique globale de la paire différentielle due aux
dispositifs actifs est indiquée par l'expression polynomiale suivante :
1 ⎛ i M,d n i M,d p ⎞
= ⎜ + ⎟
2 2
i 2M,dT
∆f 2 ⎜ ∆f ∆f ⎟
⎝ ⎠
(IV-56)
Pour des dispositifs de court-canal, nous avons :
4 KT γ I bias
= = 2 KT γ ( g d 0,n + g d 0, p )
i 2M,d
∆f
(IV-57)
Esat L
Où K est la constante de Boltzmann K= 1,38.10-23 J /K , T est la température en Kelvin
et γ ≈ 2 pour un transistor de court canal [9].
Or nous avons aussi,
g d 0,n = µ n COX
W
(VGS − VTh ,n ) = µ n COX
W VDD
( )
L L 2
Et g d 0, p = µ p COX VGS − VTh , p = − µ p COX

W W VDD
L L 2
Il en résulte que :
= 28, 001.10−14. W
iM2 ,d
∆f
(III-58)
V.1.2. Bruit de grille du transistor

Puisque les sources de bruit de grille sont en parallèle avec les sources de bruit de
drain, elles s’ajoutent de la même manière [9]. Par conséquent, la densité de courant de bruit
de grille globale du transistor de la paire différentielle est indiquée par l'expression
polynomiale suivante :
i 2M,gT 1 ⎛ i M,gn ⎞
= ⎜ + ⎟
2 2
i M,gp
∆f 2 ⎜ ∆f ∆f ⎟
⎝ ⎠
(IV-59)
Pour des dispositifs de court-canal, nous avons :
4 KT γω 2C gs2 Esat L
=
i 2M,g
∆f
(IV-60)
5 I bias
Où Cgs est la capacité grille-source.
97
Puisque Cgs est donnée par une expression polynomiale, l'équation (II-60) est
= 2KTγ ( g g,n + g g,p )

également polynomiale.
iM2 , g
∆f
(IV-61)
ω02Cgs2 ,n ω02Cgs2 , p
En prenant, g g,n = et g g,p = , nous trouvons :
5 g d 0,n 5 g d 0, p
(
= 2KTγ 6, 45.10−3W + 28,862.10−3.W = 58, 09.10-23 .W )
iM2 , g (III-62)
∆f
V.1.3. Bruit d’inductance

Il y a deux sources de bruit dans l’inductance correspondant aux pertes ohmiques dans
l'enroulement et aux pertes dans le substrat,
⎡ 1 ⎤
=2 ≈ 8KT ⎢ + ⎥
⎢⎣ RP ( Lω ) RS ⎥⎦
i 2RL 4 KT 1
∆f 2
(IV-63)
RL , P
Puisque RP, L et RS sont indiquées par des expressions de monôme, l'équation (IV-63)
est une fonction polynomiale des variables de conception :
= 2KTg L = 68, 01.10−26

iL2
∆f
(III-64)
V.1.4.Bruit de varactor
Le bruit de varactor peut être modélisé avec l'expression de monôme suivante :
C ω
=2 =8.KTg V,max ≈ 8.KT var 0
i 2Var 4.KT
∆f
(IV-65)
RV , P Qvar
Où RV,P est la résistance équivalente en parallèle du varactor.
Nous pouvons trouver :
= − 42, 608.10−11.Cvar .W −1
2
iVar (III-66)
∆f
Puisque Γrms est une constante, qmax est un monôme de variables de conception et les
i 2n
∆f
sources de bruit sont polynomiaux de variables de conception, l'expression (IV-54) est une
équation polynomiale des variables de conception. Par conséquent, nous pouvons réduire au
maximum le bruit de phase à une fréquence donnée. Pour garantir un bruit de phase minimum
sur la gamme d'accord entière, nous pouvons imposer la contrainte suivante [9]:
( B(f m ) ≤ Bmax (f m ) ) (IV-67)
L’expression (IV-54) mène à :
98
⎛ i2 iL2 ⎞
∑ ⎜ ∆f + ∆f + ∆f + ∆f ⎟⎟
Γ 2rms 1
B { fm } = 2 2 2 ⎜
iM2 , g iVar
2
8π f m qmax
M ,d
⎝ ⎠
(IV-68)
Finalement, nous trouvons :
B { f m } 0 315,545.1018.
1
f m2
(
. − 42, 608.10−11.Cvar .W −1+ 28, 001.10−14. W + 68, 01.10−26 ) (III-69)
V.2. Résultats de l’optimisation

Le tableau IV-7 montre les expressions du bruit de phase ainsi que la valeur optimale
pour chaque fréquence relative à la fréquence centrale, variant de 200KHz à 2MHz.
Tableau IV-7. Modélisation du bruit de phase en fonction des offsets de fréquence.
Bruit optimum
fm (KHz) Equations du bruit de phase du VCO-LC
( )
(dBc/Hz)
200 L { f m } 0 788,87.107. − 42, 608.10−11.Cvar .W −1 + 28, 001.10 −14. W + 68, 01.10−26 -138,744
400 (
L { f m } 0 197,193.107. − 42, 608.10−11.Cvar .W −1 + 28, 001.10−14. W + 68, 01.10−26 ) -140,099
600 (
L { f m } 0 87, 641.107. − 42, 608.10−11.Cvar .W −1 + 28, 001.10−14. W + 68, 01.10−26 ) -141,305
800 (
L { f m } 0 49, 298.107. − 42, 608.10−11.Cvar .W −1 + 28, 001.10−14. W + 68, 01.10−26 ) -141,756
7
(
1 000 L { f m } 0 31, 551.10 . − 42, 608.10 .Cvar .W + 28, 001.10 . W + 68, 01.10
−11 −1 −14 −26
) -142,239
7
(
1 200 L { f m } 0 21,910.10 . − 42, 608.10 .Cvar .W + 28, 001.10 . W + 68, 01.10
−11 −1 −14 −26
) -142,640
7
(
1 400 L { f m } 0 16, 097.10 . − 42, 608.10 .Cvar .W + 28, 001.10 . W + 68, 01.10
−11 −1 −14 −26
) -142,970
7
(
1 600 L { f m } 0 12, 325.10 . − 42, 608.10 .Cvar .W + 28, 001.10 . W + 68, 01.10
−11 −1 −14 −26
) -143,260
7
(
1 800 L { f m } 0 9, 738.10 . − 42, 608.10 .Cvar .W + 28, 001.10 . W + 68, 01.10
−11 −1 −14 −26
) -143,516
7
(
2 000 L { f m } 0 7,888.10 . − 42, 608.10 .Cvar .W + 28, 001.10 . W + 68, 01.10
−11 −1 −14 −26
) -143,744
Le tableau IV-7 montre que pour différentes offset de fréquences, le VCO optimisé
présente des performances en bruit de phase acceptable, alors qu’il montre une similitude
entre les contraintes de conception.
La figure IV-14 montre une présentation graphique du bruit de phase en fonction des
paramètres de conception C et W pour une fréquence offset de 200KHZ.
99
Figure IV-14. Variation du bruit de phase en fonction de la taille du transistor et de la

capacité de varactor du VCO-LC pour une fréquence offset fm = 200KHZ.
En résumé, sous une tension d’alimentation VDD=2,5V, un courant de polarisation de

3mA, pour une inductance L = 3nH et des conditions bien déterminées de taille des dispositifs
actifs (W varie entre 83 et 147µm) et des capacités du varactor (C varie de 0,8 à 1,27 pF), le
VCO-LC oscille convenablement à 2GHz avec le moindre de bruit de phase et de
consommation de puissance.
VI. Spécifications comparatives entre le VCO optimisé et un VCO

ordinaire
Dans cette section, nous présentons une comparaison des performances de l’oscillateur
dans les différentes régions de conception montrées dans la figure IV-10. Le tableau IV-8
résume les différents résultats de mesure des performances du VCO en utilisant la méthode
graphique. Notre discussion se divise en six parties :
Les trois premières parties (A) (B) et (C) correspondent à des VCO qui ne respectent
pas la condition de démarrage. Dans ce cas, le choix des paramètres de conception est
entièrement non acceptable, car nous avons perdu la qualité de circuit à étudier.
Les parties (D) et (E) évoquent un type d’oscillateur acceptable en nature, mais avec
des performances en fréquence, consommation, et bruit de phase différentes. A titre
d’exemple, nous remarquons que le VCO de la région (D) montre une fiable consommation
de puissance et un excès en bruit de phase, contrairement à un VCO de la région (E).
Enfin, nous constatons qu’un VCO de la ‘‘région de conception optimale’’ présente
des performances modales, ainsi, un bruit de phase de l’ordre de -142 dB/Hz est obtenu, avec
une fréquence centrale réglable entre 1,8 et 2,2 GHz. Sur l’ensemble de cette zone la
puissance consommée est de 12.5 mW. Ces performances montrent des avantages
considérables : le circuit est optimisé en bruit de phase et garantie les spécifications exigées.
100
Tableau IV-8. Spécifications des performances du VCO dans les régions de conception
Région de
Grandeurs A B C D E conception Spécification
optimale
Tension d’alimentation
2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 V
(V)
≤ 3mW
Courant de polarisation
3 3 3 3 3 3
(mA)
α ≥3
Oscillations limitées
Démarrage (A) (A) (A)
(R)
≤ 15 mW
Puissance dissipée 10 14 18 11 20 12.5
(mW)
(S) (S) (R) (S) (R) (S)
2,9 2,12 1,6 2,5 1,5 2 ≤ 2, 2 GHz
≥ 1,8 GHz
Fréquence d’oscillation
(GHz) (A) (S) (R) (A) (R) (S)
≤ −125
-100,12 -105,4 -116,2 -108,24 -132,6 -142,24
Bruit de phase@1MHz
(dB/Hz)
(R) (R) (R) (R) (S) (S)
Solution acceptable
Solution
Remarque Solution non acceptable
performante
consommation bruit
Avec :
(R) : Performances non désirées (conception refusable)
(A) : Résultats acceptés (possibilité d’amélioration)
(S) : Performances souhaitées (conception performante qui respecte les exigences)
Le compromis entre le bruit de phase et la puissance dissipée peut s'exprimer par la

figure de mérite (FOM). Le VCO est d'autant plus performant que la valeur du FOM est
faible. La (FOM) utilisée pour comparer les performances est la suivante :
⎛ ⎛ f ⎞ ⎛ FTR ⎞ ⎞ ⎛ Pdissipée ⎞
FOM = B ( f m ) − 20.log ⎜ ⎜ 0 ⎟ . ⎜ ⎟ ⎟ + 10.log ⎜ ⎟
⎜ f ⎟
⎝ ⎝ m ⎠ ⎝ 10 ⎠ ⎠ ⎝ 1 mW ⎠
(IV-70)
⎛ ∆f ⎞
Où B(fm) est le bruit de phase en [dBc/Hz] mesuré à la fréquence fm en [Hz] de la fréquence
centrale f0 en [Hz], FTR est la plage de fréquence avec FTR= ⎜ ⎟ , Pdissipée est la puissance
⎝ f ⎠
dissipée par le VCO en [mW].
Cette figure de mérite récente a l'avantage de prendre en compte la plage de variation
de fréquence contrairement aux anciennes figures de mérite.
Par conséquent, nous allons présenter l’état de l’art des oscillateurs qui sont
actuellement étudiés et développés pour applications radiofréquence. Nous avons recensé
dans le tableau IV-9, les dix travaux publiés depuis 2002 jusqu’à 2007 sur les VCO en
101
technologies MOS et bipolaires.

Tableau IV-9. Tableau comparatif des résultats de quelques recherches
f0 B(∆ω)@1MHz FOM
Références Architecture Technologie ∆f [%] PD (mW)
(GHz) (dBc/Hz) (dB)
2,07 nH
Bipolaire 0.9 15 -123 -154.3
Bipolaire
[2]
8.8 nH
Bipolaire 0.9 15 -118 -160.0
Bipolaire
[3] LC NMOS CMOS 0,13µm 10,0 37,0 3,6 -99 -114,8
LC NMOS-
[4] CMOS 0,18µm 9,8 11,2 5,8 -110 -113,2
PMOS
LC NMOS-
[5] CMOS 0,18µm 10 10 7,2 -105 -106,4
PMOS
[6] LC NMOS CMOS 0,25µm 10,1 7 15,5 -106 -101,1
1,8 10 12,5 -128,64
[9] LC NMOS NMOS 0,35µm
1,8 10 4 -122,94
[14] LC NMOS CMOS 0,18µm 8,6 26 14 -116 -121,5
LC NMOS
[15] CMOS 0,18µm 10,8 11 11,8 -119 -119,4
quadrature
LC NMOS
[16] CMOS 0,18µm 9,4 7 21,6 -106 -99,0
quadrature
[17] anneau RC CMOS 0,12µm 10 22 52,5 -85 -84,6
CMOS
Ce travail CMOS-LC 2 10 12.5 -142,24 -165,25
0,35µm
En résumé, les architectures et des technologies des circuits VCO proposés dans la
littérature donnent des résultats divers avec des compromis à considérer : fréquence, plage
d’accord, puissance consommée, bruit de phase et possibilité d’intégration. Ce choix dépend
particulièrement de l’application visée et aussi des moyens disponibles dans chaque unité de
recherche.
Le tableau IV-9 illustre les performances de divers oscillateurs fabriqué en technologie
différentes. Les circuits qui ont des figures de mérite inférieures à -154dB sont les plus
performants, ce qui montre l’intérêt des VCO en technologies bipolaires [2] par rapport aux
VCO réalisés en technologie NMOS et CMOS [3, 4, 5, 6, 9, 14]. Le problème des ces types
VCO qu’ils sont limités en fréquence (900 MHz). Les VCO en quadrature [15, 16], sont
préféré pour des applications de haute fréquences, ils sont généralement utilisé pour gérer
deux signaux différentiels. Il est donc normal que la puissance dissipée soit plus élevée, il est
donc, évident que leur facteur de mérite ramené à une seule sortie différentielle, soit de grande
valeur. Pour des applications de hautes fréquences, [17] montre son intérêt d’utiliser des
oscillateurs en anneau RC qui oscille à 10 GHz, en couvrant une plage d’accord très élevée
(22%). Ce dernier possède le FOM le plus élevée, ceci est expliqué par des performances en
bruit de phase et en consommation médiocres. Il est enfin intéressant de noter que notre VCO
présente le meilleur facteur de mérite (-165,25dB) et oscille à 2GHz avec une gamme
d’accord de 10%.
102
Récapitulation
En résumé dans ce chapitre nous avons montré une méthodologie d’optimisation
efficace qui permet de concevoir un oscillateur performant. La valeur optimale du bruit de
phase est limitée par les contraintes de conception. Comme montré dans le troisième chapitre,
il n’est pas possible d’optimiser le bruit et la consommation de puissance au même temps.
L’optimisation de l’un est en profit de l’autre. Dans le but d’améliorer les performances de
notre conception du VCO en bruit de phase, un travail très important, consacré aux filtres de
bruit, sera l’objet de la section suivante.
VII. Etude des procédés de filtrage du bruit de phase dans un VCO-RF

VII.1 Filtrage capacitif du bruit de la source de courant de queue
Le bruit blanc près de la pulsation 2nω0 ± ∆ω (n>0) dans la source de courant de queue
Mtail produit directement du bruit de phase, selon le modèle du bruit de phase de Samori. Pour
supprimer ce bruit, un grand condensateur CTail, peut être inséré entre le nœud commun S et la
masse [13, 14]. En conséquence, CTail permet de découpler le transistor de queue pour des
hautes fréquences. Il court-circuite à la masse les fréquences de bruit autour de la seconde
harmonique et il empêche ce composant de produire le bruit de phase. La figure IV-15 montre
une topologie de filtrage capacitif du bruit causé par la source de courant de queue.
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
L1 L2
Vctrl, p
(M1P) (M2P)
VDD
VOut- Vctrl, n VOut +

(M1n) (M2n)
(M1) S (M2)
ITail
Vbias CTail
MTail
Figure IV-15. Filtrage capacitif de la source de courant de queue du VCO
103
Le condensateur CTail joue le rôle d’un filtre passe-bas qui fait passer le bruit pour des
pulsations plus hautes que 2ω0. En même temps, la fluctuation de tension au nœud S est
diminuée. Par conséquent, la tension de modulation résultant du bruit de Flicker de la paire
différentielle en ce moment est allégée. Ce qui conduit à minimiser la conversion de bruit
AM-à-P.M.
Cependant, CTail diminue l'impédance à S, réduisant potentiellement le facteur de
qualité Q du résonateur et dégradant de ce fait la performance en bruit de phase. Par
conséquent, la valeur de Ctail devrait être correctement choisie. La pulsation de coupure du
filtre passe-bas résultant devrait être plus grande que ω0 mais moins que 2ω0.
VII.2. Réduction du bruit de phase dans le VCO par filtre-LC de bruit
VII.2.1 Etude et caractérisation d’un circuit-LC de filtrage de bruit
La technique de filtrage du bruit de la source du courant de queue a été présentée
récemment dans plusieurs revues [8, 9, 10, 13, 19]. Son rôle est de réduire la conversion du
bruit thermique de la source de polarisation présent notamment autour de 2ω0 en bruit de
phase autour de la fréquence centrale. Une méthode intéressante pour réduire la contribution
du transistor MTail en bruit thermique est d'introduire un filtre LC entre la source commune de
la paire différentielle (Vsource) et le drain de MTail [1, 7, 13, 17] (figure IV-16).
VSource
LF Filtre LC
CPar
VBias MTail Ctail
Figure IV-16. Filtre de bruit LC intégré avec le transistor de polarisation.
L'inductance LF est en série avec CTail. La capacité parasite, Cpar, des transistors de la
paire différentielle est en parallèle avec (LF, CTail). L'inductance est conçue pour que le
montage résonne à 2ω0 sur le nœud Vsource (LF, Cpar). Le filtre ainsi réalisé présente une forte
impédance à 2ω0 sur le nœud Vsource et assure un fonctionnement normal de la paire
différentielle. La capacité CTail (de forte valeur) découple MTail à la masse et permet ainsi de
filtrer son bruit thermique. Afin de comprendre les mécanismes mis en jeu, nous supposons
que la résistance rDS du transistor M2 est très grande à l’impédance aux bornes de CTail. rDS en
parallèle à CTail est donc équivalente à CTail. Le schéma équivalent simplifié du filtre est décrit
par la figure IV-17.
VSource
i LF
V CPar CTail
Figure IV-17. Schéma équivalent simplifié du filtre LC.
L'impédance équivalente, Zeq, au nœud Vsource est égale à:
104
Z eq =
1
jω.C par +
(IV-71)
1
jω.LF +
jω.CTail
1
Nous simplifions l’équation (IV-71) par :

⎛ ⎛ ω ⎞2 ⎞
⎜ 1+ ⎜ j ⎟ ⎟
⎛ 1 ⎞ ⎜ ⎝ ω1 ⎠ ⎟
Z eq = K . ⎜ ⎟ .⎜ 2 ⎟
⎝ jω ⎠ ⎜ ⎛ ω ⎞ ⎟
(IV-72)
⎜ 1+ ⎜ j ω ⎟ ⎟
⎝ ⎝ 2⎠ ⎠
⎛ ⎞
Avec K = ⎜ ⎟ , ω1 = , ω2 = Ceq =
⎜ CF + C par ⎟
1 1 1 CTail .C par
⎝ ⎠ CTail + C par
et (IV-73)
LF .CTail LF .Ceq
Le comportement de l'impédance Zeq est représenté sur la figure IV-18 :
Z eq
- 20 dB/dec
- 20 dB/dec
+20 dB/dec
ω1 ω2
log (f)
Figure IV-18. Impédance équivalente du filtre LC en fonction de la fréquence.
Afin de maximiser l'impédance Zeq à 2ω0, il faut satisfaire la relation suivante:

= 2.ω0
1
(IV-74)
LF .Ceq
Nous estimons Cpar à 2pF.
Pour f = 2GHz et LF = 3nH ; Nous avons 2.ω0 = 2.π .2.109 =
1
LF .Ceq
Ce qui nécessite, Ceq = = 2,113 pF , avec Ceq =

CTail .C par
4.ω LF
1
CTail + C par
2
.
0
Le condensateur de filtrage CTail : CTail = = 9, 73 pF

Ceq .C par
C par − Ceq
Les paramètres de conception du filtre LC sont résumés dans le tableau IV-10:
Tableau IV- 10. Paramètres de conception du filtre LC.
Paramètres Cpar LF CTail

Valeur 2 pF 3 nH 9,73 pF
105
VII.2.2. réduction du bruit de phase

Un exemple de cette technique est l'utilisation d'un filtre de bruit à une fréquence
particulière de la sortie de l'oscillateur. Le filtre de bruit est un circuit à bande étroite simple
qui se compose d'un condensateur en parallèle avec la source du courant de queue Itail et d'une
inductance reliée entre le drain du transistor du courant Itail et les sources de la paire
différentielle des MOSFETs [1, 8].
La source de courant de queue joue un rôle double dans l'oscillateur LC : elle fournit le
courant de polarisation, et elle insère également une impédance élevée en série avec les
transistors de commutation MOSFET de la paire différentielle. La figure IV-19 montre un
oscillateur LC en présence d’un filtre de bruit.
VDD
VDD VDD
(M3) (M4)
L1 L2
Vctrl, p
(M1P) (M2P)
VDD
VOut- Vctrl, n VOut +

(M1n) (M2n)
(M1) S (M2)
LF
Filtrage du bruit
ITail de la source de
Vbias CTail courant
MTail
Figure IV-19 : Filtrage du bruit de la source de courant

En résumé, les circuits de filtrage permettent de réduire le bruit de phase à la borne du
circuit de limitation du courant. La capacité CTail a pour fonction de filtrer la seconde
harmonique. L’inductance LF quant à elle permet de présenter une haute impédance entre les
sources de la paire différentielle MOSFETs et le drain du MOSFET de courant de queue. Ceci
empêche la paire différentielle MOSFETs de charger le résonateur dans certaines régions de
106
fonctionnement, puisque n'importe quel chargement du résonateur dégradera de manière

significative son facteur de qualité Q, et augmente le bruit de phase de l'oscillateur. En
conséquence, l’inductance LF joue un rôle significatif pour empêcher les transistors de la paire
différentielle d’abaisser le facteur de qualité du résonateur. Dans la figure IV-19 l'inductance
LF, et le condensateur CTail, forment un filtre passe-bas de deuxième ordre.
[10, 11] affirment que seulement le bruit thermique dans la source du courant de queue
produit le bruit de phase, autour de la deuxième harmonique de la fréquence centrale. C'est la
raison de l'effort de concevoir le filtre pour éliminer le bruit thermique du dispositif à cette
fréquence. La taille d'inductance est choisie pour résonner à une fréquence désirée avec les
capacités aux sources de la paire différentielle MOSFET [2, 3]. Les résultats de simulation
sont énumérés dans le tableau IV-11 :
Tableau IV-11 : performances du VCO en présence d’un filtre de bruit de type LC
VCO avec filtre-LC du bruit

Vctrl (V) 0,5 1 1,5 1,7 2
f (GHz) 2,432 2,386 2,337 2,321 2,293
VOut (V) 2,878 3,523 3,179 4,299 4,223
∆f-3dBc (MHz) 1,940 1,171 1,636 0,694 0,665
VOut @1MHz (V) 2,851 2,072 1,080 0,532 0,338
TTail (mA) 1,67 1,61 1,67 1,63 1,65

Iconsommé (mA) 5,724 6,589 5,550 6,59 6,389
Q 1940 2037,58 1428 3343,74 3450,61
gp (µS) 3,750 3,639 5,302 2,28 2,236
Bruit@1MHz (dBc/Hz) -150,19 -150,65 -149,38 -153,16 -153,46
Le tableau IV-12 présente les valeurs de bruit de phase du VCO filtré pour une plage
d’offset de fréquence variant entre 200KHz et 2MHz.
Tableau IV-12 : Bruit de phase du VCO pour des fréquences relatives à la

fréquence porteuse.
fm (MHz) 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
Bruit de phase
-136,52 -142,54 -146,06 -148,56 -150,65 -152,08 -153,42 -154,58 -155,61 -156,52
(dBc/Hz)
Comme montré dans les tableaux IV-11 et IV-12, les performances en bruit de phase
du VCO en présence d’un filtre capacitif ou filtre-LC sont meilleures que celles d’un VCO
ordinaire sans filtre de bruit. L’explication réside en partie dans le fait que le transistor du
courant de queue apporte sa contribution en bruit au circuit. Le transistor MOS limitant le
courant diminue la dynamique de tension appliquée sur la source de la paire différentielle de
transistors MOSFET. Par conséquent, l’amplitude de la tension aux bornes du circuit
résonnant LC se trouve diminuée et le bruit de phase augmente. La dégradation du bruit de
107
phase est expliquée par l'inductance croissante conduisant l'oscillateur à la région de

saturation. En résumé, pour filtrer le bruit du courant de queue à basses fréquences, au moins
un grand composant réactif est nécessaire. Deux possibilités existent : inductance ou
condensateur.
Cependant, le rôle du condensateur était d'empêcher la conversion du bruit de queue à
basse fréquence, mais il n’est pas capable de l’enlever entièrement. Si cette approche a été
montrée pour aider à réduire la fréquence de coin du bruit de conversion 1/f, elle a
l'inconvénient d'abaisser l'impédance à haute fréquence au drain du MTail, qui est dans ce cas-
ci, directement reliée aux sources des transistors. Ce nœud devrait être maintenu à un niveau
élevé d'impédance à la fréquence d'oscillation, pour ne pas dégrader le facteur de qualité de
l'oscillateur [4, 5, 6]. Il convient de noter que l'utilisation d'un condensateur simple en
parallèle avec le transistor du courant de queue a été proposée par [1, 11]. Le tableau IV-13
montre les résultats de quelques recherches
Tableau IV-13: Etat de l’art des différents VCO en présence de filtre de bruit.
Courant de Consommation Fréquence Bruit de phase @

Référence Technologie Alimentation
polarisation d’énergie centrale 1MHz (dBc/Hz)
NMOS 2,5 V 3,7 mA 1,1 GHz -143,46

[3]
NMOS 2,7 V 4 mA 2,1 GHz -124,48
NMOS 1.4 V 9 mA -137

[4]
NMOS 2 V 6 mA -145
BICMOS 0,5µm 10,8 mW 2,15 GHz -125,7

2,161
[5] BICMOS 0,5µm 12,2 mW -125,3
GHz
2,156
BICMOS 0,5µm 10,8 mW --125,3
GHz
NMOS 0,35µm 2,5 V 5 mA 12,5 mW 1,8 GHz -128,64
[9]
NMOS 0,35µm 2,5 V 1,6 mA 4 mW 1,8 GHz -122,94
[10] Bipolaire 15 mW 0,9 GHz -123
[Ce travail] CMOS 0,35µm 2,5 V 3 mA 12,5 mW 2 GHz -150,65
Nous avons présenté dans le tableau IV-13, onze oscillateurs extraits des littératures
[3, 4, 5, 9, 10]. Ces oscillateurs sont réalisés avec différentes technologies NMOS, bipolaires
et BCMOS. Cependant, ils montrent des performances considérables en consommation de
puissance, bruit de phase et en fréquence centrale.
En résumé, notre oscillateur proposé satisfait moyennement les performances en
fréquence et en consommation de puissance par rapport aux oscillateurs montrés dans les
revues [3, 4, 5]. Cependant, il nécessite moins de courant de polarisation (3mA) et de surface
d’intégration (0,35 µm) par rapport aux autres. Enfin, il sera commode de choisir notre VCO
qui présente la meilleure performance en bruit de phase (-150,65dB/Hz),
108
VII.3. Récapitulation
Les techniques de filtrage de bruit discutées dans les sections précédentes se
concentrent sur la suppression du bruit à haute fréquence dans la source de courant de queue.
Le bruit de basse fréquence, particulièrement le bruit de Flicker, peut produire du bruit de
phase par le processus de conversion AM-à-P.M. Une méthode habituellement utilisée pour
réduire le bruit de Flicker est d'augmenter la taille du dispositif de source de courant de queue.
Cependant, un plus grand dispositif augmente la capacité parasite au nœud commun,
ayant pour résultat un plus petit facteur de qualité Q du résonateur. Pour réduire
considérablement le bruit de basse fréquence dans la source de courant de queue, une grande
inductance externe peut être ajoutée entre la source du transistor de queue et la masse [1, 12].
Si l'inductance est assez grande, l'inductance de dégénération envoie le bruit de basse
fréquence dans la source de courant de queue [11, 12, 13]. La technique de suppression de
bruit dans une bande de fréquence est limitée par la capacité parallèle parasite de l'inductance
et par la valeur d'inductance (plus l'inductance est grande, plus la limite de fréquence est
inférieure). Puisque l'inductance ne porte aucun signal à haute fréquence, le facteur Q, la
fréquence de self-résonance, le paquet parasitique et le Layout du circuit sont non critiques [1,
10, 13].
VIII. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons appliqué les principaux modèles de bruit de phase sur un
VCO complémentaire à varactor. En plus, nous avons présenté une stratégie de conception
concentrée sur un choix d'inductance par une méthode graphique clairvoyante pour réduire au
maximum le bruit de phase. Nous avons aussi, imposé le bruit de phase à plusieurs
contraintes, particulièrement, la consommation puissance, l'amplitude du résonateur, la
gamme d'accord, le démarrage et diamètre des inductances spirales. Cette méthodologie de
conception donne une approche unifiée à la conception du VCO LC.
Dans ce chapitre, nous nous sommes aussi, intéressés à la caractérisation et la
conception des filtres de bruit. Après avoir abordé les différentes techniques d’optimisation de
bruit de phase, nous nous sommes focalisés sur les mesures des performances des VCO,
permettant une caractérisation complète qui évalue notre circuit à concevoir.
Pour finir ce chapitre, nous notons que l’étude de plusieurs VCO dans le cadre de ce
travail a montré des différentes performances en fréquence, consommation, bruit de phase,...
Cette variation dépend non seulement de l’architecture en elle-même, mais aussi de la
technologie utilisée et essentiellement des spécifications des paramètres de conception.
Les performances des VCO obtenues dans ce travail se situent bien par rapport à l’état
de l’art. Par ailleurs, ce circuit offre une possibilité d’intégration pour être utilisé dans un
système de télécommunication de haute fréquence
109
Bibliographie
Bibliographie
Chapitre IV
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Conclusion
générale
Conclusion générale
CONCLUSION GENERALE
Les travaux présentés dans cette thèse de doctorat constituent un résumé des années de
recherche dans le laboratoire LETI à l’École Nationale d’Ingénieurs de Sfax (ENIS) dans le
domaine d’électronique et de télécommunication.
Ce travail concerne le développement de méthodologies de conception et
d’optimisation d'un oscillateur radiofréquence. L'étude et la conception de ce circuit oscillant
qui fait intégrer des composants passifs et actifs, ont permis de valider des choix
technologiques, d'identifier les convergences et les divergences avec les modèles analytiques
et les simulations et surtout de démontrer le fort potentiel des procédés des travaux exercés.
Selon des modèles physiques de bruit, plusieurs expressions analytiques ont été dérivées pour
décrire le bruit de phase produit dans les oscillateurs LC.
Reprenons maintenant le contenu de ce manuscrit, avant de faire le bilan sur le travail :
Dans les deux premiers chapitres, nous avons abordé les spécifications technologiques
et architecturales, en vu de la conception d’un oscillateur performant dédié aux applications
de télécommunication. Nous avons présenté de manière simplifiée, mais précise, les notions
de base relatives aux différentes étapes successives. Ceci nous permet de présenter un système
d’aide à la décision en conception préliminaire, permettant de partir de plusieurs concepts de
solution pertinente, pour arriver à une architecture validée et prédimensionnée en objectivant
les choix de conception. A ce niveau, nous somme apte d’exprimer les objectifs de conception
et les critères de qualification de la conception, qui permettant de hiérarchiser les architectures
solutions obtenues et ainsi aider au choix final.
Nous avons proposé pour cela une démarche systématique d’analyse et structuration
du problème de conception, basée sur plusieurs étapes, depuis l’analyse des exigences jusqu’à
une approche physique, en passant par des approches fonctionnelle et organique du VCO à
concevoir. Par ailleurs, le troisième et le quatrième chapitres sont concernés par l’application
d’une stratégie d'optimisation de bruit de phase, portée sur des critères de sélection et
dimensionnement des variables de conception. Cette méthode a été contrainte par la
dissipation de puissance, les conditions de démarrage d’oscillation, la fréquence de
résonnance, les fréquences maximale et minimale et le régime limité en tension ou courant.
Les solutions de filtrage de bruit ont été entreprises sur l'oscillateur LC afin de filtrer
la source de courant de polarisation. Dans ce contexte, il faut noter que le fait d’adjoindre au
VCO un circuit qui permet de supprimer la contribution au bruit par le transistor de limitation
de courant, a pour effet de limiter son efficacité. En effet, il n’est plus possible de dire que le
transistor agit comme une source de courant qui fixe la consommation de telle façon qu’à
chaque instant le courant total du circuit est celui imposé par le transistor MOS. Nous ne nous
retrouvons donc plus dans le cas d’un fonctionnement différentiel. L’immunité au bruit de
polarisation qui était présentée comme un avantage n’est plus présente. Afin d'améliorer la
performance du VCO en bruit de phase, cette contribution doit être réduite au maximum. De
plus, la surface du montage de filtre additionnel est souvent plus grande que celle du VCO
seul. Dans un souci d’optimisation de la surface du composant, il a été décidé de vérifier quel
impact aurait sur le circuit le fait de se passer de cette limitation de conception.
Une manière efficace de trouver les solutions appropriées est d'employer des
techniques de filtrage de bruit bien avenantes. Ce sujet a ouvert le chemin vers la création
d’une nouvelle structure de VCO. Dans ce VCO, un niveau de bruit a été mesuré à -150,65
dBc/Hz à 1MHz de la porteuse à 2,26 GHz ; ce qui constitue à notre connaissance pour cette
technologie une performance en fréquence et en bruit à l'état de l'art.
N.BOUGHANMI, A.KACHOURI, M.SAMET : ‘‘Contribution à la conception d’un oscillateur à faible bruit de phase pour le radio mobile’’
En résumé, l’étude des architectures existantes a servi de base à ce travail qui propose
plusieurs solutions pour les rendre plus performantes. L’accent a été mis sur la consommation
de puissance et le profil de bruit de phase en sortie de l’oscillateur LC. Les propositions
montrées dans ce travail commencent à présenter de bonnes performances en termes de bruit
de phase. Nous pouvons nous attendre à de nouvelles architectures plus performantes.
Cependant, ces améliorations de performances ne seront plus seulement liées à de nouvelles
architectures du système, mais aussi à des nouvelles procédures d’optimisation.
Les considérations précédentes ouvrent donc des perspectives à notre travail de
recherche et montrent que des améliorations doivent être apportées à l’architecture présentée ;
il convient alors de réfléchir à une structure de VCO en quadrature afin de s’affranchir d’une
éventuelle erreur de phase. De plus, le VCO nécessite l’ajout d’un étage tampon pour
améliorer la qualité des signaux de sortie. À ce stade, nous pouvons contrôler l’amplitude du
signal de sortie du VCO par un circuit de contrôle automatique.
Dans ce contexte, la conception d’un VCO à résonateur LC inclus dans une boucle à
verrouillage de phase, que nous nommerons par le sigle anglais PLL pour “Phase Locked
Loops”, peut être une perspective très intéressante, afin de limiter le bruit de phase près de la
porteuse.
Les perspectives de notre travail devront aussi, s’axer sur des méthodologies de
conception basées sur des approches systématiques pour concevoir progressivement le VCO.
Un tel exemple, l’outil PAD (Procedural Analog Design) qui nous permet de contrôler la
démarche de réalisation du VCO, d’ajuster les paramètres en observant les conséquences en
même temps et d’optimiser le temps de conception. Il est à la fois un outil de CAO capable de
nous assister et un didacticiel pour la microélectronique. Aussi les techniques d'analyse
symbolique permettent la dérivation d'expressions analytiques liant les spécifications et les
paramètres électriques du VCO. Elle nous aide, tout d'abord, à identifier et imposer certains
degrés de liberté pour réduire la complexité du système d'équations, ensuite à établir le plan
de conception, enfin à introduire les données technologiques. Après la détermination des
valeurs inconnues, nous pouvons recalculer, sur base des équations symboliques, un ensemble
fort complet de performances du VCO, aisément vérifier la rencontre ou non des
spécifications et éventuellement revenir en arrière à la recherche d'une solution meilleure qui
sera parmi les perspectives de recherche présentées.
Ainsi, nous espérons que ce travail aura contribué à faire avancer le concept de la
réalisation d’un oscillateur performant à faible consommation, et qu’il aura contribué à faire
progresser la compréhension des différentes stratégies de modélisation et d’optimisation de
bruit de phase. L’étude sur ce sujet présentée dans ce rapport ouvre la voie à des nouvelles
recherches et peut faire l’objet d’une implémentation sur un circuit démonstrateur.
N.BOUGHANMI, A.KACHOURI, M.SAMET : ‘‘Contribution à la conception d’un oscillateur à faible bruit de phase pour le radio mobile’’
ANNEXE
ANNEXES
ANNEXE
ANNEXE A
A1 : Exemple de téléphone cellulaire et de chaîne de traitement :
Dans le système montré par la figure A-1, nous remarquons trois types d’amplificateur
sont présentés.
Puce radio Microprecesseur
Milangeur Filtre
LNA VGA
Traitement du signal
Démoodulateur
fOL
Commutateur RF Synthèse de Synthèse de

fréquence fréquence
f1
f0-f1 f0 Modulateur
Oscillatteur
PA VGA VGA
Milangeur Filtre
Figure A-I. Digramme en blocs pour système de transmissions

Le LNA est un amplificateur à faible niveau de bruit intrinsèque. Cet élément majeur
constitue le premier étage limitant les performances d’une du système de réception. Sa
fonction est, alors, d’amplifier ces signaux sans apporter du bruit supplémentaire. Les
caractéristiques optimales d’un LNA est un gain élevé, une large bande passante, une faible
consommation et un niveau de bruit interne négligeable. Ces caractéristiques dépendent des
transistors employés. Le PA correspond à un amplificateur de puissance. Ce dernier doit
satisfaire à des contraintes de gain, de puissance de sortie et de consommation. Typiquement,
des amplificateurs de classe AB sont utilisés. Enfin, le VGA, ou amplificateur à gain variable,
permet d’ajuster le niveau de puissance reçu ou émis, en fonction de la localisation de
l’utilisateur par rapport aux bornes radios de son opérateur téléphonique [2].
Figure A-2. Exemple d’architecture d’un téléphone cellulaire.
Annexe_1
N.BOUGHANMI : ‘‘Contribution à la conception d’un oscillateur à faible bruit de phase pour le radio mobile’’
ANNEXE
A2 : Origines des sources de bruit basse-fréquence
Le bruit est présent dans tout système électronique, il est le résultat de la superposition d’un
très grand nombre d’impulsions élémentaires aléatoires. Le déplacement d’électrons dans une structure
granulaire telle qu’un semi-conducteur provoque des perturbations de nature différentes appelées bruit.
Compte tenu de la diversité de ces perturbations parasites, le bruit possède des origines multiples
classées en plusieurs catégories que nous allons présenter dans la suite : les bruits de diffusion, en
excès, de grenaille,...
Dans ce paragraphe, nous allons dans un premier temps présenter un résumé des différents
types de bruit existant dans un matériau semi-conducteur. Nous étudierons par la suite leur impact sur
le signal de sortie de l’oscillateur. Les déplacements d’électrons dans les semi-conducteurs conduisent
à des fluctuations de tension et de courant qui limitent le fonctionnement des systèmes. Deux grandes
catégories de bruit se distinguent : les bruits dits en excès – qu’il est possible de réduire sous certaines
conditions – et les bruits irréductibles qui sont le bruit thermique et le bruit de grenaille. Nous
présenterons rapidement différents bruits basse-fréquence qui sont susceptibles de pénaliser le
fonctionnement d’un transistor [3, 4, 6].
I. Les bruits de diffusion
Les bruits de diffusion sont dus à des variations de trajectoire et de vitesse des porteurs de
charge en raison d’interactions et de collisions avec le réseau cristallin d’un semi-conducteur. Ils se
manifestent même en l’absence de champ électrique. Ces bruits se distinguent par un spectre
indépendant de la fréquence : ce sont des bruits blancs. Il existe trois types de bruits de diffusion : le
bruit thermique ou bruit de Johnson ou bruit de Nyquist, le bruit quantique et le bruit d’électrons
chauds.
Le bruit thermique : Le bruit thermique est créé par l’agitation thermique des porteurs de
charge au sein d’un conducteur, qui affecte leurs trajectoires et provoque des collisions aléatoires.
Ce bruit représente le bruit résiduel d’un semi-conducteur car il subsiste même en l’absence de
champ électrique. Il est un bruit blanc, par conséquent, sa densité spectrale courant est indépendante
de la fréquence et elle s’exprime en fonction de l’admittance équivalente du conducteur G selon la
relation :
Si ( f ) = 4 KTG (A-1)
Où T est la température en Kelvin et k est la constante de Boltzmann.

Le bruit quantique : Le bruit quantique a la même origine physique que le bruit thermique.
Cependant, sa contribution n’est significative que pour des fréquences relativement élevées, il prend
en compte le temps moyen entre deux collisions. Par conséquent, concernant les oscillateurs, on
s’intéressera principalement à l’étude du bruit thermique car nous considérons qu’aux températures
et fréquences de travail, celui-ci est prépondérant.
Le bruit d’électrons chauds : Le bruit d’électrons chauds est dû aux variations de la
mobilité et du coefficient de diffusion en fonction de l’énergie des porteurs lorsque le matériau est
soumis à un champ électrique, donc porté dans un état qui n’est plus à l’équilibre thermodynamique.
II. Les bruits de jonction
Deux types de bruits sont propres aux jonctions :
Le bruit d’avalanche apparaît lorsqu’un fort champ électrique existe au niveau d’une
jonction polarisée en inverse et provoque la rupture de liaisons atomiques, créant une
amplification du bruit de grenaille.
Le bruit de grenaille, également appelé « Shot noise » est dû au passage des porteurs de
charge à travers une barrière de potentiel comme celle créée par une jonction. Il s’agit
également d’un bruit blanc dont la densité spectrale de courant dépend de l’admittance Y de la
jonction et du courant I qui la traverse :
Annexe_2
ANNEXE
Si ( f ) = 4 KT Re(Y ) − 2qI (A-2)
II. Les bruits en excès

Le bruit de diffusion Etant le bruit minimum généré par un échantillon de semiconducteur, le
bruit en excès engendré par les défauts du matériau vient s’y ajouter. Ce dernier provient
essentiellement du flux de porteurs qui se déplace dans les couches de semiconducteur ou à leurs
interfaces. Ces bruits en excès sont rassemblés en trois catégories : le bruit de génération-
recombinaison, le bruit de scintillation ou bruit en 1/f et le bruit en créneau ou RTS (Random
Telegraph Signal).
Bruits de génération--recombinaison : Ils regroupent le bruit de génération-recombinaison,
le bruit de scintillation et le bruit RTS. Ce bruit est généré par les fluctuations de porteurs libres
dans le semi-conducteur. Il est présent aux basses-fréquences et leur spectre est décroissant en
fonction de la fréquence. Ces fluctuations sont créées par :
La génération aléatoire de paires électron-trou ;
L’ionisation spontanée de centre de donneurs ;
Le piégeage-dépiegeage des porteurs entre la bande de valence et la bande de conduction.
I 2 ∆N 2 4τ
Sa densité spectrale de courant est :
Si ( f ) =
nV N 1 + ω 2τ 2
(A-3)
Avec :
I : le courant moyen traversant le barreau de semi-conducteur,
N = nV : le nombre de porteurs de charges,
∆N 2 : la valeur quadratique moyenne des fluctuations du nombre de porteurs,
 : est la constante de temps nécessaire au retour à l’équilibre,
ω = 2.π.f : la pulsation de travail.
Ceci montre, entre autres, que d’une part la densité spectrale de puissance de courant décroît
2πτ
1 1
en 2
pour des fréquences supérieures à et d’autre part qu’elle augmente avec I 2 et donc qu’elle
f
croît avec la puissance dissipée.
Les mécanismes mis en œuvre dans ce type de bruit Etant complexes et variant d’un dispositif
à l’autre, l’origine de ce bruit est, aujourd’hui encore, largement débattue. S’il est reconnu que le bruit
en 1/f est lié à des fluctuations de conductivité, il n’est en revanche pas encore clairement établi si son
origine provient des fluctuations du nombre de porteurs de charge ou des fluctuations de la mobilité
des porteurs. Le bruit de génération-recombinaison intervient dans les semi-conducteurs où des
captures et des émissions de porteurs provoquent une fluctuation du nombre de porteurs de charge. Le
nombre de porteurs participant à la conduction est donc variable, ce qui provoque des variations de
tension/courant qui constituent le bruit de G-R. L’origine de ces fluctuations peut être la transition
d’un électron de la bande de conduction vers la bande de valence (génération), la transition d’un trou
de la bande de valence vers la bande de conduction (recombinaison) ou encore le phénomène de
piégeage-dépiégeage qui représente la capture (respectivement l’émission) d’un porteur par un défaut
du réseau cristallin.
A3 : Modèle d’Hajimiri
Le modèle d’Hajimiri donne une expression de la fréquence d’intersection entre la zone de
conversion de bruit en 1/f et la zone de conversion de bruit thermique soit f 1 :
f3
1 ⎛ C0 ⎞
= f1 ⎜ ⎟
2
2 ⎝ C1 ⎠
f 1 (A-4)
f3 f
Ainsi, si C0 est inférieur à C1 alors la fréquence limite f 1 peut être inférieure à f 1 . Le

f3 f
Annexe_3
ANNEXE
coefficient C0 Etant la composante continue de la fonction « ISF », il peut être réduit en améliorant la
symétrie des signaux de sortie de l’oscillateur. En effet, C0 est d’autant plus faible que les temps de
montée et de descente du signal de sortie de l’oscillateur tendent à se rapprocher [3, 4, 5].
Cette équation suggère que le coin de bruit de la phase 1/f3 dépende non seulement du coin de
bruit du dispositif 1/f mais également des coefficients de Fourier de l'ISF. Puisque l'ISF est déterminé
par la forme d'onde, le premier coefficient, C0, peut être sensiblement réduit si certaines propriétés de
symétrie existent dans la forme d'onde. En résume que ce modèle donne également des indications sur
l’influence des sources de bruit cyclostationnaires sur le bruit de phase. En effet, certaines sources de
bruit dans un oscillateur ont des propriétés cyclostationnaires ; ce qui signifie que leurs propriétés
statistiques varient périodiquement au cours du temps, c’est le cas notamment du bruit de grenaille
généralement associé à la conduction des transistors.
En raison de la nature périodique des oscillations, les propriétés statistiques de quelques
sources de bruit aléatoires dans des oscillateurs peuvent changer avec du temps. Ces sources sont
référées en tant que sources de bruit cyclostationnaire. Il y a d'autres sources de bruit dans le circuit
dont les propriétés statistiques ne dépendent pas de la période et du point de fonctionnement du circuit,
et s'appelle donc en tant que sources de bruit stationnaires. Par exemple, le bruit thermique d'une
résistance est une source de bruit stationnaire. Le modèle LTV fournit une manière simple de traiter
des sources de bruit cyclostationnaire. Un courant de bruit blanc cyclostationnaire peut se décomposer
in (t ) = in 0 (t ).α (ω0 t )
de la manière suivante :
(A-5)
Où :
in(t) est la source de courant de bruit cyclostationnaire,
α (ω0t ) est une fonction périodique (dans laquelle ω0 est la pulsation des oscillations) très
in0(t)est la source de courant de bruit stationnaire,
fortement corrélée à la forme d’onde du courant de collecteur ou de drain du transistor de

l’oscillateur.
Ainsi, le modèle d’Hajimiri permet de traiter la source de bruit cyclostationnaire comme une
Γeff (t ) = Γ( x).α ( x )
source de bruit stationnaire en introduisant la fonction « ISF effective » suivante :
(A-6)
peut être exprimé par la relation (A-6) en remplaçant Γ 2rms par Γeff rms .
Dans ces conditions, le bruit de phase dû à la source de bruit cyclostationnaire du transistor
2
La méthode présentée jusqu’à présent permet de quantifier le bruit de phase dû à une source de
bruit donnée. Cette méthode peut être généralisée à plusieurs sources de bruit. Nous pouvons ainsi
déterminer le spectre de bruit de phase global de l’oscillateur en sommant la contribution des sources
non corrélées grâce au caractère linéaire du modèle et en considérant que l’oscillateur a des sources de
courant de bruit en parallèle avec chaque capacité et des sources de tension de bruit en série avec
chaque inductance.
La méthode d’Hajimiri peut donc être vue comme une technique d’analyse du bruit de phase
comme l’est la méthode des matrices de conversion. Cependant, elle est relativement complexe à
mettre en œuvre pour plusieurs raisons :
Elle nécessite d’une part une modélisation parfaite des sources de bruit du circuit oscillateur et
d’autre part l’identification des sources corrélées ;
La détermination de la réponse impulsionnelle en phase de l’oscillateur n’est pas aisée compte tenu
de la précision de calcul requise :
La précision de mesure du déphasage introduit par l’injection de courant est inversement
proportionnelle à la fréquence et au pas de calcul temporel ;
L’injection du courant dans l’oscillateur génère une instabilité qui éloigne le système de son
régime établi. Le déphasage doit donc être mesuré après stabilisation du système à son nouveau
Annexe_4
ANNEXE
régime établi.
La réponse impulsionnelle doit être déterminée pour chaque source de bruit de l’oscillateur. On
retient donc de cette méthode l’outil de conception et non pas la technique d’analyse. En effet, elle
permet au concepteur de comprendre l’influence des sources de bruit sur le bruit de phase en grand
signal par le phénomène de conversion. La traduction de ce modèle va permettre de déterminer une
méthodologie de conception d’oscillateurs à bruit de phase minimum.
A4 : Détermination de l’ISF
La méthode exacte de détermination de l’ISF propose d’injecter une impulsion i(t) à un instant
de la période T et de simuler l’oscillateur pour quelques périodes après la période de l’injection. En
2π .∆t
mesurant la déviation ∆t de l’instant de passage par zéro, nous pouvons mesurer le
déphasage ∆ϕ = , produit par l’injection. Nous changeons l’instant d’injection pour couvrir
T
une période complète et recommence la procédure. L’oscillateur typique montré dans le chapitre 2 est
simulé. La source i(t) est injectée sur le nœud de la sortie de telle sorte qu’elle ne change pas la
linéarité de la réponse du bruit de phase [6, 7]. Dans notre mesure, le paramètre de temps d’injection
≈ 0.5ns .
1 1
est augmenté par pas de 1ps afin de couvrir une période T0 = =
f 0 2GHz
Les résultats de la simulation sont montrés dans la figure A-3, dont laquelle nous observons
que la fonction ISF atteint son maximum quand le signal oscillant passe par zéro. Cette méthode de
détermination de l’ISF est très utile dans le développement du modèle du VCO avec le bruit de phase.
Figure A-3. Variations de l’ISF en fonction du temps et de la phase du signal oscillant

A5 : Diagramme d’un oscillateur LC
Nous considérons le digramme de la figure A-4,
Amplificateur et résistance Circuit résonant
négative équivalente perte
- RGm = Req = Perte

GM
Figure A-4. Digramme à haut niveau d’un oscillateur –GM

Dans le cas d’une représentation en série est employée
Annexe_5
ANNEXE
{R Gm ( )
<< R perte , LC ⇒ RGm en série avec R perte, LC = R perte , LC
Il est nécessaire que la résistance négative de l'amplificateur doive être inférieure ou égal à la
résistance équivalente parallèle positive présentée par le résonateur, pour satisfaire le deuxième critère
{R ( )
de Barkhausen.
Dans le cas d’une représentation parallèle est employée
Gm << R perte , LC ⇒ RGm // R perte , LC = RGm
ANNEXE B
B1 : Equations analytiques des courbes C-V d’un varactor MOS
L'analyse d'un condensateur MOS est semblable à celle d'une unique jonction n+p (one-Sided
d 2ψ − ρ S ( x)
N+p). Nous résolvons l'équation de Poisson dans la région de p.
=
εS
(B-1)
dx 2
Où ρS est la densité de charge, Na est la densité d'accepteur dans le substrat. La densité de charge
ρ = q ( p + N d+ − n − N a− )
totale dans le semi-conducteur est indiquée par :
Pour l'épuisement, ρ S = − qN A
(B-2)
(B-3)
À l'équilibre thermique, les densités de trou et d'électron, p et n, peuvent être exprimées en
fonction du potentiel, Φ, et d'un potentiel de référence, ΦF [8].
⎛ φ − φ ( x) ⎞
p = ni exp⎜⎜ F ⎟
⎟
⎝ ⎠
(B-4)
Vt
⎛ φ ( x) − φ F ⎞
n = ni exp⎜⎜ ⎟
⎟
⎝ ⎠
(B-5)
Vt
Loin de l'interface de semi-conducteur-oxyde, la densité de charge est nulle et nous définissons le
potentiel, Φ, d’être nulle là aussi, de sorte que [7, 8] :
⎛φ ⎞
N d+ − N a− = −2ni sinh ⎜⎜ F ⎟⎟
⎝ Vt ⎠
(B-6)
L'équation de Poisson prend alors la forme suivante :

d 2φ 2qni ⎡ ⎛ φ −φF ⎞ ⎛ φ ⎞⎤
= ⎢ ⎜ ⎟ + sinh⎜ F ⎟⎥
ε S ⎢⎣ ⎜ V ⎟ ⎜V ⎟
⎝ ⎠ ⎝ t ⎠⎥⎦
sinh (B-7)
dx 2 t
En multipliant les deux cotés de l'équation avec 2 dΦ/dx et en intégrant tout en remplaçant -
dΦ/dx par le champ électrique , nous obtenons [29] :
4qniVt ⎡ ⎛ φ − φF ⎞ φ ⎛φ ⎞ ⎛ φ ⎞⎤
ε (φ ) = sign (φ ) ⎢conh ⎜⎜ ⎟ + sinh ⎜ F ⎟ − cosh ⎜ F ⎟⎥
⎟ ⎜ ⎟ ⎜V ⎟
ε S ⎣⎢ ⎝ Vt ⎠ Vt ⎝ Vt ⎠ ⎝ t ⎠⎦⎥
(B-8)
Le champ électrique a le même signe que le potentiel comme indiqué par la fonction de signe.
La relation entre le champ et le potentiel sur la surface à l'équilibre thermique est alors [29] :
4qniVt ⎡ ⎛ φS − φ F ⎞ φ ⎛φ ⎞ ⎛ φ ⎞⎤
ε s , eq (φ ) = 2sign (φ S ) ⎢conh ⎜⎜ ⎟ + sinh ⎜ F ⎟ − cosh ⎜ F ⎟⎥
⎟ V ⎜V ⎟ ⎜V ⎟
ε S ⎢⎣ ⎝ Vt ⎠ ⎝ t ⎠ ⎝ t ⎠⎥⎦
(B-9)
t
La tension de grille égale la somme de la tension de bandes-plates (flat-band), de la tension à
VG = V FB + φ S + VOX
travers l'oxyde et du potentiel à travers le semi-conducteur [8] :
ε
(B-10)
Avec, VOX = t OX ε s ,eq (φ S ) S

ε OX
(B-11)
Enfin, nous trouvons :
Annexe_6
ANNEXE
C LF = (B-12)
1
+
1 1
dε s ,eq
C OX C S , LF
ε OX
Où, C OX = et C S , LF = ε
t OX dφ S
2qni ⎡ ⎛ φ −φF ⎞ ⎛ φ ⎞⎤
C S , LF = ⎢sinh⎜⎜ ⎟ + sinh⎜ F ⎟⎥
⎟ ⎜V ⎟
ε s,eq ⎣⎢ ⎝ Vt ⎠ ⎝ t ⎠⎦⎥
(B-13)
En intégrant l'équation de Poisson deux fois, [28][29] donnent.

⎡ x ⎤
ψ = ψ S ⎢1 −
2
⎥
⎣ d max ⎦
(B-14)
Où, ψ S =
2
2ε S
qN A d max
(B-15)
Pour l'inversion efficace, le critère est NS = Na.

Où, ψ S = 2ψ B = 2
kT N A
ln (B-16)
q ni
La largeur de région d'épuisement sature, c.-à-d. atteint un maximum, à l'inversion efficace (de
basse fréquence) [8].
4ε S kT ln A
2ε S 2ψ S
N
d max = =
ni
2
(B-17)
qN A q NA
Q SC = − qN A d max ≅ − 2qε S N A ( 2ψ B )
Nous trouvons la charge de l'espace
(B-18)
=
C 1
2ε O2 V
Elle vient alors, (B-19)
1+
CO
qN A ε S d O2
Pour l'épuisement VG est positive. L'augmentation de la tension de grille aura comme
conséquence un C décroissant. Pour l'accumulation, VG est négatif et il n'y a aucune couche de
εO
déplétion.
C = CO = (B-20)
dO
εO
Pour l'inversion, la capacité est au minimum.
C min =
ε
d O + O d max
(B-21)
εS
Dans la technologie CMOS, presque tous les condensateurs emploient l’oxyde de silicium (SiO2)
ε OX
comme isolateur [8]. La capacité d'un "condensateur d'oxyde" est donnée par :
C ox = A. (B-22)
Tox
Où, OX = KOX. 0 (constante diélectrique d'oxyde [SiO2])
 0 = 8.85x10 -14 F/cm (constante diélectrique de l'espace libre)
tOX est l'épaisseur de l'oxyde.
ε OX
Parfois il est maniable d’employer la capacité par unité de superficie,
'
C OX = (B-23)
Tox
Annexe_7
ANNEXE
B 2 : Détermination des courbes C-V d’un varactor MOS
Pour évaluer le comportement de la capacité Cmos en fonction de la tension appliquée entre la
grille et le substrat, nous considérons un transistor alimenté par une source de tension sinusoïdale vc(t)
variant autour de la tension de contrôle. Comme le transistor joue le rôle d’une capacité, le courant qui
la traverse ic(t) est de forme sinusoïdale.
Nous pouvons écrire :
vc =
j2πfCmos
1 ic (B-24)
La relation liant les modules de vc(t) et ic(t) s’écrit :
Vc =
2 π fC mos
1
Ic (B-25)
Où Vc et f sont respectivement l’amplitude et la fréquence de la tension d’entrée sinusoïdale. I c est

l’amplitude du courant circulant dans la capacité.
ε r .ε 0 . A
Nous commençons par estimer la surface de grille du varactor de MOS. En prenant Cox= 2.5 pF,
Sachant que C ox = ,
Tox
2.5 pF ∗ 5.9nm
Nous pouvons calculer la surface de grille A par l’expression suivante :
A≈ = = 420µm 2
ε r .ε 0
C ox .Tox
3.9. ∗ 8.854 pF / m
Où Tox = 5.9 nm, pour la couche d'oxyde r =3,9 et la constante électronique 0=8,854pF/m.
Par conséquent nous choisirons :
L = 10µm et W = 40µm.
ANNEXE C
Annexe C1 : modélisation des paramètres de conception :
I. Modèle de fréquence :
La fréquence de transition du transistor MOS s’écrit :
( )
fT =
2π Cgs + C gd +Cgb
1 gm
(C-1)
Si nous prenons comme hypothèse, que dans la relation (C-1) la capacité Cgs prédominante
fT = . n 2 (Vgs − Vth )
3 µ
alors nous pouvons trouver :
2 2π L
(C-2)
Si nous comparons ce résultat avec la fréquence de transition intrinsèque du transistor

bipolaire en prenant uniquement la capacité de diffusion CBE en compte, nous trouvons :
fT =
2.π .τ b
1
(C-3)
Avec τ b =
CBE
gm
La similitude entre les relations (C-2) et (C-3) est frappante. Dans les deux cas, la fréquence
de transition croît en fonction de l’inverse du carré de la dimension critique à travers laquelle les
porteurs transitent (L ou WB). La tension VT est fixe pour un transistor bipolaire, alors que pour un
transistor MOS la fréquence de transition peut être augmentée si la tension (Vgs-Vth) est plus élevée. Il
est intéressant de remarquer que la largeur de la base WB pour un transistor bipolaire est orientée
verticalement et qu’elle est déterminée par les techniques de diffusion ou d’implantation. En principe,
cette largeur peut être beaucoup plus petite que la longueur du canal L pour un transistor MOS qui
Annexe_8
ANNEXE
dépend de la précision de la photolithographie. Par conséquent, les transistors bipolaires ont
généralement une fréquence de transition plus élevée que les transistors MOS fabriqués avec un
procédé comparable. Lorsque la longueur du canal du transistor MOS devient très faible la relation (C-
3) n’est plus valable. La fréquence de transition devient alors proportionnelle à l’inverse de la
longueur de canal L et non plus à l’inverse au carré. En négligeant l'effet de substrat, nous trouvons,
2π ( C gs + C gd )
fT =
gm
(C-4)
3µ E
Avec une simple approximation, nous trouvons:
ωT ≈ m ≈ n sat
g
(C-5)
Cgs L
( ) ( )
Ce qui prouve
µ n C ox V gs − Vth
3 µ n V gs − Vth
W
ωT ≈ L = 2
(C-6)
2 2 L
WLC ox
3
2. Modèle du résonateur :
2.1 Modèle du varactor
Les varactors sont modelés entant que circuit RC en série comme illustré dans la figure C-1,
où Rv décrit la perte des varactors
Vcont
a) CV RV
C(psub nwell) C(psub nwell)
b)
Figure C-1. Circuit de résonateur LC avec schéma équivalent d’un varactor MOS
Dans cette section, nous employons un modèle générique du varactor. La capacité du varactor
s'étend d’une certaine valeur minimum Cv;min à une certaine valeur maximum Cv;max. Le rapport
C v,max
est borné par les limitations physiques du varactor. Le facteur de qualité du varactor Qv
C v,min
dépend de la fréquence de fonctionnement. Nous modelons le varactor comme condensateur idéal en
série avec une résistance Rv =
( Cvω )
Qv
. Nous verrons que cette simplification n'est pas critique
puisque le varactor contribue peu au bruit de phase global de l'oscillateur [9].
2.2 Modèle de l'inductance :

Dans cette section, nous considérons une inductance spirale planaire, quiest caractérisée par le
nombre de tours n, la largeur de tour W, l’espacement bord à bord entre deux pistes adjacentes s, et le
diamètre externe dout.
CS
s
L RS
d
CP CP RP
RP
b
Figure C-2. Modèle simplifié de l'inductance spirale symétrique
Annexe_9
ANNEXE
Le modèle d'inductance spirale symétrique en présence d’une charge RLC identique sur les
deux bornes, est employé comme une partie du modèle de résonateur, avec
CL = Cs +Cp (C-7)
L'inductance de résonateur (Lrésonateur) est donnée par le monôme,
L tank = 2L (C-8)
(4C gd ,n + C gs ,n + C db,n + 4C gd , p + C gs , p + C db, p + C L + C v )

La capacité de résonateur (Crésonateur) est exprimée par :
C tan k =
1
(C-9)
2
Qui est une fonction polynomiale des variables de conception puisque c'est une somme de
fonctions polynomiales. Le choix de l’inductance est effectué à partir de la valeur de la
transconductance gm des transistors.
2.3 Pertes dans les inductances monolithiques
Les pertes résistives, dans le ruban de la self, sont dues d’une part aux pertes résistives
intrinsèques et d’autre part aux courants de Foucault qui sont responsables de la réduction de la section
effective du ruban. Les courants de Foucault produisent des champs magnétiques qui s’opposent aux
champs magnétiques qui les ont engendrés. Ces courants de Foucault se manifestent par l’effet de peau
et de l’effet de proximité [9]. L’effet de peau est lié au courant de Foucault engendré, dans un segment
de conducteur, par un champ magnétique variable crée par un courant circulant dans le même segment.
L’effet de proximité est, quant à lui, lié au courant de Foucault crée dans un segment de conducteur
par un courant circulant dans un segment adjacent. Les pertes résistives tendent à augmenter avec la
fréquence à cause de ces effets de peau et de proximité. L’influence de l’effet de proximité sur les
pertes résistives est élevé au centre de l’inductance là ou le champ magnétique est maximal. D’ailleurs,
c’est pour cette raison, que le centre de l’inductance est laissé vide, d’autant plus que les spires
proches du centre contribuent moins à l’inductance totale. Les pertes magnétiques dans le substrat sont
dues aux courants de Foucault induits par le champ magnétique variable crée par la spirale et qui
traverse le substrat. Ce dernier est, en effet, peu résistif, dans les procédés CMOS et BiCMOS, avec
une résistivité de l’ordre 10-100 Ω.cm et qui peut atteindre 0.01Ω.cm dans les procédés CMOS
numériques ; les courants induits seront dissipés par effet Joule. Il y a donc, via ce mécanisme, un
transfert d’énergie magnétique en énergie thermique. Les pertes capacitives sont générées par le
couplage d’une fraction d’énergie vers le substrat via la capacité parasite d’oxyde formée entre le
ruban et le substrat. De ce couplage résulte non seulement la réduction de facteur de qualité, mais aussi
la diminution de la fréquence d’utilisation de la self. Le coulage capacitif est minimisé par la réduction
de la surface du ruban, ce qui revient à minimiser la longueur et la largeur de la spire.
2.3. Modèle du transistor
Nous décrivons maintenant un modèle analytique pour des dispositifs de court-canal. La
première étape de la conception du VCO sans limiteur de courant, est de déterminer la valeur de la
transconductance gm. Ceci est pour éviter de voir une consommation qui dépasse les spécifications
désirée. Ces valeurs peuvent être évaluées en utilisant les équations simplifiant le modèle du transistor
avant de les ajuster plus précisément à l’aide de simulations.
Transconductance gm :
Pour abaisser la fréquence de coin de bruit de phase en 1/f3, il est nécessaire d’avoir une
structure CMOS symétrique avec des transconductances identiques des transistors PMOS et NMOS.
Cette contrainte se traduit par la relation suivante :
g m ,n = g m , p =
1
gm (C-10)
2
Un modèle simple pour la transconductance des dispositifs de court-canal est donnée par :
Annexe_10
ANNEXE
µ Cox W Esat
gm = (C-11)
2
Où µ est la mobilité des porteurs dans le canal, Cox est la capacité d'oxyde, W est la largeur de
transistor, et Esat est le champ auquel la vitesse de porteur atteint la moitié de sa vitesse de saturation.
Conductance négative efficace de résonateur
(gneg,résonateur) est déterminée par le transconductance des paires interconnectées de transistor.
Pour améliorer le coin 1 du bruit de phase, il est commode d'avoir un résonateur symétrique (gm,n
f3
(g + gd,p + gv + g L )
= gm,p)[5]. Pour des résonateurs symétriques, gneg, résonateur est donné par l'expression de monôme,
g tan k =
d ,n
(C-12)
2
Nous notons que gm est négative pour compenser la perte d'énergie dans l'oscillateur. À partir
du modèle équivalent ci-dessus, les expressions suivantes précisent l’intervention des paramètres :
Ltan k = 2 L (C-13)
2C tan k = C PMOS + C NMOS + C L + C v +C load (C-14)
où gds,n, gds,p, grésonateur, gm, Lrésonateur et Crésonateur sont respectivement, les conductances de sortie
des transistors NMOS et PMOS, la perte de résonateur, la transconductance, l'inductance de résonateur
et la capacité de résonateur. Puisque gd,n et gd,p sont également, donnés par des fonctions polynomiales
de variables de conception, l'expression (III-12) montre que grésonateur soit une fonction polynomiale de
variables de conception. gV et gL sont respectivement les conductances efficaces des pertes dans les
⎛ ⎞
varactors et dans l’inductance, elles sont données par les expressions polynomiales suivantes :
Cω ⎜ Cω ⎟
gv = v = ⎜ v ⎟
Qv ⎜ 1 ⎟
(C-15)
⎜ ωC R ⎟
⎝ v v ⎠
gL = +
R P ( L ω )2
1 1
(C-16)
RS
gL =
L ωQ L
1
Ou (C-17)
Où CV est la valeur du varactor, L est l’inductance, ω la pulsation de l’oscillateur et QV et QL

respectivement les facteurs de qualité du varactor et de l’inductance dont la définition a été donnée
dans la section précédente.
Conductance de sortie gd :
Nous employons un modèle simple de monôme de la conductance à la sortie du de transistor
g d = λ I 0.6 L−1W 0.4

de court-canal qui a été employée
(C-18)
Où λ est un paramètre convenable, I est le courant de drain du transistor et L est la longueur de canal
de transistor.
Les capacités :
Le schéma équivalent de la figure C-3 montre les capacités parasites aux bornes des transistors
du VCO. Les capacités parasites dont l’effet est négligeable ont volontairement été supprimées afin de
simplifier la représentation.
Annexe_11
ANNEXE
Cgs, p Cgs, p
Cgd, p Cgd, p Cdb, p
L L
C C
Cdb, n
Cgd, n
Cgd, n
Cgs, n Cgs, n
Figure C-3. Schéma équivalent du VCO pour l’extraction des capacités parasites
Nous modelons les capacités grille-drain (Cgd), les capacités substrat-drain (Cdb) et les
capacités de grille-source (Cgs) avec des expressions polynomiales dans la largeur et la longueur du
transistor.
Pour des longueurs de canal Ln et Lp de valeurs identiques, nous en déduisons la relation entre
µn
Wn et Wp:
WP =
µp N
W (C-19)
Les capacités parasites totales ajoutées par les transistors MOS du VCO est définie par:
C MOS =
1
(C PMOS + C NMOS + C INV ) (C-20)
2
C PMOS = C gs , p + C db , p + 4.C gd , p (C-21)
C NMOS = C gs ,n + C db ,n + 4.C gd , n (C-22)
CNMOS et CPMOS sont respectivement, les capacités parasites totales des transistors NMOS et
PMOS. Les capacités Cgs, Cdb, Cgd et Cgb sont respectivement les capacités au niveau des transistors
MOS entre grille-source, drain-substrat, grille-drain et grille-substrat [4].
Annexe C2 : Détermination des contraintes de conception du VCO-LC

Première contrainte : FMAX
Cov = 8,463.10-3 .0,025.10-6 .W = 211,575.10-12 .W (C-23)
C gs = WLcanal COX + COV

2
(C-24)
3
C gs = .0,35.10−6. 8, 463.10−3.W + 211,575.10-12 .W = 2 186,275.10-12 .W
2
(C-25)
Et par suite C NMOS = C PMOS = C gs + 4.C gd

3
(C-26)
C Vmin ≤ − C PMOS − C NMOS − C L

Lωmax
1
2
(C-27)
Annexe_12
ANNEXE
C Vmin ≤ − 2. ( C gs + 4.C gd )
Lωmax
1
(C-28)
( )
2
≤ − 2. 2 186,275.10-12 .W + 4.211,575.10-12 .W
Lωmax
1
C Vmin 2
(C-29)
Il en résulte que, C V ≤ 1, 75.10−12 − 6 065,15.10-12 .W (C-30)
Deuxième contrainte : FMIN

LC max ≥
ωmin
1
2
(C-31)
Cmax est obtenu par le réglage C v,max = β C v,min . Il mène donc, à l'inégalité semblable suivante :
C PMOS +C NMOS +C L +C Vmax ≥

Lωmin
1
2
(C-32)
C Vmax ≥
Lωmin
1
2
-C PMOS -C NMOS -C L (C-33)
Or nous avons C Vmax ≥ β C Vmin , (C-34)

1⎛ 1 ⎞
Cv ≥ ⎜ − CPMOS − C NMOS − CL ⎟
β ⎝ Lωmax ⎠
2
(C-35)
1⎡ 1 ⎤
CVmin ≥ ⎢ 2 -CPMOS -C NMOS -CL ⎥
β ⎣ Lωmin ⎦
Ceci prouve que : (C-46)
⎢ 2 − 2. ( Cgs + 4.Cgd ) ⎥
1⎡ 1 ⎤
Nous trouvons ainsi, CVmin ≥
β ⎣ Lωmin ⎦
(C-37)
C V ≥ 1, 3.10 −12 − 3 032, 575.10-12 .W

Il vient alors,
(C-38)
Troisième contrainte : αdém

Nous savons que le facteur de qualité Q du résonateur LC dépond du facteur de qualité de
l’inductance et du varactor, respectivement, notés QV et QL par l’équation suivante :
= +
1 1 1
Qtan k QL QV
Nous avons Qvar = QMOS =

RMOS ω0 Lcanal
1
(C-39)
Où ω0 : est la pulsation d’oscillation qui est égale à 2GHz

Lcanal : Longueur du canal du transistor qui est égale à 0,35µm
RMOS est la résistance aux bornes du transistor que nous définissons par :
RMOS =
12.K .W (VGS − VTh )
Lcanal
(C-40)
Puisque le varactor est de structure PMOS, alors K = K p = µ P COX

Avec VTh est la tension de seuil du transistor,
Pour VGS p − VTh = −

VDD
, nous trouvons :
2
RMOS = −
Lcanal
(C-41)
V
12.K .W DD
2
Annexe_13
ANNEXE
Il vient alors :
Qvar = −
2.ω0 .L2canal
12.K P .W .VDD
(C-42)
Cvarω0 2.ω02 .L2canal .Cvar

Il facile alors de déterminer gv
gV = =−
12.µ P .COX .VDD .W
(C-43)
Qvar
Il en résulte alors que, gV = −12, 951.109.Cvar .W −1 (C-44)
que QVar >> QL ⇒ Qtan k ≈ QL . Cette relation nous permet déterminer gL.
Or le facteur qualité de l’inducteur est négligeable devant celui du varactor. Ce qui établit
RL = RP = Qtan k
[ω L ]
.ω L = 0
⎛ω L⎞
= ⎜ 0 ⎟ .RS = QL2 .RS
2 2
⎝ RS ⎠
0 (C-45)
RS
1 1
Où g P = est la conductance équivalente globale du résonateur et g L = est la
conductance équivalente de l’inductance. Soit alors g L =82,74 µ S

RP RL
De même, il est possible de déterminer la conductance gd,n et gd,p respectivement par les expressions
(Vgs,n − VTh,n )
suivantes :
g d ,n = =
1 12.kn .W
(C-46)
( )
Rds Lcanal
= = Vgs , p − VTh , p
1 12.k p .W
g d ,n (C-47)
RPMOS Lcanal
g d ,n = 19, 081.103W (C-48)
Et g d , p = − 4, 264.10 W 3
(C-49)
(
2, 6264.W 0,5 ≥ α 14,817.103W − 12,951.109 CvarW −1 + 55,56.10−3 )
Ce qui implique,
Pour α = 3, nous trouvons,

Cvar ≥ 1,144.10−6 W 2 − 67,598.10 −12 W 1,5 + 4, 29.10−12 W (C-50)
ANNEXE D:
D1 : Présentation générale du bruit de phase d’un oscillateur :
Dans un VCO, l’oscillation est obtenue en présentant aux éléments passifs, une résistance négative
générée par son élément actif. L’amplitude des ces signaux, est limitée par le phénomène de saturation
intervenant dans l’élément actif. Ce comportement non linéaire de l’oscillateur crée un mécanisme de
mélange des sources de bruit basses fréquences avec le signal d’oscillation. La figure D-1 explique de
manière schématique ce phénomène de conversion de fréquences basses autour de la fréquence
d’oscillation f0.
Puissance
de bruit conversion Bruit converti
autour de la porteuse
Bruit en excès
Plancher de bruit thermique Fréquence

0 f0
Figure D-1 : Mécanisme de conversion du bruit basse fréquence autour du signal d’oscillation
Annexe_14
ANNEXE
Ce mécanisme de conversion de fréquence est identique à une modulation du signal à la fréquence f0

par le spectre de bruit basse fréquence. Le signal de sortie de l’oscillateur est donc comparable à un
signal modulé en amplitude et en fréquence (ou phase) par les sources de bruit.
Les bruits de fluctuation perturbant l’oscillation trouvent leurs origines dans les sources de bruit de
basse fréquence qui sont assimilées à des processus aléatoires stationnaires. Ainsi, les bruits de
fluctuation affectant le signal d’oscillation ont les mêmes propriétés, ce qui permet de les caractériser
par une densité spectrale et donc de décrire la distribution de puissance d’une variable aléatoire
comme une fonction continue dans le domaine fréquentiel. Par conséquent, nous associons
respectivement, au bruit de modulation de phase et de fréquence la densité spectrale de bruit de
phase S ∆φ ( f ) et de fréquence S ∆f ( f ) .
S∆f ( f )) = f 2 .S∆φ ( f ) (D-1)
La pureté spectrale du signal de sortie d’un oscillateur peut donc être étudiée grâce à la
connaissance des deux densités spectrales de puissance S A ( f ) et S ∆φ ( f ) caractérisant respectivement
les bruits d’amplitude et de fréquence (ou de phase). Il est à noter cependant que compte tenu de la
difficulté à mesurer le bruit d’amplitude, celui-ci est considéré comme faible et donc négligeable
devant le bruit de phase. Après avoir expliqué le mécanisme de conversion de bruit basse fréquence
autour de la porteuse, nous allons donner les définitions relatives à la caractérisation du bruit de
fluctuation d’un oscillateur puis nous caractériserons successivement les bruits de modulation de phase
(ou de fréquence) et d’amplitude [1, 3,6].
Dans ce travail, le bruit de phase est exprimé en bande latérale unique (en anglais SSB : Single
Sided Band) ramené dans une bande de mesure de 1Hz. Il est cependant possible de définir ce bruit
pour des largeurs de bande différentes. Le bruit de phase notée L s’exprime par le rapport entre la
B( f m , B) = 10log10 ⎛⎜ n ⎞⎟
puissance dans une bande latérale de bruit de phase et la puissance de la porteuse du signal :
⎝ P0 ⎠
P
(D-2)
Avec Pn = ∫
f0 + f m +
B
2
DSP ( f ) df : la puissance de bruit dans une bande de fréquence B à la
f0 + fm −
B
2
distance fm de la porteuse. P0 désigne la puissance de la porteuse.
Dans ce cas, pour une puissance Pn définie sur une bande de largeur B, Etant donné que L(fm)
s’exprime en puissance par rapport à la porteuse (en anglais ‘carrier’ d’où le ‘c’ de l’unité) par bande
de fréquence, son unité est en dBc/Hz (en supposant par bande de 1Hz). Pour retrouver le niveau de
( )
bruit équivalent en dBc/Hz, il suffit de retirer 10 log10B. Dans le domaine fréquentiel, le spectre de
puissance est une manière commune pour caractériser le bruit de phase de l'oscillateur [1][2][9]. Il est
défini à une fréquence fm de la porteuse par :
S ∆φ ( f m ) = D − 10 log B (D-3)
dBc / Hz 1 Hz
Où D est la différence entre la puissance de la porteuse et la puissance du signal à une
fréquence distante de fm et B est la bande de fréquence sur laquelle la puissance de bruit est intégrée.
(1Hz − BW )
Autrement, le bruit de phase de l’oscillateur, en dBc/Hz, est donné, par la relation :
L { f m } = SSB dBc / Hz Θ f m HZ
P
(D-
PS
4)
Où PS est la puissance de la porteuse et BSS est la puissance de bande latérale.
Ce spectre est défini par une densité spectrale de bruit de phase S ∆φ ( f m ) associée à la variable
aléatoire ∆Ф(t) et fonction de la distance en fréquence à la porteuse (fm) (voir figure C-3). Si la largeur
de bande B est considérée petite, alors la puissance contenue dans cette bande à une distance fm de la
porteuse, vaut :
Annexe_15
ANNEXE
P = S ∆φ ( f m ).B (D-5)
Nous considérons que le signal de sortie d’un oscillateur, en fonction du temps t, Vs(t) peut
VS ( f ) = A.cos(ω0t )
être représenté dans le cas idéal par la relation suivante :
dφ
(D-6)
Où A est l’amplitude et ω0 est la pulsation d’oscillation telle que ω0 = 2π f 0 = avec Ф0 la

dt
phase instantanée du signal. Pratiquement, le signal de sortie de l’oscillateur peut être assimilé à un
v (t ) = (Vs + ξ (t )) cos ( ω 0 t + ∆φ (t ))
signal modulé en amplitude et en phase (ou en fréquence) :
(D-7)
Où ξ(t) représente les fluctuations dans l'amplitude du signal de l'oscillateur et ∆Φ(t) est le
bruit de phase aléatoire. ∆Φ(t) traduit donc, le mécanisme de modulation des sources de bruit basses
fréquences autour de la fréquence porteuse [1]. Typiquement, ξ(t) est ignoré pendant qu'il peut être
éliminé avec l'introduction d'un limiteur. Par conséquent, ∆Φ(t) est le seul processus concerné en
considérant le bruit de phase. Cette variation angulaire peut être transposée en variation temporelle
∆φ (t )
∆ (t) appelée « jitter » (ou gigue) avec :
∆δ (t ) =
ω0
(D-8)
1 d ∆φ (t )
Le bruit de modulation de fréquence, ∆f(t) est donné par :
∆f (t ) =
2π dt
(D-9)
Les variations aléatoires de la phase responsables du bruit de phase peuvent également être
observées dans le domaine temporel, dans ce cas le «jitter» (gigue) est considéré comme l’équivalent
vS (t ) = A(t ) cos[2 π f 0 ( t + ∆δ (t ))]

temporel du bruit de phase. L’expression du signal temporel en sortie de l’oscillateur vaut alors :
(D-10)
Par conséquent, le bruit de phase de l’oscillateur a pour effet de créer une dispersion de la
phase sur l’état de la modulation engendrant ainsi une avance ou un retard de phase du signal reçu
(figure D-2).
v (t ) = V sc o s ( w t )
t im e
∆ t ⇔ ∆ φ (t )
Figure D-2. Fluctuations du signal dues au bruit de phase
D-2 : Bruit de modulation d’amplitude :
Pour caractériser ce bruit, nous considérerons une onde d’amplitude unité, de fréquence f0
modulée uniquement en amplitude par bruit de densité SA(f). La puissance contenue dans une bande
B, supposée petite et centrée à une fréquence fm de la porteuse est donnée par :
P = S A ( f m ).B (D-11)
Si cette onde est maintenant modulée en amplitude, avec un faible indice de modulation m, par
un signal sinusoïdal pur à la fréquence fm la relation (D-11) prouve l’expression de la puissance sur
une des deux bandes latérales :
P= = S A ( f m ).B
m2
(D-12)
4
Annexe_16
ANNEXE
Le bruit d’amplitude s’exprime alors comme le rapport de puissance contenue dans une bande
latérale à la puissance de la porteuse :
⎛ m2 ⎞
⎟ = 10.log ( S A ( f m ).B )
⎛N⎞
⎜ ⎟ = ⎜
⎝ C ⎠ A dBc ⎝ 4 ⎠
10.log (D-13)
D-3 : Bruit de modulation de phase ou de fréquence :

Le bruit de phase d’un oscillateur est dû à son comportement non linéaire qui engendre un
phénomène de conversion du bruit basse fréquence autour de la fréquence d’oscillation f0.
Figure D-3. Spectre du signal de sortie bruité d’un l’oscillateur
Dans le domaine fréquentiel, ceci se traduit par une imperfection du spectre du signal de
sortie de l’oscillateur. Si nous considérons à présent, que le signal de sortie de l’oscillateur à la
fréquence f0 est modulé par un signal sinusoïdal idéal de fréquence fm, nous faisons alors,
correspondre à une grandeur aléatoire une quantité déterministe plus facile à manipuler et à décrire.
VS (t ) = A.cos (ω0t + m.sin(ωmt ) )

Il suit :
∆f max ∆ωmax
(D-14)
m= =
ωm
est l’indice de modulation.
fm
f = f 0 + ∆f max .cos ( 2π . f m )
Nous définissons ainsi, la fréquence du signal de sortie de l’oscillateur par :
(D-15)
φ = ∫ 2π . f (t )
D’autre part, la phase est définie comme la primitive de la fréquence, soit :
(D-16)
∆f max
.sin ( 2π . f mt )
Nous déduisons des deux relations précédentes :
φ = 2π . f 0t + (D-17)
fm
∆f max
Compte tenu du faible niveau d’amplitude des sources de bruit, l’indice de modulation m est
considéré très inférieur à 1 (i.e. m = ∆φmax = << 1 ), dans ces conditions le phénomène peut
fm
VS (t ) = A.cos (ω0t ) + A. ⎡cos ( (ω0 + ωm ) t ) − cos ( (ω0 − ωm ) t ) ⎦⎤

être décrit comme une modulation à faible indice. Ainsi, en utilisant les relations de Bessel, il vient :
2 ⎣
m
(D-18)
Dans ces conditions, le spectre du signal de sortie de l’oscillateur est le suivant :
Annexe_17
ANNEXE
Puissance
A2
⎛ Am2 ⎞
⎜ ⎟
⎝ 4 ⎠
fréquence
f0-fm f0 f0+fm
Figure D-4. Spectre du signal de sortie bruité d’un l’oscillateur
A2 m 2 A2 ∆f max
La puissance de chaque raie latérale vaut alors :
P= =
2
(D-19)
4 4 f m2
Cependant, nous portons généralement, plus d’intérêt à l’écart relatif de puissance existant
entre la porteuse et les raies latérales à f0 + fm et f0 - fm qu’à la puissance de chaque raie latérale. Ainsi,
si la puissance de la porteuse est normalisée (A = 1) et si la puissance de la raie à une distance fm de la
porteuse est identifiée avec la puissance de bruit de modulation de phase dans une bande B, définie par
⎧ m2
la relation (D-8), il vient :
⎛ ∆f max ⎞ 1
⎪ = S ∆φ ( f m ).B = ⎜ ⎟ .
2
⎪ 4 ⎝ fm ⎠ 4
⎨
⎪
(D-20)
⎪ =
puissance de bruit dans une bande latérale B
⎩ puissance de la porteuse
A partir de cette expression, un certain nombre de relations et définitions caractérisant le bruit
de phase peuvent être extraites, nous définissons alors :
∆f max = 2. f m . S ∆φ ( f m ).B
- La fluctuation de fréquence maximale :
(D-21)
∆f max
- La fluctuation de fréquence efficace telle que
∆f eff = ,
2
∆f eff = f m . 2.S ∆φ ( f m ).B (D-22)
( )
∆f eff
- Le bruit de phase en à une distance fm de la porteuse :
N Hz / Hz = = f m . 2.S ∆φ ( f m ) (D-23)
B
Néanmoins, le bruit de phase est communément défini comme le rapport de la puissance d’une
⎛N⎞
bande latérale de largeur 1 Hz à la puissance de la porteuse, soit :
⎜ ⎟ = = S ∆φ ( f m )
m2
⎝ C ⎠ ∆φ
(D-24)
4
L’unité la plus usuelle Etant le dBc/Hz soit dB par rapport à la porteuse dans une bande de
⎛ ∆f ⎞ ⎛ ∆f eff ⎞
1Hz, il vient :
⎛N⎞
= 10.log S ∆φ ( f m ) = 20.log ⎜ max ⎟ = 20.log ⎜
⎜ ⎟
⎝ C ⎠ ∆φ dBc ⎜ 2 f ⎟⎟
⎝ 2 fm ⎠ ⎝ m ⎠
(D-25)
L’expression du bruit de fréquence, en dBc/Hz, se déduit de la précédente grâce à la relation
( )
(D-22) d’où :
+ 20.log ( f m )
⎛N⎞ ⎛N⎞
⎜ ⎟ = 10.log f m2 .S ∆φ ( f m ) = ⎜ ⎟
⎝ C ⎠∆f dBc ⎝ C ⎠ ∆φ dBc
(D-26)
Annexe_18
ANNEXE
Références Bibliographiques (Annexes):

1. Z.Zhu, W.Alan Davis, Kamal Sinha, ‘‘An Optimization Procedure in Low-Phase-Noise
Integrated LC Oscillators Design’’, 2005 IEEE, pp: 519-522.
2. J.Dąbrowski, ‘‘Introduction to Radioelectronics’’.
3. T.H.Lee, A.Hajimiri, “Oscillator phase noise: a tutorial,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 35,
no. 3pp. 326-336, March 2000.
4. D.Ham, A.Hajimiri, ‘‘Concepts and Methods in Optimization of Integrated LC VCOs’’ IEEE
Journal of solid-State circuits, vol. 36, NO. 6, June 2001.
5. W.Altabban, P.Desgreys, H.Petit, ‘‘Implémentation et Simulation d’un modèle LTV du bruit
de phase dans un VCO’’, 2008.
6. N.Boughanmi, A.Kachouri, M.Samet, ‘‘Optimum VCO’s for radiofrequency Applications’’,
The 56th ECTC2006, California, June, 2006.
7. J.Maget, R.Kraus, “A Physical Model of a CMOS Varactor with High Capacitance Tuning
Range and its Application to Simulate a Voltage Controlled Oscillator”, 2002.
8. V.Casey, ‘‘Metal Oxide Semiconductor MOS System’’ Solid State Physics 2PH4608
9. T.H.Bui, ‘‘Design and Optimization of a 10nH Square-Spiral Inductor for Si RF Ics’’,
University of North Carolina at Charlotte, October, 27, 1999.
Annexe_19

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III.3. Modèle de résistance négative des oscillateurs

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Si Rrésonateur > Rnégative, les oscillations mourront ;

Si Rrésonateur < Rnégative, les oscillations se développeront ;

IV. Méthodologie de conception du VCO

Tableau I-1. Etat de l’art des VCOs proposés

InGaP HBT Bipolaire Varactor Diode intégré Cellule différentielle LC

-ajout d’un Buffer

Satisfaction des contraintes - Optimisation de bruit

Tableau I-2. Sommaire de résultats de recherche de conception d’un VCO

Technologie de Consommation Fréquence Gamme Bruit de phase

[1] MOS (Si) 0,5 V 660µA 2,56GHz 18 % -120@ 1MHz

[3] 0.18µm CMOS 1.8 V 8.1mW 4.84GHz 20% -120.7@ 1MHz