NOMBRE DEL LABORATORIO: Transistor de efecto de campo de unión (JFET)

Familiarización y curvas características / Característica de Transferencia

Imagen del experimento # 1 Compuerta en corto circuito con la fuente, VGS = 0

Tabla de valores obtenidos

ID (mA)
VGS(V)
VDS(V) 0.00 -0.25 -0.50 -0.75 -1.00 -1.25 -1.50 -1.75 -2.00 -2.50
0.00 0 1.05 2.05 2.80 3.45 3.90 4.02 4.15 4.00 4.15
0.50 -1.95 -0.95 0 0.85 1.50 2.50 3.15 3.60 3.85 4.00
1.00 -3.30 -2.65 -1.70 -0.80 0 0.70 1.40 2.10 2.65 3.55
1.50 -3.89 -3.65 -3.15 -2.25 -1.42 -0.60 0 0.65 1.25 2.05
2.00 -4.05 -4.05 -3.85 -3.45 -2.65 -1.85 -1.15 -0.50 0 0.85
2.50 -4.10 -4.15 -4.00 -3.85 -3.57 -2.80 -2.05 -1.45 -0.85 0
3.00 -4.15 -4.18 -4.15 -4.02 -3.90 -3.55 -2.80 -2.10 -1.50 -0.60
3.50 -4.25 -4.25 -4.25 -4.12 -4.05 -3.95 -3.65 -2.80 -2.10 -1.02
4.00 -4.35 -4.30 -4.27 -4.20 -4.15 -4.05 -3.90 -3.60 -2.85 -2.45
4.50 -4.40 -4.35 -4.30 -4.30 -4.25 -4.20 -4.15 -3.95 -3.60 -2.15
5.00 -4.45 -4.45 -4.40 -4.35 -4.30 -4.28 -4.20 -4.10 -3.90 -2.85
7.00 -4.62 -4.68 -4.63 -4.55 -4.56 -4.50 -4.55 -4.40 -4.40 -4.25
9.00 -4.80 -4.90 -4.85 -4.80 -4.85 -4.75 -4.75 -4.65 -4.60 -4.55
11.00 -5.10 -5.10 -5.08 -5.00 -5.00 -4.95 -4.90 -4.90 -4.85 -4.65
13.00 -5.25 -5.28 -5.27 -5.15 -5.25 -5.18 -5.14 -5.12 -5.05 -5.00
15.00 -5.49 -5.49 -5.47 -5.40 -5.45 -5.35 -5.30 -5.28 -5.25 -5.15

Imagen del experimento # 2 La Compuerta se polariza en inversa

Experimento #3: Característica de Transferencia

VGS(V) -2.50 -2.00 -1.75 -1.50 -1.25 -1.00 -0.75 -0.50 -0.25 0.00
ID(mA) -5.20 -5.25 -5.30 -5.32 -5.38 -5.40 -5.41 -5.42 -5.45 -5.50

Cuestionario
1.Explique el procedimiento que se deberá usar para verificar con experimentos que no hay
corriente de compuerta en el intervalo en el cual el JFET opera con normalidad.
La corriente se controlaba por otra corriente entre la base y el emisor del transistor bipolar. Pero
en el JFET la corriente entre drenador y la fuente se controla por medio de una tensión.

2.Siguiendo el procedimiento, mida la corriente de compuerta, si hay, sobre el intervalo de

operación normal del JFET que se le asignó.
La corriente se controlaba por otra corriente entre la base y el emisor del transistor bipolar. Pero
en el JFET la corriente entre drenador y la fuente se controla por medio de una tensión. La
tensión que habrá entra la puerta (G) y la fuente (F).

3. a) A partir de sus gráficas, ¿cuál es el valor de Vp? b) ¿Qué factores ayudan a identificar Vp?
De esta forma, cada entrada y salida de efectivo se restará del valor actual y se sumará, tal como
lo establece la siguiente fórmula. Aquí está la fórmula escrita: Valor presente neto (VPN) = Flujo
de efectivo / (1+ tasa de descuento) ^ número de periodos.

4. a) A partir de sus gráficas, ¿cuál es el valor de IDSS? b) ¿Para qué valores de VGS y VDS se
define IDSS?
VGS = VG – VS = 0 – ID RS = -ID RS Por lo tanto: VGS = - ID RS El voltaje en el drenaje respecto a
tierra se determina como: VD = VDD – ID RD Como VS = ID RS, el voltaje entre drenaje y fuente
es: VDS = VD – VS = VDD – ID(RD + RS) Establecimiento del punto Q de un JFET auto polarizado.

5. ¿Su experimento indica qué es más efectivo para controlar la corriente de drenaje, VDS o VGS?
Explique con base en sus datos.
Los transistores de efecto de campo controlan la corriente entre las conexiones de fuente y
drenaje mediante un voltaje aplicado entre la puerta y la fuente.

6. ¿En este experimento cuál es el valor de VGS en el que la corriente, ¿ID, se corta? ¿Cómo se
compara con Vp?
El voltaje de la compuerta a la fuente, que se denota como VGS, es el voltaje de control del JFET.
En otras palabras, la terminal de compuerta se situará en niveles de potencia cada vez más bajos
en comparación con la fuente.
 Conclusiones

1. Los transistores FET realizan la función de control de la corriente, común a todos los
transistores por ser característica básica, mediante una tensión aplicada en uno de sus
terminales.

2. El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus

curvas características en las que se representa la corriente que entra o sale por el
Drenador en función de la tensión aplicada entre éste y la Fuente.

3. Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposición similar a
la de los bipolares, es decir, en fuente común, aunque la primera y la última son las
más utilizadas en la práctica.

4. Ha aparecido en el mercado una nueva tecnología de fabricación de transistores MOS

que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geométrica de sus diferentes
regiones semiconductoras. Se emplean en amplificadores de potencia así como en
conmutación, haciendo la función de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que
poseen.