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如何建構IC封裝

勢流科技股份有限公司
CAE事業部CFD部門
如何建構IC封裝
IC封裝依照結構不同,其所呈現的熱特性參數往往也大相逕庭,從系統散
熱模擬的角度看,受限於系統計算資源有限以及封裝細節資訊貧乏的狀況
下,往往封裝僅能以簡單結構下去做模擬,此部分必定會引起部分誤差,
如何在前期產品設計時,建構封裝模型,在模擬上取得合理精度,成為一
重大課題
如何建構IC封裝
Detailed Model

封裝種類繁多,且內部結構複雜,模擬上建構
有困難且耗時,FloTHERM PACK將此複雜動
作利用參數化重新製作成模組,使用者僅需輸
入尺寸、材質、瓦數等參數,即可快速建構複
雜之模擬模型,大量節省建模時間,提升工作
效率,同時可依據此Detailed model,進行轉
換成等效之Compact model(2R or DELPHI),
在後續系統分析模擬上能夠大量節省不必要計
算資源浪費,同時兼具模擬所需之精度

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如何建構IC封裝
Simple Model 受限於計算資源有限,最簡單設定為假設封裝為單一均
勻材質並具備一均勻發熱密度,透過FloTHERM內建
(Uniform K) library,依據不同封裝種類,可取得初步設定等效熱傳
導係數
Thermal Physical Properties
Package Type Conductivity
(W/mK) Density Specific heat
Emissvity
(kg/m3) (J/kgK)
Ceramic Package 15 2000 395 0.9
ChipArray 0.1 2000 470 0.9
connector 10 2000 400 0.9
CBGAFC 2 2000 900 0.9
PBGAFC 1.5 2000 700 0.9
LQFP 0.3 2000 490 0.9
MQFP 0.25 2000 220 0.9
TQFP 0.2 2000 800 0.9
MicroBGA 0.2 2000 150 0.9
PLCC 0.4 2000 120 0.9
Plastic package 5 2000 395 0.9
QFN 14 2000 50 0.9
SOIC_SOP_SO 0.4 2000 350 0.9
SSOP 2 2000 30 0.9
TSOP 0.1 2000 800 0.9
TSSOP 0.5 2000 700 0.9

Ref. FloTHERM Embedded library


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如何建構IC封裝
2R Model 將實際封裝結構簡化為熱阻網路,假設傳
熱路徑只能從Die到封裝頂部(case)跟Die
到封裝底部(Board),兩段的熱阻值可透過
實驗取得或是由FloTHERM PACK轉出,
在模擬設定上,輸入封裝內部的熱阻值藉
以模擬實際封裝在系統運作的溫升情況
Tips:
• 一般IC封裝的datasheet可看到RθJC、RθJA ,
但時常缺少RθJB,造成模擬設定上的不確定
性,尤其在產品初期設計時,給出封裝正確
Package
Dimension
RθJC RθJB 熱阻參數成為一重大課題。依照封裝種類不
Type (K/W) (K/W)
LQFP 48_7x7mm_2R 39.03387 48.43855
同,其熱阻往往具備一定規律性,以
LQFP 68_10x10mm_2R 25.98647 41.11452 LQFP(Low Profile Quad Flat Pack)為例,
LQFP 80_12x12mm_2R 21.04666 38.66687 RθJB 普遍大於RθJC,在模擬設定上能依此規
LQFP 120_14x14mm_2R 17.28606 34.65298 律大致設定參數,待產品開發後期有相關詳
LQFP 128_14x20mm_2R 13.49158 30.83641 細資訊後,再結合實驗修正模擬參數,逐漸
LQFP 184_20x20mm_2R 10.30247 24.92047 累積數據可增進日後模擬準確性
LQFP 176_24x24mm_2R 8.115562 22.32303
• 熱阻量測具有一定規範,詳細規範記載於
LQFP 256_28x28mm_2R 6.4389 18.78349
JEDEC Standard內,內文詳述所有量測環境、
Ref. FloTHERM Embedded library
原理等

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如何建構IC封裝
DELPHI Model DELPHI模型與2R模型同樣是用熱阻建構而成,不
同在於DELPHI擁有更多節點,能夠更真實反應實際
封裝的熱傳遞狀況,相較2R模型具備更好的準確性
透過FloTHERM PACK能夠將此一模型快速建構並
轉換至FloTHERM模型內,進行後續系統模擬

Tips:
• 2R與DELPHI模型有ㄧ共通特點,都是利用所謂熱阻網路進行建構,沒有實際物理材料相關
特性,因此僅能夠預測特定結點的溫度(ex. Junction、case等),概念更像是透過實驗或模擬,
擷取在某特定邊界條件底下的溫差反應,藉此預估實際情況下的溫升現象
• 在模擬上不管使用哪一種模型,都一定會有相當的誤差,以2R模型為例,因為假設上過於
簡化,其誤差有時能達到30%以上,DELPHI模型由於節點相對較多,其誤差相對較小(約
10%以內)
Ref. DELPHI Compact Models Revolutionize Thermal Design
Sarang Shidore and Dr. Akbar Sahrapour, Flomerics Inc.
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如何建構IC封裝
T3Ster Correlation 也可利用Mentor Graphics旗下硬體量測產品 -
T3Ster,取得封裝內部結構之熱阻函數(RC
ladder model),在特定環境條件下模擬能夠取
得更精確之結果

T3Ster

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結論
• 求解精度隨建模細緻程度增加,但相對所需計算資源跟求解時間也等
比例增加,使用者必須在其中作取捨,依據其不同模擬目的,選用不
同封裝模型

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