Conceptos de Electrénica. Dispositivos electrénicos y Andlisis de circuitos (
Partes: 1.2.3.
Bs posible construirrecificadores de onda completa
mediante un puente de lodeso bien a partir de un
transfermador con dervacién central
‘+ RECTIFICADOR CON PUENTE DE DIOD0S
‘Un puente de dindas como el mostrado en a figura 3.20
sen sf mismo un rectificador de onda completa, en la
figura 3.11 se observalasefal aplicaday la seBial,
resultante,obsérvese dela Sgura 210 que la
sofial de salida se mide através de a zasistencia,
Ream es Iigico,
Figura 3.10 Puente
rectiicador de ond completa
Figura 3.17 Formas de
onda de entrada y de salida para un rectiicador de onda
completa
ara un retificador de onda completa se tiene
awe Hi transformador
Ln transformador como el mostrade en la gura 3.12¢s
una méquina estitica disefada exclusivamente
para ser alimentada por fusntes de ca senoidales. El
‘ransformador tiene ls siguientes
+ Transfiere energie eléctries deun
circuito a oto sin cambio de frecuencia
+ Lohace bajo el principio de induceisn
lectromagnética (ey de Faraday)
si (sin conexién
bobinas), que son eslabonados por un circuito
sagnético comin (mediante un micieo de
‘essa laminado).
am RS
“Tuntformacisn
de wneedancts,
Figura 3.126)
transformador monotésico
Un ransformador consta de dos bobinas devanadas en un
nicl (de hierro} comin, la bobine primaria que se
conecta la fuente de alimentacién senoidal recibe el
nombre de devanado primario yla bobina que se conecta
al cirouito de salida rece el nombre de devanado
-secundero. Al aplicarun voltaje Vi en el devanado 156
Induce (de acuerdo ala ley de Faraday un voltaje V2 ene]
devanado 2. Las siguientes cusciones definen completamente el,
comportamiento de un transformador monofésico:
8 valor de R. eonevoce
(cuando se utiliza un transformador con
erivacin central(o transformador con tap
centrale un transformador que posee una sida central en L devanado secundario), es posible utiltar solamente dos diodos
para diseRarun retiieador de onda complet, ta
frcuito se muesica en la figura 3.13
Figura 3.13
Rectificador de onda completa con transformador con
serwvacin central
La rectficacién se leva acabo como se muestra
on las figuras 3.14 3.15, obsérvese que durante la mitad
de onda positiva el diodo superior conducey el dodo inferior no
conduce;sucede lo contario durante la otra mitad de
onda
i a i aa 38
i fF Soraceree oe
para cada diodo del reciicador de onda completa con
‘ransformador con derivaciGn central debe ser al menos dos
‘veces el valor méximo dela onda de entrade
(Para el ectifcador de onda completa con transformador
de fap contrat
FUENTES DE ALIMENTACION ¥ CI REGULADORES DE
VOLTATE
Una fuente de alimentacién ideal es una fuente de
vollaje continuo o como se denomsin volaje de, tanto operando
sin carga (en vaco) como operando con carga Ia
{race dela fuente de alimentacién ideal debe ser
una linea recta horizontal sin reo
(COMPONENTES DE UNA FUENTE DE
ALIMENTACION
Una fuente de alimentacién completa debe seguir
1 patrén mostrado en el diagrama de bloques de a figura
4a ta = AA Ann
Ve
Figura 4.1 ciagrama
de bloques que muestra las partes de una fuente de
‘alimentacién
‘Acontinuacin se explicalafuncién de
cada uno de los elementos que integra Ta fuente de
alimentacin:
‘Transformador. Eleva o disminuye una sei
de voltae ac, los wansformadaras empleados en fuentes de
alimentacién para efectos electrinios son
eneralmente tansformadores reductores.
Rectificador. Rectfcs la seal alterna
aque sale det transformador en una seal directa (que ne
alterna su polatidad) aunque esta seal es ain
cambiante en magnitud las fuentes de alimentacién emplean
rectificadores de onda completa construidos a partir de diodos
(wéase el capitulo reerente a diodo)
Fito, Filta la seal que sale el
rectiicador y que es cambiante en amplitud, a una seal
“casi contin” que sin embargo posce una pequeda
variacién denominada rizado, Los ltros se
construyen a partir de sircuitos RC.
(CIregulador. Conviertelesefial de "cast
continua’ a "continua completamente’, es decir se alimentan de un
voltae cambiante en amplitud y devuelven un voltae joa su
salida. Los reguladores se pueden construira partir de
‘ransistores, aunque los hay de circuito integrado
©.
DDEFINICION DE RIZO ¥ REGULACION DE
VouTAE
La sefial de entrada al tro es una onda
rectificada completa, pero no continua, la sali ser
superposicién de dos ondas una onda continua y una onda
alterna tal como se ilustra ena figura 4.2. La seal en
_ndes detectada por un voltimetzo deed, mientras que para
detoctar solamente la seal de ca es necesario conectar un
capacitor en serie para bloquear la sefial de ed, entonces
laectura del voltimetro de ca serée valor rms
de a. Bajo esta consideracin se define al
rizocome:
En realidad el rizo es debido ala cargay descarga de
los capacitoras que forman parte de un filtro de
capacitor Figura 4.2 Forma de
‘onda del itr de votaje que muestra los voltajes de ody de
1a regulaciénes una medida dela
estabiliad del voltae en vacio (cuando mo hay
carga conectada a a fuente) respecto al volaje de plona
carga (cuando hay carga conectada ala fuente de
alimentacin)
egulecian de vee VR = i.
Una regulacién de O% significa que se tienen
tuna fuente de valtaje perfect,
CCALCULO DEL RIZADO A LA SALIDA DE UN
RECTIPICADOR
1a sefial de salida de un rectificador se puede
ddescomponer también en das onda, una componente directay
tuna componente alterna, entonces al aplicar la ecuacién
4.1n ee obtione el % de rzado,
Felrme)
at co¥.
wa
stage detreciteoderde onda completa
Pom eg OEP
Ye 636m
Elrizado del rectiicador de onda completa es mejor
(que elrizado del rectcador de media onda
‘Nota. Las valores de Ve (rms) =0.385 y
‘e=0.208 ems) para los reetificadores de media onda y onda
completa respectivamente se dejan a demostracin del
lector.
HILTRADO
1a siguiente tabla resume los tipos de fltros
mds comunes, ai como el gfleulo del rizado
4 eleireuitoasociao. Bs posible conectaren serie varios teas RC para
obtener un mejor rizado (cercano a cero), solo debe tenerse en
cuenta que Ve representa el volaje de rizado del filtro anterior
asimismo sucede con Wa.
REGULADORES DE VOLTAJE DECI
Los reguledores de CI contienen Ios cieuitos dela
fuente de referencia: e! amplfcador comparadr, el
sposiive de contraly la proteccién contra
sobrecarga. Los hay para voltae Sj positiv (serie 7800)
voltae io negativo (sere 790), aunque también los
‘hay de voltae ajustable (LMS17). Los reguladores de Cl poscen
‘wos terminales Wi (entrada), GND (tera) y Vo (ssid), las
‘nojas de especificacioneslistan los rangos de Vi para que se
‘mantenga la sala Vo fj, también stan la cantiéed de
cambio en e voltje de salids como resultado de un eambio en la
cortiente de carga (regulacién de carga) debido
‘un cambio en el voltae de entrada (tegulacidn de
line)
REGULADORES DE VOLTAJE FIO
1a serie 7800 ofrece Cl repuladores de vltajes jos
positives desde +5 +26 vols, mientras que la serie 7900 ofrece
Creguladores de voltae fio negative desde 5 a-24 volts, en
la siguionte tabla se listen los CI reguladores de ambas series,
obsérvese queen la nomenclatural itimos 2
digits indican el vltaje nominal de salida, En a igure 18.26 se muestra la forma apropiads de
conectar un CI regulador, en este caso el 7812, obsérvese
aque se tienen dos filtro de capacitor (C1 y C2), el primero es el
filtro comin, mientras que C2 es un filtro para
rudosde alta frecuencia,
Orme, ©
Lael.
ea ag
Figura 4.7
CConexién del regulador de voltae
712.
+ HOJA DE ESPECIFICACIONES DEL REGULADOR DE CI
arene
‘Amanera de cjemplo se muestra a continuaci6n la
hoja de especicaciones del regulador de Cl A7H12¢ de FAIRCHILD, en la parte
inferior se da una breve explicaron de Ios parémetros
‘mis importantes,
etieaionar aI
Voltaje de sala. Es ol rango de
voltajes de salida que el fabricante determina para cada
Aispostiv dela misma serie en particular (para el 7812,
significa que puede variar entre 12y 12.)
Regulactén de salide. Express el
cambio en la salida volta) como consecuencia de cambios en la
corviente de carga, Para el 712 a repulacin de salida
tipica es de 4 mV para cambios en la corviente de carga
desde 0.28 hasta 0.75 Amperes Corriente de sald de corto circuit,
[sla corriente demandada por el C evando sus terminales se
‘aya bajo corto cieuito accidental o debidoa defetos en el
cL
Diferoncia de voltae, Representa la
diferencia de Vivo, es decir como se muestra en la tabla
superior, la entrada siempre debe ser mayor quo la salida para
{que ol Cl opere como regulador con la regulacién de
voltajeespecifcada, Bn el caso del 7812 la entrada debe ser
rinimo 124214, siendo 1412=2 a diferencia de
voltaje.
Corriente de sald pio. E7812 iene
‘una cotriente nominal méxima de 1.54; sn embargo puede
soportar hasta 2:2 A méximos durante un breve
periode.
REGULADORES DE VOLTAIE AJUSTABLE,
Los reguledores ajustables de3terminales permiten
ajustaro vltajede slide por medio de una terminal denominada
AD) (ADJUSTMEN) En la siguiente tabla se muestran algunos de
ellos.
Aeguladere: de sald dob [Poti y nega}
En a figura 48 se muestra la forma correcta de
conectar un regulador LM17 para obtener una sida variable a
través de los resstores RL y R2. En este circuito el
voltaje de salida Vo, esta dado por Entonces R2 se puede variara través de un
potenciémetro para obtener un nivel de Vo
variable, Figura 4.8
Conexién det regulador de voltae ajustable
umat7
Los CLRCI94y RCI9S se denominan reguladores de
tensién duales (dual tracking regulators) debido a
que generan ala sada dos woltajes de igual magnitud; pero de
polaridad contari,
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION. BT
De 19041947 en tubo de vacis
(presentado por]. A. leming en 1904) fue el dspositivo
electebnico mas uiizada, Por esa misma época en
1906 Lee De Fores, presento un bulbo de tre terminales (el
triode) que sin embargo no tavo aplicacion
inmedita. No fue sino hasta 1947 (e128 de diciembre) cuando
Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron i aceién
amplifieadora del transistor en los laboratorios Bell
‘Telephone.
CCONSTRUCCION DEL. TRANSISTOR Hl transistor es un dispositive de tres terminales que
‘se construye uniend tres capas de materia semiconductor,
‘extrinsece, Rn a figura5.1 se muestran los dos
tipos de transistor B/Pexistentes, el transistor pop y
el transistor npn, cada uno con una forma de
polarizacién correcta7JLas terminals del
transistor reciben ls siguientes nombres: emisorE base
By colectorG tal eomo se muestra en la igus
a capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, 1a del
coleetorligeramente dopada, mientras que la dea base se
encuentra muy poca dopads. La proporcin de espesor total
con respecto la capa centel (e150: ash
mismo la proporcién de dopado de las capas externas
respecto ala capa central es cercana a 10:1
Figura 5.1 Tipos de
transistores: (a) npn (&) pop
Bn este capitulo se estudia un tipo especial de
transistor enominado Transistor Bipolar de Unién
BJT, el término Bipolar refleja el hecho de que tant electrones como huecos parteipan en el proceso de
conduceibn.
COPERACION DEL TRANSISTOR
La siguiente sfiemacién es la base para et
entendimiento de las distinta configuraciones del transistor y
debe comprenderse totalmente:
‘Regia de polarizacién del
‘transistor. Sila unién pn de un transistor
‘se encuentra en polaizacién directa (polarizacién
de conduecin:entonces la restante unién np debe
cencontrarse en polerizacion versa,
Refigrase ala figura 5. para su
comprensin.
(cuando el diodo se polarza siguiendo la
consideracin anterior, entonces por la unién
polerizad en directa existe gran conducei6n, puesto que
la regién de agotamiento es muy estrecha tal eomo lo
indica a figura 5.2, a diferencia de lo ancho de a
regién de agotamiento dela unin polarizads en
vers En la misma figura se puede aprecir las eorrientes
resultantes, la mayor parte de corriente se ditig de emisor @
colector, mientras que una corriente minima se dirige de
emisor a base. Aplicando la CK al transistor se tiene
que: ‘Sin embargo y como es posible también apreciar de
la figura 6.2, a corriente de colecto, est formada por
dos componentes: ‘Aa componente de corriente minoritaria se le denomina
Corrente de fugay es del orden de entre 106 y 109
por lo que generalmente se desprecia (esa corriente es sensible
ala temperatura) Figura 52 Flujo do
portadores mayontarios y minontares en un transistor
pnp
CCONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR
Siguiendo la regia de polatizacién del
transistor, son posbles tes configuraciones a
continuacién numeradas
+ Configuracién base comin
+ Configurseién emisor comin
+ Configuracién colector
leérmino comin se deriva del hecho de
aque en cada configuracién la terminal con el adjetivo
“comin es comin tanto ala entrada como ala
sald CCARACTERISTICAS GENERALIS DEL TRANSISTOR
ar
Las siguientes ecutciones definen completamente las
caracteristices del transistor BJT yserén
explicadas alo lango del capitulo:
es.2a, Cuando el transistor BJP se alla en
estado encendido se produce una diferencia de potencial
constant de 0.7 V entre las terminales base y emisor, es decit
Vbe = 0.7 ¥, para cualquier nivel de corrente del emisor
dlemandadia por la red externa (red de carga, Simbotogla, La feck
dentro del simbolo del transistor define la
dizeccidn de la corrente del emisor como se puede
apreciaren las figuras 5.3 (a) y().
CCONFIGURACION BASE COMEN
1a figura 5.3 muestra esta contigurseién as
curvas caractersticas del transistor bajo esta
configuracidn, se muestran en las figuras 5.4y 5.5. Las
courvas de la figura 5.4 corresponden alas caraterstcas
de entrada o de excitacin (Ube, I), mientras que las
curvas de la igura 5.5 corresponden alas caractersticas
de salida (Ve, Ie La grifica 5.4 relaciona los valares de corriente
del emisor (eal variar los valores de voltaje base emisor
(bo), para distintos valores fijos de voltae coletor base
(vee) Figura 5.5 Caracterstcas de
Salida o det colector para un ampiificador de transistor de base
‘coma.
La grfica 55 relaciona los valores de corviente
de coleetor (cl varar los valores devolajecolector base
(Web), pera dstntos valores ijos de corrente de emisor
(web)
En esta curva se distinguen tres zonas:
+ Rogién de saturacién
Bs agucla regién que inicia donde VebVp y se dice que se ha aeanzado el
hivel de saturacién,s1valor de Vp que
tocasiona este comportamiento se le denomina vataje de
estrechamienta, este nombre se asocia.con el
esirechamiento del canal, como se muestra en la figura 75.
Advigrtase que la corriente no decae a cero amperes, sino
‘que solamente permanece constant, pero no solo es, sino que
audemés esa corriente maxima y se denomina
corrente de drenaje maxima (ss).
Figura 7.3 JFET con Vgs = Oy
vas >0
Figura 741d en
funcién de Vds cuando Vas
‘Vgs<0, Ena Sigura 7.6 se presenta una curva
caracteristica dol JFET para tres nveles dstintos de Vgs
(@,-1y-2¥), como se observa, voltajes mayores de la compuerta
permiten mayores corriontes através del canal para
incrementos correspondiente de voltaje en Ia fuente (Va), hasta
un Kimite conocid como nivel de conte de
Vila corriente del drenaje
sti relacionada con el vltaje compuertafuente aplicado
‘modiant la siguiente rlacién no lineal:
“MOSFET DE‘IPO INCREMENTAL DE CANAL-P
En a figura 7.17 se muestra en (a) a
construccién bisica del MOSFET incremental canal-p,
cn (bl grifica de transferenci (Vgs~ Id) yen (las
caracteristices de drenaje (Vas Id). Las ecuaciones
definidas para el MOSFET tipo incremental canal-nsiguen siendo
aplicables. Figura 7.17 MOSFET to incremental
de canalp. (a) Construccién basica (2) grafica de
transferencia y (c)caractristicas de
drenaye.
RECOMENDACIONES DE PROTECCION PARA UN
MosFET EL PET VERTICAL DE OXIDO-SILICIO, VMOS
Una de las desventajes del MOSFET tipico som los
bajosniveles de manejo de potencia (por lo general menos de 1W)
en comparacién con los ransstores BJT. Tal insuficiencia
se superaal cambiar la forma del FET de una planar (figura 7.11)
‘en forma de V figura 7.19) A este FET se le llama VMOS
(Vertical Metal Oxide Sion) Figura 7.19
Construcelén de un VMOS (Vertical
‘Metab OxideSilon).
‘caracterstcas principales del
‘vos.
+ Comparados con los MOSFET planazes disponibles
‘comercialmente [os FET VMOS pose nivelesreducidos de
resistencia en el canal y mayores valores nominales, de
corriente y de potencia
+ Poscen un coefciente positiva de temperatura que
actuard en contra de una posible avalancha
+ Los niveles reducidos de almacenamiento de carga dan
por resultado tempos de conmutacién
ss répidos para la construccién de VMOS
en comparacién de los niveles a
conmutaeién pars la construcein planar
de convencional. En efecto el tiempo de conmutacién de un
YMOs es ¥ del tiempo de conmutacion de un
ar,
ARREGLO COMPLEMENTARIO DE MOSFET, CMOS
Es posible tener un circuitolégico muy efectivo
al construir un MOSFET de canal-p y de canal-n sobre el mismo
sustrato, como se muestra en la figura 5.45. Observe ala
laquierda el canal pinducido y ala derecha el canal n inducido
para los dispositivos de canal-p y canal-n respectivamente. A
sta configuracién see conoce como arreglo
‘complementario de MOSFET, y so abrevia CMOS; tal
configuracin tiene extensas aplicaciones en légica
de computadoras
{La impedancia de entrada relativamente alt, las
pas velocidades de conmmutacién, los bajos
niveles de potencia de operacién dela
configuracién CMOS dan por resultado una dscipling
totalmente nueva que se denominadisefioLigico
wos. Figura 7.20 CMOS en
conexidn de inversor gic.
POLARIZACION DEL FET
Bn el capitulo anterior se ratio un estudio
comparativo entre transistors BJT y FET, también se
«studiaron Tos tipos dos tipos de PETS: FET y MOSFET, se
presentaron sus eurvas caracterfaticas y ls ecusciones
aque las definen. Bn el presente capitulo se estudiar
ircuitos con FETS aplicando fas ecuaciones del capitulo
previo. Los cireuitos a estudiar corresponden als diferentes
configuraciones que ya se han presentado en el estudio de
polarizacién de BJT. Como es sabido, el anliss
puede realizarse matemdticamenteo bien
_grifleamente con muy poca diferencia en la exacttud de
Tos resultados, se optard por realizar el anisis
_grifico ya que este representa un signifiativo aharra de
tiempo y es ventajosamente més ustrativo,
Reewérdese que cuenta con un sistema de dos eeuaciones, Ie
primera no Tinea) representa las caracteristicas det Aispostivo, mientras que la segunda (lineal) representa la
configuracién dea redy que el métogo
rmatemtico consist en halla una solucéin
simultanea de las ecuaeiones, mientras que el gritico
consiste en halla la intersoecidn dela eurvas
representatvas de cada ecuacién, tl interseccién
representa la solucin y es el punto de operacién,
de trabajo o de estabilidad Q,
.RESUMEN DE ECUACIONES PARA EL ANALISIS DE
FETs
La siguiente tabla muestra las ecuaciones que definen
las caracteristias de los transistores FETS con el objeto
de que se consulten en los problemas de
En a tabla siguiente se resumen las ecuaciones de red
para cada una de las configuraciones all mostradas, la
determinacién de tales ecwaciones se realiza aplicando
correctamente las leyes de vltaje de Kirchof as mallas dela
red. ‘Tabla RI.
‘Configuraciones de polarizacién
del FET
ANALISIS DEL JPET POLARIZADO EN CD
Blandlsis de polarizacién deed paral
[FET para distintas configuraciones de red, se mostrara mediante
cjemplos demostrativos. Hl procedimiente genérico para el
andlisis del JFET es el siguiente:
1. Tara la curva de transferencia mediante
los puntos clave de la eeuscién de Shockley numerados
en la Tabla 7.
2, Blegir a eevacin dela recta de
carga de la tabla, de acuerdo ala configuracin de
lated,
8. Trazr la recta de carga sobre la curva de
‘ransferencia, 4. Talla el punto de operacién
@
5. Detorminar los otros pardmetros dela
red, mediante las eevaciones correspondientes de acuerdo ala
tabla. Figura 8.2
Anilisis del FET bajo configuracién 4
polarizacan fya medlante la recta de
carga, Figura 6.15
Anlisis del JFET bajo
‘configuracion de
_autopoteizacion mediante la rect
ae
carga,
3 particular es posible demostrar que para la
configuracién de autopolarzacin, niveles
recientes de RS acerean la recta de carga al ee ID (je
vertieal) Figura 8.6
Analisis de JFET bajo configuracion por
divisor de votale mediante la recta de
carga, ANALISIS DEL. MOSFET TIPO DECREMENTAL, POLARIZADO
ENCD
Hl andisis en od del MOSFET de tipo deeremental
‘es muy parecido al andlisis del JFET en ed, debido ala
‘semejanza de sus eurvas de transferenci, la principal diferencia
«ston la forma de grafear I ecuncién de
‘Shockley para valores positivos de de VGS. a que como se ha
estudiado,e] MOSPET decremental permite valores positives de VCS.
asi como niveles de ID que exceden a IDSs,
Figura 8.8
‘Andlsis del JFET bajo configuracién de
‘compuerta comtin mediante la recta de
carga. Figura 8.10
Anilisis del MOSFET tipo decremental de canakn,
on configuracién por autopolarzecién,
‘mediante la recta de carga La recta de carga se muestra en la figura 8.12, entonces
1 punto de operacin es a interseccién entre as
dos curvas, es decir: En particular es posible demostrar que para la
configuracign de divisor de votaje para el MOSFET
decremental canal-n,niveles crecientes de RS acercan la recta de
carga alee VS (je horizontal),
DISENO DB AMPLIFICADORES CON FETS INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES. MODELOS DE PEQUERA
SERAL
Hasta ahora se ha realizado el estudio de transstores
cuando se polarizan en corriente directa (ed) en este
capitulo se analzan circuits con transstores que operan
con sefales de corsionte alterna senoidal ae). La
snatuzaleza del anilisis queda doterminada por magnitud
de la soil ea aplicada ala red de transistores, por lo
aque existe técnicas de andlisis de
‘pequefay gran seal. En cualquier cas, la
red de transistores se representa por un madela que es
Circuito equivalenteen el daminia de ac, enol caso de
pequetia soil existen dos modelos: el modelo rey
‘1 modelo equivalent hirido. El anilisis
completo incluye tanto las téenicas de plarizaciin
de ed como las téenicas de anlisis de
CIRCUITOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES Una de as aplicaciones més importantes de los
transistores es el diseRo de eircuitos amplifieadores. Un
cireulto amplifieadores aque que recibe una
‘sefal de entrada y produce una sefial amplifcada a
‘se sada, esto significa que Ta potencia de sla es mayor que
lia potencia de entrada, En realidad los transstores ampliican
‘sefales deca transfiriendo energia de fuentes de
es deci existe un intercambio de potencia de ed al
dominio de ca que permite establecer una potencia mayor ala
‘sada. Esto cumple totalmente con el principio de
conservacn dela energi,y se define ala
‘eficiencia de conversion como:
“MODEL.O EQUIVALENTE DE TRANSISTORES BIPOLARES PARA
ANALISIS DE-AC
Para Efecto de andliss de pequeia
sefal deca senoidal, as redes que involueran,
transistores BJT se deben modelar de acuerdo als siguientes
rela 1, Hacer todas las fuentes de cd iguales @
cero, reemplazarlas por un corto cireuito
equivalence.
2. Reemplazar todos los capacitores por un
Corto cicuito equivalent.
3. Obtener un equivalente de todos os
resistores en paralelo,
4. Redibujar Ta red de una forma més
légicayy convenient,
+ jemplo demostrativo, Apicarlasreglas de
de poquesa seal para haar el equivalente de
lared dela figuras.1
Solucién,
La red de a fgura 9.2 eel resultado de aplicar los
pasos 1a 3, mientras que a red dea figura 9.3.¢s el resultado
de aplicar el paso 4 PARAMETROS DE CIRCUITOS DE DOS PUERTOS
nel dominio de ca y para efectos de
amplifcacin de sefiales ls ransistores se
‘modelan como redes de dos puerto, en la figura 9.¢.se muestra
una red de dos puertos, Figura 9.4 Red de dos
puertos
Los parimetros dela red de dos puerios de listan
nla siguiente tabla y su edleulo es directo a parti de
la observacién dela re. EL MODELO re DEL TRANSISTOR BJT
Como sea indicado en ls introdueetén, uno de
los modelos para anliss de transistores de
ppequefa seal es el conocido come modelo re,
cual utiliza un diodo y una fuente de corrente controlada
pra emular el comportamiento de un transistor en la
ren de interés. Debido a este hecho, los
ampliicadores BJT son conocids camo disposiivos cantolados
por corrente
MODELO re PARA LA CONFIGURACION DE BASE.
COMON nyt
1a figura 9.5 muestra en (a ol transistor en
configuracidn base comin, mientras que la parte (b)
de esa figura muestra ol correspondiente modelo reel cual
involuera un diodo con la polaridadindicada, in embargo para
fects de simplifcacién es posible redibujar ol modelo
como se muestra en la parte (c) do esa misma figura, la cual incluye la fuente de cortiente yf resistencia re, la cual esa
resistencia dindmica deca estudiada en el eapitlo
referente a diodos,y que se define como:
La siguiente tabla resume los pardmetros para el
‘modelo re del transistor para la configuracin base MODELO re PARA LA CONFIGURACION DE EMISOR
COUN ByT
La figura 9.6 muestra en (a el ransisor en
configuracién emisor comién, mientres que la parte
(©) de esa figura muestra el correspondiente modelo reel cu
involuera un diodo con la polaridad indicads, sin embrago para
efectos de andlisis es posible redinyjar el modelo como se
‘muestra en la parte (c) de esa misma figura, la cual incluye la
fuente de corriente y a resistencia re afectada por el factor
f Figura 9.6 ()
‘confguracién emisor comin; (b) modelo preve @
15 (€) modelo.
La siguiente tabla resume los pardmetros para el
‘modelo re del transistor para la configuracin emisor MODELO re PARA LA CONFIGURACION DE COLECTOR
COUN ByT
Par
la configuracién colector comin,
normalmente se aplica el modelo de emisor
‘MODELO HIBRIDO EQUIVALENTE PARA BST
Otro modelo empleo para el andisis de
pequefa seal en ac, de transistores ese] conocido
‘como modelo bride equivalente, este modeto se
Aistingue por el empleo de euaro parimetros denominados
‘pardmettos bros DEFINICION DELOS PARAMETROS
nipaiDos
CConsidérese el sistema de dos puertos de’
figura 97, ahora bien supéngase que el modelo
rmatematico que lo representa esta determinado
por Figura 9.7 Sistema de
dos puertos
De las ecuaciones 9.3 se definen ls parimetros
‘hbridos tal como se muestra en la tabla siguiente,
asi mismo la red de dos puertos se convierte en el
quivalentehibrido mostrado en la Sgura 98 Figura 9.8 Crcuito
‘equivalent hibride completo
‘A continuacién se resumen las ecuaciones
spraximadas que definen los pardmetros hibridos
para ceda una de las configuracfones estudiadas. Obsérvese del figuras.8 que el equivalente
hibrido const se forma a partir dela unign de los
‘quivalentes de Thévenin (pate izquierda) y Norton (parte
derecha). Los pardmetros dados en la tabla superior deben
calcularse reemplazarse correspondientemente alos indicados en
sta misma figura (8)
Las magnitudes de os distintos panimetros se
calcula a partir de las earacteristicas del
transistor en la regién de operaciin con lo que
red equivalent de pequeria
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