UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE

DEPARTAMENTO DE FÍSICA DO CAMPUS DE ITABAIANA - DFCI

EFEITO HALL

JOSÉ ALEX VIEIRA DOS SANTOS

Disciplina:
LABORATÓRIO DE FÍSICA MODERNA 2
Turma- 01
Período- 2022.1
PROF. DR. JOSÉ GERIVALDO DOS SANTOS DUQUE

Itabaiana – SE
Novembro de 2022
 1. Resumo

Neste experimento, estudamos o Efeito Hall em um semicondutor. Para isso,

utilizamos uma amostra de n-germânio. A partir da análise dos dados
determinamos o sinal e a densidade de portadores de carga. Além disso,
determinamos o coeficiente Hall da amostra, ̅̅̅̅
𝑅𝐻 = (0,010 ± 0,002) m3 /C. Os
resultados obtidos experimentalmente estão próximos dos valores catalogados,
dadas as limitações experimentais, com valores da mesma ordem.

2. Introdução

Em 1879, Edwin H. Hall, na época aluno de doutorado da Johns Hopkins

University, mostrou que os elétrons que se movem no interior de um fio de cobre
são desviados por um campo magnético. Esse desvio ficou conhecido como
efeito Hall. O efeito Hall é básico para a física do estado sólido e uma importante
ferramenta de diagnóstico para a caracterização de materiais – particularmente
semicondutores. Ele permite verificar ambos os sinais dos portadores de carga,
elétron ou buracos, e sua densidade em uma determinada amostra [1,5].

A figura 01 mostra a configuração básica do experimento, onde uma tira

fina, de espessura 𝑑 e largura 𝑤, do material a ser estudado é colocado em um
⃗ orientado perpendicularmente à tira.
campo magnético 𝐵

Figura 01: Representação da geometria do efeito Hall.

Fonte: [5].
 A amostra é percorrida por uma corrente 𝐼 que flui através da tira da
esquerda para a direita, e a diferença de potencial é medida entre o topo e o
fundo, conforme mostra a Figura 01. Supondo que as pontas de prova do
voltímetro estejam alinhadas verticalmente, a diferença de tensão é zero quando
⃗ = 0. A corrente 𝐼 flui em resposta a um campo elétrico aplicado, com sua
𝐵
direção estabelecida por convenção. No entanto, na escala microscópica 𝐼 é o
resultado de quaisquer cargas positivas movendo-se na direção de 𝐼, ou cargas
negativas movendo-se no sentido oposto. Em ambos os casos, a força
⃗ faz com que os portadores descrevam uma
magnética de Lorentz 𝐹𝐵 = 𝑞𝑣 × 𝐵
trajetória curva para cima. Como a carga não pode sair da parte superior ou
inferior da tira, um desequilíbrio de carga vertical se acumula na faixa, isto é, com
o passar do tempo, os elétrons se acumulam em uma das bordas, deixando a
outra com cargas positivas não compensadas. Este desequilíbrio de carga
produz um campo elétrico vertical 𝐸⃗ que exerce uma força 𝐹𝐸 = 𝑞𝐸⃗ sobre os
portadores de carga. Conforme os portadores continuam a se acumular em uma
das bordas, a força exercida pelo campo elétrico aumenta até que neutraliza a
força magnética, e uma situação de estado estacionário é alcançada. Quando
isso acontece as forças têm módulos iguais e sentidos opostos. Os portadores
de carga passam a se mover em linha reta com velocidade 𝑣𝑑 e o campo elétrico
𝐸⃗ para de aumentar. Associada ao campo elétrico teremos uma diferença de
potencial entre as bordas da tira, chamada de diferença de potencial Hall, que
pode ser medida com um voltímetro. Se os portadores de carga forem elétrons
( 𝑞 = −𝑒), uma quantidade de carga negativa se acumula no topo da tira para
que o voltímetro leia uma diferença potencial negativa. Alternativamente, se os
portadores forem buracos ( 𝑞 = +𝑒) medimos uma tensão positiva. Essa
diferença de potencial Hall é dada por

𝑉𝐻 = 𝐸𝑤 (1)

em que 𝑤 é a largura da tira [5].

Quando as forças elétrica e magnética estão em equilíbrio, temos:

𝑞𝐸 + 𝑞𝑣𝑑 𝐵 = 0 ou 𝐸 = −𝑣𝑑 𝐵 (2)

onde 𝑒 é a carga do elétron, 𝐸 é o campo elétrico gerado na amostra, 𝐵 é 𝑣𝑑 é a
velocidade de deriva. A corrente 𝐼 pode ser expressa por

𝐼 = 𝑛𝑞𝐴𝑣𝑑 (3)

em que 𝑛 é a densidade de portadores de corrente no condutor de largura 𝑤 e

espessura 𝑑 (número de portadores por unidade de volume). A partir da equação
3, podemos escrever a densidade de corrente no material como:

𝐼
𝐽= = 𝑛𝑞𝑣𝑑 (4)
𝐴

Agora, combinando as equações (1), (2) e (3) podemos escrever a

diferença de potencial Hall (𝑉𝐻 ) como:

𝐼𝐵𝑤
𝑉𝐻 = 𝐸𝑤 = −𝑣𝑑 𝐵𝑤 = − (5)
𝑛𝑞𝐴

Substituindo a área 𝐴 por 𝑤𝑑, temos:

𝐼𝐵
𝑉𝐻 = −
𝑛𝑞𝑑

ou

𝐼𝐵
𝑉𝐻 = 𝑅𝐻 (6)
𝑑

Em que 𝑅𝐻 é chamado de coeficiente Hall, e pode ser obtido por:

𝑉𝐻 𝑑
𝑅𝐻 =
𝐼𝐵

ou

1
𝑅𝐻 = − (7)
𝑛𝑞

A constante de Hall fornece uma indicação direta do sinal dos portadores

de carga do semicondutor utilizado no experimento; isso é, negativo para
elétrons (𝑞 = −𝑒) e positivo para buracos (𝑞 = +𝑒 ) [5].

Os semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade

elétrica intermediária entre condutores e isolantes, sendo em muitos pontos
parecidos aos materiais cerâmicos, e podendo ser assim considerados como
uma subclasse da cerâmica. Os semicondutores são capazes de mudar sua
condição de isolante para condutores com ampla facilidade. Isso é possível
porque os semicondutores possuem uma banda proibida intermediária
localizada entre a banda de valência e a banda de condução. Quando os elétrons
recebem certa quantidade de energia, eles se tornam livres e se libertam das
camadas de valência para as camadas de condução. O germânio e o silício são
os semicondutores mais comuns [3].

Os semicondutores são classificados em intrínsecos e extrínsecos. A

estrutura de bandas eletrônicas dos semicondutores intrínsecos apresenta um
gap de baixa energia, ou seja, o espaço entre a banda de valência e a banda de
condução é estreito, favorecendo a condutividade elétrica. O fenômeno da
semicondução nesses materiais depende de dois portadores de carga
espalhados pelas imperfeições da rede cristalina: os elétrons e os buracos (que
podem ser compreendidos como a ausência de um elétron gerada quando este
passa para a banda de valência). Dessa forma, um buraco pode ser considerado
como uma partícula carregada positivamente com a mesma magnitude, mas
sinal oposto, que o elétron. Com isso, pode-se dizer que os semicondutores
intrínsecos possuem a mesma quantidade de portadores positivos e negativos,
já que, a cada elétron que é promovido à banda de valência, um buraco é gerado
na banda de condução. Portanto, a condutividade elétrica do semicondutor
intrínseco é definida pelo produto do número de elétrons e buracos, de suas
cargas e de suas mobilidades [6].

A energia de Fermi (𝜀𝐹 ) se localiza em algum lugar no intervalo entre as

bandas. Se a densidade de estados nas duas bandas for simétrica então a
energia de Fermi se situará no meio do intervalo de energia proibida, onde a
energia de Fermi corresponde a energia para a qual o número médio de elétrons
que ocupam um estado quântico com essa energia é 0,5, sendo que se leva em
conta o spin do elétron de modo que a ocupação máxima 1,0 [2].

Os semicondutores extrínsecos apresentam comportamento de

semicondução dependente principalmente da concentração de impurezas no
material, e podem ser de dois tipos: n ou p. Os semicondutores extrínsecos do
tipo n são aqueles que possuem impurezas doadoras de elétrons, isto é, as
impurezas possuem banda de valência com valores de gap de energia inferiores
àquele do material puro, logo, elas são capazes de doar elétrons para a banda
de condução. Por outro lado, os semicondutores extrínsecos do tipo p possuem
impurezas receptoras de elétrons, isto é, possuem bandas de condução que
configuram, com a banda de valência do material, um gap de energia menor que
o do material em si. Dessa forma, os átomos de impureza agem como receptores
de elétrons da banda de valência do material [6].

Num condutor extrínseco contendo doadores a energia de Fermi se situa

acima do meio da banda de valência. Num semicondutor extrínseco contendo
impurezas aceitadoras a de energia de Fermi se encontra abaixo do meio da
banda proibida porque existem menos elétrons na banda de condução de
buracos na banda de valência. É interessante considerar o efeito combinado da
temperatura e de impurezas na energia de Fermi [2].

Figura 02: Energia de Fermi em função da temperatura em semicondutores tipo 𝑛 e

tipo 𝑝, para duas concentrações diferentes de impurezas.

Fonte: Adaptado da referência [2].

Dentre as mais desejadas propriedades dos semicondutores, pode-se

citar as pequenas dimensões e o baixo consumo de energia. Isso pode ser
alcançado por uma junção p-n, isto é, na justaposição de um semicondutor do
tipo p com um semicondutor do tipo n. Sob uma polarização, o fluxo dos buracos
encontra o fluxo dos elétrons, criando uma zona de recombinação na qual os
buracos e os elétrons se aniquilam mutuamente. Sob a polarização inversa, o
material se torna isolante, uma vez que os buracos e os elétrons se concentram
em extremidades opostas [6].
 Figura 03: Diagrama de níveis eletrônicos de uma junção p-n não polarizada.

Fonte: [6].

Neste experimento iremos analisar a tensão Hall para o material

semicondutor n-germânio, além de determinar o coeficiente Hall e a densidade
de portadores de carga.

3. Objetivos

Este experimento tem como objetivo analisar a tensão Hall para o material
semicondutor n-germânio. Além de verificar a dependência deste material com
o campo magnético aplicado e a corrente elétrica induzida e determinar o
coeficiente Hall e a densidade de portadores de carga.

4. Materiais Utilizados

• Gaussímetro Lake Shore 475DSP;

• Duas fontes de tensão MPL-1303;
• Dois multímetros digitais;
• Bobinas;
• Amostra de Germânio dopada com elétrons;
• Ponta Hall do gaussímetro;
• Fonte de corrente icel-5100;
• Fios para conexões.
 A figura abaixo mostra os materiais utilizados no experimento.

Figura 04: Materiais utilizados no experimento de Efeito Hall.

Fonte: Próprio autor.

5. Procedimento Experimental

Primeiramente, realizamos a montagem do aparato experimental utilizado

no experimento. Como primeiro passo da montagem, inserimos a placa de
encaixe com o cristal Ge dopado com n na tomada DIN na unidade base para
efeito Hall até os pinos se encaixarem nos buracos. Depois, cuidadosamente
encaixamos a placa com o plug-in DIN no soquete DIN e a inserimos na unidade
de base com haste no orifício do U-core, certificando de que o plugin a placa está
assentada paralelamente ao núcleo U. Em seguida, anexamos cuidadosamente
o par de polos com furos adicionais, deslizando a peça polar adicional até os
espaçadores das placas plug-in, certificando de que placa de plug-in não está
dobrada, giramos o limitador de corrente da fonte de alimentação de corrente
controlada e conectamos a fonte de alimentação.

Posteriormente medimos o campo magnético conectando um fio pela

haste do suporte na forma de V, antes de fazer esta medição de indução
magnética do campo magnético, colocamos este fio cuidadosamente no espaço
após o aparelho ser ajustado.

Feito isso, conectamos duas fontes em série, aumentando a tensão

elétrica gerando campo magnético. Utilizando o voltímetro digital medimos a
tensão Hall, utilizando dois fios, um conectado no terminal positivo da entrada do
voltímetro passando pela amostra e outro conectado ao terminal negativo de
saída do voltímetro digital. Para medir a corrente conectamos um amperímetro
em série com a amostra utilizando mais dois fios, sendo um conectado na
entrada preta (IO) do Multímetro Keithley no terminal negativo, passando pela
amostra e outro na entrada vermelha do Multímetro Keithley no terminal positivo.
Com isso finalizamos a montagem do aparato experimental e partimos para
realização da coleta de dados.

• Tensão Hall (VH ) em função da corrente (campo magnético

constante)

Para coletar esses dados, ajustamos o valor do campo magnético (𝐵)

para 0,1 T, e em seguida variamos a corrente elétrica de 0,03 A a 0,3 A, com
variações de 0,003 mA, e medimos a tensão Hall correspondente. Realizamos o
mesmo procedimento para os campos magnéticos com valor de 0,15 T e 0,25 T.

• Tensão Hall (VH ) em função do campo magnético (corrente

constante)

Para coletar esses dados, ajustamos o valor da corrente (𝐼) para 0,01 A,
e em seguida variamos o campo magnético de 0,03 T a 0,3 T, com variações de
0,03 T, e medimos a tensão Hall correspondente. Realizamos o mesmo
procedimento para as correntes com valor de 0,02 A e 0,03 A.

Após a coleta de dados realizamos a determinação do sentido do campo

no núcleo a partir do sentido da corrente elétrica na bobina (Figura 05), onde
verificamos que o campo magnético no núcleo está orientado conforme
mostrado na Figura 06.

Figura 05: Núcleo com bobina visto de cima.

Fonte: Próprio autor.

 Figura 06: Sentido do campo através do núcleo.

Fonte: Próprio autor.

Por fim realizamos a medida da espessura da placa utilizada, obtendo:

𝑑 = 1,00(5) mm. Os dados coletados estão apresentados na tabela 01 da seção
seguinte.

A partir do sentido do campo magnético través da amostra de germânio,

determinamos o sentido da força de Lorentz.

6. Resultados e Discussão

A fim de analisar a tensão Hall para o material semicondutor, determinar

o coeficiente Hall e a densidade dos portadores de carga foram feitas as
seguintes medidas apresentadas nas tabelas 01 e 02.

Tabela 01: Dados da tensão Hall obtidas a partir da corrente fixa e variação de campo.

𝑰 = 𝟎, 𝟎𝟏 𝐀 𝑰 = 𝟎, 𝟎𝟐 𝐀 𝑰 = 𝟎, 𝟎𝟑 𝐀
VH (V) B (T) VH (V) B (T) VH (V) B (T)
0,008320 0,030010 0,017781 0,030146 0,026134 0,030242
0,010850 0,060050 0,022600 0,060025 0,032246 0,060025
0,013320 0,090000 0,028393 0,090285 0,041375 0,090686
0,015900 0,120000 0,034606 0,121537 0,047955 0,120009
0,018300 0,150000 0,038290 0,151793 0,056987 0,15148
0,020940 0,180000 0,041405 0,180292 0,062170 0,180215
0,023200 0,210000 0,047020 0,210277 0,069062 0,210158
0,025710 0,240000 0,051272 0,240072 0,076363 0,240072
0,027930 0,270000 0,055898 0,269904 0,083832 0,270632
0,030310 0,300000 0,060317 0,300164 0,089544 0,300026
 Tabela 02: Dados da tensão Hall obtidas a partir do campo fixo e variação da corrente.

𝐁 = 𝟎, 𝟏 𝐓 𝐁 = 𝟎, 𝟏𝟓 𝐓 𝐁 = 𝟎, 𝟐𝟓 𝐓
VH (V) I (A) VH (V) I (A) VH (V) I (A)
0,00416 0,003 0,00607 0,003 0,00804 0,003
0,00882 0,006 0,01190 0,006 0,01603 0,006
0,01311 0,009 0,01798 0,009 0,02370 0,009
0,01743 0,012 0,02384 0,012 0,03172 0,012
0,02184 0,015 0,02993 0,015 0,03972 0,015
0,02610 0,018 0,03599 0,018 0,04769 0,018
0,03054 0,021 0,04168 0,021 0,05537 0,021
0,03489 0,024 0,04779 0,024 0,06360 0,024
0,03910 0,027 0,05389 0,027 0,07123 0,027
0,04353 0,030 0,05967 0,030 0,07921 0,030

A partir dos dados apresentados nas tabelas 01 e 02, construímos dois

gráficos, um da tensão Hall versus campo magnético, e outro da tensão Hall
versus corrente elétrica. Os gráficos estão mostrados a seguir.

Figura 03: Gráfico da Tensão Hall em função do campo.

 Figura 04: Gráfico da Tensão Hall em função da Corrente.

Por meio do coeficiente angular (𝛼) da reta obtida a partir do ajuste linear
dos gráficos conseguimos determinar os valores do coeficiente Hall. Os valores
dos coeficientes angulares obtidos estão apresentados na tabela 03. Com isso,
iniciamos a análise dos gráficos.

Para os gráficos de VH versus I, temos da equação (6), que o coeficiente

angular da reta média é

𝑅𝐻𝐵
𝛼 = (8)
𝑑

Assim, o coeficiente Hall é dado por:

𝛼𝑑
𝑅𝐻 = (9)
𝐵

Dessa forma, a incerteza do coeficiente Hall, obtida pela propagação da

equação acima, é:

2 2
𝑑 𝛼 2 𝛼𝑑
𝜎𝑅𝐻 √
= ( 𝛿𝛼 ) + ( 𝛿𝑑 ) + (− 2 𝛿𝐵 ) (10)
𝐵 𝐵 𝐵

onde 𝛿𝛼 é a incerteza do coeficiente angular da reta média, 𝛿𝑑 é a incerteza da

espessura da placa e 𝛿𝐵 é a incerteza do campo magnético.
 De modo análogo, temos da equação (6), que o coeficiente angular da
reta para os gráficos de VH versus 𝐵, é:

𝑅𝐻𝐼 (11)
𝛼 =
𝑑

Logo, podemos escrever o coeficiente Hall como:

𝛼𝑑
𝑅𝐻 = (12)
𝐼

Dessa forma,

2 2
𝑑 𝛼 2 𝛼𝑑
𝜎𝑅𝐻 = √( 𝛿𝛼 ) + ( 𝛿𝑑 ) + (− 2 𝛿𝐼 ) (13)
𝐼 𝐼 𝐼

onde 𝛿𝐼 é a incerteza da corrente.

Por meio dos gráficos e das equações apresentadas acima determinamos

o coeficiente Hall, e suas respectivas incertezas, para corrente fixa e campo fixo,
ver a tabela 03.

Tabela 03: Valores do coeficiente Hall e do coeficiente angular para correntes e campos fixos.

𝑰 (𝐀) 𝜶 (𝐦𝟐 ∙ 𝐂 ∙ 𝐀) 𝑹𝑯 (𝐦𝟑 /𝐂) 𝐇 (𝐓) 𝜶 (𝐦𝟐 ∙ 𝐂 ∙ 𝐓) 𝑹𝑯 (𝐦𝟑 /𝐂)

0,01(1) 0,0816(5) 0,008(7) 0,1000(1) 1,452(3) 0,0145(7)
0,02(1) 0,156(3) 0,008(5) 0,1500(1) 1,990(1) 0,0117(6)
0,03(1) 0,238(3) 0,008(4) 0,2500(1) 2,637(4) 0,0105(5)

A partir do conjunto de dados da tabela acima, determinamos um valor

médio para o coeficiente Hall (𝑅𝐻 ). Para isso, usamos as equações apresentadas
a seguir.

A média é dada por:

∑6𝑖=1(𝑅𝐻 )𝑖 (14)
̅̅̅̅
𝑅𝐻 =
6

O desvio padrão e a incerteza do tipo A são dados por:

∑𝑛𝑖=1[(𝑅𝐻 )𝑖 − ̅̅̅̅
𝑅𝐻 ]2 𝜎 (15)
𝜎=√ e 𝜎𝐴 =
𝑛−1 √𝑛
 A incerteza do tipo B é dada pela propagação da equação 14, isto é:

6
1 2
𝜎𝐵 = √∑[𝜎(𝑅𝐻 )𝑖 ] (16)
6
𝑖=1

A incerteza de ̅̅̅̅
𝑅𝐻 é a incerteza combinada dada por:

𝜎𝐶 = √(𝜎𝐴 )2 + (𝜎𝐵 )2 (17)

Dessa forma,

(70 + 50 + 40 + 145 + 117 + 105) × 10−4

̅̅̅̅
𝑅𝐻 = = 0,010 m3 /C
6

𝜎𝐶 = √(0,001)2 + (0,003)2 = 0,003 m3 /C

Portanto,

̅̅̅̅
𝑅𝐻 = (0,010 ± 0,002) m3 /C

Ao observar o sinal do coeficiente Hall, podemos concluir que os

portadores de carga transportada na amostra de n-germânio são de fato elétrons.
O sinal obtido pode surgir também devido à conexão do voltímetro. Devido a
isso, é muito importante manter o controle do sentido do campo magnético, tal
como foi mantido nesse experimento.

Conforme apresentado na introdução, vimos que o material semicondutor

pode ser do tipo p (positivo), onde é possível descrever a corrente elétrica
através do fluxo de buracos positivos, ou do tipo n (negativo), material resultante
de uma impureza que doa elétrons. O fabricante informa que o material é n-
germânio e a partir das equações acima obtemos um valor para o coeficiente
Hall, 𝑅𝐻 = (0,010 ± 0,002) m3 /C, o qual está de acordo com o valor obtido por
Kuck [7].

A partir da equação 7, usando o valor médio do coeficiente Hall, podemos

determinar o valor médio da densidade de portadores do material. Assim,

1
𝑛=− (18)
̅̅̅̅
𝑞𝑅𝐻
 Substituindo 𝑞 = 𝑒 = −1,0601 × 10−19 C e ̅̅̅̅
𝑅𝐻 = (0,010 ± 0,002) m3 /C,
obtemos:

𝑛 = 6,18286 × 1020

A incerteza de 𝑛, é obtida por meio da propagação da equação 18, isto é:

2
𝜕𝑛
𝜎𝑛 = √( ∙ 𝜎̅̅̅̅
𝑅𝐻 )
̅̅̅̅
𝜕𝑅 𝐻

1
𝜎𝑛 = ∙ 𝜎̅̅̅̅ (19)
𝑅𝐻 )2 𝑅𝐻
𝑒(̅̅̅̅

Substituindo os valores, obtemos:

𝜎𝑛 = 3 × 1020

Portanto,

𝑛 = (6 ± 3) × 1020

A partir dos resultados descritos acima, podemos dizer que o material da

nossa amostra é um semicondutor extrínseco do tipo n, cujas impurezas
possuem banda de valência com valores de gap de energia inferiores àquele do
material puro, ou seja, as impurezas doam elétrons para a banda de condução.
Assim, existem mais elétrons na banda de condução que buracos na banda de
valência e a energia de Fermi está acima do meio da banda proibida.

7. Conclusão

Neste experimento foi possível estudar o Efeito Hall em um semicondutor,

assim como determinar o sinal e a densidade de portadores de carga, obtendo
uma densidade de portadores, 𝑛 = (6 ± 3) × 1020 , com carga negativa. Além
disso, esse experimento permitiu obter o valor médio para o coeficiente Hall,
̅̅̅̅
𝑅𝐻 = (0,010 ± 0,002) m3 /C. Enquanto o valor presente na literatura foi
(0,016 ± 0,002) 𝑚3 /𝐶, podemos verificar que o resultado obtido
experimentalmente está próximo do valor catalogado, dadas as limitações
experimentais, com valores da mesma ordem.
 8. Referências Bibliográficas

[1] – HALLYDAY, David; RESNICK, Robert; Fundamentos de Física –

Eletromagnetismo; vol. 3.; LTC; Rio de Janeiro; 2016.

[2] – EISBERG, R., RESNICK, R., Física Quântica: átomos, moléculas,

sólidos, núcleos e partículas. Elsevier, Rio de Janeiro, p.135-137, 1979.

[3] – ALONSO, M., FINN, J.E., Física Vol. III (em espanhol): Fundamentos
Quânticos e Estatísticos.

[4] – YOUNG, Hugh D.; FREEDMAN, Roger A.; Física II, Sears e Zemansky –
Eletromagnetismo; vol. 3.; Pearson Education do Brasil; São Paulo; 2016.

[5] – ARMEN, G. Bradley. Hall Effect. 2007. 32. Relatório de experiência –

Física, The University of Tennessee, Tennessee, 2007.

[6] – Explicando a matéria. Semicondutores. Disponível em:

https://www.jornalamateria.ufscar.br/news/explicando-a-materia-
semicondutores. Acesso em: 01 de nov. 2022.

[7] – KUCK, A. Measurement of the Hall Coefficient. Disponível em:

https://studylib.net/doc/18310848/measurement-of-the-hall-coefficient-in-a-
germanium-crystal. Acesso em: 02 de nov. de 2022.