Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01)

Mr. K. Louzazna.
Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

29 mars 2021

Document destiné aux étudiants du Master M1 (Physique des Matériaux)

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 1 / 13
 Sommaire

1 Section no.1

*/ Propriétés électriques des matériaux semiconducteurs.

*/ Propriétés thermiques des matériaux semiconducteurs.

*/ Propriétés structurales des matériaux semiconducteurs.

*/ Propriétés électroniques des matériaux semiconducteurs.

*/ Dopage négatif (N) et positif (P) des matériaux semiconducteurs.

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 2 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Du point de vue de la propriété électrique, la grandeur de la conductivité
électrique σ sem (T ) des matériaux semiconducteurs va manifester un
comportement opposé à celui des matériaux métalliques.

En pratique, l’augmentation de la température a pour effet de réduire la

conductivité σ met (T ) des matériaux métalliques devenant de moins en
moins conducteur d’électricité et de plus en plus isoalnt électrique. A
l’opposé, la conductivité des matériaux semiconducteurs va augmenter
avec l’augmentation de la température.

D’un point de vue théorique, l’évolution de la grandeur de la résistivité

électrique d’un matériau métallique est décrite par une loi linéaire
croissante :

ρmet (T ) = ρmet
o .(1 + α.T ) avec ρmet
o = ρmet (T = 0K )

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 3 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

(α) représentant un coefficient (facteur) spécitique au matériau métallique
et manifestant l’unité-SI de l’inverse de la température thermodynamique
[K −1 ]. Ainsi, d’autant la température est élevée, d’autant la résistivité
d’un matériau métallique est grande et d’autant la conductivité électrique
est faible.

A la différence, l’évolution de la grandeur de la résistivité électrique d’un

matériau semiconducteur est décrite par une loi exponentielle décroissante :
−α.T
ρsem (T ) = ρsem
o .e avec ρsem
o = ρsem (T = 0K )
Ainsi, d’autant la température est élevée, d’autant la résistivité d’un
matériau métallique est faible et d’autant la conductivité correspondante
est grande :
1
σ sem (T ) = = σosem .e +α.T avec σosem = σ met (T = 0K )
ρsem (T )
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 4 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

En unité-SI, pour le cas d’un matériau métallique de longueur L de section
transverale S, la grandeur de la résistivité électrique est décrite á partir de
la grandeur de la résistance électrique correspondante :
L S
R = ρ. → ρ = R.
S L
en unité-SI, l’équation aux unités (dimensions) résultante :
[S]SI
[ρ]SI = [R]SI
[L]SI
l’unite de la résistance électrique est calculée à partir de la loi d’Ohm :
 
[V ]SI 1 [E ]SI [E ]
[R]SI = = . = +2 SI
[I ]SI [I ]SI [Q]SI [I ]SI . [T ]SI
(V ) représentant un tension (potentiel) électrique, (E ) une énergie, (I )
l’intensité d’un courant électrique et (T ) un temps.
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 5 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

avec :
kg .m+2
 
[E ]SI = 01 [J]SI = 01 , [I ]SI = 01 [A]SI , [T ]SI = 01 [sec]SI
sec+2
Aprés substitution :
kg .m+2 kg .m+2
   
1
[R]SI = . = = 01 [Ω]
[A]SI . [sec] sec+2 A. sec+3
l’unité-SI de la résistivité électrique correspondante :
kg .m+2 kg .m+3
   
[S]SI
[ρ]SI = [R]SI . = = = 01 [Ω.m]
[L]SI A. sec+3 A. sec+3
Ainsi, l’unité-SI de la grandeur de la conductivité électrique est ainsi
décrite comme l’inverse de l’unité-SI de cette résistivité électrique :
A. sec+3
 
1
= 01 Ω−1 .m−1
 
[σ]SI = = +3
[ρ]SI kg .m
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 6 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

D’un point de vue de la propriété structurale, à la différence des matériaux
métalliques manifestant une cohésion assurée par des liaisons métalliques
(metallic bondings), la cohésion des matériaux semiconducteurs est
assurée par les liaisons covalentes (covalent bondings) semblables à celles
des matériaux isolants. En général, les matériaux semiconducteurs sont
divisés en deux (02) grandes classes constituées respectivement par les
semiconducteurs simples et les semiconducteurs composés, ces derniers
étant divisés en plusieurs séries (binaires, ternaires et quaternaires).

*/ la classe des semiconducteurs purs formés d’éléments semiconducteurs

simples avec des atomes à quatre (04) électrons de valence (quadrivalents)
et stablisés dans les conditions normales (de pression et de tempà rature,
c
P = 01atm, T = 300K ) dans une structure cristalline de type diamant
(diamond, dia). Cette série d’éléments purs est essentiellement constituée
par les éléments de la colonne IVA du tableau périodique composée des
quatre (04) éléments semidconucteurs simples : {Cdia , Si, Ge, Snα }.
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 7 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Figure – Structure cristalline diamant (dia) du matériau de Silicium (Si-dia).

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 8 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

*/ la classe des semiconducteurs composés en alliages binaires AB formés
de deux (02) éléments (ions) non-semiconducteurs de type (35)
tri-pentavalents des colonnes respectives (III) et (V) : {AlP, AlAs, AlSb,
GaP, GaAs, GASb, InP, InAS, InSa, ... } et de trype (62) bi-sextavalents
des colonnes respectives (II) et (VI) : {HgS, HgSe, HgTe, CdS, CdSe,
CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, ... }.

*/ la classe des semiconducteurs composés en alliages ternaires ABC

composés de trois (03) éléments de différentes espèces chimiques :
{SiGeC , AlGaAs, GsAsP,HgCdTe, InGaAs, BGaN, ...}.

*/ la classe des semiconducteurs composés en alliages quaternaires ABCD

comportants quatre (04) éléments différents : {GaInAsP, ...} 1 .
1. En particulier, les matériaux constituants les isolants de Kondo (Kondo insulators)
sont des matériaux semiconducteurs à très faibles gaps d’énergie et qui sont constitués
d’au moins un élément avec un niveau d (ou f ) partiellement occupé : {FeSi, CeSb4 Pt3 ,
CeBi4 Pt3 , CeSb4 Au3 , CeRhAs, CeRhSb, U3 Sb4 Pt3 , U3 Sb4 Pd3 , ... }
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 9 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Du point de vue de la propriété structurale, les matériaux semiconducteurs
simples et composés binaires sont stabiliés respectivement dans deux (02)
structures cirstallines de réseau Cubique (Diamant et ZincBlende ZB) et
de réseau Hexagonal (WurtZite, WZ) décrites par :
*/ Structures (DIA + ZB) de réseaux cubiques (Cub), Figures ci-dessous :
a / Structure DIA = Réseau carré + Motif de huit (08) atomes (A) par
cellule unité :
(0.0, 0.0, 0.0), (a/2, a/2, 0.0), (a/2, 0.0, a/2), (0.0, a/2, a/2) : at(A)
(a/4, a/4, 3a/4), (a/4, 3a/4, a/4), (3a/4, a/4, a/4), (3a/4, 3a/4, 3a/4) : at(A)

b/ Structure ZB = Réseau carré + Motif de huit (08) atomes (A, B) par

cellule unité :
(0.0, 0.0, 0.0), (a/2, a/2, 0.0), (a/2, 0.0, a/2), (0.0, a/2, a/2) : at(A)
(a/4, a/4, 3a/4), (a/4, 3a/4, a/4), (3a/4, a/4, a/4), (3a/4, 3a/4, 3a/4) : at(B)
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 10 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Figure – Structure cristalline ZincBlende (ZB) du matériau de Sulfure de Zinc

(ZnS-zb).

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 11 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

*/ Structures (WZ) de réseau Hexagonal (Hex), Figure ci-dessous :

c/ Structure WZ = Réseau hexagonal + Motif de quatre (04) atomes
(A, B) par cellule unité :

(0, 0, 0), (2a/3, a/3, c/2) : at(A)

(0, 0, 5c/8), (2a/3, a/3, c/8) : at(B)

ou

(0, 0, 3c/8), (2a/3, a/3, 7c/8) : at(B)

avec

c/8 = 5/8 − c/2 et 7c/8 = 5/8 + c/2

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 12 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Figure – Structure cristalline Wurtzite (WZ) du matériau de Nitrure de Gallium

(GaN-wz).

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 13 / 13
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 01) 29 mars 2021 14 / 13