Chuong 4 - Tinh Chat Luong Tu Cua Anh Sang

CHƯƠNG 4.
TÍNH CHẤT LƯỢNG TỬ CỦA ÁNH SÁNG
Giảng viên: TS. Nguyễn Tuấn Cảnh
Trường Đại học Công nghệ - ĐHQGHN

Email: canhnt@vnu.edu.vn
Ngày 6 tháng 9 năm 2021
Giảng viên: TS. Nguyễn Tuấn Cảnh (VNU-UET) CHƯƠNG 4. TÍNH CHẤT LƯỢNG TỬ CỦA ÁNH SÁNG Ngày 6 tháng 9 năm 2021 1 / 34
NỘI DUNG
1 BỨC XẠ NHIỆT VÀ CÁC ĐỊNH LUẬT VỀ BỨC XẠ NHIỆT
2 HIỆU ỨNG QUANG ĐIỆN. PIN MẶT TRỜI
3 HIỆU ỨNG COMPTON
4.1. Bức xạ của vật đen tuyệt đối. Thuyết lượng tử năng lượng của Planck
4.1.1. Tương tác của ánh sáng với vật chất

Quan sát vật bằng ánh sáng phản chiếu từ vật, màu sắc của vật phụ thuộc vào bước
sóng ánh sáng phản chiếu.
Các mặt có màu tối hấp thụ ánh sáng mạnh hơn các mặt có màu sáng hơn.
Khi kích thích các nguyên tử, phân tử, chúng chuyển từ trạng thái cơ bản sang trạng thái
kích thích. Khi trạng thái kích thích này trở về trạng thái cơ bản, năng lượng thu về
thường dưới dạng sóng điện từ (bức xạ điện từ). Nếu năng lượng cung cấp ở dạng nhiệt
thì bức xạ điện từ phát ra gọi là bức xạ nhiệt và hiện tượng đó gọi là phát xạ (vì) nhiệt.
Tất cả các vật đều phát ra bức xạ điện từ với cường độ phụ thuộc vào nhiệt độ bề mặt,
ví dụ: dây tóc bóng đèn sợi đốt, bề mặt Mặt Trời và các sao.
4.1.2. Đặc điểm của bức xạ nhiệt

Trạng thái bức xạ (thành phần phổ và cường độ bức xạ) phụ thuộc vào nhiệt độ của vật.
Ở nhiệt độ thấp vật chỉ bức xạ hồng ngoại, nhiệt độ càng cao thành phần phổ bức xạ
càng lấn về phía bước sóng ngắn.
Bức xạ nhiệt cân bằng: Phần năng lượng phát ra đúng bằng năng lượng dưới dạng nhiệt
mà vật thu vào thông qua hấp thụ bức xạ. Khi đó vật ở trạng thái cân bằng (động) ứng
với một nhiệt độ xác định.
Nếu hai vật hấp thụ năng lượng khác nhau thì bức xạ cũng khác nhau (nguyên lý Privot).
4.1.3. Các đại lượng đặc trưng của bức xạ nhiệt
Năng suất phát xạ toàn phần

Ta xét một vật đốt nóng được giữ ở nhiệt độ không đổi T . Giả sử phần diện tích dS của
vật đó phát ra trong một đơn vị thời gian một năng lượng bức xạ toàn phần là dΦT .
Định nghĩa:
dΦT
RT =
dS
Năng suất bức xạ toàn phần (độ trưng của vật phát xạ), RT (W/m2 ) là năng lượng bức
xạ do một đơn vị diện tích của vật phát ra trong một đơn vị thời gian ở nhiệt độ T .
Năng suất phát xạ đơn sắc

Bức xạ toàn phần do vật phát ra gồm nhiều tần số (bước sóng) khác nhau với cường độ
khác nhau.
Giả sử dRT là phần năng lượng bức xạ từ tần số ν đến (ν + dν) do một đơn vị diện tích
phát ra trong một đơn vị thời gian.
Định nghĩa:
Z ∞
dRT
r (ν, T ) = → RT = r (ν, T ).dν
dν 0
Hệ số hấp thụ
Giả sử một diện tích nào đó của vật nhận được công suất bức xạ dW (ν, T ) có tần số từ
ν đến (ν + dν), vật hấp thụ một phần năng lượng dWt (ν, T ).
Định nghĩa hệ số hấp thụ đơn sắc:
dWt (ν, T )
a(ν, T ) =
dW (ν, T )
Vật có hệ số hấp thụ a = 1 được gọi là vật đen tuyệt đối.
4.1.4. Định luật Kirchhoff

Tỉ số giữa năng suất phát xạ đơn sắc và hệ số hấp thụ đơn sắc của cùng một vật ở nhiệt
độ nhất định là một hàm chỉ phụ thuộc tần số ν và nhiệt độ T mà không phụ thuộc bản
chất của vật đó.
Hàm phổ biến:
r (ν, T )
f (ν, T ) =
a(ν, T )
→ Hàm phổ biến chính là năng suất phát xạ đơn sắc của vật đen tuyệt đối ứng với bức
xạ tần số ν ở nhiệt độ T .
Năng suất bức xạ đơn sắc có đỉnh cực đại.

Năng suất bức xạ tăng theo nhiệt độ.
Tần số đỉnh cực đại tăng khi nhiệt độ tăng (đỉnh
dịch về bước sóng ngắn khi nhiệt độ tăng).
Nhiệt độ bề mặt Mặt Trời: 5778 K
Nhiệt độ bề mặt sao Sirius A (sao Thiên Lang, sao sáng nhất trên bầu trời): 9940 K
4.1.5. Sự thất bại của thuyết sóng
Trên cơ sở các quan niệm cổ điển khi coi các nguyên tử, phân tử hấp thụ hoặc bức xạ
điện từ một cách liên tục, Rayleigh-Jeans đã tìm được hàm phổ biến:
2πν 2
f (ν, T ) = kB T
c2
trong đó kB = 1, 38 × 10−23 (J/K) là hằng số Boltzmann.

Sự khủng hoảng vùng tử ngoại:
Z ∞
RT = f (ν, T ).dν = ∞
0
Đây là bế tắc của quan niệm vật lý cổ điển về phát xạ và hấp thụ năng lượng điện từ: khi
tần số bức xạ lớn thì f (ν, T ) càng lớn dẫn đến tích phân vô cùng lớn.
4.1.5. Thuyết lượng tử năng lượng của Planck
Các nguyên tử, phân tử phát xạ hay hấp thụ năng lượng của bức
xạ điện từ một cách gián đoạn.
Phần năng lượng phát xạ hay hấp thụ luôn là bội số nguyên của
một năng lượng nhỏ xác định gọi là lượng tử năng lượng hay
quantum năng lượng.
Đối với bức xạ điện từ tần số ν (bước sóng λ), lượng tử năng
lượng bằng:
hc
Eph = hν =
λ
→ Hằng số Planck h = 6, 626 × 10−34 (J·s).
Max Planck (1858-1947)
Giải Nobel Vật lý năm 1918.
4.1.6. Công thức Planck về hàm phổ biến
Xuất phát từ quan điểm lượng tử năng lượng,

Planck tìm được biểu thức của hàm phổ biến:
2πν 2 hν
f (ν, T ) = 2 hν
c e kB T − 1
hν
hν
Khi T lớn, hν/kB T 1, e kB T − 1 ≈ kB T và:
2πν 2
f (ν, T ) = kB T
c2
→ Biểu thức của Rayleigh-Jeans.
4.1.7. Các định luật bức xạ của vật đen tuyệt đối
Định luật Stéfan–Boltzmann

Năng suất phát xạ toàn phần của vật đen tuyệt đối:
Z ∞
RT = f (ν, T ).dν = σT 4
0
Hằng số Stéfan–Boltzmann: σ = 5, 67 × 10−8 (W · m−2 · K−4 ).
Định luật Wien

Đỉnh cực đại của hàm phổ biến ứng với bước sóng:
b
λmax = , Hằng số Wien: b = 2, 898 × 10−3 (m·K).
T
Ví dụ 1
Một lò luyện kim, có cửa sổ quan sát kích thước S = 8 × 12 cm, phát xạ với công suất
P = 9798 W.
a) Tìm nhiệt độ của lò, cho biết hệ số hấp thụ của lò là a = 0, 9.
b) Xác định bước sóng ứng với năng suất phát xạ cực đại của lò. Bước sóng đó thuộc vùng
quang phổ nào?
Ví dụ 1
Lời giải:
a) Năng suất phát xạ đơn sắc:
r (ν, T ) = a(ν, T ).f (ν, T )
Năng suất phát xạ toàn phần

Z ∞ Z ∞
R(T ) = a(ν, T ).f (ν, T ).dν = a f (ν, T ).dν
0 0
Sử dụng hàm phổ biến f (ν, T ) của Planck ta tìm được:
R(T ) = aσT 4
Thay a = 0, 9, σ = 5, 67 × 10−8 (W.m−2 .K−4 ) và R(T ) = P/S = 1020625 W /m2 , ta tìm

được T = 2114, 8 K.
Ví dụ 1
Lời giải (tiếp):
b) Sử dụng định luật Wien ta tìm được bước sóng ứng với năng suất phát xạ cực đại:
b 2, 898 × 10−3
λmax = = = 1, 37 × 10−6 m.
T 2114, 8
Bước sóng này nằm trong vùng hồng ngoại.
4.2. Hiệu ứng quang điện. Pin mặt trời
4.2.1. Thuyết photon của Einstein

Bức xạ điện từ được cấu tạo bởi vô số hạt gọi là lượng tử ánh sáng hay photon.
Với mỗi bức xạ điện từ đơn sắc nhất định, các photon đều giống nhau và mang năng
lượng: Eph = hν.
Các photon truyền đi với tốc độ c = 299.792.458 (m/s).
Khi vật phát xạ hay hấp thụ bức xạ điện từ nghĩa là phát xạ hoặc hấp thụ photon.
Cường độ của chùm bức xạ tỉ lệ với số photon.
4.2.1. Thuyết photon của Einstein
Khối lượng của photon:
hc hν h
Eph = hν = = mc 2 → m = 2 =
λ c λc
Khối lượng nghỉ của photon:

r
v2
m0 = m 1− =0
c2
Động lượng của photon:

hν h
p = mc = =
c λ
4.2.2. Mô tả và giải thích hiệu ứng quang điện
Hiệu ứng quang điện là hiện tượng trong đó các điện tử được thoát ra khỏi nguyên tử (quang
điện trong) hay vật chất (quang điện thường) sau khi hấp thụ năng lượng từ các photon trong
ánh sáng khiến các nguyên tử chuyển sang trạng thái kích thích và làm bắn điện tử ra ngoài.

Ở mỗi tần số bức xạ và mỗi kim loại, cường độ dòng quang điện (cường độ dòng điện tử
phát xạ do bức xạ điện từ) tỉ lệ thuận với cường độ chùm sáng tới.
Với mỗi kim loại, tồn tại một tần số tối thiểu của bức xạ điện từ mà ở dưới tần số đó,
hiện tượng quang điện không xảy ra. Tần số này được gọi là tần số ngưỡng, hay giới hạn
quang điện của kim loại đó.
Ở trên tần số ngưỡng, động năng cực đại Kmax của quang điện tử không phụ thuộc vào
cường độ chùm sáng tới mà chỉ phụ thuộc vào tần số của bức xạ.
Khi đặt vào giữa hai điện cực một hiệu điện thế dừng Vdừng = −Kmax /|e| < 0, tất cả
quang điện tử bắn ra đều quay trở lại bia và dòng quang điện bị triệt tiêu.
Thời gian từ lúc bức xạ chiếu đến tới khi các điện tử phát ra là rất ngắn, dưới 10−9 giây.
Mỗi photon có tần số ν (bước sóng λ), có năng

lượng tương ứng: Eph = hν = hc/λ.
Năng lượng điện tử hấp thụ được sẽ giúp cho điện
tử thoát khỏi liên kết với bề mặt kim loại (vượt qua
công thoát ϕ) và cung cấp cho điện tử một động
năng ban đầu Kmax = mv 2 /2.
Theo định luật bảo toàn năng lượng:
hν = ϕ + Kmax = ϕ + mv 2 /2 Sự phụ thuộc của động năng cực đại
Hiệu ứng chỉ xảy ra khi: hν ≥ ϕ = hν0 → ν ≥ ν0 . (Kmax ) của quang điện tử vào tần số
ánh sáng chiếu vào bia kẽm (Zn).
4.2.3. Pin mặt trời
Pin mặt trời là linh kiện chuyển đổi trực tiếp năng
lượng ánh sáng thành năng lượng điện thông qua
hiệu ứng quang điện trong.
Pin mặt trời thường được chế tạo từ chuyển tiếp
Schottky (giữa kim loại và bán dẫn) hoặc pn (giữa
bán dẫn loại p và loại n).
Với chuyển tiếp pn, thường lớp ở mặt hứng ánh
sáng có độ dày nhỏ và được pha tạp nặng (ví dụ
lớp n). Vùng nghèo nằm chủ yếu trong lớp p. Điện
cực tiếp xúc với lớp n cần phải cho phép ánh sáng
đi qua, và đảm bảo được điện trở nhỏ (finger
electrode). Một lớp chống phản xạ (antireflection
coating) được phủ lên trên lớp n để cho phép
nhiều ánh sáng hơn đi vào trong linh kiện.
Đặc trưng I -V của một pin mặt trời Si dưới ánh sáng có cường độ khác nhau. Linh kiện
quang điện luôn hoạt động ở vùng có dòng điện âm.
Bảng: Hiệu suất của pin mặt trời đơn chuyển tiếp (single-junction) đo dưới phổ AM1.5G (1000 W/m2 )
(Nguồn: Solar cell efficiency tables (version 52) 2018, DOI: 10.1002/pip.3040)
Phân loại Eg (eV) Voc (V) Jsc (mA/cm2 ) FF (%) PCE (%)
Silic
Si đơn tinh thể 1.1 0.738 42.65 84.9 26.7± 0.5
Si đa tinh thể 1.1 0.6742 41.08 84.9 22.3± 0.4
Nhóm III-V
GaAs màng mỏng 1.42 1.122 29.68 86.5 28.8± 0.9
GaAs đa tinh thể 1.42 0.994 23.2 79.7 18.4± 0.5
InP đơn tinh thể 1.34 0.939 31.15 82.6 24.2± 0.5
Chalcogenide màng mỏng (S, Se, Te, Po, v..v)
CIGS 1.2–1.4 0.744 38.77 79.5 22.9± 0.5
CdTe 1.5 0.8759 30.25 79.4 21.0± 0.4
Bảng: Hiệu suất của pin mặt trời đơn chuyển tiếp (single-junction) đo dưới phổ AM1.5G (1000 W/m2 )
(Nguồn: Solar cell efficiency tables (version 52) 2018, DOI: 10.1002/pip.3040) (tiếp)
Phân loại Eg (eV) Voc (V) Jsc (mA/cm2 ) FF (%) PCE (%)
Vô định hình
Si vô định hình 1.1 0.896 16.36 69.8 10.2± 0.3
Perovskite
Perovskite 1.50–1.55 1.125 24.92 74.5 20.9± 0.7
Sử dụng chất màu nhạy quang (DSSC)
DSSC – 0.744 22.47 71.2 11.9± 0.4
Hữu cơ
Hữu cơ – 0.780 19.30 74.2 11.2± 0.3
Đồ thị mô tả sự phát triển của các thế hệ pin mặt trời và hiệu suất tương ứng tính từ năm
1976 đến nay (luôn cập nhật).
4.3. Hiệu ứng Compton
4.3.1. Mô hình bài toán tán xạ photon
Quan điểm sóng cổ điển: Sóng phẳng đơn sắc tác động làm hạt tích điện dao động và sau
đó hạt tích điện phát ra sóng điện từ có cùng tần số.
Quan điểm của thuyết hạt (hiệu ứng Compton):
4.3.1. Giải thích hiệu ứng Compton
Giải bài toán va chạm photon-electron:
me c 2
Bảo toàn năng lượng: hν + me c 2 = hν 0 + q
2
1 − vc 2
Bảo toàn động lượng: p~ = p~0 + p~e
Độ dịch chuyển Compton:
φ
∆λ = λC (1 − cos φ) = 2λC sin2
2
h
→ Bước sóng Compton: λC = = 2, 426 × 10−12 m
me c
4.3.2. Kết quả của tán xạ Compton
Tán xạ Compton với các góc tán xạ khác nhau.

4.3.2. Kết quả của tán xạ Compton
Góc tán xạ φ khác nhau

Giảng viên: TS. Nguyễn Tuấn Cảnh (VNU-UET)
CHƯƠNG dẫnCHẤT
4. TÍNH đến độTỬdịch
LƯỢNG chuyển
CỦA ÁNH SÁNG ∆λ khác
Ngày nhau.
6 tháng 9 năm 2021 32 / 34
Ví dụ 2
Trong hiệu ứng Compton, chùm tia tới có bước sóng λ. Xác định động năng của electron bắn
ra đối với chùm tia tán xạ theo góc φ. Tìm động lượng của electron đó.
Lời giải: Theo định luật bảo toàn động lượng (Mục 4.3.1), ta tìm được động năng của
electron là:
me c 2
Ke = q − me c 2 = hν − hν 0
v2
1 − c2
hay
hc hc φ
− 0 với λ0 = λ + 2λC sin2
Ke =
λ λ 2
2 φ
hc 2λC sin 2 (max) hc 2λC
Ke = 2 φ
→ Ke = khi φ = π
λ λ + 2λC sin λ λ + 2λC
2
Động lượng của electron: pe2 = p 2 + p 0 2 − 2pp 0 cos φ với p = h/λ và p 0 = h/λ0 .
The End

Chuong 4 - Tinh Chat Luong Tu Cua Anh Sang

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chuong 4 - Tinh Chat Luong Tu Cua Anh Sang

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

CHƯƠNG 4.

TÍNH CHẤT LƯỢNG TỬ CỦA ÁNH SÁNG

Giảng viên: TS. Nguyễn Tuấn Cảnh

Trường Đại học Công nghệ - ĐHQGHN

Ngày 6 tháng 9 năm 2021

1 BỨC XẠ NHIỆT VÀ CÁC ĐỊNH LUẬT VỀ BỨC XẠ NHIỆT

2 HIỆU ỨNG QUANG ĐIỆN. PIN MẶT TRỜI

3 HIỆU ỨNG COMPTON

4.1.1. Tương tác của ánh sáng với vật chất

4.1.2. Đặc điểm của bức xạ nhiệt

4.1.3. Các đại lượng đặc trưng của bức xạ nhiệt

Năng suất phát xạ toàn phần

4.1.3. Các đại lượng đặc trưng của bức xạ nhiệt

Năng suất phát xạ đơn sắc

4.1.3. Các đại lượng đặc trưng của bức xạ nhiệt

Vật có hệ số hấp thụ a = 1 được gọi là vật đen tuyệt đối.

4.1.4. Định luật Kirchhoff

Năng suất bức xạ đơn sắc có đỉnh cực đại.

Nhiệt độ bề mặt Mặt Trời: 5778 K

trong đó kB = 1, 38 × 10−23 (J/K) là hằng số Boltzmann.

Xuất phát từ quan điểm lượng tử năng lượng,

→ Biểu thức của Rayleigh-Jeans.

Định luật Stéfan–Boltzmann

Hằng số Stéfan–Boltzmann: σ = 5, 67 × 10−8 (W · m−2 · K−4 ).

Định luật Wien

r (ν, T ) = a(ν, T ).f (ν, T )

Năng suất phát xạ toàn phần

Sử dụng hàm phổ biến f (ν, T ) của Planck ta tìm được:

Thay a = 0, 9, σ = 5, 67 × 10−8 (W.m−2 .K−4 ) và R(T ) = P/S = 1020625 W /m2 , ta tìm

Bước sóng này nằm trong vùng hồng ngoại.

4.2.1. Thuyết photon của Einstein

Khối lượng nghỉ của photon:

Động lượng của photon:

4.2.2. Mô tả và giải thích hiệu ứng quang điện

4.2.2. Mô tả và giải thích hiệu ứng quang điện

Mỗi photon có tần số ν (bước sóng λ), có năng

Độ dịch chuyển Compton:

Tán xạ Compton với các góc tán xạ khác nhau.

Góc tán xạ φ khác nhau

You might also like