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a) Análise DC do circuito, para determinar a tensão na base (VB) e as correntes na base (IB), no emissor
(IE) e no coletor (IC) do transistor; hfe = 250 , Vbe=0,7V
𝑅𝐵1 . 𝑅𝐵2 6800 . 1200
𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 = 𝑹 = 𝟏𝟎𝟐𝟎𝜴
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 6800 + 1200 𝑩
𝑅𝐵2 1200
𝑉𝐵𝐵 = . 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐵𝐵 = . 12 𝑽𝑩𝑩 = 𝟏, 𝟖𝑽
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 6800 + 1200
𝐼𝐸 10,57
𝐼𝐵 = 𝐼𝑏 = 𝑰 = 𝟒𝟐, 𝟏𝟏𝒎𝑨
𝐵+1 250 + 1 𝒃
b) Análise AC do circuito, para determinar o valor de gm, rπ, o ganho de tensão Av e as impedâncias de
entrada Zi e saída Zo;
𝑉𝑇 2510−3
𝑟𝜋 = 𝑟𝑒 . ( ℎ𝑓𝑒 + 1 ) 𝑟𝜋 = . ( ℎ𝑓𝑒 + 1 ) 𝑟𝜋 = . ( 250 + 1 ) 𝒓𝝅 = 𝟓𝟗𝟑, 𝟔𝟔𝜴
𝐼𝐸 10,5710−3
𝐼𝐸 10,5710−3 𝒎𝑨
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚 = 𝒈𝒎 = 𝟎, 𝟒𝟐𝟐𝟖 𝟒𝟐𝟐, 𝟖
𝑉𝑇 2510−3 𝑽
1020 . 593,66
𝑍𝑖 = (𝑅𝐵 | | 𝑟𝜋 ) 𝑍𝑖 = 𝒁𝒊 = 𝟑𝟕𝟓, 𝟐𝟓𝜴
1020 + 593,66
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 𝒁𝒐 = 𝟒𝟕𝟎𝜴
470 𝑥 10
𝑅′𝐿 = 𝑅𝐶 | | 𝑅𝐿 = 𝑹′𝑳 = 𝟒𝟒𝟖, 𝟗𝜴
470 + 10
𝑅𝐵 | | 𝑅𝜋 375,27 𝒗
𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 𝑥 𝑅′ 𝐿 𝑥 = −422,8 𝑥 448,9 𝑥 𝑨𝑽 = −𝟏𝟔𝟕, 𝟒𝟖
(𝑅𝐵 | | 𝑅𝜋) + 𝑅𝑔 375,27 + 50 𝒗
Circuito - Análise AC
c) Simulação DC do circuito para verificar a tensão na base (VB) e a corrente no emissor (IE) do
transistor;
Circuito para simulação e análise DC
V(n001): 12 voltage
V(vb): 1.76219 voltage
V(ve): 0.930374 voltage
V(vc): 7.64466 voltage
Ic(Q1): 0.00926668 device_current
Ib(Q1): 3.70667e-005 device_current
Ie(Q1): -0.00930374 device_current
Sinal Vi e Vo
Resultados Vi e Vo
VI
VO VI = 997,33 , VO = 146,67
VO 146,67
AV = AV = 𝐀𝐕 = 𝟏𝟒𝟕, 𝟎𝟔 𝐕/𝐕
VI 997,33
Impedância de entrada 𝒁𝒊
Circuito para simulação AC e análise de impedâncias
Sinal Zi
ZI = 414,33 Ω
Impedância de saída 𝒁𝟎
Circuito para simulação AC e análise de Vo
Sinal Io curto
Resultado Io em curto
𝐼𝑜 𝑐𝑢𝑟𝑡𝑜 = 31,43 𝑚𝐴
𝑉𝑜 𝑠𝑒𝑚 15,03 𝑉
𝑍𝑜 = ⁄𝐼 => => 𝒁𝒐 = 𝟒𝟕𝟖, 𝟐𝟎𝛀
𝑜 𝑐𝑢𝑟𝑡𝑜 31,43 𝑚𝐴