Técnicas de Radio Frecuencia y Microondas (E1217)

Mediciones en Alta Frecuencia (E0217)

Facultad de Ingeniería - UNLP

Prof. Martín Hurtado

Email: e1217@ing.unlp.edu.ar (mailto:e1217@ing.unlp.edu.ar)

Web: www.ing.unlp.edu.ar/catedras/E1217 (http://www.ing.unlp.edu.ar/catedras/E1217)

Detector a Diodo

Resumen
Descripción del diodo de juntura
Implementación de un detector

Objetivos
Implementar un detector a diodo

Introducción
El detector a diodo es un dispositivo activo usado en microondas para la medición de potencia o demulador. Su
implementación a partir de diodos se debe a los siguientes beneficios

Circuitos simples, fácil integración

Bajo costo
Sensibilidad de -70dBm (100pw)
Rango dinámico de 100dB (-70dBm a 30dBm)
Rango de frecuencia de 1kHz a 100GHz

Diodo de juntura
Considerar una juntura formada por semiconductores de tipo P y tipo N; el flujo de la corriente en la juntura
es
𝐼𝐽 = 𝐼𝑆 (𝑒𝑉𝐽 /𝑉𝑇 𝜂 − 1)
donde
𝐼𝑆 : corriente de saturación
 𝑉𝑇 : voltaje térmico
𝜂: constante del modelo

Fig: Relación voltaje-corriente en la juntura.

Voltaje termico

𝑉𝑇 = 𝑘𝑇𝑞
El voltaje térmico es una constante que depende de la energía térmica de los portadores

donde
𝑘: constante de Boltzman
𝑇 : temperatura de la juntura
𝑞: carga del electrón
Para una temperatura ambiente 𝑇 = 300K, 𝑘 = 1.38 ∗ 10−23 J/K, 𝑞 = 1.6 ∗ 10−19 c, entonces el voltaje
térmico es 𝑉𝑇 ≈ 26 mv
Corriente de saturación
La corriente de saturación es el flujo de corriente cuando se somete la juntura a polarización inversa
𝐼𝑆 = 𝐴𝑇 2𝑒𝑉𝑔/𝑉𝑇
donde
𝐴: constante dependiente del área de la juntura
𝑉𝑔 : barrera de potencial
La barrera de potencial 𝑉𝑔 representa la energía necesaria para romper un enlace covalente en el
semiconductor; es un parámetro dependiente del tipo de sustrato usado en la juntura

Voltaje de corte
𝑉𝛾 es el voltaje necesario para que la correinte en polarización directa sea significativa (
El voltaje de corte
𝐼𝐽 = 1 mA)
Por ejemplo, si 𝐼𝑆 = 1pA, el voltaje necesario para alcanzar 𝐼𝐽 = 1mA es
𝑉𝛾 = 𝑉𝑇 ln( 𝐼𝐽 𝐼+𝑆 𝐼𝑆 )
= 0.54𝗏
Voltaje de ruptura
El voltaje de ruptura 𝑉𝑟 es voltaje en polarización inversa necesario para que se produzca el efecto
avalancha

Modelo equivalente
El circuito equivalente de la juntura se compone de
𝑅𝐽 : resistencia de la juntura
𝐶𝐽 : capacidad de la juntura
𝑅𝑠 : pérdida en serie
𝐿𝑠 : inductancia en serie
𝐶𝑐 : capacidad del encapsulado

Capacidad de juntura
La capacidad de juntura se compone de la capacidad de transición y la capacidad de difusión
 𝐶𝐽 = 𝐶𝑇 + 𝐶𝐷

Capacidad de transición

𝐶𝑇 = 1 −𝐶𝐽0𝑉𝐽 𝜂
En polarización inversa, la juntura actua como aislador con una capacidad dada por

( 𝑉𝐽0 )
siendo 𝐶𝐽0 , 𝑉𝐽0 , 𝜂 parámetros medidos experimentalmente

Capacidad de difusión
El reacomodamiento de cargas no es instantáneo; entonces al cambiar la polarización de inversa a
directa, en el proceso de difusión de cargas, la juntura se comporta como capacitor

Conductancia de la juntura
La relación de voltaje y corriente es no lineal, pero se puede una conductancia incremental para
𝑉𝐽 𝑉𝑇
𝑔 = 𝑑𝑑𝑉𝐼𝐽𝐽
variaciones pequeñas de (respecto de )

= 𝐼𝑆 𝑉𝑒𝑉𝑇𝐽 /𝑉𝑇
= 𝐼𝐽 𝑉+𝑇 𝐼𝑆
Si la corriente continua sobre la juntura es nula, 𝐼𝐽 = 0, se tiene la conductancia de juntura no polarizada

𝑔0 = 𝑉𝐼𝑆𝑇

Resistencia de video

𝑅𝑉 = 1𝑔 = 𝑉𝐼𝑆𝑇
La resistencia de video es inversa de la conductancia

Notar que la resistencia de video suele tomar valores elevados; por ejemplo para un diodo BAT63 con
𝑉𝑇 = 26mv y 𝐼𝑆 = 0.7𝜇A, la resistencia de video es 𝑅𝑉 = 37kΩ

Diodo Schottky
El diodo Schottky está compuesto de una juntura de metal-semiconductor
Son apreciados en RF y microondas porque tienen mayor velocidad de recuperación que otras junturas (
𝐶𝐷 despreciable)
Tienen similar respuesta de tension-corriente, pero mayor corriente de saturación
Valores típicos
𝐶𝐽 = 0.65 pF
𝐶𝑐 = 0.10 pF
 𝐿𝑠 = 2.00nH
𝑅𝑠 = 1.70Ω
𝐼𝑆 = 0.70𝜇A

Detector cuadrático
Debido al comportamiento no lineal del diodo, en condicion de baja señal, se puede asociar la corriente de
continua a la salida del diodo (detector) con la potencia de la señal a la entrada
Considerar el dispositivo de la figura, donde 𝑅𝐿 𝐶𝐿
y representan el instrumento de medición, operando
en las siguientes condiciones
|𝑣 (𝑡)| << 𝑉
𝑅𝐿𝐽 >> (𝜔𝐶𝐿𝑇)−1 ≈ 0
Pequeña señal:
Alta frecuencia:
𝑣𝐽 (𝑡) = 𝑣𝑆 (𝑡) = 𝐴cos𝜔𝑡
Tensión en la juntura:

La corriente total en la juntura del detector es

𝐼𝐽 = 𝐼𝑃 + 𝑖𝐽 (𝑡)
donde
𝐼𝑃 : componente continua o corriente de polarización
𝑖𝐽 : corriente alterna de pequeña señal
Para describir la relación no lineal entre 𝑖𝐽 y 𝑣𝐽 se utiliza la serie de Taylor
𝑖𝐽 (𝑡) = 𝐼𝐽 − 𝐼𝑃
= 𝑎1𝑣𝐽 (𝑡) + 𝑎2𝑣2𝐽 (𝑡) + … + 𝑎𝑛𝑣𝑛𝐽 (𝑡)
donde
1 ∂ 𝑛 𝑖𝐽 |
𝑎𝑛 = 𝑛! ∂𝑣𝑛𝐽 |||
𝑖𝐽 =0
Siendo 𝑣𝐽 pequeño, se pueden despreciar los terminos de orden superior
𝑖𝐽 (𝑡) = 𝑎1𝑣𝐽 (𝑡) + 𝑎2𝑣2𝐽 (𝑡)
La corriente continua es
1 𝑇
𝐼𝐷𝐶 = 𝑇 ∫0 𝑖𝐽 (𝑡)𝑑𝑡
𝑎 𝑇 𝑎
= 𝑇 ∫0 𝑣𝐽 (𝑡)𝑑𝑡 + 𝑇 ∫0 𝑣2𝐽 (𝑡)𝑑𝑡
1 2 𝑇

= 𝑎2𝑣¯ 2𝐽
donde
 𝑎2 = 12 ∂∂𝑣2𝑖2𝐽 ||||
𝐽 |𝑖𝐽 =0
= 12 ∂𝑣∂𝐽 ( ∂𝑣∂𝑖𝐽𝐽 )||| =
|𝐼𝐽 𝐼𝑃
= 12 ∂𝑣∂𝐽 ( 𝐼𝑆 𝑉𝑒 𝑇𝐽 𝑇 )
𝑣 /𝑉

= 12 𝐼𝑆 𝑉𝑒𝑣2𝐽 /𝑉𝑇
𝑇
1
= 2 𝑉 2𝐼𝑆
𝐼 𝐽 +
𝑇
1
= 2 𝑉𝑇 𝑔
𝐼𝐷𝐶 = 2𝑉𝑔𝑇 𝑣¯ 2𝐽
Entonces la corriente es

La salida del detector (sin polarizar) se puede representar por los siguientes modelos de continua

𝐼𝐷𝐶 = 2𝑉𝑔𝑇 𝑣¯ 2𝐽
Fuente de corriente

Fuente de tensión

𝑉𝐷𝐶 = 2𝑣¯𝑉𝐽𝑇
2
 La tensión continua en la carga es
¯
𝑣 2𝐽 𝑅𝐿
𝑉𝑜 = 2𝑉𝑇 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉

Efectos de 𝑅𝑉
𝑅𝑉 = 1𝑔 = 𝐼𝑆 𝑉+𝑇 𝐼𝑃
Determina la impedancia de entrada del detector

Cuando la amplitud de la señal de alterna a la entrada cambia bruscamente la tension de salida 𝑉𝐷𝐶
𝑡𝑟 = 𝐶𝐿 𝑅𝑅𝑉 𝑉+𝑅𝑅𝐿 𝐿
cambia con la constante de tiempo

Similarmente, si la amplitud de la señal de alterna se encuentra modulada, el voltaje 𝑉0 depende del

𝑅𝑉 + 𝑅𝐿
ancho de banda del detector

𝐵 = 2𝜋𝐶𝐿 𝑅𝑉 𝑅𝐿

Detector
La impedancia de entrada del detector, 𝑅𝑉, toma valores elevados, entonces se necesita agregar una
carga 𝑍0 donde se disipa la potencia entregada por la fuente o una red de adaptacion

El generador ve el siguiente circuito equivalente en alterna

Siendo 𝑍0 ≪ 𝑅𝑉 , tensión en la juntura y potencia a la entrada del detector son

 𝑣𝑖 (𝑡) = 𝐴2 cos𝜔𝑡
¯
𝑣 1
𝑃𝑖 = 𝑍0 = 𝑍0 𝑇 ∫0 𝑣2𝑖 (𝑡)𝑑𝑡 = 8𝐴𝑍20
2𝑖 𝑇

Por otro lado, el instrumento de medición a la salida del detector ve el siguiente circuito equivalente en
continua

El voltaje que se observa en la impedancia de carga depende de la potencia de la señal alterna a la

𝑉𝑜 = 𝑅𝐿𝑅+𝐿𝑅𝑉 𝑉𝐷𝐶
entrada

𝑅
= 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 2𝑉𝑇
𝐿 ¯
𝑣 2𝑖

= 𝑅𝐿𝑅+𝐿𝑅𝑉 2𝑍𝑉0𝑇 𝑃𝑖
De manera equivalente, la relación anterior se puede expresar en escala logarítmica

10 log10( 10𝑉−3𝑜 ) = 10 log10( 1𝗆𝗐 𝑃𝑖 + 10 log10 𝑅𝐿 𝑍0

) ( 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 2𝑉𝑇 )
10 log10 𝑉𝑜 [𝗆𝗏] = 𝑃𝑖 [𝖽𝖡𝗆] + 10 log10( 𝑅𝐿𝑅+𝐿𝑅𝑉 2𝑉𝑍0𝑇 )
Cuando 𝑉𝑇 = 26 mv y 𝑍0 = 50Ω , entonces
10 log10 𝑉𝑜 [𝗆𝗏] = 𝑃𝑖 [𝖽𝖡𝗆] + 30𝖽𝖡
Nota
Para operar en la region de respuesta cuadratica, la tension de salida se debe mantener por debajo de
10mv

Sensibilidad
Se define sensibilidad del detector a la minima variación de potencia de señal alterna medible a la entrada

𝛾 = 𝑑𝑉 𝑜 = 𝑅𝐿 𝑍0
del diodo

𝑑𝑃𝑖 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 2𝑉𝑇
En general se cumple que 𝑅𝐿 ≫ 𝑅𝑉 , entonces para 𝑍0 = 60Ω lasensibilidad es 𝛾 = 0.962 mv/𝜇 w

Situación de compromiso
En general el valor de la resistencia de video 𝑅𝑉 es elevado, entonces genera tiempo de subida 𝑡𝑟 alto y
𝐵
un ancho de banda bajo
Además si 𝑅𝑉 es grande, se reduce el valor de la sensibilidad 𝛾
\end{itemize}

Detector polarizado
La solución al problema anterior consiste en polarizar el diodo con una pequeña corriente directa y reducir
𝑅𝑉
𝑅𝑉 = 𝐼𝑆 𝑉+𝑇 𝐼𝑃 ≈ 𝑉𝐼𝑃𝑇
el valor de

siendo 𝐼𝑃 ≫ 𝐼𝑆
El circuito de la figura muestra la configuracion de un detector donde se utiliza una corriente de
polarizacion en directa 𝐼𝑃 para controlar𝑅𝑉

donde

𝐿𝑐: inductor para circulacion de 𝐼𝑃

𝐶𝑑 : capacitor para bloquear 𝐼𝑃
La desventaja de esta configuracion es que la corriente de polarización genera una tension de offset aun
cuando la señal alterna es nula
𝐼𝑃 = 𝐼𝑆 (𝑒𝑉𝜙/𝑉𝑇 − 1)
Resolviendo
 𝑉𝜙 = 𝑉𝑇 ln 𝐼𝑃 𝐼+𝑆 𝐼𝑆 ≈ 𝑉𝑇 ln 𝐼𝐼𝑃𝑆
La tensión en el resistor de carga es

𝑉𝑜 = 𝑅𝐿𝑅+𝐿𝑅𝑉 (𝑉𝜙 + 2𝑍𝑉0𝑇 𝑃𝑖 )

Por ejemplo, si 𝐼𝑆 = 0.7𝜇A, 𝐼𝑝 = 100𝜇A y 𝑉𝑇 = 26 mv, la tensión de offset es 𝑉𝜙 = 130mv y la
resistencia de video 𝑅𝑉 = 260Ω

Nota
La sensibilidad 𝛾 del detector no se modifica con la polarización

Problemas de ejercitación

Problema 1
Considerar el detector a diodo no polarizado que se muestra en la figura, donde 𝑍0 = 50Ω, 𝑅𝐿 = 1𝖬Ω,
𝐶𝐿 = 200𝗉𝖥 , y el diodo tiene una corriente de saturación 𝐼𝑆 = 0.52𝜇𝖠
.

1. Determinar la impedancia de entrada del detector, es decir la resistencia de video 𝑅𝑉

.
2. Si 𝑣𝑠(𝑡) = 𝐴cos(2𝜋𝑓𝑐 𝑡) siendo 𝐴=2 mv y 𝑓𝑐 = 800MHz, determinar la tensión en la juntura y verificar
si el detector opera en condición de pequeña señal.
3. Calcular la tensión de continua 𝑉𝑜
que se observaría sobre la impedancia 𝑅𝐿
.
𝛾
4. Hallar la sensibilidad del detector.
5. Si la amplitud de la señal de alterna se encuentra modulada en amplitud, es decir 𝐴 = 2cos(2𝜋𝑓𝑚 𝑡) mv,
determinar el rango de la frecuencia 𝑓𝑚
en que la tensión 𝑉𝑜
permite observar las oscilaciones de la
amplitud . 𝐴

Problema 2
Considerar el detector a diodo no polarizado que se muestra en la figura, donde 𝑍0 = 500Ω 𝑅𝐿 = 1𝖬Ω,
,
𝐶𝐿 = 2𝗇𝖥 , el diodo tiene una corriente de saturación 𝐼𝑆 = 0.52𝜇𝖠
, y la señal de alterna tiene amplitud
𝐴=2 mv y frecuencia 𝑓𝑐 = 500
MHz.

1. Si la corriente de polarización es 𝐼𝑝 = 50𝜇 A, determinar el valor de la resistencia de video.

2. Verificar si el detector opera en condición de pequeña señal.
3. Calcular la tensión de continua 𝑉𝑜 que se observaría sobre la impedancia 𝑅𝐿 .
4. 𝛾
Hallar la sensibilidad del detector.
Referencias
H. Lorente, Apunte: El detector a diodo.
4∘
D.M. Pozar, Microwave Engineering, Cap. 11, Ed. , Wiley, 2012.
Application Note 923, Schottky barrier diode video detectors, Hewlett-Packard.
A.M. Cowley, H.O. Sorensen, Quantitative comparison of solid-state microwave detectors, IEEE Trans.
Microwave Theory and Techniques, vol. 14, nro. 12, pp. 588-602, 1966.