CHƯƠNG 3

MẠCH DIODE BÁN DẪN

3.1 Lý thuyết dải năng lượng của chất rắn
3.1.1 Giới thiệu
Một cơ sở lý thuyết từ vật lý hiện đại cho biết rằng các nguyên tử
đều được đặc trưng bằng các mức năng lượng rời rạc. Mỗi một mức năng
lượng có thể tiếp nhận tới hai điện tử. Khi xây dựng một nguyên tử, ta
bắt đầu từ mức thấp nhất, thêm vào hai điện tử, rồi di chuyển lên mức
năng lượng kế tiếp và thêm vào các điện tử. Điều này tiếp tục cho tới khi
ta đã xếp đặt tất cả các điện tử của nguyên tử thành các mức năng lượng.
Ta cũng biết rằng nếu một nguyên tử hấp thụ năng lượng từ bên ngoài
(chẳng hạn, hấp thụ một hạt photon năng lượng ánh sáng), một điện tử có
thể được thúc đẩy tới một mức năng lượng cao hơn. Ngược lại, một điện
tử rơi từ một mức năng lượng cao xuống một mức năng lượng thấp sẽ
bức xạ một hạt photon năng lượng.
Điều gì sẽ xảy ra cho mô hình mức năng lượng này khi ta ghép
nhiều nguyên tử với nhau thành một khối rắn? Khi các nguyên tử nằm
gần sát nhau, ta phải bắt đầu nói chuyện về các mức năng lượng của chất
rắn như một tổng thể thay vì các mức năng lượng của từng nguyên tử.
Thay vì xây dựng cơ học lượng tử cho một phần tử năng lượng cách ly
(nguyên tử), ta xây dựng cơ học lượng tử cho một mảng tuấn hoàn các
nguyên tử có tính chất một năng lượng tuần hoàn. Kết quả của quá trình
này là trong tập hợp N nguyên tử, mức năng lượng nguyên tử cá thể chia
thành N mức. Sơ đồ nguyên lý biểu diễn điều này trong hình 3.1. Do đó
khi chất rắn được ghép lại và các nguyên tử ở khoảng cách cân bằng sau
cùng của chúng, chất rắn được đặc trưng bằng một chuỗi các dải năng
lượng bao gồm nhiều mức năng lượng được phép có khoảng cách gần sát
nhau. Khi các điện tử trong các nguyên tử cá thể không thể có năng
lượng giữa các mức năng lượng nguyên tử, vì vậy các điện tử trong một
chất rắn bị cấm có năng lượng giữa các dải năng lượng cho phép.
Hình 3.1 Sơ đồ nguyên lý biểu
diễn sự phân chia mức năng
lượng khi một chất rắn được
ghép lại. Ở đây a là khoảng cách
giữa các nguyên tử. Phần màu
xám biểu diễn nhiều mức năng
lượng ở gần sát nhau được hình
thành do sự phân chia mức năng

59
lượng nguyên tử ban đầu. Đường đứt đoạn biểu diễn vị trí khoảng cách
cân bằng. Tại vị trí này chất rắn được đặc trưng bằng các dải năng lượng.
3.1.2 Lý thuyết dải năng lượng
Giả sử ta đang xây dụng một chất rắn gồm N nguyên tử như được
mô tả bên trên, nhưng ta chưa thêm điện tử vào. Bây giờ ta bắt đầu thêm
điện tử vào chất rắn này, bắt đầu bằng mức năng lượng thấp nhất. Giống
như các mức năng lượng nguyên tử, chỉ có các năng lượng nào đó mới
được phép và ta chỉ có thể đặt hai điện tử nằm ở mỗi mức theo nguyên lý
loại trừ Pauli (Pauli Exclusion Principle). Nguyên lý này phát biểu rằng
không có hai điện tử có trạng thái cơ lượng tử giống nhau trong cùng một
nguyên tử. Ta tiếp tục thêm các mức năng lượng từ mức thấp nhất cho tới
khi ta đã dùng toàn bộ các điện tử kết hợp bình thường với N nguyên tử.
Đặc tính của cấu trúc dải năng lượng có được quyết định xem một chất là
chất dẫn điện, chất cách điện hay chất bán dẫn.
Hãy xét một ví dụ một trường hợp được trình bày trong hình 3.2,
ở đó ta biểu diễn mức năng lượng theo vị trí x trong phạm vi vật liệu. Ta
chỉ biểu diễn các mức năng lượng cao vì những mức này đáng quan tâm,
các mức năng lượng thấp được thêm đầy đủ các điện tử và không thay
đổi trong điều kiện làm việc bình thường. Di chuyển từ phía dưới hình vẽ
đi lên, ta trình bày một dải các mức năng lượng cho phép được lấp đầy
điện tử, tiếp theo là một dải các mức năng lượng không được phép (hay
bị cấm), kế đó là một dải cho phép chỉ được lấp đầy một phần các điện
tử.

Hình 3.2 Cấu trúc dải năng lượng đối với chất dẫn điện
Một sự kiện là dải năng lượng cuối cùng này chỉ được lấp đầy
một phần làm cho vật liệu này trở thành chất dẫn điện. Để sinh ra dòng
điện, các điện tử trong một vật liệu phải di chuyển và chúng phải tăng
năng lượng lên một chút. Vì vậy, chúng phải có thể di chuyển tới mức
năng lượng cao hơn một chút. Điều này có thể xảy ra đối với vật liệu này
vì có nhiều mức năng lượng rỗng ở dải năng lượng phía trên cùng. Do
đó, vật liệu này sẽ là một chất dẫn điện tốt.
Tình huống này sẽ tương phản với cấu trúc dải năng lượng được
trình bày trong hình 3.3. Ở đây ta có một dải được phép và đầy đủ, tiếp
theo là một dải cấm rộng, kế đó lá một dải được phép rỗng. Các điện tử

60
trong vật liệu này không thể sinh ra dòng điện vì không có các mức năng
lượng chưa được lấp đầy lân cận để chúng di chuyển tới.

Hình 3.3 Cấu trúc dải năng lượng đối với chất cách điện
Có những mức chưa được lấp đầy xa hơn nữa, nhưng dải cấm quá
rộng làm cho các điện tử không thể băng ngang qua được. Đây là cấu
trúc dải năng lượng của chất cách điện.
Tại đây ta sẽ định lượng các phát biểu như sau. Năng lượng có
được do một điện tử sinh ra dòng điện trong một vật liệu là khá nhỏ.
Điện áp được đặt vào sinh ra dòng điện làm tăng tốc các điện tử, nhưng
trước khi chúng đạt được tốc độ cao chúng chịu một sự va chạm làm thay
đổi chiều và hạ thấp tốc độ. Do đó, năng lượng di chuyển trung bình của
một điện tử trong dải dẫn điện có trị số 10-21 eV. Điều này có thể so sánh
với khoảng cách giữa các mức năng lượng trong phạm vi một dải, nhưng
nhỏ hơn nhiều khoảng cách ly giữa các dải (~ 0,1 eV). Do đó, không có
con đường nào để cho các điện tử trong một chất cách điện có thể tạo ra
đủ năng lượng từ dải dẫn điện băng ngang qua dải cấm.
Tuy nhiên, có một nguồn năng lượng khác đóng một vai trò quan
trọng trong chất bán dẫn, đó là năng lượng nhiệt. Một sự hiểu biết cơ bản
từ vật lý nhiệt cho ta biết nhiệt độ là một phép đo vĩ mô sự chuyển động
vi mô của các hạt. Do đó, các hạt trong một vật liệu có thể có năng lượng
nằm ngoài nhóm năng lượng theo vị trí của chúng trong cấu trúc dải năng
lượng. Năng lượng từ chuyển động nhiệt có trị số tăng theo nhiệt độ và
bằng kT, ở đây k là hằng số Boltzmann. Ở nhiệt độ phòng, kT ≈
0,025eV, năng lượng này có thể so sánh với khoảng cách năng lượng
giữa các dải. Do đó, có thể xảy ra trường hợp (nếu nhiệt độ khá cao và
khoảng cách giữa các dải khá nhỏ) một điện tử phóng tới dải cho phép kế
bên. Khi đó, nó có thể tạo ra dòng điện vì bây giờ có nhiều mức năng
lượng chưa lấp đầy được yêu cầu cho tính dẫn điện. Nếu vật liệu là một
chất cách điện, dải cấm phải đủ rộng để ngăn ngừa điều này xảy ra, tức
là, nó phải rất rộng để năng lượng nhiệt không truyền qua.
Một loại vật liệu thứ ba, chất bán dẫn, được đặc trưng bằng tình
huống trái ngược: dải cấm khá hẹp để cho phép sự truyền năng lượng
nhiệt tới dải cho phép kế bên. Điều này minh họa trong hình 3.4. Tương
tự như chất cách điện, ta có dải cho phép và lấp đầy, tiếp theo là dải cấm
61
và dải cho phép và rỗng. Nếu nhiệt độ của vật liệu khác không, các điện
tử có thể di chuyển vào trong dải cho phép và rỗng bằng năng lượng
nhiệt. Do đó, về cơ bản ta thấy tại sao các linh kiện điện tử bán dẫn rất
nhạy đối với nhiệt độ : nhiệt độ xác định có bao nhiêu năng lượng nhiệt
có thể sử dụng được để đẩy các điện tử ra khỏi dải được lắp đầy trước
đây (gọi là dải hóa trị) lên tới dải cho phép kế tiếp (gọi là dải dẫn điện).

Hình 3.4 Cấu trúc dải năng lượng đối với chất bán dẫn
Khi một điện tử trong một chất bán dẫn di chuyển từ dải hóa trị
tới dải dẫn điện, nó để lại phía sau một ô trống trong dải hóa trị. Ô trống
này được gọi là lỗ trống (xem hình 3.5). Lỗ trống có tính chất như một
hạt điện tích dương. Để thấy được điều này, hãy tưởng tượng rằng một
nguồn điện áp được đặt vào chất bán dẫn, với đầu âm của nguồn ở bên
trái và đầu dương ở bên phải. Nếu một điện tử được đẩy tới dải dẫn điện,
nó cũng sẽ di chuyển về phía bên phải, tức là về phía điện áp dương. Lỗ
trống còn lại phía sau trong dải hóa trị chẳng bao lâu được lấp đầy bằng
một điện tử ở một mức năng lượng thấp. Khi di chuyển lên một mức
năng lượng nào đó, điện tử cũng sẽ di chuyển vế phía bên phải, cố đi tới
cực dương của nguồn. Do đó ô trống do nó để lại sẽ di chuyển sang bên
trái. Khi quá trình lấp đầy ô trống này tiếp tục, lỗ trống sẽ di chuyển đi
xuống và về phía bên trái, tức là về phía cực âm của nguồn. Do đó, có thể
quan sát quá trình này theo sự chuyển động của lỗ trống thay vì theo sự
chuyển động của điện tử. Bằng sự quan sát này, lỗ trống (một hạt dẫn
điện điện tích dương) di chuyển về phía cực âm của nguồn khi nó tăng về
năng lượng (ở đây ta phải đổi chiều năng lượng và để cho năng lượng lỗ
trống tăng theo chiều đi xuống). Nếu tất cả điều này dường như rắc rối,
đừng quá lo: hình ảnh lỗ trống không được yêu cầu. Tuy nhiên, ta có thể
có tính chất vật lý ngay sau khi sự chuyển động của các điện tử, và đây là
cách tiếp cận ta sẽ áp dụng trong giáo trình này. Ta còn bao gồm cả hình
ảnh lỗ trống được thể hiện đầy đủ, vì điều này thường hay bắt gặp trong
các bài học lý thuyết về điện tử.

62
Hình 3.5 Sự mô tả việc hình thành và chuyển động của lỗ trống khi một
điện tử được kích thích di chuyển
3.1.3 Kích tạp chất bán dẫn
Số lượng điện tử được đẩy đi bằng năng lượng nhiệt tới dải dẫn điện
(các điện tử dẫn điện) là khá nhỏ đối với chất bán dẫn thuần khiết, vì vậy
chất bán dẫn thuần khiết sẽ chỉ cho phép một dòng điện nhỏ chạy qua khi
có điện áp đặt vào. Tuy nhiên,tính chất này có thể được thay đổi, bằng
cách thêm các nguyên tố tạp chất vào trong chất bán dẫn thuần khiết.
Quá trình này gọi là kích tạp chất bán dẫn.
Có hai cách để kích tạp chất bán dẫn. Cách thứ nhất là thêm một nguyên
tố tạp chất “cho”(donor). Giả sử, ví dụ, ta có một chất bán dẫn thuần
khiết germanium. Nguyên tử germanium có 4 điện tử ở lớp ngoài cùng
trong cấu trúc nguyên tử (lớp ngoài cùng theo cơ sở lý thuyết hóa học có
dạng 4s24p2). Nếu được kích tạp bằng nguyên tố antimony (có 5 điện tử ở
lớp ngoài cùng 5s25p3), chất bán dẫn này có dư điện tử không tham gia
liên kết cộng hóa trị. Tác dụng kích tạp này là thêm các mức năng lượng
được lấp đầy tại chỗ đối với cấu trúc dải năng lượng (lấp đầy các điện tử
dư và tại chỗ vì nguyên tố tạp chất có vị trí nằm bên trong chất bán dẫn).
Vị trí của mức năng lượng này phụ thuộc vào loại vật liệu bán dẫn, loại
nguyên tố tạp chất, và những yếu tố khác. Vị trí mong muốn được trình
bày trong hình 3.6. Vị trí mới này nằm gần phía dưới của dải dẫn điện.
Do đó, những điện tử này tương đối dễ dàng được đẩy vào trong dải dẫn
điện so với những điện tử ở dải hóa trị của chất bán dẫn thuần khiết. Do
đó, một nguyên tố tạp chất “cho” làm cho chất bán dẫn dễ dẫn điện hơn.
Vì các điện tích này sinh ra dòng điện (gọi là dòng hạt tải) là các điện tử,
loại bán dẫn được kích tạp kiểu này được gọi là bán dẫn loại n (n là chữ
cái của từ tiếng Anh “negative”).

Hình 3.6 Sơ đồ nguyên lý biểu diễn chất bán dẫn loại n

63
 Ngược lại, giả sử ta kích tạp chất bán dẫn thuần khiết germanium
bằng nguyên tố gallium (tầng ngoài cùng 4s24p1). Gallium có ít hơn
germanium một điện tử và do đó có một khoảng trống ở mức năng lượng
cao nhất của nó. Một nguyên tố tạp chất như thế được gọi là nguyên tố
“nhận” (acceptor). Tác dụng của nguyên tố tạp chất “nhận” là tạo thêm
các mức năng lượng rỗng tại chỗ đối với cấu trúc dải năng lượng. Trong
trường hợp này, có được các mức năng lượng thêm vào này được đặt
ngay bên trên dải hóa trị, như được trình bày trong hình 3.7. Lúc đó các
điện tử dễ dàng từ dải hóa trị đi lên vào trong các mức năng lượng rỗng
này. Nhưng vì các mức này là tại chỗ, các điện tử được kích thích không
thể di chuyển qua chất bán dẫn như chúng phải di chuyển như vậy để tạo
ra dòng điện. Mặt khác, các lỗ trống còn lại phía sau ở dải hóa trị, có thể
di chuyển qua chất bán dẫn vì các mức năng lượng dải hóa trị không có
tại chỗ. Do đó, một lần nữa ta có một mức dòng điện được tăng cường do
nguyên tố tạp chất, nhưng bây giờ dòng điện được tạo ra do chuyển động
của lỗ trống dương. Loại bán dẫn được kích tạp như trên được gọi là loại
p (p : positive)

Hình 3.7 Sơ đồ nguyên lý biểu diễn chất bán dẫn loại p

Lưu ý rằng cả hai bán dẫn loại p và loại n đều trung hòa về điện
giống như các nguyên tử cấu thành vật chất cũng trung hòa về điện; chữ
cái “n” không tượng trưng cho điện tích âm, mà tượng trưng cho hạt tải
điện tích âm, và tương tự cho chữ cái “p”. Ngoài ra, mặc dù dòng điện
chủ yếu trong bán dẫn loại n là điện tử, vẫn còn có một vài lỗ trống được
tạo ra bởi điện tử bị đẩy từ dải hóa trị tới dải dẫn điện, vì vậy một phần
nhỏ dòng điện được thực hiện bằng lỗ trống, mặc dù nằm trong bán dẫn
loại n. Các điện tử trong bán dẫn loại n được gọi là hạt tải đa số, trong
khi đó các lỗ trống được gọi là hạt tải thiểu số. Ngược lại, trong bán dẫn
loại p, dòng điện chủ yếu được thực hiện bằng sự chuyển động của lỗ
trống, nhưng một vài điện tử bị đẩy từ dải hóa trị tới dải dẫn điện cũng
hình thành dòng điện, vì vậy các lỗ trống trong bán dẫn loại p là hạt tải
đa số trong khi các điện tử là hạt tải thiểu số.
3.1.4 Mối nối p-n
Bây giờ ta xét điều gì xảy ra khi ta đem một miếng bán dẫn loại n và
một miếng bán dẫn loại p ghép với nhau. Ta biểu diễn hai miếng này như

64
được trình bày trong hình 3.8. Bán dẫn loại n có nhiều điện tử hơn trong
dải dẫn điện và bán dẫn loại p có nhiều lỗ trống hơn trong dải hóa trị.

Hình 3.8 Bán dẫn loại n và loại p trước khi ghép lại
Đối với bán dẫn loại n, số điện tử trong dải dẫn điện có năng lượng giảm
vì rất khó khăn để các điện tử được đẩy tới những mức năng lượng cao
(một lát nữa ta sẽ định lượng về điều này). Tương tự, có một vài lỗ trống
ở mức năng lượng lỗ trống cao hơn. (hãy nhớ rằng năng lượng lỗ trống
tăng theo chiều hướng xuống trong sơ đồ này).
Khi hai bán dẫn được ghép với nhau, điện tử có mật độ cao hơn trong
bán dẫn loại n sẽ khuyếch tán vào trong bán dẫn loại p ở đó mật độ điện
tử trong dải dẫn điện thấp hơn. Điều trái ngược xảy ra đối với các lỗ
trống mật độ cao trong bán dẫn loại p; chúng khuyếch tán vào trong bán
dẫn n. (Vì tính chất của điện tử và lỗ trống giống nhau, từ giờ trở đi ta sẽ
tập trung chú ý vào một mình điện tử). Sự khuyếch tán các điện tích này
dẫn tới trạng thái mất cân bằng về điện tích, có dư thừa điện tử tập trung
ở bán dẫn loại p. Khi điều này tiếp tục xảy ra, một điện trường hình thành
ở mối nối hướng từ bán dẫn n tới bán dẫn p, và điện trường này chống lại
sự khuyếch tán của điện tử. Cuối cùng, điện trường tự điều chỉnh để cho
một trạng thái cân bằng được thiết lập và dòng điện tử từ bán dẫn n tới
bán dẫn p bằng với dòng lỗ trống từ bán dẫn p tới bán dẫn n. Miền gần
mối nối p-n ở đó hiện tượng khuyếch tán này xảy ra được gọi là miền
hiếm vì mật độ của các hạt tải (điện tử trong bán dẫn n và lỗ trống trong
bán dẫn p) bị suy giảm đáng kể.
Tất cả điều này có tác dụng gì đối với cấu trúc dải năng lượng? Điện
trường E ở mối nối yêu cầu một bước về điện thế V (gợi nhớ E= - dV/dx)
và điều này tạo ra một bước trái ngược về năng lượng điện tử (vì năng
lượng E=qV và điện tích q của điện tử là âm). Do đó, ở trạng thái cân
bằng, cấu trúc dải năng lượng của mối nối p-n sẽ xuất hiện như trong
hình 3.9. Các mức năng lượng dịch chuyển lên một lượng ∆E đi từ bán
dẫn n tới bán dẫn p. Trị số của ∆E sẽ vừa đủ lớn để bảo đảm dòng điện tử
ở mỗi chiều (f1 và f2 trong hình vẽ) được cân bằng. Các điện tử trong bán
dẫn p tạo thành con đường đi tới mối nối không có phải di chuyển khó
khăn vào trong bán dẫn n và tạo ra dòng điện tử f2. Tương tự, các điện tử
trong bán dẫn n tạo thành con đường đi tới mối nối thì sinh ra dòng điện
tử f1 vào trong bán dẫn p. Ban đầu, f1 lớn hơn f2 vì bên phía bán dẫn n có
65
nhiều điện tử hơn bên phía bán dẫn. Tuy nhiên, sự dịch chuyển của dải
năng lượng ngăn ngừa một số điện tử của bán dẫn n không di chuyển vào
trong bán dẫn p (lưu ý rằng các điện tử phải di chuyển thẳng qua sơ đồ vì
năng lượng của chúng không đổi). Chỉ có các điện tử bên phía bán dẫn n
với năng lượng cao hơn phần trên cùng của dải cấm trong bán dẫn p mới
có thể di chuyển được vào trong bán dẫn p, và bằng cách điều chỉnh ∆E
dòng này có thể được tạo ra để tương thích với f2.

Hình 3.9 Mối nối p-n chưa phân cực

Để định lượng điều này, ta chú ý rằng các điện tử trong dải dẫn điện
đã được đẩy tới mức năng lượng đó bằng năng lượng nhiệt. Một định luật
cơ bản trong vật lý nhiệt phát biểu rằng mật độ F của các hạt có năng
lượng E trong một hệ thống ở nhiệt độ T cho bởi phương trình:
F = Ae- E/kT (3.1)
ở đây A là hằng số chuẩn hóa và k là hằng số Boltzmann. Lúc đó số các
hạt N (ở đây là điện tử) có năng lượng trên mức E0 + ∆E được cho bởi
phương trình sau:

(3.2)
ở đây E0 sẽ tương ứng với năng lượng ở phần dưới cùng của dải dẫn
điện. Vì dòng điện tử f1 tỉ lệ với trị số này, nên ta có
(3.3)
ở đây ta đã nhóm lại các hằng số thành hằng số C. Vì ở trạng thái cân
bằng không có dòng điện tử, nên ta phải có
(3.4)
Bây giờ, ta hãy xem xét điều gì xảy ra khi ta đưa một điện áp bên
ngoài V0 vào mối nối p-n. Nếu cực âm của điện áp đặt vào bán dẫn p và
cực dương vào bán dẫn n, ta có tình huống được trình bày trong hình
3.10. Các mức năng lượng bên phía bán dẫn p đã được nâng lên một
lượng eV0, ở đây e là điện tích của một điện tử. Điều này sẽ làm cho các
điện tử di chuyển khó khăn hơn từ bán dẫn n sang bán dẫn p và điều này
thỏa mãn khái niệm là các điện tử có xu hướng bị đẩy ra khỏi phân cực

66
âm bên phía bán dẫn p. Định lượng hiệu ứng này, ta thấy dòng các hạt từ
phía bán dẫn n sang phía bán dẫn p bây giờ sẽ là
(3.5)

Hình 3.10 Phân cưc ngược mối nối

p-n

Tuy nhiên sự dịch chuyển các mức năng lượng sẽ mất tác dụng đối
với dòng điện tử f2 từ phía bán dẫn p sang phía bán dẫn n, vì vậy dòng
này vẫn giữ nguyên như phương trình (3.4). Do đó, dòng điện tổng (net
flow) sẽ có trị số

(3.6)
Đối với nhiệt độ phòng, kT≈0,025eV, vì vậy đối với bất kỳ điện áp V0
nào đủ lớn, số hạng exp(- eV0 / kT) → 0 và ta có
(3.7)
Để ý đối với trường hợp này (gọi là trường hợp phân cực ngược), dòng
tổng không phụ thuộc vào điện áp đặt vào V0 nhưng phụ thuộc mạnh
vào nhiệt độ (so sánh với phương trình 3.7). Tương tự, vì bậc thang năng
lượng trong cấu trúc dải năng lượng lớn hơn trong trạng thái cân bằng, có
nhiều hạt tải điện tích hơn được tạo ra để làm tăng bậc thang năng lượng
này và do đó, miền hiếm được mở rộng.
Bây giờ ta đưa một điện áp ngoài V0 vào mối nối p-n sao cho cực âm
của điện áp đặt vào bán dẫn n và cực dương vào bán dẫn p. Trường hợp
này gọi là phân cực thuận. Đối với phân cực thuận, ta có tình huống được
trình bày trong hình 3.11. Bậc thang ở các mức năng lượng bây giờ giảm
xuống còn ∆E – eV0, và điều này sẽ làm cho các điện tử dễ dàng di
chuyển từ bán dẫn n sang bán dẫn p. Một lần nữa, sự kiện này phù hợp
với khái niệm rằng các điện tử sẽ có khuynh hướng bị hút vào phân cực
dương bên phía bán dẫn p. Như phần trước đã trình bày, f2 không bị tác
động do phân cực, nhưng f1 biến đổi thành
(3.8)
Và dòng điện tổng thành

67
 (3.9)

Hình 3.11 Phân cực thuận mối nối p-n

Do đó, đối với điện áp phân cực thuận V0 đủ lớn, số hạng đầu trong dấu
ngoặc của phương trình (3.9) có giá trị lớn nhất đáng kể và ta có dòng
điện tử tăng theo quan hệ hàm mũ từ phía bán dẫn n sang phía bán dẫn p.
Vì bậc thang năng lượng trong cấu trúc dải năng lượng nhỏ hơn trong
trạng thái cân bằng, nên miền hiếm bị thu hẹp.
Bây giờ ta có thể ghép hai trường hợp này bằng cách định nghĩa phân
cực thuận là dùng điện áp đặt vào dương Vd. Ta cũng trở lại dùng dòng
điện để mô tả dòng điện tích, cần lưu ý rằng dòng điện sẽ ngược chiều
với dòng điện tử tổng (net electron flow). Tính chất của mối nối p-n (gọi
là diode) có thể được tóm tắt như sau
(3.10)
ở đây I0 = C exp(-∆E / kT). Đồ thị của phương trình này được minh họa
trong hình 3.12. Dòng I0 thường rất nhỏ so với dòng phân cực thuận tiêu
biểu và do đó thường gần bằng zero.

Hình 3.13 Ký hiệu diode

Hình 3.12 Đặc tuyến I-V của diode

Hình 3.13 biểu diễn ký hiệu một diode kèm với cực tính phân cực và
chiều dòng điện trong trường hợp phân cực thuận. Ta cũng chỉ rõ đầu
nào của diode ứng với bán dẫn n và đầu nào ứng với bán dẫn p. Cần chú
ý rằng đầu tam giác tô đậm của ký hiệu biểu diễn dòng điện phân cực
thuận. Bên phía bán dẫn n của diode đôi khi còn được gọi là cathode và
bên phía bán dẫn p gọi là anode.
68
3.1.5 Hiện tượng đánh thủng (breakdown)
Nếu mối nối p-n bị phân cực ngược quá lớn, f1 ≈ 0 và f2 bị giới hạn bởi
sự hiện diện của các điện tử trong dải dẫn điện bán dẫn p do kích thích
nhiệt. Tuy nhiện, tại một thời điểm nào đó, điện trường gia tăng trong
miền hiếm gây ra hai dạng hiện tượng đánh thủng làm dòng điện ngược
tăng lên đáng kể.
1. Đánh thủng dòng thác (avalanche breakdown). Ở dạng đánh thủng
này, các điện tử từ phía bán dẫn p được gia tốc thành động năng đủ lớn
để ion hóa các nguyên tử khác trong miền hiếm, do đó tạo ra một cặp
điện tử - lỗ trống mới. Điện tử mới này cũng được gia tốc và có thể tạo ra
nhiều cặp nữa, v.v. Phản ứng dây chuyền này tạo thêm nhiều điện tử tới
dải dẫn điện và do đó làm tăng nhanh dòng điện.
2. Đánh thủng Zener. Trong trường hợp này, điện trường ở trong miền
hiếm đủ lớn để tạo ra hiện tượng ion hóa trực tiếp, thực chất là tách rời
các nguyên tử. Quá trình này một lần nữa tạo ra cặp điện tử - lỗ trống dồi
dào và làm tăng nhanh dòng điện.
Tác dụng này làm thay đổi đặc tuyến I-V của diode như hình 3.14.
Lưu ý rằng trong khi dòng điện đánh thủng tăng lên rất nhanh, điện áp
vẫn giữ gần như không đổi. Trị số điện áp này được gọi là điện áp đánh
thủng. Mặc dù gọi tên như vậy, cả hai dạng đánh thủng đều không có
tính chất phá hủy linh kiện. Tức là, diode có thể hoạt động ở chế độ đánh
thủng mà không làm hư hỏng nó, và như ta sẽ thấy sau này, các mạch
điện nào đó sử dụng có chủ đích sự gia tăng của dòng điện ngược theo
đường dốc đứng để đạt được các kết quả có ích.

Hình 3.14 Đặc tuyến I -V của diode biểu diễn sự đánh thủng tại điện áp
phân cực ngược khá lớn
3.1.6 Sự phát xạ và sự hấp thụ hạt photon
Một kết quả đáng quan tâm khác của mô hình lý thuyết dải năng
lượng là khả năng sinh ra ánh sáng từ một mối nối p-n hay biến đổi đặc
tính điện của mối nối thông qua việc hấp thụ hạt photon (hình 3.15). Cần

69
ôn lại rằng, đối với một nguyên tử, một hạt photon ánh sáng được phát ra
khi một điện tử di chuyển từ một trạng thái mức năng lượng cao xuống
một mức năng lượng thấp. Một hiện tượng tương tự có thể xảy ra trong
mối nối p-n.

Hình 3.15 Sự phát xạ hạt photon do sự tái hợp điện tử - lỗ trống (hole)
Khi diode được phân cực thuận, có rất nhiều dòng lỗ trống và điện tử di
chuyển ngược chiều nhau qua miền hiếm. Vì lỗ trống tượng trưng các ô
rỗng ở mức năng lượng thấp, nên điện tử có khả năng nhảy tới một trong
những mức năng lượng thấp này trong khi đó một hạt photon được phát
xạ để bảo toàn năng lượng. Nếu một diode được chế tạo sao cho các hạt
photon này thoát ra khỏi diode để tạo ra một nguồn ánh sáng. Đây là cơ
sở hoạt động của diode phát quang hay đèn LED, dùng làm đèn hiển thị
trong nhiều thiết bị điện tử hiện đại.
Các hạt photon cũng có thể được hấp thụ bởi mối nối p-n. Trong
trường hợp này, một hạt photon truyền tới kích vào một điện tử di
chuyển từ dải hóa trị tới dải dẫn điện, do đó tạo ra một cặp điện tử - lỗ
trống mới. Nếu những cặp mới này tạo ra với số lượng lớn đáng kể,
chúng có thể làm cho mối nối có khả năng dẫn điện. Đây là cơ sở hoạt
động của diode quang, được ứng dụng làm thiết bị dò ánh sáng.
3.2 CÁC MẠCH ĐIỆN DIODE
3.2.1 Phân tích mạch điện diode cơ bản
Diode bán dẫn được giới thiệu ở phần trên có đặc tuyến I – V rất khác
thường: nó sẵn sàng dẫn điện khi phân cực thuận nhưng không dẫn điện
hay dẫn điện không đáng kể khi phân cực ngược (giả sử điện áp phân cực
ngược nhỏ hơn điện áp đánh thủng). Như ta sẽ thấy, đặc tính khác
thường này cho phép ta dùng diode vào nhiều mục đích khác nhau,
nhưng việc phân tích mạch điện trở nên phức tạp. Để chứng minh điều
này, hãy xét mạch điện diode đơn giản trong hình 3.16.

70
 Hình 3.16 Mạch diode đơn giản
Áp dụng định luật KVL, ta có
(3.11)
ở đây Vd là điện áp trên diode.Ta cũng biết quan hệ giữa dòng điện qua
diode và điện áp trên diode như sau

(3.12)
Giải phương trình (3.11) để tìm dòng điện I rồi kết hợp với phương trình
(3.12), ta có

(3.13)
Trong phương trình cuối này, chỉ có Vd là đại lượng chưa biết. Nếu ta
biết điện áp này, ta có thể thay thế vào phương trình để tìm được I như
yêu cầu phải làm. Nhưng phương trình (3.13) là phương trình siêu việt và
không thể giải được bằng công cụ toán giải tích để tìm Vd và đây chính
là thông số phức tạp khi phân tích mạch diode.
Có hai phương pháp chuẩn để giải phương trình siêu việt. Một là giải
bằng phương pháp số như phương pháp Newton. Hai là giải bằng
phương pháp đồ thị, và phương pháp này sẽ giúp ta thấy được một số
tính chất chính của đại lượng cần tìm. Để tiến hành, ta lưu ý rằng phương
trình (3.13) cho hai phương trình để tìm dòng điện I là hàm số của điện
áp Vd , vì vậy ta vẽ đồ thị cả hai phương trình này trên cùng một hệ trục
tọa độ. Giao điểm của hai đường cong cho ta giá trị của Vd (và suy ra
dòng điện I) thỏa mãn cả hai phương trình. Trong mạch điện tử, cặp
nghiệm số này gọi là điểm làm việc.
Trình tự này được trình bày trong hình 3.17. Đặc tuyến I – V của diode
(phương trình 3.12) được vẽ cùng với phương trình tuyến tính I = (V0 –
Vd) / RL . Phương trình thứ hai này gọi là đường tải, và giải bằng đồ thị
được gọi là phương pháp đường tải trong mạch điện tử. Để ý rằng trục x
và trục y lần lượt cắt đường tải tại hai giao điểm V0 và V0 / RL , và độ
dốc của đường tải là – 1/RL . Do đó, ta có thể tưởng tượng điều gì sẽ xảy
ra đối với nghiệm bài toán nếu V0 hay RL thay đổi. Ví dụ, nếu V0 thay
đổi, cả hai giao điểm sẽ di chuyển dọc theo các trục tương ứng của chúng
trong khi đó độ dốc của đường tải vẫn giữa không đổi. Nếu V0 tăng,
71
điểm làm việc sẽ di chuyển đi lên trên đường đặc tuyến của diode và
dòng điện sẽ tăng rất nhanh. Cần lưu ý rằng việc phân tích không bị hạn
chế đối với V0 dương. Nếu V0 âm, các giao điểm của trục x và trục y sẽ
nằm ở phần âm của trục x và trục y và điểm làm việc sẽ nằm ở trên đoạn
phân cực ngược gần như không đổi của đường đặc tuyến diode, do đó
chứng tỏ rằng có dòng điện rất nhỏ không đáng kể chạy trong mạch trong
trường hợp này. Trong khi phương pháp đường tải yêu cầu phải am hiểu
sâu sắc đặc điểm chi tiết của mạch, nó trở nên rườm rà khi dùng để giải
các bài toán thông thường. Do đó, trong thực hành ta dùng mạch tương
đương đơn giản của đặc tuyến I – V của diode để giải. Trong giáo trình
này, ta dùng mạch tương đương được minh họa trong hình 3.18. Đối với
Vd < 0,6V, dòng qua diode bằng zero. Tại Vd = 0,6V, đường đặc tuyến
biến thành một đường thẳng dọc đứng. Mạch tương đương đơn giản này
giữ được hai đặc tính quan trọng của đường cong đặc tính thực: dòng
điện tăng rất nhanh tại Vd ≈ 0,6V và nếu không thì rất nhỏ. Mạch tương
đương đơn giản này cũng có thể được diễn tả như sau: diode sẽ không
cho phép dòng điện đi qua trừ phi nó được phân cực thuận ; khi phân cực
thuận, điện áp rơi trên diode bằng 0,6V.

Hình 3.18 Đơn giản hóa đường đặc tính I – V của diode

Hình 3.19 Đường tải vẽ trên đường đặc tính đơn giản I – V của diode
Để xem đồ thị này đơn giản hóa việc giải tích mạch như thế nào, ta trở
lại mạch điện của hình 3.16. Giả sử diode phân cực thuận, phương trình
(3.11) bây giờ thành

(3.14)

72
ở đây một cách gần đúng Vd = 0,6V. Vì ta biết V0 và RL , ta có thể tìm
được dòng điện I một cách trực tiếp mà không dùng phương pháp đồ thị
hay phương pháp số.
Một vài tranh luận bây giờ được đặt ra. Ta đã dùng giá trị xấp xỉ Vd =
0,6V đối với diode phân cực thuận. Hai giá trị xấp xỉ khác thường hay
gặp trong các giáo trình. Thứ nhất là dùng Vd = 0,7V đối với điện áp trên
diode. Vì điện áp diode thực tế phụ thuộc vào dòng điện, nên rất khó để
lập luận một cách thuyết phục đối với giá trị này, vì vậy về qui ước ta để
ý có sự khác biệt. Mặt khác, một số giáo trình còn dùng Vd = 0. Trong
khi điều này làm cho việc giải mạch dễ dàng hơn, tuy nhiên giá trị gần
đúng này đánh mất một thông tin quan trọng: một diode phân cực thuận
có điện áp rơi khác không. Không tìm hiểu điều này, một số giá trị đo
được trong phòng thí nghiệm sẽ trở nên rắc rối khi xử lý kết quả và các
mạch điện tử không có giá trị chính xác (ta sẽ xem vài ví dụ chứng minh
sau này)
Một vấn đề khác nằm trong điều giả thiết rằng diode đang được phân
cực thuận. Khi phân tích mạch điện, đầu tiên bằng cách nào ta biết được
diode có phân cực thuận hay không? Nếu nó không phân cực thuận, ta
làm gì? Để giải đáp các câu hỏi này, ta quay trở lại việc phân tích đường
tải. Hình 3.19 trình bày đường đặc tính đơn giản của diode được biểu
diễn cùng với đường tải. Từ đồ thị này ta thấy rằng để được phân cực
thuận (và do đó có một điểm làm việc trên đoạn thẳng đứng của đặc tính
diode), ta phải có V0 > 0,6V. Nếu điều này không thỏa, đường tải sẽ
vuông góc với đặc tính diode tại đó I = 0 và tạo điểm làm việc có Vd =
V0. Điều này tương thích với khái niệm của định luật mạch vòng điện áp:
nếu dòng điện trong mạch là zero, không có điện áp rơi trên điện trở vì
vậy điện áp trên diode phải bằng điện áp nguồn.
Một kỹ thuật khác được dùng để tránh sai lầm là kiểm tra câu trả lời cho
phù hợp. Giả sử ta có mạch điện được xác định với V0 = 0,4V.Từ đoạn
trên ta biết rằng điện áp này không đủ để phân cực thuận diode, nhưng
giả sử ta không biết điều này và tính gần đúng Vd = 0,6V. Ta tiến hành
như phần trên và áp dụng phương trình (3.14), nhưng khi thế V0 vào ta
có dòng điện âm. Vì điều này không thể được với điện áp nguồn dương,
và hơn nữa không phù hợp với giả thiết diode phân cực thuận, nên giả
thiết này không đúng.
3.2.2 Các ứng dụng đơn giản của diode
Để trình bày diode có tính năng đa dạng như thế nào, ta giới thiệu ở
đây một vài ứng dụng đơn giản. Ứng dụng đầu tiên được trình bày trong
hình 3.20, là một mạch giảm áp. Trước khi phân tích mạch, ta lưu ý phần

73
trình bày một ký hiệu mới của mạch điện, đó là ký hiệu nối mass hay đầu
chung (ground or common). Ký hiệu này được biểu diễn bằng đầu nối ở
chân tận cùng bên phải của điện trở. Đầu mass dùng như đầu chuẩn
chung cho tất cả các điện áp khác có liên quan trên một sơ đồ mạch (cần
nhớ rằng điện áp luôn đo giữa hai điểm). Do đó, ví dụ, V0 trong mạch
này là điện áp so với mass. Điều này có thể được cung cấp bằng nguồn
áp DC V0 được nối giữa mass và một đầu nối được đánh dấu V0 .
Bây giờ ta trở lại mạch giảm áp. Mạch này có thể được dùng trong
một mạch ở đó có sẵn một nguồn áp (ví dụ, nguồn pin 9V) và cần một
điện áp thấp hơn một chút. Mỗi diode trong một dãy nối tiếp làm giảm
điện áp một giá trị gần đúng 0,6V như được trình bày trong sơ đồ. Chú ý
là mạch này trở nên vô nghĩa nếu ta giả sử Vd = 0.

Hình 3.20 Mạch giảm áp

Một ví dụ kế tiếp là mạch giới hạn (limiter) hay mạch xén (clipper)
cho trong hình 3.21, mạch này được dùng để bảo đảm rằng điện áp ngõ
ra không bao giờ vượt qua một mức điện áp nào đó, do đó bảo vệ mạch
chống lại xung điện áp cao. Các diode chỉ đi vào hoạt động nếu chúng
được phân cực thuận; còn nếu không được phân cực thuận, không có
dòng điện đi qua nó và điện áp trên diode không bị giới hạn, tương tự
như diode không có mặt. Để phân cực thuận một diode, ta phải có trị số
điện áp ngõ vào lớn hơn 0,6V. Khi điều này xảy ra, một trong các diode
bắt đầu dẫn (tùy thuộc vào cực tính điện áp ngõ vào) và giữ cho điện áp
trên diode bằng 0,6V. Một mức điện áp giới hạn có thể thay đổi được có
thể được tạo ra bằng cách thêm một nguồn DC như trong hình 3.22. Bây
giờ khi diode dẫn, ngõ ra có điện áp ở mức giới hạn là Vb + 0,6.

Hình 3.21 Mạch xén diode

Hình 3.22 Mạch xén áp thay đổi

74
 Hình 3.23 Mạch ghim áp
Mạch ghim áp được trình bày trong hình 3.23 được dùng để dịch
chuyển tín hiệu điện áp AC bằng một điện áp không đổi. Nếu điện áp
ngõ vào nhỏ hơn - 0,6V, diode có thể dẫn điện và nạp điện cho tụ điện
một giá trị điện áp Vp – 0,6V, ở đây Vp là giá trị đỉnh của điện áp AC.
Một khi điều này xảy ra, tụ điện không thể phóng điện được vì nếu làm
thế dòng điện sẽ phải đi qua diode theo chiều không đúng. Do đó,từ thời
điểm này trở đi, tụ điện mang điện áp không đổi với cực tính như được
biểu diễn, vì vậy Vout = Vin + Vc . Do đó, điện áp ngõ ra được dịch
chuyển lên trên bằng một giá trị không đổi. Một ví dụ ngõ vào sóng sin
được trình bày trong hình 3.24. Sau cùng, để ý rằng sự dịch chuyển có
thể được thực hiện theo chiều âm bằng cách lật ngược diode để cho tụ
điện tích điện theo cực tính đảo ngược.
Diode còn được dùng để bảo vệ các công tắc trong các mạch cảm
kháng như trong hình 3.25. Khi công tắc đóng, dòng điện đi qua cuộn
cảm, chẳng hạn, cuộn dây của một động cơ điện. Diode không làm gì tại
thời điểm này vì nó phân cực ngược. Nếu công tắc mở ra, dòng điện
đang chạy phải dừng lại ngay lặp tức. Vì điện áp trên cuộn cảm là LdI /
dt, sự thay đổi tức thì ở dòng điện tạo ra một điện áp rất lớn, đủ để tạo ra
một tia lửa hồ quang trên công tắc đang mở. Nếu công tắc được dùng
thường xuyên, quá trình tạo hồ quang này sẽ làm hư công tắc. Để ngăn
ngừa điều này, một diode được mắc song song với cuộn cảm. Cực tính
của điện áp cảm ứng lớn này phân cực thuận diode và làm cho nó dẫn, do
đó nối tắt cuôn cảm và bảo vệ công tắc.
Diode còn được dùng để làm mạch logic. Một ví dụ được minh họa
trong hình 3.26 là một cổng AND để điều khiển một đèn kiểm tra cuộc
bỏ phiếu nhất trí. Mạch này có một công tắc mang một số nào đó (bất kỳ
số nào cũng khả thi) được nối tới nguồn 5V khi có một người bỏ phiếu
“yes” và công tắc này nối mass khi có người bỏ phiếu “no”. Đèn hiển thị
yếu cầu điện áp 3V mới phát sáng. Nếu một công tắc nào đó nối mass,
mạch điện được kín mạch làm diode nối với công tắc đó được phân cực
thuận. Điện áp rơi trên diode lúc đó là 0,6V, điện áp này không đủ làm
đèn phát sáng. Nếu tất cả mọi người đều bỏ phiếu “yes”, tất cả các công
tắc đều nối với nguồn 5V, vì vậy không có công tắc nào được phân cực
thuận, và điều này tương tự như các diode bị loại ra khỏi mạch. Bằng

75
cách chọn một giá trị R thích hợp, ta có thể làm cho đèn phát sáng trong
trường hợp này.

Hình 3.24 Ghim áp sóng sin

Hình 3.25 Mạch bảo vệ công tắc

Hình 3.26 Đèn hiển thị bỏ phiếu nhất trí

76
 Hình 3.27 Mạch chỉnh lưu bán kỳ
3.2.3 MẠCH CHỈNH LƯU
Một ứng dụng chính của diode là mạch chỉnh lưu, tức là tạo ra một tín
hiệu xoay chiều thành một chiều. Đây là bước khởi đầu tạo ra nguồn điện
áp DC và mạch này cũng được dùng trong máy thu thanh AM và trong
các mạch khác có ứng dụng tương tự.
Mạch giản đơn nhất là chỉnh lưu bán kỳ được trình bày trong hình 3.27.
Nếu ta đang tạo ra một nguồn điện DC, nguồn tín hiệu AC trong hình này
sẽ biểu diễn cuộn thứ cấp máy biến áp, trong đó một điện áp AC lấy tử ổ
cắm trên tường nối vào cuộn sơ cấp máy biến áp và biến đổi điện áp này
thành điện áp khác thỏa mãn yêu cầu sử dụng nguồn của thiết bị. Ngoại
trừ nguồn điện áp, mạch này tương tự như mạch được xét trước đây (so
sánh với hình 3.16), vì vậy việc phân tích cho mạch đó cũng được áp
dụng cho mạch này. Cần nhớ rằng dòng qua diode là zero cho tới khi
nguồn áp lớn hơn 0,6V, sau đó dòng điện sẽ là

(3.15)
Đối với nguồn điện áp Vin = Vp sinωt, lúc đó ta có đươc một dạng sóng
dòng điện giống như dạng sóng trong hình 3.28, với giá trị đỉnh gần bằng
Ip = (Vp – 0,6) / RL. Lưu ý rằng dòng điện chạy có một chiều, chống lại
sự thay đổi chiều của dòng điện khi không có diode. Do đó, dòng điện
(và điện áp trên điện trở tải) bây giờ có giá trị trung bình khác không.
Nếu ta nghĩ đến mục tiêu tạo ra một nguồn điện áp không đổi, đây là một
bước đi đúng hướng. Dĩ nhiên, dạng sóng vẫn còn không bằng phẳng và
lệch xa điện áp không đổi mong muốn của một bộ nguồn, nhưng ta sẽ
biết cách sửa điều này trong phần sau.
Mạch chỉnh lưu bán kỳ rất đơn giản (chỉ dùng một diode), nhưng không
có hiệu quả. Thực ra ta bỏ đi một nửa điện áp AC và chỉ sử dụng một
phần phân cực thuận diode. Dạng sóng có được cũng không bằng phẳng ,
và điều này cũng khó làm cho san phẳng. Một nỗ lực để giải quyết vấn đề
này là mạch chỉnh lưu toàn kỳ với biến thế có điểm giữa trong hình 3.29.
Mạch này dùng hai diode và một biến thế đặc biệt. Biến thế này có thêm
một dây ra ở chính giữa cuộn dây thứ cấp mà ta gọi là điểm giữa (center
tap) và người dùng tùy nghi sử dụng hai bộ dây quấn như nhau của cuộn
dây thứ cấp.

77
 Dạng sóng có được của mạch chỉnh lưu toàn kỳ với biến thế có điểm
giữa được trình bày trong hình 3.30. Ta biểu diễn điện áp đối với mỗi
nửa của cuộn thứ cấp so với điểm giữa nối mass. Để ý rằng hai điện áp
này lệch pha 1800; điện áp cảm ứng trên mổi nửa cuộn dây đều như nhau,
nhưng ta nối hai đầu dây khác của hai nửa cuộn thứ (đầu đầu và đầu cuối
của mỗi cuộn) xuống mass, do đó tạo ra sự đảo pha.

Hình 3.28 Dạng sóng mạch chỉnh lưu bán kỳ

Hình 3.29 Mạch chỉnh lưu toàn kỳ với biến thế có điểm giữa
Tương tự để có sự so sánh đều nhau với mỗi bán kỳ, ta giả sử tín hiệu
từ mỗi nửa cuộn thứ có biên độ đỉnh là Vp / 2 vì chỉ dùng có phân nủa
cuộn thứ. Thực chất mạch này có thể xem như mạch chỉnh lưu hai bán
kỳ. Khi V1 dương, dòng điện I1 đi qua diode phía trên, qua điện trở tải RL
rồi trở về qua điểm giữa. Ở bán kỳ kế tiếp của tín hiệu AC, dòng điện I2
đi qua diode phía dưới, qua điện trở tải RL rồi trở về điểm giữa. Một đặc
điểm chính là dòng điện tải bây giờ có dòng điện đi qua nó ở cả hai bán
kỳ của tín hiệu AC và dòng điện luôn di chuyển một chiều như nhau. Tuy
nhiên, để có được một dòng điện bớt gợn sóng hơn qua điện trở tải, chi
phí giá thành sẽ cao: giá trị đỉnh của dòng điện bây giờ là Ip = (0,5Vp –
0,6) / RL vì ta đang dùng chỉ có một nửa cuộn dây máy biến áp tại mỗi
thời điểm. Do đó, ta chưa thực sự khắc phục bài toán hiệu suất.

78
Hình 3.30 Dạng sóng mạch chỉnh lưu toàn kỳ với biến thế có điểm giữa

Mạch chỉnh lưu cuối cùng là dùng 4 diode trong sơ đồ chỉnh lưu cầu
toàn kỳ được trình bày trong hình 3.31. Không cần đầu dây ra ở giữa
trong cuộn thứ máy biến áp, vì vậy nguồn áp một lần nữa có giá trị đỉnh
Vp như được trình bày trong đồ thị dạng sóng của hình 3.32. Khi nguồn
áp trở nên dương (và yêu cầu phải lớn hơn 1,2V để làm cho hai diode
dẫn, dòng điện I1 đi qua một diode bên phải phía trên, đi xuống qua điện
trở tải, rồi trở về máy biến áp qua diode bên trái phía dưới. Khi điện áp
nguồn trở nên âm (và do đó, điểm đầu cuối cuộn thứ máy biến áp dương
so với điểm đầu đầu), dòng điện đi qua diode bên phải phía dưới, đi
xuống qua điện trở tải, và rồi trở về điểm đầu đầu của cuộn thứ máy biến
áp qua diode bên trái phía trên. Bây giờ dòng điện đi qua diode trong mỗi
bán kỳ và toàn bộ cuộn thứ máy biến áp được sử dụng. Nhược điểm duy
nhất là ta cần phải có bốn diode (điều này không thành vấn đề vì diode
Silicon rất rẻ) rồi ta phải mất đi 1,2V điện áp rơi trên hai diode thay vì
một con. Do đó, giá trị đỉnh của dòng điện tải là Ip = (Vp – 1,2) / RL. Đối

79
với phần lớn mạch điện, đây là một sự cân bằng hợp lý để có hiệu suất
tăng và đạt được dòng điện biến thiên giảm, vì vậy mạch chỉnh lưu này
trở nên phổ biến nhất, và ta có thể đặt mua mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ
dưới dạng một linh kiện như IC có bốn chân thay vì phải mua bốn diode
riêng rẽ để ráp thành mạch.

3.2.4 MẠCH LỌC NGUỒN

Trong khi các dạng sóng chỉnh lưu có giá trị điện áp trung bình khác
không, chúng vẫn còn biến thiên theo thời gian. Nếu ta muốn cho nguồn
điện áp không đổi, ta cần phải làm một công việc như sau. Bước kế tiếp
cần tiến hành là phải san bằng các biên độ gợn sóng trong tín hiệu chỉnh
lưu bằng cách dùng một mạch lọc. Ta có thể xem như một tín hiệu chỉnh
lưu bao gồm hai phần: một thành phần DC, tương ứng với giá trị trung
bình của tín hiệu, và một thành phần AC, tương ứng với phần còn lại
biến thiên theo thời gian sau khi ta đã trừ đi thành phần DC. Lúc đó mục
tiêu cần phải đạt được là làm suy giảm thành phần AC. Tới đây sử dụng
khai triển chuỗi số Fourier trở nên có ích : thành phần DC sẽ là phần tử
của tín hiệu có tần số bằng zero và thành phần AC sẽ tạo thành tổng các
sóng hài biên độ khác nhau có tần số là bội số của 2π / T , ở đây T là chu
kỳ của tín hiệu. Lúc đó ta muốn lọc bỏ các sóng hài tần số cao trong khi
giữ lại tín hiệu tần số thấp (tức là tần số bằng zero) đi qua, Điều này dẫn
dắt ta xem xét các loại mạch lọc thấp qua khác nhau.
Mạch lọc giản đơn nhất bao gồm một tụ điện được lắp đặt song song
với ngõ ra mạch chinh lưu. Mạch lọc này dùng cho mạch chỉnh lưu toàn
kỳ được minh họa trong hình 3.33. Khi ngõ ra mạch chỉnh lưu trở nên
dương, tụ điện bắt đầu tích điện và cuối cùng đạt tới giá trị đỉnh của tín
hiệu chỉnh lưu. Khi ngõ ra mạch chỉnh lưu giảm biên độ từ giá trị đỉnh, tụ
điện không thể giảm biên độ theo vì điều này có liên quan đến sự phóng
điện qua diode; sự giảm biên độ của tụ không thể xảy ra vì hướng đi một
chiều của diode. Tuy vậy, tụ điện vẫn có thể phóng điện qua điện trở tải
RL, và trị số thời gian cho quá trình này được xác định bằng thời hằng
RLC. Nếu ta làm cho thời hằng này khá lớn so với chu kỳ của tín hiệu
chỉnh lưu, sẽ có một sự thay đổi rất ít ở điện áp trên tụ trước khi nó được
tích điện trở lại bằng chu kỳ kế tiếp của ngõ ra mạch chỉnh lưu. Điều này
được minh họa trong hình 3.34. Để ý rằng điện áp trên tụ (hay trên tải)
bây giờ ít gợn sóng hơn và gần như không đổi.

Hình 3.31Mạch chỉnh lưu

cầu toàn kỳ

80
Hình 3.32 Dạng sóng mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ

Hình 3.33 Mạch lọc đơn giản dùng tụ điện

Load voltage with capacitor: Điện áp tải có tụ (Đường đứt đoạn)

Load voltage without capacitor: Điện áp tải không tụ (Đường liền)
Hình 3.34 Dạng sóng mạch lọc đơn giản dùng tụ
Khi đánh giá chất lượng của mạch lọc bộ nguồn, ta thường khảo sát
hệ số gợn sóng r , được định nghĩa là tỉ số giữa giá trị rms của thành phần
AC trong tín hiệu được lọc và giá trị DC hay trung bình của tín hiệu này:

(3.16)
81
Đối với mạch lọc dùng tụ, ta chứng minh rằng với RLC >> T, hệ số gợn
sóng được tính bởi

(3.17)
ở đây f là tần số của tín hiệu chỉnh lưu. Xem xét công thức này, ta thấy
rằng r giảm khi C, RL và f tăng. Điều này rất hợp lý vì khi tăng một trong
ba thông số này làm suy giảm mức độ xả điện của tụ, tức là tụ giữ điện
lâu hơn. Ta cũng chứng minh rằng, trong điều kiện này, thành phần DC
của tín hiệu chỉnh lưu được tính bởi:

(3.18)
ở đây Vp là giá trị đỉnh của tín hiệu chỉnh lưu, và trong đẳng thức cuối, ta
đã dùng cách tính gần đúng IDC ≈ Vp / RL .
Kết quả cuối cùng này rút ra được một điểm cần chú ý tới một hệ số
khác khi đánh giá chất lượng của nguồn áp, đó là hệ số ổn áp. Một nguồn
áp lý tưởng sẽ cung cấp một điện áp không đổi bất chấp dòng điện
nguồn. Như phần cuối của phương trình (3.18) trình bày, đây không phải
là trường hợp đối với mạch lọc dùng tụ: ở đây VDC giảm tuyến tính theo
IDC, mặc dù tính chất không lý tưởng này cải thiện mạch lọc khi tăng f và
C. Ta nói rằng nguồn áp này ổn áp kém vì điện áp ngõ ra phụ thuộc vào
dòng điện ngõ ra.
Như ta sẽ thấy trong phần kế tiếp, không phải hệ số gợn sóng cũng
không phải hệ số ổn áp là một bài toán lớn trong giai đoạn này vì các
mạch ổn áp bán dẫn đều có sẵn và dễ sử dụng trên thị trường.
Trước khi tiếp tục, hai ví dụ mạch lọc nguồn sau đáng chú ý, mỗi mạch
có một số tính chất cần phải biết. Những mạch này được minh họa trong
hình 3.35 và hình 3.36 và các biểu thức tính toán điện áp DC và hệ số
gợn sóng được trình bày trong bảng 3.1 (những công thức gần đúng này
tất cả đều được suy ra từ giả thiết rằng hệ số gợn sóng nhỏ hay không
đáng kể, tức là điều kiện mong muốn của mạch lọc). Điểm cần chú ý là
cả hai mạch lọc hình π và hình L đều có hệ số gợn sóng tỉ lệ với 1/f2 , vì
vậy những dạng mạch này trở thành ưu điểm khi tín hiệu chỉnh lưu có tần
số cao (ví dụ, máy phát điện chạy bằng xăng). Cũng cần chú ý là mạch
lọc hình L có tính chất ổn áp rất tốt : điện áp DC không phụ thuộc vào
dòng điện DC.
3.2.5 DIODE ZENER
Mặc dù mạch lọc hình L có tính chất ổn áp lý tưởng trong lý thuyết
(tức là, VDC không phụ thuộc IDC), tuy nhiên trong thực tế cuộn cảm có
một giá trị điện trở nào đó và điều này làm cho tính chất ổn áp giảm
xuống. Trong thực hành, ta dùng một mạch đặc biệt ở ngõ ra của mạch
lọc nguồn để cải thiện tính chất ổn áp. Có những mạch khác nhau có thể

82
dùng được trong nỗ lực này, nhưng có một mạch đơn giản nhất liên quan
đến một loại diode đặc biệt gọi là diode Zener.

Bảng 3.1 Tóm tắt đặc tính mạch lọc nguồn

Hình 3.35 Mạch lọc hình π

Hình 3.36 Mạch lọc hình L

Nhớ rằng một diode khi phân cực ngược vừa đủ sẽ chịu sự đánh
thủng. Khi điều này xảy ra, dòng điện ngược đi qua diode tăng lên rất
nhanh trong khi đó điện áp trên diode gần như không đổi. Điều này gợi
nhớ lại mục tiêu để có một bộ nguồn ổn áp chất lượng cao: điện áp ổn áp
không thay đổi theo dòng điện. Thật vậy, tính chất này có ích đến nỗi các
diode đặc biệt được sản xuất có đường đặc tính I – V dốc đứng tại thời
điểm đánh thủng. Ký hiệu đối với diode Zener này được biểu diễn trong
hình 3.37. Những diode như thế được đặc trưng bằng điện áp đánh thủng
Vb và công suất tiêu tán cực đại Pmax = Vb Imax .

Hình 3.37 Ký hiệu diode Zener

Xét một mạch diode Zener tiêu biểu trong hình 3.38. Điện áp Vs và
điện trở Rs có thể được xem như biểu diễn một mạch tương đương
Thevenin đối với ngõ ra của một mạch lọc. Với mạch này ta gắn thêm
83
một mạch ghép song song gồm một diode Zener và một điện trở tải. Lưu
ý rằng diode được lắp đặt có chiều ngược: nếu đây là diode thường, nó sẽ
không hề dẫn điện vì cực tính của Vs sẽ không cho phép dòng điện đi
theo chiều tam giác ngược của diode như trên. Tuy nhiên, trong trường
hợp này, ta quan tâm đến việc làm cho diode hoạt động trong miền đánh
thủng, do đó chiều ngược của diode trở nên thích hợp.

Hình 3.38 Mạch điện diode Zener

Áp dụng những định luật mạch điện vào mạch này, ta có:
Vs – Is Rs – Vd = 0 , Is = IZ + IL , và Vd = IL RL , ở đây Vd là điện áp trên
diode và IZ là dòng điện qua diode. Kết hợp những phương trình này, ta
được:

(3.19)
Phương trình này sau vài phép biến đổi có thể đúc kết dưới dạng sau:

(3.20)
Vì IZ là một hàm theo Vd có dạng phức tạp, một lần nữa ta trở lại phân
tích đường tải bằng đồ thị. Đường thẳng có được từ phương trình (3.20)
được vẽ cùng với đường đặc tính I – V của diode trên cùng một hệ trục
tọa độ trong hình 3.39. Vì ta có ý định dùng diode Zener ở chiều phân
cực ngược, ta đã đảo ngược đường đặc tính I – V của diode thường trong
hệ trục này, tức là đường đặc tính ngược của diode được khảo sát ở góc
phần tư thứ I thay vì góc phần tư III.

Hình 3.39 Phân tích đường tải mạch diode Zener

Liên hệ hình 3.38 và 3.39, ta có thể rút ra một số kết luận sau:
1 Để Zener làm việc ở miền đánh thủng (tức là để điểm làm việc được
xác định trên đoạn đánh thủng của đường đặc tính I – V), ta phải có

84
 (3.21)
ở đây Vb là điện áp đánh thủng
2 Các điểm sau đây cần dùng trong khi Zener ở miền đánh thủng.
(a) Luôn luôn ta có IS = IZ + IL . Khi ở miền đánh thủng, ta lại có dòng
IS = (VS – Vb) / RS , vì vậy nếu VS có giá trị cố định, IS cũng vậy.
Do đó, nếu ta thay đổi giá trị điện trở tải RL ( và như thế IL cũng
thay đổi), IZ phải thay đổi theo chiều ngược lại. Nói cách khác, nếu
IL tăng, IZ sẽ giảm, và ngược lại.
(b) Để điều khiển bất kỳ trường hợp nào (kể cả RL → ∞), diode Zener
sẽ có giá trị định mức đủ lớn để điều khiển tất cả trị số dòng IS .
(c) Nếu điện áp VS thay đổi, điện áp trên tải vẫn giữ không đổi ở giá
trị Vb . Đây là điều ta mong muốn đối với nguồn áp DC. Dòng
điện tải IL = Vb / RL cũng giữ giá trị cố định. Bất kỳ các giá trị
thay đổi nào ở VS đều được dùng để làm thay đổi các dòng điện IS
và IZ
3 Nếu diode Zener đang được phân cực ngược nhưng không ở miền đánh
thủng (tức là nếu phương trình (3.21) không được thỏa), điểm làm việc sẽ
có dòng IZ ≈ 0 và ta tính được

(3.22)
Đây là phương trình mạch phân áp. Do đó, trong trường hợp này mạch
hoạt động dường như không có mặt Zener.
4 Nếu Zener được phân cực thuận, nó hoạt động như một diode thường.
5 Trong khi đoạn đánh thủng của đường đặc tính I – V được vẽ trong
hình 3.39 là một đường thẳng đứng (tức là độ dốc là vô cùng), thực ra nó
có một giá trị độ dốc hữu hạn nào đó. Điều này được xác định bằng cách
tính nghịch đảo độ dốc là ΔVd / ΔIZ . Trị số nghịch đảo này được gọi là
điện trở động và có giá trị 1 đối với Zener.
Diode Zener còn có những ứng dụng khác ngoài ứng dụng làm nguồn
ổn áp. Hai ví dụ được cho trong hình 3.40 và 3.41. Mạch giới hạn dùng
Zener , giống như mạch giới hạn và mạch xén ta đã học trước đây, xác
định các giá trị giới hạn ở điện áp ngõ ra. Hai diode Zener được mắc nối
tiếp thành một nhánh, nhánh này sau đó mắc song song với ngõ ra với
chiều diode phân cực ngược như trong hình 3.40. Khi điện áp ngõ vào trở
nên dương và lớn hơn Vb + 0,6, các diode dẫn điện, với diode trên cùng
phân cực thuận (và do đó sụt áp là 0,6V) và diode dưới cùng phân cực
ngược và ở miền đánh thủng. Nếu điện áp ngõ vào tăng, ngõ ra vẫn giữ
nguyên trị số Vb + 0,6 . Tương tự, nếu ngõ vào trở nên âm và có giá trị
âm hơn – (Vb + 0,6), diode dưới cùng phân cực thuận với sụt áp 0,6V và

85
diode trên cùng phân cực ngược với sụt áp Vb . Do đó, ngõ ra không bao
giờ nhỏ hơn – (Vb + 0,6) hay về giá trị tuyệt đối lớn hơn Vb + 0,6.
Hình 3.41 trình bày Zener dùng làm mạch hiển thị điện áp đơn giản.
Mạch này dùng các diode Zener có các điện áp đánh thủng khác nhau, và
các diode trong mạch được đánh dấu bằng các điện áp đánh thủng tương
ứng của chúng. Khi điện áp ngõ vào tăng, cuối cùng ta đạt tới một thời
điểm ở đó Zener ở tận cùng bên trái có thể được đánh thủng, dòng điện
tạo ra làm cho bóng đèn đầu tiên sáng. Tại một điện áp ngõ vào cao hơn,
Zener kế tiếp cũng đánh thủng và đèn của nó cũng sáng,v.v. Do đó, điện
áp ngõ vào càng cao, càng có nhiều đèn hiện thị sáng. Loại hiển thị này
thường được thấy trong hệ thống âm thanh stereo và trong điện thoại di
động như vạch hiển thị cường độ sóng thu.

Hình 3.40 Mạch hạn áp

Hình 3.41 Mạch hiển thị áp DC dùng Zener

3.2.6 LINH KIỆN ỔN ÁP
Trong khi một diode Zener được dùng làm mạch ổn áp đơn giản và rẻ
tiền, điện trở động khác không của nó có ý nghĩa rằng điện áp ngõ ra thay
đổi rất ít theo dòng điện ngõ ra. Đối với những ứng dụng đáp ứng nhu
cầu nhiều hơn, ta dùng linh kiện ổn áp phức tạp hơn. Trong khi ta chưa
sẵn sàng tìm hiểu hoạt động bên trong của những linh kiện này, ta có thể
tìm hiểu cách sử dụng chúng để hoàn thành thiết kế bộ nguồn DC. Một
mẫu ví dụ nhỏ của mạch ổn áp tiêu biểu được cho trong bảng 3.2.

86
Bảng 3.2 Mẫu ví dụ về linh kiện ổn áp cố định (fixed) và điều chỉnh
(adjustable). Các giá trị đối với dòng ngõ ra Iout và công suất cực đại
(Pmax) là đặc trưng không đổi. Các giá trị khác phụ thuộc vào điều kiện
tản nhiệt và nhiệt độ môi trường.
Linh kiện ổn áp được đặc trưng bằng điện áp ngõ ra (hay trong
trường hợp, loại điều chỉnh, phạm vi áp ngõ ra được cung cấp) và công
suất định mức Pmax = Vdrop Iout , ở đây Vdrop là hiệu số điện áp lớn nhất
giữa ngõ ra và ngõ vào, và Iout là dòng điện ngõ ra. Chúng thường được
đóng thành gói có ba chân, và một mạch tiêu biểu đối với một linh kiện
ổn áp ngõ ra cố định được trình bày trong hình 3.42. Điện áp ngõ vào
thông thường lấy từ ngõ ra của mạch lọc nguồn. Để linh kiện ổn áp làm
việc hiệu quả, điện áp ngõ vào phải luôn luôn trên điện áp ngõ ra một
mức tiêu biểu nào đó (thông thường là 3V). Mặt khác, ta không muốn
điện áp ngõ vào trên ngõ ra quá cao vì điều này sẽ tạo ra sụt áp lớn Vdrop
và do đó cần đến một công suất định mức lớn (và chi phí giá thành tăng).
Các tụ điện ở ngõ vào và ngõ ra của linh kiện ổn áp được xác định bởi
nhà sản xuất để loại bỏ nhiễu sóng cao tần và cung cấp tính ổn định của
linh kiện ổn áp.

Hình 3.42 Ví dụ về
linh kiện ổn áp cố định
(Vin từ mạch lọc)

Linh kiện ổn áp có điện áp ngõ ra thay đổi được cũng có sẵn trên thị
trường, và một linh kiện tiêu biểu cho loại này được trình bày trong hình
3.43. Điện trở thay đổi R2 cung cấp việc điều chỉnh và ngõ ra kết quả
đươc cho bởi công thức Vout = 1,25(1 + R2 / R1). Những qui luật giống
như những qui luật cho linh kiện ổn áp cố định đều dùng được ở đây, vì
vậy điện áp ngõ ra lớn nhất dưới điện áp ngõ vào nhỏ nhất khoảng 3V.
Vì ngõ ra có thể thay đổi được, sụt áp Vdrop cũng thay đổi, vì vậy ta phải
cẩn thận chọn công suất định mức vừa đủ cho trường hợp sụt áp tệ nhất.

Hình 3.43 Ví dụ về linh kiện ổn áp điều chỉnh được

3.2.7 CHỈNH LƯU CÓ ĐIỀU KHIỂN
Linh kiện bán dẫn Silicon chỉnh lưu có điều khiển hay SCR (Silicon
controlled rectifier) là một diode có thể được điều khiển. Linh kiện này
87
được ký hiệu trong hình 3.44. Chức năng điều khiển được cung cấp bằng
chân thứ ba tên gọi là cực cổng hay cực khiển (gate).

Hình 3.44 Ký hiệu SCR

Cũng giống như phần lớn các linh kiện điện tử khác, tính chất của
SCR có thể được thể hiện trên đường đặc tính I – V của nó, nhưng bây
giờ vì có một chân thứ ba độc lập, nên có vô số đường đặc tính I – V,
mỗi một đường đặc tính ứng với một giá trị dòng cực cổng. Trong các
trường hợp như thế, ta quen biểu diễn một họ các đường cong ứng với
các giá trị hiện thị của dòng điều khiển trên cùng một đồ thị. Hình 3.45
biểu diễn một họ đường cong đặc tính của SCR. Dòng điều khiển tương
ứng là dòng cực cổng Ig đi vào cực cổng.

Hình 3.45 Họ đặc tính I – V của SCR

SCR có thể được xem như có một trạng thái “on” và một trạng thái
“off”. Linh kiện này bình thường ở trạng thái off. Khi điện áp đặt trên
diode là Vd tăng lên, diode vẫn còn ngắt (không có dòng điện đi qua) cho
tới khi tiến tới gần một điện áp tới hạn nào đó Vcrit nào đó (critical
voltage). Lúc đó dòng điện tăng lên từ từ cho tới khi điện áp tới hạn đạt
được, tại thời điểm này diode chuyển sang trạng thái on. Bây giờ nó làm
việc giống như một diode bình thường, với dòng điện thuận lớn và sụt áp
thuận nhỏ. SCR vẫn còn ở trạng thái on này (bất chấp giá trị dòng điện
cực cổng) cho tới khi có một tác nhân nào đó làm cho dòng diode giảm
xuống dưới mức dòng điện tới hạn, I crit . Lúc đó nó sẽ trở về trạng thái
off. Trong thực tế, dòng cực cổng xác định giá trị của điện áp Vcrit , và
giá trị điện áp này giảm khi dòng cực cổng tăng, như được minh họa
trong hình 3.45. Giá trị của dòng cực cổng cần thiết để làm cho SCR on
thông thường nhỏ hơn nhiều dòng lớn nhất được phép qua diode đang ở
trạng thái on, vì vậy SCR cho phép người dùng điều khiển một mạch
công suất lớn bằng một mạch công suất thấp.
SCR có thể được dùng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Hình 3.46
trình bày ứng dụng của nó là một công tắc điện trong một hệ thống từ
trường cao điều chỉnh xung. Một dãy các tụ điện được tích điện tới điện
áp cao. SCR trong mạch này được chọn sao cho điện áp cao phải nhỏ
hơn điện áp Vcrit0. Điều này ngăn cho dòng điện không đi qua cuộn dây

88
kích từ trong khi dòng cực cổng bằng zero. Khi người dùng sẵn sàng,
một xung dòng điện được đưa vào cực cổng đủ để làm giảm điện áp tới
hạn dưới điện áp trên SCR. Do đó, SCR chuyển sang trạng thái on và tụ
điện phóng điện qua cuộn kích từ, tạo ra từ trường mong muốn. Nếu điện
trở R đủ lớn, dòng điện qua SCR cuối cùng giảm dưới dòng Icrit và SCR
sẽ ở trạng thái off.

From high voltage power supply: từ nguồn cao áp

Magnetic field coil: cuộn dây kích từ
Gate input: ngõ vào cực cổng
Hình 3.46 Dùng SCR như một công tắc điều khiển dãy tụ điện
Một ứng dụng thứ hai của SCR được trình bày trong hình 3.47 ở đây
ta giới thiệu một mạch đơn giản điều chỉnh tốc độ động cơ DC. Tốc độ
của động cơ DC phụ thuộc vào dòng trung bình trong mạch. Ở đây một
xung được đưa vào cực cổng tại một thời điểm có thể điều chỉnh được.
Khi có một xung được đưa vào, SCR on và chỉnh lưu điện áp ngõ vào
sóng sin. Xung đưa vào càng sớm, dòng trung bình càng lớn, và tốc độ
động cơ càng cao. Khi dòng chỉnh lưu tiến tới zero, SCR ngắt và chờ
xung kích cực cổng kế tiếp. Vài dạng sóng đại diện được minh họa trong
hình 3.48. Mạch điện này có thể được dùng để điều khiển bất kỳ một tải
nào phụ thuộc vào dòng trung bình trong mạch.

Hình 3.47 Mạch điều chỉnh tốc độ động cơ DC

Mạch điều chỉnh tốc độ động cơ DC yêu cầu thêm một mạch tạo ra xung
kích cực cổng. Một ví dụ kế tiếp (xem hình 3.49) trình bày SCR có thể
được điều chỉnh như thế nào mà không cần đến một mạch bên ngoài
phức tạp. Một mạch RC điều chỉnh được được dùng để điều khiển biên
độ và góc pha của điện áp được đưa vào mối nối GK (cực cổng –
cathode) của SCR. Có một diode được nối vào cực cổng dùng để bảo vệ
cực cổng SCR không bị phân cực ngược.

89
Từ phân tích bên trên về mạch RC được cung cấp bằng một sóng sin có
dạng Vpsinωt, ta biết được điện áp trên tụ là

(3.23)

ở đây (3.24)

Hình 3.48 Đồ thị dạng sóng điều chỉnh tốc độ động cơ DC. Để so sánh,
đường đứt đoạn đối với dòng IL biểu diễn dạng sóng đối với một diode
thường.
Hình 3.49 Điều khiển thời điểm
kích SCR bằng mạch RC

Khi R được điều chỉnh tới giá trị nhỏ nhất (R≈0), biên độ điện áp trên
tụ là lớn nhất và góc pha của điện áp này so với góc pha điện áp trên
SCR gần bằng zero. Do đó, SCR on ngay khi điện áp trên SCR trở nên
dương, và tải RL nhận được dòng trung bình lớn nhất. Điều này được
minh họa trong hình 3.50, ở đó ta giả sử một giá trị điện áp cực cổng VSW
cần để làm cho SCR on. Khi R được điều chỉnh tới giá trị lớn nhất, biên

90
độ điện áp trên tụ giảm xuống và ɸ ≈ 0, vì vậy góc pha của điện áp này bị
dịch chuyển một khoảng –π/2. Kết hợp biên độ giảm và dịch chuyển góc
pha tăng làm trễ thời điểm kích SCR một nửa chu kỳ, và tại thời điểm
này điện áp trên SCR trở nên âm, vì vậy SCR không bao giờ on. Những
giá trị trung gian của R tạo ra các thời điểm trung gian để kích SCR on và
một trong các thời điểm này được trình bày trong hình 3.50.Do đó, bằng
cách điều chỉnh R ta có thể điều chỉnh dòng trung bình qua tải từ giá trị
lớn nhất tới zero.

Hình 3.50 Các dạng sóng tiêu biểu đối với mạch điện hình 3.49. Đường
cong đứt đoạn trình bày trường hợp R≈0 và đường liền trình bày một giá
trị trung gian của R.

91
BÀI TẬP
1 Vẽ sơ đồ dạng dải năng lượng đối với một mối nối p-n trong các điều
kiện sau: không phân cực, phân cực ngược, và phân cực thuận. Trong
mỗi điều kiện, hãy chỉ ra chiều của dòng điện tổng.
2 Vẽ các sơ đồ dạng sóng ngõ ra theo yêu cầu khi một sóng sine 5Vp ,
100Hz được đưa vào mỗi mạch trong các mạch của hình 3.51. Xác định
các mức điện áp và trị số thời gian quan trọng. Chú ý ngõ vào ở bên trái
và ngõ ra ở bên phải.

Hình 3.51 Mạch điện của các bài tập 2 và 3

3 Vẽ các sơ đồ dạng sóng ngõ ra theo yêu cầu khi một sóng vuông 20Vpp,
1000Hz được đưa vào mỗi mạch trong các mạch của hình 3.51. Xác định
các mức điện áp và trị số thời gian quan trọng. Chú ý ngõ vào ở bên trái
và ngõ ra ở bên phải.
92
 4 Xác định các giá trị cần thiết của các thành phần (R, C1 và C2, và Vp
đối với ngõ ra máy biến áp) trong mạch hình 3.52, theo các yêu cầu sau
điện áp tải là 15V, hệ số gợn sóng ≤ 0,01% và dòng điện tải là 100mA.

From line: từ nguồn điện lưới (220V, 50Hz)

Hình 3.52 Mạch điện của bài tập 4

5 (a) Trong mạch điện của hình 3.53, điều gì sẽ xảy ra nếu điện trở tải bị
ngắn mạch? (b) Điều gì sẽ xảy ra nếu điện trở tải bị cắt ra khỏi mạch?
Yêu cầu trả lời bằng tính toán. Gợi ý: liên hệ công suất định mức.

Hình 3.53 Mạch điện của bài tập 5

6 (a) Trong mạch ổn áp dùng diode Zener trong hình 3.54, xác định
phạm vi điện trở tải trong đó mạch điện có điện áp ngõ ra không đổi nếu
RS = 1500Ω và VS = 150V. Giả sử điện áp đánh thủng của diode là 100V
và dòng định mức lớn nhất là 100mA. (b) Nếu RL cố định ở giá trị 10KΩ,
phạm vi điện áp ngõ vào bằng bao nhiêu để mạch còn ổn áp?
Hình 3.54 Mạch điện của
các bài tập 6 và 7.

7 Cho VS = 30V, RS = 300Ω, và điện áp đánh thủng của Zener là 15V

trong mạch điện được trình bày trong hình 3.54. Giả sử ta thay đổi điện
trở tải RL để làm thay đổi dòng điện qua RL (dòng điện tải). Vẽ đồ thị
điện áp ngõ ra của mạch ổn áp như hàm số của dòng điện tải biến thiên từ
0 đến 75mA. Mạch còn tác dụng ổn áp trên phạm vi dòng tải bằng bao
nhiêu?
8 Thiết kế một nguồn áp thay đổi có khả năng cung cấp dòng điện
250mA với điện áp ngõ ra thay đổi từ 5V tới 15V. Xác định các chi tiết

93
có liên quan (ví dụ, giá trị, số hiệu, công suất định mức) đối với tất cả các
linh kiện được dùng trong mạch.

94