Principios de Metalurgia Fisica 61060okey Fisica aés.b17 aD ej 2 Por ROBERT E. REED-HILL Profesor de la Universidad de Florida an Py; bint on. me A4.600 COMPARIA EDITORIAL CONTINENTAL, S. A. ‘MEXICO — ESPANA — ARGENTINA ~ CHILE. SUCURSALES, DEPOSITOS Y REPRESENTACIONES EN: : ‘ livia ~ Brasil ~ Colombia ~ Conte ica — ‘Dominleans. - Teuador ~ FL Salvador Fe erat cua ~ Nomducen ~ Nicaragua ~ Pansn ~ Paraguay ~ Per ; rtagal ~ Puerta ‘Rico ~ Uruguay ~ Venerocla \‘Titulo orginal en inglés PHYSICAL METALLURGY PRINCIPLES ‘Traduotor, ING. ANTONIO GALAN PALINO Metalurgid Miembro dea American Soi Ye angdean Foundeymens See MOA Palen sutorizadi por: D. VAN NOSTRAND COMPANY, INC. ~ Princeton, New Jerse © by D, Yan Nostrand Company, Inc. ie Primera edicién en espaiiol: febrero de 1967 Segunda impresién en espaiiol: i abel de 1971 Derechos Reservados @ en Lengua Espaiiola-1967, Primera Publicacién: COMPARIA EDITORIAL CONTINENT, "AL, 8. Catzapa pe Tuauean Nom. 4620, Mexico 92, DF. MIRENO DE LA CAMARA NACIONAL FGA SIONAL DE LA INDUSTHIA 2 ‘Registro Nim, 43 am Av. RePniica “AncrnTINa Nw. . 168, BARCELONA 6, F: Enns Rios NOM, 1256, Busnos Antrs, AncENINA. ie MUNATECUI NUM. 458, SANTIAGO DE CHILE, Came | PREFACIO En aitos recientes, los libros de texto preliminares sobre metalur- gia fisiea han intentado lograr tres metas: explicar los fenémenos metakirgicos basicos, identificar las composiciones y prapiedades de las aleaciones comerciales, y ensefiar los principios de fabricacién de los metales, Debido a que las tres fases se cubren general ‘mente en un simple curso de uno a dos semestres, ninguno de ellos. recibe un tratamiento adecuado. Se presenta la pregunta natural so- bre cual de las tres es de ordinario més importante para el estudian- te de ingenierfa, A este respecto, debe indicarse que Ia: fabricacién del metal y Jas propiedades de las aleaciones son campos que son hechos precisos caracteristicos en su naturaleza. Aunque pueden pro- Sentarse poderosos argumentos para incluir estas areas de estudio, debe admitirse que el iempo empleado en aprender un gran numero de hechos aparentemente no relacionados se desperdicia con fre- cuencia, La informacién de esta especie se olvida con facilidad y, Jo que es mas, las aleaciones y métodos actuales no son necesaria- mente los de mafiana, Por otra parte, el acercamiento teérico a Ia metalurgia fisica esté basado en la creencia de que las propiedades de los metales y aleaciones estén determinadas por simples leyes fisi- cas, y que no es necesario considerar cada aleacién como una entidad por separado. Los avances recientes en la fisica y quimica de los metales han tenido gran influencia para encontrar las"interrelacio- nes necesarias. Este libro ha sido proyectado para que sea utilizado como un cur- so preliminar (de uno a dos semestres) en metalurgia fisica y ha sido ideado para todos los estudiantes de ingenier‘a de tercero a til- timo aijos,* Cuando se utilice el libro para un curso de un semestre, pueden omitirse totalmente cierto niimero de capitulos que waten de t6picos avanzados, tales como los Caps. 10, 11, 15 y 19. Los requisi- tos previos son: fisica, quimica y resistencia de materiales. Se con- sidera conveniente también, aunque no esencial, un curso sobre ter- modindmica o quimica fisica. El acercamiento es ampliamente tedrico pero se cubren las fases principales del comportamiento de los me- tales como se encuentran normalmente en los libros de texto sobre | metalurgia fisica, A este respecto, se utiliza Ia mecéinica de Ia esta- “ur senior lew, em inglés. (N. 46.) .PREPFACi1o Aistica y 1a toorix de la dislocacién para explicar la deformactén plés-’, tica y los efectos térmicos en los metales. Se tratan con cierto detalle’ Jas lagunas reticulares, porque su estudio puede ser utilizado park obtener uma apreciacién verdadera sobre el significado de las ener- {as de activaciin en los metales. Se da una atencién considerable a Ia deformaciéa por maclaje, no sélo porque este tipo de deforma. cién se ha vuelto cada vez més importante,sino también porque la teoria del maclaje conduce directamente al irea més importante de Jas transformaciones de la martensita, Sobre todo, se cree que el tratamiento utilizado en este libro esté en armonia con la tendencia comin hacia un acereamiento. més fundamental sobre la educacién de ingenieria, El autor desea reconocer. que las conferencias de los Drs. A. S. Nowick y W. D Robertson en el Laboratorio Hammond de la Uni- versidad de Yale, fueron el més importante instrumental en ta ins- piracién para escribir este Ubro, También se reconocen con. agrade- cimiento las valiosas sugerencias del Dr. F. N. Rhines ‘sobre Ja materia de la fluencia, Ronent E, Resp Hu, oe) CONTENIDO car, Pho, 7) LA ESTRUCTURA DE LOS METALES: aracin das probes moitlogsfica, 14. 12.14 esractara Mout de Tor metlen, 16, 122 eldas unin 18. 44. Ta CStruturactbicn ceutada en e corpo, 38,15, Némeo de cording Sion de Ta Fed edie contrada ene cuerpo, 19. 18. Ya red ei serena en‘Tat cara 18. 17, Comparacin dee estructores Stuis ceuuge eat coras 7 Beragonal compocta; 21,18. Némere Ge coneSnacin den nstmat compacton, 291.9. Ta cada units de In el Henayonal compacta, 2, 130, Indies do Mller, 24, 1.33 Enmuctarasenstaines los clementoy metlices, 3.1.12. La pro Jecctin estocoratis, 32, 319. Diecsones gue quedan en un plane, Seite Plano de ona, 6.135 Ua red ge Wulf, 37 2° DIFRACCION DE RAYOS X (étodo del D.1, La ley de Bragg, 44, 22. Técnicas de Lave, 48. 23. Mi cristal rotatorio, 52, 2.4. Bl método de Debye o del palvo, 52. 2.6. EL espectrmetro de rayos X, 57. ‘8 TEORIA ELEMENTAL DE LOS METALES ENLACE cRIsTALINO 2.1. La energia tntema de un cristal, 61. 8.2. Cristales tinicor, 62. 3.3 [La teorla de Born sobre los eristales S6nicos, 63. 3.4. Caistales de Van ‘der Waals, 69, 35, Dipolos, 69. 3.6, Gases inertes, 70. 3.7. Dipolos ‘snducidos, 71. 3.8. La energia reticular de un sélide de gas inerte, “78, 89, Energia de punto cero, 74. 3.10. Términos dipolo-cuadrupelo y, cusdrupolo-cuadrapolo, 75. 3.11. Cristales moleculares, 75. 3.12. ‘Refinemientos de Ja teoria de Born sobre cristales iéxicos, 76. 3.13 Enlace covalente y metélico, 76. ‘Twonia ELReTRONICA DE LOS: MOrTAIES paca penysmiretein eee Serer rece Se Sanne ek te a 13 4a ot112, 894, Semfconductores, 117, 9.25. Semiconductores impuros, 119. Resumen, 123. DISLOCACIONES ¥ FENOMENOS DE DESLIZAMIENTO 41, La discrepancia entre el liguido de Aluencia te6rico y el ebservado fen los existales, 125. 42. Dislocaciones, 198. 43, El vestor de Burgers, 184, 44. El foco de Frank Read, 136. 4.5, Nucleacién de dislocaciones, 137, 46, Desiizamiento de flexion, 143. 4.7. Avcenso de las. disloc cionct de borde, 147. 4.8, Planos de deslizamfento y direcciones. de Geallzamnfento, 150. 4.9, Sistemas de destizamiento, 151, 4.10. Esfuer to clmllante erltico determinado, 159. 4.11. Deslizamiento sobre sis- temas de deslizamiento equivalentes, 156. 4.12. Sistemas de destiza- mient en diferentes formas eristalinas, 156. DISLOCACIONES. ¥ LIMITES DE. GRANO 5.1. Deslizemfento transversal, 167, 52. Bandas de deslizamiento, 170, 53, Anotacién veetorial para dislocaciones, 170. 5.4. Dislocaciones en la red ciibica centrada en las earas, 172. 5.5. Dislocaciones exten- ‘ldas en metales hexagonales, 177, 5:6: Dislocaciones extendidas ¥ Geslizamiento transversal, 178, 8.7. Intersecciones de dislocacién, 178. 5.8. Limites de grano, 183. 59. Modelo de dislocacién de un limite e grano de Angulo pequefio, 145. 6.10, Bnergia de limites de grano, $87. 5.12, Tension superficial del limite de grano, 188..5.12, Limites entre cristales de fases diferentes, 190. 5.13, Hsfuerzo cortante de fimt- te de grano, 194. LUGARES: VACANTES 16.2. Comportamlento térmico de les metales, 197. 62. Energia intema, ‘199, 63. Entropfa, 200. 64. Reacciones esponténeas, 201. 6.5, La ener ila libre de Gibbs, 202, 6.6, Detinicién mecdnica estadistica de la entropfa, 204, 6.7. Lugeses vacantes, 209, 6.8. Movimiento de lugares vacantes, 216. RECOCIDO 174, Energia slmacenada del trabajo en frlo, 221, 7.2. Relacién de la enetyia Hbre a la energia de deformacién, 223, 7.3, Relevacién de Je energfa almaceneda 9294. 7.4. Recuperacién. 296. 7.5, Recuperacion cen eaistales simples, 297, 7.6, Pollgonizacién, 230. 7.7, Movimientos de Aislocacién en Ia poligonizactén, 233. 7.8. Procesos de recuperacion 2 temperaturas elevaidas y bajax, 237, 7.9. Recrlstalicacién, 997. 7.10. ‘Efecto del tiempa y Ta temperatura sobre la tecristalizaciém, 238. 7.1. Temperatura de reeristalizacién, 240, 7.12. El efecte de Ta defor: macién sobre la recristalizacién, 241. 7.13. Velocidad de nucleseién y velocidad de crecimiento de grano, 243. 714. Formacion de nicleos, 244, 7.45. Fuerza impulsora para la reoristallzaclém, 248. 7.10. El tamato de grano reczistallzado, 244: 7.17. Otras variables en la recris- talizselén, 247. 718. Pureza del metal, 248. 7.19. Tamafio inicial del gran, 249. 7.20. Crecimiento de grano, 249. 7.21. La ley del crest 195, 167 197 221 os oe —| - 40 u 2 iiento de grano, 253. 7.22. Atomos de impureza en sehicién sida, 259. 793. Impurezas en forma de inchisiones, 260. 7.24. Los efectos de superficie libre, 264. 725. El tamano de grano limitador, 256. 7.26. Grlentacién preferente, 268, 7.97. Recristalizacién secundaria, 268. 7.8, ‘Migracion de Iiites por esfuerzos de deformacién inducida, 270. ‘SOLUCIONES SOLIDAS 8.1. Fases intermedies, 276, 82. Soluciones sélidas intersticales, 276: 8.9, Sofabilidad del carbono en el hlerro ‘edbieo cenixado en el ceucrpo, 27. 84. Soluciones s6lidas_ sustitacionales y las_reglas, do Flume Rothery, 289, 86/Interacci6n de dislocaciones y Attmos de so- Juto, 283, 8.6. El campo de esfucrz0s de una disbeacién helicoidal, 283, 87. El-campo de esfuerzos de una dislocacién de borde, 284. 8.8. Abmésferas de dislocacién, 286. 6.9. Limite eldstico agudo y bandas de Liiders, 268, 8.10, La teoria de Cottrell sobre el limite, eldstico agudo, 200, 8.11, Envejecimiento por deformaciér, 292. ENDURECIMIENTO POR PRECIPITACION 8.1, La tmportancia de la curva de solubilidad de “solves”, 296, 9.2. ‘Tratamiento de la solucién, 297, 9.3, El tratamiento de envejecimiento, 298, 9.4. Nucleacién de precipitades, 303. 95, Nucleacién heterogénea contra homogénes, 304, 9.6, Teorias sobre el endurecimiento, 308. 9.7, Factores adicfonales'en el endurecinafento por precipitaciém, $11: DIFUSION EN SOLUCIONES SOLIDAS SUSTITUCIONALES 10.1. Soluciones perfectas, 315. 10.2. Soluciones imperfectas, 317, 410.3. Difusién en tna solucién perfecta, 918. 10.4, El efecto de Kirken- dal, 222, 105, Porosided, 328. 10.6. Ecuactones de Darken, 330. 10.7, Segunda ley do Fick, 335. 10.8. EI método de Matano, 339. 10.9. Determinacién de Jas difustbilidades intrinsecas, $43. 10.10.” Autodi- fusiGn en metales putos, 345, 10.11. Dependencia de Ja temperatura el cocficiente de difasién, 249, 10.12. Difusién quimica a baja con- ‘eentractén de soluto, 352, 10.18, Estudio de la difusién quimica usando findicadores radiactivos, 354. 10.14. Difusién a lo largo de los Kimites ‘de grano y de las superficios Mbres, 958, DIFUSION INTERSTICIAL 11,1, Medicién de las difustbilidades intersticiaies, 966. 11.2. El ‘efecto Snoek, 367. 11.8. Determinacién experimental del tiempo de relajamiento, 372. 11.4. Datos experimentales, 380, FASES 12.1, Definiciones Désicns, 383. 12.2. La matursleza fisica de las meaclas de fases, 985. 12.3. Termodindmica de las soluciones, 386. 194, Equilibrio entre dos fases, 969. 12.5. El niimero de fases en wn ‘Sistema do aleacién, 360. 12.6. Sistemas de dos componentes conte- rniendo dos fases, 400, 12.7, Determinaclones gréficas de las encrgias 275, 315 38310 33 “4 16 bres molales parciales, 401. 12.8. Sistemas de dos componentes con ‘res fases en. equilibrio, 404. 12.9, Sistemas ternatios, 406, DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO, BINARIOS 18.1. Sistemas do sleacién isomorfos, 410. 19.2. La regla de ta palance, 412. 18.3, Calentamiento 0 enfriamiento de equilibrio de una aleacion isomorfe, 414. 18.4, El sistema de aleacién ieomorfo desde el punto de vista de Ia energia libre, 418. 135. Méxima y minima, 420. 136 Superestructuras, 423, 13.7. Separaciones de le miscibilidad, 428, 158, Sistemas eutéctices, 430. 13.9, Las microestructuras de equilibio ae los sistemas eutécticos, 432, 13.10. La transformacion pextécticn, 439. 13.11. Monotécticas, 442. 13.12, Otras reacciones de tres fasee, 443. 19.13. Fases intermedias, 444. 13.14. Diageainas de equilibno cobrecine, 447. SOLIDIFICACION DE Los METALES 141. La fase Mauida, 453. 14.2. Nucleacién, 457, 14.3. Crecimiento ge cristales desde la fase liquida, 461. 14.4, Solidificacton estable de [a intereara, 465. 14.5. Crecluniento dendrltioo, 498. 14.6, Solidificacign, dendritica en aleaciones, 470. 14.7. Solidificactén de lingotes, 475. 44.8. Sogregacién, 481, 12.9, Porosidad, 485, ‘MACLAJE DE DEFORMACION Y REACCIONES DE LA MARTENSITA 15-1. Maclaje de deformacién, 405. 15.2. Teoria cristalogrifica formal el maciaje, 497, 15.3. Identificecién de las maclas de deformacion, 505. 15.4 Nucleaciém de maclas, 508. 15.5. Limites de maclas, 508, 156. Crecimiento de las maclas, 511. 15,7. Torceduras de adaptacion, 319, 15.8. Martensita, 518, 15, Distorsién de Bain, 518, 15.10. La zansformacién martensitica en une aleacién de indio-talio, 520. 15.11, Aeversibilidad de la transformacién martensftica, $21. 15.12. Trane. formacion atérmica, 522. 16.13, Teoria de Wechsler, Lichermen 7 ‘Mead, 622, 15.14, Naturaleza irracional del plano habitual o dominante, $20, 15.15, Multiplicidad de plenos habituales, 591. 18.16, La trans, formactin martensitica del hierro-nfquel, 532, 15.17. Formacién ico. ftrmica de Ia martensita, 534. 15.18. Estabilizaciin, 524. 15.19. Nuc leaei6n de placas de martensita, 535. 15.90. Crocimfento de places ¢ martensite, 536, 15.21. Fl efecto del esfuerzo, 597, 15:22 El efee, {© de Ia deformacién plastica, 538. EL SISTEMA HIERRO-CARBONO 36.1. Transformacion de'ta austenita a peslita, 544. 16.2, Perlita, 546. 163, Efecto de 1a temperatura sobre la transformacion de la perita, Sl. 16.4, Curvas de transformacidn-temperatura-tiempo, S61. 16.5. ba rracciOn buinitica, 963. 16.6. Diagrama T-T-T completo de un acer estectoide, 871. 16.7. Aceros hipscutectoldes enfriados lentamente, 574. 16.8. Aceros hipereutectoldes enfriados lentamente, 576, 16, Diagramas de transformacién isotérmica para aceroa no eutectoldes, 530, Do 453 17 ENDURECIMIENTO DEL ACERO 17.1. Transformaciones durante el enfricmiento continuo, 585. 17.2. ‘Templabilidad, 589. 17.3. Las variables que determinan la templabill- dad de un acero, §96. 17.4. Tamailo de yrano austenitico, 596. 17.5 Efecto del tamaiio de grano austenttico sobre la templabilidad, 598, 478, Influoncia “del contenido en carbons sobs la tusplabilide, 598. 17.7. Influencia de los elementos de aleacién sobre la templabi- Uidad, 600. 17.8. Significado de la templabllidad, 609. 17.9: La trans- formacién martensftiea en el acero, 606, 1710. 12 dureza de la martensita del hierro-carbono, 613. 17.11. Cambios dimensionales aso- ‘iados con la formactén de la martensita, 615. 17.19. Crietas de temple, 617. 17.43. Revenido, 620, 17.14. Cementita esferoidicada, 627, 17.15. El efecto del revenido sobre las propiedades fisicas, 628. 17.16, La interrelaciin entre tiempo y temperatura en el revenido, 620. 7.17 Endurecimiento,secundario, 631 18 FRACTURA tease ecco ge 2 ee tr a ene eee Cr en), 08, Hes eh ee Oe Sap SS a8 Pies ss 108 a eS a2: fe rr 8, Tusa dete eee ede eee repre et pe 1 ego sal Se es a Brrr rea tcbraepre ir gh sei a erence 8 ee Ab Pe eee a Dives Fe aaa ocean Ce ee Pee dos iF Ser Me ane So nase re ee ct eee ee cee ee Sas cae as 38 ‘TERMOFLUENCIA, 19.1. Defonmacién dependionte del tiempo; 697. 192 Naturalena de 1a deformacién dependiente del tiempo, 699. 19.3. Mecanismos de ter ‘mofluencia, 705. 19.4. Termofluencia euando funciena mée de un mecanismo, 719, 19.5. Cizallamiento de limite de grano, 725. 19.6. Fracture intercristelina, 727. 19.7, La curva de. termofiuencia, 732. 1.8. Aplicaciones pricticas de. los datos de termofluencia, 737. 19.9, Aleaciones,resistentes ala. termofluoncia, 741, 10.10, Sistemas de ‘aleacién, 744, Apéndices Lista de los sémbolos més importantes Indice un m9 755 BICAPITULO 1 LA ESTRUCTURA DE LOS METALES Si se prepara la superficie de una probeta metélica en forma apropiada y se Ja examina bajo un microscopio, se encontraré que posee una estructura granular. Cada grano de Ja estructura es un Peqietio cristal y, si la probeta es una sustancia metélica pura, Ios ‘eristales tendrin: (a) formas casi iguales, (b) tamaiios aproxima- damente iguales, y (c) orlentaciones vatiadas. En probetas diferen- tes de un metal dado, los tamafios y formas de los cristales variaran con el historial anterior de la probeta. esto es, el tratamiento que haya recibido el metal. Cuando tos granos de un metal son visibles a simple vista, se les lama macroscépicos. Los granos sobre la superficie de un tirador de puerta, de bronce fundido, pulidos por el contacto con las manos humanes son macroscépicos. Aqui, los cristales son usualmente de entre 3.17 y 6.35 (% y % pig) en didmetro. En forma parecida, pueden verse grandes y grucsos cristales de cine sobre la superficie de objetos excesivamente galvanizados. Los granos_macroscépicos como éstos son la excepcién més bien que la regla. El promedio de los objetos metalicos comerciales poseen una estructura eristalina demasiado fina para ser estudiada a simple vista. Estos granos se describen como microscépicos porque se requiere de un microscopio capaz de amplificarlos, de ordinario mas de 100 veces. La mécroestructura de un metal ti ma y disposicién de Jos eristales en un objeto metilico; la cristalina de los meiales_se_relaciona con la disposicién de los. Ato- mos je los cristales. Una estructura cristalina s 20 -estudia con la ayuda de 0 S extremadamente. finos, la amplificacién de un microscopio iluminado puede ser insuficien- te, entonces es necesario utilizar un microscopio electrénico capaz de amplificar tanto como 50 000 veces, Cuando Ja estructura granular de un metal es lo suficiente grande para ser vistble a simple vista, 0 sélo requicre una amplificacién muy pequefia, se utiliza el témino ‘macroestructira, Microestructura y macroestructura son dos palabras4 PRINCIPIOS DR METALURETA FISICA relacionzdas con el mismo tipo general de fenémeno y sélo difieren en el gtedo de amplificacién requerido para estudiarlos. Ll, Preparacién de las probetas metalogrifieas. Antes que se pueda hacer el examen microscépico de una probeta metiilica, debe prepararse la superficie en forma apropiada. Los objetivos de esta preparacién son dobles. La profundidad de campo que est en foco en un microscopio de alta potencia es muy pequefia, requiriéndose una superficie de 1a probeta muy plana y con un pulido especular; sta superficie debe ser representativa de la microestructura del metal y no de. método de preparacién. Todo el metal distorsionado re- sultante de los varios pasos de Ja preparacién debe ser completamen- te removido de la superficie antes de observar la probeta bajo el mi- croscopio, La preparacion dela probeta metalografica es un arte més bien gue una ciencia; el procedimiento varia considerablemente en diferentes laboratorios, aunque de ordinario cl resultado final es comparable. Debe observarse ademas, que la técnica empleada para un metal especifico depende también de las. propiedades del metal en cuestion. A continuacién se describe un procedimiento representative para Ja preparacién de probetes metalogréficas. Se supone, en principio, gue se ha seleccionado para su observacién una superficie apropia- da, la cual ha sido cortada o limada razonablemente plana, Si la probeta es demasiado pequefia para manejarla en forma satisfacto- Tia, se funde a su alrededor un disco de material plastico de 25.4 mm (1 pig) de diémetro por 12.7 mm (34 pig) de grueso en tal forma que s6lo quede expuesta la superficie a preparar. Fi disco de plastico acta como un medio conveniente para sujetar la probeta durante log tres pasos siguientes: esmerilado, pulido y atague. Esmerilado. Durante el esinerilado, se esmerila la superficie a mano con papel de esmeril de grado sucesivamente més fino. De or- dinario, se requieren cuatro o cinco grados de papel, dejando cada papel una serie de marcas de rayado paralelas sobre la superficie de Ja probeta. Al proseguir de un grado de papel esmeril al siguiente, se hacen las marcas del rayado sobre la superficie, perpendiculares a las del papel anterior. Se contimia el esmertiado con cada grado de papel hasta pasar ligeramente el punto donde se hayan quitado Por completo las rayes del papel de grado previo, asegurando asi la Temociér del metal distorsionado dejado en el paso anterior. Median- te el empleo de papeles que corten rayas cada vez més finas, la superficie se vuelve mAs tersa y, al mismo tiempo, la capa de metal distorsionado sobre la superficie se hace cada vez mas delgada. Pulido. Bl pulido, paso II, consiste de dos pasos, un pulido ordi- nario y un pulido fino. El pulido se hace sujetando la probeta contra ape TA TSTRUCTURA DE LOE METALES 6 una rueda cubierta por un pafio y cargada con un compuesto puli: dor. Generalmente, hay en uso cierto mimero de diferentes paiios y compuestos pulidores, dependiendo del metal investigado y de la. pre- ferencia personal del operario. El pulido ordinario no es una verda- dera operacién de pulido, sino més bien un importante paso de es- merilado fino realizado sobre una rueda giratoria y, debido a que amplica esmerilado, deja unas rayas muy finas y uniformes sobre la superficie, Si se hace en forma apropiada, el pulido ordinario elimina efectivamente las capas superficiales distorsionadas remanentes de as operaciones de esmerilado a mano y, a su vez, deja una capa de metal distorsionado mucho mas fina. El propésito del pulido finial es producir una superficie nivelada y tersa, libre de rayas ¢ irrogu- laridades. Como compuestos pulidores se emplean polvos muy finos de 6xido de aluminio, hierro y magnesio, con tamaiios de particu- las de 1 a 0.1 micrones (10 cm). En afios recientes, los polvos de diamante culdadosamente clasificados se han convertido en im- portantes compuestos pulidores. Las operaciones de esmerilado se hacen de ordinario sobre papeles de esmeril en seco; durante el paso de pulido ordinario se utiliza bien una rueda en seco o una lubricada con agua, dependiendo de la técnica empleada. Tl pulido final, sin embargo, se hace casi universalmente sobre una rueda empapada ‘con agua. Ataque. El atague, paso IIL, ¢s necesario para revelar Jos Iimi- tes entre los cristales, porque son demasiado angostos para que scan visibles bajo el microscopic. El ataque se realiza sumergiendo una superficie metdlica pulida en una solucién acida o bésica débil que ataca la superficie a una velocidad que varia con ia orientacién cris- talina de Ja superficie, Come los cristales de un metal tienen usual- mente orlentaciones al azar, los cristales adyacentes se disuelven por Ja solucién de ataque a diferentes profundidades, produciendo el efec to de altiplano mostrado en Ja Fig. 1.1, donde la linea de trazos representa a la superficie antes del ataque y Ia linza sélida Ja super- ficie después del ataque. Después del ataque, las intersecciones de los limites de grano ataeadas en Ja superficie quedan marcadas por ura red de escarpa- Supertcte enter del atanve -Superiie despots el atnave Fic. 1.1. La solucion de ataque revels lor Uimites de los cristales16 PRINOIPIOS DE METALURGIA ¥ISTCA duras poco profundas. Estas’ superficies’ casi verticales no xeflejan Ja Jaz en los lentes objetivos de un microscopio en Ja misma forma que las superficies horizontales y tersas de los cristales que quedan entre ellas y, como fesultado, se observaré en un microscopio la po- sicién de los’ limites ‘de los-cristales. Para que la mictoestructura sin distorsién de uria probeta meté- lica pueda ser revelada por el ataque, los dos pasos de pulido y el ataque quimico deben eliminar la capa superficial de metal distor sionadé causada por las operaciones de esmerilado. Infortunada- mente, esta eliminacién no ocurre siempre y, en consecuencia, Ja estructura de la superficie es mas representativa de las. operaciones de ssmerilado que de 1a microestructura. Sin embargo, se ha encon- trado que operaciones repetidas de pulido y ataque quimico de la probeta superan esta situacion y producen una superficie libre de dis- torsién, En esta forma, muchos metales, por ejemplo un metal blan- do tal como el plomo, puede tener que ser repulido y atacado varias ‘veces para poder preparar una superficie que revele 1a microestruc- ura verdadera. 12. La estructura eristalina de los metales. Se ha definido a un cristal como una formacién ordenada de atomos en el espacio. Hay “muchos tipos diferentes de estructuras cristalinas, algunas de las cuales son bastante complicadas. Afortunadamente, la mayor parte de los metales cristalizan en una de tres estructuras relativamente sercillas: eGbica centrada en las caras, ciibica centrada en el ‘cuer- po, y hexagonal compacta. 13. Celdas unitarias, La celda unitaria de una ¢ lina es el grupo mas pequetio de dtomos que pose ‘cristal que, cuando se Tepite en todas las direcciones, formard Ja xed fstalina, La Fig 12A muestra la celda unitaria de la red cubica entrada en el cuerpo, Es evidente que su nombre se deriva de la forma de la celda unitaria. En la Fig. 1.98 se han combinado ocho cekias unitarias para indicar la forma en que la celda unitaria ajus- ta en la red completa. Si volvemos nuestra atencién al dtomo @ de la Fig, 1.2B, encontramos que éste no pertenece tinicamente a una cekda unitaria, sino que forma parte de las ocho celdas unitarias ‘que Jo rodean, En consecuericia, puede decirse que s6lo un octavo de este tomo corresponde a cualquiera de las celdas unitarias. Para calcular el mtimero de dtomos por celda unitaria en un cristal ciblco eentrado en el cuerpo puede utllizarse este hecho. Aun un cristal pequefio contendré miles de millares de celdas unitarias, y las celdas unitarias en el interior del-cristal deben exceder con mucho el né- mero de Jas que quedan en la superficie, Por tanto, en nuestros UA ESTRUCTONA DE Loe METALES 7 céleulos se pueden menospreciar las celdas de la superficie. En el interior det cristal, cada dtomo situado en Ja esquina de una celda unitaria es equivalente al stomo @ de la Fig. 1.2B y contribuye con tun octavo de dtomo a una celda unitaria. Ademds, cada celda posee Fic. 12. (A) Celda unitaria cibiea centrada on 2} cuerpo. (BB) Ocho celdes uuniterias de Ta red cibiea centrada en el cuerpo un tomo situado en su centro que no es compartido con otras celdas unitarias, Asf, la red cibica centrada en el cuerpo tiene dos étomos por celda unitaria; tno formado por los dtomos de las esquinias, y uno situado en ¢! centro de la celda. En la Fig. 1.3 se muestra la celda unitaria de la red cibica cen- trada en las caras, En este caso, la celda unitaria tiene un tomo situado en el centro de cada cara. Fis. 1.3. Celda unitaria ciibica centrada en las caras El mémero de étomos por celda unitaria en la red eiibica centrada en las caras se puede calcular en la misma forma que para la red cdbica centrada en el cuerpo. Nuevamente, los ocho étomos de las esquinas contribuyen a formar un 4tomo de la celda unitaria, Hay que considerar seis 4tomos centrados en las caras, formando parte cada uno de dos celdas unitarias. Estos contribuyen con seis mita- des de tomo, 0 tres Atomos, para Ja celda. La red ciibica.centra en las caras tiene un total-de cuatro dtomos por celda unitaria, 0 el doble que la red ciibica ceritrada en el cuerpo.18 PRINCIFIOS DE MOETALURGIA TISKCA 1A, La estructura eiibiea centrada en el cuerpo. Con frecuencia, es conveniente considerar los cristales metilicos como estructuras formadas apilando esferas duras. Esto conduce al modelo de bola dura de una red cristalina, donde se toma ol radio de las esferas co- mo la mitad de la distancia entre centros de los 4tomos més cercanos. Apliquemos el modelo de bola dura a ta red etibiea centrada en el cuerpo. La Fig. 1.4 muestra a la celda unitaria considerada en esta forma. Un estudio de Ia figura muestra que el atomo en el centro Fic. 14. Modelo de bela dura dea eelda unitaria eibica ogntrada en el cuerpo de! cubo es colineal con cada tomo de las esquinas, esto es, los 4to- mos que conectan diagonalmente las esquinas opuestas del cubo forman lineas rectas, tocando cada atomo al que le sigue en secuen- ia, Esta disposicién lineal no termina en las esquinas de la celda unitaria, sino que continia a través de los cristales en forma muy parecida a las cuentas de un rosario ensartadas en un alambre. Véa~ se la Fig. 1.28. Estas cuatro diagonales del cubo constituyen las di- recciones de compactactén del cristal eéibico centrado en el cuerpo, direcciones que corren continuamente a través de la red sobre la cual estén los Atomos tan compactados como es posible. Otras consideraciones sobre las Figs. 1.4 y 1B revelan que to- dos los dtomos en a red etibica centrada en el cuerpo son equiva- lentes. Asi, el étomo en el centro del cubo de la Fig, 14 no tiene un significado especial sobre los que ocupan las posiciones de las esqui- nas, Cada uno de estos tiltimos podria haber sido escogido como centro d2 una celda unitaria, haciendo que todos los atomos de las esquinas en la Fig. 1.2B fuesen centros de celdas, y todos los centros de celdas resultasen esquinas. KA ESTRUCTURA DE Los METALS 19 15. Niimero de coordinacién de In red etibiea eentrada en el cuer- po. EL nimero de coordinacién de una estructura cristalina es igual al mimero de vecinos mas cereanos que pose un Atomo. ed Asi, en a red ctbica centrada en el cuerpo, el tomo cent cuerpo tiene ocho vecinos que lo tocan. Véase la Fig 1.4. Hemos visto ya que todos los étomos en esta red son equivalentes. En consecuen ia, cada. dtomo de la estructura citbica centrada en el cuerpo que no quede en la superficie exterior posee ocho vecinos mas cercanos, ¥ el mimero de coordinacién de la red es ocho. 16. La red cibica centrada en lis caras. El método de la bola dura para la presentacién de una ted cristalina :oma un significado especial en el caso de la red ctibica centrada en las caras, porque en ‘esta red los tomos o esferas estin compactados tan cerca como es posible, La Fig. 1.5A muestra una celda ciiblea centrada en las ca- ras completa, y la Fig, 1.5B muestra la misma celda unitaria con un tomo de esquina removido para reveler un plaro compactado (pla- @ Fis. 1.5. (A) Celda unitaria cibiea centrada en Jas caras (modelo de hota ura). (B) La misma celda con un atomo de esquina removido para mostrar tun plano cctaédrico, (C) Las direcciones diagonsles de seis carne20 ‘PAMOIIOS DE METALURGIA FISICA no octaédrica) en el cual los dtomos estin situados tan cerca como 5 posible, Debe abservarse que estos planos contindan con la misma configuracién en todas direcciones través del cristal. Por via de flustracion, la Fig. 1.6 muestra una érea mas extensa de uno de estos planos compactos. En el plano octaédrico quedan tres direcciones compactas (las direcciones aa, bb y cc), porque en estas direccio- nes las esféras tocan a los vecinos més cercanos y son colineales Regresando a In Fig. 1.5A, vemos que las direcciones compactas de Ja Fig. 16 corresponden a las diagonales que eruzan las caras del cubo. Hay en todas las seis dizecciones compactas en la red cibica entrada en las caras, como se muestra en la Fig. 1.5C. Las diago- nales de cara que quedan sobré las caras inversis del cubo no se ‘uentan en este total porque cada una es paralela a uria diteccién aque queca sobre una cara visible y, considerando cristalograficamente las direcoiones importantes, las ditecciones paralelas son las mismas. ‘Debe haverse notar también que la red edibica centrada tiene cuairo planos. Fic, 1.6, Disposicién stémica en el plano octaédrico de un metal ciibico cen trado en las caras, Nétete que los dtomos estin compactados lo més cerca posible. Ssta misma configuruclin de iomos se observa también ene} plano Basal de los cxistales hexagonales compactos. Las: ditecciones..compactes son aaa, bby ce ser verificada de la manera siguiente, Sf se quita un tomo de cada es- quina ée una celda unitaria en forma similar gue en la Fig. 1.5B, se revelard en cada caso un plano octaédtico, Hay ocho de estos pla- nos, pero como los planos opuestos diagonalmente son paralelos, son cristalograticamente iguales, Este hecho reduce a cuatro el snémero {LA ESTRUCTURA DE LOS METALES a n_las ca est ¢ conti ins_como ciatio, pla nos _compactos, cada_uno_conteniendo. tres. dizecclones _compac= tas. Ninguna otra red_posee. tan-gran ndmero de planos.compactos.y Girecciones compactas. Este. hecho es importante porque proporciona a los metales cubicos centrados en las caras propiedades fisicas di- ie los otros metales, entre las cuales est4 Ja habilidad para ‘F deformacion plistica severa. 17, Comparacidn de Jas estructuras ciibica centrada ett Tas caras y hexagonal compacta. La red ctibica centrada en las caras puede ser construida disponiendo primero los étomos dentzo de cierto mimero de planos compactos, en forma similar a como se muestra en la Fig. 1.6, y entonces apilando estos planos uno sobre otro en la secuencia apropiada, Hay cierto niimero de formas en que se pueden apilar planos compactos. Una secuencia da la red hexagonal compacta, otra la red ctibica centrada en las caras. El que hay mas de una forria de apilar planos compactos se debe al hecho de que cualquier plano puede ser colocado sobre otro previo en dos maneras diferentes. Por ejemplo, considérese la disposicién de los dtomos en la Fig. 1.7 la cual muestra también un plano compacto. El centro de cada tomo, en Ja figura esta indicado por el simbolo A. Ahora, si un simple éto- mo es colocado sobre 1a parte superior de Ia configuracion de la Fig. 1.7, sex atraido por las fuerzas interatémicas dentro de una de las cavidades que se presentan en cualquiera de tres dtomos con- tiguos. Supéngase que el 4tomo cae dentro de la cavidad marcada B: Fic, 1.7, Secuencias apiladas en estructuras crstalinas compactas en Ja parte supetior izquierda de la figura; entonces un segundo ‘tomo no puede caer en C, 0 en C; porque el Atorno.en B, se extiende sobre la cavidad en estos dos puntos. Sin embargo, el segundo tomo puede caer dentro de B, 0 By y comenzar la formacién de un segundo plano compacto consistiendo en tomos que ocupan todas2 PRINOHTIOS DE METALUNGIA WISICA Jas posiciones B. Alternativamente, el segundo plano podria haber sido establecido prepardndolo en tal forma que sélo lenase las. po- siciones C. En esta forma parece que si el primer plano compacto ‘ccupa Ics posiciones A, el segundo plano puede ocupar las. posi- ciones Bo C. Supéngase que el segundo plano tiene 1a configura cién B. Entonces las cavidades del segundo plano caen parclalmente sobré los centros de itomos en el primer plano (posiciones A) y par- clalmente sobre las cavidades C en ol primer plano. Ahora puede ‘establecerse el tercer plano sobre el segundo plano dentro de las posiciones A oC. Al depositarlos en las posiciones 4, los dtomos en a tercer capa caen directamente sobre los étomos de Ja primera capa. Este no es el orden cibieo centrado en las earas, sino la estruc- tura hexagonal compacta, El orden para el apilado del eabico centrade cen las caras es; A para el primer plano, B para el segundo plano, y C para el tercer plano, lo cual puede escribirse ABC. Sin embargo, el cuarto plano en Ja red ciibica centrada en las caras cae sobre la posicién A, el quinto sobre B, y el sexto sobre C, por lo que el orden de apilamiento para los cristales ciibicos de centrado en las caras es ABCABCARC etc. En. la estructura hexagonal compacta, los étomos de un plano caen directamente sobre los de otro, correspondiendo al orden do apilamiento ABABAB. 'No.hay diferencia bésica en 1a compactactén obtenida por el api Jado de las esferas en Ja disposicién cubica centrada en las caras.o ‘en Ja Kexagonal compacta, puesto que ambes dan una estructura compacta ideal, Hay, sin embargo, una marcada diferencia entre las propiedades fisicas de los metales hexagonales compactos (tales ‘como e] cadmio, cine, magnesio) y los metales cibicos de centrado ten Jas caras, I cual se relaciona directamente con Ia diferencia en su estructura cristalina. La diferencia més evidente es el mimero de fplanos compactos. En la red cdbica centrada en las caras hay cuz: {ro planos compactos, los planos octaédricos, pero en Ja red hexagonal compacta s6lo un plano, el plano basal, es equivalente al plano octaé drico. El plano compacto simple de le red hexagonal da origen, entre otras cosas, a propiedades de deformacién plistica que son mucho ms direccionales que las encontradas en los cristales eibicos. L8, Niimero de coordinacién de los sistemas compactos. El miime- ro de cvordinacién de un étomo en un cristal ba sido definido como €l niimero de vecinos mds cercanos que pose. En Jos cristales hexa- gonales compactos yen los cibicos de centrado en las caras, este iimero es 12, como puede verificarse con la ayuda de la Fig. 1.7. Asi, ccnsideremos el vitomo A, que queda en cl plano de étomos mostrazos como efrculos dibujados con Hineas continuas. Otros seis 4tomos que quedan en el mismo plano compacto que Ay se encuen- EA SETRUCTURA DE LOS METALS 23 tran en las posiciones vecinas més cercanas. El tomo A, toca tam- bién tres Atomos en el. plano directamente por encima. Estos tres tomos podrian ocupar las posiciones B, como s¢ indica por las Ii- nneas de trazos alrededor de las cavidades B,, Bs, y Bu © podrian ‘ocupar las posiciones C,, C., ¥ Cs. En cada caso, el niimero de veck nos més cereanos en el plano justamente sobre A, es limitado a tres. De igual forma, puede mostrarce que A, tiene tes vecinas mi canos en el plano siguiente por debajo del plano compacto que con- tiene a A,. El miinero de vecinos mas cercanos al étomo A, son en esta forma doce: seis en su propio plano, tres en el plano superior y tres en e} plano inferior. Como el argumento ec valida no importa st los tomos en los planos compactos justamenie arriba y abajo del ‘Atomo.A, estén en las posiciones B o C, se aplica a Ia. secuencia de gpilamiento tanto del euibico de centrado en las caras como del he- ‘sagonal. compacto. Decidimos, en consecuencia, que el mimero de coordinacién en estas redes es 12.) Fie, 1.8, Celda unitaria hexagonal compacta 19. La celda unitaria de In red hexagonal compacta, En la Fi 1.8 se muestra 1a configuracién de los atoms que se emplea con més frecuencia para rTepresentar la red hexagonal compacta. Este grupo de dtomos contiene mas del niimero minimo de atomos nece- sario para formar un bloque de construccién demental para la red; por lo tanto, no es una verdadera celda unitaria. Sin embargo, debido 2 que Ja disposicién de Ja Fig. 1.8 descubre caracteristicas cristalo- gxéficas. importantes, incluyendo la simetria séxtuple de la red, se ‘utiliza comimmente como la celda unitaria de Ja estructura hexa- ‘gonal compacta Una comparacién de Ja’ Fig-1.8 con Ja Fig. 1.6 muestra que los dtomos en los planos superior, inferior y central de la celda unitaria pertenecen aun plano compacto, el plano basal del cristal. La figura muestra también que los Stomos en estos planos Dasales tienen la secuencia de apilamiento, adecuada para la red Ihexagonal. compacta (ABA. ...); Jos dtomos en la parte superior de Ja celda estan dizectamente sobre los del fondo, en tanto. que tos ‘4tomos en el plano central tienen un juego de posiciones diferentes.4 IINCIPIOS DE MOETALURGIA FISICA EI plano basal de un metal hexagonal, en la misma forma que el plano cctaédrico de un metal céibico centrado en las caras, tiene tres direosiones. compactas. Estas. direcciones ‘cortesponden “a Tas, lineas aa, bb, oc, dé la Fig, 1.6. 140, Indices de Miller. Segin penetramos més y més en el estu- dio de.los cristales, se hace evidente la necesidad de simbolos para describir Ia orientacién en el espacio de las direcciones y planos cris- talografices importantes. Asf, mientras que‘las direcciones de com- pactacién en la red cébica centrada en el cuerpo pueden ser descritas como Jas diagonales que atraviésan a Ja celda unitaria, y tas direc- clones corespondientes en la ted cabica centrada en las caras como Jas diagorales que cruzan las caras de un cubo, es mucho mas facil definir estas direcciones en términos de varios enteros ‘simples. EL sistema de Miller para la designatién de indices para planos y di- recciones cristalograficas és aceptado universalmente para este pro- pésito, En la discusién que sigue, se considerardn los indices de Mi- ler para cristales eibicos y hexagonales. No son dificiles de deserrollar los indices para otras estructuras cristalinas, pero condiciones de es- pacio impiden su discusién. Indices de Direccién en la Red Ciibica, Tomemos un sistema de coordenadas cartesianas ‘con’ ejes paralelos al borde de la celda unitaria de un cristal cubico. (Véase la Fig. 1.9). En este sistema de coordenacas, la unidad de mediciin a lo largo de los tres ejes es la ongitud ¢el borde de una celda unitaria, designada por el simbolo @ en Ja figura. Los indices Miller se introducen con la ayuda de varios ejemplos sencillos. En esta forma, la diagonal del cubo m de la Fig, 1.9 tiene la misma direccién que un vector t con una Iongitud gue iguala la distancia diagonal a través de la celda. La componente del vector t ea cada uno de los ejes coordenados es igual a a. Como la Fic. 1.9. Las dinecciones (113) y {103] en un oristal ebico; direcciones my 1 Tespecilvamente LA RSTRUCTURA DE LOS METALES 25 unidad de medicion a lo largo de cada eje es igual a a, el vector tiene componentes 1, 1, y 1 sobre los ejes x, y, ¥ z respectivamente, Ahora se escriben los indices Miller de Ia direccién. m [111}. En la misma manera, la direccién m, que cruza diagonalmente una cara de la celda unitaria, tiene Ja misma direcefén que un vector 5 cuya longi- tud es Ja diagonal de la cara de Ja celda unitaria. Las componentes x, u,y 2de este vector son 1, 0, y 1 respectivamente; los indices Miller eoneepondientes son [101]. Las indices del eje x son [100], del cic ¥ [010] y del ee z {002}. ‘Ahora puede establecerse una regla general para hallar los indices Miller de una direccién. cristalografica, Trazar un vector desde el origen, paralelo a la direccién cuyos indices se desean, Hacer la ‘magnitud del vector tal que sus componentes sobre los tres ejes coordenados tengan longitudes que sean nimercs enteros simples. Estos mimeros deben sor los mas pequefos que den la direccién doseada. Asi, los enteros 1, 1, y 1, y 2, 2, y 2 representan la misma direccién en el espacio; pero, por convencién, Ios indices Miller son [111] y no 222}. 18) “ Fie 1.10. (A) Las cuatro diagonales del cubo de una sed cibica, m,n, a, ¥ v. (B) Las componentes de un vector q paralclas a la diagonal del cubo P son ‘2, ay a En consecuencia, los indices de q son [174] Apliquemos la regla anterior para la determinzcién de Jos indices Miller de una segunda diagonal del cubo; que esta indicada por el simbolo p en la Fig. 1.10. El vector q (que comienza en el origen en la Fig. 1.10B) es paralelo a la direccién p. Las componentes de q son 1, —1, y 1, y segiin la definicion anterior, los indices Miller co- rrespondienies de p son {181} donde el signo negativo del indice yesta indicado por una barra sobre el entero correspondiente, Los indices de la diagonal m en Ia Fig. 1.10A han demostrado ya que son [111], y se puede demostrar también que los indices de las diagonales uy 0 son (111] y [111]. En esta forma, las cuatro diagonales del cubo tienen indices [111], [111], [111], y (111). Cuando se hace referenicia a tna diteccién cristalografica espe- silica, lus indices Miller se encicaxan en corchetes cuadrados como los anteriores. Sin embargo, algunas veces se desea hacer referencia a todas las diecciones de Ia misma forma. En este caso, los indices de una de estas direcciones se encierran en signos tales como <111>, y el simbolg se lee para significar las cuatro direcciones ({111], {111}, {111}, y [17)), 10s cuales son considerados como una clase. Ast, $2 Fic, 1.11, Intercepeiones del plano (623) con los ejes coordenados podria decir que las direcciones compactas en 1a red ctibiea centrada en el cuerpo son direcciones <111>, mientras que un cristal espe- cifico puede estar sometido a tensién a Jo largo de su direccién [111] y simultéreamente comprimido a lo largo de su direccién [111]. Indice: Ciibicos para Planos. Los planos cristalograficos se identificar, también por juegos de mimeros enteros. Estos se obtie- an fon) fa 4 2 ie ! Y Gn ay + a) Fic. 1.13, Los planos (111) y (111) son paralelos uno con el otro y en comse- ‘cuencia representan el mismo plano erbtalogréfico verse consultando la Fig. 1.6. Otros planos octaédricos tienen indices Ga), (ATL), y C17), donde Ja barra sobre un digito representa una intercepcién negativa. Por via de ilustrecion, el plano (711) se muestra en la Fig. 1.13, donde se puede ver que la intercepcién xPRINCPIOS DE METALURGIA FISICA compactas. En Ja Fig. 1.20 se muestran Jas dos que quedan en el plano (101), donde aparecen como puntos sobre el circulo ortedrémico que representa al plano (101). 1.14, Planos de zona. Los planos que se intersectan mutuamente 4 Jo largo de una direccién comin forman los planos de una zona, y Ja linea de interseccién. se. denomina eje de zona, A este respecto, considaremos Ia direccién [111] como un eje de zona. La Fig. 1.21 ilustra el hecho de que hay tres planos (110) que pasan a través de Je diroscién [112]. Hay también tres planos {112} y seis planos (123), asi como cierto némero de planos de indice més alto que tienen el misme ej de zona. En Ja Fig. 1.22 se muestran los planos pertinen- Fic. 1.24. Red de Wulff, 6 meridional, esteteogrifica teazada con interva. Ios de 2° TA ESTRUCTURA DE LOS METALES ar tes (112) y (123), en tanto que en la Fig. 1.23 se muestra la pro- yeccién estereografica de éstos y los planus (110) arriba menciona- dos. Nétese que en esta iiltima figura sélo estén trazados os polos de los planos y es significativo que todos los polos caen en el cireulo ortodrémico que representa la proyeccién estereogrdfica del pla- no (111). 115. La red de Wulff, La red de Wulff es uma proyeccion es: tereografica de lineas de latitud y longitud en la cual el eje norte sur e3 paralelo al plano del papel. Las lineas de latitud y longitud de Ja red de Wulff sirven para la misma funcién que las lineas corres- pondientes de un mapa o proyeccién geogrifica; esto es. hacen post ble ediciones graficas. Sin embargo, debe observarse que en la pro- yecci6n estereogrfica estamos interesados primordialmente en medir 4ngulos, mientras que en el sentido geografico es la distancia la que resulta més importante de ordinario, En la Fig. 1.24 se muestra una red de Wulff, © meridional, trazada a intervalos de 2°. Ahora se debe prestar atencién sobre varios hecbos relacionados con la red de Wulff, Primero, todos los meridianos (ineas longitudi- nales), incluyendo ek circulo bésico. son circulos ortodrémicos. Se- gundo, el ecuador es un cfrculo ortodrémico. Las demas lineas de latitud son circulos menores. Tercero, las distancias angulares entre puntos representando direcciones en él espacio sélo se pueden medir sobre la red de Wulff si se hace que los puntos coincidan con un cireulo ortodrémico de la red En el manejo de muchos problemas cristalogrdficos, es necesario. con frecuencia girar una proyeccién estereogrifica dada de datos experimentales dentro de una orientacién diferen'e. Esto se hace por cierto nimero de razones. Una de las més importantes es la de evar los datos de’ medicién dentro de una proyeccién esténdar donde 1 efeulo bésico es un plano compacto simple tal como él (100) 0 el (111); Usualmente, se pueden interpretar mejor las marcas de defor- macién, w otros fendmetios cristalograficos observados experimental- mente, cuando se estudian en téminos de proyecciones estindar. ‘Al resolver problemas con Ja ayuda de la red de Wolff, es costum- bre cubrirla con una pieza de papel de calca. Se hace pasar un alfiler comtin a través del papel, exactamente dentro del centro de la red. Ast montado, el papel sirve como hoja de trabajo sobre la que s¢ trazan los datos cristalogrdficos. Son posibles los dos tipos de rotaciGn siguientes de los datos: proyectados. Rotacién sobre un eje en ta Linea Visual, Esta rotacién se ¢je- cuta fécilmente por mera rotacién del papel de calea, en relacién. con la red alrededor del alfiler. Como un ejemplo, giremos una red cibica 45° a la derecha, alrededor de la direceién {100} como.un eje.PRINCIPIOS DE MEETALUNGIA FISICA 38 Fic. 1.45. Rotaciin sobre el centro de la red de Wulff. (A) Bfecto de la r0- tacién gescada sobre Ia celda unitaria etbica. Linea de visual {100}. (B) Vista cen perspectiva del plane (111) antes y después de la rotacién. (C) Proyeccién cestercogrifiea del plano (111) y de su polo antes y después de la rotacién, Rotacién de 45° a la derecha sobre Ia direccién {100} Esta rotacién tiene el efecto de colocar el polo del plano (111), como std trazado en la Fig. 1.18C, sobre el ecuador de una red de Wulff. La Fig. 1.25A muestra esquemiticamente el efecto de la rotaclén deseada sobre la orfentacién de la celda unitaria edbica cuando se la ve desde la direccién {100}. La vista en perspectiva mostrando la celda y el plano (111) se proporciona en la Fig, 124B. En este liltimo caso, debido a que el circulo basico representa al plano (100), tuna simple rotacién del papel de 45° sobre el alfiler. produce la ro- _tacién deseada. Rotacién sobre el eje Norte-Sur de una Red de Wulff. Esta ro- tacién no es tan simple de hacer como la anterior, que se puede lo- ggar por Ja simple rotaciGn de la hoja de trabajo alrededor del alfiler. Las retaciones de este segundo tipo se hacen por un método. gré- fico. El dato se traza primero estereograficamente y entonces s¢ gira alo largo de las Iineas de latitud y se vuelve a trazar de tal manera que cada punto experimente el mismo cambio en longitud, El método 1A ESTRUCTURA DE LOB METALS 99 serd bastante evidente si se consideran los dibujos de la Fig, 1.26. En el ejemplo presente, se supone que la cara anterior (100) de la celda r =) se de tain Lines go ang 86 Dewpabe de Ane de 1 retnctn 1 ote al Piano 10) Ror rps de Is rorsién Direceton. (100) 7 Fic. 1.26. Rotaclén sobre el eje norte-sur de ta red de Wulff. (A) Vistas en perspectiva de 1a celda unitaria antes y después de la rotaclén mostrando 1a orientacién del plano (110). (B) Proyeceldn esiereogrifica mostrando la rote cidn anterior, Para claridad de presentacién, sélo se muestra el piano (110) No se muestra la rotacién del polo, Ademés, se omiten los meridianos de la red de Watt unitaria se gira a la Izquierda tentendo como eje 2 Ia direccién [001] Consideremos ahora el efecto de esta rotaciin sobre la orientacion es- pacial y la proyeecion estereogréfica del plano (110). En la Fig, 1.26A, los dibujos de la derecha y de la izquierda representan ala celda uni- taria cibbica antes y después de Ia rotacién, respectivamente, El efec- to de la rotacién sobre la proyeccién estereogréfica del plano (110) sé muestra en la Fig. 1.268. Cada una de las flechas curvadas que se muestran en este dibujo representa un cambio en Jongitud de 90°. En estos dibujos, no se muestra el polo del plano (110) para simpli. ficar la representacién. Sin embargo, en la Fig. 1.27 se muestra la rotacién sufrida por el polo (110). Fro, 1.27. Se muestra la rotacién del polo del plano (110). El diagrama de Ia izquierda muesiza la rotacion en una figura en_perspectiva,-en: tanto que el de la derecha muestra el movimiento dal polo a Jo largo de una linea de latitud ‘de una proyeceién estereogrifica que, en este ease, es ol ecuador40 PRINCIEIOS DE METALURGIA FISICA Usando ejemplos simples. se han indicado las dos rotaciones bé- sicas que se pueden hacer cuando se utiliza la red de Wulff, Todas las rotaciones posibles de un cristal en tres dimensiones se pueden duplicar utilizando estas rotaciones sobre una proyeceién estereo- rafica. PROBLEMAS 1. Mostrar que se puede formar un octaedro, asf como un tetracdro, util zando lor cuatro planos {111} existalogrifices compactos de la xed cibica centrada en. las caras. 2. Hacer croguis similaces @ la Fig 1.108 mostrando-ta-posicién en el espa- cio de las siguientes direcciones edbicas: {119}, (123), y [403). 2. Dar los indices de todas las direeciones < 112 en un cristal ctbico, 4, Vacer croquis similares 4 la Fig, 1.12 mostrando 1a posicién en el. espa Gio de las siguientes planoé eiibicos: (112), (11), (208). 5. {Gndntos planos {123} hay? Dar sus indices. 6. De acuerdo con Ia Fig. 1:26, el ele a, de la estructura hexagonal tiene indices P1i0), ‘Determinar los indices de las demés.direcciones compactas (esto es, 4, dye — Oy dys ¥ —2y-en Ia Fig, 114). "7, Determinar Jos indices de las seis caras verticales de Ja celda unitaria hexagonal en la Fig. 1.14 8 Mostrar las posiciones de los planos (1071) y (1013) en un croguis de la cekla unitaria hexagonal. (Vase In Fig. 1.15). 9. Mostrar la posicién de los planos (1130) y (1131) en uma celda uni taria hexagonal. Proyeccitm stereogréfica Los siguientes problemas impliean el mazado de proyecciones estercogr- ficas 7 reguieren el empleo de la red do Wulff, mostrada en la Fig. 1.24, ast ‘como tuna hoje de papel de calea, En cada caso, colocar primero el papel de cal- tea sobre la red de Wulff y entonces marcar el centro de la red sobre el papel fe ealea con un punto. A continuacién, trazar el contomo del cfreulo,bisico y colocae una pequeiia marca vertical en ls parte superior del circulo pars ‘gue sizva como indice. 10. Con el contorno del cfrculo bésico colocado sobre In red de Wullf y Ia marca ¢e indice alineada con el polo norte de la zed, trazar con precisién las pposiciones de los planos y polos (100) y (110) mostrados en ta Fig. 1.283, Obsérvese que los polos de los planos (130) y (100) forman un Angulo de 45° 11. A continuacién, tazar el polo y el plano (111) (Fig. 1.18C). Para hacer esto, girar a le derecha la mazea de indice 45° desde el polo norte de ta zed. Esto colocard. al polo (111) sobre el ecuador de la red. Los polos (111) (100) forman 1m éngulo de 54* 40" unos con otros. (Véase el Apéndice A), 12. Sobre uma hoja de papel de clea trazar Tos seis polos (110) utilizando tuna proyeceién (100) esténidar, esto es, el efrculo bisico es el plano (100). 1A BSTRUCTURA DE LOS METALES a 10. En una hoje de papel de calea trazar los cuatro polos (111) y todos ls poies {100} Ta, Combiniar Jos datos de los Probs. 12 y 13 para hacer una proyeecién (100) estinder mostrando todos los polos {111}, (110), y {100} 15, En el Apéndice A, se dan los angulos entre los planos eiibicos impor tantes, Con la ayuda de esta tabla, (azar con precision la zona (111) de la Fig. 123, 16, Sobre el éiagrama det Prob, 15, trazar Jas otras tres zomas (111), es to es, (Ti1), (171), y (1. 17. Combinar lor dstos del Prob. 14 y del Prob. 16 para obtencr una proyeccién (100) estindar més completa 18, Hacer el cinculo bisico de la red de Wulff el plano bésico de un cris: tal hexagonal (0001). Hacer que la marca indice sobre el citculo bésico repre- sente al polo del plano {1i20). Trazar las posiciones de los polos de las seis cares de la celda tnitaria hexagonal. (Vésse el Prob. 7) {o. Sobre eldiagrama del Prob. 18, trazar los polos de los prismas planos (oro) ‘20? Sobre el diagrama del Prob. 18, trazar los pols de los sis planos (1072) suponiendo que el polo de cada plano forme un dngulo de 43° con el polo det plano basal. ‘21. Considerar una proyeccién (100) esténdar mostrando les posiciones de seis polos {110}, (Véase €l Prob, 12). Colocar Ja marca indice de esta pro- yeccién sobre el polo norte de la red de Wulff, Ahora girar el polo (110) 45° ZElrededor del cje norte-our de Ia zed dentro del centro de le proyeccién estereo- igrifica para formar una proyeccién (011) ectindar de acuerdo con el método fe Ia Fig, 127, Trazar las nuevas posiciones de los otros cinco poios {110}CAPITULO 2 DIFRACCION DE RAYOS X Debido a que los cristales son formaciones simétricas de atomos ‘conteniendo filas y planos de clevada densidad atémica, son capaces de actuar como reticulas de difraeeién. tridimensionales. Es bien co- nocido el hecho ‘de que si ios rayos de luz han. de ser. difractados fficientemente por una rejilla, entonces el espaciamiento de una re- filla (distancia entre Iineas de cuadrfcula de una rejilla). debe ser aproximadamente igual a Ta Jongitud de onda dc la luz. En el caso de 1a luz visible, se-utilizan rejillas con separactones de Iineas de entre 10.000 y 20 000 A para difractar las longitudes de onda en la zona de entre 4000 a 8000 A. En cristales, sin embargo, la separacion ‘entre filas paralelas de dtomos igualmente espaciados 0 planos até rmicos es mucho menor y del. orden de unas cuantas unidades A. ‘Afortunadamente, Jos rayos X de bajo voltaje tienen longitudes de on- da de magnitudes apropiadas para ser difractados por cristales; esto fs, los rayos X producidos por tubos operados en el rango de entre 20 000 y 50.000 voltios son contrastados a los empleados en aplica- ciones médicas donde los voltajes exceden los. 190 000 voltios. Fic, 2.3. Un har de rayos X es reflejado con interfereneia constructiva cuando ‘1 ingulo de incidencia iguala al Angulo de reflexion. Cuando Jos rayos X de una frecuencia dada golpean a un étomo, interactian con sus electrones haciendo que vibren con la frecuencia del haz de Jos rayos X. Como los electrones se vuelven cargas eléctri-“4 PRINCIPIOS DE METALURGTA FISICA cas vibratorias, ellos retransmniten los rayos X sin cambio en la fre- cuencia, Estos rayos reflectados se alejan de los atomos en cualquier ditecci6n. En otras palabras, los electrones de un tomo “dispersan” los haces de rayos X en todas direcciones. Cuardo 10s: dtomos espaciados a intervalos regulares son irra- iados por un haz, derayos X, 1a radiaci6n dispersada sufre interfe- rencia, En ciertas direcciones se producen interferencias constructi- vas; en otras se producen interferoncias destructivas. Por ejemplo, tun plano atémico simple es golpeado por un haz de rayos X paralelo, el haz sufre interferencia constructiva cuando el 4ngulo de incldencia iguala al Angulo de reflexion. Asi, en la Fig. 241, los rayos marcados @; al as, representan un haz de rayos X paralelo. La linea ‘AA muestra, una onda de este haz, donde todos os rayos estén en fase. La ‘nea BB se traza perpendicular a los rayos reflejados por los tomes en una direccién tal que el Sngulo de incidencia iguala al Angulo de teflexién, Como BB queda a la misma distancia desde la onda frontal AA cuando se mide a lo largo de cualquier rayo, todos los puntos sobre BB deben estar en fase. En consecuencia, es una onda frontal, y la direccién de los rayos reflejados es una direccién de interferencia constructiva. 21. La ley de Bragg. La discusién anterior no depende de la fre. cuencia dela radiacién.-Sin embargo, cuando son reflejados los ra- yos X, no desde una formactin de dtomos dispuestos en un plano solitario, sino desde &tomos sobre ciertos niimeros de planos paralelos espaciades igualmente, tal como existen en los cristales, entonces la interferencia constructiva sélo puede ocurrir bajo condiciones de res- triccién elevadas. La ley que gobiemna este ‘titimo caso se conoce Fis. 22, La ley de Bragg DYFRACeTON DE Rayos x 45 como ley de Bragg, Derivemos ahora una expresién para esta impor- tante relacién. Para este propésito, consideremos cada plano de &to- ‘mos en. un cristal como un espejo semitransparente, esto es, que cada plano refleje una parte del haz. de rayos X y permita también 1 paso de parte de estos rayos a su través. Cuando los rayos:X gol pean un cristal, el haz es reflejado no s6lo por los tomos de Ia capa superficial, sino por los dtomos bajo la superficie hasta una profun- didad considerable. La Kig. 22 muestra un haz de rayos X que esta siende reflectado simultaneamente desde dos plinos xeticulares ps- ralelos. En un caso real, el haz seria reflectado no desde dos planos reticulares justamente, sino desde un gran njimero de planos para- Jelos. El espaciado de la reticula, o distancia entre planos, se repre- senta por el simbolo den In Fig. 2.2. La linea of; se-ttaza perpendl- cular a los rayos incidentes y por tanto es una/onda frontal. Los puntos 0 y m, que quedan sobre esta onda froxtal, deben estar en fase. La linea oA, se traza perpendicular a los/zayos reflectados a Y @,y la condicién para oA, para ser una onda frontal es que los rayos reflectados deben estar en fase en los puntos/o yn. Esta condicién sélo puede ser satisfecha si la distancia mpe iguala a un multiple de una longitud de onda completa, esto es, es/igual a 4.0 2A 0 34.0 md donde A es la longitud de onda de los rayox X ym un miimero arbi- trario Un examen de la Fig. 2.2 muestra que/ambas distancias mp y pn son iguales ad sen 9. La distancia mpn es, de corsiguionte, 2d sen 8. Formando una igualdad con esta cantidad y ni, tendremos la ley de Bragg: ' mh = 2dsené donde m= 1, 2, 3, 4 = longitud de onda en A d= distancia interplanar en A Angulo de incidencia o reflexion del haz de rayos X Cuando se satisface I relacién anterior, estarén en fase los rayos reflectados a, y a, y fesultard una interferencia constructiva., Ade- més, los anguios a los cuales ocurre Ja interferencia constructiva cuando un delgado haz de rayos X golpea un cris‘al no distorsionado son definides en forma muy aguda porque las reflexiones se origi- nan sobre muchos miles de planos reticulares paralelos. Bajo esta condicién aun una desviacién muy pequefia del Angulo 0 satisfa- ciendo Ja relacién anterior ocasiona interferencic destructiva de los rayos teflectados, Como consecuencia, el haz refléctado deja el cris- tai como un estrecho haz luminoso capaz de producir imagenes agu- das de la fuente sobre una placa fotogréfica.46 PRINCIPIOS DE METALURCIA FISICA Consideremos ahora un simple ejemplo de una aplicacién de la ‘ecuacién de Bragg, Los planos {110} de los cristales de hierro ciibico centrado en el cuerpo tlenen una separacién de-1.181-A. SI se irra- Gian estos planos con rayos X procedentes de un tubo con un elec- trodo de cobre, cuya linea més fuerte, la Ka, tiene una longitud de ‘onda e 1.540 A, la reflexion de primer orden (n= 1) ocurriré aun Angulo de Una reflexién de segundo orden desde Jos planos {110} en hierro no es posible con radiacién de esta longitud de onda porque el argumen- to del seno del arco (na/2d) es 40) 2181) tun niimero mayor que la unidad y en consecueneia Ja solucton es im- posible. Por otra parte, un electrodo de tungsteno en un rayo Xda una Imea Ka, con una longitud de onda de 0.2090 A. Ahora son posibles ‘once éedenes de reflexion. En la Tabla 2.1 se muestra el angulo 8, correspondiente a varias de estas reflexiones, y la Fig. 2.3 muestra ‘una representacidn esquemética de las mismas. = 1302 TABLA 21 Orden de reflexion ¢, éngulo de incidencia o reflexién 1 ss 2 10° 20° 3 26°40 n 30° ‘Al considerar el ejemplo anterior, es importante observar que, aunque hay once angulos a los cuales se reflejara un haz con 0.2090 A de longitud de onda con interferencia constructiva desde planos de hhiewo {110}, s6lo una muy ligera desviacién en el angulo 9 fue- ra de cualquiera de estos once valores ocasiona interferencia destructi- va y cancelacién del haz. reflejado. Si se refleja un haz de rayos X desde un juego de planos cristalogréficos es en estas condiciones una funeién. sensitiva del éngulo de inclinacién del haz de rayos X con el plano, y no debe esperarse que ocurra una reflexion construc- tiva eala vez que un haz monocromético golpea sobre un cristal. DIFRACCION DR RAYOS x 47 Supongamos que se mantiene un cristal en una posicién. fija con respecto a un haz de rayos X y que este haz no es monocromético, sino que contiene todas las longitudes de onda mayores que wn valor mi- nimo A, determinado, Este tipo de haz de rayos X se-denomina hax de rayos X blanco puesto que es andlogo a la luz blanca, 1a cual con- tiene todas las longitudes de onda en ¢l espectr visible. Aunque el ‘Orden wndécima Orden undécine Orden, quinto den quinto ‘Orden. primero Fic. 28, Clertos. angulosa los cuales ocurten. las teflexiones de Bragg ut ‘ando un cristal de hierro y rayos X con longitud de onda de 0.2090 4 (WK,,) Angulo del haz es fijo.con respecto a cualguier juego dado de planos en el cristal, y el dngulo @ de la ley de Bragg es por tanto una cons- tante, las reflexiones: desde todos Jos planos pueden ocurrir ahora como resultado del hecho de que el haz de rayos X es continuo. El punto en cuestién puede ser ilustrado con ayuda de una red cibica simple Dejemos que et haz de rayos X tenga una longitud de onda mini- made 0.5 A y dejemos que forme un angulo de 60° con la superficie del cristal, el. cual, a su vez, se supone que es paralelo a un juego de planos (100}. Ademds, dejemos que los planos {100}. tengan un espaciamiento de 1 A, Sustituyendo estos valores en la ecuacién de Bragg se tiene m d sen ° mh = (1) sen60° = 1.732 Asi, Jos rayos reflejados desde Jos planos {100} contendrin las Ton- gitudes de onda48 PRINCIPIOS DE -METALURGIA FISICA 1.782 A para Ja reflexién de primer orden (01866 A para la settexion’ de’ segurido'ordeti ‘0.546 K pata a setlanitn’ 16 texeee’ edn Lag demas longitudes de onda sufririn interferencia destructiva. En-los ejemplos anteriores, se supaso que los planos reflectores eran peralelos a la superficie del cristal. Este no es un requisito ne- cesario para la reflexidn; es bastante posible obtener reflexiones des- de plaros que forman toda clase de angulos con la superficie, Ast, en la Fig. 2.4, se muestra el haz incidente normal a la superficie y a tun plano (001), en tanto que forma un Angulo ¢ con dos planos Norma Fic, 24, Reflexiones de rayos X desde planos no paralelos a la superficie de ta probere (210) - (012) y (012). Las reflexiones desde estos dos planos se muestran esquemiticamente en la Fig, 2.4. Puede concluirse que cuando un haz. de rayos X blanco incide sobre un. cristal, emergerén del mismo muchos haces reflectados, correspondiendo cada haz re- flectado a una reflexién desde un plano cristalografico diferente. Ade- més, en contraste con el haz incidente que ¢3 continuo en longitud de onda, cada haz reflectado contendré wnicamente longitudes de onda discretas como se prescribe por la ecuacién de Bragg. 22, Técnicas de Laue. Los métodos de Lane para Ja difraccién de rayos X utilizan un cristal con una orientacién gue es fija con res- pecto a un haz de rayos X continuo, como se describe en Ja seccién precedente. Hay dos técnicas de: Laue basicas: en una, se estudian Jos haces reflectados en direcciones cercanas’a las del haz. de rayos X Ancidentes,. en la otra, se estudia el haz reflectado que pasa a través del cristal, Claramente el tiltimo método no se puede aplicar DIFRACCTON DE RAYOS x 49 a cristales de espesor apreciable (1 mm 0 més) a causa de la:pérdida cen intensided de los rayos.X por su absorcion en el metal. El primer método se conoce como la idcnica reflectante de Laue; et timo se denomina técnica de transmisién de Laue. EL método reflectante de Laue es especialmente valioso para de- terminar Ja orientacién de Ja red en el interior de los eristales cuando éstos son grandes y en consecuencia opacos a ios rayos X, Muchas propiedades fisicas y mecénicas varian con ta direccién en et inte- slor de los cristales, Estos son ast anisotrépicos, en contraste con los materiales isotrépicos cuyas propiedades permanezen constantes en to- das direcciones, Un ejemplo tipico de la propiedad anisotrépica en un cristal metélico es la facilidad de magnetizacién en los cristales de hierro, ‘La saturacién ‘magnética se obtiene con mayor facilidad en un cristal de hierro cuando se aplica el campo magnético paralclo una direccién {100}. Por otra parte, es més diffcil obtener la satu racién magnética cuando el campo es paralelo a una diteccién [111]. Otras propiedades de los cristales anisotrépicos son el punto de ce- dencia, Ja ductilidad, y el médulo eléstico. El estudio de estas i otras Propiedades de os cristales requiere del conocimiento de la orienta- clon reticular en Ios mismos. La Fig. 2.5 muestra la disposicién de una cémara refleotante Laue tipica. Los rayos X procedentes del electrodo, 0 anticdtodo, de tun tubo de rayos X se coliman en un haz angostc por un tubo de va- ios centimetros de largo con un didmetro interior de cerca de 1 mm. El angosto haz de rayos X incide sobre el cristal a la derecha de a figura donde es difractado como cierto mtimero ce haces reflectados que inciden sobre el recipiente que contiene una pelicula fotogrfica El frente del recipiente se cubre con una delgada hoja de material, por ejemplo, papel negro, opaco a la luz visible, pero transparente isn (ya) init ween btute | caimedon eo Hk te ceree X Fic. 2.5, Cémara reflectante de Lave ‘Was de rayos % catimado Reciplente para wear 1s ellesa [PRINCIPIOS DE METALURGIA FISICA a los haves de rayos X reflectados. En esta forma, las posiciones de los haces reflectados se registran sobre la pelicula fotogréfica como ‘un conjunto de pequerios puntos oscuros. ‘La Fig. 2.6A muestra la configuracién de los rayos X reflectados de un cristal de magnesio orientado para que el haz de rayos X inci- dente faese perpendicular al plano basal del cristal. Cada punto corresponde a una reflexién desde un plano cristalogrdfico simple, y la simetria séxtuple de Ia red reticular, cuando se mira en-direceién perpendicular al plano basal, es aparente. Si se gira el cristal en una Gireccida que se aleje de Ia que da la configuracién de la Fig. 2.6, cambia la formacién de los puntos (Fig. 2.6B), no obstante todavia define la orientacién de la red reticular en el espacio, En consecuen- cia, la orientacién del cristal se puede determinar en términos de una fotografia de Laue. ‘La transmisién de los diagramas de Laue puede obtenerse con una disposicion similar alas configuraciones reflectadas, pero 1a pelicula se coloca sobre el lado opuesto de la probeta desde el tubo de. rayos X, Las probetas pueden tener la forma de pequefias barras 0 placas, pero dehen sex pequefias en su dimensién paralela al haz de rayos X. ‘Mientras que la técnica reflectante reflecta el haz. de rayos X desde planos casi perpendiculares al mismo haz, la técnica de la transml- sin registra las reflexiones desde planos casi paralelos al haz, como se puece ver en la Fig, 2.7. Fic. 2.6, Fotografias reflectadas de Laue. (A) Fotografia con ef az de 12 ‘yor X perpendicular al plano basal (0001). (B) Fotografia oo el har de ayes X perpendicular a un plano'del prisma (1130). Las lineas de trazos sobre I fotografia se han dibujado para mostrar que las manchas reflectadas quedan ‘sobre hipérbolas DIPRAcEION DE RAYOS x at Las fotografias de transmisin Laue, como las fotografias reflec- tadas, consisten de formaciones de manchas. Sin embargo, las dis- posiciones de las manchas difieren en los dos métodos: las imagenes de transmisién tienen las manchas dispuestas de ordinario sobre clipses, las reflectadas, sobre hipérbolas. (Véase la Fig, 2.6B). @ ® Fic. 2.7. (A) Las fotografias de reflexion de Laue rogistran las reflexiones desde planoe casi perpendiculazes al haz de rayos X incidente. (Wt) Las foto- sgrafiag de transmision Laue registran las reflexiones desde planos cast parale- Jor al haz de rayos X incidente Fic. 2.8. Asterismo en una fotografia reflectada de Lave. Las reflexiones des- de planos cristalinos distorsionados 0 curvados forman puntos alargados La técnica transmisora de Laue, como la reflectante, se utiliza también para hallar Ja orientacion de las redes cristalinas. Ambos métodos pueden usarse para estudiar un fenémeno Yamado asteris- ‘mo. Un cristal queha sido doblado, 0 deformado en’ alguna otra forma, tendré-planos reticulares eurvos que actiian en forma de espe-52 pamieri0s DE METALURGTA FIBICA jos curvados y forman puntos’ o manchas alargadas en lugar de pequeitas imagenes circulares del haz de rayos X. En la Fig. 2.8 se muesira un diagrama de Laue tipico de un cristal deformado. En muchos casos, el andlists del asterismo, 0 distorsi6n, de los puntos 0 manchas en les fotografias Laue proporeiona informacién valiosa ‘concerniente a los mecanismos de 1a deformacién plastica, En Jos ejemplos anteriores (Métodos Laue), se mantiene un erls- tal en una orientacién fija con respecto al haz de tayos X. Las re- flexiones se obtiénen debido a que el haz es continuo, esto és, la v SS 1 pee Sa \ az. attactado je eataro e wo 7 Fic, 29, (A) Dlagrama esquemétio de una émra rotatoria de cristal sim- ple. (B) Representacién esqueméticn de la Imagen de la difraccién obtenida Ge una edmars de eristal rotatorio, Los haces reflectados forman puntos que quedan en files horizontales riable es Ja longitud de onda. Ahora consideraremos varias técnicas importantes por difraccién de rayos X que utilizan rayos X de una sola frecuencia o longitud de onda. En. estos métodos, puesto que A ya no es una variable, es necesario variat el éngulo 0 para obtener las reflexiones. 2.8, Método del cristal rotatorio. En el método del cristal rotato- rio, se llevan los planos cristalograficos a sus posiciones reflectoras girande un cristal sobre uno de sus ojes en tanto que simultineamente se irradia sobre el mismo wn haz de tayos X monocromAtico. Las reflexiones se registran de ordinario sobre una pelicula fotografica que ha sido curvada para que todee a la probeta, (Véase la Fig. 2.9 para una vista esquemdtica del método). 24 El método de Debye-Scherror o del polvo. En este método se debe tener cuidado de que la probeta contenga no un cristal, sino mas de varios cientos de existales orientados al azar, La probeta puede ser bien un pequefio alambre policristalino del metal deseado, o polvo finamente molido del metal, contenido en un tubo de pléstico, cehr DIPHACCTON DE Ravo® x 53 losa, 0 vidrio. En cualquier caso el agregado cristalino consiste de un cilindro de unos 0.5 mm de diametro con cristales de aproximadamen- te 0.1 mm de diémetro o menores. En el método de Debye-Scherrer, como en el método rotatorio de un solo eristal, el Angulo 6 es la varia ble; Ja longitud de onda 4 permanece constante. En el método del polvo, se obtiene una variacién de ¢, no por la rotacién de un simple cristal sobre uno de sus ejes, sino por la presencia de muchos cris- tales pequenios orientados al azar en el espacio dentro de la probeta, Los principios implicados en el método de Debye-Scherrer pueden ser explicados con la ayuda de un ejemplo, P90 Boor dee as Peace A Ne Fic, 2.10. Retieula ciibica simple. Fspaciamiento interplanar relative para los planos (100) y (110) Para mayor sencillez, supongamos una estructura cristalina con la red eitbica simple mostrada en la Fig. 2.10, y que el espacia ‘miento entre los planes (100) es igual a 1 A. Puede demostrarse fécilmente que el espaciamiento para los planos del tipo (110) es igual al de los planos (100} dividido por la xafz cuadrada de dos, por tanto, es 0.707 A. (Véase la Fig. 2.10). El espaciamiento de (110) es por tanto, menor que el de {100}. En efecto, todos los demas planos fen Ia red ciibica simple tienen un espaciamiento menor que €l del cubo, 0 planos {100}, como se muestra con la ayuda de la siguiente ‘ecuacién para el espaciamiento de los planos cristelograficos en una red cibica, donde h, k y [son los tres indices de Miller de un plano en un cristal ctibico, dex, el espaciamiento interplanar del plano, y @ la longitud del borde de Ia celda unitaria se VSR EP En Ia estructura cibica simple, Ja distancia entre planos ciibicos, dum, €8 igual a a, Por tanto ta expresiOn anterior se escribe 0 dys =oA YaIVeIDI0s DE SETALUNGIA YisICA Ahora, Ge acuerdo con la ecuacién de Bragg ma = 2d sen 6 y si enfocamos nuestra atencion en las reflexiones de primer orden, donde © es igual a uno, tendremos o= sen (3) Esta ecuacién nos dice que planos con el espaciamiento mayor re- flectaran al angulo 6 menor. Si ahora se supone arbitrariamente que la longitud de onda del haz de rayos X es 0.4 A, se produciran refle- xiones de primer orden desde los planos (100) (con el espaciamiento supuesto de 1A) cuando 6 eaeoe = 11°30" = son} 2a) 5 Por otta parte, Ios planos {110) con un espaciamiento de 0.707 A reflejan cuando 4 04 = 16° 28" 300.707) @ = sen* Todos 1os demas planos con indices mayores (esto es, (111), (234), etc.) reflejan a éngulos aim mayores. Han de raver % incident cet en polvo > Ha sn utractar, Tone stealer de hacet iftactador desde lw Planes Fo) Co 23" dese hen sin dltracta) Fic, 2.31, Reflexiones de primer orden desde los planos {100) de una red ‘cdbica simple hipotética, Probeta de cristal en polvo La Fig. 2.11 muestra cémo se hallan tas reflexiones Debye- ‘Schenter. Se muestra cémo un haz paralelo de rayos X, monocromé- tico, viniendo desde la inquierda de Ja figura incide sobre el agregado cristalino. Como Ia probeta contiene cientos de cristales orientados DIFRACCION DE RAYOS x al azar en a regién iluminada por el haz. de rayos X incidente, mu- chos de ésios tendrdn. planos {100} al. Angule Bragg correcto. de 11°30’, En, consecuencfa, cada uno de estos cristales reflectara una parte de la radiacion incidente en una direccién que forma un doble Angulo de 11°30’ con el haz original, Sin embargo, debido a que los cristales estén orientados al azar en el espacio, todas las reflexiones no quedarin en Ja risma direccién, sino gue le harén.a lo largo de Ja superficie de un cono que forma un Angulo de 23° con la. direc- cién original del haz de rayos X, En la misma manera, puede mos- trarse que las teflexiones desde ios pianos {110} forman un cono cuya superficie hace un Angulo de dos veces 16°28", 0 32°56" con la direccién original del haz, y que los planos de indices atin mayores forman conos de rayos reflectados que hacen angulos cada vez ma- yores con la direccién original del haz. az Sncidente Fic, 2.12. Representaciém esquematica de la o4mara de Debye 0 de polvo. Se mupone que 1a probeta es edibiea simple. No se muestran todas las reflexiones Fie. 213. Cémara fotogs onden # las reflexionee mostradas en la Fig. 2.12 Las cdmaras para polvo de. uso. més comin emplean una. tira de pelicula larga, la que se curva en forma ée un cilindro que rodea a la probeta, como se. muestra en Ja Fig 2.12. En la Fig.