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-Factor de cresta:
I D I S (e nVT
1)
donde:
ID = corriente a través del diodo (A).
VD = voltaje del diodo con el ánodo positivo con respecto al cátodo (V).
IS = corriente de fuga (o corriente de saturación Inversa)
n = constante empírica conocida como coeficiente de emisión o factor de
idealidad, cuyo valor varía de 1 a 2. (depende del material y la
construcción física del diodo Si=2, Ge=1 para valores reales n cae entre
1.1 y 1.8)
VT = constante llamada voltaje térmico y tiene un valor aproximado de
25,8 mV
Existen 2 tipos:
Conmutación Natural o de Línea: Cuando la fuente de tensión primaria
facilita el paso a corte de los semiconductores, además estos pasan a
conducción en fase de frecuencia de la tensión de entrada.
Conmutación Forzada: Cuando los conmutadores controlables son
llevados a corte y saturación en frecuencias mayores que la frecuencia de
la red
18. ¿Que es un tiristor? Características V-I
Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con
tres uniones pn tiene 3 terminales Ánodo, Cátodo, Gate
Clasificacion:
Diodos de uso General
Diodos de Recuperación Rápida
Diodos Schottky
Modo de Operación
Directo
Inverso