36 INrRODUCCION A Los sEMicoNDUCTORES EXAMEN DE VERDADERO/ FALSO Las respuestas a todos los problemas impares se encuentran al fina de libro EXAMEN DE ACCION DE CIRCUITO 1. Un dtomo es la particula més pequefa en un elemento, 2, Umelectrén es una particulacargada negativamente 3._ Un dtomo esté compuesto por electrones, protones y neutrones, 4, Los electones son una parte del nicleo de un stom, 5. Los electrones de valencia existen en la capa extema de un étomo. 6, Se forman cristales mediante el enlace de dtommos, 7. Elsilicio es un material semiconductor. 8. ‘Todos los diodos tiene una unin pn. 9. Las rogiones py n en un diodo se forman mediante un proceso llamado ionizacin 10, Las dos regiones de un diodo son el énodo y el colector 11, Undiodo puede conducir coriente en dos direcciones con igual facilidad, 12, Un iodo conduce corriente cuando estépolarizado en directa 13, Cuando estépolarizado en inverse, un diodo idealmente aparece como un corto. 14, Dos tipos de cortiente en un diodo son Ia de electrones y lade huecos. Las respuestas a todos los problemas impares se encuentran al fina del ibro AUTOEVALUACION 4. Cuando un diodo esté polarizado en directa y el voliaje de polaizaciGn se inerementa, la corriente de polarizacicn en direct: (a) seincrementa —(b) se reduce (©) Nocambia 2. Cuando un diodo estépolarizado en dircetay l voltaje de polarizacién se incrementa el voltajea tra -vés del diodo (de acuerdo con et modelo prctico) (a) seincrementa _() se reduce —_(€) Nocambia 3. Cuando un diodo ests polarizado en inversay el voltae de polarizacién se incrementa, la corriente en inversa (de acuerdo con el modelo prtico) (a) seincrementa (b) se reduce —_(€) Nocambia 4. Cuando un diado estépolarizado en inversay el voltae de polaizacién se incrementa, la coriente (de acuerdo con el modelo completo): (a) seincrementa _(b) sereduce —_(€) Nocambia 5. Cuando un diodo esté polarizado en direetay el voltaje de polarizaciGn se incrementa el voltje a tra vvés del diodo (de acuerdo con e! modelo completo (a) se incrementa (0) se reduce (©) Nocambia 66. Sila comiente de polaizacién en directa en un diodo se incrementa, cl voltae en el iodo (e acuerdo «on el modelo préctico): (a) seincrementa () sereduce —_(e) Nocambia 7. Sila corriente de polarizacin en directa en un diode se edu el modelo completo) voltaje en el diode (de acuerdo con (a) se incrementa —(b) se reduce (©) Nocambia 8. Sie excede el potencial de barrera de un dodo la corriene de polarizacién en directa (a) seincrementa (b) se reduce —_(€) Nocambia Las respuesta a todas los problemas impares se encuentran al final de bro Seccién 1-1 1. Cada elemento conocido tiene: (a) El mismo tipo de stomos_(b) El mismo ndmero de étomos (©) Untipo tinico de domo (@) Varios tipos diferentes de stomosSeccién 1-2 Seccién 1-3 AUTOEVALUACION ¢ 37 2. Un tomo esté compuesto por (a) Un nicleo y s6lo un electrén (b) Un nicleo y uno o més electrones {€) Protones,electrones y neutrones _(@) Respuestas b) ye) 3. El nicleo de un tomo esté compuesto por (a) Protones yneutrones _(b) Electrones (©) Electrones y protones (A) Electrones y neutrones, 4, Los electrones de valencia estin (a) Bn la 6rbita mas eereana al nicleo (b) En la 6rbita més distante del cleo (©) En varias Grbitas alrededor del nfcleo —__(@) No asociados con un dtomo particular 8. Union positive se forma cuando (a) Un electrén se eseapa del stomo (b) Hay mas huecos que electrones en la érbita externa {€) Dos étomos se enlazan entre sf (@) Un dtomo adguiere un electrén de valencia extra 6. El material semiconductor ms uilizado en dispositives electsénicos es el (a) Germanio —(b) Cativin(@) Cobre (@) Silicio 7. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es (a) Uns banda prohibida mas amplia entre la banda ée valencia y la banda de conduccién (b) El ndimero de electrones libres (6) Lacestructura at6mica (@) Respuestas a), y €) 8, La bands de energia en la cual existen los efectrones libres es ls (a) Primera banda (b) Segunda banda (¢) Banda de conduecién _(@) Banda de valencia 9. En un cristal semiconductor, ls étomos se mantienen unidos por (a) Lainteraceidn de los electrones de valencia (b) Las fuerzas de atraceién {€) Los enlaces covatentes (a) Respuestas a,b) ¥ 10, El niimero atémico del silicio es @s 2 ©4 WIE 1, El nimero atémico del germanio es @s 2 ©4 2 12, La capa de valencia en un tomo de silcio tiene la designacin de némero de @o MI ©2 @3 13. Cada étomo de un cristal de silico tiene (a) Cuatro electrones de valencia (b) Custeo electrones de conduccién {€) Ocho electrones de valencia, cuatro propos y cuatro compartidos (@) Ningsn elect de valencia porque todos son compartidos con otros étomos 14, Los pares de electsin-hueco se producen por (a) Recombinacién (b) Energia térmica (@) Tonizacién (@) Dopado 15, Ocurre recombinaciéa cuando (a) Un lectrén eae en un huceo (b) Un ion positive y ion negativo se enlazan (©) Unclectrén de valencia se convierte en un electrén de conduccién (@) Se forma un cristal 16, La corriene en un semiconductor es producida por (a) Sélo clectsones (hb) Sélo huecos (¢) Tones negatives (@) Tanto electrones como huecos3a InTRODUCCION A Los SeMIcoNDUCTORES Seccién 1-4 Secci6n 1-5 Secci6n 1-6 17, En un semiconductor intrinseeo (a) No hay electones libres (@) Los clectrones libres sn prodcdos temicumente (6) Séto hay huecos () Hay tantoselectrones como hueeos (6) Respuestas)y 6) 1, El proceso de agregar impurezas aun semiconductor intnseco se ama (a) Dopao (b) Recombinacién_(@) Modificaciéaamica (4) onizacién 19, Se sgroganimpurceas wivalente al silici para crear (@) Genmanio (©) Unsemicondutor ipo p. (© Unsemiconductor tion (@) Una repién de empobrecimiento 20, £1 propésito de una impurera pentavalene es (a) Reducir la conductivdad dl silico. (6) Incrementar el mimero de huseos (6) tnorementar el nimero de elecrones libres (@) Crear portadores minoitarios 21. Los prtadores mayoritaros en un semiconductr tipo m son (a) Huecos (@) Elecuones de valencia (6 Blectones deconduccién —_(@) Protones 22, Los huecos en un semiconductor ipo n son (a) Portadores minoitrios producidostémicamente (©) Poraudores minoritaros prodcidos por dopado (6) Portadores mayoritaros prucidostémicamente (@) Portadores mayoritarios producides por dopsdo 23, Se forma una unin pn mediante (@) La recombinacin de electrones y huecos ©) Fosizacién (© Elite de un material ipo my uno tipo p (@) El chogue de un protéa yun newtesn 24, La regin de empobrecimiento se crea por (@) Tonizacién(b) Difusién (@) Recombinacién (@) Respuestas), 6) 25, La regién de empobrecimiento se compone de (a) Nada més que portadores minors (b) Tones positivos y negatives (6) Nada de portadores mayoritarios (€) Respuestasb) y.) 26, El téemino polrizacién es (a) Larelacin dels portadores mayortaros alos portadores (©) La cantidad de comieme a wavés de un diodo (© Un volaje de ec aplicu para comtoar la operavién de un dispositive @ Niapnibaic) 27, Par plasizar en directa un diodo ritarios (a) Se aplica un volts externo positivo en el énodo y negativo en el eétodo (b) Se aplica un voltajeexterno negativo en el dnodo y positive en el eatodo {) Seaplica un voltae externo postivo en ta regidn p y negativo en a regién n (@) Respuestas a) ye) 28 Cuando un diodo esté polarizado en directa (a) La nea corrente es lade huecos () La énica coniente es lade eleetrones (©) La nica corrieme es la producida por los portadores mayoritarios (@) La corsiente es produc tanto por los huecos como por los electronesSeccién 1-7 Seccién 1-8 Seccién 1-9 2. 30, a 2 3 35. 36. 3. 38 39, AUTOEVALUACION #39 Aungue la cortiente esté bloqueada con polstizacin en inversa {a) Hay algo de corriente debido a los portadores mayoritatios (b) Hy una corriente muy pequeda debido a los portadores minoritaios (©) Hay una corviente de avalancha Para un dio de silcio, el valor del voltaje de polarizacién en directa en general (a) Debe ser mayor que 0.3 V (b) Debe ser mayor que 0.7 V (€) Depende el ancho de la regin de empobrecimiento (a) Depende de la concentracin de portadores mayoritarios ‘Cuando se polariza en directa un diodo (a) Bloquea la coriente (b) Conduce corriente (€) Tiene una alta resistencia (d) Reduce un voltje grande Un diodo opera normalimente en: (a) La condicién de ruptura con polarizacin en inversa, (b) La regis de polarizacin en directa () La regién de polarizacin en inversa (a) Respuesta b) 0). La resistencia dindmica puede ser importante evando un diodo: (a) Se poleriza en inversa (b) Se polariza en directa, {) Se encuentra en la condici6n de ruptura con polarizacicn en inversa. (@) Noesté polarizado, La curva V1 para un diodo muesiea (a) El volije a través del diodo con una corriente dada (b) La cantidad de corriente con un voltje de polarizacién dado. (6) La isipacién de potencia, (a) Ninguna de estas situaciones, dealmente, un diodo puede ser representado por: (a) Una fuente de voltaje (b) Una resistencia (©) Uninterruptor (@) Todas las anteriores En el modelo prictico de diode: (a) El potencial de barrera se oma en cuenta (b) La resistencia dindmiea con polarizacién en directa se toma en cuenta (©) Ningunas de las anteriores (@) Tanto 8) como b) Enel magelo completo de diode: (a) El potencial de barrera se oma en cuenta (b) La resistencia dindmica con polarizacisn en directa se toma en cuenta (©) La resistencia con polarizaciGn en inversa se toma en cuenta (@) Todas las anteriores Cuando un diodo de slicio funciona apropiadamente, un DMM puesto en la posicién prueba de diodo indicars (a ov OL (©) Aproximadamente 0.7V (@) Aproximadamente 0.3 V ‘Cuando un diodo de silici estésbierto, un DMM indicaré en general: fa ov () OL (©) Aproximadamente 0.7 V(@) Aproximadamente 0.3