Bab-7 MATERIAL SEMIKONDUKTOR 7.1, Material Semikonduktor pe&= dekade terakhir, perkembangan material semikonduktor telah mengakibatkan perkembangan yang luas terhadap divais elektronika dan optoelektronika yang sangat memengaruhi beberapa aspek dalam emanfaatan teknologi. Tidaklah berlebihan jikadikatakan divais semikonduktor telah mengubah hidup manusia. Dari semikonduktor keyaitu IC dan divais cah ya) mika dan optoelektronika ( penyimpanan data dlivais mikroelektro aes untuk aplikasiinformasi _(yaitu i Pe Komunikes), perkembangan dan aplikasl tersebut dipicu oleh emahag” yang lebih baik dalam bidang multidisiplin, yaitu kaitan antar bebera, aspek (struktur, sifat-sifat, pemrosesan dan sintesa, performansi ee karakterisasi material), Tantangan Yang harus dihadapi dalam penelin’ tentang material dan divais semikonduktor meliputi frekuensi yang lebih tinggi, konsumsi daya yang rendahy sebagai pembangkit daya yang lebj, Te Gan lainlan (isha dan Singh, 2008, dan Yacobi, 2004) Nonuratafat kimianya, semikonduktor sebagian Desar_termasy, bahar’ anorganike Contoh semikonduktor organik adalah antrasen naphthaline dan polyacetylane. Biasanya dalam | buku-buku, is eematas hanya untuk semi Konduktor anorganik, Karena ini jauh lebih rredah“antak ‘dipahami dan secara_teknologi jauh lebih menarg dibandingkan dengan semikonduktor _organik. Namun dlemikian Semnikonduktor organi juga memilki arti penting untuk ilmu pengetahy 7 dan teknologi. (Quay, 2008) a Studi tentang material semikonduktor dimulai pada awal abad 19, Pada awal tahun 1950, Ge adalah material semikonduktor yang pali : banyak dipergunakan, Namun demikian divais Ge memiliki Kelemahae yaitu arus bocor yang tinggi pada temperatur yang sedikit tin - Germanium oksida juga larut dalam air sehingga cocok dengan fal te Serato Sek wal tahun 1960, 51 telah cipllin menggantikan Ge, karena Si memiliki arus bocor yang rendah, dan Si dioksida weal it ence. dapat ditumbuhkan secara termal. Juga ada al a con iga ada alasan ekonomi, material $ lebih mura ibandingkan material semiondlorIsinnya Sitkon a Ree eee rete er semikonduktor masih banyak Saale si Sears semikonduktor paduan. Yang telah digantian oleh Sifatsifatlistrik dan opti ; semikonduktor paduan teas aaa PER acl yang sangat pesat_selama 16 eh it vans mengalami kemajuan Sealthan al ones Peele ae ai Taek oe eat ae lebih ting, format wafer yang lebih. bes lebih tinggi, daya output yang (2 tei fomat wafer yang lebih bear dan seterusnya, bak ui komunitsi'3G dan 4G. Namun demikion henge eocar catek ak se rads aun Seen bara pasar unk plas Math beens dina Engen TEN ters masihtinggi sings Lids TIEN nti ABLE BSREahapeae ae ron mate ait dari Sop) ate aateeneahayaan,terus berkembang dengan pest (Quay, 2008). Telah terjadi peningk teknologi sehingga diminati pasar Peningkatan dalam pemanfaatan material 100 | Bab-7 Material Semikonduktoraduan seperti GaAs, InGaAs, dan heterostruktur yang terbuat dari Si/Si BeRAAIGAAS, dan terakhir GaN. untuk aplikasi lighting, aoe a komunikasi nirkabel (Mishra dan Singh, 2008). Sedangkan GaAs banyak Gimanfaatkan untuk aplikasi gelombang mikro dan fotonik, misalaya tintuk LED (light emitting diode). : y Material semikonduktor pada umumnya dikenali dari _sifat konduktivitas listriknya, yang berkaitan dengan celah pita energi yang dimilikinya. Sifat ini dihasilkan dari penggabungan atom-atom sebagai zat padat. Celah pita energi material semikonduktor ini relat lebih tinggi Gibandingkan material logam, namun lebih rendah dibandingkan dengan material isolator. Material semikonduktor ini juga sangat bergantung pada temperatur, yaitu menjadi konduktif jika temperatur dinaikkan. Dopan adalah elemen yang ditambahkan ke dalam material semikonduktor untuk mengubah sifat listrik dan dalam beberapa kasus termasuk sifat optik yang dimiliki material tersebut. Pada umumnya doping ng digunakanberkisar_antara._10"°-10"/cm'. Dopan dapat diklasifikasikan ke dalam dua kategori, yaitu tipe-n dan tipe-p. Atom-atom dopan yang memiliki elektron lebih banyak daripada atom induk disebut sebagai donor, karena atom-atom tersebut menyumbang elektron untuk konduksi. Penambahan atom donor akan menciptakan level Ey tertentu dalam celah energi. Level energi ini berada di bawah pita konduksi E- bagian bawah yaitu ekivalen dengan energi ionisasi. Atom dopan yang memiliki elektron kurang banyak dibandingkan dengan atom induk, disebut akseptor, yang juga menciptakan level energi Eq yang berada dalam celah energi di dekat pita valensi £, bagian atas yang juga dipisahkan oleh energi, ekivalen dengan energi ionisasi dopan. Energi Fermi (E,,) adalah suatu parameter penting untuk memahami teori pita zat padat. Pada umumnya sifat listrik, optik dan magnet suatu material bergantung pada posisi E, dalam pita energi. Energi Fermi berguna dalam menentukan bagaimana suatu divais akan berfungsi ketika dopan ditambahkan ke dalam material, yang diturunkan dari statistik Fermi-Dirac. Probabilitas bahwa suatu level energi ditempati oleh elektron ditentukan oleh fungsi Fermi, AE): a) Pada T = 0, semua tingkatan yang memiliki energi < E, akan terisi penuh elektron, dan keadaan energi yang lebih tinggi adalah kosong. Elektron akan menempati energi yang lebih tinggi jika temperatur dinaikkan dan menyebabkan adanya arus dalam pita konduksi. Jika E = E, maka ‘Teori dan Teknologi Material Elektronik | 101ron adalah Yo. Pada energi tinggi (E>s p probabilitas menemukan ee dapat didekati dengan menggunai., batas atas fungsi distribusi F fungsi distribusi Boltzmann: 7.2) Untuk material intrinsik, Konsentrasi hole dalam pita valensi sama denga, pita konduksi, dan Ey terletak tepat di tengap, Dalam semikonduktor tipe-n atau tipe.p, fergeser_disebabkan penambahan impuritas agai potensial kimia elektron, yaiy penambahan satu elektron dalam konsentrasi elektron dalam tengah celah pita energi tingkatan Fermi akan bé Tingkatan Fermi sering pula disebut set jumlah energi yang berkaitan dengan sistem. Parameter penting lainnya untuk semikonduktor adalah rapat keadaan (6), yang digunakan untuk menggambarkan berapa banyak elektron berada dalam tingkatan atau pita energi. Rapat keadaan untuk semikonduktor dan logam konduktor berbeda karena memiliki struktur pita yang berbeda. Hubungan yang umum untuk konsentrasi elektron ny (elektron/cm’) dalam selang energi dE adalah fungsi probabilitas penempatan f(€) dan rapat keadaan p(£), dalam pita konduksi adalah: p= | f(E)p(E)aE 73) Konsentrasi elektron total diperoleh dengan integrasi meliputi seluruh pita konduksi. Analisis serupa dapat digunakan untuk pg dalam pita valensi dengan menggunakan variabel yang sesuai. 7.2. Semikonduktor Intrinsik Semikonduktor adalah bahan dengan celah pita energi (band gap) antara pita valensi dan pita konduksi berorde 1 eV, Pada zat padat yang bersifal nonkonduktor pita energi elektron valensi jauh di bawah energi ionisasi ataupun pita konduksi kosong. Celah pita energi antara pita valensi dan pita konduksi terlalu besar bagi elektron untuk pindah, baik oleh energi ermal maupun medan listrik, kita tinjau Ne yang terdiri dari 10 elektron, yaitu: n= 1 terdiri dari 2 elektron terikat n= 2 terdiri dari 8 elektron terikat 102 | Bab-7 Material SemikonduktorTidak ada elektron pada n = 3 (pita konduksi kos diperihatkan pada Gambar 7.1. Untuk memperoleh elektwon Ft temindahkan elektron dari seperti Ik bas atau ita valensi ke pita konduksi diperlukai i ‘ang lebih besar daripada celah pita energi. Onan celah pits energi memiliki harga >> 0,04 eV (0,04 eV adalah energi termal pada umumnya). Dengan demikian, arena tidak ada elektron pada pita konduksi Ne dikatakan bersifat non-konduktor. Energi ————————_____ Y) pita konduksi ( Gambar 7.1. Diagram pita energi yang memperlihatkan adanya pita valensi, pita konduksi dan celah pita energi Pada zat padat semikonduktor intrinsik, celah pita energi, , tidak terlalu besar sehingga energi termal cukup untuk melepaskan elektron dari pita valensi. Contoh pada Si (E,= 1,1 eV) dan Ge (E, = 0,7 eV). Pada T = 0 K, semikonduktor bersifat sebagai isolator, namun pada temperatur ruang beberapa elektron dapat tereksitasi oleh energi termal sehingga material semikonduktor menunjukkan konduktivitasnya pada temperatur kamar, meskipun konduktivitas tersebut jauh lebih kecil daripada konduktivitas konduktor. Hal ini adalah karakteristik material murni sehingga disebut semikonduktor intrinsik. Konduktivitas material ini bertambah dengan naiknya temperatur. Makin tinggi temperatur makin banyak elektron yang terlempar ke pita konduksi. Umumnya naik + 10x jika temperatur dinaikkan dari 0° ke 40°C. Ketika elektron berpindah dari pita valensi ke pita konduksi akan menghasilkan hole pada pita valensi yang juga berperan dalam Penghantaran arus listrik. Pada Gambar 7.2 memperlihatkan elektron yang ‘ereksitasi menjadi elektron bebas di dalam pita konduksi dan elektron tersebut meninggalkan kekosongan (hole) dalam pita valensi yang Teori dan Teknologi Material Elektronik | 103—_—_ pita konduksi Gambar 7.4. Distribusi Fermi Dirac dan energi Fermi (E,) untuk semikonduktor pada T> 0K. Apabila medan listrik diberikan kepada semikonduktor, maka elektron- elektron dalam pita konduksi akan mencoba bergerak melawan medan yang diberikan. Elektron-elektron dalam pita valensi juga mencoba bergerak menurut arah yang berlawanan dengan medan. Tetapi untuk melakukannya setiap elektron harus berpindah dari satu keadaan terisi ke salah satu. keadaan kosong pita valensi (hanya sedikit keadaan pita valensi yang kosong). Sewaktu medan listrik menarik elektron-elektron ke salah salu ujung bahan, semua hole akan terpusatkan pada ujung lainnya, Gerak elektron-elektron dalam pita valensi yang meloncat dari satu keadaan kosong ke keadaan kosong lainnya, sama halnya dengan gerak hole namun dalam arah yang sebaliknya. Kekosongan ini disebut dengan hole lubang). Dengan demikian arus dalam semikonduktor terdiri dari dua bagian, yaitu: * aliran elektron yang bermuatan negatif dalam pita konduksi * aliran hole yang bermuatan positif dalam pita valensi Namun demikian kontribusi keduanya tidaklah sama besar, karena élektron dalam pita konduksi relatif dapat bergerak lebih mudah daripada elektron yang bergerak dalam pita valensi yang menyebabkan gerak hole. Bahan yang telah kita bicarakan ini termasuk dalam semikonduktor intinsik, yaitu material semikonduktor murni yang belum_ tercampur dengan atom-atom lain. Semikonduktor intrinsik mempunyai_ciri-ciri sebagai berikut: * jumlah elektron dalam pita konduksi sama dengan jumlah hole dalam pita velensi Teori dan Teknologi Material Elektronik | 105jtengah-tengah celah pita energi : di + energi Fermi terletak tn besardaripada hole «+ kontribusielektron terhadap arus lebi 0? buah atom memberi kontribusi k memili i intrinsik tidak banyal ct Fonds seas asinya dilakukan pencampuran dengan i, sehingga dalam apli npurar sm alae lm yang debut sebagai Keakmumian Gimp) yaitu untuk meninggikan konsentrasi pembawa muatan. Dalam sist digunakan dalam teknologi sem. berkala, atom-atom yang banyak k konduktor terdapat dalam golongan Il sampai VI, seperti tercantum dala, ‘Gambar 7.5. pada konduksi © sekitar 1 dari 1 fgolongan tla tla“ Va Via ta ene apreoy & Be} B}C |N |O a Mg | Al | Si | P Ss a Ee eC Zn} Gal Ge | As | Se @ |e [a [a | Cd} In| Sn | Sb | Te a a la ja |e Hg} Ti} Pb) Bi | Po Gambar 7.5. sistem berkala untuk atom-atom semikonduktor Material semikonduktor intrinsik termasuk pada golongan IVa pada tabel sistem berkala dan yang paling terkenal adalah Si dan Ge. Adapun atom C dapat memiliki sifat sebagai Konduktor dan bahkan isolator bergantung pada ikatan kimianya, Silikon mempunyai konfigurasi atom : 1s? 28 2p* 3s? 3p’, sedangkan konfigurasi germanium adalah 132 2? 2p’ 39 3p' at 3d 4p?. Untuk Si ada 4 elektron pada kulit ke-3 (kulit terluar) yaitu 2 elektron pada level 3s dan 2 pada level 3p. Demikian pula untuk Ge, ada 4 elektron pada kulit ke-4 (kulit terluar) yaitu 2 elektron pada level 4s dan 2 - level 4p. Ikatan kovalen pada Si dan Ge diperlihatkan pada Gamat 108 | Bab-7 Material SemikonduktorBab-8 DIVAIS SEMIKONDUKTOR Pembahasan kita selama ini terkesan agak abstrak dan kadang-kadang samar-samar, yang tamppak tidak relevan dengan bidang rekayasa. Pada bab ini akan dibahas beberapa divais semikonduktor. Meskipun tidak semua semikonduktor akan dibahas di sini, namun pemahaman pengoperasian divais di sini dapat menjadi bekal yang baik untuk Pemahaman divais yang lain.8.1. Diode Logam-Semikonduktor Diode Logam-Semikonduktor am di satu sisi maka akan terbentuk kontak rectifying (penyearah) atau_kontak ohmik, tergantung pade jen loam yang digunakan. Kedua kasus tersebut sama penting Ya. Rectifier secara luas digunakan dalam perangkat elektronik, misalny, untuk mengonves arus bolak-balik menjadi arus searah. Namun, jenis in! se een besar telah digantikan oleh p-n rectifier. Di sisi lain, semua perang at semi. konduktor memerlukan kontak di mana elektron dapat meng dengan mudah dalam dua arah yang disebut kontak ohmik karena karakteristik arus-tegangannya memenuhi hukum Ohm. Semua bahan memiliki tingkatan (level) vakum yang sama. Fungsi kerja adalah celah energi antara tingkatan Fermi dengan tingkatan vakum, Bila pada logam diberikan energi yang lebih besar dari y maka elektron. elektron dekat £,, akan naik ke tingkatan vakum dan menjadi elektron bebas. Afinitas elektron 7, adalah celah energi antara pita konduksi (bagian bawah) dengan tingkatan vakum. Pada Gambar 8.1 diperlihatkan bahwa logam dan semikonduktor memiliki tingkatan Fermi yang berbeda. Teta vatin o| [* Ee — Es AE, Gs ' Gambar 8.1. Model pita energi untuk sambungan logam-semikonduktor tipe-n. 8.1.1, Model Pita Energi Jka semikonduktor dilapisi log: Karena Es > Ey maka elektron dari semikonduiktor berpindah (berdifusi) ke logam, sampai perbedaan energi tingkatan Fermi AE, = 0, sehingga jumlah elektron dalam semikonduktor berkurang dan_ semikonduktor menjadi bermuatan positif. Jika tingkatan Fermi keduanya telah rata maka akan terbentuk 2 daerah muatan ruang yang disebut daerah deplesi, yaitu daerah dekat permukaan batas semikonduktor-logam, yang bermuatan Positif dan daerah netral, di mana jumlah muatan positif dan negatif sama Dengan demikian pada daerah deplesi dihasilkan medan listrik arahnya 182 | Bab-8 Divais Semikonduktorsemikonduktor menuju logam (Gambar 8,2), ceraikkan tegangan daerah muatan ruang, halangi aliran elektron bebs 4 farrier, Karena menghalangi ron bebas. Barrier yang di Pi dsebut sebagai barrier Schottky, di mana besamnya ance bouton dengan polaritas bias, yang berperan sebagai penyearah (rectifier) ati Medan listrik ini yang disebut sebagai tegangan daerah netral daerah deplesi ‘Gambar 8.2. Tegangan barrier untuk sambungan logam-semikonduktor tipe-n 8.1.2. Arus dalam Diode Logam-Semikonduktor Pada divais yang memiliki tegangan barrier seperti tersebut di atas, arus mengalir dengan berbagai cara tergantung polaritas tegangan yang diberikan, seperti digambarkan dengan model pita energi pada Gambar 83-8.5. ED Warne! Gambar 8.3. Kontak logam-semikonduktor tipe-n tanpa diberi bias Teori dan Teknologi Material Elektronik | 133eadaan tanpa bias, untuk elektro: Tampak pada Gambar 8.3, yaitu pada ki > Er + du © dalam logam yang memiliki energi «dalam semikonduktor dengan energi> Ec +4V maka elektron dapat bergerak bebas, Karena tidak ada barrier yang menghalangi, dan karena: dy = Ee Ee + V (8.1) yaitu energi elektron yang sama, sehingga konsentrasi elektronnya pada semikonduktor dan logam menjadi sama dan menghasilkan arus nol. Untuk keadaan bias maju, semikonduktor memiliki tingkatan energ Vo yang lebih tinggi daripada logam, sehingga terjadi aliran elektron dari dalam logam dan semikonduktor, sebagai berikut: * Konsentrasi elektron dalam logam yang dapat melompati barrier, adalah: - Iq = No expl—(Ey + Gu ~ En) kT = No exp(-Gy/#T) (8.2) © Konsentrasi elektron dalam semikonduktor ng = No expl-{Ec + Vp -V)~ Exs}/AT] (8.3) Eo ‘as mae Gambar 8.4, ar Bote saondite spe beams ag meet nsentrasi ms — ry mengalir dari semikonduktor ke logem 134 | Bab-8 Divais Semikonduktorpari Gambar 8.4 tampak $y > Eo+ QV -V,)— By oa) Oleh sebab itu %s > My, konsentrasi elektron dalam semikonduktor yan, dapat melompati barrier > konsentrasi elektron dalam logam, hi 3 elektron dengan konsentrasi sebesar ns —n,, mengalir dari senikir hie ke logam, menghasilkan arus seperti dalam Gambar 8.4, ‘Adapun perbedaan konsentrasi elektron: Ns — My = No exp, /AT)exp(qVg/KT ~1) 5) Tampak bahwa perbedaan elektron naik dengan bertambahnya tegangan bias yang diberikan, Hubungan: bu = (Ec - Ep) +qV —Vp) (8.6) yang ditunjukkan pada Gambar 8.4. Sekarang bagaimana jika diberikan bias mundur, seperti pada Gambar 85? Tegangan dalam semikonduktor lebih rendah sebesar qVs, sehingga tegangan barrier meningkat dari qV ke g(V,+V), artinya terdapat barrier yang lebih tinggi untuk elektron bebas dalam daerah netral Konsentrasi elektron logam yang dapat melompati barrier ty = Ne expl—{Enye + (Gy ~ En} KL] = Ne exp(-By,/ kT) (67) Konsentrasi elektron semikonduktor yang dapat melompati barrier. ng = Neexpl-(Ec + Vat V)~ Ers}/AT) (8.8) yang berarti:n,, > rs, sehingga: = ry =—Ne expt / FT) @xp(-4V/ AT ~1) (8.9) mengalir dari Sehingga elektron dengan konsentrasi sebesar My — 7s logam ke semikonduktor, sehingga mengalir arus seperti pada Gambar 8.6. Teori dan Teknologi Material Elektronik | 135