COURS

ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE 1

PROFESSEUR: A. ABOUDOU
 CHAPITRE 4

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
A – Présentation

Le transistor bipolaire a été inventé en 1948, et a été

fabriqué pour la 1ère fois en 1950. Son influence dans
l’industrie électronique a été considérable.
1- Constitution :
Un transistor bipolaire est constitué par la succession de deux jonctions PN : soit
NPN ou PNP.

La région centrale est mince et faiblement dopée, on l’appelle base (B) ; Les
régions extrêmes (de même type de dopage, sont nommées émetteur (E) et
collecteur (C). L’émetteur est plus dopé que le collecteur.
 2- Symboles :

La flèche indique toujours l’émetteur. Elle est dirigée dans le sens

passant de la jonction base-émetteur (du P vers le N).
 3- Conventions d’écriture :

Dans toute la suite, nous étudierons le fonctionnement d’un transistor de

type NPN. Le raisonnement est en tous points identique pour un
transistor de type PNP par inversion des polarités des tensions et du
sens des courants.
 4- Analyse du fonctionnement :
a- Les modes de fonctionnement :

Vu l’existence de deux jonctions, 4 types de polarisations sont possibles :

• Jonction E-B en direct, jonction C-B en inverse : Mode normal ;

• Jonction E-B en inverse, jonction C-B en direct : Mode inversé ;

• Jonction E-B et C-B en inverse : Mode bloqué ;

• Jonction E-B et C-B en direct : Mode saturé.
b- Montage d’étude :
IC

IB
VCE

VBE

Circuit d’entrée Circuit de sortie

Ce montage d’étude, correspond au mode de fonctionnement normal. Dans le montage,

l’émetteur constitue la référence commune aux circuits d’entrée (circuit B-E) et de sortie
(circuit C-E). Ce montage est appelé Emetteur commun, c’est le plus utilisé.
On rencontre aussi les montages Base commune et collecteur commun.
c- Fonctionnement :

La jonction E-B est polarisée en direct et la jonction C-B est polarisée

en inverse (Mode normal).
 Électrons émis par E : IE (IE>>IB) Électrons émis par E et collectés par C : 𝛼𝐼𝐸
Recombinaisons
Zone déserte
𝛼≲1
IICC=I
=ICB0
CB0+ 𝛼𝐼$
E N+ P- N C
IE

Courant de porteurs minoritaires ICB0

Courant de trous de la base : IB IB

IE=IB+IC B
La jonction E-B est polarisée en direct : il y a donc diffusions d’électrons
majoritaires de l’E vers la B et diffusion de trous majoritaires de la
base vers l’E. Le nombre des électrons est plus grand que celui des
trous. Les électrons de l’E en arrivant dans la base deviennent
minoritaires. Certains d’entre eux vont se recombiner aux trous
majoritaires de la base. Ceux qui échappent aux recombinaisons,
arrivent au voisinage de la jonction C-B qui est polarisée en inverse,
sont accélérés par le champ interne de la zone déserte et propulsés
dans le collecteur.
Pour qu’un nombre maximal d’électrons « émis » par l’E soit « collecté »
par le C, il faut et il suffit que le nombre de recombinaisons dans la
base soit le plus faible possible.
Cette condition sera remplie si :
• La base est très mince et la surface de jonction C-B importante
(l’électron arrivera très vite à proximité de la jonction C-B)
• La base est très faiblement dopée et l’émetteur fortement dopé (les
électrons émis en grand nombre auront peu de chances de rencontrer
un trou dans la base)
Les conditions étant remplie par la structure, le pourcentage de
recombinaisons est très faible et l’ensemble des électrons « émis »
est « collecté » presque intégralement.
Ce phénomène est appelé Effet transistor.
 5- Relation fondamentale :

De l’étude précédente, on déduit que :

• IE = IB+IC avec IB≪IC en raison du faible dopage de la base
• IC = ICB0+ 𝛼𝐼$ avec ∝≲ 1 en raison du très faible taux de
recombinaisons dans la base.
Par conséquent :

• IC = ICB0+𝛼(IB+Ic )
Ce qui donne :
( )
• IC = )*( IB+ )*( ICB0
On pose :
(
• =𝛽
)*(

D’où : IC =𝛽IB+(1 + 𝛽)ICB0

Relation fondamentale du transistor bipolaire
Remarques :

• ICB0 étant très faible, il est généralement négligé et l’on a :

IC =𝛽IB
• Si 𝛼= 0,99 1% 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑖𝑠𝑜𝑛𝑠 𝑑𝑎𝑛𝑠 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑠𝑒 , 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 ∶
𝛽 = 99
• 𝛽 est donc appelé le gain en courant statique du transistor bipolaire
6- Réseau de caractéristiques statiques :

Le réseau de caractéristiques statiques du transistor bipolaire est constitué de 3 réseaux :

• La caractéristique d’entrée IB = f(VBE)

• Le réseau des caractéristiques de sortie IC = f(VCE) pour différentes valeurs de IB.
• Le réseau des caractéristiques de transfert IC = f(IB) pour différentes valeurs de VCE.
Caractéristiques de transfert IC=f(IB) Caractéristiques de sortie IC=f(VCE)
pour différentes valeurs de VCE pour différentes valeurs de IB

Tension de seuil

Caractéristique
d’entrée IB=f(VBE)
B – Le transistor bipolaire en régime continu

Le but de ce chapitre est de déterminer le point de

fonctionnement en régime continu, appelé point de repos,
d’un montage à transition bipolaire, à l’aide des réseaux de
caractéristiques.
1- Recherche du point de repos :
Soit le montage émetteur commun suivant. Les circuits d’entrée et de sortie
sont appelés circuits de polarisation :

IC

IB
VCE

VBE

Circuit d’entrée Circuit de sortie

Il faut déterminer les 4 grandeurs (VBE, IB, VCE, IC)
a- Recherche du point de repos à l’entrée E0(VBE0, IB0) :

La loi des mailles appliquée au circuit d’entrée donne :

𝑉&$ = 𝐸& − 𝑅& ×𝐼&

Qui porte le nom d’équation de la droite d’attaque statique.
Son intersection avec la caractéristique d’entrée du transistor donne le point
de repos à l’entrée E0.
 Caractéristique d’entrée

𝐸$
𝑅$

𝑰𝑩 𝟎 𝐸E

Droite d’attaque statique

𝑽𝑩𝑬𝟎 𝐸D
On remarque que 𝑉D$L est très proche de la tension de seuil 𝑈E.
Par conséquent, on va toujours considérer :

𝑉&$+ ≈ 𝑈.
D’où :

𝐸& − 𝑈.
𝐼&+ =
𝑅&
b- Recherche du point de repos à la sortie S0(VCE0, IC0) :

La loi des mailles appliquée au circuit de sortie donne :

𝑉/$ = 𝑉// − 𝑅/ ×𝐼/

Qui porte le nom d’équation de la droite de charge statique Δ.
Son intersection avec la caractéristique de sortie du transistor correspondant à
𝐼D = 𝐼DL (trouvé précédemment) donne le point de repos à la sortie S0.
 𝑉NN
𝑅N
Droite de charge Δ
S0 Caractéristique de sortie
IC0 correspondant à 𝐼$ = 𝐼$%

VCE0 𝑉NN
Remarques :

1- Si on connait β du transistor, alors on peut déduire facilement IC0 à partir de

la relation ;

𝐼/+ = 𝛽𝐼&+
D’où :

𝑉/$+ = 𝑉// − 𝑅/ ×𝐼/+

2- Si on change la valeur de IB0, S0 se déplace sur le segment de la droite de
charge limité par les points B et S.

𝑉NN S
𝑅N

B
𝑉NN
En B, le transistor est bloqué (mode bloqué) : il est
équivalent à un interrupteur ouvert.

En S, le transistor est saturé (mode saturé) ; il est

équivalent à un interrupteur fermé.
2- Polarisation automatique : (une seule alimentation)

a- Polarisation par résistance de base :

b- Polarisation par pont de résistances de base :

Souvent on fait appel au théorème de Thevenin pour simplifier le schéma.

𝑅Q 𝑅)×𝑅Q
𝐸OP = ×𝑉SS 𝑅OP =
𝑅) + 𝑅Q 𝑅) + 𝑅Q
C – Le transistor bipolaire en régime variable

Variable = Statique + Dynamique

Régime continu

Régime sinusoïdal
 1- Montage d’étude : Montage émetteur commun

iC

eg

iB
vCE

vBE
2- Étude en régime statique :

On court-circuite la source de tension sinusoïdale (eg=0) et on

recherche le point de repos afin de déterminer les valeurs
statiques VBE0, IB0, IC0 et VCE0 du montage (voir le chapitre
précédent).
3- Étude en régime dynamique :
On court-circuite les sources de tension continues du montage
(EB=0, VCC=0 ), on obtient alors le modèle dynamique suivant :
ic

ib
vce

vbe
Puis on remplace le transistor par son schéma dynamique
équivalent*, monté en émetteur commun :
𝑖W 𝑖S
B C

ℎ''
1
𝑣WV ℎ&' ×𝑖* 𝑣SV
ℎ&&

ℎ'& ×𝑣()

E E

* Valable uniquement en régime de petits signaux (eg de faible amplitude).

Les hij sont les paramètres hybrides du transistor bipolaire :

• h11 : résistance d’entrée du transistor (Ω)

• h12 : coefficient de réaction interne du transistor, généralement négligeable (sans unité)
• h21 = β : gain en courant du transistor (sans unité)
• h22 : admittance de sortie du transistor (Ω-1 ou S)
Pour le montage collecteur commun, le schéma dynamique équivalent devient :
D – Introduction à l’amplification à transistors

1- Structure :
 Condensateurs de liaison
Circuits ouverts en statique et
court-circuits en dynamique.

Alimentation

ie is

Amplificateur
ve à transistor vs

Générateur de commande Charge

2- Définitions :
YZ
• Le gain en tension : 𝐴Y = Y[

\Z
• Le gain en courant : 𝐴\ = \[

Y[
• L’impédance d’entrée : 𝑍V = \[

• L’impédance de sortie 𝑍^ :
• On débranche la charge
• On court-circuite eg
YZ
• On calcule 𝑍^ = \Z
Remarque :

• D’après la loi d’Ohm, on a : 𝑣^ = −𝑅` ×𝑖^

) YZ
• Donc, le gain en courant : 𝐴\ = −a ×\
b [

• Or : 𝑣^ = 𝐴Y ×𝑣V
cd Y[
• D’où : 𝐴\ = −a × \
b [

23
• Et finalement : 𝐴1 = − 4 ×𝐴6
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3- EXEMPLE :
On considère le montage émetteur commun suivant :

La résistance RE est indispensable pour obtenir un point de repos stable

en température (résistance de stabilisation thermique).
Elle est court-circuitée par CE en régime dynamique.
Il s’agit d’une polarisation automatique par pont de résistances de base. La
détermination du point de repos se fait comme indiquée précédemment.
 Schéma dynamique équivalent

À partir de ce schéma, on calcule le gain en tension, le gain en courant,

l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie de l’amplificateur.