Chương I: Các đầu ghi bức xạ và

sơ đồ tiền khuếch đại

Bùi Ngọc Hà
0963387126
buiha.kthn.bk@gmail.com

1
 Tổng quan về đầu dò chứa khí

 Nguyên lý làm việc

 Đầu dò chứa khí cũng như hầu hết các đầu dò bức xạ khác đều dung nguồn nuôi
các áp mới có thể hoạt động
 Đầu dò chứa khí là một buồng kín chứa khí trơ
 Đầu dò có hai bản cực Anode (+) và Cathode (-)
 Bức xạ rơi vào vùng hoạt ion khí trong buồng tại thành cặp điện tích
 Điện tích chuyển động về bản cực dưới tác dụng của điện trường
 Thu góp điện tích ở các bản cực ta thu được tín hiệu

2
 Tổng quan về đầu dò chứa khí
 Phân loại
 Buồng ion hóa
 Ống đếm tỷ lệ
 Ống đếm Geiger-Muller

Sự phân chia vùng làm việc của các loại đầu dò

chứa khí dựa theo điện áp làm việc
3
 Tổng quan về đầu dò chứa khí
 Phân loại
 Buồng ion hóa
 Ống đếm tỷ lệ
 Ống đếm Geiger-Muller
 Hình ảnh thực tế của một số buồng ion hóa

4
 §1.1. Buồng ion hóa
1. Cấu tạo và hoạt động

 Gồm 2 điện cực Anode (+) và Cathode (-)

 Môi trường khí giữa hai điện cực tạo thành vùng hoạt của buồng
 Điện áp được cấp cho hai bản cực để thu góp điện tích tạo thành
 Dưới tác dụng của điện trường: electron sẽ chạy về Anode, và Ion dương sẽ chạy
về Cathode

5
 §1.1. Buồng ion hóa
2. Năng lượng tạo ra một cặp hạt dẫn
 Năng lượng trung bình để tạo ra một cặp hạt dẫn ω
 Số cặp hạt dẫn tạo thành khi có bức xạ năng lượng E bị hấp thụ hết trong vùng
hoạt
E
N

 Tốc độ di chuyển của hạt dẫn điện
e
v
p
v: Vận tốc trôi của hạt dẫn
μ: Độ linh động của hạt dẫn
e: Cường độ điện trường trong buồng
p: Áp suất trong buồng
Độ linh động của ion trong môi trường khí có giá trị khoảng 1.5×10-4 m2 atm/V,
độ linh động của electron lớn hơn độ linh động của ion dương 1000 lần.
6
 §1.1. Buồng ion hóa
3. Chế độ làm việc của buồng ion hóa
 Chế độ xung
 Giá trị biên độ xung cực đại

 Chế độ dòng
 Dòng điện tích được tạo thành

Với E là năng lượng trung bình bị mất của bức xạ

α là cường độ bức xạ tới buồng
e là điện tích của electron
ω là năng lượng trung bình để tạo 1 cặp hạt dẫn

7
 §1.1. Buồng ion hóa
3. Chế độ làm việc của buồng ion hóa
 Thời gian góp điện tích
 Thời gian góp điện tích phụ thuộc vị trí tương tác
de
te 
ve
Trong đó: de là vị trí từ điểm tương tác tới Anode
ve là vận tốc của electron
 Do thời gian góp điện tích thay đổi => nếu thời gian thu điện tích cố định thì
biên độ xung ra sẽ không ổn định.
 Thời gian thu điện tích không thể thay đổi liên tục
 Đây là nhược điểm lớn khi đo biên độ

8
 §1.1. Buồng ion hóa
3. Buồng ion hóa xung có lưới
 Vấn đề của buồng ion hóa
 Thời gian thu góp không đều
 Biên độ tín hiệu ra không ổn đỉnh
 Phép đo không tuyến tính
 Cấu tạo buồng ion hóa có lưới
 Lưới dẫn điện đặt giữa Anode và Cathode
 Khoảng cách lưới tới Anode cố định
 Vùng hoạt từ Cathode tới lưới: ghi bức xạ
 Khi electron đi qua lưới mới thu tín hiệu
 Khoảng cách lưới cố định => Thời gian thu tín hiệu cố định => Biên độ tín
hiệu ra ổn định (biên độ xung ra có giá trị bằng nhau khi bức xạ tới có cùng
năng lượng).
E
 Biên độ xung tỷ lệ tuyến tính với năng lượng bức xạ tới N 


9
 §1.1. Ống đếm tỷ lệ
1. Quá trình ghi nhận bức xạ và dạng xung
 Các thông số của ống đếm tỷ lệ
 Đặc trưng quá trình ghi nhận của ống đếm tỷ lệ là hiện tượng thác lũ.
 Ống đếm tỷ lệ có điện trường lớn hơn nhiều so với buồng ion hóa
 Hạt tích điện sơ cấp được gia tốc bởi điện trường ion hóa môi trường khí
 Hiện tượng khuếch đại khí xảy ra khi giá trị điện trường lớn hơn 106 V/m
 Ống đếm tỷ lệ thường được chế tạo dưới dạng hình trụ
 Điện trường trong ống đếm tỷ lệ
V
Ex 
x ln  b / a 

10
 §1.1. Ống đếm tỷ lệ
1. Quá trình ghi nhận bức xạ và dạng xung
 Các thông số của ống đếm tỷ lệ
 Đặc trưng quá trình ghi nhận của ống đếm tỷ lệ là hiện tượng thác lũ.
 Ống đếm tỷ lệ có điện trường lớn hơn nhiều so với buồng ion hóa
 Hạt tích điện sơ cấp được gia tốc bởi điện trường ion hóa môi trường khí
 Hiện tượng khuếch đại khí xảy ra khi giá trị điện trường lớn hơn 106 V/m
 Ống đếm tỷ lệ thường được chế tạo dưới dạng hình trụ
 Điện trường trong ống đếm tỷ lệ
V
Ex 
x ln  b / a 
 Điện dung của ống đếm tỷ lệ
5.56  1011 L
Cd 
ln  b / a 
Với L là chiều dài của điện cực trong ống

11
 §1.2. Ống đếm tỷ lệ
1. Quá trình ghi nhận bức xạ và dạng xung
 Vùng làm việc

Vùng làm việc của đầu dò chứa khí

12
 §1.1. Ống đếm tỷ lệ
1. Quá trình ghi nhận bức xạ và dạng xung
 Quá trình ghi bức xạ V ln 2  V 
ln M   ln  ln K 
 Hệ số nhân điện tích: ln  b / a  V  pa ln  b / a  
Với M là hệ số nhân khí, V là điện áp cho ống đếm, K là hằng số giữa điện
trường và áp suất trong ống, ΔV là điện áp sụt giảm khi 1 e di chuyển giữa các
sự kiện ion hóa (tra ΔV và K trong bảng 6.1, trang 172, Knoll)

13
 §1.2. Ống đếm tỷ lệ
1. Quá trình ghi nhận bức xạ và dạng xung
 Quá trình ghi bức xạ
V ln 2  V 
 Hệ số nhân điện tích: ln M   ln  ln K 
ln  b / a  V  pa ln  b / a  
Với M là hệ số nhân khí, V là điện áp cho ống đếm, K là hằng số giữa điện
trường và áp suất trong ống, ΔV là điện áp sụt giảm khi 1 e di chuyển giữa các
sự kiện ion hóa.

14
 §1.2. Ống đếm tỷ lệ
1. Quá trình ghi nhận bức xạ và dạng xung
 Dạng xung
 Biên độ xung tỷ lệ thuận với số tương tác của bức xạ trong ống, hay nói cách
khác là tỷ lệ thuận với năng lượng bức xạ tới.
 Biên độ xung phụ thuộc vào ion dương, do thời gian hình thành và thu góp
electron quá ngắn.
E
 Điện tích cực đại có thể thu góp: Q  M

 Biên độ lối ra được tính như sau:
1/ 2
Q 1  2 V0 
VR  t   ln  2 t  1
Cd ln  b / a   a p ln  b / a  
Với: V0 là điện thế hoạt động của ống đếm tỷ lệ
Q là tổng lượng điện tích được tạo thành trong ống
Cd là điện dung của ống đếm tỷ lệ
µ là độ linh động của các ion dương
p là áp suất trong ống

15
 §1.2. Ống đếm tỷ lệ
1. Quá trình ghi nhận bức xạ và dạng xung
 Dạng xung
E
 Biên độ xung cực đại QM e

 Thời gian để thu được xung có biên độ bằng ½ Vomax
a 
t1/2  t
ab
 Độ phân giải năng lượng của đầu dò khí cỡ 3 – 5%
 
1/ 2
dE 2.35 w FWHM – Full Width at Half Maximum, bề rộng tại
FWHM  một nửa chiều cao cực đại của xung
E E1/ 2
 Dạng xung ra của ống đếm tỷ lệ

16
 §1.2. Ống đếm tỷ lệ

17
 §1.2. Ống đếm tỷ lệ
 Tính toán biên độ tín hiệu xung ra cho ống đếm tỷ lệ
Một ống đếm tỷ lệ LND-451 chứa khí với năng lượng ion hóa ω = 30 eV, điện
áp nuôi ống là 1800V, áp suất khí trong buồng p = 0.1 Mpa, đường kính dây
anode, a = 80 µm, đường kính ngoài của ống, b = 15 mm. tính biên độ tín hiệu
của bức xạ có năng lượng 511 keV bị hấp thụ hết trong vùng hoạt của buồng,
nếu dung tụ thu tín hiệu C có giá trị 1 nF.
 Cách làm
 Tính toán số cặp hạt dẫn tạo thành khi hấp thụ hết bức xạ: 17,033 cặp
 Xác định hệ số khuếch đại M
 Tính theo công thức
 Tra bảng trong hình 6.11, trang 171, Radiation Detection and Measurment

18
 §1.2. Ống đếm tỷ lệ
 Tính toán biên độ tín hiệu xung ra cho ống đếm tỷ lệ
Một ống đếm tỷ lệ LND-451 chứa khí với năng lượng ion hóa ω = 30 eV, điện
áp nuôi ống là 1800V, áp suất khí trong buồng p = 0.1 Mpa, đường kính dây
anode, a = 80 µm, đường kính ngoài của ống, b = 15 mm. tính biên độ tín hiệu
của bức xạ có năng lượng 511 keV bị hấp thụ hết trong vùng hoạt của buồng, nếu
dung tụ thu tín hiệu C có giá trị 1 nF.
 Cách làm
 Tính toán số cặp hạt dẫn tạo thành khi hấp thụ hết bức xạ: 17,033 cặp
 Xác định hệ số khuếch đại M
 Tra bảng ta thu được M = 800
 Điện tích cực đại thu được:
E
Q  M e  800 17033  1.6  1019  2.2  1012 C

 Biên độ tin hiệu cực đại
Q 2.2  1012 3
U max   9
 2.2  10 V
C 10
19
 §1.3. Ống đếm Geiger Muller

20
 §1.3. Ống đếm Geiger Muller

21
 §1.3. Ống đếm Geiger Muller

22
 §1.3. Ống đếm Geiger Muller

23
 §1.3. Ống đếm Geiger Muller

24
 §1.3. Ống đếm Geiger Muller

25
 §1.4. Đầu ghi bán dẫn
 Cấu trúc tinh thể của vật liệu được chia làm 3 vùng
 Vùng hóa trị
 Vùng cấm
 Vùng dẫn

26
 §1.4. Đầu ghi bán dẫn

27
 §1.4. Đầu ghi bán dẫn

28
 §1.4. Đầu ghi bán dẫn
 Đặc trưng của đầu ghi
 Độ phân giải
 Được định nghĩa là độ rộng trên nửa chiều cao đỉnh: FWHM ~ 1%
 Đầu dò bán dẫn có độ phân giải năng lượng tốt nhất trong các loại đầu dò
 Điện dung đầu dò
8.85 1012  A  K
C
d
Trong đó: A là diện tích bản cực, d là khoảng cách 2 bản cực, K là hằng số
phụ thuộc vào loại bán dẫn, K = 12 cho Silic và K = 16 cho Germanium.
 Điện dung của đầu dò có thể bị thay đổi dưới tác dụng của điện trường
 Hiệu suất ghi: hiệu suất ghi cao hơn đầu dò khí
 Thời gian chết
 Là khoảng thời gian mà đầu dò không có khả năng ghi nhận hạt tới sau khi đã
ghi nhận được một hạt tới trước đó.
 Thời gian chết càng nhỏ, tốc độ đếm càng cao

29
 §1.4. Đầu ghi bán dẫn
 Ứng dụng của đầu ghi nhấp nháy
 Do có độ phân giải cao nên được dung trong các hệ phân tích
 Phân tích huỳnh quang tia X
 Phân tích kích hoạt hạt nhân
 Phân tích phổ đồng vị phóng xạ phức tạp

30
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Cấu tạo
 Tinh thể nhấp nháy
 Ống nhân quang điện (PMT – Photo Multiplier Tube), hoặc photodiode
 Khối khuếch đại tín hiệu điện
 Khối xử lý tín hiệu

31
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Nguyên lý hoạt động
 Bức xạ tương tác với chất nhấp nháy tạo nên ánh sáng nhìn thấy (thay đổi bước
sóng photon), Chất nhấp nháy còn được gọi là phần chuyển đổi năng lượng.
 Photon sinh ra do quá trình dịch chuyển mức năng lượng của electron.
 Photon ánh sáng nhìn thấy đi vào Cathode tạo ra electron dựa trên hiệu ứng
quang điện.
 Electron từ Cathode được khuếch đại trên các dynode.
 Các electron cuối cùng được góp tới Anode hình thành nên tín hiệu tại mạch thi
tín hiệu.
 Tín hiệu điện tử được khuếch đại sau đó xử lý theo các yêu cầu cụ thể.

32
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Ống dẫn sáng
 Dẫn ánh sáng từ chất nhấp nháy sang ống nhân quang.
 Tách ống nhân quang khỏi môi trường phóng xạ.
 Hạn chế hiện tượng phản xạ toàn phần, xảy ra khi ảnh sáng truyền qua các môi
trường có chiết suất khác biệt.

33
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Tinh thể nhấp nháy
 Nhấp nháy vô cơ
 NaI(Tl), CsI(Tl), BGO
 Hiệu suất ghi cao
 Hút ẩm cao, giòn => cần bảo quản cẩn thận
 Nhấp nháy hữu cơ
 Anthracence, Stibene
 Hiệu suất thấp hơn loại vô cơ
 Khó chế tạo đơn tinh thể có kích thước lớn

34
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Tinh thể nhấp nháy
 Nhấp nháy dẻo (Plastic)
 Polyethylene bổ sung tetraphenybutadene
 Z không cao => hiệu suất ghi thấp
 Dễ dàng chế tạo với các kích thước khác nhau
 Nhấp nháy lỏng
 Có dạng lỏng
 Có khả năng tạo ra khối nhấp nháy với kích thước rất lớn
 Có khả năng đo 4µ

35
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Tinh thể nhấp nháy
 Cơ chế phát quang
 Bức xạ rơi vào chất nhấp nháy kích thích điện tử chuyển từ vùng hóa trị lên
vùng dẫn.
 Khi điện tử chuyển từ vùng dẫn về vùng hóa trị sẽ phát ra 1 photon
 Cần thêm các mức năng lượng phụ vào vùng cấm để tạo ra photon có bước
sóng lớn hơn.

36
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Ống nhân quang điện
 Cấu tạo
 Cathode
 Anode
 Dynode

37
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Ống nhân quang điện
 Cấu tạo
 Cathode
 Là chất quang điện, nhạy với ánh sáng nhìn thấy hoặc gần vùng nhìn thấy
(cỡ khoảng 440 nm).
 Photon tương tác với Cathode và phát ra photon (hiệu ứng quang điện).
 Có bề dày đủ lớn để hấp thụ photon.
 Có bề dày đủ nhỏ để electron có thể bứt ra.
 Vật liệu làm Cathode phải có xác suất phát xạ electron cao.

38
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Ống nhân quang điện
 Cấu tạo
 Cathode
 Dynode
 Electron đến tương tác với Dynode và tạo ra nhiều hơn 1 electron.
 Hệ số phát xạ lớn làm biên độ tín hiệu lớn => giảm thăng giáng.
 Hệ số phát xạ của Dynode phụ thuộc vào điện áp giữa các Dynode, điện
trường trong ống.
 Anode
 Dử dụng để thu tín hiệu
 Tín hiệu lấy trên Anode là xung âm (tín liệu cũng có thể được lấy trên
Dynide cuối, lúc này sẽ là xung dương).
 Hệ số nhân electron

39
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Photodiode
 Cấu tạo
 Photodiode, chính là diode quang dùng để ghi nhận ảnh sáng
 Cấu tạo của Photodiode tương tự như diode, cũng như là đầu ghi bán dẫn
 Ưu điểm
 Nhỏ gọn hơn ống nhân quang
 Không cần dùng cao áp cao như ống nhân quang
 Nhược điểm
 Ồn điện tử lớn hơn ống nhân quang

40
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Đặc trưng biên độ và thời gian của tín hiệu
 Đặc trưng biên độ
 Biên độ tín hiệu ra tỷ lệ thuận với năng lượng bức xạ tới.
 Đặc trưng thời gian
 Phân bố thời gian tuân theo hàm mũ.
 Hằng số thời gian phân ra của các chất nhấp nháy khác nhau, của các bức xạ
đối với chất nhấp nháy cũng khác nhau.

Phổ phát xạ của một vài tinh thể nhấp nháy Đáp ứng thời gian phát photon của stilben
41
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Tính toán biên độ tín hiệu ra từ đầu ghi nhấp nháy
 Số lượng photon hình thành (ví dụ tính cho NaI(Tl)
 Bước sóng ánh sáng phát ra có cường độ lớn nhất: 415 nm
 Hằng số thời gian phân rã phát photon: 230 ns
 Số photon phát ra khi hấp thụ bức xạ có năng lượng 1 MeV: 38,000 photon =>
nếu chỉ hấp thụ 511 keV thì số lượng photon tạo ra: 0.511
n 38000  19418
1

Trích bảng tính chất của một số chất nhấp nháy phổ biến, bảng 8.3, trang 238, Radiation
Detection and Measurment
42
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Tính toán biên độ tín hiệu ra từ
đầu ghi nhấp nháy
 Số lượng photon hình thành (ví dụ
tính cho NaI(Tl) 26

 Hấp thụ hết tia bức xạ 511 keV

tạo ra 19,418 photon
 Tinh thể nhấp nháy được ghép nối
với PMT
 Giả sử không có tổn thất ghép
nối => số photon tới
photocathode không đổi.
 Giả sử photocathode được làm
bằng Baikali (K-Cs), ta sẽ tra
được hiệu suất phát e là 26% =>
số e được tạo thành là 5,048
electron

43
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Tính toán biên độ tín hiệu ra từ
đầu ghi nhấp nháy
 Số lượng photon hình thành (ví dụ
tính cho NaI(Tl) 26

 Hấp thụ hết tia bức xạ 511 keV

tạo ra 19,418 photon
 Tinh thể nhấp nháy được ghép nối
với PMT
 Số e được tạo thành ở Cathode
là 5,048 electron
 Hệ số khuếch đại của ống nhân
quang là 106 => số lượng
electron đến Anode là 5×109 e,
tương đương với lượng điện tích
8×10-10 C, nếu tín hiệu được lấy
trên tụ 1 nF sẽ hình thành tín
hiệu có điện áp 0.8 V.
44
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Độ phân giải năng lượng của đầu ghi nhấp nháy
 Độ phân giải của đầu ghi nhấp nháy cỡ từ 7 ddeend 10%
 Độ phân giải của đầu ghi nhấp nháy đứng thứ 2 trong 3 loại đầu ghi
 Độ phân giải của đầu ghi nhấp nháy tỷ lệ nghịch với lượng điện tử tới dynode
thứ nhất.
 Độ phân giải phụ thuộc vào
 Năng lượng bức xạ tới
 Hệ số biến đổi
 Hiệu suất hội tụ photon của hệ (ghép nối ánh sáng)
 Độ trong suốt của tinh thể
 Độ nhạy của Cathode

45
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Sơ đồ điện tử của đầu ghi nhấp nháy
 Sơ đồ phân áp
 Mạch thu tín hiệu

Sơ đồ thu tín hiệu cho ống nhân quang

46
 §1.5. Đầu ghi nhấp nháy
 Ứng dụng của đầu ghi nhấp nháy
 Ghi đo phổ gamma
 Ứng dụng trong kỹ thuật y tế
 Đo đạc tia bức xạ vũ trụ

47