TECNICOen ELECTRONICA Ea |USERS | TECNICOen ELECTRONICA PARA ACCEDER AL eBOOK Coordinacién editorial Pra Bus Nuestros experios Diego Arana Esteban Aree Abjano Feréndaz eas Luo Luis Francisco Macias Maui Mendoza Norberto More Dave Pacheco Fesesco Pacheco Gerardo Pecaza ‘Maran Ratiogto Lucana Red Atreto ivamar Fedo Salguero ‘Asesores tecios Federico Pacnoco = REGISTRATE.EN premium.redusers.com NANT TMS CeTUT AN CODIGO “Toorca en aoctorica os una pubicacin de Fx Aina en cen con Daag SA sta pubieacion no puede ser repreductarien todo en arte, gor ingin ved ata futuro sin perio previo y presi ‘oF Aina S.A, Dsbuidores en Ageia: anit Vaccaro Sire ‘y Gia. Marana 784 ps0 9 (1081), Cufad de Bueos Aes, a S511 -4842-4081/4032 rer: Disbudora terplazss SA (DSA) Pe Luis Sez Pua 1892 (C1135ABN), Buenos Aes, Te S¢11-4205-0114 Ba: Apc Madr, Gora Acta E0132, Clad coos 452, Goctatea, Tel §914-472-1414 Gh: METAS A, Wir Rebood ‘717 - Rios Sartiag, Ta 582-620-170, Colbie: istics Unitas SA, Camera74 No. 21-73, Bogt 0. Ta 571-486-8000, var Disandes (istbuidora ds Andes) Cae 7 y A Agustin Free, Guayaql, . $542-271651, Néxc:Dstibuior Itermex, SA. de CV, Luci Blarco #435, Col San Juan Tihuaca, México DF (02400), Tl 5255 52309543 Par DistrbuidoraBovariana S.A, Repbica de Pana 3835 psa 2 Santo, La, Ts. 511 4412948 TELE-RHGR-EBO1 a0 23, UruguyEspert SRL, Parequy 1924, Monte, Te 882.904.0766, Veneta: isto Cornet Blom de Asma, Ec Bloque de Armas Piso So, A San Marth rue conta A Laz, Caracas, et. 58212-406-4250. lroeso on Sevag. lmpreso en genta, Copy © Fox Anna SV, MO "een ce Aria nora por au Bus. ‘aod. - Buenos Aes Fox dn Ula, 2072 576.2019 om, - (sas: 23) Isan 976-967 1900-14-4 1 lf LB, Pas, oo Ti coo 0sEn esta clase veremos LOS PRINCIPALES DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, COMO EL DIODO, EL TRANSISTOR, Y SU GENERALIZACION EN MODO DE CIRCUITOS INTEGRADOS. Oo Uno de los més importantes avances de la electrénica se dio a raiz de los materiales denominados semicon- ductores. De este tipo de materiales, estan compues. tos una gran cantidad de componentes y dispositivos electrénicos, algunos de los cuales conoceremos y estudiaremos en esta clase. El diodo, por ejemplo, es el dispositive semiconductor mas sencillo, que permite o bloquea el paso de co- rriente eléctrica en funcién de su polarizacién. El tran- sistor extiende las funciones del diodo, y puede actuar tanto como lave 0 como regulador de una serial de Corriente alterna, una vez polarizado correctamente. Dentro de los transistores, veremos dos clases: los bipolares y los llamados de efecto de campo, o FETS. Ampliando el concepto de unirtransistores y semicon- ductores de torma organizada y definida, abordaremos. ‘también el tema de los circuitos integrados y sus usos en Ia actualidad. Como complemento, explicaremos. la necesidad do oliminar la mayor cantidad de calor sgenerada por los componentes durante su utilizacién, por medio del uso de componentes metilicos denomi- nnados disipadores. ‘SUMARIO ELDIODO CConoceremas sus componentes 1 80s tiicos. © TRANSISTORES Pinos de tunionannento _yptingipales uso. ° CIRCUTTOS INTEGRADOS Revisareros a itegracin de circus ys dsipadbes 8 an il2 s” FLDIODO EN ESTA SECCION, ANALIZAREMOS EL PRINCIPIO DE TODO LO QUE CONOCEMOS COMO TECNOLOGIA. SEMICONDUCTORES ¥ DIODOS, IMPRESCINDIBLES EN EL CAMPO DE LA ELECTRONICA.=> Semiconductores Samos me hs mates seca su tape de cond election: onc te sidney somcandcons, Pr sao eha won a somcorduers ‘Los materiales semicanduetores pueden bicar- ‘en mecio de conductores y aislants, ya que precisamente se comportan como conductor 0 slate dependiendo de algunos tactores exter. ‘os, como la uz, la temperatura, etcetera ‘Los materiales mas utiizados como semicon- ‘ductres son el silico y el germanio, los cuales tienen cuatro electones de valencia, pero en o> forontes dias: ol sicio en la terceray el ge ‘mario en la cuarta, £slcio (89 yet german (Ge) intrinsecos (pu ‘ts, sin alterr) son muy susceptibies a factores ‘externas (por elemplo, el calor; el germanio es ‘més sensible al calor, poraue su banda de va lencia ola cuarta, la cual asta mas aljada co! ‘cleo. Recordemos que cuanto mas alejado std un electron dal nucleo, se encuentra menos ligado a, porlo tanto, cualquier fuente de ener- ‘la externa puede afectaro,y hacer que algunos lectrones adquioran energia sufcinte como ‘ara saltar aa banda de conducion y converte ‘se en electrones libres. ‘Los materiales que tenen un comportamiento ‘enire conductor y aislante no son confiables para ular, sin embargo, poseen otras propiedades ‘que son bastante Ineresanes y que se pueden ‘notar desde el principio desu uso en e dogo. EL SILICIO UN SEMICONDUCTOR 3 ESTAENTRECONDUCTOR | Clase O64 YAISLANTE; ESTO ES ASI PORQUE TIENE CUATRO ELECTRONES DE VALENCIA & at La imagen muestra una oblea de silicio impresa, lista para ser cortada, de la cual saldrén muchos circultos integrados. ara que un material semiconductor se comporte ‘de una forma prctca, es dei para poder ser ut- ‘zado en algun dspositvo, 2s necesaro agregar ‘tos elementos alos que se los denon img ‘eras, ya que el silico y ol germanio por sisoios son materiales puros, esto quiere decir que no tienen ctras materials incluidos en ells, Se nomina dopado o dopa impurezas @ otro material material agregado, se clasifican en mt Py material tipo. la accion de agregar »a Clase 06 17 ¥ Atomo de germanio (Ge) Atomo de silicio (Si) cuatro atomos en la banda de valencia Las bandas de valen distancias del ndcleo. Material tipo N El material tipo se caracteriza por ser mas negativo, ya que tne elecrones de mas; para qe esto suced, se le deben agregar impurezas de sgin oo elementa que sea pentavalen to, lo que quire decir que tone cinco clectones de valencia Los materiales pentevalentes ms ubizados en el dopado parla obencin de mate ip N son: arsnico (As) sf (isto yanimoni (Sb). Sel materia semiconductor Intinsaco de slico que tone cuatro eectrones valencia se une, or eel, cone antimono (Sb) que tee cinco, esto aria {que exsiera un election tre provenient dl anmoni. Por ser que ofece el electron bre, se conoce come dtomo donante, Debemos rsa que nimero de elecones res en un mae "al po puede ser conta por la cantiad de impuezas que se agoquen cuatas més impueza, eecones libres eist- an; ouartas menos ingurezas, manos elecrones Hes hab. En ‘el materia ipo N, los portadores mayetarios sons electrons, porque hay mas eecrones que huecos, In que deja alos huecas ‘amo potadoresminortaios. LACANDA DE VOLTAJE ENUN DIODES IGUAL ASU POTENCIAL DE BARRERA, 7V PARA LOS DIODOS DE SIY3V PARA LOS DE GE. del silicio (Si) y del germanio (Ge) estan a diferentes Material tipo P Elmaterial tipo Ps ceacteria por ser mayocmeneposti- ‘ve deci, exsten més huesos. Eno dopae pare obtener inter po N, se tzan elementos uvalentes, os cuales tinen oo tis electones de valenieto dejar un hue on elmeteil tio P. Los elemeros tivalemes wads tel dopaje sn bor (8nd (ny ga (Ga. Sistmateriah senicanductarintinscedesifcia cn cust lactones do ‘lene le agregamos impure de boro (que tone wes tletrones de valencia, jaro un hueco qu es un canna pareloselecrones que crulen or ese materia y, como tome de bore ofece 6 eco, salma tome aceptor porque se qv copia alco, La cana de huscos que tens un materi po P se puede ‘contolar por meio del dopado: cuanto mas mata vaente agrequemns, més huecas exstin, Considereros que, en o ‘matealtipo Pls portadores mayortaris son los huecos, y los minors, os eletones. Diodos El diodo es un dispositv electibnico actvo de dos tri rales que permite el paso de la corienteen un solo seni- io, Ants do ls invenoin del diodo semiconductor de es- ‘ado sido, se ulizaba el tbo de vacio que se basabs en efecto Edison, Los materials tpo Ny tipo no son may ules por si sols, or as, sinasoosjuntiramos un materi tipo Ny oo po P yl pusiramos cos terminals, una para cada materia. obten- ‘aos un dodo de unin PN. Los electronos enol matorial N se mueven constatemente en por ser elactones liesal unio, se forma fa unin PN, y tos locronss del mata tpo N pasan a lena os huecos del material oo P que se encuentran cerca del unién, Cuando esto sucede, las cargas se anuan, y s2 rea la zona umbral o 6e empobre- cimionto, Esta zona os muy doigada Y funciona como barrera entre el ma- terial Py el Ny la cual consttuye otra earacteristca peculiar de un tiodo, En esta frmacién del od lune zona con material Ny otra con ‘material P; esto quiere decir que hay cargas diferentes, por lo tanto, habla de una diferencia de potencial entre cells. No suena muy prictico que, en ‘un giodo, existe una barrera entre la ‘union PN ya quo estaria obstruyen- o ol pasa de electrones de un lado ‘tro, Esta barrera, también canoci- a como Je potencial, pue 4 ser atravesada sin problemas por una cerrene siempre y cuando ot vohaje que se le epique el dodo sea ‘mayora.7 vos para dodos do sicioy 3 volts para dads de gormanin. dot ‘no conduciré un votje meno 2 estas Polatidad El dado tiene polardat esto indica ue debe ser polazado dectamente para (que pueda conduc La zoe po debe iralnegatvo dea ere, ylazonatipo al postvo; si se conectase deforma in- versa, a zona al postvo y la zona Pal nogatvo,o dodo se compartaacomn un interrupt aber ePor qué sucnde esto? Pues bien, cuando polaizanos rectamente el lado, como a zona N va al negtvo de Ja fuente y la zona P al postivo. Ia 1e- ‘lon de empabrecmionto se Race mas celgac, lo que provoca que se requiera ‘menos enegia para cruzaa I negat- vo dea fuente ene muchos dectrones lua que le 2a No cual Nace que el nega de la fut repea los eletrones de lzona Ni permtendo que estos pasen ala zona Py fonenhuecos. Una vez ai, los eecrones se mueven de hueco en Estructura molecular del arseniuro de gallo. EI AsGa ‘es muy complicado de producir; ademas, para eso se utllzan productos quimicos venenosos. Elarseniuro de galio (AsGa) es otro semiconductor; no 0 trata de un elemento, sino de un compussto de arsénico galio. Las propiedades que presenta este compuesto supe- ‘an por mucho alas del germanio e incluso al slcio, ya que ‘el AsGa ofrece una ata respuesta a as sefiales eléctricas, ‘alrededor de cinco veces mas de lo que lo hace el slicio. Debemos considerar que el AsGa es ideal para ampliica: ores de alta frecuencia: se ulliza en radares, sensores, satéltes, etc, Sin embargo, es muy dificil de product. Electron libre, proveniente del ‘tomo de Antimonio ‘Atomo de impureza pentavalente tipo N, el cual deja un electron libro. El electrén libre 1o cede el antimonio.n Clase 06 1 Las terminales do un diodo so de- nominan anodo y cétodo; el nodo corresponde al terminal positivo, y el cétodo, al negativo. “< hhueco hacia postivo dels ene os huecos solo funcionan como unearino para que os decrnes se muevan pola zona, ‘entonces, crea una cores que ye através dl dodo; como mos erterrmene, el oie debe ser mayor a7 ‘Avra, 2qué pasta slo polarzsramos inversament, la zona Pon & nagtvo de a fmt y fa zanaN con el postive de a fuente? Pues lo que sucede es que los electones de la zona N ven laid por el positv dela fuerte, y ls huecos de a zara P son lenados or los wctrons dal nagavo dea fuente; a, la zona de empobreciiento se hace més grande, por tant, no hay erelacidn de cont ene! dodo Como poderos ver ol dao se comport como un iteuptor abet; sn embargo, esto noes del tod cet ya que candice una crete reaivamenie que made corrente de fuga Yes tn pequea que gereraent se despreia en os cleus. ‘Algo que deberos tener en cuenta esque, si aumertamos de rasiado el vote iverso,podemoslegar lo que se denomina vollaje de uptura, que se abreva VBR (Voltage Break) ye ‘todo e desu; por lo general, ens oj de dts del dod, ‘ice cudtn es vote mers que puede soportar cod artes de dafaseo desruise. Por ejemplo, a oj de datos o datasheet iodo 1N4001 ce qué este ido ene un vale de uptura de 35, maximo de vote ners qu epodemas aicar; caro ‘quelo mas recamendabi es martenerse por debajo de este vor Curva caracteristica de un diodo Cuando polarizamos directamente un dodo con una fuente de voltae, se produce en é una corente aaa coriente de potarizacién directa; se abrevia IF (Forward Currend, igual que el vt tomar nombre de VF (Forward Votag). La curva del cindo se raficaen un plano cartesiano con dos ‘es; an el je vertical, s@ mide la corto, y, en al horizon- ta, macimas el volaja. La curva del dodo se caractrza Hueco que se encuentra en el dtomo de boro ( rs Atomo de impureza trivalente tipo P, en el cual ‘existe un hueco. El hueco es por parte del boro. porque empieza @ conducir alrededor de los 7V para los dio- dos de sco y, cuanto mas vote le apliquemos a odo, la cotiente aumentara. Ademas, en el mismo plano se grtica cuando fe aplicaros un vtaeinversoy observamos cémo, al alcanzar el otal irverso, est llega alo que ya hablamos dicho; se lama voltae de ruptura o VER. En est punto, la cartiente aumentarpidamente lo que suponia un dao ire parable pata dodo. Debemos tener en cuenta que las curvas caracteristicas Ge las diodos se pueden encontrar en las hojas de datos que proporcionan ios fabricantes de estos dispositive; una ot las paginas de donde se dascargan estos datasheets es WWM. dalasheetcatalog.com: en estas hojas, muchas veces no se muestra la curva de polaizacin invorsa, pero la de polarza: clon directa sy esto es més que suiiente Estructura de un diodo Material tipo P Material tipo N OF Co] 2]% ® 09 00~)g| Se ‘@® Teinatpostve [OBEY O”) 8 eo? ns ® Anodo + | @ + oo F080 i 66 DOO 6| Fle Se Las huecos son as clestrones son > portadores mayonitarios portadores mayoritarios Simbolo oeMEN NR RNY Circuitos con diodos Imaginemos un cruto con un dodo. Tenomos una esstancia de 1 ken serie von un dodo yuna fuente de vals de 10VDG, ‘queremos saber 8 cules la cada de voi enel dodo, ) qué Corente crcula por l dodo ) cual sl aid deve enka resistencia y 6) qué corona cule por a resistencia Lo que ya sabermos es que el dodo tiene un potencial de barra de 7 (que necesta pare conduc; la caida de votajeen un coco es ‘gual a su potencia de barera,entonces ya tenemas su cata be vol: a) 70. Paral cotinte, dabemos esta a caida de vl de od (7) alauert (100) ue90, vii ene esistncia; para «ao sams ley de Ohm (Formula 1). Por tatarse de un circu seri, a inesidad que ckcua por el cout sta misma para tods Ins elemertos, entonces, 9.7 mA la crrinto que también cular por la resistencia d 1 KA, orl ato, ) 3 mA, Yas faa chine caida de ole de laresistnca de 1KO, con ky de Ot, a obteneros mulpt- Cando la coer porla resistencia y nos queda: (Férmula 2). Tipos A cortruaci, se hac una breve dessipeion de agurs do los dados ae exten y su tos 6 reaps: "Y Diodo rectiicadar:es un ispostivo que permite el paso de Fa carente en un soo sentido, “¥ Dido Zener: este od mantene un voltae constante entre ‘us terminals cuando se polarza inversaents; si se polatiza en forma deca funciona como un dodo comin, “¥ Diodo le: este dado erie una hr cuardo le aplicaras un vole deteminado; debe serpolarza Grectamete Se utlzaen apart decreas como indica, en|émpars o autos, "Y iodo Schottky estos toc hechos de sicio son lama~ os ambien dados de recuperation rpida, ya que tienen una caida de vote de,25V 0 menos; son utizads en apieaiones donde se mangjan as frecuencia. wa Del lado Izquierdo del diodo, se puede obser- var el cristal semiconductor oscuro de forma cuadrada, Probar un diodo Muchas veces nos encontaremas con un dd que ro sive, para prbato selecionamos enol mutimtio el simbolo det dio: despues, localizamos el dnodo y el cod del coda ¥. Bor atmo, tocamos con la punta postva del mutimetro 21 terminal postivo del ciodo (énodo) y, con fa punta negat- ‘a, tocamos a terminal negatvo del dodo (catodo). Ahora, debernos probarel dodo en invers, en esta ocasion el mul- ‘metro debe marcar OL, que marca como cirutoabierto, to que quiere decir quel dodo estaen buen estado Sen cam Dio, mutimeto siempre marcase OL Ve ado no sive ya {que est birt intemamenteo se eneventra en certootcuto. ee NS Clase 064 (Formula 1) (Formula 2) VR = 93mAx1KO = 9.3V =9.3mA b)9.3mA oo3v »8 Clase 06 17 TRANSISTORES LOS APARATOS ELECTRONICOS ESTAN COMPUESTOS POR MILES DE ELEMENTOS FUNCIONALES; SIN LOS TRANSISTORES, MUCHAS APLICACIONES HOY SERIAN IMPOSIBLES E INIMAGINABLESTransistor bipolar eee ino mer cone nappa es pass metas sas sed tras sos conor co cia Eieehtten, bas evo bis camo return sie e's Y sl te o cord; ese enero dae Jans oben a saa sane ‘Aededo del 1947, se buscaba un dspostvo que cir rempazarlos rls wizados pare teeona 7s laboratoros Bel de a ATT, fbicaran un dsposivo e tes temindes que fucinaba como un conmutador de estado sélido (un solo compo- rent, al que. denominaron transistor bipolar (ranster Resistor o resistencia als vansferencial, Fue venta por ins ganadoces del Premio Nobel de Fsica Jon Bardeen, Waker Houser Bat y iam. Bractord Shockey. Este dspostvo remand deca rent a vata de vacio también conoid como val termaidica que estaba presente ena mayor elas componente elections dela epoca, Un transistor es un dispositive electric fabri cado a parr de materiales semiconductores que cumple fa funcin de permit o Impede paso de fils dlecricas apart d una seal de mando, y funciona como elementaampticador de sefal En su origen, se conocia que el contacto de un alam- bre mtico yl sutra de lomo (gala) permit fl paso dela corenteen una sola drecccn (que conforma el uncionarierta de un dogo, pero se neces incorporar una rela, el tercer elecodo, {que funcionara como un ampliicado. Para conse uireste efecto, ue necesario modticarlaconduct- TAMANO DE LOS TRANSISTORES vidad de os sericonductoreswttzando el pinciio do nivlas do aneryjia do los stomas para controlar los matefales; de este mado, se lyraron matrles conacidos como tipo My tipo P. Los dodos son constuidos a parr det unin do rattles Ny Pel transistor de PNP o NPN tabi 1 lamaca tind, Apart ds ransistores, sugieron ls ransstres (Ge elcta de campo (FET, Field Eifect Transistor), |quefuncionaban apart de un campo aléctico que se establecia en un canal. Posteorments, fue melc- rad con un semiconductor de éndo-meal denomi= nado MOSFET (Metal Ori Semiconductor Field Etfect Transistor) que peri la miniatracion primordial para cea os crcutos itegras. En a actualdd, se usizan fos CMOS (Complementary MOS) que a aplcacion de dos MOSFET dss. Para un tansstor convencional, vrs a encontrar un encapsuadoo sus, por lo general, de crist- les de sii, y tes seamenios (amén denonine- mee Algunos modelos de transistores bipolares. ‘segtin el uso y la aplicac LOS TRANSISTORES OCUPAN UN. wo Clase 064 1? ROL MUY IMPORTANTE EN TODOS LOS COMPONENTES ELECTRONICOS E INFORMATICOS ACTUALES. »10 Clase 06 17 os terres) undo ene si. Emisor(}, Base (8) y Colector (©), dane cada segmentn esta dopado ends candace. iso ene un dope mucho ms alto que lbaseyrodeaare- (jn dal emisr para qu ls electonesinyectados en la base no ‘seescapen dell; a base tne un dope mayor que el color, std fiscament ocalzada enrol colecter yo emisor, apenas opada, yposee una ata essa dopaje que se le asigna es una contaminacén intencional rpalaada al material en caidas detoinadas con etn de obtener un comportamiento deseado. El material dopado con esas camidades obtine propiadades eécticasespeciicas, aumenta el numero de potadores de carga ibe. Para materials tpo Nos portadores de carga son los elec- ‘tones; para ls materiales tipo Pls portadoes son huecos {que equivalen a carps postvas, La union de els produce os odes, como ya se expe. Paraeltransistor elemisoreniteportares (tuecos); colector los recolecta,y la base mocuia el paso de os portadores. Me ‘lane este tncoraierto,obtnemos un dispositv que, cn ‘ulado por cone, cosigue ura ruera corte ampifcad, ‘TRANSISTOR BASICO TRANSISTOR BC547 TRANSISTOR BD137 ‘cotector elector Base y Base Emisor Saito ‘TRANSISTOR SIMBOLICO I" “ Vue “i; Funcionamiento Un barsistor funciona mediante la potarzaion adecvada do sus conexiones. Se utiza crete continua para que este cumpla su funcén; se sitia una fuente de coniente entre i (oase-emisor)polrzaa directamenta en fa caunion NP (seat, plaza verse. Cuando laters de Ia base emisorsupere ks ,7V (bier ina), eckeas ‘ransstor pata, orl tia, funcionaréde manera cori, €s deci etedemns que el tans ee la cepacia de cor 6 6 ; Is s Transistor Transistor JFET canal P* JFET canal P 6 ce ay 8 é le Pur Darlington (Uniunion programable) NPN e “ B i E Fototransistor NPN Multiemisor NPN De avalancha NPN _ Transistor Schottky NPN le 8 le Darlington a ‘Simbologia de transistores en todos sus usos. Cuando se disefian circultos electrénicos, es importante diferenciarlos unos de otros. activo, En este estado las rgiones dl colectory del emisor inviorton sufuncionamionto, No maxima el porencsl altransistr “Y Estado de corte: sila cortente de base Ib =0,1aexpresion ‘esta en le = 0 sin importar el valor def, por lo que no ‘conduce cortentey se lo considera a tansistor como una lave abierta, sin pasa. La tensién entre los terminales os la misma que la de slimentacién; al no heber cortiente ‘iculando, no hay cada de tonsion Ee ery ‘Y Estado do saturacin: cuando la corinte do base alcanea Uunvalor muy ato [para ol wansistor a expresisn nose cumple 2 que, por ms que Ib aumente no aumantar ae, we Imax. Se dice que el vansistor est saturado ya que no puede ‘empificarmslasanay dela coment aplicada en elemisor ‘rela por el clector como un inteeuptorcerado, pao oa Enla lecténica analégic, se utiliza ol estado activo ya que permite una ampliicacién de sefal en varios punts. Mion- ‘ras que los estedos do saturacion y corte son tiles paravy ¥ v vv la elactrénica gal, ya que repre sentan los dos estados fundamenta- les: abierta y cerrado [1 y 0 Estructura Los transistors esructuralmte poseen ‘us tes reqones no simetieas, por lo (ue intscambiar ef emisor eon el colec- torimplca que cee de funcionar de modo acto yfucione en modo imeso, ya que ‘son constuides y optimizads para fun- ‘nar en mad ac dsinuyendo el La faa de simetria se debe ala tasa de dope entre emisorfternente dopado} yeolector igeramente dopado) ‘Se provee de un emisor attamente dopado pare aumentar le eficscie do ontrega do portadores en ‘comparacién con la base, que no debe influ mucho en Ia operacién, ‘Do esta manors, obtenemas una gran anancia de corrente siempre que Js portadores inyectados provengan el omisor. Existen ransstores simétries utlizados on CMOS que presentan bajos dosompefos debido Emisor a“ @ que no hay ciferencia entre ta ‘operacién en modo activa 0 inverso. Lacorionte que circua enol onisor Yl colector puede sor controlada por Ia comiente o la tension baso-emisor, ya que ambas astin lgadas en su funcionamianta y se describen en curvas de funcionamiento, Dependiendo del dope ala capas del transis, podomos configura como NPNoPNP,dondelabasesiompreestaré representada por a letra del medio. Ls configuracin NPN se caractoriza por sor la més utlizada acualmente. Ny P hacen referencia a los portadores de carga mayortaros dentvo de las Gstrtas capas dol transistor, on as Yon esta configuracién los electrones ‘seen mayor movida que los huecos emitiendo mayores correntes. y vlocidades de funcionamionto, La corfiguracién PNP os poco usado, ‘ya. que su desempefo no es muy ofconte. Posoe una cape dopada Ny des capas dopadas P, LOS TRANSISTORES. POSEEN TRES REGIONES NO SIMETRICAS, ESTO SE DEBE ALAFALTA DE DOPAJE, son conectades mediante el colector ‘amasa yo omisr ala torial posta do la fuone de cononta. Extenda a base mediante una pequefa coriente, ermito una eoriarta mayor desde ol misor a coector. A pert de ls cistintas necesidades do gonerar un modolo lineal para alzar circuitos.electdnicos. con Colector Esquema del principio de funcionamiento de los transistores al paso de los electrones y los portadores, asi como también su sentido de circulacién. B »» Clase 6 17 olde Ebore y Mol, Uansisores, se plantearon dlversos ‘modes matomaticos pare anaizarios. Enve estos. modelos, encontamas 3 do pardmatos hh y @ que representa al transistor bipolar gondrico y con cuslquir tipo 60 polarizavion. Sin embargo, su ‘model no lineal hace que cuaguler ciruito que se pretonda analizrutlice solucones numércas y célculos con ‘ordenador. Poo, si se utiza un punto ‘de operacin dadoy una zona isica de funcionamiorto, os posblorestingirlas arabes yas tizer un modelo neal ‘que fact andi de os cieuitos, x 1 modelo bers y Mol se usa paras transistores bipolres y puede ser ut- lzado en todos sus estado. Se usaba previo a las apicaciones. computacio- “ ‘Transistores en los procesadores, dalficil de creer? Créanlo. Millones de transistores interrelacionados para funcionar. OTST Oo Los transistores de potencia vienen preparados para ser acoplados a disipadores de calor y evitar que- marse debido a la gran temperatura que levantan.. Dobido al paso y la amplficacin de la corente que circula Poros transistores de potencia, se producen atas tempe- raiuras por la interaccicn defo elctrones y los canales. Estructuralmente, ls tansisores de alta ganancia vienen fabricades con una placa que ayuda ala disipaciin do calor y, en ots casos, preparedos para ser acoplados 2 cisipadores fisicos impiciendo que se quemen. Transistor de efecto de campo rales apca ls prncipios de das do os ideals y dos fuentes. Cade diodo representa la union emisor-base y base coecto Las fuontes de energa son as responsable de hacer circular ls pore {adores a las huecos. Mas al de sus valantesy models, os ‘tansstores son wlizados po lo general fen proyectos de pequeta escala para Aomostar su funcionamiento, como os amiicadres de voz, utlzando un mi- créfonao ura sada de audio de baa in {ensidad Se aimenta ef emisor con una saa, ueg,s@ a potenciaexctando fa base y lamando como sada a colectr, este proceso es unleago varias voces para modular el tuncionamiento Deberos tener en cuenta que, ena eec- rica de precstin comainmenttamada ‘lctnica digital os tansisores son ut {zaos como lives depas; ss somete 2 estados Go cori y de saturactn para simular el comportaminto de puerss 0 Ineruptors abies ycerats gracias 2 ‘una sail de saturacion en a base. Tots estos efectos combinados logan ares la méxima utdad a ests com- onertes present on todos lo tispo- sitios actuate.Antes de la creacion de os vansistoesbipolares, fueron in vertados los transistres de efecto de campo, pero no sles ‘enconidutiidad o aplcacién inmedlata hasta el dasaralo e los transistoresbipolares. Recian decadas despuas de estos, se empazaron a desarallaryaplicr en forma masiva, Los transistores do efecto de campo (FET, Field Effect Transistor) son transistores basados en campos elécti- 0s, que controlan el paso de electronos por los canalos Gracias a una diterencia de potencial, Tengamos en cuenta (qe Ios transistores bipolares contotan el ujo de elec- trones mediante una excitacion de la base con cortente, ‘mientras que los FET son conttolados metiante este cam- a eléctrco y se plantean como resistencias contoladas por diferencias de potencal En los FET, la corrent se contra mediante tensidn, Si son uilizados como ampiicadores, suministran una coriente e sala proporcional ala tension aplicada en la entrada, En la base o terminal de conta, na se absorbe coriente me wi ase 06 a Los transistores funcionan permitiendo el paso de los electrones y los portadores, teniendo fen cuenta su sentido de circulacién LOS TRANSISTORES PRESENTAN UNA GANANCIA B QUE NOS INDICA EL FACTOR DE AMPLIFICACION DE SENAL DEL TRANS! OR, lo quo posbilta que la tonsion que si controla soa muy pe- quefa (una seal de audio de baiaintensidad, por ejempo) permiténdole a esta tension generar ol campo eléctrica, Como ls transistores bipoaes que se ivden en NPN y PN los FE ttnen dos tvos de canal, denominados n yp: estos dependen de la tensin en la puerta éTE RESULTA UTIL? Cee ee Td Me ee Sten) exer Pee Cet, ets oe Ne eee Re CR tae DeeLas caractersticas de los FET son par ‘iculares principalmerte porque, en la nada, tonan una rsisonca muy ata (100), no poseen un vote de unin cuando se utizan como iteruptoes, son inmunes a Ta radacon, so apliean ara proporionar mayor estblidad mica yresuitan menos ridosos. 16 pClase 06 11 Entre los dstints tipos de FET ‘ue exstn,encontramos: ENIAC ora un equipo que pesaba mas de treinta toneladas MOSFET; ei Oxide. Somicondsctor- y consumia 200 kilovatios. Tenia alrededor de 18.000 valvulas, Foo-oct- Transistor, se aisle con x0 de las cuales cada dia se quemaban algunas. 6 slicioSi02, Con respect los bipo- DETECTOR DE NIVEL DE AGUA PASO A PASO > . ° - [Nocesitamos 1 protoboard, 1 bateria 9, 1 conector, 1 ‘Conectamos al transistor (80548) las resistoncias ‘umbador 8 resistoncas (Rt 2.2 KO R2 100 KO, R470 Rey FQ en la base y masa El omisora Rt, y esta al KO), 2transistores (71 y T2 BC548), cable. canal (+), vo (+), €l cable negro al emisor de T2. cable (+ ), 28 cable a R2, Conector a canales + y~ h CConectamos ol zumbacor: el cable rojo al canal posit (Golocames dos cables, los "sensores de nivel: peimerANNU TRTTTNTTNTTN les, ccupan menos espacio y son mas uizados en cicutos intgrads. & su ve, on ls tansistoves MOSFET los te co- noctres se denominan: Pueria (6, Ga), Fuente (S, Source) 1 Drengje (0, Drain), FET: Juction-Fild-Efct-Tranistor, ula ura unin PN. MESFET Metl-SemiconductorFeld-ect Transistor, sust- ‘uye union PN con una bere Scho, HEMT: High-Electron-Movliy Transistor, conocido también ‘camo HFET,f banda dopada con portadres forma e aise, lacirada y el cuerpo dl transistor, GBT Insuated-ate-Bpotar- Transistor, ispostvo para ‘Conectamos el T2 con Tt: ala base de T2, co- rnectames o} colector de Tt, el emisar de 12, amasa, Introcucimos los sensores deriro de un vaso en {dos posiciones fuera de! nwel del agua, relena ‘mos para probar. LOS FET SON PARTICULARES. PORQUE EN LA ENTRADA TIENEN UNA RESISTENCIA MUY ALTA, SON INMUNES A LA RADIACION Y RESULTAN MENOS RUIDOSOS. contol de potencia, Se ubiza cuando orang de poten en- ‘te el coletorbaseseubica entre 200 y 3000 FREDFET. 2s un FET espcialzado que se ha disefado para brindaruna recuperaion maxima el rans. DDNAFED: ot tipo especializad de FET que acta como bio- sensor para deectr cadenas de ADN idntcas ‘TFT Thin-Fitm-Transisor, un tipo especial de FET facado a arr de capas fas de semiconductors, como capa de mata let ycontacos metic, sobre un sutra de soporte Origen Como sateras, etait es un dispostho dectic se miconductr ut curl cversasurcioes, et elas api cade, st, connaladroeticador. DDebemos consterar que el termina transistor se origina de ‘transfer resistor (esislencia de transterencia). Atuaimente se los encuentra précticamente en todos los dsposiivos domés- ticos do uso do, coma radios, tlaisores,prabadoas,re- roductores 62 audi y video, avadoras, utomdvies,equpos de reigeracién, alarmas, relojes de cuarzo, computatores, calculadoras, impresoras, limparas Muorescenes, quipos erayos X,tomografos,eodgrafos, eproductores mp3, oei- lores, ene os, Los transistors se encargan de sustiur alas antiguas vil vwlas tarmoinicas de tres elacrodos o todo. E transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bel, de EE. UU en diciembre de 1947 por Jot Bardeen, Walter Houser Bratiain y Wiliam Bradford Shockley, quienes fueron geardo- rads con el Premio Nobo de Fisica on 1956. Grats a elas, fue posible la constuccin de receptors de racio portals lamados cominmentsransistores. mit »any ioe) Clase 06 17 Aes de parecer os raises os aparcos de vals tian trabajar con tensions basta as, ardaban mis dents segmdos en empezar funciona y en ringin caso podian fun- ‘ionara las, did al gran consumo que presetaban Transistor versus valvula ionica Antes dela apaviion del transistor, los ingeniros utzaban elementos actvos Wamados valulas termoiéncas. Las val- ‘ules tienen caracterstcas eéctrcas similares alas de los lransistoes de efecto de campo (FET): la conte que los straviesa depende dea tensidn en elbome de comand a- ‘mado rela. Las razones por las que el transistor reemplazo ‘ala valtatermoionice son varias ‘Y Las vabiastermoidnicas necesitan tensiones muy atas, el orden de as centenas de vot, tensones qu son letales para else human. ‘¥ Las valwulas consumen mucha eerga lo que las wel partiarmente poco es para el uso con bates, ety El primer transistor ensamblado que fue creado en los laboratorios Bell en 1947. Era robust compara- do con los actuales. "¥ Probablemente, uno dos problemas més importantes es paso, E chasis necesario para ajaras valu as trans- formadores requtidos para suns laa tensin, todo ‘oo sumaba un peso importants, quo iba cesde algunos kos ‘algunas decenas de kos ¥ El tiempo medio ene falls de ls vlwlastermoidricas es may corto comparado con el del vansistr, sobre todo a ‘causa dl calor genarado, _¥ Ades, is vals temoiricastardan mucho para poder ser liad Estas vldasnecastan estar clots para funckonat Principales usos Los transistors poseen un rancid de apiacones "¥ Ampicacion de odo too (aco, tein, instumentacion "¥ Generacion de seal (oseitadores,generadores de ondas, ‘misi6n de rasotecuencia),wooly ¥ YY Conmutacidn, actuando de inte= rruptores (control do rel, fuentes e alimentacién conmutadas, control de lamparas, modulacion por anchu- ade impulsos PU) YY Deteccién de radiacion luminosa (fototansistores). ‘¥ Se usan gonraimento on a elt nica analégca y en la elactonica die fal como la tecnologia TL o BICMOS. "¥ Son empleados an conversoras es tacos de potencia,cotroles para mo- tores y laves de ata potencia (en es- pecialinversores, aunque su principal so est4basado en la ampliicacion de corrente dentro de un circulto cerrado, Consideraciones finales Debermas toner en cvena qua hoy, ama ya dels cuts se construyen con teonologla CMOS, La tecnologia CMOS (Complementary MOS 0 WOS Comple- rmentaro) e§ un dlseto con dos de- rerles MOSFET, que se complementan ‘mutuarentey consumen muy poca co- rere en un funcionamiento sin carga, Enal seo de circuits, alos transisto- es se las considera un eemonto acto, a dferenca de los resistors, condensa- tes inductors, que son elementos pasivos. Su furcionamienio solo puede ‘exglcarse medians mecéricacuantca ‘De manera simplficada la coriente que Ccreula pre coletor a tuncion armpl- ficada dela que se inyecta on el emisor, ‘pero eransistor sol radial corrien- te que citcula através desi mismo s nevesario tor en cuerta que de manera simplticada, a coriente que se encarga de cireular por e clector co- mosponde a una funn ampiificada de a cortente que se inyenta en al emisor “Teiendo esio en event deters ecordar quel ransistr sol es capaz de grauar'a coniente que cul através de sis, Se — a, Tey NRE RET ¥ sa ¥ SE See 19 Clase 064 Bateria al Esquema de la conexién correspondiente al medi- dor de nivel de agua con zumbador. Utilizamos una bateria de SV en circulto cerrado, IU Este proyecto nos sirve para mostrar como acian dos tansistores funcionando en saturacion y corte, Cuando el nivel de equa aiin no llega a los conectores, el T1 se fencuentra en corte y funciona como una llave abierta. Cuando el agua llega al segundo conector, circula co- rriente a la base de Tt y se satura permitiendo el paso de corriente del emisor al conecior. Esta corriente excita ala base de 72 y lo satura, permitiendo que pase corrien- te desde el terminal + de la bateria por ol zumbador que activa, y la alarma suena, Este esquera nos permite ver dos situaciones. En la primera, cuando el nivel esté bajo, no circula coriente por hingin instrumento ya que ambos transistores estén en Corte ollaves abiertas, no hay circulacion. En el momento len que los cables entran en contacto gracias al agua (ele- ‘mento conductor), saturamos a1, y este satura a T2 abriendo la compuerta,y abrimos a crculacién por el elemento _larmante, en este caso @ zumbador Las resistencias utlizadas A1 (en el emisor), 2 y F3.en la base del Tt 96 usan pata reducir la tension de entrada, Recordemos que solo necesitamos 0,7V en la base de T1 para que entre en estado de saturacion. Se busca que, con las resistoncias, so liiten las tensiones para impedir el mal ‘uncionamiento y regular la tensién circulante, Sireem- plazamos ol agua con otro medio, como la piel humana, obtendremos distinios niveles de serial, »= CIRCUS NTEGRADUS COMPONENTES ELECTRONICOS MUY UTI LAREALIZA DE DIVERSOS PROVECTOS EN eee Taal i SU GRAN CAPACIDAD DE INTEGRACION Y SU ESTABILIDAD,(0s cireuitesintegrados, también amados chips, son pasillas semiconductoras do slo on las ‘uales se halln, segin su composicién, miles © millones de disposivos electérices, como transistores, resistencias, dodos y capacitores, Ierconectados ene s para formar un circuto ectnico especitic. Estos circuits elections se encuentran deto de ‘un ancapsulad de plistcn o ceric, ol cul po- 8, en Su exer, conductores matics lmados pines, que se halen conectados aa pasta intra, Fabricacién de los circuitos integrados proces pl cea Ge coutos epados ‘qu sencunan acme en casos pode tos ebctnios es muy camel En ntervienen rumsas eas de ftitoprati proceso que consis on vanseun pan esd nao cara, devominata rtcul, ala sperie oe una tanta ce mater senor caine de sii, ana amb se ian semiondulres compuesto par apacoos mas espectcs. Clasificacién de los circuitos integrados ‘Segin el mero de campanentes qu posta, po- ‘domos clstiafos soi su nivel d inepracon; ‘ete los enconbanos ¥ 881 (Small Scale Integration) Iiegacion apo- ‘vetia scares a escla de ntegracion mas peque- ‘ia de todas y comprende todos aquelosinterados ‘ue cotiznen hasta ez componente. ‘¥ MSI (iedum Scale integration) imegracon a media escale: a esta escala pertenecen todos ls in- twgyados que continen entre 10, 100 components, ‘Son mey comunesenlos sumadresy mutpleores, _yeran muy utzadosenlaspimeras compass. ‘VLSI (Large Scale integration) Iegrcion a gran ‘scala: comrende todos os iterats que contie- ‘en de 100 2 1000 componentes. La apaién de ‘esta scala de integracon co gar ala contrucion ‘de microprocesadoes, ya que pueden realar ope- ‘alongs bisicas de una calculadora o amacenar ‘una cierta canfiad de bits. ¥ VLSI (Very Large Scale ntgraion) Ineracion ‘a muy gia esc: esos nteracos posean de 1000, ‘Ya que las pastillas de silicio son muy delicadas, los circuitos integrados ‘se encuentran protegidos por medio de encapsulados. 10000 comgonetes. Con su pain dan nici a tumagranera ce comprestn de ns spss, hacin- to caca vez mis coin ol uso de equipos pote, Lo que conocemos como micraeleetronica debe su nombre al volumen muy pequeno de sus compe- ones, incluso de dimensiones microsedpcas, qua son vlzados para la producidn de cispostives a tamerte funcional a pesar de sureduié tamato. ‘Segin sus furciones,podernas casicaos en dos rads upos: ‘¥ Circutos integrados analégicos: puoden cor- tener un nimero determinado de transistors sin cones alguna ente els, 0 circuitos compos ¥ funcionales, como amplcadores, oscladores¢, inouso, receptors de audio "Circuits integrados digitales: pueden ser com eras lgicas biscas, AND, OR, NOT, o ain mas compljs, microprocesadoeso icrocontroadores. Tipos de encapsulados Tocotlos cps esti encanta te sits or ras y tats, penn df nein ue van a curr Adora, cata o de encapsldpaser tna istbucon y asain de pes, ue pote ras consutar nas is oe dats respectas. En i actaldad, existe una gran variedad oe en- capsulados, entre os cuales podemos encontrar algunos como: '¥ Encapsulados DIP (Dual In line Package): es- tos son el to de encapsulado mas aniguo; estan recubiertos por una carcasa oe pléstco rectangular con wa fla de pines cada lado, El ndmero méxima »Estos integrados son capaces de borrar de forma automa- tica los datos guardados en ellos, mediante una radi ’ Clase 06 17 = ultravioleta. ALREALIZAR ALGUN CIRCUIT CTRONICO, SIEMPRE DEBEMOS LEER LA HOJA DE DATOS DEL COMPONENTE JTILICEMOS. Entre los tipos mas comunes de integrados, encontramos los que vemos en la imagen, que son muy utilizados en reguladores de tensién y transistores de potencia. Ae pines de estas encapsulados suele sor de 48, Estos encapsulados pueden su soldados en los orcas eazados ens placas, «tambien pueden serine sartadas en zcalos dspuesos. Los DIP son utizados para cireuitos in teoratos de pequera y median escala coirtogracen. "Y Encapsulados SIP (Single In line Package): a igual que los DP, son fos lencapsuldos més anguos y pesenan tuna fla rca d pines para la coneson; 2! nimero makina de estos sucle ser de 24 Tambin, al iqual que los DIP estos lencapsulados pueden ser soldados en cis realzados en las paces, y son Uilzados para cicuios integrados de pequefiay median escala de grain, Y Encapsulados SOIC (Sal! Cutline Integrate Circuit) estos encapsulados son los equivalentes de los DIP. pero de monaie superficial ya. que sus pi- nes estan ispunstos on forma de alas e gavot. por lo que se los denomina gulhving packages. Fueron los primeros on inode una istancia may paqueta etre sus pies y, ‘éeesta manera, obtener un mayer nie "0, generamerte, mas de 64 "Y Encapsulados OFP (2uad Flat Pac age): os terminals de este tipo da en- apsulados son del miso tipo que los ‘IQ, pero se caractarizan por ener p- nes en los cuatro ados el componente Estos también son de un montae super ficial, liqual ue as antes nomrados ‘Y Encapsuados $04 (Sra! One’ Lead): estos encapslados nen pies sol @ dos lados ce spose. La era! el nome se debe a que los terminals tienenla forma de dicate, Son muy u- Izaos en tenologias SMD y, tain, 2 ‘ahora de mont os chips DRAM quo se ‘ican con encapsulados DP ‘¥ Encapsuiados BGA (2 Grid Ara) ests tpas de encapsulados aparecen ante la necesidad de incrementar el rndmero de entadas y saldas de ci- alls integratos sin qu sea nocesario aumertay, en gran canada tamato el disposi © que aparezcan pines demasiado fnas.Poseen pines, que te- nen forma de bolas de estat o ploma, bleados en la supetci inferior del componente. Con esta cisibucién de pines, se evtan terminals y distancias GUNOS FABRICANTES Podemos encontrer una gran variedad de fabricantes de ci ito integrados, cada uno de ellos para un fn espectico. ‘Todos estos fabricantes cfrecen una hoja de datos de cada componente que intogran al mercado, para dar a conocer al usuario el comportamiento de estos componentes, que este pueda dserar circuits elecrénicos utitzéndolos. Ente los fabricantes, podemos encontrar algunos como Micro: chip, ntl, Samsung, Toshiba, Motorola, entre otros varios.tente es. Aunque son muy pequeios, a soldacur, a estar bajo dol cicuito integra, no quodara ala vista Hojas de datos Tambin devoinatos datasheets, son documentos que nos rrr da a conce nconariet o conpartamenta Ys carectersicas dos cormpnerts electrics, ind os orl propos fairies Contenen sufinesdetales para que pocamos rear cui crcuto eterno t- flo on cua Sc ifomactn, Ese as cbs, sncataremos siete nomacn: Datos col fabricate ‘¥ Numero y denominacion, ‘Y Distrbucion de pines. YY Propidades ¥ Deserpcion de su funcionarierto ‘¥ Esquoma de conenionestpicas 1 Terscn de almertacn y consumo. "¥ Condiciones adecuadas para su comecta operation. ‘¥ Esqueras de ondas de enradasala Informacion sobre normas de seguridad y uso. Disipadores Un dispar os un instrument, par lo general de alumina, (que se utliza para disminui a temperatura de algunos eom- pponentes eleténicas, coma crcutos interados, evacuando calor do este hacia lite. (Coma consecuencia de eso, se reduce la tempera de ta- bajo del cspostvo, ya que la catiad de calor en les menor ‘ben un dspace cisco es un instrument de extrusion de luni o una capa de aio dblada con prfraones para ol mona de sintos circuits tregraos, en a acialdad el cost del lumii nos bvaatatr de rsohere problema de d= ‘Spacin de calor por obas métodos qu son menos radicionaes Estos, en una primera istanci, arecen ser mas caro, pero terminan resutando mas econémicos que cualquier diipador liso ale hore de dispar orendes potencis. Un ejemplo de dsipadores sonlos coors pare computador. En- ‘reestos se pueden ancanrar spares de menos de0.5 Ca ‘rcs relive jos debi a su gran esa de febicacin (Oro ejomplo son as colds Ptr, que, al crular ura coment cléctica pre mater, producen una diferencia de temperatura 1 LM317 es un regulador de tension ajustable con tres terminales, que, en condiciones normales, puede suministrar hasta 1,5 A en un rango de 1,2 a 97 volts. Este circuto integrado nos permite regular tuna tensién en un determinado rango. Pra su empleo, no requiere mas que dos re- sistoncias quo se conacian a él para obiener un valor de tension determinado ala salida, Estos lspositvos poseen proteccién por linitacion de Corrente y exceso de temperatura, que los res- {uardan en caso de sobrecarga. Normalmento, ‘no uilzan capacitores si se encuentran cerca dl {ito ce a fuerte de almentacién. en ambos lados. Estas pueden trabalarperfectamente coma instrumentos dlsipadores de calor, aunque su balo rend rmienta precisa de una fuente de alimentacion muy a. Estas celdas basan su Tuncionamiento en la utlizacgn del efecto inverso al Seebeck Ley de Ohm térmica igual queen td os ces altos, pcsmas ctr unaly de Ob ens creas de yj ee aa, ats do 0, es posble ect eles tics. pane de masa del circuit electron esté compuesto por lar, que adopta una temperatura ambien de unos 25°C. La erencia de potencil electrics encuentra su simitud con lacltrenca de terparaura, La poten‘a pnerada on forma de calor en el cspostvo posee su equivalent en la coranteelcica que es enregad parla ‘vente de tensin.Y,p0r imo, laresstenciaetcice encuentra su semojarza ona resistncia tomica medida on 20, quo son los rads Celsius por cada wat. N 3 dW Glase O64 »24 sensei YY CARGADOR DE BATERIAS PASO APASO —_____... Luego, conectamos os diodos o puentes {de diodos que vayamos a utilizar para rectiicar la seal entregada ‘por ol vansformador. Una ver conectades los dlodos 0 puentes de diodes, conectamos el capaciior [para obtener un menor rizado dela sofa Una vez que cbtengaros un menor izado de la sail, podiemos conectar nuestro regulacor de tension con sus eapactores de fito, m7 ‘Ahora, colocaremos ala salida del circuto Ln lusble de protecci6n y leds indieadores ‘con resistencias limitadoras de coriente, Para fralzar nuestro cargador, conectamos ‘este un puerto de sala. Debido ‘su gran uso, ullizamos un USB hembra.PROXIMA ENTREGA VI9DDDIoooeCoCCCOOCC OOOO OO Construccion de circuitos EN EL PROXIMO FASCICULO CONOCEREMOS LA FORMA EN LA QUE SE CONSTRUYEN LOS CIRCUITOS, EL PROCESO DE FABRICACION. YY GOMO UTILIZAR UN CIRCUITO IMPRESO UNIVERSAL. > ELECTRONICA n Construccio de circu i cr M er Oe ro co Pao Co eC ahaa aoc cs = beeTECNICOen ELECTRONICA PROFESORES EN LINEA Prolesor@redserscom SERVICIOS PARA LECTORES CONCERTOS FUNDAMENTALES ¥ PRACTICA PROFESIONAL Useshape@redses com SOBRELACOLECCION . eta fete) Tee) edi) we) Cunso msuaLypedcicD QUE BANDA CnceToS @ A intaooucci6N 4 Las REDES INFORMATICAS Y GONSEJOS NECESARIOS PARA CONVERTISE EN UM ‘TECNICO EXPERTO EN ELECTRONCA. LA OBR INCLUYE © «principios be evectRéwica Recuasos ppAcricos como WroGRaes GUIAS 7 \SUALES VPROCEDIMIENTOS REALADOS PASO A © «cL .aporaronio DE ELECTRONICA PASO PARA NEJORAR EL APRENOIZAE 7 © «conniente conniwua 1 © «comment aurenna i © Dispositivos ELECTRONICOS © + coustrucoon oe crcuTos © + movecros. wees avininueas vawcrorowo ra ° ‘y DISENO DE CIRCUITOS IMPRESOS © +y SIMULACION DE CIRCUITOS EN LA PC ® ‘y ELECTRONICA DIGITAL Y COMPUERTAS LOGICAS ® 1 TECNICAS DIGITALES APLICADAS © ~icrocontaovavores Pic @ + provecro:awauzaoos oe esPecrRo con ic © vcoNECTIVIDAD POR CABLE 7 ona mejor metodologa, esta es una colecién ® YCONECTIVIDAD INALAMBRICA perfect para ls aficionados ala eectrnice que a dese less ydoten mar tebicossy DISPLAYS ‘cid, y pats aquostonzas ue moan €F)_y seNsoRES Y TRANSDUCTORES actuaizaryprofundizr sus conocinintos. @) PROYECTO: MODIFICADOR DE VOZ 7 @) FUENTES DE ALIMENTACION ELECTRONICA) 9.99.6 i @ ~PLATAFORMAS ABIERTAS 7 @® ~PLMTAFORWA ARDUINO ol7gag71le49144 2) v PROYECTO: SISTEMA DE TELEMETRIA CON ARDUINO —_—___—— rience