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16
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.(‫أ‬-10) C\F …I_I? M? H.+(W58g‫اص ا‬4Y+‫ا‬

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17
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P ‫ة‬MK:,‫ ذي ا‬JFET .HR‫ا‬4E+‫;… ا‬N mb4? =Jb ŠEVl •
:JFET PNŠ2,‫ل ا‬MG5,‫ ا‬I;ŒpU ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ت‬M*Š‫ا‬29 4-1-1
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Max. Vds
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J-FET 100MHz 100MHz
N-CH 18dB @ 2dB @
2N4416A 35V 15mA 300mW 400MHz TO-72
J-FET 100MHz 100MHz
N-CH 18dB @ WINTra 2,5dB @
2SK161 18V 10mA 200mW MINI
J-FET 100MHz nsceiver 100MHz
: JFET ‫رات‬2>WFQ‫ا‬I>,‫ات ا‬F;59 5-1-1
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.((>5*?‫ و‬KJ6 ‫=ارات‬+‫ ا‬c.*†1 C>)1 (J8™} m+(s+‫ ا‬:}‫ و‬،‫(ت‬W.EV5+‫ا‬
H‫>ـــ‬8(*? ‫ات ذات‬-E\?‫( و‬analog switches) H‫ــ‬.;.•*1 “.1(q? m;V51 :{5+‫(ت ا‬W.{EV5+‫ ا‬:{}‫و‬ •
.JFET‫رات‬45678‫ا‬-5+ -.d8 K} 4;>+‫ ا‬HWz(} Cf‫د‬
.H;?(\5*+‫=ارات ا‬+‫ ا‬C.\„5+ (BJT) ‫ر‬45678‫ا‬-1 U? ‫داً أو‬-qI? D?‫=ا‬Y56‫ ا‬H+4J@R M\*l •
Hb‫ در‬-.s5R -/051 :5+‫ ا‬H.;OB‫ ا‬HI_„+‫ت ا‬K?(~ …;N ‫(ر‬.{5+‫*= ا‬5{>l g •.{~ ‫اري‬-{_+‫ار ا‬-W5{6g‫ا‬ •
.‫ارة‬-_+‫ا‬
.H;?(\5*+‫=ارات ا‬+‫ ا‬:} CO‫ أ‬H~(@? D+K5~‫ وا‬D>.I†1 H+4J6 •
-E‫( أآ‬efficiency) ‫(ءة‬q‫ آ‬D+ ،H.EVW+‫ ا‬:z(I/ ‫ر‬45678‫ا‬-5+‫ ا‬M? -•‫ أآ‬H.+(>+‫ددات ا‬-{5;+ D5.~K{< •
.H.EVW+‫ ا‬:z(I/ ‫ر‬45678‫ا‬-5+‫(ءة ا‬q‫ آ‬M?

18
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:E.b ‫دد‬-1 (J+ :5+‫ ا‬Cf=+‫(رة ا‬F‫ إ‬Š.EV1 =IN •
‫( }{{{™ن‬12) C\{{{F ‫{{{=ارة‬+‫;{{{… ا‬N (Ti) D1-{{{5}
…5~ Vo = 0 -q†{;+ ً(l‫ ?{@(و‬C{dl ‫ج‬-{Y+‫ا‬
(12) bx• .HR‫ا‬4E+‫;… ا‬N H—E8 Š.EV1 c5l
‫ل‬MG5,‫ ا‬I;ŒpU ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY ‫رة‬M•‫ إ‬X\:9 ‫دارة‬
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(VO1 ) ‫ج‬-Y+‫ }™ن ا‬€{+‫= ذ‬I{N ،Cf={+‫ ا‬Hb4{?
‫(ب‬VW5{{6(R ‫ وا~{{=ة‬H—{{E8 M{{N ‫(رة‬E{{N ‫ن‬4{{\l
.(13) C\F mb4?
(VGS ) ‫ن‬4{{\l ‫ )أي‬M.5—{{E8 Š.{{EV1 =I{{N ({{?‫• أ‬
Hb4{{{? ‫ة‬-{{{5} ‫ل‬K{{{f (M.5—{{{E8 M{{{N ‫(رة‬E{{{N
D{{{{{+ ‫ن‬4{{{{\l (VO 2 ) ‫ج‬-{{{{{Y+‫ }{{{{™ن ا‬،Cf={{{{+‫ا‬
H.8(•+‫(ب وا‬VW56g‫ ا‬HEb4? (*‫ إ~=اه‬،‫(ن‬5—E8
(13) bx•
.(14) C\F ‫(ب‬VW56g‫ ا‬HE+(6
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‫ج‬-Y+‫ ا‬:} ‫—(ت‬EI+‫>=د ا‬R c\_5{+‫ ا‬c5{l D{8‫• أي أ‬
. (VGS ) =J)+‫ ا‬Šl-‹ MN
‫ن‬4{{{{{{\1 (VGS ) ‫( و‬Vi ) ‫ار دورات‬-{{{{{{\5R‫• و‬
‫ ( إذا‬Ti = 2 TGS ) :{{{‫*( هـ‬Jl‫دد‬-{{{1 H{{{OKN
-{{•‫ أآ‬C{{*>l Hb4{{*+‫ة ا‬-{{5} ‫ل‬K{{f (VGS ) ‫آ{{(ن‬
M{{? -{{•‫ أآ‬D{{+ ‫ن‬4{{\l ‫ج‬-{{Y+‫ }{{™ن ا‬M.1-{{5} M{{?
H{{{OKN ‫ن‬4{{{\1‫ا~= و‬4{{{+‫(ب ا‬VW5{{{6K+ ‫ج‬-{{{f
( n > 2) •.~ ( Ti ≥ nTGS )::‫*( ه‬Jl‫دد‬-1
‫{{(رات‬F‫ إ‬H{{+(~ :{{} D{{8‫ى أ‬-{{8 ‫ح‬-„{{+‫ا ا‬Œ{{‫ ه‬M{{?
(14) bx•
…{{{{{{{{{;N ‫ل‬4†{{{{{{{{{_;+ ،Hl‫دد‬-{{{{{{{{{5+‫(ت ا‬b4{{{{{{{{*+‫ا‬
T;>y<Q Ta ‫رة‬M<a (VGS ) 7Ka ‫ج‬I~,‫رة ا‬M•‫إ‬
‫(ب‬VW5{{{6g‫ ا‬t{{{q8 ({{{J+ ،(samples) ‫(ت‬I{{{.N
.( Ti ≥ nTGS ) ‫ن‬4\l ‫ أن‬m)l

19
‫ام‬7~>ffWMY ‫رة‬Mff•‫ إ‬Iff<x9 ‫ دارة‬bff5a (;ff,• 7-1-1
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: JFET
‫=ام‬Y5{{{6(R ‫{{{(رة‬F‫ إ‬-{{{E\? ‫ دارة‬M.{{{El (15) C\{{{F
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:bŠ25,‫ •<_ ا‬PQ7O9 7;‫آ‬D‫ل ا‬MG5,‫ ا‬I;ŒpU ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU -2-1


Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
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22
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Enhancement type
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Depletion type Pk‫ا‬FK>Wn‫ع ا‬2K,‫ا‬-‫ب‬
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24
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The Depletion MOSFET
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Pk‫ا‬FK>Wn‫ا‬

26
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Ifffff;ŒpU ‫ر‬2>ffffWFQ‫ا‬I>, ‫اص‬2ffff~,‫ت ا‬M;ffffK)K9 -‫أ‬


‫ع‬2K,‫ ا‬bŠ25,‫ •<_ ا‬PQ7O9 7;[‫آ‬D‫ل ا‬MG5,‫ا‬
:‫ي‬F=FO>,‫ا‬
Enhancement MOSFET
Characteristics
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‫اص‬4{{{{{{f ‫(ت‬.{{{{{{I_I? (26) C\{{{{{{F “{{{{{{”4l
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27
Iffff;ŒpU ‫ر‬2>ffffWFQ‫ا‬I>, ‫اص‬2ffff~,‫ت ا‬M;fffK)K9 -‫ب‬
‫ع‬2K,‫ ا‬bŠ25,‫ •<_ ا‬PQ7O9 7;[‫آ‬D‫ل ا‬MG5,‫ا‬
:Pk‫ا‬FK>Wn‫ا‬
Depletion MOSFET
Characteristics
‫ج‬-{{{Y+‫اص ا‬4{{{f ‫(ت‬.{{{I_I? (28) C\{{{F M.{{{El
:}‫ا‬7I5{{{6g‫ع ا‬4I{{{;+ MOSFET ‫ر‬45{{{678‫ا‬-5+
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(28) bx•
‫ج‬I~,‫اص ا‬2s `K)K9

‫ر‬45678‫ا‬-5+ Cl4_5{+‫{… ا‬I_I? (29) C\{F M.{El


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‫(ر‬.1 (‫ف‬7I5@l) CWl :{+(5+(R‫ و‬،H.{;O(8 C{O‫(ة أ‬I{W+‫ا‬
.‫ف‬-†*+‫ا‬

‫ }{{™ن‬HR‫ا‬4E{{+‫;{{… ا‬N (E{{b4? ً‫{{=ا‬Jb (I{{WE‹ ‫أ?{{( إذا‬


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.‫ف‬-†*+‫(ر ا‬.1 (M@_5l) ‫داد‬7l
(29) bx•
‫ر‬2>WFQ‫ا‬I>, Pk‫ا‬FK>Wn‫ع ا‬2KN, b=2)>,‫` ا‬K)K9
MOSFET

28
: MOSFET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬I>,‫ت ا‬M*Š‫ا‬29 4-2-1
:*dNB‫دد ا‬-5+‫ وا‬m@\+‫(رات وا‬.5+‫• ا‬.~ M? MOSFET ‫ر‬45678‫ا‬-5+‫(ت ا‬q<‫ا‬4? (2) ‫=ول‬b M.{El
.‫اف‬-‹B‫وا‬
(2) ‫ول‬7]
MOSFET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬I>,‫ت ا‬M*Š‫ا‬29
`+/‫أ‬ ‫ر‬M;U ‫رة‬7:,‫ا‬ ‫دد‬I>,‫ا‬
‫ر‬2>WFQ‫ا‬I>,‫ا‬ •YI,‫ا‬ j;Gy,‫ا‬
‫ع‬2K,‫ا‬ 7d] ‫ف‬I+5,‫ا‬ `5JO,‫ا‬ P5JaD‫ا‬ ‫ف‬r–,‫ ا‬bx•
Transist (S[x,‫)ا‬ Noise
Type Max. P5JaD‫ا‬ Max. Max. Case
or Gain Figure
Vds Max. Id Diss. Freq.
N-CH
21dB@ WINTransc 1,1dB@
3SK263 Dual Gate 15V 30mA 200mW 200MHz eiver 200MHz SOT-143
MOSFET
N-CH
23dB@ WINTransc 1,1dB@
3SK264 Dual Gate 15V 30mA 200mW 200MHz eiver 200MHz SOT-143
MOSFET
N-CH 22dB@ 1dB @
BF543 MOS-FET 20V 30mA 200mW 200MHz 300MHz 200MHz SOT-23
N-CH
25dB@ 1dB@
BF966S Dual Gate 20V 30mA 200mW 200MHz 2GHz 200MHz TO-50
MOSFET

: MOSFET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬I>,‫ات ا‬F;59 5-2-1


::10l (*R (MOSFET) :8=>*+‫= ا‬.@‫آ‬B‫ع ا‬48 ‫*)(ل‬+‫ ا‬-./01 ‫رات‬45678‫ا‬-1 ‫(ز‬5*1‫و‬
.‫ا‬-q< Cf=+‫(ر ا‬.1 =>l ‫ا‬Œ+ ،‫ف‬-†*+‫ وا‬UEI*+‫ ا‬MN H+‫و‬7>? HR‫ا‬4E+‫ ا‬.‫أ‬
.‫=ا‬b H.+(N (J+ Cf=+‫ ا‬H?‫(و‬W? .‫ب‬
.H;<4+‫ ا‬:z(I/ ‫ر‬45678‫ا‬-5+‫ ا‬M? CJ6‫( أ‬J>.I†1 .‫ج‬
.‫=ا‬b ‫ة‬-.s< H;?(\5? ‫ دارة‬Cf‫( دا‬J5>I< =IN (J;5_1 :5+‫ ا‬H~(@*+‫ ا‬.‫د‬
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‫(ز‬.{{_8g‫ ا‬H{{+(~ :{{} g‫ إ‬C{ <4l g D{{8B H;?(\5{{*+‫{{=ارات ا‬+‫ ا‬:{{} ‫(ح‬5{{q*‫ي آ‬7{{l7>5+‫ع ا‬4I{{+‫=م ا‬Y5@{{l .‫و‬
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H;?(\5{{{{{{*+‫ ا‬-{{{{{{z‫=وا‬+‫ ا‬:{{{{{{} D?‫=ا‬Y5{{{{{{6‫= ا‬I{{{{{{N ‫ة‬7{{{{{{.? C\„{{{{{{l ({{{{{{*? D{{{{{{*)~ -s†{{{{{{R ‫(ز‬5{{{{{{*l
:} H;•*5*+‫ ا‬H+‫>(ز‬+‫ ا‬HWEV+‫د ا‬4b4+ ً‫ا‬-d8 ‫ة‬-{.E‫ آ‬C{f‫ د‬H{?‫(و‬W? D{‫ــ‬+‫ و‬.(Integrated Circuits)
.‫ن‬4\;.@+‫= ا‬.@‫ أآ‬:8(/ HWE‹

29
:MOSFET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY 7d] .JK9 ‫ دارة‬b5a (;,• 7-2-1
.(30)C\F ‫=ارة‬+‫ ا‬:} (5R(/ Cdl ‫ج‬-Y+‫ن ا‬B €+‫(ت وذ‬W.EV5+‫ ا‬M? -.•‫ آ‬:} ‫=م‬Y5@l =J)+‫ ا‬cdI?

(30) bx•
MOSFET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY 7d] .JK9 ‫دارة‬
ً‫ا‬-.s< ً‫(را‬.1 ‫ }™ن‬Vi Cf=+‫{= ا‬Jb ‫{(د‬l‫= ازد‬I{N •
‫ر‬45{{678‫ا‬-5+‫“ ا‬5{{} mE@{{l R3 H{{?‫(و‬W*+‫ ا‬-{{EN
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‫ن‬4{{{\l (?=I{{{N 15mV :{{{+‫ا‬4~ ‫ر‬45{{{678‫ا‬-5+‫ا‬
.ž+4} 5 – 3.5 M? Cf=+‫ا‬
‫ }{{{™ن‬ž+4{{{} 5 M{{{N Cf={{{+‫{{{= ا‬Jb ‫{{{(دة‬l‫= ز‬I{{{N •
‫ئ‬7{{)? …{{;N ً‫*=ا‬5{{>? “5{{ql Q2 ‫ر‬45{{678‫ا‬-5+‫ا‬
.R6/R11 M? ‫ن‬4\*+‫= ا‬J)+‫ا‬
‫ر‬45‫ـــــــــــــــ‬678‫ا‬-5+‫;… ا‬N =J)+‫*( زاد ا‬J?‫و‬ •
(31) bx• =*5{{>l‫ و‬،ً(5{{R(/ C{{dl ‫(ر‬.{{5+‫ }{{™ن ا‬IRF7416
MOSFET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY ‫ج‬Is `K)K9 .:z(I/ HO‫;… د‬N ‫ج‬-Y+‫= ا‬Jb
‫›دي‬l ً‫ا‬-.s< ً‫(را‬.1 ‫ر‬-*1 :{5+‫ ا‬R7 H{?‫(و‬W*+‫ا‬ •
4‫ج ه‬-Y+‫ن ا‬4\l‫ و‬Q1 ‫ر‬45678‫ا‬-5+‫“ ا‬5} …{+‫إ‬
‫(ت‬E/ U? -{Il‫ ز‬:{z(I/ …{;N ={J)+‫ ا‬M{N ‫(رة‬E{N
.‫(ر‬.5+‫ا‬
M{{? -*5@{{*+‫(ر ا‬.{{5+‫(ت ا‬E‫آ‬-{{? UI{{*1 ‫(ت‬q•{{\*+‫ا‬ •
.‫رض‬B‫… ا‬+‫ور إ‬-*+‫ا‬
Cf=+‫= ا‬Jb ‫=أ‬El (?=IN D8‫ أ‬y5I5@8 (I8™} €+ŒR‫و‬ •
‫ج‬-{{Y+‫{{= ا‬Jb ‫ }{{™ن‬ž+4{{} H@{{*f M{{N ‫(دة‬l7{{+(R
H@{{{{{{{{{*f =I{{{{{{{{{N H*.{{{{{{{{{W+‫ ا‬ž{{{{{{{{{R(/ C{{{{{{{{{dl
…{{I_I*R M.{{E? 4{{‫ آ*{{( ه‬Vout = 5volt ž+4{{}
.(31) C\F ‫ج‬-Y+‫ا‬

30
(safety & vocational Rules):(;Kd5,‫( ا‬9r[,‫ و ا‬T9D‫ ا‬7a‫ا‬2/ -2
.H.†Y„+‫ ا‬Hl(O4+‫ وا‬C*>+‫ ا‬tRK? ‫=اء‬1‫ ار‬-1
.C*>+‫ ?\(ن ا‬m.1-1‫ و‬c.dI1 -2
.H>8(†+‫آ(ت ا‬-„+‫(دات ا‬F‫ـ*(ت وإر‬.‫>ـ;ـ‬1 ‫اءة‬-‫ـ‬O -3
.ml‫=ر‬5+‫;… ا‬N ‫ف‬-„*+‫(ء ا‬N=56‫ وا‬HR-)1 Hl‫ أ‬C.<41 CEO H.z(R-J\+‫ ا‬HlŒs5+‫ ا‬C†} -4
…+‫ إ‬€+‫{›دى ذ‬l ={W} ž.{E•1 ‫ك دون‬K{6B‫ وا‬-{<(I>+‫ك ا‬-{51 g H.8‫و‬-{5\+ƒ‫{=ارات ا‬+‫ ا‬C.{<41 =I{N -5
.H.8‫و‬-5\+ƒ‫ ا‬-<(I>+‫ف ا‬K1‫… إ‬+‫›دي إ‬1 ‫(ردة‬F ‫—(ت‬E8 =.+41
‫{›دي‬l n({{)1g‫ ا‬-{{..s1 ‫ن‬B (J?‫=ا‬Y5{{6‫ ا‬CE{{O H.8‫و‬-{{5\+ƒ‫ ا‬U{{VW+‫ ا‬m.‫آ‬-{{1 n({{)1‫ت وا‬K.{{<45+‫ ا‬U{{b‫ را‬-6
‫(ت‬q•\*+‫ ا‬C•? H.8‫و‬-5\+ƒ‫ ا‬UVW;+ ‫)(ر‬q8‫( أو ا‬8(.~‫ أ‬Šz‫ا‬-~ …{+‫{›دي إ‬l‫ و‬-{<(I>+‫ف ا‬K{1‫{… إ‬+‫را إ‬4{}
.H;?(\5*+‫=ارات ا‬+‫(ت وا‬.z(I•+‫وا‬
c@{ )+ H.z(R-{{J‫ آ‬HI_{{F H{ l‫ أ‬mE@{{1 g :{{\+ MOSFET ‫ر‬45{{678‫ا‬-1 ‫{{=اول‬1 =I{ N ‫ر‬Œ{{_+‫ ا‬m{{)l -7
:8=>*+‫= ا‬.@‫آ‬B‫ر ا‬45678‫ا‬-1 HR‫ا‬4{R M.{R ‫ة‬-.s{< HI_{F ‫د‬4{b‫ن و‬B ،‫ر‬45{678‫ا‬-5+‫ ا‬m{VN ‫{@(ن‬8ƒ‫ا‬
.H.+(>+‫ ا‬D;f‫ د‬H?‫(و‬W? mE@R H.+(N H.5+4} =+41 Ml-f•‫ ا‬D.}-‹ =~‫وأ‬
.¢;5+‫ ا‬M? D.;N ‫(ظ‬q_;+ ‫ر‬45678‫ا‬-5+‫ ا‬ž.E•1 =IN ‫;_(م‬+‫ أرض آ(وي ا‬-8

31
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ï####ÜàÈÛa

33
(1) :T=I5>,‫ ا‬.‫ــ‬/‫ر‬ I;ŒpU ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY ‫رة‬M•‫ إ‬X\:9 ‫ء دارة‬MKY :T=I5>,‫ ا‬.W‫ا‬
.JFET PNŠ2,‫ل ا‬MG5,‫ا‬

:‫` أن‬Na ً‫درا‬M/ ‫رب‬7>5,‫<• ا‬+= ‫ أن‬X/2>= :(;<=‫ر‬7>,‫اف ا‬7‫ه‬D‫ا‬


.JFET :;<4+‫*)(ل ا‬+‫ ا‬-./01 ‫ر‬45678‫ا‬-1 ‫=ام‬Y56(R ‫(رة‬F‫ إ‬UVW? ‫ دارة‬-<(IN r_ql -1
.JFET :;<4+‫*)(ل ا‬+‫ ا‬-./01 ‫ر‬45678‫ا‬-1 ‫=ام‬Y56(R ‫(رة‬F‫ إ‬UVW? ‫ دارة‬:IEl -2
.(‫(رات‬F‫د – إ‬4Jb) ‫=ارة‬+‫ات ا‬-.s5? t.Wl -3
.‫(س‬.W+‫ ا‬yz(58 C)@l -4

:(9‫ز‬r,‫ر=<;( ا‬7>,‫ت ا‬r;d[>,‫ات وا‬F;dG>,‫ا‬


.-5.?4}‫(ز أ‬Jb -1
.C.<41 ‫ك‬K6‫أ‬ -2
..‫ب‬4\64;6‫(ز أو‬Jb -3
.‫(رة‬F‫= إ‬+4? ‫(ز‬Jb -4
.AC/DC ž+4} 30 …+‫ إ‬0 M? HlŒs1 ‫?†=ر‬ -5
.2N4339 ‫ر‬45678‫ا‬-1 -6
0.1µF ¢•\? -7
10MΩ H?‫(و‬W? -8
1N4007 :z(I/ -9

:T=I5>,‫ ا‬w;*KU ‫ات‬2\s


(;);42>,‫ت ا‬M92WI,‫ا‬ (5‫آ‬M),‫ط ا‬M:K,‫ات وا‬2\~,‫ا‬

: :;l (*‫ آ‬JFET ‫ر‬45678‫ا‬-5+‫ ا‬r_}‫ ا‬-1


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:{{{{} ({{{{*‫ آ‬-{{{{5.?‫©و‬+ m+(@{{{{+‫ف ا‬-{{{{V+‫ ا‬C{{{{<
mb4{{{{{*+‫ف ا‬-{{{{{V+‫ وا‬HR‫ا‬4E{{{{{+(R (32) C\{{{{{F
-.„l -5.?4}B‫(ز ا‬Jb ‫ }™ن‬UE{I*+‫ف وا‬-†{*+(R
=b4{{l g‫( و‬H.{{+(N H{{?‫(و‬W? ‫ )أو‬H{ l(J8g ({{? …{{+‫إ‬
.HR‫ا‬4E+‫(ة ا‬IO ‫ل‬Kf C.<41

(32) bx•
FET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬I>,‫)— ا‬k

35
‫ا‪M92WI,‬ت ا‪(;);42>,‬‬ ‫ا‪2\~,‬ات وا‪M:K,‬ط ا‪M),‬آ‪(5‬‬

‫ب‪ C{{< -‬أ‪7{{Jb‬ة ا‪(.{{W+‬س ‪({{)? U{{”4l •.{{_R‬ل‬


‫ا‪(.{{{W+‬س ‪ …{{{;N‬ا‪B‬وم آ*{{{( }{{{‪ :‬ا‪،(33) C\„{{{+‬‬
‫و‪ ˜{{{{~g‬أن ا‪ -.„{{{{l -{{{{F›*+‬إ‪ -q{{{{< …{{{{+‬أوم‬
‫)أو ?‪(W‬و?{{‪-.s{{< H‬ة( أي أ‪C.{{<41 =b4{{l D{{8‬‬
‫‪Kf‬ل و<;‪ H‬ا‪4E+‬ا‪.HR‬‬
‫ج‪ H{{{{{+(~ :{{{{{} -‬ا‪-{{{{{W+‬اءات ا‪ Hq;5{{{{{Y*+‬ا‪=E5{{{{{6‬ل‬
‫ا‪-5+‬ا‪45678‬ر‪.‬‬

‫•‪(33) bx‬‬
‫‪ -2‬ا}_{{{‪ -{{{<(IN r‬ا‪={{{+‬ارة ا‪-{{{fB‬ى ‪=Y5{{{6(R‬ام‬
‫ا‪.-5.?4}B‬‬
‫‪ C{< -3‬دارة ?‪ U{VW‬إ‪({F‬رة ‪=Y56(R‬ام ‪-1‬ا‪45678‬ر‬
‫‪ -./01‬ا‪()*+‬ل ا‪.(34) C\F JFET :;<4+‬‬

‫•‪(34) bx‬‬
‫‪({Jb C{< -4‬ز ?{‪ =+4‬ا‪(Fƒ‬رة ‪=R‬ارة ?‪ UVW‬ا‪(Fƒ‬رة‬
‫‪.(35) C\F‬‬
‫‪ =+4{{{? -{{{l(N -5‬ا‪({{{Fƒ‬رة ‪ …{{{;N‬إ‪({{{F‬رة ‪.{{{E.b‬ــــ‪H‬‬
‫‪.4Vp-p/1kHz‬‬
‫‪ -6‬أد‪ C{f‬إ‪({F‬رة ?{‪) H>R-‬ا‪ =+4? M? (HI.>+‬ا‪(Fƒ‬رة‬
‫‪ -EN‬ا‪I•+‬ــ(‪.ž+4} 15/-15 :z‬‬

‫ا‪(35) bxm,‬‬

‫‪36‬‬
‫ا‪M92WI,‬ت ا‪(;);42>,‬‬ ‫ا‪2\~,‬ات وا‪M:K,‬ط ا‪M),‬آ‪(5‬‬

‫‪(Jb C< -7‬ز ‪(.O‬س ا‪=+(R =J)+‬ارة ‪.(36) C\F‬‬


‫‪ ={{Jb t{{O -8‬إ‪({{F‬رة ا‪-{{Y+‬ج ‪=Y5{{6(R‬ام ا‪-{{5.?4}B‬‬
‫‪. Vo = .................‬‬

‫•‪(36) bx‬‬
‫‪({{Jb C{{< -9‬ز ا‪B‬و‪4\{{64;6‬ب ‪={{+(R‬ارة ‪c5{{l •.{{_R‬‬
‫‪ C.{<41‬ا‪(I{W+‬ة ا‪B‬و‪ CH1…{+‬إ‪ …{+‬ا‪ Cf=+‬وا‪(IW+‬ة‬
‫‪ CH2‬إ‪ …+‬ا‪-Y+‬ج ‪.(37) C\F‬‬
‫‪ -10‬ار‪ Hb4{{? C\{{F c{{6‬ا‪ Cf={{+‬آ*{{( ‪-{{1‬اه( ‪…{{;N‬‬
‫‪ HF(F‬ا‪B‬و‪4\64;6‬ب‪.‬‬
‫‪O -11‬ــــ‪ t‬وا~@‪1 m‬ـــــ‪-‬دد إ‪(F‬رة ا‪+‬ـــ=‪f‬ــــ‪C‬‬
‫‪1‬‬
‫‪. f = = ..............‬‬
‫‪T‬‬
‫•‪(37) bx‬‬ ‫‪ tO -12‬وا~@‪ =Jb m‬ا‪ M? Cf=+‬ا‪ H*W+‬إ‪ …+‬ا‪H*W+‬‬
‫‪. VP − P = .................‬‬
‫‪ -13‬ار‪ C\{{F c{{6‬إ‪({{F‬رة ا‪-{{Y+‬ج آ*{{( ‪-{{1‬اه( ‪…{{;N‬‬
‫]‪7‬ول )‪(3‬‬
‫]‪7‬ول ا‪j^M>K,‬‬ ‫‪ HF(F‬ا‪B‬و‪4\64;6‬ب‪.‬‬
‫ا‪ .;:,‬ا‪(WM:5,‬‬ ‫ا‪ .;:,‬ا‪(Y2[)5,‬‬
‫‪ tO -14‬وا~ــــ@‪-1 m‬دد إ‪F‬ـــــ(رة ا‪+‬ــ‪Y‬ـــ‪-‬ج‬
‫‪ =Jb‬ا‪-Y+‬ج‬ ‫‪1‬‬
‫‪. f o = = ..............‬‬
‫‪Vo = .................‬‬ ‫‪T‬‬
‫‪ t{{O -15‬وا~{{@‪ ={{Jb m‬إ‪({{F‬رة ا‪-{{Y+‬ج ?{{‪ M‬ا‪H{{*W+‬‬
‫}‪-5‬ة إ‪(F‬رة ا‪Cf=+‬‬ ‫‪-1‬دد إ‪(F‬رة ا‪Cf=+‬‬
‫‪T = .................‬‬ ‫‪1‬‬ ‫إ‪ …+‬ا‪. VP − P = ................. H*W+‬‬
‫‪f i = = ..............‬‬
‫‪T‬‬ ‫‪ yz(58 C)6 -16‬ا‪(.W+‬س }‪ :‬ا‪=)+‬ول )‪.(3‬‬
‫}‪-5‬ة إ‪(F‬رة ا‪-Y+‬ج‬ ‫‪1‬‬
‫‪f o = = ..............‬‬
‫‪T = .................‬‬ ‫‪T‬‬

‫‪37‬‬
(2) :T=I5>,‫ ا‬.‫ــ‬/‫ر‬ I;ŒpU ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY ‫رة‬M•‫ إ‬I<x9 ‫ء دارة‬MKY :T=I5>,‫ ا‬.W‫ا‬
.JFET PNŠ2,‫ل ا‬MG5,‫ا‬

:‫` أن‬Na ً‫درا‬M/ ‫رب‬7>5,‫<• ا‬+= ‫ أن‬X/2>= :(;<=‫ر‬7>,‫اف ا‬7‫ه‬D‫ا‬


. JFET ‫=ام‬Y56(R ‫(رة‬F‫ إ‬-E\? ‫ دارة‬-<(IN r_ql -1
. JFET ‫=ام‬Y56(R ‫(رة‬F‫ إ‬-E\? ‫ دارة‬:IEl -2
.( ‫(رات‬F‫د – إ‬4Jb) ‫=ارة‬+‫ات ا‬-.s5? t.Wl -3
.‫(س‬.W+‫ ا‬yz(58 C)@l -4

:(9‫ز‬r,‫ر=<;( ا‬7>,‫ت ا‬r;d[>,‫ات وا‬F;dG>,‫ا‬


.-5.?4}‫(ز أ‬Jb -1
.C.<41 ‫ك‬K6‫أ‬ -2
.‫ب‬4\64;6‫(ز أو‬Jb -3
AC/DC ž+4} 30 …+‫ إ‬0 M? HlŒs1 ‫?†=ر‬ -4
2N4393 ‫ر‬45678‫ا‬-1 -5
.‫(ن‬I/‫=د ا‬N 0.1µF ¢•\? -6
,500Ω,2.5kΩ,‫(و?(ت‬W? -7
.‫(ن‬I/‫=د ا‬N 1MΩ H?‫(و‬W? -8
‫(رة‬F‫= إ‬+4? ‫(ز‬Jb -9

:T=I5>,‫ ا‬w;*KU ‫ات‬2\s


(;);42>,‫ت ا‬M92WI,‫ا‬ (5‫آ‬M),‫ط ا‬M:K,‫ات وا‬2\~,‫ا‬

.-5.?4}B‫=ام ا‬Y56(R ‫=ارة‬+‫ ا‬-<(IN r_}‫ ا‬-1


.Hq+(5+‫ ا‬-<(I>+‫=ل ا‬E56‫ ا‬-2
‫ر‬45{{678‫ا‬-1 ‫=ام‬Y5{{6(R ‫{{(رة‬F‫ إ‬-{{E\? ‫ دارة‬C{{< -3
:{{{{} ({{{{*‫ آــ‬JFET :;{{{{<4+‫*){{{{(ل ا‬+‫ ا‬-{{{{./01
. (38) C\„+‫ا‬

(38) bx•

38
(;);42>,‫ت ا‬M92WI,‫ا‬ (5‫آ‬M),‫ط ا‬M:K,‫ات وا‬2\~,‫ا‬
‫{{{{{{{{{{{{{(رة‬Fƒ‫= ا‬+4{{{{{{{{{{{{{? ‫{{{{{{{{{{{{{(ز‬Jb C{{{{{{{{{{{{{< -4
.(39) C\F /40mVp-p 1kHz ‫دد‬-5R
‫{{{{{{{{=ارة‬+(R ={{{{{{{{J)+‫(س ا‬.{{{{{{{{O ‫ة‬7{{{{{{{{Jb‫ أ‬C{{{{{{{{< -5
.(40) C\F
‫ج‬-Y+‫ وا‬Cf=+‫= ا‬Jb tO -6
Vi = ……………
. Vo = ………….
(39) bxm,‫ا‬ ‫{{{{{{{{=ارة‬+(R ‫ب‬4\{{{{{{{{64;6‫و‬B‫{{{{{{{{(ز ا‬Jb C{{{{{{{{< -7
. (41) C\F
V1
25V

R3 HF(F …;N (‫اه‬-1 (*‫ آ‬Cf=+‫ ا‬Hb4? C\F c6‫ ار‬-8


2.5K C2

C1
1uF
+
Vo
.‫ب‬4\64;6‫و‬B‫ا‬
1uF Q1
Cf=+‫(رة ا‬F‫دد إ‬-1 m@~‫ وا‬tO -9
+
2N4393

V
R1
1
. fi =
R4 R2 1MEG
1kHz
40mV p-p
V 1MEG 500 = ..............
T
H{{{{*W+‫{{{{… ا‬+‫ إ‬H{{{{*W+‫ ا‬M{{{{? Cf={{{{+‫{{{{= ا‬Jb t{{{{O -10
(40) bxm,‫ا‬ . VP−P = ...............
…{{;N (‫اه‬-{{1 ({{*‫ج آ‬-{{Y+‫{{(رة ا‬F‫ إ‬C\{{F c{{6‫ ار‬-11
.‫ب‬4\64;6‫و‬B‫ ا‬HF(F
‫ج‬-Y+‫(رة ا‬F‫دد إ‬-1 m@~‫ وا‬tO -12
1
. fo = = ..............
T
. ‫(س‬.W+‫ ا‬yz(58 C)6 -13
(41) bx•
Vi = ...............
Vo = ...............
VP − P = ...............
f i = ..............
f o = ..............

39
‫ر‪/‬ــ‪ .‬ا‪(3) :T=I5>,‬‬ ‫ا‪ .W‬ا‪MKY :T=I5>,‬ء دارة ‪7)9‬د ا‪M;>,‬ر ‪7~>WMY‬ام ‪IU‬ا‪2>WFQ‬ر ‪I;ŒpU‬‬
‫ا‪MG5,‬ل ا‪.JFET PNŠ2,‬‬

‫ا‪D‬ه‪7‬اف ا‪7>,‬ر=<;(‪ X/2>= :‬أن =‪ •<+‬ا‪7>5,‬رب ‪M/‬دراً ‪ `Na‬أن‪:‬‬


‫‪ -<(IN r_ql‬دارة ?_=د ا‪(.5+‬ر ‪=Y56(R‬ام ‪-1‬ا‪45678‬ر ‪ -./01‬ا‪()*+‬ل ا‪.JFET :;<4+‬‬ ‫‪-1‬‬
‫‪ :IEl‬دارة ?_=د ا‪(.5+‬ر ‪=Y56(R‬ام ‪-1‬ا‪45678‬ر ‪ -./01‬ا‪()*+‬ل ا‪. JFET :;<4+‬‬ ‫‪-2‬‬
‫‪ t.Wl‬ا‪4J)+‬د ‪=;+‬ارة ‪.‬‬ ‫‪-3‬‬
‫‪ yz(58 C)@l‬ا‪(.W+‬س‪.‬‬ ‫‪-4‬‬

‫ا‪F;dG>,‬ات وا‪r;d[>,‬ت ا‪7>,‬ر=<;( ا‪r,‬ز‪:(9‬‬


‫‪(Jb‬ز أ}‪.-5.?4‬‬ ‫‪-1‬‬
‫أ‪K6‬ك ‪.C.<41‬‬ ‫‪-2‬‬
‫‪-1‬ا‪45678‬ر ‪2N5486‬‬ ‫‪-3‬‬
‫?‪(W‬و?‪-.s5? H‬ة ‪5.7kΩ‬‬ ‫‪-4‬‬
‫?‪(W‬و?‪100kΩ،H5R(/ H‬‬ ‫‪-5‬‬
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µ 2 2 0k
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line 3 in 50k Ω 4.7kΩ

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58
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................ ;U‫'د‬ƒ‫رات أ‬KJQ`a‫ا‬8O Z0 ‫?'رة‬0 C‫ ه‬FET ‫ ا\=‡'ل‬89-‹O ‫رات‬KJQ`a‫ا‬8O -‫ج‬
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....... ‫'ت أو‬a‫و‬8J7\u‫ا‬
................ C‫; ه‬moq\‫ت ا‬,('ƒ ، N ‫'ة‬m*\‫ ذو ا‬JFETCSNK\‫ ا\=‡'ل ا‬89-‹O ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O -‫هـ‬

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( ) . ;k‫ا‬K?\‫ف وا‬8Y=\‫ ا‬Z9k ;k‫ا‬K?\‫ ا‬Z9k /G‡\‫ ا‬K‫ ه‬VGS -‫ج‬
( ) . ‫ف‬8Y=\‫ إ\[ ا‬Ž?m=\‫ ا‬Z( ‫'ر ا\='ر‬9J\‫ ا‬K‫ ه‬ID -‫د‬

59
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(‫( )ب‬a25G5,‫ا‬ (‫( )أ‬a25G5,‫ا‬

‫ ذو‬JFET CS66NK\‫'ل ا‬66‡=\‫ ا‬8669-‹O ‫ر‬KJ66Q`a‫ا‬8O (.........)


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‫ع‬Km666\‫ ا‬MOSFET ‫'ل‬666‡=\‫ ا‬86669-‹O ‫ر‬KJ666Q`a‫ا‬8O (.........)


. ;?HK( ‫'ة‬mA ‫ ذو‬CL‫`ا‬mJQ’‫ا‬
-2

‫ع‬Km666\‫ ا‬MOSFET ‫'ل‬666‡=\‫ ا‬86669-‹O ‫ر‬KJ666Q`a‫ا‬8O (.........)


PMESFET -3 . ;?HK( ‫'ة‬mA ‫`ي ذو‬U`fJ\‫ا‬

‫ ذو‬JFET CS66NK\‫'ل ا‬66‡=\‫ ا‬8669-‹O ‫ر‬KJ66Q`a‫ا‬8O (.........)


2N3796 -4 .;?\'Q ‫'ة‬mA

‫ع‬Km66\‫ ا‬MOSFET ‫'ل‬66‡=\‫ ا‬8669-‹O ‫ر‬KJ66Q`a‫ا‬8O ( )


PMOS -5 . ;?\'Q ‫'ة‬mA ‫ ذو‬CL‫`ا‬mJQ’‫ا‬

‫ع‬Km666\‫ ا‬MOSFET ‫'ل‬666‡=\‫ ا‬86669-‹O ‫ر‬KJ666Q`a‫ا‬8O (.........)


2N3796 -6 . ;?\'Q ‫'ة‬mA ‫`ي ذو‬U`fJ\‫ا‬

IRF9510 -7

60
P‫ـــ‬N5O,‫ر ا‬M‫><ـــ‬sn‫ا‬

(1) :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.‫ــ‬/‫ر‬ ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY ‫رة‬M•‫ إ‬X\:9 ‫ء دارة‬MKY :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.W‫ا‬
.JFET PNŠ2,‫ل ا‬MG5,‫ ا‬I;ŒpU

:(9‫ز‬r,‫ر=<;( ا‬7>,‫ت ا‬r;d[>,‫ات وا‬F;dG>,‫ا‬


.2N4339 ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O -5 . 8J9(KL‫'ز أ‬GH -1
0.1µF B57( -6 .M9NKO ‫ك‬,Q‫ أ‬-2
10MΩ ;(‫ (*'و‬-7 .‫ب‬K7QKSQ‫'ز أو‬GH -3
1N4007 C<'m- -8 AC/DC ^\KL 30 [\‫ إ‬0 Z( ;UVWO ‫ر‬/Y( -4

:‫رب‬7>5,‫ ا‬T9 ‫ب‬2N\5,‫اء ا‬I]|‫ا‬


.JFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k ‫'رة‬t‫ إ‬Ž@*( ‫ دارة‬8N'm0 no4U -1
.(54) M7t JFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k ‫'رة‬t‫ إ‬Ž@*( ‫ دارة‬Cm?U -2
.( ‫'رات‬t‫د – إ‬KGH) ‫ارة‬/\‫ات ا‬89WJ( ‰9*U -3
.‫'س‬9*\‫'<† ا‬Ja M‡‚U -4

:‫ر‬M<>sr, ‫ي‬w;*K>,‫ ا‬.WI,‫ا‬

(54) bx•

61
(2) :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.‫ــ‬/‫ ر‬.JFET PNŠ2,‫ل ا‬MG5,‫ ا‬I;ŒpU ‫ام‬7~>WMY ‫رة‬M•‫ إ‬I<x9 ‫ء دارة‬MKY :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.W‫ا‬

:(9‫ز‬r,‫ر=<;( ا‬7>,‫ت ا‬r;d[>,‫ات وا‬F;dG>,‫ا‬


2N4393 ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O -5 8J9(KL‫'ز أ‬GH -1
‫'ن‬m-‫د ا‬/0 0.1µF B57( -6 M9NKO ‫ك‬,Q‫ أ‬-2
MΩ,500Ω,2.5kΩ,10 ‫ (*'و('ت‬-7 ‫ب‬K7QKSQ‫'ز أو‬GH -3
‫'ن‬Jm-‫د ا‬/0 1MΩ ;(‫(*'و‬
‫'رة‬t‫ إ‬/\K( ‫'ز‬GH -8 AC/DC ^\KL 30 [\‫ إ‬0 Z( ;UVWO ‫ر‬/Y( -4

:‫رب‬7>5,‫ ا‬T9 ‫ب‬2N\5,‫اء ا‬I]|‫ا‬


JFET ‫ام‬/jJQ'k ‫'رة‬t‫ إ‬8?7( ‫ دارة‬8N'm0 no4U -1
(55) M7t JFET ‫ام‬/jJQ'k ‫'رة‬t‫ إ‬8?7( ‫ دارة‬Cm?U -2
( ‫'رات‬t‫د – إ‬KGH) ‫ارة‬/\‫ات ا‬89WJ( ‰9*U -3
‫'س‬9*\‫'<† ا‬Ja M‡‚U -4

:‫ر‬M<>sr, ‫ي‬w;*K>,‫ ا‬.WI,‫ا‬

(55) bx•

62
(3) :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.‫ــ‬/‫ر‬ I;ŒpU ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY ‫ر‬M;>,‫د ا‬7)9 ‫ء‬MKY :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.W‫ا‬
.JFET PNŠ2,‫ل ا‬MG5,‫ا‬

:(9‫ز‬r,‫ر=<;( ا‬7>,‫ت ا‬r;d[>,‫ات وا‬F;dG>,‫ا‬


8J9(KL‫'ز أ‬GH -1
M9NKO ‫ك‬,Q‫أ‬ -2
2N5486 ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O -3
5.7kΩ ‫ة‬89WJ( ;(‫(*'و‬ -4
100kΩ،;Jk'- ;(‫(*'و‬ -5
AC/DC ^\KL 30 [\‫ إ‬0 Z( ;UVWO ‫ر‬/Y( -6

:‫رب‬7>5,‫ ا‬T9 ‫ب‬2N\5,‫اء ا‬I]|‫ا‬


JFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k ‫'ر‬9J\‫د ا‬/o( ‫ دارة‬8N'm0 no4U -1
.(56) M7t JFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k ‫'ر‬9J\‫د ا‬/o( ‫ دارة‬Cm?U -2
(‫'رات‬t‫د – إ‬KGH) ‫ارة‬/\‫ات ا‬89WJ( ‰9*U -3
‫'س‬9*\‫'<† ا‬Ja M‡‚U -4

:‫ر‬M<>sr, ‫ي‬w;*K>,‫ ا‬.WI,‫ا‬

(56) bx•

63
(4) :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.‫ــ‬/‫ر‬ ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY ‫زج‬M9 ‫ء دارة‬MKY :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.W‫ا‬
.JFET PNŠ2,‫ل ا‬MG5,‫ ا‬I;ŒpU

:(9‫ز‬r,‫ر=<;( ا‬7>,‫ت ا‬r;d[>,‫ات وا‬F;dG>,‫ا‬


4.7 KΩ ، 10KΩ ‫ (*'و('ت‬-8 .8J9(KL‫'ز أ‬GH -1
.‫ث‬,- ‫د‬/0 220K ohm/1/4W ‫ (*'و('ت‬-9 .M9NKO ‫ك‬,Q‫ أ‬-2
47µF/100V C1,C2,C3 ‫'ت‬45666667( -10 .‫ب‬K7QKSQ‫'ز أو‬GH -3
.;9<'=9‫ آ‬89:‫; و‬9?@A 89: ^\K66666L 30 [66666\‫ إ‬0 Z66666( ;66666UVWO ‫ر‬/Y66666( -4
.C<'=9‫ آ‬220µF/16V C4 B57( -11 AC/DC
.C<'=9‫ آ‬470µF/16V C5B57( -12 FET ‫ع‬Ka MPF102 Q1 ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O -5
.C<'=9‫ آ‬22µF/16V C6 B57( -13 e66\‫'د‬fU '66( ‫ أو‬2N3904 Q2 ‫ر‬KJ66Q`a‫ا‬8O -6
NPN ‫ع‬Ka
‫ث‬,- ‫د‬/0 50K ‫ (*'و('ت‬-7 -7

:‫رب‬7>5,‫ ا‬T9 ‫ب‬2N\5,‫اء ا‬I]|‫ا‬


JFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k ‫ دارة ('زج‬8N'm0 no4U -1
.(57) M7t JFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k ‫ دارة ('زج‬Cm?U -2
(‫'رات‬t‫د – إ‬KGH) ‫ارة‬/\‫ات ا‬89WJ( ‰9*U -3
‫'س‬9*\‫'<† ا‬Ja M‡‚U -4

:‫ر‬M<>sr, ‫ي‬w;*K>,‫ ا‬.WI,‫ا‬

(57) bx•

64
(5) :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.‫ــ‬/‫ر‬ .MOSFET ‫ر‬2>WFQ‫ا‬IU ‫ام‬7~>WMY 7d] .JK9 ‫ء دارة‬MKY :‫ر‬M<>sn‫ ا‬.W‫ا‬

:(9‫ز‬r,‫ر=<;( ا‬7>,‫ت ا‬r;d[>,‫ات وا‬F;dG>,‫ا‬


IRF7416 ‫ ا\=‡'ل‬89-‹O ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O -6 8J9(KL‫'ز أ‬GH -1
‫'ن‬m-‫د ا‬/0 2N3932 ;SNK\‫ ا‬C<'m- ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O -7 M9NKO ‫ك‬,Q‫ أ‬-2
‫'ن‬Jm-‫د ا‬/0 3.3kΩ, ‫ (*'و('ت‬-8 ‫ب‬K7QKSQ‫'ز أو‬GH -3
5.6kΩ,270Ω,1kΩ ‫ (*'و('ت‬-9 ^\K6666L 30 [6666\‫ إ‬0 Z6666( ;6666UVWO ‫ر‬/Y6666( -4
AC/DC
2.7nF,1nF,22µF ‫'ت‬457( 10 LM385 C<'m- 5

:‫رب‬7>5,‫ ا‬T9 ‫ب‬2N\5,‫اء ا‬I]|‫ا‬


MOSFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k /GH zˆm( ‫ دارة‬8N'm0 no4U -1
.(58) M7t MOSFET ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫ام‬/jJQ'k /GH zˆm( ‫ دارة‬Cm?U -2
( ‫'رات‬t‫د – إ‬KGH) ‫ارة‬/\‫ات ا‬89WJ( ‰9*U -3
‫'س‬9*\‫'<† ا‬Ja M‡‚U -4

:‫ر‬M<>sr, ‫ي‬w;*K>,‫ ا‬.WI,‫ا‬

(58) bx•

65
(‫;ــــــ‬K*,‫ت ا‬M‫)ــ‬N\+5,‫د ا‬I‫ـ[ـــ‬9

(=F;NGQ|‫–( ا‬N,MY ‫ت‬M)N\+5,‫ا‬ (;YIO,‫–( ا‬N,MY ‫ت‬M)N\+5,‫ا‬

Unipolar ;9?@*\‫'دى ا‬ƒ‫أ‬


substrate ‫'س‬Q‫أ‬
Enhancement type ‫`ي‬U`fJ\‫ع ا‬Km\‫ا‬
FET types ‫ ا\=‡'ل‬89-'O ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O ‫اع‬Ka‫أ‬
Metal Oxide Semiconductor MNK=\‫ ا‬e?t ‫ن‬/f=\‫ ا‬/9‚‫أآ‬
Insulated Gate ;\‫`و‬f=\‫; ا‬k‫ا‬Kk
Gate ;k‫ا‬Kk
field- effect transistors(FETs) ‫ ا\=‡'ل‬89-‹O ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O
n- channel FET N ‫ع‬Ka ‫ ا\=‡'ل‬89-‹O ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O
p- channel FET P ‫ع‬Ka ‫ ا\=‡'ل‬89-‹O ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O
Bipolar transistor ;9?@*\‫ ا‬C<'m- ‫ر‬KJQ`a‫ا‬8O
current ‫'ر‬9O
Threshold voltage ;?Jf\‫ ا‬/GH
Cutoff voltage Ž@A ;*@m( /GH
Load M=ƒ
Mixer v\'{
Integrated Circuits ;S('7J=\‫دارات ا‬
Operation ;9S=0
Samples ;m90
induced channel ;‡Jm=\‫'ة ا‬mA
channel ‫'ة‬mA
safety & vocational Rules ;(,‚\‫ وا‬Z(h‫ ا‬/0‫ا‬KA
efficiency ‫'ءة‬4‫آ‬
electric field C<'k8G‫(‡'ل آ‬
Analog switches ;9S-'=J\‫~ ا‬9O'4(

66
(=F;NGQ|‫–( ا‬N,MY ‫ت‬M)N\+5,‫ا‬ (;YIO,‫–( ا‬N,MY ‫ت‬M)N\+5,‫ا‬
ohmic region ;9(‫و‬h‫@*; ا‬m(
Drain •Y(
The amplification factor 89?7J\‫ ا‬M('f(
JFET Parameters JFET ‫ت‬,('f(
switch ‫'ح‬J4(
Resistor ‫(*'وم‬
Pinch- off voltage Ž@*\‫ ا‬/GH ‫ار‬/*(
Clipper Ž@›*(
The Drain Characteristic ‫ف‬8Y=\‫اص ا‬K{ [mom(
Depletion MOSFET ‫'ل‬66‡=\‫ ا‬8669-‹O ‫ر‬KJ66Q`a‫ا‬8O ‫اص‬K66{ [66mom(
Characteristics ‫`اف‬mJQ’‫ع ا‬Ka MOSFET
saturation region Ž?qJ\‫@*; ا‬m(
Junction ;SN‫و‬

67
‫در‬M‫ـــــ‬+5,‫ وا‬X‫ا]ـــــ‬I5,‫ــــــ( ا‬5^M/

:(;YIO,‫ ا‬X]‫ا‬I5,‫ ا‬:nً ‫أو‬

‫ دار‬-[\‫و‬h‫; ا‬f?@\‫ ا‬- •U8: z9‫اه‬8k‫ إ‬/‫ م‬،‰‚6A ‫@'ن‬S6Q ،C6w'*\‫'د ا‬6U‫ ز‬/‫ د‬- (;Q‫و‬If>x,|‫ ا‬If^‫وا‬7,‫ ا‬-1
.‫م‬1991 - ‫ردن‬h‫ ا‬-‫='ن‬0 - ŽU‫ز‬KJ\‫ وا‬8qmS\ 874\‫ا‬
•O‫ا‬86666\‫ دار ا‬- M6666U'” 86666Gˆ( - (=IffffŸMK>,‫;( وا‬5/Iffff,‫ت ا‬M]2ffff5,‫ ا‬b;xmffffU‫ت و‬Myffff<K,‫( ا‬ffffW7K‫ ه‬-2
. ‫م‬1991 ،‫'ن‬m?\ – ‫وت‬89k،;9f('‡\‫ا‬
‫'ن‬966ƒ ;fH‫ا‬866( - [4@Y66( ‫'د‬66=0 /‫=; م‬H866O ، M966‫ ه‬/966S4mU‫و‬، `66JU‫رو‬K‫'ول ه‬66k - ‫ت‬M;Q‫و‬Iff>x,|‫ ا‬Tffk -3
.‫م‬1997 - ‫م‬KSf\‫ وا‬8qmS\ ‫'ع‬ft - [\‫و‬h‫; ا‬f?@\‫ ا‬-/9‚\‫ا‬
‫ إدارة‬- z9666SfJ\‫; وا‬9k8666J\‫وت وزارة ا‬86669k - ;9666<'=au‫('ت ا‬/666j\‫ ا‬- ‫ى‬2fff:,‫ت ا‬M;Q‫و‬Ifff>x,‫ت إ‬M;fffWMW‫ أ‬-4
.1991، ZU8o?\‫ دو\; ا‬-†‫'ه‬m=\‫ا‬

:(;<K]D‫ ا‬X]‫ا‬I5,‫ ا‬:Mً ;QMŒ


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ELECTRONICS ,London, McGraw-HILL BOOK COMPANY , 1971
2- JOHN E. UFFENBECK INTRODUCTION TO
ELECTRONICS (Devices AND Circuits ),U.S.A Prentice-
Hall,Inc,Engllewood,Cliffs,1982
3- www.electronics-lab.com
4- www.hobbyprojects.com
5- www.electronickits.com
6- www.web-ee.com
7- www.hobby-elec.org
8- ww.discovercircuits.com
9- www.arabelect.net
10- www.national.com
11- cdd.gotevot.edu.sa
12- www.nawatt.com
13- users.pandora.be

68

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