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欲了解更多信息，请访问www.DeepL.com/pro。 MP9486A
100V 输入，3.5A，开关电流限制
降压转换器

说明 特点
MP9486A 是一款高压降压型开关稳压器，可为 • 宽 4.5V 至 100V 输入范围
负载提供高达 1A 的连续电流。它集成了一个高 • 3.5A 典型峰值开关电流限制
压侧功率 MOSFET，电流限制通常为 3.5A。 • 滞后控制：无补偿
4.5V 至 100V 的宽输入范围适合各种降压应用， • 高达 1MHz 的开关频率
是汽车、工业和照明应用的理想之选。采用滞后 • 用于 LED 应用的 PWM 调光控制输
电压模式控制，响应速度极快。MPS 专有的反 入
馈控制方案最大限度地减少了所需外部元件的数 • 集成高压侧 MOSFET 的短路保护
量。 (SCP)
• 170μA 静态电流
开关频率最高可达 1MHz，因此元件尺寸较小。
• 热关机
热关断和短路保护 (SCP) 提供可靠的容错操作。
• 采用带外露焊盘的 SOIC-8 封装
170µA 的静态电流使 MP9486A 可 用于电池供
电应用。 申请

MP9486A 采用带裸露焊盘的 SOIC-8 封装。 • 滑板车、电动自行车控制电源

• 太阳能系统
• 汽车系统电源
• 工业电源
• 大功率 LED 驱动器

所有 MPS 部件均无铅、无卤素，并符合 RoHS 指令。欲了解 MPS 绿色状

态，请访问 MPS 网站质量保证部分。"MPS "和 "The Future of Analog IC
Technology "是单片功率系统公司的注册商标。

典型应用

50
40
100 30
C3 L1 90 20
VIN
VIN
BST
SW
VOUT 80 10
C1 70 0
MP9486A D1 C2
EN EN R1 60
效率(%)

DIM FB
接地
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6/30/2017 R2
MPS 专有信息。受专利保护。禁止擅自复印和复制。
© 2017 MPS。保留所有权利。
 MP9486A
效率与输出电流
VOUT =5V，L=33uH

Vin=36V
Vin=60V

1 10 100 1000
输出电流（毫安）

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订购信息
部件编号* 包装 顶部标记
MP9486AGN SOIC-8 EP 见下文

* 对于卷带，请添加后缀 -Z（例如 MP9486AGN-Z）。

顶部标记

MP9486A：部件号
LLLLLLLL：批号 MPS：
MPS 前缀
Y： 年代码 WW
： 周代码

顶部视图

FB 1 8
接地

2 7 EN
北
卡
VIN 3 6 DIM
罗
BST 4 5 SW
来
纳
州 SOIC-8 EP

软件包参考

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绝对最大额定值 (1) 热阻 θJA θJC

SOIC-8 EP
电源电压 (VIN) ..................................V 至 (4)
ev9486-n-00a ..................34........4..........°C/W
(5
+100V 开关电压 (V )SW ...................... ...............V JESD51-7 )..........................50.......10......°C/W
... ...............................V（-7V，10ns）至 VIN +
0.5V
至 VIN + 0.5V
BST 至 ..................................................SWV 至 备注：
+6V 1) 超过这些额定值可能会损坏设备。
所有其他引脚 ........................................V 至 +6V 2) 最大允许功率耗散是最大结温 TJ (MAX)、结至环境热阻 θJA 和
结点温度....................................................150°C
(2) 环境温度 TA 的函数。任何环境温度下的最大允许连续功率耗
连续功率耗散（TA = +25°C)
(4) 散的计算公式为：PD (MAX)=(TJ (MAX)- TA )/θJA 。超过最大允
...............................................................3.6W 许功率耗散会产生过高的芯片温度，导致稳压器热关断。内部
铅温度 .......................................................260°C 热关断电路可保护器件免受永久性损坏。
3) 不保证设备在工作条件之外也能正常运行。
储存温度-65°C 至 +150°C
4) 在 EV9486-N-00A 2 层 63mmx63mm 电路板上测量。

建议的运行条件 (3) 5) 在 JESD51-7 4 层电路板上测量。

电源电压 (VIN) ......................................V 至

95V EN 和 DIM ..................................... .电压V
至 5V
最大开关频率 .............................................1MHz
工作结温 (TJ ) ... -40°C 至 +125°C

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电气特性
VIN = 60V，TA = +25°C，除非另有说明。温度范围内的规格由设计和特性保证。
参数 符号 条件 最小 类型 最大 单位

VIN UVLO 阈值 3.6 4.0 4.35 V

VIN UVLO 迟滞 0.4 V
关机供电电流 VEN = 0V 2 5 µA
无负载，DIM = 低，
静态电源电流 170 240 µA
VFB = 250mV
上开关电阻 (6) RDS(ON) VBST - VSW = 5V 500 mΩ
上开关漏电流 ISWLK VEN = 0V，VSW = 0V 0.01 1 µA
电流限制 IPK VFB = 0.15V 2.9 3.5 4.5 A
EN 上升阈值 VENH 1.4 1.55 1.7 V
EN 迟滞阈值 VENHY 320 mV
EN 输入电流 IENI VEN = 5V 0.01 1 µA
EN 上拉电流 养恤金综管 VEN = 2V 2 3 µA
系统
DIM 提升阈值 VDIMH 0.8 1.15 1.5 V
DIM 阈值滞后 VDIMHY 300 mV
DIM 输入电流 IDIM VDIM = 5V 或 0V -1 1 µA
TDIMDH VFB = 0V，VDIM 上升沿至 VSW
传播延迟 DIM 50 ns
上升沿
TDIMDL VFB = 0V，VDIM 下降沿至 VSW
DIM 关闭传播延迟 50 ns
下降沿
VFBH 4.5V < VIN < 95V，VFB 上升
反馈电压阈值高 (6) 209 215 221 mV
从 0V 直到 VSW < 30V
VFBL 4.5V < VIN < 95V，VFB 从
反馈电压阈值低 (6) 179 185 191 mV
0.25V 开始下降，直到 VSW >
30V
FB 输入电流 IFB VFB = 5V 或 0V -300 300 nA
V 的下降沿FB ，从
到输出高电平的 FB 传播延迟(6) TFBDH
100 ns
0.25V 至 0V 至 VSW 上升沿
到输出高电平的 FB 传播延迟(6) TFBDL 从 0V 至 0.25V 的 VFB 上升沿
100 ns
到 VSW 下降沿
触发热关机 150
热关机 (7) °C
磁滞 20
备注：
6) 设计保证
7) 特性保证，未经生产测试。

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典型特征
VIN = 60V，TA = +25°C，除非另有说明。

关机电流与输入电压的关系 静态电流与输入电压的关系
EN=LOW
220 EN=高，DIM=低，V =250mVFB
5
4.5
4 210

输入电流（uA）
3.5
输入电流（uA）

3 200
2.5
2
190
1.5
1
0.5 180
0
4 17 30 43 56 69 82 95 4 17 30 43 56 69 82 95
输入电压（V） 输入电压（V）

关机电流与温度的关系 静态电流与温度的关系
vIN =95v, en= low VIN =95V，DIM=LOW，EN=HIGH，V =250mVFB
20 220

16 210
输入电流（uA）
输入电流（uA）

12
200
8
190
4

0 180
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
工作温度（摄氏度） 工作温度（摄氏度）

UVLO 阈值与温度的关系 EN 门限与温度的关系

4.5 2
上升的
4.3 1.7
fallin g

1.4
Vin 阈值（V）

EN 阈值（V）

4.1

3.9 -40 -20 0 1.120 40 60 80 100 120 140

工作温度 上升
3.7 0.8
（摄氏度 下降
3.5 ） 0.5

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-40
-20 0 20 40 60 80 100 120 140

工
作
温
度
（
摄
氏
度
）

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典型性能特点
VIN = 60V，VOUT = 5V，IOUT = 1A，L = 33μH，COUT = 100μF，TA = +25°C，除非另有说明。

效率与输出电流 负载调节

100 1
90 0.8 Vin=36V
80 0.6 Vin=60V
70 0.4
60 0.2

调节误差(%)
50 0
效率(%)

40 -0.2
30 -0.4
20 Vin=36V -0.6
10 -0.8
Vin=60V
0 -1
1 10 100 1000 0 200 400 600 800 1000
输出电流（毫安） 输出电流（毫安）

线路调节
2
1.5
Iout=1mA
1 Iout=1000mA
0.5
调节误差(%)

0
-0.5
-1
-1.5
-2

010 20 30 40 50 60 70 80 90 100
输入电压（V）

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典型性能特点（续）
VIN = 60V，VOUT = 5V，IOUT = 1A，L = 33μH，COUT = 100μF，TA = +25°C，除非另有说明。
稳定状态 稳定状态
IOUT = 0A IOUT = 1A

CH1： CH1：
V /ACOUT V /ACOUT
100mV/div. 100mV/div.

CH2： VIN CH2： VIN

50V/div. 50V/div.
CH3：VSW CH3：VSW
50V/div. 50V/div.

CH4：IL CH4：IL
1A/div. 2A/div.

4µs/div. 4µs/div.

接通电源 接通电源
IOUT = 0A IOUT = 1A

CH1: VOUT CH1: VOUT

2V/div. 2V/div.

CH2： VIN CH2： VIN

50V/div. 50V/div.

CH3： CH3：

VSW VSW
50V/div. 50V/div.

CH4：IL CH4：IL
1A/div. 1A/div.
20ms/div. 20ms/div.

关闭电源 关闭电源
IOUT = 0A IOUT = 1A

CH1: VOUT CH1: VOUT

2V/div. 2V/div.

CH2： VIN CH2： VIN

50V/div. 50V/div.

CH3： CH3：

VSW VSW
10V/div. 50V/div.

CH4：IL CH4：IL
500mA/div. 1A/div.

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1
0
0
m
s
/
d
i
v
.
20ms/div.

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典型性能特点（续）
VIN = 60V，VOUT = 5V，IOUT = 1A，L = 33μH，COUT = 100μF，TA = +25°C，除非另有说明。
EN 启动 EN 启动
IOUT = 0A IOUT = 1A

CH1: VOUT CH1: VOUT

2V/div. 2V/div.

CH2： VEN CH2： VEN

5V/div. 5V/div.

CH3： CH3：

VSW VSW
50V/div. 50V/div.

CH4：IL CH4：IL
1A/div. 1A/div.
20ms/div. 20ms/div.

EN 关闭 EN 关闭
IOUT = 0A IOUT = 1A

CH1: VOUT CH1: VOUT

2V/div. 2V/div.

CH2： 通道 2：
VEN
VEN
5V/div.
5V/div.
CH3：
CH3：VSW

VSW 50V/div.

20V/div. CH4：IL
1A/div.
CH4：

IL 100ms/div. 400µs/div.

500mA/div.

SCP 输入 SCP 恢复
IOUT = 0A IOUT = 0A

CH1: VOUT CH3：VSW

2V/div. 50V/div.

CH2： VIN
CH4：IL
50V/div.
1A/div.

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div.40ms/div.
C
H
1
:

V
O
U
T

2
V
/
d
i
v
.
C
H
2
：

V
I
N

5
0
V
/
d
i
v
.
C
H
3

V
S

5
0
V
/
d
i
v
.

C
H
4
：
I
L
1
A
/
d
i
v
.
4
0
0
µ
s
/

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典型性能特点（续）
VIN = 60V，VOUT = 5V，IOUT = 1A，L = 33μH，COUT = 100μF，TA = +25°C，除非另有说明。
SCP 输入 SCP 恢复
IOUT = 1A IOUT = 1A，E-负载开启阈值 = 0.32V

CH1: VOUT CH1: VOUT

2V/div. 2V/div.

CH2： VIN CH2： VIN

50V/div. 50V/div.

CH3： CH3：

VSW VSW
50V/div. 50V/div.

CH4：IL CH4：IL
2A/div. 1A/div.
1ms/div. 20ms/div.

负载瞬态
I =1A-->2A@70mA/µsOUT

CH1

：V

/ACOUT
50mV/div.

CH4：ILOAD
1A/div.
400µs/div.

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针脚功能
SOIC-8 EP
名称 说明
针脚 #

1 FB 反馈。FB 是电压滞后比较器的输入端。通过环路调节，FB 平均电压保持在 200mV。

2 北卡罗来 没有连接。
纳州

输入电源。VIN 为所有内部控制电路、两个 BST 稳压器和高压侧开关供电。必须在 VIN

3 VIN
附近放置一个对地去耦电容，以尽量减少开关尖峰。

4 BST 引导。BST 是内部浮动高压侧 MOSFET 驱动器的正电源。在 BST 和 SW 之间连接一个

旁路电容器。

开关节点。SW 是高压侧开关的输出。需要一个低正向电压的肖特基整流器接地。整流器
5 SW
必须靠近 SW，以减少开关尖峰。

PWM 调光输入。DIM 在 LED 驱动器应用中非常有用。将 DIM 拉至指定阈值以下，调光

6 DIM
关闭。将 DIM 拉至指定阈值以上，则调光开启。如果不需要调光功能，例如在普通降压
应用中，则将 DIM 和 EN 连接在一起。

7 EN 启用输入。将 EN 拉至指定阈值以下可关闭 MP9486A。将 E N 拉至指定阈值以上或使

EN 处于浮动状态，以启用 MP9486A。

接地。GND 应尽可能靠近输出电容，以避免大电流开关路径。将裸露的焊盘连接到 GND

8 接地
平面，以获得最佳散热性能。

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方框图

图 1：功能框图

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运行 欠压锁定 (UVLO)

欠压锁定（UVLO）用于防止芯片在电源电压不
具有自适应阈值调整功能的磁滞电流控制装置
足的情况下工作。UVLO 的上升阈值约为 4V，
MP9486A 采用滞后电压控制模式调节输出电压
而下降阈值始终为 3.6V。
。FB 连接到电阻分压器的抽头，该抽头决定输
出电压。当 FB 电压 (VFB ) 下降到 185mV 时， 用于 LED 应用的调光功能

功率 MOSFET 接通，直到 VFB 上升到 215mV。 由于 MP9486A 的 FB 基准电压很低，因此建议

当 VFB 上升到 215mV 时，功率 MOSFET 关闭 在 FB 和 GND 之间连接 LED 电流检测电阻，将
，直到 VFB 下降到 185mV。215mV 和 185mV MP9486A 用于 LED 驱动器。在此类应用中，
这两个阈值是自适应调整的，以补偿所有电路延 MP9486A 使用 DIM 进行调光。要实现调光，可
迟，因此输出电压在 FB 上的平均值为 200mV。 在 DIM 上施加一个脉冲。脉冲的高电平应大于
1.5V，低电平应小于 1.5V。
启用 (EN) 控制
<0.5V.频率可高达 20kHz。
MP9486A 有一个具有正逻辑的专用使能控制引
热关机
脚 (EN) 。 其 下 降 阈 值 为 1.23V ， 上 升 阈 值 为
热关断是为了防止芯片在过高温度下运行。当硅
1.55V（高 320mV）。
芯片温度高于其上限阈值时，整个芯片就会关闭
浮动时，EN 通过内部 2µA 电流源被拉升至约
。当温度低于下限时，芯片再次启用。
3V，因此处于使能状态。需要 2µA 以上的电流
输出短路保护
才能将 EN 拉低。
当 VFB 约为 200mV 时，输出电压调节良好。如
浮动驱动器和引导充电
果 输 出 在 过 流 保 护 (OCP) 中 被 拉 低 或 直 接 与
浮动功率 MOSFET 驱动器由外部自举电容器供
GND 短路，即使功率 MOSFET 处于开启状态，
电。该浮动驱动器具有自己的欠压锁定（UVLO
VFB 也会处于低电平。MP9486A 将低 VFB 视为
）保护功能。UVLO 上升阈值为 2.2V，阈值为
故障。如果故障时间超过 10µs ，功率 MOSFET
150mV。
将关闭。MP9486A 会在延迟约 300µs 后再次尝
自举电容器由专用的内部自举稳压器充电并调节 试运行。
至 5V 左右。
功率 MOSFET 电流也通过电流检测 MOSFET
如果内部电路没有足够的电压，并且自举电容器 进行精确检测。如果电流超过电流限制，集成电
没有充分充电，则可使用额外的外部电路来确保 路就会关闭。这为输出短路情况提供了额外的保
自举电压处于正常工作区域。详情请 参 阅 第 护。
14 页的外部自举二极管部分。

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（vin - vout）× vout fsw
申请信息 l (2)
×iout × vin × k
=
设置输出电压

输出电压（VOUT ）由电阻分压器（R1 和 R2） 其中 K 是一个系数，约为 0.15 ~ 0.85。

设定（见第 1 页的典型应用）。为实现良好的抗
输出整流二极管
噪性和低功率损耗，建议 R2 的范围为 5kΩ 至
当高压侧开关断开时，输出整流二极管向电感器
50kΩ。然后可根据公式 (1) 确定 R1：
V -V 提供电流。为减少二极管正向电压和恢复时间造
成的损耗，可使用肖特基二极管。
r1 =out × r2 vfb (1)
通过二极管的平均电流可用公式 (3) 估算：
其中，VFB 通常为 0.2V。 ⎞
I = ��⎛1� VOUT (3)
输出电容器和频率设置 ⎜ ⎟
D 输出
⎝ VIN ⎠
输出电容器 (COUT ) 是实现平稳输出电压的必要
条件。与电容相比，电容的 ESR 应足够大；否 选择最大额定反向电压大于最大输入电压、额定

则，系统可能会出现意外情况，电流纹波可能会 电流大于二极管平均电流的二极管。

非 常 高 。 当 功 率 MOSFET 接 通 时 ， VFB 会 从 输入电容器 (C )IN

185mV 变为 215mV。要对电容器充电并在 FB 降压转换器的输入电流是不连续的，因此需要一
产生 215mV 电压，系统需要 ESR 和一定的电 个电容器为降压转换器提供交流电流，同时保持
感电流。例如，对于 5V VOUT ，如果正向电容器 直流输入电压。使用低 ESR 电容器可获得最佳
为 0.1µF ， 建 议 输 出 电 容 器 的 ESR 范 围 为 性能，尤其是在高开关频率应用中。
100mΩ 至 250mΩ。建议使用钽或铝电解电容器
通过输入电容器的均方根电流可用公式 (4) 计算
以及小型陶瓷电容器。
：
VOUT
x(1- VOUT )
建议在 R1 上安装一个正向电容器
当输出电容器为钽电容器或 I =I x VIN VIN
(4)
输入 _ 交流 输出
铝电解电容器，可在无法改变输出电容器和
ESR 的情况下设定所需的频率。正向电容器可 使用低 ESR 电容器时，输入电压纹波可用公式
降低输出电压纹波。 (5) 估算：

ΔV = × VOUT
× (1- VOUT ) (5)
在某些应用中，只需一个正向电容器 IOUT

F ×C×V V
如果可能无法获得合适的频率，那么我们可以在 电感器 (L) 的作用是将开关电压转换为流向负载的
正向电容器上增加一个串联的正向电阻，或者在 平稳电流。虽然输出电流较低，但建议电感器电
输出端增加一个陶瓷电阻。 流在每个开关周期内保持连续，以防止达到电流

选择电感器 极限。根据公式 (2) 计算电感值：

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IN
SW 输入 输入 输入

选择具有足够额定有效值电流和足够电容的输
入电容器，以获得较小的输入电压纹波。

在使用电解或钽电容器时，应尽可能靠近集成
电路放置一个小型优质陶瓷电容器（即：0.1μF
）。

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外部自举二极管 PCB 布局指南

外接自举二极管可提高转换器的效率（见图 2） 高效的 PCB 布局对稳定运行至关重要。为获得

。在下列情况下，建议从 5V 电源到 BST 之间外 最佳效果，请参考图 3 并遵循以下指导原则。
接一个自举二极管：
1. 将 输 入 去 耦 电 容 器 、 接 线 二 极 管 和
• 系统中有一条可用的 5V 电压轨 MP9486A（VIN、SW 和 PGND）尽可能靠

• VIN 不大于 5V 近。

• VOUT 介于 3.3V 和 5V 之间 2. 保持电源线非常短且相当宽，尤其是 SW 节

点。
该二极管还推荐用于高占空比操作（当 VOUT /
这有助于大大减少 SW 节点上的电压尖峰，
VIN > 65% 时）和极高频率（接近 1MHz）应用
降低 EMI 噪音水平。
。
3. 尽可能远离电感器和噪声电源线（如 SW 节
自举二极管可以是低成本二极管，如 IN4148 或
点）运行反馈线。
BAT54。

5V 4. 在裸露的焊盘下放置 15mil 桶直径和 40mil

间距（中心间距）的导热孔，以改善热传导
。
BST
途经
MP9486A 0.1µF
顶层 底层
VIN
SW C1A C1B
R2 C4
R1

U1

C3 C2B
D1 C2A
接地
L1
图 2：外部自举二极管

VOUT

图 3：建议的布局

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设计实例

表 1 是一个设计示例，遵循以下规格的应用指南
。

表 1：设计示例
文 8V 至 95V
Vout 5V
连续 Iout 0A 至 1A
脉冲 Iout 2A

图 4 中 VOUT = 5V 的典型应用电路显示了详细的
应用原理图，也是典型性能波形的基础。有关更
详细的器件应用，请参阅相关评估板数据表。

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典型应用电路

2.2µF/ 2.2µF/ C3 0.1µF L1 33µH C4 C2A

100V 100V 0.1µF 4.7µF
BST VOUT
VIN VIN SW
C1A C1B
D1 R1 +C2B
MP9486A
EN EN 1A/100V 240kΩ 100µF/10V
DIM FB TR3C107K010C0200
接地
R2
10kΩ

图 4：VIN = 8 ~ 95V，VOUT = 5V，IOUT = 1A

2.2uF/ 2.2uF/ C3 0 .1uF L1 47uH C4 C2A

100V 100V 0.1uF 10uF VOUT
VIN BST
VIN SW
C1A C1B
MP9486A D1 R1 +C2B

EN EN 1A/100V 590k R3 100uF/25V

DIM FB
接地
R2 4.7k
10k
C2B: T491X107K025AT

图 5：VIN =15~95V，VOUT =12V，I =1AOUT

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包装信息
SOIC-8 EP

注意：本文件中的信息如有更改，恕不另行通知。在将 MPS 产品集成到任何应用中时，用户应保证不侵犯第三方的知识产权。

MPS 不对任何上述应用承担任何法律责任。

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