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Practico Disparo SCR
Practico Disparo SCR
AÑO 2020
Bibliografía
Titulo: Manual SCR
Autor: General Electric
FCEFyN - UNC
Preparo: Ing. Sergio Gangi – Cátedra: Electrónica Industrial - UNC
DISPARO DE SCR
• VAK positiva
+ VAK -
IA →
IG ↑
Datos
• V S = 220 V (50 Hz)
• R L = 20 Ω
• Transistor unijuntura UJT 2N 2646
• Los valores de disparo por compuerta del SCR BTW38-800 son
R B1 VOB1
VS
Frecuencia y periodo del oscilador de relajación θ i= ωt i
VC1 (t) = V1 ( 1 - e – t / τ)
VC1 (t i) = V1 ( 1 - e – t i / τ) = V P
VZ
V P = η * VBB + VD
V1
Si η * V BB >> V D
y RBB >> RB1 + RB2 → VBB ≈ V1 V P = η*VBB + VD
V1( 1 - e – t i / τ) ≈ η V1
V c1
t i ≈ τ * ln [ 1 / (1 - η ) ]
T
Si t i ≈ T → T ≈ R1 * C1 * ln [1/(1- η)]
VOB1
Si η ≈ 0,63 → T ≈ R1 * C1
V
Preparo: Ing. Sergio Gangi – Cátedra: ElectrónicaRB1
Industrial - UNC
θi θ
FUNCIONAMIENTO DE UN CIRCUTO DE DISPARO DE SCR CON UJT
ti
Solución: adoptaremos valores del circuito de medición para obtener VOB1 min
1) Adoptamos V1 = 20V
2) Calculo de RG
VOB1 = VG + IG * RG (recta de carga) RG
T1
Condición para estar fuera de la zona de disparo incierto C
C11 IG
VOB1 min > VGT + IGT * RG
+ +
RG < (VOB1 min - VGT ) / IGT = (3 – 1,5) / 0,050 VOB1
RB1 VG
RG < 30 Ω → RG = 27 Ω / 0,25 W -
-
IG max = (VOB1 max - VGT ) / RG = (8,5 – 1,5) / 27 = 0.26 A
P G max = I G V GT = 0,4 W < 5W VG
max *
P G av = P G max * t pulso / T =
VOB1
R B1 = 47 Ω / 0,25 W T1 RG
Debo lograr obtener valor 1 (uno) o mas en ordenadas de ambos gráficos RB2
R1
(normalizados) para asegurar la amplitud del impulso VOB1 min = 3V
VBB R
T1 G
V BB = V 1 * R BB tip / (R B1 + R B2 + R BB tip ) = 19,6 V
R B1 VOB1
en el primer grafico tengo en ordenadas ≈ 0,98
Siendo R B1(total) = R B1 II R G = 27 II 47 = 17,14 Ω
Selecciono C 1 = 0,47 μF y tendré en el segundo grafico en ordenadas ≈ 1,05
Por lo tanto 0,98 * 1,05 = 1,03 y aseguro el impulso esperado VOB1 min ≥ 3V
RB1 = 17,14 Ω
V v min = 1,7 V
IE
4,57 K Ω < R1 < 960 K Ω I EO V1
R 1 max R 1 min
P R1 max = V1 2 / R1 min = 0,087 W
Preparo: Ing. Sergio Gangi – Cátedra: Electrónica Industrial - UNC
DISEÑO DE UN CIRCUTO DE DISPARO DE SCR CON UJT V1
RB2
7) Periodo y frecuencia de oscilación R1
T = R1 * C1 * ln [1/(1- η)] RG
T1
Siendo T max = 10 ms y η tip = 0,69
R B1 VOB1
R1 = T /{ C1 * ln [ 1/(1- η) ] }
R 1 max = 18,1 K
4,57 K Ω < R1 < 18,1 K Ω V ac
Seleccionamos para R1 un potenciómetro
multivueltas de precisión con valor
25 KΩ / 0,25 W VZ
8) Rango de θ i (inicio de la conducción) V1
Siendo R1min = 4,57 K Ω
V P = η*VBB + VD
t i min = R1 min * C1 * ln [ 1/(1 - η) ]
t i min = 2,5 ms V c1
θ i min = 45 ° = π /4 T
Puedo controlar en el rango VOB1
π /4 < θ i < π V RB1
θi
Preparo: Ing. Sergio Gangi – Cátedra: Electrónica Industrial - UNC θ
DESCRPCION Y FUNCIONAMIENTO DEL CI TCA 785
Diseñado para disparo de Tiristores y Triacs.
Descripción funcional: La señal de sincronismo se
obtiene a través de una alta resistencia desde la
tensión de línea (V5). Un detector de cruce por
cero informa al registro de sincronización y en
cada cruce por cero el transistor T68 descarga el
condensador C10 y sincroniza en circuito. VREF
El circuito controla un generador de rampa, V10
mediante un condensador C10 que se carga con
corriente constante I10 (definida por R9 y VREF). V11
VREF
I10
I10 = k * VREF / R9
V C10 = (I10 / C 10 ) * t = k * VREF * t / (R9 * C 10 )
V C10 = k * VREF * t i / (R9 * C10 ) = V11
t i = ( V11 * R9 * C10 ) / (k * VREF )
ϕ=ω*ti Preparo: Ing. Sergio Gangi – Cátedra: Electrónica Industrial - UNC
CARCTERISTICAS DEL CI TCA 785
VS - 2
VS - 2
●
R5 RL
RG
R11
C10
R9