CAPITULO XI INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA 11.1 SEMICONDUCTORES Se denominan asi a aquellos cuerpos que presentan una resistencia interme- dia entre la que poseen los materiales conductores y los aislantes. Su principal caracteristica es que poseen cuatro electrones en su orbita de valencia (Ver figura 1). Con esa estructura atémica, un aitomo de cualquier material semiconductor es inestable, por lo cual, para convertirse en un dtomo estable puede desprenderse de cuatro de sus electrones o «atrapam otros tantos de un dtomo proximo. En estas circunstancias, ciertos elementos como el silicio 0 el germanio agrupan sus dtomos formando una estructura especial denominada red cris- talina, En el silicio puro. por ejemplo, casi todos los electrones estan ligados Numero eso atomico 7 ane UR 1 22eay'aeh Estructura ‘atorica =f) Figura 2 Figura 1 313a sus respectivos iones a temperatura de ambiente y cada dtomo comparte sus electrones de valencia con los atomos vecinos. A este tipo de unién se le denomina enlace covalente. El resultado es que el atomo tiene, en la pract ca, ocho electrones en su 6rbita de valencia, convirtiéndose en un mat quimicamente estable que se comporta como un aislante denominado gené- ricamente semiconductor intrinseco (Ver figura 2). 1 Introduciendo determinados materiales conocidos como impurezas se puede incrementar sustancialmente la conductividad de los semiconductores. A. esta operacién se la denomina dopado, y al semiconductor obtenido, semi- conductor extrinseco. Por ejemplo, si en una estructura cristalina de silicio (ver figura 3) incorpo- ramos dtomos de fésforo (pentavalentes), en sintesis, sucederd lo siguiente: Algunos lugares ocupados por iones de s iones de fosforo. jo pasarén a estar ocupados por 3 > aryertop oe Kqp'toulgtq Figura 3 Cuatro de los cinco electrones de valencia de cada dtomo de fésforo estaran ligados al ion de fésforo. El electron restante estard siempre practicamente libre a temperatura de am- biente. Hemos convertido asi el silicio en un semiconductor extrinseco con exceso de electrones o semiconductor de tipo p. 34Capitulo XI mtroduccton a la electronica de potencia Si, por el contrario, las impurezas introducidas son de tipo trivalente, como por ejemplo aluminio (Ver figura 4), suceder lo siguiente: ce tol GIS SS 6SB8 8 2&8 8 S&S 8&8 @B. S @ e\s ivgeq Figura 4 Algunos lugares, normalmente ocupados por iones de silicio, pasarin a estar ocupados por iones de aluminio. A temperatura de ambiente el aluminio aceptaré un electron de valencia del silicio, quedando con cuatro electrones. Ahora el material (el silicio), que ha perdido un electron, tiene un portador de carga en forma de «hueco» y se ha convertido en un semiconductor ex- trinseco de tipo p. 11.2 LA UNION PN En la figura 5 puede verse un cristal semiconductor de tipo n donde, para simplificar, hemos representado con el signo (+) los atomos pentavalente ao06 56666 DRA AG +e eet eeeee oO0000 DOA aAR +e ee SGG08 Oo9000 - - - = tee et SaaS OO000 Figura 5 Figura 6 ais(por ejemplo el ion fésforo), mientras que con el signo - representamos el electrén libre con que contribuye cada datomo del semiconductor. En [a figura 6 tenemos un semiconductor de tipo p, en donde (-) representa un dtomo trivalente, mientras que el signo + representa el hueco de su orbita de valencia. Pues bien, a la union de dos trozos de semiconductor p y 7, se le denomina unién pa (Ver figura 7). toe tt ¢]- - - - - DOOODU®SOeOO tot tt tle - eee lORORCRORCIORC MC mCMC) te et tle 2 2 ee DOOODUS®9eO8 + + + + +/- = si DOOOOP®S®OFeO® Figura 7 En la zona de unién entre los dos tipos de cristal ocurren los siguientes fe- némenos (Ver figura 8): 1. Los electrones libres se difunden y «caen» en los huecos. +t tt nae COOKS SODOS tet = = ee fomomc) Sees ttt - = +e 2000088808 tet ee as 208 GOSS Figura 8 2. Cada vez que esto sucede, se crea un par de iones (+) (-). 3. Cada par de iones constituye un campo eléctrico que mantiene libre de portadores la zona de union, 4, Los electrones libres de la zona n que «pretendan» cruzar la zona de unién tendran que «saltar» esta zona denominada zona de deplexién. 316Capitulo XI: Introduccién a la electrénica de potencia 5. La energia necesaria por unidad de carga (barrera de potencial) para saltar dicha barrera es de aproximadamente 0,3 voltios en los diodos de germanio y de 0,7 voltios en los de silicio. 11.2.1 Polarizaci6n directa de la unién pr Si conectamos la unién pr a una fuente de tensién externa, tal como se indi- ca en la figura 9 (unién polarizada directamente), siempre que la tensién aplicada sea superior a la barrera de potencial, los electrones libres seguiran el siguiente recorrido a través del circuito: n 1. Después de abando- nar el terminal ne- gativo de la fuente, entran por el extre- mo derecho del cris- tal. 2. Se desplazan a tra- vés de la zona n Figura 9 como electrones li- bres. 3. En la unién se recombinan con los huecos y se convierten en electrones de valencia. 4. Se desplazan a través de la zona p como electrones de valencia. Después de abandonar el extremo izquierdo del cristal, fluyen al termi- nal positivo de la fuente. A la vista de lo cual podemos coneluir que en una unién pn polarizada direc- tamente, si la fuente de tensién es mayor que la. barrera de potencial, dicha unién permitird el paso de una corriente continua en la direccién n + p. 11.2.3 Polarizaci6n inversa de la unién pr Si conectamos una unién pn de la forma indicada en la figura 10 pasard, en cambio, lo siguiente: El terminal negativo de la bateria atraera los huecos, mientras que el termi- nal positivo atraera los electrones libres. En consecuencia, la zona de de- plexin se ensanchara impidiendo la circulacién de corriente por el diodo. 317Debemos sefialar que la anchura de la zona de deplexién no aumentaré inde- finidamente, sino que dejara de hacerlo cuando su diferencia de potencial sea igual a la tensién inversa aplicada. Figura 10 11.3 CONSTITUCION Y FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO. Se denomina diodo a una unién pna la que se ha dotado de dos terminales y del correspondiente encapsulado. Al terminal conec- tado a la zona p se le llama anodo y al conectado a la zona n, cato- do. Tal como se ha explicado, la fun- cién de un diodo es dejar pasar la corriente desde el anodo al cato- do e impidiendo su paso en sen- tido contrario tal como puede verse en la figura 11. En dicha figura puede apreciarse asimismo el simbolo_ utilizado para su representacién grafica. El tamafio y forma de los diodos depende principalmente de la intensidad de corriente que vayan ‘a soportar y que puede ir de unos pocos miliamperios a cientos o miles de amperios. En la figura 318, pon Anodo, Cf Citodo Constitucién de un diodo Sentido de paso de la corriente ———— Sentido de bloqueo de la corriente <—_____ Anodo Catodo, Simbolo del diodo ei Simil de funcionamiento Figura 11Capitulo XI mtroduccton a la electronica de potencia 12 pueden apreciarse dos tipos de dio- dos muy comunes, el de la izquierda con montura de alambre y el de la de- recha con montura de rosca. 11.3.1 Caracteristicas del diodo Las principales caracteristicas que de- finen un diodo son: Y Intensidad directa maxima (/7). Es la corriente maxima en continua que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degra- dar sus propiedades. Tensi6n inversa maxima (Vg). Es Anodo * “ PM citodo Diodo Diodo Tectificador rectificador de silicio de potencia ecnmcshas, © comamonuea de alambre de rosea Figura 12 la maxima tension inversa que resiste el diodo sin conduccién, Si la ten- sién inversa aplicada es superior a la permitida, el diodo se hace conduc- tory se destruye. 11.4 EL DIODO ZENER ‘También denominado diodo de ruptura (Breakdown diode) se utiliza como regulador de tension en los circuitos rectificadores manteniéndola constante © casi constante con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensién de red y de la resistencia de carga, Para que funcione correcta- mente debe estar polarizado inversa- mente. En la figura 13 puede verse el simbolo utilizado para su representacién grifica en los cireuitos. 11.4.1 Caracteristicas del diodo zener Figura 13 Las principales caracteristicas a tener en cuenta son: Y Corriente maxima (Izy). Es la corriente que puede circular por un diodo zener sin exceder su limite de potencia. ¥ Tensi6n zener (Vz). Es la tensién nominal 0 de funcionamiento del dio- do.11.5 DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS 11.5.1 Diodos fotoemisores Consisten en una unién pn que tiene la propiedad de emitir energia en forma de radiaciones luminosas. Su aspecto y simbolo pueden verse en la figura 14. eta tome 7 rian 2 a tone ve Figura 14 11.5.2 Fotodiodos Un fotodiodo es un diodo cuya sensibilidad a la luz es maxima. Se caracte- riza porque cuanto més intensa sea Ia luz, mayor sera la corriente inversa que circula por el diodo, El simbolo utilizado puede verse en la figura 15. 11.6 EL TIRISTOR El tiristor 0 diodo controlado de silicio esta constituido por cuatro capas semiconductoras: dos de tipo n y dos de tipo p dis- puestas alternativamente. Las zonas extremas de tipo p yn constituyen el anodo (A) y el catodo (K), “Z respectivamente. La capa intermedia de tipo p tiene ‘4 el electrodo de gobierno o puerta. En la figura 16 puede verse la estructura y simbolo del tiristor. Los diodos controlados de silicio actian como conmutadores biestables pasando de un estado de conduccién a otro de corte en funcién de la polari- Hiouen ig zacién. Estos estados pueden ser controlados exter- namente, por medio de la corriente 0 tensidn a tra- vés de la puerta. 320Capitulo XI Introduccion a la electronica de potencia 11.7 EL TRIAC El triac 0 Triode alternating current switch, esta constituido por seis capas semiconductoras. Se trata de un dispositivo bidireccional capaz de bloquear y conducir corriente en ambos sentidos y se puede considerar como dos ti- ristores conectados en antiparalelo con una conexién de puerta comin, En la figura 17 puede verse la estructura y el simbolo utilizado para la representa- cién gréfica de este componente. I odo () P > [pe Puetace) l cto 09 Figura 16 11.8 CIRCUITOS RECTIFICADORES, Se denominan asi aquellos circuitos que convierten la corriente altema en corriente continua. A Contacto metalico = A G a na Pr m G Pe a si Se Figura 17 321ico de media onda 11 Estd constituido por un diodo rectificador al cual se conecta, en serie, la carga. Dicho diodo deja pasar la corriente solamente cuando esta polarizado directamente por lo cual, en los terminales de la carga solamente se repro- duciran los semiciclos positivos de la corriente procedentes de la fuente de corriente alterna (Ver figura 18). 1 Circuito rectificador monofas MONMED.EWB Printed with the Student Ecition of Electronics Workbench. 110 VI50 Hz/0 Deg 200 Ohm Figura 18 El valor de la tensién continua media de salida (Vnea) Se obtiene a partir de la tensién eficaz de fase aplicada al circuito rectificador (Vj) mediante la = 0.45/, ‘medCapitulo XI: Introduccion a la electronica de potencia La tensién inversa maxima a la que esta sometido el diodo sera el valor maximo de la tensi6n alterna aplicada al circuito. 11.8.2 Circuito rectificador monofasico de onda completa Este circuito esta constituido por un transformador con toma en el centro del secundario y dos diodos. La carga se conecta entre la toma media del trans- formador y el catodo de los dos diodos. La configuracién del circuito permi- te que uno de los dos diodos esté siempre polarizado directamente de tal forma que a la salida del circuito se reproduciran los semiciclos de la co- rriente alterna aplicada pero todos con la misma polaridad, tal como puede verse en la figura 19. ‘mononcom.EWB Printed with the Student Editon of Electronics Workbench. 40 Ohm EVYTUTUSUTUTOTESPNPHEHP HEH Figura 19 En este circuito la tension continua media de salida vale: Vineg = 0,9V, med 323La tensién inversa maxima a la que esta sometido cada diodo es el valor maximo de la tensién que se obtiene en el secundario del transformador considerado en su totalidad. 11.8.3 Circuito rectificador monofasico de onda completa con puente de diodos Este circuito, también conocido como puente de Graetz, cumple la misma funcién que el anterior con la ventaja de que no es necesario disponer de un transformador con toma en el centro. Consta de cuatro diodos rectificadores conectados en paralelo con la carga. En cada semiciclo de la corriente alter- na de alimentacion dos de los diodos conducen la corriente, mientras que el otro par permanece bloqueado invirtiéndose la situacién en el semiciclo si- guiente. El resultado es que en la carga aparecen. como en el caso del puente de diodos, los dos semiciclos, pero con idéntica polaridad (Ver figura 20). ptediodos.ewb Printed with the Student Edition of Electronics Workbench. + 100 Ohm (A) 122 W150 H2I0 Deg ——————— AAU - Figura 20 324Capituto XI: Introduccion a la electrénica de potencia ‘omo en el caso anterior: 6n continua media de salida vale, Vinay = 0.9V ‘med La tensién inversa maxima a la que esta sometido cada diodo es el valor maximo de la tensin alterna aplicada al circuito. 11.8.4 Circuito rectificador trifasico de media onda Esta constituido por tres diodos rectificadores conectados, cada uno de ellos, en serie con los tres bobinados de una fuente trifasica conectados en estrella. Los tres circuitos paralelos resultantes se conectan en serie a la carga. El resultado es que en dicha carga aparece una tension continua con un riza- do menor que con los circuitos anteriormente descritos y con una tension continua media de salida también mayor (Ver figura 21): {tifasioncom.EWB, Printed with the Student Figura 21=L17V, La maxima tension inversa a que esta sometido cada diodo, en este caso, es el maximo valor de la tensién de linea de la fuente alterna. 11.8.5 Circuito rectificador trifasico en puente Este circuito esta compuesto por tres pares de diodos conectados en serie entre si, conectados a su vez, en paralelo entre ellos y a la carga. El resulta- do de esta configuracién es una tension continua media cuyo valor es (Ver figura 22) Vines = 2,34V ‘phase cwo, Printed wit the Student Edo of Electronics Workbench. 4kobm a 2 80 He240 Deg 12 veo Har201 La maxima tension inversa a que esta sometido cada diodo es el valor maximo de la tensién alterna de linea de la fuente de alterna. 11.9 RECTIFICADORES CONTROLADOS Son circuitos rectificadores en los cuales el valor de la tension rectificada puede ser controlado utilizando tiristores. 326Capitulo XT: Introduecién a la electrénica de potencia En un circuito rectificador con diodos, mientras éstos estan directamente polarizados dejaran circular la corriente en sentido anodo catodo. Cuando el diodo esta inversamente polarizado bloquea la corriente. Sin embargo para que un tiristor conduzca es necesario que, ademas de estar polarizados directamente, se aplique al electrodo de control o puerta una tension positiva respecto al catodo. El cese de la conduccién tiene lugar, tal como sucede con el diodo, cuando el tiristor queda polarizado inversamente. Controlando el momento en que suministramos la tensi6n positiva en forma de impulso a la puerta, podremos controlar el tiempo durante el cual, el tiris- tor polarizado directamente, conduce realmente. De esta forma podemos variar el valor medio de la tension continua de salida. En la figura 23 puede verse un rectificador controlado monofasico de media onda que utiliza un solo tiristor. El circuito de disparo que suministra el mastiristor.ewb Printed with the Student Edition of Electronics Workbench. Figura 23 327impulso a la puerta, a través de la resistencia de 1 kQ y del diodo, esta for- mado por el condensador que se carga a través de la resistencia de 2.2kQ y el potenciémetro de 47 kQ. El instante del disparo vendra determinado por a constante de tiempo t = RC. 328