Électronique

3.36pt
analogique

Introduction aux
semi-conducteurs

1/57
 Électronique
analogique

Introduction aux
semi-conducteurs

Électronique analogique I
Chapitre 1
(cours de première année)

Année académique 2022-2023

1/57
 Électronique
analogique Table des Matières
Introduction aux
semi-conducteurs
3.36pt

Introduction aux semi-conducteurs

Structure atomique
Semi-conducteurs, conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction PN
Caractéristique courant-tension de la jonction PN
La diode

2/57
 Électronique
analogique L’atome
Introduction aux
semi-conducteurs Un atome est la plus petite particule d’un élément qui possède les
Structure atomique
Semi-conducteurs,
caractéristiques de cet élément. Chaque élément possède une
conducteurs et isolants
Liens covalents
structure atomique unique. Les atomes possèdent une organisation
Conduction des
semi-conducteur
de type planétaire avec un noyau au centre et des électrons en
Semi-conducteurs de type N
et de type P
orbite autour de lui.
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

Chaque type d’atome contient un certain nombre d’électrons et de

protons qui le distinguent des atomes de tous les autres éléments.
3/57
 Électronique
analogique L’atome I
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN Le noyau est constitué de particules chargées positivement, qu’on
Polarisation de la jonction
PN appelle protons et de particules non chargées appelées neutrons.
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode
Les particules élémentaires qui portent la charge négative et qui se
déplacent autour du noyau, sont appelées électrons.

4/57
 Électronique
analogique Le numéro atomique
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des Le numéro atomique équivaut au nombre de protons du noyau, qui
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
correspond également au nombre d’électrons pour un atome
et de type P
La jonction PN
équilibré électriquement (neutre).
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique Remarques :
courant-tension de la
jonction PN
La diode
▶ Dans leur état normal, tous les atomes d’un élément donné
possèdent le même nombre de protons que d’électrons, de
sorte que les charges positives sont neutralisées par les
charges négatives. La charge nette de l’atome est donc nulle.
▶ Les éléments sont classés dans l’ordre de leur numéro
atomique dans le tableau périodique

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 Électronique
analogique Couche d’électrons et orbites
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Les électrons gravitent autour du noyau d’un atome à certaines
Liens covalents
Conduction des distances de celui-ci. Les électrons près du noyau possèdent moins
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N d’énergie que ceux situés sur des orbites plus éloignées. Il n’existe
et de type P
La jonction PN que des quantités d’énergie électronique discrètes à l’intérieur des
Polarisation de la jonction
PN structures atomiques. Les électrons doivent donc demeurer en
Caractéristique
courant-tension de la orbite seulement à ces distances du noyau.
jonction PN
La diode

A chaque éloignement distinct (orbite) du noyau correspond un

certain niveau énergétique. Dans un atome, les orbites sont
regroupées en bandes énergétiques appelées couches.

Un atome donné possède un nombre fixe de couches. Chaque

couche possède un nombre maximal fixe d’électrons.

6/57
 Électronique
analogique Électrons de valence
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N La couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de
et de type P
La jonction PN valence et les électrons dans cette couche sont appelés électrons
Polarisation de la jonction
PN de valence. Ces électrons contribuent aux réactions chimiques et
Caractéristique
courant-tension de la aux liaisons à l’intérieur de la structure d’un matériau, déterminant
jonction PN
La diode
ses propriétés électriques.

Les électrons sur les orbites plus éloignées du noyau ont une
énergie plus grande et sont moins fortement liés à l’atome que
ceux situés plus près du noyau.

7/57
 Électronique
analogique Ionisation
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur Si un électron de valence reçoit une quantité suffisante d’énergie, il
Semi-conducteurs de type N
et de type P peut quitter la couche extérieure de l’atome. Le départ d’un
La jonction PN
Polarisation de la jonction
électron de valence laisse l’atome avec un excédent de charge
PN
Caractéristique
positive.
courant-tension de la
jonction PN
La diode Le processus de la perte d’un électron de valence est appelé
ionisation, l’atome résultant de charge positive est appelé ion
positif. L’électron de valence qui s’est échappé est appelé
électron libre.

8/57
 Électronique
analogique Propriétés électriques des matériaux
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Les différents matériaux peuvent être classés en trois groupes en
Polarisation de la jonction fonction de leur propriétés électriques : les conducteurs, les
PN
Caractéristique semi-conducteurs et les isolants.
courant-tension de la
jonction PN Tout matériau est constitué d’atomes. Ces atomes contribuent aux
La diode
propriétés électriques d’un matériau, dont son habilité à conduire
le courant électrique.

9/57
 Électronique
analogique Conducteurs
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N Un conducteur est un matériau qui conduit aisément le courant
et de type P
La jonction PN électrique.
Polarisation de la jonction
PN Ces matériaux sont caractérisés par des atomes ayant un seul
Caractéristique
courant-tension de la électron de valence faiblement lié à l’atome. Un tel matériau
jonction PN
La diode
possède donc beaucoup d’électrons qui, lorsqu’ils se déplacent tous
dans la même direction, engendrent un courant.

Les meilleurs conducteurs sont des matériaux constitués d’un seul

élément comme le cuivre, l’argent, l’or et l’aluminium.

10/57
 Électronique
analogique Isolants
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P Un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant
La jonction PN
Polarisation de la jonction
électrique sous des conditions normales.
PN
Caractéristique
Ces matériaux sont caractérisés par des atomes dont les électrons
courant-tension de la
jonction PN
de valence sont solidement rattachés à l’atome. Il y a donc très peu
La diode
d’électrons libres pouvant se déplacer et donc conduire un courant.

La plupart des bons isolants sont des matériaux composés de

plusieurs éléments, contrairement aux conducteurs.

11/57
 Électronique
analogique Semi-conducteurs
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P Un semi-conducteur est un matériau se situant entre le
La jonction PN
Polarisation de la jonction
conducteur et l’isolant. A l’état pur (intrinsèque), il n’est ni un
PN
Caractéristique
bon conducteur ni un bon isolant.
courant-tension de la
jonction PN
Les semi-conducteurs à élément unique se caractérisent par des
La diode
atomes à quatre électrons de valence.

Les éléments uniques les plus utilisés sont le silicium, le

germanium et le carbone.

12/57
 Électronique
analogique Les bandes d’énergie
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

Lorsqu’un électron acquiert assez d’énergie additionnelle d’une

source extérieure (chaleur, lumière), il peut quitter la couche de
valence, devenir un électron libre et exister dans la bande de
conduction. Une fois dans la bande de conduction, l’électron est
libre de se déplacer à travers le matériau et n’est plus lié à aucun
atome particulier.
13/57
 Électronique
analogique Comparaison entre l’atome d’un semi-conducteur
Introduction aux et l’atome d’un conducteur
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

14/57
 Électronique
analogique Comparaison entre l’atome d’un semi-conducteur
Introduction aux et l’atome d’un conducteur I
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
▶ L’électron de valence dans l’atome de cuivre ≪ ressent ≫une
La jonction PN force d’attraction du noyau moins importante que celui dans
Polarisation de la jonction
PN l’atome de silicium.
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
▶ L’électron de valence du cuivre est situé à une plus grande
La diode
distance du noyau que celui du silicium, il y a donc moins de
force qui retient l’électron de valence à l’atome de cuivre.
▶ L’électron de valence du cuivre possède plus d’énergie que
l’électron de valence du silicium, il doit donc acquérir moins
d’énergie pour devenir un électron libre.

15/57
 Électronique
analogique Silicium vs. germanium
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
Le silicium et le germanium possèdent chacun quatre électrons de
La jonction PN
Polarisation de la jonction
valence. Ceux du germanium sont plus éloignés du noyau, il faut
PN
donc moins d’énergie pour qu’ils s’échappent de l’atome. Cette
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
propriété rend le germanium plus instable à des températures
La diode élevées, raison pour laquelle le silicium est plus largement utilisé.
Le silicium est utilisé pour les diodes, les transistors, les circuits
intégrés et autres composants à semi-conducteur.

16/57
 Électronique
analogique Liens covalents
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
Lorsque certains atomes se combinent en molécules pour former
La jonction PN
Polarisation de la jonction
un matériau solide, ils se disposent en un modèle fixe (cristal). Les
PN
atomes à l’intérieur de la structure de cristal sont retenus
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
ensemble par des liens covalents qui sont crées par l’interaction
La diode des électrons de valence de chaque atome.
On parle de cristal intrinsèque lorsque le cristal ne possède
aucune impureté.

17/57
 Électronique
analogique Électrons de conduction et trous
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

18/57
 Électronique
analogique Électrons de conduction et trous I
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents Un cristal de silicium intrinsèque à la température ambiante tire de
Conduction des
semi-conducteur l’énergie thermique de l’air environnent. Quelques électrons de
Semi-conducteurs de type N
et de type P valence absorbent alors l’énergie suffisante pour traverser l’écart
La jonction PN
Polarisation de la jonction
entre la bande de valence et la bande de conduction, devenant
PN
Caractéristique
ainsi des électrons libres aussi appelés électrons de conduction.
courant-tension de la
jonction PN
Un espace est donc laissé vacant dans la bande de valence. Cet
La diode
espace est appelé un trou.
Pour chaque électron élevé par une énergie externe vers la bande
de conduction, un trou est laissé dans la bande de valence, créant
une paire électron-trou. La recombinaison se produit lorsqu’un
électron de la bande de conduction perd de l’énergie et retombe
dans un trou de la bande de valence.

19/57
 Électronique
analogique Courant d’électron et courant de trou
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Courant d’électron
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants Lorsqu’on applique une tension à travers une pièce de silicium, les
Liens covalents
Conduction des
électrons libérés par énergie thermique dans la bande de
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
conduction sont attirés vers la borne positive. Ce mouvement
et de type P
La jonction PN
d’électrons libres est un type de courant appelé courant
Polarisation de la jonction
PN
d’électron.
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode
Courant de trou
Un autre courant se produit dans la bande de valence. Les
électrons qui sont passés dans la bande de conduction laisse des
trous dans la bande de valence. Les électrons de valence bien qu’ils
ne soient pas libres de se mouvoir librement dans l’atome, peuvent
se déplacer dans un trou à proximité avec peu de changement à
son niveau énergétique. L’électron se recombinant avec un trou
laisse place à un nouveau, les trous se déplacent (bien que pas
physiquement), cela crée un courant appelé courant de trou.

20/57
 Électronique
analogique Courant d’électron : schéma
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

21/57
 Électronique
analogique Courant de trou : schéma
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

22/57
 Électronique
analogique Dopage
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
Les matériaux semi-conducteurs, conduisent mal le courant et
et de type P
présente peu d’intérêt sous leur forme intrinsèque. On peut
La jonction PN
Polarisation de la jonction augmenter leur conductibilité en augmentant et contrôlant
PN
Caractéristique l’addition d’impuretés dans le semi-conducteur intrinsèque.
courant-tension de la
jonction PN
La diode
Le procédé visant à ajouter des impuretés dans un
semi-conducteur est appelé dopage. Il permet d’augmenter le
nombre de porteurs de courant (électrons ou trous).

23/57
 Électronique
analogique Semi-conducteur de type N
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Un semi-conducteur de type N est un semi-conducteur qui a été
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants dopé avec des électrons.
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
Pour augmenter le nombre d’électrons de la bande de valence dans
et de type P
La jonction PN
le silicium intrinsèque, on ajoute des atomes d’impureté
Polarisation de la jonction
PN
pentavalents (atomes possédant cinq électrons, pouvant former un
Caractéristique
courant-tension de la
lien covalent). Quatre électrons de l’atome pentavalent (atome
jonction PN
La diode
donneur) forment des liens covalents avec les atomes de silicium
adjacents, le cinquième est libre. Cet électron libre créé par dopage
ne laisse pas de trou derrière lui. Le contrôle du nombre
d’électrons de conduction se fait en contrôlant le nombre d’atomes
d’impureté ajoutés au silicium.

Les électrons, dans un semi-conducteur de type N sont appelés les

porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires (il y
a quelques trous présents suite à l’apport d’énergie thermique).

24/57
 Électronique
analogique Semi-conducteur de type P
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Un semi-conducteur de type P est un semi-conducteur qui a été
Conduction des
semi-conducteur dopé avec des trous.
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
Pour augmenter le nombre de trous de la bande de valence dans le
PN
Caractéristique
silicium intrinsèque, on ajoute des atomes d’impureté trivalent
courant-tension de la
jonction PN
(atomes possédants trois électrons pouvant former un lien
La diode
covalent). Les trois électrons de l’atome trivalent (atome receveur)
forment des liens covalents avec les atomes de silicium adjacents,
puisque quatre électrons sont requis : un trou est alors formé.

Les trous, dans un semi-conducteur de type P, sont appelés les

porteurs majoritaires et les électrons les porteurs minoritaires.

25/57
 Électronique
analogique La jonction PN
Introduction aux
semi-conducteurs
Si on prend un bloc de silicium, dont on dope une moitié avec une
Structure atomique impureté trivalente et l’autre moitié avec une impureté
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants pentavalente, alors il se forme une frontière entre les deux portions
Liens covalents
Conduction des
résultantes de type P et de type N, appelée jonction PN.
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

26/57
 Électronique
analogique Formation de la région d’appauvrissement
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Avant la formation de la jonctionPN, il y avait autant d’électrons
Conduction des
semi-conducteur
que de protons dans le matériau de type N ainsi que dans celui de
Semi-conducteurs de type N
et de type P
type P. Donc les deux matériaux sont neutres du point de vue
La jonction PN charge nette.
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
Lorsque la jonction PN est créée, la région N perd des électrons
jonction PN
La diode
libres à mesure qu’ils se diffusent à travers la jonction. Ceci
engendre une couche de charges positives près de la jonction. La
région P perd des trous puisqu’ils se recombinent avec des
électrons. Ceci crée une couche de charges négatives à proximité
de la jonction. Ces deux couches de charges positives et négatives
forment la région d’appauvrissement.

27/57
 Électronique
analogique Formation de la région d’appauvrissement I
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

La région d’appauvrissement ne s’agrandit plus à partir du moment

où la somme des charges négatives de la région d’appauvrissement
empêche tout autre électron de se diffuser vers la région P.

28/57
 Électronique
analogique Barrière de potentiel
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Chaque fois qu’une charge positive se trouve à proximité d’une
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
charge négative, il existe une force agissant sur les charges (Loi de
Liens covalents Coulomb). Dans la région d’appauvrissement, beaucoup de
Conduction des
semi-conducteur charges positives et négatives se retrouvent de chaque côté de la
Semi-conducteurs de type N
et de type P jonction PN. Les forces entre les charges opposées forment un
La jonction PN
Polarisation de la jonction
champ électrique. Ce champ est une barrière aux électrons libres
PN
Caractéristique
de la région N : les électrons ne pourront le traverser sans l’apport
courant-tension de la
jonction PN d’énergie supplémentaire.
La diode

La différence de potentiel du champ électrique dans la région

d’appauvrissement est la quantité d’énergie requise pour réussir à
déplacer les électrons à travers le champ électrique. Cette
différence de potentiel est appelée la barrière de potentiel.

La barrière de potentiel dépend notamment du type de matériau

utilisé comme semi-conducteur, de la quantité de dopage et de la
température.

29/57
 Électronique
analogique Polarisation directe
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
Pour polariser une jonction PN, il suffit d’appliquer une tension
conducteurs et isolants
Liens covalents
c.c. externe à travers elle. La polarisation directe est la condition
Conduction des
semi-conducteur
qui permet le courant à travers la jonction PN.
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La tension de polarisation externe est désignée par VPOL . La
La jonction PN résistance R limite le courant à une valeur qui n’endommagera pas
Polarisation de la jonction
PN la structure de la jonction.
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

30/57
 Électronique
analogique Polarisation directe I
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique Il y a deux conditions requises pour une polarisation directe :
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants ▶ La borne négative de VPOL est reliée à la région N de la
Liens covalents
Conduction des jonction PN et la borne positive, à la région P.
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N ▶ La tension de polarisation doit être plus grande que la barrière
et de type P
La jonction PN de potentiel.
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
La tension de polarisation apporte suffisamment d’énergie aux
jonction PN
La diode
électrons libres pour qu’ils puissent franchir la barrière de potentiel
et atteindre la région P. Un fois dans cette dernière, ces électrons
de conduction ont perdu assez d’énergie pour se combiner
immédiatement avec les trous de la bande de valence. Le côté
positif de la source de polarisation attire les électrons de valence
jusqu’à l’extrémité gauche de la région P. Les trous de la région P
permettent aux électrons de valence de se déplacer dans la région
P, de trou en trou vers la gauche.
Arrivés dans le conducteur métallique, ces électrons deviennent des
électrons de conduction dans le conducteur.

31/57
 Électronique
analogique Effet de la polarisation directe sur la région
Introduction aux d’appauvrissement
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN A mesure que les électrons se déplacent vers la région
Polarisation de la jonction
PN d’appauvrissement, le nombre d’ions positifs est réduit. A mesure
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
que les trous se déplacent vers la région d’appauvrissement de
La diode l’autre côté de la jonction PN, le nombre d’ions négatifs diminue.
Cette réduction des ions positifs et négatifs durant la polarisation
directe amène un rétrécissement de la région
d’appauvrissement.

32/57
 Électronique
analogique Effet de la barrière de potentiel durant la
Introduction aux polarisation directe
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN Les électrons traversant la région d’appauvrissement abandonnent
Caractéristique
courant-tension de la
une quantité d’énergie équivalente à la barrière de potentiel. Cette
jonction PN
La diode
perte d’énergie crée une chute de tension aux bornes de la
jonction PN égale à la barrière de potentiel (0, 7V pour le
silicium et 0, 3V pour le germanium).

33/57
 Électronique
analogique Polarisation inverse
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

En polarisation inverse le courant ne traverse pas la jonction PN.

La borne positive de VPOL est connectée à la région N de la
jonction PN et la borne négative à la région P.

34/57
 Électronique
analogique Polarisation inverse I
Introduction aux
semi-conducteurs Puisque les charges contraires s’attirent, la borne positive de la
Structure atomique
Semi-conducteurs, source attire les électrons libres, qui sont les porteurs majoritaires
conducteurs et isolants
Liens covalents dans la région N, loin de la jonction PN. A mesure que les
Conduction des
semi-conducteur électrons affluent vers la borne positive de la source, des ions
Semi-conducteurs de type N
et de type P
positifs additionnels sont créés, ce qui élargit la région
La jonction PN
Polarisation de la jonction
d’appauvrissement et diminue le nombre de porteurs majoritaires.
PN
Dans la région P, les électrons près de la borne négative de la
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
source entrent tels des électrons de valence, se déplaçant de trou
La diode en trou à travers la région d’appauvrissement où se créent des ions
négatifs additionnels. Cette situation élargit la région
d’appauvrissement et diminue le nombre de porteurs majoritaires.
La diminution en porteurs majoritaires dans les régions N et P,
fait augmenter le champ électrique entre les ions positifs et
négatifs, jusqu’à ce que la tension de la région d’appauvrissement
soit égale à la tension de polarisation. A ce moment, le courant de
transition cesse et il n’existe plus qu’un courant inverse infime, qui
est habituellement négligeable.

35/57
 Électronique
analogique Courant inverse
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN La bande de conduction de la région P ayant un niveau d’énergie
Polarisation de la jonction
PN supérieur à la bande de conduction de la région N, les rares
Caractéristique
courant-tension de la électrons minoritaires de la région P passent facilement à travers
jonction PN
La diode la région d’appauvrissement puisqu’ils n’ont pas besoin d’énergie
supplémentaire. Ce qui donne un courant inverse.

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 Électronique
analogique Claquage inverse
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique Si on augmente la tension de polarisation suffisamment, pour
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants atteindre une valeur appelée tension de claquage, le courant
Liens covalents
Conduction des
inverse augmentera de façon drastique et cela endommagera la
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
jonction PN.
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction La tension de polarisation inverse plus élevée augmente l’énergie
PN
Caractéristique des électrons minoritaires libres qui, à mesure qu’ils accélèrent vers
courant-tension de la
jonction PN la région P, entrent en collision avec les atomes avec suffisamment
La diode
d’énergie pour pousser les électrons de valence vers la bande de
conduction. Si en traversant la région P, un électron en pousse
seulement deux, leur nombre grandira exponentiellement. A
mesure qu’ils traversent la région d’appauvrissement, ces électrons
à niveau d’énergie élevé peuvent maintenant devenir des électrons
de conduction dans la région N, au lieu de se combiner aux trous.
Ce phénomène est appelé avalanche et produit un courant inverse
très élevé qui peut endommager la structure PN, dû à la
dissipation de chaleur excessive.

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 Électronique
analogique
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode
Caractéristique courant-tension en polarisation
directe
▶ Tant que la tension aux bornes de
la jonction PN n’atteint pas
environ 0, 7V , le courant avant
(IAV est le courant traversant le
jonction PN en polarisation
directe) augmente très peu. (Entre
le point A et B sur le graphique)
▶ Après le genou la tension se
maintient à environ 0, 7V et le
courant IAV augmente rapidement.
(Le point C correspond au moment
où la tension VAV est
approximativement égale à la
barrière de potentiel)
La résistance interne du composant est notée r et varie selon
∆VAV
r=
∆IAV
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 Électronique
analogique Caractéristique courant-tension en polarisation
Introduction aux inverse
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
▶ Lorsque la tension sur la jonction
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
PN est de 0V , il n’y a aucun
et de type P
La jonction PN
courant inverse.
Polarisation de la jonction
PN
▶ A mesure que la tension négative
Caractéristique
courant-tension de la augmente, il n’existe qu’un très
jonction PN
La diode faible courant inverse (IAR ).
▶ Lorsque la tension est augmentée
suffisamment et que la tension
inverse aux bornes de la jonction
PN (VAR ) atteint la valeur de
claquage (VBR ), le courant
commence à augmenter
rapidement.

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 Électronique
analogique Courbe caractéristique I-V complète et effet de
Introduction aux la température sur la caractéristique I-V
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Structure et symbole schématique de la diode
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
La diode est un composant à jonction PN simple, muni de
et de type P
La jonction PN
contacts conducteurs et de connections à fils connectés sur chaque
Polarisation de la jonction
PN
région.
Caractéristique
courant-tension de la
La région P est l’anode et la région N, la cathode. La flèche sur
jonction PN
La diode
le symbole pointe en direction du courant conventionnel.

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 Électronique
analogique Polarisation directe et inverse de la diode
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
La diode peut être, comme la jonction PN, polarisée en direct ou
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
en inverse.
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Le modèle idéal de la diode
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Le modèle idéal de la diode est un simple interrupteur. Lorsque la
Liens covalents diode est en polarisation directe, elle agit comme un interrupteur
Conduction des
semi-conducteur fermé et lorsqu’elle est en polarisation inverse, elle agit comme un
Semi-conducteurs de type N
et de type P interrupteur ouvert.
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

La barrière de potentiel, la résistance dynamique et le courant

inverse sont tous négligés.

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 Électronique
analogique Le modèle idéal de la diode : graphique
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Le modèle idéal de la diode I
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
Puisque la barrière de potentiel et la résistance dynamique sont
conducteurs et isolants
négligées, on a
Liens covalents
Conduction des VAV = 0V
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P Le courant avant est donné par
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN VPOL
Caractéristique IAV =
courant-tension de la
jonction PN
RLIMITE
La diode

Le courant inverse étant négligé, on peut considérer qu’il est nul

IAR = 0A

Et la tension inverse est égale à la tension de polarisation

VAR = VPOL

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 Électronique
analogique Le modèle pratique de la diode
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique Dans le modèle pratique, on tient compte de la barrière de
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
potentiel.
Liens covalents
Conduction des
▶ Lorsque la diode est sous polarisation directe, elle agit comme
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
un interrupteur fermé en série avec une faible tension égale à
et de type P
La jonction PN
la barrière de potentiel.
Polarisation de la jonction
PN ▶ En polarisation inverse, la barrière de potentiel n’a pas d’effet,
Caractéristique
courant-tension de la on se retrouve donc dans le cas du modèle idéal.
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Le modèle pratique de la diode : graphique
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Le modèle pratique de la diode I
Introduction aux
semi-conducteurs
Puisque la résistance dynamique est négligée mais non la barrière
Structure atomique de potentiel, on a
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
VAV = 0, 7V (silicium)
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P VAV = 0, 3V (germanium)
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN Le courant avant est donné par
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
VPOL − VAV
La diode IAV =
RLIMITE
Le courant inverse étant encore négligé, on a

IAR = 0A

Et la tension inverse est égale à la tension de polarisation

VAR = VPOL

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 Électronique
analogique Le modèle complexe de la diode
Introduction aux Le modèle complexe de la diode tient compte de la barière de
semi-conducteurs
Structure atomique
potentiel, de la faible résistance dynamique avant (rd′ ) et de la
′
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
forte résistance inverse interne (rAR ).
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

▶ Lorsque la diode est en polarisation directe, elle agit comme

un interrupteur fermé en série avec la tension de la barrière de
potentiel et la résistance dynamique avant (rd′ ).
▶ Lorsque la diode est sous polarisation inverse, elle agit comme
un interrupteur ouvert en parallèle avec la forte résistance
′
inverse interne (rAR ).

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 Électronique
analogique Le modèle complexe de la diode : graphique
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Le modèle complexe de la diode I
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P On aura comme formules :
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
VAV = 0, 7V + IAV rd′
courant-tension de la
jonction PN
La diode VPOL − 0, 7V
IAV =
RLIMITE + rd′

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 Électronique
analogique Exemple
Introduction aux
semi-conducteurs ▶ Déterminer la tension avant et le courant avant pour la diode
Structure atomique
Semi-conducteurs, illustrée par l’image (a) pour chacun des trois modèles d
conducteurs et isolants
Liens covalents diode. Trouver la tension aux bornes de la résistance RLIMITE
Conduction des
semi-conducteur dans chacun des cas. On suppose que rd′ = 10Ω pour la
Semi-conducteurs de type N
et de type P
valeur de courant avant déterminée.
La jonction PN
Polarisation de la jonction
▶ Déterminer la tension inverse et le courant inverse pour la
PN
Caractéristique
diode illustrée par l’image (b) pour chacun des trois modèles
courant-tension de la
jonction PN de diode. Trouver la tension aux bornes de la résistance
La diode
RLIMITE dans chacun des cas. On suppose que IAR = 1µA .

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 Électronique
analogique Vérification d’une diode avec un multimètre : la
Introduction aux diode est en bon état
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Vérification d’une diode avec un multimètre : la
Introduction aux diode est défectueuse
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Vérification d’une diode avec un multimètre : la
Introduction aux diode est défectueuse I
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Caractéristique
courant-tension de la
jonction PN
La diode

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 Électronique
analogique Vérification d’une diode avec un ohmmètre
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
▶ En polarisation directe, la résistance mesurée se situe entre
PN
Caractéristique
quelques centaines et quelques milliers d’ohms.
courant-tension de la
jonction PN ▶ En polarisation indirecte, la mesure de la résistance est hors
La diode
de portée pour l’ohmmètre ( l’ohmmètre affiche OL).

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 Électronique
analogique Bibliographie
Introduction aux
semi-conducteurs
Structure atomique
Semi-conducteurs,
conducteurs et isolants
Liens covalents
Conduction des
semi-conducteur
Semi-conducteurs de type N
et de type P
La jonction PN
Polarisation de la jonction
PN
Les notes et les figures sont tirées du livre :
Caractéristique ≪ Électronique : Composants et systèmes d’application ≫, de
courant-tension de la
jonction PN
La diode
Thomas L. Floyd

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