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Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire
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L'effet transistor
Lorsqu'on applique sur la base du transistor une tension VE à travers une
résistance RB, un Courant IB circule de la base vers l'émetteur. Un courant IC
circule alors du collecteur vers l'émetteur: IC = hFE * IB , hFE étant
l'amplification de courant ou gain statique.
Caractéristiques
Valeurs
limites
VCE0 150v
VEB 6v
IC 50A
IB 20A
PD 250W
200°
TJ
C
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La puissance que peut dissiper le
transistor dépend de la température de
son boîtier.
La dissipation maximale est de 250 W
si le boîtier est maintenu à une
température inférieure à 25°C.
Elle n'est plus que de 145 W
si la température du boîtier
monte à 100°C.
Object 1
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