2011 Book ElektromagnetischeVerträglichk

Adolf J.
Schwab · Wolfgang Kürner
Elektromagnetische
Verträglichkeit
6., bearbeitete und ergänzte Auflage
123
Adolf J. Schwab · Wolfgang Kürner
Elektromagnetische Verträglichkeit
Adolf J. Schwab • Wolfgang Kürner
Elektromagnetische
Verträglichkeit
6., bearbeitete und aktualisierte Auflage
1C
Prof. Dr.-Ing. Adolf J. Schwab Dr.-Ing. Wolfgang Kürner
Ordinarius i. R. am Institut für CASE³ Ingenieurdienstleistungen
Elektroenergiesysteme Dr. Kürner & Dr. Argus GbR
und Hochspannungstechnik Fischers Allee 54
Karlsruher Institut für Technologie (KIT) 22763 Hamburg
(ehemals Universität Karlsruhe) Büro Süddeutschland:
Kaiserstraße 12 Handwerkerpark 9
76128 Karlsruhe 72070 Tübingen
Deutschland Deutschland
a.schwab@kit.edu kuerner@casecube.com
wolfgang.kuerner@ieee.org
ISBN 978-3-642-16609-9 ISBN 978-3-642-16610-5 (eBook)

DOI 10.1007/978-3-642-16610-5
Springer Heidelberg Dordrecht London New York
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© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1990, 1991, 1994, 1996, 2007, 2011

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Einbandentwurf: WMXDesign GmbH, Heidelberg
Gedruckt auf säurefreiem Papier
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Vorwort
Dieses Buch ermöglicht Entwicklern, Herstellern und Ingenieuren aller Dis-

ziplinen, einen schnellen Einstieg in die aktuelle Querschnittstechnologie
der Elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV). Auf leicht lesbare, ver-
ständliche Weise erlangt der Leser alle zur schnellen Lösung praktischer
Probleme erforderlichen, grundlegenden Kenntnisse über die Entstehung,
Ausbreitung und Beseitigung unerwünschter elektromagnetischer Ein-
kopplungen. Diese treten in der Praxis in Form von Funkstörungen, Ein-
streuungen, 50 Hz Brumm, Erdschleifen, Nebensprechen, elektrostatische
Entladungen, etc. in der Automatisierungs-, Informations-, Kommunikations-
und Messtechnik sowie in der Automobil- und Flugzeugindustrie auf.
Entwurf und Entwicklung elektronischer Systeme erfordern intime Kennt-

nisse der EMV-gerechten Systemauslegung, der Störmechanismen, der Um-
gebungsbedingungen und des geplanten Einsatzgebiets. Um ein sicheres und
zuverlässiges System zu erhalten, müssen die EMV-Anforderungen von An-
beginn einer Entwicklung berücksichtigt werden. Dies verlangt ein klares
Verständnis der Einsatzumgebung (EMV Matrix), Kenntnis systeminterner
und externer Wechselwirkungen, eine eindeutige Systemdefinition (Kenntnis
der anzuwendenden Normen) und eine konsequente Sicherstellung der
EMV während aller Phasen der Entwicklung (EMV Kontrollplan) bis hin zur
Qualifikation (Emissionsmessungen, Störfestigkeitstests). Nur eine ganzheit-
liche und frühzeitige Betrachtung der EMV erlaubt kostengünstige, wirt-
schaftliche Lösungen, verringert die Wahrscheinlichkeit des Auftretens
späterer elektromagnetischer Beeinflussungen und minimiert die Zeit zur
Fehlersuche und Fehlerbeseitigung.
Nach einer kurzen Einführung in die allgemeine EMV-Problematik und der

Vorstellung wichtiger Begriffe folgt zunächst ein Streifzug durch die vielfälti-
VI Vorwort
ge Natur elektromagnetischer Beeinflussungen und ihrer Übertragungswege.

Ihm schließen sich systemtheoretische Formalismen zur Beschreibung elek-
tromagnetischer Beeinflussungen im Frequenzbereich durch Linien- und
Amplitudendichtespektren sowie eine Klassifizierung der verschiedenen
Störquellen an.
Die nachfolgende, detaillierte Erläuterung der verschiedenen Kopplungs-

mechanismen verfolgt die Absicht, die Sinne des Lesers für die meist nicht
auf Anhieb erkennbaren parasitären Kopplungspfade zu schärfen und die
Identifikation von Störspannungsquellen zu erleichtern. Einen weiteren
Schwerpunkt bildet die komplexe Materie der Berechnung elektroma-
gnetischer Schirme, die dem Leser die Grundlagen für ein intimes Ver-
ständnis der elektromagnetischen Schirmung vermittelt. Wer auf schnelle
Hilfe aus ist, kann diesen Teil zunächst überschlagen und sich unmittelbar
mit Entstörmitteln und -maßnahmen sowie mit praktischen Problem-
lösungen vertraut machen.
Eigene Kapitel über die Messung von Störemissionen und Störfestigkeiten

sowie über Entstörmittelmessungen und EMV-gerechtes Leiterplattendesign,
schließlich die Wirkung elektromagnetischer Felder auf Organismen lassen
den Leser schnell zum Fachmann werden. Ein eigenes Kapitel zum
komplexen, umfangreichen Normungswesen der Prüf- und Messtechnik für
die diversen Produktfamilien rundet das Werk ab. Ein repräsentatives
Schriftenverzeichnis für jedes Sachgebiet erleichtert dem Leser den
schnellen, vertieften Zugang zu seinem Spezialproblem.
Das Buch ist seit der Erstauflage 1990 entsprechend dem Wandel der
technologischen Herausforderungen stetig gewachsen und wird ab der
5. Auflage von zwei Verfassern gepflegt.
Die 6. Auflage der Elektromagnetischen Verträglichkeit wurde um weite

Teile des inneren Blitzschutzes erweitert. Dieser ergänzt die System-EMV
um die Betrachtung der elektrischen Gebäudetechnik und deren Schutz-
geräten. Die EMV komplexer Systeme wurde herausgearbeitet und weiter
ergänzt. Durch die Änderungen in der Gesetzgebung des EMVG wurde das
entsprechende Kapitel komplett überarbeitet, das durch übersichtliche
Diagramme, Tabellen und verständlichen Worten den Weg zum EMV
konformen Produkt beschreibt.
Herrn Michael Kröck danken beide Autoren für das sorgfältige Korrektur-
lesen und Einbringen zahlreicher Verbesserungen, Frau Sigrid Cuneus vom
Vorwort VII
Springer-Verlag für die rasche Fertigstellung und die ansprechende Aus-

stattung.
Zum Wohl der Leser der 7. Auflage bitten die Autoren um Rückmeldung
etwaiger Fehler sowie um Anregungen zur Verbesserung des Buches an
a.schwab@ieee.org und/oder wolfgang.kuerner@ieee.org,
Karlsruhe, September 2010 Adolf J. Schwab, Wolfgang W. Kürner

Inhaltsverzeichnis
1 Einführung in die Elektromagnetische Verträglichkeit ....................................................... 1

1.1 Elektromagnetische Verträglichkeit, Elektromagnetische Beeinflussung ....................... 1
1.2 Störpegel – Störabstand – Grenzstörpegel – Stördämpfung ............................................... 7
1.2.1 Logarithmierte bezogene Systemgrößen - Pegel ...................................................... 8
1.2.2 Störpegel und Störabstand ......................................................................................... 13
1.2.3 Statische und dynamische Störabstände digitaler Schaltkreise .......................... 16
1.2.4 Grenzstörpegel für Emissionen ................................................................................. 20
1.2.5 Prüfpegel für Immissionen .......................................................................................... 23
1.2.6 Stördämpfung ................................................................................................................ 24
1.3 Natur der elektromagnetischen Beeinflussungen und ihrer Übertragungswege ........... 25
1.4 Gegentakt- und Gleichtaktstörungen ..................................................................................... 30
1.4.1 Unsymmetrische, symmetrische und asymmetrische Spannungen .................... 31
1.4.2 Gegentaktstörungen ..................................................................................................... 32
1.4.3 Gleichtaktstörungen..................................................................................................... 34
1.5 Erde und Masse ........................................................................................................................... 39
1.5.1 Erde ................................................................................................................................. 41
1.5.2 Masse ............................................................................................................................... 43
1.6 Beschreibung elektromagnetischer Beeinflussungen im Zeit- und
Frequenzbereich .......................................................................................................................... 46
1.6.1 Darstellung periodischer Zeitbereichsfunktionen im
Frequenzbereich durch eine Fourier-Reihe ............................................................ 46
1.6.2 Darstellung nicht periodischer Zeitbereichsfunktionen im
Frequenzbereich – Fourier-Integral .......................................................................... 52
1.6.3 EMV-Tafel ...................................................................................................................... 56
1.6.3.1 Übergang vom Zeitbereich in den Frequenzbereich ........................... 56
1.6.3.2 Rückkehr vom Frequenzbereich in den Zeitbereich........................... 59
1.6.3.3 Berücksichtigung des Übertragungswegs ............................................... 62
2 Störquellen.............................................................................................................................. 63
2.1 Klassifizierung von Störquellen ............................................................................................... 65
2.2 Schmalbandige Störquellen ...................................................................................................... 67
Inhaltsverzeichnis IX
2.2.1 Kommunikationssender ............................................................................................... 67

2.2.2 HF - Generatoren für Industrie, Forschung, Medizin und Haushalt................. 71
2.2.3 Funkempfänger – Bildschirmgeräte Rechnersysteme –
Schaltnetzteile ................................................................................................................ 73
2.2.4 Netzrückwirkungen ...................................................................................................... 74
2.2.5 Beeinflussungen durch Starkstromleitungen........................................................... 75
2.3 Intermittierende Breitbandstörquellen ................................................................................... 76
2.3.1 Grundstörpegel in Städten .......................................................................................... 76
2.3.2 KFZ-Zündanlagen......................................................................................................... 76
2.3.3 Gasentladungslampen .................................................................................................. 78
2.3.4 Kommutatormotoren.................................................................................................... 79
2.3.5 Hochspannungsfreileitungen ...................................................................................... 80
2.4 Transiente Breitbandstörquellen .............................................................................................. 81
2.4.1 Elektrostatische Entladungen ..................................................................................... 81
2.4.2 Geschaltete Induktivitäten .......................................................................................... 85
2.4.3 Transienten in Niederspannungsnetzen ................................................................... 88
2.4.4 Transienten in Hochspannungsnetzen ..................................................................... 88
2.4.5 Transienten in der Hochspannungsprüftechnik und Plasmaphysik .................. 92
2.4.6 Blitze - LEMP ................................................................................................................ 92
2.4.7 Nuklearer elektromagnetischer Puls - NEMP ........................................................ 93
2.5 Umgebungsklassen ...................................................................................................................... 95
2.5.1 Leitungsgebundene Störungen ................................................................................... 95
2.5.2 Störstrahlung .................................................................................................................. 97
3 Koppelmechanismen und Gegenmaßnahmen .................................................................... 99

3.1 Galvanische Kopplung ............................................................................................................... 99
3.1.1 Galvanische Kopplung von Betriebsstromkreisen .............................................. 100
3.1.2 Erdschleifen ................................................................................................................. 105
3.1.3 Kopplungsimpedanz von Mess- und Signalleitungen ........................................ 118
3.1.4 Rückwärtiger Überschlag.......................................................................................... 125
3.2 Kapazitive Kopplung ............................................................................................................... 126
3.3 Induktive Kopplung ................................................................................................................. 129
3.4 Elektromagnetische Leitungskopplung ............................................................................... 134
3.4.1 Elektromagnetische Kopplung zweier Leitungen ............................................... 135
3.4.2 Elektromagnetisch gekoppelte Mehrleitersysteme .............................................. 138
3.5 Strahlungskopplung ................................................................................................................. 142
3.5.1 Abstrahlung durch Gleichtaktströme .................................................................... 147
3.5.2 Abstrahlung durch Gegentaktströme ..................................................................... 148
3.6 Erdung von Kabelschirmen .................................................................................................... 149
3.7 Identifikation von Kopplungsmechanismen....................................................................... 151
3.8 Beschreibung von Kopplungsmechanismen mit Hilfe numerischer Methoden ......... 154
X Inhaltsverzeichnis
4 Passive Entstörkomponenten ............................................................................................. 157

4.1 Filter ............................................................................................................................................. 157
4.1.1 Wirkungsprinzip – Filterdämpfung ........................................................................ 157
4.1.2 Filter für Gleich- und Gegentaktstörungen .......................................................... 161
4.1.3 Filterresonanzen ......................................................................................................... 163
4.1.4 Dissipative Dielektrika und Magnetika ................................................................. 165
4.1.5 Filterbauformen........................................................................................................... 168
4.1.5.1 Kondensatoren .......................................................................................... 168
4.1.5.2 Drosseln ...................................................................................................... 170
4.1.5.3 LC-Filter ..................................................................................................... 173
4.2 Überspannungsableiter ............................................................................................................ 177
4.2.1 Varistoren ..................................................................................................................... 178
4.2.2 Silizium-Lawinendioden ........................................................................................... 182
4.2.3 Funkenstrecken ........................................................................................................... 183
4.2.4 Hybrid-Ableiterschaltungen ..................................................................................... 186
4.3 Optokoppler und Lichtleiterstrecken ................................................................................... 188
4.4 Trenntransformatoren .............................................................................................................. 190
5 Elektromagnetische Schirme .............................................................................................. 195

5.1 Natur der Schirmwirkung – Nahfeld, Fernfeld .................................................................. 195
5.2 Schirmung statischer Felder ................................................................................................... 205
5.2.1 Elektrostatische Felder .............................................................................................. 205
5.2.2 Magnetostatische Felder............................................................................................ 206
5.3 Schirmung quasistatischer Felder .......................................................................................... 207
5.3.1 Elektrische Wechselfelder......................................................................................... 207
5.3.2 Magnetische Wechselfelder ...................................................................................... 208
5.4 Schirmung elektromagnetischer Wellen .............................................................................. 210
5.5 Schirmmaterialien ..................................................................................................................... 211
5.6 Schirmzubehör .......................................................................................................................... 214
5.6.1 Dichtungen für Schirmfugen und geschirmte Türen........................................... 214
5.6.2 Kamindurchführungen, Wabenkaminfenster, Lochbleche ................................ 218
5.6.3 Netzfilter und Erdung ................................................................................................ 220
5.7 Geschirmte Räume für messtechnische Anwendungen.................................................... 222
5.7.1 Reflexionsarme Schirmräume – Absorberräume ................................................. 223
5.7.2 Modenverwirbelungskammern ................................................................................ 225
5.7.3 TEM-Messzellen ......................................................................................................... 231
5.7.4 GTEM-Zellen .............................................................................................................. 232
6 Theorie elektromagnetischer Schirme ............................................................................... 235

6.1 Analytische Schirmberechnung ............................................................................................. 236
6.1.1 Theoretische Grundlagen.......................................................................................... 236
6.1.2 Zylinderschirm im longitudinalen Feld ................................................................. 239
Inhaltsverzeichnis XI
6.1.3 Zylinderschirm im transversalen Feld ................................................................... 246

6.1.4 Zylinderschirm im elektromagnetischen Wellenfeld .......................................... 253
6.1.5 Kugelschirm im elektromagnetischen Wellenfeld ............................................... 262
6.2 Impedanzkonzept ..................................................................................................................... 264
6.2.1 Klassische Betrachtungsweise ................................................................................. 264
6.2.1.1 Reflexionsdämpfung ................................................................................ 266
6.2.1.2 Absorptionsdämpfung ............................................................................. 269
6.2.1.3 Dämpfungskorrektur für multiple Reflexionen ................................. 270
6.2.2 Erweitertes Impedanzkonzept................................................................................. 271
6.2.3 Zusammenfassung des Impedanzkonzepts .......................................................... 278
7 EMV-Emissionsmesstechnik .............................................................................................. 281

7.1 Messung von Störspannungen und -strömen ..................................................................... 282
7.2 Messung von Störfeldstärken ................................................................................................. 289
7.2.1 Antennen...................................................................................................................... 289
7.2.1.1 E-Feld Antennen ...................................................................................... 289
7.2.1.2 Breitbandantennen................................................................................... 292
7.2.1.3 H-Feld Antennen...................................................................................... 295
7.2.1.4 Schnüffelantennen ................................................................................... 296
7.2.1.5 Feldsonden................................................................................................. 297
7.2.1.6 Antennen-Symmetrierübertrager .......................................................... 297
7.2.2 Messgelände und Messplätze................................................................................... 299
7.3 Messung von Störleistungen .................................................................................................. 305
7.4 EMB-Messgeräte ....................................................................................................................... 306
7.4.1 Störmessempfänger .................................................................................................... 307
7.4.1.1 Spitzenwertanzeige .................................................................................. 308
7.4.1.2 Quasi-Spitzenwertanzeige ...................................................................... 309
7.4.1.3 Mittelwertanzeige ..................................................................................... 312
7.4.1.4 Effektivwertanzeige .................................................................................. 313
7.4.1.5 Einfluss der Empfängerbandbreite auf die Anzeige von
Schmal- und Breitbandstörungen ......................................................... 315
7.4.2 Spektrumanalysatoren .............................................................................................. 317
7.5 Messunsicherheit in der EMV ............................................................................................... 318
7.6 Automatisierte EMV-Messplätze .......................................................................................... 322
8 EMV-Störfestigkeitsprüftechnik ........................................................................................ 327

8.1 Simulation leitungsgebundener Störgrößen ....................................................................... 328
8.1.1 Simulation von Niederfrequenzstörungen in
Niederspannungsnetzen (ms-Impulse) .................................................................. 331
8.1.2 Simulation breitbandiger energiearmer Schaltspannungsstörungen
(Burst) ........................................................................................................................... 332
XII Inhaltsverzeichnis
8.1.3 Simulation breitbandiger energiereicher Überspannungen

(Hybridgenerator) ....................................................................................................... 335
8.1.4 Simulatoren für elektrostatische Entladungen (ESD) ........................................ 341
8.1.5 Simulation schmalbandiger Störungen .................................................................. 345
8.1.6 Kommerzielle Geräte ................................................................................................. 346
8.2 Simulation quasistatischer Felder und elektromagnetischer Wellen ............................. 349
8.2.1 Simulation schmalbandiger Störfelder ................................................................... 349
8.2.1.1 Spezialantennen, offene und geschlossene Wellenleiter .................. 351
8.2.1.2 Verstärker ................................................................................................... 356
8.2.2 Simulation breitbandiger elektromagnetischer Wellenfelder ............................ 357
8.2.3 Simulation quasistatischer Felder und elektromagnetischer Wellen
durch Strominjektion ................................................................................................. 359
8.2.3.1 Strominjektionsprüfungen an Kabeln und Gehäuseschirmen............. 360
8.2.3.2 Prüfung der Störempfindlichkeit von Geräten durch
Strominjektion in deren Kabelbäume .................................................. 361
9 EMV-Entstörmittelmessungen ........................................................................................... 363

9.1 Schirmdämpfung von Kabelschirmen .................................................................................. 363
9.1.1 Schirmdämpfung für quasistatische Magnetfelder
(Kopplungsimpedanz) ............................................................................................... 363
9.1.2 Schirmdämpfung für quasistatische elektrische Felder (Transfer-
Admittanz) ................................................................................................................... 365
9.1.3 Schirmdämpfung für elektromagnetische Wellen (Schirmungsmaß) .............. 366
9.2 Schirmdämpfung von Gerätegehäusen und Schirmräumen............................................ 367
9.3 Intrinsic-Schirmdämpfung von Schirmmaterialien ........................................................... 374
9.3.1 Koaxiale TEM-Messzelle mit durchgehendem Innenleiter ............................... 374
9.3.2 Koaxiale TEM-Messzelle mit gestoßenem Innenleiter ....................................... 375
9.3.3 Doppel TEM-Messzelle ............................................................................................. 376
9.4 Schirmdämpfung von Dichtungen ........................................................................................ 378
9.5 Reflexionsdämpfung von Absorberwänden......................................................................... 380
9.6 Filterdämpfung .......................................................................................................................... 383
10 Repräsentative EMV-Probleme .......................................................................................... 387

10.1 Entstörung von Magnetspulen ............................................................................................... 387
10.1.1 Beschaltung gleichstrombetriebener Magnetspulen ............................................ 388
10.1.2 Beschaltung wechselstrombetriebener Magnetspulen ........................................ 389
10.2 Funkentstörung von Universalmotoren ............................................................................... 390
10.3 Elektrostatische Entladungen................................................................................................. 393
10.4 Netzrückwirkungen .................................................................................................................. 395
10.5 Blitzschutz – Blitzschutzzonen-Konzept ............................................................................. 397
10.6 Pulse Power Technik – Hochspannungslaboratorien ....................................................... 406
10.7 Messungen mit Differenzverstärkern .................................................................................... 413
Inhaltsverzeichnis XIII
10.8 EMV von komplexen Systemen ............................................................................................ 415

10.8.1 EMV-gerechter Schaltschrankbau in der Steuerungstechnik........................... 416
10.8.2 Analyse von EMV-Problemen komplexer Systeme im Flugzeug ..................... 421
10.9 EMV in der Medizintechnik .................................................................................................. 423
10.10 Wirkung elektromagnetischer Felder auf Organismen .................................................... 426
11 EMV gerechter Entwurf elektronischer Baugruppen ..................................................... 433

11.1 Leiterplattenwahl...................................................................................................................... 433
11.2 Intrasystem-Beeinflussungen.................................................................................................. 438
11.2.1 Störsignalverkopplungen über gemeinsame Impedanzen ................................. 438
11.2.1.1 Ausführung der Stromversorgungsleitungen ...................................... 438
11.2.1.2 Stützung der Versorgungsspannung ..................................................... 439
11.2.1.3 Gestaltung der Schaltungsmasse ........................................................... 442
11.2.2 Übersprechen zwischen parallelen Leiterbahnen ............................................... 445
11.2.2.1 Nebensprechen und Gegensprechen ................................................... 445
11.2.2.2 Allgemeine Maßnahmen zur Reduzierung des
Übersprechens........................................................................................... 448
11.2.3 Signalreflexionen auf langen Leitungen ................................................................ 450
11.2.3.1 Vermeidung von Reflexionen durch Leitungsführung ..................... 451
11.2.3.2 Anpassnetzwerke...................................................................................... 454
11.3 Intersystem-Beeinflussung durch Störabstrahlung ............................................................ 456
11.3.1 Abstrahlung von Signalstromschleifen .................................................................. 456
11.3.2 Abstrahlungsprobleme bei hochintegrierten Schaltungen ................................ 458
11.3.3 Maßnahmen an Störquellen ................................................................................... 461
12 EMV-Normung und CE-Konformität ................................................................................ 465

12.1 Einführung in das EMV-Vorschriftenwesen....................................................................... 465
12.2 EMV-Normungsgremien ......................................................................................................... 466
12.3 Normungsklassen ..................................................................................................................... 468
12.4 Rechtliche Grundlagen der EMV - Normung ..................................................................... 471
12.5 Nachweis der Konformität mit dem EMV-Gesetz ............................................................ 475
12.6 Benannte Stellen ....................................................................................................................... 481
12.7 EMV - Normen .......................................................................................................................... 483
12.7.1 EMV - Normen nach Problemkreisen geordnet.................................................. 484
12.7.2 EMV-Normen nach Europanormen geordnet ..................................................... 496
12.8 Wichtige Anschriften ............................................................................................................... 504
Literatur ...................................................................................................................................... 507
Index ............................................................................................................................................ 535

1 Einführung in die Elektromagnetische
Verträglichkeit
1.1 Elektromagnetische Verträglichkeit,

Elektromagnetische Beeinflussung
Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) ist der moderne Oberbegriff für

eine seit den Anfängen der Elektrotechnik bestehende, seither ständig
gewachsene Problematik. Bereits bei den ersten Rundfunksendern ergab sich
die Notwendigkeit der Absprache, wer wann auf welchen Frequenzen mit
welcher Sendeleistung senden durfte. Ferner erforderte der ungestörte
Empfang der Rundfunksendungen, dass andere elektrische Verbraucher nicht
unkontrolliert Hochfrequenzenergie aussenden und möglicherweise Funk-
störungen verursachen durften. Mit dem Aufkommen der Elektronik und
Mikroelektronik nahm die Zahl elektromagnetischer Beeinflussungen (EMB)
verursachender Geräte und Systeme sprunghaft zu, ebenso die Zahl auf
solche reagierende Geräte und Systeme. Dies führte schließlich für alle
elektrischen und elektronischen Einrichtungen zur Festlegung von Grenz-
werten bezüglich Emission und Immunität.
Unter Elektromagnetischer Verträglichkeit, EMV (engl.: EMC, Electro-Mag-

netic Compatibility), versteht man daher heute allgemein die friedliche Ko-
existenz aller Arten von Sendern und Empfängern elektromagnetischer Ener-
gie. Mit anderen Worten, Sender erreichen nur die gewünschten Empfänger,
Empfänger reagieren nur auf die Signale von Sendern ihrer Wahl, es findet
keine ungewollte gegenseitige Beeinflussung statt.
Als Sender und Empfänger gelten im EMV-Kontext neben Fernseh- und Ton-
rundfunksendern alle Stromkreise und Systeme, die unbeabsichtigt um-
weltbeeinflussende elektromagnetische Energie aussenden (sog. Störer), wie
– KFZ-Zündanlagen, – Leistungselektronik,
– Leuchtstofflampen, – Schaltkontakte,
– Universalmotoren, – Atmosphärische Entladungen etc.
A. J. Schwab, W. Kürner, Elektromagnetische Verträglichkeit,

DOI 10.1007/978-3-642-16610-5_1, © Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2011
2 1 Einführung in die Elektromagnetische Verträglichkeit
Beispiele für Empfänger elektromagnetischer Energie sind neben Rundfunk-

und Fernsehempfängern auch
– Automatisierungssysteme, – KFZ-Mikroelektronik,
– Mess-, Steuer- und Regelgeräte, – Datenverarbeitungsanlagen,
– Herzschrittmacher, – Bioorganismen etc.
Der moderne EMV-Begriff geht damit weit über die klassische Funkentstö-
rung hinaus, beinhaltet sie jedoch nach wie vor oberbegrifflich.
Elektromagnetische Verträglichkeit ist keineswegs selbstverständlich, da das

elektromagnetische Spektrum ähnlich anderen Ressourcen zunehmender
Verschmutzung unterliegt (engl.: spectrum pollution) und ihre Wahrung
immer größere Anstrengungen erfordert. Im gegenseitigen Interesse aller
Nutzer sind daher umfassendes Wissen um die Wirkungen elektromagneti-
scher Felder und Wellen auf elektromagnetische Systeme und Bioorganismen
sowie eine disziplinierte Nutzung des elektromagnetischen Spektrums höch-
stes Gebot.
Elektrische Einrichtungen können gleichzeitig als Empfänger und Sender

wirken, z. B. Zwischenfrequenz von Superheterodyn-Empfängern, Zeilenfre-
quenz von Fernsehempfängern und Computerbildschirmen, Clock-Frequenz
von Rechnern, usw. Man spricht deshalb auch von der elektromagnetischen
Verträglichkeit einzelner Geräte. So definiert VDE 0870 [1.1] Elektromag-
netische Verträglichkeit als
„Fähigkeit einer elektrischen Einrichtung, in ihrer elektromagneti-

schen Umgebung zufriedenstellend zu funktionieren, ohne diese
Umgebung, zu der auch andere Einrichtungen gehören, unzulässig
zu beeinflussen“.
Eine elektrische Einrichtung gilt demnach als verträglich, wenn sie in ihrer
Eigenschaft als Sender tolerierbare Emissionen, in ihrer Eigenschaft als
Empfänger tolerierbare Empfänglichkeit für Immissionen, das heißt aus-
reichende Störfestigkeit bzw. Immunität aufweist.
Das Problem der EMV taucht meist zuerst beim Empfänger auf, wenn der
einwandfreie Empfang eines Nutzsignals beeinträchtigt ist, beispielsweise die
Funktion eines Automatisierungssystems durch vagabundierende elektroma-
gnetische Energie gestört oder gar unmöglich gemacht wird. Man spricht
dann vom Vorliegen Elektromagnetischer Beeinflussungen (engl.: EMI,
1.1 Elektromagnetische Verträglichkeit, Elektromagnetische Beeinflussung 3
Electromagnetic Interference). Gelegentlich wird auch die Störgröße selbst

als EMB bezeichnet, wenngleich hierfür, zumindest am Empfänger, der
Begriff Immission treffender ist. VDE 0870 [1.1] definiert elektromagnetische
Beeinflussung als
„Einwirkung elektromagnetischer Größen auf Stromkreise, Geräte,

Systeme oder Lebewesen“.
Elektromagnetische Beeinflussungen können sich in reversiblen oder irre-

versiblen Störungen manifestieren. Beispiele für reversible Störungen sind
zeitweise mangelnde Verständigung beim Telefonieren, Knackstörungen bei
Schaltvorgängen in Haushaltgeräten (engl.: click); Beispiele irreversibler
Störungen sind die Zerstörung elektronischer Komponenten auf Leiterplatten
durch elektrostatische Aufladungen (EGB: elektrostatisch gefährdete Bau-
elemente, engl.: ESD, Electrostatic Discharge) oder Überspannungen bei
Blitzeinwirkung (engl.: LEMP, Lightning Electromagnetic Pulse), die unbe-
absichtigte Zündung elektrisch initiierter Komponenten in der Raumfahrt-
technik usw.
In der Praxis unterscheidet man reversible Beeinflussungen nach ihrer Stärke

in
– Beeinflussungen, die gerade noch tolerierbare Funktionsminderungen

bzw. Beeinträchtigungen bewirken und
– Beeinflussungen, die zu nichttolerierbaren Fehlfunktionen bzw. unzu-
mutbarer Belästigung führen.
Wegen der Vielfalt der in Frage kommenden elektrischen Einrichtungen, und

um den Störeffekt explizit zum Ausdruck zu bringen, hat man für Sender und
Empfänger die Oberbegriffe Störquelle und Störsenke geschaffen. Hiermit
erhält man ein Beeinflussungsmodell gemäß Bild 1.1.
Kopplungs-
Störquelle mechanismus Störsenke
(Sender) (Pfad) (Empfänger)
Bild 1.1: Beeinflussungsmodell mit Störquelle, Koppelmechanismus und Störsenke.

Dieses grobe Modell ist noch wenig aussagekräftig, es wird daher in den fol-
genden Kapiteln weiter verfeinert werden.
Im Gegensatz zu den Beeinflussungen zwischen verschiedenen Systemen, die

man als Intersystem-Beeinflussungen bezeichnet, können Sender und Emp-
fänger auch Teile ein und desselben Systems sein, man spricht dann von
Intrasystem-Beeinflussungen, Bild 1.2.
Störquelle Störsenke Störquelle Störsenke
System I System II System
Bild 1.2: Intersystem-Beeinflussung (links) und Intrasystem-Beeinflussung (rechts).
Typische Beispiele für Intrasystembeeinflussungen sind parasitäre Rückkopp-

lungserscheinungen in mehrstufigen Verstärkern, Signalwechsel auf benach-
barten Datenleitungen elektronischer Baugruppen, Stromänderungen in
Stromversorgungsleitungen und die durch sie verursachten induktiven Span-
nungsabfälle, selbstinduzierte Spannungen beim Ausschalten von Relais- und
Schützspulen sowie komplexe Systeme mit mehreren Sendern und Empfän-
gern.
Wann Sender und Empfänger letztlich als elektromagnetisch verträglich be-

zeichnet werden, hängt wesentlich von der Art des Senders oder Empfängers
ab.
– Rundfunk- und Fernsehsender gelten als verträglich, wenn sie nur auf der
ihnen zugewiesenen Frequenz, das heißt ohne merkliche Oberschwing-
ungen arbeiten, und wenn die von ihnen abgestrahlten elektromagne-
tischen Felder in größerer Entfernung so weit abgeklungen sind, dass ein
dort befindlicher auf gleicher Frequenz arbeitender Sender regional un-
gestört empfangen werden kann.
– Sender, die parasitär elektromagnetische Energie an ihre Umwelt ab-
geben, gelten als verträglich, wenn die von ihnen erzeugten Feldstärken in
einem bestimmten Abstand in Vorschriften festgelegte Grenzwerte (s.
1.2.3) nicht überschreiten, das heißt der einwandfreie Betrieb eines in
diesem Abstand befindlichen Empfängers innerhalb seiner Spezifikation-
en möglich ist.
1.1 Elektromagnetische Verträglichkeit, Elektromagnetische Beeinflussung 5
– Empfänger gelten als verträglich, wenn sie in einer elektromagnetisch

stark verseuchten Umwelt ihr Nutzsignal mit befriedigendem Störabstand
zu empfangen in der Lage sind und selbst keine unverträglichen Störun-
gen aussenden (z. B. Zwischenfrequenz beim Superhet-Empfänger).
Durch geeignete Maßnahmen beim
– Sender (Schirmung, Spektrumbegrenzung, Richtantennen, usw.)

– Kopplungspfad (Schirmung, Filterung, Leitungstopologie, Lichtwellenlei-
ter, usw.),
– Empfänger (Schirmung, Filterung, Schaltungskonzept, usw.),
lässt sich in praktisch allen Fällen eine ausreichende elektromagnetische

Verträglichkeit erreichen. Aus wirtschaftlichen Gründen, und soweit tech-
nisch durchführbar, wird man jedoch zuerst eine möglichst hohe Verträg-
lichkeit des Senders anstreben (Primärmaßnahmen) und die Härtung einer
Vielzahl von Empfängern erst in zweiter Linie ins Auge fassen (Sekundär-
maßnahmen). Typische Beispiele für Primärmaßnahmen sind die Verringe-
rung der Netzrückwirkungen von Stromrichtern durch lokale Einzelkompen-
sation und Filterung, die Schirmung von Mikrowellenherden oder die Be-
schaltung von Universalmotoren. Vielfach wird EMV erst durch konzertierte
Maßnahmen bei allen drei Komponenten erreicht.
Bei Intrasystem-Beeinflussungen kann man die Wahrung der elektromagne-

tischen Verträglichkeit meist dem Hersteller bzw. dem jeweiligen Betreiber
überlassen, die ja beide an einem funktionsfähigen System interessiert sind.
Speziell in der Datenverarbeitung und Kommunikation liegt das Vermeiden
von EMB im ureigenen Interesse des Betreibers, beispielsweise bei Banken
die Vermeidung des „Abhörens“ von Bildschirminformationen oder im mili-
tärischen Bereich die Vermeidung des Ab- bzw. Mithörens geheimer Infor-
mationen (engl.: TEMPEST – Temporary Emanation and Spurious Trans-
mission) [1.2, 1.20].
Bei Intersystem-Beeinflussungen des Ton- und Fernsehrundfunkempfangs

sowie der Funkdienste schreibt der Gesetzgeber [1.3] im Rahmen der Funk-
entstörung Grenzwerte tolerierbarer Emissionen vor (s. Abschn. 1.2.3 u.
Kap. 12). Die zulässigen Emissionen stellen notwendigerweise einen Kom-
promiss dar, der sowohl die Natur der Sender als auch die technischen
Bedürfnisse der im jeweiligen Frequenzbereich arbeitenden Empfänger be-
rücksichtigen muss.
Komplexe Systeme verlangen bereits im Planungsstadium die umfassende

Berücksichtigung von EMV-Aspekten sowie den Einsatz EMV-förderlicher
Komponenten und Maßnahmen (EMV-Plan). Hoher präventiver Aufwand
KP lässt spätere EMB-Probleme mit nur geringer Wahrscheinlichkeit und
auch nur geringe Nachbesserungskosten KN während der Inbetriebnahme-
phase erwarten. Umgekehrt führt geringer anfänglicher Aufwand mit großer
Wahrscheinlichkeit zu hohen Nachbesserungskosten. Über der Wahrschein-
lichkeit des Auftretens elektromagnetischer Beeinflussungen WEMB aufge-
tragen, zeigt die Kurve für den gesamten EMV-Aufwand K P + K N ein Mini-
mum, Bild 1.3.
Bild 1.3: Kostenkurven K P = f( W EMB ) für rechtzeitig geplante EMV-Maßnahmen und

K N = g( W EMB ) für nachträglichen Aufwand während der Inbetriebnahme. Gesamte
EMV-Kosten K =K P + K N mit Kostenminimum.
Das Anstreben des EMV-Kostenminimums setzt eine intime Kenntnis der

Entstehung, Ausbreitung und Einkopplung elektromagnetischer Beeinflus-
sungen voraus, die wenig augenfällige Beeinflussungspfade frühzeitig erken-
nen lässt und übertriebenen Entstöraufwand sowie Maßnahmen am falschen
Platz vermeiden hilft. Leider finden sich nicht wenige Projektverantwortliche
mangels umfassender Planung bezüglich EMV-Aspekten, mangels ausrei-
chenden EMV-Bewußtseins sowie wegen der parasitären Natur vieler EMV
Phänomene häufig überrascht am rechten Ende der Abszisse wieder. Daher
ist es unerlässlich, bereits bei der Spezifikation einer Komponente oder eines
Systems EMV-Anforderungen und deren Umsetzung zu verankern. Während
der gesamten Entwicklung muss die EMV in das Design einfließen und
kontinuierlich nachgeprüft werden. Ein EMV-Plan und entwicklungsbe-
gleitende Tests stellen dann größtenteils sicher, dass die Qualifikation, der
Nachweis der EMV, gelingt.
1.2 Störpegel – Störabstand – Grenzstörpegel – Stördämpfung 7
1.2 Störpegel – Störabstand – Grenzstörpegel – Stördämpfung
Zur quantitativen Beurteilung der elektromagnetischen Verträglichkeit be-

dient man sich logarithmischer Verhältnisse der jeweils zur Diskussion ste-
henden Größen wie Spannungen, Ströme, Feldstärken, Leistungen etc. Die
Verwendung logarithmischer Verhältnisse erlaubt die übersichtliche Darstel-
lung von Größenverhältnissen, die sich über viele Zehnerpotenzen er-
strecken, und besitzt weiter den Vorzug, dass man multiplikativ verknüpfte
Verhältnisse auf einfache Weise additiv verknüpfen und damit Begriffe wie
Störabstände usw. einführen kann.
Man unterscheidet zwei Arten logarithmischer Verhältnisse, Pegel und

Übertragungsmaße.
– Pegel beziehen Systemgrößen, z. B. Spannungen, auf einen festen Bezug-

swert, z. B. U 0 =1μV . Die bezogenen Systemgrößen bezeichnet man dann
z. B. als Spannungspegel.
– Übertragungsmaße setzen Ein- und Ausgangsgrößen eines Systems in

logarithmierte Verhältnisse. Diese dienen der Kennzeichnung der Über-
tragungseigenschaften des Systems. Die Verhältnisse stellen logarithmier-
te Kehrwerte von Übertragungsfaktoren des Frequenzbereichs dar (s. a.
Abschn. 1.6). Typische Beispiele sind die Leitungsdämpfung, die Schirm-
dämpfung, die Verstärkung, die Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung etc.
Die ins Verhältnis gesetzten Größen müssen Frequenzbereichsgrößen sein,

das heißt komplexe Amplituden, Amplitudendichten etc. Es werden jeweils
nur die Beträge (Amplituden oder Effektivwerte) der Größen ins Verhältnis
gesetzt.
Es sei an dieser Stelle erwähnt, dass das Rechnen mit Pegel- und Über-
tragungsmaßen vor allem bei der Bildung von Mittelwerten (zum Beispiel bei
statistischen Auswertungen) und dem Einfließen additiver Anteile (zum Bei-
spiel Offsets) überlegt erfolgen muss, um gängige Fehler zu vermeiden. Es
sind zuerst die absoluten Größen zu bestimmen, bevor die eigentliche
Berechnung der Mittelwerte erfolgt.
Pegelmaße werden grundsätzlich durch die „Einheit“ dB gekennzeichnet.

Nach IEC 60027 ist die Schreibweise für das Kennzeichnen von Pegeln klar
definiert. Allerdings wird sie von nahezu niemandem richtig angewandt, da
sich im Laufe der Zeit gebräuchlichere Schreibweisen eingeprägt haben.
Die Berechnung eines Leistungspegels erfolgt nach IEC 60027 durch
§ P · § P ·
LP(re 1mW) = 10 lg ¨ 1 ¸ dB oder kürzer LP /1mW = 10 lg ¨ 1 ¸ dB .
© 1mW ¹ © 1mW ¹
Der jeweilige korrekt ausgedrückte Leistungspegel würde dann beispielsweise

durch „LP/1pW=3dB“ bezeichnet. Der Ausdruck „3dBpW“ soll nach IEC 60027
ausdrücklich vermieden werden. Wie schon erwähnt, wird dies in der Praxis
nicht oft umgesetzt. Wir orientieren uns an der herrschenden Meinung und
fahren fort mit „3dBpW“.
1.2.1 Logarithmierte bezogene Systemgrößen - Pegel
Mit Hilfe des dekadischen Logarithmus log10 (x) = lg(x) definiert man bei-
spielsweise folgende Pegel in Dezibel (dB):
Ux
Spannungspegel: udB = 20 lg dBμV (1-1)
U0
Bezugsgröße U0 = 1μV
Ix
Strompegel: idB = 20 lg dBμA (1-2)
I0
Bezugsgröße I0 = 1μA
Ex
E-Feldstärkepegel: EdB = 20 lg dBμV / m (1-3)
E0
μV
Bezugsgröße E0 = 1
m
Hx
H-Feldstärkepegel: HdB = 20 lg dBμA / m (1-4)
H0
μA
Bezugsgröße H0 = 1
m
Eine Ausnahme bildet das Leistungsverhältnis, bei dem Zähler und Nenner
jeweils dem Quadrat der betrachteten Amplituden proportional sind. Es tritt
nur der Faktor 10 auf.
1.2 Störpegel - Störabstand - Grenzstörpegel - Stördämpfung 9
Px
Leistungspegel: pdB = 10 lg dBpW (1-5)
P0
Bezugsgröße P0 = 1pW
Unter der Voraussetzung eines einheitlichen Widerstands R x = R 0 stimmen

die dB-Werte der Leistungspegel mit den anderen Pegeln überein.
Ursprünglich wurde der Begriff dB nur für Leistungsverhältnisse verwendet,
Px Px
pdB = 10 lg dB bzw. pB = 10 lg B ,
P0 P0
wobei B für Bel steht (in Erinnerung an den Erfinder des Telefons, Alexander
Graham Bell). Da Leistungen dem Quadrat einer Spannung, eines Stromes
etc. proportional sind, ergibt sich bei letzteren zusätzlich der Faktor 2 (vgl.
(1-1) und (1-5)).
Bei Spannungen, Strömen und Feldstärken entsprechen nachstehende Pe-

gelangaben folgenden Verhältnissen
3dB 2, 6dB 2, 20dB 10, 120dB 106 .
Für Leistungen gilt dagegen beispielsweise 10dB 10 .
Obige Pegel wurden unter Verwendung einer festen Bezugsgröße ermittelt

und werden daher oberbegrifflich als absolute Pegel bezeichnet. Sie machen
eine Aussage über den Wert der jeweils betrachteten Größen. Ein Pegel von
20dBmW entspricht einem Wert von 20dB über 1 mW, ein Pegel von -16dBμV
einem Wert von 16dB unter 1 μV. Da der Logarithmus einer Zahl keine
Dimension besitzt, stellen bezogene Systemgrößen ebenfalls reine Zahlen
dar. Um dennoch die Natur des von ihnen repräsentierten Verhältnisses zum
Ausdruck zu bringen, wird der Pegel in dB noch um die jeweilige Bezugs-
größe mit μV, μA etc. ergänzt, beispielsweise zu dBμV, dBμA.
Wie schon oben erläutert, bezeichnet dBmW den Bezug einer Leistung auf
1 mW. Andere häufig benutzte Bezugsgrößen sind 1 W, 1 V, 1 μV oder auch
1 A bzw. 1 μA. Ähnlich wie für dBmW findet man auch hierfür die nach Norm
eigentlich nicht korrekten Schreibweisen dBW, dBV, dBμV, dBA, dBμA, dBW/m²,
dBV/m, dBμV/m, dBA/m und dBμA/m.
Ein weiteres, sehr spezielles, Pegelmaß ist dBm für einen Pegel bezogen auf
1 mW, wobei diese Ausnahme einer verkürzten Schreibweise nicht für
andere Bezugsgrößen gilt.
Um ein Gefühl für die vorkommenden Größenordnungen von Pegelangaben

zu geben, hier einige Beispiele:
– Der Ausgangsleistungsbereich von Signalgeneratoren geht üblicherweise

von -140dBm bis +20dBm das heißt 0,01 fW (Femto-Watt) bis 0,1 W.
– Mobilfunk-Basisstationen senden mit +43dBm oder 20 W,
– Handys senden mit 10dBm bis 33dBm oder 10 mW bis 2 W.
– Rundfunksender senden mit 70 dBm bis 90 dBm bzw. 10 kW bis 1 MW.
– Störfeldstärken von 20dBμV/m entsprechen 10 μV/m
Ähnlich wie oben mit dem dekadischen Logarithmus Verhältnisse in dB ge-

bildet wurden, lassen sich mit dem natürlichen (Neperschen) Logarithmus
Verhältnisse in Neper (Np) bilden, z. B.:
Ux 1 Px
uNP = ln Neper bzw. pNP = ln Np
U0 2 P0
. (1-6)
1 Neper entspricht dem Verhältnis U x U0 = e .
Neper und Dezibel lassen sich ineinander umrechnen,
Ux U
ln Np = 20 lg x dB
U0 U0
bzw.
1Np = 8,686dB oder 1dB = 0,115Np

. (1-7)
So gilt für die Verhältnisse
10:1 2,3Np=20dB
100:1 4,6Np=40dB
1000:1 6,9Np=60dB
In beiden Darstellungen erhöht sich ein bestimmter Pegel um jeweils den

gleichen Betrag für jede weitere Größenordnung. Die Attribute dB und Np

weisen lediglich auf die Art der verwendeten Logarithmus-Funktion hin (lg
bzw. ln). Sie sind keine Einheiten, werden aber häufig wie solche benutzt.
Im Folgenden seien noch einige Rechenbeispiele für absolute und relative

Pegel aufgeführt:
Beispiel 1: Spannungsverhältnis V U eines Verstärkers
Das Verhältnis VU der Ausgangs- zur Eingangsspannung eines Verstärkers

lässt sich als Pegelmaß folgendermaßen darstellen:
UE = 1 V, U A = 100 V → VU = U A / UE = 100 V /1 V = 100,

VUdB = 20 lg (100 V 1 V ) dB = 20 lg(100)dB − 20 lg(1)dB = 60dB − 20dB = 40dB.
Beispiel 2: Leistungsverhältnis V P eines Verstärkers
Wie in Beispiel 1 kann auch das Verhältnis VP der Ausgangs- zur Ein-
gangsleistung eines Verstärkers durch Pegelmaße beschrieben werden:
PE = 1mW, PA = 25 W → VP = PA / PE = 25 W / 0,001W = 25000

VPdB = 10 lg ( 25 W 0,001W ) dB = 10 lg(25) − 10 lg(0,001)
= 13,98dB + 30dB = 43,98dB.
Beispiel 3: Bestimmung eines Generatorpegels
Möchte man bei verstärkten Signalen den notwendigen Generatorpegel

berechnen, der für eine bestimmte Ausgangsleistung benötigt wird, eignet
sich die Darstellung in Pegelmaßen, um die Berechnungen zu verein-
fachen:
Signalgenerator → Verstärker → Empfänger
Gegeben sei ein Verstärker mit 25 W Ausgangsleistung bei 1 mW

Eingangsleistung. Damit ist die Leistungsverstärkung definiert zu
→ VPdB = 10 lg(25 W / 0,001W)dB ≈ 44dB .
Der benötigte Leistungspegel am Empfänger betrage 22dBm. Somit ergibt

sich ein einzustellender Generatorpegel von
→ PE = 22dBm − 44dB = −22dBm .

Beispiel 4: Abnahme der Feldstärke
Oftmals liegen bestimmte Grenzwerte für gestrahlte Emissionen nicht für

den gebrauchten Messabstand vor. Zur Abschätzung der Emission wird
deshalb oft auf den jeweiligen Abstand näherungsweise umgerechnet, bei-
spielsweise für die elektrische Feldstärke E:
Gegeben: Messwert: e10m = 100dBμV / m in 3 m Abstand zum Prüfling.

Gesucht: Äquivalenter Messwert e3m in 10 m Entfernung.
E 3m d E (1μV / m) d d
= → 20 lg 3m = 20 lg → e3m − e10m = 20 lg
E10m d' E10m /(1μV / m) d' d'
d
→ e3m = e10m + 20 lg → e3m = 100dBμV / m − 10,46dB = 89,54dBμV / m
d'
Beispiel 5: Umrechnung Leistungspegel → Spannungspegel
Häufig liegen bestimmte Größen nicht in der Einheit vor, in der sie bei-
spielsweise mit Grenzwerten verglichen werden sollen. Kennt man den
Wellenwiderstand des benutzten Systems, so können auf einfache Art und
Weise die Pegel mit deren verschiedenen Bezugseinheiten durch einen
additiven Term als Annäherung ineinander überführt werden.
Gegeben: R = 50 Ω, P = U20 / R, U0 = 1μV, P0 = 1mW.

Gesucht: Umrechnung in Form von p / dBm = u / dBμV + X
U2 P U2 U2 U02
P= → = = 2⋅
R P0 P0 ⋅ R U0 P0 ⋅ R
Logarithmieren:
§P · § U2 U20 · § U2 · § U20 ·
10 lg ¨ ¸ = 10 lg ¨¨ 2 ⋅ ¸¸ = 10 lg ¨¨ 2 ¸¸ + 10 lg ¨¨ ¸¸
© P0 ¹ © U0 P0 ⋅ R ¹ © U0 ¹ © P0 ⋅ R ¹
(1μV )2
→ p/ dBm = u / dBμV + 10 lg = u / dBμV − 107dB .
1mW ⋅ 50 Ω
Beispiel 6: Messung von Signalen an der Rauschgrenze
Eine häufig vorkommende Aufgabe ist die Messung schwacher Signale in

der Nähe des Rauschens des Messgerätes, beispielsweise eines Empfäng-

ers oder eines Spektrumanalysators.
Das Messgerät zeigt die Summe aus Eigenrauschen und Signalleistung an.
Nun soll die Signalleistung allein bestimmt werden. Voraussetzung für die
folgende Rechnung ist, dass das Messgerät die Effektivleistung der Signale
anzeigt. Bei Leistungsmessern ist das fast immer der Fall, bei Spektrum-
analysatoren muss der sogenannte RMS-Detektor eingeschaltet werden.
Man bestimmt zunächst das Eigenrauschen PN des Messgeräts, durch Ab-

trennen des Messsignals. Danach misst man das Signal mit Rauschen Ptot .
Die Leistung P des Signals allein, d.h. ohne Rauschanteil, erhält man
durch Subtraktion der linearen Leistungswerte.
Beispiel: Der angezeigte Rauschpegel PN eines Spektrumanalysators be-

trägt -80dBm (ohne angelegtes Signal). Mit Eingangssignal steigt die An-
zeige auf Ptot = −75dBm . Wie groß ist die Leistung des Signals P in dBm?
−80
PN = 10 10 mW = 0,00000001mW
−75
Ptot = 10 10 mW = 0,0000000316 mW
P = Ptot − PN = 0,0000000216 mW
0,0000000216 mW
P = 10 lg = −76,65dBm
1mW
Die Signalleistung P beträgt also -76,65dBm. Man sieht, dass ohne

Korrektur des Rauschens der Pegel des Signals immerhin 1,65dB zu hoch
angezeigt wird.
1.2.2 Störpegel und Störabstand
Logarithmische Verhältnisse tragen je nach ihrer physikalischen bzw. tech-

nischen Bedeutung besondere Namen. So unterscheidet man in der Elektro-
magnetischen Verträglichkeit bei Pegeln folgende absoluten und relativen
Pegel.
Absolute Pegel:
Störpegel Bezogener Wert einer Störgröße. Die Obergrenze

zulässiger Störpegel bilden die in DIN/VDE-Be-
stimmungen festgelegten Grenzwerte für Funkstö-

rungen (s. Abschn. 1.2.3 und Kap. 12).
Störschwellenpegel Bezogener kleinster Wert des Nutzsignals, dessen

Überschreitung durch den Störpegel am Empfangs-
ort als Störung empfunden wird.
Nutzpegel Bezogener 100% Wert des Nutzsignals.
Relative Pegel:
Störabstand Pegeldifferenz zwischen Nutzpegel und Störschwel-

lenpegel (auch berechenbar als logarithmisches
Verhältnis von Nutzsignal und Störschwelle).
Störsicherheitsabstand Pegeldifferenz zwischen Störschwellenpegel und

Störpegel (auch berechenbar als logarithmisches
Verhältnis von Störschwelle und Störgröße.
Diese Begriffe sind in Bild 1.4 veranschaulicht.
dB
Nutzpegel
(100% Nutzsignal)
Störabstand
Störschwellenpegel
Störsicherheitsabstand
Störpegel
Bild 1.4: Beispiele logarithmischer Verhältnisse. Definition von Störabstand und

Störsicherheitsabstand. (In der Regel sind die Pegel keine Parallelen zur Abszisse,
sondern in problemspezifischer Weise von der Frequenz abhängige Spektren).
Im Gegensatz zu den auf eine bestimmte Bezugsgröße (z. B. 1 μV) bezogen-

en absoluten Pegeln werden relative Pegel als Pegeldifferenzen ermittelt.
Störpegel, Störschwellenpegel und Nutzpegel sind in der Regel frequenz-

abhängige Größen. Demnach sind Störsicherheitsabstand und Störabstand
ebenfalls Größen, die von der Frequenz abhängen können.
Bei Analogsignalen der Messtechnik begnügt man sich häufig mit einem
Störabstand > 40 dB (Messfehler bleiben dann unter 1%), für Rundfunk und
Fernsehen gelten Werte zwischen 30 und 60 dB, für Telefon ca. 10 dB als aus-
reichend. Genaue Zahlen sind im Einzelfall den jeweils geltenden Normen
zu entnehmen.
Im Gegensatz zu Systemen mit analoger Signalverarbeitung, bei denen die

Festlegung der Störschwelle je nach Qualitätsansprüchen (Störempfinden)
offensichtlich verhandlungsfähig ist, zeichnen sich digitale Systeme dadurch
aus, dass sie unterhalb einer von der Schaltkreisfamilie abhängigen Schwelle
überhaupt nicht gestört bzw. oberhalb dieser Schwelle sicher gestört werden.
Hierbei ist noch zwischen statischer und dynamischer Störsicherheit zu

unterscheiden. Liegt die Einwirkdauer einer Störung unter der Schaltver-
zögerungszeit, sind höhere Störpegel eher tolerierbar als bei statischer Bean-
spruchung (s. Abschn. 1.2.3).
Speziell bei der Netzrückwirkungsproblematik (s. Abschn. 2.2.4) versucht

man wegen der starken Kopplung der Störquellen sogenannte Verträg-
lichkeitspegel festzulegen, die unter Berücksichtigung der Summenwirkung
aller am Netz betriebenen potentiellen Störer ausreichende elektroma-
gnetische Verträglichkeit im Elektroenergiesystem gewährleisten [1.17].
Diese Verträglichkeitspegel bilden die Grundlage sowohl für die Dimensi-
onierung der statistisch verteilten Störfestigkeit von Geräten als auch für die
Festlegung statistisch verteilter zulässiger Störemissionen.
Da der Maximalwert von Netzstörungen nur mit Hilfe statistischer Schätz-

methoden ermittelt werden kann und die Wahrung der EMV an Hand dieses
maximalen Pegels wirtschaftlich nicht durchführbar wäre, wird der Verträg-
lichkeitspegel in die Lücke zwischen den Maxima der Wahrscheinlichkeits-
dichten gelegt. Genau genommen legt man den Verträglichkeitspegel so, dass
er mit einer bestimmten Wahrscheinlichkeit, z. B. 95%, nicht überschritten
wird und dass die Störfestigkeit der Geräte grundsätzlich oberhalb dieses
Pegels liegt, Bild 1.5.
Pegel
Störfestigkeit
Verträglichkeitspegel
Störgröße
Wahrscheinlichkeitsdichte
Bild 1.5: Festlegung des Verträglichkeitspegels für eine bestimmte Störgröße, z. B.

5-te Oberschwingung.
Wie hoch der Störschwellenpegel eines Geräts über den Verträglichkeits-

pegel gelegt wird (Störsicherheitsabstand) ist eine Frage der Bedeutung des
Geräts. Hierbei können sicherheitsrelevante oder aus besonderen Qualitäts-
ansprüchen folgende Gründe maßgeblich sein.
Nach herrschender Meinung ist zwischen den umgebungsbedingt auftre-

tenden maximalen Störpegeln und der Störfestigkeitsanforderungen an ein
Gerät ein Mindestabstand von 6dB zu gewährleisten. Gebräuchliche Sicher-
heitsabstände (engl.: Margin) zwischen Emissionsgrenzwerten und Störfestig-
keitsanforderungen betragen beispielsweise in der Flugzeugindustrie teilweise
über 80dB.
1.2.3 Statische und dynamische Störabstände digitaler Schaltkreise
Bei digitalen Schaltkreisen unterscheidet man zwischen statischer und dyna-

mischer Störfestigkeit. Für Störsignale, deren zeitliche Dauer größer ist als
die Signalverzögerungszeit des Schaltkreises (engl.: delay time, tD), wird die
Störfestigkeit durch den statischen Störabstand charakterisiert, s. Bild 1.6.
USt U
Ub
A B
UeA UaA UeB UaB
Erlaubter
Spannungs-
U aH, min bereich für "High"
U eH, min
USt = UeB - UaA Umschalt- Verbotene Zone
schwelle
U eL, max
U aL, max Erlaubter Spannungs-
bereich für "Low"
t
Bild 1.6: Zur Erläuterung des statischen Störabstands bei digitalen Schaltkreisen. Die
Indizes e und a kennzeichnen Ein- und Ausgangsspannungen, H und L High- und
Low-Zustände. UaL,max und UaH,min sind die vom Hersteller garantierten Span-
nungswerte für die Low- und High-Zustände.
Für die störsichere Auslegung einer elektronischen Schaltung sind die stati-
schen Mindeststörabstände oder auch Worst-case-Störabstände für den Low-
und High-Zustand heranzuziehen. Diese können aus den vom Schalt-
kreishersteller garantierten Werten UaL, max und UaH, min für die Low- und
High-Zustände ermittelt werden, Bild 1.6.
Low-Zustand: UStL = UeL, max − UaL, max
High-Zustand: UStH = UeH, min − UaH, min
Die Spannungen U eL, max und U eH, min sind die für eine eindeutige Erken-
nung des Low- bzw. High-Zustandes erlaubten Spannungswerte.
In vielen Schaltkreisdatenblättern sind typische statische Störabstände ange-

geben. Diese erheblich günstigeren Werte basieren auf reduzierten Betriebs-
bedingungen wie beispielsweise einem eingeschränkten Temperaturbereich
und sollten deshalb für EMV-Betrachtungen nicht herangezogen werden.
In Tabelle 1.1 sind Beispiele statischer Worst-case-Störabstände für verschie-

dene TTL- und CMOS-Schaltkreise dargestellt [B1, B3, 11.9].
Tabelle 1.1: Statische Worst-case-Störabstände verschiedener Logikfamilien.
Betriebsspan-
Familie Typ U StL [ V ] U StH [ V ]
nung [ V ]
TTL LS
(L
Low-Power-S
Schottky)
ALS
(A
Advanced-L
LS) 5 0,3 0,7
AS
(A
Advanced-S
Schottky)
F
(F
Fairchild-AS, Fast)
CMOS 2 0,2 0,4

HC
4,5 0,8 1,25
(H
High-Speed-C
C MOS)
6 1,1 1,7
3 0,8
AC
4,5 1,25
(A
Advanced-C
C MOS)
5,5 1,55
CMOS-TTL HCT
(H
High-Speed-C
C MOS-T
TTL)
5 0,7 2,4
ACT
(A
Advanced-C
C MOS-T
TTL)
Da reale integrierte Schaltkreise nicht sofort auf ein am Eingang anliegendes

Nutz- bzw. Störsignal reagieren, sind mit abnehmender Störimpulsdauer hö-
here Störspannungsamplituden tolerierbar.
Dieses Störsignalverhalten wird durch den dynamischen Störabstand be-

schrieben, Bild 1.7 [11.10, 11.11, 11.12]. Es ist allerdings zu beachten, dass
bei sehr kurzen Impulsen hoher Amplitude der Schaltkreis dielektrisch
und/oder thermisch zerstört werden kann.
Ein weiteres wichtiges Kriterium, das bei der EMV gerechten Auswahl von
Logikbauelementen beachtet werden muss, sind die Anstiegs- bzw. Abfall-
zeiten der erzeugten Logiksignale. Je steiler die Signalflanken sind, desto
breiter wird das erzeugte Frequenzspektrum, Bild 1.7.
V 5
4
USt
HCMOS
CMOS
TTL
0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 100
tP ns
Bild 1.7: Abhängigkeit des Störabstands unterschiedlicher digitaler Schaltkreise von

der Störimpulsdauer eines rechteckförmigen Störsignals. USt ist der Störabstand und
tp die Störimpulsdauer.
Zusätzlich bewirken hohe Verarbeitungsgeschwindigkeiten bzw. Taktfre-

quenzen eine Verschiebung des kompletten Störspektrums zu höheren Fre-
quenzen (s. a. Abschn. l 1.6). Die Konsequenz ist eine deutliche Verschär-
fung der Beeinflussungsproblematik, da kapazitive und induktive Koppel-
pfade grundsätzlich ein frequenzproportionales Übertragungsverhalten
zeigen.
Für die störsichere Auslegung einer elektronischen Baugruppe sollten daher

Schalt- bzw. Verarbeitungsgeschwindigkeiten nicht höher gewählt werden,
als zur Lösung der Schaltungsaufgabe unbedingt erforderlich.
Es ist dabei zu berücksichtigen, dass die Werte für verschiedene Bauelement-

funktionen der gleichen Technologie sehr unterschiedlich sein können.
Tabelle 1.2 stellt Anstiegs- und Abfallzeiten sowie Signalverzögerungszeiten

verschiedener Schaltkreistypen dar.
Tabelle 1.2: Signalanstiegs- und -abfallzeiten sowie Signalverzögerungszeiten ver-

schiedener Schaltkreistypen. Abkürzungen siehe Tabelle 1.1.
Familie Typ Tr [ns ] Tf[ ns ] t DH [ ns ] t DL [ ns ]

TTL S 4,5 2,2 3,9 3,1
LS 24,0 6,0 7,0 8,0
ALS 32,0 1,4 8,0 2,7
AS 2,2 0,6 2,3 1,0
F 3,4 0,6 3,1 1,2
CMOS HC 2,5 6,2 6,6
AC 1,4 2,5 2,5
CMOS-TTL HCT 2,9 12 8,4
ACT 1,4 0,9 0,9 4,1
Des Weiteren treten selbst für funktionell gleiche Bauelemente je nach

Hersteller deutliche Unterschiede auf [11.13].
1.2.4 Grenzstörpegel für Emissionen
Zur Gewährleistung eines einwandfreien Ton- und Fernsehrundfunkemp-

fangs sowie ungestörter Funktion der Funkdienste dürfen die Emissionen von
Störquellen bestimmte, von der Frequenz abhängige Grenzstörpegel nicht
überschreiten. Diese Grenzstörpegel sind in DIN/VDE-Bestimmungen
festgelegt, die ihrerseits wieder auf internationaler Zusammenarbeit in der
IEC bzw. CISPR beruhen (s. Kap. 12 und B23). Letztlich orientieren sich die
Störpegel am unvermeidlichen Hintergrundpegel natürlicher Quellen
(kosmisches Rauschen, Impulsstörungen entfernter Gewitter, engl.: sferics
etc.). Sie werden m.a.W. so festgelegt, dass Emissionen in einem vom Ver-
wendungszweck abhängigen bestimmten Abstand (z. B. 3 m, 10 m oder
30 m) auf den Hintergrundpegel abgeklungen sind.
Man unterscheidet Grenzstörpegel für
– Funkstörspannungen,
– Funkstörleistungen,
– Funkstörfeldstärken.
Erstere bilden die Obergrenze für die Störspannungen zwischen einzelnen

Adern und Erde der an einem Betriebsmittel angeschlossenen Leitungen
(unsymmetrische Funkstörspannung). Bei den üblicherweise anzutreffenden

Leitungslängen elektrischer Geräte in Büros, Haushalten etc. setzt ab ca.
30 MHz merkliche Abstrahlung ein, so dass die Funkstörspannung mit zu-
nehmender Frequenz an Aussagekraft verliert. Ab 30 MHz schreibt man
daher Grenzwerte für die Funkstörleistung vor, die mit speziellen Absorp-
tionsmesswandlerzangen gemessen wird (s. Abschn. 7.3). Schließlich dürfen
in definierten Abständen von den Störquellen die dort herrschenden
Funkstörfeldstärken bestimmte Grenzstörpegel für elektrische und magne-
tische Felder nicht überschreiten.
Weiter wird zwischen Grenzwertklassen A und B unterschieden [1.27].

Geräte der Klasse A sind für den Einsatz in industriellen und kommerziellen
Betriebsräumen mit vergleichsweise starker Störumgebung gedacht und
dürfen daher höhere Emissionen abgeben als Geräte der Klasse B, die spezi-
ell für den Wohnbereich vorgesehen sind. Letzterer ist unter anderem da-
durch gekennzeichnet, dass in 10 m Abstand vom betrachteten Gerät mit
dem Betrieb eines Ton- oder Fernsehrundfunkempfängers gerechnet werden
muss.
Geräte der Klasse A (Typische Beispiele: Arbeitsplatzrechner, Industrie HF

Generatoren) müssen die Grenzwerte der Klasse A einhalten. Geräte, die
nicht die Grenzwerte der Klasse A einhalten oder für die es keine Normen
gibt (früher Klasse C), können nach positiver Beurteilung durch eine
"Benannte Stelle" (s. Kap. 12) dennoch betrieben werden, sofern sie keine
unannehmbare Beeinträchtigung von Funkdiensten verursachen (Typische
Beispiele: Großrechenanlagen, Hochfrequenzbeschleuniger). Die Beurteilung
der Konformität von Geräten der Klasse A kann am Ort der Aufstellung oder
auf einem Messplatz durchgeführt werden (s. Abschn. 7.2.2).
Geräte der Klasse B (Typische Beispiele: Ton- und Fernsehrundfunkgeräte,

Personal Computer, Haushaltsgeräte etc.) müssen die Grenzwerte der Klasse
B einhalten. Die Beurteilung ihrer Konformität kann auf einem Messplatz
oder durch eine Herstellerselbsterklärung „anhand der maßgebenden Er-
scheinung“ des Geräts bewertet werden. Geräte der Klasse B dürfen
bezüglich ihrer Emissionen auch in Industriegebieten genutzt werden.
Ein Beispiel für die Angabe von Grenzstörpegeln zeigt Bild 1.8. Weitere
Grenzstörpegel finden sich in den jeweils zutreffenden Vorschriften (s. Kapi-
tel 12).
100 105
dBμV 91,0 μV
80 79,0 104
69,5
66,0
57,5
60
Grenzwertklasse A 103
Grenzwertklasse B
54,0
48,0
40 102
20 101
10 -2
10-1 10 0
101 102
Frequenz MHz
Bild 1.8: Grenzstörpegel von Hochfrequenzgeräten für industrielle, wissenschaftliche,

medizinische und ähnliche Zwecke (ISM-Geräte VDE 0875 [1.27], s. a. 2.2.2).
Vor der Festlegung von Grenzwerten bzw. Grenzstörpegeln im Rahmen der

europäischen Harmonisierungsbestrebungen war die Angabe von Funkstör-
graden üblich. Neben ihrer Eigenschaft als frequenzabhängige Obergrenze
für Funkstörungen (also dem Grenzstörpegel) weisen Funkstörgrade noch
einen Kennbuchstaben auf, der eine Aussage über den Verwendungszweck
bzw. die relative Störwirkung beinhaltet.
– Funkstörgrad G: Grobentstörte Geräte mit vergleichsweise hohen

Störemissionen, die nur in Industriegebieten, bzw.
nicht Wohnzwecken dienenden Betriebsstätten und
Gebäuden (Banken, Büros) eingesetzt werden.
– Funkstörgrad N: Normalentstörte Geräte, z. B. für die Verwendung in
Wohngebieten.
– Funkstörgrad K: Feinentstörte Geräte mit kleinem (K) Störpegel,
z. B. für den Einsatz in Empfangsfunkstellen.
– Funkstörgrad O: Geräte, die ihrer Natur nach keine Funkstörungen
verursachen, z. B. Tauchsieder.
Funkstörgrade finden derzeit noch Verwendung in DIN/VDE 0875-Teil 3, da

die dort aufgeführten Geräte in den harmonisierten Bestimmungen nicht
erfasst sind (Hebezeuge, Aufzüge, Notstromaggregate etc.).
Da bei Funkstörungen vorrangig der akustische bzw. visuelle Störeindruck

eine wesentliche Rolle spielt, erfahren die elektrischen Messwerte eine ent-
sprechende Bewertung (s. Abschn. 7.4.1). Bewertete Störgrößen haben sich
im Rahmen der Funkentstörung sehr bewährt, sind jedoch gänzlich un-
geeignet, wenn es um die Behandlung nicht Kommunikationszwecken
dienender elektronischer Systeme geht (KFZ-Elektronik, Prozesssteuerung-
en, DV-Anlagen etc.). Beispielsweise toleriert das menschliche Ohr bei gele-
gentlichen Knackstörungen (engl.: click) wesentlich größere Pegel als bei
Dauerstörungen, während eine elektronische Steuerung bereits bei nur einer
die Störschwelle überschreitenden Knackstörung mit Fehlfunktionen rea-
gieren kann. In diesen Fällen kommen daher nur unbewertete Größen in
Frage (z. B. im Zeitbereich Impulsscheitelwerte, im Frequenzbereich Ampli-
tudendichten).
1.2.5 Prüfpegel für Immissionen
Elektronische und elektrische Geräte sind im Betrieb einer für ihren Einsatz-
ort typischen Störumgebung (Immissionen) ausgesetzt. Sie müssen daher
gegenüber dieser Störumgebung eine anwendungs- bzw. produktspezifische
Immunität besitzen. Diese wird in sogenannten Störfestigkeits- bzw. Im-
munitätsprüfungen nachgewiesen. Bei diesen Prüfungen setzt man die Pro-
dukte elektromagnetischer Strahlung oder leitungsgebunden eingekoppelten
Überspannungen bzw. -strömen etc. aus und überwacht das Nichtauftreten
von Fehlfunktionen oder etwaigen irreversiblen Zerstörungen. Analog zu den
Grenzwertklassen und Grenzwerten bei der Bewertung von Emissionen
unterscheidet man beim Nachweis der Immunität gegenüber Immissionen
zwischen verschiedenen Umgebungsklassen und angemessenen Prüfpegeln
bzw. Prüfschärfen. Wegen ihrer Vielschichtigkeit werden diese Begriffe erst
später im passenden Kontext ausführlich erläutert, Umgebungsklassen in
Abschn. 2.5 im Anschluss an die Vorstellung repräsentativer Störquellen,
Prüfpegel bzw. Prüfschärfen in Kap. 8 in Zusammenhang mit den verschie-
denen Prüfgeneratoren zur Simulation unterschiedlicher Störquellen.
Im Gegensatz zu den nicht verhandlungsfähigen Grenzwerten zulässiger

Emissionen sind die verschiedenen Umgebungsklassen und die Angemessen-
heit einer bestimmten Prüfschärfe häufig Verhandlungssache zwischen Her-
steller und Anwender. In diesem Zusammenhang ist zu bemerken, dass eine
erfolgreich bestandene normgerechte Störfestigkeitsprüfung zwar eine hohe,

jedoch keine absolute Sicherheit gegen alle am späteren Einsatzort mögli-
chen elektromagnetischen Beeinflussungen besitzt. Auch auf diese Thematik
wird in Kap. 8 noch näher eingegangen.
1.2.6 Stördämpfung
Die Stördämpfung ist ein typisches Beispiel für logarithmische Verhältnisse

der zweiten Art (Übertragungsmaße vgl. Einleitung v. Abschn. 1.2). Die Stör-
dämpfung dient oberbegrifflich zur Kennzeichnung der Entstörwirkung von
Entstörmitteln. Sie wird meist in Abhängigkeit von der Frequenz angegeben.
Als Stördämpfung bezeichnet man beispielsweise das logarithmische Ver-

hältnis der Spannungen vor und nach einem Filter (Filterdämpfung a F) oder
der Feldstärken eines Raumpunkts vor und nach Anwendung eines Schirmes
(Schirmdämpfung a S),
U1 Ha
a F = 20 lg bzw. a S = 20 lg
U2 Hi
. (1-8)
Bei der Schirmdämpfung wird unter H a die in Abwesenheit eines Schirms

herrschende Feldstärke, unter H i die innere, im geschirmten Raum anzutref-
fende Feldstärke verstanden (s. a. Abschn. 5.1). Auch hier nimmt a S in der
Regel positive Zahlenwerte an.
Die Filterdämpfung ist in der Regel positiv. Negative Filterdämpfungen er-

geben sich bei Spannungsüberhöhungen am Ausgang durch Resonanzeffekte
(negative Dämpfung Verstärkung, s. a. Abschn. 4.1.3).
Messungen bestimmter negativer Schirmdämpfungen stellen in der Regel

ebenfalls Resonanzeffekte dar, da der Messaufbau die Feld-Charakteristik der
Empfangsantenne im Innern des Schirmes erheblich ändert. Deswegen er-
fordert die Schirmdämpfungsmessung (siehe Abschn. 9.2) eine intime Kennt-
nis des Messaufbaus, um geeignete Maßnahmen zu treffen, die diese auf-
baubedingten Resonanzen unterdrücken.
Eine verwandte Größe ist die Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung, die aussagt,

inwieweit eine Umwandlung von Gleichtaktsignalen in Gegentaktsignale ge-
schwächt wird. Hierauf wird im Abschn. 1.4 ausführlich eingegangen.
1.3 Natur der EMB und ihrer Übertragungswege 25
1.3 Natur der elektromagnetischen Beeinflussungen und ihrer

Übertragungswege
Das grobe Beeinflussungsmodell gemäß Bild 1.1 ist zunächst nur von be-
schränktem Wert. Um die elektromagnetische Verträglichkeit eines Systems
gezielt planen zu können, müssen folgende Umstände bekannt sein:
– die störende Umgebung (alle Sender), beispielsweise in Form von Span-

nungs- und Stromscheitelwerten, Feldstärken, Frequenzspektren, Flan-
kensteilheiten,
– die Kopplungsmechanismen, beispielsweise in Form von Filter- und
Schirmdämpfungen oder komplexer Übertragungsfunktionen,
– die Empfänglichkeit bzw. Empfindlichkeit der Störsenke (engl.: suscepti-
bility), beispielsweise in Form von Störschwellen im Frequenz- und Zeit-
bereich.
Während sich Störquellen und Störsenken vergleichsweise leicht durch Mes-

sung ihrer Emissionen bzw. Störschwellen charakterisieren lassen (s. Kapitel
7 u. 8), verlangt die Identifikation der zwischengeschalteten Kopplungsme-
chanismen ein intimes Verständnis der physikalischen Elektrotechnik und
große Erfahrung in praktischer Schaltungstechnik. Schließlich handelt es
sich häufig um parasitäre, vom Konstrukteur nicht vorgesehene Übertra-
gungswege – z. B. in der Stückliste nicht auftretende Streukapazitäten, Streu-
induktivitäten etc. – die sich oft erst durch die von ihnen verursachten elek-
tromagnetischen Beeinflussungen offenbaren.
Je nach Ausbreitungsmedium und Entfernung zur Störquelle gelangen Stör-

größen über unterschiedliche Wege und beliebige Kombinationen davon zum
gestörten Empfängerstromkreis. Beispielsweise bezeichnet man elektro-
magnetische Beeinflussungen als leitungsgebunden übertragen, wenn sie über
eine oder mehrere Leitungen oder auch über passive Bauelemente
(Kondensatoren, Transformatoren etc.) in die Störsenke eindringen (Kabel-
mantelströme, Netzzuleitung etc., sog. galvanische Kopplung). Dies gilt auch
dann, wenn irgendwo zwischen Störsender und Empfänger die Störenergie
stellenweise durch Kopplung oder Strahlung übertragen wird. So kann eine
elektromagnetische Beeinflussung durchaus leitungsgebunden entstehen, sich
dann aber durch Kopplung oder Strahlung ausbreiten und schließlich in
anderen Leitungen wieder als leitungsgebundene Störung auftreten (z. B.
Bürstenfeuer eines Kollektormotors, dessen lange Zuleitungen als Antennen
wirken, Bild 1.9.).
Elektromagnetische
Umgebung
(Störquellen)
Galvanische Elektrische Magnetische Strahlungs-

Kopplung Kopplung Kopplung kopplung
(Leitungen) (E-Feld) (H-Feld) (E/H-Feld)
Empfänger
(Störsenke)
Bild 1.9: Kopplungsmechanismen elektromagnetischer Beeinflussungen.
Gewöhnlich beziehen sich die Bezeichnungen leitungsgebunden oder ab-

gestrahlt auf einen bestimmten Ort längs des Übertragungswegs zwischen
störendem Sender und gestörtem Empfänger, häufig auf den Sender oder den
Empfänger selbst.
Solange die Wellenlänge groß gegenüber den Abmessungen des Störers ist,
breiten sich elektromagnetische Beeinflussungen vorwiegend leitungsgebun-
den oder durch elektrische bzw. magnetische Kopplung aus. Liegen Wellen-
länge und Abmessungen in vergleichbarer Größenordnung, setzt die Ab-
strahlung ein. Die Grenze ist fließend, liegt jedoch für viele der in der Praxis
vorkommenden Fälle in der Größenordnung von 10 m, entsprechend einer
Frequenz von 30 MHz. Mit anderen Worten, im Rundfunkfrequenzbereich
von 0.1 bis 30 MHz herrschen leitungsgebundene Störungen vor, im UKW-
Bereich und darüber Störstrahlung.
Nachstehend werden die verschiedenen Kopplungsmechanismen qualitativ

kurz vorgestellt, ihre ausführliche Behandlung erfolgt im Kapitel 3.
Galvanische Kopplung
Galvanische bzw. leitungsgebundene oder metallische Kopplung (engl.:

conducted, metallic) tritt immer dann auf, wenn zwei Stromkreise eine ge-
meinsame Impedanz Z besitzen, sei es ein einfaches Leitungsstück, eine
Kopplungsimpedanz (s. Abschn. 3.1.3.) oder ein sonst gearteter Zweipol, Bild
1.10.
UI I
UII II Bild 1.10: Galvanische Kopplung

zweier Stromkreise über eine ge-
meinsame Impedanz Z.
Der Strom im Stromkreis I (Störer) erzeugt an der gemeinsamen Impedanz Z

einen Spannungsabfall, der sich im Stromkreis II (gestörtes System) dem
Nutzsignal überlagert. Auf dieses einfache Ersatzschaltbild lassen sich Ver-
träglichkeitsprobleme wie leitungsgebundene 50 Hz-Brumm-, Kabelmantel-
und Gehäusestromprobleme, Störungen, die über Netzzuleitungen am glei-
chen Netz betriebener Verbraucher zum Empfänger gelangen etc., zurück-
führen (s. Abschn. 3.1.1). Selbstverständlich kann bei vergleichbaren Leis-
tungsverhältnissen beider Kreise auch der Strom des Kreises II im Stromkreis
I eine Störung verursachen.
Elektrische Kopplung
Elektrische oder kapazitive Kopplung tritt auf zwischen zwei Stromkreisen,

deren Leiter sich auf verschiedenen Potentialen befinden, Bild 1.11.
E
230V/50Hz 230V/50Hz
I I CStr 1 CStr 2
ZS ZS
II II ZE
UII UII
a) Feldmodell b) Netzwerkmodell
Bild 1.11: Beispiel für die elektrische Kopplung zweier Stromkreise I und II über das
quasistatische elektrische Feld bzw. über Streukapazitäten (Feldmodell und Leitungs-
modell).
Der störende Stromkreis I sei das 220 V Lichtnetz, der gestörte Kreis II ein
unbedarfter Messaufbau, mit dem eine Spannung von wenigen Millivolt
mittels eines Oszilloskops gemessen werden soll. Zwischen dem auf 220 V
Potential befindlichen Leiter und den quasi auf Erdpotential befindlichen
Messleitungen des Versuchsaufbaus besteht ein elektrisches Feld, Bild 1.11 a,
dessen beeinflussende Wirkung in einem Netzwerk-Ersatzschaltbild durch
die Annahme von Streukapazitäten CStr1 und CStr2 nachgebildet werden
kann, Bild 1.11 b. Die Netzspannung treibt durch die Streukapazitäten
Wechselströme (Verschiebungsströme), die über die gemeinsame Massever-
bindung zum Neutralleiter des Netzes zurückfließen. Der Strom durch CStr2
erzeugt über den Innenwiderständen von Sender und Empfänger im Strom-
kreis II, ZS und ZE, einen Spannungsabfall, der sich dem Nutzsignal als
Störspannung überlagert.
Da die Netzwerktheorie keine Felder, sondern nur Spannungs- und Strom-

quellen sowie passive Bauelemente kennt, geht die elektrische Kopplung des
Feldmodells im Netzwerkmodell in eine leitungsgebundene Kopplung mit
Kondensatoren als Koppelimpedanzen über. Die wahre Natur der Kopplung
darf jedoch nicht aus den Augen verloren werden.
Magnetische Kopplung
Magnetische oder induktive Kopplung tritt zwischen zwei oder mehreren

stromdurchflossenen Leiterschleifen auf. Wir betrachten den gleichen Strom-
kreis wie in Bild 1.11, nehmen aber an, dass jetzt im Leiter des Lichtnetzes
ein Strom von 20 A fließe (die elektrische Kopplung lassen wir der Über-
sichtlichkeit wegen außer Acht), Bild 1.12.
H
I = 20A/50Hz I = 20A/50Hz
I I M
ZS ZS
II ZE II
ZE
UII UII
a) Feldmodell b) Netzwerkmodell
Bild 1.12: Beispiel für die magnetische Kopplung zweier Stromkreise I und II, a) über
das quasistatische magnetische Feld, b) über eine Gegeninduktivität (Feldmodell und
Netzwerkmodell).
Der Strom ist mit einem veränderlichen Magnetfeld verknüpft, das im ge-
störten Stromkreis II eine Spannung induziert, die sich dem Nutzsignal
überlagert, Bild 1.12. Die Wirkung des Magnetfeldes des Kreises I auf den
Kreis II wird im Netzwerkersatzschaltbild durch eine Gegeninduktivität M
oder eine induzierte Quellenspannung dargestellt.
Die in den Bildern 1.11 und 1.12 dargestellten Beeinflussungsmechanismen

veranschaulichen sehr deutlich die gegenseitige Unabhängigkeit quasistati-
scher elektrischer und magnetischer Felder. Einerseits ist in Bild 1.11 die
Beeinflussung durch das elektrische Feld nicht an die Anwesenheit eines
magnetischen Felds gebunden, andererseits kann in Bild 1.12 unbeschadet
einer etwa vorhandenen elektrischen Beeinflussung eine beliebig starke ma-
gnetische Beeinflussung vorliegen.
Strahlungskopplung
Versteht man unter Strahlungskopplung jede Kopplung im nicht leitenden

Raum, so zählen die zuvor beschriebene elektrische und magnetische Kopp-
lung auch zur Strahlungskopplung, und zwar beschreiben sie den quasistati-
schen Bereich, in dem das elektrische und das magnetische Feld voneinander
unabhängig sind (Nahfeld s. 5.1). Wir wollen hier den Begriff Strahlungs-
kopplung auf die Fälle beschränken, in denen sich das gestörte Empfangs-
system im Fernfeld des vom Störer erzeugten Strahlungsfelds befindet, elek-
trisches und magnetisches Feld also gleichzeitig auftreten und über den Wel-
lenwiderstand des freien Raumes
E H = Z = μ0 ε0 = 377 Ω
verknüpft sind, Bild 1.13.
Sender Empfänger
Bild 1.13: Strahlungskopplung.

Dabei muss das gestörte System nicht notwendigerweise eine Stabantenne

aufweisen wie in Bild 1.13. Ebenso gut kann die elektromagnetische Beein-
flussung auch über eine Rahmenantenne bzw. direkt in eine elektronische
Schaltung ohne beabsichtigte Antenneneigenschaften einwirken.
Wir werden an dieser Stelle die verschiedenen Kopplungsmechanismen nicht

weiter vertiefen, ihre ausführliche Betrachtung erfolgt im Kapitel 3. Es sei
jedoch erwähnt, dass in der Praxis meist mehrere Kopplungspfade gleich-
zeitig bzw. parallel wirksam sind und ein Pfad u. U. auch mehrere kaskadier-
te Kopplungsmechanismen beinhalten kann, was die zielstrebige Erklärung
des Zustandekommens von Störungen beträchtlich erschwert. So können
beispielsweise elektromagnetische Beeinflussungen auf fünf generischen
Pfaden in eine speicherprogrammierbare Steuerung oder ein Automatisie-
rungssystem eindringen, Bild 1.14.
Felder
Bus E/A Signalleitungen

Automatisierungs-
system
Stromversorgung Erdungsleitungen
Bild 1.14: Generische Pfade für das Eindringen elektromagnetischer Beeinflussungen

in ein Automatisierungssystem.
Je besser das physikalische Verständnis der verschiedenen Kopplungsmecha-

nismen, desto eher lassen sich die relevanten Pfade lokalisieren bzw. hin-
sichtlich ihrer Übertragungsdämpfung quantifizieren, und desto kostengün-
stiger lassen sich wirksame Gegenmaßnahmen ergreifen.
1.4 Gegentakt- und Gleichtaktstörungen
Ein grundlegendes Konzept der EMV-Technik ist das Begriffspaar Gegen-

takt- und Gleichtaktstörungen. Diese Störungen verdanken ihre Existenz
virtuellen Gegentakt- und Gleichtaktstörquellen, die nicht als physikalisches
1.4 Gegentakt- und Gleichtaktstörungen 31
Bauelement erkenntlich sind, sondern sich lediglich durch ihre störende

Wirkung manifestieren (Dies macht ihre Identifikation und Lokalisierung so
schwierig). Selbstverständlich lassen sie sich in einem elektrischen Ersatz-
schaltbild als ideale Spannungsquellen bzw. Quellenspannungen darstellen.
Zur Erleichterung des Verständnisses beider Begriffe seien zunächst die

etwas geläufigeren Begriffe symmetrische Spannung, unsymmetrische Span-
nung und asymmetrische Spannung betrachtet.
1.4.1 Unsymmetrische, symmetrische und asymmetrische Spannungen
Eine Spannungsquelle lässt sich bezüglich der Potentiale ihrer beiden Klem-
men gegenüber einem willkürlichen Bezugspunkt „P“ (Schaltungsmasse,
Erde, ect.) durch Hinzufügen der Attribute unsymmetrisch, symmetrisch oder
asymmetrisch genauer spezifizieren. Dies sei am Beispiel der Sekundärwick-
lung eines Netztransformators oder Übertragers veranschaulicht, Bild 1.15.
U asym
U unsymm U symm
a) b) c)
Bild 1.15: Veranschaulichung der Begriffe unsymmetrische, symmetrische und asym-

metrische Spannung. Erläuterung siehe Text.
Die in der Sekundärwicklung induzierte Spannung betrage in allen drei Fäl-

len 5 Volt. In Bild 1.15 a) ist eine Klemme der Spannungsquelle geerdet bzw.
mit Masse verbunden. Die Spannung von 5 Volt wird jetzt als unsymmetri-
sche Spannung bezeichnet. In Bild 1.15 b) ist die Mitte der Wicklung geerdet
bzw. mit Masse verbunden. Die Spannung von 5 Volt wird jetzt als symmetri-
sche Spannung bezeichnet. Die Spannung jeder Klemme der Spannungs-
quelle gegenüber dem Bezugspunkt beträgt jeweils 2,5 Volt. Mit anderen
Worten die Potentiale der Klemmen sind symmetrisch zum Bezugspotential.
In Bild 1.15 c) schwebt die Sekundärwicklung zunächst in der Luft (engl.:

floating). Dennoch besitzen auch ihre Klemmen eine bestimmte Potential-
differenz gegenüber einem virtuellen oder auch realen Bezugspunkt. Diese
Potentialdifferenz wird durch in Bild 1.15 c) nicht eingezeichnete parasitäre
Isolationswiderstände, Streukapazitäten und etwaige magnetische Kopplung-

en bestimmt.
Sind die parasitären Bauelemente exakt symmetrisch zum Mittelpotential der

Sekundärwicklung verteilt, unterscheidet sich die asymmetrische Spannung
einer Mittelpunktanzapfung nicht von der Mittelpunktspannung einer
symmetrischen Spannung. Sind die parasitären Bauelemente jedoch ungleich
groß (Regelfall), kann die Spannung zwischen Mittelpunktanzapfung und
dem Bezugpunkt beispielsweise 10% : 90% aufgeteilt sein. Die Spannung von
5 Volt wird dann als asymmetrische Spannung bezeichnet, Bild 1.16 a, b.
C1Str
U asymm
CTStr
CM CM
C2Str
U asymm
a) b)
Bild 1.16: a) Zur Veranschaulichung der Entstehung einer asymmetrischen Spann-

ung, b) Messung einer asymmetrischen Spannung ohne Existenz einer Mittelpunktan-
zapfung. Isolationswiderstände, Streukapazitäten nicht eingezeichnet.
Wie eingangs bereits erwähnt, sind Störspannungsquellen häufig physikalisch

transparent und treten lediglich in Form von Störspannungen in Erschein-
ung. Diese lassen sich ebenfalls durch die oben erläuterten Attribute genauer
spezifizieren, wobei man jedoch in der elektromagnetischen Verträglichkeit
meist das Begriffspaar Gegentakt- und Gleichtaktspannungen verwendet.
1.4.2 Gegentaktstörungen
Gegentaktstörungen werden von Gegentaktstörquellen UGg0 verursacht,

deren physikalischer Ursprung in magnetischer Kopplung (s. Abschn. 1.3 u.
3.3), gemeinsamen Impedanzen mit anderen Stromkreisen (galvanische
Kopplung, s. Abschn. 1.3 u. 3.1) oder Gleichtakt/Gegentakt-Konversion liegt
(s. unten). Im elektrischen Ersatzschaltbild liegen Gegentaktstörquellen in
Reihe mit der Nutzsignalquelle UNutz, Bild 1.17.
I Gg I Gg I Gg
U Gg0 U Gg U Gg
0 ZE 0
Z Q/2 ZE Z Q/2 Z Q/2
UGg U sym UGg ZE
U Nutz U Nutz U Nutz
Z Q/2 Z Q/2 Z Q/2
I Gg I Gg I Gg
a) b) c)
Bild 1.17: Zur Definition von Gegentaktstörungen, a) in nicht geerdeten Strom-

kreisen, b) in symmetrisch betriebenen Stromkreisen, c) in unsymmetrisch betrie-
benen Stromkreisen.
Gegentaktstörquellen treiben Gegentaktstörströme I Gg , die in gleicher Rich-

tung fließen wie die Nutzsignalströme, mit anderen Worten, im Hin- und
Rückleiter eines Signalkreises entgegengesetzte Richtung besitzen. Die Ge-
gentaktstörströme rufen an einer Empfängerimpedanz ZE einen Störspan-
nungsabfall hervor, der bei nicht geerdeten Schaltungen (engl.: floating
circuits) als Gegentaktstörspannung, Bild 1.17a, im Fall symmetrisch be-
triebener Stromkreise als symmetrische Störspannung, Bild 1.17b und in
unsymmetrisch betriebenen Stromkreisen als unsymmetrische Störspannung
in Erscheinung tritt, Bild 1.17c. Eine symmetrische Störspannung stellt damit
einen Spezialfall einer Gegentaktstörspannung dar, bzw. ist in symmetrisch
betriebenen Schaltungen mit ihr synonym.
Am Empfänger tritt die Quellenspannung UGg0 der virtuellen Störspannungs-

quelle, vermindert um den Spannungsabfall an ZQ auf.
Es gilt
UGg0 = I Gg ZQ + I Gg ZE . (1-9)
Die in Reihe mit der Nutzspannung liegende Störspannung berechnet sich

dann aus der Spannungsteilergleichung,
UGg0 ZQ + ZE
= . (1-10)
UStör ZE
Im häufig zutreffenden Fall ZQ ZE wirkt UGg0 (ω) in voller Höhe als

Störspannung. Abhängig von der jeweiligen Betriebsart gemäß Bild 1.15 wird
diese Störspannung jeweils als symmetrische oder unsymmetrische Störspan-

nung bezeichnet.
1.4.3 Gleichtaktstörungen
Gleichtaktstörungen werden von Gleichtaktstörquellen UGl0 verursacht, de-

ren physikalischer Ursprung in kapazitiver Kopplung (s. Abschn. 3.2),
Potentialanhebungen von Masse oder Erdungspunkten (s. Abschn. 10.6)
oder in Potentialdifferenzen räumlich auseinander liegenden Masse- und
Erdklemmen bzw. Schutzleiterkontakte liegt, (s. Bild 1.10 u. Abschn. 3.1
sowie 10.6). Im elektrischen Ersatzschaltbild treten Gleichtaktstörquellen
zwischen einem Stromkreis und Erde auf, Bild 1.18.
I Gl = 0 I Gl = 0
ZE ZE
U Gl0
I Gl = 0 U Gl0 I Gl = 0
a) b)
Bild 1.18: Gleichtaktstörquellen UGl, a) in symmetrisch betriebenen Stromkreisen, b)

in unsymmetrisch betriebenen Stromkreisen.
Gleichtaktstörquellen treiben Gleichtaktströme I Gl , die in allen Leitern

eines Signalkabels gleichsinnig zum Empfänger fließen. In erdfrei betrieben-
en Stromkreisen können sich mangels eines geschlossenen Strompfades zu-
nächst gar keine Gleichtaktströme ausbilden, Bild 1.18. Somit entstehen
auch keine Störspannungsabfälle an der Empfängerimpedanz. Es lässt sich
zwar zwischen den Klemmen der Empfängerimpedanz und Erde jeweils eine
unsymmetrische Störspannung messen, an der Empfängerimpedanz selbst
liegt jedoch nur die Differenz der beiden unsymmetrischen Spannungen, mit
anderen Worten, die Nutzsignalspannung.
Hohe Gleichtaktspannungen stellen in erdfreien Stromkreisen dennoch ein

Problem dar, da sie zu Überschlägen der Isolation zwischen den Signallei-
tungen und den geerdeten Gerätegehäusen oder der Schaltungsmasse führen
können, was in der Regel irreversible zerstörende Wirkungen zur Folge hat
(s. Rückwärtiger Überschlag im Abschn. 3.1. und 4).
Die Stromkreise in Bild 1.18 sind Idealisierungen, die nur für Gleichstrom-
kreise und Wechselstromkreise niedriger Frequenz in guter Näherung gelten.
Mit zunehmender Frequenz machen sich Leitungsimpedanzen ZL und ins-
besondere Streukapazitäten CStr bemerkbar, Bild 1.19.
(2)
U unsym
ZL I Gl = 0
2 2
C Str
2
U Nutz U Gg
C Str
1
ZL I Gl = 0
1 1 (1)
U Gl U unsym
0
Bild 1.19: Ausbildung von Gleichtaktströmen bei hohen Frequenzen, Veranschau-

lichung der Gleichtakt/Gegentakt-Konversion.
Die Gleichtaktstörquelle kann jetzt durch die parallelen Hin- und Rückleiter
gleichsinnige Ströme (Gleichtaktströme) treiben, die über die Streukapazitä-
ten und Erde zur Gleichtaktstörquelle zurückfließen können. Bei gleicher
Impedanz von Hin- und Rückleitung (einschließlich der Innenwiderstände
von Sender und Empfänger) und gleichen Streukapazitäten CStr 1 und CStr 2
tritt jedoch noch immer keine Störspannung zwischen den Empfängerklem-
men in Erscheinung, da die Gleichtaktströme nicht nur gleichsinnig, sondern
auch gleich groß sind. Erst im Fall ungleicher Impedanzen treibt die Gleich-
taktstörquelle durch Hin- und Rückleiter unterschiedlich große Ströme, die
an den Impedanzen unterschiedliche Spannungsabfälle hervorrufen.
Nehmen Hin- und Rückleiter Spannungen gegenüber Erde an, so kommt es

zu einer sogenannten Gleichtakt/Gegentakt-Konversion. Die ungleichen
Impedanzen bewirken, dass die Gleichtaktspannung ganz oder teilweise in
eine Gegentaktspannung umgewandelt wird, deren Höhe sich als Differenz
der unsymmetrischen Störspannungen ergibt.
Die Anwendung der Maschenregel auf die im Ersatzschaltbild eingezeichnete

Schleife ergibt
UGg + U(1) (2)

unsym − U unsym = 0
bzw. UGg = U(2) (1)

unsym − U unsym
. (1-11)
Ein Maß für den Umfang der Gleichtakt/Gegentakt-Konversion einer Schal-

tung ist der Gleichtakt/Gegentakt-Konversionsfaktor GGKF, der sich aus
dem Verhältnis der resultierenden Gegentaktstörspannung UGg zur Span-
nung der Gleichtaktstörquelle UGl0 ergibt
UGg (ω)
GGKF =
UGl0 (ω) . (1-12)
Bei vollständiger Konversion nimmt er den Wert 1 an, in perfekt symmetri-

schen Systemen den Wert Null. In der Praxis gibt es weder das eine noch das
andere Ideal, so dass immer Gleichtakt- und Gegentaktströme gleichzeitig
vorhanden sind.
Der Gleichtakt/Gegentakt-Konversionsfaktor lässt sich leicht messtechnisch

quantifizieren, indem man die Nutzsignalquelle entfernt und eine Gleich-
taktspannung in das eingangsseitig kurzgeschlossene System einspeist (s. a.
Abschn. 3.6), Bild 1.20.
ZL
+Vcc
USt (ω)
USt (ω)
-Vcc
ZL
UGl (ω) UGl (ω)
0 0
a) b)
Bild 1.20: Messung der Gleichtakt/Gegentakt-Konversion, a) einer symmetrischen

Doppelleitung, b) eines Differenzverstärkers.
Der Gleichtakt/Gegentakt-Konversionsfaktor entspricht der Gleichtaktver-

stärkung A Gl bei Operationsverstärkern (s. Abschn. 3.1.2).
Zweckmäßig erweist sich die Einführung einer Gleichtakt/Gegentakt-

Dämpfung, die als logarithmisches Verhältnis des Kehrwerts des Betrags des
Konversionsfaktors definiert ist (vgl. Schirmfaktor und Schirmdämpfung in
Kap. 5),
UGl0 (ω)
GGD = 20 lg
UGg (ω) . (1-13)
Die Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung ist nicht zu verwechseln mit der Defi-

nition der Gleichtaktunterdrückung (engl.: CMR, Common Mode Rejection)
von Differenzverstärkern (s. Abschn. 3.1.2). Erstere erlaubt eine Aussage über
den Absolutwert einer Störspannung, letztere eine Aussage über das Stör-/
Nutzsignalverhältnis.
Gleichtaktstörungen begegnet man häufig in Verbindung mit Erdschleifen in

der allgemeinen Messtechnik oder der MSR-Technik (Mess-, Steuer- und Re-
gelungstechnik von Prozessleitsystemen). Beispielsweise sei eine Signalquelle
über ein Koaxialkabel mit einem Oszilloskop verbunden, Bild 1.21.
ZQ
ZE U St (w)
U Gl (w)
0
Bild 1.21: Gleichtakt/Gegentakt-Konversion bei Erdschleifen, (Impedanz des Mess-

kabelmantels nicht eingezeichnet).
Beide Gerätegehäuse seien aus Berührungsschutzgründen über ihren Schutz-

kontakt geerdet. Eine durch Induktion in der Erdschleife oder durch unter-
schiedliche Erdpotentiale verursachte Gleichtaktspannung UGl0 (ω) treibt
einen Strom sowohl durch den Innenleiter als auch durch den Mantel des
Signalkabels, die beide aus Sicht der Gleichtakt-Spannungsquelle parallel

geschaltet sind. Quell- und Empfängerimpedanz bilden für die Gleichtakt-
spannung UGl0 (ω) einen Spannungsteiler, so dass an der Empfängerimpe-
danz ZE die Gegentaktspannung USt (ω) abfällt.
Der Gleichtakt/Gegentakt-Konversionsfaktor der Schaltung ergibt sich zu
USt (ω) ZE
GGKF = =
UGl0 (ω) ZQ + ZE . (1-14)
Hierbei ist impliziert, dass die Gleichtaktspannung UGl0 (ω) eingeprägt ist
und nicht durch die Impedanz des Kabelmantels kurzgeschlossen wird.
Für den meist anzutreffenden Fall ZE ZQ tritt die Gleichtaktstörung in

voller Höhe als Gegentaktstörung am Empfänger auf, im angepassten Fall,
z. B. ZQ = ZE = 50 Ω , zur Hälfte (Leitungsimpedanzen vernachlässigt). Bei
hohen Frequenzen fließt aufgrund der Stromverdrängung nur noch im Ka-
belmantel ein Störstrom. Als Gegentaktstörung tritt dann der auf der Innen-
seite des Mantels abgreifbare Spannungsabfall auf, dessen Höhe sich aus der
Kopplungsimpedanz (engl.: mutual transfer impedance) berechnet (s. 3.1.2).
Die Gleichtakt/Gegentakt-Konversion einer Erdschleife lässt sich verringern

durch eine Erhöhung ihrer Impedanz bis hin zur Auftrennung, durch Sym-
metrierung der Impedanzen der Signalhin- und -rückleitung und durch
Schutzschirmtechnik. Auf diese Maßnahmen wird später noch ausführlich
eingegangen (s. Abschn. 3.1.2). Weitere Ausführungen über Gleichtaktstör-
ungen finden sich in den Abschn. 4.1.1 und 7.1 sowie im Literaturverzeichnis
[3.1– 3.6].
Abschließend seien nochmals einige häufig anzutreffende synonyme Be-

zeichnungen für Gegen- und Gleichtaktsignale genannt:
Gegentaktsignale Gleichtaktsignale
– Querspannung – Längsspannung
– Symmetrische Spannung – Unsymmetrische Spannung
– Differential mode – Common mode
– Serial mode – Parallel mode
– Odd mode – Even mode
– Normal mode – Gleichlaufende Spannung
Leider ist die Nomenklatur in der Literatur nicht immer einheitlich, bei-
spielsweise findet man gelegentlich Gegentaktsignale als Längsspannungen
bezeichnet usw.
1.5 Erde und Masse
Ein weiteres wichtiges Konzept der EMV ist das Begriffspaar Erde (engl.:
earth, ground) und Masse (engl.: signal ground oder circuit common). Mit
dem Begriff Erdung verbinden Starkstromingenieure in der Regel Sicherheits-
und Blitzschutzfragen, beispielsweise die Vermeidung unzulässig hoher Be-
rührungsspannungen, Elektronikingenieure eher die elektromagnetische Ver-
träglichkeit ihrer Schaltungen, beispielsweise die Vermeidung von Erd-
schleifen, 50Hz-Brumm, Behandlung von Kabelschirmen etc. Die unter-
schiedlichen Zielsetzungen verlangen nicht selten unterschiedliche Erdungs-
strategien, so dass Fragen "richtiger" Erdung gelegentlich kontrovers disku-
tiert werden.
Grundsätzlich bedarf ein elektrischer Stromkreis zunächst überhaupt keiner

Erdung, da der aus einer Spannungsquelle austretende Strom nach Durch-
fließen des Verbrauchers nur den einen Wunsch kennt, zur anderen Klemme
der Quelle zurückzufließen, Bild 1.22.
I
Bild 1.22: Einfaches Beispiel zur Veranschaulichung dessen, was eine Erdverbindung
nicht bewirkt.
In obigem Ersatzschaltbild besteht für den Strom I überhaupt keine Veran-

lassung, über eine etwa vorhandene Erdverbindung (strichliert) nach Erde
abzufließen, da keine Quellenspannung ersichtlich ist, die diesen Strom nach
Erde treiben sollte. In Nichtbeachtung dieser elementaren Einsicht werden
beim Auftreten von Störspannungsproblemen häufig ohne Not zusätzliche
Erdleitungen verlegt, vorhandene Querschnitte vergrößert etc., in der trügeri-
schen Hoffnung, Störspannungen quasi nach Erde "absaugen" zu können

[1.26] (s. a. Abschn. 10.6). Eine zusätzliche Erdung kann auch verheerende
Auswirkungen haben: Erdet man ein System an der Quelle und dem Ver-
braucher, können beispielsweise blitzinduzierte Spannungen sehr hohe
Ströme über die entstandene Masseschleife treiben und sowohl Quelle als
auch Verbraucher erheblich belasten. Dies zeigt, wie durchdacht ein Masse-
konzept hinsichtlich verschiedener Ansprüche ausgelegt sein muss.
Dass eine einwandfreie Erdung dennoch eine essentielle Komponente sicher

und zuverlässig betriebener elektrischer Systeme ist, geht aus den
nachstehenden Betrachtungen hervor. Es ist jedoch streng zwischen zwei
Philosophien zu unterscheiden, der sogenannten Schutzerdung (Schutzleiter)
zum Schutz von Menschen, Tieren und Sachwerten und der sog. Masse, dem
gemeinsamen Bezugsleiter elektrischer Stromkreise (dies gilt für Starkstrom-
wie für Schwachstromkreise). Obwohl Erde und Masse in der Regel an einer
Stelle miteinander galvanisch verbunden sind, gibt es doch einen großen
Unterschied:
Erdleiter führen nur im Fehlerfall Strom, Bezugsleiter führen betriebsmäßig

Strom und stellen häufig den gemeinsamen Rückleiter mehrerer Signalkreise
zur Quelle dar.
Dieser Unterschied ist essentiell und es fehlt nicht an synonym verwendeten

Begriffen, ihn semantisch zum Ausdruck zu bringen:
Erde Masse
Schutzleiter Neutralleiter
Erdung Schaltungsmasse
Schutzerdung Signalreferenz
Erdungsbezugsleiter (!) Signalmasse
Gehäuseerde Messerde
Stationserde 0V
Earth, Ground Signal Ground

Earth Ground Signal Ground
Protective Earth Signal Reference
Fault Protection Control Common
Ground Earth Circuit Common
Equipment Ground Neutral
Safety Ground 0V-Bus
1.5 Erde und Masse 41
Im Folgenden werden die unterschiedlichen Aspekte zwischen Erde (Schutz-

erde) und Masse (Bezugsleiter) herausgestellt. Die Überlegungen zielen
ausschließlich auf das Verständnis der den beiden Philosophien zugrunde
liegenden Motivationen und Zielsetzungen ab und sind nicht als Anleitung
zur vorschriftengerechten Errichtung von Erdungsanlagen gedacht. Hierfür
gilt VDE 0100 „Bestimmungen über die Errichtung von Starkstromanlagen
bis 1000V“ [B23]. Detaillierte Hinweise über Bemessungsfragen etc. findet
der Leser vorrangig in [1.21] sowie in den hierzu erhältlichen Kommentaren
[1.22–1.25].
1.5.1 Erde
Die Erdung dient dem Schutz von Personen, Tieren und Sachwerten. Gemäß
VDE 0100 müssen in den üblicherweise anzutreffenden TN-Niederspan-
nungsnetzen die Körper elektrischer Betriebsmittel mit dem geerdeten Punkt
des Netzes durch einen Schutzleiter (PE, engl.: Protective Earth) oder dem
PEN-Leiter (als Schutzleiter mitbenutzter Neutralleiter) verbunden sein.
Unter Körper versteht man hier berührbare, leitfähige Teile von Betriebs-
mitteln, die nicht Teile des Betriebsstromkreises sind, jedoch im Fehlerfall
unter Spannung stehen können (z. B. Gerätegehäuse), Bild 1.23.
L1
L2
L3
N PEN
Trafostation
Gebäudeanschluss
L1
Zähler L2
kWh
L3
N
PEN PE
F3
Potentialaus-
RB gleichsschiene RA
Rohrletiungs- Fundament Betriebsmittel Steckdose

systeme etc. Erder Körper
Bild 1.23: Erdung im TN-Niederspannungsnetz (TN-Netz: „T“ entspricht der Erdung

der Quelle; „N“ entspricht der direkten Verbindung der Körper mit der geerdeten
Klemme der Quelle).
Im Falle eines Isolationsfehlers, z. B. eines Körperschlusses des Außenleiters

L3, fließt kurzzeitig ein hoher Kurzschlussstrom, der das vorgeschaltete
Überstrom-Schutzorgan F3 (Sicherung, Leitungsschutzschalter) zum Anspre-
chen bringt. Bei vorschriftsmäßiger Auslegung der Erdungsanlage gemäß
VDE 0100 wird so ein zuverlässiger Berührungsschutz erreicht.
Im störungsfreien Betrieb führt der PE keinen Strom (vernachlässigt man die

marginalen Ableitströme durch die gesunde Isolation sowie die in Abwesen-
heit von Netzfiltern geringen Wechselströme durch die parasitären Streuka-
pazitäten).
Dagegen dient der Neutralleiter N als Rückleitung für die Betriebsströme

aller zwischen den Außenleitern L1, L2, L3 und N geschalteten einphasigen
Verbraucher. Die an der Potentialausgleichsschiene ankommenden Ströme
fließen unbeschadet des Vorhandenseins einer Verbindung mit dem Funda-
menterder über den PEN zu der sie treibenden Spannungsquelle zurück (in
der Transformatorwicklung induzierte Spannung).
Wenn dennoch ein Teil der einphasigen Betriebsströme über RA zum Fun-
damenterder fließt, dann allein deshalb, weil auch dies eine Möglichkeit ist,
durch das Erdreich über RB wieder zum Transformator zurückzugelangen.
Obwohl der Neutralleiter wie der Schutzleiter an der Potentialausgleichs-

schiene auf Erdpotential (Fundamenterde) liegt, weicht sein Potential auf-
grund der Spannungsabfälle der Betriebsströme mit zunehmender Entfer-
nung deutlich vom Erdpotential ab, während der Schutzleiter durch seine
Stromfreiheit auf seiner ganzen Länge Erdpotential besitzen sollte. Letzteres
ist jedoch nur Wunschdenken, da einerseits, insbesondere in großen For-
schungslaboratorien und Instituten, wenigstens ein Experimentator an seiner
Laborschalttafel N und PE verbunden hat (weil sich dies möglicherweise bei
seinem Experiment gerade als störspannungsmindernd erwiesen hat) und an-
dererseits mit zunehmendem EMV-Bewusstsein auch zunehmend Netzent-
störfilter eingesetzt werden, die in ihrer Summe nicht unbeträchtliche Ströme
über PE fließen lassen.
Die von diesen Strömen hervorgerufenen Spannungsabfälle wirken häufig als

Gleichtaktspannungen in Erdschleifen. Man spricht dann auch von "ver-
seuchter Erde". Während eine verseuchte Erde in Messsystemen gewöhnlich
nur Störspannungen hervorruft, können bei komplexen klinischen Unter-
suchungen, die mehrere aus Steckdosen betriebene Geräte mit Netzschutz-
filtern involvieren, unter Umständen auch lebensbedrohliche Situationen für

Patienten entstehen.
Schließlich spielt die Erdung eine große Rolle im Rahmen des Blitzschutzes,
nicht nur von Gebäuden, sondern auch von Antennenmasten, elektrischen
Energieübertragungsleitungen, Hochspannungsfreiluftschaltanlagen etc. In
all diesen Fällen gilt es, den Erdwiderstand so niederohmig wie möglich zu
gestalten, um die vom Blitzstrom bewirkte Potentialanhebung zu begrenzen.
Hierauf wird im Abschn. 3.1.4 noch ausführlich eingegangen.
1.5.2 Masse
Unter Masse versteht man in der elektronischen Schaltungstechnik die ge-

meinsame Referenz, gegen die die Knotenspannungen einer Schaltung ge-
messen werden (Masseleitung, Bezugsleiter, Signalreferenz; engl.: ground
oder circuit common). In einem einfachen Signalkreis ist dies der Rückleiter
schlechthin, in einer elektronischen Schaltung die gemeinsame Rückleitung
für alle Stromkreise, Bild 1.24 a, b.
UB
RC1 RC2 RC3
T3
T2
T1 U2
Ri Ri
U2 Ra U1
RE1 RE2 RE3
U1 RV
Masseleitung Schaltungsmasse
a) b)
Bild 1.24: Zum Begriff Masse in der Elektronik.
Die Masse kann, muss aber nicht Erdpotential besitzen. In der Regel wird sie
jedoch an einer Stelle definiert mit dem Schutzleiter verbunden und damit
auf Erdpotential gebracht. Die Masse der elektronischen Schaltungstechnik
hat die gleiche Funktion wie der Neutralleiter N der elektrischen Energie-
technik. Man könnte ihn mit gutem Gewissen auch als Masse ansprechen. Er
ist der Bezugsleiter für die Knotenspannungen, führt Betriebsströme und ist
an einer Stelle geerdet.
Ob der Masseanschluss in Bild 1.24 b auch noch geerdet wird oder nicht, hat
auf die Funktion der Schaltung zunächst keinen Einfluss (s. a. Bild 1.22).
Wird eine räumlich ausgedehnte Schaltungsmasse jedoch an mehreren Stel-
len geerdet, entsteht eine Erdschleife (s. Bild 1.21). Bei unterschiedlichen
Erdpotentialen können dann Ausgleichsströme fließen und an den Impedan-
zen der Masseleitungen Spannungsabfälle entstehen, die sich den Umlauf-
spannungen der einzelnen Maschen einer Schaltung als Gegentaktstörspan-
nung überlagern. Bei hohen Frequenzen bedarf es nicht einmal einer galva-
nischen Erdverbindung, da bei Flachbaugruppen mit flächenhafter Masselei-
tung Erdschleifen durch deren Erdstreukapazitäten gebildet werden.
Unabhängig von der Komplexität einer Schaltung – einzelne Flachbaugruppe,

mehrere Flachbaugruppen in einem Baugruppenträger, verteilte Elektro-
nikschränke – gibt es zwei topologisch unterschiedliche Realisierungen einer
Schaltungsmasse:
– Zentraler Massepunkt mit oder ohne sternförmige Zuführung (engl.:

single point ground),
– Verteilte Masse bzw. Flächenmasse (engl.: multi point ground).
Bild 1.25 zeigt zwei unterschiedliche Ausführungsformen mit zentralem

Massepunkt.
0V 0V
a) b)
Bild 1.25: Beispiel für zentralen Massepunkt, a) zweckmäßige Ausführung mit stern-
förmiger Zuführung, b) weniger zweckmäßige Masse-Sammelschiene.
Gelegentlich wird die Schutzerde ebenfalls sternförmig mitgeführt (strich-

liert), z. B. für die individuelle Schirmung von Funktionseinheiten, Bild
1.25 b.
Um nicht zu viele parallele Masseleitungen zum Sternpunkt führen zu müs-

sen, fasst man häufig Verbraucher vergleichbaren Leistungsniveaus sowie
analoge und digitale Funktionseinheiten in separaten Gruppen zusammen,
Bild 1.26.
Bild 1.26: Zusammenfassung gleichartiger Funktionseinheiten in Gruppen.
Der zentrale Massepunkt empfiehlt sich für Masseleitungen mit l Masse λ 4 .

Kommt die Länge einer Masseleitung in die Größenordnung der Wellenlän-
ge, strebt ihre Impedanz gegen unendlich. Das Massepotential einer Flach-
baugruppe wird dann nicht mehr vom zentralen Erdpunkt, sondern durch
Streukapazitäten und Gegeninduktivitäten zu benachbarten Leitern be-
stimmt. Man geht dann zur verteilten Masse über, Bild 1.27.
Sub Sub Sub

System System System
I II III
Bild 1.27: Verteilte Masse.
Auf diese Weise erhält man sehr kurze und damit niederinduktive Massezu-
leitungen zur verteilten Masse, die selbst so induktionsarm wie möglich aus-
zuführen ist. Etwaige Spannungsabfälle längs der verteilten Masse hält man
klein durch eine niederinduktive flächenhafte Realisierung, z. B. bei Leiter-
platten durch Masseflächen bzw. bei Multilayer-Platten durch einen eigenen
Massebelag (0V).
Verbleibende Spannungsabfälle längs der verteilten Masse können Ströme

durch kapazitiv geschlossene Erdschleifen (Streukapazität zwischen Flach-
baugruppe und Gehäuse) treiben. Hiergegen kann man einerseits einen

Bypass-Kondensator zwischen die Masse- und die mitgeführte Erdleitung
schalten (s. Bild 1.23) oder die Erdschleifen durch Ferritperlen hochohmig
machen. Bezüglich der Problematik "Erdschleifen" wird auf Kapitel 3.1.3
verwiesen.
1.6 Beschreibung elektromagnetischer Beeinflussungen im Zeit-

und Frequenzbereich
Je nachdem, ob sich elektromagnetische Beeinflussungen vorzugsweise in

Form diskreter Frequenzen, als Rauschen oder als Impulse bzw. transiente
Schaltvorgänge manifestieren, erscheint es zunächst selbstverständlich, sich
mit ersteren im Frequenzbereich, mit letzteren im Zeitbereich auseinander-
zusetzen [1.7 - 1.12]. Da sich jedoch die Übertragungseigenschaften von
Kopplungspfaden und Entstörmitteln bequemer im Frequenzbereich darstel-
len lassen, zieht man auch bei Zeitbereich-Störgrößen meist die Darstellung
im Frequenzbereich vor. Den Übergang vom Zeitbereich in den Frequenz-
bereich leistet für periodische Vorgänge die Fourier-Reihe, für einmalige,
transiente Vorgänge das Fourier-Integral.
1.6.1 Darstellung periodischer Zeitbereichsfunktionen im Frequenz-

bereich durch eine Fourier-Reihe
Sinus- bzw. cosinusförmige Störgrößen (harmonische Vorgänge) lassen sich

sowohl im Zeitbereich als auch im Frequenzbereich unmittelbar darstellen,
Bild 1.28.
u(t) u(ω)
u(t) = u sinωt
u u
t ω ω = 2πf
T
Bild 1.28: Darstellung einer sinusförmigen Störgröße im Zeit- und Frequenzbereich.

1.6 Beschreibung der EMB im Zeit- u. Frequenzbereich 47
Im Frequenzbereich kann man die Störgröße sowohl über der Kreisfrequenz

ω als auch über der technischen Frequenz f = ω / 2π auftragen.
Nichtsinusförmige periodische Funktionen – z. B. eine Sägezahnschwingung,

eine Rechteckspannung oder Ströme von Stromrichtern, die sich bereichs-
weise analytisch beschreiben lassen – können mittelbar im Frequenzbereich
dargestellt werden, und zwar als unendliche Summe von Sinus- und Cosi-
nusschwingungen (Fourier-Reihe). Beispielsweise kann man sich eine un-
symmetrische Rechteckspannung als Überlagerung einer Grundschwingung
u1 der Grundfrequenz f1 = 1 T sowie unendlich vieler Oberschwingungen
un mit Frequenzen nf1 (n = 3,5,7,..) entstanden denken.
Trägt man die Amplituden der Teilschwingungen über der Frequenz auf,
erhält man ein diskretes Linienspektrum, Bild 1.29.
u(t) u1 u(fn)
u1
u3 u3
t
ω1 ω3
T f1 = f3 = fn = nf1
2π 2π
Bild 1.29: Darstellung einer periodischen, nichtsinusförmigen Funktion (z. B. Recht-

eckspannung) als Summe sinusförmiger Spannungen. Zugehöriges Linienspektrum
der Amplituden der Teilschwingungen, aufgetragen über der diskreten Variablen fn.
Die kleinste im Linienspektrum auftretende Frequenz ist die Grundfrequenz

f1 = ω1 / 2π = 1/ T . Die Frequenzen der Oberschwingungen sind ganzzahlige
Vielfache dieser Grundfrequenz, z. B. f3 = 3f1 .
Ob jeweils nur Sinusfunktionen, Cosinusfunktionen oder beide (bzw. unge-

radzahlige und geradzahlige Oberschwingungen) auftreten, hängt davon ab,
ob es sich bei der Zeitbereichsfunktion um eine ungerade, gerade oder belie-
bige Funktion handelt.
Analytisch lässt sich die Fourier-Reihe einer beliebigen Zeitfunktion u(t) auf
verschiedene Arten darstellen.
Normal-Form:
∞
u(t) = U0 + ¦(A
n =1
n cos(nω1 t) + Bn sin(nω1 t))
.
(1-15)
T
2
An = u(t)cos(nω1 t)dt
mit
T ³
0
, (1-16)
T
2
Bn = u(t)sin(nω1t)dt
T ³
0
, (1-17)
T
1
U0 =
T
u(t)dt
³
0
. (1-18)
Die Koeffizienten An und Bn sind die Amplituden der Teilschwingungen. Die

Komponente U0 entspricht dem arithmetischen Mittelwert der Zeitfunktion
(Gleichstromglied).
Da sich Sinusschwingungen durch eine entsprechende Phasenverschiebung

auch als Cosinusschwingungen darstellen lassen – z. B. sin(90° ± ϕ) = ± cos ϕ
– verwendet man an Stelle der Normalform häufig die Betrags/Phasen-Form.
Betrags/Phasen-Form:
∞
u(t) = U0 + ¦U
n =1
n cos(nω1t + ϕn )
(1-19)
Bn
mit Un = A 2n + B2n und ϕn = − arctan (1-20)
An
Un = g n (nω1 ) bezeichnet man als Amplituden-Linienspektrum. Un = nω1 ist
die Größe, die gewöhnlich mit einem Spektrum-Analysator gemessen wird
(s. 7.4). Die Funktion ϕn = g ϕ (nω1 ) bezeichnet man als Phasen-Linienspek-
trum. Letzteres besitzt für die EMV-Technik nur in Ausnahmefällen Bedeu-
tung (im Gegensatz zur Regelungstechnik, z. B. bei Stabilitätsbetrachtungen).
Die Spektralamplituden Un besitzen die Dimension Volt, bei Strömen In die
Dimension Ampere, etc.
Komplexe Form:
Ergänzt man die obigen Gleichungen um einen Imaginärteil und ersetzt die
trigonometrischen Funktionen mit Hilfe der Eulerschen Formel
cos x + jsin x = e jx durch Exponentialfunktionen, erhält man die komplexe
Darstellung,
+∞ ∞
u(t) = U0 + ¦
−∞
Cn e jnω1t = C0 + ¦ (C
n =1
+ne
jnω1t
+ C − n e− jnω1t )
(1-21)
T
1
Cn (nω1 ) = u(t)e− jnω1t dt = Cn e jϕn = Cn e jϕn
mit
T ³
0
(1-22)
n = 0, ± 1, ± 2, ± ...
Da auf der linken Seite der Gleichung (1-21) eine reelle Funktion steht,
müssen auf der rechten Seite negative Frequenzen berücksichtigt werden
(damit sich die Imaginärteile aufheben). Die Berücksichtigung negativer Fre-
quenzen führt zu einem zweiseitigen Spektrum, Bild 1.30.
|Cn| ϕn
-nω1 -2ω1 -ω1 +ω1 +2ω1 +nω1 -nω1 +nω1
Bild 1.30: Amplituden- und Phasenspektrum der komplexen Fourier-Reihe.
Die identischen Realteile der beiden Terme hinter dem Summenzeichen (für
positive und negative Frequenzen ±nω1 ) addieren sich zur physikalisch mess-
baren Amplitude Un. Ein Koeffizientenvergleich mit der Cosinus-Form ergibt
C+ n + C−n = Un und C0 = U 0 .
Cn ist nicht identisch mit der komplexen Amplitude einer Wechselspannung

der jeweiligen Frequenz nω1 . Während bei letzterer eine reelle Spannung
u(t) als Realteil eines komplexen Zeigers erhalten wird, u(t) = Re Ue jωt , { }
ergibt sich bei der komplexen Fourier-Reihe eine reelle Spannung u(t) jeweils
als Überlagerung zweier gegensinnig umlaufender komplexer Zeiger, deren
Realteile sich zur physikalischen Amplitude addieren und deren Imaginär-
teile sich laufend gegenseitig aufheben.
In der EMV-Technik verwendet man statt des zweiseitigen mathematischen

Spektrums, ausgedrückt durch Cn = g( ±nω) , meist das einseitige physi-
kalische Spektrum 2 C + n = g( +nω) für ausschließlich positive n, dessen
Amplituden sich um den Faktor 2 von den Amplituden des zweiseitigen
Spektrums unterscheiden. Die Amplituden des einseitigen Spektrums sind
messbar, sie stimmen mit den Koeffizienten der reellen Cosinus-Form über-
ein bzw. entsprechen den Realteilen komplexer Wechselstromzeiger gleicher
Frequenz.
Unter Berücksichtigung obiger Überlegungen ist die Fourier-Reihe mit der

komplexen Wechselstromrechnung sowie mit physikalischen Messungen
kompatibel.
Abschließend zeigt Bild 1.31 zwei periodische Rechteckspannungen gleicher

Grundfrequenz, jedoch unterschiedlichen Tastverhältnisses, sowie die zuge-
hörigen Linienspektren (ohne Gleichstromglied).
u(t) u(t)
τ τ
u u
T t T t
|U(nf1)| 1 |U(nf1)|
f
Δf = f1
f1=1T fn=nf1 f f
f1= 1T fn=nf1
1 1
τ si τ si
f1 f2
Bild 1.31: Linienspektren zweier periodischer Rechteckspannungen mit unterschied-

lichem Tastverhältnis (1:2). Einhüllende der Spektralamplituden: si-Funktion, Ein-
hüllende der si-Funktion: Funktion 1/f.
Man stellt folgendes fest:
– Die kleinste auftretende Frequenz f1 ist jeweils die Grundfrequenz. Sie

entspricht dem Kehrwert der Periodendauer,
1
f1 =
T
. (1-23)
– Die Amplituden der Oberschwingungen treten in konstantem Abstand
Δf = f1 = 1/ T auf, das heißt bei ganzzahligen Vielfachen der Grund-
frequenz,
fn = nf1
. (1-24)
– Aus der reellen Fourierdarstellung einer Rechteckimpulsfolge gemäß Bild
1.31,
ª 1 º
∞
τ« 2n πτ § 2nπτ § 2nπτ · ·»
u(t) = uˆ «1 + 2
T« ¦
n =1
T ©
¨ sin
T
cos(nω1t) + ¨1 − cos
© T ¹
¸ sin(nω1 t) ¸ » (1-25)
¹»
¬ ¼,
erhält man die Koeffizienten (Spektralamplituden) der Fourierreihe (ohne

Gleichstromglied) zu
nπt
sin
τ T
Un = 2uˆ . (1-26)
T nπt
T
Die Einhüllende der Spektralamplituden folgt demnach einer si-Funktion

(sinx/x), wobei bei der grafischen Darstellung meist der Betrag der si-Funk-
tion bzw. der Koeffizienten gezeichnet wird.
Die erste Nullstelle der si-Funktion liegt beim Kehrwert der Impulsdauer τ
1
f1si =
τ
. (1-27)
Die weiteren Nullstellen folgen im Abstand nf1si .

In praxi erscheinen die Nullstellen nicht so ausgeprägt wie in Bild 1.31, da

durch unvermeidliche Unsymmetrien (z. B. exponentieller Anstieg und Abfall
von Rechteckimpulsen) die Nullstellen verschliffen werden.
– Der konstante Faktor der si-Funktion

τ
2uˆ
T
ist bei gleicher Periode nicht der Impulsamplitude û , sondern der Im-
pulsfläche ûτ , proportional. So kann ein hoher schmaler Impuls bei
niedrigen Frequenzen das gleiche Spektrum aufweisen wie ein niedriger
breiter Impuls. Im obigen Beispiel besitzen daher die Spektralamplituden
wegen der um 50% kleineren Impulsfläche nur den halben Wert.
– Die Einhüllende der Amplituden der si-Funktion ist die Funktion 1/x. Für
einen Rechteckimpuls mit unendlich großer Periodendauer T rücken die
Spektrallinien und die Maxima der si-Funktion unendlich dicht zu-
sammen. Man erhält das bekannte Spektrum 1/f der Sprungfunktion.
Ähnliche Betrachtungen lassen sich auch für weitere Impulsformen mit an-
deren Einhüllenden anstellen, beispielsweise für Dreiecksimpulse, deren
Einhüllende der si2-Funktion folgt (s. a. Abschn. 1.6.3).
1.6.2 Darstellung nicht periodischer Zeitbereichsfunktionen im Fre-

quenzbereich – Fourier-Integral
Die Fourier-Reihe erlaubt nur die Darstellung periodischer Zeitbereichs-

funktionen im Frequenzbereich. Vielfach hat man es jedoch mit nichtperi-
odischen Funktionen zu tun, z. B. Schaltvorgängen, Blitzen oder elektrostati-
schen Entladungen (ESD, engl.: Electro-Static Discharge) etc. In diesen Fäl-
len lässt man die Periode T gegen unendlich streben und betrachtet den
Grenzwert der Fourier-Reihe.
Wir gehen aus von der komplexen Fourier-Reihe für periodische nichtkausa-
le Funktionen (Integrationsgrenzen –T/2 und +T/2),
+∞ +∞ ª 1 +T / 2 º
u(t)per. = ¦ Cn e jnω1t = ¦ u(t)e jnω1t dt » e jnω1t
−∞ −∞
«
«T ³
¬ −T / 2
»
¼
. (1-28)
Da im Linienspektrum der Fourierreihe der Abstand der Spektrallinien

1
Δf = Δω / 2π = f1 =
T
entspricht, kann man auch schreiben
1
+∞ ª +T / 2 º
u(t)per. = ¦ « Δω u(t)e− jnω1t dt » e jnω1t
2π −∞
«
¬ −T / 2
³ »
¼
. (1-29)
Gemäß der Riemannschen Integraldefinition,
b nk
³ f(ω)dω = lim
Δω→0 ¦ f(nΔω)Δω
ni
, (1-30)
a
gehen für T → ∞ , das heißt Δf → 0
– der inkrementale Spektrallinienabstand Δω hinter dem Summenzeichen

in den infinitesimalen Abstand dω ,
– die diskrete Variable nΔω in die stetige Variable ω und
– die Summe in ein Integral über.
Damit erhält man die Fourierdarstellung einer nichtperiodischen Funktion

u(t)nichtper. .
+∞ § +∞ ·
1 ¨ u(t)e− jωt dt ¸ e jωt dω
u(t)nichtper. = lim u(t)per. =
T →∞
Δω→0
2π ³ ³
¨
−∞ © −∞
¸
¹
. (1-31)

X(ω)
Den Term
+∞
− jωt
X(ω) =
³ u(t)e
−∞
dt
(1-32)
nennt man Fourier-Transformierte, Spektralfunktion oder auch Spektraldichte

von u(t), und X(ω) die Amplitudendichte.
Mit der Abkürzung X(ω) ergibt sich die Fourierdarstellung einer nichtperi-
odischen Funktion u(t) zu
+∞
1 jωt
u(t) =
2π
−∞
³ X(ω)e dω
. (1-33)
Die Fourier-Transformierte und ihre Umkehrung sind also bis auf den Faktor
1/ 2π invers.
Der Name Spektraldichte rührt daher, dass die Spektralfunktion X(ω) mit
dem auf den Frequenzabstand bezogenen Linienspektrum Cn identisch ist.
Mit T = 1/ Δf = 2π / Δω erhält man zunächst
+T / 2
C n = Δf u(t)e− jnω1t dt
³
−T / 2
. (1-34)
Bezieht man die Amplituden Cn auf Δf und bildet den Grenzwert für
T → ∞ (bzw. Δf → 0 ) erhält man
+∞
C − jωt
lim n = dt = X(ω) ,
T →∞ Δf
Δf →0 −∞
³ u(t)e (1-35)
mit anderen Worten die Spektraldichte.
Besitzt Cn beispielsweise die Dimension Volt, so besitzt die Spektraldichte

X(ω) des vergleichbaren einmaligen Vorgangs die Dimension Volt/Hertz
bzw. Voltsekunde.
Offensichtlich lassen sich nichtperiodische Vorgänge ebenfalls als Überlage-

rung von Sinus- bzw. Cosinusschwingungen darstellen. Im Unterschied zu
periodischen Vorgängen sind hier jedoch alle Frequenzen von −∞ bis +∞
mit den infinitesimalen Amplituden X(ω) df beteiligt. Da sich bei einmaligen
Vorgängen die in einem Impuls enthaltene endliche Energie auf unendlich
viele Frequenzen verteilt, stößt man bei der Frage nach der Amplitude einer
einzelnen Frequenzlinie sofort auf das Problem, dass diese wohl unendlich
klein sein muss. Um dieser Schwierigkeit aus dem Weg zu gehen, bezieht
man die Impulsenergie auf die Frequenz und gelangt so zur Spektraldichte,
deren Grenzwert für Δf → 0 endlich bleibt und gerade der Fourier-Trans-
formierten entspricht. Umgekehrt besitzt dann die Fourier-Transformierte
einer echt monochromatischen Sinusschwingung eine unendlich hohe Am-
plitudendichte, weil sich dann die Signalenergie auf eine einzige Frequenz
mit der Linienbreite Δf = 0 verteilt (Dirac-Impuls). Analytisch drückt sich
dies dadurch aus, dass das Fourier-Integral einer Sinusfunktion nicht konver-
giert. Physik und Mathematik verlaufen hier, wie auch sonst, in einträchtiger
Harmonie. Die obigen Zusammenhänge erhellen die Tatsache, dass die An-
zeige eines Störspannungs- oder Teilentladungsmessgeräts von seiner ZF-
Bandbreite Δf abhängt. Je größer die Bandbreite, desto größer der angezeigte
Wert (s. a. Abschn. 7.4).
Trägt man in Anlehnung an das Linienspektrum periodischer Funktionen

den Betrag der Spektraldichte über der Frequenz auf, erhält man das konti-
nuierliche Amplitudendichtespektrum eines nichtperiodischen Vorgangs.
Aus der Fourierdarstellung eines Rechteckimpulses der Dauer τ und Ampli-
tude û
+∞
1 sin(ωt / 2) jωt
u(t) =
2π ³ uˆτ
−∞
ωt / 2
e dω , (1-36)
erhält man beispielsweise die „physikalische“ Amplitudendichte ( 2 X =

Messwert, s. Abschn. 1.6.1) zu
sin πfτ
U(f) = 2uˆ τ . (1-37)
πfτ
Rechteckimpuls und zugehörige Amplitudendichte zeigt Bild 1.32
100
u(t) 80
60
40
u τ
20
t 0.01 0.1 1
Frequenz in MHz
a) b)
Bild 1.32: a) Einmaliger Rechteckimpuls, b) physikalische Amplitudendichte.
Offensichtlich ist auch das kontinuierliche Spektrum eines einzelnen Recht-

eckimpulses eine si-Funktion (sinx/x). Die Nullstellen dieser Funktion sind
wiederum identisch mit dem Kehrwert der Impulsdauer. Bei niedrigen Fre-
quenzen stimmt die Sinusfunktion mit ihrem Argument überein, so dass der
Anfangswert des Spektrums der doppelten Impulsfläche 2utˆ proportional ist.
Für die Frequenzachse wählt man häufig einen logarithmischen Maßstab,
wodurch die Nullstellen der si-Funktion nicht mehr äquidistant verteilt sind,
sondern mit wachsender Frequenz dichter zusammenrücken.
1.6.3 EMV-Tafel
Die Ausbreitung transienter Störungen, ihre Dämpfung längs des Ausbrei-

tungswegs sowie ihre beeinflussende Wirkung an verschiedenen Stellen eines
gestörten Systems lassen sich unmittelbar im Zeitbereich durch Differential-
gleichungen beschreiben. In der Regel gestaltet sich jedoch die Behandlung
im Frequenzbereich einfacher. Weil selbst im Frequenzbereich eine analyti-
sche Lösung noch vergleichsweise aufwendig ist, bedient man sich in der
Praxis häufig der sogenannten EMV-Tafel, die als graphische Realisierung
einer Fourier-Transformation gesehen werden kann[1.13 - 1.16].
Die EMV-Tafel leistet
– die graphische Bestimmung der Einhüllenden (worst-case) der Ampli-

tudendichte eines gegebenen Standardstörimpulses (Graphische Transfor-
mation „Zeitbereich → Frequenzbereich“),
– die Synthese einer störäquivalenten Impulsform aus einem gegebenen
Störspektrum (Graphische Rücktransformation „Frequenzbereich → Zeit-
bereich“),
– die Berücksichtigung der frequenzabhängigen Übertragungseigenschaften
von Kopplungspfaden, Entstörmitteln etc.
Im Folgenden werden diese Aspekte näher betrachtet.
1.6.3.1 Übergang vom Zeitbereich in den Frequenzbereich
Mit Hilfe der Fourier-Transformation ergibt sich für einen einzelnen

Trapezimpuls gemäß Bild 1.33
τr
u
τ
Bild 1.33: Trapezimpuls.
die physikalische Amplitudendichte zu
sin( πfτ) sin( πfτr )

U(f) = 2uˆ τ
πfτ πfτr
. (1-38)
Für τr = 0 repräsentiert der Trapezimpuls einen Rechteckimpuls, für τ = τr

einen Dreieckimpuls. Der Trapezimpuls deckt somit generisch einen Großteil
in der Praxis auftretender Störimpulse ab.
Unsere worst-case Betrachtung beruht auf einer Approximation der Einhül-

lenden der Amplitudendichte eines Trapezimpulses durch drei Geraden-
stücke, Bild 1.34.
u(f)dB
(2 uτ)dB
1 1 log f
fu =πτ f0 = πτ
r
Bild 1.34: Einhüllende der physikalischen Amplitudendichte eines Trapezimpulses

(Geradenapproximation), fu untere, f0 obere Eckfrequenz.
a) Niedrige Frequenzen, f < fu
Bei niedrigen Frequenzen ist die Sinusfunktion näherungsweise gleich ihrem

Argument, so dass sich die Einhüllende als Parallele zur Abszisse erweist.
U(f) = 2uˆ τ = const f

. (1-39)
Die Amplitudendichte hängt ausschließlich von der Impulsfläche, nicht von

der Impulsform, Amplitude oder der jeweils betrachteten Frequenz ab.
In Pegelmaßen erhalten wir
2uˆ τ
u(f)dB ≈ 20 lg dB
1 μVs . (1-40)
1 1
b) Mittelfrequenzbereich, ≤f≤
πτ πτr
Wir setzen den Zähler sin( πfτ) = 1 (worst-case) sowie den Quotienten
sin(πfτr )/ πfτr wegen sin x ≈ x ebenfalls gleich 1 und erhalten:
1
U(f) ≈ 2uˆ τ = 2uˆ / πf
πfτ
. (1-41)
Die Amplitudendichte ist proportional 1/f und fällt daher geradlinig mit
20dB/Dekade ab.
2uˆ / πf
u(f)dB ≈ 20 lg dB . (1-42)
1 μVs
c) Hohe Frequenzen, f ≥ f0
Wir setzen sowohl sin(πfτ) = 1 als auch sin(πfτr ) = 1 (worst-case) und er-
halten
1 1
U(f) ≈ 2uˆ τ , (1-43)
πfτ πfτr
bzw.
2uˆ
U(f) ≈ 2 2
π f τr . (1-44)
Die Amplitudendichte ist proportional 1/ f 2 und fällt daher geradlinig mit

40dB/Dekade ab.
2uˆ
u(f)dB ≈ 20 lg 2 2
dB . (1-45)
π f τr μVs
Für beliebige Trapez-, Rechteck- und Dreieckimpulse, gekennzeichnet durch

û , τ und τr , lässt sich mit obigen Gleichungen die Einhüllende ihrer Ampli-
tudendichte in doppelt logarithmischem Maßstab darstellen, Bild 1.35.
u(f)dB
(2 uτ)dB
1 1 log f
fu =πτ f0 = πτ
r
Bild 1.35: Amplitudendichten für Trapez-, Rechteck und Dreieckimpulse (schema-

tisch). Für letztere gilt fu = f0 .
Die Eckfrequenzen ergeben sich durch Gleichsetzen der Funktionswerte in

den Schnittpunkten der Geradenstücke.
Die erste Eckfrequenz folgt aus
! 2uˆ 1
2uˆ τ = zu fu =
πfu πτ
. (1-46)
Die zweite Eckfrequenz folgt aus
2uˆ ! 2uˆ 1
= zu f0 =
πf0 π2 f02 τr πτr
. (1-47)
1.6.3.2 Rückkehr vom Frequenzbereich in den Zeitbereich
Ein gegebenes Spektrum wird durch drei geeignete Geradenstücke approxi-

miert, wobei sich die Verwendung doppelt logarithmischen Papiers mit vor-
gezeichneten 20dB und 40dB Parallelenscharen als sehr zweckmäßig erweist,
Bild 1.36.
Bild 1.36: EMV-Tafel Die eingezeichnete Amplitudendichte entspricht gemessenen

Werten im angepassten Betrieb, das heißt es handelt sich um das physikalische
Spektrum geteilt durch 2, was dem rechnerischen Spektrum entspricht.
Die gesuchten Kenngrößen uˆ τ, u,

ˆ uˆ / τr , τ, τr erhält man durch Bildung der
Umkehrfunktion der in Abschn. 1.6.3.1 ermittelten Geradengleichungen in
Pegelmaßen.
Impulsfläche ûτ :
u(f )dB
μVs
Aus (1-40) folgt ûτ = 10 20
2
. (1-48)
Für u(f)dB ist der Abstand der parallelen Geraden zur Abszisse einzusetzen.
Impulsamplitude û :
u(fu )dB
π
Aus (1-42) folgt û = 10 20 fu ⋅ 10−6 V
2
. (1-49)
Für u(fu )dB ist der Pegel bei der unteren Eckfrequenz zu nehmen.
Flankensteilheit û / τr :
u(f0 )dB
uˆ π2 f02
Aus (1-45) folgt = 10 20 ⋅ 10−6 V s
τr 2
. (1-50)
Für u(f0 )dB ist der Pegel der oberen Eckfrequenz zu nehmen. Für Rechteck-
und Dreieckimpulse gilt fu = f0 .
Impulsdauer τ und Anstiegszeit τr (0 % auf 100 %) :
Beide Größen berechnet man aus den Eckfrequenzen,
1 1
τ= τr =
πfu πf0 . (1-51)
Für das in Bild 1.34 angenommene Spektrum eines Dreieckimpulses erhält

man mit einem Taschenrechner folgende Kenngrößen:
60
μVs
Impulsfläche ûτ = 10 20 = 500 μVs
2
60
π
Impulsamplitude û = 10 20 fu 10−6 V = 1570 V
2
60
π2 2 −6
Flankensteilheit û / τr = 10 20 f0 10 V / s = 4,9 V / ns
2
Impulsdauer τ = 1/ πfu = 0, 318μs
Anstiegszeit τr = 1/ πf0 = 0, 31 μs
(0 auf 100 %)
1.6.3.3 Berücksichtigung des Übertragungswegs
Die Systemtheorie lehrt, dass sich die Fourier-Transformierte der Ausgangs-

größe eines Systems durch Multiplikation der Fourier-Transformierten der
Eingangsgröße mit der Systemfunktion A(jω) erhalten lässt,
F2 (jω) = F1 (jω)A (jω)

. (1-52)
Multipliziert man daher die Amplitudendichte FQ (jω) einer Störquelle mit

dem Frequenzgang A K (jω) des Kopplungspfads und weiter mit dem Fre-
quenzgang A E (jω) des gestörten Empfängers, so erhält man die störende
Amplitudendichte am Empfängerausgang zu
FE (jω) = FQ (jω)A K (jω)A E (jω)

. (1-53)
Im logarithmischen Maßstab entspricht die Multiplikation einer Addition.

Addiert man daher zur Amplitudendichte einer Eingangsstörgröße den Am-
plitudenfrequenzgang des Übertragungswegs, z. B. die Dämpfungskurve eines
Entstörfilters, so erhält man die Amplitudendichte der Störgröße nach dem
Filter, gegebenenfalls nach graphischer Rücktransformation gemäß 1.6.3.2
auch deren näherungsweisen, zeitlichen Verlauf. Auf diese Weise lassen sich
anhand gemessener Störspektren die erforderlichen Entstörfilter, Schirme,
Prüfimpulse zur Simulation etc. festlegen.
2 Störquellen
Quellen elektromagnetischer Beeinflussungen können natürlichen Ursprungs

(Atmosphäre, Kosmos, Wärmerauschen etc.) oder „man made“ sein. Erstere
müssen wir als naturgegeben hinnehmen, letztere lassen sich durch diszipli-
nierte Nutzung des elektromagnetischen Spektrums und lokale Eingrenzung
unbeabsichtigt erzeugter elektromagnetischer Energie erträglich (verträglich)
machen.
Die Quellen elektromagnetischer Beeinflussungen sind im gesamten Spek-

trum der elektromagnetischen Schwingungen anzutreffen. Beginnend mit der
Frequenz 0 Hz, z. B. elektrostatische und magnetostatische Fremdfeldein-
flüsse auf Zeigerinstrumente, Oszilloskopröhren und Messbrücken, über
50 Hz-Brumm und die Beeinflussung durch Energieübertragungsnetze, ELF-
Kommunikationssysteme (engl.: Extra Low Frequency), Rundfunk- und
Fernsehsender, Elektromedizin und Funknavigation erstrecken sich die
Störquellen bis hin zur Radartechnik, zu Mikrowellenherden und Kos-
mischen Quellen. Hinzu kommen die zahllosen Schaltvorgänge in elek-
trischen Stromkreisen aller Art, deren breitbandige HF-Emissionen weite
Bereiche des Spektrums überstreichen. Abhängig davon, ob elektroma-
gnetische Beeinflussungen inhärent im Rahmen der gezielten Erzeugung und
Anwendung elektromagnetischer Wellen entstehen oder ob sie parasitärer
Natur sind und mit der primären Funktion der Quelle wenig gemein haben,
unterscheidet man zwischen funktionalen Quellen (engl.: intentional
sources) und nicht funktionalen Quellen (engl.: unintentional, incidental
sources).
– Funktionale Quellen: Zu dieser Gruppe zählen vorrangig Kommunika-

tionssender, die bewusst elektromagnetische Wellen mit dem Ziel der In-
formationsverbreitung über Sendeantennen in die Umwelt abstrahlen.
Weiter gehören hierher auch alle Sender, die elektromagnetische Wellen

64 2 Störquellen
für nichtkommunikative Zwecke erzeugen, z. B. HF-Generatoren für in-

dustrielle oder medizinische Anwendungen, Mikrowellenherde, Garagen-
toröffner etc.
– Nichtfunktionale Quellen: Hierzu zählen alle Quellen, bei denen das
Aussenden von Feldern und/oder Wellen ein unbeabsichtgter, parasitärer
Begleiteffekt ist, beispielsweise KFZ-Zündanlagen, Leuchtstofflampen,
Schweißeinrichtungen, Relais- und Schützspulen, Elektrische Bahnen,
Stromrichter, Koronaentladungen und Schalthandlungen in Hoch-
spannungsnetzen, Schaltkontakte (auch kontaktlose Halbleiterschalter),
stromführende Leiterbahnen und Komponenten elektronischer Bau-
gruppen, Nebensprechen, atmosphärische Entladungen, elektrostatische
Entladungen, schnellveränderliche Spannungen und Ströme in Labora-
torien der Hochspannungstechnik, Plasmaphysik und Pulse Power
Technologie, usw.
Während sich die Wahrung der elektromagnetischen Verträglichkeit funktio-

naler Quellen vergleichsweise einfach gestaltet – weil ihre Natur als Sender
meist offenkundig ist und ihr von Anfang an Rechnung getragen werden
kann – erweisen sich in der EMV-Praxis vorrangig die nichtfunktionalen
Störer als problematisch. Ihre Existenz offenbart sich meist erst als letzte
Erklärung für das unerwartete Fehlverhalten eines Empfangssystems. Die
Identifikation nichtfunktionaler Störquellen stellt daher einen Schwerpunkt
bei der Lösung von EMV-Problemen dar. Sind die Störquellen und ihr
Koppelmechanismus erst erkannt, erweist sich die Wahrung elektromagne-
tischer Verträglichkeit meist vergleichsweise einfach.
Die nachstehenden Unterkapitel verfolgen das Ziel, beispielhaft die Vielfalt

an Störquellen aufzuzeigen und die Sinne für die Identifikation potentieller
Störer zu schärfen. Dass die nachstehende Aufzählung nicht vollständig sein
kann, versteht sich von selbst. Bei funktionalen Quellen wird auf die Angabe
von Störintensitäten verzichtet, da diese in der Betriebserlaubnis über die
Sendeleistung genau festgelegt sind. Bei nicht Übertragungszwecken dienen-
den Sendern müssen die Emissionen unterhalb bekannter Grenzwerte liegen,
die durch einschlägige Vorschriften festgelegt sind (s. Abschn. 1.2.4).
Zur vereinfachten standardisierten Beschreibung von Störumgebungen hat

man für bestimmte Geräte und deren Einsatzort Störumgebungsklassen im
Industriebereich und Haushalt definiert, die den typischen Emissionspegeln
der im Folgenden behandelten Störquellen entsprechen (s. Abschn. 2.5). In
anderen Industriebereichen, wie beispielsweise der Luftfahrtindustrie bilden
der Einbauort im Flugzeug und die Installation den Rahmen der Umge-
2 Störquellen 65
bungsklasse und geben damit die zugehörigen Emissionsgrenzwerte und

Störfestigkeitsanforderungen vor. Darüber hinaus wird auf weiterführende
Literatur am Ende dieses Buchs verwiesen.
2.1 Klassifizierung von Störquellen
Quellen elektromagnetischer Energie klassifiziert man vorzugsweise nach

ihrem Erscheinungsbild im Frequenzbereich, also nach dem von ihnen
emittierten hochfrequenten Spektrum. Man unterscheidet zwischen schmal-
und breitbandigen Quellen. Ein Signal gilt als breitbandig, wenn sich sein
Spektrum über eine größere Bandbreite als die eines bestimmten Empfangs-
systems erstreckt (s. a. Abschn. 7.4.1). Es wird als schmalbandig bezeichnet,
wenn sich sein Spektrum (Spektrallinienbreite) über eine geringere Band-
breite als die des Empfängers erstreckt, Bild 2.1.
Elektromagnetische
Umwelt
Schmalbandige Quellen Breitbandige Quellen

I I
f f
Rauschstörer Transiente Störer
Bild 2.1: Einteilung von Sendern elektromagnetischer Energie in schmal- und breit-
bandige Quellen.
Schmalbandige Störquellen sind „man made“, beispielsweise Funksender, die

auf der ihnen zugewiesenen Frequenz mehr Leistung abstrahlen als zulässig
66 2 Störquellen
(z. B. CB-Funk Nachbrenner), weiter durch Nichtlinearitäten von Sender-

bauelementen erzeugte Oberschwingungen, Leckstrahlung medizinischer
und industrieller HF-Generatoren oder schlicht das öffentliche Stromnetz.
Sie werden üblicherweise durch Angabe ihrer Amplitude oder ihres Effektiv-
werts bei der jeweiligen Frequenz charakterisiert (Linienspektrum).
Breitbandige Störquellen zeichnen sich durch ein Spektrum mit sehr dicht
oder gar unendlich dicht beieinander liegenden Spektrallinien aus (kontinu-
ierliches Spektrum, sog. Amplitudendichte, s. Abschn. 1.6.2). Typische Ver-
treter sind natürliche Störquellen (z. B. kosmisches Rauschen) sowie alle
nichtperiodischen Schaltvorgänge.
Es erweist sich als zweckmäßig, breitbandige Störer nochmals in intermittie-

rende oder Rauschstörer und transiente Störer zu unterteilen. Intermittieren-
de bzw. Rauschstörungen bestehen aus vielen dicht benachbarten bzw. sich
überlappenden Impulsen unterschiedlicher Höhe, die sich nicht einzeln auf-
lösen lassen. Transiente Störungen sind deutlich voneinander unterscheidbar
und besitzen eine vergleichsweise kleine Wiederholrate, z. B. Schaltvorgänge
bzw. Impulse. Breitbandige Störungen können statistisch verteilt sein, z. B.
Korona auf Freileitungen, periodisch sein, z. B. Phasenanschnittschaltungen
(Thyristorsteller) oder nichtperiodisch sein, z. B. Ausschalten einer Relais-
spule.
Bezüglich nichtperiodischer Störungen unterscheiden sich die klassische

elektromagnetische Verträglichkeit, deren Hauptanliegen die Kontrolle von
Funkstörungen war, und die moderne Interpretation elektromagnetischer
Verträglichkeit beträchtlich. Während nämlich bei ersterer einzelne trans-
iente Störimpulse, das heißt einmalige oder mit sehr geringer Wiederholrate
sich wiederholende Knackstörungen (engl.: click) durchaus toleriert werden
können (s. 7.1), vermag u. U. ein einziger Störimpuls in der Prozessleittechnik
zu kostenintensiven Stillstandszeiten oder in der Luft- und Raumfahrt zu
schwerwiegenden Folgen zu führen.
Periodische nichtsinusförmige Störquellen, z. B. Netzrückwirkungen von

Stromrichtern mit ihrem Linienspektrum von Oberschwingungen, zählen je
nach Empfängerbandbreite zu den schmal- oder breitbandigen Störern, je
nachdem, ob eine oder mehrere Spektrallinien innerhalb der Empfänger-
bandbreite liegen.
Im Hinblick auf die Wirkung breitbandiger Signale auf einen Empfänger

müssen diese noch nach ihrer Kohärenz unterschieden werden. Bei kohä-
2.1 Klassifizierung von Störquellen 67
renten Breitbandsignalen, deren Spektralanteile bezüglich Amplitude und

Phase in einem festen Verhältnis zueinander stehen, ist die Reaktion des
Empfängers proportional zu seiner Bandbreite für kohärente Signale. Bei
inkohärenten Signalen, deren Spektralanteile sich willkürlich verhalten,
nimmt die Reaktion des Empfängers mit der Wurzel seiner Bandbreite zu.
Bei schmalbandigen Signalen erübrigt sich obige Unterscheidung. Solange

das Signalspektrum deutlich innerhalb der Empfängerbandbreite liegt, bleibt
die Reaktion des Empfängers konstant.
Vielfach sind Breitbandstörungen zunächst nur als Zeitfunktion, beispiels-

weise als Oszillogramm bekannt, das die Störwirkung im Frequenzbereich
nicht unmittelbar erkennen lässt. Mit Hilfe einer Fourierzerlegung können
die Zeitfunktionen jedoch in den Frequenzbereich überführt werden. In der
Praxis bedient man sich hierzu meist der EMV-Tafel (s. Abschn. 1.6.3.2).
Rauschstörer (Schnee auf einem TV-Bildschirm, kosmisches Rauschen etc.)

lassen sich nicht deterministisch durch analytische Zeitbereichsfunktionen
beschreiben. Sie manifestieren sich als Ergebnis sehr vieler nicht individuell
erfassbarer Einzelereignisse. In ihrer Gesamtheit folgen Rauschstörer be-
stimmten statistischen Gesetzmäßigkeiten, die in gewissem Umfang Aus-
sagen über ihr statistisches Verhalten zulassen.
Schließlich sei erwähnt, dass die Einteilung von Störquellen in obiges Sche-
ma gelegentlich durchaus verhandlungsfähig ist. So sind die Zündfunken
eines Kraftfahrzeugs zeitweise periodische, mit großer Häufigkeit aufein-
ander folgende transiente Vorgänge, die Gesamtheit aller KFZ-Zündfunken
an einer stark befahrenen Kreuzung aber eher eine dem Rauschen ähnliche
intermittierende Störung usw.
2.2 Schmalbandige Störquellen
2.2.1 Kommunikationssender
Starke Kommunikationssender erzeugen zum Zweck der Informations-

übertragung oder -gewinnung bewusst elektromagnetische Energie und
strahlen diese in kontrollierter Weise in die Umwelt ab (funktionale Sender).
Sie lassen sich grob in sechs Gruppen einteilen, Bild 2.2.
68 2 Störquellen
Kommunikationssender
Drahtlose Kommerzielle
Daten- Sender Sprechfunk Richtfunk Navigation Radar
übertragung
WLAN AM-Rundfunk Luftverkehr Satellitenfunk Luftverkehr Luftverkehr
Bluetooth FM-Rundfunk Seefahrt Erdrelais- Seefahrt Seefahrt
WiMAX VHF-Rundfunk Mobilfunk stationen Funkfeuer Verkehrsradar
ZigBee UHF-Rundfunk Polizeifunk LORAN Luftüber-
RFID CB-Funk (Long-range wachung
Amateurfunk navigation)
Industrie-
sprechfunk
Bild 2.2: Einteilung von Kommunikationssendern. Die erste Gruppe umfasst leis-
tungsarme Sender zur digitalen Datenübertragung. Oft fasst man die dritte und vierte
Gruppe zu den Punkt-zu-Punkt Verbindungen (stationär oder mobil), die fünfte und
sechste Gruppe in der Hochfrequenzmesstechnik zusammen.
Bei den drahtlosen Datenübertragungstechnologien für Datennetze (WLAN,

engl.: wireless local area network) und Radiofrequenz-Identifikation (RFID,
engl.: radio-frequency identification) handelt es sich meist um relativ leis-
tungsschwache Sender mit wenigen hundert Milliwatt bei unterschiedlichen
Nutzfrequenzen. Dort ist meist nur in deren Nahbereich mit Beeinflussungen
zu rechnen [2.173]. Dagegen bilden leistungsstarke Sender, beispielsweise
Radaranlagen oder Kurzwellensender, ein hohes Störpotential auch für ent-
fernte Systeme.
Die erlaubten Sendeleistungen bei den jeweiligen Sendefrequenzen sind je

nach regionaler Lage, Sendezeiten und gerichteter Abstrahlung einvernehm-
lich mit der „International Telecommunication Union (ITU)“ bzw. den sich
ihr freiwillig unterordnenden nationalen Gremien für das Spektrum-Mana-
gement festgelegt (s. Kap. 12).
Bei auf gleicher Frequenz arbeitenden Kommunikationssendern beruht die

elektromagnetische Verträglichkeit auf ihrer räumlichen Trennung bzw. ihrer
begrenzten Reichweite, beispielsweise bei den Funkzellen des Mobilfunks
(engl.: cellular phone). Außerdem bilden Übertragungsprotkolle, Modula-
tions- und Kodierverfahren sowie Verschlüsselungen gerade bei digitalen
Funksystemen eine weitere Möglichkeit in begrenztem Rahmen gleiche
Nutzfrequenzen mit unterschiedlichen Funkdiensten zu belegen. Dabei sei
zu erwähnen, das gerade Modulationsverfahren einen wesentlichen Anteil
2.2 Schmalbandige Störquellen 69
des Beeinflussungspotentials darstellen. Gepulste Signale oder amplituden-

modulierte Signale stellen meist ein größeres Beeinflussungspotential dar als
phasen- oder frequenzmodulierte Signale.
Zur Aufrechterhaltung der im internationalen Einvernehmen zustande

gekommenen verträglichen Nutzung des Spektrums bedarf die Inbetrieb-
nahme eines neuen Senders einer behördlichen Genehmigung, die erst nach
Überprüfung bzw. Nachweis seiner Verträglichkeit erteilt werden kann [1.3].
Funküberwachungssysteme der Bundesnetzagentur überwachen die Ein-
haltung der technischen Spezifikationen der Sender, decken Schwarzsender
und Funkstörungen auf etc.
Das Vorliegen einer behördlichen Betriebserlaubnis hindert Kommunika-

tionssender nicht, als massive Störer aufzutreten, wenn empfindliche Emp-
fängersysteme in ihrer unmittelbaren Nachbarschaft betrieben werden sollen.
Umgekehrt darf nicht verwundern, wenn Automatisierungssysteme fehler-
haft agieren, falls ihnen ein zugelassenes Sprechfunkgerät zu nahe kommt.
Aus diesem Grund wird in unmittelbarer Nähe von Prozessleit- und Energie-
Management-Systemen häufig auf den Betrieb von Sprechfunkgeräten ver-
zichtet.
Emissionen von Kommunikationssendern sind in der Regel schmalbandig

und bestehen meist aus einer Trägerfrequenz, Seitenbändern sowie nicht
beabsichtigten harmonischen und nichtharmonischen Oberschwingungen.
Kommunikationssender sind im gesamten elektromagnetischen Spektrum
anzutreffen, angefangen vom ELF-Bereich (engl.: Extra-Low Frequency) mit
einigen 10 Hz für die U-Boot Kommunikation bis zu einigen hundert Giga-
hertz im Rahmen des Satellitenfunks.
Erste Hinweise bei der Identifikation störender Kommunikationssender

können nachstehende Frequenzen bzw. Frequenzbereiche bzw. die
anschließenden Bilder 2.3 a und 2.3 b geben.
Tonrundfunksender:
Langwellenbereich (AM) 150
! 285 kHz
Mittelwellenbereich (AM) 535 ! 1605 kHz
Kurzwellenbereich (AM) 3 ! 26 MHz
Ultrakurzwellenbereich (FM) 87, 5 ! 108 MHz
70 2 Störquellen
Fernsehrundfunksender:
Band I (VHF) Kanäle 1 ! 4 41 ! 68 MHz
Band III (VHF) Kanäle 5 ! 12 174
! 230 MHz
Band IV/V (VHF) Kanäle 21 ! 60 470 ! 789 MHz
MobilePunkt-zu-Punktverbindungen, ½
°
StationärePunkt-zu-Punktverbindungen,¾ sieheBild 2.3 a und b
Navigation, Radar °
¿
Bild 2.3 a: Belegung des elektromagnetischen Spektrums mit Funkdiensten, Region 1

(Afrika, Europa, Russland) [2.2-2.5], Zeitsignaldienste nur Deutschland [2.168,2.169].
Wie dicht gepackt der Frequenzplan eines Staates ist, zeigt der in Bild 2.3 b
dargestellte Auszug aus der „United States Frequency Allocation Chart
2003“ für den Frequenzbereich von 1400 MHz bis 1700 MHz. Man erkennt
unterschiedliche Funkdienste – Sateliten-, See-, Land- und Flugfunk –, die
auch gemeinsame Nutzfrequenzbereiche teilen.
Frequencies / MHz Services

(non-linearly spaced) (S-E: space to earth, E-S: earth to space)
1700
1700
1675 Meteorological Satellite (S-E) Meteorological Aids (Radiosonde)
1675
1670 Mobile ** Fixed (TLM)
1670
1668,4 Radio Astronomiy Meteorological Aids (Radiosonde)
1668,4
1660,5 Radio Astronomiy Space Research (passive)
1660,5
1660 Radio Astronomiy Mobilesat (E-S)
1660
1626,5 Mobile Satelilite (E-S)
1626,5
1613,8 Aeronautical Radionavigation Radio Det. Sat (E-S) Mobile Satellite (E-S)
1613,8
1610,6 Aeronautical Radionavigation Radio Det. Sat (E-S) Mobile Satellite (E-S) Mobile Satellite (S-E)
1610,6
1610 Aeronautical Radionavigation Radio Det. Sat (E-S) Mobile Satellite (E-S) Radio Astronomiy
1610
1558,5 Aeronautical Radionavigation Radionav. Satellite (S-E)
1558,5
1550 Aeronautical Mobile Satellite (R) (S-E) Mobile Satellite (S-E)
1550
1549,5 Aeronautical Mobile Satellite (R) (S-E)
1549,5
1545 Aeronautical Mobile Satellite (R) (S-E) Mobile Satellite (S-E)
1545
1544 Mobile Satellite (S-E)
1544
1535 Maritime Mobile Sat. (Space to earth) Mobile Satellite (S-E)
1535
1530 Maritime Mobile Sat. (Space to earth) Mobile Satellite (S-E) Mobile (Aero. TLM)
1530
1525 Mobile** Mobile Satellite (S-E)
1525
1435 Mobile (Aeronatical Telemetering)
1435
1432 Fixed** Mobile
1432
1430 Fixed-Sat (S-E) Fixed (TLM) Land Mobile (TLM)
1430
1429,5 Land mobile (TLM) Fixed (TLM)
1429,5
1427 Land mobile Fixed (TLM)
1427
1400 Radio Astronomy Earth expl. Sat. Space research (passive)
1400
Bild 2.3 b: Belegung des elektromagnetischen Spektrums mit Funkdiensten, in USA,

Auszug aus der „US Frequency Allocation Chart“ [Quelle: http://www.ntia.doc.gov/].
Die Angabe detaillierter quantitativer Informationen über die Emissionen

von Kommunikationssendern geht weit über den Rahmen dieser Einführung
hinaus und muss der speziellen Fachliteratur vorbehalten bleiben [2.1 - 2.5].
2.2.2 HF - Generatoren für Industrie, Forschung, Medizin und Haushalt
Die Mehrheit der nicht Kommunikationszwecken dienenden HF-Generato-

ren mittlerer und großer Leistungen findet man in der Industrie, Forschung
und Medizin (engl.: ISM: Industrial, Scientific, Medical) sowie in Haushal-
ten. Beispiele sind die in der Hochfrequenzerwärmung eingesetzten Sender
für das Induktionshärten, -löten und -schmelzen, das dielektrische Leim-
trocknen sowie für die Elektrotherapie und die heute weit verbreiteten Mi-
krowellenherde. Hinzu kommen Hochfrequenzgeneratoren für die Ionenim-
plantation, Kathodenzerstäubung, für Hochfrequenzlinearbeschleuniger und
Hochfrequenzkreisbeschleuniger (Zyklotron, Synchrotron) usw. Alle ge-
72 2 Störquellen
nannten Geräte erzeugen bewusst Hochfrequenzenergie, um lokal elektro-

physikalische Wirkungen hervorzurufen. Sie zählen daher zur Gruppe der
funktionalen Sender.
– Mittels hochfrequenter magnetischer Wechselfelder können leitende

Werkstücke durch induzierte Wirbelströme rasch erwärmt werden [2.29,
2.30]. Die Frequenz bestimmt über die Stromverdrängung die Eindring-
tiefe (50 Hz bis 1 MHz).
– Mittels hochfrequenter elektrischer Felder lassen sich verlustbehaftete Di-
elektrika durch die als Volumeneffekt freigesetzte Reibungswärme ihrer
oszillierenden Dipole rasch erwärmen. Die Frequenzen liegen in der Re-
gel deutlich oberhalb der Frequenzen für Induktionserwärmung (1 MHz -
100 MHz).
– Elektrische, magnetische oder elektromagnetische Felder werden in der
Medizin zur Wärmebehandlung von Gelenken und inneren Organen her-
angezogen (27 MHz - 2450 MHz). Weiter finden HF-Generatoren zur
Ultraschallerzeugung für Therapiezwecke (ca. 1 MHz) und Diagnose
(1...5 MHz) Verwendung [2.7 - 2.9].
– Elektromagnetische Felder erwärmen in den Hohlraumresonatoren von
Mikrowellenherden Speisen. Für diese Anwendung kommen sehr hohe
Frequenzen, z. B. 2450 MHz zum Einsatz [2.31].
– Hochfrequenzbeschleuniger beschleunigen Elementarteilchen bis zu En-
ergien von 20 GeV für die Grundlagenforschung, Werkstoffprüfung
Strahlentherapie, Litographie usw. (10 MHz - 200 MHz).
Die meisten dieser Geräte arbeiten auf den Frequenzen
– 13,56 MHz, 27,12 MHz, 40,68 MHz, (HF-Bereich)

– 433,92 MHz, 868 MHz, (UHF-Bereich)
– 2450 MHz, 5800 MHz, 24125 MHz , (UHF/SHF-Bereich)
die ausdrücklich für die oben erwähnten und ähnliche Anwendungen vorge-
sehen sind (s. a. Abschn. 2.5), sogenannte ISM-Band Anwendungen. Bei
ausreichender Abschirmung der Anlage dürfen andere Frequenzen zur
Anwendung kommen. Beim Betrieb auf den vorgesehenen Frequenzen ist
durch Messung nachzuweisen, dass die Oberschwingungen der Anlagen die
Grenzwerte für Funkstörer nicht überschreiten (s. Kap. 9). Darüber hinaus
sind die Auswirkungen der Leckstrahlung auf den Menschen zu beachten (s.
Abschn. 10.7).
2.2.3 Funkempfänger – Bildschirmgeräte

Rechnersysteme – Schaltnetzteile
Obwohl die in diesem Abschnitt behandelten Geräte überwiegend Opfer

elektromagnetischer Beeinflussungen sind, geben sie nicht selten selbst An-
lass zu Störungen. Alle genannten Geräte benötigen zur Ausübung ihrer
Funktion lokale Oszillatoren, die über die Ein- und Ausgangsleitungen sowie
über Gerätechassis und -gehäuse elektromagnetische Energie an die Umwelt
abgeben.
Superheterodynempfänger mischen die Frequenz der an ihrem Eingang lie-

genden HF-Spannung mit der lokalen Oszillatorfrequenz zur sogenannten
Zwischenfrequenz ihrer ZF-Verstärker (s. Abschn. 7.4.1) und strahlen so-
wohl die jeweils eingestellte Oszillatorfrequenz als auch die konstante
Zwischenfrequenz samt Oberschwingungen ab [2.6]. Die Tonrundfunk-
zwischenfrequenz liegt für AM bei 455 kHz und für FM bei 10,7 MHz. Bei
Fernsehrundfunkempfängern liegt die Ton-ZF bei 5,5 MHz (BRD), 6,5 MHz
(Osteuropa) bzw. 4,5 MHz (USA), die Bildzwischenfrequenz bei 38,9 MHz,
ihre Mittenfrequenz bei 36,5 MHz.
Konventionelle Röhrenbildschirmgeräte (TV-Empfänger, Rechnerterminals

und Oszilloskope) stören durch ihre Ablenkgeneratoren für den Bildaufbau.
Die Zeilenfrequenz (Grundschwingung der horizontalen Sägezahnspan-
nung) beträgt 15,75 kHz bei einfachen und ca. 65 kHz oder gar 130 kHz bei
Monitoren mit hohen Bildwiederholraten. Bei schnellen Oszilloskopen kann
die Ablenkfrequenz gar 1 MHz betragen.
Rechnersysteme können durch die Taktfrequenz der Mikroprozessoren ihrer

CPU und ihrer Peripheriegeräte (Terminals, Drucker etc.) sowie die zu-
gehörigen Verbindungsleitungen als Störer auftreten. Schaltnetzteile machen
meist oberhalb 1 kHz durch die Grundschwingung ihrer Schaltfrequenz und
ihre zugehörigen Harmonischen von sich reden. Die Emissionen der in
diesem Abschnitt genannten Geräte müssen unter den in einschlägigen Vor-
schriften festgesetzten Funkstörpegeln bleiben. Man darf trotzdem nicht
überrascht sein, wenn sich bei großer Packungsdichte von Rechnersystem-
einheit, Bildschirm, Drucker, Plotter etc. Fehlfunktionen einstellen. In der
Regel lassen sich diese Störungen durch Vergrößern des Abstands und
andere räumliche Orientierung der Komponenten beheben.
74 2 Störquellen
2.2.4 Netzrückwirkungen
Unter Netzrückwirkungen versteht man die Erzeugung von Spannungsober-

schwingungen und Spannungsschwankungen in Energieversorgungsnetzen
durch elektrische Betriebsmittel mit nichtlinearer oder zeitvarianter Strom-
Spannungskennlinie. So nehmen Transformatoren und Motoren mit hoher
Induktion, leistungselektronisch geregelte Antriebe, Stromrichter für die
Elektrolyse, Gasentladungslampen, Fernsehgeräte usw. auch bei zunächst si-
nusförmiger Netzspannung nichtsinusförmige Ströme auf, die längs ihres
Pfades zu den Betriebsmitteln an den Netzimpedanzen nichtsinusförmige
Spannungsabfälle verursachen. Die von den eingeprägten Verbraucherströ-
men verursachten Spannungsabfälle führen zu einer Verzerrung der Sinus-
form der 50 Hz-Netzspannung bzw. zu deren Oberschwingungsgehalt. Die
von Lichtbogenöfen, Schweißmaschinen und Schwingungspaketsteuerungen
verursachten Subharmonischen reichen herunter bis in den mHz-Bereich
und führen zu periodischen und nichtperiodischen Spannungsschwankun-
gen. Sowohl Oberschwingungen als auch Spannungsschwankungen führen
zu Beeinträchtigungen technischer Einrichtungen und reichen von dielektri-
schen und thermischen Überbeanspruchungen von Kondensatoren und Mo-
toren über Fehlfunktionen von Mess-, Steuer- und Regeleinrichtungen sowie
Datenverarbeitungsanlagen, Lichtdimmern, Leittechniksystemen usw. bis zur
Beeinflussung von Rundsteuerempfängern, Fernmeldeeinrichtungen etc.
[2.22, 2.23, 2.32]. Bei den Spannungsschwankungen kommt zusätzlich die
Spezies Mensch ins Spiel, wenn Helligkeitsschwankungen von Beleuch-
tungseinrichtungen (Flicker) über die Wirkungskette Lampe, Auge, Gehirn
nichttolerierbare physiologische Wirkungen hervorrufen ([2.109, 2.118] s. a.
Abschn. 10.4).
Während Stromrichter in der Regel nur Harmonische der Grundfrequenz

erzeugen, deren Ordnung sich für Gleichrichter beispielsweise gemäß
ν = np ± 1
berechnen lässt (p Pulszahl, n = 1,2, 3,... ), erzeugen Frequenzumrichter und

Schaltvorgänge auch beliebige Zwischenharmonische.
Schließlich zählen zu Netzrückwirkungen auch Unsymmetrien, hervorgeru-

fen durch zwischen den Phasen betriebene einphasige Verbraucher, z. B.
Schweißmaschinen und Lichtbogenöfen.
Netzrückwirkungen lassen sich bei Einzelanlagen teilweise rechnerisch be-

stimmen, in Netzen mit Hochfrequenzstromwandlern, Impulsstrommess-
widerständen und schnellen Spannungsteilern messtechnisch erfassen [2.19,
2.21, 2.24 - 2.28, 2.35, B3, 2.56]. Spezielle Messeinrichtungen ermöglichen
auch die Messung des zeitvarianten, frequenzabhängigen Netzinnenwider-
stands [2.88, 2.159] am Anschlussort eines nichtlinearen Verbrauchers (engl.:
driving point impedance). Die Bewertung von Netzflicker erfolgt mit spe-
ziellen Flickermessverfahren [2.20, 2.35, 2.158].
Weitere Hinweise über Netzrückwirkungen finden sich im umfangreichen

Literaturverzeichnis [2.10–2.18] sowie im Abschn. 10.4.
2.2.5 Beeinflussungen durch Starkstromleitungen
In dicht besiedelten Gebieten verlaufen Hochspannungsfreileitungen mit

50 Hz und 16-2/3 Hz, Fernmelde- und Fernwirkleitungen, Erdgas- oder
Mineralölpipelines häufig über längere Strecken parallel. Aufgrund
ohmscher, induktiver und kapazitiver Kopplung entstehen unerwünschte
Beeinflussungen von Kommunikations- und Datenleitungen sowie des
kathodischen Korrosionsschutzes von Rohrleitungen. Darüber hinaus
können unzulässig hohe Berührungsspannungen auch zur Gefährdung von
Personen führen.
Man unterscheidet zwischen Langzeit-, Kurzzeit- und Impulsbeeinfluss-

ungen. Zu den Quellen der Langzeitbeeinflussung zählen die Betriebsströme
des Normalbetriebs, Erdschlussströme in erdschlusskompensierten Netzen
sowie bei kapazitiv überkoppelten Beeinflussungen die Hochspannung
führenden Leiterseile. Quellen der Kurzzeitbeeinflussungen sind Kurz-
schlussströme und Doppelerdschlussströme von wenigen Zehntel Sekunden
Dauer. Impulsbeeinflussungen schließlich werden durch Überspannungen
von Schalthandlungen im Netz bewirkt. Diese zählen nach der hier vor-
genommenen Klassifikation zu den breitbandigen Quellen und werden im
Abschn. 2.4.4 noch näher erläutert.
Während anfänglich Beeinflussungsprobleme ausschließlich durch Maß-

nahmen auf der Energieübertragungsseite gelöst wurden, z. B. durch
symmetrische Anordnung der Drehstromleitungen in gleichseitigem Dreieck
(Summe aller Felder ≈ 0), Verdrillen nicht symmetrisch angeordneter
Leitungen, Resonanzsternpunkterdung (kleine Erdfehlerströme) etc., wurde
später (etwa 1950) auch die starre Sternpunkterdung der 220 kV- und der
76 2 Störquellen
gerade aufkommenden 380 kV-Netze toleriert. Die Beeinflussung durch

Starkstromleitungen ist ein Klassiker der Disziplin Elektromagnetische Ver-
träglichkeit. Entsprechend umfangreich ist das seit vielen Jahrzehnten ge-
wachsene Schrifttum, das eine gewisse Reife erkennen lässt [B21, B48, 2.38–
2.53 u. 2.85–2.87].
Wegen der Beeinflussung von Bioorganismen durch elektrische und magne-

tische Felder von Energieübertragungsleitungen wird auf Abschn. 10.8 ver-
wiesen.
2.3 Intermittierende Breitbandstörquellen
2.3.1 Grundstörpegel in Städten
Aufgrund der hohen Bevölkerungs- und Verkehrsdichte herrscht in Städten

ein beträchtlicher breitbandiger Grundstörpegel, der von KFZ-Zündanlagen,
Nahverkehrsbahnen Haushaltgeräten, Gasentladungslampen, Elektrowerk-
zeugen, lokalen Oszillatoren, Geräten der Digitaltechnik etc. herrührt, sog.
„man–made noise“. Die in der Vergangenheit für verschiedene Städte gemes-
senen Grundstörpegel zeigen einen sehr unterschiedlichen Verlauf, der stark
von der Geographie und der Jahreszeit abhängt. Quantitativ können Unter-
schiede zwischen 20 bis 40dB auftreten, je nach Art der öffentlichen Ver-
kehrsmittel (U-Bahn, Straßenbahn mit Gleich- oder Wechselstrom betrie-
ben) sowie der Höhe der allgemeinen Verkehrsdichte (inkl. Flugverkehr),
nationalen Standards etc. [2.78, 2.79, 2.83 u. 2.84]. Die Materie ist derart
komplex, dass ihr eigene Bücher gewidmet werden [2.54, 2.55]. Einige typi-
sche Breitband-Störquellen werden wir im Folgenden näher betrachten.
2.3.2 KFZ-Zündanlagen
KFZ-Zündanlagen erzeugen Hochspannungsimpulse für die Funkenbildung

an den Zündkerzen. Diese Impulse können in unterschiedlicher Art und
Weise Beeinflussungen anderer elektronischer Systeme hervorrufen. Dabei
sind wesentlich die Kopplungsmöglichkeiten ausschlaggebend, was nach-
folgend erläutert wird.
Beim Unterbrechen des Stromes i1 (t) in der Primärwicklung einer Zünd-

spule entsteht eine Stromänderung di1 (t)/ dt . Die mit dieser Stromänderung
2.3 Intermittierende Breitbandstörquellen 77
verknüpfte Änderung des magnetischen Flusses, dφ1(t)/ dt induziert in der

Sekundärwicklung eine hohe Spannung u2 (t) , Bild 2.4.
Bild 2.4: Hochspannungsimpulserzeugung in KFZ-Zündanlagen. CF Funkenlösch-

kondensator zum Schutz der Unterbrecherkontakte, CStr Streukapazitäten.
Parasitär werden auch in anderen Leiterschleifen des eigenen oder benach-

barten Kraftfahrzeugs kleinere Spannungen induziert (magnetische Kopp-
lung des Streufeldes und der Zuleitung).
Der in der Hochspannungswicklung induzierte Spannungsimpuls bewirkt

auf den Hochspannung führenden Zündleitungen eine große Spannungs-
änderung du2 (t)/ dt , die über Streukapazitäten bzw. den durch sie fließ-
enden Verschiebungsstrom i v = CStr du2 (t)/ dt in benachbarten Kreisen und
Leitern ebenfalls Störungen bewirken kann (kapazitive Kopplung).
Beim Spannungszusammenbruch der Zündkerzen und der zwischen-

geschalteten Verteilerschaltfunkenstrecke entstehen durch Entladen der
Kapazität der Sekundärwicklung wiederum schnelle Spannungs- und Strom-
änderungen, die durch Induktion und Influenz Störungen verursachen.
Je nachdem, ob benachbarte Systeme maschen- oder sternförmig aufgebaut,

hoch- oder niederohmig sind, werden die Beeinflussungen kapazitiv oder
induktiv übertragen. Typische Störpegel der elektrischen Feldstärke in
Straßennähe liegen zwischen –20 und +20dB(V/m)/kHz (Amplituden-
dichte) und reichen bis in den GHz-Bereich [2.57 - 2.59].
78 2 Störquellen
2.3.3 Gasentladungslampen
Die in Haushalten, Büros, Kaufhäusern usw. häufig anzutreffenden Nieder-

spannungsleuchtstofflampen können auf unterschiedliche Weise als Stör-
quellen wirken, Bild 2.5.
Bild 2.5: Niederspannungsleuchtstofflampe mit Strombegrenzungsdrossel und

Glimmstarter G.
Beim Betätigen des Lichtschalters S entsteht im Glimmstarter G (Glimmlam-

pe mit Bimetallelektrode) eine Glimmentladung, durch deren Wärmeent-
wicklung sich eine Bimetallelektrode verformt und den Stromkreis durch die
Heizwendeln der beiden Hauptelektroden in der Leuchtstofflampe schließt.
Gleichzeitig lässt der geschlossene Kontakt die Glimmentladung im Starter
erlöschen. Nach Abkühlen des Bimetalls (der Betriebsstrom der Heizwen-
deln reicht zur Erwärmung des Bimetalls nicht aus) öffnet der Schaltkontakt
wieder, wobei der Stromabriss an der Induktivität des Vorschaltgeräts eine
Selbstinduktionsspannung Ldi(t)/dt von einigen kV entstehen lässt. Diese
Stoßspannung zündet zwischen den vorgeheizten Hauptelektroden die Gas-
entladung. Beim nächsten Stromnulldurchgang verlöscht die Entladung zu-
nächst, zündet aber von da ab periodisch bei jeder Halbschwingung der
Netzspannung wieder, sofern Zünd- bzw. Brennspannung der Lampe in-
zwischen durch erhöhte Elektrodentemperaturen entsprechend abgesenkt
worden sind (die Erwärmung bewirkt eine Verringerung des Anoden- und
Kathodenfalls). Unzureichende Elektrodentemperaturen führen zu den be-
kannten mehrfachen Zündversuchen von Leuchtstofflampen. Im stationären
Betrieb spricht der Glimmstarter nicht mehr an, da seine Zündspannung
größer ist als die Brenn- und Wiederzündspannung der Leuchtstofflampe mit
warmen Elektroden.
Niederspannungsleuchtstofflampen stören nicht nur beim Einschalten durch

einen oder mehrere intermittierende Spannungsimpulse vergleichsweise gro-
ßer Amplitude, sondern auch im Betrieb durch regelmäßiges Verlöschen und
Neuzünden in bzw. nach jedem Stromnulldurchgang bei Spannungsam-
plituden von nur wenigen hundert Volt. Da die Großsignalstörungen nur

beim Einschalten auftreten, sind sie aus Sicht der Funkstörungen nur Knack-
störungen geringer Häufigkeit und besitzen daher kaum Relevanz (s. Abschn.
2.1 und 7.1). Dagegen können sie bei anderer Gewichtung, das heißt in
Nachbarschaft hochempfindlicher medizinischer und anderer Messgeräte
eine sehr große Rolle spielen, u. a. auch bei Herzschrittmachern. Die wäh-
rend des stationären Betriebs mit einer Grundfrequenz von 100 Hz ausge-
sandten elektromagnetischen Beeinflussungen stören bei kleinen Abständen
und bei Fehlen von Entstörmaßnahmen auf jeden Fall den Rundfunk-
empfang im Mittel- und Langwellenbereich. Die Störungen pflanzen sich
überwiegend leitungsgebunden längs der Netzzuleitungen der Lampen aus.
Leuchtstofflampen mit elektronischen Vorschaltgeräten (EVG) enthalten

einen Hochfrequenzgenerator von ca. 30 bis 50 kHz, der die Lampe über ein
LC-Glied (zur Strombegrenzung) speist. Typische Werte für den Ober-
schwingungsgehalt des Netzstroms sind 90 % dritte Harmonische, 75 % fünfte
Harmonische und 60 % siebte Harmonische (von 50 Hz). Diese Ober-
schwingungen müssen je nach Vorschrift durch geeignete Filterung auf
zulässige Werte verringert werden, was im Wesentlichen ein Problem des
Platzbedarfs und des Preises ist. Schließlich kann neben der reinen Netz-
rückwirkung auch die NF-modulierte Infrarotstrahlung zu Beeinflussungen
führen, beispielsweise bei IR-Fernbedienungen.
Leuchtstofflampen für höhere Spannungen, sog. Leuchtröhren (z. B. Leucht-

reklame), benötigen keine Vorheizung, da ihre Speisespannung in jedem
Einzelfall unschwer der jeweiligen Zünd- bzw. Brennspannung angepasst
werden kann.
Hochdruckgasentladungslampen können relevante Störamplituden bis in

den VHF- und UHF-Bereich aufweisen (schnellere Durchschlagsentwicklung
bei hohen Drücken und kleinen Elektrodenabständen). Hohe Elektroden-
und Gastemperaturen ermöglichen eine Reduzierung der elektromagne-
tischen Beeinflussungen wegen der kleineren Stromabriss- und Wiederzünd-
spannungswerte. Über Gasentladungslampen besteht umfangreiche Literatur,
auf die hier exemplarisch verwiesen wird [2.80, 2.81].
2.3.4 Kommutatormotoren
Bei der Stromwendung in Gleichstrom- und Universalmotoren treten in den

Wicklungen und Zuleitungen schnelle Stromänderungen auf. Ist der Strom
80 2 Störquellen
bei der Trennung von Bürsten- und Lamellenkante nicht exakt Null, wird –
wie bei allen sich öffnenden stromführenden Schaltkontakten (s. Abschn.
2.4.2) – der Strom über einen Lichtbogen aufrechterhalten (Bürstenfeuer).
Beim Abriss des Bogens entsteht eine schnelle Stromänderung di(t)/dt.
Letztere induziert in den im Strompfad liegenden Induktivitäten Selbstin-
duktionsspannungen Ldi(t)/dt sowie in etwaigen benachbarten Leiter-
schleifen Quellenspannungen Mdi(t)/dt. Zur lokalen Begrenzung der Stö-
rungen schaltet man in Reihe mit der Zuleitung konzentrierte Induktivitäten
und parallel zu den Bürsten eine Bypass-Kapazität (s. Abschn. 8.1). Große
Gleichstrommaschinen besitzen spezielle zusätzliche Wendepole und Kom-
pensationswicklungen, die in den Ankerwindungen eine Gegenspannung in-
duzieren und die Wicklung im Augenblick der Trennung von Bürsten- und
Lamellenkante stromlos machen [2.82].
2.3.5 Hochspannungsfreileitungen
An der Oberfläche der Leiterseile von Hoch- und Höchstspannungsfreilei-

tungen überschreitet die elektrische Randfeldstärke partiell den Wert der
Durchbruchsfeldstärke der Luft, so dass es zu winzigen lokalen Teildurch-
schlägen kommt. Wegen der Inhomogenität des Feldes bleiben diese Entla-
dungen auf die unmittelbare Nachbarschaft der Seile beschränkt, sog. Koro-
naentladungen. Die Teildurchschläge bewirken in den Leiterseilen Strom-
impulse mit Anstiegs- und Abfallzeiten im ns-Bereich, die sich als Wander-
wellen längs der Leitungen ausbreiten. In ihrer Gesamtheit bilden die zahl-
losen sich überlagernden Entladungsimpulse eine Rauschstörquelle, die zu
Beeinträchtigungen des Funkempfangs führt. Ihr Spektrum erstreckt sich bis
in den UHF-Bereich [2.60–2.77]. Nebenbei gesagt können diese Entlad-
ungen bei Höchstspannungsleitungen auch ein erhebliches akustisches Prob-
lem darstellen.
Eine weitere Störquelle, die insbesondere auch bei Mittelspannungsleitungen

zu beobachten ist, stellen kleine Funkenentladungen zwischen lose verbun-
denen Metallteilen oder Metallteilen und statisch aufgeladenen Isolatorober-
flächen dar (engl.: micro sparks). Das Spektrum dieser Funkenentladungen
erstreckt sich bis zu sehr hohen Frequenzen und ist vorrangig verantwortlich
für Störungen des Fernsehrundfunks [2.110 - 2.113].
Funkstörungen von Hochspannungsfreileitungen sind sehr stark vom Wetter

(Luftdichte, Regen, Rauhreif etc.) und dem Mastkopfbild abhängig. Trotz
dieser komplexen Abhängigkeiten existieren zahlreiche aus international
durchgeführten Messungen herrührende Ansätze, die in gewissem Umfang

eine Vorhersage von Funkstörungen erlauben [2.114].
2.4 Transiente Breitbandstörquellen
2.4.1 Elektrostatische Entladungen
Mit dem Aufkommen der Chemiefasern und der Halbleitertechnik haben

elektrostatische Aufladungserscheinungen und die mit ihnen verbundenen
technischen Probleme und Verfahren vermehrte Bedeutung erlangt. Beson-
ders beim impulshaften Entladen statisch aufgeladener Körper über einen
Funken entstehen transiente Spannungen und Ströme, verknüpft mit tran-
sienten elektrischen und magnetischen Feldern, die nicht nur Funktionsstö-
rungen in Rechnern, Radiogeräten, Telefonapparaten oder anderen elektro-
nischen Geräten hervorrufen, sondern auch bleibende Zerstörungen elektro-
nischer Komponenten bewirken können (engl. ESD, Electrostatic Dis-
charge). Während komplette Systeme, z. B. Rechner-Tastaturen, speicher-
programmierbare Steuerungen etc. vergleichsweise resistent sind, reichen bei
direkter Berührung von Halbleiterbauelementen und elektronischen Bau-
gruppen minimale elektrostatische Aufladungen, die die betreffende Person
u. U. gar nicht wahrnimmt, für eine Zerstörung aus.
Elektrostatische Aufladungen entstehen bei der Trennung sich zuvor innig

berührender Medien in Form einer Anhäufung von Ladungsträgern jeweils
einer Polarität auf den separierten Komponenten. Zumindest eines der
Medien muss ein Isolator sein, andernfalls würde sofort wieder ein Ladungs-
ausgleich stattfinden. Elektrostatische Aufladungen entstehen zum Beispiel
beim Gehen auf isolierenden Teppichen, Aufstehen von Stühlen, Hand-
habung von Kunststoffteilen, Ablaufen von Papier- und Kunststoffbahnen
von Rollen, beim Fließen isolierender Flüssigkeiten durch Leitungen [2.88,
2.89], Aufwirbeln von Staub, Gasausstoß aus Raketen, Luftreibung an
Flugkörpern usw. Je nach Materialpaarung können die Aufladungen positive
oder negative Polarität gegenüber Erdpotential aufweisen.
Bezüglich der Häufigkeit des Auftretens von EMV-Problemen durch elek-

trostatische Entladungen besitzt die Entladung aufgeladener Personen und
Kleinmöbel (Stühle, Rollstühle, Messgerätewagen etc.) die größte Bedeutung.
Daher werden im Folgenden diese Quellen elektromagnetischer Beeinflus-
sungen näher vorgestellt.
82 2 Störquellen
Je nach Schuhwerk, Bodenbelag und Luftfeuchte kann sich eine Person auf
Spannungen bis ca. 30 kV aufladen. Ab dieser Spannung setzen merkliche
Teilentladungen ein, die ähnlich wie bei den Entladern von Flugzeugen wei-
tere durch Aufladung zugeführte Ladungen augenblicklich über Drainage-
ströme wieder abführen, so dass sich ein stationäres Gleichgewichtspotential
einstellt. Gewöhnlich liegen die beim Gehen auf Teppichen entstehenden
Potentiale bei 5...15 kV. In vergleichbarer Größenordnung (wegen meist
größerer Kapazitäten, jedoch im Mittel leicht darunter) liegen die Potentiale
elektrostatisch aufgeladener Kleinmöbel.
Aufladungen unter 1500 Volt bis 2000 Volt werden von den betreffenden
Personen meist nicht wahrgenommen, sind jedoch noch „hervorragend“
geeignet, Halbleiterkomponenten zu zerstören. Die gespeicherten Energien
können je nach Kapazität des aufgeladenen Körpers (50 pF…1500 pF,
CMensch typisch 150 pF) einige Zehntel Joule betragen.
Allein die Existenz elektrostatischer Aufladungen bereitet nur selten EMV-

Probleme (statisch aufgeladene Skalenscheiben, Bildschirme etc.). Die
eigentliche Problematik besteht in der raschen, impulshaften Entladung ge-
ladener Körper, während Stromimpulse mit Anstiegszeiten im Nano- und
Subnanosekundenbereich auftreten. Nicht die raschen Spannungsänder-
ungen, sondern die impulsförmigen Entladeströme und die mit ihnen ver-
knüpften zeitlich veränderlichen magnetischen Felder führen in der Regel zu
unerwünschten elektromagnetischen Beeinflussungen (s. a. Abschn. 10.3).
In vielen Fällen lässt sich das Phänomen elektrostatischer Entladungen mit

guter Näherung durch ein vergleichsweise einfaches Ersatzschaltbild model-
lieren, Bild 2.6.
Bild 2.6: Netzwerkmodell der Entladung einer aufgeladenen Person bzw. eines auf-
geladenen leitenden Gegenstands. CP, RP Ersatzgrößen des statisch aufgeladenen
Körpers. CE, RE Erdkapazität und Ableitwiderstand des Objekts, auf das entladen
oder umgeladen wird. RS Serienwiderstand, LS Serieninduktivität.
2.4 Transiente Breitbandstörquellen 83
Bei der Störquelle unterscheidet man im Wesentlichen zwischen
Personen: R S ca. 1kΩ und
Kleinmöbeln: R S ca. 10 Ω...50 Ω .
Betrachten wir zunächst eine Entladung direkt nach Erde ( R E → 0,CE → ∞ )

und nehmen wir die Induktivität des Entladekreises typisch mit 1 mH/m an,
so gilt in ersterem Fall R S ωLS , das heißt die Entladung (Funkenstrom)
erfolgt aperiodisch gedämpft mit der Zeitkonstanten T = CP R S . Im zweiten
Fall gilt R S ωLS , das heißt die Entladung erfolgt oszillierend mit der
Frequenz f = 1/ 2π LSCP , Bild 2.7.
Bild 2.7: Typische Stromverläufe bei der Entladung von Personen und leitenden
Gegenständen.
Die Anstiegszeit der Ströme lässt sich mit Hilfe der Zeitkonstanten LS / R S
abschätzen. Typische Stromsteilheiten liegen in der Größenordnung einiger
10 Ampère/Nanosekunde, typische Stromscheitelwerte bei 2 bis 50 A. Ge-
wöhnlich treten bei der Entladung von Personen die größeren Stromsteil-
heiten, bei der Entladung von Gegenständen die größeren Stromamplituden
auf. In beiden Fällen erklärt sich dies durch den unterschiedlichen Serien-
widerstand RS.
Stromparameter und beobachtete Stromverläufe schwanken in weiten Gren-

zen. Speziell bei Personen zeigen sich große Unterschiede, je nachdem, ob
der Funke von einer Fingerspitze, großflächig vom Körper oder etwa einem
84 2 Störquellen
in der Hand gehaltenen leitenden Werkzeug (Schraubenschlüssel) ausgeht

usw. Darüber hinaus ist der Entladungsfunke ein stark nichtlineares Phäno-
men. Bei nur schwacher Aufladung – das heißt für Personen bei Potentialen
unter ca. 8 kV, für leitende Gegenstände unter ca. 3 kV – reißt der Ent-
ladungsfunke u. U. wegen mangelnder Ladungsnachlieferung nach kurzer
Zeit ab und zündet erneut, wenn das Potential der Entladungszone (z. B.
Fingerspitze) durch Nachströmen von Ladungen wieder angestiegen ist. Die
Stromkurvenformen besitzen dann einen komplexen Verlauf, speziell in der
Impulsstirn (engl.: predischarge, precursor). Zur Beschreibung dieser Vari-
anten werden die konzentrierten Komponenten des einfachen Ersatzschalt-
bilds gemäß Bild 2.6 durch verteilte Parameter ersetzt und die Aus-
gleichsvorgänge mit Hilfe der Theorie elektrisch langer Leitungen mathe-
matisch beschrieben [2.94–2.97].
Während bisher davon ausgegangen wurde, dass der aufgeladene Körper sich
direkt nach Erde entlädt ( R E → 0,CE → ∞ ) und damit nach kurzer Zeit Erd-
potential annimmt, gibt es auch sehr häufig den Fall, dass während einer
elektrostatischen Entladung nur ein Teil der Ladungen auf einen anderen
isoliert aufgestellten Körper R E → ∞ abfließt, z. B. die Potentialangleichung
beim Berühren eines auf dem Arbeitstisch liegenden integrierten Schaltkrei-
ses oder beim Anfassen einer elektronischen Baugruppe. Der Entladungsfun-
ke reißt dann ab, wenn beide Körper das gleiche Potential angenommen
haben (abzüglich der Brennspannung des Funkens).
Befand sich vor dem Funken auf CP die Ladung
Q = CP UP ,
so erhält man das neue Potential U*P beider Partner aus der Gleichung
Q = (CP + CE )U*P .
Ausgehend von diesem Potential entladen sich dann die parallel geschalteten
Kapazitäten mit der Zeitkonstante
RPRE
TE = (CP + CE ) ,
RP + RE
wobei in der Regel R S R P u.R E angenommen werden kann.

Wegen ausführlicher Zahlenangaben über die Höhe elektrostatischer Aufla-

dungen bei verschiedenen Materialpaarungen und Luftfeuchten, über statisti-
sche Untersuchungen unter bestimmten Randbedingungen auftretender Ent-
ladeströme sowie ihrer zeitlichen Verläufe etc. wird auf das umfangreiche
Literaturverzeichnis verwiesen [2.88–2.97, B 17].
Außerdem sei darauf hingewiesen, dass das Beschränken oben durchge-

führter Erörterung auf Entladung von Personen und Kleinmöbeln nicht von
der Tragweite anderer ESD-Phänomene ablenken soll. So kann ein Ent-
ladungsimpuls in der Treibstoffleitung eines Flugzeuges ein verheerendes
Ausmaß annehmen. Deswegen sei in solchen Systemen die Materialwahl mit
Bedacht zu treffen und dessen Auslegung wohl überlegt sein.
2.4.2 Geschaltete Induktivitäten
Geschaltete Induktivitäten sind die am häufigsten anzutreffenden trans-

ienten Störquellen in Industrieanlagen bzw. -steuerungen. Beispiele für In-
duktivitäten sind die zahllosen Relais- und Schützspulen an den Schnitt-
stellen zwischen automatischen Steuerungen und den Aktoren eines Pro-
zesses, die Spulen der Aktoren selbst (Magnetventilantriebe etc.) sowie
sämtliche Maschinenwicklungen, das heißt Motor- und Transformatorwick-
lungen.
Beim Abschalten entstehen hohe transiente Überspannungen, die zu Wieder-

zündungen der Schaltstrecke, zur dielektrischen Zerstörung der Spule und
vor allem zu elektromagnetischen Beeinflussungen benachbarter Kom-
ponenten und Schaltkreise führen können. Der Mechanismus der Stör-
ungsentstehung ist immer der gleiche, wobei man zwischen dem Öffnen und
Schließen induktiver Stromkreise unterscheiden muss.
Beim Öffnen eines induktiven Stromkreises versuchen die sich auseinander

bewegenden Kontakte eine Stromänderung −di / dt herbeizuführen. Mit ihr
verknüpft ist eine Flussänderung −dφ / dt , die durch Selbstinduktion im
Stromkreis eine Spannung induziert. Diese Spannung liegt (zum größten
Teil) über den sich öffnenden Kontakten und hält den Schaltlichtbogen auf-
recht. In Wechselstromkreisen erlischt der Lichtbogen kurz vor einem Null-
durchgang des Stromes und zündet auch nicht wieder, wenn die Durch-
schlagsfestigkeit der Kontaktstrecke schneller ansteigt als die wiederkehrende
Spannung über den Kontakten.
86 2 Störquellen
In Gleichstromkreisen reißt der Strom erst dann ab, wenn sich die Kontakte
so weit voneinander entfernt haben, dass der zunehmende Brennspan-
nungsbedarf des Lichtbogens die tatsächlich vorhandene Spannung über-
steigt.
Die maßgebliche Beeinflussung entsteht im Augenblick des Stromabrisses,

wenn das Verlöschen des Lichtbogens bzw. die schnelle Wiederverfestigung
bei weit geöffneten Kontakten den Strom mit großer Steilheit −di / dt gegen
0 zwingt.
Die hierdurch entstehenden Selbstinduktionsspannungen betragen, auch bei

Niederspannungskontakten, mehrere kV. Eine beabsichtigte Anwendung
dieses Phänomens findet man in den KFZ-Zündspulen mit Unterbrechern (s.
Abschn. 2.3.2), in den klassischen Funkeninduktoren sowie bei der in-
duktiven Energiespeicherung mittels Öffnungsschaltern in der Pulse Power
Technologie.
Beim Einschalten induktiver Kreise laufen ähnliche Vorgänge ab. Sobald

sich die Kontakte bis auf eine bestimmte Entfernung näher gekommen sind,
kann es (bei höheren Spannungen) zu Vorzündungen durch die Gasstrecken
kommen, spätestens aber beim Kontaktprellen wiederholt sich mehrfach das
beim Öffnen eines Kreises bereits oben beschriebene Phänomen, wenn auch
mit kleineren Amplituden. Das mehrfache Rück- und Wiederzünden wird im
Englischen treffend als „burst“ bzw. „showering arc“ bezeichnet.
Wesentlich ist die Erkenntnis, dass nicht der Funke als solcher stört, wie ge-
legentlich fälschlich interpretiert wird, sondern sein Verschwinden (Strom-
abriss) bzw. seine Entstehung (Dielektrischer Durchschlag bei Vor- bzw.
Wiederzündungen). Die extrem kurzen Zeiten für die Durchschlagsentwick-
lung in einer Schaltstrecke, bzw. auch für deren Wiederverfestigung, erklären
die hohen beobachteten Steilheiten.
Bei Halbleiterschaltern der Leistungselektronik sind die Steilheiten in der

Regel geringer, der Effekt der Selbstinduktion tritt jedoch qualitativ in
gleicher Weise in Erscheinung.
Die Höhe der wirksamen Selbstinduktionsspannungen richtet sich nach der

parasitären Spulenkapazität, Bild 2.8.
Bild 2.8: Zur näherungsweisen Ermitt-

lung der maximalen selbstinduzierten
Spannung unter Berücksichtigung der
Spulenkapazität.
Die zu Beginn eines Abschaltvorgangs in einer Induktivität gespeicherte ma-

gnetische Energie berechnet sich aus dem herrschenden Momentanwert des
Stromes zu
1 2
Wm = LI .
2
Bei geöffnet angenommenem Schalter kann sich der Spulenstrom nur über
die Wicklungskapazität C schließen, wobei die ursprünglich gespeicherte
Energie zwischen den kapazitiven und induktiven Energiespeichern hin- und
herpendelt. Betrachtet man einen Augenblick, in dem sich alle Energie gera-
de im kapazitiven Speicher befindet, erhält man unter Vernachlässigung der
Verluste den maximal möglichen Spannungswert aus der Gleichung
1 ! 1
We = CU2max = LI2 .
2 2
Selbstverständlich handelt es sich hierbei nur um eine näherungsweise Ab-

schätzung, mit der man jedoch auf der sicheren Seite liegt. In praxi hängt die
maximal erreichbare Abschaltüberspannung wesentlich von den Löscheigen-
schaften des Öffnungsschalters ab (Schaltmedium Gas oder Vakuum, mehre-
re in Reihe geschaltete Kontakte etc.). Je größer die erforderliche Brennspan-
nung, desto früher reißt der Strom ab und desto größer ist die Stromände-
rungsrate di/dt.
Überspannungen geschalteter Induktivitäten sind die häufigste Störungs-

ursache in elektronischen Steuerungen. Ihrer Begrenzung bzw. Verringerung
ist daher bei der Behandlung praktischer Entstörungsmaßnahmen ein
eigenes Kapitel gewidmet (s. Abschn. 10.1).
88 2 Störquellen
2.4.3 Transienten in Niederspannungsnetzen
Transiente Überspannungen oder auch Spannungseinbrüche in Niederspan-

nungsnetzen entstehen überwiegend beim betriebsmäßigen Schalten indukti-
ver Verbraucher, worauf bereits im vorigen Abschnitt eingegangen wurde.
Darüber hinaus entstehen Überspannungen aber auch beim Schalten kapazi-
tiver Lasten, Ansprechen von Schutzschaltern und Sicherungen im Kurz-
schlussfall, Schalthandlungen in überlagerten Netzen sowie durch atmosphä-
rische Überspannungen (Blitzeinwirkung, s. 2.4.6). Repetierende Transienten
entstehen durch periodische Kommutierungsvorgänge in Stromrichtern.
Entsprechend ihrer unterschiedlichen Genese und der sehr unterschied-
lichen Netzinnenwiderstände schwanken Scheitelwert umax, Steilheit du/dt,
zeitlicher Verlauf und der Energieinhalt einer Störung in weiten Grenzen.
Letzterer berechnet sich bei gegebenem Widerstand zu
2
ust
W=
³ R
dt .
Allgemeine Aussagen können daher nur statistischer Natur sein. So lässt sich
feststellen, dass Überspannungen in Fabriken und Haushalten sich weniger
nach ihrer Höhe als nach ihrer Häufigkeit unterscheiden und dass extreme
Überspannungen (>3 kV) relativ selten sind (Blitzeinwirkung, Ansprechen
von Sicherungen [2.100, 2.101]). Erfreulicherweise werden sehr steile Über-
spannungen längs ihrer Ausbreitung auf Niederspannungsleitungen bezüg-
lich Amplitude und Steilheit sehr rasch gedämpft, so dass ihre gefährliche
Wirkung auf die Nachbarschaft ihrer Entstehung begrenzt bleibt [2.37,
2.105]. Im Hinblick auf die Auslegung der Störfestigkeit elektronischer Ge-
räte wurden in der Vergangenheit bereits zahlreiche Störspannungsmessun-
gen in Orts- und Industrienetzen vorgenommen, deren detaillierte Ergeb-
nisse im Literaturverzeichnis zu finden sind [2.99–2.106, 2.115, 2.166].
2.4.4 Transienten in Hochspannungsnetzen
In Hochspannungsschaltanlagen treten beim betriebsmäßigen Schließen und

Öffnen von Trennschaltern zahlreiche Wiederzündungen auf, die in Sekun-
däreinrichtungen Überspannungen bis zu 20 kV hervorrufen können [10.7–
10.26]. Die Überspannungen können zu Fehlauslösungen des Netzschutzes
oder gar zur Zerstörung von Sekundäreinrichtungen führen. Am Beispiel des
Zuschaltens eines kurzen leerlaufenden Leitungsstücks an eine spannungs-
führende Sammelschiene lässt sich die Ursache des Entstehens von Über-
spannungen anschaulich erläutern, Bild 2.9. Unterschreitet die Durchschlag-

spannung der sich nähernden Schaltkontakte den Wechselspannungsschei-
telwert, ereignet sich ein erster Durchschlag, während dessen das leer-
laufende Leitungsstück auf gleiches Potential gebracht wird. Ist der Lade-
strom auf vernachlässigbar kleine Werte abgeklungen, reißt der Lichtbogen
ab. Da das nun isolierte Leitungsstück sein Potential behält (engl.: trapped
charge), kommt es zu einem zweiten Durchschlag, wenn sich der Momen-
tanwert der Wechselspannung der Sammelschienen wieder um die Durch-
schlagspannung des inzwischen kleiner gewordenen Kontaktabstands vom
Potential des leerlaufenden Leitungsstücks unterscheidet. Dieser Vorgang
wiederholt sich mehrfach, bis die Trennerkontakte sich metallisch berühren,
Bild 2.9.
Bild 2.9: Entstehung von Überspannungen beim Zuschalten eines kurzen leerlau-
fenden Leitungsstücks (idealisierter Verlauf). Die Höhe der Potentialsprünge beim
Wiederzünden und Umladen der leerlaufenden Leitung nimmt mit kleiner werden-
dem Kontaktabstand ab.
Die raschen positiven und negativen Potentialsprünge des leerlaufenden

Leitungsstücks treiben über die Streukapazitäten zu benachbarten Leitungen
Verschiebungsströme,
du
i = CStr ,
dt
deren Scheitelwerte wegen der großen Spannungssteilheiten beträchtliche

Werte annehmen können. Weiter induzieren die mit dem Ladestrom der
Leitung und den Verschiebungsströmen verknüpften Magnetfelder in
benachbarten Schleifen störende Quellenspannungen.
90 2 Störquellen
Der in Bild 2.9 gezeichnete Spannungsverlauf gilt nur für „elektrisch kurze“
leerlaufende Leitungsstücke, deren Laufzeit klein ist gegen die Anstiegszeit
der Durchschlagsvorgänge (einige zehn bis hundert ns je nach Kontaktab-
stand). Selbst in diesem Fall verläuft das Auf- und Umladen nicht so glatt
wie in Bild 2.9 gezeichnet, sondern in Form eines schwingenden Ausgleichs-
vorgangs [2.137, 2.138, 2.156, 2.163–2.165], auf den hier jedoch nicht weiter
eingegangen werden soll. Weiter können Drainageströme zu einer Dach-
schräge der in Bild 2.9 horizontal verlaufenden Partien der Leitungsspan-
nung führen.
Ist die Laufzeit des leerlaufenden Leitungsstücks größer als die Anstiegszeit
der Wiederzündungen, laufen bei jedem Durchschlag eine Spannungs- und
eine Stromwanderwelle in die Leitung ein, die am leerlaufenden Ende re-
flektiert werden und den in Bild 2.9 gezeichneten Spannungsverlauf noch
komplexer werden lassen. Die längs der leerlaufenden Leitung sich ausbrei-
tenden Wanderwellen koppeln in parallel laufende Leitungen wie oben Stör-
spannungen und Störströme ein (s. a. Abschn. 3.4.1).
Beim Öffnen von Trennern laufen sehr ähnliche Vorgänge ab, wobei sich
hierbei jedoch die Spannungsamplituden der Potentialänderungen bzw. der
Wanderwellen nach Beginn des Öffnungsvorgangs mit zunehmendem Kon-
taktabstand vergrößern und sogar den doppelten Scheitelwert annehmen
können, unbeschadet etwaiger zusätzlicher Spannungsüberhöhungen durch
Einschwingvorgänge bzw. Reflexionen.
Besonders problematisch sind die beschriebenen Vorgänge in druckgas-

isolierten Hochspannungsschaltanlagen (GIS), bei denen die Anstiegszeiten
der Zünd- bzw. Wiederzündvorgänge im Nanosekundenbereich liegen (engl.:
Fast Transients). Die Schaltvorgänge breiten sich in diesem Fall im Innern
der Kapselung als Wanderwellen aus, die an Diskontinuitäten des Wellen-
widerstands (Isolierte Flanschverbindungen, Abzweige, Durchführungen
etc.) teilweise reflektiert, teilweise weitergeleitet werden oder auch in den
Raum außerhalb der Kapselung austreten können [8.25, 8.26].
Beispielsweise teilt sich eine an einer Freileitungsdurchführung austretende

Wanderwelle in eine Wanderwelle längs der Freileitung und eine Wander-
welle zwischen Kapselung und Erde auf, wobei sich die Spannungsamplitu-
den entsprechend den jeweiligen Wellenwiderständen einstellen, Bild 2.10.
Bild 2.10: Wanderwellenverzweigung beim Austritt aus einer gekapselten Schaltan-

lage. a) Freileitungsdurchführung, b) Kabelabgang (schematisch).
Im Falle eines Kabelabgangs tritt noch eine weitere Wanderwelle zwischen

dem Kabelmantel und Erde auf. Aufgrund der Stromverdrängung, insbeson-
dere des Proximity-Effektes, fließen die Ströme innerhalb der Kapselung nur
in einer sehr dünnen Schicht unter der inneren Oberfläche, die Ströme im
Außenraum nur in einer sehr dünnen Schicht unter der äußeren Oberfläche.
Die Ströme in der inneren und äußeren Wand der Kapselung beeinflussen
sich daher nicht. Die Wanderwellen zwischen Kapselung und Erde führen zu
einer Potentialanhebung der Kapselung, die ohne besondere Vorkehrungen
zu rückwärtigen Überschlägen (s. Abschn. 3.1.4) in periphere Leittechnik-
einrichtungen führen. Darüber hinaus induzieren die transienten elektroma-
gnetischen Wellen auch in nicht mit der Kapselung verbundenen Sekundär-
einrichtungen Störspannungen, die nicht nur Fehlfunktionen, sondern auch
Zerstörungen hervorrufen.
Über Abschätzungen und praktische Messergebnisse maximaler Spannungs-

und Stromscheitelwerte, Anstiegszeiten der Wanderwellen von Schalt-
handlungen sowie der Feldstärken transienter elektromagnetischer Felder in
Freiluftschaltanlagen und Hochspannungsprüffeldern liegt umfangreiche
Literatur vor [2.137, 2.139–2.146], desgleichen über geeignete Maßnahmen
zur Herabsetzung von Überspannungen in Sekundäreinrichtungen [2.147–
2.154].
92 2 Störquellen
2.4.5 Transienten in der Hochspannungsprüftechnik und Plasmaphysik
Für den Nachweis der Isolationsfestigkeit hochspannungstechnischer Appa-

rate gegen innere und äußere Überspannungen in Hochspannungsnetzen
werden Blitz- und Schaltstoßspannungen mit Anstiegszeiten im Mikrosekun-
den- und Millisekundenbereich mit mehreren Millionen Volt Scheitelwert
erzeugt [2.119]. Stoßspannungen im Multimegavoltbereich mit Anstiegs-
zeiten von nur wenigen Nanosekunden und Impulsströme im Megaampere-
bereich treten in der Pulse Power Technologie für die Fusionsforschung und
die Simulation nuklearer Effekte auf [2.77, 2.120]. Wegen des um 120dB
höheren Störpegels ist die messtechnische Erfassung der aus diesen Größen
abgeleiteten Niederspannungsmesssignale mit einem Oszilloskop oder Tran-
sientenrekorder sehr schwierig, gehört jedoch zum technischen Alltag eines
Hochspannungsforschungslabors [2.19]. Die Beschäftigung mit diesen mas-
siven Beeinflussungen führte schon sehr früh zu einem intimen EMV-Ver-
ständnis [2.155, 2.156] und erklärt, warum gerade Ingenieure der Hoch-
spannungstechnik sich heute vielfach mit EMV-Fragen wie NEMP, ESD
oder innerem Blitzschutz befassen (s. Abschn. 2.4.1, 2.4.6 und 2.4.7). Im
Kapitel 10, „Repräsentative EMV-Probleme“, wird auf die Entstehung und
Beseitigung von Störspannungen in Hochspannungslaboratorien noch aus-
führlich eingegangen (s. Abschn. 10.6).
2.4.6 Blitze - LEMP
Blitze und die mit ihnen verknüpften transienten Felder (engl.: LEMP-
Lightning Electromagnetic Pulse) führen zu massiven elektromagnetischen
Beeinflussungen am Einschlagort sowie über den LEMP auch in dessen nä-
herer Umgebung. Für die Auslegung von Blitzschutzanlagen des äußeren
Blitzschutzes (s. Abschn. 10.5) können z. B. folgende maximalen Blitzstrom-
parameter zugrunde gelegt werden [2.121, 2.133, 2.134],
- Stromscheitelwert î = 200 kA
- Stromsteilheit di / dt = 300 kA / μs (für 100 ns)

= 150 kA / μs (für 1 μs)
= Q = 500 As
- Ladung
³ idt
2
= 107 A 2 s
- Grenzlastintegral
³ i dt
engl.: specific energy W /R = 107 A 2 s .
Die Vielzahl der Blitzstromparameter liegt in den vielseitigen Wirkungen von

Blitzentladungen begründet. So bestimmt der Stromscheitelwert die zu er-
wartenden Potentialanhebungen, die Stromsteilheit die induzierten Span-
nungen, die Ladung die Anschmelzungen sowie das Grenzlastintegral die
adiabatische Erwärmung von Leitern.
Die Zahlenwerte sind Obergrenzen und je nach Schutzbedürfnis und Bedeu-

tung der Anlage verhandlungsfähig. Die meisten Blitze besitzen nur Scheitel-
werte von wenigen 10 kA.
Im Hinblick auf den inneren Blitzschutz (s. 10.5) können die mit einem
Blitzstrom bzw. den Blitzteilströmen in der Erdungsanlage verknüpften elek-
trischen und magnetischen Felder sowie die von ihnen in Sekundär- und
Datenverarbeitungseinrichtungen, MSR-Anlagen etc. induzierten Störspan-
nungen und Störströme mit Hilfe der Maxwellschen Gleichungen für die je-
weilige Entfernung vom Einschlagort und Geometrie des Empfangssystems
unter Berücksichtigung der Gebäudeeigenschaften etc. im Einzelfall berech-
net werden (s. 3.3 und [2.122–2.129, 2.132]).
Die Häufigkeit der Gewittertage/Jahr für einen bestimmten Ort lässt sich
dem sogenannten isokeraunischen Pegel entnehmen, der auf einer Weltkarte
Orte gleicher Gewitterhäufigkeit durch „Höhenlinien“ verbindet [2.135,
2.136]. Diese Informationen sind aus vielen Gründen sehr bedeutsam, z. B.
für Sachversicherungen, Exportfirmen etc. Dem isokeraunischen Pegel lässt
sich beispielsweise entnehmen, dass Kenia 240 Gewittertage, dagegen Orte
in Westeuropa nur 10 bis 30 Gewittertage im Jahr aufweisen.
2.4.7 Nuklearer elektromagnetischer Puls - NEMP
Die plötzliche Freisetzung von Kernenergie in einer nuklearen Explosion ist

von einem intensiven Strahlungsimpuls aus γ - Quanten begleitet (hochener-
getische Röntgenstrahlung im MeV-Bereich), die sich nach allen Richtungen
mit Lichtgeschwindigkeit ausbreiten. Bei einer Explosion in großer Höhe
über der Erdoberfläche (z. B. 400 km) schlagen die auf die Erde zufliegenden
Quanten aus den Atomen der dichteren Luftschichten infolge des Compton-
Effekts sog. Compton-Elektronen heraus, von denen ein großer Teil die
ursprüngliche Richtung des γ -Quants beibehält und auf seinem weiteren
Weg zur Erde zahlreiche zusätzliche Elektronen durch Stoßionisation
freisetzt (Sekundärelektronen). Die auf die Erde zufliegenden Elektronen
bilden einerseits, zusammen mit den zurückgelassenen positiven Luftionen,
94 2 Störquellen
einen transienten elektrischen Dipol, andererseits aufgrund ihrer Ablenkung

im Magnetfeld der Erde (Lorentz-Kraft F = Q [ v × B ] ) auch einen transienten
magnetischen Dipol. Die zeitlich und räumlich veränderliche Ladungs- und
Stromverteilung im Luftraum ist verknüpft mit einem transienten elektroma-
gnetischen Wellenfeld, dem nuklearen elektromagnetischen Puls, NEMP.
Gemäß der zugänglichen Literatur besitzt der NEMP näherungsweise einen

doppelt exponentiellen Verlauf (qualitativ ähnlich einer genormten Blitz-
stoßspannung) mit einer Anstiegszeit von ca. 4 ns und einer Rückenzeit von
ca. 200 ns, Bild 2.11.
E(t)
90%
50%
10%
Ta ~
~ 4ns t
TR ~
~ 200ns
Bild 2.11: Genormter zeitlicher Verlauf der transienten elektrischen Feldstärke eines
NEMP-Impulses.
Der Maximalwert der elektrischen Feldstärke ist zu 50 kV/m genormt. Im

Fernfeld berechnet sich hieraus mit Hmax = Emax / 377 Ω die maximale ma-
gnetische Feldstärke zu 133 A/m.
Verwandte Effekte treten auch bei Explosionen in Bodennähe auf, man un-
terscheidet daher zwischen Höhen-EMP (auch EXOEMP, engl.: HEMP,
High-Altitude EMP) und Boden-EMP (auch ENDO-EMP, engl.: SREMP,
Surface-Region EMP). Bei letzterem sind jedoch die thermischen und me-
chanischen Effekte dominant. Schließlich gibt es noch den magnetohydrody-
namischen EMP (MHD-EMP), einen extrem langsam, im Sekunden- bis Mi-
nutenbereich, verlaufenden Ausgleichsvorgang, der durch Wechselwirkung-
en zwischen dem Erdmagnetfeld und den expandierenden ionisierten Gas-

massen in der Atmosphäre hervorgerufen wird.
Die Problematik des NEMP besteht in seiner flächendeckenden Wirkung,

die sich über einen ganzen Kontinent erstrecken kann. Besonders gefährdet
sind räumlich ausgedehnte Systeme (Energieversorgungsnetze, Telefonnetze
etc.), in denen durch die verteilte Einkopplung und Ausbildung von Wan-
derwellen beträchtliche Energien akkumuliert werden können.
Beim MHD-EMP werden niederfrequente, induktiv eingekoppelte Ströme in

Energieversorgungsnetze diskutiert, die möglicherweise bei Leistungstrans-
formatoren exzessive Sättigungserscheinungen hervorrufen könnten. Das
Ausmaß der möglichen elektromagnetischen Beeinflussungen durch NEMP
ist noch Gegenstand der Forschung und wird gelegentlich kontrovers dis-
kutiert [2.61]. Wegen weiterer Hinweise wird auf das Literaturverzeichnis
verwiesen [2.62–2.70].
2.5 Umgebungsklassen
Die Vielfalt der vorgestellten Störquellen legt zur vereinfachten

standardisierten Beschreibung von Störumgebungen die Einführung ty-
pischer Umgebungsklassen nahe. Beispielsweise kann man für Geräte der
Mess-, Steuer- und Regelungstechnik folgende Standardumgebungen defi-
nieren (s. z. B. VDE 0843 [B23], IEC 65-4 [2.167]).
2.5.1 Leitungsgebundene Störungen
Umgebungsklasse 1 (sehr niedriger Störpegel):

– Abschaltüberspannungen in Steuerkreisen durch geeignete Beschaltung-
en unterdrückt,
– Starkstromleitungen und Steuerleitungen von Anlagenteilen höherer Um-
gebungsklasse getrennt verlegt,
– Stromversorgungsleitungen mit an beiden Enden geerdetem Schirm und
mit Netzfiltern versehen,
– Leuchtstofflampen vorhanden.
Typisches Beispiel: Rechnerräume.
96 2 Störquellen
Umgebungsklasse 2 (niedriger Störpegel):

– Abschaltüberspannungen geschalteter Relais teilweise begrenzt, keine
Schütze,
– Starkstromleitungen und Steuerleitungen von Anlagenteilen höherer Um-
gebungsklasse getrennt verlegt,
– Getrennte Verlegung ungeschirmter Netzversorgungsleitungen und Steu-
er- bzw. Signalleitungen,
– Leuchtstofflampen vorhanden.
Typisches Beispiel: Messwarten in Kraftwerken und Industrieanlagen.
Umgebungsklasse 3 (Industriestörpegel):
– Relaisspulen nicht beschaltet, keine Schütze,
– Nicht verbindliche Trennung von Starkstrom- und Steuerleitungen von
Anlagenteilen mit höherem Störniveau,
– Netzversorgungsleitungen, Steuer-, Signal- und Telefonleitungen getrennt
verlegt,
– Nicht verbindliche Trennung von Steuer-, Signal- und Telefonleitungen
untereinander,
– Verfügbarkeit eines allgemeinen Erdungssystems.
Typisches Beispiel: Kraftwerks- und Industrieleittechnik.
Umgebungsklasse 4 (hoher Industriestörpegel):

– Unbeschaltete Relais und Schütze,
– Nicht verbindliche Trennung von Leitungen von Anlageteilen mit unter-
schiedlichem Störniveau,
– Keine Trennung von Steuerleitungen und Signal- bzw. Telefonleitungen,
– Mehradrige Kabel für Steuer- und Signalleitungen.
Typisches Beispiel: Außenanlagen der Kraftwerks- und Prozessleittechnik,
Hochspannungsschaltanlagen.
Umgebungsklasse X (extremer Störpegel):
Hier handelt es sich in der Regel um den Betrieb von Geräten in unmittel-
barer Nachbarschaft extremer Störer. Für diese Sonderfälle, die naturgemäß
nicht durch allgemeingültige Normen erfasst werden können, müssen zwi-
schen Hersteller und Anwender Sondervereinbarungen getroffen werden
bzw. sind u. U. auch vom Anwender zusätzliche Entstörmaßnahmen vor Ort
zu ergreifen.
2.5 Umgebungsklassen 97
2.5.2 Störstrahlung
Umgebungsklasse 1:
Umgebung mit niedrigem elektromagnetischen Strahlungspegel, z. B. örtliche

Rundfunk- und Fernsehstationen im Abstand von mehr als einem Kilometer,
Sprechfunkgeräte niedriger Leistung.
Umgebungsklasse 2:
Umgebung mit mäßiger elektromagnetischer Strahlungsintensität, z. B.

Sprechfunkgeräte, die im Abstand ≥ 1m nahe empfindlicher Einrichtungen
betrieben werden.
Umgebungsklasse 3:
Umgebung mit sehr starker elektromagnetischer Strahlung, z. B. hervorgeru-

fen durch Sprechfunkgeräte mit hoher Leistung in unmittelbarer Nähe von
Steuer-, Mess- und Regeleinrichtungen.
Umgebungsklasse 4:
Sehr starke Strahlung. Der Prüfschärfegrad ist zwischen Auftraggeber und

Hersteller zu vereinbaren.
In ähnlicher Weise kann man Umgebungsklassen an Bord von Flugzeugen

und Schiffen, in Forschungseinrichtungen oder in Abhängigkeit klimatischer
Bedingungen (z. B. für elektrostatische Aufladungen) etc. festlegen. Dabei
werden Umgebungsklassen oft nicht nur durch die äußere Störumgebung des
Gesamtsystems definiert, wie beispielsweise eine einfallende Radarwelle auf
ein Flugzeug, sondern sind oft auch abhängig von der Art der Integration
von Teilsystemen. Ein Beispiel hierzu sei die Definition der sogenannten
HIRF-Kategorien (engl.: High Intensity Radiated Fields) im Flugzeugbau,
wobei unter anderem die Exponiertheit der Komponenten und die Schutz-
wirkung der Flugzeugstruktur mit in die Spezifikation der Prüfanforderung
eingeht.
Die in den Abschnitten 2.5.1 und 2.5.2 genannten Kriterien sind verhand-
lungsfähig, zwischen den Umgebungsklassen bestehen keine scharfen
Grenzen.
Im Hinblick auf die Wirtschaftlichkeit von EMV-Maßnahmen darf nicht un-

besehen jeweils die höchste Umgebungsklasse vorausgesetzt werden. Viel-
98 2 Störquellen
mehr sind an Hand einer Risikobetrachtung Störwahrscheinlichkeit, Anla-

genwert, Stillstandskosten etc. gegenüber Mehrkosten für den ungestörten
Einsatz in einer bestimmten Umgebungsklasse sorgfältig gegeneinander ab-
zuwägen.
Die letztlich ausgewählte Umgebungsklasse legt die Prüfschärfe (engl.: test

severity) fest, das heißt Prüfspannungs- und Prüfstromamplituden, die zum
Beispiel um den Faktor 2 bzw. 6 dB über den in den jeweiligen Umgebungs-
klassen anzutreffenden Störpegeln liegen. Bei sicherheitsrelevanten Sys-
temen, wie beispielsweise Flugsteuerungscomputer oder Fahrzeugkontroll-
systemen (Antiblockiersystem, elektronisches Stabilitätsprogramm, usw.),
liegen die Anforderungen bei Prüfpegeln sogar bis zu 12dB über den um-
gebungsspezifischen Störpegeln. Weitere Hinweise enthalten die jeweils gelt-
enden Vorschriften sowie Kap. 8.
3 Koppelmechanismen und
Gegenmaßnahmen
Im Folgenden werden die bereits im Abschnitt 1.3 vorgestellten grundsätz-

lichen Übertragungswege elektromagnetischer Beeinflussungen ausführlicher
betrachtet. Darüber hinaus wird gezeigt, wie sich diese Übertragungswege
mathematisch beschreiben lassen, was letztlich, zusammen mit der Methodik
der Abschnitte 1.6.1 bis 1.6.3, eine Quantifizierung der am Empfangsort zu
erwartenden Störgrößen ermöglicht.
3.1 Galvanische Kopplung
Galvanische Kopplung tritt auf, wenn zwischen zwei oder mehreren Strom-
kreisen leitende Verbindungen bestehen, bzw. wenn diese eine Impedanz
gemeinsam haben. Man unterscheidet die
– galvanische Kopplung zwischen Betriebsstromkreisen, beispielsweise am

gleichen Netz betriebene Verbraucher, Bild 3.1 a, und die
– galvanische Kopplung zwischen Betriebsstromkreisen und Erdstromkrei-

sen, die sog. Erdschleifenkopplung, Bild 3.1 b.
ZK1 Zi
Netzteil ~ UNutz(ω) ZE
ZK2 ZK
~
UGl(ω)
a) b)
Bild 3.1: Beispiele leitungsgebundener Störspannungsentstehung bzw. -übertragung

durch galvanische Kopplung über eine Kopplungsimpedanz ZK , a) am gleichen Netz
betriebene Verbraucher, b) Erdschleifenkopplung.

100 3 Koppelmechanismen und Gegenmaßnahmen
Weitere typische Beispiele ersterer Art sind Netzrückwirkungen von Schalt-

netzteilen und Stromrichtern, Stromänderungen beim Schalten digitaler
Schaltkreise und Betätigen von Schütz- und Relaisspulen, Ströme in den Zu-
leitungen von Kollektormotoren usw. Die Erdschleifenkopplung ist ubiquitär
und tritt immer dann auf, wenn Gleichtaktspannungsquellen (s. Abschn. 1.4)
ungewollte Ströme durch mehrfach geerdete Bezugsleiter, Kabelschirme,
Messgerätegehäuse etc. treiben.
Die gemeinsamen Impedanzen werden synonym als Kopplungsimpedanz,

Leerlaufkernimpedanz oder Transferimpedanz (engl.: mutual transfer
impedance) bezeichnet. Diese Impedanzen beschreiben den Zusammenhang
zwischen einem eingeprägten Strom und dem von ihm an einer Impedanz
hervorgerufenen Spannungsabfall, der seinerseits als Quellenspannung
(Gegentaktspannungsquelle, s. Abschn. 1.4) eines weiteren Stromkreises
interpretiert wird.
3.1.1 Galvanische Kopplung von Betriebsstromkreisen
Besitzen zwei oder mehrere Stromkreise eine gemeinsame Impedanz, bei-

spielsweise einen gemeinsamen Bezugsleiter, so erzeugt der Strom jeweils
eines Stromkreises an der Kopplungsimpedanz ZK einen Spannungsabfall,
der sich im anderen Stromkreis als Gegentaktstörspannung bemerkbar
macht, Bild 3.2 a.
ZQI Z QII Z EII Z EI ZQI Z QII Z EII Z EI
UI U II UI U II
ZK
a) b)
Bild 3.2: a) Entstehung von Gegentaktstörspannungen in Stromkreisen mit gemein-

samer Impedanz, b) Abhilfe: Z0 Quellenimpedanzen, ZE Empfängerimpedanzen.
Grundsätzlich läuft in diesen Fällen die Entkopplung auf die in Bild 3.2 b ge-
zeigte Maßnahme hinaus. Beide Kreise sind nach wie vor noch galvanisch
3.1 Galvanische Kopplung 101
gekoppelt, jedoch nicht mehr über eine Kopplungsimpedanz, sondern nur

noch in einem Punkt. Im Folgenden wird die oben schematisch aufgezeigte
Problematik der Kopplung über gemeinsame Impedanzen am Beispiel der
galvanischen Kopplung elektronischer Flachbaugruppen, integrierter Schalt-
kreise und anderer Verbraucher über die Innenwiderstände gemeinsamer
Netzteile bzw. die Impedanzen gemeinsamer Stromversorgungsleitungen
näher erläutert, Bild 3.3.
Z = R + jωL Funktions-
a) einheit
1
Funktions-
einheit
2
Funktions-
b) einheit
1
Funktions-
einheit
2
Funktions-
einheit
1
c)
Funktions-
einheit
2
Bild 3.3: a) Galvanische Kopplung von Funktionseinheiten über gemeinsame Impe-

danzen. b), c) Gegenmaßnahmen. Erläuterung siehe Text.
In Bild 3.3 a rufen Laststromänderungen der Funktionseinheit 1 Spannungs-

abfälle an den Impedanzen der Stromversorgungsleitungen und am Innen-
widerstand des Netzteils hervor, die sich als Schwankungen der Versor-
gungsspannung aller weiteren parallel versorgten Funktionseinheiten be-
merkbar machen und gegebenenfalls zu Fehlfunktionen führen.
Der Spannungseinbruch berechnet sich im Zeit- und Frequenzbereich zu
di(t)
u(t) = Ri(t) + L bzw. U(ω) = I(ω)Z , (3-1)
dt
wobei eine etwaige Gleichzeitigkeit mehrerer Laststromänderungen zu be-

rücksichtigen ist. In der Digitaltechnik überwiegt wegen der großen Strom-
änderungsgeschwindigkeiten meist der induktive gegenüber dem ohmschen
Spannungsabfall.
Gegenmaßnahmen:
– Reduzierung der Schleifenimpedanz der Stromversorgungsleitungen durch

geringen Abstand, Verdrillen, doppelt kaschierte Leiterplatten und Multi-
Layer-Platten etc.
– Betreiben der Funktionseinheiten mit höherer Versorgungsspannung und
Einsatz individueller Schaltregler innerhalb einer Funktionseinheit.
– Funktionseinheiten am Eingang mit ausreichend bemessenen Stützkon-
densatoren versehen, die während schneller Schaltvorgänge kurzzeitig
hohe Ströme bei nur geringer Spannungsabsenkung liefern können.
– Separate Stromversorgungsleitungen der einzelnen Funktionseinheiten
zum Netzteil. Etwaige Spannungseinbrüche werden dann nur noch vom
vergleichsweise geringen Innenwiderstand des Netzteils bestimmt, die
Impedanzen der individuellen Zuleitungen bewirken eine Entkopplung
der Funktionseinheiten untereinander, Bild 3.3 b.
– Bei Funktionseinheiten sehr unterschiedlicher Leistungsaufnahme ge-
trennte Netzteile vorsehen, Bild 3.3 c.
Was hier beispielhaft für komplette Funktionseinheiten erläutert wurde, gilt

auch im Kleinen innerhalb einer einzelnen elektronischen Flachbaugruppe,
Bild 3.4 a, b.
+ +
IC C IC
a) b)
Bild 3.4: Stromversorgung von Komponenten auf Flachbaugruppen. a) schlecht, b)

besser.
Unter Berücksichtigung der oben für Funktionseinheiten aufgeführten Ge-

genmaßnahmen sind die Unterschiede beider Layouts selbsterklärend. Die
bereits erwähnten Stützkondensatoren werden zur individuellen Kopplung
gegebenenfalls auf einzelne IC ' s verteilt (s. a. Kap. 10). Dies bewirkt, dass
die durch schnelle Flanken verursachte Störung bereits am Erzeuger ge-
dämpft und nicht über die Platine verteilt wird. Selbstverständlich bedarf es
einer genauen Festlegung der einzelnen Kapazitäten, um die Funktionalität
der Bauteile sicherzustellen, da zu stark gedämpfte Anstiegsflanken die
Funktion nachfolgender Baugruppen beeinflussen können.
Diese Problematik schildert im Übrigen die Herausforderung moderner

Designs bei Verwendung schneller Schaltkreise, einerseits das Streben des
EMV-Ingenieurs nach geringen Anstiegszeiten und andererseits das des
Elektronikentwicklers nach schnellen Anstiegszeiten.
Auch bezüglich der Beeinflussung benachbarter Systeme weist das Layout

gemäß Bild 3.4 b Vorteile auf, da stromdurchflossene Schleifen wesentlich
kleinere Flächen besitzen und daher mit erheblich geringeren magnetischen
Flüssen verknüpft sind [B18].
Für die rechnerische Abschätzung zu erwartender Beeinflussungen finden

sich in Tabelle 3.1 einige Näherungsformeln zur Berechnung der Induktivität
verschiedener Leiterkonfigurationen ([3.9, 3.10, 3.11] mit zahlreichen wei-
teren Literaturstellen).
Tabelle 3.1: Näherungsformeln zur Berechnung von Induktivität und Wellenwider-

stand häufig vorkommender Leitungstypen.
Geometrie Induktivitätsbelag Wellenwiderstand
er
μ0 2d 377 2d
D ln ln
π D π εr D
d
er μ0 2h 377 2h
ar cosh ar cosh
D 2π D 2π ε r D
h
b μ0 377
≥ 0, 35 :
h §2 b· §2 b·
4 ¨ ln 2 + ¸ 4 ¨ ln 2 + ¸ ε r
h εr ©π h¹ ©π h¹
b
b μ0 8h 377 8h
< 0, 35 : ln ln
h 2π πb 2π ε r πb
b
b μ0 377
≥ 1:
εr h ªb h § h· º
6
« + 2,42 - 0,44 + ¨ 1 - ¸ »
ªb h §
6
h· º
εeff « + 2,42 - 0, 44 + ¨1 − ¸ »
h
«¬ h b © b ¹ »¼ ¬« h b © b ¹ ¼»
εr + 1 ε r -1 b μ § 8h b · 377 § 8h b ·
εeff ≈ + < 1 : 0 ln ¨ + ¸ ln ¨ + ¸
2 10 ⋅ h h 2π © b 4h ¹ 2π εeff © b 4h ¹
2 1+
b
Die Obergrenze für die Impedanz einer Stromversorgungsleitung bildet bei

unendlich hohem di/dt der Wellenwiderstand Z0, so dass sich für „elektrisch
lange“ Leitungsstücke ( l / ν > Ta , s. a. Abschn. 5.1) der Spannungsabfall in
Abweichung von (3-1) berechnet zu
ΔU = Z0 Δ I
. (3-2)
Die Wellenwiderstände Z0 häufig vorkommender Leitungstypen sind in der

letzten Spalte von Tabelle 3.1 aufgeführt.
3.1.2 Erdschleifen
Neben der im vorangegangenen Kapitel behandelten Kopplung mehrerer

Betriebsstromkreise über eine gemeinsame Impedanz gibt es auch die Kopp-
lung von Betriebsstromkreisen und Erdstromkreisen, sogenannten Erdschlei-
fen oder Ringerden (engl.: ground loop).
Erdschleifen bzw. Ringerden zählen zu den häufigsten Ursachen elektroma-

gnetischer Beeinflussungen. Betrachten wir beispielsweise eine Signalquelle,
die über ein Koaxialkabel mit einem Oszilloskop verbunden ist. Beide Ge-
rätegehäuse seien aus Berührungsschutzgründen über die Schutzkontakte
ihrer Netzanschlussleitungen geerdet, Bild 3.5.
ZQ I Gl (w)
ZE USt (w)
1 2
UGl (w)
Bild 3.5: Erdschleife durch Mehrfacherdung (Kabelmantelimpedanz nicht gezeich-

net). Gleichtaktquellenspannung UGl (ω) .
Eine durch Induktion oder durch unterschiedliche Erdpotentiale in der Erd-

schleife generierte Gleichtaktquellenspannung UGl (ω) treibt sowohl durch
den Innenleiter als auch durch den Mantel des Signalkabels Gleichtakt-
ströme I Gl (ω) . Der Gleichtaktstrom durch den Innenleiter ruft an den Sen-
der- und Empfängerimpedanzen Spannungsabfälle hervor. Gemäß dem aus
den Quell- und Empfängerimpedanzen gebildeten Spannungsteiler ergibt
sich für das Verhältnis Gegentaktstörspannung USt (ω) an der Empfängerim-
pedanz ZE zu Gleichtaktspannung UGl folgender Gleichtakt/Gegentakt-
Konversionsfaktor (s. 1.4),
USt (ω) ZE
GGKF = =
UGl (ω) ZE + ZQ . (3-3)
Hierbei ist impliziert, dass die Impedanzen von Innenleiter und Mantel ge-
genüber der Quellen- und Empfängerimpedanz vernachlässigt werden kön-
nen und im Messkabel noch keine Stromverdrängung auftritt (s. 3.1.3). Für
den häufig anzutreffenden Fall ZE Z0 tritt die Gleichtaktstörung in voller
Höhe als Gegentaktstörung am Empfänger auf, im angepassten Fall, zum
Beispiel Z0 = ZE = 50 Ω zur Hälfte. Bei hohen Frequenzen ändern sich die
Verhältnisse grundlegend, wenn der Kabelschirm als Kopplungsimpedanz
aufgefasst werden muss (s. Abschn. 3.1.3).
Das logarithmische Verhältnis des Kehrwerts des Gleichtakt/Gegentakt-

Konversionsfaktors bezeichnet man als Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung
(s. Abschn. 1.4)
U (ω)
GGD = 20 lg Gl
USt (ω) . (3-4)
Die Gleichung (3-3) entspricht der Gleichtaktverstärkung (engl.: common

mode gain) von Operationsverstärkern,
U Ausgang
A Gl =
UEingang . (3-5)
Eine nahe liegende Maßnahme zur Verringerung der Gleichtakt/Gegentakt-

konversion ist die galvanische Auftrennung der Erdschleife, indem entweder
Sender oder Empfänger ohne Schutzkontakt betrieben werden, Bild 3.6.
ZL = jωL
U St (ω)
U’Gl (ω)
1
ZStr =
j ω C Str
1 2
U Gl (ω)
Bild 3.6: Auftrennung einer Erdschleife durch einseitige Erdung.

In dieser Anordnung findet bei Gleichspannung keine Gleichtakt/Gegen-

takt-Konversion statt. Es darf jedoch nicht übersehen werden, dass das nicht
galvanisch geerdete Gerät eine Erdstreukapazität CStr gegenüber Erde auf-
weist, so dass bei hohen Frequenzen nach wie vor eine Erdschleife existiert.
Mit zunehmender Frequenz können daher merkliche Störströme fließen, die
wieder zu einer Gleichtakt/Gegentakt-Konversion führen. Zunächst erfolgt
eine Spannungsteilung am Teiler gebildet aus der Streukapazität
CStr (ZStr = 1/ jωCStr ) und der Induktivität L der Erdschleife ( ZL = jωL , mit
L=1 μH/m). Die Impedanz Z12 des Erdungssystems und der Erdverbind-
ungen zu den Gehäusen sei vernachlässigbar klein verglichen mit der
Impedanz des Signalkabelschirms, so dass sich das Verhältnis der Gleich-
taktspannung UGl (ω) zu der an der Parallelschaltung von Hin- und Rück-
leitung des Signalkreises liegenden Spannung U'Gl (ω) unter der Voraussetz-
ung (ZQ + ZE ) ZL ergibt zu
UGl (ω) ZStr + ZL
= . (3-6)
U'Gl (ω) ZL
Die Spannung U'Gl (ω) teilt sich wieder auf die Impedanzen ZQ und ZE
auf, so dass wir für das Verhältnis Gleichtaktspannung zu Gegentakt-
spannung folgendes erhalten:
UGl (ω) ZQ + ZE ZStr + ZL

= ⋅
USt (ω) ZE ZL . (3-7)
Für hohe Frequenzen strebt ZStr gegen Null, was einer unendlich großen
Kapazität bzw. einer direkten Erdung entspricht. Gleichung (3-7) geht dann
über in die bereits bekannte Gleichung (3-3).
Für Gleichspannungen nimmt ZStr den Wert unendlich an, was einer un-
endlich hohen Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung entspricht, das heißt
USt (ω) = 0 . Mit von Null ansteigender Frequenz nimmt die Gleichtakt/
Gegentakt-Konversion mit 6dB/Oktave bzw. 20dB/Dekade zu bzw. die
Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung entsprechend ab. Falls Sender und Emp-
fänger erdfrei betrieben werden und beide etwa gleich große Streukapa-
zitäten gegenüber Erde aufweisen, stellen sich in Gleichung (3-7) bei ZStr
ein Faktor 2 bzw. in der Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung zusätzliche 6dB
ein.
Im vorgestellten Beispiel wird wohl immer ein Gerät aus Berührungsschutz-

gründen geerdet sein (das zweite Gerät ist dann über den Kabelschirm eben-
falls geerdet, solange das Signalkabel angeschlossen bleibt!). Es gibt jedoch

zahllose Anordnungen, in denen tatsächlich eine beidseitig über Erdstreuka-
pazitäten geschlossene Erdschleife auftritt. Ein typischer Fall ist die Erd-
schleife zwischen zwei elektronischen Flachbaugruppen innerhalb eines oder
verschiedener Baugruppenträger, Bild 3.7.
CStr1 CStr2
~
~ PE
UGl (ω)
Bild 3.7: Erdschleife zwischen Flachbaugruppen.
Die Schaltungsmasse ist zwar an einer Stelle im Elektronikschrank mit der

Schutzerde verbunden, ist für Hochfrequenz jedoch durch Streuinduktivitä-
ten abgekoppelt und wird daher in Bild 3.4 nicht eingezeichnet. Unbescha-
det der unterschiedlichen Hardware verhält sich diese Anordnung bezüglich
der Gleichtakt/Gegentakt-Konversion ähnlich wie das Beispiel Signalquel-
le/Oszilloskop im Fall beidseitig erdfreien Betriebs.
Die bislang angestellten Betrachtungen gelten nur bereichsweise in guter Nä-

herung. Im konkreten Einzelfall sind zusätzlich folgende Phänomene zu be-
rücksichtigen:
- Für ωL = 1/(ωCStr ) gerät der Reihenschwingkreis aus Streukapazität

CStr und der Induktivität L in Resonanz und führt je nach Dämpfung
beliebig hohe Ströme (Stromresonanz).
- Bei langen Signalleitungen und hohen Frequenzen muss die Leitungsim-
pedanz der Hin- und Rückleitung in Reihe mit der Quellen- und Emp-
fängerimpedanz berücksichtigt werden.
- Für Frequenzen, deren Wellenlänge in der Größenordnung der Signalka-
bellänge oder darunter liegt, darf nicht mehr mit der komplexen Wech-
selstromrechnung gerechnet, sondern muss die Theorie elektrisch langer
Leitungen herangezogen werden.
- Speziell bei koaxialen Signalleitungen fließt bei hohen Frequenzen auf-

grund der Stromverdrängung nur noch auf dem Kabelmantel Strom. Die
Gleichtakt/Gegentakt-Konversion erfolgt dann über die Kopplungsimpe-
danz der Leitung (s. 3.1.3).
Unter Berücksichtigung der genannten Einflüsse besitzt die Frequenzabhän-

gigkeit der Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung qualitativ den in Bild 3.8 darge-
stellten Verlauf.
GGD dB
Zunehmende Kopplungsimpedanz auf
100 Grund des magnetischen Durchgriffs
80 Abnehmende Kopplungsimpedanz durch

Stromverdrängung
60
40 Leitungstheorie für I > λ /4
20
galvanisch
0
f
Bild 3.8: Typischer Verlauf der Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung für galvanisch und

kapazitiv geschlossene Erdschleifen (schematisch).
Bei galvanisch geschlossener Erdschleife (beidseitige Erdung) erfolgt für

niedrige Frequenzen eine vollständige Gleichtakt/Gegentakt-Konversion.
Die Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung beträgt 0dB und steigt erst bei höheren
Frequenzen aufgrund des frequenzabhängigen Kopplungswiderstands an.
Die Dämpfung wird jedoch nicht beliebig hoch, sondern fällt bei ansteigen-
dem Kopplungswiderstand wieder ab, um bei sehr hohen Frequenzen, wenn
die Messleitungen elektrisch lang werden, einen resonanzähnlichen Verlauf
anzunehmen. Bei kapazitiv geschlossener Erdschleife (einseitige oder keine
Erdung) ist bei Gleichspannung die Gleichtakt/Gegentakt-Dämpfung zu-
nächst unendlich groß, fällt aber dann mit 20dB/Dekade ab und geht in den
Verlauf der Kurve für beidseitige Erdung über.
Gegenmaßnahmen:
Die obigen Betrachtungen ließen bereits erkennen, dass zumindest bei

Gleichspannung und niederen Frequenzen durch einseitige Erdung eine für
viele Fälle befriedigende Gleichtaktunterdrückung erreicht werden kann. So

zielen denn auch einige der nachstehenden Maßnahmen weiter auf eine Auf-
trennung der Erdschleife ab. Diese Alternativen kommen insbesondere dann
zum Tragen, wenn sich weder Sender noch Empfänger erdfrei betreiben
lassen bzw. wenn diese bei hohen Frequenzen etwa über große Erdstreuka-
pazitäten permanent „geerdet“ sind, unbeschadet des Fehlens einer galvani-
schen Erdverbindung.
Trenntransformatoren:
Trenntransformatoren (engl.: Isolation Transformer) sind ein probates Mittel

zur Unterbrechung von Erdschleifen im Fall nieder- und mittelfrequenter
Nutzsignale, Bild 3.9.
CStr
a) ~ CStr
~
~
UGl(ω)
b) ~ IGl
~
~
UGl(ω)
Bild 3.9: Trenntransformatoren zur Unterbrechung von Erdschleifen, a) kapazitive

Restkopplung, b) „Bypass“-Schirm für den Gleichtaktstrom I Gl (ω) .
Während im Fall 3.9 a bei hohen Frequenzen über die nicht unbeträchtlichen
Wicklungsstreukapazitäten CStr nach wie vor Gleichtaktströme zum Emp-
fänger fließen können, werden diese im Fall 3.9 b durch den Schirm am
Empfänger vorbeigeleitet. Die Bypass-Wirkung setzt eine niederinduktive
Verbindung des Schirms mit der Empfängererde voraus.
Da sich der Trenntransformator im Signalpfad befindet, muss sein Überset-

zungsverhältnis über die Signalbandbreite konstant sein. Vielfach werden
Trenntransformatoren auch netzseitig eingesetzt, womit diese Voraussetzung
entfällt. Trenntransformatoren können bezüglich ihrer Schirme sehr kom-
plex aufgebaut sein, worauf in 4.4 noch näher eingegangen wird.
Neutralisierungstransformatoren:
Trenntransformatoren besitzen eine untere Grenzfrequenz und übertragen

keine Gleichspannungen. Falls dies gefordert wird, können Neutralisie-
rungstransformatoren bzw. Symmetriertransformatoren verwendet werden,
Bild 3.10 (engl.: BALUN, BALanced-UNbalanced ).
W1
I Gl
~ W2
~
~
~
U Gl (ω)
Bild 3.10: Neutralisierungstransformator zur „Unterbrechung“ einer Erdschleife

W1 = W2 : Windungszahl.
Beide Spulen sind gleichsinnig gewickelt, so dass sich die Durchflutungen

der in entgegengesetzten Richtungen fließenden Nutzsignalströme kompen-
sieren und daher der Transformator für sie nicht existent ist. Sie werden
daher oft auch stromkompensierte Drosseln genannt (s. Abschn. 4.1.5.2). Für
Gleichtaktströme wirken die Wicklungen als Drosseln und erhöhen damit
die Impedanz der Erdschleife, was bei hohen Frequenzen sinngemäß einer
Auftrennung gleichkommt.
Oberhalb 1 MHz eignen sich als Neutralisierungstransformatoren sehr gut

Ferritperlen und -ringe, die über beide Adern eines Signalkreises geschoben
werden, bzw. Ferritkerne, um die beide Adern eines Signalkreises aufge-
wickelt werden [2.19, 3.28]. Die Leiter selbst bilden dann die gleichsinnigen
Wicklungen des Neutralisierungstransformators, s. Bild 3.11 und 3.12.
UGl(w)
Bild 3.11: Ferritperlen zur Erhöhung der Impedanz von Erdschleifen.
Bild 3.12: Erhöhung der Impedanz einer Erdschleife durch Aufwickeln der Signal-
leitung auf einen Ferritkern (z. B. bei Stoßspannungsmessungen in der Hochspan-
nungstechnik und Laserphysik [B19]).
Optokoppler und Lichtleiterstrecken:
Mit dem Aufkommen der Mikroelektronik haben Optokoppler und Lichtlei-

terstrecken eine große Verbreitung gefunden. Beispielsweise sind die Ein-
und Ausgänge von speicherprogrammierbaren Steuerungen und Automati-
sierungssystemen in der Regel durch Optokoppler gegen Gleichtaktspannun-
gen verriegelt. Ihre Wirkungsweise geht aus Bild 3.13 hervor.
a)
~
b)
~
Bild 3.13: a) Optokoppler, b) Lichtleiterstrecke.
Eine Leuchtdiode oder Laserdiode wandelt das elektrische Sendesignal in

ein Lichtsignal um, das nach Übertragung durch ein elektrisch isolierendes
lichtdurchlässiges Medium in einer Photodiode oder einem Phototransistor
wieder in ein elektrisches Signal umgewandelt wird. Übliche Isolationsspan-
nungen von Optokopplern liegen je nach Typ zwischen 500 V und 10 kV.
Mit Lichtleiterstrecken können beliebige Potentialdifferenzen, z. B. bis in
den Megavoltbereich, überwunden werden. Wegen ihrer hohen Gleich-
taktunterdrückung werden Lichtleiterstrecken auch als störsichere Daten-
übertragungsleitungen, beispielsweise in Glasfaser-Rechnernetzen von Fa-
briken, in Elektroenergiesystemen etc. eingesetzt.
Optokoppler und Lichtleiterstrecken übertragen digitale Signale perfekt,

analoge Signale in vielen Fällen mit ausreichender Genauigkeit, je nach
Signalverarbeitung (s. a. Abschn. 4.3).
Differenzverstärker und Symmetrische Systeme
Differenzverstärker verstärken im Idealfall nur die Differenz der an ihren

beiden Eingängen gegen Erde anliegenden Spannungen (s. a. Abschn. 10.8 u.
[3.1]). Bei der Differenzbildung hebt sich eine beiden Signalen gemeinsame
Gleichtaktkomponente heraus, so dass nur die Gegentaktkomponente
resultierend in Ua ideal = A DUS am Verstärkerausgang auftritt (AD: Ver-
stärkung f. Gegentaktsignale, s. a. Abschn. 1.4), Bild 3.14.
Z L1
ZQ U1 ZE
Uaideal = ADUS
~ US U2 ZE
ZL2
~ UGl
Bild 3.14: Differenzverstärker mit symmetrischem Eingang.
Beim idealen Differenzverstärker ist die Gleichtaktverstärkung für ein reines

Gleichtaktsignal A Gl = Ua / UGl gleich Null. Real ist die Gleichtaktverstär-
kung jedoch geringfügig von Null verschieden. Als Maß für die effektive
Gleichtaktunterdrückung verwendet man das Gleichtaktunterdrückungsver-
hältnis (engl.: CMRR Common Mode Rejection Ratio),
AD
CMRR =
A Gl .
Das mit 20 multiplizierte logarithmierte Gleichtaktunterdrückungsverhältnis

CMRR bezeichnet man als Gleichtaktunterdrückung CMR (engl.: Common
Mode Rejection),
A
CMR = 20 lg D
A Gl .
Die Gleichtaktunterdrückung liegt in der Größenordnung von 100 dB, je

nach Verstärkertyp. In diesem Zusammenhang wird auch auf den mit der
Gleichtaktverstärkung praktisch identischen Gleichtakt/Gegentakt-Konver-
sionsfaktor in Abschn. 1.4 und 3.1.2 verwiesen.
Unsymmetrien im Signalkreis, beispielsweise eine merklich von Null ver-

schiedene Quellenimpedanz ZQ , reduzieren die Gleichtaktunterdrückung
merklich. Unter Berücksichtigung der Eingangsschaltung erhält man für das
Verhältnis Störspannung am Ausgang zu Gleichtaktsspannung am Eingang
UGg § ZE ZE ·
=¨ = ¸
UGl ¨ ZE + ZL + ZQ ZE + ZL ¸
© 1 2 ¹ . (3-8)
Dieses Verhältnis entspricht dem gerade erwähnten Gleichtakt/Gegentakt-

Konversionsfaktor aus Abschn. 1.4 und 3.1.2.
Wichtig ist die Beachtung der begrenzten Gleichtaktaussteuerbarkeit, die bei

Operationsverstärkern in der Regel ca. 2 V unter der Betriebsspannung liegt,
mithin bei etwa 13 Volt. Es ist daher nicht möglich, mit einem gewöhnlichen
Operationsverstärker eine auf 220 V Wechselpotential liegende Signalgröße
zu erfassen. Beschränkte Abhilfe schaffen vorgeschaltete Teiler, die jedoch
wegen ihrer inhärenten Unsymmetrie die Gleichtaktunterdrückung mit zu-
nehmender Frequenz rasch verschlechtern.
Vom Differenzverstärker mit seinem symmetrischen Eingang ist nur es noch

ein kleiner Schritt zu einem vollständig symmetrischen (engl.: balanced)
System [3.4]. Bei einem symmetrischen System sind sowohl Hin- und Rück-
leitung eines Signalkreises als auch Sender und Empfänger symmetrisch auf-
gebaut, Bild 3.15.
a)
b)
RS 422 TTL
TTL
c)
Bild 3.15: Symmetrische Signalübertragung a) Prinzip, b) Symmetrierung mittels

Symmetrierübertrager, c) Datenübertragungsleitung mit symmetrischem Leitungstrei-
ber und -empfänger (z. B. RS 422 Schnittstelle).
Bild 3.15 a lässt erkennen:
– Galvanisch eingekoppelte Gleichtaktspannungen erzeugen in Hin- und

Rückleitung identische Spannungsabfälle, so dass die Maschenregel, ohne
Berücksichtigung des Nutzsignals, immer den Wert Null ergibt.
– Von homogenen elektrischen und magnetischen Feldern eingekoppelte
Spannungen heben sich gegenseitig auf (s. Abschn. 3.2).
– Inhomogene magnetische Störfelder können in den Schleifen von Bild
3.1 eine Gegentaktspannung induzieren, die in Serie mit dem Nutzsignal
als Störspannung auftritt. Dies wird jedoch in praxi durch Verdrillen von
Hin- und Rückleitung unterbunden. Sollte die nach Verdrillung verblei-
bende minimale Restfläche bei starken Magnetfeldern noch störende Ge-
gentaktsignale zulassen, bringt eine zusätzliche Schirmung endgültig Ab-
hilfe.
Im Bild 3.15 b wird gezeigt, wie zwischen unsymmetrischen Sendern und

Empfängern unter Verwendung von Symmetrierübertragern (engl.: BALUN,
BALanced-UNbalanced) eine symmetrische Signalübertragung bewerkstel-
ligt werden kann. Bild 3.15 c schließlich zeigt eine eo ipso symmetrisch auf-
gebaute Datenübertragungsstrecke mit symmetrischem Leitungstreiber und
-empfänger. Dank ihrer Störunempfindlichkeit erlaubt die symmetrische RS
422 Datenübertragung etwa 50-mal größerer Übertragungsentfernungen und
Übertragungsraten als der unsymmetrische RS 232-Standard.
Schutzschirmtechnik
Bei der Messung sehr kleiner Spannungen, beispielsweise von Thermoele-

menten und Dehnungsmessstreifen (engl.: low-level signals) oder der Mes-
sung kleiner Spannungen und Ströme auf hohem Potential (z. B. einige 100
Volt) reicht die mit Differenzverstärkern erreichbare Gleichtaktunterdrück-
ung und Gleichtaktaussteuerbarkeit häufig nicht aus. In diesen Fällen greift
man dann zur Schutzschirm-Technik (engl.: guarding) [3.5 - 3.7].
Um ihre Wirkungsweise leichter verstehen zu können, erläutern wir

zunächst die Problematik eines erdfrei, das heißt schwebend arbeitenden
Digitalvoltmeters oder Schreibers (engl.: floating instrument), mit dem ein
auf hohem Potential UGl liegendes Signal US gemessen werden soll, Bild
3.16.
ZL2
Hi
DVM
ZS
US ~ ZL1 Lo
U Gl ~ RG CG
I Gl
Bild 3.16: Messung der Spannung US einer auf dem Gleichtakt-Potential UGl be-
findlichen Quelle mittels eines schwebend arbeitenden Digitalvoltmeters mit erd-
freiem Eingang (engl.: floating input).
Während bei den bisherigen Erdschleifenproblemen der Empfänger meist

eindeutig geerdet war, muss hier die Eingangsschaltung erdfrei betrieben
werden (andernfalls würde beim Anschluss der Lo-Klemme die Quelle UGl
kurzgeschlossen werden, was bei niedrigem Innenwiderstand – z. B. 220 V-
Netz – spektakuläre Folgen hätte).
Die Gleichtaktspannung UGl treibt in dieser Schaltung einen Gleichtakt-

strom durch den endlichen Isolationswiderstand RG (ca. 109 Ω ) und die
Schaltungskapazität CG (einige 1000 pF). Dieser Strom verursacht an ZL1
einen Spannungsabfall und führt damit eine Gegentaktstörspannung in den
Signalkreis ein.
Je größer das Verhältnis ZG = R G + 1/(jωCG ) zu ZL1 ist, desto höher die

Gleichtaktunterdrückung. Für ZG → ∞ und vernachlässigbarem Innenwider-
stand ZS der Quelle könnte die Gleichtaktspannung UGl keine Messfehler
verursachen. Praktisch realisierbare Impedanzverhältnisse begrenzen jedoch
die Gleichtaktunterdrückung auf Werte um 80dB. Da 1/(ωC) mit zunehm-
ender Frequenz immer niederohmiger wird, nimmt die Gleichtaktunterdrüc-
kung für höhere Frequenzen ab.
Messeinrichtungen in Schutzschirmtechnik bieten Gleichtaktunterdrückun-

gen von z. B. 160dB bei Gleichspannung und 140dB bei 50 Hz, Bild 3.17.
ZL2
Hi
DVM
ZS
US ~ ZL1 Lo
UGl ~ RG CG
RZ CZ
IGl
Bild 3.17: Schwebend arbeitendes Digitalvoltmeter in Schutzschirmtechnik.
Der Anschluss des zusätzlichen inneren Schutzschirms an die Messsignal-

masse schafft einen niederohmigen Bypass für den Gleichtaktstrom I Gl , so
dass dann an ZL nur noch eine minimale Gegentaktspannung abfällt. Bei
der Messung der Diagonalspannung von Brückenschaltungen wird der
Schutzschirm nicht mit einem der Diagonaleckpunkte, sondern mit der
geerdeten Klemme der Speisespannungsquelle der Brücke verbunden.
Die Anwendung der Schutzschirmtechnik ist in der Regel auf Gleichspan-

nungen und niedrige Frequenzen beschränkt, da mit zunehmender Frequenz
einerseits 1/(ωCG ) niederohmiger, andererseits die Stromaufteilung auf
beide Pfade zunehmend durch deren Reaktanzen ωL bestimmt wird, so dass
bei hohen Frequenzen der Effekt der Schutzschirmtechnik schnell abnimmt.
Bei hohen Frequenzen bzw. in der Impulsmesstechnik kommt die Bypass-
Technik zum Einsatz. Auf sie wird jedoch erst im Rahmen der frequenz-
abhängigen Kopplungsimpedanz einer geschirmten Leitung eingegangen (s.
3.1.3). Schließlich sei bemerkt, dass die Gleichtaktspannung nicht die
Spannungsfestigkeit des „guard“-Eingangs überschreiten darf.
3.1.3 Kopplungsimpedanz von Mess- und Signalleitungen
Mit dem im vorigen Kapitel behandelten Erdschleifenproblem eng verknüpft

ist die Kopplungsimpedanz (engl.: transfer impedance) geschirmter Mess-
und Signalleitungen, deren Schirme häufig erst Erdschleifen entstehen

lassen. Wenn ein von einer äußeren Spannungsquelle hervorgerufener Stör-
strom über einen Kabelmantel oder -schirm fließt, so verursacht er an der
inneren Oberfläche des Mantels einen Spannungsabfall, der sich als Stör-
spannung in dem vom Kabelmantel geschirmten Leitungssystem bemerkbar
macht, Bild 3.18.
I
USt(w)
ISt(w) ISt(w)
Bild 3.18: Zur Definition der Kopplungsimpedanz ZK eines Koaxialkabels.
Innerer Spannungsabfall und Störstrom sind über die Kopplungsimpedanz

des Schirms miteinander verknüpft. Die Kopplungsimpedanz wird aus Bild
3.18 unter der Voraussetzung, dass die Leitungslänge l klein gegen λ / 4 ist,
als Verhältnis der komplexen Amplituden von Kabelmantelstrom und Stör-
spannung definiert,
USt (ω)
ZK (ω) = . (3-9)
I St (ω) ⋅ l
Durch gleichzeitigen Bezug auf die Länge „l“ wird die Kopplungsimpedanz
eine von der jeweiligen Kabellänge unabhängige Größe.
Die Kopplungsimpedanz ist eine frequenzabhängige komplexe Größe, ihre

Definition ergibt nur im Frequenzbereich einen Sinn. Gelegentlich findet
man auch den Begriff Stoßimpedanz, gewonnen aus dem Verhältnis einer
Stoßstromamplitude i(t)max und einer beobachteten Spannungsamplitude
u(t)max . Dieser Quotient ist systemtheoretisch nicht definiert (außer bei rein
ohmschen Widerständen), von seinem Gebrauch ist abzuraten. Aus histori-
schen Gründen wird die Kopplungsimpedanz vielfach noch als Kopplungs-
widerstand [3.8] bezeichnet, was jedoch nach obiger Definition weniger
präzise ist.
Ergänzt man in Bild 3.18 das linke Kabelende um eine Quelle mit Innen-
widerstand ZQ , das rechte leerlaufende Kabelende um einen Empfängerein-
gangswiderstand ZE und zeichnet die den Störstrom treibende Spannungs-

quelle UGl ein, erhält man Bild 3.19, das mit Bild 3.5 elektrisch identisch ist.
~ ZK ZE
ZQ
ISt(ω) ISt(ω)
~
UGl(ω)
Bild 3.19: Erdschleife und Kopplungsimpedanz ZK .
Offensichtlich beschreibt die Kopplungsimpedanz den „worst-case“ einer

Erdschleife mit koaxialer Signalleitung. Bei Gleichspannung und niedrigen
Frequenzen entspricht die Störspannung USt (ω) der Gleichtaktspannung
UGl (ω) in der Kopplungsimpedanzdefinition gemäß (3-9). Dies bedeutet eine
vollständige Gleichtakt/Gegentakt-Konversion.
Bei Vorliegen einer Quellen- und Empfängerimpedanz reduziert sich die

Störspannung USt (ω) in bekannter Weise (s. 3.1.2) gemäß dem Überset-
zungsverhältnis des Spannungsteilers aus ZQ und ZE ,
UGl (ω) ZQ + ZE
=
USt (ω) ZE . (3-10)
Die Behandlung von Erdschleifenproblemen mit Hilfe der Kopplungsimpe-

danz erweist sich vor allem bei höheren Frequenzen als vorteilhaft, wenn
aufgrund der Stromverdrängung der Störstrom I St (ω) allein auf dem Schirm
fließt (Kabelmantelstrom). Am Spannungsteiler des Innenleiters liegt dann
nur noch der auf der Innenseite des Schirms in Längsrichtung abgreifbare
Spannungsabfall, der je nach Schirmmaterial und -aufbau eine eigentümliche
Frequenzabhängigkeit aufweisen kann.
Bild 3.20 zeigt die typische Frequenzabhängigkeit des Betrags der Kopp-
lungsimpedanz (sog. Kopplungswiderstand) von Flexwellkabeln und ge-
wöhnlichen Koaxialkabeln mit Geflechtschirm (s. a. Abschn. 5.6.2).
ZK
R0 Geflechtschirm
1.0
0.5
Flexwellkabel
0
f
Bild 3.20: Kopplungsimpedanz von Flexwellkabeln und gewöhnlichen Koaxial-

kabeln. Die Ordinate zeigt den Betrag der auf den Gleichstromwiderstand des
Schirms normierten Kopplungsimpedanz (sog. Kopplungswiderstand).
Die Ursache für das unterschiedliche Verhalten beider Schirmarten bei

hohen Frequenzen liegt im Durchgriff des Magnetfeldes. Bei Gleichspannung
und niedrigen Frequenzen entspricht die Kopplungsimpedanz beider
Schirme dem ohmschen Widerstand. Bei hohen Frequenzen fließt im Mantel
eines Flexwellkabels (gewelltes Rohr) wegen der Stromverdrängung zuneh-
mend weniger Störstrom auf der Innenwand, so dass vom inneren System
auch zunehmend weniger Spannungsabfall detektiert werden kann. Beim
Geflechtschirm greift dagegen das Magnetfeld des Störstromes in das innere
System durch und induziert dort eine frequenzproportionale Spannung, was
ab einer bestimmten Grenzfrequenz wieder einem Ansteigen der Kopp-
lungsimpedanz ZK (ω) entspricht [3.8].
Im Zeitbereich macht sich der Kopplungswiderstand dadurch bemerkbar,

dass ein sprungförmiger Störstrom I0 im Innern eines Flexwellkabels eine
sprungförmige Störspannung mit näherungsweise exponentiellem Anstieg
(gefaltete Exponentialfunktion) hervorruft [B19]. Die Anstiegszeit der Stör-
spannung berechnet sich abhängig von der Wandstärke d, dem spezifischen
Widerstand ρ und der Permeabilität μ des Schirmmaterials zu
μd2
Ta = 0,237 . (3-11)
ρ
Bei Geflechtschirmen überlagert sich dem monotonen Anstieg je nach Ge-

flechtaufbau ein ausgeprägtes Über- oder Unterschwingen [3.24].
Je kleiner die Kopplungsimpedanz eines Koaxialkabels ist, desto kleiner ist

die erzeugte Störspannung und desto besser ist seine Schirmwirkung (s. 9.1).
Mitunter benützt man zur Verringerung der Kopplungsimpedanz doppelt
oder dreifach geschirmte Leitungen oder Flexwellkabel, deren Außenleiter
aus einem gewellten, nahtlos verschweißten Metallmantel besteht.
Häufig stellt sich die Frage nach dem Kopplungswiderstand „elektrisch lan-
ger“ geschirmter Leitungen. Hierunter versteht man Leitungen, für die im
Frequenzbereich l > λ / 4 und im Zeitbereich Ta < τ gilt [B18]. Die Ver-
teilung des Störstroms auf dem Schirm ist dann ortsabhängig, das heißt
i(t) → i(t, x) . Bezüglich des Störstroms bildet der Kabelmantel mit der
Umgebung eine elektrisch lange Leitung, auf der sich, abhängig von den
Abschlusswiderständen an ihren Enden, im Frequenzbereich stehende
Wellen mit Knoten und Bäuchen bzw. im Zeitbereich Wanderwellen-
schwingungen ausbilden. Der Zusammenhang zwischen der Stromwelle i(t,x)
auf dem Kabelmantel und der im inneren System eingekoppelten Stör-
spannung ist sehr komplex und hängt sowohl vom Verhältnis Kabellänge zu
Wellenlänge bzw. Kabellaufzeit zu Anstiegszeit ab als auch von den Impe-
danzverhältnissen an Leitungsanfang und -ende. Die Schirmwirkung elek-
trisch langer Koaxialkabel lässt sich daher ab einer bestimmten Grenz-
frequenz nicht mehr auf einfache Weise durch eine frequenzabhängige
Kopplungsimpedanz beschreiben. Man liegt jedoch auf der sicheren Seite,
wenn man den für kurze Kabellängen bei einer bestimmten Frequenz er-
mittelten Kopplungswiderstand mit der Länge des elektrisch langen Kabels
multipliziert, da dieses Produkt im Regelfall die Obergrenze der zu erwar-
tenden Störspannung darstellt.
In gleicher Weise wie an den Kopplungswiderständen von Kabeln bewirken

die Kabelmantelströme auch an den Übergangswiderständen lösbarer koaxi-
aler Steckverbindungen sowie an Gehäusetrennfugen und Chassisteilen (Ge-
häuseströme) zusätzliche Störspannungen.
Ein Kabelmantelstrom, der durch den mit Masse verbundenen Kragen der
Eingangsbuchse eines Oszilloskops in das Gehäuse eintritt und dieses durch
die Erdkapazität und den Schutzleiter wieder verlässt, erzeugt längs der
Schaltungsmasse Spannungsabfälle, die galvanisch dem Nutzsignal uM (t)
überlagert werden, teilweise aber auch durch kapazitive Kopplung auf den
Abschwächer und den Eingangsverstärker gelangen, Bild 3.21.
Bild 3.21: Zur Erklärung der Kopplungsimpedanz einer Verstärkerschaltungsmasse.
Bei Kabellängen von wenigen Metern überwiegt die Kopplungsimpedanz des

Messgeräts im Allgemeinen die Kopplungsimpedanz des Messkabels. Gute
und weniger gute Oszilloskope, Spektrumanalysatoren, Funkstörmessemp-
fänger bewertet man daher nicht zuletzt auch nach ihrer Gehäuse-Kopp-
lungsimpedanz.
Die Kopplungsimpedanz von Messgeräten und damit deren Störspannungs-

empfindlichkeit lässt sich messtechnisch abschätzen, indem in den Masse-
kragen des Signaleingangs ein Stromsprung eingespeist wird [2.155, 2.156,
B19]. Beispielsweise erhält man dann bei einem Oszilloskop trotz Fehlen
eines Eingangsignals auf dem Bildschirm eine Strahlauslenkung ähnlich wie
in Bild 3.22.
Bild 3.22: Störspannung hervorgerufen durch einen Gehäusestrom von 1 A. Zwi-

schen den Abschwächerstellungen 1 mV/cm bis 20 V/cm ändert sich die Wiedergabe
nur unwesentlich.
Die maximale Störspannungsamplitude ändert sich nur unwesentlich bei

direkter Einspeisung auf die Erdbuchse des Elektronenstrahloszilloskops.
Desgleichen verändern sich die hochfrequenten Anteile der Störspannung
praktisch nicht, wenn das Oszilloskop ohne Schutzkontakt betrieben wird,
da für hohe Frequenzen Signalgenerator und Oszilloskop über ihre Erd-
streukapazität geerdet bleiben. Die Störspannung muss nicht zwingend im
Signalpfad auftreten, sondern kann auch die Zeitbasis des Oszilloskops

beeinflussen. Beispielsweise führt eine der sägezahnförmigen Ablenkspan-
nung überlagerte hochfrequente Schwingung zu einem zeitweise rückwärts
laufenden Strahl (siehe z. B. Bild 10.9 in Kap. 10.6).
Da die Kopplungsimpedanz nicht beliebig klein gemacht werden kann, läuft

die Beseitigung der über diesen Kopplungsmechanismus hervorgerufenen
Störspannungen entweder auf die Verringerung der Kabelmantelströme
durch Erhöhung der Impedanz der Erdschleife hinaus, wie bereits im vorigen
Abschn. 3.1.2 ausführlich erläutert wurde, oder auf die Verkleinerung der sie
treibenden Gleichtaktspannungen bzw. auf die Bypass-Technik.
Die Bypass-Technik eliminiert Kabelmantel- und Gehäuseströme gleich

welchen Ursprungs, Bild 3.23.
zusätzlicher Schirm
aus Kupfergeflecht
uM(t)
Ferritkerne
iSt(t)
Messkabel
CStr
Schirmkabine iSt(t)
Bild 3.23: Bypass-Technik, Messaufbau zur Unterdrückung von Kabelmantel- und

Gehäuseströmen.
Die Spannungsquelle wird mit einem doppelt geschirmten Kabel verbunden,

dessen innerer Schirm am empfangsseitigen Ende mit Signalmasse und
dessen äußerer Schirm dort direkt geerdet wird; im Regelfall an der Wand
eines offenen oder geschlossenen Schirmgehäuses (Baugruppenträger, Elek-
tronikschrank, Schirmkabine).
Aufgrund der Stromverdrängung fließt der Störstrom bevorzugt über den zu-
sätzlichen äußeren Schirm und die äußere Oberfläche der Schirmkabine
nach Erde ab. Er wird also am Messkabelmantel und am Oszilloskopgehäuse
vorbeigeleitet. Diesen Bypass zu schaffen ist in einer Vielzahl von Anwen-
dungen die Hauptaufgabe der Schirmkabine und des doppelten Schirms
eines Koaxialkabels, weniger deren eigentliche Schirmwirkung (s. a. Abschn.
10.6 u. [2.155, 2.156 u. 10.42]). Als Schirmkabine genügt daher häufig ein
einseitig offener Blechkasten mit in der Rückwand eingesetzter Netz-
verriegelung bzw. ein Baugruppenträger. Die angestrebte Störstromverteilung
wird in schwierigen Fällen durch auf dem Messkabelmantel aufgebrachte
Ferritkerne unterstützt, die die für den Störstrom wirksame Impedanz des
Messkabelmantels vergrößern und somit den Störstrom auf den äußeren
Schirm zwingen [3.28].
3.1.4 Rückwärtiger Überschlag
Das Phänomen des rückwärtigen Überschlags tritt hauptsächlich in For-

schungslaboratorien der Hochspannungstechnik, Plasmaphysik und Pulse
Power Technologie sowie bei Blitzentladungen und gegebenenfalls beim
NEMP auf. Während beim Abschalten induktiver Verbraucher Leitungen
von Betriebsstromkreisen kurzzeitig Spannungen von mehreren kV
gegenüber Masse oder Erde annehmen können (s. Abschn. 2.4.2 und 2.4.3),
hebt sich bei rückwärtigen Überschlägen das Erdpotential bzw. die Masse
um Spannungen von mehreren kV gegenüber Betriebsstromkreisen an. Bild
3.24 zeigt zwei typische Beispiele.
i(t)
L1 Energie-
speicher
PEN L1L2 L3 ZA C1
i(t) C2
A
A
ZE1 ZE2 ZE1 ZEM
Ferne Erde
a) b)
Bild 3.24: Rückwärtiger Überschlag. a) Fremdnäherung zur Elektroinstallation in

einem Wohnhaus, ZE1: Blitzerder, ZE2: Fundamenterder b) Potentialanhebung am
erdseitigen Ende einer Arbeitsimpedanz ZA (gepulster Hochleistungsgaslaser o. ä.) in
der Pulse-Power Technologie. ZE1: Stoßgeneratorerde, ZE : Messerde, C1,C2 ka-
M
pazitiver Messspannungsteiler.
In Bild 3.24 a ruft der eingeprägte Blitzstrom längs der Impedanz der Ab-
leitung und der Parallelschaltung der Erdungsimpedanzen ZE1 und ZE2
einen Spannungsabfall hervor, so dass sich das Potential im Punkt A kurz-
zeitig gegenüber der fernen Erde bis in den MV-Bereich anheben kann.
Beim Erreichen der Durchschlagsspannung des kleinsten Abstands zur

Elektroinstallation kommt es zu einem Überschlag von der Ableitung oder
dem PEN zur Elektroinstallation, da diese gegenüber dem Punkt A quasi auf
dem Erdpotential der fernen Erde in der Transformatorstation liegt (bis auf
2 ⋅ 230 V , die hier zu vernachlässigen sind). Abhilfe schaffen Maßnahmen
des inneren Blitzschutzes (s. Abschn. 10.5), große Abstände, niedrige Erd-
impedanzen ZE1 und ZE2 sowie eine Aufteilung des Blitzstroms auf mehre-
re Ableitungen, so dass die kleinen Teilströme längs der Ableitungsimpedanz
auch nur kleinere Spannungsabfälle verursachen können.
Bild 3.24 b zeigt ein typisches Beispiel des in vielen Variationen immer wie-
derkehrenden Problems transienter Potentialanhebungen in der Hochspann-
ungsprüftechnik, Plasmaphysik und der Pulse Power Technologie. Der aus
dem Energiespeicherkondensator fließende Strom i(t) ruft an der Impedanz
der erdseitigen Rückleitung einen Spannungsabfall und damit eine Potential-
anhebung von mehreren 10 kV im Punkt A hervor. Über das Messkabel hebt
sich das Oszilloskopgehäuse entsprechend an, so dass es zu einem rückwär-
tigen Überschlag zum Netzteil des Oszilloskops kommen kann.
Eine Maßnahme zur Verringerung der Potentialanhebung des Oszilloskops

wäre die Erdung des Teilerfußpunktes. Es liegt dann wieder der im Kapitel
1.5 erwähnte Fall vor, dass der Strom i(t) ja gar nicht nach Erde fließen,
sondern zum anderen Belag des Energiespeicherkondensators zurückkehren
will. Die wichtigste Maßnahme ist daher zunächst die Bereitstellung einer
möglichst niederohmigen, induktionsarmen Rückleitung zum Impulsge-
nerator. Hierfür eignen sich am besten breite Bänder aus Kupferblech. Daran
anschließend kann man sich wieder Gedanken über die Notwendigkeit einer
besseren Erdung machen (s. a. Abschn. 10.6).
3.2 Kapazitive Kopplung
Kapazitive oder elektrische Kopplung tritt auf zwischen Leitern, die sich auf
unterschiedlichem Potential befinden. Infolge der Potentialdifferenz herrscht
zwischen den Leitern ein elektrisches Feld, das wir im Ersatzschaltbild
3.2 Kapazitive Kopplung 127
durch eine Streukapazität modellieren. Unter der Annahme quasistatischer

Verhältnisse [B18] und unsymmetrischer Systeme erhalten wir folgendes
Ersatzschaltbild, Bild 3.25.
CI/II
II
UI ~ RE CE USt
Bild 3.25: Typisches Beispiel kapazitiver Kopplung zwischen ungeschirmten un-

symmetrischen Leitungssystemen. I Störendes System, II Gestörtes System.
RE und CE repräsentieren die parallel geschalteten Innenwiderstände von

Sender und Empfänger des Systems II, CI/II die Streukapazität zwischen
beiden Systemen. Die Nutzspannungsquelle ist nicht eingezeichnet. Das
Ersatzschaltbild geht weiter davon aus, dass nur das System I das System II
stört und nicht auch umgekehrt. Mit anderen Worten, der Spannungspegel
im System I sei ein Vielfaches größer als im System II.
Die passiven Komponenten CI/II sowie R E || CE wirken als frequenzabhängi-

ger Spannungsteiler, so dass wir für das Verhältnis von Störquellenspannung
zu Störspannung im System II erhalten
UI 1/ jωCI / II + R E /(1 + jωR ECE )

= . (3-12)
USt R E /(1 + jωR ECE )
In einem niederohmig angelegten System II gilt R E 1/(ωCE ) , der Span-

nungsteiler besteht dann im Wesentlichen noch aus CI/II und RE. Für das
Verhältnis (3-12) ergibt sich dann
UI 1/ jωCI / II + R E 1
= ≈ . (3-13)
USt RE jωCI / IIR E
Hieraus berechnet sich die Störspannung im Frequenzbereich zu

USt = UI jωCI / IIR E . (3-14)
Für den Zeitbereich erhalten wir entsprechend
duI (t)
uSt (t) = CI / IIR E . (3-15)
dt
Die Störspannung ist demnach neben der Frequenz bzw. der zeitlichen Än-
derungsgeschwindigkeit, der Koppelkapazität CI/II sowie dem ohmschen
Gesamtinnenwiderstand des Systems II proportional. Hieraus ergeben sich
unmittelbar die Gegenmaßnahmen:
– Verkleinern von CI/II, z. B. durch möglichst kurze Strecken paralleler

Leitungsführung (z. B. wire-wrap-Verdrahtung), Erhöhung des Abstands
der Leiter, Schirmung des Systems II (s.u.),
– Verkleinern von RE, das heißt niederohmige Schaltungstechnik.
Die Wirkung eines Kabelschirms veranschaulicht Bild 3.26.
CI/II
II
UI(w) ~ RE CE USt(w)
Bild 3.26: Verringerung kapazitiver Kopplung durch Schirmung.
Die vom System I ausgehenden Feldlinien enden jetzt alle auf dem geerdeten
Schirm, die Ströme durch CI/II fließen direkt nach Erde ab und rufen keine
Störspannungsabfälle an RE und CE hervor. Die ideale Schirmwirkung setzt
voraus, dass
– der Schirm ideal leitfähig und induktionsfrei ist, das heißt, dass sich das
Potential des nicht geerdeten Endes des Schirms nicht aufgrund von
Schirmströmen anhebt und dann doch wieder kapazitiv – jetzt aufgrund
einer Streukapazität CSchirm / II – Ströme in das System II injiziert,
3.2 Kapazitive Kopplung 129
– der Schirm eine vernachlässigbar kleine Kopplungsimpedanz besitzt (s.

Abschn. 3.1.3),
– der Schirm einen vernachlässigbaren kapazitiven Durchgriff besitzt (s.
Abschn. 9.1.2).
Bei nicht vernachlässigbarem Durchgriff ist in Bild 3.26 zwischen dem

Schirm und dem hoch liegenden Leiter des Systems II die sogenannte
Durchgriffskapazität einzuzeichnen. Diese erlaubt wiederum die Injektion
von Strömen in das System II. Wegen des Begriffs Durchgriffskapazität wird
auf Kap. 9.1.2 verwiesen. In schwerwiegenden Fällen ist als Schirm ein Me-
tallrohr zu wählen, gegebenenfalls auch das geschirmte Kabel in einem Rohr
zu verlegen.
Selbstredend trägt auch eine Schirmung des Systems I zur Verringerung der
Störungen des Systems II bei. Leider ist diese Lösung in vielen Fällen nicht
realisierbar, beispielsweise in der Hochspannungstechnik. Dort müssen alle
denkbaren Maßnahmen am gestörten System vorgenommen werden.
Die quasistatische kapazitive Kopplung spielt in der Regel nur bei hoch-
ohmigen Empfängern eine Rolle, z. B. Oszilloskope und Transientenrekor-
der, hochohmige Mikrofonverstärker etc. Meist wird der Gesamtwiderstand
RE durch Parallelschaltung der Quelle sehr niederohmig, so dass EMB nur
bei leerlaufendem Empfängereingang auftritt.
Neben der hier besprochenen unidirektionalen rein kapazitiven Kopplung

gibt es auch das sogenannte Nebensprechen (engl.: cross talk), das zwischen
parallel geführten Signalleitungen vergleichbaren Leistungsniveaus auftritt
(beispielsweise den zahllosen Aderpaaren bzw. -vierern in einem Telefon-
kabel). Die Kopplung in Fernsprechkabeln ist sowohl kapazitiver als auch
induktiver Natur und sehr komplex. Wegen Einzelheiten wird auf das
Literaturverzeichnis verwiesen [3.12 - 3.16].
3.3 Induktive Kopplung
Induktive bzw. magnetische Kopplung tritt auf zwischen zwei oder mehreren
stromdurchflossenen Leiterschleifen. Die mit den Strömen verknüpften ma-
gnetischen Flüsse durchsetzen die jeweils anderen Leiterschleifen und indu-
zieren dort Störspannungen. Die induzierende Wirkung der Flüsse model-
liert man im Ersatzschaltbild wahlweise durch eine Gegeninduktivität oder
eine Quellenspannung [1.6]. Unter der Annahme quasistatischer Verhält-

nisse erhalten wir folgende Ersatzschaltbilder, Bild 3.27.
II(ω) M II(ω)
ZI ZI ~
ZE ZE
UI(ω) ~ USt(ω) UI(ω) ~ USt(ω)
ZII ZII
UII(ω) ~ UII(ω) ~
a) b)
Bild 3.27: Magnetische Kopplung zwischen zwei Stromkreisen. Modellierung des In-
duktionsvorgangs durch a) eine Gegeninduktivität, b) eine Quellenspannung.
Diese Ersatzschaltbilder gehen davon aus, dass nur das System I das System
II störe und nicht auch umgekehrt. Mit anderen Worten, der Strompegel im
System I sei ein Vielfaches größer als der Strompegel im System II.
Für das Ersatzschaltbild gemäß Bild 3.27a berechnet sich die induzierte
Spannung zu
USt (ω) = I I (ω)jωMI / II

, (3-16)
bzw. im Zeitbereich zu
diI (t)
uSt (t) = MI / II
dt . (3-17)
Der Induktionseffekt äußert sich in einer Gegentaktstörspannung im System

II, deren am Empfängereingang auftretender Anteil sich nach dem Span-
nungsteiler ZII (ω)/ ZE (ω) richtet.
Die Gegeninduktivität MI / II entnimmt man entweder einem Grundlagen-

oder Taschenbuch der Elektrotechnik [3.9 - 3.11] oder berechnet sie aus
φI / II (ω)
MI / II = , (3-18)
I II (ω)
3.3 Induktive Kopplung 131
wobei φI / II der das System II durchdringende Anteil des mit I I (ω) ver-
knüpften magnetischen Flusses darstellt.
Den Betrag des Flusses φI / II berechnet man mit Hilfe des Flächenintegrals
φI / II =
³ B ⋅ dA
A II
I (3-19)
über den Bereich A II (Fläche der Leiterschleife des Systems II). Für Über-
schlagsrechnungen nimmt man meist die magnetische Flussdichte BI räum-
lich konstant an, wodurch sich das Skalarintegral zu einem Skalarprodukt
vereinfacht,
φI / II = BI A II cos α
. (3-20)
In dieser Gleichung ist α der Winkel, den B I und A II einschließen. Die

magnetische Flussdichte B I erhält man aus dem gegebenen Strom I I mit
Hilfe des Durchflutungsgesetzes [B18].
In der Praxis geht es zunächst weniger darum, die Gegeninduktivität MI / II

zu berechnen, sondern sie als solche zu erkennen. Schließlich steht MI / II in
keiner Stückliste und die magnetische Kopplung ist auch existent, wenn die
Schleife des Systems II nicht galvanisch, sondern nur über eine Streukapazi-
tät geschlossen ist. In letzterem Fall wird die induzierte Spannung nicht am
Spannungsteiler ZII (ω)/ ZE (ω) geteilt, sondern steht in voller Höhe
zwischen den offenen Enden der Schleife II an. Die induzierte Störspannung
ist eine eingeprägte Spannung, das heißt ihre Größe ist unabhängig von der
Impedanz der Schleife II. Mit abnehmender Impedanz ZII (ω)/ ZE (ω) kann
I II beliebig hohe Werte annehmen. Der Anteil der auf den Empfänger-
eingang entfallenden Störspannung richtet sich ausschließlich nach dem
Verhältnis ZII (ω)/ ZE (ω) , nicht nach dem Impedanzniveau.
Gemäß den Gleichungen (3-16), (3-17) und (3-19), (3-20) ist die induzierte
Störspannung neben der Frequenz bzw. Änderungsgeschwindigkeit des
Stromes im System I der Gegeninduktivität MI / II und damit der Fläche A II
proportional. Hieraus ergeben sich unmittelbar die Gegenmaßnahmen:
– Verkleinern von MI / II durch möglichst kurze Strecken paralleler Lei-

tungsführung,
– Vergrößern des Abstands der Schleifen,
– Orthogonale Anordnung der Schleifen,

– Verdrillen der Leiter des Systems II (Verringerung von A II bzw. φI / II ),
– Schirmung des Systems II,
– Reduktionsleiter auslegen.
Das Verdrillen der Leiter ist die zunächst kostengünstigste und wirksamste
Maßnahme zur Verringerung induzierter Spannungen. Sollte die verbleiben-
de, isolationsbedingte Restfläche noch zu viel Störspannungen auffangen,
bringt ein zusätzlicher Schirm weitere Abhilfe, 3.28 a. Bezüglich der Wir-
kungsweise dieses Schirms und der Behandlung der Erdung von Kabelschir-
men wird auf Abschn. 3.6 verwiesen.
Statt eines Kabelschirms werden gelegentlich auch Reduktionsleiter verlegt

(wenn beispielsweise eine Schirmung aus isolationstechnischen Gründen
nicht möglich ist). Reduktionsleiter bilden eine parallele Kurzschlussschleife,
deren Magnetfeld das störende Magnetfeld teilweise kompensieren kann,
Bild 3.28 b.
Bild 3.28: a) geschirmte verdrillte Signalleitung, b) Signalkreis mit Reduktionsleiter.
Durch die Anwesenheit der Kurzschlussschleife (Index R) verringert sich die

im System II induzierte Störspannung auf
USt (ω) = jωφ Ext − jωMII,R I R , (3-21)
wobei jωφ Ext die induzierte Umlaufspannung und MII,R die Gegeninduktivi-
tät zwischen dem gestörten System II und der Reduktionsschleife ist.
Der Strom I R der Reduktionsschleife berechnet sich zu

3.3 Induktive Kopplung 133
jωφ Ext
IR = . (3-22)
R R + jωLR
Damit lässt sich die induzierte Störspannung gemäß (3-21) umformen in
ª R + jω(LR − MII / R ) º
USt (ω) = jωφ Ext « R » (3-23)
¬ R R + jωLR ¼
bzw.
USt (ω) = jωφ Ext ⋅ k

. (3-24)
Den Faktor k nennt man Reduktionsfaktor Er setzt die induzierte Stör-

spannung zum externen Feld in Beziehung
USt (ω)
k=
jωφ Ext ω . (3-25)
Der Fluß φ Ext (ω) berechnet sich gemäß Gl. (3-20) zu
φ Ext = B Ext A R cos α

, (3-26)
worin A R die Fläche der Reduktionsschleife und a der Winkel zwischen der
Flächennormalen nA und der magnetischen Flussdichte B Ext darstellt.
Letztere berechnet sich aus dem im störenden System fließenden Strom und
dessen Geometrie.
Selbstredend kann die Beeinflussung auch durch Verdrillen oder Schirmung

des Systems I reduziert werden, was jedoch in der Regel meist aufwendiger
(z. B. bei Starkstromleitungen) oder, falls nachträglich erforderlich, über-
haupt nicht mehr zu realisieren ist. Zweckmäßigerweise wird bereits bei der
Planung eine getrennte räumliche Verlegung notorisch störender und ge-
störter Leitungen in getrennten Kabelkanälen vorgesehen. Ein typischer Fall
für den Einsatz von Reduktionsleitern im System I ist die Verringerung elek-
tromagnetischer Beeinflussungen von Kommunikationsleitungen durch Erd-
seile parallel zu Hochspannungsfreileitungen, wobei allerdings nur Schirm-
faktoren in der Größenordnung 0,5 erreicht werden (s. Abschn. 2.2.5 und
[B21]). Unbeabsichtigte Reduktionsleiter stellen auch alle elektromecha-

nischen Einbauten in Elektronikschränken dar, die die Gesamtdämpfung
eines Schranks merklich erhöhen können.
Die magnetische Kopplung von Betriebsstromkreisen ist völlig unabhängig

von einer etwaigen Erdung des gestörten Systems. Deshalb führt hier, wie
auch beim Mechanismus des Abschn. 1.5, eine Verbesserung der Erdung
bzw. eine Änderung der Erdungsverhältnisse nicht zum gewünschten Erfolg.
Schließlich sei erwähnt, dass das System II nicht notwendigerweise ein Be-
triebsstromkreis sein muss, sondern sehr häufig auch eine Erdschleife sein
kann. Die in dieser Schleife induzierte Spannung wirkt dann als Gleichtakt-
spannung für Betriebsstromkreise (s. Abschn. 1.4 und 3.1.2).
3.4 Elektromagnetische Leitungskopplung
Von elektromagnetischer Leitungskopplung spricht man bei gleichzeitig

vorliegender gekoppelter elektrischer und magnetischer Beeinflussung zwi-
schen zwei oder mehreren elektrisch langen Leitungen. Auf elektrisch langen
Leitungen sind Spannungen und Ströme nicht mehr unabhängig vonein-
ander wählbar (wie in den vorigen Abschnitten 3.2 und 3.3), sondern über
den Wellenwiderstand der jeweiligen Leitung miteinander verknüpft (ähn-
lich wie die elektrischen und magnetischen Felder elektromagnetischer Wel-
len über den Wellenwiderstand des Raumes miteinander verknüpft sind).
Ob eine Leitung elektrisch lang oder kurz ist wird im Zeit- und Fre-
quenzbereich durch unterschiedliche Kriterien bestimmt [B18]:
– Im Zeitbereich gilt eine Leitung als elektrisch lang, wenn die Anstiegszeit
der auf ihr übertragenen Impulse in die Größenordnung der Laufzeit
kommt oder sie gar unterschreitet, und damit Spannung und Strom einer
Leitung vom Ort abhängen, das heißt u = u(t, x) und i = i(t, x) .
– Im Frequenzbereich gilt eine Leitung als elektrisch lang, wenn die kom-
plexen Amplituden von Spannung und Strom vom Ort auf der Leitung
abhängen, das heißt U = U(x) und I = I(x) . Dieser Effekt tritt ein, wenn
die Wellenlänge in die Größenordnung der Leitungslänge kommt oder sie
gar unterschreitet.
Die quantitative Beschreibung der elektromagnetischen Leitungskopplung

von Mehrleitungssystemen ist mathematisch sehr anspruchsvoll, weswegen
3.4 Elektromagnetische Leitungskopplung 135
die grundsätzliche Vorgehensweise zunächst an einem Zweileitungssystem

gezeigt wird. Anschließend folgt eine formale Erweiterung auf ein (n+1)-
Leitersystem. Einen Teil der mit diesen Berechnungen erhaltenen Erkennt-
nisse findet der Leser in der Thematik des Kap. 11 implementiert.
3.4.1 Elektromagnetische Kopplung zweier Leitungen
Bild 3.29 zeigt das Feldmodell und das Netzwerkmodell zweier paralleler
Leitungen mit gemeinsamer Rückleitung. Das mit dem Leitungsstrom der
aktiven Leiterschleife 1 (Nutzsignal) verknüpfte veränderliche Magnetfeld
H(x,t) bzw. dessen Fluss durchsetzt die benachbarte passive Leiterschleife 2
und induziert dort eine Spannung, die einen induktiven Störstrom durch die
Leiterschleife treibt. Zusätzlich besteht infolge des zwischen beiden Lei-
tungen herrschenden Potentialunterschieds ein veränderliches elektrisches
Feld E(x,t), das auf der passiven Leitung einen kapazitiven Störstrom in-
fluenziert .
Der Unterschied zu der in den Abschnitten 3.2 und 3.3 behandelten rein in-
duktiven und rein kapazitiven Kopplung besteht darin, dass hier die Größen
u, i sowie E und H Funktionen von Ort und Zeit sind und außerdem eine
Kopplung über den Wellenwiderstand des jeweiligen Systems aufweisen.
Bild 3.29: a) Feldmodell und b) Netzwerkmodell eines elektromagnetisch gekop-

pelten Zweileitersystems mit gemeinsamer Rückleitung. Leitung 1: störendes System,
Leitung 2: gestörtes System, Leitungsbeläge R ' = R / l , L ' = L / l , C ' = C / l , G ' = G / l .
Zur Herleitung der Differentialgleichungen für die Spannungen und Ströme

auf den gekoppelten Leitungen beschränkt sich die Betrachtung zunächst auf
ein elektrisch kurzes Leitungsstück der Länge Δx , Bild 3.29 b. Die induzie-
rende Wirkung des magnetischen Feldes des störenden Systems wird im Er-
satzschaltbild durch eine Koppelinduktivität L'12 ⋅ Δx , die influenzierende
Wirkung des elektrischen Felds des störenden Systems durch eine Koppel-
kapazität C'12 ⋅ Δx modelliert.
Die Anwendung der Maschenregel ¦ u = 0 auf die von jeder Leitung mit
ihrem Rückleiter gebildete Schleife, anschließende Division durch Δx und
schließlich die Bildung des Grenzübergangs Δ → 0 [11.31], ergibt für die
Leitung 1:
∂u1(x, t) ∂i (x, t) ∂i (x, t)
− = R '1 i1 (x, t) + L '1 1 + L'12 2 (3-27a)
∂x ∂t ∂t
und für die Leitung 2:
∂u2 (x, t) ∂i (x, t) ∂i (x, t)

− = R '2 i2 (x, t) + L'2 2 + L'21 1 (3-27b)
∂x ∂t ∂t
Analog hierzu erhält man durch Anwendung der Knotenregel ¦ i = 0 auf die
Knoten P1 und P2 für die Leitung 1:
∂i1(x, t) ∂u (x, t) ∂u (x, t)

− = (G'1 + G'12 )u1(x, t) + (C'1 + C'12 ) 1 − G'12 u2 (x, t) − C'12 2 (3-28a)
∂x ∂t ∂t
und für die Leitung 2:
∂i2 (x, t) ∂u (x, t) ∂u (x, t)

− = (G'2 + G'21 )u2 (x, t) + (C'2 + C'21 ) 2 − G'21 u1 (x, t) − C'21 1 (3-28b)
∂x ∂t ∂t
In diesen Gleichungen treten partielle Differentiale sowohl nach dem Ort als
auch nach der Zeit auf. Durch Übergang vom Zeitbereich – u(x,t), i(x,t) – auf
den Frequenzbereich – U(x), I(x) –, das heißt Beschränkung auf sinusför-
mige Erregung und Übergang auf komplexe Amplituden, die alle den Faktor
e jωt enthalten, kann die Zeitabhängigkeit eliminiert werden.
Mit den Substitutionen
∂ ∂ d
→ jω , → , ui (x, t) → Ui (x) , ii (x, t) → I i (x)
∂t ∂x dx
erhält man folgende gewöhnlichen Differentialgleichungssysteme im Fre-

quenzbereich
d
Leitung 1: − U1 = (R '1 + jωL '1 )I 1 + jωL'12 I 2 , (3-29a)
dx
d
Leitung 2: − U2 = (R '2 + jωL'2 )I2 + jωL '21 I 1 (3-29b)
dx
bzw.
d
Leitung 1: − I 1 = [G'1 + G'12 + jω(C'1 + C'12 )] U1 − (G'12 + jωC'12 )U2 (3-30a)
dx
und
d
Leitung 2 − I 2 = [G'2 + G'21 + jω(C'2 + C'21 )] U2 − (G'21 + jωC'21 )U1 . (3-30b)
dx
Durch Übergang auf die kompakte Matrixschreibweise lässt sich bei gleich-
zeitiger Wahrung der Übersicht Schreibarbeit sparen:
d ª U1 º ªR '1 + jωL '1 jωL '12 ºªI1º

− = « »
dx «¬U2 »¼ «¬ jωL'21 »
R '2 + jωL'2 ¼ ¬« I 2 ¼»
(3-31)
und
d ª I 1 º ªG'1 + G'12 + jω(C'1 + C'12 ) −(G'12 + jωC'12') º ª U1 º

− « »=«
dx «¬ I 2 »¼ ¬ −(G'21 + jωC'21 ) G'2 + G'21 + jω(C'2 + C'21 )»¼ ¬«U2 ¼»
(3-32)
Die Koeffizientenmatrix
ªR '1 + jωL '1 jωL '12 º

« jωL' R '2 + jωL'2 »¼
¬ 21
wird als Impedanzbelagmatrix [ Z'] , die Koeffizientenmatrix
ªG'1 + G'12 + jω(C'1 + C'12) ) −(G'12 + jωC'12 ) º

« −(G'21 + jωC'21 ) G'2 + G'21 + jω(C'2 + C'21 )»¼
¬
als Admittanzbelagmatrix [ Y '] bezeichnet.
Mit diesen Abkürzungen lassen sich die linearen Differentialgleichungssyste-

me (3-21) und (3-32) weiter vereinfachen,
d
− [U] = [Z'][ I ]
dx (3-33)
und
d
− [ I ] = [ Y '][U]
dx . (3-34)
Nochmalige Differentiation nach dem Ort und wechselseitige Substitution

führt auf gewöhnliche Differentialgleichungen zweiter Ordnung für die
Spannungen U und Ströme I ,
d2
[U] = [Z'][ Y '][U] = [ A ][U]
dx 2 (3-35)
d2
und [ I ] = [ Y '][Z'][ I ] = [B][ I ]
dx 2 . (3-36)
Nach Einsetzen der jeweiligen Größen und Randbedingungen lassen sich

mit diesen Gleichungen die Spannungen und Ströme an jedem Ort, insbe-
sondere am Anfang und Ende, der beiden Leitungen im Frequenzbereich
berechnen [3.29].
3.4.2 Elektromagnetisch gekoppelte Mehrleitersysteme
Für ein Mehrleitersystem mit n parallelen Hinleitungen und einer gemein-

samen Rückleitung bedürfen die Impedanz- und Admittanzbelagmatrizen
obiger Differentialgleichungssysteme (3-35) und (3-36) lediglich der formalen

Erweiterung
ªR '11 + jωL'11 jωL '12 " jωL '1n º

[Z'] = «« # # # # »
»
«¬ jωL 'n1 jωL'n2 " R 'nn + jωL'nn »¼
und
ª n º
¦« (G'1k + jωC'1k ) "
« k =1
−(G'1n + jωC'1n ) »
»
« »
[ Y '] = « # % # » .
« n »
« −(G' + jωC' ) "
«
¬
n1 n1 ¦
k =1
(G'nk + jωC'nk )»
»
¼
Die elektromagnetische Kopplung manifestiert sich in den Matrizen [ A ]

bzw. [B] . Sie sind in der Regel keine Diagonalmatrizen, so dass die
Spannung bzw. der Strom einer Leitung jeweils von den Spannungen bzw.
Strömen aller anderen Leitungen abhängt.
Die Entkopplung der Differentialgleichungen ist mit Hilfe einer Modalana-

lyse möglich. Die Vorgehensweise wird hier für Gleichung (3-35) gezeigt.
Unter Voraussetzung der Existenz der Transformationsmatrix [ T ] werden
durch eine lineare Transformation [11.32, 11.33] mit der Vorschrift
[U] = [ T ][ W ] (3-37)
neue, voneinander linear unabhängige Spannungen
[ W ]T = [ W1(x),..., Wn (x)]
erzeugt, für die jeweils die bekannten Leitungsgleichungen (s. [B18]) der
Einfachleitung gelten,
d2
[ W ] = ª¬Γ2 º¼ [ W ] (3-38)
dx 2
mit der Diagonalmatrix
ªγ2 0º
1
« »
ªΓ2 º = « % » .
¬ ¼
« 2»
¬« 0 γn »¼
Die Größen γ i sind die von der Einfachleitung bekannten komplexen Aus-
breitungskonstanten. Wird die Transformationsvorschrift (3-37) in Glei-
chung (3-35) eingesetzt, erhält man
d2
[ W ] = [ T ]−1 [ A ][ T ][ W ] . (3-39)
dx 2
Damit die Transformation auf die gewünschte Entkopplung führt, muss

gelten
[ T ]−1 [ A ][ T ] = ª¬Γ2 º¼
bzw. [ A ][ T ] = [ T ] ª¬Γ2 º¼ , (3-40)
was unmittelbar aus dem Vergleich von (3-38) und (3-39) folgt. Zur Ermitt-
lung der Elemente der noch unbekannten Transformationsmatrix [ T ] sind
zunächst die Eigenwerte der Matrix [ A ] aus der charakteristischen Glei-
chung
DET ([ A ] − λ [E ]) = 0
zu bestimmen. Die Matrix [E ] ist hierin die Einheitsmatrix [s. a. B48].
Die Rechenvorschrift zur Lösung der charakteristischen Gleichung führt auf

eine lineare Gleichung n-ten Grades, deren Lösungen λ1 ..λ n als Eigenwerte
der Matrix [ A ] bezeichnet werden und die identisch mit dem Quadrat der
Ausbreitungskonstanten γi sind. Die Elemente der Transformationsmatrix
[ T ] gewinnt man anschließend beispielsweise durch Anwendung der Cramer-
schen Regel [11.34].
Durch die Modalanalyse erhält man also n neue Spannungswellen, die un-
abhängig voneinander mit ihren jeweils zugehörigen Ausbreitungskonstan-
ten auf dem gekoppelten Leitungssystem fortschreiten. Diese Spannungswel-
len bezeichnet man als Eigenwellen oder Moden des Systems. In vollkom-
mener Analogie zu der oben gezeigten Vorgehensweise lässt sich auch Glei-
chung (3-36) entkoppeln, so dass sich jeder Spannungs- und Stromzustand
eines gekoppelten Leitungssystems durch Überlagerung seiner Eigenwellen
darstellen lässt.
Da für jede Eigenwelle eine Wellengleichung wie bei der Einfachleitung gilt,
kann das Differentialgleichungssystem (3-38) mit Hilfe des Exponentialan-
satzes nach d'Alembert für jede Eigenwelle getrennt gelöst werden [11.31],
[ W ] = ª¬e− γx º¼ [K hin ] + ª¬e+ γx º¼ [K rück ] .
Nach Bestimmung der Spaltenvektoren [K hin ] und [K rück ] aus den Randbe-
dingungen am Leitungsanfang erhält man nach etwas längerem Rechengang
die Spannungen und Ströme an beliebiger Stelle des Mehrleitersystems in
Abhängigkeit von den Spannungen und Strömen am Leitungsanfang,
1
[U(x)] = [ T ]
2
{ª¬e º¼ ([ T ]
− γx −1
[U(0)] + [Γ ]−1 [ T ]−1 [Z'][ I(0)])
+ ªe
¬
+ γx º
¼ ([ T ]
−1
[U(0)] − [Γ ]−1 [ T ]−1 [Z'][ I(0)]) } (3-41)
1
[ I(x)] = [Z']−1 [ T ][Γ ]
2
{ª¬e º¼ ([ T]
−γx −1
[U(0)] + [Γ ]−1 [ T ]−1 [Z'][ I(0)])
(
− ¬ª e +γx ¼º [ T ]
−1
[U(0)] − [Γ ]−1 [ T ]−1 [Z'][ I(0)]) } . (3-42)
Diese Gleichungen werden auch als verallgemeinerte Leitungsgleichungen

eines (n+1)-Leitersystems bezeichnet. Der erste Term beschreibt die auf dem
Leitungssystem hinlaufenden, der zweite Term die rücklaufenden Wellen.
Aus der Überlagerung von hin- und rücklaufenden Spannungs- bzw. Strom-
wellen ergeben sich die messbaren Spannungen bzw. Ströme an jedem belie-
bigen Ort des Leitungssystems.
Unter Berücksichtigung der Abschlussverhältnisse am Leitungsanfang und

-ende können die Leitungsgleichungen bei zwei Leitungen mit einem Ta-
schenrechner für komplexe Zahlen, bei mehreren Leitungen mit Hilfe eines
geeigneten Rechenprogramms gelöst und die an den Abschlüssen auftreten-
den Koppelspannungen bestimmt werden [11.29, 11.30, 11.39]. Im Zeitbe-
reich gestaltet sich die Behandlung gekoppelter Mehrleitersysteme mathema-
tisch aufwendiger. Der interessierte Leser sei deshalb an dieser Stelle auf die
einschlägige, umfangreiche Spezialliteratur verwiesen [z. B. 11.32, 11.35,
11.36].
Die rein induktive und kapazitive Kopplung einfacher, elektrisch kurzer

Mehrleitersysteme ergibt sich aus den hier hergeleiteten Gleichungssystemen
als Grenzfall.
3.5 Strahlungskopplung
Unter Strahlungskopplung versteht man die Beeinflussung von Leiterstruktu-

ren durch elektromagnetische Wellenfelder.
In den beiden vorigen Abschn. 3.2 und 3.3 wurde stillschweigend vor-
ausgesetzt, dass elektrische und magnetische Wechselfelder als selbständige
Phänomene ohne wechselseitige Kopplung auftreten. Diese Annahme ist
auch immer zulässig, solange man sich im Nahfeld des störenden Systems
befindet (s. 5.1). Im Fernfeld treten E und H immer gemeinsam und über das
Induktionsgesetz
∂B
rotE = - (3-43)
∂t
gekoppelt auf [B18]. Man spricht dann von einer elektromagnetischen

Welle. Ihre Feldstärken E und H können individuell angegeben werden, sie
sind jedoch nicht mehr unabhängig voneinander wie bei quasistatischen
elektrischen und magnetischen Feldern (s. a. Abschn. 3.4).
Eine auf ein Leitergebilde einfallende elektromagnetische Welle EE, HE ruft

dort Ströme und Spannungen hervor, die ihrerseits Ursache einer reflektier-
ten elektromagnetischen Welle ER, HR sind. Die einfallende und die reflek-
tierte Welle überlagern sich im gesamten Raum zu einem Nettofeld. Die
Feldstärken dieses Nettofeldes erhält man durch Lösen der Maxwellschen
Gleichungen für die vorliegenden Randbedingungen. Alternativ kann man
sofort die Leitungsgleichungen unter Berücksichtigung der von der einfallen-
den Welle eingekoppelten Spannungen und Ströme aufstellen. Das grund-
sätzliche Vorgehen soll hier am Beispiel eines kurzen Abschnitts Δx einer
elektrisch langen, verlustfreien Paralleldrahtleitung (s. a. [B18]) gezeigt wer-
den, Bild 3.30.
3.5 Strahlungskopplung 143
z
E Z (x+Δ x,z,t)
E
EEZ (x,z,t)
i(x,t) P i(x+Δx,t)
Z0
A L’Δx ic(x+Δx,t)
u(x,t) iv u(x+Δx,t)
BEy (x,z,t) C’Δx
x x+Δx
y
Bild 3.30: Leitungsabschnitt Δx einer elektrisch langen, verlustfreien Paralleldraht-
leitung.
Die Induktivität der aus Hin- und Rückleitung gebildeten Leiterschleife sowie
die Kapazität zwischen Hin- und Rückleitung werden auf die Leitungslänge
bezogen, das heißt als Beläge dargestellt,
L' = ΔL / Δl bzw. C' = ΔC / Δl .
Das Element Δx verhält sich elektrisch kurz, so dass die zeitlich veränderli-
chen Größen u(t) und i(t) nur von den konzentrierten Bauelementen des
Ersatzschaltbilds dieses Leitungsabschnitts bestimmt werden, was eine quasi-
statische Behandlung unter Anwendung der Kirchhoffschen Regeln erlaubt.
Die Anwendung der Maschenregel auf die Kontur C der Fläche A führt unter
Berücksichtigung der von der Magnetfeldkomponente der elektroma-
gnetischen Welle induzierten Umlaufspannung
x +Δx z0
°dφ ∂ ∂
U=− =− B E ⋅ dA = − E
dt ∂t ³
A
∂t ³ ³ B (x,z, t)dzdx
x 0
y (3-44)
auf
x +Δx z0
∂i(x, t) ∂ E
L' Δx + u(x + Δx, t) − u(x, t) −
∂t ∂t ³ ³ B (x,z, t)dzdx = 0
x 0
y
bzw. nach Division durch Δx und Bildung des Grenzwerts für Δx → 0 auf
z0
∂i(x, t) ∂u(x, t) ∂ E
+ =
L'
∂t ∂x ∂t ³ B (x,z, t)dz
0
y
. (3-45)
Die Anwendung der Knotenregel auf den Punkt P führt unter Berücksichti-
gung des von der elektrischen Feldkomponente der elektromagnetischen
Welle influenzierten zusätzlichen Verschiebungsstroms durch die Kapazität
C' Δx ,
z0
∂ E
i v = C' Δx
∂t ³ E (x + Δx,z, t)dz
0
z (3-46)
auf
z0
∂u(x + Δx, t) ∂ E
i(x, t) − i(x + Δx, t) − C' Δx + C' Δx
∂t ∂t ³ E (x + Δx,z, t)dz = 0
0
z
bzw. nach Division durch Δx und Bildung des Grenzwerts für Δx → 0 auf
z0
∂u(x, t) ∂i(x, t) ∂ E
+ = C'
C'
∂t ∂x ∂t ³ E (x,z, t)dz
0
z
. (3-47)
Die linken Seiten der Gleichungen (3-45) und (3-47) sind die bekannten
gekoppelten Differentialgleichungen erster Ordnung, die Spannungen und
Ströme auf elektrisch langen Leitungen in Abhängigkeit von Ort und Zeit
beschreiben [1.6], die rechten Seiten die Stör- bzw. Anregungsfunktionen
des Systems. Die Lösung dieses Gleichungssystems mit Hilfe der Methode
der Zustandsvariablen führt für beliebige Anregungen auf die gesuchten
Spannungen an den wellenwiderstandsgerechten Abschlusswiderständen bei
x=0 und x=l (in Bild 3.30 nicht eingezeichnet).
In einem rein netzwerktheoretischen Ersatzschaltbild lässt sich die Strah-

lungskopplung durch verteilte Spannungs- und Stromquellen darstellen,
deren Quellenspannungen bzw. -ströme den Anregungsfunktionen entspre-
chen, Bild 3.31.
Bild 3.31: Modellierung der Strahlungskopplung durch verteilte Spannungs- und

Stromquellen.
Die Modellierung der Strahlungskopplung auf Leitungen mit Hilfe von Lei-
tungsinduktivitäten und Leitungskapazitäten gemäß Bild 3.30 und 3.31 gilt
nur für Anregungsfunktionen, deren Anstiegszeit groß gegen die Laufzeit
zwischen den Leitern quer zur Ausbreitungsrichtung ist (TEM-Moden,
Wanderwellentheorie). Diese Voraussetzung ist bei der Strahlungskopplung
in gewöhnlichen Mess- und Signalleitungen häufig erfüllt. Im Gegensatz
dazu muss die Strahlungskopplung des NEMP in Energieübertragungs-
leitungen durchgängig feldtheoretisch behandelt werden.
Die beiden gekoppelten Gleichungen (3-45) und (3-47) für die zwei Unbe-
kannten u(x,t) und i(x,t) können auch in zwei entkoppelte Gleichungen für
je eine Unbekannte umgeformt werden. Differenziert man eine Gleichung
nach x, die andere nach t und setzt beide ineinander ein, führt dies zur
Separation von u(x,t) und i(x,t),
z0 z0
∂2u ∂2u ∂2 ∂ ∂
− L'C' = −L'C' EEz (x,z, t)dz + E
∂x 2 ∂t 2 ∂t 2 ³
0
∂t ∂x ³ B (x,z, t)dz
0
y , (3-48)
z0 z0
∂2i ∂2i ∂2 ∂ ∂
− L'C' = −C' BEy (x,z, t)dz + E
∂x 2 ∂t 2 ∂t 2 ³
0
∂t ∂x
C'
³ E (x,z, t)dz
0
z . (3-49)
Schließlich kann man noch unter Verwendung von rotE = −dB / dt in

kartesischen Koordinaten [B18] die rechten Seiten jeweils nur mit der
elektrischen oder der magnetischen Feldkomponente ausdrücken.
Die obigen Betrachtungen wurden unmittelbar im Zeitbereich durchgeführt.

Zur Vereinfachung der Berechnung lässt sich das mathematische Modell
auch im Frequenzbereich angeben. Die unbekannten Größen u(x,t) und i(x,t)
gehen dann in die nur noch vom Ort abhängigen komplexen Amplituden
U(x) und I(x) über. Weiter ersetzen wir d/dt durch Multiplikation mit jω ,
und d2 / dt 2 durch Multiplikation mit (jω)2 . Die Gleichungen (3-45) und (3-
47) gehen dann über in die einfacheren Gleichungen
z0
dU(x)
jωL' I(x) + = jω BEy (x,z)dz
dx ³
o (3-50)
z0
dI(x) E
jωC'U(x) + = jωC'
und
dx ³ E (x,z)dz
0
z
. (3-51)
Weiter gehen die Gleichungen (3-48) und (3-49) über in
z0 z0
d2 U(x) 2 2 ∂
− (jω) L'C'U(x) = −(jω) L'C' EEz (x,z)dz + jω E
dx 2 ³
0
∂x ³ B (x,z)dz ,
0
y (3-52)
z0 z0
d2 I(x) 2 2 ∂
− (jω) L'C' I(x) = −(jω) C' BEy (x,z)dz + jωC' E
dx 2 ³
0
∂x ³ E (x,z)dz .
0
z (3-53)
Die Gleichungen (3-48), (3-49), (3-52) und (3-53) entsprechen formal der
bekannten Telegraphengleichung im Zeit- und Frequenzbereich (s. a. [B18]).
Gegenüber der quasistatischen Kopplung weisen die Lösungen für die einge-
koppelten Spannungen und Ströme der Strahlungskopplung eine Besonder-
heit auf. Unbeschadet eines wellenwiderstandsgerechten Abschlusses bilden
sich auf den Leitungen durch Mehrfachreflexionen von Gleichtaktgrößen
ausgeprägte Wanderwellenschwingungen aus, deren Grundfrequenz durch
die Laufzeit der Leitungen bestimmt wird. Die eingekoppelten Störgrößen
können daher bei dieser Frequenz und ihren Vielfachen deutliche Resonanz-
überhöhungen oder -auslöschungen zeigen. Ausführliche Zahlenbeispiele für
eine Vielzahl verschiedener Leitungen finden sich in [8.23].
Eine wichtige Modifikation der hier vorgestellten symmetrischen Leitung im

freien Raum stellt die Anordnung Leiter über Erde dar, z. B. in Form eines
Kabelschirms. Die einfallende elektromagnetische Welle wird in diesem Fall
an der mehr oder weniger gut leitenden Erdoberfläche reflektiert, so dass für
die Anregungsfunktionen die Überlagerung der Felder der ankommenden
und reflektierten Welle eingesetzt werden muss. Hat man die Ströme auf
dem Schirm berechnet, kann auch die im Innern des Signalkabels wirksame
Störspannung mit Hilfe der Kopplungsimpedanz elektrisch langer Leitungen
bestimmt werden [8.23, 8.24].
Die obigen Betrachtungen vermitteln lediglich einen kleinen Einblick in die

grundsätzliche Vorgehensweise der Berechnung von Strahlungskopplungen.
Die erfolgreiche mathematische Behandlung individueller praktischer Pro-
bleme verlangt nach einer umfassenden Vertiefung anhand des umfangrei-
chen Literaturverzeichnisses [3.17 - 3.23].
Bezüglich der Verringerung der Strahlungskopplung durch Verdrillen,

Schirmen etc. gelten die für quasistatische Felder in den vorangegangenen
Abschnitten bereits angegebenen Maßnahmen unverändert.
3.5.1 Abstrahlung durch Gleichtaktströme
Dieser Abschnitt stellt ein einfaches Modell zur Abschätzung der Ab-
strahlung von Gleichtaktströmen auf Paralleldrahtleitungen oder PCB-
Leiterbahnen vor.
Die Einzelleitungen lassen sich über eine Länge l als abstrahlender Dipol
aufassen. Die Gesamtabstrahlung ergibt sich dann aus der Überlagerung der
Abstrahlung der Einzelleiter-Dipole, Bild 3.32.
iC(t) s/2
s
iC(t) d
EC,max P
Bild 3.32: Abstrahlung von Gleichtaktströmen auf einer Paralleldrahtleitung.
Zur Vereinfachung werden Winkelabhängigkeiten außer Betracht gelassen

und lediglich die Abstrahlung auf der Ebene der Paralleldrahtleitung be-
trachtet. Außerdem wird vorausgesetzt, dass der Abstand s der Einzelleit-
ungen wesentlich kleiner ist als der Abstand d zum betrachteten Feldpunkt
P, wodurch s bei den weiteren Betrachtungen entfallen kann.
Ohne weitere Herleitung ergibt sich nun das maximale elektrische Feld
EC,max in P [3.30] zu
1 V î C (t) ⋅ f ⋅ l
EC,max = 1,257 ⋅ 10−6 ⋅ ⋅ . (3-54)
Hz ⋅ A m d
Als Beispiel sei der Störstrom auf einer 1 m langen Leitung berechnet, der in
einem Abstand von 1 m ein elektrisches Feld von 25dbμV/m bei 100 MHz
erzeugt (Grenzwert der Luftfahrtindustrie gemäß RTCA-DO160E [3.31]).
Aus (3-54) ergibt sich dann ein maximal zulässiger Störstrom von
17,8 ⋅ 10−6 ⋅ 1
î C (t) = A = 1,42 mA .
1,257 ⋅ 10−6 ⋅ 1 ⋅ 100 ⋅ 103
Man erkennt, dass bereits geringe Störströme ausreichen, um Feldstärke-

werte zu erreichen, die bei Emissionsmessungen zu Grenzwertüber-
schreitungen führen können.
3.5.2 Abstrahlung durch Gegentaktströme
Auch Gegentaktströme erzeugen elektromagnetische Felder, obwohl diese

durch die gegenseitige Kompensation der Einzelfelder größtenteils geringer
ausfallen, als bei Gleichtaktströmen, Bild 3.33.
iD(t) s/2
s
iD(t) d
P
E1 E2
ED,max
Bild 3.33: Abstrahlung von Gegentaktströmen auf einer Paralleldrahtleitung.
Hier ist der Abstand s der Einzelleitungen zu berücksichtigen, da leicht zu

erkennen ist, dass die Einzelfelder sich für s = 0 gegenseitig aufheben.
Wieder wird nun ohne weitere Herleitung [3.30] das elektrische Feld im
Abstand d beschrieben durch
2
−14 1 V î D (t) ⋅ f ⋅ l ⋅ s
ED,max = 1, 316 ⋅ 10 ⋅ ⋅ . (3-55)
Hz2 ⋅ A ⋅ m m d
Mit den gleichen Zahlenwerten wie im Beispiel des Abschn. 3.5.1 erhält den
maximal zulässigen Störstrom auf einer 1 m langen Leitung mit s = 5 mm:
17,8 ⋅ 10−6 ⋅ 1
î D (t) = A = 27 A
( )
2
1, 316 ⋅ 10−14 ⋅ 1 ⋅ 100 ⋅ 103 ⋅ 0,005
Man sieht also, wie unwahrscheinlich hoch der Gegentaktstrom sein müsste
um ein abgestrahltes, grenzwertiges Feld zu erzeugen.
3.6 Erdung von Kabelschirmen
Die Frage, ob ein Kabelschirm nur an einem oder an beiden Enden geerdet
werden sollte, stellt sich immer wieder aufs Neue. Dies liegt darin begründet,
dass es nicht nur eine richtige Antwort gibt und die zweckmäßige Erdung im
Einzelfall von einer Reihe von Randbedingungen bzw. auch der unterschied-
lichen Bewertung gewisser Vor- und Nachteile abhängt. Von großer Bedeu-
tung ist die Ursache und Natur der Störung – leitungsgebunden oder durch
elektrische und magnetische Felder eingekoppelt, Gleichtakt oder Gegen-
taktstörung etc. Weiter ist zu unterscheiden, ob ein Kabelschirm Teil eines
Betriebsstromkreises ist, das heißt gleichzeitig als Rückleiter und als Schirm
wirkt, oder ausschließlich Schirmfunktion gegenüber Störfeldern besitzt, Bild
3.34.
a) b)
Bild 3.34: Kabelschirme mit unterschiedlichen Funktionen. a) Schirm als Teil eines
Betriebsstromkreises, das heißt der Schirm ist gleichzeitig Rückleiter bzw. Bezugs-
leiter, b) Schirm mit reiner Schirmfunktion.
Schirm als Teil des Betriebsstromkreises
In diesem Fall verbietet sich eine beidseitige Erdung wegen des Erdschleifen-
bzw. Kabelmantelstromproblems (s. Abschn. 3.1.3). Ist die beidseitige Erdung
systembedingt unvermeidlich, da sowohl Sender und Empfänger bereits ohne
Kabel eo ipso einseitig geerdet sind (sei es auch nur durch eine hohe Erd-
streukapazität), hilft bei exzessiven elektromagnetischen Beeinflussungen
nur die Auftrennung der Erdschleife durch die in Abschn. 3.1.2 aufgeführten
Maßnahmen.
Schirm mit reiner Schirmfunktion
In diesem Fall ist die beidseitige Erdung zwingend erforderlich, damit der
Schirm seine Funktion als Reduktionsleiter (Kurzschlusswindung) gegen ma-
gnetische Störfelder überhaupt erfüllen kann (s. Abschn. 3.3). Ein nur
einseitig geerdeter Schirm mit reiner Schirmfunktion vermag bei niederen
Frequenzen nur elektrische Felder abzuschirmen. Dies auch nur bei kurzen
Kabellängen, da das erdferne Ende vom geerdeten Ende durch die Schirm-
induktivität entkoppelt ist. Ein elektrisches Störfeld am erdfernen Ende
vermag dann durchaus das dortige Schirmpotential anzuheben und damit
kapazitiv in den Betriebsstromkreis einzukoppeln.
Gelegentlich wird die Meinung vertreten, dass auch Kabelschirme mit reiner
Schirmfunktion nur einseitig geerdet werden sollten, da bei starken Aus-
gleichsströmen im Erdnetz in seltenen Einzelfällen eine thermische Überlas-
tung bzw. ein Ausbrennen von Kabelschirmen beobachtet wurde. Aus EMV-
Sicht sind beidseitig geerdete Schirme höherer Stromtragfähigkeit bzw.
parallel verlegte zusätzliche Kupferleiter ausreichenden Querschnitts sicher
vorzuziehen. Vielfach wird dies aber aus wirtschaftlichen Gründen scheitern.
Bei hohen Ansprüchen an die Schirmung von Messkabeln, beispielsweise in

Hochspannungs- und Hochstromprüffeldern sowie in der Pulse Power
Technologie, kommt man wegen der starken Potentialanhebungen und der
starken Störfelder häufig nicht ohne zusätzliche Schirme aus, sog. Bypass-
Technik (s. Abschn. 3.1.3 u. [B19]).
Vielfach wird die Notwendigkeit, nichtgeschirmte Adern an den Kabelenden

so kurz wie möglich zu halten, stark unterschätzt. So entspricht 1 cm unge-
erdeter Signalader bei guten Kabeln unschwer mehreren Metern geschirmten
Kabels. Weiter spielt die Induktivität der Erdverbindung des Schirms eine
3.6 Erdung von Kabelschirmen 151
entscheidende Rolle. Ein rundum laufender koaxialer Schirmanschluss an

ein Schirmgehäuse ist deutlich besser als die Erdung über einen Kabelzopf,
vor allem, wenn dieser noch im Innern eines Schirmgehäuses angeschlossen
wird, Bild 3.35.
Bild 3.35: Beispiele guter und schlechter Erdung von Kabelschirmen. PE: Schutz-
bzw. Gebäudeerde, SE: Schirmerde.
Wenngleich die Frage nach der richtigen Erdung von Kabelschirmen nach
einer sorgfältigen Systemanalyse vielfach „straight-forward“ beantwortet
werden kann, wird der Leser immer wieder Überraschungen erleben (unbe-
absichtigte Erdverbindungen, stehende Wellen auf elektrisch langen Kabel-
schirmen etc.), die sich häufig nur experimentell klären lassen. Wegen weite-
rer Einzelheiten wird auf das Literaturverzeichnis verwiesen [2.116, 2.147,
3.25 - 3.27].
3.7 Identifikation von Kopplungsmechanismen
Die Identifikation von Kopplungsmechanismen verlangt ein intimes, phy-

sikalisches Verständnis der analogen Schaltungstechnik, der Wirkungsweise
von Erd- und Masseverbindungen, des Unterschieds zwischen Induktion
(Magnetfeld) und Influenz (Elektrisches Feld), der Wirkungsweise von
Schirmen usw. Dieses Verständnis zu wecken und zu fördern, ist ein wesent-
liches Anliegen dieses Buchs. Dass die Identifikation von Kopplungsmecha-
nismen auch bei hochentwickeltem EMV-Verständnis häufig trotzdem auf
„trial and error“ hinausläuft, liegt in der Natur der Problematik. Sehen wir
von offenkundigen Ausnahmen ab, z. B. gestörter Rundfunkempfang in der
Nähe eines Staubsaugers, kann die Manifestation einer Störung theoretisch

beliebig viele Ursachen haben. Es handelt sich daher in der Regel um mehr-
deutige Problemstellungen, für die bekanntlich ohne zusätzliche Information
keine eindeutige Lösung angegeben werden kann. Es ist die Aufgabe des
Technikers bzw. des EMV-Fachmanns, diese zusätzliche Information durch
eine umfassende theoretische und praktische Systemanalyse zu beschaffen.
Ein wesentlicher Teil dieser Analyse besteht beim nachträglichen Auftreten
eines EMV-Problems in geschicktem Probieren.
Nutzsignale gelangen zum Eingang eines Empfängers über ungeschirmte

oder geschirmte Leitungen. Bleibt eine Störung auch nach Abklemmen der
Nutzsignalleitung vom Empfängereingang existent, ist der Empfänger unzu-
reichend geschirmt oder er fängt die Störung über die Netzzuleitung ein.
Eine eindeutige Klärung lässt sich durch vorübergehende Aufstellung des
Empfängers in größerer Entfernung oder in einer Schirmkabine, Betrieb des
Empfängers aus einer Batterie, Speisung über Isoliertransformator und Netz-
filter etc. herbeiführen. Tritt eine Störung nur bei angeschlossenen Signal-
leitungen auf, erhebt sich die Frage, ob die Störung bereits an der Nutz-
signalquelle existent ist oder erst längs der Übertragung des Nutzsignals zum
Empfänger eingekoppelt wird. In letzterem Fall verdankt sie ihre Entstehung
in der Regel der Kopplungsimpedanz des Schirms der Signalleitung oder der
Gehäusekopplungsimpedanz (s. Abschn. 3.1.3). Auf der Signalmasse (Kabel-
mantel) ankommende Ströme rufen an diesen Kopplungsimpedanzen Span-
nungsabfälle hervor, die sich als Gegentaktsignal dem Nutzsignal überlagern
(s. Abschn. 1.4, 3.1.2 und 10.6).
Im Zweifelsfall lässt sich durch zwei Testmessungen leicht klären, ob

Störungen bereits dem Nutzsignal eigen sind oder erst nachträglich einge-
koppelt werden.
– Bei der ersten Testmessung wird der Leitungsschirm mit der Masse-
klemme der Nutzsignalquelle verbunden, der aktive Leiter (Innenleiter)
jedoch nicht angeschlossen. Mit anderen Worten, die Signalleitung wird
eingangsseitig im Leerlauf betrieben.
– Bei der zweiten Messung verbindet man zusätzlich den aktiven Leiter mit
der Masseklemme, betreibt die Signalleitung also eingangsseitig im Kurz-
schluss.
In beiden Fällen darf bei eingeschalteter Quelle am Empfänger kein Signal

auftreten. Seltener werden Störungen auch unmittelbar infolge mangelnder
elektrischer und magnetischer Schirmdämpfung des Kabelschirms eingekop-
3.7 Identifikation von Kopplungsmechanismen 153
pelt, was sich durch einen zusätzlich aufgebrachten Schirm herausfinden

lässt.
Vielfach ist die Signalleitung zum Empfängereingang nicht geschirmt, son-

dern besteht in Form von Leiterbahnen oder wire-wrap Verbindungen. Hier
entstehen Gegentaktstörspannungen meist durch magnetische Kopplung,
indem in der aus Hin- und Rückleitung gebildeten Schleife Spannungen
induziert werden. Eine Verbesserung der EMV bringt hier eine Verringerung
der Schleifenfläche.
Galvanische Kopplungen lassen sich durch getrennte Stromversorgungslei-

tungen nachweisen. Ändert sich eine Störung nur unwesentlich beim Verän-
dern der Erdungsverhältnisse, ist dies oft ein sicheres Zeichen für induzierte
Spannungen (s. Abschn. 3.3). Ein starker Einfluss unterschiedlicher Erdung
lässt dagegen auf kapazitiv eingekoppelte Störungen bzw. auf Kabel-
mantelstromprobleme (Ringerden) schließen. Erlauben die bislang vorge-
schlagenen Maßnahmen keine eindeutige Identifikation des Kopplungs-
mechanismus, kann der Einsatz von Simulatoren wertvolle Hinweise geben.
Durch Einkoppeln transienter Ströme in Erd- und Massesysteme sowie
Einstrahlungsmessungen mit quasistatischen, elektrischen und magnetischen
Feldern lassen sich letztlich alle denkbaren Mechanismen aufdecken.
Schließlich hilft bei Intersystem-EMB auch die Analyse der Störumgebung

mit Hilfe von Schnüffelsonden in Form kleiner Monopol- und Rahme-
nantennen (s. Abschn. 7.2.1). Erstere reagieren im Nahfeld störender Sender
nur auf die elektrische Feldkomponente, letztere nur auf die magnetische
Feldkomponente. Stromzangen und Tastköpfe erlauben in Verbindung mit
einem Oszilloskop die Aufspürung leitungsgebunden übertragener Beein-
flussungen.
Die vorstehend aufgeführten Maßnahmen erheben keinen Anspruch auf

Vollständigkeit. Sie lassen jedoch erahnen, dass die Identifikation von Kopp-
lungsmechanismen gelegentlich sehr zeitraubend sein kann, insbesondere,
wenn mehrere Mechanismen gleichzeitig und auch kaskadiert wirksam sind.
In vielen Fällen geben die Hinweise jedoch ausreichend Hilfestellung, um
EMV-Probleme zielstrebig anzugehen und mit wirtschaftlich vertretbarem
Aufwand zu lösen. Strategien bei der Lösung von EMV-Problemen – auch
unter dem Gesichtspunkt der Störcharakteristik – werden ebenfalls in Ab-
schnitt 10.9 erörtert.
3.8 Beschreibung von Kopplungsmechanismen mit Hilfe nume-

rischer Methoden
Während die Bestimmung des Übertragungswegs einfacher Systeme und

Zusammenhänge möglicherweise noch mit analytischen Methoden durch-
führbar ist, stellt sie bei realistischen Anwendungen eine große Heraus-
forderung dar. Hier helfen numerische Simulationsmethoden weiter, die zu-
nächst eine mathematische Modellierung eines Systems und darauf basie-
rende Simulationsrechnungen ermöglichen. Ihre zunehmende Verbreitung
begründet sich auch durch die rasante Entwicklung auf dem Gebiet der
Computertechnik und die damit einhergehende Verfügbarkeit von Rechen-
leistung.
Im Laufe der Zeit haben sich eine Vielzahl verschiedener Ansätze heraus-
gebildet, die entweder möglichst universell anwendbar sind, oder auch nur
eine bestimmte Problemstellung besonders effizient zu lösen versuchen.
Im Folgenden soll ein kurzer Überblick über diese Ansätze und ihre Vor-
und Nachteile gegeben werden, ohne dabei zu sehr ins Detail zu gehen. Dem
interessierten Leser seien eine Reihe von umfassenden Artikeln nahe gelegt,
die sich mit diesem Thema eingehender beschäftigen [3.32, 3.33, 3.34].
Alle Ansätze beruhen auf den Maxwell-Gleichungen, die sich sowohl im

Zeitbereich
-∂B ∂D
rotE = rotH = J +
∂t ∂t (3-56)
divD = ρ divB = 0
als auch im Frequenzbereich
rotE = − jωB rotH = J + jωD

(3-57)
divD = ρ divB = 0
darstellen lassen. Die Simulationsmethoden unterscheiden sich durch die Art

und Weise, wie die Maxwell-Gleichungen gelöst werden können. Im
Wesentlichen gibt es zwei Klassen, Differenzenverfahren und Integra-
lverfahren (s. a. [B18]). Erstere lösen die oben gezeigten Maxwell-Gleich-
ungen direkt durch Aufstellen entsprechender Differentialgleichungen.
Letztere stützen sich bei der Lösung auf Green'sche Funktionen, also spe-
3.8 Beschreibung von Kopplungsmechanismen mit Hilfe numerischer Methoden 155
zielle Lösungen der Maxwell-Gleichungen, deren passende Kombination

durch das Verfahren für bestimmte Randbedingungen bestimmt wird.
Bei den Differenzenverfahren wird durch den lokalen Differenzenoperator

jeweils nur die direkte Umgebung eines Feldpunktes betrachtet. Dadurch
zeichnen sich diese Verfahren durch eine relativ einfache Implementierung
aus. Im Gegenzug erfordert dies aber, dass der gesamte betrachtete
Problemraum geeignet diskretisiert werden muss, um ein ausreichendes Netz
an Feldpunkten zu haben. So ist es zum Beispiel bei großen Abständen
zwischen relativ kleinen Objekten notwendig, den gesamten die Objekte
umgebenden Raum ausreichend fein zu diskretisieren, was zu einer sehr
großen Anzahl Unbekannter führt. Besonders die Bestimmung der Abstrahl-
ung eines Objekts, welche eigentlich einen unendlich ausgedehnten, offenen
Problemraum voraussetzt, ist für diese Verfahren eine große Herausforder-
ung. Der unbegrenzte Raum muss dazu durch die Anwendung spezieller
Randbedingungen (beispielsweise Perfectly Matched Layers (PML) [3.35,
3.36]) an den künstlich einzuführenden Grenzen des diskretisierten Gebiets
nachgebildet werden. Andererseits sind diese Verfahren bei Problemstellung-
en mit von vorneherein begrenzten Problemgebieten äußerst effizient und
leicht zu verwirklichen.
Bei den Integralverfahren wiederum werden mit den Green'schen Funk-

tionen globale Operatoren verwendet, das heißt es werden Wechselwirk-
ungen über den gesamten Problemraum hinweg betrachtet. Dies, zusammen
mit den sich ergebenden Integro-Differential-Gleichungen, resultiert in einer
häufig sehr aufwendigen Implementierung dieser Verfahren. Außerdem er-
weist sich die Behandlung inhomogener Probleme als sehr schwierig.
Bei der Behandlung von Problemen mit inhomogenen Umgebungen stellt die
Diskretisierung des gesamten Problemraums dennoch wieder einen Vorteil
dar, da in jedem Teilraum die Umgebungsbedingungen individuell definiert
sind. Vorteilhafterweise beinhalten diese Ansätze die Abstrahlungsbedingung
bereits implizit. Dadurch sind sie gerade für offene Probleme geeignet.
Außerdem verlangt dieser Ansatz, dass meist nur die im Problemraum auf-
tretenden Grenzflächen diskretisiert werden müssen. Dies kommt einer
Reduktion der Problemdimension gleich und ergibt weniger Unbekannte.
Neben dieser Klassifizierung in Differenzen- und Integralverfahren kann, wie

auch schon bei der Beschreibung der elektromagnetischen Beeinflussungen,
zwischen Verfahren im Zeit- und im Frequenzbereich unterschieden werden.
Diese ergibt sich in natürlicher Weise durch die Verwendung der Maxwell-
Gleichungen im Zeit- bzw. im Frequenzbereich als Grundlage der Formu-

lierung. Sowohl Differenzen- wie auch Integralverfahren können im Zeit-
und im Frequenzbereich angewandt werden. Welche Formulierung letztlich
gewählt wird, hängt von der Natur der zu beschreibenden Phänomene ab.
Frequenzbereichsverfahren sind besonders für periodische bzw. bandbe-

grenzte Signale und kontinuierliche Signale von Vorteil, da sie eine be-
sonders effiziente Behandlung direkt im Frequenzbereich zulassen. Zeit-
bereichsverfahren müssten hierfür einen eingeschwungenen Zustand berech-
nen. Außerdem spricht das Vorhandensein frequenzabhängiger Elemente in
einem System für die Anwendung von Frequenzbereichsverfahren.
Zeitbereichsverfahren kommen vor allem bei transienten Signalen zum Ein-

satz. Bei geeigneter Wahl des Simulationsmodells decken sie mit einer ein-
zigen Rechnung den gesamten interessierenden Frequenzbereich ab. Schließ-
lich stellen die Zeitbereichsverfahren überhaupt die alleinige Möglichkeit
dar, Systeme mit nichtlinearen, zeitabhängigen Elementen untersuchen zu
können.
Verbreitete Vertreter der Differenzenmethoden sind zum Beispiel die „Finite

Differenz Time Domain“ (FDTD) Methode [3.37], die „Transmission Line
Matrix“ (TLM) Methode [3.38, 3.39], die „Finite Elemente Methode“ (FEM)
[3.40] oder auch die „Finite Difference Frequency Domain“ (FDFD) Metho-
de [3.41].
Die meistverwendeten Vertreter der Integralverfahren sind sicherlich die

„Momentenmethode“ (MoM) [3.40] und die „Boundary Elemente Methode“
(BEM) [3.41]. Beide finden sowohl im Frequenzbereich wie auch im
Zeitbereich Verwendung. Im letzteren Fall spricht man dann von der „Time-
Domain Methode of Moments“ (TDMOM) [3.44, 3.45] und von der „Time-
Domain Boundary Integral Equation“ (TDBIE) Methode [3.46].
Zur weiterführenden Erörterung der einzelnen Verfahren sei hier auf die
zitierten Referenzstellen verwiesen.
4 Passive Entstörkomponenten
Filter, Überspannungsableiter und andere Entstörkomponenten werden

sowohl unmittelbar an der Störquelle zur Verringerung von Emissionen, z. B.
Entstörfilter, als auch unmittelbar vor einem Empfänger zur Unterdrückung
von Immissionen, z. B. Störschutzfilter, angeordnet. Da den Komponenten
meist nicht anzusehen ist, ob sie der Entstörung oder dem Störschutz dienen
sollen, wird im Folgenden einheitlich von Entstörkomponenten gesprochen,
was sowohl für Störquellen wie für Störsenken sinnfällig interpretierbar ist.
Schirme sind ebenfalls passive Entstörkomponenten. Ihrer großen Be-
deutung wegen werden sie jedoch in eigenen Kapiteln behandelt (s. Kap. 5
und 6).
4.1 Filter
4.1.1 Wirkungsprinzip – Filterdämpfung
Filter dämpfen die Ausbreitung von Störungen längs Leitungen. Ihre pro-
blemlose Verwendung setzt voraus, dass die spektralen Anteile des Nutzsi-
gnals mindestens um die Flankenbreite der Filterkurve von den spektralen
Anteilen der Störungen getrennt sind. Durch eine geeignete Auslegung der
Eckfrequenzen (engl.: cut-off frequency) und Flankensteilheiten der Filter-
übertragungsfunktion erreicht man eine selektive Dämpfung der Störungen
ohne merkliche Beeinträchtigung des Nutzsignals.
Die passiven Filterkomponenten bilden mit den Impedanzen der Quelle und
des Empfängers Spannungsteilerschaltungen, deren frequenzabhängiges
Übersetzungsverhältnis, als logarithmisches Verhältnis genommen, die reale

158 4 Passive Entstörkomponenten
Filterdämpfung ergibt. Erlaubt ein kleiner HF-Innenwiderstand der Stör-

quelle keine wirkungsvolle Spannungsteilung, kann durch Reihenschaltung
von Drosseln das Teilerverhältnis vergrößert werden. Die Grundkompo-
nenten von Filtern sind demnach für den Betriebsstrom auszulegende Längs-
impedanzen und für die Betriebsspannung auszulegende Querimpedanzen
mit meist überwiegend reaktivem Anteil, Bild 4.1.
Bild 4.1: Elementare Filterschaltungen , a) mit Querimpedanz Zq , b) mit Längsim-

pedanz Zl , c) LC-Filter.
Unterstellt man, dass die Filterdämpfung im Frequenzbereich des Nutzsi-

gnals vernachlässigbar ist, erhält man für die drei Fälle in Bild 4.1.
ZE ⋅ Zq
Zi +
USt (ω) ZE + Zq
a) a F = 20 lg = 20 lg (4-1)
UStE (ω) ZE ⋅ Zq
ZE + Zq
USt (ω) Zi + Zl + ZE
b) a F = 20 lg = 20 lg (4-2)
UStE (ω) ZE
4.1 Filter 159
ZE ⋅ Zq
Zi + Zl +
USt (ω) ZE + Zq
c) a F = 20 lg = 20 lg (4-3)
UStE (ω) ZE ⋅ Zq
ZE + Zq
Die Filterdämpfung aF ist frequenzabhängig, man stellt sie daher meist gra-
phisch als Frequenzgang a F = g(f) dar. Je nach Größe der Quellen- und
Lastimpedanz am Ausgang, zuzüglich etwaiger Leitungsimpedanzen, kann
die Filterdämpfung ein- und desselben Filters sehr unterschiedliche Fre-
quenzgänge besitzen. Da ein Hersteller nicht für beliebig viele Kombinatio-
nen von Eingangs- und Ausgangsimpedanzen Dämpfungskurven angeben
kann, findet man in den Katalogen meist die sogenannte Einfügungsdämp-
fung, die von identischen, in angepassten Systemen häufig anzutreffenden
Standardwerten für ZQ und ZE ausgeht, z. B. je 50 Ω , Bild 4.2.
Z Q = 50 W
U Q (w) U St (w) Filter U St (w) Z E = 50 W

E
Z Q = 50 W Z Q = 50 W
U Q (w) U St (w) U oSt (w) Z E = 50 W

E
Bild 4.2: Schaltung zur Messung der Einfügungsdämpfung (Substitutionsmessung mit

und ohne Filter) in einem 50 Ω -System.
Die Einfügungsdämpfung ist definiert als logarithmisches Verhältnis der

Störspannungen am Empfängerwiderstand mit und ohne Filter,
UoStE (ω)
a F = 20 lg . (4-4)
UStE (ω)
Häufig findet man auch die Definition
UQ (ω)
a F = 20 lg , (4-5)
2 UStE (ω)
die die Leerlaufspannung der Störquelle zur Störspannung am Empfänger in

Beziehung setzt, wobei dann wegen des angepassten Betriebs im Nenner ein
Faktor 2 auftritt. Am Zahlenwert von aF ändert sich hierdurch nichts.
Die Einfügungsdämpfung ist ein treffendes Maß zur Beurteilung der Filter-
wirkung in angepassten Systemen und erlaubt einen Vergleich von Filtern
gleicher Bauart unterschiedlicher Hersteller, versagt aber völlig als Maß zur
Beurteilung der Filterwirkung bei Systemen mit beliebigen Sender- und
Empfängerimpedanzen, z. B. Netzfilter.
Bei von 50 Ω abweichenden Impedanzen ist man als Anwender gezwungen,

die realistische Filterdämpfung in jedem Einzelfall für vorgegebene ZE und
ZQ entweder rechnerisch mit Hilfe der Gleichungen (4-1), (4-2), (4-3) bzw.
aufwendigerer Modifikationen (Vierpolgleichungen der Filtertheorie) unter
Verwendung einer Impedanztafel zu ermitteln oder messtechnisch zu
bestimmen. Letzteres gilt insbesondere für dissipative Filter (s. 4.1.4) und
Filter mit nichtlinearen Komponenten (Spulen mit im Bereich der Sättigung
betriebenen ferromagnetischen Kernen). Dieser Aufwand erübrigt sich ledig-
lich bei sehr geringen Ansprüchen an eine quantitativ genau bekannte
Dämpfung, großem Frequenzabstand zwischen Nutz- und Störsignal und
näherungsweise bekannten Innenwiderständen. Bei mehrstufigen Filtern ist
der Unterschied zwischen realistischer Filterdämpfung und Einfügungsdämp-
fung weniger krass, wenn man die erste und letzte Stufe gedanklich zur Sen-
de- bzw. Empfängerimpedanz hinzu schlägt. In vielen Fällen kann man
durch Grenzwertbetrachtungen für f → 0 bzw. f → ∞ sowie für ZE ,
ZQ 50 Ω bzw. ZE , ZQ 50 Ω abschätzen, ob die realistische Filterdämpf-
ung besser oder schlechter als die Einfügungsdämpfung sein wird, m. a. W.,
ob man auf der sicheren Seite liegt oder nicht. Eine Anleitung zur Umrech-
nung der Einfügungsdämpfung auf beliebige Sender- und Empfänger-
widerstände findet sich in [4.2], Hinweise speziell zur Auswahl von
Netzfiltern in [B10] und [4.39, 4.40].
Neben der grundsätzlichen Problematik einer zunächst unbekannten realisti-

schen Filterdämpfung gibt es bei der Auswahl eines Filters zahlreiche weitere
Punkte zu beachten, auf die im Folgenden noch näher eingegangen wird.
4.1 Filter 161
4.1.2 Filter für Gleich- und Gegentaktstörungen
Die Topologie eines Filters hängt wesentlich von der Natur der Störung ab.
Wie bereits im Abschn. 1.4 ausführlich erläutert, unterscheidet man bei lei-
tungsgebundenen Störungen zwischen symmetrischen und unsymmetrischen
Störspannungen. Erstere treten zwischen Hin- und Rückleitung von Be-
triebs- oder Signalstromkreisen auf, letztere zwischen deren Leitern und
einem Referenzleiter, meist dem Schutzleiter (s. Abschn. 1.4). Entsprechend
gilt es zwei Störstromarten zu unterdrücken, Gleich- und Gegentakt-
störströme. Für beide müssen Filtereigenschaften separat spezifiziert werden.
Betrachten wir zunächst das Ersatzschaltbild einer Störquelle mit Span-
nungsquellen für symmetrische und unsymmetrische Störspannungen, bei-
spielsweise den Universalmotor eines Staubsaugers, Bild 4.3.
Bild 4.3: Störquellenersatzschaltbild mit Spannungsquellen für symmetrische und un-

symmetrische Störspannungen.
Die symmetrische Störspannung ergibt sich als Differenz der unsymmetri-

schen Störspannungen, wie die Anwendung der Maschenregel auf die in Bild
4.3 eingezeichnete Schleife zeigt,
U(1) (2)
unsym − Uunsym + Usym = 0 , (4-6)
bzw. Usym = U(2) (1)

unsym − U unsym
. (4-7)
Das Ersatzschaltbild lässt weiter auf Anhieb erkennen, wie die drei Störspan-
nungsquellen durch Entstörkondensatoren zwischen den Leitern L1, N, PE
hochfrequenzmäßig kurzgeschlossen werden können, Bild 4.4 a.
(2) (2)
U 0 unsym U 0 unsym
L1 L1
U 0 sym CX CY U 0 sym CX CY
N (1)
N
(1)
U 0 unsym U 0 unsym
CY CY
PE PE
a) b)
Bild 4.4: Entstörung einer Störquelle mit Gegentakt- und Gleichtaktstörungen, a)

durch Entstörkondensatoren, b) durch Entstörkondensatoren und vorgeschaltete
Drosseln
Bei kleinen Quellenwiderständen würde die Entstörung allein mit Konden-

satoren u. U. exzessiv große Kapazitäten erfordern. Zur Umgehung dieser
Schwierigkeit kann der Quellenwiderstand durch Reihenschaltung von In-
duktivitäten erhöht werden, Bild 4.4 b.
Je nach Art der Störung wird man nur Kondensatoren zwischen Hin- und
Rückleiter, zwischen beiden Leitern und Schutzerde oder auch in beiden
Pfaden vorsehen.
Bei Filterkondensatoren für Starkstromanwendungen unterscheidet man ge-

mäß VDE 0565 [4.1] zwischen Kondensatoren der X- und Y-Klasse, sog. X-
und Y-Kondensatoren. Erstere werden zwischen Hin- und Rückleiter von
Betriebsstromkreisen geschaltet und dürfen beliebig große Kapazitäten
besitzen. Bezüglich der zu erwartenden dielektrischen Beanspruchung durch
Transienten im Niederspannungsnetz bzw. geräteeigene Abschaltüberspan-
nungen unterscheidet man noch zwischen den Unterklassen X1 (Scheitel-
werte > 1,2 kV) und X2 (Scheitelwerte < 1,2 kV).
Y-Kondensatoren werden zwischen die Leiter von Betriebsstromkreisen und

Schutzerde PE geschaltet. Sie überbrücken somit die elektrische Isolation
4.1 Filter 163
eines Geräts. Durch diese Kondensatoren fließt im normalen Betrieb eines

Geräts ein Wechselstrom (Ableitstrom, engl.: Leakage current), der bei
Fehlen des Schutzleiters in der Netzzuleitung nicht zu einer Gefährdung von
Personen führen darf, Bild 4.5.
400/230 V
L1
L2
L3
N
PE
CY CY
ZF 2kW Bild 4.5: Leitungsströme durch Filter-

kondensatoren zwischen Außenlei-
tern und Gehäuse. ZF: parasitäre Iso-
lations-Ableitimpedanz.
Abhängig vom Gerätetyp sind Ableitungsströme zwischen 0,75 mA und

≤ 3,5 mA zulässig [4.3], was einer Obergrenze von einigen 1000 pF ent-
spricht. Verlangt die Filterung größere Kapazitätswerte, sind zusätzliche
Schutzmaßnahmen zu ergreifen, z. B. Fehlerspannungsschutzschalter gemäß
VDE 0100 [1.21].
Neben einem begrenzten Kapazitätswert besitzen Y-Kondensatoren dank

geeigneter Auslegung ihres Dielektrikums und ihres Aufbaus grundsätzlich
eine erhöhte elektrische und mechanische Sicherheit gegen Kurzschlüsse.
Gewöhnlich umgeht man größere Kapazitätswerte im Y-Pfad durch Vor-
schalten stromkompensierter Drosseln (s. Abschn. 4.1.5.2).
4.1.3 Filterresonanzen
Die Zusammenschaltung reaktiver Komponenten (Spulen und Kondensato-

ren) in einem Filter stellt ein schwingungsfähiges System dar, das in der
Nähe seiner Eigenresonanzen zu negativer Filterdämpfung, das heißt einem
Einfügungsgewinn führen kann. Desgleichen können auch reaktive Sender-
und Empfängerimpedanzen zusammen mit den reaktiven Komponenten
eines Filters Resonanzphänomene hervorrufen. Diese Probleme können

durch Verlagerung der Eigenresonanzen in einen unproblematischen
Frequenzbereich (mehrstufige Filter) oder Bedämpfung der Resonanzen
durch Widerstände bzw. durch verlustbehaftete (dissipative) Dielektrika und
Magnetika gelöst werden (s. Abschn. 4.1.4)
Neben den makroskopischen Eigenfrequenzen zusammengeschalteter reak-

tiver Komponenten weisen auch einzelne Komponenten aufgrund parasitä-
rer Bauelementeeigenschaften individuelle Eigenfrequenzen auf.
Spulen wirken nur unterhalb ihrer Eigenfrequenz fL als Induktivität, ober-

halb fL werden sie durch parasitäre Windungskapazitäten CStr kurzgeschlos-
sen. Diesem Effekt kann in gewissen Grenzen durch einen kapazitätsarmen
Aufbau begegnet werden (s. 4.1.5.2). In gleicher Weise wirken Kondensato-
ren nur unterhalb ihrer Eigenfrequenz fC als Kapazität, oberhalb fC wird der
Strom durch die parasitäre Induktivität ihrer Zuleitungen und Beläge be-
grenzt (Bild 4.6).
ZI
Ω 105
ideale Spule
104
103
CStr 102
101
100
fr lg f
Zq
Ω 100
LStr 10-1 idealer
10-2 Kondensator
10-3
fr lg f
Bild 4.6: Resonanzeffekte passiver Filterkomponenten hervorgerufen durch para-

sitäre Bauelemente. Zl : Längsimpedanz, ZQ : Querimpedanz.
Die Streuinduktivität steckt bei stirnflächenkontaktierten Wickeln (engl.:

extended foil) im Wesentlichen in den Zuleitungen. Es obliegt daher dem
Anwender, durch extrem kurze Leitungen die Eigenfrequenz möglichst hoch
zu halten. Dies gilt nicht nur für den Einbau von Filterkondensatoren,
sondern auch kompletter LC-Filter. In jedem Fall ist die Kontaktierung mit
Masse bzw. dem Schutzleiter so niederinduktiv wie möglich zu gestalten. Bei
4.1 Filter 165
Durchführungskondensatoren und SMD-Komponenten (engl.: Surface-

Mounted Devices) erübrigt sich diese Fürsorge, da deren Eigenfrequenz nur
noch durch ihren inneren Aufbau bestimmt wird.
4.1.4 Dissipative Dielektrika und Magnetika
Wie im vorigen Abschn. 4.1.3 bereits angedeutet, lassen sich Filterre-

sonanzen und Eigenresonanzen einzelner Filterbausteine durch dissipative
Dielektrika und Magnetika dämpfen. Dies kann einerseits makroskopisch,
beispielsweise durch Mischkerne oder Ferritkerne mit Kurzschlusswind-
ungen aus Widerstandsdraht, andererseits auch durch inhärente Material-
eigenschaften bewirkt werden, z. B. verlustbehaftete Übertragungsleitungen
(engl.: lossy lines). In letzterem Fall beschreibt man die Materialeigen-
schaften durch ihre komplexe Permittivität (Dielektrika) bzw. ihre komplexe
Permeabilität (Ferro- und Ferrimagnetika).
Dissipative Dielektrika:
Elektrische Isolierstoffe weisen neben der ohmschen Restleitfähigkeit, die

auch bei Gleichspannung auftritt, bei Wechselspannungsbeanspruchung zu-
sätzliche Wirkverluste auf, die von den rhythmisch im elektrischen Wechsel-
feld oszillierenden Ionen und Dipolen herrühren (makroskopisch gesehen
Reibungsverluste). Diese Polarisationsverluste können die Verluste aufgrund
der ohmschen Restleitfähigkeit um ein Vielfaches überwiegen.
Die frequenzabhängigen Eigenschaften verlustbehafteter Dielektrika werden

gewöhnlich durch ihre komplexe Permittivität beschrieben.
Die komplexe Permittivität ist definiert als
ε = ε '− jε ''
, (4-8)
bzw. die relative komplexe Permittivität nach Division durch ε0 als
ε ε' ε '' ε ''

= − j = εr − . (4-9)
ε0 ε0 ε0 ε0
Der durch ε0 dividierte Realteil entspricht dem gewohnten ε r . Er ist ein

Maß für die reine Kapazitätserhöhung in Anwesenheit eines Dielektrikums,
C = C0 ε r (C0: geometrische Kapazität ohne Dielektrikum). Der Imaginärteil

ist ein Maß für den ohmschen Wechselstrom-Verlustwiderstand R = R 0 / ε ''
bzw. den Verlustleitwert G = G0 ε '' (ohmsche Restleitfähigkeit bei f = 0 ver-
nachlässigt).
Dissipative Kondensatoren können im Ersatzschaltbild als Parallelschaltung

einer idealen Kapazität und eines ohmschen Verlustwiderstands dargestellt
werden, Bild 4.7.
G = G 0 ε" =
ωC0 ε'
ε0 ε" C = C0εr = C0 ε0 U(ω)
I(ω)
Bild 4.7: Ersatzschaltbild eines verlustbehafteten Kondensators.
Da ε ' und ε '' frequenzabhängig sind, hängen auch die Kapazität und der
Leitwert von der Frequenz ab, das heißt C = C(ω) und G = G(ω) .
Im Frequenzbereich gilt
I(ω) = Y(ω)U(ω) = ( G(ω) + jωC(ω)) U(ω) . (4-10)
Als Verlustfaktor bezeichnet man den Quotienten
ε ''
tan δC =
ε'
. (4-11)
Er erlaubt die Berechnung der im Dielektrikum erzeugten Wärmeverluste
P = U2 ωC tan δC
. (4-12)
Den Kehrwert des Verlustfaktors bezeichnet man als Güte Q. Bei typisch
dissipativen Dielektrika liegt sie in der Größenordnung von Q=1. Die Wirk-
und Blindströme sind dann hinsichtlich ihres Betrags vergleichbar.
4.1 Filter 167
Dissipative Ferro- u. Ferrimagnetika (Ferrite):
Magnetische Werkstoffe weisen im magnetischen Wechselfeld Wirkverluste

auf, die von Wirbelströmen, Ummagnetisierungs- und Nachwirkungsver-
lusten herrühren. Diese Kernverluste können die Stromwärmeverluste der
Wicklungen von Filterspulen bei weitem überwiegen.
Gewöhnlich beschreibt man die frequenzabhängigen Eigenschaften verlust-

behafteter Magnetika durch ihre komplexe Permeabilität,
μ = μ '− jμ ''
, (4-13)
bzw. die relative komplexe Permeabilität nach Division durch μ0 als
μ μ' μ '' μ ''

= −j = μr − j . (4-14)
μ0 μ0 μ0 μ0
Der durch μ0 dividierte Realteil entspricht dem gewohnten μ r . Er ist ein

Maß für die reine Induktivitätserhöhung in Anwesenheit eines Ferro-
magnetikums bzw. eines Ferrimagnetikums (Ferrit), L = L 0 μ r . Der Imaginär-
teil ist ein Maß für den ohmschen Kernverlustwiderstand R = ωL0 μ ''/ μ0 (Lo:
geometrische Induktivität ohne Magnetikum, Drahtwiderstand und Verluste
der Drahtisolation vernachlässigt).
Dissipative Induktivitäten werden im Ersatzschaltbild als Parallelschaltung

einer idealen Spule und eines die Eisenverluste repräsentierenden ohmschen
Widerstands dargestellt, Bild 4.8.
LP IL
R Fe IV I(ω)
U(ω)
Bild 4.8: Parallelersatzschaltbild einer verlustbehafteten Induktivität. LP ideale In-
duktivität des Parallelersatzschaltbilds, RFe Eisenverlustwiderstand.
Die gewöhnlich durch eine Reihenschaltung modellierten ohmschen Lei-

tungsverluste sind bei dissipativen Induktivitäten und geringer Windungszahl
(z. B. Ferritperlen) gegenüber den Eisenverlusten zu vernachlässigen (s. a.
4.1.5.2).
Im Frequenzbereich gilt
§ 1 1 ·
( )
I(ω) = IR Fe + IL = U(ω)Y(ω) = U(ω) ¨ + ¸
© R Fe jωLP ¹
. (4-15)
Als Verlustfaktor bezeichnet man den Quotienten
jωLP μ ''
tan δP = = . (4-16)
R Fe μ'
Er erlaubt die Berechnung der im Ferro- bzw. Ferrimagnetikum erzeugten

Wärmeverluste
P = I2 ωL tan δP
. (4-17)
Den Kehrwert des Verlustfaktors bezeichnet man als Güte Q. Bei typisch dis-
sipativen Magnetika liegt sie in der Größenordnung von Q=1. Die Wirk- und
Blindströme sind dann hinsichtlich ihres Betrags von ähnlicher Höhe.
4.1.5 Filterbauformen
4.1.5.1 Kondensatoren
Kondensatoren sind das am häufigsten eingesetzte Entstörmittel. Zusammen

mit dem HF-Innenwiderstand der Störquelle bilden sie einen Spannungstei-
ler, der die hochfrequenten Störspannungen im Verhältnis der beiden Blind-
widerstände herunterteilt. Ihre Entstörwirkung ist umso besser, je geringer
ihre Eigeninduktivität und je höher der HF-Innenwiderstand der Störquelle
ist. Die Eigeninduktivität hängt von der Länge der Anschlussleitungen, vom
Einbau und dem inneren Aufbau ab. Spezielle Bauformen erlauben eine
direkte Verbindung mit den Belägen ohne zusätzliche Anschlussleitungen im
herkömmlichen Sinn, Bild 4.9.
4.1 Filter 169
a) Zweipolkondensator
b) Dreipolkondensator
Vierpolkondensator
c) (Nichtkoaxialer
"Durchführungskondensator")
Koaxialer "Durchführungs-
kondensator"
(Wickelform)
d)
Durchführungskondensator
(Kreisförmiger Plattenkondensator)
e)
Bild 4.9: Verschiedene Bauformen von Entstörkondensatoren mit in alphabetischer

Reihenfolge abnehmender Eigeninduktivität bzw. zunehmender Eigenfrequenz.
Radialsymmetrische Durchführungskondensatoren d) und e) sind nur bei

asymmetrischen und unsymmetrischen Störungen, nichtkoaxiale „Durchfüh-
rungskondensatoren“ c) dagegen auch bei symmetrischen Störungen ein-

setzbar.
Viele Entstörprobleme verlangen gleichzeitig nach symmetrischer und un-

symmetrischer Entstörung (s. a. Abschn. 10.2). Hierfür gibt es spezielle Ent-
störkombinationen [4.4], Bild 4.10.
Bild 4.10: Mehrfachentstörkondensatoren, a) Dreifachkondensator (XYY-Kon-

densator), b) Zweifachkondensator (XY-Kondensator).
Koaxiale Durchführungskondensatoren besitzen dank ihres induktionsarmen

Aufbaus höchste Eigenfrequenzen oberhalb 1 GHz. Ihre Verwendung ist nur
in Verbindung mit Schirmgehäusen sinnvoll und beschränkt sich aufgrund
ihrer Bauform auf asymmetrische und unsymmetrische Störungen. Bezüglich
des Unterschieds zwischen X- und Y-Kondensatoren wird auf Abschn. 4.1.2
verwiesen.
4.1.5.2 Drosseln
Drosseln finden Verwendung, wenn der HF-Innenwiderstand einer Quelle

zu klein ist, um allein mit Kondensatoren eine ausreichende Spannungstei-
lung bzw. Entstörwirkung zu erzielen. Dies gilt insbesondere für unsymme-
trische Störungen, bei denen die Kapazität der Y-Kondensatoren einen be-
stimmten Wert nicht überschreiten darf. Die Entstörwirkung einer Drossel
ist umso besser, je niedriger ihre Eigenkapazität ist (s. Abschn. 4.1.3). Bei
kleinen Stromstärken sucht man die Spulenkapazität durch eine Aufteilung
in mehrere Kammern klein zu halten (Kammerwicklung), bei großen Strom-
stärken durch einlagige Wicklungen mit hochkant gewickeltem Flach-
kupferdraht [4.5], Bild 4.11.
4.1 Filter 171
a) b)
Bild 4.11: Aufbau von Stabkern-Entstördrosseln mit geringer Streukapazität, a)

Kammerwicklung, b) Flachkupferwicklung.
Drosseln besitzen meist einen Kern aus ferromagnetischem Material. Die

hierdurch bewirkte Induktivitätszunahme kommt einer Erhöhung der Ent-
störwirkung aber nur dann zugute, wenn das Material nicht bereits durch
den Betriebsstrom bis in die Sättigung vormagnetisiert wird. Eine Messung
der Einfügungsdämpfung bei kleinen Strömen ist daher in der Regel wenig
aussagekräftig. Die Abnahme der wirksamen Permeabilität mit zunehmen-
dem Belastungsstrom ist bei Drosseln ohne Luftspalt deutlich ausgeprägter
als bei Drosseln mit Luftspalt (Stabkerndrossel) oder bei Eisenpulverkernen.
Dient eine Drossel nur zur Dämpfung asymmetrischer Störungen, erweisen

sich stromkompensierte Drosseln bzw. Ringkerndrosseln als sehr vorteilhaft
[4.6], Bild 4.12, siehe auch 3.1.2.
Bild 4.12: Stromkompensierte Drossel.

Bei gleichem Wicklungssinn heben sich die magnetischen Flüsse der Be-
triebsströme im Hin- und Rückleiter nahezu vollständig auf, so dass die Vor-
magnetisierung durch den Betriebsstrom vernachlässigbar wird.
Anstelle konventioneller Drosseln mit vergleichsweise hoher Windungszahl

finden bei Frequenzen ab 1 MHz häufig Ferritperlen Verwendung, die auf die
Leiter aufgeschoben ( n = 1 ), oder Ringkerne, um die Messleitungen aufge-
wickelt werden (s. a. Abschn. 3.1.3). Elektrisch macht sich diese Maßnahme
als Reihenschaltung einer Induktivität und eines ohmschen Widerstands im
Leitungszug bemerkbar [4.8, 4.9].
Im Ersatzschaltbild stellt man Ferritperlen meist als Parallelschaltung einer

idealen Induktivität mit einem die Eisenverluste repräsentierenden ohm-
schen Verlustwiderstand RE dar (s. a. Abschn. 4.1.4). Der Leiterwiderstand
wird hierbei vernachlässigt, da die Eisenverluste bei hohen Frequenzen und
geringer Windungszahl die Leitungsverluste um Größenordnungen über-
wiegen. Die Wirbelstromverluste sind proportional f 2 , die Hystereseverluste
proportional f .
Das Parallelersatzschaltbild ist daher physikalisch sehr sinnfällig, da dann

die Induktivität für f = 0 den Verlustwiderstand praktisch kurzschließt, was
der Nichtexistenz von Eisenverlusten bei Gleichstrom entspricht. Bild 4.13.
Bild 4.13: Ersatzschaltbild von Ferritperlen (Streukapazität nicht berücksichtigt).
Abschließend seien nochmals die Vor- und Nachteile geschlossener und of-
fener Eisenkreise sowie die Eigenschaften verschiedener Kernmaterialien zu-
sammenfassend dargestellt. Genaue Zahlenangaben der frequenzabhängigen
Permeabilität sind Herstellerdatenbüchern und Fachbüchern über Werk-
stoffe passiver Bauelemente zu entnehmen [4.10, 4.11, 4.41, 4.42].
4.1 Filter 173
Tabelle 4.1: Vor- und Nachteile geschlossener und offener Eisenkreise sowie die
Eigenschaften verschiedener Kernmaterialien.
Flußpfad
Geschlossener Eisenkreis Offener Eisenkreis Eisenloser Kern
(Ringkern) (Stabkern)
Hohe Permeabilität Mittlere Permeabilität Niedrige Permeabilität
Hohe Induktivität Mittlere Induktivität Geringe Induktivität
Stark nichtlinear Schwach nichtlinear Linear
Geringes Streufeld Starkes Streufeld Mittleres Streufeld
Bezüglich Linearität geringe Bezüglich Linearität hohe Bezüglich Linearität

Strombelastbarkeit Strombelastbarkeit beliebige Strombelastbarkeit
Bezüglich Erwärmung hohe Bezüglich Erwärmung Bezüglich Erwärmung

Strombelastbarkeit (geringe mittlere Strombelastbarkeit geringe Strombelastbarkeit
Windungszahl, hoher CU- (mittlere Windungszahl, (hohe Windungszahl,
Querschnitt) mittlerer CU-Querschnitt) geringer CU-Querschnitt)
Kernmaterial
Dynamoblech Ferrit Carbonyleisen
(Ferromagnetika) (Metalloxid-Keramik, (Eisenpulver, gewonnen
sog. Ferrimagnetika) durch Verdampfen von
Eisenpentacarbonyl
Fe(CO)5)
Mittlere Permeabilität Hohe Permeabilität Geringe Permeabilität
Späte Sättigung Frühe Sättigung Späte Sättigung
Mittlere Baugröße Geringe Baugröße Großes Bauvolumen
Wirbelstromverluste wegen Minimale Minimale

ohmscher Leitfähigkeit Wirbelstromverluste Wirbelstromverluste
(σ → 0) ( σ → 0 wegen isolierter
Pulverpartikel)
4.1.5.3 LC-Filter
Zur gleichzeitigen Dämpfung symmetrischer, unsymmetrischer und asymme-

trischer Störungen, Vergrößerung der Flankensteilheit, Erzielung hoher
gleich bleibender Dämpfung über einen weiten Frequenzbereich etc. werden
häufig mehrere Kondensatoren und Drosseln zu LC-Filtern kombiniert. Man
unterscheidet im Wesentlichen zwischen Netzleitungsfiltern und Filtern für

Daten-, Signal-, und Telefonleitungen.
Netzleitungsfilter
Netzleitungsfilter werden zur Entstörung und zum Störschutz ein- und drei-
phasiger Geräte eingesetzt, z. B. bei Schaltnetzteilen, Rechnern, Büromaschi-
nen etc. Sie stellen für den Betrieb in 230 V/400 V-Niederspannungsnetzen
ausgelegte Tiefpassfilter dar, die lediglich das 50 Hz Nutzsignal ungehindert
durchlassen. Je nach Dämpfungsanforderungen, Einbauverhältnissen etc.
gibt es zahllose Varianten, die in den Herstellerkatalogen ausführlich be-
schrieben sind [4.10, 4.42]. Ein typisches Beispiel eines einphasigen Netzlei-
tungsfilters zeigt Bild 4.14.
Dr1 Dr2
L
CY
CX RE
PE
CY
N
Bild 4.14: Beispiel eines einphasigen Netzleitungsfilters für symmetrische und un-
symmetrische Störungen (unterschiedliche magnetische Kopplung durch unter-
schiedlichen Wicklungssinn). RE Entladewiderstand für die vergleichsweise große X-
Kapazität, Dr1 stromkompensierte Drossel für asymmetrische Störungen, Dr2 Ring-
kerndrossel für symmetrische Störungen (SIEMENS).
Die Dämpfungseigenschaften von Netzfiltern stehen und fallen mit den ein-
gangs- und ausgangsseitigen Impedanzen der Systeme, in denen sie ein-
gesetzt werden (s. Abschn. 4.1.1). Außerdem besteht die Gefahr, durch
ungeeignete Wahl des Filterkonzepts und der Filterdimensionierung Re-
sonanzerscheinungen hervorzurufen, die das Emissionsverhalten eher noch
verschlechtern. Deswegen ist eine individuelle, exakte Filterauslegung mit
wenigen, effizient eingesetzten Bauteilen einer Kombination unterschied-
licher Baukastenfilter auf jeden Fall vorzuziehen. Sollte das Systemdesign
selbst gut genug sein, kann sogar auf aufwendige Netzfilter verzichtet werden
(s. a. Abschn. 11.3.3). Hinweise zur Auswahl von Netzfiltern unter Berück-
sichtigung des Impedanzverhältnisses finden sich im Literaturverzeichnis
[4.39 - 4.40]. Ein Beispiel eines 4-Leiter Entstörfilters für elektronische
Anlagen zeigt Bild 4.15.
4.1 Filter 175
1,8 mH
L1 L1
1 μF 0,05 μF 1 MΩ
1 μF
1,8 mH
L2 L2
1 μF 0,05 μF 1MΩ
1 μF
1,8 mH
L3 L3
1 μF 0,05 μF 1 MΩ
1 μF
1,8 mH
N N
0,05 μF 1 MΩ
Bild 4.15: Beispiel eines Netzfilters für ein Drehstromsystem mit Neutralleiter
(SIEMENS).
Durch Kaskadierung mehrerer aufeinander abgestimmter Netzfilter für

unterschiedliche Frequenzbereiche lassen sich Filterketten für Abschirm-
kabinen bis 35 GHz aufbauen [4.23].
Filter für Daten- und Telefonleitungen
Während bei Netzleitungsfiltern das Nutzsignal bei 50 Hz liegt und sich da-
her im Spektrum deutlich von hochfrequenten Funkstörungen absetzt,
nimmt bei Filtern für Daten- und Telefonleitungen das Nutzsignal selbst
einen breiten Raum des elektromagnetischen Spektrums ein. Filter für
Daten- und Telefonleitungen verlangen daher nach hoher Flankensteilheit.
Daneben sind diese Filter in der Regel für kleinere Dauerbetriebsspannungen
ausgelegt [4.15]. Im Gegensatz zu Netzfiltern werden sie meist in Systemen
bekannter Impedanz betrieben.
Dissipative Filter
Die Tatsache, dass gelegentlich ungünstige Konstellationen von Filterüber-

tragungsfunktion sowie Sender- und Empfängerimpedanz einen Einfügungs-
gewinn bewirken, führte zu dissipativen Filtern (s. Abschn. 4.1.4). Zur
Kategorie dissipativer Filter zählen Ferritperlen, Filter mit dissipativen
Komponenten, EMB-unterdrückende Ummantelungen (engl: suppressant
tubing) und dämpfungsbeschwerte Leitungen (engl.: lossy lines), Bild 4.16

[4.20].
Bild 4.16: Dämpfungsbeschwerte Leitungen (engl.: lossy lines), a) koaxialer Innen-

leiter, b) gewendelter Innenleiter.
Der Innenleiter dämpfungsbeschwerter Leitungen besteht aus einer gut lei-

tenden metallischen Seele, umhüllt von einer schlecht leitenden dissipativen
Schicht. Dieser Sandwich-Innenleiter ist durch ein Dielektrikum vom äuße-
ren Schirm getrennt. Bei hohen Frequenzen wird der Strom des Innenleiters
von der Seele in den schlecht leitenden dissipativen Mantel gedrängt. Weite-
re Beispiele für die Anwendung dissipativer Materialien sind verlustbehaftete
Ferrite in Steckverbindern [4.16] oder Durchführungskondensatoren [4.17,
4.19].
Speziell für die Entstörung von Phasenanschnittsteuerungen kleiner und

mittlerer Leistung benötigt man Entstördrosseln mit hoher Dämpfung, damit
während des beim Einschalten auftretenden Ausgleichsvorgangs im LC-Fil-
terkreis der Haltestrom der Thyristoren nicht unterschritten wird. Man er-
reicht dies durch spezielle Mischkerne aus verlustreichem und hochperme-
ablem Kernmaterial [4.13, 4.18].
Funkenlöschkombinationen
In den vorangegangenen Abschnitten wurden als Längsglieder ausschließlich

Drosseln eingesetzt, um im Dauerbetrieb die Stromwärmeverluste des Be-
triebsstromes klein zu halten. Werden Längsglieder nur transient von Strom
durchflossen, können an Stelle von Drosseln vorteilhaft auch ohmsche Wi-
derstände eingesetzt werden. Ein typisches Beispiel sind parallel geschaltete
RC-Funkenlöschkombinationen für die Vernichtung der beim Abschalten
4.1 Filter 177
einer Spule (Relais-, Schützspule) frei werdenden induktiv gespeicherten

Energie. Sie dienen einerseits der Verringerung des Abbrands der Schaltkon-
takte, andererseits der Reduzierung der durch Abschaltüberspannungen be-
wirkten elektromagnetischen Beeinflussungen (s. Abschn. 2.4.2). Ihre Wirk-
ungsweise wird im Abschn. 10.1 noch ausführlich erläutert.
4.2 Überspannungsableiter
Überspannungsableiter (engl.: transient protection device, over-voltage

protector, surge arrester, transient suppressor etc.) dienen der Begrenzung
transienter Überspannungen, hervorgerufen durch Blitzeinwirkung, Ab-
schaltüberspannungen induktiver Verbraucher, ESD, NEMP etc. Sie stellen
stark nichtlineare Widerstände dar, die im Bereich der Betriebsspannungs-
pegel sehr hochohmig, das heißt als Bauelement praktisch nicht existent
sind, bei Überspannungen jedoch sehr niederohmig werden. Zusammen mit
der Impedanz der Störquelle (bei langen Zuleitungen deren Wellen-wider-
stand Z0) bilden sie einen Spannungsteiler mit nichtlinearem Übersetzungs-
verhältnis, der Überspannungen auf Werte herunterteilt, die unterhalb der
transienten Spannungsfestigkeit der zu schützenden Bauelemente liegen
(Überspannungsschutz- bzw. Isolationskoordination s. z. B. Abschn. 10.5),
Bild 4.17.
Bild 4.17: Überspannungsbegrenzung durch Spannungsteiler mit nichtlinearem Nie-

derspannungsteil (Überspannungsableiter).
Die Spannung am nichtlinearen Widerstand RV ergibt sich mit Hilfe der

Maschenregel zu
u'St = uSt (t) − iSt (t)R Q
. (4-18)
Im Wesentlichen unterscheidet man drei Gruppen von Überspannungsablei-

tern, die sich hinsichtlich Ansprechspannung, Stoßstrombelastbarkeit, Isola-
tionswiderstand bei Betriebsspannung, Restwiderstand beim Ableiten, dyna-
mischem Ansprechverhalten sowie zahlreicher weiterer Eigenschaften merk-
lich unterscheiden: Varistoren, Dioden und Funkenstrecken.
4.2.1 Varistoren
Varistoren sind spannungsabhängige, nichtlineare Widerstände (engl.: VDR,

Voltage Dependent Resistors) aus Metalloxid (vorzugsweise ZnO [4.35 -
4.38]). Ihre Strom/Spannungs-Charakteristik folgt im Arbeitsbereich nähe-
rungsweise der Gleichung
I = KUα
, (4-19)
wobei K ein Geometriefaktor (Tablettenfläche und Dicke) und α > 25 ein

materialabhängiger Exponent ist. Die Kennlinie ist symmetrisch und ähnelt
der einander entgegengeschalteter Zener Dioden, (engl.: back-to-back), Bild
4.18 a.
log l/A
I
104
102
10-2 Arbeits-
bereich
U 10 -4
10-6
10-8
10-10
10 100 1000 log U/V
a) b)
Bild 4.18: Strom/Spannungs-Charakteristik von Varistoren, a) exponentieller sym-

metrischer Verlauf gemäß I = KUα , b) Kennlinie eines realen Varistors in doppelt
logarithmischer Darstellung. Idealisierter Verlauf strichliert.
4.2 Überspannungsableiter 179
Aus dieser Kennlinie folgt mit (4-19) für den nichtlinearen statischen Wider-
stand in Abhängigkeit von der Spannung
U U 1 1−α
R= = = U . (4-20)
I(Uα ) K ⋅ Uα K
In Datenblättern wird die logarithmische Abhängigkeit meist in doppelt lo-

garithmischem Maßstab dargestellt, wodurch die Kennlinien die Form von
Geraden annehmen, Bild 4.18 b. Außerhalb des normalen Arbeitsbereichs,
bei extrem großen oder kleinen Strömen treten Abweichungen vom expo-
nentiellen Verlauf auf (in Bild 4.18 b strichliert), die vom nicht spannungs-
abhängigen Restwiderstand im Innern der ZnO-Körner bzw. von äußeren
Leckströmen herrühren.
Die dynamischen Eigenschaften von Varistoren gehen aus ihrem Ersatz-

schaltbild hervor, Bild 4.19 a.
Bild 4.19: a) Vereinfachtes Ersatzschaltbild eines Varistors mit Zuleitungsinduktivität

LStr und Tablettenkapazität CStr , b) Induktionsarmer Einbau eines Varistors (vgl. Bild
4.9).
Während die Widerstandsänderung des reinen Varistoreffekts an den Korn-

grenzen (Knickspannung je Korngrenze ca. 3...5 V) im Subnanosekunden-
bereich erfolgt, lassen sich aufgrund von Zuleitungsinduktivitäten LStr und
Stromverdrängungserscheinungen für reale Bauelemente nur Ansprechzeiten
im Nanosekundenbereich realisieren. Um daher die schnelle Schutzwirkung
des aktiven Elements bei hohen Frequenzen bzw. großen Spannungs-
steilheiten voll auszuschöpfen, sind Varistoren bezüglich ihres Einbaus wie
Entstörkondensatoren zu behandeln, z. B. Bild 4.19 b (s. a. Abschn. 4.1.5.1).
Die Kapazität CStr ( ε r ca. 1200) liegt zwischen 100 pF und einigen 10000
pF, wobei die größeren Werte für niedrige Betriebsspannungen (geringe
Tablettendicke) und hohe Stoßstrombelastbarkeit (große Tablettenfläche)
gelten. Die hohe kapazitive Rückwirkung im ungestörten Betrieb verbietet
den Einsatz von Varistoren in Hochfrequenzsystemen. (Ausnahme: Reihen-
schaltung von Varistoren mit Dioden deutlich kleinerer Kapazität, s. Abschn.
4.2.4). Im Hinblick auf den Überspannungsschutz erweist sich die hohe
Varistorkapazität als günstig, sofern sie nicht durch eine große Zuleitungs-
induktivität unwirksam gemacht wird.
Die Auswahl eines Varistors erfolgt in fünf Schritten:
– Aufsuchen eines für die vorliegende Nennbetriebsspannung zuzüglich

positiver Spannungstoleranz (10% - 20%) spezifizierten Varistors (Frage
der Tablettendicke): Das Spektrum der Betriebsspannungen in Hersteller-
katalogen reicht von 5 Vdc bis zu einigen kV.
– Ermittlung der Varistorgröße nach maximalem Stoßstrom: Der maximale

Stoßstrom einer Schaltung wird mit Hilfe der Netzwerkanalyse aus der
transienten Überspannung und dem Innenwiderstand der Störquelle
(Impedanz ZQ oder Wellenwiderstand Z0 bei elektrisch langen Zulei-
tungen) berechnet. Die maximal zulässige Stoßstrombeanspruchung eines
Varistors ist eine Frage der Häufigkeit der Beanspruchungen während der
gesamten Lebensdauer. Bei einmaliger Beanspruchung reicht das Spek-
trum von 100 A bis zu 70 kA (Blockvaristoren). Bei wiederholter Bean-
spruchung müssen diese Werte u. U. um mehrere Größenordnungen re-
duziert werden.
– Ermittlung der Varistorgröße nach Energieaufnahmevermögen: Der Stoß-

strom erzeugt im Varistor die Wärmeenergie
τ τ
2
W = i R(u)dt = i(t)u(t)dt
³
0
³
0
, (4-21)
die im einfachsten Fall für den „worst case“ – imax ⋅ umax ⋅ t – ermittelt
wird. Bei einer Spule ergibt sich der worst case zu
1 2
Wmax ≤ LI . (4-22)
2
Wie beim maximalen Stoßstrom ist auch das maximale Energieaufnahme-

vermögen eine Frage der Häufigkeit der Beanspruchungen während der
gesamten Lebensdauer. Bei einmaliger Beanspruchung reicht das Spek-
trum von 0,14 J bis zu 10 kJ. Bei wiederholter Beanspruchung müssen
auch diese Werte u. U. um mehrere Größenordnungen reduziert werden.
– Ermittlung der Varistorgröße nach der Dauerbelastung: Bei periodischer

Überspannungsbeanspruchung muss die Dauerverlustleistung abgeschätzt
werden. Sie berechnet sich als Produkt der Energiedeposition eines
einzelnen Impulses (gemäß 4-21) und der Impulsrate n (Zahl der Impulse
pro Sekunde),
P = Wn
, (4-23)
bzw. als Quotient aus Energiedeposition und Periodendauer des repetie-

renden Vorgangs
W
P= . (4-24)
T
Je nach Baugröße liegt die Dauerbelastung im Bereich zwischen 1/100

und 2 Watt.
– Überprüfung des Schutzpegels: Ist der maximale Stoßstrom bekannt, kann

die Restspannung über dem Varistor der Strom/Spannungskennlinie
entnommen werden. Sie muss unterhalb der Stoßspannungsfestigkeit der
zu schützenden Einrichtung liegen. Falls der maximale Strom nicht eo
ipso bekannt ist, geht man von einem Schätzwert für die Restspannung
aus, berechnet mit Hilfe von Gleichung (4-18) einen angenäherten Strom,
mit dem aus der Strom-Spannungscharakteristik ein verbesserter Schätz-
wert für die Restspannung erhalten wird. Mehrfache Iteration führt
schließlich zur gesuchten Restspannung.
Ausführliche Hinweise zur Auslegung von Varistoren sind den Datenbü-

chern der verschiedenen Hersteller zu entnehmen. Varistoren sind in Schei-
ben- und Blockbauform (große Ströme und Energien), als SMD-Kompo-
nenten und in Rohrbauform für Steckverbinder erhältlich. Varistoren werden
als Überspannungsableiter auch im Schaltschrankbau als Hutschienen-
Element eingesetzt, siehe Bild 4.20.
Bild 4.20: Überspannungsableiter bestehend aus Basiselement und Schutzstecker mit

Hochleistungsvaristor, zur Montage auf Hutprofil-Tragschiene, Nennspannung: 230 V
AC, 1-kanalig (Phoenix-Contact)
Darüber hinaus gibt es mit ZnO gefüllte Thermo- und Duroplaste sowie
Lacke für eine Vielzahl maßgeschneiderter Anwendungen. Schließlich sei
erwähnt, dass es auch Varistoren aus anderen spannungsabhängigen
Materialien gibt, z. B. Siliziumkarbid (hohe Leistung), die jedoch, verglichen
mit ZnO-Ableitern, geringere Bedeutung haben. Siliziumkarbid findet
Verwendung bei hohen Anforderungen an Langzeitstabilität, nachteilig ist
sein geringer Nichtlinearitätsexponent ( α ≈ 2...7 ).
4.2.2 Silizium-Lawinendioden
Silizium-Lawinendioden (engl.: Silicon Avalanche Diodes) besitzen gegen-

über normalen Halbleiterdioden den Vorzug, dass beim Überschreiten der
Sperrspannung der pn-Übergang nicht durchschlägt, sondern einen großen
Sperrstrom toleriert. Solange im Sperrbetrieb die in Vorwärtsrichtung zuläs-
sige thermische Verlustleistung bzw. bei Impulsbelastung das zulässige
Grenzlastintegral ³ i 2 dt nicht überschritten wird, tritt keine Zerstörung der
Sperrschicht auf (kontrollierter Durchbruch). Gewöhnliche Zenerdioden
finden schon seit langem als Überspannungsschutz in elektronischen Schal-
tungen Verwendung [4.4]. Für die EMV-Technik wurden spezielle Silizium-
Lawinendioden mit großflächigem pn-Übergang für hohe Sperrstromtrag-
fähigkeit entwickelt (Suppressor Dioden, Transzorb: Transient Zener
Absorber etc.). Silizium-Lawinendioden besitzen wie Varistoren eine An-
sprechzeit im Subnanosekundenbereich, die jedoch in praxi durch Zulei-
tungsinduktivitäten in den Nanosekundenbereich verlagert wird. Ähnlich

wie Varistoren weisen auch sie vergleichsweise große Kapazitäten auf (bis zu
15000 pF), was ihren Einsatz in hochfrequenten Systemen verbietet (Aus-
nahme: Reihenschaltung mit kapazitätsarmen Dioden, s. Abschn. 4.2.4).
Silizium-Lawinendioden sind gewöhnlich unipolare Bauelemente. Durch

gegensinnige Reihenschaltung zweier Dioden erhält man eine symmetrische
Kennlinie. Die Auslegung von Silizium-Lawinendioden erfolgt ähnlich wie
bei Varistoren anhand der von den Baulelementeherstellern bereitgestellten
Kennlinien bzw. Grenzdaten. Ausführliche Hinweise finden sich z. B. in
[B20].
4.2.3 Funkenstrecken
Funkenstrecken decken den größten Ansprechspannungsbereich ab. Sie

schützen sowohl Elektroenergiesysteme bei direkten Blitzeinschlägen (An-
sprechspannungen bis in den MV-Bereich) als auch Telekommunikations-
netze (Ansprechspannungen größer 80 V). Verglichen mit Varistoren und
Suppressordioden werden Funkenstrecken gelegentlich als harte Ableiter
(engl.: hard limiter) bezeichnet, da ihre Spannungsabhängigkeit eher mit der
eines Schalters vergleichbar ist, Bild 4.21.
u(t)/V u(t)/V
1200 dynamische 1200

Ansprechspannung
800 800
statische
Ansprechspannung
400 400
Brennspannung
1 2 3 4 t/μs 1 2 3 4 t/μs
a) b)
Bild 4.21: Schematischer Vergleich der Kennlinien von, a) Funkenstrecken und b)

Varistoren.
Bei dynamischer Beanspruchung schießt die Spannung an einer Funken-

strecke zunächst beträchtlich über die statische Ansprechspannung (gemes-
sen bei 100 V/μs Spannungssteigerungsrate) hinaus. Nach einer statistischen
Streuzeit zündet der Ableiter, worauf sich sein Widerstand um ca. 10 Zeh-
nerpotenzen verringert und die Spannung zunächst auf die Glimmbrenn-
spannung von 70...130 V, bei ausreichend kleinem Innenwiderstand der
Störquelle weiter auf die Bogenspannung von ≤ 20...25 V (Anoden- und
Kathodenfall) zusammenbricht. (Der Unterschied zwischen Glimm- und
Bogenbrennspannung ist in Bild 4.21 nicht berücksichtigt).
Die Stoßkennlinie einer Funkenstrecke (engl.: Voltage-Time-Curve) be-

schreibt ihr dynamisches Ansprechverhalten bei Beanspruchung mit Stoß-
spannungen zunehmender Spannungssteilheit. Sie wird vom Hersteller für
jeden Funkenstreckentyp messtechnisch ermittelt, Bild 4.22 a.
uZ(t)/ V uZ(t)/ V
104
du
dt
103
UZStat
102
t/μs 10-5 10-4 10-3 10-2 t/μs

a) b)
Bild 4.22: Stoßkennlinie von Funkenstrecken, a) messtechnische Ermittlung einer
Stoßkennlinie (strichlierter Verlauf: Leerlaufspannung des Stoßgenerators ohne Ab-
leiter), b) typische Stoßkennlinie eines Herstellerkatalogs (schematisch).
Im Gegensatz zu Funkenstrecken besitzen weiche Ableiter (engl.: soft

limiters) nur einen typischen Spannungswert. Das charakteristische An-
sprech- und Brennverhalten harter Ableiter offenbart daher gleich zwei
Nachteile gegenüber weichen Ableitern. Einerseits kann bei großer Steilheit
die Spannung vor dem Ansprechen kurzzeitig doch sehr hohe Werte
annehmen, die möglicherweise vom zu schützenden Objekt nicht toleriert
werden, andererseits liegt der Brennspannungsbedarf des Ableiters sehr
niedrig, so dass in Gleichstromkreisen der Ableiter nach Verstreichen der
transienten Überspannung u. U. nicht löscht. In niederohmigen Netzen ver-
mag dann die Betriebsspannung einen Folgestrom durch den Ableiter zu
treiben, der diesen thermisch zerstört. Ersteres Problem löst man durch
Wahl eines Ableiters mit geeigneter Stoßkennlinie (soweit möglich) bzw. ge-
staffeltem Grob- und Feinschutz (s. Abschn. 4.2.4), letzteres Problem durch
Reihenschaltung mit einem weichen Ableiter (s. Abschn. 4.2.4).
Den genannten Nachteilen stehen die herausragenden Vorteile hoher Strom-

tragfähigkeit sowie minimaler ohmscher und kapazitiver Rückwirkung im
ungestörten Betrieb gegenüber. Beispielsweise liegt der Isolationswiderstand
von Funkenstrecken im Bereich > 1010 Ω , ihre Kapazität im Bereich < 10 pF .
So bilden denn auch in Edelgas betriebene Funkenstrecken (edelgasgefüllte
Überspannungsableiter) [4.21] das Rückgrat des Überspannungsschutzes in
Fernmeldenetzen, deren hoher Innenwiderstand und niedrige Betriebsspan-
nung von 60 V < UGlimm die Ausbildung eines Folgestroms nicht zulassen. In
niederohmigen Netzen und bei höheren Betriebsspannungen finden edelgas-
gefüllte Überspannungsableiter vielfach in Hybridschaltungen Verwendung
(s. Abschn. 4.2.4). Abschließend zeigt Bild 4.23 einen edelgasgefüllten Über-
spannungsableiter im Schnitt.
Bild 4.23: Edelgasgefüllter Überspannungsableiter.
Je nach Anforderungen an das statische und dynamische Ansprechverhalten

können das Gas, die Elektroden und etwaige Zündhilfen radioaktiv präpa-
riert sein.
4.2.4 Hybrid-Ableiterschaltungen
Der Vorzug hohen Ableitvermögens von Funkenstrecken sowie das schnelle

Ansprechen und Fehlen eines Folgestroms bei Varistoren und Dioden legen
eine Kombination harter und weicher Ableiter in Hybridschaltungen nahe
[4.21, 4.22]. Eine mögliche Kombination ist die Reihenschaltung beider Ab-
leiterarten, Bild 4.24 .
Bild 4.24: Reihenschaltung harter und weicher Ableiter, a) Reihenschaltung von

Funkenstrecke und Varistor (Blitzschutz), b) Reihenschaltung einer Suppressordiode
mit einer kapazitätsarmen Diode, c) wie b), jedoch in Brückenschaltung.
In Bild 4.24 a verhindert die Reihenschaltung des Varistors die Ausbildung

eines Folgestroms in niederohmigen Netzen. Speziell im Blitzschutz findet
Siliziumkarbid wegen seiner Langzeitstabilität als Varistormaterial Verwen-
dung. Sein hoher Leckstrom kommt hier nicht zum Tragen, da der Varistor
im ungestörten Betrieb durch die Funkenstrecke vom Netz abgekoppelt ist.
Reihenschaltungen von Funkenstrecken mit spannungsabhängigen Wider-
ständen werden im Blitzschutz als Ventilableiter bezeichnet (s. a. Abschn.
10.5).
Zur Unterdrückung der kapazitiven Rückwirkung von Zener- und Sup-

pressordioden in Hochfrequenzanwendungen schaltet man kapazitätenarme
Dioden vor, Bild 4.24 b und c. In Vorwärtsrichtung muss die kapazitätsarme
Diode für den maximalen Stoßstrom, in Sperrrichtung für eine Sperrspan-
nung > U z ausgelegt sein.
Neben der Reihenschaltung kommt auch die Parallelschaltung von Funken-

strecken und Varistoren zum Einsatz, Bild 4.25.
Bild 4.25: Parallelschaltung harter und weicher Ableiter, a) direkte Parallelschaltung ,

b) indirekte Parallelschaltung.
In Bild 4.25 a begrenzt der Varistor die Überspannung im Nanosekunden-

bereich auf seine Knickspannung, die über der Ansprechspannung der Fun-
kenstrecke ausgewählt werden muss. Nach Verstreichen ihrer statistischen
Streuzeit spricht auch die Funkenstrecke an, worauf die Spannung auf Werte
< 20 V zusammenbricht. Der Strom durch den Varistor geht damit auf Werte
kleiner ILeck des ungestörten Betriebs zurück. Die Funkenstrecke mit ihrem
hohen Ableitvermögen übernimmt allein den Stoßstrom. Falls ein niedrigerer
Schutzpegel als ca. 100 V gefordert wird, (z. B. in der MSR-Technik der
Prozessleittechnik), entkoppelt man beide Ableiter durch einen ohmschen
Widerstand oder eine Drossel, Bild 4.25 b. Dieses Prinzip der Aufteilung in
Grob- und Feinschutz lässt sich für höchste Anforderungen auf einen drei-
oder auch mehrstufig gestaffelten Überspannungsschutz erweitern, Bild 4.26.
Bild 4.26: Dreistufig gestaffelter Überspannungsschutz (Schutzkaskade).
Schließlich ist je nach Störumgebung und Kopplungsmechanismus auch eine

Ergänzung um einen LC-Filter sowie einen Optokoppler (s. 4.3) gegen
Gleichtaktstörungen möglich, Bild 4.27.
Z1 Z2
Bild 4.27: Umfassender Staffelschutz.
Überspannungsableiter und Hybridschaltungen aller Art sind in zahllosen

Varianten vom Steckdosenschutz-, Koaxialleitungsschutz- und Datenlei-
tungsschutzadapter (Zwischenstecker) bis hin zu Reihenklemmen und
steckbaren Schutzkaskaden auf Europakarten im Handel erhältlich. Hin-
weise zur mathematischen Beschreibung von Netzen mit nichtlinearen Kom-
ponenten (Überspannungsschutzeinrichtungen) findet man im Literaturver-
zeichnis [4.33 - 4.36].
4.3 Optokoppler und Lichtleiterstrecken
Optokoppler bieten sehr hohe Gleichtaktunterdrückung und werden oft zur

Auftrennung von Erdschleifen (s. Abschn. 3.1.2) eingesetzt, z. B. in den Ein-
und Ausgängen speicherprogrammierbarer Steuerungen bzw. in Schnitt-
stellen von Prozessleitsystemen, Bild 4.28.
Sender Empfänger
Bild 4.28: Einsatz eines Optokopplers zur Unterdrückung von Gleichtaktsignalen

(Auftrennung der Erdschleife).
4.3 Optokoppler und Lichtleiterstrecken 189
Optokoppler eignen sich vorzugsweise für die Digitaltechnik. Bei hohen An-
sprüchen an Übertragungsbandbreite und mäßigen Anforderungen an den
Übertragungsfaktor unter Umgebungsbedingungen finden sie aber auch zur
Übertragung analoger Spannungs- bzw. Stromimpulse Verwendung.
Abhängig vom optoelektrischen Empfänger weisen Optokoppler unter-

schiedliche Stromverstärkungen und Bandbreiten auf, z. B.:
Parameter: I a /I e B
Diode 10–2 10 MHz
Transistor 0,3 300 kHz
Darlington Transistor 3 30 kHz
Hohe Bandbreiten (10 MHz) bei gleichzeitig großer Verstärkung erhält man
mit Optokopplern, in denen eine Photodiode mit einem Hochfrequenz-
transistor kombiniert ist.
Die hohen Isolationsspannungen von Optokopplern sind meist sehr optimis-

tisch spezifiziert und daher bei kritischen Anwendungen mit Vorsicht zu
betrachten.
Für hochfrequente Gleichtaktsignale nimmt die Gleichtaktunterdrückung

von Optokopplern aufgrund der Streukapazität zwischen Eingang und
Ausgang (1...10 pF) rasch ab. Die kapazitive Kopplung lässt sich durch eine
geerdete Leiterbahn zwischen den Ein- und Ausgängen verringern, sofern
dies spannungsmäßig zulässig ist.
Beliebig hohe Gleichtaktunterdrückung, auch bei höchsten Frequenzen, lässt

sich mit Lichtleiterübertragungsstrecken erreichen, Bild 4.29.
LED Schmitt
Treiber Trigger
Bild 4.29: Lichtleiterübertragungsstrecke.

Während monolithische Optokoppler nur Spannungen bis etwa 10 kV iso-

lieren, erlauben Lichtleiterstrecken die Überbrückung von Potentialdifferen-
zen bis in den Megavoltbereich, z. B. in Elektroenergiesystemen oder der
Pulse Power Technologie. In diesem Zusammenhang seien auch über Licht-
leiterstrecken isolierte Tastkopfsysteme erwähnt (z. B. ISOBE 3000 von
Nicolet). Ausführliche Unterlagen über die Auslegung geeigneter Sender-
und Empfängerbausteine finden sich im umfangreichen Literaturverzeichnis
[4.25 - 4.34].
4.4 Trenntransformatoren
Trenntransformatoren (engl.: Isolation Transformer) erlauben die galvani-

sche Trennung von Wechselstromkreisen. Sie werden daher häufig zur Un-
terbrechung von Erdschleifen (s. Abschn. 3.1.2), Unterdrückung von Gleich-
taktspannungen etc. eingesetzt, Bild 4.30.
Bild 4.30: Prinzip der galvanischen Trennung von Wechselstromkreisen durch

Trenntransformatoren.
Für Gleichspannungen und Wechselspannungen von 50 Hz ist die Gleich-

taktunterdrückung nahezu perfekt. Bei höheren Frequenzen nimmt die
Gleichtaktunterdrückung wegen der Streukapazität zwischen Primär- und
Sekundärwicklung zunehmend ab. Abhilfe schafft hier ein geerdeter Schirm,
der Gleichtaktströme direkt zur Gleichtaktspannungsquelle zurückfließen
lässt, Bild 4.31. Die Effektivität des Schirms hängt wesentlich von der
Impedanz ZS der Rückleitung zur Gleichtaktspannungsquelle ab. Seine
Erdung, gegebenenfalls auch Massung muss auf dem kürzesten Weg erfolgen.
Je nach Lage der Gleichtaktspannungsquelle, Anordnung des Trenntrans-
formators etc. erweist sich die Erdung eines Schirms wahlweise am Sender
oder am Empfänger als vorteilhafter.
4.4 Trenntransformatoren 191
Sender Empfänger
U Gl
ZS
Bild 4.31: Verringerung der Kopplung über die Wicklungsstreukapazität durch einen
geerdeten Schirm.
Für die Abschätzung der Gleichtaktunterdrückung müssen die Koppelkapa-

zitäten zwischen dem Schirm und den Wicklungen bekannt sein (100 pF
…1 nF). Bei unsymmetrisch angeordnetem Schirm und unsymmetrisch aus-
gelegter Isolation gegen transiente Potentialanhebungen (dies ist bei einem
zweckmäßig dimensionierten Trenntransformator die Regel) muss auf den
seitenrichtigen Einbau geachtet werden.
Aufwendig gebaute Trenntransformatoren für Brückenschaltungen etc. besit-

zen bis zu drei Schirme, Bild 4.32.
Masse 1 Masse 2
Bild 4.32: Isoliertransformator mit drei getrennten Schirmen und unterschiedlichen

Erdungsverhältnissen.
Die optimale Anbindung der Schirme hängt von der jeweiligen Schaltung
und den vorhandenen Masse- bzw. Erdungsverhältnissen ab.
Abschließend seien zwei typische Anwendungen von Trenntransformatoren

erwähnt:
Bild 4.33 a zeigt die galvanisch getrennte Übertragung von Steuerimpulsen

an die Gitterelektroden von Leistungshalbleitern, die sich auf den
unterschiedlichen Phasen-Potentialen eines Drehstromsystems befinden.
L1 L2 L3
CStr2
+120°
CStr1
( )N L1
+240°
a) b)
Bild 4.33: Beispiele für den Einsatz von Trenntransformatoren, a) Galvanisch ge-
trennte Ansteuerung von Thyristoren in der Leistungselektronik, b) Speisung eines
Oszilloskops in einem Hochspannungsprüflabor.
Bild 4.33 b zeigt die Versorgung von Messgeräten über einen Trenntransfor-
mator in Laboratorien der Hochspannungsprüftechnik und der Pulse Power-
Technologie.
Auf dem Messkabel ankommende transiente Kabelmantelströme können

dank der galvanischen Trennung nicht mehr direkt über den Schutzleiter des
Messgerätegehäuses nach Erde abfließen, sondern nur noch über die
parasitäre Streukapazität CStr1 . Aufgrund der höheren Impedanz des Kabel-
mantelstrompfads bilden sich kleinere Kabelmantelströme und damit auch
kleinere Störspannungen aus. Bei hohen Frequenzen bzw. schnellen
transienten Potentialanhebungen ist aber die Gefahr des Einkoppelns merk-
licher Störspannungen in das Messkabel über dessen Kopplungsimpedanz
nach wie vor gegeben, da dann CStr1 als Kurzschluss wirkt. So besteht denn
auch die Aufgabe des Trenntransformators weniger in der Verringerung von
4.4 Trenntransformatoren 193
Störspannungen, sondern mehr der Vermeidung eines rückwärtigen Über-

schlags (s. Abschn. 3.1.4). Der Transformatorschirm treibt den Netztrans-
formator des Oszilloskops über die Kapazität CStr2 auf das gleiche Potential
wie das Oszilloskopgehäuse und bannt so die Gefahr des rückwärtigen Über-
schlags.
5 Elektromagnetische Schirme
5.1 Natur der Schirmwirkung – Nahfeld, Fernfeld
Im Kontext der elektromagnetischen Verträglichkeit geht es im Wesent-

lichen um die Schirmung elektrischer Felder und magnetischer Felder durch
geeignete elektromagnetische Schirme. Die Wirkungsweise dieser Schirme
ist nicht vergleichbar mit dem Schirmungsprinzip, das beispielsweise einem
Regenschirm zum Erfolg verhilft. Vielmehr dringen elektromagnetische Fel-
der in einen Schirm ein und influenzieren dort Ladungen oder induzieren
Ströme, deren elektrische bzw. magnetischen Felder sich dem jeweils initi-
ierenden Feld überlagern und dieses damit teilweise kompensieren. Dabei ist
zunächst unerheblich, ob die zu kompensierenden Felder ihre Ursache
innerhalb oder außerhalb einer Schirmhülle haben, Bild 5.1.
Feld-
ursprung
Feld-
ursprung
a) b)
Bild 5.1: Reziprozität der Schirmwirkung (schematisch). a) Feldursache im Schirm;

der Schirm dient z. B. zur Abschwächung der Störstrahlung einer Störquelle, b) Feld-
ursache außerhalb des Schirms; der Schirm dient z. B. dem Schutz einer Störsenke
vor Störstrahlung.
Ein Maß für die Schirmwirkung ist der Schirmfaktor Q, der die durch den
Schirm gedämpfte Feldstärke mit der ungedämpften, in Abwesenheit des

196 5 Elektromagnetische Schirme
Schirms vorhandenen Feldstärke in Beziehung setzt, z. B. in einem magne-

tischen Feld
H
Q= i
Ha
. (5-1)
Der Schirmfaktor ist in der Regel eine komplexe Zahl.
In der Praxis rechnet man häufig mit der Schirmdämpfung, die als logarith-
misches Verhältnis (s. Abschn. 1.2) des Kehrwerts der inneren und äußeren
Feldstärke ermittelt wird:
1
a s = 20 lg dB
Q . (5-2)
Bezüglich des Feldtyps unterscheidet man zeitlich konstante und zeitlich

veränderliche Felder. Erstere bezeichnet man auch als statische Felder, letzt-
ere unterteilt man nochmals in quasistatische Felder und elektromagneti-
sche Wellen, Bild 5.2.
Zeitlich konstante Felder Zeitlich veränderliche Felder
Quasistatische Elektromagnetische
Felder Wellen
Elektrostatische Magnetostatische Elektrisches Magnetisches

Felder Felder Wechselfeld Wechselfeld
Bild 5.2: Klassifizierung elektrischer und magnetischer Felder [B18].
Statische elektrische Felder herrschen beispielsweise in der Umgebung elek-

trostatisch aufgeladener Kunststoffoberflächen oder im Innern eines an
Gleichspannung liegenden Plattenkondensators vor. Statische magnetische
Felder hingegen herrschen in der Umgebung eines Permanentmagneten oder
einer gleichstromdurchflossenen Spule vor.
Bei quasistatischen Feldern, beispielsweise von 50 Hz, wird deren zeitliche

Änderungsgeschwindigkeit so gering angenommen, dass sich eine Feldände-
rung im betrachteten Feldgebiet überall gleichzeitig bemerkbar macht. Eine
5.1 Natur der Schirmwirkung --- Fernfeld, Nahfeld 197
Momentaufnahme eines zu einem bestimmten Zeitpunkt t ν gehörenden

Feldbilds E ν = (x, y,z, t ν ) bzw. H ν = (x, y,z, t ν ) stimmt stets mit dem Feldbild
des statischen Feldes einer vergleichbaren Gleichspannung bzw. eines ver-
gleichbaren Gleichstroms überein. Quasistatische Felder stellen damit eine
zeitliche Aneinanderreihung zu diskreten Zeitpunkten t existierender sta-
tischer Felder gleicher räumlicher Verteilung E ν = (x, y,z) bzw. H ν = (x, y,z)
dar, die sich lediglich in ihrer Stärke um einen jeweils konstanten Faktor
unterscheiden.
Statische elektrische Felder sind mit möglicherweise gleichzeitig vorhanden-

en statischen magnetischen Feldern nicht gekoppelt. Sie können daher unab-
hängig von einander in ihrer Stärke variiert werden. Zeitlich veränderliche
Felder treten dagegen immer nur gekoppelt auf. Dies gilt auch bereits für
quasistatische Felder.
Beispielsweise ist das magnetische Feld im Eisenkreis eines 50 Hz Transfor-

mators über das Induktionsgesetz stets mit einem elektrischen Feld gekop-
pelt, das Ursache der in jeder Windung induzierten Windungsspannung ist.
Auch ein auf ein leitfähiges Schirmgehäuse auftreffendes 50 Hz Magnetfeld
ruft in der Schirmwand Wirbelströme hervor, deren Ursache ebenfalls ein
mit dem veränderlichen Magnetfeld gekoppeltes elektrisches Feld ist. Das
von den Wirbelströmen erzeugte Magnetfeld ist dem einfallenden Feld entge-
gengerichtet und bewirkt so erst die eigentliche Schirmung.
In ähnlicher Weise ist das elektrische 50 Hz Feld in einem Plattenkondensa-

tor mit einem Magnetfeld gekoppelt, das von dem durch den Kondensator
fließenden Verschiebungsstrom herrührt. Auch dieses Magnetfeld ist mit ei-
nem elektrischen Feld verknüpft, das sich dem von den Ladungen auf den
Kondensatorplatten erzeugten elektrischen Feld überlagert. Die Änderungs-
geschwindigkeit des Magnetfelds ist aber bei 50 Hz noch so klein, dass das
überlagerte elektrische Feld vernachlässigt werden kann. Zwischen den Kon-
densatorplatten herrscht daher näherungsweise das elektrostatische Feldbild,
daher der Name quasistatisch. Beim quasistatischen elektrischen Feld wird
also nicht der Verschiebungsstrom selbst vernachlässigt, sondern nur die
induzierende Wirkung des mit ihm verküpften Magnetfelds. Andernfalls
könnten beispielsweise 50 Hz Phasenschieber-Kondensatoren keine Blind-
stromkompensation bewirken.
Bei quasistatischen Feldern macht sich die Kopplung der Felder, wenn über-
haupt, nur lokal bemerkbar. Sie werden daher häufig auch als stationäre, das
heißt ortsfeste Felder, oder im Kontext auch als Nahfelder bezeichnet. Aus-
breitungsvorgänge finden nicht statt. Kann bei höheren Frequenzen das vom
Magnetfeld des Verschiebungsstroms induzierte zusätzliche elektrische Feld
nicht mehr gegenüber dem von den Ladungen auf den Belägen herrühren-
den elektrischen Feld vernachlässigt werden, treten außerhalb von Leitern
Ausbreitungsvorgänge auf, mit anderen Worten elektromagnetische Wellen.
Bei quasistatischen Magnetfeldern in Leitern beobachtet man zusätzlich das

Phänomen der Stromverdrängung. Das mit einem Magnetfeld gekoppelte
elektrische Feld bewirkt im Inneren eines Leiters eine Verdrängung der
Stromflusslinien an die Leiteroberfläche. Der Strom fließt dann nur in einer
dünnen Haut, daher der Name Skin-Effekt. Sinngemäß herrscht auch das
Magnetfeld nur in diesem Bereich. Die stromtragende Schicht wird auch als
Eindringtiefe bezeichnet [B 18]. Da die Stromverteilung und das Magnetfeld
nicht mehr mit dem stationären Strömungsfeld eines im Leiter fließenden
Gleichstroms übereinstimmen, spricht man hier von einem quasistationären
Feld.
Befindet sich der Beobachter bzw. der Empfänger in unmittelbarer Nach-

barschaft einer Antenne, im sog. Nahfeld (engl.: near zone), so empfindet er
ein stationäres (räumlich fixiertes) quasistatisches Feld. Speziell im Fall
einer Stabantenne ein quasistatisches elektrisches Feld, im Fall einer Rah-
menantenne ein quasistatisches magnetisches Feld. Im Nahfeldbereich
ändert sich ein Feld zeitlich gleichsinnig, das heißt es nimmt überall gleich-
zeitig zu oder ab.
In großem Abstand von der Antenne befindet sich ein Empfänger im sog.
Fernfeld (engl.: far zone). Unabhängig von der Art der Antenne (Stab- oder
Rahmenantenne) herrscht dort ein nichtstationäres, das heißt sich aus-
breitendes, elektromagnetisches Wellenfeld.
Der Definitionsbereich eines Nahfelds ist nicht allein eine Frage des Ab-
stands zur Antenne, sondern auch eine Frage der Änderungsgeschwindigkeit
der Felder. Im Zeitbereich gelten Felder als Nahfelder bzw. quasistatische
Felder, wenn die Zeitspanne, innerhalb der die Feldänderung erfolgt (An-
stiegszeit Ta eines Feldsprungs), groß ist gegen die Laufzeit l / v innerhalb
des Definitionsbereichs. Im Frequenzbereich gelten Felder als Nahfelder
bzw. quasistatische Felder, wenn ihre Wellenlänge λ groß ist gegen die Aus-
dehnung des Definitionsbereichs.
Die Unterscheidung Nahfeld/Fernfeld kann auch mathematisch formal erfol-

gen. Der Einfachheit wegen zeigen wir dies im Frequenzbereich. Wir gehen
aus vom Feldverlauf in der Umgebung eines Hertzschen Dipols in einem

Kugelkoordinatensystem r, ϕ, ϑ , Bild 5.3.
(z)
(z)
Er
Hϕ
ϑ Eϑ
r
(y) (y)
ϕ
(x)
(x)
a) b)
a) b)
Bild 5.3: a) Hertzscher Dipol im Kugelkoordinatensystem r, ϕ, ϑ b) typische Feld-

linien des elektrischen und magnetischen Nahfelds.
Die Lösung der Maxwellschen Gleichungen im Frequenzbereich führt auf

folgende Ausdrücke für die komplexen Amplituden der Feldvektoren [5.1].
2º 2π
îlZ0 λ sin ϑ ª 2π § 2π · −j
λ
r
Eϑ = «1 + j r + ¨ j r ¸ »e , (5-3)
2 3
j8π r «¬ λ © λ ¹ »¼
2π
îlZ0 λ cos ϑ ª 2π º − j r
Er = «1 + j r» e λ , (5-4)
2 3
j4π r ¬ λ ¼
2π
îl sin ϑ ª 2π º − j r
Hϕ = 2 «
1 + j r» e λ . (5-5)
4πr ¬ λ ¼
Hierin bedeuten
î Scheitelwert des Wechselstroms,

l Dipollänge,
Z0 Wellenwiderstand des freien Raumes, μ 0 / ε0 ,
c Lichtgeschwindigkeit im freien Raum, 1/ μ0 ⋅ ε0 .
2π ω
ω 2π −j r −j r
Im Übrigen wurde = gesetzt. Der Faktor e λ =e c beschreibt die
c λ
Phasenlage.
Obige Gleichungen sehen nicht gerade einladend aus, sie lassen sich jedoch
bei Beschränkung auf die beiden Grenzfälle Fernfeld/Nahfeld leicht inter-
pretieren.
Fernfeld:
In großer Entfernung, r λ / 2π , müssen jeweils nur die Terme mit den

höchsten Potenzen von r berücksichtigt werden, so dass sich (5-3), (5-4) und
(5-5) vereinfachen zu
2 2π
îlZ0 λ sin ϑ § 2π · − j λ r
Eϑ = ¨j r¸ e , (5-6)
j8π2 r 3 © λ ¹
2π
îlZ0 λ cos ϑ § 2π · − j λ r
Er = ¨ j r ¸e , (5-7)
j4π2 r 3 © λ ¹
2π
îl sin ϑ § 2π · − j λ r
Hϕ = ¨ j r ¸e . (5-8)
4πr 2 © λ ¹
Weiter darf wegen des Unterschieds in der Potenz von r die Komponente E r
gegenüber Eϑ vernachlässigt werden, so dass letztlich nur Eϑ und Hϕ exi-
stent sind. Beide Komponenten stehen räumlich senkrecht aufeinander und
sind transversal zur Ausbreitungsrichtung orientiert. Beide Feldkomponen-
ten schwingen gleichphasig, ihr Verhältnis ist zeitlich und räumlich kon-
stant,
Eϑ
= Z0 = μ0 ε0 = 377 Ω
Hϕ
. (5-9)
Den reellen Widerstand Z0 nennt man Feldwellenwiderstand des freien

Raumes.
Nahfeld:
In unmittelbarer Nähe einer Antenne, t λ / 2π , werden der zweite und

dritte Term jeweils klein gegen 1, so dass sich die Gleichungen (5-3), (5-4)
und (5-5) vereinfachen zu
2π
îlZ0 λ sin ϑ −j r
Eϑ = e λ , (5-10)
j8π2 r 3
2π
îlZ0 λ cos ϑ −j
λ
r
Er = e , (5-11)
j4π2 r 3
2π
îl sin ϑ −j
λ
r
Hϕ = e . (5-12)
4πr 2
Nach Schelkunoff [5.2] lässt sich auch hier formal ein Quotient Eϑ /Hϕ bil-
den,
E ϑ Z0 λ
= = Z0E
Hϕ j2πr
. (5-13)
Der Feldwellenwiderstand Z0E ist kapazitiv (vgl. ZC = 1/ jωC ). Bezüglich

seiner Größe gilt wegen r λ / 2π bzw. λ / 2πr 1
Z0E Z0
. (5-14)
Man spricht daher auch vom hochohmigen Feld (engl.: high-impedance

field) und meint damit das elektrische (kapazitive) Feld in der Nähe einer
Stabantenne. Die im Nahfeld vorhandene Energiedichte ist überwiegend
elektrischer Natur, das heißt
1 2
w( r ) ≈ w e ( r ) = εE
2
. (5-15)
Während das H -Feld auch im Nahbereich transversal bleibt, weist das E -

Feld zusätzlich eine E r -Komponente auf. Eϑ und Hϕ sind im Nahbereich
wegen des Faktors j um 90° gegeneinander phasenverschoben.
Führt man obige Betrachtungen für das Feld in der Umgebung einer kleinen
Stromschleife durch (Fitzgeraldscher Dipol, Rahmenantenne), so ergeben
sich bezüglich der Koordinaten ϑ und ϕ strukturell duale Gleichungen, die
im Fernfeld auf den gleichen reellen Feldwellenwiderstand Z0 = 377 Ω füh-
ren, im Nahfeld auf
jZ0 2πr
Z0H =
λ
. (5-16)
Der Feldwellenwiderstand Z0H im Nahbereich einer Rahmenantenne ist in-

duktiv (vgl. ZL = jωL ). Bezüglich seiner Größe gilt wegen r λ / 2π bzw.
2πr / λ 1
Z0H Z0
. (5-17)
Man spricht daher auch vom niederohmigen Feld (engl.: low-impedance

field) und meint damit das magnetische (induktive) Feld in der Nähe einer
Rahmenantenne. Die im Nahfeld vorhandene Energiedichte ist überwiegend
magnetischer Natur, das heißt
1
w( r ) ≈ w m (r ) = μH 2
2
. (5-18)
Im Fernfeld stehen die elektrische und magnetische Feldkomponente wieder

senkrecht aufeinander. Beide sind transversal zur Ausbreitungsrichtung ori-
entiert. Während das E -Feld auch im Nahbereich transversal bleibt, weist
jetzt das H -Feld zusätzlich eine Hr -Komponente auf.
Obige Betrachtungen für die Felder in der Umgebung einer elementaren

Stab- bzw. einer elementaren Rahmenantenne gelten unter der Vorausset-
zung l λ . Ist diese Voraussetzung nicht erfüllt, müssen die Leitungsglei-
chungen elektrisch langer Leitungen angesetzt werden.
Der Hertzsche Dipol und der Fitzgeraldsche Dipol sind offensichtlich kom-
plementäre Strukturen, die dem Babinet-Prinzip [B43] genügen. Gemäß
diesem Prinzip besitzen die Fernfelder komplementärer Strukturen gleiche
mathematische Struktur. So gilt für Dipol- und Rahmenantennen:
1
EFϕ = Z0 HH
ϕ und HFϑ = − ⋅ EH
ϑ .
Z0
E r und Hr verschwinden im Fernfeld, die hochgestellten Indizes „F“ und

„H“ stehen für Fitzgerald und Hertz.
Bild 5.4 zeigt nochmals anschaulich die Babinet-Dualität zwischen Hertz-

schem Dipol (Stabantenne) und Fitzgeraldschem Dipol (Rahmenantenne)
sowie schematisch zwei vereinfachte Beispiele für quasistatische Felder im
Nahbereich.
0 0
H= 0 E= 0
Hϕ Eϕ
Er Hr
E = Eϑ H= Hϑ
0 0
elektrischer Dipol magnetischer Dipol
a)
E(r) H(r)
b)
Bild 5.4: a) Babinet-Dualität zwischen Hertzschem und Fitzgeraldschem Dipol. b)

Schematische Darstellung je eines quasistatischen elektrischen und magnetischen
Nahfelds. Links: Quasistatisches elektrisches Feld im Nahfeld eines Stabantennen-
dipols (Hertzscher Dipol). Rechts: Quasistatisches magnetisches Feld im Nahfeld
einer Rahmenantenne (Fitzgeraldscher Dipol).
Mit zunehmendem Abstand von einer Stabantenne fällt der Feldwellenwi-

derstand mit 20dB/Dekade von hohen Werten auf kleinere Werte ab und
nähert sich in großer Entfernung asymptotisch dem Feldwellenwiderstand
des freien Raumes. Umgekehrt steigt der Feldwellenwiderstand einer Rah-
menantenne zunächst mit 20 dB/Dekade an und nähert sich dann ebenfalls
asymptotisch dem Feldwellenwiderstand des freien Raums. In der Über-
gangszone zwischen Nah- und Fernfeld schwingt der Betrag des Feldwellen-
widerstands für beide Felder unter/über den Wert des Feldwellenwiderstands
Z0 des Fernfelds, Bild 5.5.
1M
Z
100k
Ω
10k
Elektromagnetische
Wellenfelder
1k
377
100
10
1 Nahfeld Übergangsfeld Fernfeld

0.1
0.01 0.03 0.1 0.3 0.63 1 5 10 30
r* = 2πr/λ
Bild 5.5: Feldwellenwiderstand hoch- und niederohmiger felderzeugender Anord-

nungen abhängig vom normierten Abstand von der Quelle.
Von diesen entfernungsabhängigen Feldwellenwiderständen wird im Kap. 6

bei der Berechnung von Schirmdämpfungen nach der Impedanzmethode
(Schelkunoff-Methode) Gebrauch gemacht werden. Zur Schirmung elektri-
scher, magnetischer und elektromagnetischer Felder müssen die unter-
schiedlichen Feldeigenschaften mit in Betracht gezogen werden. In den
nachfolgenden Abschnitten werden die für die jeweiligen Feldtypen unter-
schiedlichen Schirmungsmechanismen bezüglich ihrer Natur noch näher
erläutert.
5.2 Schirmung statischer Felder 205
5.2 Schirmung statischer Felder
5.2.1 Elektrostatische Felder
Bringt man eine leitende Hohlkugel in ein elektrostatisches Feld, so wirken

auf die verschieblichen Ladungen im Schirmmaterial Feldkräfte F = QE , die
eine räumliche Umverteilung der Ladungen bewirken. Die Umverteilung der
Ladungen findet ihr Ende, wenn die Tangentialkomponente der elektrischen
Feldstärke an der Schirmoberfläche zu Null geworden ist, womit kein Grund
mehr besteht, Ladungen längs der Schirmoberfläche zu verschieben. Logi-
scherweise entspringen und münden dann die elektrischen Feldlinien senk-
recht zur Schirmoberfläche. Das Feld der verschobenen Ladungen und das
äußere Störfeld ergänzen sich im Schirminnern an jeder Stelle exakt zu Null.
Es lässt sich zeigen, dass dieser Effekt nicht nur bei einer Hohlkugel auftritt,
sondern sich auch bei beliebig geformten leitenden Hohlkörpern einstellt.
Die Schirmdämpfung eines fugenlosen leitenden Schirms gegen elektrostati-

sche Felder ist unendlich groß, was eine Berechnung der Schirmwirkung im
Einzelfall entbehrlich macht. Dieser Effekt ist wohl bekannt und immer
impliziert, wenn vom Faraday-Käfig die Rede ist. In den Abschn. 6.1.4 u.
6.1.5 wird noch gezeigt werden, dass die Schirmdämpfung endlich wird, falls
sich die elektrischen Felder mit großer Geschwindigkeit zeitlich ändern.
Deswegen sollte nach Möglichkeit die Benutzung des Begriffs Faraday-Käfig
auf statische und quasistatische Felder beschränkt bleiben.
Mit Hilfe des Gaußschen Gesetzes [B18] erhält man für die Normalkom-
ponenten der elektrischen Feldstärke innerhalb und außerhalb des Schirms
ρF
E ni = 0 und E na =
ε0
, (5-19)
wobei ρF der Flächenladungsdichte der verschobenen Ladungen entspricht.

Für die Tangentialkomponenten gilt nach obiger Überlegung E ta = E t i = 0 .
Schließlich ist noch zu erwähnen, dass auch dielektrische Hüllen eine ge-
wisse Schirmwirkung gegen elektrostatische Felder aufweisen. Ähnlich wie
ein magnetischer Fluss durch einen Eisenkreis hoher magnetischer Leit-
fähigkeit (Permeabilität μ ) definiert geführt wird, lässt sich auch ein elek-
trischer Fluss ψ durch ein Dielektrikum hoher dielektrischer Leitfähigkeit
(Permittivität ε ) führen. Aufgrund der Brechung der elektrischen Feldlinien
an der Grenzfläche verläuft der Fluss bei großem Verhältnis von Wandstärke
d zu Durchmesser D überwiegend in der Wand, Bild 5.6.
Ei < Ea
Bild 5.6: Schirmwirkung einer dick-
wandigen dielektrischen Hohlkugel,
z. B. Mauerwerk, Bariumtitanat-
schirm.
Die Schirmdämpfung in Neper bzw. dB berechnet sich nach Kaden [3.8] zu
Ea
a E = ln Np ≈ ln (1 + 1, 33 ⋅ ε r d / D ) Np ,
Ei
bzw.
Ea
a E = 20 lg dB ≈ 20 lg (1 + 1, 33 ⋅ ε r d / D ) dB
Ei
. (5-20)
Eine merkliche Schirmdämpfung tritt offensichtlich nur für ε r d D , das

heißt für dickwandige, hochpermittive Schirme auf.
Aufgrund des Gaußschen Gesetzes und des Induktionsgesetzes erhält man

für dielektrische Schirme folgende Grenzflächenbedingungen
E n1 ε r2
E t1 = E t 2 und =
E n2 ε r1
. (5-21)
5.2.2 Magnetostatische Felder
Eine der elektrostatischen Schirmwirkung vergleichbare, durch Umvertei-

lung von „Ladungen“ bewirkte magnetostatische Schirmwirkung existiert
nicht. Beispielsweise besitzen die Kupferschirme von Koaxialkabeln keinerlei
Schirmwirkung gegenüber magnetostatischen Feldern. Jedoch lassen sich in
5.2 Schirmung statischer Felder 207
gleicher Weise wie elektrostatische Felder durch hochpermittive dielektrische

Schirme geschwächt werden (s. oben) auch magnetostatische Felder durch
hochpermeable ferromagnetische Hüllen schirmen. Aufgrund der Brechung
der magnetischen Feldlinien an der Grenzfläche verläuft der magnetische
Fluss bei dickwandigen, hochpermeablen Schirmen überwiegend in der
Wand. Die Schirmdämpfung in Neper bzw. dB berechnet sich nach Kaden
[3.8] zu
Ha
a H = ln Np ≈ (1 + 1, 33 ⋅ μ r d / D ) Np
Hi
bzw.
Ha
a H = 20 lg dB ≈ (1 + 1, 33 ⋅ μ r d / D)dB
Hi
, (5-22)
wobei d und D wieder die gleiche Bedeutung haben wie in Bild 5.6.
Aufgrund des Gaußschen Gesetzes und des Durchflutungsgesetzes ergeben

sich bei stromfreier Schirmoberfläche folgende Grenzflächenbedingungen
Hn1 μ r2
H t1 = H t 2 und =
H n2 μ r1
. (5-23)
5.3 Schirmung quasistatischer Felder
5.3.1 Elektrische Wechselfelder
Die Schirmung quasistatischer elektrischer Wechselfelder erfolgt, ähnlich

wie im elektrostatischen Feld, durch Umverteilung der Ladungen. Während
jedoch im elektrostatischen Feld die Schirmdämpfung unendlich hoch ist,
stellt sich bei veränderlichen Feldern mit zunehmender Frequenz eine Pha-
senverschiebung ein, die die Schirmdämpfung endlich werden lässt. Dieser
Effekt macht sich allerdings erst bei höchsten Frequenzen bemerkbar (s.
Abschn. 6.1.4), das heißt wenn die Wellenlänge λ = c / f in die Größen-
ordnung der Schirmabmessungen kommt. In der Praxis unterstellt man auch
bei quasistatischen elektrischen Feldern in aller Regel eine unendlich große
Schirmdämpfung. Es gelten dann die gleichen Randbedingungen wie im
elektrostatischen Feld.
Technische Schirme weisen naturgemäß Fugen auf, z. B. bei Gerätegehäusen

an Frontplatte und Rückwand. Sind die einzelnen Wände eines Schirms
nicht elektrisch miteinander verbunden, nehmen die Wandelemente das Po-
tential des jeweiligen Feldorts an (wobei die Wände dem Feld Äquipotential-
flächen aufzwingen), der Schirm ist praktisch wirkungslos, Bild 5.7 a.
a) b)
Bild 5.7: Bedeutung von Potentialausgleichsverbindungen bei Schirmen gegen

elektrische Felder, a) nahezu wirkungsloser Schirm mit unterschiedlichen, schwe-
benden Potentialen (engl.: floating potentials), b) erhebliche Verbesserung der
Schirmwirkung gegen elektrische Felder durch Potentialausgleichsverbindungen.
Bei Schirmen gegen elektrostatische Felder reicht es zunächst aus, wenn die
Schirmelemente wenigstens an je einem Punkt miteinander leitend verbun-
den sind, Bild 5.7 b. Es verbleibt die EMB des kapazitiven Durchgriffs durch
die Schlitze (Schlitzkapazität ). Im Fall nichttolerierbarer Schlitzkapazität
kann durch Labyrinthdichtungen eine spürbare Verbesserung erzielt werden.
Bei höheren Frequenzen müssen die Schlitze häufiger kontaktiert werden,
damit die den Potentialausgleich bewirkenden Ströme auf dem kürzesten
Weg fließen können (s. a. Abschn. 5.3.2).
Während ein allseits geschlossener Metallschirm keiner Erdung bedarf, um

im Innern feldfrei zu sein, verlangt die Ausnutzung des Abschattungseffekts
einzelner Schirmbleche sehr wohl eine Erdung. Einzelne geerdete Schirm-
bleche wirken aber weniger als Schirm, sondern als galvanischer Bypass.
5.3.2 Magnetische Wechselfelder
Bringt man eine leitfähige Schirmhülle in ein zeitlich veränderliches Magnet-

feld, so werden in der Schirmwand Spannungen induziert, die aufgrund der
Leitfähigkeit des Schirms auch Ströme zur Folge haben. Das Magnetfeld
dieser Ströme ist dem erzeugenden Feld entgegengerichtet. Die Überlagerung
5.3 Schirmung quasistatischer Felder 209
des ursprünglichen äußeren Feldes mit dem Rückwirkungsfeld der Schirm-

ströme führt im Schirminnern zu einem resultierenden Feld geringerer Feld-
stärke (s. a. Reduktionsfaktor, Abschn. 3.3). Da die Schirmwirkung gegen
magnetische Wechselfelder von den Strömen in der Schirmwand lebt, ist
hier das Vermeiden von Fugen besonders wichtig, Bild 5.8.
a) b) c)
Bild 5.8: Zur Schirmwirkung gegen magnetische Wechselfelder, a) nahezu wir-

kungsloser Schirm, b) Minimalforderung für Schirme gegen magnetische Wechsel-
felder, c) optimaler Schirm.
Bei Schirmen gegen magnetische Wechselfelder genügt es nicht, die einzel-

nen Wände durch wenige Potentialausgleichsverbindungen auf gleiches Po-
tential zu bringen. Vielmehr müssen Fugen auf ihrer gesamten Länge durch
leitfähige Dichtungen niederohmig überbrückt bzw. kurzgeschlossen werden
(s. Abschn. 5.6). Der abträgliche Einfluss von Fugen geschlossener Schirme
lässt die Schirmwirkung einzelner ebener Bleche erahnen [5.10].
Je höher die Leitfähigkeit eines Schirmmaterials, desto größer sind die bei
gleicher induzierter elektrischer Feldstärke fließenden Schirmströme und
desto höher ist die von ihnen bewirkte Schirmdämpfung. Da magnetostati-
sche Felder keine Ströme induzieren können, besitzen nichtferromagne-
tische Hüllen für Gleichfelder ( f = 0 ) keine Schirmwirkung. Andererseits
strebt die Schirmwirkung bei quasistatischen Magnetfeldern mit wachsender
Frequenz gegen unendlich. Diese Tendenz findet bei Frequenzen ein Ende,
für die neben dem quasistatischen Magnetfeld auch das Magnetfeld des
Verschiebungsstroms berücksichtigt werden muss (elektromagnetische Wel-
len, siehe Abschn. 5.4 und Abschn. 6.1.4).
Mit Hilfe des Gaußschen Gesetzes und des Induktionsgesetzes ergeben sich
in Abwesenheit einer Oberflächenstromdichte (Oberflächenstrombelag) die
Grenzflächenbedingungen zu
Hn1 μ r2
Ht1 = Ht 2 und =
H n2 μ r1
. (5-24)
Oberflächenstromdichten treten nur bei vollständiger Stromverdrängung

(perfekte Leiter, unendlich hohe Frequenz) auf. In diesem Fall gälte im
Schirmmaterial H t1 = 0 , im umgebenden Dielektrikum H t 2 = J s , wobei J s
eine Flächenstromdichte mit der Dimension A/cm darstellt. In letzterem Fall
wäre die Schirmdämpfung für tangentiale Felder unendlich hoch.
Während in der Praxis die Schirmwirkung gegen quasistatische elektrische

Felder meist ohne langes Rechnen als perfekt angenommen werden darf,
stellt sich bei quasistatischen magnetischen Feldern regelmäßig die Frage
nach der Höhe der Schirmdämpfung. Diese muss in jedem Einzelfall für die
vorgegebenen Parameter
– Frequenz
– Wandstärke
– Leitfähigkeit
– Permeabilität
– Schirmgeometrie
speziell ermittelt werden (s. Abschn. 6.1.1).
5.4 Schirmung elektromagnetischer Wellen
Mit zunehmender Frequenz verliert die quasistatische Betrachtungsweise

ihre Gültigkeit, da die induzierende Wirkung des Verschiebungsstroms nicht
mehr vernachlässigt werden kann. Dies ist in der Regel dann der Fall, wenn
sich der Schirm im Fernfeld des Senders befindet, in dem elektrische und
magnetische Felder nicht mehr über den Wellenwiderstand einer Antenne,
sondern über den Wellenwiderstand des freien Raumes ( Z0 = 377 Ω ) mit-
einander gekoppelt sind. Während in quasistatischen magnetischen Wechsel-
feldern nur ein magnetisches Rückwirkungsfeld entsteht, tritt hier auch ein
merkliches elektrisches Rückwirkungsfeld auf. Der Schirm wird selbst zum
Sender und strahlt eine elektromagnetische Welle ab, deren Entstehung sich
wie folgt erklärt.
5.4 Schirmung elektromagnetischer Wellen 211
Das elektrische Wirbelfeld E E der einfallenden elektromagnetischen Welle

bewirkt gemäß J = σE E in der leitenden Schirmwand Ströme, die mit einem
magnetischen Rückwirkungsfeld H R verknüpft sind. Das magnetische Rück-
wirkungsfeld ist seinerseits über das Induktionsgesetz mit einem elektrischen
Wirbelfeld E R verknüpft, das zusammen mit H R die reflektierte elektroma-
gnetische Welle bildet. Genau besehen findet dieser Mechanismus auch im
quasistatischen Fall statt. Die elektrischen Wirbelfelder sind dort jedoch so
schwach, dass sie im nichtleitenden Raum nur marginale Verschiebungsströ-
me zu treiben in der Lage sind, die keinen merklichen Beitrag zu den von
Leitungsströmen verursachten Magnetfeldern H a und H R leisten können.
Im eingeschwungenen Zustand (komplexe Amplituden) besteht das Feld im

Außenraum aus der Überlagerung der einfallenden Welle und der reflektier-
ten Sekundärwelle, E = E E + E R . In der Schirmwand ergänzen sich die ein-
fallende und die reflektierte elektrische Feldstärke zu Null, das heißt
E E + E R = 0 bzw. E R = −E E .
Zur Berechnung der Schirmwirkung müssen innerhalb und außerhalb des

Schirmmaterials die Wellengleichungen herangezogen werden (s. Abschn.
6.1.4). Die Grenzflächenbedingungen für die E- und H-Komponenten sind
die gleichen wie bei quasistatischen Feldern. Es stellt sich heraus, dass
Schirmhüllen sich bei hohen Frequenzen wie Hohlraumresonatoren ver-
halten. Im Bereich der Eigenresonanzen treten Resonanzeinbrüche der
Schirmdämpfung auf, die einen Schirm nicht gerade transparent, aber doch
zumindest opak werden lassen. Hierauf wird im Abschn. 6.1.4 und 6.1.5
noch ausführlich eingegangen.
5.5 Schirmmaterialien
Wie in den vorangegangenen Abschnitten 5.2 und 5.3 gezeigt wurde, eignen
sich all die Materialien für Schirmzwecke, die für den Fluss des jeweiligen
Feldes eine besonders hohe Leitfähigkeit aufweisen oder die aufgrund von
Influenz oder Induktion ein Gegenfeld aufzubauen in der Lage sind. Am
häufigsten werden Schirme aus Nichteisen-Metallen (NE-Metallen, z. B.
Kupfer) und ferromagnetischem Material verwendet. Der Vergleich zweier
gleich dicker Schirme aus Fe und Cu erhellt die Komplexität der Schirm-
wirkung, Bild 5.9.
120
as / dB
100
80
Cu
60
Fe
40
20
0
103 104 106
Frequenz/ Hz
Bild 5.9: Theoretische magnetische Schirmdämpfung as eines zylindrischen Schirm-

raums im transversalen magnetischen Wechselfeld Parameter: r0 = 5 m ,
d0 = 0,1 mm; σCu = 58 ⋅ 106 S / m; σFe = 7 ⋅ 106 S / m; μ rCu = 1; μ rFe = 200 .
Im Bereich unter ca. 100 kHz ist die Eindringtiefe größer als die Wandstärke
(besitzt also keinen Einfluss), so dass das Material mit der besseren
Leitfähigkeit die höhere Schirmdämpfung aufweist. (Die Schirmung beruht
hier allein auf der Reduktionswirkung des als Kurzschlusswindung wir-
kenden Schirms (vgl. Abschn. 3.3)). Oberhalb ca. 500 kHz wird die Ein-
dringtiefe
1
δ= (5-25)
πfμσ
kleiner als die Wandstärke, so dass die Permeabilität zum Tragen kommt
und die Dämpfung des Eisenschirms die des Kupferschirms übersteigt. Bei
sehr niedriger Frequenz (<1 Hz) ergibt sich nochmals ein Schnittpunkt,
wenn der Eisenschirm auch bei f = 0 noch eine geringe Schirmwirkung
zeigt (ca. 0,2dB), während die Wirkung eines Kupferschirms für
magnetostatische Felder exakt Null ist. Deswegen werden auch Eisen-
Schirme zur Schirmung von niederfrequenten Feldern verwendet. Schirme
aus Edelstahl besitzen wegen ihres hohen spezifischen Widerstands und
ihrer paramagnetischen Eigenschaften (μr ≈ 1) eine geringere relative
Schirmdämpfung als Kupfer- oder Eisenschirme.
In den Fällen, in denen von der Permittivität ε r und der Permeabilität μ r

eines Schirms Gebrauch gemacht wird, sind deren Frequenzabhängigkeit
5.5 Schirmmaterialien 213
sowie nichtlineare Sättigungseffekte zu beachten. Zur Vermeidung von Sätti-

gungserscheinungen werden gelegentlich mehrschichtige Schirme eingesetzt,
wobei man den dem Störquellenraum zugewandten Schirm aus niederper-
meablem, weitgehend linearem Material herstellt, so dass beispielsweise ein
ferromagnetischer Schirm hoher Schirmwirkung nach Möglichkeit nur be-
reits leicht abgeschwächte Felder erfährt. Weiter ist zu beachten, dass die
wirksame Permeabilität verformter magnetischer Werkstoffe meist deutlich
unter den Tabellenbuchangaben liegt, die für unbearbeitetes Material gelten
und unter optimalen Betriebsparametern ermittelt wurden.
Bei sehr geringen Ansprüchen an die Schirmwirkung können auch Drahtge-

flechte, etc. als elektromagnetische Schirme interpretiert werden. Ihre
Schirmwirkung ist jedoch relativ gering und bietet nur in wenigen Fällen eine
befriedigende technische Lösung.
Der zunehmende Ersatz metallischer Gerätegehäuse durch Kunststoff- bzw.

Isolierstoffgehäuse hat in den vergangenen Jahren leitfähige Kunststoffe bzw.
leitfähig beschichtete Kunststoffe stark an Bedeutung gewinnen lassen [5.11–
5.14 und 5.19–5.23]. Kunststoffe mit inhärenter Leitfähigkeit (engl.: intrinsic
conductivity ) enthalten hochprozentige Zuschläge aus leitfähigem Material
(Ruß, Metallpulver und -fasern etc.) und sind nur für bestimmte Anwendung-
en geeignet. Eine der Herausforderungen ist dabei die geeignete Verbindung
der Gehäuseteile herzustellen, da die leitfähigen Partikel sich nicht an der
Oberfläche des Kunststoffs befinden und die Kontaktflächen vorher ange-
fräst werden müssen, um eine gute Kontaktierung sicherzustellen. Vielfach
werden Kunststoffgehäuse durch Flamm- und Plasmaspritzen, Leitlacke,
galvanische Behandlung, Bedampfung unter Vakuum o. ä. im Innern mit
einer leitfähigen Schicht versehen. Fenster erhalten gewöhnlich eine durch-
sichtige leitfähige Metallschicht (Bedampfung unter Vakuum, Ionenimplan-
tation, Sputtern o. ä.). Die Schirmwirkung durchsichtiger leitfähiger Schich-
ten ist naturgemäß begrenzt und bietet merkliche Schirmdämpfung nur
gegen quasistatische elektrische Felder. Die in praxi wichtige Schirmwirkung
gegen quasistatische magnetische Wechselfelder ist sehr gering. Bessere
Schirmwirkung, vor allem bei höheren Frequenzen, bieten durchsichtige
Drahtgewebe.
Der vergleichsweise hohe Bahnwiderstand nachträglich aufgebrachter dün-

ner Schichten ist bezüglich der Schirmwirkung nachteilig, bezüglich einer
„gebremsten“ ESD-Ableitung (s. Abschn. 2.4.1 und 10.3) unter Umständen
vorteilhaft, da die Stromstärken kleinere Werte annehmen.
Bei hohen Frequenzen und den in praxi anzutreffenden Wandstärken wird

die Schirmwirkung eines Gehäuses meist weniger durch das Schirmmaterial
als durch funktionell und herstellungs- bzw. montagebedingte Schwach-
stellen bestimmt (s. Abschn. 5.6).
Über Schirmmaterialien entscheiden häufig nicht allein ihre inhärente

Schirmwirkung, sondern auch andere Gesichtspunkte, etwa ob das Schirm-
material nur einer Auskleidung eines bereits bestehenden Gebäudes dienen
oder eine selbsttragende Abschirmkabine bilden soll. Ferner spielen auch
Korrosionsfragen, Brennbarkeit, Kosten und Aufwand etc. ein wichtige
Entscheidungsrolle. Bezüglich der Berechnung von Schirmen wird auf Kap.
6 verwiesen, bezüglich der Messung der Schirmwirkung auf Abschn. 9.3.
5.6 Schirmzubehör
Schirme, die einem technisch sinnvollen Zweck dienen sollen, besitzen in

der Regel Öffnungen oder sind zerlegbar, weisen gefilterte Leitungsein- und
ausführungen auf, haben Wabenkaminfenster für die Belüftung, Bohrungen
zur Aufnahme mechanischer Wellen, metallisierte Fenster zur Beobachtung
etc. Diese zusätzlichen Merkmale stellen häufig HF-Brücken bzw. -lücken
dar, die auch ein Schirmgehäuse aus 2mm Stahlblech wirkungslos machen
können. Im Folgenden werden technische Lösungen vorgestellt, die die
funktionelle Zusatzaufgabe ohne merklichen Verlust an Schirmintegrität
bewerkstelligen.
5.6.1 Dichtungen für Schirmfugen und geschirmte Türen
Größere Schirmgehäuse und modular aufgebaute Abschirmräume besitzen

zwangsläufig Fugen und Türspalte, die den Schirmströmen quer zur
Spaltrichtung einen großen Widerstand entgegensetzen. Wie bereits in 5.3.2
erläutert resultiert aber die magnetische Schirmwirkung gerade von den im
Schirm fließenden Strömen, deren vollständige Ausbildung niederohmige
Strompfade voraussetzt (s. 5.3). Während handwerklich einwandfrei ausge-
führte Schweiß- und Lötnähte nahezu unbemerkt bleiben, müssen Türspalte
ringsum und Trennfugen zwischen Wandelementen auf ihrer gesamten
Länge durch zusätzliche Dichtelemente elektrisch niederohmig kontaktiert
werden. Für diesen Zweck bietet die Industrie eine Vielzahl von Dichtungen
bzw. Dichtungsmaterialien an, Bild 5.10.
5.6 Schirmzubehör 215
Bild 5.10: Beispiele kommerziell

erhältlicher Dichtungen.
Das Spektrum reicht von metallischen Kontaktfederleisten (engl.: finger

stock) der vielfältigsten Art [5.24] über leitfähige Elastomere (gefüllt mit
Silberpartikeln, versilberten Partikeln, Metallfasern) gestrickten Drahtge-
flechten etc. [5.25] bis zu fest in Gehäuseteilen integrierten Dichtungen
(engl.: molded-in-place seals [5.26]).
Bei der Auswahl der Dichtungen zählt in erster Linie ihre Fähigkeit, einen
Schirmspalt mit geringstmöglicher Dicke so niederohmig wie möglich zu
überbrücken bzw. kurzzuschließen. Eine dicke, hochohmige Dichtung mag
optisch eine hohe Schirmdämpfung suggerieren, kann aber bei niedrigen
Frequenzen durchaus schlechter sein als ein enger Spalt, der an einigen
wenigen Punkten gut leitfähig verbunden ist (s. a. Abschn. 5.3.2). Weitere
Gesichtspunkte sind Langzeit-Elastizität (z. B. bei Türen), geringer Elasti-
zitätsverlust nach Kompression, Anpresskräfte, galvanische Verträglichkeit
mit den Gegenkontaktflächen (Langzeitkorrosion) [5.4–5.9] und die Mög-
lichkeit des Ausgleichs von Spalttoleranzen, etc. Türen erfordern aufwendige
Dichtungssyteme, bei denen mehrere Dichtungselemente (Kontaktfeder-
leisten und Elastomerdichtungen) mit stark versteiften Nut- und Federdetails
unter Ausnutzung des Labyrinthdichtungsffekts zum Einsatz kommen, Bild
5.11.
Bild 5.11: Beispiel für die Detailausführung einer HF-Türdichtung (Airbus

Deutschland GmbH, Hamburg, EMV-Testzentrum)
Bei der Aufbringung von Dichtungen auf Gehäuseteile ist auf eine gute
galvanische Verbindung zu achten. Eventuell lackierte, galvanisierte oder
chromatierte Teile sind vor dem Zusammenfügen von der Beschichtung an
den Kontaktstellen zu befreien.
Große Aufmerksamkeit ist der konstruktiven Gestaltung der Ortskurven der

Kontaktflächen beim Schließen einer Tür etc. zu widmen. Bei rein metalli-
schen Dichtungen ist eine selbstreinigende Relativbewegung der Kontakte
erwünscht, um etwaige Oxidhäute zu zerstören, bei Kunststoffverbund-Dich-
tungsmaterialien ist sie meist unerwünscht, da die Dichtung mechanisch zu
schnell zerstört wird. Die Tür muss rundum gleichmäßig angepresst sein, um
die HF-Dichtigkeit zu gewährleisten. Große Türen sind deswegen oft mit
elektro-hydraulischen Antrieben versehen, die die Tür immer mit dem
gleichen Anpressdruck zuverlässig verschließen, Bild 5.12.
Bild 5.12: Beispiel für HF-dichte Tür mit elektro-hydraulischem Schließmechanismus

(Airbus Deutschland GmbH, Hamburg, EMV-Testzentrum)
Große Türen sind zudem mechanisch versteift, um ein Verziehen der Tür zu
Vermeiden, was die HF-Dichtigkeit vermindern würde.
Allgemein verdient die konstruktive Gestaltung von Schirmfugen größte Be-

achtung. Durch geeignete Formgebung im Hinblick auf optimale Ausnutzung
des Stromverdrängungseffekts und zweckmäßige Anordnung leitender
Dichtungen können Schirmströme vorteilhaft geführt und die Wirkungen
des Dichtmaterials unterstützt werden (Labyrinthdichtung etc.). Durch
Messung dieser Schirmströme lassen sich der Schirm und dessen Dichtungen
gezielt auf Veränderungen der Schirmqualität testen [5.27], Bild 5.13.
Bild 5.13: Messung von

Schirmströmen zur HF-Dicht-
igkeitsprüfung vor Ort (W+R
Schirmungstechnik GmbH).
Am Objekt vor Ort kommen robuste Handgeräte zum Einsatz, in denen die
komplette Messaparatur, inklusive eines Netzwerkanalysators und der
Auswerte-Logik, integriert sind.
5.6.2 Kamindurchführungen, Wabenkaminfenster, Lochbleche
Wanddurchbrüche für Potentiometer-, Schalter- und Antriebswellen aus

Isolierstoff können durch Metallrohre (Kamindurchführungen) HF-dicht
gemacht werden, Bild 5.14 a.
2r0
a) b)
Bild 5.14: Beispiel für HF-dichte Wellendurchführungen, a) Isolierwelle, b) Metal-

lische Welle.
Unterhalb der vom Rohrdurchmesser D = 2r0 bestimmten Grenzfrequenz

(engl.: cut-off frequency )
8,8 ⋅ 109
fg0 = Hz (5-26)
r0
(r0 in cm) wirkt das Rohr wie ein unterhalb seiner Grenzfrequenz betriebe-
ner Hohlleiter, dessen Dämpfung für Magnetfelder sich nach Kaden [3.8]
berechnet zu
l
a dB ≈ 1,84 ⋅
r0
. (5-27)
Die Dämpfung hängt damit vom Verhältnis Kaminlänge zu Radius bzw.

Durchmesser ab.
Alternativ können auch metallische Wellen in einer mit Multi-Contact Fe-

derkontakten oder einer anderen leitfähigen Dichtung ausgerüsteten Hülse
zum Einsatz kommen, Bild 5.14 b.
Ordnet man eine Vielzahl Kamine matrixförmig an, erhält man sogenannte
Wabenkaminfenster, (engl.: honey-comb windows), Bild 5.15.
1000 MHz 10000 MHz 35000 MHz
Bild 5.15: Ausschnitte aus Wabenkaminfenstern für unterschiedliche Frequenzen

(z. B. Albatross-Projects).
Der für Wabenkaminfenster getriebene Aufwand lässt erkennen, dass Schir-

me mit größeren Fensteröffnungen, beispielsweise Elektronikschränke oder
Gerätegehäuse mit einfacher Glastür, kaum noch als HF-Schirme bezeichnet
werden können. Sie suggerieren zwar aufgrund ihrer Gehäusenatur einen
gewissen Schutz, letzterer ist jedoch überwiegend mechanischer Natur oder

dient der Vermeidung vorzeitiger Verschmutzung. Bezüglich der Schirm-
wirkung metallisierter Fenster wird auf Abschnitt 5.5 verwiesen.
Häufig werden Wände von Gerätegehäusen zur Wärmeabfuhr teilweise oder

ganz mit Lochreihen versehen, was eine Lochkopplung (engl.: small aperture
coupling) ermöglicht. Die Schirmdämpfung hängt dann wesentlich vom
Perforationsgrad p ab, der die Summe aller Lochquerschnitte zur gesamten
Fläche in Beziehung setzt,
nπr02
p=
A
. (5-28)
Bei gegebenem Perforationsgrad nimmt die Schirmdämpfung mit zunehmen-

dem Lochradius ab. Mit anderen Worten, viele kleine Löcher sind weniger
schädlich als wenige große. Dies wird auch dadurch deutlich, dass die
Lochkopplung proportional zu r03 ist.
Die gelegentlich zu findende Aussage, dass bei großem Verhältnis von Loch-
durchmesser zu Stegbreite zwischen den Löchern eine Lochmatrix wie ein
einziges großes Loch wirke, ist nicht zutreffend; Maschendrahtschirme be-
säßen dann überhaupt keine Schirmwirkung.
5.6.3 Netzfilter und Erdung
Die Wirkung eines noch so guten Schirmgehäuses wird sofort zunichte ge-
macht, wenn auch nur eine Leitung ungefiltert vom Störquellenraum in den
geschirmten Raum verlegt wird und dort als Antenne wirken kann. Ein
Schirm kann daher nur dann seinen Zweck erfüllen, wenn sämtliche ein-
und ausgehenden Energieversorgungs- und Steuerleitungen über Filter ge-
führt werden.
Außerhalb des Schirmgehäuses verlaufende geschirmte Messsignalleitungen

können ungefiltert in den geschirmten Raum geführt werden, vorausgesetzt
der Leitungsschirm wird ordentlich mit dem Schirmgehäuse kontaktiert.
Man kann den Messkabelschirm quasi als Ausstülpung bzw. Fortführung des
Schirmraums auffassen, wobei dann die Signaladern den Schirmraum gar
nicht erst verlassen.
Für Energieversorgungsleitungen stehen Netzfilter zur Verfügung, die meist

aus mehreren Komponenten für die einzelnen Frequenzbereiche zusammen-
gesetzt werden (s. Abschn. 4.1). Türkontaktfederleisten, Wabenkaminfenster
und Netzfilter müssen sinnvoll aufeinander abgestimmt sein. Sämtliche
Filter, Erdverbindungen und Kabelschirmanschlüsse sind zur Vermeidung
von Ausgleichströmen in der Schirmwand in unmittelbarer Nachbarschaft
an einer Stelle anzuordnen, Bild 5.16.
a) b)
ISt
3
ISt ISt
ISt ISt ISt 4 ISt 2
1 2 1
3
Bild 5.16: a) Richtige und b) falsche Anordnung von Leitungsanschlüssen an ein

Schirmgehäuse.
Zur Gewährleistung einer niederohmigen Verbindung aller ankommenden

Kabelschirme und der Kabinenerdung empfiehlt sich die Verstärkung der
Schirmwand an der gemeinsamen Penetrationsstelle durch eine massive
Messing-, Kupfer- oder V2A-Platte. Im Fall 5.13 b fließen etwaige auf den
Kabelschirmen und dem Erdsystem ankommende Störströme über das
Schirmgehäuse und erzeugen im Schirminnern ein störendes Magnetfeld.
Wie aus den Betrachtungen im Abschn. 5.3 hervorgeht, benötigt ein ge-
schlossener Schirm für die Entfaltung seiner Schirmwirkung keine Erdung.
Im Gegenteil, eine Erdverbindung verfälscht die freie Ausbildung des
induzierten oder influenzierten kompensierenden Gegenfelds und reduziert
gar die Schirmwirkung (Ausnahme: geerdete Abschattungsbleche gegen
quasistatische elektrische Störfelder). Trotzdem werden in praxi aus Sicher-
heitsgründen alle Schirmgehäuse und geschirmten Kabinen mit dem Schutz-
leiter (PE) verbunden. Der Schirm sollte dabei nur eine Erdverbindung
besitzen. Zur Auslegung und Installation von Schirmräumen sind die VDE-
Bestimmungen 0100, 0107, 0190, 0874 und 0875 [B23] zu beachten (s. a.
Abschn. 4.1).
5.7 Geschirmte Räume für messtechnische Anwendungen
Geschirmte Räume dienen wahlweise der Fernhaltung äußerer elektroma-

gnetischer Beeinflussungen bei empfindlichen Messungen oder der räumli-
chen Begrenzung störender Emissionen auf den Ort ihrer Entstehung, viel-
fach auch beidem. Ein typisches bifunktionales Beispiel sind geschirmte
Hochspannungsprüflaboratorien, in denen einerseits sehr empfindliche Teil-
entladungsmessungen durchgeführt werden müssen, andererseits bei Blitz-
stoßspannungsprüfungen die Umwelt nicht mit „synthetischen“ Gewittern
belastet werden darf.
Bautechnisch können geschirmte Räume durch Auskleiden vorhandener

Räume mit hochfrequenzdicht verlöteten Kupferfolienbahnen, durch selbst-
tragende Schweißkonstruktionen aus Stahlblech oder in modularer Bau-
weise durch Zusammenschrauben vorgefertigter Wandelemente realisiert
werden, z. B. Bild 5.17.
Bild 5.17: Im Baukastensystem erstellter Schirmraum (z. B. Albatross Projects).
Neben der Spezifikation der eigentlichen Schirmwirkung bedürfen ge-

schirmte Räume auch ausführlicher Überlegungen hinsichtlich Beleuchtung,
Belüftung, Bodenbelastbarkeit, Stromversorgung, elektrischer und nicht-
elektrischer Leitungsdurchführungen etc. [5.15 - 5.18].
Bezüglich der rechnerischen Ermittlung der Schirmwirkung geschirmter

Räume wird auf Kap. 6 verwiesen, bezüglich der messtechnischen Ermittlung
auf Kap. 9.
5.7 Geschirmte Räume für messtechnische Anwendungen 223
5.7.1 Reflexionsarme Schirmräume – Absorberräume
Im Innern von Schirmräumen erzeugte elektromagnetische Wellen erfahren

an den Wänden Reflexionen. Die reflektierten Wellen überlagern sich mit
den ankommenden Wellen zu stehenden Wellen mit stark ausgeprägten
Knoten und Bäuchen (s. Abschn. 9.5). Die räumliche Feldverteilung wird
dadurch stark inhomogen und macht die Ergebnisse von Emissions- und
Störfestigkeitsmessungen in nicht überschaubarer, frequenzabhängiger Weise
von der räumlichen Anordnung der Prüfobjekte und Antennen abhängig.
Zur Vermeidung des störenden Einflusses der Wandreflexionen kleidet man

geschirmte EMV-Messräume mit Ferritkacheln und Absorbern aus. Für
niedrige Frequenzen bewirken Ferritkacheln eine reflexionsarme stetige Im-
pedanzanpassung des Feldwellenwiderstands im Schirminnern ( Z0 = 377 Ω )
an den Feldwellenwiderstand der Schirmwand ( Z0 = 0 ). Hohe Frequenzen
werden durch Schaumstoffabsorber abgedeckt, Bild 5.18. Mit Absorbern
ausgekleidete Schirmräume werden als Absorberräume bezeichnet. Mess-
ungen in Absorberräumen erlauben die Durchführung von Freifeldmess-
ungen unter Innenraumbedingungen (Echofreie Räume; engl.: Anechoic
Chambers).
Bild 5.18: Errichtung einer Absorberkammer. Auf zuvor montierte Ferritkacheln

werden Schaumstoffabsorber aufgeklebt. (Airbus Deutschland GmbH, Hamburg,
EMV-Testzentrum).
Absorber bestehen aus verlustbehafteten Dielektrika und Ferromagnetika, in

denen die einfallende elektromagnetische Energie zum überwiegenden Teil
in Wärme umgewandelt wird (s. Abschn. 4.1.4). Am häufigsten werden mit
Kohlenstoff-Latexfarbe getränkte Polyurethanschäume eingesetzt.
Daneben eignen sich auch Ferritplatten, Gasbetonsteine mit kristallin

gebundenem Wasser und sogenannte Schachtabsorber [7.6]. Schaumstoff-
absorber besitzen meist Pyramidenform, so dass die elektromagnetischen
Wellen Gelegenheit haben, mehrfach auf absorbierende Oberflächen auf-
zutreffen und sich zwischen den Pyramiden quasi „totzulaufen“, Bild 5.19.
Bild 5.19: Absorberraum (Institut für Elektroenergiesysteme und Hochspannungs-

technik, Universität Karlsruhe, heute KIT).
Die Reflexionsdämpfung hängt wesentlich von der Wellenlänge bzw. Fre-

quenz ab. Stimmen Wellenlänge und Absorbertiefe überein, liegt die Refle-
xionsdämpfung in der Größenordnung von ca. 30dB. Die Reflexionsdämp-
fung nimmt mit zunehmendem Verhältnis Absorbertiefe zu Wellenlänge zu.
Eine Minimalforderung sind Reflexionsdämpfungen von >10dB oberhalb
200 MHz und >20dB oberhalb 1 GHz [B24] (Messung der Reflexions-
dämpfung s. Abschn. 9.5).
Mit Kohlenstoff gefüllte Schaumstoffabsorber stellen ohne besondere Vor-

kehrungen eine hohe Brandlast dar, die bei Kurzschluss elektrischer Leitun-
gen oder auch bei Bestrahlung mit zu hoher Leistungsdichte beträchtliches
Gefahrenpotential besitzt. Eine leistungsfähige Feuerlöscheinrichtung und
feuerhemmende Ausrüstung sind daher essentiell.
Neben den oben beschriebenen Breitbandabsorbern kommen bei mono-

chromatischen Störquellen auch aus mehreren parallelen Schichten be-
stehende Schmalbandabsorber zum Einsatz. Ihre Schichtdicken sind je nach
Wellenlänge so ausgelegt, dass für bestimmte Frequenzen bzw. Wellenlängen
an tieferen Schichten reflektierte Wellen einfallende Wellen infolge destruk-
tiver Interferenz auslöschen (vgl. Laserschutzbrillen und vergütete Linsen im
optischen Bereich des elektromagnetischen Spektrums).
Zuverlässig reproduzierbare Störfeldstärkemessungen erfordern beträcht-

liche Erfahrung sowie fundierte Kenntnisse der allgemeinen Hochfrequenz-
messtechnik. Wegen Einzelheiten über Störfeldstärkemessungen, insbeson-
dere der räumlichen Anordnung, Erdung sowie der Berücksichtigung zu-
und abgehender Leitungen des Testobjekts etc., wird auf VDE 0877, Teil 2
[7.7] und weitere einschlägige Vorschriften verwiesen.
5.7.2 Modenverwirbelungskammern
Eine weitere Möglichkeit, Einflüsse durch Wandreflexionen auszuschließen,

ist sich diesen und den Eigenresonanzen eines Raumes zu bedienen.
Modenverwirbelungskammern (engl.: Mode Stirred Chamber, Reverberation
Chamber) sind Schirmräume mit beweglich angeordneten großen Me-
tallstrukturen (z. B. ähnlich den Rotorflügeln in Mikrowellenherden). Hier-
durch lassen sich die Ausbreitungsbedingungen für Moden (Wellen mit Fre-
quenzen, bei denen Eigenresonanz auftritt) kontinuierlich verändern und die
räumliche Lage von Knoten und Bäuchen im Schirmraum in weiten Gren-
zen verschieben. Der Grundgedanke des Verfahrens beschränkt den Einsatz
auf Messfrequenzen, bei denen eine genügend hohe Modendichte besteht.
Als Faustregel existieren dazu unterschiedliche Ansichten, die entweder das
Dreifache der ersten Eigenresonanz (als ausbreitungsfähige Welle) oder eine
Modendichte von 1,5 Moden/MHz fordern [7.9–7.12].
Die Frequenzen der Eigenmoden eines rechtwinkligen Raums mit den

Abmessungen a, b und d erhält man für m,n,p ≥ 0 mit
2 2 2
c0 § m · § n · § p ·
fm,n,p = ¨ ¸ +¨ ¸ +¨ ¸
2 © a ¹ ©b¹ ©d¹
. (5-28)
Einen genäherten Ausdruck zur Bestimmung der Gesamt-Modenzahl N s (f)

bis zu einer Frequenz f stellt Gleichung (5-29) dar [7.32]:
3
8π § f · f 1
Ns (f) = abd ¨ ¸ − (a + b + d) +
3 © c0 ¹ c0 2
. (5-29)
Eine hohe Modenanzahl allein reicht jedoch nicht aus, um die Moden-
verwirbelungskammer für EMV-Messungen nutzbar zu machen. Wichtiger
ist eine hohe Modendichte über den genutzten Frequenzbereich, das heißt
eine hohe Anzahl von Moden für ein bestimmtes Frequenzintervall. Die
Modendichte eines Hohlraumresonators ist in Bild 5.20 dargestellt und
berechnet sich aus Gleichung (5-29) zu
§ ΔN s (f) · dNs (f) f 2 (a + b + d )

lim ¨ ¸ = = 8π ⋅ abd ⋅ 3 − .
Δf →0 © Δf ¹ df c0 c0
(5-30)
300
Moden pro 10 MHz-Intervall
250
200
150
100
50
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Frequenz in MHz
Bild 5.20: Modendichte einer Modenverwirbelungskammer (Institut für Elektro-

energiesysteme und Hochspannungstechnik, Universität Karlsruhe, heute KIT).
Letztlich werden durch ein aufwendiges Kalibrierverfahren [7.34] die Eig-

nung der Kammer und die damit verbundene kleinste Nutzfrequenz be-
stimmt.
Durch den metallischen Rührer werden die Randbedingungen im Hohl-

raumresonator ständig verändert. Die Vielzahl unterschiedlicher Rührer-
winkel sowie Mehrfachreflexionen der elektromagnetischen Wellen an den
Wänden erzeugen in der Kammer näherungsweise unendlich viele Reso-
nanzfrequenzen, über deren Gesamtheit sich ein elektromagnetisches Feld
einstellt, dessen Beträge der einzelnen Vektor-Komponenten einer jeweils
gleichen Raleigh-Verteilung unterliegen. Eine hohe Modendichte ist die
Grundvoraussetzung zur Erzeugung eines gleich starken elektromagneti-
schen Feldes im gesamten Arbeitsbereich einer Modenverwirbelungs-
kammer. Durch die hohe Güte der Kammer lassen sich bei geringen Ein-
gangsleistungen sehr hohe Feldstärken erzeugen, so dass auf kostenintensive
Verstärkerleistung verzichtet werden kann. Ferner erhält man über die
Vielzahl der Rührerstellungen statistisch gesehen ein elektromagnetisches
Wellenfeld, dessen Richtung und Polarisation gleichverteilt ist. Seine Feld-
stärken werden mit statistischen Kenngrößen, wie Mittelwert und Standard-
abweichung beschrieben. Ein Drehen des Prüflings bzw. eine Änderung der
Antennenpolarisation oder -höhe entfällt. Dadurch wird der Aufwand einer
Messung reduziert und der Prüfling in seiner Gesamtheit betrachtet.
Eine statistisch auswertbare Messung erfordert eine Vielzahl von Einzel-

messungen [7.34], wobei mit steigender Anzahl statistisch unabhängiger
Einzelmessungen die Ergebnisse genauer ausfallen als bei wenigen Einzel-
messungen. Diese können in der Modenverwirbelungskammer in zwei
verschiedenen Betriebsmodi erfolgen, dem Mode-Tuned- und dem Mode-
Stirred-Betrieb.
Mode-Tuned-Betrieb
Im Mode-Tuned-Betrieb wird der Rührer schrittweise gedreht und es wird

nach jedem Schritt eine Messung vorgenommen. Üblicherweise liegt die ma-
ximale Anzahl der Schritte bei 200 bzw. 400 je Umdrehung, was einem
Winkelschritt von 1.8° bzw. 0.9° entspricht. Ein spezielles Kalibrierverfahren
[7.34, 7.35] stellt die notwendige Anzahl an Rührerschritten sicher. Die so
gewonnene Messreihe wird anschließend einer statistischen Auswertung
unterzogen.
Mode-Stirred-Betrieb
Im Mode-Stirred-Betrieb dreht sich der Rührer kontinuierlich mit einer

konstanten Umdrehungsgeschwindigkeit. Messungen werden in der Form
vorgenommen, dass entweder die Verweildauer einer bestimmten Frequenz
(bei Emissionsmessungen eine Messung im Max-Hold-Betrieb) mindestens
einer Rührerumdrehung entspricht, oder es werden mehrere Messungen
während des Stirred-Betriebs durchgeführt und diese dann, ähnlich wie im
Tuned-Betrieb, einer statistischen Auswertung unterzogen. Üblich sind bei
dieser Betriebsart Umdrehungsgeschwindigkeiten von 3…10 U/min., wobei
jedoch auch wesentlich höhere Umdrehungszahlen angewandt werden. Wie
beim Mode-Tuned-Betrieb, ist für die Genauigkeit einer Messung die Anzahl
statistisch unabhängiger Einzelmessungen ausschlaggebend. Die Höhe der
Umdrehungsgeschwindigkeit ist nicht von allzu hoher Bedeutung [7.34]. Der
Nachteil dieses Verfahrens liegt bei einer Störfestigkeitsprüfung darin, dass
das Feld am Ort des Prüflings zu keinem Zeitpunkt stabil ist und sich schnell
ändert. Prüflinge, deren Empfänglichkeit für Störsignale eine bestimmte
Trägheit aufweisen, können dann auf schnell wechselnde Feldstärken even-
tuell nicht reagieren.
Modenverwirbelungskammern bieten bei Störfestigkeitsprüfungen gegenüber

den üblicherweise verwendeten Absorberhallen eine kostengünstige Alter-
native. In der Modenverwirbelungskammer bildet sich bei Störfestigkeits-
prüfungen im Gegensatz zum näherungsweise ebenen Wellenfeld einer Ab-
sorberhalle, ein räumlich und zeitlich veränderliches elektromagnetisches
Feld aus, das von allen Raumrichtungen und in allen Polarisationen auf den
Prüfling einwirkt. Somit wird ohne aufwendige Prüfprozeduren der Worst-
Case ermittelt.
Emissionsmessungen (s. a. Abschn. 7.2.2) in der Modenverwirbelungskam-

mer unterscheiden sich grundlegend von Messungen in Absorberkammern.
Während in letzteren üblicherweise Feldstärken gemessen werden, bestimmt
man in Modenverwirbelungskammern die abgestrahlte Gesamtleistung eines
Prüflings, die vielen Umgebungen besser gerecht wird als eine Feld-
stärkemessung. Dies gilt insbesondere für Umgebungen, deren Verhalten
selbst dem eines Hohlraumresonator gleicht. Die diesem Resonator zuge-
führte Leistung kann zur Anregung der Eigenfrequenzen und multiplen
Reflexionen führen und so ein extremes Störklima erzeugen, wobei die
Abstrahlungsrichtung des Störers nicht mehr zwingend auf die Störsenke
ausgerichtet sein muss. Beispiele dafür sind unter anderem gering aus-
gestattete Schaltschränke, wenig ausgekleidete Flugzeugrümpfe oder –rumpf-
abschnitte, U-Boote oder Operationssäle mit Bleimantel zum Schutz vor

Gammastrahlung.
Schirmdämpfungsmessungen sind in Modenverwirbelungskammern am ein-

fachsten zu realisieren, da bei einer Einfügungsdämpfungsmessung Fehlan-
passungen im Messaufbau nur von geringer Bedeutung sind und auch keine
Kalibrierung der Messumgebung stattfinden muss. Die Messzeiten zur Be-
stimmung der Schirmdämpfung in der Modenverwirbelungskammer liegen
erheblich unter denen, die in Absorberkammern benötigt werden. Dies liegt
unter anderem darin begründet, dass das aufwendige Drehen der Prüflinge
und Mehrfachmessungen mit unterschiedlichen Prüflingsausrichtungen und
Antennenpolarisationen entfällt. Bild 5.21 zeigt einen Messaufbau zur
Schirmdämpfungsmessung in einer Modenverwirbelungskammer.
Bild 5.21: Innenraum einer Modenverwirbelungskammer mit Aufbau zur Schirm-

dämpfungsmessung (Institut für Elektroenergiesysteme und Hochspannungstechnik,
Universität Karlsruhe, heute KIT).
Bild 5.22 zeigt den Vergleich der Ergebnisse zweier Schirmdämpfungs-

messungen eines Gehäuses in einer Modenverwirbelungskammer und einer
Absorberhalle.
dB
120
SD in Modenverwirbelungskammer
Minimum der SD in Absorberkammer
100 Mittlere Schirmdämpfung in Absorberkammer
Maximum der Schirmdämpfung in Absorberkammer
80
60
40
20
-20
300 400 500 600 700 800 900 1000

Frequenz / MHz
Bild 5.22: Vergleich der elektrischen Schirmdämpfung, ermittelt in der MVK und der
Absorberkammer. (Messinggehäuse mit 250 mm Schlitzblende).
Während in der Absorberkammer je nach Gehäuseausrichtung unterschied-

liche Dämpfungswerte ermittelt werden, liefern die Ergebnisse der Moden-
verwirbelungskammer eine oberflächengemittelte Schirmdämpfung, die einer
Mittelung aller Absorberkammer-Messergebnisse über sechs Gehäuseaus-
richtungen entspräche [7.34].
Aufgrund ihrer Kompaktheit ist eine Modenverwirbelungskammer eine

ideale Prüfumgebung mit geringem Platzbedarf. Komplexe Systeme können
problemlos in die Kammer eingebracht werden, da das elektromagnetische
Feld innerhalb des definierten Prüfvolumens überall gleichen statistischen
Bedingungen gehorcht. Allerdings bedarf es zum Betrieb einer Modenver-
wirbelungskammer einer sehr komplexen Software, die auch das Post-
Processing der Daten übernimmt. Die Modenverwirbelungskammer ist eine
wirtschaftliche Alternative zu EMV-Prüfungen in Absorberkammern und
zeichnet sich durch geringere Investitionskosten, geringe Brandlast, hohe
Messdynamik und hohe Reproduzierbarkeit bei zum Teil schnelleren
Gesamtmesszeiten aus.
5.7.3 TEM-Messzellen
TEM-Zellen sind rechteckförmig aufgeweitete Koaxialleitungen zur Erzeu-

gung transversaler elektromagnetischer (TEM) Wellen definierter Stärke für
EMV-Störfestigkeitsuntersuchungen. Sie lassen sich unter bestimmten Vor-
aussetzungen auch für Emissionsmessungen einsetzen, werden jedoch über-
wiegend für Suszeptibilitätsmessungen und Kalibrierung von Messsonden
eingesetzt (s. a. Abschn. 8.2.1.1) [8.19–8.23].
TEM-Zellen gehen an beiden oder auch nur an einem Ende in koaxiale

Kabelsysteme gleichen Wellenwiderstands (meist 50 Ω ) über, Bild 5.23.
Z0 2w
d g
2a
Bild 5.23: Klassische TEM-Messzelle (Crawford-Zelle [8.19]).
Das Querschnittverhältnis von Außen- und Innenleiter längs der Ausbrei-

tungsrichtung wird wie bei offenen Wellenleitern so gewählt, dass der Wel-
lenwiderstand konstant bleibt. Unter der Voraussetzung g w berechnet
sich der Wellenwiderstand einer TEM-Messzelle gemäß [8.23] näherungs-
weise zu
377
Z0 ≈ Ω . (5-31)
§a 2 § πg · ·
4 ¨ − ln ¨ sin h ¸¸
© b π © 2b ¹¹
Die optimale wellenwiderstandsgerechte Ausbildung der konischen Über-

gangsstücke und des Abschlusswiderstands ermittelt man mit Hilfe der Zeit-
bereichsreflektometrie (engl.: TDR, Time-Domain Reflectometry). Unterhalb
der Grenzfrequenz für die Existenz des ersten TE-Modes (Transversal-
Elektrische Welle mit EZ = 0 und HZ ≠ 0 , s. a. [7.21 u. 7.23]),
fTE10 = c0 / 4a (c0 : Lichtgeschwindigkeit) , (5-32)

lässt sich die elektrische Feldstärke im zentralen Innenbereich wie bei der
Parallelplattenleitung näherungsweise aus
U
E=
d
(5-33)
ermitteln, worin U die Ausgangsspannung des Senders und d der Abstand

zwischen Außen- und Innenleiter (Septum) ist. Die nutzbare Höhe liegt etwa
bei einem Drittel des Plattenabstands.
Im TEM Frequenzbereich lässt sich auch die Feldverteilung mit einem elek-
trostatischen Feldberechnungsprogramm ermitteln, was jedoch wenig hilf-
reich ist, da sich bei Zutreffen der TEM Voraussetzung die Feldstärke bereits
aus (5-33) berechnen lässt und bei Nichtzutreffen auch der elektrostatische
Code falsche Ergebnisse liefert. Die räumliche E-Feldverteilung, insbeson-
dere in Wandnähe, wird messtechnisch mit E-Feld Sonden erfasst.
Leitungsgeführte, elektromagnetische Wellen erzeugen an Diskontinuitäten,

z. B. dem Übergang von der konischen Einspeisung in den quaderförmigen
Mittelteil einer TEM-Zelle, Elementarwellen, die sich dem ursprünglichen
Wellenfeld überlagern und dessen TEM-Charakter stören, Bild 5.24.
Z0
Bild 5.24: Störung des TEM-Modus in TEM-Zellen.
Um diesen Nachteil zu umgehen, verwendet man heutzutage fast ausschließ-

lich sogenannte GTEM-Zellen (s. Abschn. 5.7.4).
5.7.4 GTEM-Zellen
GTEM-Zellen (Gigahertz-TEM-Zellen) entsprechen quasi einer TEM-Zelle,

die auf das pyramidenförmige Einspeiseteil beschränkt ist. Am Ende der
Zelle sind Pyramidenabsorber angebracht und der Innenleiter wird mit

50 Ohm wellenwiderstandsgerecht abgeschlossen, Bild 5.25.
Hochfrequenz-
absorber
Widerstands-
netzwerk
Kurz-
schluß-
wand
Generator
oder
Empfänger
Ri = Z0
Koaxialer Anschluß E-Feldlinien Prüfvolumen
Bild 5.25: Schematischer Aufbau einer GTEM-Zelle.
Es tritt so nur eine hinlaufende Welle auf. GTEM-Zellen werden sowohl für
Störfestigkeitsprüfungen (s. Kap. 8) als auch für Emissionsmessungen einge-
setzt (s. Kap. 7). Aufgrund ihrer Größe sind sie jedoch nur für kleine bis
mittelgroße Prüflinge geeignet (max. Prüfvolumina betragen derzeit 2 m³).
Damit genügend Platz zum Einbringen von Testgeräten zur Verfügung steht,
ist der Innenleiter nicht zentriert angebracht. An der spitzen Seite der
GTEM-Zelle befinden sich die Anschlüsse, mit deren Hilfe zum einen ein
Störfeld in die Zelle eingebracht werden kann, zum anderen kann über
diesen Anschluss das Störsignal eines Testgerätes abgegriffen werden. Die
Außenseiten der GTEM-Zelle werden aus einem sehr gut leitenden Material
gefertigt, das sicherstellt, dass weder störende Felder aus der Innenseite der
Zelle nach außen gelangen noch umgekehrt. So kann die GTEM-Zelle in
normalen Räumen betrieben werden, ohne auf eine besondere Ausstattung
dieser Laborräume achten zu müssen.
Der wellenwiderstandsgerechte Abschluss zwischen Septum und Außenleiter

besteht für mittlere Frequenzen aus einer Reihen- und Parallelschaltung kon-
zentrierter Widerstände Z0 . Da ein perfekter Abschluss mit konzentrierten
Bauelementen nicht möglich ist, ordnet man vor dem Abschlussnetzwerk

eine Absorberwand an, die bei höheren Frequenzen auftretende Reflexionen
stark reduziert und damit den trichterförmigen Wellenleiter wie eine unend-
lich lange Kegelleitung ohne merkliche Reflexionen erscheinen lässt.
Die GTEM-Zelle hat sich wegen ihrer klaren Feldverhältnisse bei Störfestig-
keitsprüfungen sehr gut bewährt. Bei Emissionsmessungen werden die in
einem Raumwinkel von 360 Grad abgestrahlten Emissionen an den Wänden
des trichterförmigen Wellenleiters mehrfach reflektiert bzw. auch absorbiert,
was zu zahlreichen vagabundierenden Wellenfronten führt. Das üblicherwei-
se in der Antennentheorie gültige Reziprozitätsgesetz wird dann sehr frag-
würdig, weswegen auch ein eindeutiger Antennenfaktor nicht mehr ange-
geben werden kann. Mit entsprechend hohem, mehrfachem Messaufwand,
beispielsweise Vermessung des Messobjekts in mehreren Achsen, kann rech-
nerisch dennoch ein aussagekräftiger Messwert für Emissionen abgeleitet
werden. Diese Art der Messung ergibt dann ähnlich der Messung der
Emission in Modenverwirbelungskammern die abgestrahlte Gesamtleistung
des Messobjekts. Umfassende Detailinformationen über GTEM-Zellen findet
sich im Literaturverzeichnis [8.21, 8.30–8.33, 8.37].
6 Theorie elektromagnetischer Schirme
Die analytische Berechnung der Schirmwirkung elektromagnetischer Schir-

me verlangt das Lösen der Maxwellschen Gleichungen für die Gebiete inner-
halb und außerhalb eines Schirms sowie in der Schirmwand selbst. Als Lö-
sungen erhält man die Größen E i , E a und H i , H a , die zueinander in Be-
ziehung gesetzt auf den Schirmfaktor bzw. die Schirmdämpfung führen.
Diese Vorgehensweise ermöglicht ein über die bekannten Faustformeln
hinausgehendes tieferes Verständnis der Wirkungsweise elektromagnetischer
Schirme und macht die individuelle Wirkung eines Schirms einer genauen
quantitativen Erfassung zugänglich. Die Methode ist jedoch mathematisch
sehr anspruchsvoll und hat deswegen in der Vergangenheit noch nicht die
gewünschte Verbreitung gefunden. Das Problem bei der analytischen
Schirmberechnung beruht im Wesentlichen auf Schirminhomogenitäten wie
Öffnungen, Dichtungen, Durchführungen, etc. Außerdem wird bei kom-
plexeren Geometrien, die von einfachen Zylindern, Kugeln oder Quadern
abweichen, die Lösung der notwendigen Gleichungssysteme zu aufwendig.
Man bedient sich hier numerischen Verfahren auf die hier in diesem Kapitel
jedoch nicht eingegangen werden soll.
Im Folgenden wird an Hand einiger Beispiele steigender Komplexität
– Zylinderschirm im quasistatischen magnetischen Störfeld H a ohne Rück-

wirkung auf den Außenraum,
– Zylinderschirm im quasistatischen magnetischen Störfeld H a mit Be-
rücksichtigung der Rückwirkung auf den Außenraum,
– Zylinderschirm im elektromagnetischen Wellenfeld (mit reflektierter
elektromagnetischer Welle),

236 6 Theorie elektromagnetischer Schirme
versucht, den Leser in die grundsätzliche Vorgehensweise der analytischen

Schirmberechnung einzuführen und ihm die Wege zur Lektüre der umfang-
reichen diesbezüglichen Literatur zu ebnen [6.8–6.13, B1, B18]. Für Leser,
die eine schnelle Lösung suchen, wird im zweiten Teil dieses Kapitels auch
das Impedanzkonzept vorgestellt, das auf einer Analogie zur Wander-
wellentheorie beruht.
Schließlich sei noch erwähnt, dass in beschränktem Umfang auch eine

Schirmberechnung mit Hilfe von Netzwerkmodellen möglich ist [6.25, 6.26].
Große, komplexe Strukturen, beispielsweise Flugzeugrümpfe, werden haupt-
sächlich numerisch behandelt (siehe Abschn. 3.8).
6.1 Analytische Schirmberechnung
6.1.1 Theoretische Grundlagen
Die räumliche Verteilung der komplexen Amplituden der magnetischen

Feldstärke H(x, y,z) und der elektrischen Feldstärke E(x, y,z) einer elektro-
magnetischen Welle wird durch die beiden folgenden partiellen Differential-
gleichungen beschrieben [B18]:
ΔH = jωσμH + ( jω) εμH ΔE = jωσμE + ( jω) εμE

2 2
, (6-1)
deren Laplace-Operatoren auf den linken Seiten in kartesischen

Koordinaten folgende Bedeutung haben,
∂ 2H ∂ 2H ∂ 2H ∂ 2E ∂ 2E ∂ 2E (6-2)
ΔH = 2
+ 2
+ 2
ΔE = 2
+ 2
+ .
∂x ∂y ∂z ∂x ∂y ∂z2
Die Differentialgleichungen (6-1) sind für den Außenraum (Index „a“), den
Innenraum (Index „i“) und die Schirmwand (Index „s“) zu lösen, Bild 6.1.
Dabei wird das Feld in der Schirmwand unterschieden in das zur Außenseite
(Index „sa“) und zur Innenseite (Index „si“) bezogene Gebiet. Der Index„t“
bezeichnet die Tangentialkomponente des Felds.
6.1 Analytische Schirmberechnung 237
t
Ea t
außen (σ= 0) H a
E st Schirmwand (σ=0) H st
E st
a a H st
i i
E it innen (σ= 0) H it
Bild 6.1: Integrationsgebiete der Gleichungen (6-1) und deren Ränder. Stetige Tan-
gentialkomponenten der elektrischen und magnetischen Feldstärke an den Grenz-
flächen, s. (6-7).
Da im Luftraum innerhalb und außerhalb des Schirms σ = 0 gilt und in der

Schirmwand σ jωε gesetzt werden kann (das heißt der Verschiebungs-
strom ist gegenüber dem Leitungsstrom zu vernachlässigen), lassen sich die
Gleichungen (6-1) derart vereinfachen, dass auf ihrer rechten Seite jeweils
ein Term entfällt.
Außen- und Innenraum, σ = 0 :
Es gelten
ΔH = ( jω) εμH ΔE = ( jω) εμE
2 2
bzw. , (6-3)
und mit der Wellenzahl k0 bzw. ihrem Quadrat k02 = ω2 εμ ,
ΔH = − k02 H ΔE = −k 20 E
. (6-4)
Diese Gleichungen sind vom Typ der Wellengleichung. Sie beschreiben die
Ausbreitung elektromagnetischer Wellen im verlustfreien Raum.
Schirmwand, σ jωε :
Es gelten
ΔH = jωσμH bzw. ΔE = jωσμE , (6-5)
und mit der Wirbelstromkonstante k bzw. ihrem Quadrat k 2 = jωσμ ,
ΔH = k 2 H ΔE = k 2 E
. (6-6)
Diese Gleichungen sind vom Typ der Stromverdrängungsgleichung (Diffu-

sionsgleichung, Wärmeleitungsgleichung). Sie beschreiben das räumlich zeit-
liche Verhalten quasistatischer elektrischer und magnetischer Felder in
Leitern.
Beschränken wir uns zunächst auf quasistatische Felder, reduziert sich die
Schirmberechnung auf die Ermittlung des Verhältnisses der magnetischen
Feldstärken H a und H i (Die Schirmwirkung gegen quasistatische elektri-
sche Felder ist praktisch beliebig hoch). Da in quasistatischen Feldern der
Wellencharakter des Feldes (das heißt das Magnetfeld des Verschiebungs-
stroms) vernachlässigt werden kann, dürfen wir in allen drei Gebieten mit
den Diffusionsgleichungen (6-6) rechnen.
Bei der Lösung (Integration) der Feldgleichungen (6-4) und (6-6) entstehen,
wie bei der Lösung eines unbestimmten Integrals, Integrationskonstanten
bzw. -funktionen, die aus den Randbedingungen an der inneren und äußeren
Schirmwand sowie aus der Anregung (Störfeld) ermittelt werden müssen.
Für die Grenzflächen zwischen dem Störquellenraum, dem geschirmten
Raum und der Schirmwand, Bild 6.1, gelten für Tangentialkomponenten der
Feldstärken folgende Randbedingungen,
E -Feld H -Feld
Eat = Est a Hat = Hst a
Eit = Est i Hit = Hst i
(6-7)
wobei die Tangentialfeldstärken Est und Hat an der inneren und äußeren
Oberfläche des Schirms natürlich verschieden sind (zusätzlicher Index „a“
bzw. „i“).
Im Gegensatz zu gewöhnlichen Randwertproblemen sind in der analytischen

Schirmberechnung nicht explizite Werte auf den Rändern gegeben, sondern
Relationen zwischen den Randwerten auf beiden Seiten eines Randes
(Stetigkeitsbedingungen gemäß (6-7)). Dies macht bei der Bestimmung der
Integrationskonstanten ein etwas ungewöhnliches Vorgehen erforderlich,
worauf in den folgenden Beispielen noch ausführlich eingegangen wird.
6.1.2 Zylinderschirm im longitudinalen Feld
Ein Zylinderschirm sei einem parallel zur Achse verlaufenden quasistati-

schen Magnetfeld ausgesetzt, Bild 6.2.
z
Hi
Ha
Es
ro Ha
Ei
Bild 6.2: Zylinderschirm im
longitudinalen H-Feld.
Das mit dem äußeren Magnetfeld H a (Störfeld) verknüpfte elektrische Wir-

belfeld E a [B18] bewirkt gemäß J = σE in der leitenden Schirmwand Kreis-
ströme, die ihrerseits ein longitudinales Rückwirkungsfeld H R erzeugen
(nicht eingezeichnet), das dem erregenden Feld entgegengerichtet ist. Übrig
bleibt im Innenraum das geschwächte Nettofeld H i = H a − H R , i m Außen-
raum herrscht unverändert H a (s. unten). Wir interessieren uns nur für den
Schirmfaktor Q = H i / H a und betrachten der Reihe nach den Außenraum,
den Innenraum und die Schirmwand in einem Zylinder-Koordinatensystem.
Zur Vereinfachung der Schreibweise verwenden wir ab hier innerhalb einer
Berechnung nur noch Komponentenvektoren (kein Fettdruck; Ausnahme:
Mehrdimensionale Vektoren in Definitionsgleichungen, oder wenn noch
nicht feststeht, dass es sich um einen Komponentenvektor handelt). Weiter
verzichten wir künftig auf den Querstrich zur Kennzeichnung der Größen als
komplexe Amplituden.
Magnetische Feldstärke im Außen- und Innenraum sowie in der

Schirmwand:
Außenraum ( r > (r0 + d); σ = 0; k = 0 ) :
Im Außenraum gilt mit und ohne Schirm H(r, ϕ,z) = Hz = Ha . Das Rückwir-
kungsfeld H R macht sich bei der vorliegenden Geometrie im Außenraum
nicht bemerkbar, weil der aus den Rohrenden austretende Rückwirkungs-
fluss sich über den unendlich großen Querschnitt des Außenraums schließt.
Das bedeutet, dass seine Flussdichte B R außerhalb des Schirms vernach-
lässigbar klein ist und damit auch gilt
1 R
H Ra = Ba ≈ 0 . (6-8)
μ0
Falls diese Aussage nicht sofort aus der Anschauung gewonnen werden
kann, muss im Außenraum die Diffusionsgleichung ΔH a = k 2 H a gelöst wer-
den, die sich noch wegen σ = 0 vereinfacht zu ΔH a = 0 . Da wir a priori nur
quasistatische Magnetfelder betrachten, gilt die Diffusionsgleichung auch im
Außenraum. Erst bei der Annahme eines störenden elektromagnetischen
Wellenfeldes müsste im Außenraum die Wellengleichung herangezogen
werden (s. Abschn. 6.1.4).
Innenraum ( r < r0 ; σ = 0; k = 0 ) :
In Zylinderkoordinaten lautet die Diffusionsgleichung (6-6) für die z-Kom-

ponente der magnetischen Feldstärke
2 · ∂ 2 Hi
1 ∂ § ∂Hi · 1 § ∂ Hi
¨r ¸ + 2 ¨¨ ¸¸ + = k 2 Hi . (6-9)
r ∂r © ∂r ¹ r © ∂ϕ2 ¹ ∂z
2
Impliziert man, dass Hi aus Symmetriegründen weder von ϕ noch von z

abhängt, entfallen die letzten beiden Terme auf der linken Seite und wegen
σ = 0 bzw. k = 0 auch die rechte Seite der Gleichung. Die Diffusionsglei-
chung vereinfacht sich dadurch zur eindimensionalen Laplace-Gleichung in
Zylinderkoordinaten,
1 d § dHi ·
ΔHi = ¨r ¸=0 . (6-10)
r dr © dr ¹
Zweimalige Integration führt zunächst auf
dHi Ci
=
dr r
und schließlich auf
Hi = C1 ln r + C2 . (6-11)
Da das Feld bei r = 0 nicht unendlich werden kann, muss C1 = 0 sein.

Hieraus folgt sofort
Hi (r) = C2 = const. . (6-12)
Die magnetische Feldstärke im Innern ist also konstant, ihr Wert ist aber
noch unbekannt. Um diese zu bestimmen ermitteln wir die magnetischen
Feldstärken an der inneren und äußeren Schirmwand.
Schirmwand ( r0 ≤ r ≤ (r0 + d); σ > 0; k ≠ 0 ) :
Für den Feldverlauf in der metallischen Wand gehen wir wieder von der Gl.
(6-9) aus, für k ≠ 0 . Aus Symmetriegründen vereinfacht sich diese jedoch zu:
1 d § dHs · 2
ΔHs = ¨r ¸ = k Hs . (6-13)
r dr © dr ¹
Diese Differentialgleichung hat Zylinderfunktionen als Lösungen.

Um die Lösung unseres Problems zu erleichtern, beschränken wir uns auf

dünnwandige Schirme (r0 d) , wodurch das zylindrische Problem bezüg-
lich der Abhängigkeit von r in ein ebenes eindimensionales Problem über-
geht. Aus der eindimensionalen Diffusionsgleichung in Zylinderkoordinaten
wird dann die eindimensionale Diffusionsgleichung in kartesischen Koordi-
naten, wobei wir aber statt x weiterhin r schreiben.
d 2 Hs
= k 2 Hs . (6-14)
dr 2
Diese Gleichung besitzt die allgemeine Lösung
Hs (r) = Aekr + Be− kr . (6-15)
Versuchen wir die Integrationskonstanten durch Einsetzen der Randbedin-

gungen zu ermitteln und berücksichtigen die Stetigkeitsbedingungen
Hit = Hst i und Hat = Hst a an den Stellen r0 und r0 + d , erhalten wir
Hs (r0 ) = Hi = Aekr0 + Be− kr0

(6-16)
und
Hs (r0 + d) = Ha = Aek(r0 + d) + Be− k(r0 + d)

. (6-17)
Somit hätten wir zwei Gleichungen, aus denen die beiden Unbekannten A
und B wie gewohnt ermittelt werden könnten, wäre nur Hi bereits bekannt.
Um schließlich eine weitere Gleichung für die dritte Unbekannte Hi zu

erhalten, ermitteln wir die elektrische Feldstärke im Innenraum und in der
Schirmwand und setzen deren Tangentialkomponenten an der Grenzfläche
Innenraum/Schirmwand einander gleich.
Elektrische Feldstärke im Innenraum und in der Schirmwand:
Innenraum:
Wir gehen aus vom Induktionsgesetz in Differentialform
rotE i = − jωB i = − jωμ0 H i . (6-18)
Da E i nur eine Eϕ (r) -Komponente besitzt ( Ez = 0, E r = 0 ), bleibt von der

Definition der Wirbeldichte rotE
E i in Zylinderkoordinaten,
§ 1 ∂Ez ∂Eϕ · § ∂E r ∂Ez · 1§ ∂ ∂E r ·

rotE i = ¨ − ¸ar + ¨ − ¸ a ϕ + ¨ (rE ϕ ) − ¸az , (6-19)
© r ∂ϕ ∂z ¹ © ∂z ∂r ¹ r © ∂r ∂ϕ ¹
nur der Term

1 d
(rE ϕ )a z (6-20)
r dr
übrig.
So ist auch erklärt, warum H i nur eine Komponente in z-Richtung besitzt.
Hiermit vereinfacht sich das Induktionsgesetz (6-18) zu
1 d
(rE ϕ ) = − jωμ0 Hi (6-21)
r dr
bzw. zu
d(rEϕ ) = − jωμ0 Hi rdr . (6-22)
Beidseitige Integration und Kürzen durch r ergibt
r μ k2
Eϕ = − jωμ0 Hi =− 0 Hi r , (6-23)
2 2μ σ
mit k 2 = jωσμ ,
bzw. an der Grenzfläche Innenraum/Schirm
μ0 k 2
Eϕ (r0 ) = Ei (r0 ) = − Hi r0
2μ σ
. (6-24)
Schirmwand:
Wir gehen aus vom Durchflutungsgesetz in Differentialform
rotH s = σE s . (6-25)
Da H s nur eine Komponente Hz (r) besitzt, das heißt Hs = Hz (r) , Hϕ = 0 ,

Hr = 0 , bleibt von der Definition der Wirbeldichte rotHH s in Zylinder-
koordinaten,
§ 1 ∂Hz ∂Hϕ · § ∂H r ∂Hz · 1§ ∂ ∂H r ·

rotH s = ¨ − ¸ar + ¨ − ¸ a ϕ + ¨ (rHϕ ) − ¸az (6-26)
© r ∂ϕ ∂z ¹ © ∂z ∂r ¹ r © ∂r ∂ϕ ¹
,
nur der Term

∂Hz
− aϕ (6-27)
∂r
übrig.
Hiermit vereinfacht sich das Durchflutungsgesetz (6-25) zu
dHz
− = σEs . (6-28)
dr
Differenzieren wir Gleichung (6-15) nach r
dHs dHz
= kAekr − kBe− kr = (6-29)
dr dr
und setzen das Ergebnis in Gleichung (6-28) ein, erhalten wir
Es = −
1 dHz
σ dr
k
σ
(
= − Aekr − Be− kr ) , (6-30)
bzw. an der Grenzfläche Innenraum/Schirm
Es (r0 ) = −
k
σ
(
Aekr0 − Be− kr0 )
. (6-31)
Jetzt setzen wir die beiden Tangentialkomponenten (6-24) und (6-31) ein-
ander gleich (Stetigkeit der Tangentialkomponenten E it = Est i )
μ0 k 2
−
2μ σ
k
(
Hi r0 = − Aekr0 − Be− kr0
σ
)
μ0
und erhalten mit K = k r0
μ
1
KHi = Aekr0 − Be− kr0
2
. (6-32)
Mit den Gleichungen (6-16), (6-17) und (6-32) stehen uns nun drei Glei-
chungen für die drei Unbekannten Hi , A und B zur Verfügung.
Löst man die beiden Gleichungen (6-16) und (6-32) nach A und B auf und
setzt in Gleichung (6-17) ein, erhält man für die Feldstärke im Innenraum
Ha
Hi =
1
cosh(kd) + K sinh(kd)
2
, (6-33)
bzw. für den Schirmfaktor
Hi 1
Q= =
Ha cosh(kd) + 1 K sinh(kd)
2 , (6-34)
1
und die Schirmdämpfung a s = 20 log
Q
1
a s = 20 lg cosh(kd) + K sinh(kd)
2
. (6-35)
Mit k 2 = jωμσ folgt für
ω → ∞ : k → ∞ und Hi = 0
.
ω→ 0: k → 0 und H i = Ha
Dass für ω → 0 auch bei einem ferromagnetischen Rohr die Schirmdämp-

fung as exakt Null ist, liegt in der Orientierung des Störfelds relativ zum
Rohr sowie in der Tatsache begründet, dass das Rohr an beiden Enden offen
angenommen wurde.
6.1.3 Zylinderschirm im transversalen Feld
Ein Zylinderschirm sei in ein transversal zur z-Achse orientiertes,

homogenes Feld H a getaucht, Bild 6.3.
y
Ha ϕ
Ez Hi
z ro x
Bild 6.3: Zylinderschirm im transversalen H-Feld.
Hier tritt eine neue Problemqualität auf: Um ein transversales Feld kompen-
sieren zu können, braucht man einen axialen, in z-Richtung fließenden
Strom (Rechte-Hand-Regel) bzw. eine axiale Feldstärke Ez = E . Im Gegen-
satz zum vorigen Beispiel erzeugt dieser Strom auch im Außenraum ein Ma-
gnetfeld H R , das sich dem ursprünglichen Feld H a überlagert. Man kann
also im Gebiet „a“ nicht mehr von einem homogenen, konstanten Feld
ausgehen! Die Ermittlung der Feldstärkeverteilung im Gebiet „a“ gestaltet
sich erheblich aufwendiger.
Magnetische Feldstärke:
Außenraum ( r > (r0 + d); σ = 0; k = 0 ) :
Im gewählten Koordinatensystem besitzt die magnetische Feldstärke im

Außenraum zwei Komponenten Hr und Hi ; Hz = 0 . Anstatt die räumlich
zweidimensionale Laplace-Gleichung zu lösen, ermitteln wir zunächst die
dem Magnetfeld über H = gradϕm zugeordnete Potentialfunktion ϕm (s.
B18), aus der wir anschließend durch schlichte Differentiation die beiden
Komponenten Hi und Hr berechnen können. Das magnetische Potential-
feld ϕm im Außenraum ist eine Überlagerung des Potentialfelds ϕa des ur-
sprünglichen Felds Ha und des Potentialfelds ϕR des magnetischen Rück-
wirkungsfelds HR ,
ϕm = ϕa + ϕR . (6-36)
Zur Ermittlung von ϕm lösen wir die Laplace-Gleichung des magnetischen

Skalarpotentials in Zylinderkoordinaten
2 2
1 ∂ § ∂ϕm · 1 ∂ ϕm ∂ ϕm
Δϕm = ¨r ¸ + + =0 . (6-37)
r ∂r © ∂r ¹ r 2 ∂ϕ2 ∂z2
Da ϕm in z-Richtung konstant ist, vereinfacht sich (6-37) zu
2
1 ∂ § ∂ϕm · 1 ∂ ϕm
Δϕm = ¨r ¸ + =0 . (6-38)
r ∂r © ∂r ¹ r 2 ∂ϕ2
Jetzt differenzieren wir noch den ersten Term nach der Produktregel und er-
halten
∂ 2 ϕm 1 ∂ϕm 1 ∂ 2 ϕm
Δϕm = + + 2 =0 . (6-39)
∂r 2 r ∂r r ∂ϕ2
Diese partielle Differentialgleichung lösen wir mittels des Produktansatzes.

Wir wissen, dass ϕm in großer Entfernung vom Schirm mit ϕa überein-
stimmen muss, das heißt
lim ϕm = ϕa = Ha y . (6-40)
r →∞
Drückt man y durch Zylinderkoordinaten aus, das heißt y = r sin ϕ , dann

wird es in Schirmnähe eine Funktion f(r) = Ha r geben, nahe gelegt durch
ϕm = f(r)sin ϕ . (6-41)
Diesen Lösungsansatz setzen wir in die partielle Differentialgleichung (6-39)

ein,
1 1
f ''(r)sin ϕ + f '(r)sin ϕ − 2 f(r)sin ϕ = 0 , (6-42)
r r
dividieren durch sin ϕ und erhalten eine gewöhnliche Differentialgleichung

2. Ordnung in r,
1 1
f ''(r) + f '(r) − 2 f(r) = 0 . (6-43)
r r
Dieser Differentialgleichungstyp hat bekanntlich zwei Lösungen
C2
f1 = C1 r und f2 = . (6-44)
r
Ein Koeffizientenvergleich mit (6-41) liefert für r → ∞
C1 = Ha . (6-45)
Die Konstante C2 stellen wir als Produkt dar,
C2 = Ha (r0 + d)2 R , (6-46)
in dem Ha (r0 + d)2 durch r dividiert die Potentialfunktion des Rückwir-

kungsfelds eines Liniendipols ist, gebildet aus den in positiver und negativer
z-Richtung fließenden Strömen in beiden Rohrhälften. R ist ein dimensions-
loser Skalierungsfaktor, so dass C2 / r die gleiche Dimension besitzt wie
C1 r , das heißt die des magnetischen Skalarpotentials. Damit erhalten wir
§ 1 ·
ϕm = (f1 + f2 )sin ϕ = ¨ Ha r + Ha (r0 + d)2 R ¸ sin ϕ (6-47)
© r ¹
bzw.
§ (r + d)2 R ·
ϕm = H a ¨ r + 0 ¸¸ sin ϕ
¨ r
© ¹ . (6-48)
Der Term Ha (r0 + d)2 / r beschreibt die Struktur des Rückwirkungsfelds

(Potentialfeld eines Liniendipols), der Faktor R seine Stärke (Funktion der
Schirmabmessungen und des Schirmmaterials).
Aus (6-48) folgen durch Gradientbildung, H = gradϕm ,
∂ϕm § (r + d)2 R ·
Hr = = Ha ¨ 1 − 0 2 ¸¸ sin ϕ (6-49)
∂r ¨ r
© ¹
und
∂ϕm § (r + d)2 R ·
Hϕ = = Ha ¨ 1 + 0 2 ¸¸ cos ϕ . (6-50)
r∂ϕ ¨ r
© ¹
In diesen Gleichungen steckt nach wie vor noch die unbekannte Integrati-
onskonstante C2 (verborgen in R). Diese muss noch aus den Stetigkeits-
bedingungen ermittelt werden.
Innenraum (r < r0 ; σ = 0; k = 0) :
Die Lösung der Laplace-Gleichung für den Innenraum führt auf nahezu die
gleichen Terme wie im Außenraum, (6-49) und (6-50), wobei jedoch Hi
endlich bleiben muss. Das heißt, dass die durch r 2 dividierten Glieder ver-
schwinden,
Hr = Hi sin ϕ = QHa sin ϕ , (6-51)
Hϕ = Hi cos ϕ = QHa cos ϕ . (6-52)
Nun könnten wir zwar die Feldstärke im Außenraum zur Feldstärke im In-
nenraum in Beziehung setzen, der Schirmfaktor Q enthielte aber noch die
Unbekannte R und implizierte sich selbst. Zur Lösung dieses Problems be-
rechnen wir zunächst die elektrische Feldstärke in der Schirmwand, berech-
nen aus ihr über das Induktionsgesetz die magnetische Feldstärke und setzen
dann die Tangentialkomponenten der magnetischen Feldstärken an beiden

Grenzflächen der Schirmwand einander gleich.
Schirmwand (r0 ≤ r ≤ (r0 + d); σ ≠ 0; k ≠ 0) :
Elektrische Feldstärke:
Die elektrische Feldstärke besitzt nur eine Komponente in z-Richtung, das

heißt E = Ez (r, ϕ) . Die Diffusionsgleichung vereinfacht sich daher wegen
E r = 0 und Eϕ = 0 bei gleichzeitiger Differentiation wie Gl. (6-38) zu
∂ 2 Ez 1 ∂Ez 1 ∂ 2Ez
+ + 2 = k 2 Ez . (6-53)
∂r 2 r ∂r r ∂ϕ 2
Ihre Lösung suchen wir wieder mit Hilfe eines Produktansatzes, der jedoch
hier wegen der cosinusförmigen Verteilung von Ez über dem Rohrumfang
( Ez = 0 für ϕ = π / 2 ) gewählt wird zu
Ez = g(r)cos ϕ . (6-54)
Diesen Lösungsansatz setzen wir in die partielle Differentialgleichung (6-53)

ein,
1 1
g ''(r)cos ϕ + g '(r) cos ϕ − g(r) 2 cos ϕ = k 2 g(r)cos ϕ , (6-55)
r r
dividieren durch cos ϕ und erhalten eine gewöhnliche Differentialgleichung

zweiter Ordnung in r,
1 1
g ''(r) + g '(r) − 2 g(r) = k 2 g(r) . (6-56)
r r
Ihre Lösung führt auf Zylinderfunktionen, weswegen wir uns wieder auf das
ebene Problem beschränken.
Für r0 d (dünnwandige Schirme) verschwinden die Terme mit den Fakto-

ren 1/ r und 1/ r 2 , da sie einen merklichen Beitrag nur in der Nähe der
Zylinderachse leisten,
g ''(r) − k 2 g(r) = 0 . (6-57)
Gleichung (6-57) besitzt die allgemeine Lösung
g = Aekr + Be− kr . (6-58)
Damit folgt die allgemeine Lösung der Feldstärke zu
( )
Ez = Aekr + Be− kr cos ϕ
. (6-59)
Magnetische Feldstärke:
Mit Hilfe des Induktionsgesetzes in Differentialform rotE = − jωμH können

wir aus (6-59) die magnetische Feldstärke in der Schirmwand ermitteln. Für
den Komponentenvektor rot r Ez der Rotation erhalten wir
∂Ez
rot r Ez = = − jωμHr . (6-60)
r∂ϕ
Wir differenzieren zunächst (6-59) nach ϕ , setzen in (6-60) ein und lösen
nach Hr auf,
Hr =
1
jωμr
(
Aekr + Be− kr sin ϕ )
. (6-61)
Für den Komponentenvektor rot ϕEz erhalten wir
∂Ez
rot ϕEz = − = − jωμHϕ . (6-62)
∂r
Wir differenzieren jetzt (6-59) nach r, setzen in (6-62) ein und lösen nach
Hϕ auf,
Hϕ =
k
jωμ
(
Aekr − Be− kr cos ϕ )
. (6-63)
Das Gleichsetzen der Tangentialkomponenten der magnetischen Feldstärke

an der Innen- und Außenwand des Schirmes führt auf vier Gleichungen für
die Unbekannten R, Q, A und B. Setzt man die Feldstärken im Außen- und
Innenraum zueinander ins Verhältnis bzw. löst man nach Q auf, so erhält
man
Hi 1
Q= = . (6-64)
Ha 1§ 1·
cosh(kd) + ¨ K + ¸ sinh(kd)
2© K¹
Löst man nach R auf, so ergibt sich
1§ 1·
¨ K − ¸ sinh(kd)
2© K¹
R=
1§ 1·
2© K¹
. (6-65)
Diskussion für μ r = 1 (unmagnetischer Schirm):
Für hohe Frequenzen strebt 1/K gegen 0, so dass sich der gleiche Schirmfak-
tor ergibt wie beim Zylinder im longitudinalen Feld. Die Schirmwirkung für
magnetostatische Felder ist wegen μ r = 1 eo ipso Null. Mit Hilfe des Rück-
wirkungsfaktors lässt sich zeigen, dass bei hohen Frequenzen Hr auf der
äußeren Schirmoberfläche verschwindet, das Feld also tangential an der
Schirmwand entlang läuft (faktisch vom Schirm weg in den Außenraum ge-
drängt wird).
Diskussion für μ r 1 (ferromagnetischer Schirm):
Wegen μ r 1 werden bei niedrigen Frequenzen bzw. f = 0 die magneti-

schen Feldlinien in der Schirmwand gebrochen (Brechungsgesetz), was je-
doch nur bei dickwandigen Schirmen (s. a. Absch. 5.3) und kleinen Rohr-
durchmessern zu einer merklichen magnetostatischen Schirmwirkung führt.
Mit Hilfe des Rückwirkungsfaktors R lässt sich zeigen, dass das Magnetfeld
bei r = r0 + d nur noch eine r-Komponente besitzt, die Feldlinien also recht-
winklig auf der Schirmwand münden. Bei hohen Frequenzen bzw. geringer
Eindringtiefe ( δ d ) verschwindet dieser Effekt wieder und das Feld ver-
läuft tangential zur Schirmoberfläche wie beim unmagnetischen Schirm auch
[3.8].
6.1.4 Zylinderschirm im elektromagnetischen Wellenfeld
Ein Zylinderschirm befindet sich in einem elektromagnetischen Wellenfeld

(Fernfeld einer Antenne), die einfallende elektrische Feldstärke E E sei paral-
lel zur Zylinderachse orientiert, Bild 6.4.
HE P
rp
EE
y
r0
x
d Bild 6.4: Zylinderschirm ( m r = 1 ) im

z elektromagnetischen Wellenfeld E , H .
Während im bislang betrachteten quasistatischen Fall nur ein magnetisches

Rückwirkungsfeld H R entstand (s. Abschn. 5.3.2 u. 6.1.3), tritt hier auch ein
merkliches elektrisches Rückwirkungsfeld E R auf (s. Abschn. 5.4). Dank der
Vernachlässigung des Verschiebungsstroms galt in den vorangegangenen
Kapiteln im Innen- und Außenraum rotH = 0 , was uns erlaubte, die magnet-
ischen Feldkomponenten Hr und Hi aus einem magnetischen Skalar-
potential ϕm zu ermitteln. Hier gilt wegen der Berücksichtigung des Ver-
schiebungsstroms rotH = − jωε0 E . Die Feldstärken im Innen- und Außen-
raum müssen daher jetzt für die einfallende und reflektierte Welle aus den
Wellengleichungen ermittelt werden (s. Abschn. 6.1),
ΔH = (jω)2 εμH und ΔE = (jω)2 εμE (6-66)

bzw.
ΔH = − k 02 H und ΔE = − k 20 E . (6-67)
Das Störfeld sei eine monochromatische ebene TEM-Welle mit den Wellen-
gleichungen
ΔH E + k02H E = 0 und ΔE E + k 02 E E = 0 , (6-68)
die in einem kartesischen Koordinatensystem folgende Lösungen haben (ab

hier verzichten wir wieder auf Fettdruck und Unterstreichen):
HE = Ha e− jk0 x und EE = −Z0 Ha e− jk0 x . (6-69)
In (6-69) bezeichnet Ha die Wellenamplitude der magnetischen Feldstärke in

Abwesenheit des Schirms und Z0 = μ0 / ε0 den Feldwellenwiderstand des
freien Raums; das Minuszeichen indiziert, dass positive E in die negative z-
Richtung weisen.
Die Lösungen der Wellengleichungen (6-68) in kartesischen Koordinaten

lauten in Polarkoordinaten
HE = Ha e− jk0 r cos ϕ und EE = −Z0Ha e− jk0 r cos ϕ . (6-70)
Dies sind wohlgemerkt immer noch die Lösungen der Wellengleichung in

kartesischen Koordinaten, lediglich in Polarkoordinaten dargestellt. Um die
Stetigkeitsbedingungen an der Zylinderoberfläche ausschöpfen zu können,
benötigen wir jedoch die Lösungen einer Wellengleichung in Zylinderkoor-
dinaten, die sich bekanntlich als sog. Zylinderfunktionen ergeben [B1].
Beispielsweise erhält man für die elektrische Feldstärke nach Approximation
des Exponentialfaktors durch eine Fourierreihe
EE = −Z0 Ha e− jk0 x = −Z0 Ha e− jk0 r cos ϕ
bzw.
ª ∞ º
E
«¬
¦
E = −Z0Ha « J0 (k 0 r) + 2 ( − j)n Jn (k 0 r)cos(nϕ)»
n =1 »¼
. (6-71)
In dieser Gleichung sind Jn die Besselsche Funktionen n-ter Ordnung.
Mit den Lösungsansätzen gemäß (6-71) berechnen wir zunächst die totalen
Felder
E = EE + ER und H = HE + HR (6-72)
im Außenraum, hieraus die Felder in der Schirmwand und aus letzteren die
Felder im Innenraum. In der Schirmwand ergänzen sich die einfallende und
die reflektierte Feldstärke zu Null, das heißt EE + ER = 0 bzw. EE = −ER .
Außenraum ( r > r0 ) :
Die elektrische Feldstärke einer von einem Zylinder ausgestrahlten elektro-

magnetischen Welle, hier die reflektierte Welle ER , wird beschrieben durch
ª ∞ º
ER = Z0 Ha « b0 H(2)
«¬
0 (k 0 r) + 2 ¦
n =1
( − j)n bn H(2)
n (k 0 r)cos(nϕ)»
»¼
. (6-73)
Im Gegensatz zu (6-71) treten hier an Stelle der Besselschen Funktionen Jn

die Hankelschen Funktionen zweiter Art H(2) n auf, die speziell die Aus-
strahlung einer Welle beschreiben. An der Schirmoberfläche, r = r0 , ergän-
zen sich bei einem guten Leiter einfallende und reflektierte Feldstärke zu 0,
das heißt EE (r0 ) = −ER (r0 ) . Die noch unbekannten Koeffizienten erhalten
wir durch Koeffizientenvergleich von (6-71) und (6-73) an der Stelle r = r0 .
Hieraus folgt
Jn (k 0 r0 ) (6-74)
bn = .
H(2)
n (k 0 r0 )
Setzen wir die Koeffizienten bn in (6-73) ein, können wir das resultierende
Feld im Außenraum angeben,
ª J0 (k0 r0 ) (2)
E = ER + EE = Z0 Ha « (2) H0 (k 0 r) − J0 (k 0 r)
«¬ H0 (k 0 r0 )
∞ º
° Jn (k 0 r0 ) (2) ½°
+2 ¦(−j)
n =1
n
® (2)
¯° Hn (k 0 r0 )
Hn (k 0 r) − Jn (k 0 r)¾ cos(nϕ)»
¿° ¼»
. (6-75)
Die magnetische Feldstärke im Außenraum ermitteln wir aus (6-75) mit

Hilfe des Induktionsgesetzes. Da E nur eine Komponente in der z-Achse
besitzt, das heißt E = Ez (r, ϕ) , reduziert sich das Induktionsgesetz in

Differentialform, rotE = − jωμ0 H , auf
∂E ∂E
= jωμ0 Hϕ und = − jωμ0 H r .
∂r r∂ϕ
Damit erhalten wir
1 ∂E ª J0 (k 0 r0 ) (2)'
Hϕ = = jHa « J'0 (k 0 r) − (2) H0 (k0 r)
jωμ0 ∂r «¬ H0 (k 0 r0 )
∞ º
° Jn (k 0 r0 ) (2)' ½°
+2 ¦(− j)
n =1
n
® J'n (k0 r) − (2)
¯° Hn (k0 r0 )
Hn (k 0 r)¾ cos(nϕ)»
¿° »¼
(6-76)
und
∞
1 ∂E 2jHa ° Jn (k 0 r0 ) (2) °½
Hr = −
jωμ0 r ∂ϕ
=
k0 r ¦ n(−j)
n =1
n
⋅ ® Jn (k0 r) − (2)
¯° Hn (k0 r0 )
Hn (k0 r)¾ sin(nϕ) . (6-77)
¿°
Das negative Vorzeichen des Induktionsgesetzes verschwindet wegen

1/ j = − j; Z0 / ωμ0 wurde durch k 0−1 ersetzt.
Damit haben wir das resultierende Feld im Außenraum bezüglich der elek-
trischen Feldstärke, Gleichung (6-75), und der magnetischen Feldstärke,
Gleichungen (6-76) und (6-77), vollständig beschrieben.
Schirmwand ( r0 ≥ r ≥ (r0 − 2) ) :
Ausgehend von (6-76) folgt die magnetische Tangentialfeldstärke an der

Schirmoberfläche ( r = r0 ) zu
1 ∂E ª J' (k r) ⋅ H(2) (k 0 r0 ) J0 (k 0 r0 ) (2)'

Hϕ ( r0 ) = = jHa « 0 0 (2) 0 − (2) H0 (k0 r)
jωμ0 ∂r «¬ H0 (k 0 r0 ) H0 (k 0 r0 )
∞
° J' (k r) ⋅ H(2)(k 0 r0 ) Jn (k0 r0 ) (2)' ½° º
+2 ¦
n =1
(− j)n ® n 0 (2) 0
¯° Hn (k0 r0 )
− (2)
Hn (k0 r0 )
Hn (k0 r)¾ cos(nϕ)» .(6-78)
¿° »¼
Da zwischen Hankel- und Besselfunktionen die Beziehung
2
H(2)' (2)
n J n − Hn J'n = (6-79)
πjz
besteht, (hier z = k 0 r0 ), lässt sich Gl. (6-78) vereinfachen zu
ª ∞ º
2Ha 1 1
Hϕ (r0 ) = −
πk0 r0
« (2)
«¬ H0 (k0 r0 )
¦
+ 2 ( − j)n (2)
n =1
Hn (k 0 r0 )
cos(nϕ)»
»¼
. (6-80)
Für r0 d dürfen wir die Schirmwand wieder als ebenes Problem auffassen.
Wir erhalten innerhalb der Wand für Hi aus der Diffusionsgleichung
∂ 2 Hϕ
= k 2 Hϕ (6-81)
∂r 2
und den Randbedingungen Hϕ (r0 ) gemäß Gl. (6-7) sowie Hϕ (r0 − d) = 0
sinh ( k [(d − r0 ) + r ])
Hϕ = Hϕ (r0 ) . (6-82)
sinh ( kd )
Das Durchflutungsgesetz rotH = J = σE erlaubt uns die Berechnung der

elektrischen Feldstärke an der inneren Oberfläche aus Hi . Für Ez erhalten
wir zunächst
1 ∂Hϕ 1 k cosh ( k [(d − r0 ) + r ])
Ez = = Hϕ (r0 ) , (6-83)
σ ∂r σ sinh ( kd )
und an der Stelle (r0 − d)
k jωμ0 r0
Ez = Ez (r0 − d) = Hϕ (r0 ) = QHϕ (r0 ) (6-84)
σ sinh ( kd ) 2
2
mit Q≈ (für große d) .
kr0 sinh ( kd )
Mit Hi (r0 ) gemäß (6-80) folgt hieraus
∞
j ª 1 cos ( nϕ ) º
Ez (r0 − d) = − QZ0Ha « (2)
π ¬« H0 (k0 r0 )
+ 2 ( − j)n (2)
n =1
¦ »
Hn (k0 r0 ) ¼»
. (6-85)
Als nächstes berechnen wir EZ im Innenraum und setzen das Ergebnis an

der Stelle r0 − d mit (6-85) gleich.
Innenraum ( r < (r0 − d) ) :
Wie im Außenraum ist auch im Innenraum die elektrische Feldstärke

Lösung der Wellengleichung ΔE + k 20 E = 0 (vgl. (6-71)),
∞
E = c0 J0 (k0 r) + 2 ¦(− j) c J (k r)cos(nϕ)
n =1
n
n n 0 . (6-86)
Mit Hilfe der Stetigkeitsbedingung und einem Koeffizientenvergleich mit (6-

85) erhalten wir die unbekannten Koeffizienten cn zu
ϕQZ0 Ha
cn = − , (6-87)
πHn (k0 r0 )Jn (k 0 r0 )
und die Feldstärke zu
ª ∞ º
j J (k r) J (k r)
Ei = − QZ0 Ha « (2) 0 0
π «¬ H0 (k 0 r0 )J0 (k 0 r0 ) n =1
¦
+ 2 ( − j)n (2) n 0
Hn (k0 r0 )Jn (k 0 r0 )
cos(nϕ)» .
»¼
(6-88)
Die magnetische Feldstärke im Innenraum berechnen wir aus Gl. (6-88) mit
dem Induktionsgesetz und erhalten (mit Z0 = μ0 / ε0 )
1 ∂E j ª J' (k r)
Hϕ = = − QHa « (2) 0 0
jωμ0 ∂r π «¬ H0 (k 0 r0 )J0 (k 0 r0 )
∞ º
J'n (k0 r)
+2 ¦(− j)
n =1
n
H(2)
n (k 0 r0 )J n (k 0 r0 )
cos(n ϕ)»
»¼
(6-89)
sowie
∞
1 ∂E 2QHa Jn (k0 r)
Hr = −
jωμ0 r ∂ϕ
=−
πk 0 r ¦ n(− j)
n =1
n
(2)
Hn (k 0 r0 )Jn (k 0 r0 )
sin(nϕ) . (6-90)
In der Zylinderachse zeigt die Feldstärke in y-Richtung, wir erhalten für

j QHa
Hϕ (r = 0, ϕ = 0) = (6-91)
π H1 J1
und für
Hϕ (r = 0) j
=Q . (6-92)
Ha πH1 J1
Die magnetische Schirmdämpfung für die H-Komponente einer elektro-

magnetischen Welle im Mittelpunkt des Zylinders folgt danach zu
Ha
a m = 20 lg = −20 lg Q + 20 lg πH1 J1
Hϕ (r = 0)
as Δa m
. (6-93)
Die Dämpfung setzt sich zusammen aus der Schirmdämpfung a s für den
quasistatischen Fall zuzüglich einem Term Δa m , der die Wellennatur be-
rücksichtigt. Den Verlauf von Δa m zeigt Bild 6.5.
Bild 6.5: Differenzdämpfung Δa m für elektromagnetische Wellen (μ = μ0 ) .

Bei niedrigen Frequenzen bzw. großen Wellenlängen, λ 0 r0 , stimmt die

Schirmdämpfung a m mit der quasistatischen Schirmdämpfung a s überein
(Δa m = 0) . Mit steigender Frequenz nimmt Δa m anfänglich zu, um dann
aber negativ zu werden und die Schirmwirkung bei bestimmten Verhält-
nissen r0 / λ0 stark zu reduzieren (Resonanzkatastrophe). Die Minima der
Schirmdämpfung decken sich mit den Resonanzstellen des als Hohlraum-
resonator aufgefassten Schirms. Resonanzen sind auch bei hochwertigen
Schirmen unvermeidbar. Eine Abhilfe kann jedoch die Änderung der
Schirmgeometrie, z. B. durch Einfügen von Diffusoren, oder das Einbringen
von absorbierendem Material leisten, dass die elektromagnetische Energie im
Schirminnern aufnimmt und somit dämpfend auf die Eigenresonanzen wirkt.
Für die elektrische Feldstärke in der Zylinderachse erhalten wir aus Gl. (6-
88)
jQZ0 Ha
E(r = 0) = − , (6-94)
πH0 J0
und für
E(r = 0) jQ
=− .
Z0 Ha πH0 J0
Die elektrische Schirmdämpfung für die E-Komponente einer elektromagne-

tischen Welle folgt daraus zu
Z0 Ha πH0 J0
a e = 20 lg = 20 lg = −20 lg Q + 20 lg πH0 J0
E(r = 0) Q
as Δae . (6-95)
Auch hier lässt sich die Dämpfung wieder zusammensetzen aus der Schirm-
dämpfung a s für den quasistatischen Fall magnetischer Schirmdämpfung zu-
züglich einem Term Δa e , der die Wellennatur berücksichtigt.
Bei niedrigen Frequenzen bzw. großen Wellenlängen, λ 0 r0 , strebt die

Schirmdämpfung a e gegen unendlich, da Δa e für f = 0 unendlich wird
(idealer Faradaykäfig), Bild 6.6. Mit steigender Frequenz nimmt die elektri-
sche Schirmdämpfung ab, da die Umverteilung der Ladungen beim Umpolen
des Feldes zunehmend hinterherhinkt und eine vollständige Kompensation
des eindringenden Feldes nicht mehr möglich ist. Für bestimmte diskrete
Frequenzen tritt auch für das E-Feld die Resonanzkatastrophe ein und wirkt
sich dadurch mindernd auf die Schirmdämpfung aus.
Bild 6.6: Differenzdämpfung Δa e für elektromagnetische Wellen (μ = μ0 ) .
In gleicher Weise wie oben lässt sich auch die Schirmdämpfung für eine
Welle mit parallel zur Achse orientierter magnetischer Feldstärke berechnen.
Man erhält für die magnetische Schirmdämpfung
a m = −20 lg Q + 20 lg πH1 J1

as Δam (6-96)
und für die elektrische Schirmdämpfung
a e = −20 lg Q + 20 lg πH'1 J'1

as Δae . (6-97)
Unabhängig von der Polarisationsrichtung der Welle zeigt die magnetische

Schirmdämpfung das gleiche Verhalten, für die elektrische Schirmdämpfung
sind jedoch die Resonanzstellen geringfügig verschoben, da in Δa e die Ablei-
tungen der Zylinderfunktionen erster Ordnung auftreten. Die ausführliche
Herleitung einschließlich einer weitergehenden Interpretation der Ergeb-

nisse findet der Leser bei Kaden [B1].
6.1.5 Kugelschirm im elektromagnetischen Wellenfeld
Auf ähnliche Weise wie für den Zylinderschirm (nur noch aufwendiger) lässt
sich auch für Kugelschirme mittels eines Kugelkoordinatensystems und zuge-
höriger Kugelfunktionen (Lösungen der Wellengleichung in Kugelkoordina-
ten) die Schirmdämpfung für quasistatische Felder und für elektromagneti-
sche Wellen berechnen.
Hier seien lediglich die Ergebnisse angegeben, eine kompakte Herleitung

findet der Leser bei Kaden [B1].
Quasistatisches Magnetfeld:
1
Q=
1§ 2·
3© K¹
, (6-98)
1§ 2·
a s = −20 lg Q = 20 lg cosh(kd) + ¨ K + ¸ sinh(kd)
3© K¹
. (6-99)
Elektromagnetisches Wellenfeld:
Magnetische Feldkomponente:
3 1 + (k 0 r0 )2 sin(k0 r0 ) − k0 r0 cos(k 0 r0 )
a m = −20 lg Q + 20 lg
(k0 r0 )3
as
Δa m .(6-100)
Elektrische Feldkomponente:
a e = −20 lg Q

as
+20 lg
( )
3 1 − (k 0 r0 )2 + (k0 r0 )4 (k 0 r0 )2 − 1 sin(k 0 r0 ) + k 0 r0 cos(k0 r0 )
5
(k 0 r0 )
. (6-101)
Δae
Für Δa m und Δa e ergibt sich qualitativ der gleiche Verlauf wie beim Zylin-
derschirm, die Resonanzstellen sind jedoch aufgrund der anderen Geometrie
zu größeren Werten hin verschoben.
Der Leser wird zu bedenken geben, dass Kugelschirme in der Praxis recht
selten sind und mag sich fragen, wie er denn die Schirmwirkung einer ecki-
gen Schirmkabine berechnen soll. In Anbetracht des bereits erheblichen
Aufwandes für die Kugelgeometrie versucht man nicht, die eckige Kabine
analytisch exakt zu berechnen, sondern nähert sie als Kugel an, deren Radius
r0 der halben Kantenlänge der Kabine entspricht. Aufgrund des Eckeneffekts
ist die Schirmwirkung in der Nähe der Ecken geringer, da der Wandstrom
einen größeren Weg zurücklegen muss und damit einen größeren ohmschen
und induktiven Spannungsabfall längs der Wand verursacht (vgl. „Näher-
ungen“ bei Blitzschutzanlagen). Der Eckeneffekt lässt sich durch verrundete
Ecken und höhere Wandstärke im Eckenbereich ausgleichen [6.14].
Für eine Kabine von 2 m Kantenlänge hat Kaden [3.8] den Dämpfungsver-
lauf berechnet und graphisch dargestellt, Bild 6.7. Die Schirmdämpfung as
für quasistatische magnetische Felder steigt zwar theoretisch auf sehr hohe
Werte an, bleibt aber in praxi wegen betrieblich bedingter Schwachstellen im
Schirm, z.B. durch Türfugen, Wabenkaminfenster, Netzeinspeisung, ect.,
endlich; im hiesigen Beispiel ≤ 100dB . Zu diesem Wert addieren bzw.
subtrahieren sich die wellenbedingten Zusatzdämpfungen Δa e und Δa m ,
deren Verlauf bereits bei den Bildern 6.5 und 6.6 diskutiert wurde.
Je geringer die Güte des Hohlraumresonators (beispielsweise infolge

zahlreicher Messgeräte im Innern) desto schwächer ausgeprägt sind die
Resonanzstellen. Weitere Hinweise über die minimale Schirmdämpfung von
Kugelschirmen im Resonanzfall finden sich unter anderem bei Lindell [6.18].
Bild 6.7: Schirmdämpfung einer Messkabine von 2 m Kantenlänge und 0,1 mm

Kupferfolie (nach Kaden [3.8]).
Die in den Abschn. 6.1.2–6.1.5 vorgestellten analytischen Berechnungen

stellen hohe Anforderungen an das verfügbare mathematische Rüstzeug und
erhellen, warum in praxi die nachstehend erläuterte Impedanzmethode eine
große Verbreitung gefunden hat.
Die Komplexität der Aufgabenstellungen lässt sich beliebig weiter steigern.

Aufbauend auf den bisherigen Betrachtungen kann die Berechnung von
Mehrfachschirmen [6.15–6.17] oder gar die Verformung von Zeitbereichs-
signalen durch leitende und ferromagnetische Schirme, auch unter Berück-
ichtigung der Sättigung, berechnet werden, was jedoch der weiterführenden
Literatur vorbehalten bleiben muss [6.19–6.24, 6.27],
6.2 Impedanzkonzept
6.2.1 Klassische Betrachtungsweise
Die im Abschnitt 6.1 beispielhaft vorgestellte analytische Berechnung der

Schirmdämpfung ist zwar sehr leistungsfähig, andererseits aber auch mathe-
matisch sehr anspruchsvoll. Für schnelle, praktische Abschätzungen hat
Schelkunoff daher schon sehr früh ein einfacheres Schirmdämpfungsmodell
6.2 Impedanzkonzept 265
entwickelt, das auf einer Analogie zur Wanderwellenausbreitung auf elek-

trisch langen Zweidrahtleitungen beruht [5.2, 5.3]. Wanderwellen sind lei-
tungsgeführte TEM-Wellen (Elektromagnetische Wellen mit transversal zur
Ausbreitungsrichtung orientierten E - und H -Feldstärkevektoren), so dass
sich die für sie erarbeiteten Formalismen unschwer auf ebene Wellen im
freien Raum übertragen lassen. Man ersetzt einfach in den sie be-
schreibenden Leitungsgleichungen [1.6] die komplexen Amplituden von Ein-
gangsspannung U1 und Eingangsstrom I 1 durch die komplexen Feldstärken
E1 und H1 sowie Spannung U2 und Strom I 2 am Ende durch E 2 und H 2 .
Ähnlich wie Wanderwellen an Leitungsdiskontinuitäten teilweise reflektiert,

teilweise durchgelassen bzw. längs verlustbehafteter Leitungen gedämpft
werden, erfahren auch elektromagnetische Wellen an Diskontinuitäten des
freien Raumes Reflexionen und innerhalb von Materie eine Schwächung.
Eine Schirmwand quer zur Ausbreitungsrichtung einer ebenen Welle ver-
ursacht vergleichbare Effekte wie eine verlustbehaftete Leitung kleinen
Wellenwiderstands im Zug einer verlustfreien elektrisch langen Leitung
vergleichsweise hohen Wellenwiderstands, Bild 6.8.
Störquellen-Raum Schirmwand Störsenken-Raum

(Außenraum, Index a) (Index S) (Innenraum, Index i)
Feldwellenwiderstand Za Feldwellenwiderstand ZS Feldwellenwiderstand Zi
Einfallende Welle H Sa HSi

H a , Ea ESa E Si
Austretende Welle
Hi , Ei
Reflektierte Welle
HRa ERa
Reflexionsdämpfung Ra
d
Grenzfläche a Grenzfläche i
Bild 6.8: Wanderwellenanalogie für eine ebene Welle, die auf eine quer zur Aus-
breitungsrichtung orientierte, unendlich ausgedehnte Schirmwand trifft (Reflexion,
Transmission und Absorption).
Die gesamte Schirmdämpfung S eines elektromagnetischen Schirms (im

deutschsprachigen Raum mit „a“ bezeichnet) setzt sich dann aus mehreren
Anteilen zusammen
S ≡ a = R +A+B
. (6-102)
In dieser Gleichung bedeuten
R die Reflexionsdämpfung an den Grenzflächen a und i

A die Absorptionsdämpfung durch die Abschwächung in der Schirmwand
(Umwandlung elektromagnetischer Energie in Wärme durch Stromwär-
meverluste)
B ein Korrekturterm, der die mehrfachen Reflexionen innerhalb der Schirm-
wand berücksichtigt (kann entfallen für A > 10!15dB )
Die einzelnen Abschwächungskomponenten sollen im Folgenden näher er-

läutert werden.
6.2.1.1 Reflexionsdämpfung
Die Reflexionsdämpfung besteht aus zwei Anteilen R a und R i gemäß den

zwei Grenzflächen a und i. Unter der Voraussetzung Za ZS wird ein
Großteil der ankommenden Energie an der Grenzschicht a reflektiert und
fließt zur Quelle zurück. Gemäß der Wanderwellentheorie ergibt sich für das
Verhältnis der ankommenden Welle zur durchgelassenen Welle, z. B. für das
elektrische Feld
Ea Z + ZS
= a . (6-103)
ESa 2ZS
In gleicher Weise erfolgt auch an der inneren Grenzschicht i eine Beeinflus-

sung der Welle durch Reflexion, die sich der ersten multiplikativ überlagert.
Für die gesamte Schwächung durch Reflexion erhält man somit (mit
Zi = Za )
Ea ( Za + ZS )
2
= , (6-104)
Ei 4ZS Za
Za
bzw. mit K= ,
ZS
Ea (1 + K )
2
= . (6-105)
Ei 4K
Damit ergibt sich die Reflexionsdämpfung zu
( Za + ZS )2 (1 + K )2
R = 20 lg = 20 lg . (6-106)
4ZS Za 4K
Zur praktischen Abschätzung der Schirmdämpfung benötigt man einfache

Faustformeln für die Feldwellenimpedanzen Za , ZS und Zi .
Feldwellenimpedanz im Störquellenraum:
Fernfeld:
Befindet sich die Schirmwand im Fernfeld der Störquelle, so ist Za mit dem
Feldwellenwiderstand des freien Raumes identisch (vgl. Abschn. 5.1),
Za = Z0 = 377 Ω . (6-107)
Nahfeld:
Befindet sich die Schirmwand im Nahfeld der Störquelle, so ist, wie im

Abschn. 5.1 ausführlich gezeigt wurde, der Feldwellenwiderstand sowohl
eine Frage des Abstands r von der Störquelle als auch von ihrer Natur. In
hochohmigen (quasistatischen elektrischen) Feldern (Stabantennen) gilt
λ 18 ⋅ 103
Za = Z0 = Ω . (6-108)
2πr rm fMHz
In niederohmigen (quasistatischen magnetischen) Feldern (Rahmenanten-
nen) gilt
2 πr
Za = Z 0 = 7, 9 r m fMHz Ω . (6-109)
λ
Feldwellenimpedanz der Schirmwand:
Der Feldwellenwiderstand (engl.: intrinsic impedance ) von Materie berech-

net sich allgemein zu
jωμ
ZS = . (6-110)
σ + jωε
Speziell für Metalle ( σ jωε ) gilt unter der Voraussetzung Wandstärke

groß gegen Eindringtiefe (s. u.)
jωμ ωμ
ZS = = (1 + j) (6-111)
σ 2σ
2πfμ
bzw. ZS = ZS = (6-112)
σ
Häufig wird ZS auch mit Hilfe der Eindringtiefe
1
δ= (6-113)
πfμσ
2
ausgedrückt, ZS = . (6-114)
σδ
Schließlich lässt sich die Reflexionsdämpfung unmittelbar durch die Mate-

rialkonstanten etc. ausdrücken,
μ r fMHz
Fernfeld R dB = 108 − 10 lg
σr
3
Elektrisches μ r fMHz rm2
R dB = 142 − 10 lg
Nahfeld σr
Magnetisches μr
R dB = 75 − 10 lg
Nahfeld fMHz σr rm2
. (6-115)
In Gleichung (6-115) bedeutet σ r die auf Kupfer bezogene relative Leitfähig-
keit,
σ σ
σr = = , (6-116)
σCu 5,8 ⋅ 107 S/ m
und rm den Abstand zur Quelle in Metern.
Tabelle 6.1 gibt die relative Leitfähigkeit für einige häufig anzutreffenden
Schirmmaterialien an.
Tabelle 6.1: Auf Kupfer bezogene relative Leitfähigkeit von Schirmmaterialien.
Metall σr
Kupfer 1,0
Silber 1,05
Aluminium 0,6
Messing 0,26
Nickel 0,2
Zinn 0,15
Edelstahl 0,02
Abschließend sei bemerkt, dass eine Reflexionsdämpfung an einer Grenzflä-

che grundsätzlich positiv, negativ oder 0 sein kann, je nach Impedanzver-
hältnis. Die gemäß (6-106) ermittelte Reflexionsdämpfung berücksichtigt
nicht, dass eine an der Grenzschicht i reflektierte Welle auch an der Grenz-
schicht a nochmals reflektiert werden kann usw. Multiple Reflexionen im
Schirminnern werden durch den Korrekturterm B in Gl. (6-120) berück-
sichtigt, dessen Erläuterung aber zweckmäßig erst nach Einführung der Ab-
sorptionsdämpfung A erfolgt.
6.2.1.2 Absorptionsdämpfung
Die Absorptionsdämpfung beschreibt die exponentielle Schwächung

ESa e−αd der einfallenden Welle beim Passieren der Schirmwand. Das Ver-
hältnis der Scheitelwerte der am Grenzübergang a durchgelassenen Welle
und der am Grenzübergang i ankommenden Welle beträgt
ESa
= e αd , (6-117)
ESi
und die Absorptionsdämpfung
ESa
A = 20 log = 20 lg eαd . (6-118)
ESi
Mit α = πfμσ und Umrechnung lg → ln lässt sich diese Gleichung

merklich vereinfachen zu
A dB = 1314dcm fMHz μ r σ r , (6-119)
mit m r , σ r relative Permeabilität und relative Leitfähigkeit.
6.2.1.3 Dämpfungskorrektur für multiple Reflexionen
Bei einer Absorptionsdämpfung A < 10!15dB beeinflussen die an der

Grenzschicht a erneut reflektierten Wellen merklich die tatsächliche Größe
von E i und Hi . Man erhält für den Korrekturterm
( K − 1)2 −2 γd
BdB = 20 lg 1 − e
( K + 1)2 . (6-120)
Mit γ = α + jβ = jωμσ = (1 + j) πfμσ und K 1 vereinfacht sich (6-120) zu
BdB = 20 lg 1 − e−2d πfμσ

⋅ e− j2d πfμσ
. (6-121)
Der Effekt multipler Reflexionen ist für Hi ausgeprägter als für E i .
Das Schelkunoffsche Impedanzkonzept erscheint dem mit der Leitungstheo-

rie vertrauten Leser sehr suggestiv, es soll jedoch nicht verschwiegen werden,
dass gelegentlich Theorie und Praxis der ermittelten Schirmdämpfung be-
trächtlich auseinander liegen können. Die Diskrepanzen liegen gewöhnlich
darin begründet, dass das Impedanzkonzept vom Designer überfordert wur-
de, dass die Schirmwand quer zur Ausbreitungsrichtung nicht unendlich aus-
gedehnt ist, dass bei Gehäusen die durchgelassene Welle an der gegenüber-
liegenden Wand erneut reflektiert wird und dass Fugen und Ecken prak-
tischer Schirmgehäuse maßgeblich die totale Schirmdämpfung beeinflussen.
Wesentlich bessere Ergebnisse über den gesamten Frequenzbereich liefert

die in Abschn. 6.2.2 vorgestellte Erweiterung des Impedanzkonzepts mit der
die gegenüberliegende Wand berücksichtigt werden kann. Die Dämpfungs-
analyse von Öffnungen, z. B. Sichtfenster, Lüftungsöffnungen, Kamine,
Gitter usw. ist in gewissen Grenzen ebenfalls mit dem Impedanzkonzept
möglich. Die Schirmdämpfung berechnet sich für solche Diskontinuitäten

gemäß
S = A a + R a + Ba + K 1 + K 2 + K 3 .
A a : Dämpfung einer einzelnen Öffnung

R a : Reflexionsdämpfung einer Öffnung
Ba : Korrekturterm für Mehrfachreflexionen
K1 : Korrekturterm für die Anzahl der Öffnungen
K 2 : Niederfrequenz-Korrektur
K 3 : Korrektur zur Berücksichtigung der Strahlungsverkopplung zwischen
den Öffnungen
Genauere Angaben über die Bedeutung und Quantifizierung dieser Terme

findet man z. B. in [B12].
Zur weiteren Vertiefung und wegen Rechenhilfen in Form zahlloser Nomo-

gramme, Computerprogramme etc. wird auf das einschlägige Literaturver-
zeichnis verwiesen [6.1, 6.28–6.32 und B16].
6.2.2 Erweitertes Impedanzkonzept
In der Schirmpraxis wird üblicherweise keine einzelne Schirmwand, sondern

ein geschlossenes Schirmgehäuse verwendet, das bei diskreten Frequenzen
wie ein Hohlraumresonator wirkt, in dessen Innerem Feldstärkeüber-
höhungen bzw. Einbrüche der Schirmdämpfung auftreten. Dieser Effekt wird
durch das Impedanzkonzept nach Schelkunoff nicht erfasst, was die häufig
beobachteten Abweichungen zwischen Theorie und Praxis erklärt.
Betrachtet man den senkrechten Einfall einer ebenen TEM-Welle auf einen
Ausschnitt der Wand eines quaderförmigen Schirms, lässt sich das ursprüng-
lich räumliche Problem auf ein eindimensionales Problem zurückführen
(Parallel-Plattenschirm [B1]). Das Verhalten des idealisierten Rechteck-
schirms lässt sich im gesamten Frequenzbereich mit der sogenannten Wel-
lenmatrixmethode exakt berechnen [6.33].
Die Wellenmatrixmethode
Zur Vereinfachung der „Buchführung“ vor- und rücklaufender Wellen wird

bei diesem Verfahren eine andere Indizierung vorgenommen und zur Be-
herrschung der Komplexität von der Matrizenschreibweise Gebrauch ge-

macht. Darüber hinaus werden elektrisches und magnetisches Feld allgemein
durch rechtslaufende bzw. linkslaufende Wellen „R“ und „L“ ersetzt.
Z0 T1 Z1 T 2 Z 2 = Z0
Zi +1 − Zi 2Zi
R 0 R1’ R1 R2’ H − Feld : ri,i +1 = − ,di,i +1 =
Zi +1 + Zi Zi +1 + Zi
0 1 2
L 0 L 1’ L 1 L 2’ = 0
Zi +1 − Zi 2Zi +1
E − Feld : ri,i +1 = , di,i +1 =
Zi +1 + Zi Zi +1 + Zi
D1 P1 D2
a) b)
Bild 6.9: a) Auftreffen einer ebenen Welle auf eine ebene Schirmwand. R: rechts-
laufende Welle, L: linkslaufende Welle; b) Reflexions- und Transmissionskoeffi-
zienten „r“ und „d“ beim Übergang vom Medium i in ein Medium i+1.
Eine ebene Welle treffe aus dem Medium 0 kommend senkrecht auf die
Trennfläche T1, die wie alle anderen Trennflächen als Vierpol betrachtet
wird, Bild 6.9 a. Für die Amplituden der Wellenanteile in den Medien lässt
sich unter Verwendung der in Bild 6.9 b angegebenen Koeffizienten fol-
gender Zusammenhang herstellen:
§ R0 · 1 § 1 r0,1 · § R '1 · § R '1 ·

¨ ¸= ¨ ¸¨ ¸ = D1 ¨ ¸ . (6-122)
© L0 ¹ d0,1 © r0,1 1 ¹ © L '1 ¹ © L'1 ¹
Die Transmissionsmatrix D1 beschreibt die Amplitudenänderung, die sich

durch Reflexion und Transmission an der Trennfläche T1 ergibt.
Für den Übergang von T1 und T2 gilt mit γ1 als Fortpflanzungskonstante im

Medium 1
γ d
§ R '1 · § e 1 0 · § R1 · § R1 ·
¨ ¸ = ¨¨ ¸ ¨ ¸ = P1 ¨ ¸
¸
−γ1d
. (6-123)
© L'1 ¹ © 0 e ¹ © L1 ¹ © L1 ¹
Im Sonderfall ideal nicht leitenden Mediums 1 erhält man mit β1 als

Phasenkonstante im Medium 1
§ e jβ1d 0 ·
P1 = ¨ ¸ . (6-124)
¨ 0 e− jβ1d ¸¹
©
P1 wird Propagatormatrix genannt. Sie beschreibt Dämpfung und Phasen-

änderung im Medium 1.
Der große Vorteil der Wellenmatrixmethode besteht in der leichten Hand-

habung mehrfach geschichteter ebener Lagen unterschiedlichen Materials, so
auch bei der Behandlung zweier Schirmwände (idealer Plattenschirm nach
Kaden [B1]) gemäß Bild 6.10.
Z0 Z1 Z2 = Z0 Z3 = Z1 Z4 = Z0
T1 T2 T3 T4
d 2s d
M2
s
R0 R2 R4'
L0 L2 L4' = 0
D1 P1 D2 P2 D3 P3 D4
Bild 6.10: Ebener Parallelplattenschirm mit im Unendlichen leitend verbundenen

Platten im Fernfeld einer Antenne (ebene, freie TEM-Welle), Z0 = 377 Ω ;
Z1 = (1 + j ) πμf / σ .
Durch Matrizenmultiplikation lässt sich auf einfache Weise formal folgender

Zusammenhang zwischen dem einfallenden Störfeld R 0 und dem aus dem
Schirm austretenden Feld R '4 aufstellen:
§ R0 · § R '4 ·
¨ ¸ = D1P1D 2P2 D 3P3D 4 ¨ ¸ . (6-125)
© L0 ¹ © 0 ¹
Durch sukzessives Ersetzen der Transmissions- und Propagatormatrizen ent-

sprechend den Gln. (6-122) und (6-123) erhält man ausführlich:
§ R0 · 1 § 1 r01 · § e γd 0 · 1 § 1 r12 · § e2jβs 0 ·

¨ ¸= ¨ ¸¨ ¸ ¨ ¸¨ ¸
© L0 ¹ d01 © r01 1 ¹ ¨© 0 −γd ¸ d
e ¹ 12 © r12 1 ¹ ¨© 0 e−2jβs ¸¹
1 § 1 r01 · § eγd 0 · 1 § 1 r12 ·§ R '4 ·
⋅ ¨ ¸¨ ¸ ¨ ¸¨ ¸ (6-126)
d01 © r01 1 ¹ ¨© 0 e−γd ¸¹ d12 © r12 1 ¹© 0 ¹
und γ1 = γ 3 = γ und β2 = β , also
R '4 d201d12
2
= . (6-127)
( ) ( )( )
2
R0 eγd + r01 r12 e−γd e j2βs + r12 eγd + r01e−γd r01eγd + r12 e−γd e− j2βs
Interessiert das Feld im Schirminneren, beispielsweise an der Stelle M2

(Mittelpunkt), setzt man:
jβ s
§ R2 · § R '4 · § e 0 · § R '4 ·
¨ ¸ = ( 2 ) M2 3 3 4 ¨ ¸ ¨
P D P D = ¨ ¸D P D
− jβs ¸ 1 1 2 ¨ 0 ¸
. (6-128)
© L 2 ¹M2 © 0 ¹ © 0 e ¹ © ¹
Mit Gl. (127) und r12 = −r01 erhält man:
§ R2 ·
= d d
e γd − r01 e (
2 −γd
e jβs ) , (6-129)
¨ ¸
( ) ( )
01 12
© R 0 ¹M2 2 −γd 2 jβ 2s 2
e γd − r01 e e 2
− r01 eγd − e−γd e jβ2s
§ L2 ·
= d d
r01 eγd − e−γd e− jβs ( ) . (6-130)
¨ ¸
( ) ( )
01 12
© R 0 ¹ M2 2 −γd 2 jβ 2s 2
e γd − r01 e e 2
− r01 eγd − e−γd e− jβ2s
Das resultierende Feld im Schirminneren an der Stelle M2 folgt aus der

Superposition von Gl. (6-129) und (6-130):
R 2 + L2 1
= d01d12 . (6-131)
R0 γd 2
e − r01e −γ
(
d jβ s
)
e − r01 e γd − e−γd e− jβs ( )
Setzt man in Gl. (6-131) wahlweise für das magnetische und elektrische Feld
die Beziehungen für die Reflexions- und Durchlasskoeffizienten ein, erhält
man die Schirmfaktoren Q m = Hi / Ha und Q e = E i / Ea zu:
1 1
Qm = (6-132)
sinh( γd) § Z1 Z0 ·
¨ cos(β s) + j sin(β s) ¸ + coth( γd)[cos(β s) + jsin(βs)]
© Z0 Z1 ¹
und
1 1
Qe = (6-133)
sinh( γd) § Z0 Z1 ·
¨ cos(β s) + j sin(β s) ¸ + coth( γd)[cos(β s) + jsin(βs)]
© Z1 Z0 ¹ .
Eine aus der Sicht der Praxis wichtigere Größe als der Schirmfaktor Q ist die
Schirmdämpfung S bzw. a (s. Abschn. 5.1). Für die magnetische Schirm-
dämpfung erhält man:
Sm = a m = 20 lg cosh( γd) + γssinh( γd)
§ Z1 Z ·
¨ cos(β s) + j 0 sin(β s) ¸ + coth( γd)[cos(β s) + jsin(β s)]
Z Z1
+20 lg © 0 ¹
coth( γd) + γs
= a s + Δa m (6-134)
und für die elektrische Schirmdämpfung analog:
Se = a e = 20 lg cosh( γd) + γssinh( γd)
§ Z0 Z ·
¨ cos(β s) + j 1 sin(β s) ¸ + coth( γd)[cos(β s) + jsin(β s)]
+20 lg © Z1 Z0 ¹
coth( γd) + γs
= a s + Δa e . (6-135)
Die magnetische und elektrische Schirmdämpfung setzen sich wie die analy-
tische Lösung des Randwertproblems nach Kaden [B1] aus jeweils zwei
Komponenten zusammen. Der Anteil a s repräsentiert in beiden Fällen die
magnetische Schirmdämpfung im quasistationären Bereich, die Terme Δa m
bzw. Δa e berücksichtigen die Wellennatur des störenden magnetischen bzw.
elektrischen Feldes (s. Abschn. 6.1.4).
In Bild 6.11 sind die Wellendämpfungen Δa m und Δa e des idealen Recht-

eckschirms in Abhängigkeit vom Verhältnis halber Plattenabstand s zu Wel-
lenlänge l am Ort M2 (Symmetrieachse) dargestellt.
10
Δ ae/ dB 5
Δam/ dB 0.5 1.0 1.5 2.0
s/λ
-5
Δae
- 10
Δ am
- 15
- 20
- 25
- 30
Bild 6.11: Magnetischer Wellendämpfungsanteil Δa m und elektrischer Wellen-

dämpfungsanteil Δa e (gestrichelte Kurve); Schirmmaterial: Cu, Schirmdicke: 0,1 mm,
Messort: Schirmmitte.
Die starken Einbrüche der elektrischen und magnetischen Dämpfung für

Wellenlängen λ res 2 = 2s n (n = 1,2, 3) rühren vom Resonanzverhalten des
als Hohlraumresonator interpretierten Schirmgehäuses her. Für ungeradzah-
lige n erreicht das elektrische Feld im Schirmmittelpunkt seinen höchsten
Wert, während das magnetische Feld verschwindet; für geradzahlige n ist das
Verhalten der Felder gerade vertauscht.
Die Pole der Dämpfungsfunktionen Δa m und Δa e bzw. a m und a e verdeut-

lichen den punktuell vollständigen Zusammenbruch magnetischer bzw. elek-
trischer Schirmwirkung (Resonanzkatastrophe). Berechnet man aus den Gln.

(6-134) und (6-135) die Resonanzstellen (Pole der Dämpfungsanteile Δa m
und Δa e ), so stellt man eine, bei üblichen Schirmmaterialien vernachlässig-
bare Abweichung zu den oben angegebenen Resonanzstellen λ res 2 = 2s n
fest. Dies resultiert aus der endlichen Leitfähigkeit des Schirmmaterials,
aufgrund derer ein Teil der Energie von den Schirmwänden absorbiert wird.
In Absorberräumen, wo durch z. B. Pyramidenabsorber der Übergang vom
Feldwellenwiderstand des freien Raums ( Z0 ) zum Feldwellenwiderstand der
Schirmwände ( Z1 ≈ 0 ) stetig erfolgt, nutzt man dieses Verhalten der
„Resonanzverstimmung“ in optimaler Weise aus.
Trägt man die Schirmdämpfungsfunktionen a m und a e über der Frequenz f

auf, kann man für allfällige Schirmgeometrien und -materialien nach quasi-
stationären und nichtstationären Bereichen exakt abgrenzen. Beispielsweise
ist in Bild 6.12 die magnetische Schirmdämpfung a m in der Mitte einer
Messkabine dargestellt.
500
am / dB
400
300
200
100
0
1 102 104 106 108
f / Hz
Bild 6.12: Berechnete magnetische Schirmdämpfung in der Mitte einer Messkabine,

Kantenlänge 2 m, Schirmwände aus 0,1 mm starker Kupferfolie.
Wie aus Bild 6.12 ersichtlich, liefert das erweiterte Impedanzkonzept nicht
nur die Resonanzfrequenzen im oberen Frequenzbereich, sondern es be-
schreibt auch exakt die quasistationäre magnetische Schirmdämpfung, wie
man sie auch mit der feldtheoretischen Methode [B1] erhält. Das scheinbare
Zusammenrücken der äquidistanten Resonanzstellen ist im logarithmischen
Frequenzmaßstab begründet. Oberhalb von 100 MHz liefert die Rechnung
Ergebnisse >100dB. Das ist theoretisch korrekt, durch Inhomogenitäten im
Schirm lassen sich jedoch derart hohe Schirmdämpfungswerte in der Praxis

kaum erreichen. Hinzu kommt das Problem des messtechnischen Nach-
weises, denn die Messgrenze liegt selbst bei aufwendigem Messaufbau selten
über 150 dB.
Die Resonanzstellen s λ res liegen beim Rechteckschirm niedriger als beim

Zylinder- und Kugelschirm und unterscheiden sich in brauchbarer Näherung
nur um einen Faktor d:
s
+ δ mit δRe cht = 0 ; δZyl = 0,125 ; δKugel = 0,25 , (6-136)
λ res
s entspricht dem halben Plattenabstand, beim Zylinder- und Kugelschirm

dem Innenradius r0 . Das Verhältnis s λ res in Gl. (136) wird aus den Reso-
nanzen des als Hohlraumresonator wirkenden Plattenschirms bestimmt, wo-
bei diese Näherungsbetrachtung mit wachsendem s λ res zunehmend ge-
nauere Ergebnisse liefert.
6.2.3 Zusammenfassung des Impedanzkonzepts
Aus den vorheigen Abschnitten 6.2.1 und 6.2.2 lässt sich folgendes fest-
halten:
1. Die Gleichungen (6-134) und (6-135) beschreiben im gesamten Fre-

quenzbereich exakt das magnetische und elektrische Schirmdämpfungs-
verhalten im Mittelpunkt eines idealen Rechteckschirms (Plattenschirms).
2. Die quasistationäre Schirmdämpfung der drei Idealschirme lässt sich aus

einer einzigen Beziehung berechnen ( μ = μ0 ):
a s = 20 lg cosh( γd) + εγssinh( γd) . (6-137)
Dabei muss man lediglich für den Faktor ε = 1 , 1/2 bzw. 1/3 in der
Reihenfolge Rechteck-, Zylinder- bzw. Kugelschirm und beim Zylinder-
bzw. Kugelschirm s = r0 setzen. Gl. (6-137) ist für alle r0 / d > 100 gültig
und besitzt im Resonanzbereich (z. B. 108 Hz aufwärts, entsprechend
Bild 6.12) den Charakter einer Einhüllenden.
3. Die Resonanzfrequenzen des Zylinder- und Kugelschirms ermittelt man

entspr. Gl. (6-136) aus den Resonanzfrequenzen des Plattenschirms.
Letztere lassen sich mühelos aus der obigen Beziehung λ res 2 = 2s n
(n = 1,2, 3) bestimmen.
Nach Gl. (6-102) in Abschn. 6.2 berechnet sich die Schirmdämpfung aus
drei Anteilen. Man kann sich daher fragen, ob die mit Hilfe der
Wellenmatrixmethode gewonnene Lösung nach Gl. (6-131) überhaupt noch
etwas mit ersterer Gleichung (6-102) gemeinsam hat.
Etwas umgeformt erhält man für Gl. (131):
R 2 + L2 1
= d01d12 e−γd (6-138)
R0 ( 2 −2 γd
1 − r01e )
jβ s
(
e − r01 1 − e −2 γd
e )
− jβ s
und aus ihr die für die magnetische und elektrische Schirmdämpfung ge-
meinsame Beziehung:
a = 20 lg eγd −20 lg d01d12 +20 lg (1 − r01

2 −2 γd jβs
e )e − r01(1 − e−2 γd )e− jβs . (6-139)

A R B'
Vergleichend erkennt man, dass die beiden ersten Terme der Gln. (6-102)
und (6-139), wieder als Absorptionsdämpfung A und Reflexionsdämpfung R
bezeichnet, völlig übereinstimmen. Der dritte Term B' in Gl. (6-139)
berücksichtigt sowohl die Mehrfachreflexionen innerhalb der Schirmwände
als auch die Reflexionen im Schirminneren, der Term B in (6-102) jedoch
nur die Mehrfachreflexionen in der Schirmwand.
Damit stellt der Term B' die schlüssige Verbindung zwischen dem erweiter-
ten Impedanzkonzept und dem feldtheoretischen Lösungsansatz nach Kaden
her.
7 EMV-Emissionsmesstechnik
Emissionsmessungen identifizieren und quantifizieren die von Sendern bzw.

Störquellen in die Umwelt abgegebene elektromagnetische Energie und
erlauben den Nachweis der Einhaltung in Vorschriften festgelegter Grenz-
werte für Funkstörungen. Im übergeordneten Sinne dienen sie allgemein
dem Schutz der Resource Elektromagnetisches Spektrum.
Die Terminologie der Emissionsmesstechnik ist überwiegend durch die klas-

sische Funkstörmesstechnik geprägt, von der sich die neu hinzugekommene,
nicht Kommunikationszwecken dienende allgemeine Störmesstechnik (Indu-
strieelektronik, Elektromedizin, KFZ-Elektronik etc.) im Wesentlichen durch
die unterschiedliche Bewertung der Störgrößen (s. Abschn. 7.4.1) und die
Suszeptibilitätsmesstechnik (s. Kap. 8) unterscheidet.
Emissionsmessungen erfassen
– Störspannungen und -ströme,

– Störfeldstärken (E-Feld, H-Feld, EM-Wellen),
– Störleistungen.
Abhängig von der Natur der Störgröße erfolgt die Ankopplung galvanisch
oder über Stromwandler, Antennen, Absorberzangen etc. In allen Fällen lie-
fern die Ankoppeleinrichtungen an ihrem Ausgang eine Spannung, die von
einem Messempfänger, einem Spektrumanalysator oder einem Oszilloskop
gemessen wird. Bezüglich der vorschriftengerechten Messung dieser Span-
nung gilt EN 55014 (DIN VDE 0875 Teil 14) [7.27], bezüglich der Mess-
geräte VDE 0876 [7.1]. Im Folgenden werden zunächst die Messverfahren
und Ankoppeleinrichtungen für die verschiedenen Störgrößen vorgestellt,

282 7 EMV-Emissionsmesstechnik
anschließend im Abschn. 7.4 die für alle Störgrößen einheitlichen bzw. glei-
chermaßen einsetzbaren Messgeräte erläutert.
7.1 Messung von Störspannungen und -strömen
Störspannungen und -ströme sind leitungsgebundene Störungen, die über

Netzzuleitungen, Datenleitungen etc. emittiert werden. Die Emissionen ma-
nifestieren sich zunächst als eingeprägte Ströme, die dann am Innenwider-
stand des Netzes (Niederspannungsnetz, Kommunikationsnetz etc.) einen
Spannungsabfall – die Störspannung – hervorrufen. Abhängig vom Netzin-
nenwiderstand vermag demnach ein und dasselbe Gerät unterschiedliche
Störspannungen hervorzurufen. Um den Einfluss unterschiedlicher Netzim-
pedanzen zu eliminieren, schaltet man zwischen Netz und Prüfobjekt ge-
normte Netznachbildungen (engl.: LISN – Line Impedance Stabilization
Network) mit einer aus Sicht des Prüfobjekts mehr oder weniger einheitli-
chen Netzimpedanz [7.1]. Netznachbildungen erlauben weitgehend repro-
duzierbare, vergleichbare Messergebnisse unabhängig vom Netzinnenwider-
stand des jeweiligen Prüflabors (Hersteller, Anwender) und verhindern
darüber hinaus die Verfälschung von Störspannungsmessungen durch bereits
im Netz vorhandene andere Störungen; speziell bei Messungen an
Netzanschlussleitungen kommt ihnen die Spannungsversorgung des Prüf-
objekts zu. Ein typisches Beispiel einer Netznachbildung für Netzanschluss-
leitungen zeigt Bild 7.1.
Bild 7.1: Netznachbildung zur Messung unsymmetrischer Funkstörspannungen.

(Bezüglich einer energetischen Betrachtung von Knotenspannungen ist N der Be-
zugsleiter. Bezüglich einer Störspannungsbetrachtung ist PE der Bezugsleiter (s. a.
Abschn. 1.5).
7.1 Messung von Störspannungen und -strömen 283
Jeder Leiter erhält seine eigene Entkopplungsdrossel, die das Prüfobjekt für
hohe Frequenzen vom Niederspannungsnetz isoliert. Häufig wird die Netz-
drossel in zwei Spulen unterteilt und mit Kondensatoren zu einem π -Filter
ergänzt. Die Koppelkapazität CK leitet den Störstrom direkt über die ge-
normte Nachbildungsimpedanz ZN ab. Die an den Nachbildungsimpedan-
zen ZN hervorgerufenen Spannungsabfälle der einzelnen Leiter werden der
Reihe nach mit einem der im Abschn. 7.4.1 beschriebenen Messempfänger
erfasst.
Man unterscheidet zwischen „V“, „ Δ “ und „T“ Netzabbildungen. Für die

Messung unsymmetrischer Störspannungen kommen sogenannte V-Netz-
nachbildungen zum Einsatz, in denen jeder Leiter eine Nachbildungsimpe-
danz sternförmig (bei zwei Leitern V-förmig) zum Bezugsleiter erhält, Bild
7.1. Auch der Schutzleiter besitzt eine Drossel. Diese Drossel verhindert das
Eindringen hochfrequenter Störspannungen aus dem Netz auf die Messerde
(Schirmkabinenwand etc.), gewährleistet aber trotzdem bei 50 Hz die Ein-
haltung der VDE Sicherheitsbestimmungen.
Die Messung unsymmetrischer und asymmetrischer Störungsspannungen

erlauben Δ -Netznachbildungen, in denen die Nachbildwiderstände für die
unsymmetrischen Störspannungen und die Nachbildwiderstände für das Ge-
gentaktsignal in Dreieck geschaltet sind, Bild 7.2.
Bild 7.2: Δ -Netznachbildung zur Messung unsymmetrischer und asymmetrischer

Störspannungen.
Der Nachbildungswiderstand für das Gegentaktsignal Usym beträgt
−1
ª§ 4 · −1 −1 º
R gegen = «¨ R ¸ + ( 4R ) » =R . (7-1)
«¬© 3 ¹ »¼
Für Gleichtaktsignale Uasym , für die beide Leitungen 1 und 2 miteinander

leitend verbunden gedacht werden können, ergibt sich der Nachbildungswi-
derstand zu
−1 −1 −1
R gleich = ª( 2R ) + ( 2R ) º =R . (7-2)
¬ ¼
Der Nachbildungswiderstand für die unsymmetrischen Störspannungen

U1unsym und U2unsym berechnet sich zu
−1 −1
ª§ 4 · −1 º 5
R unsym = «¨ R + 2R ¸ + ( 2R ) » = R . (7-3)
«¬© 3 ¹ »¼ 4
Schließlich gibt es noch sogenannte T-Nachbildungen für die ausschließliche

Messung asymmetrischer Störspannungen symmetrisch betriebener Fern-
melde-, Signal- und Steuerleitungen, Bild 7.3.
Bild 7.3: T-Netznachbildung für die ausschließliche Messung asymmetrischer Stör-

spannungen symmetrischer Betriebsstromkreise [7.2].
Alle Arten von Netznachbildung erlauben auch die Messung symmetrischer

Störspannungen, wenn ein entsprechender Entsymmetrierübertrager (engl.:
BALUN; BALanced - UNbalanced) verwendet wird, der beidseitig Potential
führende Leiter eines symmetrischen Betriebsstromkreises an den einseitig
geerdeten Eingang des Störmessempfängers anpasst (s. a. Abschn. 7.2.1).
Niederspannungsnetze, Bordnetze, Kommunikationsnetze etc. besitzen un-

terschiedliche Innenwiderstände, so dass verschiedene Nachbildungsimpe-
danzen zum Einsatz kommen. Je nach räumlicher Ausdehnung bzw. Entfer-
nung zum nächsten Verzweigungsknoten werden Nachbildungsimpedanzen
durch Induktivitäten zwischen 5 μH und 50 μH (1 m Leitungslänge ent-
spricht etwa 1 μH ) in Reihe mit einem von den Kupferquerschnitten abhän-
gigen ohmschen Widerstand realisiert, Bild 7.4.
50μH 50μH 5μH 100Ω

50Ω 50Ω 50Ω
5Ω 1Ω 50Ω U st
a) b) c) d)
Bild 7.4: Beispiele für Netznachbildungsimpedanzen ZN . a) Niederspannungsnetze:

Frequenzbereich 10-15 kHz bzw. 30 MHz, b) Industrienetze (I >25 A): Frequenz-
bereich 0,15-30 MHz, c) Bordnetze: Frequenzbereich 0,1-100 MHz, d) Klassische
150 Ω Nachbildungsimpedanz: Frequenzbereich 0,15-30 MHz.
Der in jeder Nachbildungsimpedanz enthaltene 50 Ω Widerstand wird bei

dem jeweils mit der Messeinrichtung verbundenen Leiter durch den Innen-
widerstand der Messeinrichtung ( Zi = 50 Ω ) ersetzt.
Die früher verwendete 150 Ω Nachbildungsimpedanz gemäß Bild 7.4 d ent-

stand aus der Überlegung, dass bei Hochfrequenz der Wellenwiderstand der
Netze maßgeblich sei. Als Mittelwert zwischen dem Wellenwiderstand von
Freileitungen (z. B. 500 Ω ) und Energiekabeln (z. B. 40 Ω ) einigte man sich
auf 150 Ω .
Bei hochohmigen Systemen würde die niederohmige Nachbildungsimpedanz

ZN ≤ 50 Ω bzw. R N ≤ 150 Ω (Bild 7.4 d) zu kleine Störspannungswerte
ergeben. In diesen Fällen wird die Störspannung mit hochohmigen, passiven
oder aktiven Tastköpfen gemessen, deren Eigenschaften den jeweiligen
Vorschriftenwerken zu entnehmen sind, z. B. [7.1]. Beim Einsatz von Hoch-
spannungs-Differenztastköpfen zur Messung von Gegentaktsignalen zwi-
schen spannungführenden Leitungen, beispielsweise den Außenleitern L1
und L 2 eines Drehstromsystems, ist zu beachten, dass Tastköpfe die Gleich-
taktunterdrückung nachgeschalteter Differenzverstärker merklich reduzieren
(s. a. Abschn. 10.7). Speziell für die Leistungselektronik und Hochspan-
nungstechnik bieten sich über Lichtleiterstrecken isolierte Tastkopfsysteme

an (z. B. LDS-Nicolet ISOBE 5500).
Häufig enthalten Netznachbildungen eine Buchse zum Anschluss einer

künstlichen Hand für die Messung unsymmetrischer Funkstörspannungen
an handgeführten Betriebsmitteln. Die Handnachbildung besteht aus einer
am Betriebsmittel angebrachten Metallfolie, die über ein in der Netznachbil-
dung integriertes RC-Glied (200 pF in Reihe mit 500 Ω ) mit dem geerdeten
Gehäuse der Netznachbildung verbunden wird. Betriebsmittel mit Metall-
gehäuse werden ohne Folie direkt mit der Buchse für die Handnachbildung
verbunden.
Manche Emissionsprüfungen verlangen den gleichzeitigen Einsatz mehrerer

Netznachbildungen, beispielsweise bei einem Datenverarbeitungsgerät für
den Netzanschluss und die Datenleitungen.
Schließlich sei neben den reinen HF- bzw. EMV-Eigenschaften auch auf die
begrenzte Strombelastbarkeit von Netznachbildungen hingewiesen, bei der
bezüglich Dauerbelastbarkeit und erhöhter Kurzzeitbelastbarkeit unterschie-
den wird (Erwärmung der Drosseln). Ihre Überschreitung hat eine Zerstö-
rung der Wicklungsisolation zur Folge.
Die Komplexität der Störspannungsmessung legt alternativ die direkte

Messung der eingeprägten Störströme mittels eines HF-Stromwandlers [7.1]
nahe, Bild 7.5.
I St Netz I St max
L1
CB
10μF
N
Bild 7.5: Störstrommessung mit Stromwandler und induktionsarmem Bypass-Kon-

densator CB.
Der Bypass-Kondensator schafft sowohl für Störströme vom Netz als auch
für Störströme vom Testobjekt einen niederohmigen Rückschlusspfad, so
dass einerseits der „Kurzschluss“-Störstrom ( I St max ) des Testobjekts zum

Fließen kommen kann, andererseits Störströme vom Netz das Strom-
wandlersignal nicht verfälschen. Für Stromwandler der EMV-Messtechnik
ist gewöhnlich ein Übertragungsfaktor spezifiziert, der die an seinem
Ausgang gemessene Störspannung zum Störstrom in Beziehung setzt,
USt (ω)
ZW = . (7-4)
I St (ω)
Der Störstrom in dB folgt damit aus den Beträgen zu
ISt (ω)dBμA = USt (ω)dBμV − 20 lg ZW (ω) . (7-5)
Stromwandlermessungen mit Netznachbildungen bekannter Impedanz

ZN (ω) erlauben auch sofort einen Schluss auf die Störspannung,
USt (ω) = I St (ω)ZN (ω) . (7-6)
Bild 7.6 zeigt den typischen Verlauf des Übertragungsfaktors von EMV-
Stromwandlern (Stromsensoren).
Bild 7.6: Typischer Verlauf des Übertragungsfaktors von Stromsensoren.

In ihrem linearen Übertragungsbereich steigt der Faktor mit 20 dB pro De-

kade über der Frequenz an. Brauchbare Empfindlichkeit bei niederen Fre-
quenzen erfordert daher eine große Windungszahl, großen Windungsquer-
schnitt und einen Kern hoher Permeabilität. Andererseits wird die obere
Grenzfrequenz von Stromsensoren durch ihre Eigenresonanz (Spuleninduk-
tivität, Wicklungsstreukapazität) bestimmt. Hohe obere Grenzfrequenz und
große Empfindlichkeit (große Windungszahl) schließen einander aus. Zur
Erfassung von Störströmen über einen größeren Frequenzbereich sind meist
mehrere Stromsensoren erforderlich. Bezüglich des mechanischen Aufbaus
gelten für HF-Stromwandler ähnliche Überlegungen wie für Rogowskispulen
[B 19]. Neben der Frequenzlinearität ist bei Stromsensoren mit Eisenkern
auch die stromabhängige (aussteuerungsabhängige) Linearität ihres Übertra-
gungsfaktors zu beachten, die bei CW-Betrieb durch eine Obergrenze für den
Strom, im Impulsbetrieb durch die Spannungszeitfläche spezifiziert wird.
Schließlich seien noch Flächenstromsensoren erwähnt, die mittels einer In-

duktionsspule das mit den Wandströmen in Schirmgehäusen oder Karosse-
rieblechen verknüpfte Magnetfeld erfassen und somit auch den lokalen Flä-
chenstrombelag zu messen gestatten.
Reproduzierbare Störspannungsmessungen erfordern nicht nur die Verwen-

dung geeigneter Netznachbildungen und Sensoren, sondern auch die Einhal-
tung der in den jeweiligen Vorschriften festgelegten räumlichen Anordnung
aller an der Emissionsmessung beteiligten Komponenten, der sie verbinden-
den Leitungen und der Geometrie des Bezugsleiters, Bild 7.7.
Bild 7.7: Typischer Aufbau zur Messung leitungsgeführter Emissionen: Störspan-

nungsmessung.
Speziell für die Messung leitungsgebundener Funkstörungen gilt EN 55014

(DIN VDE 0875 Teil 14). Bezüglich der Messgeräte zur quantitativen Erfas-
sung von Störspannungen und Störströmen, einschließlich ihrer Bewertung,
wird auf Abschn. 7.4 verwiesen.
7.2 Messung von Störfeldstärken
7.2.1 Antennen
Geraten die Abmessungen der Störquellen einschließlich ihrer Zuleitungen

in die Größenordnung der Wellenlänge, wird die elektromagnetische Energie
zunehmend in Form elektromagnetischer Wellen abgestrahlt. Diese Wellen
und auch bereits quasistatische elektrische und magnetische Felder erfasst
man mit Antennen, die an ihren Klemmen eine der zur messenden Feld-
stärke proportionale Spannung liefern. Die Wirkungsweise der unterschied-
lichen Antennenbauformen wird im Folgenden näher erläutert.
7.2.1.1 E-Feld Antennen
Elektrische Felder influenzieren in Leitern Ladungsverschiebungen und füh-

ren zu Spannungsunterschieden zwischen isolierten, im jeweiligen Feld be-
findlichen Leitern. Naturgemäß bestehen daher Antennen für die Messung
elektrischer Felder immer aus mindestens zwei Elektroden (z. B. Staban-
tenne/KFZ-Karosserie usw.), Bild 7.8.
l/4
l/4
a) b)
Bild 7.8: Elektrische Stabantennen. a) Monopolantenne mit „Gegengewicht“ (un-

symmetrisch), 1 bis 30 MHz, b) Dipolantenne (symmetrisch), 10 MHz bis 1 GHz.
In Bild 7.8 a herrscht die influenzierte Spannung zwischen dem senkrechten

Antennenstab und der sternförmig ausgebildeten Gegenelektrode, in Bild 7.8
b zwischen den beiden Hälften des Dipols.
Da die Qualität, mit der das Gegengewicht einen perfekten Erdflächenleiter

nachzubilden im Stande ist, von der Größe der Streukapazität zur geerdeten
Umgebung abhängt, variiert die Ausgangsspannung von Monopolantennen
mit dem Aufstellungsort (bei horizontalen Dipolen und vertikalen Dipolen in
größerer Höhe über dem Boden ist die Spannung in erster Näherung vom
Aufstellungsort unabhängig).
Den Zusammenhang zwischen der von einem elektrischen Feld in einer An-
tenne influenzierten Leerlaufklemmenspannung und der lokalen Feldstärke
bezeichnet man als Antennenhöhe oder -länge,
U0
heff = . (7-7)
ESt
Der Name Antennenhöhe ist historisch bedingt und hat nichts mit der Höhe
der Aufstellung einer Antenne über dem Erdboden zu tun. Von der effekti-
ven Länge spricht man meist in Zusammenhang mit symmetrischen Anten-
nen, von der Antennenhöhe meist in Zusammenhang mit unsymmetrischen
Antennen. Beide Begriffe stehen mit der geometrischen Länge einer Antenne
über deren sinusförmige Stromverteilung auf der Struktur in Zusammen-
hang, daher auch der Index „eff“ für effektive Antennenlänge. In einem
Spannungsquellenersatzschaltbild für elektrisch kurze Antennen kommt
diese Abhängigkeit u. a. durch die sogenannte Totkapazität (Streukapazität
zwischen den Antennenklemmen in der Nähe des Antennenfußpunkts) zum
Ausdruck. Eine hohe Totkapazität bewirkt eine kleine Antennenhöhe bzw.
-länge. Aufgrund des frequenzabhängigen, kapazitiven Blindwiderstands der
Antenne nimmt die Antennenhöhe proportional mit der Frequenz zu.
Durch die Verluste in der Antenne (Antennenwirkungsgrad), die Belastung

einer Antenne mit dem Eingangswiderstand des Messempfängers ( 50 Ω ) und
wegen der Messkabeldämpfung tritt am Empfänger nicht die Leerlauf-
spannung, sondern eine kleinere Spannung auf. Der Reziprokwert des Ver-
hältnisses der am Empfängereingang gemessenen Störspannung USt und der
gesuchten Störfeldstärke ESt ergibt den für die Praxis wichtigen Antennen-
faktor AF,
7.2 Messung von Störfeldstärken 291
ESt
AF =
USt
. (7-8)
Da die Antennenhöhe von der Frequenz abhängt, ist auch der Antennenfak-
tor frequenzabhängig.
Meist arbeitet man mit dem entsprechenden logarithmischen Verhältnis

(Umwandlungsmaß, Übertragungsmaß)
ESt
AFdB = 20 lg
USt
. (7-9)
Das Umwandlungsmaß wird vom Hersteller messtechnisch für das Fernfeld

ermittelt und der Antenne als Eichkurve oder -tabelle beigegeben. Manche
Hersteller liefern zusätzlich auch Umwandlungsmaße für den Nahfeldbe-
reich (Unterschiede von 10 dB oder mehr!), beispielsweise für Messungen in
einem Meter Abstand wie sie in der KFZ- oder Luftfahrtindustrie gebräuch-
lich sind. Mit (7-9) berechnet sich dann die gesuchte Feldstärke zu
EStdBμV / m = UStdBμV + AFdB

. (7-10)
Der Antennenfaktor besitzt gewöhnlich Werte zwischen 0 und 60dB, wobei

ein hoher Antennenfaktor einer unempfindlichen Antenne entspricht (und
umgekehrt).
Im Fernfeld (s. Abschn. 5.1) hängen E und H über den Feldwellenwider-

stand des freien Raumes zusammen,
E
= 377 Ω
H
. (7-11)
Aus der Messung der elektrischen Feldstärke lässt sich somit auch sofort die
magnetische Feldstärke angeben,
HStdBμA / m = EStdBμV / m − 52dB

. (7-12)
Im Nahfeld (s. Abschn. 5.1) sind E und H nicht in Phase, eine einfache
Umrechnung mit dem Nahfeld-Feldwellenwiderstand gemäß Abschn. 5.1 hat
daher keine physikalische, sondern nur formale Bedeutung.
Stabantennen werden sowohl als elektrisch kurze Antennen als auch als ab-
gestimmte, sich elektrisch lang verhaltende Antennen betrieben (Resonanz-
betrieb). In ersterem Fall (z. B. einfache Monopolantenne) wird die Antenne
als hochohmige Quelle mit kapazitivem Innenwiderstand durch die Belas-
tung mit der Eingangsimpedanz des Messempfängers ( 50 Ω ) praktisch kurz-
geschlossen, so dass der Antennenfaktor sehr hohe Werte annimmt. Man be-
treibt daher kurze Monopolantennen häufig als aktive Breitband-Antennen
mit Vorverstärker, die nicht nur den Antennenfaktor reduzieren, sondern
auch dessen Frequenzabhängigkeit verringern. Große Feldstärken von Breit-
bandstörern führen bei aktiven Antennen leicht zu Übersteuerung und In-
termodulation. Neben der am Empfänger eingestellten Messfrequenz liegen
an der Antenne noch viele andere Frequenzen, deren Summen und Diffe-
renzen (Intermodulationsprodukte) beliebige Kombinationsfrequenzen er-
geben, die Minima im Spektrum „auffüllen“ und damit falsche Spektren vor-
täuschen können.
Bei abgestimmten, in Resonanz betriebenen Antennen ( l = λ / 4 ) wird die

Antennenkapazität durch die Antenneninduktivität kompensiert. Der Innen-
widerstand der Antenne wird dann rein ohmsch (ca. 36,5 Ω beim Monopol,
73 Ω beim Dipol), was die Anpassung an das 50 Ω Messkabel merklich er-
leichtert. Einfache Stabmonopole und -dipole können, falls Platz vorhanden
ist, durch ausziehbare Stäbe innerhalb eines bestimmten Frequenzbereichs
kontinuierlich auf beliebige Frequenzen abgestimmt werden.
7.2.1.2 Breitbandantennen
Neben einfachen Monopol- und Dipolantennen gibt es weitere, sophistische

Bauformen, die sich durch eine vergleichsweise große Bandbreite auszeich-
nen (Frequenzverhältnis etwa 1:10):
– Bikonische Antennen,
– Logarithmisch-periodische Antennen,
– Konisch-logarithmische Antennen und
– Hornantennen.
Die Tatsache, dass bei Stabdipolen der Innenwiderstand sich mit zunehmen-
dem Stabdurchmesser auf 30 Ω bzw. 60 Ω verringert und gleichzeitig die
Resonanzschärfe abnimmt, legt für breitbandige Dipole die Verwendung
dicker Stäbe nahe, Bild 7.9 a.
Bild 7.9: Breitbandige Dipole. a) Breitbandipol mit zylindrischen Stäben, b) koni-

scher Breitbandipol (engl.: biconical antenna) 20 MHz bis 200 MHz.
Wegen der großen Totkapazität dicker Stäbe werden Breitbanddipole in

praxi als konische Stabreusen realisiert, was letztlich auf den konischen
Breitbanddipol führt, Bild 7.9 b.
Durch Überlagerung der Felder mehrerer Dipole lässt sich über einen größe-
ren Frequenzbereich eine bestimmte Richtwirkung und damit ein Antennen-
gewinn (engl.: gain) erzielen, Bild 7.10.
Bild 7.10: Gekoppelte Dipolantennen a) Strahlungsgekoppelte Dipole (TV Yagi-

Antenne), b) galvanisch gekoppelte Dipole (Logarithmisch periodische Breitband-
antenne) 200 MHz bis 1 GHz.
Im einfachsten Fall können die Dipole nur strahlungsgekoppelt sein, Bild

7.10 a. Eine einfallende Welle führt in den Hilfsdipolen zu Wechselströmen,
die wiederum eine Sekundärwelle abstrahlen. Bei geeignetem Abstand über-
lagern sich die Sekundärwellen der Hilfsdipole durch konstruktive Inter-
ferenz derart, dass am eigentlichen Empfangsdipol eine höhere Feldstärke
und damit auch eine höhere Spannung auftreten.
In der EMV-Technik werden üblicherweise galvanisch gekoppelte Dipole

mit periodisch logarithmischer Struktur verwendet. Das heißt, der Logarith-
mus je zwei aufeinander folgender Abstände und je zweier aufeinander
folgende Längen der Antennenelemente ist konstant.
Eine weitere logarithmisch periodische Struktur ist die konisch logarithmi-

sche Spiralantenne (engl.: Conical Log Spiral), Bild 7.11.
Bild 7.11: Konisch logarithmisch pe-

riodische Antenne, Breitbandantenne
200 MHz bis 1 GHz und 1 GHz bis 10
GHz.
Sie besteht aus zwei oder vier spiralförmig aufgewickelten Armen mit Ein-
speisung am verjüngten Ende. Die abstrahlende Region verschiebt sich je
nach Frequenz in diejenige axiale Ebene, für die der Umfang des Konus
gleich der Wellenlänge ist.
Schließlich seien noch Hornstrahler erwähnt, die die stetige Anpassung

eines am Ende offenen Hohlleiters an den Feldwellenwiderstand des freien
Raums vornehmen, Bild 7.12.
Bild 7.12: Hornstrahler, Breitband-

antenne 200 MHz bis 2 GHz und
1 GHz bis 12 GHz.
Über den Einsatz der verschiedenen Antennentypen entscheiden Frequenz-

bereich, Platzverhältnisse, Störniveau etc. Wann welche Antenne letztlich
verwendet wird, ist im Einzelfall den jeweils zutreffenden Vorschriften sowie
Herstellerkatalogen zu entnehmen.
7.2.1.3 H-Feld Antennen
Magnetische Felder induzieren in einer elektrisch kurzen Leiterschleife eine

eingeprägte elektrische Spannung (Umlaufspannung), die zwischen den En-
den der aufgetrennten Schleife gemessen werden kann (Induktionsgesetz,
[B18]). Passive Rahmenantennen bestehen daher schlicht aus einer oder
mehreren Drahtwindungen, Bild 7.13.
a) b)
Bild 7.13: Rahmenantennen für magnetische Felder, 20 Hz bis 30 MHz, a) mit einer
Windung, b) mit mehreren Windungen.
Geringer Windungsdurchmesser und kleine Windungszahl ergeben eine

hohe obere Grenzfrequenz und umgekehrt. Die obere Grenzfrequenz ist er-
reicht, wenn sich die Drahtlänge als elektrisch lange Leitung manifestiert (s.
Abschn. 3.4 und [1.6]).
Den Zusammenhang zwischen dem zu messenden Feld und der vom Mess-
empfänger angezeigten Spannung beschreibt auch hier ein Antennenfaktor,
wahlweise in Einheiten der magnetischen Feldstärke H oder der magneti-
schen Flussdichte B,
HSt BSt
AFH = bzw. AFB =
USt USt
. (7-13)
In der Praxis rechnet man wieder mit logarithmischen Maßen, meist bezogen
auf 1 pico Tesla (1 pT).
Aktive Rahmenantennen besitzen einen batteriebetriebenen HF-Vorverstär-

ker, der nicht nur den Antennenfaktor über einen großen Frequenzbereich
weitgehend konstant hält, sondern auch insgesamt betragsmäßig verringert,
m. a. W. die Antenne speziell bei niederen Frequenzen empfindlicher macht.
Den Vorteilen aktiver Antennen stehen auch hier wieder als Nachteile Über-
steuerungs- und Intermodulationsgefahr gegenüber.
Rahmenantennen sind meist durch ein leitfähiges Rohr gegen die elektrische
Feldkomponente geschirmt. Zur Vermeidung einer Kurzschlusswindung ist
das Rohr geschlitzt. Die Schwächung des Magnetfeldes durch die Wirbel-
ströme im Schirm ist im Antennenfaktor berücksichtigt. Steckt man durch
den Rahmen einen Ferritstab, erhält man eine sehr kompakte Rahmen-
antenne hoher Empfindlichkeit und Richtwirkung, sog. Ferritantennen.
7.2.1.4 Schnüffelantennen
Neben den oben aufgeführten, über ihre Antennenfaktoren geeichten Mess-

antennen für elektrische und magnetische Felder, gibt es für Monitorzwecke
noch sogenannte Schnüffelantennen (engl.: sniffer probes). Sie eignen sich
für das Aufspüren parasitärer Felder an Schirmfugen, Transformatoren,
Drosseln, elektronischen Baugruppen etc. [7.4]. Sie sind nicht kalibriert, be-
stehen schlicht aus einer oder mehreren Drahtwindungen oder dem heraus-
ragenden Innenleiter eines Koaxialkabels, und sind ohne Aufwand leicht
selbst herzustellen, Bild 7.14.
a) b)
Bild 7.14: Beispiele für „Schnüffelantennen“. a) H-Feld Antenne (geschlitztes Ko-

axialkabel), mit BALUN, b) E-Feld Antenne (abisoliertes Koaxialkabel).
7.2.1.5 Feldsonden
Eine Besonderheit bilden isotrope Feldsonden-Systeme zur Messung der

einzelnen E-Feld Vektorkomponenten. Diese bestehen meist aus einer elek-
trischen Sonde geringer Abmessungen, deren Messwerte über Lichtwellen-
leiter zu einem Anzeigegerät übertragen werden.
Bild 7.15: Beispiel einer elektrischen, isotropen Feldsonde (ar).
Verstärker und Optokoppler sind entweder akkubetrieben oder werden über

einen Lichtwellenleiter per Laser versorgt. Alle 5-20 μs werden dabei die
Messwerte erfasst und zur Monitoreinheit übertragen. Die Monitoreinheit
zeigt dann entweder die x-, y- und z-Komponenten oder den Betrag des
elektrischen Feldes an. Aufgrund der meist geringeren Empfindlichkeit
gegenüber Antennenmessungen ⎯ typische Messbereiche liegen zwischen
0,5 V/m bis 800 V/m bei einer Auflösung von 0,01 V/m ⎯ liegt hier der
Hauptanwendungsbereich bei der Kalibrierung und Erfassung von Feldern
für Störfestigkeitsprüfungen oder beim Erfassen hoher elektrischer Felder im
Rahmen der Personensicherheit. Feldmesssonden arbeiten meist nicht fre-
quenzselektiv und sind zur Erfassung gepulster elektrischer Felder oft un-
geeignet.
7.2.1.6 Antennen-Symmetrierübertrager
Antennen-Symmetrierübertrager (engl.: BALUN, BALanced, UNbalanced)

dienen der Anpassung symmetrischer Antennen an koaxiale Mess- oder auch
Speiseleitungen (Suszeptibilitätsmessungen). Beim Anschluss einer symme-
trischen Antenne an eine koaxiale Messleitung teilt sich der an den
Klemmen verfügbare Strom in eine Leitungswelle zwischen Innen- und
Außenleiter und eine Mantelstromwelle zwischen Kabelmantel und geerde-
ter Umgebung auf. Um den Energietransport ausschließlich auf das Kabel-

innere zu beschränken und störende Abstrahlung der Mess- oder Speise-
leitung zu vermeiden, schaltet man zwischen Antenne und Kabel einen
Symmetrierübertrager. Dieser kann im einfachsten Fall durch Aufwickeln
eines Teils des Koaxialkabels zu einer unmittelbar vor der Antenne ange-
ordneten Drossel realisiert werden. Diese Drossel stellt für den Kabelmantel-
strom (unsymmetrischer Strom) eine erhöhte Impedanz dar. Für das Gegen-
takt-Nutzsignal (symmetrischer Strom) ist die Drossel wegen der Kompen-
sation der Durchflutungen nicht existent, Bild 7.15 a.
Bild 7.16: Symmetrierübertrager. a) Leitungsdrossel (Breitband), b) 1:1 Breit-

bandübertrager, c) 4:1 Breitbandübertrager.
Auf diesem Prinzip beruhen auch Breitband-Ringkernübertrager, deren

Wicklungen letztlich immer so geschaltet werden, dass symmetrische Ströme
begünstigt, unsymmetrische Ströme unterdrückt werden, Bild 7.16 b und c.
Je nach Aufbau kann gleichzeitig ein von 1 : 1 verschiedenes Übersetzungs-
verhältnis und damit eine Impedanztransformation vorgesehen werden.
Neben den beschriebenen Breitbandübertragern kommen bei abgestimmten

Antennen auch Symmetrierübertrager aus kurzen Leitungsstücken ( l = λ / 4
oder λ / 2 ) in Frage, die bei Resonanzfrequenz entweder nur als einfache
Sperrkreise oder auch als Leitungstransformatoren mit einem von 1:1 ver-
schiedenen Übersetzungsverhältnis wirken [7.5].
Symmetrierübertrager unterschiedlicher thermischer Belastbarkeit und Line-

arität machen den essentiellen Unterschied zwischen gewöhnlichen Emp-
fangsantennen und Hochleistungs-Sendeantennen für Störfestigkeitsmessun-
gen aus.
7.2.2 Messgelände und Messplätze
Für die Messung von Störfeldstärken benötigt man ein geeignetes Mess-
gelände und eine dem Frequenzbereich angepasste Messeinrichtung. Beide
zusammen bilden einen Messplatz. Als Messgelände kommen in Frage das
Freifeld oder, bei zu großem Störhintergrund durch Rundfunksender,
reflexionsarm ausgerüstete, abgeschirmte Räume (Absorberkammern, s. u.).
Typische Mindestabstände für eine Freifeldmessung zeigt Bild 7.17.
2D
D
U St (ω) 3 D
Bild 7.17: Mindestabstände für Freifeldmessungen [7.7, 7.8].
Das Messgelände muss eben sein und darf innerhalb der Ellipse außer dem
Testobjekt und der Empfangsantenne keine weiteren reflektierenden Gegen-
stände (Messgeräte etc.) > 5 cm Höhe aufweisen. Der Boden des Messge-
ländes soll gut leitfähig sein. Dies wird meist durch im Boden eingelassene
oder durch oberflächig aufgelegte Metallplatten realisiert. Ausreichende Leit-
fähigkeit und Unabhängigkeit von außerhalb der Ellipse befindlichen reflek-
tierenden Objekten (Bäume, Zäune, Gebäude, Leitungen etc.) bescheinigt
eine erfolgreich verlaufene Messgeländeüberprüfung (s. unten).
Sowohl im nicht idealen Freifeld wie in abgeschirmten Räumen treten Refle-

xionen auf. Neben der direkten Störstrahlungskomponente treffen an der
Empfangsantenne auch vom Boden und anderen Hindernissen (Wände einer
Schirmkabine etc.) reflektierte Wellen ein, Bild 7.18.
a) b)
Bild 7.18: Direkte und reflektierte Störstrahlung. a) Freifeld, b) Schirmraum.
Je nach Laufzeitunterschied kommt es zu konstruktiver oder destruktiver

Interferenz, mit anderen Worten zu einer Verstärkung oder Schwächung des
am Empfangsort gemessenen Felds. Die räumliche Feldverteilung wird da-
durch stark inhomogen und macht die Ergebnisse von Störfeldstärkemessun-
gen in oft nicht überschaubarer Weise von der räumlichen Anordnung der
Prüfobjekte und Antennen abhängig. Gewissheit über die Eignung eines
Messgeländes schafft die Messung der Messgeländedämpfung für den in Fra-
ge kommenden Frequenzbereich.
Für eine Messgeländeüberprüfung benötigt man einen Sender, einen Emp-

fänger und zwei (nach Möglichkeit) identische Antennen, Bild 7.19.
Dh
UAntenne
1m 1m
Sender Empfänger
Bild 7.19: Ermittlung der Messgeländedämpfung. Symmetrierglieder des Übergangs

von der symmetrischen Antenne auf das unsymmetrische Koaxialkabel nicht ge-
zeichnet (Erläuterung s. Text).
Die Messgeländedämpfung definiert man als Verhältnis der Senderausgangs-

spannung zur Empfängereingangsspannung [7.18],
US
A= bzw. A dB = 20 lg US − 20 lg UE
UE
. (7-14)
Zur Berücksichtigung des Einflusses der vom Boden reflektierten Welle vari-
iert man während der Messung die Höhe der Empfangsantenne um
Δh = 3 m bis jeweils die maximale Anzeige erhalten wird (minimale Mess-
geländedämpfung).
Um den Einfluss der Antennenzuleitungen auszuschalten, wird die Messge-

ländedämpfung als Einfügungsdämpfung ermittelt. Das heißt, als Sender-
spannung US setzt man nicht die am Sender angezeigte Spannung, sondern
die bei direkt verbundenen Antennenleitungen mit dem Empfänger gemes-
sene Senderspannung ein (s. Bild 7.19). Die Messgeländedämpfung ist dann
ein Maß für den Spannungsverlust bei Strahlungsübertragung gegenüber
leitungsgebundener Übertragung.
Eine Aussage über die Eignung des Messgeländes liefert der Vergleich der
Einfügungsdämpfung mit der theoretischen Messgeländedämpfung des idea-
len Freifelds. Letztere ergibt sich ausgehend von der Streckendämpfung im
freien Raum nach Fränz [7.23, 7.24] unter Berücksichtigung der Reflexionen
von der leitenden Bodenfläche zu [7.18, 7.25, 7.8]
D ⋅ fm
A=
GSGE ⋅ R ⋅ 23,9
bzw.
A dB = 20 lg D + 20 lg fm − 27,6dB − GSdB − GEdB − R dB . (7-15)
In (7-15) bedeuten
D : Antennenabstand in m fm : Messfrequenz in MHz

GS : Sendeantennengewinn GE : Empfangsantennengewinn
R : Einfluss der vom Boden
reflektierten Welle.
Die Größe R hängt vom Antennenabstand D und dem Strahlenweg Dr der

am Boden reflektierten Welle ab: R = 1 − D / Dr . Für die verschiedenen Mess-
entfernungen nimmt R dB folgende Werte an,
D=3 m : R dB =3,74dB…4,84dB (Mittelwert 4,3dB)

Alternativ können nach [7.18] der Messabstand und der Einfluss der vom
Boden reflektierten Welle in die theoretische Messgeländedämpfung einge-
rechnet werden.
Für Halbwellendipole ergibt sich
279,1AFS AFE
A=
fm EDmax
bzw.
A dB = −20 lg fm − 20 lg E Dmax + 48,92dB + AFSdB + AFEdB . (7-16)
In den Gleichungen bedeuten
AFE : Antennenfaktor der Empfangsantenne

AFS : Antennenfaktor der Sendeantenne
EDmax : Maximale elektrische Feldstärke im Höhenbereich der Empfangs-
antenne, erzeugt durch 1 pW Strahlungsleistung der Sendeantenne.
Subtrahiert man von der gemessenen und der theoretischen Messgelände-

dämpfung die Antennenfaktoren beider Antennen, erhält man die normierten
Messgeländedämpfungen gemäß VDE 0877 Teil 2 [7.7]. Bei der Messung der
Einfügungsdämpfung erfolgt diese Subtraktion automatisch, falls im leitungs-
gebundenen Fall die Antennenübertrager von den Antennen gelöst und mit
den Koaxialkabeln in Reihe geschaltet werden (soweit konstruktionsbedingt
möglich).
Bild 7.20 zeigt den Verlauf der normierten theoretischen Felddämpfung über
der Frequenz für verschiedene Messentfernungen D und variable Empfangs-
antennenhöhen hE .
50
40
III
30
20
II
10
I Bild 7.20: Normierte, theo-
0 retische Felddämpfung ge-
mäß VDE 0877 [7.7].
-10
-20 I: D=3 m, Δh = 1 m;
-30 hE = 0, 5!1, 5 m;
30 40 50 60 80 100 150 200 300 400 600 1000 II: D=10 m, h E = 1! 4 m;
Frequenz in MHz III: D=30 m, h E = 1! 4 m.
Abweichungen > 3dB zwischen gemessener normierter Messgeländedämp-

fung und dem in Bild 7.20 dargestellten theoretischen Verlauf werden dem
Ergebnis einer Störfeldstärkemessung als Korrekturwerte hinzugefügt. Sind
die Abweichungen größer 10dB, ist das Messgelände ungeeignet.
Eine Messwertkorrektur ist nach der Norm [7.26] zur Messgeländeüber-

prüfung zukünftig ausgeschlossen. Danach darf die gemessene normierte
Messgeländedämpfung nicht mehr als ± 4dB abweichen, wobei zusätzlich
horizontale und vertikale Antennenpolarisation, zwei verschiedene Höhen
der Sendeantenne und deren Ortsvariation auf vier Positionen kreisförmig
um ihr Zentrum berücksichtigt werden müssen.
Bei der praktischen Durchführung von Störfeldstärkemessungen im klas-

sischen Industriebereich wird das Prüfobjekt in einer Höhe von 0,8 m bzw.
1 m (je nach Vorschrift) auf einen drehbaren Tisch aus dielektrischem
Material angeordnet. Standgeräte werden um maximal 0,15 m isoliert über
dem Boden aufgestellt. Andere Bereiche, wie in der Luftfahrt und KFZ-
Industrie, benötigen eine metallische Bezugsmasse als Tischoberfläche. Die
Störfeldstärke ist bei jeder Messfrequenz für horizontale und vertikale
Polarisation der Empfangsantenne zu ermitteln, wobei jeweils der Maximal-
wert (Drehtisch und Höhenvariation) festgehalten wird. Weicht die Mess-
entfernung von der genormten Entfernung, z. B. 3 m, 10 m, 30 m ab, können
bei Prüflingen, deren Abmessungen klein gegen die Wellenlänge sind,
gemessene Feldstärkewerte näherungsweise auf die genormten Messent-
fernungen umgerechnet werden (s. a. Abschn. 5.1). Es gilt Tabelle 7.1.
Tabelle 7.1: Proportionalitätsrelationen zur Umrechnung von Feldstärken auf ver-

schiedene Messentfernungen.
Messentfernung r < 0,1 ⋅ λ 0,1 ⋅ λ < r < 3 ⋅ λ r > 3⋅λ
3 2
Feldstärke 1/ r 1/ r 1/ r
Die Normen sehen diese Umrechnung wegen ihrem „Näherungscharakter“

jedoch nicht vor (siehe z. B. EN 55022) [7.28].
Abschließend zeigt Bild 7.21 einen typischen Versuchsaufbau für Störfeld-

stärkemessungen in einer Semi-Absorberkammer.
Netznachbildung Netznachbildung
220V Signalleitungen
Prüfobjekt
Störmessempfänger
Oszilloskop Plotter
3m 0.8 m
Bild 7.21: Typischer Versuchsaufbau für Störfeldstärkemessungen in Semi-

Absorberkammer nach EN 55022.
Bezüglich der vorschriftengerechten Durchführung von Störfeldstärkemes-

sungen (Leitungsführung und -längen, Abschluss von Leitungen durch Ab-
sorber und Netznachbildungen, räumliche Anordnung etc.) wird unter an-
derem auf EN 55022 (DIN VDE 0878 Teil 22) [7.28] und EN 55011 (DIN
VDE 0875 Teil 11) [7.29] verwiesen. Außerdem beispielsweise für den KFZ-
Bereich EN 55025 (DIN VDE 0879 Teil 2) [7.30] und den Luftfahrtbereich
RTCA-DO160 E Sektion 20 [7.31].
Ein weiteres Messgelände zur Erfassung gestrahlter Emissionen sind so-

genannte GTEM-Zellen (engl.: Gigahertz Transverse ElectroMagnetic Cell).
Die GTEM-Zelle hat eine pyramidenähnliche Form. Im Inneren des

Schirmraums befindet sich eine Platte als Innenleiter, so dass sich elektrisch
eine koaxiale Struktur ergibt, s. a. Abschn. 5.7.4.
Modenverwirbelungskammern (engl.: Reverberation Chamber) sind ein

weiteres Mess- und Prüfgelände für gestrahlte Felder, s. a. Abschn. 5.7.2.
Bild 7.22 zeigt den Messaufbau einer Modenverwirbelungskammer mit
Sende- und Empfangsantenne, sowie einem metallischen „Moden-Rührer“
(engl.: Stirrer).
Schrittmotor
Empfangsantenne
Leistungs- Verstärker
Stirrer richtkoppler
und
Prüfling, EUT ~messer Signal-
Sende- generator
antenne
Messempfänger
IEC-Bus
Computer Parallel-
schnittstelle
Bild 7.22: Aufbau einer Modenverwirbelungskammer.
Zur weiteren Erläuterung von Emissionsmessungen in Modenverwirbel-

ungskammern und der anzuwendenden Statistik sei wegen des großen
Umfangs auf das Literaturverzeichnis [7.35 und 7.9–7.12] verwiesen.
7.3 Messung von Störleistungen
Störfeldstärkemessungen stellen hohe Ansprüche an das Messgelände, die

Antennen sowie die gesamte Versuchsdurchführung. Zur Verringerung des
messtechnischen Aufwands kann bei Geräten, deren Abmessungen klein ge-
gen die Wellenlänge sind und deren Emissionen überwiegend über die als
Antennen wirkenden angeschlossenen Leitungen abgestrahlt werden, an
Stelle einer Störfeldstärkemessung eine Störleistungsmessung durchgeführt

werden.
Der auf einer Leitung gemessene Störstrom ergibt zusammen mit der Lei-
tungsimpedanz eine Störleistung, die der in eine virtuelle Antenne einge-
speisten Leistung entspricht, Bild 7.23.
Absorber für Messkabel
uSt(t)
Störquelle
Netz
Stromwandler Absorber für Netzzuleitung
Bild 7.23: Absorberzange für Störleistungsmessungen [7.1, 7.3, 7.14].
Die Absorber auf der Netzleitung verhindern einerseits die Ausbreitung von
Störströmen in das Netz, andererseits die Verfälschung des Messergebnisses
durch ankommende Störströme aus dem Netz. Die Absorber auf der Mess-
leitung dienen lediglich der Unterdrückung parasitärer, kapazitiv auf die
Messleitung eingekoppelter Kabelmantelströme.
Der Vorzug der Störleistungsmessung liegt in ihrer guten Reproduzierbarkeit

und Unempfindlichkeit gegenüber äußeren Störeinflüssen. Letztere machen
eine spezielle Absorberkammer häufig entbehrlich. Ihre Verwendung bietet
sich speziell dann an, wenn die Emissionen der Störquelle dank einem
EMC-tauglich ausgebildeten Gehäuse ausschließlich von den angeschlossen-
en Leitungen ausgehen oder die Gehäuseabmessungen klein gegenüber der
Wellenlänge sind. Diese Art Messung, gemäß EN 55014, findet deswegen
auch vorzugsweise bei Haushaltsgeräten statt, da diese meist von kleiner
Bauweise sind.
7.4 EMB-Messgeräte
Die messtechnische Erfassung unterschiedlichster elektromagnetischer Be-

einflussungen, wie Störspannungen, Störströme, Störleistungen, E-Felder, H-
7.4 EMB-Messgeräte 307
Felder etc., führt dank geeigneter Sensoren bzw. Messumformer (Tastköpfe,

Stromwandler, Antennen) letztlich immer auf ein Spannungssignal uM (t) ,
das mit einem
– Störmessempfänger,
– Spektrumanalysator oder
– Oszilloskop
gemessen bzw. angezeigt wird. Aus dieser Information wird anschließend mit
Hilfe der jeweiligen Übertragungsfaktoren bzw. der Übertragungsmaße der
Messumformer (s. z. B. Abschn. 7.1, 7.2.1) auf die tatsächliche Störgröße ge-
schlossen. Die Wirkungsweise von Störmessempfängern und Spektrumanaly-
satoren wird im Folgenden näher erläutert.
7.4.1 Störmessempfänger
Störmessempfänger sind im Wesentlichen abstimmbare selektive Spannungs-

messer für Hochfrequenzspannungen. Sie arbeiten nach dem Überlage-
rungsprinzip (Superheterodynprinzip), das auch jedem Ton- und Fernseh-
rundfunkempfänger zu Grunde liegt, Bild 7.24.
1 2 3 4 5
USt Detektor
Oszillator
Bild 7.24: Stark vereinfachtes Blockschaltbild eines Störspannungsmessgeräts

(Überlagerungsempfänger, Superheterodynprinzip): 1 Eingangsabschwächer, 2 ab-
stimmbarer Eingangskreis zur Vorselektion, 3 ZF-Erzeugung (Oszillator und Misch-
stufe), 4 ZF -Verstärker (selektiver Verstärker mit fester Mittenfrequenz), 5 Bewer-
tungsglied mit Anzeigevorrichtung.
Die zu messende Spannung gelangt über einen Eingangsabschwächer 1 und

einen auf die Messfrequenz abstimmbaren Bandfilter 2 zur Mischstufe 3, in
der dem vorselektierten Frequenzgemisch die einstellbare Oszillatorfrequenz
überlagert wird. Mischprodukte mit Zwischenfrequenz (ZF) werden im ZF-
Verstärker 4 (mehrstufiger Verstärker mit fest eingestellten Koppelfiltern für

die ZF) selektiv verstärkt. Bei vielen Störmessempfängern lässt sich die
maximale ZF-Bandbreite durch zuschaltbare ZF-Filter schmälerer Band-
breite nachträglich einengen.
Je nach gewählter Anzeigeart (Detektorschaltung) und Vorschrift wird von

der Einhüllenden der Ausgangsspannung des ZF-Verstärkers der
– Spitzenwert,
– Quasi-Spitzenwert (Bewerteter Spitzenwert),
– Arithmetische Mittelwert oder
– Effektivwert
angezeigt [7.15–7.17]. Komfortable, moderne Störmessempfänger erlauben

dank verschiedener integrierter Bewertungsglieder die Wahl unterschiedlich-
er Anzeigearten durch einfaches Umschalten. Des Weiteren besitzen Sie eine
Max-Hold-Funktion und zusätzliche statistische Verfahren, die meist soft-
waremäßig implementiert sind.
7.4.1.1 Spitzenwertanzeige
Die Spitzenwertanzeige zeigt die maximale Amplitude der gleichgerichteten

Ausgangsspannung uR (t) des ZF-Verstärkers an (Einhüllende, Richtspan-
nung), kalibriert in Effektivwerten einer sinusförmigen Störspannung, die die
gleiche Richtspannung ergibt (bei sinusförmigen Eingangsspannungen ist die
Richtspannung eine konstante Gleichspannung U = u(t) ˆ ), Bild 7.25.
uR(t)
ûR
CS ûR uZF(t)
uZF(t) Bild 7.25: Spitzen-
S wertdetektor (sche-
matisch).
Die Diode richtet die veränderliche ZF-Wechselspannung uZF (t) gleich und
lädt einen Speicherkondensator CS auf den maximalen Scheitelwert ûR der
Einhüllenden auf. Die Einhüllende hat nur formalen Charakter und tritt
nicht als physikalische Spannung auf.
Der Kondensator hält den Maximalwert so lange fest, bis er durch den
Schalter S manuell oder automatisch nach Verstreichen der zum Ablesen
benötigten Zeit entladen wird. An Stelle des Schalters können auch hoch-
ohmige Entladewiderstände treten, die eine ausreichend große Entladezeit-
konstante gewährleisten. Die Spitzenwertanzeige zeigt beim Anlegen einer
sinusförmigen Spannung deren Effektivwert an. Weiter sei erwähnt, dass der
Spitzenwert auch mittels einer Komparatorschaltung detektiert werden
kann, in der die Diode durch eine veränderliche Gleichspannung in den
Sperrbetrieb ausgesteuert wird. Die beim Übergang vom leitenden in den
nicht leitenden Zustand herrschende Vorspannung ist ein Maß für den
Spitzenwert (engl.: slideback peak detector).
Bei Impulsen wird der Wert angezeigt, den eine Sinusspannung mit dem
gleichen Spitzenwert aufweist. Dabei handelt es sich nicht um den
breitbandigen Video-Impuls-Spitzenwert, sondern denjenigen, der nach
Durchlaufen der Filterselektion aufgrund deren Impulsbandbreite entsteht.
Dieser Spannungswert kann um Größenordnungen kleiner sein als der
breitbandige Scheitelwert der Eingangsimpulse. Die Anzeige ist unabhängig
von der Pulsfolgefrequenz (bis etwa zur Hälfte des Reziprokwerts der
Filterbandbreite, darüber erfolgt individuelle Spektralauflösung).
Der Spitzenwert-Detektor hat eine extrem kurze Aufladezeitkonstante,

während die Entladezeitkonstante sehr lang ist. Daher genügt bereits eine
sehr kurze Beaufschlagung mit einem Signal, um den vollen Spannungswert
zur Anzeige zu bringen, andererseits muss die erfolgte Anzeige nach einer
bestimmten Zeit wieder „gelöscht“ werden, da sonst die Anzeige auf dem
Spitzenwert stehen bliebe.
Der Peak-Detektor eignet sich daher bevorzugt für schnelle Frequenzabläufe,

wenn ohne Verzug auch diskrete Signale mit ihrer vollen Spannung ange-
zeigt oder geschrieben werden sollen.
Für Impulse und modulierte Signale ergibt der Spitzenwert-Detektor die

größte Anzeige, während bei Sinusspannungen alle Detektoren den gleichen
Wert anzeigen.
7.4.1.2 Quasi-Spitzenwertanzeige
Die Quasi-Spitzenwertanzeige zeigt den bewerteten Spitzenwert der Einhül-

lenden der ZF-Spannung an. In dieser Anzeigeart wird der elektrische Wert
der Störspannung in eine Anzeige umgewandelt, die dem physiologischen

Störeindruck des menschlichen Ohrs entspricht. Letzteres empfindet beim
Rundfunkempfang Knackstörungen großen Scheitelwerts und geringer Häu-
figkeit ebenso störend wie Knackstörungen kleinen Scheitelwerts bei großer
Häufigkeit (Psophometrische Kurve). Um diese Anzeigeart zu verstehen, sei
zunächst erläutert, wie ein Störmessempfänger bei Beaufschlagung mit Im-
pulsspannungen reagiert.
Der Übertragungsfaktor des ZF-Verstärkers besitze einen rechteckförmigen

Verlauf, stelle also einen idealisierten Bandpass mit der Mittenfrequenz f0
dar. Gelangt an den Eingang des Störmessempfängers ein Störimpuls, dessen
Dauer (mittlere Breite δ ) kurz ist verglichen mit 1/ f0 , erscheint am Ausgang
des ZF-Verstärkers eine Kosinusschwingung mit ZF-Frequenz, deren Am-
plitude mit der Funktion sin(x)/x moduliert ist, Bild 7.26.
uSt(t) uZF(t) 2/BZF

1/BZF
δ<1/f0
BZF 1/ZF
ûSt uR(t)
V0 ûR=2 A V0 BZF
t ZF f t
A= uSt(t) dt
0
a) b) c)
Bild 7.26: Zusammenhang zwischen der Spannungszeitfläche eines Störimpulses und

der Anzeige eines Störmessempfängers. a) Zeitlicher Verlauf des Störimpulses, b)
Idealisierter Übertragungsfaktor des ZF-Verstärkers, c) Ausgangsspannung des ZF-
Verstärkers. A: Spannungs-Zeitfläche des Impulses, V0: ZF-Verstärkung, BZF: ZF-
Bandbreite.
Unabhängig vom zeitlichen Verlauf des Eingangsimpulses wird die größte

Amplitude der Einhüllenden uR (t) definiert durch
ûR = 2 A V0 BZF , (7-17)
worin A die Spannungszeitfläche des Störimpulses und V0 die ZF-Verstär-

kung bedeutet. Die Spannung ûR steht also wohlgemerkt nicht in Beziehung
zum Scheitelwert des Störimpulses, sondern, da V0 und BZF Konstanten
sind, ausschließlich zu seiner Fläche (s. Abschn. 1.6.3.1). Wie bei der
Spitzenwertanzeige wird auch hier ein Speicherkondensator aufgeladen,
diesmal jedoch über einen definierten Ladewiderstand R L , Bild 7.27.
Bild 7.27: Quasi-

Spitzenwertanzeige.
Aufladezeitkonstante R L ⋅ CS und Entladezeitkonstante R E ⋅ CS sind so ge-

wählt, dass sich der Kondensator CS zwischen aufeinander folgenden
Impulsen teilweise entladen kann, so dass das Messinstrument M einen von
der Impulshäufigkeit abhängigen Mittelwert anzeigt, Bild 7.28 a.
0
uZF(t)
-10
uR(t) -20
ûR
-30
ûRbew.
t
-40 0
10 101 102 103 104
Pulsfrequenz in Hz
a) b)
Bild 7.28: Zur Erläuterung der Quasi-Spitzenwertanzeige: a) Zustandekommen des

Quasi-Spitzenwerts (Mittelwert), b) Zusammenhang zwischen Umax , U Anzeige (uˆ R bew. )
und Impulshäufigkeit eines Störspannungsmessgeräts nach CISPR bzw. VDE 0876
[7.1].
Neben den elektrischen Zeitkonstanten ist auch noch die mechanische Zeit-
konstante des Anzeigeinstruments spezifiziert. Gemäß CISPR (Comité Inter-
national Spécial de Perturbations Radioélectriques, s. Kap. 9) bzw. VDE
0876 [7.1] besitzen die Zeitkonstanten in den einzelnen Spektralbereichen
die in Tabelle 7.2 aufgeführten Werte.
Tabelle 7.2: Zeitparameter der Quasi-Spitzenwertanzeige nach CISPR.
Spektralbereich 10 kHz…150 kHz 150 kHz…30 MHz 30 MHz…1000 MHz
ZF-Bandbreite 200 Hz 9 kHz 120 kHz
Aufladezeitkonstante 45 ms 1 ms 1 ms
R L CS
Entladezeitkonstante 500 ms 160 ms 550 ms
R E CS
Mechanische Zeit- 160 ms 160 ms 100 ms
konstante
Obige Zeitparameter liegen dem Zusammenhang zwischen Anzeige und

Impulshäufigkeit gemäß Bild 7.28 b zu Grunde. Beispielsweise bewirkt ein
Einzelimpuls im Spektralbereich 30 bis 1000 MHz eine um etwa 40dB ge-
ringere Anzeige als eine mit 1000 Hz repetierende Impulsfolge gleicher Am-
plitude. Da der Störmessempfänger aus dem gesamten Spektrum eines Im-
pulses nur einen seiner ZF-Bandbreite entsprechenden Anteil der Signal-
energie herausfiltert und diesen bei der Quasi-Spitzenwertanzeige auch noch
mit bis zu -40dB unterbewertet, unterscheiden sich bei Impulsbeaufschla-
gung der angezeigte Spannungswert und der tatsächliche Scheitelwert eines
Impulses um bis zu sechs Größenordnungen ( 1 : 106 ). Dies erhellt, dass Stör-
messempfänger über einen weiten Aussteuerbereich extrem linear aufgebaut
sein müssen. Einen wesentlichen Beitrag zur Übersteuerungs- und Intermo-
dulationsfestigkeit liefert die mitlaufende Vorselektion.
7.4.1.3 Mittelwertanzeige
Die Mittelwertanzeige zeigt den arithmetischen Mittelwert uR der

Einhüllenden uR (t) der ZF-Spannung uZF (t) an, Bild 7.29.
RM uR(t)
uR
RE C CM uZF(t)
uZF(t) uR
Bild 7.29:
Mittelwertanzeige.
Die Diode richtet die ZF-Spannung gleich und lädt den Kondensator C zu-
nächst auf den jeweiligen Momentanwert der Hüllkurve auf. Dank des ver-
gleichsweise kleinen Entladewiderstands R E kann die Spannung an C in je-
dem Augenblick der Hüllkurve (Richtspannung) folgen. Der Tiefpass R MCM
glättet die monopolare Richtspannung, so dass sich an CM ihr arith-
metischer Mittelwert uR einstellt. Die Mittelwertanzeige eignet sich be-
sonders für die unbeeinflusste Messung der Störwirkung diskreter Fre-
quenzen und modulierter Trägerfrequenzen, da einzelne höhere Störimpulse
und Modulationsprodukte durch die Mittelung schwächer bewertet werden.
Sinusspannungen werden wieder in gleicher Höhe mit dem Effektivwert zur

Anzeige gebracht. Für langsame Pulse ist dieser Detektor wesentlich un-
empfindlicher als der Quasi-Spitzenwert-Detektor. Aus einem Mischspek-
trum werden daher Sinussignale, bzw. diskrete Frequenzen, aus einem Puls-
und Rauschhintergrund herausgehoben. Dies ermöglicht (z. B. nach CISPR-
22) die Festlegung zweier Grenzwerte für Pulsstörungen (z. B. 60 dBmV) und
Störungen durch Schmalbandsignale (sinusförmig oder diskrete Harmoni-
sche) (z. B. 48 dBmV). Die Impulsbewertungskurve des Mittelwert-Detektors
erlaubt bei langsamen Pulsen, z. B. 100 Hz Normpuls, keine verwertbare An-
zeige, weil dazu der Dynamikumfang des Empfängers nicht ausreicht.
Die moderne Leistungselektronik erzeugt jedoch Störspektren mit Puls-

frequenzen im kHz-Bereich, die vom Mittelwert-Detektor guter Mess-
empfänger angezeigt werden. Häufig weisen solche Spektren schnelle Pegel-
und Frequenzschwankungen auf. Da der Quasi-Peak-Empfänger ohnehin die
Instrumentenzeitkonstante aufweist, liegt es nahe, diese auch dem Mittel-
wert-Detektor nachzuschalten.
Die Zeitkonstanten des Mittelwertdetektors sind in der CISPR 16 [7.7]

spezifiziert.
7.4.1.4 Effektivwertanzeige
Die Effektivwertanzeige zeigt mittels eines Messgleichrichters mit quadrati-

scher Kennlinie oder eines echten thermischen Effektivwertmessers (Ther-
mokreuz etc.) den Effektivwert entweder der Einhüllenden [7.15] oder der
ZF-Wechselspannung [7.1] eines Messempfängers an. Sie ist hier nur der
Vollständigkeit halber erwähnt und hat in der EMV-Technik keine große
Bedeutung.
Zusammenfassend zeigt Tabelle 7.3 nochmals die Anzeige eines Stör-

messempfängers in den verschiedenen Anzeigearten bei unterschiedlichen
Eingangsgrößen [7.15].
Tabelle 7.3: Anzeige von Störmessempfängern in den verschiedenen Anzeigearten für

diskrete Frequenzen fν und für Amplitudendichten U(f). frep : Impulswiederhol-
frequenz; g(frep ) : Bewertungsfunktion; Bimp : effektive ZF-Bandbreite für Impulse
(s. nachstehende Erläuterung).
Anzeigeart: Spitzenwert Quasi- Arithmeth.

Spitzenwert Mittelwert
Störgröße:
u(t) = uˆ sin(ωt) û / 2 û / 2 û / 2
Amplituden- 2 2 2
U(f) ⋅ BIm p U(f) ⋅ BIm p ⋅ g(frep ) U(f) ⋅ frep
dichte U(f) 2 2 2
In obiger Darstellung bedeutet BIm p die Impulsbandbreite. Hierunter ver-

steht man die Bandbreite eines idealen Bandfilters (mit rechteckiger Durch-
lasskurve) gleicher Sprungantwort. Bei der CISPR-Durchlasskurve, deren
Bandbreite jeweils bei ±6dB Abfall definiert ist, beträgt der Unterschied nur
ca. 5%, das heißt BIm p ≈ 1.05 ⋅ B6dB . Wird dagegen die Bandbreite der
Durchlasskurve zwischen ±3dB Abfall definiert, so beträgt für Filter mit
Gaußschem Verlauf der Unterschied ca. 50%, das heißt BIm p ≈ 1,5 ⋅ BZF(3dB) .
Die meisten Messempfängerhersteller geben heutzutage die Impulsband-

breite ihrer Geräte mit im Datenblatt an, so dass die Sicherheit der durch-
geführten Messung von Impulsgrößen zugenommen hat.
Es sei noch erwähnt, dass eine zuverlässige Messung von Impulsen mit
Spektrumanalysatoren oder Messempfängern nur möglich ist, wenn
0,1 ≤ BIm p ⋅ τ ≤ 0.3 erfüllt ist ( τ : Impulsdauer) [7.32]. Andernfalls sind die
Messempfänger nicht in der Lage, die Pulsform richtig wiederzugeben. Dies
liegt darin begründet, dass die Spektraldichte eigentlich nur dann gemessen
werden kann, wenn ein Filter unendlich schmaler Bandbreite zur Verfügung
stünde. Da in der Realität solche Filter nicht existieren, wird ein gemessenes
Ergebnis immer fehlerbehaftet sein.
7.4.1.5 Einfluss der Empfängerbandbreite auf die Anzeige von Schmal-

und Breitbandstörungen
Für Schmal- und Breitbandemissionen existieren je nach Vorschrift unter-

schiedliche Grenzwerte, die eine eindeutige Identifikation einer Störung er-
fordern. Aus diesem Grund wird hier auf die Unterschiede zwischen beiden
Störungsarten noch etwas ausführlicher eingegangen.
Alle Arten elektromagnetischer Störungen lassen sich grundsätzlich in

schmal- und breitbandige Störungen unterteilen, wobei die Zuordnung zu
der einen oder anderen Gruppe eine Frage der Empfängerbandbreite (ZF-
Bandbreite) ist, Bild 7.30.
Störgrößen
Schmalbandige Störgrößen Breitbandige Störgrößen

(Linienspektrum) (Amplitudendichte)
Periodische Einmalige Periodische Nichtperio-

Diskrete Impulse Impulse dische Impulse,
Frequenz Impulse Inkohärentes
f1>BZF (Transienten) f1<BZF Spektrum
Bild 7.30: Einteilung von Störgrößen in schmal- und breitbandige Störungen.
Zu den schmalbandigen Störgrößen zählen alle sinusförmigen Wechselspan-

nungen einer diskreten Frequenz sowie alle periodischen nichtsinusförmigen
Spannungen (z. B. periodische Impulse, Rechteckspannungen), deren
Grundfrequenz f1 bzw. Spektrallinienabstand Δf groß ist gegen die ZF-Fil-
terbandbreite, Bild 7.31.
u(t) u(f)
BZF ZF-Filterkurve mit
dank Superhetprinzip
durchstimmbarer
Mittenfrequenz fm
Δf > BZF
Δf
1 t fm f1 f3 f5 f
T= f
1
Bild 7.31: Zur Definition schmalbandiger Störungen.

Nach dieser Definition zählen auch AM und FM modulierte Trägerfrequen-

zen zu schmalbandigen Störungen, wenn die wichtigen Modulationsproduk-
te innerhalb der ZF-Bandbreite liegen. Genormte ZF-Bandbreiten (z. B.
nach CISPR) sind 200 Hz (Spektralbereich 10 kHz bis 150 kHz), 9 kHz
(Spektralbereich 150 kHz bis 30 MHz) und 120 kHz (Spektralbereich
30 MHz bis 1000 MHz). Fällt jeweils nur eine Spektrallinie in die ZF-Band-
breite, so zeigt der Messempfänger unabhängig vom Zahlenwert der Band-
breite den durch 2 geteilten Scheitelwert der sinusförmigen ZF-Spannung
an. Die Anzeige ist demnach in Effektivwerten geeicht und wird in Veff an-
gegeben.
Schmalbandige Störungen lassen sich als solche identifizieren, indem man

die Mittenfrequenz des Empfängers um ±BZF verstimmt. Geht hierbei die
Anzeige um mehr als 3dB zurück, liegt eine Schmalbandstörung vor. Ein
weiteres Kriterium ist eine konstante Anzeige beim Umschalten auf eine
größere Bandbreite (Änderung < 3dB zulässig). Schließlich rufen Schmal-
bandsignale sowohl bei der Mittelwert- als auch bei der Spitzenwertmessung
die gleiche Anzeige hervor, während Breitbandsignale beim Umschalten von
Spitzenwert- auf Mittelwertanzeige wesentlich geringere Spannungen an-
zeigen (bei pulsmodulierten Trägerfrequenzen erlaubt letzterer Teil keine
eindeutige Aussage).
Im Gegensatz zu Schmalbandstörungen hängt bei Breitbandstörungen die

Anzeige von der Empfängerbandbreite ab. Eine Spitzenwertanzeige mit rela-
tiver Verstärkung V0 = 1 zeigt bei breitbandigen Störgrößen gemäß Glei-
chung (7-17) die Spannung
ûR = 2 A BZF , (7-18)
bzw. gemäß Abschn. 1.6.1 die Spannung
uˆ R = U(f)BZF = 2uˆ τ BZF (7-19)
an, wobei U(f) die physikalische Amplitudendichte (Messwert) darstellt. Der

angezeigte Wert ist bei kohärenten Störungen (Spektralamplituden und zu-
gehörige Phase sind einander deterministisch zugeordnet, z. B. periodische
Impulse) der Bandbreite proportional, das heißt die Anzeige ändert sich
beim Umschalten von einer Bandbreite B1 auf eine Bandbreite B2 um
BZF1
ΔU = 20 lg dB
BZF2
. (7-20)
Bei inkohärenten Störungen (engl.: random noise, z. B. Korona, Rauschen

etc.) ist der angezeigte Wert der Wurzel aus der Bandbreite proportional, das
heißt die Anzeige ändert sich beim Umschalten nur um
BZF1
ΔU = 10 lg dB
BZF2
. (7-21)
Die unterschiedliche Änderung der Anzeige kann als Kriterium für die Un-
terscheidung kohärenter und inkohärenter Breitbandstörungen verwendet
werden.
Gemäß Gleichung (7-19) zeigen Messempfänger unterschiedlicher ZF-

Bandbreite in der Betriebsart Spitzenwertanzeige bei gleichem Signal am
Eingang unterschiedliche Spannungswerte an. Um das Messergebnis
unabhängig von der Empfängerbandbreite zu machen, bezieht man die
gemessene Spannung auf BZF und erhält somit die physikalische
Amplitudendichte (s. Abschn. 1.6.2),
ûR
U(f) = = 2 A V0 = 2uˆ τ V0
BZF
. (7-22)
Als Bezugsbandbreite wird häufig 1 MHz gewählt. Die Einheit der gemesse-
nen Amplitudendichte ist μV / Hz bzw. dBμV / Hz . Die Umwandlung auf
andere Bandbreiten erfolgt für kohärente Signale in Anlehnung an (7-17), für
inkohärente Signale in Anlehnung an (7-21).
7.4.2 Spektrumanalysatoren
Spektrumanalysatoren erlauben die rasche graphische Darstellung des Fre-

quenzspektrums von Störgrößen. Sie bestehen im Wesentlichen aus einem
Störmessempfänger ohne Vorselektion und einem integrierten Oszilloskop.
Ein Sägezahngenerator steuert den lokalen Oszillator des Störmess-
empfängers über einen wählbaren Frequenzhub (Wobbelhub) aus und
bewirkt gleichzeitig die Zeitablenkung des Oszilloskops. Die gleichgerichtete
ZF-Spannung (Hüllkurve, Richtspannung) wird in einem Videoverstärker

verstärkt und an die Vertikalplatten gelegt, Bild 7.32.
uSt(t) Video
Detektor Verstärker
Bild 7.32: Prinzipschaltung eines Spektrumanalysators.
Je nach Detektionsart und Bandbreite des Video-Verstärkers lassen sich

Spitzenwert- und Mittelwertanzeige (in Einzelfällen auch Quasi-Spitzen-
wertanzeige) darstellen. Da sich die gewobbelte Mittenfrequenz der Empfän-
gerbandbreite während eines Sägezahns nicht gleichzeitig in Front und
Rücken eines einmaligen Vorgangs befinden kann, liefert ein Spektrumana-
lysator eine befriedigende Bildschirmdarstellung nur bei repetierenden Vor-
gängen bzw. Dauerstörungen.
Spektrumanalysatoren eignen sich hervorragend zur Spektrumüberwachung,

Aufnahme von Störhintergründen etc. Verglichen mit reinen Störmessemp-
fängern stehen ihren Vorzügen höhere Rauschzahl, geringerer intermodulati-
onsfreier Dynamikbereich (mangels mitlaufender Vorselektion), geringere
Genauigkeit etc. gegenüber. Bei EMV-Abnahmeprüfungen wird daher Stör-
messempfängern meist der Vorzug gegeben. In einem gut ausgestatteten
EMV-Labor sollten beide Empfängerarten vorhanden sein und sich gegen-
seitig ergänzen.
7.5 Messunsicherheit in der EMV
Eine wichtige Fragestellung bei jeder Messung ist die Genauigkeit, mit der
das Messergebnis den wahren Wert der Messgröße wiedergibt und welche
Faktoren das Messergebnis beeinflussen. Dazu dient die Messunsicherheits-
ermittlung. Eine Messung liefert immer nur einen Näherungswert des
wahren Wertes der zu erfassenden Größe. Der wahre Wert ließe sich mit
einer idealen Messung erhalten. Da es jedoch bei realen Messvorgängen
zahlreiche Einflussgrößen gibt, die zu Abweichungen führen, muss man diese
7.5 Messunsicherheit in der EMV 319
berücksichtigen und auch bei der Beurteilung von Prüflingen einfließen

lassen.
Die Messabweichung ist formal als Differenz F aus dem Messwert x m und
dem wahren Wert x w der Messgröße bestimmt:
F = xm − x w . (7-23)
Als Maß für die Annäherung des Messergebnisses an den wahren Wert dient
die Messgenauigkeit, deren quantitative Beurteilung in der Messunsicherheit
u ausgedrückt wird. Darunter versteht man einen Wertebereich in dem der
wahre Wert der Messgröße liegt. Die untere und die obere Grenze des
Wertebereichs ist definiert nach
xE − u (obere Grenze) ,
xE + u (untere Grenze) , (7-24)
wobei die Spanne des Wertebereichs 2u beträgt und x E das um systema-

tische Fehler bereinigte Messergebnis ist.
Messabweichungen lassen sich verursachungsgerecht in grobe, systematische

und zufällige Fehler unterteilen.
Tabelle 7.4: Fehlerarten als Ursache von Messwertabweichungen.
Grobe Fehler Systematische Fehler Zufällige Fehler
z. B. falsche Handhabung z. B. falsche Justierung z. B. durch statistisches

eines Messgerätes, Defekt von Messgeräten, Schwanken der
eines Messgerätes Nichtbeachten von Messgröße
Kabeldämpfungen
Grobe Fehler lassen sich bereits durch regelmäßige Wartung der Messgeräte
und Schulung des Personals sehr einschränken.
Bei systematischen Fehlern handelt es sich um Fehler, die unter gleichen

Messbedingungen immer mit gleichem Betrag und Vorzeichen auftreten. Das
so entstandene unberichtigte Messergebnis lässt sich durch Hinzufügen von
Korrekturwerten in das berichtigte Messergebnis x E überführen. Dabei
werden die verschiedenen Messgrößen X1 , X 2 , X 3 ,! , X N , die auf die Mess-

größe Y einfließen, mit deren jeweils verbundenen Messabweichungen
Δx1 , Δx 2 ,! , Δx N korreliert und eine Gesamtabweichung Δy der Ergebnis-
größe y zugeordnet (Fehler-Fortpflanzungsgesetz systematischer Messab-
weichungen). Ein Beispiel hierfür wäre das Beachten der Messkabel-
dämpfung oder des Antennenfaktors einer Empfangsantenne.
Zufällige Fehler sind dagegen weder vorhersehbar noch korrigierbar. Sie

können nur mit statistischen Methoden erfasst werden, indem man ihre
Gesamtheit mit Hilfe statistischer Kennwerte erfasst, z. B. dem arithme-
tischen Mittelwert, dem Erwartungswert, der Standardabweichung und der
Varianz. Mit Hilfe des Gaußschen Fehler-Fortpflanzungsgesetzes für zu-
fällige Messabweichungen lässt sich das Messergebnis bezüglich der zu er-
wartenden Unsicherheit beschreiben.
Zur Berechnung der gesamten Messunsicherheit (kombinierte Standard-

unsicherheit, uc (y) ) berücksichtigt man zusätzlich Empfindlichkeitskoeffi-
zienten. Ein Empfindlichkeitskoeffizient ci gibt an, wie stark eine Eingangs-
größe X i auf die Ausgangsgröße Y einwirkt, z. B. Proportionalitäten bei
Spannungsmessungen. Dadurch kann nun die kombinierte Standardun-
sicherheit berechnet werden zu
n
uc (y) = ¦ c u (x )
i =1
2 2
i i
. (7-25)
Als erweiterte Messunsicherheit U wird der Bereich um den Mittelwert

bezeichnet, in dem erwartet werden kann, dass die Messwerte mit einer be-
stimmten Wahrscheinlichkeit auftreten. Sie berechnet sich zu
U = k ⋅ uc (y) , (7-26)
wobei der Erweiterungsfaktor k auf den geforderten Grad des Vertrauens

ausgelegt wird. Im Allgemeinen liegt k zwischen 2 und 3. Der meist
verwendete Erweiterungsfaktor k=2 entspricht ungefähr einem Vertrauens-
niveau von 95%.
Zur genauen Ermittlung von Messunsicherheiten in der EMV wird auf die
deutsche Übersetzung des Guide to the Expression of Uncertainty in Mea-
surement (GUM) verwiesen [7.33].
7.5 Messunsicherheit in der EMV 321
Als Beispiel zur Angabe von Messunsicherheiten sei hier die Bestimmung
der leitungsgebundenen Emission, speziell einer Störspannungsmessung
angeführt, s. a. Abschn. 7.1, Bild 7.7.
Tabelle 7.5 zeigt den Ansatz zur Bestimmung der kombinierten Standard-
unsicherheit bei einer Störspannungsmessung von 150 kHz bis 30 MHz mit
einer 50 μH / 50 Ω -Netznachbildung:
Tabelle 7.5: Messunsicherheitsermittlung für die Störspannungsmessung
Eingangsgröße Xi Unsicherheitsbeitrag von x i u(x i ) c i c i × u(x i )

In dB WV*, k in dB 1 in dB
Kabeldämpfung Lc ±0,1 Normal (k=2) 0,05 1 0,05
Fehlanpassung δM +0,7/-0,8 U-förmig 0,53 1 0,53
EMV-Messempfänger:
Empfängeranzeige Vr ±0,1 Normal (k=1) 0,1 1 0,1
Anzeige Sinus δVsw ±1, 0 Normal (k=2) 0,5 1 0,5
Puls/Amplitude δVpa ±1, 5 Rechteck 0,87 1 0,87
Puls/Wiederholrate δVpr ±1, 5 Rechteck 0,87 1 0,87
Rauschen δVnf ±0 0 1 0
Netznachbildung:
Nachbildungs-Impedanz δZ +2, 5 / − 2, 7 Dreieck 1,08 1 1,08
Teilungsfaktor L amn ±0, 2 Normal (k=2) 0,1 1 0,1
Damit ergibt sich die kombinierte Standardabweichung gemäß (7-25) zu
n
uc (y) = ¦ c u (x ) = 1,8dB
i =1
2 2
i i
(7-27)
und die erweiterte Messunsicherheit zu U = 2uc (y) = 3,6dB .
Diese Messunsicherheit muss nun bei der Bewertung einer Messung berück-
sichtigt werden. So kann ein Prüfling zwar mit seinem Messwert 1dB
unterhalb des Grenzwertes liegen, zieht man jedoch die Messunsicherheit
hinzu, lässt sich nicht mehr sicher aussagen, ob der Prüfling normkonform
ist oder nicht. Gemäß DIN EN ISO IEC 17025 muss zu dem Messergebnis
im Protokoll stets auch die Messunsicherheit mit angegeben werden. Die
meisten gerätegebundenen Anteile der Messunsicherheit erhält man aus den
Kalibrierunterlagen des Herstellers oder Kalibrierlabors. Weitere Messun-
sicherheitsanteile können beispielsweise von der selbst durchgeführten

Kalibrierung der Messkammer herrühren.
7.6 Automatisierte EMV-Messplätze
Bedenkt man den zeitlichen Aufwand einer Störfeldstärkemessung, bedingt

durch Drehen des Prüflings, Ändern der Antennenpolarisation, Ändern der
Antennenhöhe, Ändern der Bandbreite in Abhängigkeit der Messfrequenzen,
etc., so lässt sich erahnen, dass die Messdauer leicht mehr als 10 Stunden,
wenn nicht gar Tage, betragen kann (je nach Komplexität und Betriebsmodi
des Prüflings). Um nicht fortwährend Personal vorhalten zu müssen und die
Messdauer zu verkürzen, versucht man den Messplatz weitgehend zu auto-
matisieren.
Hierbei wird die herkömmliche Bedienung und Beobachtung über Geräte-

frontplatten von Messgeräten und Signalgeneratoren durch einen PC für die
vielfältigen Auswertungs- und Steuerungsaufgaben unterstützt.
Die Automatisierung umfasst in der Regel nicht nur den Mess- und Prüf-
prozess, sondern auch die Dokumentation und Bewertung der Ergebnisse
durch spezielle Signalverarbeitung oder die Filterung von Signalen. Ebenfalls
wird oft eine statistische Betrachtung mehrerer Messergebnisse ver-
schiedener Prüflinge integriert.
Die Anwendungssoftware wird problembezogen entweder selbst pro-

grammiert oder man bedient sich kommerzieller Software. Bei akkreditierten
Prüflaboratorien muss die Software evaluiert und zertifiziert werden, was
den Einsatz kommerzieller, bereits evaluierter Software nahelegt.
Derzeit gibt es auf dem Markt zwei große general-purpose Softwarepakete

zur Programmierung der Steuerung und der Datenübertragung von Messge-
räten: „Agilent VEE“ (Agilent’s Visual Engineering Environment) und „Lab-
View“ von National Instruments. Beide Programme bieten eine grafisch
orientierte Programmiersprache.
Zu den frei programmierbaren Lösungen kommen zusätzlich kommerzielle

Komplettpakete verschiedener Hersteller hinzu. Sie sind in den Einstell-
möglichkeiten und Parametrisierungen ebenfalls sehr flexibel gehalten. Ein
7.6 Automatisierte EMV-Messplätze 323
weiterer Vorteil kommerzieller Systemsoftware besteht in der Software-

Hotline, bzw. der Gewährleistungsgarantie der Software.
Eine typische Prüfplatzkonstellation mit PC und IEC-Bus, zeigt Bild 7.33.
PC IEC-Bus
HF-Signal- Leistungs- Antennen- Drehtisch- E-Feld-

generator messer steuerung steuerung Monitor
Leistungs-
verstärker
LWL
Richtkoppler
Drehtisch
mit
Prüfling
Feldsonde
Antenne
Bild 7.33: Typische Struktur eines automatisierten Prüfplatzes.
Der meist verwendete Geräte-Bus ist der sogenannte IEC-Bus (IEEE488-

GPIB- oder HP-Bus). Acht Datenleitungen und acht Kontroll- und
Steuerleitungen werden über ein 25poliges Kabel geführt. Bis zu einer Länge
von 20 m können max. 31 Geräte angeschlossen werden. Die
Übertragungsrate beträgt typisch 1 MByte/s. Bus Extender erlauben eine
Kabellänge von 300 m mit einer max. Übertragungsrate von 900 KByte/s.
Über LWL Extender können 2 km mit einer max. Übertragungsrate von
1 MByte/s (IEEE 488.1) überbrückt werden. Die Verwendung des HS 488
Protokolls (High-Speed GPIB) erlaubt bis 20 m eine Übertragungsrate von

bis zu 8 MByte/s. Eine galvanische Trennung bis 1600 V, wie auch eine
direkte Ankopplung an das Ethernet über TCP/IP ist durch zusätzliche
Module (z. B. NI-GPIB-ENET) möglich. Außerdem werden immer mehr
Geräte direkt mit einer Ethernet- und/oder USB-Schnittstelle bzw. FireWire
(1394) ausgestattet, die das Steuern und Auslesen wesentlich vereinfachen
und im Vergleich zur konventionellen Bustechnik beschleunigen.
Die Vernetzbarkeit der Geräte spielt eine wesentliche Rolle, um die Mess-
und Prüfzeiten zu beschleunigen. Nur wenn alle betroffenen Geräte und
Systeme (Messgeräte, Drehtisch, Antennenmast, Prüflingssteuerung) in die
Automatisierung eingebunden sind, kann der Messvorgang selbständig PC-
gesteuert ablaufen. Der Prüfingenieur muss den Aufbau nicht ständig selbst
variieren und kann sich während der Messung anderen Tätigkeiten widmen.
Bild 7.34 zeigt einen automatisierten Prüfaufbau in einer Absorberkammer
mit Drehboden und vollautomatischem Antennenmast im EMV-Testzentrum
bei Airbus in Hamburg.
.
Bild 7.34: Automatisierter Prüfaufbau in einer Absorberkammer (Airbus Deutschland
GmbH, Hamburg).
7.6 Automatisierte EMV-Messplätze 325
Abschließend zeigt Bild 7.35 einen größeren automatisierten Mess- und Prüf-
platz.
Bild 7.35: Messplatz mit hohem Automatisierungsgrad zur Messung von Störfestig-
keits- und Störaussendung von Kraftfahrzeugen (Audi AG/Rohde und Schwarz).
8 EMV-Störfestigkeitsprüftechnik
Immunitäts- bzw. Störfestigkeitsprüfungen dienen der Ermittlung der Wi-

derstandsfähigkeit elektronischer Geräte gegen die an ihrem Einsatzort zu
erwartenden Störgrößen. Letztere kennt man entweder aus Betriebs-
erfahrungen der Vergangenheit oder aufgrund speziell durchgeführter
Emissionsmessungen am Einsatzort (s. a. Kap. 2). Die Störpegel unterschied-
licher Umgebungen lassen sich grob verschiedenen Umgebungsklassen
zuordnen, die ihrerseits eine bestimmte Prüfschärfe (engl.: test severity) nahe
legen [8.1–8.3]. Eine bestandene Störfestigkeitsprüfung mit repräsentativen
Störgrößen garantiert nicht, dass ein Gerät absolut störfest ist (z. B. im
Extremfall eines direkten Blitzeinschlags). Sie erlaubt jedoch in vielen Fällen
die Schlussfolgerung, dass das Gerät mit einer Wahrscheinlichkeit verfügbar
sein wird, die komplementär ist zur Wahrscheinlichkeit des Auftretens
beliebiger Störgrößen, die oberhalb der beim Test als repräsentativ ein-
gestuften Prüfspannungen und -ströme bzw. der zugehörigen Felder liegen.
Während für Emissionsmessungen bezüglich Durchführung und einzu-
haltender Funkstörgrenzwerte seit Langem umfangreiche und genaue Vor-
schriften zur Verfügung stehen, werden Störfestigkeitsprüfungen häufig auch
nach internen Hersteller- oder Anwenderrichtlinien durchgeführt. Wesent-
lich ist, dass Hersteller und Anwender sich rechtzeitig auf die gleichen
repräsentativen Störgrößen, insbesondere auch über den Innenwiderstand
der sie erzeugenden Testgeneratoren, einigen (falls diese nicht bereits durch
Normen vorgegeben sind). Entspricht ein Gerät bezüglich seiner Störfestig-
keit in Spezifikation und Normen festgelegten Beanspruchungen und fällt
das Gerät beim Anwender trotzdem aus, obliegt es dem Anwender, seine
Störumgebung durch separate Maßnahmen unter den Pegel der Prüf-
störgrößen abzusenken. Wegen der sehr unterschiedlichen Anforderungen
an die Störfestigkeit von Automatisierungssystemen, KFZ-Elektronik etc.
kann das vorliegende Kapitel verständlicherweise nur die essentiellen elek-
trotechnischen Grundlagen der verwendeten Verfahren und Geräte be-
handeln. Im konkreten Einzelfall sind die jeweils geltenden Vorschriften zu
Rate zu ziehen (soweit existent).

328 8 EMV-Störfestigkeitsprüftechnik
Entsprechend der Vielfalt der im Kap. 2 vorgestellten Störquellen und ihrer

Emissionen existieren zahlreiche verschiedene EMB-Simulationsverfahren,
Bild 8.1.
Suszeptibilitätsprüfung
(EMB-Simulation)
Galvanische E- und H-Feld Elektrostatische

Kopplung Elektromagnetische Wellen Entladungen (ESD)
Energie- Energie- Antennen Antennen

Netz- Diskrete
arme Über- reiche Über- Frequenzen im Strom Entladungs- SF6
im funken Koppel-
transienten spannungen spannungen Frequenz- Zeitbereich Injektion
(CW) in Luft relais
(Burst) (Blitz) bereich (Wellenleiter)
Bild 8.1: In der Suszeptibilitätsprüftechnik verwendete EMB-Simulationsverfahren.
Die für die unterschiedlichen Aufgabenstellungen erforderlichen Simulatoren

und ihre Ankopplung werden im Folgenden näher erläutert.
8.1 Simulation leitungsgebundener Störgrößen
Zur Simulation leitungsgebundener Störgrößen benötigt man einen geeigne-

ten Störgrößensimulator sowie eine Ankoppeleinrichtung. Letztere enthält
sowohl Ankoppelelemente zum Prüfobjekt als auch Entkoppelelemente zum
Netz. Bei Suszeptibilitätstests kommt der Ankoppeleinrichtung etwa die
gleiche Aufgabe zu wie der Netznachbildung bei Emissionsmessungen, ledig-
lich mit umgekehrter Wirkungsrichtung (s. Abschn. 7.1). So ist auch nicht
verwunderlich, dass sich manche Koppelfilter sowohl für Emissionsmes-
sungen als auch für Suszeptibilitätsprüfungen einsetzen lassen.
Störsimulatoren lassen sich sowohl kapazitiv als auch induktiv an ein Prüf-
objekt ankoppeln. In beiden Fällen muss man zwischen der Einkopplung
8.1 Simulation leitungsgebundener Störgrößen 329
von Gegentakt- und Gleichtaktstörungen unterscheiden (s. Abschn. 1.4).Die

kapazitive Einkopplung von Gegentakt- und Gleichtaktsignalen zeigt sche-
matisch Bild 8.2.
LI LII LI LII
L1 L1
CN CN
Prüf- Prüf-
N N
LI LII objekt LI LII objekt
CN CN CN CN
PE PE
CK CK CK CK
CK
uSt uSt
a) b)
Bild 8.2: Simulation leitungsgebundener Störgrößen durch kapazitive Einkopplung

a) Einkopplung von Gegentaktstörungen, b) Einkopplung von Gleichtaktstörungen.
Die Längsimpedanzen LI und LII verhindern einerseits das Eindringen der

Prüfimpulse in das Netz, andererseits ist ihre Existenz unabdingbare Voraus-
setzung für die Erzeugung einer bestimmten Kurvenform am Prüfling. Ohne
Längsdrosseln würde der vergleichsweise geringe Innenwiderstand des
Netzes die meisten Störgrößensimulatoren praktisch kurzschließen. Da an
den Drosseln bei 50 Hz höchstens 10% Spannungsabfall toleriert werden
können, unterstützt man die Entkopplung zum Netz durch die Filterkon-
densatoren CN . Alternativ schaltet man vor die Ankoppeleinrichtung einen
Stelltransformator, mit dem die Netzspannung beispielsweise auf 240 V
erhöht und damit ein großer Spannungsabfall an den Längsdrosseln kom-
pensiert werden kann. Vielseitig einsetzbare Ankopplungseinrichtungen er-
halten zusätzlich einen Trenntransformator, der auch den Einsatz einseitig
geerdeter Störgrößengeneratoren erlaubt.
In gleicher Weise wie ein geringer Netzinnenwiderstand, vermag auch ein

niederohmiges Prüfobjekt einen Störgrößensimulator derart zu belasten, dass
die Aufrechterhaltung der geforderten Prüfgrößen Probleme bereitet. In je-
dem Fall ist daher die Einhaltung der geforderten Prüfschärfe unmittelbar an
den Klemmen des Prüflings durch geeignete Spannungs- und Strommessein-
richtungen [2.19] nachzuweisen. Bei komfortablen Ankoppeleinrichtungen

und Störgrößengeneratoren sind derartige Sensoren bereits fest eingebaut.
Die induktive Einkopplung von Gegentakt- und Gleichtaktstörungen zeigt

schematisch Bild 8.3.
Bild 8.3: Simulation leitungsgebundener Störgrößen durch induktive Einkopplung a)

Einkopplung von Gegentaktstörungen b) Einkopplung von Gleichtaktstörungen.
Die Entkopplung zum Netz bewirken hier überwiegend die Kopplungskapa-

zitäten CK , die für hohe Frequenzen einen Kurzschluss darstellen, so dass
sowohl bei der Einkopplung von Gegentaktstörungen als auch von Gleich-
taktstörungen die Störgrößen nicht transformatorisch ins Netz übertragen
werden.
Da der Breitbandübertrager den Strom bzw. den Spannungsabfall im Be-

triebsstromkreis auf den Ausgang des Störgrößensimulators transformiert,
kann bei manchen Störgrößensimulatoren eine Kompensation dieser Größen
erforderlich werden [8.4].
Die induktive Einkopplung wird mangels marktgängiger breitbandiger Im-

pulsübertrager hoher Leistung seltener angewandt als die kapazitive Ein-
kopplung. Schließlich sei die Einkopplung in Signal- und Datenleitungen
erwähnt, die zweckmäßig über Edelgasüberspannungsableiter vorgenommen
wird [8.5].
Nach diesen grundsätzlichen Betrachtungen soll im Folgenden die prak-

tische Simulation verschiedener typischer Störungen näher erläutert werden.
8.1.1 Simulation von Niederfrequenzstörungen in Niederspannungs-

netzen (ms-Impulse)
Zum Nachweis der Störfestigkeit gegenüber Abschaltvorgängen von Über-

stromschutzorganen (Schutzschalter) müssen nach VDE 0160 [8.29] elek-
tronische Betriebsmittel in Starkstromanlagen mit Überspannungen gemäß
Bild 8.4 geprüft werden.
u(t)
Ta ~~ 0,1ms
T=1,3ms
0,5ΔuSt
ûSt = 2,3ûN
Bild 8.4: Spannungs- ûN+_10%
impuls zur Prüfung der
Überspannungsfestigkeit t
elektronischer Betriebs-
mittel
Die Überspannungserzeugung erfolgt durch Entladung eines Energie-

speicherkondensators im Augenblick des Scheitelwerts, Bild 8.5.
Oszilloskop
Störsimulator (erdfrei)
Störsimulator Oszilloskop u(t)
u(t)
L1
0,5Z X1
L1 L2 Prüfling
Z X1 Prüfling 0,5Z X2 Zuleitung
(L2)N Zuleitung L3 (max.5m)
X2 (max.5m) 0,5Z X3
Bild 8.5: Überspannungsprüfung für ein- und dreiphasige Betriebsmittel. Z: Ent-

kopplungsimpedanz (nach VDE 0160 [8.29]).
Während für einphasig betriebene Geräte einseitig geerdete Simulatoren zum

Einsatz kommen, werden für zwei- und dreiphasig gespeiste Betriebsmittel
Störsimulatoren mit erdfreiem, symmetrischem Ausgang benötigt. Die Po-
tentialtrennung kann nicht durch einen nachträglich dem Störsimulator vor-
geschalteten Trenntransformator bewerkstelligt werden, da das Simulatorge-
häuse dann unzulässig hohe Berührungsspannungen annehmen würde.
Die Größe des Energiespeicherkondensators richtet sich nach dem kapaziti-

ven Eingangswiderstand des elektronischen Betriebsmittels und der Impe-
danz der Entkoppeldrosseln zum Netz. Die Kapazität ist fallweise so an den
Prüfling anzupassen, dass die Zeitparameter gemäß Bild 8.4 auch erreicht
werden ( Cmax = 250μF ). Alternativ zu Bild 8.5 lässt sich die Prüfspannung
auch transformatorisch seriell einkoppeln (s. Abschn. 8.1).
Neben Überspannungen müssen elektronische Betriebsmittel auch gelegent-

liche kurzzeitige Absenkungen der Betriebsspannung oder gar einen kurz-
zeitigen Netzausfall verkraften. Der Nachweis der Immunität gegen Span-
nungsabsenkungen kann beispielsweise mit der in Bild 8.6 gezeigten Schal-
tung erfolgen.
Phasen- Elektronischer
bezug Schalter
L1
ST Prüfobjekt
Bild 8.6: Simulation von Netzspannungsabsenkungen. ST: Spartransformator.
Ein mit beliebiger Phasenverschiebung gegenüber Netzspannung triggerbarer

elektronischer Schalter erlaubt die freizügige Simulation aller Arten von
Netzstörungen. Typische Werte für die Netzausfalldauer sind 10 ms
(1 Halbschwingung), für eine Spannungsabsenkung (50%) ca. 20 ms (1 Peri-
ode), s. z. B. VDE 0839 Teil 1 [B23] oder EN 61000-4-11. Bei periodischer
Ansteuerung des Schalters und geeignetem Aufbau lassen sich auch
periodische Spannungsabsenkungen, wie sie während Kommutierungsvor-
gängen bei Stromrichtern auftreten, simulieren.
8.1.2 Simulation breitbandiger energiearmer Schaltspannungsstörung-

en (Burst)
Abschaltüberspannungen von Relais- und Schützspulen sowie anderer in-

duktiver Lasten manifestieren sich meist als Störimpulspakete auf Netz-, Si-
gnal- und Datenleitungen (engl.: burst, s. a. Abschn. 2.4.2). Für ihre Simu-
lation wurde der in Bild 8.7 dargestellte zeitliche Störgrößenverlauf genormt

(VDE 0847 Teil 4-4 bzw. EN 61000-4-4 [8.36]).
u(t) u(t) 15ms

90%
kV kV
50%
TR
10%
Ta t/ns 300ms t/ms
a) b)
Bild 8.7: Zeitlicher Verlauf der Burst-Simulation. a) Einzelimpuls bei hoher Zeit-
ablenkung, b) Störimpulspakete bei niedriger Zeitablenkung.
Die Einzelimpulse besitzen qualitativ den gleichen Verlauf wie die klassische
Blitzstoßspannung der Hochspannungsprüftechnik (Doppelexponential-
funktion), quantitativ jedoch andere Zeitparameter:
– Anstiegszeit Ta = 5 ns ± 30%
– Rückenhalbwertszeit TR = 50 ns ± 30%
Die Störimpulspakete sind durch folgende Eigenschaften gekennzeichnet:
– Burstamplitude
– Burstperiode
– Burstlänge.
Der Scheitelwert der Impulse richtet sich nach dem zu prüfenden Gerätetyp
bzw. nach der Natur der zu- und abgehenden Leitungen (Netzleitung, E/A-
Leitungen etc.), mit anderen Worten ihrer Nutzspannungspegel.
Die Burstperiode beträgt grundsätzlich 300 ms ± 20% , die Burstlänge

15 ms ± 20% . Die Einzelimpulsperiode hängt von der Prüfschärfe ab, siehe
Tabelle 8.1.
Tabelle 8.1: Burstparameter für verschiedene Prüfschärfegrade (Beanspruchungs-

dauer 1 Minute).
Prüfschärfe Prüfspannung ± 10 % Prüfspannung ± 10 % Impulswieder-

(Stromversorgungsleitungen) (Signal-, Datenleitungen) holfrequenz
1 0,5 kV 0,25 kV 5 kHz
2 1 kV 0,5 kV 5 kHz
3 2 kV 1 kV 5 kHz
4 4 kV 2 kV 2,5 kHz
x n. Vereinbarung n. Vereinbarung n. Vereinbarung
Störimpulspakete gemäß Bild 8.7 b lassen sich mit einer Schaltung nach Bild
8.8 erzeugen.
S1 RL S2 LStr 10nF
50Ω
Paket- Einzelimpuls-
steuerung Cs erzeugung RE uBurst
Bild 8.8: Prinzipschaltbild eines Burst-Simulators.
Der Schalter S1 bestimmt die Paketbreite und -periode, der Schalter S2 (frei-
laufende Funkenstrecke, gesteuerte Transistorkaskade) die Einzelimpulser-
zeugung und Einzelimpulsperiode. Die Impulsstirn wird in erster Linie durch
die Zeitkonstante LStr / R E , der Impulsrücken durch die Entladezeit CSR E
bestimmt.
Bei der Einkopplung in Versorgungsleitungen (z. B. 220 V-Netz) kommt eine

Koppeleinrichtung mit konzentrierten Koppelkondensatoren ( 10 μF bis
35 μF ) zum Einsatz, die gleichzeitig auch Entkopplungsdrosseln zum Netz
beinhaltet (s. Abschn. 7.1 u. VDE 0847 Teil 4-4 [8.36]). Die Einkopplung in
Signal-, Steuer- und Datenleitungen erfolgt über verteilte Koppelkapazitäten
(kapazitive Koppelstrecken) mit einer Gesamtkapazität von ca. 50 pF bis
200 pF , Bild 8.9.
Burst Simulator
Bild 8.9: Einkopplung asymmetrischer Störspannungen mittels kapazitiver Koppel-

strecke (s. a. VDE 0843 Teil 4 u. 0847 Teil 2).
Bei beschränkten Platzverhältnissen kann an Stelle der kapazitiven Koppel-

strecke auch eine konzentrierte Koppelkapazität angeschaltet oder eine
selbstklebende Metallfolie mit einer Kapazität von 100 pF gegenüber dem
Kabelmantel aufgebracht werden.
Die kapazitive Kopplung verleitet allzu häufig zu der Annahme, dass es sich
um eine rein kapazitive Einkopplung handelt. Hier sollte jedoch nicht über-
sehen werden, dass der in die Koppelkapazitäten fließende Strom letztlich
über Streukapazitäten oder galvanische Masseverbindungen zur Masseklem-
me des Burstgenerators zurückfließen muss (s. a. Abschn. 1.5 und 10.6) und
die hierzu erforderliche Stromschleife induktiv mit den anderen Leitungen
bzw. Betriebsstromkreisen des Prüfobjekts gekoppelt ist. Dies entspricht im
übrigen auch genau der Realität, in der parallel verlaufende Leitungen von
Relais- und Schützspulen nicht allein aufgrund ihrer sprunghaften
Potentialänderungen zu kapazitiven Einkopplungen Anlass geben, sondern
gerade wegen der in ihnen fließenden Ströme bzw. deren sprunghaften
Änderungen di/dt parallel verlaufende Stromkreise induktiv beeinflussen
(s. a. Abschn. 2.4.2 und 10.1). Wegen Einzelheiten der räumlichen Anord-
nung von Prüfobjekt, Simulator, Masse- und Erdleitungen sind die jeweils
geltenden Vorschriften zu Rate zu ziehen.
8.1.3 Simulation breitbandiger energiereicher Überspannungen (Hy-

bridgenerator)
Energiereiche Überspannungen entstehen infolge galvanischer oder indukti-

ver Einkopplung atmosphärischer Entladungen, Schalthandlungen in Elek-
troenergiesystemen etc. Ihre Simulation erfolgt mit den klassischen genorm-

ten Kurvenformen für Blitz- und Schaltstoßspannungen der Hochspannungs-
prüftechnik, Bild 8.10 a.
u(t) u(t)
100% 100%
90% 90%
50% 50%
T’R T’R ~
~ TR
30% 30%
10% 10%
T t Ta t
TS
TR
a) TS = 1.67 T b) TS = 1.25 Ta
Bild 8.10: Definition der Stirn- und Rückenzeit sowie der Anstiegszeit von Über-
spannungen. a) Stirnzeit TS und Rückenzeit TR nach ENV 50142 und IEC 60-1,
b) Anstiegszeit Ta und Rückenzeit TR nach IEC 469-1.
Da die Bestimmung der Stirnzeit TS und der Rückenzeit TR gemäß ENV

50142 bzw. IEC 60-1 etwas umständlich ist, ermittelt man in praxi mit dem
Cursor des Oszilloskops die Anstiegszeit Ta nach IEC 469-1 und multipli-
ziert mit 1,25,
TS = 1,25 ⋅ Ta
. (8-1)
Für einen bestimmten physikalischen Spannungsverlauf ergibt die Auswer-

tung eines Spannungsterms nach beiden Vorschriften zwar unterschiedliche
Anstiegszeiten Ta 30 / 90 und Ta10 / 90 , jedoch unter Berücksichtigung von (8.1)
selbstverständlich die gleiche Stirnzeit TS .
Die Rückenzeit TR wird zur Vereinfachung meist als T 'R gemäß Bild 8.10 b
ermittelt, was wegen TS TR und den großen Toleranzen meist zulässig ist.
Übliche Zeitparameter sind:
– Blitzstoßspannung 1,2 / 50 : TS = 1,2 μs ± 30%, TR = 50 μs ± 20%

– Schaltspannung 10 /700 : TS = 10 μs ± 30%, TR = 700 μs ± 20% .
Die Spannungsformen in Bild 8.10 sind stark idealisiert. Reale Blitzüber-

spannungen weisen häufig Stufen in der Stirn auf bzw. können sich aus meh-
reren aufeinander folgenden Überspannungen zusammensetzen (Multiple
Blitze) und größere Steilheiten besitzen (s. Abschn. 2.4.6).
Kurvenformparameter wie 1,2/50 oder 10/700 beruhen auf der Definition

gemäß IEC 60-1. Zunehmend werden Impulsformen auch durch ihre An-
stiegszeit gemäß IEC 469-1 charakterisiert, da dieses Verfahren eher der Aus-
wertepraxis moderner Oszilloskope entspricht.
Generatoren zur Erzeugung von Spannungsformen gemäß Bild 8.10 a wur-

den in der Vergangenheit als einstufige Stoßkreise mit vergleichsweise
großem Innenwiderstand realisiert und in großer Zahl zur Isolationsprüfung
eingesetzt, Bild 8.11.
Bild 8.11: Einstufige Stoßschaltung zur Erzeugung von Blitz- und Schaltstoßspan-
nungen.
Beim Ansprechen des Schalters FS (Funkenstrecke, Vakuumrelais, Thyristor

etc.) wird der Energiespeicherkondensator CS über den Dämpfungswider-
stand R D auf die Belastungskapazität CB umgeladen. Die Anstiegszeit be-
stimmt sich für CS CB zu
Ta = 2,2 ⋅ R DCB
. (8-2)
Anschließend entlädt sich die Kapazität CB über R E mit der Zeitkonstante

T ≈ R E (CB + CS ) .
Obige Überlegungen gelten für kapazitätsarme, hochohmige Prüfobjekte. Bei

Geräten mit Überspannungsschutzeinrichtungen (Edelgas- und Zn0-Ablei-
tern, Schutzdioden, Filterkondensatoren etc.) ist eine reine Isolationsprüfung
nicht sinnvoll, da die Schutzelemente die Prüfspannung auf niedrige Werte
begrenzen und es überhaupt nicht zu einer Beanspruchung der Isolation
kommt. Viel wichtiger ist dann die Frage, ob die Schutzelemente den Ableit-
strom energiereicher Überspannungen (Überspannungen von Spannungs-
quellen mit niedrigen Quellwiderständen) verkraften können. Für diese An-
wendungen wurde der Hybridgenerator (engl.: CWG, Combination Wave
Generator) entwickelt, der an hochohmigen Prüfobjekten die geforderten
Spannungsformen, an niederohmigen Prüfobjekten (z. B. nach Ansprechen
des Überspannungsschutzes) einen genormten Kurzschlussstrom TS / TR =
8/ 20 μs gemäß Bild 8.12 fließen lässt (s. ENV 50142 [8.34] sowie [8.14]).
Hierbei ist zu beachten, dass aus historischen und technischen Gründen
Stromkurvenformen und Spannungskurvenformen unterschiedlich genormt
sind.
Bild 8.12: Definition der Stirn- und Rückenzeit sowie der Anstiegszeit von Stoß-
strömen, a) Stirnzeit TS und Rückenzeit TR nach VDE 0432 Teil 1 bzw. IEC 60-1.
b) Anstiegszeit und Rückenzeit nach IEC 469-1. c) Verlauf des Stromimpulses
8 / 20 μs nach ENV 50142.
Ähnlich wie bei Stoßspannungen bestimmt man auch hier zunächst die An-
stiegszeit Ta und multipliziert mit 1,25,
TS = 1,25 ⋅ Ta
. (8-3)
Der unterschiedliche Faktor rührt von der unterschiedlichen Definition der

Stirnzeit her (Stirngerade durch 10% statt 30%).
Die Rückenzeiten unterscheiden sich um den Faktor 1,25, das heißt
TR = 1,25 ⋅ T 'R
. (8-4)
Übliche Zeitparameter für Stoßströme sind
TS = 8 μs ± 20% und TR = 20 μs ± 20%
bzw. gemäß IEC 469-1
Ta = 6,4 μs ± 20% und T 'R = 16 μs ± 20% .
Beim Stoßstrom 8/20 μs sei angemerkt, dass die Kurvenform nicht aperio-
disch ist, sondern bis zu 30% unter die Nulllinie durchschwingen kann
[8.10].
Die Grundschaltung eines Hybridgenerators zeigt Bild 8.13.
RL FS RS LS i(t)
1
CS RE RS u(t)
2
Bild 8.13: Hybridgenerator (Prinzipschaltung).
Im Gegensatz zu den herkömmlichen hochohmigen Stoßkreisen, bei denen

die Pulsstirn durch das RC-Verhalten des Dämpfungswiderstands und der
Belastungskapazität bewirkt wird, geschieht hier die Pulsformung mittels
eines L/R-Glieds. Die Anstiegszeit des Leerlaufspannungsimpulses berechnet
sich dann zu
Ta = 2,2 ⋅ LS (RS
1
+ R S2 )
, (8-5)
die Rückenzeitkonstante zu
CS
(
R E R S1 + R S2 ) . (8-6)
(
R E + R S1 + R S2 )
Arbeitet der Generator näherungsweise auf einen Kurzschluss (gezündeter
Edelgasableiter o. ä.), so berechnet sich die Anstiegszeit des Stoßstroms
näherungsweise zu
Ta = 2,2 ⋅ L S (RS 1
+ RP )
, (8-7)
die Rückenzeitkonstante zu
CS
(
R E R S1 + R P ) . (8-8)
(
R E + R S1 + R P )
In (8-7) und (8-8) steht R P für den ohmschen Kurzschlusswiderstand des
Prüfobjekts (z. B. Lichtbogenwiderstand), der in der Regel klein gegen R S1
angenommen werden kann. Ausführliche Hinweise über die Dimensionie-
rung von Stoßspannungs- und Stoßstromkreisen enthält das Literaturver-
zeichnis [8.8–8.14].
Folgende Prüfschärfen finden derzeit Anwendung
Prüfschärfe Leerlaufspannung / kV ± 10%

1 0,5
2 1,0
3 2,0
4 4,0 Tabelle 8.2: Prüfschärfen nach
x nach Vereinbarung VDE 0847 Teil 4-2
Abschließend sei erwähnt, dass neben den genannten Spannungsformen

auch andere Prüfspannungen denkbar sind, z. B. schwingende Schaltstoß-
spannungen etc., auf die hier jedoch nicht weiter eingegangen werden soll.
8.1.4 Simulatoren für elektrostatische Entladungen (ESD)
Zur Simulation elektrostatischer Entladungen (s. 2.4.1) benötigt man im

Wesentlichen einen Energiespeicher statischer Elektrizität (Hochspannungs-
kondensator), eine Spannungsquelle für hohe Gleichspannungen, einen defi-
nierten Entladewiderstand und eine Entladeelektrode, Bild 8.14.
0-30kV EE
100MΩ 10Ω...1kΩ Prüfobjekt
RL RS
CS
150 pF
Masse- bzw. Erdungsband, Länge 2m
Bild 8.14: Prinzipschaltbild eines Simulators für elektrostatische Entladungen, CS

Energiespeicherkondensator, R S Entladewiderstand, EE Entladeelektrode.
Der aus einer Gleichspannungsquelle variabler Polarität auf einen wählbaren

Spannungswert aufgeladene Kondensator CS wird über den Entladewider-
stand R S und die Entladeelektrode EE auf das Prüfobjekt entladen. Die
Entladeelektrode wird mittels einer vollisolierten Prüfpistole (s. Bilder 8.17
und 8.24) aus größerer Entfernung an das Prüfobjekt herangeführt, bis die
Durchschlagspannung der zunehmend kleiner werdenden Luftstrecke die
Spannung an CS unterschreitet und die Entladung über einen Funken er-
möglicht, sogenannte Luftentladung. Für die Simulation von Körperentla-
dungen sollte R S ca. ≤ 1 kΩ betragen, für sogenannte Kleinmöbelentlad-
ungen 10! 50 Ω . Zur Vereinfachung sehen VDE 0846 [B23] und VDE 0847
Teil 4-2 [8.2] einheitlich 330 Ω vor. Hierbei wird ohne große Not auf einen
Teil Praxisnähe verzichtet, da ja der Entladewiderstand ohne weiteres aus-
tauschbar vorgesehen werden könnte.
Es gibt noch weitere Komplikationen. Aufgrund der statistischen Natur von

Gasentladungen besitzt der Entladungsfunke nicht immer den gleichen zeit-
lichen Verlauf, auch hängt die Durchschlagsspannung der Entladestrecke
von dem gerade herrschenden Luftdruck und der Raumtemperatur ab (also
von der Luftdichte). Aus diesem Grunde koppelt man den ESD-Simulator
häufig fest mit dem Prüfobjekt und schaltet die Hochspannung mittels eines
reproduzierbar schaltenden Hochspannungsrelais zu, sogenannte Kontakt-

entladung, Bild 8.15.
Bild 8.15: ESD-Simulator mit Hochspannungsrelais, sog. Kontaktentladung.
Als Schaltrelais eignen sich H2 - oder SF6 -gefüllte Druckgas-Relais. Weniger

geeignet sind wegen ihres starken Kontaktprellens Vakuumrelais. Simulato-
ren mit Hochspannungsrelais zeichnen sich durch eine besser reproduzier-
bare Kurvenform aus, simulieren aber die Daten eines elektrostatischen Ent-
ladungsfunkens in vieler Hinsicht mit geringerer „pulse fidelity“ als die ein-
fache Schaltung gemäß Bild 8.14. Insbesondere entbehren sie des sehr
schnellen Vorimpulses (engl.: precursor), der durch Ent- bzw. Umladung der
in Bild 8.17 (s. unten) eingezeichneten Streukapazitäten entsteht (s. a.
Abschn. 2.4.1). Unter Vernachlässigung des Vorimpulses wird derzeit
folgender Normimpuls angestrebt, Bild 8.16.
i(t)
90%
50%
TR
Ta= 5ns _+ 30%
10% TR= 30ns _+ 30% Bild 8.16: ESD-Normimpuls nach
Ta t VDE 0847
Dieser Normimpuls lässt sich nur in einer bestimmten, in VDE 0846 [B23]
beschriebenen Kalibrieranordnung erzeugen und ist lediglich für den Ver-
gleich von ESD-Simulatoren unterschiedlicher Hersteller brauchbar. In praxi
stellen sich eine wesentlich größere Anstiegszeit und Stromsteilheit ein. Geht
man vom einfachen Ersatzschaltbild gemäß Bild 8.14 aus und schätzt die In-
duktivität des Entladekreises wohlwollend auf 2 μH, so kann bei einem Ent-
ladewiderstand von 150 Ω der Strom im fett gezeichneten Entladekreis nicht
schneller als mit der Zeitkonstante L/R ansteigen. Für die Anstiegszeit des
Stromimpulses erhält man dann
L 2 ⋅ 10−6 H
Ta = 2,2 = 2,2 = 29 ns . (8-9)
R 150 Ω
Kürzere Anstiegszeiten sind nur bei geringerer Leitungsinduktivität und/oder

höherem Entladewiderstand möglich.
Die Stromscheitelwerte in der Größenordnung von einigen zehn Ampere er-

geben sich indirekt über die eingestellte Ladespannung des Energiespeicher-
kondensators. Nach VDE 0847 Teil 4-2 [8.2] gelten folgende Prüfschärfen:
Tabelle 8.3: Prüfschärfen für ESD-Simulation.
Grad Prüfspannung
Kontakt-Entladung Luft-Entladung
1 2 kV 2 kV
2 4 kV 4 kV
3 6 kV 8 kV
4 8 kV 15 kV
x(1) Spezial Spezial
Bei gegebener Spannung berechnet sich der zugehörige Stromscheitelwert

(unter Vernachlässigung parasitärer Streukapazitäten [8.10]) zu
R
U0 / L − t max
î = i(t max ) = e 2L sin ( ω1 t max ) (8-10)
2
1 § R ·
−¨ ¸
LC © 2L ¹
1 § ω 2L ·
mit t max = arctan ¨ 1 ¸ (8-11)
ω1 © R ¹
1 R2
und ω1 = − 2 . (8-12)
LC 4L
Der Energiespeicherkondensator CS und der Entladewiderstand R S sind ge-

wöhnlich in einer Prüfpistole untergebracht, die einerseits eine Zuleitung zur
Hochspannungsversorgung aufweist, deren 2 m langer Bezugsleiter anderer-
seits mit der Bezugsmasse bzw. dem PE des Prüfobjekts verbunden wird.
L1
N
PE
Prüfling
Bezugsmasse
(Cu-Blech)
Bezugsleiter
(Länge 2m)
Bild 8.17: Ersatzschaltbild einer Prüfanordnung mit Prüfpistole.
Obiges Ersatzschaltbild zeigt auch die den Vorimpuls bewirkenden Streuka-

pazitäten. Die Anstiegszeit des Vorimpulses kann wegen der geringeren In-
duktivität des Entladekreises wesentlich kürzer sein als gemäß Gleichung
(8-9) errechnet. Da der zeitliche Verlauf des Funkenstromes und insbeson-
dere die Stromsteilheit der Anstiegsflanke offensichtlich stark vom Prüfauf-
bau abhängen, müssen bei hohen Ansprüchen an die Vergleichbarkeit der
Prüfergebnisse die räumliche Anordnung der verschiedenen Komponenten
und die Leitungsführung genau in Einklang mit den jeweils geltenden Vor-
schriften vorgenommen werden. Um bei Prüfungen auf der sicheren Seite zu
liegen, ist der Bezugsleiter durch Bündeln und gutes Kontaktieren auf die
minimale Länge zu verkürzen (kleinere Kreisinduktivität, größere Strom-
steilheit).
Man unterscheidet weiter zwischen ESD-Prüfungen im Labor und am Be-

triebsort. In ersterem Fall muss der Prüfling isoliert auf einer geerdeten Be-
zugsfläche aufgestellt werden (s. Bild 8.17), im zweiten Fall wird ohne leiten-
de Bezugsfläche geprüft und die Masseleitung der Prüfpistole mit dem
Schutzleiter der Netzzuleitung zum Simulator verbunden (an der Steckdose).
Bei der Prüfung von Geräten mit hochwertigem Isolierstoffgehäuse wird

wegen der Undurchführbarkeit obiger Messungen (es lässt sich kein
geschlossener Stromkreis herbeiführen) die Entladung über einen Zusatz-
leiter (Koppelplatte) zum Bezugsflächenleiter vorgenommen, Bild 8.18.
Bild 8.18: ESD-Prüfung vollisolierter Geräte mittels benachbarter Kurzschluss-

schleife.
In Fortführung dieses Gedankens gibt es für manche Prüfpistolen Rahmen-

antennen- und kopfbeschwerte Stabantennenvorsätze für H- und E-Feldein-
kopplung, Bild 8.19.
E
H
Bezugsmassenfläche
oder PE
Bild 8.19: H- und E-Feld Antennen zur Erweiterung der Einsatzmöglichkeiten von
ESD-Simulatoren.
8.1.5 Simulation schmalbandiger Störungen
Die Simulation schmalbandiger Störungen ermöglicht die Beurteilung der

Störfestigkeit elektronischer Einrichtungen gegenüber Oberschwingungen
und Rundsteuersignalen der Energieversorgungsnetze etc. (s. Abschn. 2.2.4
und VDE 0847, Teil 2 [B23]).
Als Störsimulatoren dienen Signalgeneratoren mit nachgeschalteten

Leistungsverstärkern nach VDE 0846 [B23]. Die Störungen werden mittels
spezieller Hochfrequenzübertrager induktiv in Netzversorgungs-, Steuer- und
Signalleitungen eingekoppelt (s. VDE 0847, Teil 2 [B23]). Ein Bypass-

Kondensator bewirkt, dass die transformatorisch eingekoppelte Spannung in
voller Höhe am Prüfobjekt auftritt, Bild 8.20.
uSt iSt
Netz C=47μF Prüfobjekt
Bild 8.20: Simulation schmalbandiger Störungen.
Die eingekoppelte Prüfstörgröße wird mit einem HF-Spannungswandler und

einem Oszilloskop oder einem Störmessempfänger gemessen. Ein HF-Strom-
wandler erfasst den simulierten Störstrom (s. a. Abschn. 7.1).
Bei dem sogenannten Strominjektionsverfahren (engl.: bulk current injection,

BCI), s. Abschn. 8.2.3, handelt es sich ursprünglich um eine induktive Ein-
speisung eines hochfrequenten Störstroms, der durch Beaufschlagung eines
Leiters oder Leitungsbündels mit einem elektromagnetischen Feld äquivalent
entstehen würde. Diese Art Störfestigkeitstest wird heutzutage ebenfalls dazu
benutzt, rein leitungsgeführte Störungen zu simulieren, wie sie beispielsweise
durch Stromrichter sowie andere getaktete Signalquellen entstehen können.
Aufgrund der ursprünglichen Bedeutung der BCI-Tests in Zusammenhang
mit gestrahlten Feldern wird an dieser Stelle auf Abschn. 8.2.3 verwiesen.
8.1.6 Kommerzielle Geräte
Zum Abschluss des Kapitels über Störfestigkeitsprüfungen seien nachstehend

exemplarisch verschiedene kommerziell erhältliche Simulatoren für leitungs-
geführte Störgrößen vorgestellt.
Beispielsweise zeigt Bild 8.21 ein universelles, mikroprozessorgesteuertes

Netzstörsimulatorsystem zur Simulation unterschiedlicher Störungen wie
Netzspannungschwankungen und –unterbrechungen nach EN 61000-4-11.
Bild 8.21: Netzstörsimulator-

System (Haefely PLINE).
Die Prüfstörgrößen sind von der Frontseite zugänglich, der Prüfling kann
über eine einfache Schukosteckdose direkt verbunden werden. Fernsteue-
rung und Datenübertragung erfolgen über eine RS-232 oder IEEE-488
Schnittstelle.
Einen typischen Burst-Simulator zeigt Bild 8.22.
Bild 8.22: Burst-Simulator

(Teseq NSG2025).
Das Gerät erlaubt die Erzeugung von Bursts gemäß VDE 0847 Teil 4-4 (EN
61000-4-4). Das Modulkonzept erlaubt eine Anpassung des Geräts an
unterschiedliche Prüflingsanbindungen (Schuko, CEKON,..) und Anbindung
von Koppelstrecken. Außerdem besitzt es eine optische Verbindungsstrecke
zur Fernsteuerung des Geräts durch eine Bedienungssoftware per PC.
Einen typischen Hybridgenerator zur Durchführung von EMV-Prüfungen

zeigt Bild 8.23. Dieser erzeugt bei hochohmig belastetem Ausgang,
R L > 100 Ω , eine Normstoßspannung mit der Kurvenform 1,2/50 μs und bei
kurzgeschlossenem Ausgang einen Normstoßstrom mit der Kurvenform

8/20 μs, vgl. IEC 60, VDE 0432 , EN 61000-4-5
Bild 8.23: Hybridgenerator

6 kV /3 kA (HILO-Test).
In Verbindung mit dem eingebauten einphasigen Koppel-/Entkoppelnetz-

werk werden die Ausgangsgrößen des SURGE-Generators der Versorgungs-
spannung einphasiger Prüflinge überlagert. Darüber hinaus können externe
Koppel-/Entkoppelnetzwerke für 3-phasige Prüflinge und für Signalleitungen
angeschlossen und bedient werden.
Einen ESD-Simulator mit Prüfpistole zeigt Bild 8.24.
Bild 8.24: ESD-Generator

bestehend aus Grundgerät
und Prüfpistole bis 25 kV
(EM-Test).
Die Prüfpistole kann verschiedene Entladekreise gemäß den unterschied-

lichen Prüfvorschriften aufnehmen. Diese sind als steckbare Entlademodule
ausgeführt und untereinander einfach austauschbar, ebenso wie die Entlade-
spitzen.
Schließlich zeigt Bild 8.25 ein integriertes, einphasiges Transientenprüf-

system bestehend aus einem Netzstörsimulator, Hybridgenerator mit inte-
griertem Stoßspannungsgenerator und Burstgenerator für Prüfungen gemäß

EN 61000-4-4, EN 61000-4-5 und EN 61000-4-11.
Bild 8.25: EMV-Transien-

tenprüfsystem Ecompac4
(HAEFELY EMC Technology)
8.2 Simulation quasistatischer Felder und elektromagnetischer

Wellen
Die Simulation quasistatischer elektrischer und magnetischer Felder sowie

elektromagnetischer Wellen erfolgt mit Hilfe von Sendeantennen und sie
speisender Spannungsquellen. Wie bei leitungsgebundenen Störungen ist
auch hier wieder zwischen schmalbandigen Störungen (z. B. Rundfunksen-
der, monochromatische elektromagnetische Wellen) und breitbandigen Stö-
rungen (transiente Felder und Wellen) zu unterscheiden (s. a. Abschn. 2.1).
8.2.1 Simulation schmalbandiger Störfelder
Die Simulation schmalbandiger Störfelder muss mit Rücksicht auf den

Schutz der Ressource Elektromagnetisches Spektrum (dank „postalischer“
Vorschriften justitiabel) in mit Absorbern ausgekleideten geschirmten Räu-
men erfolgen (s. Abschn. 5.6.5). Wegen der hohen Intensitäten darf sich
während der Messungen kein Personal im Absorberraum aufhalten. Bei
exzessiven Leistungsdichten besteht Selbstentzündungsgefahr der Absorber.
Die nicht abgeschirmte Inbetriebnahme von Leistungsverstärkern setzt eine
Betriebsgenehmigung der Bundesnetzagentur voraus (s. Kap. 12). Bezüglich
der für bestimmte Umgebungsklassen (s. Abschn. 2.5) erforderlichen
Prüfschärfen wird auf VDE 0843 Teil 3 [B23] und VDE 0847 Teil 3 [8.35]
verwiesen.
Als Sendeantennen kommen wegen des Reziprozitätsgesetzes grundsätzlich

alle Antennen in Frage, die bereits im Rahmen der Emissionsmessungen (s.
Abschn. 7.2.1) ausführlich behandelt wurden. Der Unterschied zwischen
Empfangs- und Sendeantennen besteht im Wesentlichen darin, dass bei-

spielsweise der Symmetrierübertrager am Übergang Koaxialkabel/Antenne
thermisch und – bei Verwendung ferromagnetischen Materials – auch
bezüglich seiner Linearität für die beträchtlich höhere Sendeleistung aus-
gelegt sein muss. Zur Speisung der Antennen kommen Spannungsquellen
bestehend aus Funktionsgenerator und nachgeschaltetem Leistungsver-
stärker zum Einsatz. Je nach Breite des abzudeckenden Frequenzbereichs
werden mehrere Funktionsgeneratoren und Leistungsverstärker erforderlich,
die auf unterschiedlichen Oszillator- und Verstärkungsprinzipien beruhen.
Um an einem Prüfobjekt bei allen Messfrequenzen eine konstante Feldstärke

zu erreichen, müssen frequenzabhängige Verstärkungsschwankungen und
Fehlanpassungen im closed-loop Betrieb mittels einer automatischen Pegel-
regelung kompensiert werden. Diese lässt sich im Wesentlichen auf zwei
Arten realisieren:
Im ersten Fall misst man die Feldstärke am Prüfling mit einem isotropen
Feldsensor (s. a. Abschn. 7.2.1) und überträgt den Pegel mittels einer
Lichtleiterstrecke zu einem Regelverstärker (engl.: levelling amplifier), der
nach einem Soll-/Istwertvergleich die Verstärkung nachregelt, Bild 8.26.
Bild 8.26: Feldsimulation mit Regelschleife; Istwerterfassung mit Feldsensor.
Sophistische Regelverstärker haben meist mehrere Eingänge für mehrere

Feldsensoren (Integralmessung).
Im zweiten Fall verwendet man zur Istwerterfassung einen Richtkoppler

(engl.: directional coupler), dessen Ausgangsspannung dem Regelverstärker
zugeführt wird, Bild 8.27.
8.2 Simulation quasistatischer Felder und elektromagnetischer Wellen 351
Bild 8.27: Feldsimulation mit Regelschleife; Istwerterfassung mit Richtkoppler.
Der Richtkoppler erlaubt die getrennte Messung der in Vorwärtsrichtung

(zur Antenne) fließenden Leistung und der von der Antenne reflektierten,
zum Sender zurückfließenden Leistung. Die Differenz beider Signale – die
sogenannte Netto-Leistung – ist unter der Berücksichtigung des Antennen-
wirkungsgrads ein Maß für die von der Antenne abgestrahlten Leistung.
Gegenüber dem Richtkoppler besitzt die Pegelregelung mit isotroper
Antenne als Istwertgeber den Vorzug, den Einfluss nichtisotroper Antennen-
strahlungsdiagramme der Sendeantennen zu berücksichtigen.
In praxi wird für Störfestigkeitsprüfungen mit gestrahlten Feldern das lokale

Feld am Ort des später eingebrachten Prüflings mit Feldsonden einkalibriert.
Die zum Erreichen der Prüffeldstärke notwendige Nettoleistung wird in
Abhängigkeit der Frequenz notiert. Nach der Einbringung des Prüflings wird
die jeweilige Netto-Leistung zu der entsprechenden Testfrequenz wieder
eingestellt und sukzessiv das Testfrequenzband durchfahren.
8.2.1.1 Spezialantennen, offene und geschlossene Wellenleiter
Neben den bereits im Abschn. 7.2.1 beschriebenen Antennen kommen spe-

ziell für Suszeptibilitätsprüfungen mit quasistatischen, elektrischen und ma-
gnetischen Feldern folgende Spezialantennen bzw. Feld-Koppeleinrichtun-
gen zum Einsatz.
H-Felder, 30 Hz bis 3 MHz:
Zur Untersuchung der Störfestigkeit gegen konzentrierte magnetische Felder

eignet sich ein Prüfaufbau gemäß Bild 8.28.
Prüfobjekt
ief
Bild 8.28: Zylinderspule zur Simulation konzentrierter quasistatischer magnetischer

Felder.
Die axiale magnetische Feldstärke der Zylinderspule mit der Länge l und
Windungen N berechnet sich näherungsweise zu
ief N
Hef =
l
. (8-13)
Soll das ganze Prüfobjekt einem räumlich ausgedehnten Magnetfeld ausge-

setzt werden, eignet sich ein Prüfaufbau gemäß Bild 8.29 mit einer durch ein
Holzgerüst fixierten Rahmenspule.
ief
Bild 8.29: Rahmenspule zur Simulation räumlich ausgedehnter magnetischer Felder.
Hier ist der Zusammenhang zwischen H-Feldstärke und Speisestrom ief nur
durch Kalibrierung mit einer Magnetfeldmesssonde akzeptabel herstellbar.
Helmholtzspulen machen diese Kalibrierung entbehrlich, da ihre näher-

ungsweise homogene Feldstärkeverteilung berechnet werden kann, Bild 8.30.
Hz(z,0)
r0
r0
Bild 8.30: Helmholtzspulen-

paar zur Erzeugung eines nur r0
schwach inhomogenen, be-
rechenbaren Magnetfelds.
Zwischen zwei im Abstand r0 angeordneten Ringspulen vom Radius r0

ergibt sich die Feldstärke näherungsweise zu
ief
Hzef (z,0) ≈ Hz (z, r0 ) = 0,715
r0
. (8-14)
E-Felder, 10 kHz bis 30 MHz bzw. 150 MHz:
Quasistatische E-Felder lassen sich mit den in Bild 8.31 und 8.32 gezeigten
Anordnungen generieren.
EIst
Bild 8.31: Unsymmetrisch eingespeiste E-Feld-Antenne.

50Ω Prüfling 50Ω
EIst
200Ω
Bild 8.32: Symmetrisch eingespeiste E-Feld-Antenne mit externem Abschlusswider-

stand.
Dank der Eingangsübertrager mit einem Windungsübersetzungsverhältnis

von beispielsweise 1:2 lässt sich der 50 Ω Innenwiderstand der Leistungs-
verstärker an 4-fach größere Antennenimpedanzen anpassen. Gleichzeitig
erhält man eine Verdopplung der Antennenspannung bzw. der Antennen-
feldstärke und damit eine effektive Umsetzung der HF-Verstärkerleistung.
Die Abschlusswiderstände sind thermisch für Leistungen bis zu einigen kW
auslegbar. In Bild 8.32 transformiert ein zusätzlicher Übertrager den
Abschlusswiderstand wieder auf 50 Ω , so dass handelsübliche, thermisch
hoch belastbare koaxiale HF-Widerstände verwendet werden können
Die mit obigen Anordnungen erzeugten elektrischen Felder sind sehr inho-
mogen und in ihrer räumlichen Verteilung nur unbefriedigend bekannt.
Besser definierte Feldverhältnisse erhält man mit offenen Wellenleitern, Bild
8.33 (s. a. VDE 0843 Teil 3 [B23]).
Z0
Z0
Bild 8.33: Symmetrischer, offener Wellenleiter (Parallelplattenleitung, Streifen-

leitung).
Beide Platten bilden eine elektrisch lange Leitung. Die Dimensionierung der
konischen Übergangsstücke und des Verhältnisses Plattenbreite zu Platten-
abstand erfolgt derart, dass der Wellenwiderstand Z0 von der Einspeisung

bis zum Abschlusswiderstand konstant ist. Hierbei wird unter Wellenwider-
stand immer der geometrieabhängige Leitungswellenwiderstand, das heißt
das Verhältnis aus Spannung und Strom verstanden. Der Feldwellenwider-
stand, also das Verhältnis E/H im Volumen zwischen den Leitern, beträgt
bei TEM-Wellen unabhängig von der Geometrie immer μ0 / ε0 = 377 Ω (für
μ r = 1 und ε r = 1 ).
Bei Gleichspannung und niederen Frequenzen (λ l) herrscht zwischen

den Platten ein quasistatisches elektrisches Feld, dessen Feldstärke sich aus
U
E=
d
(8-15)
berechnet. Die nutzbare Höhe liegt etwa bei einem Drittel des Plattenab-
stands.
Bei höheren Frequenzen ( λ l, λ d ) breiten sich von der Einspeisung

zum Abschlusswiderstand zwischen den Leitern geführte elektromagnetische
Wellen mit transversalen elektrischen und magnetischen Feldstärken aus.
Wegen dieser Transversalität kann dann das E-Feld nach wie vor aus Glei-
chung (8-15) berechnet werden, die Beanspruchung des Prüfobjekts ist je-
doch eine andere als im rein quasistatischen Fall (s. Abschn. 5.4 und 6.1.4).
Für sehr hohe Frequenzen, ( λ d ), geht auch die Transversalität verloren,
es bilden sich merklich höhere Moden aus und Gl. (8-15) verliert ihre
Gültigkeit. Wird der parallele Teil der Plattenleitung sehr kurz gehalten,
verhält sich der offene Wellenleiter wie eine Kegelleitung [8.17].
Eine besondere Anwendung von offenen Wellenleitern sind sogenannte

Streifenleiter (engl.: „Striplines“), Bild 8.34. Die Streifenleitung ist ein offener
TEM-Wellenleiter, durch den ein elektromagnetisches Feld zwischen einer
Massefläche und dem Streifenleiter erzeugt wird. Die Impedanz wird grund-
sätzlich über das Verhältnis von Streifenbreite b und Abstand h zur Ground-
Plane gemäß
120 ⋅ π
Z= (8-16)
b h + 2,42 − 0,44 h b + [1 − h b]
6
an jedem Punkt der Streifenleitung eingestellt.

h Abschluß
Z0
N-Anschluß
Bild 8.34: Unsymmetrischer, offener Wellenleiter.
Die Streifenleitung ist ein Messmittel, mit dem bei den meisten führenden
Kfz-Herstellern vor allem Komponenten auf ihre Störfestigkeit und -emission
untersucht werden. Anhaltspunkte zum Bau einer Streifenleitung befinden
sich in den einschlägigen Normen, wie DIN 40839 oder DIN ISO 11452-5.
Hier wird von einem Wellenwiderstand von 50 Ω oder 90 Ω ausgegangen.
In den meisten Prüflaboratorien werden 90 Ω -Striplines verwendet, die auch
die entsprechende Akzeptanz beim Kunden haben. Bei 90 Ω Impedanz
treten höhere Moden erst bei höheren Frequenzen auf, ferner wird eine
geringere Leistung für die gleiche Feldstärke benötigt.
Geschlossene Wellenleiter haben den Vorteil, mit geringen Eingangs-

leistungen sehr hohe Feldstärken in deren Innern zu generieren und dabei
relativ deterministische Feldbedingungen aufzuweisen. Durch die vollstän-
dige Schirmung wird die Umgebung zusätzlich geschützt. TEM-Zellen (s.
Abschn. 5.7.3) und GTEM-Zellen (s. Abschn. 5.7.4) eignen sich hervor-
ragend zur Erzeugung quasistatischer elektrischer Felder und gekoppelter
transversaler E- und H-Felder.
Zur Gruppe der Wellenleiter gehört im weitesten Sinn auch die Modenver-
wirbelungskammer, die bei Störfestigkeitsprüfungen zahlreiche Vorteile
gegenüber der Absorberkammer aufweist (s. a. Abschn. 5.7.2) [8.38, 8.39].
8.2.1.2 Verstärker
Die Ausgangsleistung gewöhnlicher Messsender bzw. Signal- oder Funk-

tionsgeneratoren ist gewöhnlich zu klein, um wirklichkeitsnahe Störfestig-
keitsprüfungen durchführen zu können. Man verwendet daher zur Speisung
der Antennen spezielle Leistungsmesssender bzw. nachgeschaltete Leistungs-
verstärker. Da bei Breitbandverstärkern hohe Bandbreite und Verstärkung
einander ausschließen, benötigt man in der Regel mehrere, in unterschiedli-
chen Bandbreitenbereichen und mit unterschiedlichen aktiven Elementen

arbeitende Verstärker.
Die wichtigsten Verstärkereigenschaften sind:
– Bandbreite
– Verstärkung
– Ausgangsleistung
– Stabilität
– Toleranz gegen Fehlanpassung am Ausgang.
Ein idealer Verstärker besitzt innerhalb seiner Bandbreite (Differenz zwi-

schen oberer und unterer Grenzfrequenz, B = fg0 − fgu ) eine konstante Span-
nungsverstärkung (engl.: gain), und zwar unabhängig von seiner Belastung
(zwischen Leerlauf und Nennbetrieb). Bei realen Verstärkern schwankt die
Verstärkung sowohl abhängig von der Frequenz als auch von der Belastung,
so dass der Frequenzgang alles andere als eben ist. Die Verstärkung muss
jedoch stets so groß sein, dass bei Vollaussteuerung am Eingang (z. B.
1 mW) auch in den Minima des Verstärkungsfrequenzgangs an einer
vorgesehenen Last die geforderte Ausgangsleistung erzeugt werden kann.
Erfreulicherweise vermögen die heute üblichen Regelverstärker auch bei sehr
welligem Frequenzgang hier einiges gut zu machen. Bei fehlangepasster
Belastung – z. B. durch eine stark frequenzabhängige Impedanz mit hohem
Stehwellenverhältnis (engl.: VSWR – Voltage Standing Wave Ratio) – muss
der Verstärker die reflektierte Leistung verkraften können. Darüber hinaus
darf der Verstärker in keinem Betriebszustand durch unvorhergesehene
Mitkopplung zum Oszillator werden (Schutzschaltungen). Letztlich wird
dem Leser das Sammeln eigener Erfahrungen im Umgang mit Leistungs-
verstärkern nicht erspart bleiben.
8.2.2 Simulation breitbandiger elektromagnetischer Wellenfelder
Breitbandige elektromagnetische Wellenfelder treten im Fernfeld transienter

Spannungs- und Stromänderungen auf, z. B. beim NEMP (Nuklearer Elek-
tromagnetischer Impuls, s. Abschn. 2.4.7) und bei Blitzentladungen, in der
Pulse Power Technologie oder in Hochspannungsprüflaboratorien. Für ihre
wirklichkeitsnahe quantifizierbare Simulation benötigt man offene oder
geschlossene Wellenleiter (s. Abschn. 8.2.1.1), die von Impulsspannungs-
quellen gespeist werden (engl.: radiation mode testing). Beispielsweise er-
zeugen NEMP-Simulatoren räumlich ausgedehnte transiente elektro-

magnetische Felder mit doppelt exponentiellem zeitlichen Verlauf (s. Bild
2.11 im Abschn. 2.4).
Ein NEMP Simulator besteht im Wesentlichen aus einem Stoßspannungsge-

nerator, der Spannungsimpulse im Multimegavoltbereich mit Anstiegszeiten
von nur wenigen Nanosekunden erzeugt sowie einem Wellenleiter zur Feld-
kopplung an das Prüfobjekt, Bild 8.35.
Bild 8.35: NEMP-Simulator.
Grundsätzlich handelt es sich bei einem NEMP Simulator um eine Ab-

wandlung der bereits in Abschn. 8.2.1.1 erwähnten Streifenleitung. Wegen
der großen Abmessungen werden Platten jedoch durch einzelne parallele
Drähte ersetzt. Diese wirken gleichzeitig als Modenfilter, da im Gegensatz zu
den Plattenleitern sich hier keine Ströme quer zur Ausbreitungsrichtung
ausbilden können. Zahl und Abstand der Teilleiter bestimmen wesentlich die
räumliche Feldverteilung [8.18].
Da die vergleichsweise große Induktivität gewöhnlicher Stoßspannungsgene-

ratoren im MV-Bereich eine direkte Erzeugung von Nanosekundenimpulsen
nicht zulässt, führt man in einem Nachkreis eine Energiekompression durch,
Bild 8.36.
LS FS LN FS
MV
CS CN RL
Stoßgenerator Nachkreis
Bild 8.36: Stoßgenerator mit schnellem Nachkreis.

Je nach Dimensionierung unterscheidet man zwei Betriebsarten.
Transferbetrieb:
Im Transferbetrieb lädt der Stoßgenerator (Marxgenerator) die Transferkapa-

zität ( CN ≈ CS ) in weniger als einer Mikrosekunde schwingend auf den ge-
wünschten Scheitelwert auf, anschließend entlädt sich CN über die Last R L
(ca. 50!100 Ω ). Dank der gepulsten Aufladung und damit nur kurzzeitigen
Beanspruchung von CN lässt sich die Transferkapazität extrem induktions-
arm aufbauen (Kondensator mit Wasserdielektrikum oder Folienkondensa-
tor in SF6 Pressgas). Die Anstiegszeit des NEMP-Impulses bestimmt dann
die Zeitkonstante LN / R L , das heißt
LN
Ta = 2,2
RL
, (8-17)
die Rückenzeit die Zeitkonstante CN R L .
„Peaking“-Betrieb:
Im „Peaking“-Betrieb wählt man CN viel kleiner als CS (ca. CS = 5CN ), so

dass die Spannung an CN sehr rasch ansteigt. Die Funkenstrecke zündet be-
reits im Spannungsanstieg, CN kann dank seiner geringen Induktivität sofort
viel Strom liefern und führt somit zu einem steilen Spannungsanstieg an der
Last (Aufsteilungsfunkenstrecke). Der Spannungsanstieg an der Last breitet
sich in Form einer Wanderwelle in das Leitungssystem konstanten Wellen-
widerstands aus.
Aufwendige NEMP-Simulatoren erlauben schnellen Repetierbetrieb zur Si-

mulation multipler Impulse. Wegen des großen Aufwands und der Natur der
Störquelle kommen NEMP-Simulatoren in der Regel nur im militärischen
Bereich Bedeutung zu. Wegen weiterer Einzelheiten sei daher auf das
Literaturverzeichnis verwiesen [B28, 8.24].
8.2.3 Simulation quasistatischer Felder und elektromagnetischer Wellen

durch Strominjektion
Die Prüfung der Wirksamkeit von Kabelschirmen und Schirmgehäusen gege-

nüber elektromagnetischen Feldern und Wellen erfolgt gewöhnlich durch
Simulation der Störfelder wie in den vorigen Abschnitten beschrieben. Diese

Felder führen letztlich immer zu Strömen auf Kabelschirmen und Schirm-
gehäusen, die aufgrund des Durchgriffs und der Kopplungsimpedanz im
Innern zu Störspannungen Anlaß geben.
Die aufwendige Simulation dieser Störfelder lässt sich umgehen, indem man
die ihnen induzierten Ströme gleich in die Schirme einspeist.
Man unterscheidet zwischen Strominjektionsprüfungen an Kabelschirmen

und Schirmgehäusen und Strominjektionsprüfungen an Kabelbäumen.
8.2.3.1 Strominjektionsprüfungen an Kabeln und Gehäuseschirmen
Bei Strominjektionsprüfungen von Kabel- und Gehäuseschirmen speist man

in die Schirme sinusförmige oder transiente Störströme ein, die über den
Schirm bzw. über dessen Erdverbindungen, Schutzleiter, etc. zur Quelle
zurückfließen. Diese Ströme führen bezüglich der innenliegenden Signal-
leiter zu einem resultierenden magnetischen Feld geringerer Feldstärke.
Die Kabel und Gehäuseströme können ebenfalls aufgrund des Spannunsgab-

falls auf der Stromstrecke einen störenden Einfluß haben. So erzeugt bei-
spielsweise ein Kabelmantelstrom, der durch den mit Masse verbundenen
Kragen der Eingangsbuchse eines Oszilloskops in das Gehäuse eintritt und
dieses durch die Erdkapazität und den Schutzleiter wieder verlässt, längs der
Schaltungsmasse Spannungsabfälle, die galvanisch dem Nutzsignal über-
lagert sind (s. a Abschn. 10.6). Diesen Effekt beschreibt man durch die
Gehäuse-Kopplungsimpedanz. Die Kopplungsimpedanz von Kabeln und
Gehäusen ist vor allem bei starken Feldern, beispielsweise hervorgerufen
durch Blitzentladungen oder hochintensive gestrahlte Felder von Radar-
anlagen, von hoher Bedeutung. Deswegen ist die Messung der Kopplungs-
impedanz eine wichtige Grundlage zur weiterführenden EMV-gerechten
Auslegung von Systemen. Die größten Schirmgehäuse findet man im Flug-
zeugbau und bei der Marine, wo in die Primärstrukturen (beispielsweise in
Flügelspitze oder Nase) ein Strom injiziert wird, der ein äußeres einfallendes
Feld simuliert, um die Kopplung auf innenliegende Leiter und Systeme zu
bestimmen. Ebenso werden Blitzentladungen simuliert, um Immunität der
Primärstruktur und die Kopplung in den Innenbereich des Flugzeugs zu
bestimmen.
8.2.3.2 Prüfung der Störempfindlichkeit von Geräten durch Stromin-

jektion in deren Kabelbäume
Die aus Gehäuse-Kopplungsmessungen gewonnenen Daten können zur Be-

stimmung von Prüfkriterien herangezogen werden, mit denen die Kopplung
der äußeren Felder auf Signalleiter im Schirminnern simuliert wird. Ähnlich
wie bei Emissionsmessungen die Messung von Störfeldstärken in bestimmten
Fällen durch Störleistungsmessungen ersetzt werden kann (s. a Abschn. 7.3),
lässt sich auch die aufwendige Einkopplung von Feldern in gewissem
Umfang durch eine Strominjektion über Stromwandler bzw. Absorberzangen
oder galvanische Einkopplung über Koppelnetzwerke gemäß IEC 801-6
ersetzen [8.15, 8.16, 8.26, 2.156].
Diese Technik (engl.: injection test mode oder bulk current injection (BCI))
hat zunehmend Bedeutung gewonnen und wird heutzutage bis in den GHz-
Bereich angewendet. BCI-Tests gestallten sich oberhalb von 400 MHz als
äußerst schwierig, da auf den jeweiligen Kabelbäumen und Leitungen
resonanzen auftreten und große Fehlanpassungen vorherrschen können.
Schließlich ist die Korrelation zwischen Prüfbedingung und Einsatzbeding-
ung in sehr hohen Frequenzbereichen aufgrund der nicht bekannten Hoch-
frequenz-Eigenschaften vom Kabelbäumen (engl.: bundle) sehr fragwürdig.
Reflexionen aufgrund einer anderen Art von Leitungsverlegung oder Durch-
gang durch metallische Träger und Strukturen haben oberhalb 100 MHz
bereits spürbare Auswirkung auf das Hochfrequenzverhalten einer Leitung.
9 EMV-Entstörmittelmessungen
Entstörmittelmessungen quantifizieren die frequenzabhängige Dämpfung von

Filtern, die Schirmdämpfung von Kabelmänteln, Gerätegehäusen und Mess-
kabinen etc. Im Folgenden werden die grundsätzlichen Verfahren kurz vor-
gestellt. Die praktische Durchführung von Entstörmittelmessungen verlangt
im konkreten Einzelfall eine intensive Befassung mit den relevanten Vor-
schriften und der jeweils angegebenen Literatur.
9.1 Schirmdämpfung von Kabelschirmen
9.1.1 Schirmdämpfung für quasistatische Magnetfelder (Kopplungsim-

pedanz)
Ein Maß für die Dämpfung quasistatischer magnetischer Wechselfelder

durch Kabelschirme ist die Kopplungsimpedanz (engl.: transfer impedance).
Sie ist definiert als Verhältnis der auf der Innenseite eines Kabelschirms
auftretenden Spannung (galvanisch und induktiv eingekoppelt, s. a. Abschn.
3.1.3) zu dem auf der Außenseite im Kabelschirm fließenden Strom
[3.8, 9.1–9.6]. Der Messaufbau für die Ermittlung der Kopplungsimpedanz
wird durch ihre Definition nahe gelegt, Bild 9.1.
Störmess-
empfänger
ISt (ω) USt (ω)
Bild 9.1: Messung der Kopplungsimpedanz mit koaxialer Rückführung des Stör-
stroms (schematisch), I St (ω) : Störstromquelle.

364 9 EMV-Entstörmittelmessungen
Ein Leistungsmesssender speist bei diskreten Frequenzen sinusförmige Strö-

me I St (ω) konstanten Effektivwerts in den Kabelmantel ein, der Störmess-
empfänger misst den vom Störstrom auf der Innenseite des Schirms
hervorgerufenen Spannungsabfall. Für Kabellängen l λ / 4 ergibt sich die
auf die Länge bezogene Kopplungsimpedanz,
USt (ω)
ZK (ω) =
I St (ω) ⋅ l
. (9-1)
Je kleiner die Kopplungsimpedanz, desto höher die Schirmwirkung und

desto geringer ist die resultierende Störspannung USt (ω) .
Zwischen der analytischen Funktion des Kopplungswiderstands ZK (ω) und

des Schirmfaktors
Q(ω) = Hi (ω) Ha (ω) (9-2)
eines Zylinders besteht bereichsweise eine enge Verwandtschaft, so dass aus

dem Kopplungswiderstand Näherungslösungen für den Schirmfaktor abge-
leitet werden können [9.1, 9.32]. Numerisch lässt sich diese Verwandtschaft
für beliebige Geometrien aufzeigen.
Die Aussagekraft der Kopplungsimpedanz ist so hoch, dass häufig die

Schirmwirkung bestimmter Schirmmaterialien über eine Kopplungsimpe-
danzmessung ermittelt wird. So kann man beispielsweise Maschendraht zu
einem Rohr zusammenrollen, dessen Kopplungsimpedanz messen, und
damit Aussagen über die Eignung dieses Materials für die Auskleidung von
Schirmräumen gewinnen. In die gleiche Richtung zielen Suszeptibilitätsmes-
sungen an Schirmgehäusen von Messgeräten, Steckverbindungen etc. [2.155,
2.156, 9.2–9.4].
Die enge Verwandtschaft zwischen Kopplungsimpedanz und Schirmdämp-

fung kommt auch auf anderen Gebieten der EMV-Technik zum Ausdruck,
zum Beispiel immer dann, wenn die Wirkung elektromagnetischer Wellen
durch die von ihnen induzierten Ströme durch Strominjektion bzw. durch
Störleistungsmessungen simuliert wird (s. a. Abschn. 5, 7.3 u. 8.2.3). Die
Kopplungsimpedanz ist eine der wichtigsten Größen in der EMV.
9.1 Schirmdämpfung von Kabelschirmen 365
9.1.2 Schirmdämpfung für quasistatische elektrische Felder

(Transfer-Admittanz)
Quasistatische elektrische Felder wirken über den kapazitiven Durchgriff

eines Geflechtschirms auf das geschirmte System ein. Ein Maß für die
Schirmdämpfung ist in diesem Fall der Durchgriffsleitwert bzw. die Transfer-
Admittanz (engl.: transfer admittance).
C12
C2 I
U2 C1
Z0 U1
Bild 9.2: Messung der Transferadmittanz (schematisch), C12 ist die sogenannte
Durchgriffskapazität.
Der Durchgriffsleitwert ist dual zur Kopplungsimpedanz und wird definiert

zu
I(ω)
YT (ω) = ≈ jωC12
U2 (ω) ⋅ l
. (9-3)
Im Gegensatz zur Kopplungsimpedanz ist der Durchgriffsleitwert nicht allein

eine Eigenschaft des Schirms, sondern auch eine Funktion der Kapazität C2
der Messanordnung bzw. der Störumgebung.
In praxi rechnet man vorzugsweise mit dem kapazitiven Durchgriff,
C12 ⋅ l
K12 =
C1 ⋅ C2
, (9-4)
eine vom Schirmaufbau, aber nicht mehr von der Frequenz abhängige Kenn-
größe.
Der kapazitive Durchgriff hat die Dimension m/F und wird wahlweise durch
Messung der Teilkapazitäten oder mittels Spannungsmessungen bestimmt
[9.3, 9.40].
Im Gegensatz zur Kopplungsimpedanz hat die Transfer-Admittanz nur ge-

ringe praktische Bedeutung, da die induzierten Störspannungen die influen-
zierten Störspannungen meist merklich überwiegen (Ausnahme: Kabelschir-
me mit geringer optischer Überdeckung).
9.1.3 Schirmdämpfung für elektromagnetische Wellen

(Schirmungsmaß)
Wie bereits mehrfach erwähnt, können Kabelschirme als Empfangs- oder

Sendeantennen für elektromagnetische Wellen interpretiert werden (s.
Abschn. 7.3. u. 8.2.3). Eine von außen auf einen Kabelschirm auftreffende
elektromagnetische Welle führt zu Kabelmantelströmen, ein Strom im
inneren System führt zur Abstrahlung elektromagnetischer Wellen in den
Außenraum. Aufgrund der vorhandenen Reziprozität definiert man als
Schirmungsmaß das mit 10 multiplizierte logarithmische Verhältnis der in
das zu prüfende Kabel eingespeisten Leistung P1 = U12 / Z zur außen von
einer Absorberzange gemessenen Leistung P2 = I2 Z' (Z': äquivalenter
Impedanzfaktor),
P1
a s = 10 lg
P2
. (9-5)
Die Messung der äußeren Leistung erfolgt mit Hilfe von zwei Absorberzan-
gen am sendernahen und -fernen Ende oder mit einem verschiebbaren
Stromwandler, Bild 9.3.
Absorber Absorber
Messsender Abschluß
Störmess- Störmess-
empfänger empfänger
Bild 9.3: Messung des Schirmdämpfungsmaßes von Kabelschirmen mit Absorber-

zangen bzw. Absorbern und einem Stromwandler [9.5].
9.1 Schirmdämpfung von Kabelschirmen 367
Die Messung besitzt starke Ähnlichkeit mit der Ermittlung des Nah- und
Fernnebensprechens (s. a. [3.12–3.16]). Abschließend sei erwähnt, dass es
durchaus auch möglich ist, die Emissionen von Kabeln und Steckverbindern
direkt mit Empfangsantennen zu erfassen und daraus Schlüsse auf deren
Schirmwirkung abzuleiten [9.6].
9.2 Schirmdämpfung von Gerätegehäusen und Schirmräumen
Die Intrinsic-Dämpfung geschlossener Schirmhüllen – das heißt, die nur von

der Geometrie, dem Schirmmaterial und dessen Wandstärke bestimmte
Schirmdämpfung eines fugenlosen homogenen Schirms – ist meist sehr hoch
(Ausnahme: Bedampfungen etc., s. Kap. 5) und kann mit den im Kap. 6
angegebenen Formeln abgeschätzt bzw. mit den im Abschn. 9.3 vorgestellten
Anordnungen gemessen werden. Technische Schirme besitzen dagegen
aufgrund herstellungsbedingter oder funktionell bedingter Fugen und
Öffnungen meist eine deutlich geringere Schirmwirkung. Die letztlich
verbleibende Schirmdämpfung muss messtechnisch ermittelt werden.
Die Schirmdämpfung von Schirmräumen wird als Einfügungsdämpfung ge-

messen, Bild 9.4.
M M
a0 am
a) b)
Bild 9.4: Messung der Einfügungsdämpfung von Schirmgehäusen, a) Leermessung

ohne Schirm (Anzeige a 0 ), b) Schirmmessung (Anzeige a m ).
Der Unterschied der Anzeigen ohne und mit Schirm ergibt die Schirmdämp-
fung,
as = a0 − am
. (9-6)
Je nach Feldcharakteristik (elektrisch, magnetisch), Frequenzbereich und

Polarisationsrichtung kommen verschiedene Antennen in Frage (s. a. Ab-
schn. 7.2), Bild 9.5.
Bild 9.5: Antennen zur Messung der

Einfügungsdämpfung von Schirmräumen
in unterschiedlichen Frequenzbereichen.
Schirmdämpfungsmessungen an Gerätegehäusen und Elektronikschränken

verlangen im Schirminnern eine möglichst kleine Antenne. Da eine Kalibrie-
rung der Antenne nicht erforderlich ist, genügt hier eine beliebige Eigenbau-
version, wie etwa eine Schnüffelantenne (s. a. Abschn. 7.2.1.4).
Bild 9.6 zeigt zwei Möglichkeiten der Messung der Schirmdämpfung an Ge-
rätegehäusen für unterschiedliche Frequenzbereiche [9.8–9.11 und 9.15].
a) b)
Bild 9.6: Messung der Schirmdämpfung von Gerätegehäusen, a) Magnetfelddämp-

fung, 30 Hz bis 3 MHz (Messgerät im Schirmgehäuse), b) Schirmdämpfung im elek-
tromagnetischen Wellenfeld, 30 MHz bis 1 GHz (Messgerät außerhalb des Schirm-
gehäuses).
Je nach Positionierung der Antennen – vor homogenen Schirmwänden, vor

Spalten und Öffnungen oder in Raummitte – ergeben sich sehr unterschied-
liche Werte. Im Rahmen einer „worst-case“-Betrachtung sind die niedrigsten
Werte festzuhalten. Der Nachteil der Ortsabhängigkeit lässt sich durchaus
9.2 Schirmdämpfung von Gerätegehäusen und Schirmräumen 369
auch positiv interpretieren, indem auf diese Weise mit Schnüffelantennen

leicht Leck- und Schwachstellen aufgespürt werden können [9.7].
Große Abschirmräume oder auch Schirmschränke werden mangels Porta-

bilität nach der Raummittelpunktmethode vermessen, Bild 9.7.
Bild 9.7: Messung der Schirmdämpfung nach der Raummittelpunktmethode.
Hierbei handelt es sich um eine modifizierte Messung der Einfügungsdämp-

fung, wobei grundsätzlich in Schirmraummitte gemessen wird.
Neben der Tatsache, dass bei obigen Verfahren weniger der eigentliche
Schirm als seine Unvollkommenheiten (Fugen, Filter, Wabenkaminfenster
etc.) beurteilt werden, weisen Messungen der Einfügungsdämpfung noch die
Problematik auf, dass das Messergebnis wesentlich von den Antennenstrah-
lungsdiagrammen abhängt und dass für andere Störquellen und -sender die
Einfügungsdämpfung an der entsprechenden Schwachstelle durchaus andere
Werte annehmen kann.
Wegen der mangelnden Eindeutigkeit von Schirmdämpfungsmessungen wird

zunehmend eine Beurteilung der Schirmdämpfung an Hand von Strominjek-
tionsmessungen diskutiert [9.20, 9.8]. Der Zusammenhang zwischen einer
Gehäusekopplungsimpedanz und der Schirmdämpfung ist zwar auch nicht
eindeutig, ihre Messung ist aber viel einfacher.
Die grundsätzliche Problematik der Schirmdämpfungsmessung liegt schlicht

darin begründet, dass bei technischen Schirmen die Schirmdämpfung natur-
gemäß keine eindeutige Größe ist und daher grundsätzlich auch nicht ein-
deutig angegeben werden kann.
Schirmdämpfungsmessungen von Gehäusen, Baugruppenträgern und Elek-

tronikschränken werden klassischerweise in der Absorberkammer durch-
geführt [9.9]. Die zu vermessenden Gehäuse müssen leer und Gehäuse-
öffnungen, wie z. B. Displays, sowie Durchführungen müssen mit den vor-
gesehenen Konstruktionselementen versehen sein. Der Prüfling muss in
Strahlrichtung der Sendeantenne und mindestens in einem Abstand von
einem Meter zur Sendeantenne stehen. Die Empfangsantenne muss mittig in
den Prüfling eingebracht sein (Raummittelpunktmethode) und soll im
Vergleich zum Gehäuse klein sein. Die Messdynamik des Aufbaus soll
mindestens 10dB größer sein als die Schirmdämpfung des zu vermessenden
Gehäuses. Die Schirmdämpfung wird als Einfügungsdämpfung gemessen.
Der Prüfling ist in seinen drei Raumachsen zu vermessen.
Beispielsweise zeigt Bild 9.8 einen Messaufbau zur Schirmdämpfungs-

messung nach VG 95373, Teil 15, KS 04 G [9.9]:
Schirmgehäuse Empfangsantenne Sendeantenne
Absorberwand Bodenabsorber
Mess-
kabine
Funk-
störmess-
empfänger
Signal-
generator
(SMH)
PC
(Datenaus-
wertung)
Verstärker
Absorberkammer (200 W)
Bild 9.8: Messaufbau einer Schirmdämpfungsmessung in der Absorberkammer.
In der Mitte der Absorberhalle befindet sich die Empfangsantenne, um die

bei der Messung der Schirm positioniert wird. Das elektromagnetische Feld
wird mit einer logarithmisch-periodischen Antenne mit horizontaler oder
9.2 Schirmdämpfung von Gerätegehäusen und Schirmräumen 371
vertikaler Polarisation erzeugt (s. a. 7.2.1). Die Sendeantenne wird nahe der
vorderen Wand in der Mitte der Raumbreite auf 1,5 m Höhe angebracht. Die
Hauptstrahlrichtung wird parallel zur Raumlängsachse und somit genau auf
das zu vermessende Gehäuse ausgerichtet. Die Antenne wird von einem
Verstärker gespeist, der über einen Signalgenerator angesteuert wird. Ge-
messen wird mit einem Funkstörmessempfänger, der zusammen mit dem
Signalgenerator über den IEC-Bus mit einem PC verbunden ist. Der PC
übernimmt die Steuerung des Messablaufs und die Messdatenauswertung.
Eine zusätzliche Schirmung der Messleitung durch ein massives Messingrohr

und Ferritringe zur Unterdrückung der Rohrresonanzen ist ratsam, um
Rückwirkungen des Messaufbaus zu unterdrücken.
Zusätzlich zu den Wandabsorbern werden Bodenabsorber und eine mobile

Absorberwand in der Kammer positioniert, um bessere Feldeigenschaften zu
erreichen. Bild 9.9 zeigt einen solchen Aufbau für ein kleines Gehäuse.
Bild 9.9: Realisierung des Messaufbaus in der Absorberkammer für kleine Gehäuse.
Standgehäuse werden ähnlich vermessen, wobei diese auf einem Drehtisch

innerhalb der Kammer auf einer Höhe von 20 bis 40 cm angebracht sind.
Dabei wird wiederum das Empfangsantennenkabel innerhalb eines Messing-
rohres geführt, um Einkopplungen zu minimieren, Bild 9.10 a und b.
Bild 9.10 a: Realisierung des Messaufbaus für Schirmdämpfungsmessungen großer

Gehäuse und Schränke (ohne eingebrachten Schirmschrank, sogenannte Leer-
messung, Anzeige a0)
Bild 9.10 b: Realisierung des Messaufbaus für Schirmdämpfungsmessungen großer

Gehäuse und Schränke (mit eingebrachtem Schirmschrank, sogenannte Schirmmes-
sung, Anzeige am)
9.3 Intrinsic-Schirmdämpfung von Schirmmaterialien 373
Erfahrungen aus zahlreichen Messungen zeigen, dass das oben erwähnte

Verfahren einige Nachteile mit sich bringt:
– Die Schirmdämpfungswerte sind aufgrund stehender Wellen innerhalb

des Gehäuseschirms vom Ort der Messantenne abhängig. Das bedeutet,
dass eine ungenaue Positionierung der Messantenne im Mittelpunkt des
zu vermessenden Gehäuseschirms die Ergebnisse der Schirmmessung be-
einflusst.
– Auf dem Schirm des Empfangsantennenkabels breiten sich eingekop-
pelte Gleichtaktströme aus und versetzen diesen außerhalb des
Gehäuses in Resonanz. Diese Resonanzen des äußeren Kabelschirms
übertragen sich auf das Gehäuse und verfälschen die Messung, da der
Antennenaufbau im Schirminneren als λ / 4 -Strahler wirkt.
– Das Feld in der Absorberhalle ist inhomogen. Aufgrund der räumlichen
Gehäuseausmaße ist das einfallende Feld nicht äquivalent zu dem Feld
der Referenzmessung (ohne Gehäuse). Dieser Einfluss wird in der
Differenzmessung nicht eliminiert. So verändern große Schirme merklich
das Feld in der Halle, was zu falschen Ergebnissen führen kann.
– Bei vielen Absorberkammern handelt es sich um Semi-Absorber-
kammern. Das bedeutet, der Fußbodenbereich besteht aus einer Metall-
platte ohne zusätzliche Absorber, die also die Wellen reflektiert. Dies
verschlechtert jedoch die Feldhomogenität in der Absorberkammer bzw.
es treten indirekte Einstrahlungen durch die Fussbodenreflexion auf,
wobei ihre Tauglichkeit für EMV-Messungen einschränkt wird.
– In der Absorberhalle selbst sind große Verstärkerleistungen nötig, um
eine gute Messdynamik zu erhalten.
– Für schnelle Übersichtsmessungen ist dieses Verfahren aufgrund seines
Aufwands nicht geeignet (Drehen des Prüflings, ändern der Polarisation
der Sendeantenne).
Schirmdämpfungsmessungen und ihre Interpretation sind sehr vielschichtig

und nur in enger Anlehnung an Vorschriften sowie mit intimem Verständnis
für die inhärenten Unzulänglichkeiten der Verfahren befriedigend durch-
führbar. Weitere Hinweise finden sich im umfangreichen Literaturverzeich-
nis [9.9–9.16].
9.3 Intrinsic-Schirmdämpfung von Schirmmaterialien
Die Intrinsic-Schirmdämpfung von Schirmmaterialien – das heißt ihre reine

Materialeigenschaft, unabhängig von der Geometrie eines damit zu er-
stellenden Schirms – ermittelt man über die Messung ihrer Einfügungs-
dämpfung (s. a. Abschn. 9.2), Bild 9.11.
a) E
b) E
Bild 9.11: Messung der Einfügungsdämpfung von Schirmmaterialien. a) Leermessung

(Anzeige a 0 ), b) Materialmessung (Anzeige a m ).
Der Unterschied der Anzeigen ohne und mit Schirm ergibt die Schirmdämpf-
ung,
as = a0 − am
. (9-7)
Wie bei anderen auf der Messung einer Einfügungsdämpfung beruhenden

Methoden hängt auch hier das Messergebnis nicht allein vom Prüfobjekt,
sondern auch von der Messanordnung ab (s. a. Abschn. 9.2 u. 9.4). So erhält
man mit unterschiedlichen Antennen, Antennenstrahlungsdiagrammen und
Abständen zur Probe sowie unterschiedlichen Probenabmessungen in Quer-
richtung verschiedene Messergebnisse für das gleiche Material. Es wurden
daher mehrere Modifikationen obiger Grundidee entwickelt, die zwar auch
nicht zwingend zu einheitlichen Ergebnissen führen, dennoch in ihrer
Gesamtheit eine treffendere Beurteilung des Schirmmaterials erlauben [9.23,
9.25, 9.26, 9.42].
9.3.1 Koaxiale TEM-Messzelle mit durchgehendem Innenleiter
Bei der koaxialen TEM-Messzelle mit durchgehendem Innenleiter (engl.:

Transmission-Line Holder) wird die Materialprobe im Inneren einer aufge-
weiteten Koaxialleitung konstanten Wellenwiderstands in radialer Richtung

niederohmig kontaktiert angeordnet, Bild 9.12.
Bild 9.12: Koaxiale TEM-Messzelle mit durchgehendem Innenleiter (ASTM, [9.21,

9.22]).
Die Materialprobe besitzt die Form eines Kreisrings, der Innenleiter ist
durchgehend. Damit entspricht die Messanordnung dem von Schelkunoff
vorgeschlagenen Impedanzkonzept für das Fernfeld (s. Abschn. 6.2). Die E-
und H-Feldvektoren sind parallel zum Schirmmaterial orientiert. Ein Teil der
vom Messsender M ankommenden TEM-Welle wird reflektiert, ein Teil zum
Empfänger transmittiert, der Rest in der Probe dissipiert, das heißt in Ver-
lustwärme umgewandelt. Die Übereinstimmung mit rechnerisch ermittelten
Werten für die Schirmdämpfung elektromagnetischer Wellen,
für dünne Proben: für dicke Proben:
377 Ω σ d 377 Ω sinh ( γd )

a S = 20 lg 1 + , a S = 20 lg 1 + , (9-8)
2 2 μ ε
hängt insbesondere bei gut leitenden Proben wesentlich von der Kontaktie-
rung der Probe zum Innen- und Außenleiter ab. Zur Umgehung dieser Pro-
blematik wurde die nachstehend beschriebene Koaxiale TEM-Messzelle mit
stoßender Ankopplung an die Probe entwickelt.
9.3.2 Koaxiale TEM-Messzelle mit gestoßenem Innenleiter
Zur Verbesserung der Kontaktierung wird bei der TEM-Messzelle mit ge-
stoßenem Innenleiter (engl.: Flanged Circular Coaxial Transmission-Line
Holder) die Materialprobe in Scheibenform zwischen die Stirnflächen zweier

stumpf aufeinander stoßenden Hälften einer aufgeweiteten Koaxialleitung
eingebracht, Bild 9.13.
Bild 9.13: Koaxiale TEM-Messzelle mit Stoßankopplung (NBS, [9.24, 9.25]).
Die Stoßstelle zwischen den Innen- und Außenleiterhälften wird kapazitiv

überbrückt. Dies führt zu einer von der Probendicke abhängigen unteren
Grenzfrequenz (ca. 1!100 MHz ). Zur Aufrechterhaltung der kapazitiven
Kopplung werden bei der Leermessung ein Kreisring mit den Abmessungen
des Außenflansches und eine Kreisscheibe vom Durchmesser des Innenlei-
ters aus Schirmmaterial eingelegt.
Im Vergleich zur Messzelle mit durchgehendem Innenleiter liefert die An-

ordnung mit gestoßenem Innenleiter besser mit der Theorie übereinstim-
mende und besser reproduzierbare Messergebnisse. Die obere Grenzfre-
quenz beider Zellen wird durch die Ausbildung höherer Moden bestimmt
und liegt bei ca. 1,6 GHz.
Zur Ermittlung der Schirmdämpfung für quasistatische elektrische und ma-

gnetische Felder eignen sich die beiden nachstehend beschriebenen Anord-
nungen.
9.3.3 Doppel TEM-Messzelle
Die Doppel TEM-Zelle besteht aus zwei gewöhnlichen TEM-Zellen mit

rechteckförmigem Querschnitt, die, ähnlich einem Richtkoppler, über eine
Apertur miteinander elektromagnetisch gekoppelt sind, Bild 9.14. Das zu
prüfende Material wird über die Apertur gespannt, wobei die Kontaktierung
wieder eine wesentliche Rolle spielt. Im Gegensatz zu den beiden oben
beschriebenen TEM-Zellen greift hier die elektrische Feldstärke normal, die

magnetische Feldstärke tangential an.
Z0
M M
a1 , a1 a2 , a2
0 m 0 m
Bild 9.14: Doppel TEM-Messzelle mit Aperturkopplung (NBS [9.26, 9.28, 9.29]).
Dank der beiden Ausgänge der unteren Zelle lassen sich die quasistatische
magnetische und die quasistatische elektrische Schirmdämpfung getrennt
bestimmen [9.27, 9.29, 9.42]. So ergibt die Addition beider Ausgangssignale
a1 und a 2 jeweils einer Leer- und einer Materialmessung die Einfügungs-
dämpfung für das elektrische Feld
a e = 20 lg
¦a 0
¦a m , (9-9)
ihre Differenzen die Einfügungsdämpfung für das magnetische Feld,
Δa 0
a m = 20 lg
Δa m
. (9-10)
Schließlich sei die „Dual-Chamber“-Messzelle nach ASTM [9.22] erwähnt,

bei der die Materialprobe unmittelbar zwischen wahlweise zwei elektrische
oder magnetische Dipole gelegt werden kann, die von einem aufklappbaren,
gemeinsamen Schirmgehäuse umgeben sind, Bild 9.15.
a) b)
Bild 9.15: Dual-Chamber-Messzelle nach ASTM [9.22], a) elektrische Schirmdämp-

fung, b) magnetische Schirmdämpfung.
Elektrische und magnetische Feldstärke sind in dieser Anordnung normal

zur Probe orientiert (Nahfeldsimulation).
Aufgrund der Eigenresonanzen und der stark inhomogenen Feldverteilung

lassen sich die Ergebnisse nur schlecht mit anderen messtechnisch oder
rechnerisch erhaltenen Ergebnissen vergleichen.
Der Vollständigkeit halber sei auf die Ermittlung der Schirmdämpfung über
Kopplungsimpedanzmessungen (s. Abschn. 9.1.1 und [9.30, 9.32]) sowie auf
Zeitbereichsverfahren hingewiesen [9.31].
9.4 Schirmdämpfung von Dichtungen
Wie in Kap. 5 ausführlich dargelegt wurde, beruht die Wirkung elektro-

magnetischer Schirme im Wesentlichen auf der ungehinderten Ausbildung
von Schirmströmen. Gehäusefugen und Türspalte behindern die Stromaus-
breitung exzessiv und müssen daher durch leitfähige Dichtungen nieder-
ohmig überbrückt werden. Diese Aufgabe einer Schirmdichtung legt auch
gleich die Messanordnung nahe, Bild 9.16.
9.4 Schirmdämpfung von Dichtungen 379
ISt(w)
Dichtung
D
USt(w) Bild 9.16: Messzelle für
Schirmdichtungen.
Die Anordnung entspricht praktisch einer Kopplungsimpedanzmesseinrich-

tung (vgl. (9-1)),
USt (ω)πD
ZD (ω) =
I St (ω)
. (9-11)
Je niedriger der Spannungsabfall (bei eingeprägtem Strom), desto besser die

Schirmwirkung. Um das Messergebnis von der Länge der Dichtung (Umfang
πD ) unabhängig zu machen, gibt man die Kopplungsimpedanz als bezogene
Größe an. Die Kompression der Dichtung ist nach den empfohlenen Her-
stellerangaben zu wählen. Dichtkonstruktionen mit Dichtrillen müssen ge-
gebenenfalls in der Grundplatte geeignet nachgebildet werden.
Zur Vermeidung einer kapazitiven Überkopplung bei hohen Frequenzen

wird die untere Scheibe des Spannungsabgriffs mit hohem Lochanteil verse-
hen. Da die Schirmwirkung im Wesentlichen von der spezifischen Leitfähig-
keit der komprimierten Dichtung abhängt, lassen sich überschlägige Messun-
gen auch mit einer Gleichstromquelle (Starterbatterie) und einem Ohmmeter
vornehmen.
9.5 Reflexionsdämpfung von Absorberwänden
Von einer Sendeantenne ausgestrahlte elektromagnetische Wellen erfahren

an Hindernissen eine teilweise oder gar vollständige Reflexion. Bei mono-
chromatischen Wellen führt die Überlagerung der hin- und rücklaufenden
Wellen durch konstruktive und destruktive Interferenz zu einer stehenden
Welle mit räumlich festen Knoten und Bäuchen. Beispielsweise zeigt Bild
9.17 das Stehwellenmuster vor einer leitenden Wand (z. B. Schirmwand).
EE + ER
EE
EE(t)
ER - EE(t)
Bild 9.17: Stehwellenmuster

vor einer leitenden Wand. Einhüllende
Die Randbedingung E=0 in Leitern bewirkt, dass der Momentanwert der

einfallenden Welle EE an der Leiteroberfläche in jedem Augenblick durch
einen gleich großen Momentanwert entgegengesetzter Polarität kompensiert
wird (reflektierte Welle). Die Überlagerung erzwingt also an der leitenden
Wand stets einen Knoten und weitere Knoten jeweils in Abständen λ / 2 vor
der Wand. Die von Null verschiedenen Momentanwerte der stehenden Wel-
le liegen innerhalb des schattierten Bereichs. Der Maximalwert der Einhül-
lenden entspricht dem doppelten Scheitelwert der einfallenden Welle.
Besteht die Wand aus schlecht leitendem Material, muss E in der Wand
nicht mehr exakt Null sein, es wird dann nur noch ein Teil der Welle re-
flektiert. Die Überlagerung der einfallenden Welle und der mit kleinerem
Scheitelwert reflektierten Welle führt zu der im Bild 9.18 gezeigten Einhüll-
enden.
Emax
Emin
Bild 9.18: Stehwellenmuster
vor einer schlecht leitenden
Wand, z. B. Absorberwand
(schematisch).
9.5 Reflexionsdämpfung von Absorberwänden 381
Da die hin- und zurücklaufenden Wellen nicht die gleichen Amplituden

haben, ergibt ihre Überlagerung eine fortlaufende Welle, deren veränderliche
Amplituden innerhalb des schraffierten Bereichs liegen. Man beachte, dass
die Einhüllende keine Sinusfunktion ist, die Minima sind schärfer als die
Maxima. Das Verhältnis des Maximal- und Minimalwerts der Einhüllenden
nennt man Stehwellenverhältnis (engl.: SWR, Standing Wave Ratio),
E max EE + ER
S= =
E min EE − ER
. (9-12)
Das Stehwellenverhältnis nimmt den Wert 1 an, wenn kein Hindernis exis-
tiert, das heißt keine reflektierte Welle auftritt; es wird unendlich groß bei
vollständiger Reflexion an einer ideal leitenden Wand ( Emin = 0 ).
Bei bekanntem Stehwellenverhältnis lässt sich leicht der Reflexionsfaktor be-

rechnen,
ER S − 1 E max − E min
r= = =
EE S + 2 E max + E min
. (9-13)
Der Wert des Reflexionsfaktors schwankt zwischen 0 und 1 und kann

sowohl positiv als auch negativ sein. Bei bekanntem Reflexionsfaktor erhält
man für das Stehwellenverhältnis,
1+ r
S=
1− r
. (9-14)
Schließlich ist zu erwähnen, dass bei einer Wand mit reaktiven Komponen-
ten ( μ r ≠ 0; ε r ≠ 0 ) der Reflexionsfaktor komplex wird,
ER
r=
EE
. (9-15)
In Gleichung (9-14) ist dann mit dem Betrag des komplexen Reflexions-
faktors zu rechnen,
1+ r
S=
1− r
. (9-16)
Das Messprinzip geht aus Bild 9.19 hervor.
Messempfänger
Bild 9.19: Messaufbau zur Ermittlung des Stehwellenverhältnisses und der Reflexi-
onsdämpfung von Absorberwänden (Prinzip).
Sämtliche Komponenten sind auf einem dielektrischen Wagen (Kunststoff,

trockenes Holz) mechanisch fixiert. Durch horizontales Verfahren um Wege,
die klein sind gegen den Abstand zwischen Antenne und Absorberwand,
können mittels eines Richtkopplers und eines Messempfängers die in Ab-
ständen von λ / 2 auftretenden Maxima und Minima ausgemessen werden.
Mit den Maximal- und Minimalwerten ergibt sich dann der Reflexionsfaktor
aus Gl. (9-13) und die Reflexionsdämpfung aus dem 20-fachen Logarithmus,
E max − Emin
a dB = 20 lg
E max + E min
. (9-17)
Das Stehwellenverhältnis berechnet sich wieder zu
E max EE + ER
S= = (9-18).
E min EE − ER
Die Messergebnisse hängen nicht allein von der Geometrie und der
Intrinsicdämpfung des Absorbermaterials ab, sondern auch vom Antennen-
strahlungsdiagramm der verwendeten Antenne und dem Einfallswinkel [9.33
–9.35]. So erfahren die von einer Sendeantenne abgestrahlten elektro-
magnetischen Wellen an Wänden, Decke und Boden einer Absorberhalle
9.5 Reflexionsdämpfung von Absorberwänden 383
multiple Reflexionen, deren Komplexität weit über die schematischen Dar-

stellungen in Bild 9.17 und 9.18 hinausgeht, Bild 9.20.
Bild 9.20: Äquifeldstärkeflächen des elektrischen Feldes bei 50 MHz.
Beispielsweise zeigt Bild 9.20 die Äquifeldstärkeflächen des elektrischen Fel-

des der in Bild 5.15 wiedergegebenen Absorberhalle bei 50 MHz. Dies macht
offensichtlich, dass eine reale Absorberkammer per se keine ideale Mess-
umgebung darstellt und hinsichtlich ihrer Eignung für EMV-Messungen
speziell untersucht werden muss. Diese Eignungsmessung im Sinne einer
Messgeländedämpfung und Feldhomogenität ist in den einschlägigen
Normen genauestens beschrieben [s. bspw. 7.28, 7.29, 8.37]. Erst die Frei-
gabe durch den erfolgreichen Eignungsnachweis erlaubt eine normkonforme
und damit relativ reproduzierbare EMV-Messung.
9.6 Filterdämpfung
Filterdämpfungen werden gewöhnlich als Einfügungsdämpfung in eingangs-

und ausgangsseitig angepassten Systemen gemessen (s. Abschn. 4.1.1), wobei
man zwischen der Filterdämpfung für symmetrische, asymmetrische und
unsymmetrische Störspannungen unterscheidet, Bild 9.21.
1:1 1:1
a) Filter
50Ω 50Ω
Filter
b)
50Ω 50Ω
Filter
c)
50Ω 50Ω 50Ω 50Ω
Bild 9.21: Messung der Einfügungsdämpfung von Filtern in einem angepassten

System (hier 50 Ω ), a) Filterdämpfung für symmetrische Störungen, b) Filter-
dämpfung für asymmetrische Störungen, c) Filterdämpfung für unsymmetrische
Störungen.
Die so erhaltene Filterdämpfung ist in ihrer Aussagekraft beschränkt auf
– angepasste Systeme mit definierter Systemimpedanz (z. B. 50 Ω , 600 Ω

etc.) und
– Kleinsignalaussteuerung,
das heißt auf Filterströme, für die ferromagnetisch beschwerte Drosseln sich
linear verhalten.
Beide Kriterien sind in der Regel bei Filtern in Hochfrequenzschaltungen

oder Fernmeldesystemen etc. erfüllt. Bei anderen Quell- und Lastwiderstän-
den ergeben sich völlig andere Dämpfungsverläufe. Weichen insbesondere
die Quellen- und die Lastimpedanz wesentlich von 50 Ω nach kleineren
Werten hin ab (z. B. bei Netzfiltern), so fließt durch die Längsdrosseln des
Filters auch wesentlich mehr Strom, der etwa vorhandene Eisenkerne je
nach Auslegung unterschiedlich stark in die Sättigung treiben kann. Filter
gleicher Einfügungsdämpfung können dann extrem unterschiedliche Großsi-
9.6 Filterdämpfung 385
gnaldämpfungen aufweisen. Weitere Überraschungen ergeben sich bei Quell-

und Lastimpedanzen mit stark reaktiver Komponente (Resonanzerscheinun-
gen). Mit anderen Worten, praxisnahe Ergebnisse lassen sich nur unter re-
alistischen Einbau- bzw. Betriebsverhältnissen erhalten, die nicht nur die
linearen Hochfrequenzeigenschaften, sondern auch das Großsignalverhalten
bei Beschaltung mit Betriebsimpedanzen aufzeigen. Aussagen in dieser Rich-
tung liefern Messungen mit Gleich- oder Wechselstromvormagnetisierung,
gegebenenfalls auch Messungen mit Leistungsverstärkern [9.17–9.20 und
9.36–9.38].
Zur Prüfung der Spannungslinearität bei Überspannungsimpulsen (Span-

nungsfestigkeit) sind Stoßspannungsgeneratoren ausreichend kleinen Innen-
widerstands, das heißt klassische Stoßspannungsgeneratoren großer interner
Belastungskapazität, oder Hybridgeneratoren zu verwenden (s. Abschn.
8.1.3).
10 Repräsentative EMV-Probleme
Dem einführenden Charakter dieses Buches Rechnung tragend, werden

nachstehend noch einige EMV-Probleme von allgemeinerem Interesse näher
betrachtet. Leser, die ihr aktuelles Problem in dieser Auswahl vermissen,
werden auf die grundsätzlichen Betrachtungen in den vorstehenden Kapiteln
und das zugehörige umfangreiche Literaturverzeichnis im Anhang verwiesen.
10.1 Entstörung von Magnetspulen
Beim Öffnen induktiver Stromkreise, z. B. Abschalten von Relais- und

Schützspulen, Magnetventilen, Hubmagneten etc. entsteht zwischen den
Schaltkontakten ein Lichtbogen, der mit zunehmendem Kontaktabstand
plötzlich abreißt und dem Stromkreis eine rasche Stromänderung di/dt ein-
prägt. Die mit dieser Stromänderung verknüpfte Änderung des magnetischen
Flusses dφ / dt induziert in der jeweiligen Arbeitsspule eine transiente Selbst-
induktionsspannung, die in einem Ersatzschaltbild als von der Lichtbogen-
charakteristik gesteuerte Quellenspannung in Reihe mit der Spule modelliert
werden kann, Bild 10.1 (s. a. Abschn. 2.4.2).
i(t)
di(t)
uL(t) = - L dt
u
L
Bild 10.1: Entstehung von Abschaltüberspannungen beim Öffnen induktiver Strom-

kreise.

388 10 Repräsentative EMV-Probleme
Die induzierte Spannung tritt als Umlaufspannung [B18] über die Impedan-
zen des Stromkreises verteilt auf. Bei gelöschtem Lichtbogen liegt sie voll
über der Kontaktstrecke und bewirkt dort gegebenenfalls eine oder multiple
Wiederzündungen. Sowohl die hohe Stromänderungsgeschwindigkeit als
auch die hohe Selbstinduktionsspannung führen durch induktive und kapa-
zitive Kopplung des gesamten Stromkreises zu elektromagnetischer Beein-
flussung benachbarter Stromkreise. Der Lichtbogen selbst ist wegen seiner
kleinen räumlichen Ausdehnung als Störstrahlungsquelle von untergeordne-
ter Bedeutung.
In Wechselstromkreisen löscht der Lichtbogen kurz vor bzw. in einem Null-

durchgang, in Gleichstromkreisen mangels natürlicher Stromnulldurchgänge
erst dann, wenn die Kontakte sich so weit von einander entfernt haben, dass
die zur Aufrechterhaltung des Lichtbogens erforderliche Brennspannung die
Betriebsspannung überschreitet.
In letzterem Fall gesellt sich daher zur Störaussendung noch das Phänomen
eines exzessiven Kontaktabbrands. Beide Probleme lassen sich mit den im
Folgenden erläuterten Beschaltungsmaßnahmen zufriedenstellend lösen.
10.1.1 Beschaltung gleichstrombetriebener Magnetspulen
Gleichstrombetriebene Magnetspulen werden wahlweise mit Dioden, Vari-

storen oder RC-Gliedern beschaltet, Bild 10.2.
Bild 10.2: Beschaltung von Gleichstromspulen, Erläterung siehe Text.
Im Fall a) wird parallel zur Spule eine in Sperrrichtung gepolte Diode

geschaltet ( IF ≥ 1, 5 ⋅ ISpule und UR ≥ 1, 5 ⋅ USpule ). Für die selbstinduzierte
Spannung liegt die Diode in Durchlassrichtung, stellt also einen nahezu per-
10.1 Entstörung von Magnetspulen 389
fekten Kurzschluss dar. Der bislang über den Schalter geflossene Spulen-
strom wird in den Kurzschluss kommutiert und klingt in diesem Kreis mit
der Zeitkonstanten L / R F ab. Aufgrund des niedrigen Durchlasswiderstands
R F der Diode nimmt die Zeitkonstante beträchtliche Werte an und führt
beispielsweise bei Relais zu nicht tolerierbaren, extrem langen Abfallzeiten.
Abhilfe schafft gegebenenfalls ein Widerstand in Reihe mit der Diode, Bild
10.2 b).
Bei gleichzeitiger Forderung nach minimaler Überspannung und kurzer Ab-

schaltzeit kommen Varistoren und RC-Glieder (sog. Funkenlöschglieder) zum
Einsatz, Bild 10.2 c). Die Dimensionierung ersterer erfolgt in Anlehnung an
Abschn. 4.2.1, die RC-Kombination wird so gewählt, dass der auf Betriebs-
spannung aufgeladene Löschkondensator C beim Abschalten durch die in
der Spule gespeicherte Energie nahezu aperiodisch gedämpft entladen wird,
das heißt,
L
(R + R S ) ≈ 2
C
, (10-1)
( R S : Spulenwiderstand).
Um ein Verschweißen der Kontakte beim Einschalten zu verhindern, gilt für

R die Nebenbedingung R ≥ U / IEmax .
Sofern es nur um die Eliminierung der Abschaltüberspannung geht, hat man

die Wahl, das RC-Glied sowohl über die Spule als auch über die Kontakte zu
legen, Bild 10.2 d),e). In letzterem Fall wird der Spulenstrom beim Öffnen
der Schalter in den parallel liegenden RC-Zweig kommutiert und zur Aufla-
dung der Kapazität C verwendet. Dient die RC-Beschaltung ausschließlich
der Funkenlöschung, beispielsweise in Gleichstromkreisen mit ohmscher
Last, so muss die RC-Beschaltung über die Kontakte gelegt werden.
10.1.2 Beschaltung wechselstrombetriebener Magnetspulen
Wegen der wechselnden Polarität der Betriebsspannung kommt hier die Be-
schaltung mit einer Diode nicht in Frage. Üblicherweise werden Varistoren
und RC-Glieder eingesetzt, Bild 10.3.
R R
~ ~ ~
C C
a) b) c)
Bild 10.3: Beschaltung von Wechselstromspulen.
Die Dimensionierung von Varistoren gemäß Bild 10.3 a) erfolgt in Anlehn-

ung an Abschn. 4.2.1, die des RC-Glieds gemäß Bild 10.3 b) wieder in Hin-
blick auf den aperiodischen Grenzfall. Zur Vermeidung eines Dauerwechsel-
stroms durch das RC-Glied kann ein Gleichrichter zwischengeschaltet
werden, Bild 10.3 c. Bei drehstrombetriebenen Magneten werden die obigen
Beschaltungen jeweils als Stern- oder Dreieckschaltungen realisiert.
Die in den Bildern 10.2 und 10.3 gezeigten Schaltungen stellen lediglich die
am häufigsten ausgewählten Beschaltungen dar. In Spezialfällen kommen
auch Zenerdioden (s. Abschn. 4.2.2) sowie Kombinationen mehrerer Bau-
elemente in Frage, beispielsweise Z-Dioden-gesteuerte Thyristoren. Die ge-
wählte Methode richtet sich vorrangig nach der Aufgabenstellung – Schutz
der Spulenisolation, Schutz der Kontakte, Entstörung etc. Sie wird, insbe-
sondere bei Massenartikeln, wesentlich durch wirtschaftliche Gesichtspunkte
mitbestimmt. Weitere Hinweise finden sich im umfangreichen Literaturver-
zeichnis [10.32, 10.33].
10.2 Funkentstörung von Universalmotoren
Kollektormotoren in Küchenmaschinen, Staubsaugern, Elektrowerkzeugen

etc. sind notorische, weit verbreitete Verursacher von Gleich- und Gegen-
taktstörungen (s. a. Abschn. 1.4 und 2.3.4). Die durch den Kommutierungs-
vorgang am Kollektor erzwungenen Stromänderungen bzw. deren Fluss-
änderungen induzieren in den Feldwicklungen Selbstinduktionsspannungen
e(t) = −dφ / dt bzw. E(ω) = − jωφ , die sich in einem Ersatzschaltbild als
Quellenspannungen modellieren lassen, Bild 10.4.
10.2 Funkentstörung von Universalmotoren 391
E
L1
CStr I Gg
M U sym CL
I Gg
N
CStr
E
CL U unsym U unsym
I Gl
PE
Bild 10.4: Entstehung von Funkstörungen an Kollektormotoren.
Die Reihenschaltung beider Quellen in Bild 10.4 ergibt zunächst eine

symmetrische Gegentaktstörung Usym (ω) . Darüber hinaus treiben die
Quellen über die Streukapazitäten der Wicklungen unsymmetrische Ströme,
die sich über die Leitungskapazitäten CL schließen. Die Höhe der un-
symmetrischen Spannungen berechnet sich jeweils aus der Gleichung für das
Übersetzungsverhältnis kapazitiver Spannungsteiler [B19] zu
Uunsym (ω) CStr

=
E(ω) CL + CStr
. (10-2)
Für CStr CL erhält man vergleichsweise kleine unsymmetrische Störspan-

nungen, für CStr CL (Blechpaket und andere Masseteile geerdet) sehr
große unsymmetrische Störspannungen.
Am Rande sei vermerkt, dass die Streukapazitäten nicht zwingend an den in

Bild 10.4 eingezeichneten Wicklungsenden angreifen. In einem aufwendigen
Modell werden zweckmäßig an beiden Wicklungsenden Streukapazitäten
vorgesehen.
Aus dem Ersatzschaltbild nach 10.4 lässt sich durch Quellenumwandlung ein
kanonisches Ersatzschaltbild herleiten, in dem allen drei Störspannungen
eine eigene Spannungsquelle zugeordnet ist, Bild 10.5.
(2) (2)
U 0 unsym U 0 unsym L
L1
(2)
U sym U unsym U0
U0 L CX CY
sym sym
+ N
(1) (1)
U 0 unsym (1) U0
U unsym unsym CY
PE
a) b)
Bild 10.5: Ersatzschaltbild eines Kollektormotors, a) mit Quellenspannungen für die

symmetrische und die beiden unsymmetrischen Störspannungen, b) mit Quel-
lenspannungen, Entstörkondensatoren und Längsdrosseln.
Die Anwendung der Maschenregel auf die im Ersatzschaltbild Bild 10.5 a

eingezeichnete Schleife liefert
U(1) (2)
unsym − Uunsym + Usym = 0 , (10-3)
bzw. Usym = U(2) (1)

unsym − Uunsym
. (10-4)
Die Gegentaktstörung ergibt sich somit als Differenz der unsymmetrischen

Spannungen (s. a. Abschn. 1.4).
Bild 10.5 a lässt auf Anhieb erkennen, wie die drei Störspannungsquellen
durch Entstörkondensatoren zwischen den Leitern L1 , N und PE hochfre-
quenzmäßig kurzgeschlossen werden können und wie die Wirkung der
Kondensatoren durch zusätzliche Längsdrosseln verstärkt werden kann, Bild
10.5 b.
Im Gegensatz zu Bild 10.4 macht Bild 10.5 deutlich, dass eine rein symme-
trische Beschaltung mit nur einem X-Kondensator (s. Abschn. 4.1.2)
zwischen den beiden Anschlussleitungen keine Vollentstörung ermöglicht.
Zunächst wird man daher zwei zusätzliche Y-Kondensatoren vorsehen.
Diese Kondensatoren liegen zwischen den Anschlussleitungen und dem
Schutzleiter und überbrücken somit die Isolation. Sie müssen daher als
Berührungsschutzkondensatoren ausgebildet sein (s. Abschn. 4.1.2).
10.2 Funkentstörung von Universalmotoren 393
Im Fall CX > 10 C Y lässt sich meist ein Y-Kondensator einsparen, Bild 10.6.
Bild 10.6: Vollentstörung eines

Kollektormotors mit je einem
X- und Y-Kondensator.
Der X-Kondensator schließt beide Anschlussleitungen hochfrequenzmäßig

kurz, so dass unerheblich ist, welche Anschlussleitung über C Y mit dem
Schutzleiter verbunden wird. In einer wirtschaftlichen Lösung lassen sich
beide Kondensatoren in einem Bauelement unterbringen (s. Abschn. 4.1.5.1).
Leider entzieht sich die Bemessung der Kapazitätswerte für C X und C Y

wegen der unbekannten Streukapazitäten und dem unbekannten Innenwi-
derstand der Gegentaktspannungsquelle einer einfachen rechnerischen Er-
mittlung. Eine Vorstellung von der Größenordnung liefern die Anhaltswerte
C Y = 2500 pF , C X = 0,022 μF . Gewöhnlich werden die erforderlichen Min-
destwerte experimentell ermittelt, was wegen des großen messtechnischen
Aufwands zweckmäßig in Kooperation mit einem EMV-Haus oder einem
Entstörmittelhersteller geschieht.
10.3 Elektrostatische Entladungen
Elektrostatische Entladungen (engl.: ESD, Electrostatic Discharge) entstehen

in der Regel beim Potentialausgleich durch Reibungselektrizität aufgeladener
Personen, Gegenstände und Komponenten mit der geerdeten Umgebung über
einen Luftfunken (s. a. 2.4.1).
Man unterscheidet
– direkte Entladungen, beispielsweise Entladung einer aufgeladenen Person

beim Berühren einer Rechnertastatur, eines Telefons mit Nummern-
speicher, eines Codekartenlesers, oder beim Herausziehen einer elektro-
nischen Baugruppe aus einer Kunststoffverpackung sowie
– indirekte Entladungen, beispielsweise Entladung einer aufgeladenen

Person über einen Messgerätewagen, eine leitende Tischplatte, ein Be-
dienfelds eines Aufzugs, eine Stehlampe [10.34], beim Aussteigen aus
einem Kraftfahrzeug.
Während in ersterem Fall nichtgeerdete Teile (z. B. Halbleitereingänge)

durch galvanische Kopplung Spannungen bis zu mehreren kV gegen Erde
annehmen und dielektrisch zerstört werden können, induzieren und
influenzieren in letzterem Fall die mit einer indirekten Entladung ver-
knüpften magnetischen und elektrischen Felder in benachbarten, nicht
geschirmten Geräten Störspannungen und -ströme, die ebenfalls zu
irreversiblen Störungen führen können.
Abhilfemaßnahmen beim Auftreten von ESD-Problemen sind die
– Vermeidung elektrostatischer Aufladungen durch antistatische Fußböden,

antistatische Kleidung (Baumwolle statt Kunstfaser und Tierhaar),
Kontrolle der Luftfeuchte auf >50%,
– Härtung gefährdeter Geräte durch metallische Schirmgehäuse, metallisch
leitfähige oder leitfähig beschichtete Kunststoffgehäuse, gehärtete Kompo-
nenten mit integrierten Schutzdioden,
– Gefahrlose Ableitung elektrostatischer Aufladungen (z. B. beim unver-
meidlichen Umgang mit elektrostatisch gefährdeten Bauelementen (EGB)
in der Fertigung) durch leitfähige Verpackungen und Behälter [10.28,
10.29], leitfähige Arbeitsplatten (hochohmig geerdet!), hochohmige
Potentialausgleichsleitungen zwischen Körperteilen und Arbeitsplatte,
schwach leitende Fußböden und schwach leitendes Schuhwerk [10.27],
bewußtes Berühren geerdeter Teile vor dem Anfassen elektrostatisch ge-
fährdeter Komponenten und Flachbaugruppen.
Da ein Gerätehersteller kaum darauf Einfluss hat, in welcher Umgebung

seine Erzeugnisse später betrieben werden, empfiehlt sich eine fabrikseitige
weitgehende Härtung gegenüber üblicherweise auftretender ESD-Beanspru-
chungen (s. Prüfschärfen im Abschn. 8.1.4). Die Härtung gegen ESD-Phäno-
mene ist ein weites Gebiet. Wegen weiterer Einzelheiten wird auf die
Abschn. 2.4.1 und 8.1.4 sowie auf das Literaturverzeichnis [B17, B19, 2.91–
2.93] und die zahlreichen handelsüblichen Anti-ESD-Hilfen (leitfähiges Ver-
packungsmaterial, ESD-geschützte Arbeitsplätze etc.) verwiesen.
10.4 Netzrückwirkungen 395
10.4 Netzrückwirkungen
Netzrückwirkungen durch Schaltnetzteile, Vorschaltgeräte, Stromrichter der

Leistungselektronik etc. sind ein Paradebeispiel für die leitungsgebundene
Ausbreitung und Einkopplung elektromagnetischer Beeinflussungen. Ein von
einem einzigen leistungsstarken Verbraucher aufgenommener nichtsinus-
förmiger Strom kann das Spannungsprofil im gesamten ihn umgebenden
Netz verzerren und dadurch zahllose mittlere und kleine Verbraucher
beeinträchtigen (s. a. Abschn. 2.2.4). Auch eine Vielzahl leistungsschwacher
Verbraucher kann, wenn ihre Aktion synchronisiert erfolgt (Fernseh-
empfänger), merkliche Rückwirkungen verursachen [2.56]. Der Rückwirk-
ungseffekt tritt deswegen so stark in Erscheinung, weil die in den nicht-
sinusförmigen Strömen enthaltenen Stromoberschwingungen I V jeweils eine
frequenzproportionale Reaktanz ωV L = νω1L vorfinden und daher auch eine
kleine Stromoberschwingung hoher Frequenz noch eine merkliche
Spannungsoberschwingung U V verursachen kann.
Eine weitere Verstärkung des Rückwirkungseffekts tritt ein, wenn dem stö-
renden Verbraucher Kapazitäten CB zur Blindleistungskompensation paral-
lel geschaltet sind. Diese bilden zusammen mit der Netzreaktanz einen
Sperrkreis, in dem im Resonanzfall nicht nur sehr starke Spannungsüber-
höhungen auftreten, sondern auch sehr große Schwingkreisströme durch die
Kapazität in das Netz fließen können, Bild 10.7.
Bild 10.7: Erhöhte Netz-

rückwirkung bei kompen-
sierten nichtlinearen Ver-
brauchern.
Gemäß gesetzlicher Verordnung („Allgemeine Bedingungen für die Elektri-

zitätsversorgung von Tarifkunden“, Bundesministerium für Wirtschaft [10.6])
sind einerseits Elektrizitätsversorgungsunternehmen verpflichtet, Spannung
und Frequenz möglichst gleich bleibend zu halten, so dass allgemeine Ver-
brauchsgeräte einwandfrei betrieben werden können, andererseits verlangt
die gleiche gesetzliche Verordnung, dass Anlagen und Verbrauchsgeräte so
zu betreiben sind, dass Störungen weiterer Abnehmer und störende Rückwir-
kungen auf Einrichtungen des Elektrizitätsversorgungsunternehmens oder

Dritte ausgeschlossen sind.
Vorrangig obliegt die Bereitstellung und Überwachung einer bestimmten

Spannungsqualität den Betreibern von Netzen, die zumindest die Ober-
schwingungseinspeisungen ihrer zahllosen anonymen Kleinverbraucher be-
herrschen müssen. Bei notorischen leistungsstarken Oberschwingungserzeu-
gern muss die Verträglichkeit unter Berücksichtigung der wirtschaftlichen
und technischen Interessen aller Beteiligten angestrebt werden. Es bieten
sich folgende technische Maßnahmen an [10.1–10.3, 2.18].
Im Netz:
- geringer Innenwiderstand des Netzes (begrenzt durch Kurzschluss-

leistung),
- von der Last gesteuerte Blindleistungskompensation (über Thyristorstel-
ler),
- passive und aktive Saugkreise.
Beim Verbraucher:
- hohe Pulszahl bei Stromrichtern,

- Anlaufstrombegrenzungen,
- Fahrprogramme bzw. Verriegelungen bei mehreren Oberschwingungser-
zeugern,
- passive und aktive Saugkreise.
Alle Maßnahmen laufen im Wesentlichen darauf hinaus, das Verhältnis

Netzinnenwiderstand Zi zu Verbraucherimpedanz ZV möglichst klein, bzw.
das Verhältnis Netzkurzschlussleistung SK zu Gerätehöchstleistung SA max
möglichst groß zu machen. Im Hinblick auf eine worst-case Betrachtung ist
für SK der kleinste, für SA max der größte denkbare Wert zu nehmen. Folgen-
de Verhältnisse gelten beim Anschluss neuer Verbraucher als unbedenklich
[10.5]:
Spannungsschwankungen, ½
°
Oberschwingungungen und ¾ SK /SAmax >1000,
Zwischenharmonische °
¿
Spannungsunsymmetrien SK /SAmax >150.
10.4 Netzrückwirkungen 397
Diese Zahlen sind nur grobe Richtwerte und können abhängig von den tat-
sächlichen Gegebenheiten auch günstiger ausfallen.
Netzrückwirkungen stellen in ihrer Vielfalt eine sehr komplexe Materie dar,

deren erschöpfende Behandlung weit über den Rahmen dieses Buches hin-
ausgeht. Detaillierte Informationen können der fachspezifischen Literatur
entnommen werden [10.4, 10.5].
10.5 Blitzschutz – Blitzschutzzonen-Konzept
Man unterscheidet zwischen äußerem und innerem Blitzschutz. Ersterer

dient dem Personen- und Gebäudeschutz und stellt bei direkten Blitzein-
schlägen außerhalb des Gebäudes einen oder mehrere möglichst nieder-
ohmige und niederinduktive Strompfade nach Erde bereit (Blitzschutzanlage
bestehend aus Fangeinrichtungen, Ableitungen und Erdungssystem). Er ist
eine Grundvoraussetzung für den inneren Blitzschutz und schützt elektrische
Anlagen und elektronische Geräte im Innern von Gebäuden gegen Blitz-
teilströme und Potentialanhebungen im Erdungssystem sowie gegen die mit
Blitzeinschlägen verknüpften elektromagnetischen Felder (LEMP, engl.:
Lightning Electromagnetic Pulse). Eine ähnliche Unterscheidung findet man
beispielsweise im Flugzeugbau bei den direkten und indirekten Effekten
(LDE, engl.: Lightning Direct Effects; LIE, engl.: Lightning Indirect Effects)
[10.67].
Der äußere Blitzschutz von Gebäuden ist klassisch und wird in Einklang mit
VDE 0185 [10.30, 10.31] erstellt; auf ihn soll hier nicht weiter eingegangen
werden, da ihm bereits zahlreiche eigene Monographien gewidmet sind
[10.67-10.73].
Der innere Blitzschutz hat mit der weiten Verbreitung der Mikroelektronik
sprunghaft an Bedeutung gewonnen. Unter innerem Blitzschutz versteht man
eine Reihe von Maßnahmen, die einen Schutz gegen Überspannungen
sowohl aus dem Energienetz (Schaltüberspannungen, Blitzüberspannungen)
als auch durch direkten und indirekten Blitzeinschlag bewirken.
In Fortführung des Grundgedankens der Unterteilung in äußeren und inne-

ren Blitzschutz kann man komplexe Anlagen und Gebäude mit zahlreichen
informationstechnischen Einrichtungen formal nach dem Ordnungsprinzip
des Blitzschutzzonen-Konzepts strukturieren, Bild 10.8. Die zu schützende
Anlage wird in mehrere, vorwiegend vernestete Blitzschutzzonen (LPZ,

engl.: Lightning Protection Zones) unterteilt.
Fangeinrichtung
LPZ 0A
LPZ 0B
LPZ 0A
LPZ 2
LPZ 3
LPZ 2 Außen-
LPZ 0B leuchte
Energietechnisches
Netz
Informations-
technisches LPZ 1
Fundamenterder
Netz
Bild 10.8: Blitzschutzzonenkonzept mit Blitzstrom-Ableiter oder Kombi-Ableiter

(SPD Typ 1), Überspannungs-Ableiter (SPD Typ 2 und 3), LPZ Blitzschutzzone.
Die einzelnen Schutzzonen werden durch die Blitzschutzanlage des äußeren

Blitzschutzes, Gebäudeschirme (Metallfassaden, Armierungen, Hochspan-
nungshallen etc.), innere Schirmräume, Messkabinen, Gerätegehäuse u.s.w.
gebildet. Sie unterscheiden sich durch das ihnen eigene Bedrohungspotential.
An den Grenzen der Schutzzonen ergeben sich eindeutige Schnittstellen, an
denen Blitzstrom- und Überspannungsschutzkomponenten einheitlich spezi-
fiziert werden können [10.62–10.65 und B31].
Die Geräte und Verkabelung innerhalb einer Schutzzone müssen bezüglich

ihrer Störfestigkeit gegenüber dem Bedrohungspotential gehärtet werden.
Nach diesem flexiblen Konzept lassen sich abhängig von Zahl, Art und
Empfindlichkeit der elektronischen Geräte/Systeme geeignete LPZ de-
finieren, von kleinen lokalen Zonen bis zu großen integralen Zonen, die das
gesamte Gebäudevolumen umfassen können. Abhängig von der Art der
Blitzbedrohung sind folgende Blitzschutzzonen definiert, vgl. Bild 10.8:
10.5 Blitzschutz - Blitzschutzzonenkonzept 399
– LPZ 0A: Direkte Blitzeinschläge und hohe elektromagnetische Felder.

Gefährdung durch direkte Blitzeinschläge, durch Impulsströme bis
zum vollen Blitzstrom und durch das volle elektromagnetische Feld
des Blitzes.
– LPZ 0B: Keine direkten Blitzeinschläge, jedoch hohe elektromag-
netische Felder. Geschützt gegen direkten Blitzeinschlag, gefährdet
durch das volle elektromagnetische Feld des Blitzes. Innere Systeme
können Blitzströmen (anteilig) ausgesetzt sein.
– LPZ 0C: Gefahr von Berührungs- und Schrittspannungen für Lebe-
wesen (3m Höhe / 3m Tiefe um das Gebäude)
– LPZ 1: Geschützte Elektroinstallation, abgeschwächtes elektromag-
netisches Feld (typisch 30 dB). Impulsströme begrenzt durch
Stromaufteilung und durch Überspannungsschutzgeräte (SPDs) an
den Zonengrenzen. Das elektromagnetische Feld des Blitzes kann
durch räumliche Schirmung gedämpft sein.
– LPZ 2: Zentral geschützte Endgeräte, stark geschwächtes elektromag-
netisches Feld. Impulsströme weiter begrenzt durch Stromaufteilung
und durch Überspannungsschutzgeräte (SPDs) an den Zonen-
grenzen. Das elektromagnetische Feld des Blitzes ist meistens durch
räumliche Schirmung gedämpft.
– LPZ 3: Geschützter Bereich innerhalb eines Endgerätes
Entsprechend müssen diese verschiedenen Zonen mit unterschiedlich

gearteten Schutzgeräten gesichert werden, Bild 10.8.
– LPZ-Übergang 0A auf 2: Kombi-Ableiter (z.B. DEHNventil®)

– LPZ-Übergang 0A auf 1: Blitzstrom-Ableiter (z.B. DEHNbloc®,
DEHNport®, Blitzductor® CT)
– LPZ-Übergang 0B auf 1 sowie 1 auf 2: Überspannungs-Ableiter (z.B.
DEHNguard®, Blitzductor® CT, MD, DPL 1F)
– LPZ-Übergang 1 auf 2 und höher: Überspannungs-Ableiter (z.B.
DEHNrail, DEHNflex, ISDN-Protector)
Die wichtigste Maßnahme bei einem Blitzschutzkonzept ist zunächst der

Potentialausgleich aller leitenden Teile (Heizungs-, Gas-, Wasserrohre etc.)
mit der Blitzschutzanlage, dem Fundamenterder und dem geerdeten Neutral-
leiter (PEN) des Energienetzes.
Der Potentialausgleich wird für alle neu errichteten elektrischen Anlagen

gefordert. Gemäß DIN VDE 0100 beseitigt er Potentialunterschiede, d. h.
verhindert gefährliche Berührungsspannungen z. B. zwischen dem Schutz-
leiter der Niederspannungs-Verbraucheranlage und metallenen Wasser-,
Gas- und Heizungsrohrleitungen, Bild 10.9.
Bild 10.9: Potentialausgleich und Staffelschutz gegen atmosphärisch bedingte Über-

spannungen.
Nach der DIN VDE 0100-410 besteht der Potentialausgleich aus dem
Hauptpotentialausgleich bzw. Schutzpotentialausgleich und dem zusätz-
lichen Potentialausgleich. Jedes Gebäude muss nach den oben genannten
Normen einen Hauptpotentialausgleich erhalten. Das Bezugspotential wird
durch den Erdungsfestpunkt gegeben, Bild 10.10. Er ist im Stahlbeton über
die Armierung mit dem Fundamenterder verbunden. Erdungsfestpunkte
dienen gleichzeitig auch als Messstelle für eine Durchgangs- bzw. Wider-
standsprüfung. Zur Herstellung eines geringen Erdungswiderstandes ist der
Fundamenterder (verzinkter Bandstahl bspw. 30 x 3,5 mm) mit einer
definierten Maschenweite in die sogenannte Sauberkeitsschicht des Unter-
bodens verlegt. Alle 3 m ist der Bandstahl mit der Bewehrung verklemmt.
Zur ausreichenden Erdung sind alle Kreuzungspunkte des Fundamenterders
grundsätzlich verschweißt (Schweißnaht > 10 cm).
Bild 10.10: Potentialausgleich: Erdungsfestpunkt (Quelle: Dehn).
Nahezu alle fremden leitfähigen Teile sind direkt in den Hauptpotential-

ausgleich einzubeziehen: Leiter für den Hauptpotentialausgleich nach DIN
VDE 0100-410 (Erdungsleiter), Fundamenterder bzw. Blitzschutzerder,
zentrale Heizungsanlage, metallische Wasserleitungen, leitende Teile der
Gebäudekonstruktion (z. B. Aufzugsschienen, Stahlskelett, Lüfter- oder
Klimakanäle), Gasleitungen, Erdungsleitung für Antennen (nach DIN VDE
0855), Erdungsleitung für Fernmeldeanlagen, Schutzleiter der Elektroanlage
nach DIN VDE 0100 (PEN-Leiter bei TN-System und PE-Leiter bei TT- bzw.
IT-Systemen), metallische Schirme von elektrischen und elektronischen
Leitungen, Metallmäntel von Starkstromkabeln bis 1000 V, Erdungsanlagen
von Starkstromanlagen über 1 kV nach DIN VDE 0101 (wenn keine unzu-
lässig hohe Erdungsspannung verschleppt werden kann).
Der Potentialausgleich für Niederspannungs-Verbraucheranlagen im Rahmen

des inneren Blitzschutzes stellt eine Erweiterung des Hauptpotentialaus-
gleichs nach DIN VDE 0100-410 dar. Zusätzlich zu allen leitfähigen Sys-
temen werden dabei auch die Zuleitungen der Niederspannungsverbraucher-
anlage in den Potentialausgleich einbezogen. Die Besonderheit dieses
Potentialausgleichs liegt darin, dass eine Anbindung an den Potentialaus-
gleich nur über entsprechende gestaffelte Überspannungsschutzgeräte er-
folgen kann, um Erdschlüsse zu vermeiden. Diese Ventilableiter werden
zwischen die aktiven Leiter L1 , L 2 , L 3 und der Potentialausgleichsschiene
eingebaut, Bild 10.9.
Die Ventilableiter sprechen sowohl bei Überspannungen aus dem Energie-

netz als auch bei Potentialanhebungen des Punktes A während eines direk-
ten Blitzeinschlags an. In letzterem Fall erfährt der Punkt A gegenüber der
fernen Erde, beispielsweise der Erde des versorgenden Verteiltransformators,
theoretisch eine Potentialanhebung im MV-Bereich. Die Spannung zwischen
der Potentialausgleichsschiene und den Phasenleitern der Elektroinstallation
wird jedoch nie größer als die Ansprechspannung der Ventilableiter. Mit
anderen Worten, die gesamte Elektroinstallation erfährt die gleiche Poten-
tialanhebung.
Unter der Annahme eines Impedanzverhältnisses von 1:10 (Erdimpedanz/

Energieversorgungsnetz) fließen etwa 10% des Gesamtblitzstroms über die
Energieversorgungsleitungen ab, wobei sich diese 10% nochmals auf die ein-
zelnen Leiter verteilen. Damit bleiben nach dem Zähler atmosphärisch be-
dingte Überspannungen sicher unter 6 kV. Neben klassischen Ventilableitern
kommen im inneren Blitzschutz spezielle Ventile mit einer Parallelschaltung
von Funkenstrecke und Varistor zum Einsatz. Der Varistor begrenzt die
relativ häufig auftretenden Überspannungen infolge ferner Blitzeinschläge,
die Funkenstrecke spricht bei direktem Blitzeinschlag an, wenn infolge hoher
Stromstärken am Varistor eine ausreichend hohe Restspannung verbleibt (s.
a. Abschn. 4.2.4). Bei Bedarf können verbleibende Überspannungen ≤ 6 kV
durch nachgeschaltete, über Leitungsinduktivitäten entkoppelte Varistoren
weiter reduziert werden. Mit Hilfe eines zweckmäßig gestaffelten Schutzes
lässt sich, ähnlich wie in Energieübertragungs- und –verteilungsnetzen, eine
perfekte Isolationskoordination erreichen. Nach VDE 0110 [10.36] sind in
230/400 V-Netzen, je nach Entfernung vom Hausanschluss und der Be-
deutung der Betriebsmittel, noch die Überspannungspegel 4 kV, 2,5 kV und
1,5 kV festgelegt. Dieser Schutz deckt selbstverständlich auch induzierte
Blitzüberspannungen sowie alle inneren, eigenerzeugten, Überspannungen
ab (z. B. Transienten im Niederspannungsnetz, s. Abschn. 2.4.3). Ausführ-
liche Hinweise zum inneren Blitzschutz finden sich im Literaturverzeichnis
[B23, B22, 10.35].
Die Errichtung eines Blitz- und Überspannungsschutzsystems für elektrische

Anlagen repräsentiert den aktuellen Stand der Technik. Die Anforderungen
an Überspannungsschutzeirichtungen (ÜSE, engl.: surge protective device
SPD), die für die Errichtung eines derartigen Blitz- und Überspannungs-
schutzsystems im Rahmen des Blitz-Schutzzonen-Konzeptes nach DIN EN
62305-4 (VDE 0185-305-4) im Bereich der Energietechnik benötigt werden,
sind in E DIN VDE 0100-534 festgelegt.
ÜSE bzw. SPD, die im Bereich der festen Gebäudeinstallation eingesetzt

sind, werden entsprechend den vorliegenden Anforderungen und Belast-
ungen an den gewählten Installationsorten in Überspannungsschutzgeräte
vom Typ 1, 2 und 3 unterteilt und nach EN 61643-11 geprüft.
Der Grobschutz (Typ 1, früher Klasse B) in der Gebäudeeinspeisung soll den

Energieinhalt des Blitzes ableiten und die verbleibende Restspannung auf
Werte kleiner als 1300 bis 6000 V (je nach verwendeter Technologie) be-
grenzen. Die Schutzgeräte müssen in der Lage sein, Blitz-Teilströme der
Wellenform 10/350 ȝs mehrmals zerstörungsfrei zu führen.
SPDs vom Typ 1 werden Blitzstrom-Ableiter genannt. Aufgabe dieser Schutz-

geräte ist die Verhinderung eines Eindringens zerstörender Blitz-Teilströme
in die elektrische Anlage eines Gebäudes, Bild 10.11.
Bild 10.11: Überspannungsschutzgeräte vom Typ 1 (Quelle: Dehn).
Der Mittelschutz (Typ 2, früher Klasse C) befindet sich bei Gebäuden üb-
licherweise in den Etagenverteilern und begrenzt die verbleibenden Über-
spannungen auf weniger als 600 bis 2000 V, Bild 10.12.
Die einwandfreie Funktion des Mittelschutzs setzt voraus, dass die von ihm
abzufangenden Überspannungen 4 kV nicht überschreiten. Das Ableitver-
mögen liegt gewöhnlich im Bereich von einigen 10 kA (8/20 ȝs).
Der Feinschutz (Typ 3, früher Klasse D) schützt die jeweiligen Steckdosen,

bzw. deren angeschlossener Verbraucher, und die Steckverbindungen aller
anderen Leitungen, Bild 10.13. Er reduziert die verbleibenden Über-
spannungen auf das von den angeschlossenen Geräten, Baugruppen oder
Bauteilen tolerierbare Maß. Hauptaufgabe des an dieser Stelle eingesetzten
Schutzgeräts vom Typ 3 ist der Schutz gegen Überspannungen, die zwischen
L und N im elektrischen System auftreten. Hierbei handelt es sich insbe-
sondere um Schaltüberspannungen.
Die Ausführung eines reinen Feinschutzes (oder auch Mittelschutzes) ohne

die vorgelagerte Anbringung eines Grobschutzes ist aus der Betrachtung des
Blitzschutzs wirklungslos, da Feinschutzeinrichtungen nicht für die Energie-
menge ausgelegt sind, die ein Grobschutz ableiten kann.
Die Hersteller elektrischer und elektronischer Geräte sind in den meisten

Ländern verpflichtet, ihre Geräte mit einem für den sicheren Betrieb er-
forderlichen Feinschutz auszustatten (CE-Zeichen deutet darauf hin). In
Deutschland ist dies durch das EMVG geregelt. Dennoch gibt es signifikante
Unterschiede; ein ab Werk eingebauter Feinschutz muss sich nicht auto-
matisch auf dem gleichen Qualitätsniveau befinden wie ein guter externer
Feinschutz. Insbesondere Überspannungsschutzadapter (Zwischenstecker)
und Überspannungsschutz-Steckdosenleisten entbehren bei Überhitzung der
Varistoren oder deren Zerstörung oft einer automatischen Trennung vom
Netz, was im Extremfall zu Bränden führen kann. Diese Schutzgeräte leiten
ohnehin Überspannungen nur gegen den parallel verlaufenden Schutzleiter
ab, was meist nicht ausreicht.
Ebenso müssen Anlagen der Informationstechnik, d.h. Telefon- und Daten-

leitungen sowie Antennenanlagen (Satellit, Freiantenne und Kabelanschluss)
in den Überspannungsschutz einbezogen werden. Nicht zu vernachlässigen
ist bei freistehenden Anlagen der äußere Blitzschutz durch Fangstäbe oder
ein entsprechend geschützer Installationsort.
Verteilte Systeme im Gebäude (Gefahrenmeldeanlagen, Datennetzwerke,

Gebäudebus z.B. EIB/KNX, ect.) müssen unbedingt auch systemintern durch
einen sogenannten Feinschutz der Datenleitungen gesichert werden, um eine
Beschädigung durch induzierte Überspannungen bei nahen Blitzeinschlägen
auszuschließen. Siehe dazu auch [10.67 – 10.73].
10.6 Pulse Power Technik – Hochspannungslaboratorien
In der Fusionsforschung und der Hochspannungsprüftechnik stellt sich all-

täglich die Aufgabe der Messung schnell veränderlicher hoher Spannungen
und Ströme mit Scheitelwerten im MV- bzw. kA-Bereich und Anstiegszeiten
im Mikro- oder gar Nanosekundenbereich. Bei der erstmaligen Inbetrieb-
nahme der hierfür erforderlichen Messeinrichtungen, bestehend aus Span-
nungsteiler oder Impulsstrommesswiderstand, Verbindungskabel und Elek-
tronenstrahloszilloskop bzw. Digital-Rekorder, kann man auf dem Bild-
schirm eine Wiedergabe gemäß Bild 10.14 erhalten.
Bild 10.14: Oszillogramm

des aperiodischen Stromver-
laufs beim Entladen eines auf
100 kV aufgeladenen Kon-
densators eines Hochleis-
tungsgaslasers.
In den allermeisten Fällen, insbesondere bei Elektronenstrahloszilloskopen

mit Einschubtechnik, entspricht diese Wiedergabe nicht dem tatsächlichen
zeitlichen Verlauf des zu erfassenden Vorgangs. Dem eigentlichen Messsignal
uM (t) sind Störspannungen überlagert, die auf verschiedenen Wegen das
Ablenksystem erreichen. Im Zweifelsfall lässt sich durch Testmessungen
leicht klären, ob die hochfrequenten Schwingungen eines Oszillogramms tat-
sächlich dem Messsignal eigen sind oder echte Störspannungen darstellen (s.
Abschn. 3.6).
Die Ursachen der Störspannungen liegen in Potentialanhebungen (engl.:

bounce) und dem Vorhandensein der mit den schnell sich ändernden Span-
nungen und Strömen verknüpften elektromagnetischen Felder, insbesondere
der beim Auf- und Entladen von Streukapazitäten entstehenden Streufeldän-
derungen [10.37–10.39].
Für das Zustandekommen der verzerrten Darstellung in Bild 10.13 gibt es im

Wesentlichen vier Möglichkeiten:
1. Die elektromagnetischen Felder durchdringen das unvollkommen ab-

schirmende Gehäuse des Elektronenstrahloszilloskops und rufen direkt
im Vertikalteil Störspannungen hervor. Diese Schwierigkeit kann beseitigt
10.6 Pulse Power Technik - Hochspannungslaboratorien 407
werden, indem man das Elektronenstrahloszilloskop in einem abge-

schirmten Messraum aufstellt (s. 5.6.4). Je nach Feldstärke und Frequenz
genügt auch oft ein einseitig offener Blechkasten. Der Einfluss der Stör-
feldstärken wird weiter verringert, wenn die Entfernung zwischen Elek-
tronenstrahloszilloskop und Stoßkreis vergrößert wird.
2. Quasistatische magnetische und elektrische Felder durchdringen die un-
vollkommene Abschirmung des Messkabels. Elektrische Felder greifen bei
geringer Geflechtdichte auf den Innenleiter durch und influenzieren
unmittelbar auf ihm eine Störspannung. Ein Maß für diese Störspannung
ist der Durchgriffsleitwert des Kabels (s. Abschn. 3.2 u. 9.1.2). Magnet-
felder erzeugen zu beiden Seiten des Innenleiters zwei gleichgroße, gegen-
phasige Spannungen, die sich gegenseitig aufheben. Aufgrund immer vor-
handener leichter Exzentrizitäten des Innenleiters verbleibt eine Rest-
spannung. Beide Störspannungen können jedoch im Allgemeinen gegen
die durch Kabelmantelströme verursachten Störspannungen vernach-
lässigt werden (s. Abschn. 3.1.3, 3.2 u. 9.1.2).
3. Das Elektronenstrahloszilloskop fängt die Störspannung als leitungsge-
bundene Störung ( ≤ 30 MHz ) über seine Stromversorgung ein. Dies wird
zweckmäßigerweise dadurch verhindert, dass man die Netzleitung mit
einem Durchführungsfilter für Funkentstörung verriegelt. Um eine breit-
bandige Kopplung hoher Güte zu erreichen, werden die Filter im Allge-
meinen in eine Abschirmwand eingesetzt, das heißt mit einer der oben ge-
nannten Abschirmmaßnahmen kombiniert. Manchmal genügt es, die
Netzzuleitung um einen Ferritkern zu wickeln (s. Abschn. 3.1.3) oder
über die Netzzuleitung einen flexiblen Tombakschlauch zu schieben, der
mit der Abschirmwand beziehungsweise mit dem Gehäuse des Elek-
tronenstrahloszilloskops gut leitend verbunden wird.
4. Kabelmantel- und Gehäuseströme, bedingt durch Potentialdifferenzen in
den Erdleitungen, verursachen Spannungsabfälle, die über die Kopp-
lungsimpedanz Störspannungen erzeugen (s. Abschn. 3.1.3).
Im Folgenden werden nun die Quellenspannungen für das Entstehen der

Kabelmantelströme erläutert und daraus geeignete Gegenmaßnahmen abge-
leitet.
a) Spannungsabfälle längs des Schutzleiters
Aus Gründen der Betriebssicherheit sind die Gehäuse elektrischer Geräte im

Allgemeinen mit dem Nulleiter des Mehrphasensystems oder auch einem ge-
sonderten Schutzleiter verbunden. Über diese Leitungen fließen die Ableit-
ströme aller anderen am gleichen Netz betriebenen Verbraucher, über den

Nullleiter zusätzlich noch ein Teil der Betriebsströme dieser Geräte. Durch
galvanische Verbindungen zwischen beiden Leitern kann der Schutzleiter
ebenfalls einen Teil der Betriebsströme führen. Diese Ströme rufen längs der
Null- und Schutzleiter Spannungsabfälle hervor, so dass zwischen den
Schutzleiterkontakten verschiedener Steckdosen und auch zwischen ver-
schiedenen Erdklemmen einer Schalttafel beachtliche Spannungen vorhan-
den sein können.
Werden nun mehrere elektronische Geräte aus verschiedenen Steckdosen

betrieben, so entstehen zusammen mit den Mänteln der koaxialen Signalka-
bel sogenannte „Ringerden“ (engl.: ground loop, s. Abschn. 3.1.2). Durch
diese Erdschleifen fließen Ausgleichsströme, die den eigentlichen Signalen
eine Störspannung mit einer Grundfrequenz von 50 Hz überlagern (50 Hz-
Brumm). Um diese Störspannung zu vermeiden, werden die Erdschleifen
unterbrochen, indem nur ein Gerät mit Schutzkontakt betrieben wird. Die
Betriebssicherheit des Versuchsaufbaus wird dadruch zunächst nicht beein-
trächtigt, da zwischen dem einen geerdeten Gerät und den nicht über einen
Schutzleiter geerdeten Geräten eine galvanische Verbindung über die Kabel-
mäntel der Signalleitungen besteht. Trotzdem empfiehlt sich die Anwendung
zusätzlicher Schutzmaßnahmen wie Schutztrennung, Standort-Isolierung etc.
Der gleiche Effekt tritt auch bei der Messung schnell veränderlicher hoher
Spannungen auf, wenn der Hochspannungskreis direkt und das Elektronen-
strahloszilloskop über seinen Schutzleiter geerdet wird. Während sich 50 Hz-
Störspannungen sofort beseitigen lassen, indem meist das Oszilloskop ohne
Schutzleiter betrieben wird, bleiben hochfrequente und transiente Störspan-
nungen auch nach Auftrennen redundanter Schutzleiter bestehen, da das
Oszilloskop und andere Geräte für hohe Frequenzen nach wie vor über ihre
Erdstreukapazitäten mit Erde verbunden sind.
b) Induzierte und influenzierte Quellenspannungen
Die mit den schnellveränderlichen Vorgängen verknüpften quasistationären

magnetischen und elektrischen Felder induzieren und influenzieren auf dem
Kabelmantel ( CStr in Bild 10.15) bzw. in der Erdschleife (schraffierte Fläche
in Bild 10.15) Quellenspannungen, die ebenfalls Kabelmantel- und Gehäu-
seströme verursachen und so Störungen in der empfindlichen Messanord-
nung erzeugen.
CStr Influenzierte
Quellenspannung
L
FS
CS RM
CStr
Induzierte Schutzleiter-
Quellenspannung Quellenspannung
Bild 10.15: Schematische Darstellung eines Stoßstromentladekreises (FS Schalt-

funkenstrecke, CS Stoßkapazität, R M Strommesswiderstand, L Arbeitsspule). Ent-
stehung von Kabelmantelströmen durch induzierte und influenzierte Quellenspan-
nungen sowie durch unterschiedliche Schutzleiterpotentiale.
Die Wirkung beider Felder wird durch Verlegung der Messleitungen in

Stahlpanzerrohren, die an beiden Enden geerdet sind, verringer,t, Bild 10.15.
Das Stahlpanzerrohr schirmt elektrische Felder nahezu ideal ab, da die elek-
trischen Feldlinien jetzt nicht mehr auf dem Kabelmantel, sondern auf dem
geerdeten Stahlpanzerrohr enden. Bei sehr hohen Frequenzen verringert sich
die elektrische Schirmdämpfung; sie besitzt jedoch für die meisten Anwend-
ungen noch ausreichend hohe Werte (s. Abschn. 5.4 u. 6.1.4). Die Schirm-
wirkung gegen magnetische Wechselfelder beruht auf der Tatsache, dass in
der Schleife, gebildet aus dem an beiden Seiten geerdeten Stahlpanzerrohr
und Erde, ein Strom fließt, dessen Magnetfeld das einfallende Feld teilweise
kompensiert.
c) Potentialanhebungen im Stoßentladekreis
Potentialanhebungen des Stoßgenerators sind neben induzierten und influ-

enzierten elektromotorischen Kräften die wesentliche Ursache für das Ent-
stehen von Störspannungen. Bild 10.16 a,b zeigt einen Hochspannungskreis,
bestehend aus dem Generator G und dem Prüfling P; ZE stellt die lokale
Erdimpedanz dar.
CStr
CStr
G
G P P
IL
ZE ZE
a) b)
Bild 10.16: Anhebung des Erdpotentials in einem Hochspannungsentladekreis. a)

zeigt den Verlauf der Streufeldlinien bei einem normalen Versuchsaufbau; b) den
Verlauf, wenn sich die gesamte Anordnung innerhalb eines Faraday-Käfigs befindet
[10.38]. G Stoßspannungsgenerator, P Prüfling, CStr Streukapazitäten, ZE Erdimpe-
danz, IL Ladeströme der Streukapazitäten.
Von den auf Hochspannungspotential befindlichen Teilen der Anlage gehen

elektrische Feldlinien zu der auf Erdpotential liegenden benachbarten Umge-
bung aus. Diesen Feldlinien ordnet man Streukapazitäten CStr zu, die bei
Stoßvorgängen in kurzer Zeit aufgeladen oder entladen werden. Wegen der
großen Änderungsgeschwindigkeiten der Spannungen können die Ladeströ-
me sehr hohe Werte annehmen. Die Ladeströme fließen über die Erdimpe-
danz zum Fuß des Generators zurück und erzeugen auch bei kleinen Werten
von ZE beträchtliche Potentialanhebungen, die Ausgleichsströme innerhalb
des gesamten Erdnetzes verursachen. Befindet sich der Hochspannungskreis
innerhalb eines Faraday-Käfigs, Bild 10.16 b, so enden die Streufeldlinien alle
auf der Abschirmung. Die Ladeströme fließen auf der Innenseite der Käfig-
wand und können keine Potentialanhebung an ZE bewirken. Besondere Tie-
fenerder erübrigen sich in diesem Fall.
Bild 10.17 veranschaulicht die Entstehung von Potentialanhebungen längs

der Rückleitung zum Fuß eines Stoßgenerators. Nach dem Zünden der
Funkenstrecke entlädt sich der Kondensator über die Arbeitsspule und den
Messwiderstand R M . Am Verzweigungspunkt P – Anschluss des Kabel-
mantels des Signalkabels – teilt sich der Entladestrom auf. Der überwiegende
Teil des Stroms fließt unmittelbar zum geerdeten Belag des Stoßkonden-
sators zurück. Dabei ruft er einen Spannungsabfall über der Impedanz Z der
Rückleitung hervor und hebt somit das Potential des Punktes P an. Diese
Potentialanhebung ist die Quellenspannung für den Kabelmantelstrom. Um
sie zu vernichten, wird allgemein empfohlen, nicht den Fuß des Stoß-
generators, sondern den Verzweigungspunkt P, die Erdklemme des Mess-
widerstands, zu erden.
FS L
iSt
CS RM
Z
P CStr
ZE CStr
Bild 10.17: Schematische Darstellung eines Stoßstromentladekreises. Zur Erklärung

des Entstehens von Störspannungen durch Potentialanhebungen an der Impedanz der
Rückleitung des Arbeitskreises (Generator geerdet).
In diesem Fall liegt der Punkt P auf Erdpotential, dafür hebt sich aber jetzt
das Potential des erdnahen Belags der Stoßkapazität um etwa den gleichen
Betrag an. Aufgrund der Erdstreukapazität des Arbeitskreises wird auch diese
Potentialanhebung wieder zur Quellenspannung für Kabelmantelströme, Bild
10.18.
FS L
CS
RM
Z
P CStr
CStr ZE
Bild 10.18: Schematische Darstellung eines Stoßstromentladekreises. Zur Erklärung

des Entstehens von Störspannungen durch Potentialanhebungen an der Impedanz der
Rückleitung des Arbeitskreises (Messwiderstand geerdet).
Offensichtlich gibt es zwar bestimmte optimale Erdungsverhältnisse, bei

denen die treibenden Quellenspannungen für die Kabelmantel- und Gehäu-
seströme vergleichsweise kleine Werte annehmen, ganz vermeiden lassen sie
sich jedoch nicht. Der Ausweg aus dieser Situation liegt in der Bypass-
Technik, die Kabelmantel- und Gehäuseströme, gleich welchen Ursprungs,
eliminiert (s. 3.1.3 u. [2.155, 2.156 u. 10.42]).
Sehr zu empfehlen ist die Verlegung der Messleitungen in außerhalb der Ab-
schirmung bzw. unterhalb des Hallenerdnetzes liegenden Metallrohren. Da
die Ladeströme für die Streukapazitäten aufgrund der Stromverdrängung
vorzugsweise auf der Innenseite der Abschirmung fließen (vgl. Erläuterung
zu Bild 10.16 b), bleiben die Messleitungen frei von Kabelmantelströmen.
Stoßanlagen für Abnahmeprüfungen an Geräten der Energieversorgungs-

technik besitzen nicht nur eine koaxiale Messleitung vom Spannungsteiler
zum Elektronenstrahloszilloskop, sondern eine Vielzahl von Steuer- und
Messleitungen zwischen der eigentlichen Stoßanlage und dem Kommando-
pult mit Messeinrichtung. Hier ist die Gefahr des zufälligen und unbewussten
Entstehens von Erdschleifen besonders groß, Bild 10.19.
Bild 10.19: Schematische Darstellung einer Stoßspannungsprüfeinrichtung [10.40]. a)

Zweckmäßige Verlegung der Steuer- und Messleitungen (Zweige); b) falsche Ver-
legung der Steuer- und Messleitungen (Maschenbildung).
Bild 10.19 b zeigt den prinzipiellen Aufbau einer Stoßanlage, in der mit
Sicherheit unkontrollierte Potentialanhebungen und unbefriedigende Mess-
ergebnisse zu erwarten sind. Bild 10.19 a zeigt dagegen den vorschrifts-
mäßigen Aufbau der gleichen Anlage. Alle Leitungen gehen als Stichleit-
ungen von einem Kabelbaum ab. Die Verdrahtung enthält keine Maschen,
sondern nur Zweige.
Sollten die äußeren Umstände einmal so ungünstig liegen, dass trotz aller be-
schriebenen Maßnahmen zur Störspannungsunterdrückung keine einwand-
freien Messungen zu erreichen sind, so gibt es immer noch die Möglichkeit
der völligen galvanischen Trennung des Arbeits- und Messkreises durch
Lichtleiter und Übertragung des Signals auf optoelektrischem Wege (s.
Kapitel 3).
Abschließend sei erwähnt, dass leistungsfähige Hochspannungsprüflaborato-

rien meist voll geschirmt sind und bezüglich des geschirmten Volumens wohl
zu den größten Faradaykäfigen in der Welt zählen. Die Schirmung hält einer-
seits die mit Stoßspannungsprüfungen verknüpften extremen transienten
elektromagnetischen Felder von der Umgebung fern, andererseits erlaubt sie
die Durchführung hochempfindlicher Teilentladungsmessungen an Hoch-
spannungsapparaten ohne störende Beeinflussung durch Rundfunksender,
Kraftfahrzeuge etc. [10.59–10.61].
10.7 Messungen mit Differenzverstärkern
Bei Messgeräten für Spannungsmessungen ist meist eine der beiden

Eingangsklemmen ständig fest geerdet, z. B. der Massekragen der koaxialen
Eingangsbuchse von Oszilloskopen und Störmessempfängern. Diese Geräte
können daher nur für Spannungsmessungen an einseitig geerdeten Quellen
eingesetzt werden. Sollten beide Klemmen der unbekannten Spannungs-
quelle erdfrei sein, so erfolgt spätestens beim Anschließen des koaxialen
Messkabels zwangsweise eine Erdung derjenigen Klemme, die mit dem auf
Erdpotential befindlichen Kabelmantel verbunden wird. Diese Vorgehens-
weise ist selbstverständlich nur dann zulässig, wenn nicht bereits andere
Erdverbindungen im Betriebsstromkreis bestehen, da sonst unweigerlich
Schaltelemente kurzgeschlossen würden. Zum Beispiel stellt sich bei Strom-
richterschaltungen der Leistungselektronik die Aufgabe, Steilheiten, Lösch-
und Zündzeitpunkte von Thyristoren zu messen, deren Hauptanschlüsse
nicht auf Erdpotential liegen, sondern sich um eine Gleichtaktspannung von
einigen Kilovolt vom Erdpotential unterscheiden können. Die grundsätzliche

Problematik offenbart sich am einfachsten bei der Messung der Kurvenform
der verketteten Spannung eines Drehstromsystems, Bild 10.20.
L1
L2
L3
Bild 10.20: Messung der

verketteten Spannung eines
Drehstromsystems.
Keine der beiden Klemmen ist geerdet. Der Versuch, die Spannung mit
einem gewöhnlichen Tastkopf zu messen, würde beim Anschluss seiner Mas-
seklemme unweigerlich zu einem Kurzschluss führen. In diesem und ähnlich
gelagerten Fällen muss ein Differenzverstärker eingesetzt werden, dessen bei-
de Eingänge erdfrei sind.
Gelegentlich werden auch Messgeräte ohne Differenzeingang über Trenn-

transformatoren erdfrei betrieben, so dass dann beispielsweise der Massekra-
gen einer koaxialen Oszilloskop-Eingangsbuchse auch mit einer Phase ver-
bunden werden kann. Das Oszilloskopgehäuse führt dann jedoch lebensge-
fährliche Spannung und muss daher aus Berührungsschutzgründen in ein
Isolierstoffgehäuse gepackt und über isolierende Verlängerungen bedient
werden.
Differenzverstärker verstärken nur die zwischen den beiden Leitern einer

Messleitung ankommenden Messsignale. Gleichtaktsignale, die an beiden
Leitern mit gleicher Phase und Amplitude auftreten, werden unterdrückt (s.
3.1.2). Das Messsignal u M ( t) wird entweder über zwei identisch abgegliche-
ne Tastköpfe oder zwei gleichartige, am Ende mit ihrem Wellenwiderstand
abgeschlossene Koaxialkabel zum Eingang des Verstärkers übertragen. Der
Differenzverstärker besitzt zwei koaxiale Eingangsbuchsen zum Anschluss
der beiden Messleitungen, Bild 10.21. Die Abschirmungen der Messleitungen
sind am Gehäuse des Elektronenstrahloszilloskops geerdet und an dem der
Quelle zugewandten Ende miteinander verbunden. Die beiden Kabelschirme
bilden eine Kurzschlusswindung, die verhindert, dass in der aus den beiden
Innenleitern, der Quelle und dem Oszilloskop gebildeten Schleife Stör-
spannungen induziert werden. Eine aus Sicherheitsgründen erforderliche
10.7 Messungen mit Differenzverstärker 415
Erdung der Arbeitskreise ist erlaubt und hat keinen Einfluss auf die
Differenzmessung, eine zusätzliche Erdung am Eingang der Kabel muss
unterbleiben.
Bild 10.21: Erdungsverhältnisse beim Messen mit Differenzverstärkern [10.41].
Die Übertragung des Messsignals mit angepassten Koaxialkabeln empfiehlt

sich bei allen Messaufgaben, bei denen der Quellenwiderstand entweder sehr
klein gegen den Wellenwiderstand der Messleitungen ist oder den gleichen
Wert wie deren Wellenwiderstand besitzt. Quellen mit hochohmigen Innen-
widerständen und Hochspannungsmessungen erfordern die Verwendung gut
abgeglichener spannungsfester Tastköpfe und Spannungsteiler. Bei unzurei-
chender Gleichtaktunterdrückung bzw. extremem Gleichtaktsignal empfiehlt
sich die Zwischenschaltung analoger oder digitaler Lichtleiterübertragungs-
strecken (s. Abschn. 3.1.2 und 4.3).
Moderne Digitaloszilloskope enthalten integrierte Berechnungsfunktionen,

die eine Differenzbildung der Signaleingänge ermöglichen. Dabei ist selbst-
verständlich auch auf gleiche Zeitbasen der Signaleingänge zu achten. Eben-
falls können sehr steilflankige Signalimpulse trotz vermeintlicher Gleichzeit-
igkeit beider Eingangssignale bei der Differenzbildung aufgrund begrenzter
Genauigkeiten zu fehlerhaften Ergebnissen führen. Beim Umgang mit der
„automatischen“ Differenzberechnung ist deshalb die Plausibilität der Ergeb-
nisse im Auge zu behalten.
10.8 EMV von komplexen Systemen
Komplexe Systeme sind bezüglich Emissionsgrenzwerten und Störfestigkeits-

pegeln wegen zunehmender Intrasystembeinflussungen weitgehend schwier-
iger zu bewerten als Einzelgeräte. Intrasystemkopplungen können die Funk-

tionalität beeinflussen obwohl Emissionsgrenzwerte „nach außen“ sicherge-
stellt sind und die Störfestigkeit gegenüber einer externen Störquelle gegeben
ist. Der Grund liegt meist in einer höheren Elektronikdichte und ver-
zweigtere Kopplungsmöglichkeiten, als sie in den normativen Tests gefordert
sind.
Die Annahme, dass beim Einsatz EMV-geprüfter Einzelkomponenten das

Gesamtsystem ebenfalls EMV-gerecht ist, ist verführerisch, jedoch nicht
korrekt. Gründe dafür sind entweder die bereits angeführten höheren Inte-
grationsdichten oder der Einsatz einer Vielzahl gleichartiger Komponenten,
deren Emissionswerte sich additiv überlagern. In der System-EMV spricht
man deswegen häufig auch von sogenannten Multiple-Equipment-Faktoren,
die die Überlagerung gleichartiger Störspektren in der EMV Analyse
berücksichtigen.
Exemplarisch seien im Folgenden zwei typische Systeme dargestellt und

deren EMV-Problematik erläutert.
10.8.1 EMV-gerechter Schaltschrankbau in der Steuerungstechnik
Die EMV gerechte Planung in der industriellen Steuerungstechnik dient der

Sicherstellung der gesteuerten Produktionsabläufe ohne elektromagnetisch
beeinflusste Fehlfunktionen. Gleichzeitig muss die Sicherheit der Mitarbeiter
durch Ausschluss von Fehlfunktionen beispielsweise einer Roboter-
schweißanlage oder einer Stanzanlage gewährleistet sein. Bei vorsätzlicher
Nichtbeachtung dem Stand der Technik entsprechender EMV-Maßnahmen
haften die Verantwortlichen persönlich.
Die Sicherstellung der Funktion von Anlagen mit starken eignen Stör-
emissisonen und empfindlicher Steuerungstechnik erfordert besondere
Aufmerksamkeit. Dies umfasst sowohl eine elektromagnetisch verträgliche
Strukturierung der Anlage hinsichtlich Potentialausgleich, räumlicher Trenn-
ungen und geeigneter Stromversorgungskonzepte als auch die detaillierte
Planung EMV-gerechter Schaltschränke. Die Planung gerätestör- und zer-
störsicherer sowie datenstörsicherer elektrischer Verteiler- und Steuer-
schränke muss technische und atmosphärische Störungen (Blitz, Burst, ESD
usw.), periodischer Frequenzen aus Wechselwirkungen von Baugruppen
sowie Ein- und Ausschwingvorgänge transienter Belastungen berücksicht-
igen.
10.8 EMV von komplexen Systemen 417
Meist besteht eine störsichere Schaltschrankinstallation aus CE gekenn-

zeichneten und EMV-geprüften Einzelgeräten, die zu einem System integriert
werden. Ortsfeste Anlagen, und Anlagen die erst am Betriebsort ortsfest
zusammengesetzt werden, bedürfen keiner Bescheinigung einer Benannten
Stelle, keiner Baumusterbescheinigung, keiner Konformitätserklärung und
keiner CE-Kennzeichnung. Der Begriff Anlage steht für eine Zusammen-
schaltung von Apparaten, Geräten, Aktoren, Sensoren und Kommunikations-
baugruppen, die zu einem bestimmten Zweck an einem gegebenen Ort
synergetisch zusammenwirken. Ferner benötigen auch Zulieferteile für die
Industrie, Handwerk und EMV-fachkundige Betriebe keine CE-Kennzeich-
nung, unter der Voraussetzung, es handelt sich um nicht selbständig be-
treibbare Geräte, die nicht allgemein erhältlich sind. Daraus folgt, dass aus
Sicht des EMV Gesetzes eine CE-Kennzeichnung nicht erforderlichn ist,
jedoch weitere Richtlinien die eine CE-Kennzeichnung erfordern, zu berück-
sichtigen sind (z. B. Niederspannungsrichtlinie).
Trotz CE-Konformität und Einhaltung normativer Störaussendungs- und

Störfestigkeitsgrenzwerte der Einzelkomponenten wird eine komplexe
elektrische Anlage anfänglich fast immer elektromagnetische Unverträglich-
keiten aufweisen. Der Planung des grundlegenden Aufbaus eines Schalt-
schranks bzw. von Schaltschrankgruppen muss deswegen immer eine um-
fassende EMV-Planung vorausgehen. Dabei werden externe sowie interne
Störquellen und Störsenken identifiziert sowie Kopplungsmechanismen
analysiert, siehe Bild 10.22. Man erkennt so die grundsätzlichen Maß-
nahmen, um die EMV der Anlage sicherzustellen.
Störquellen Störsenken
z.B.:
z.B.:
Kopplungspfade - Prozessrechner
- Funktelefone (galvanisch, kapazitiv, induktiv, - Funkempfangsanlagen
- Schaltnetzteile strahlungsgebunden) - Steuerungen
- Zündanlagen - Umrichter
- Frequenzumrichter - Bussysteme
- Blitzeinschlag - Messgeräte
- Schweißgeräte - Datennetzwerke
Bild 10.22: Exemplarisches Interaktionsmodell im industriellen Umfeld.
Oft sind Störquelle und Störsenke in einem gemeinsamen Teilbereich des

Systems untergebracht. Klassisches Beispiel ist ein Wechelrichter und eine
speicherprogrammierbare Steuerung (SPS), in einem gemeinsamen Schalt-

schrank. In diesen Schaltschrank werden sowohl Feldbussignale als auch
Sensorleitungen eingebracht, außerdem gehen davon die Aktorleitungen und
die EMV-kritischen Ausgangsleitungen des Wechselrichters ab, um beispiels-
weise einen drehzahlveränderlichen Antrieb zu speisen. Eingebrachte Netz-
teile und I/O-Geräte zur analogen und digitalen Signalverarbeitung sind
dabei ebenfalls im Schrank enthalten. Diese Vielzahl unterschiedlicher
Geräte mit unterschiedlichsten EMV Eigenschaften und deren dichte Inte-
gration in eine gemeinsame Umgebung machen eine gezielte EMV Analye
unumgänglich, Bild 10.23.
Zone 3
Steuersignale
SPS
(Feldbusse)
Zone 2
Steuersignale (Feldbusse)
Koppler
Sensorik Leistungs-
I/O
elektronik, Motorleitung
Analog/
Wechselrichter
Digital
Aktorsignale
Aktorik
Zone 1
Strom-
Netzteile
einspeisung
Bild 10.23: Typischer Schaltschrankaufbau in der Steuerungstechnik.
Bei den verwendeten Geräten sind deren Nutz- und Störfrequenzen bezüg-
lich Art und Höhe zu betrachten. Hierbei sind nicht nur Sendefrequenzen
möglicher Funkübertragungsdienste, sondern auch interne Frequenzen und
deren Vielfache von Quarzoszillatoren, Taktfrequenzen und weitere Störein-
flüsse zu beücksichtigen. Dieses ermittelte Frequenzschema dient beim
Erstellen des Interaktionsmodells der Analyse möglicher Beeinflussungen

abhängig von den jeweiligen Frequenzbereichen. Die Überschneidung von
Nutzfrequenzen mit sensiblen Frequenzbereichen einzelner Geräte und Sys-
teme (Frequenzschutzbereich) lässt mögliche Interaktionsrisiken erkennen.
Für diese zu entkoppelnden Frequenzbereiche sind Entkopplungsempfehl-
ungen über die räumliche Trennung und Schirmung, bis hin zum Filter-
einsatz zu erarbeiten. Die eingesetzten Komponenten sind zweckmäßiger-
weise in einer EMV-Beeinflussungsmatrix (kurz: EMV-Matrix) zusammen-
zustellen, Tabelle 10.1.
Tabelle 10.1: Exemplarische EMV-Matrix eines Industrieschaltschranks.
Wechselrichter
Bus-System
SPS
Messeinrichtung
Netzteile
Lasten
Prozessorboard
Gleichrichter
Schaltung induktiver
Senke
Quelle
SPS 0 0 0 0 0 0 0
Prozessorboard 0 0 0 0 0 0 1
Messeinrichtung 0 0 0 0 0 0 0
Gleichrichter 1 1 1 0 0 0 1
Wechselrichter 1 1 1 0 0 0 1
Netzteile 1 1 1 0 0 0 1
Schaltung ind.
1 1 1 0 0 1 1
Lasten
Bus-System 0 0 0 0 0 0 0
Eine Umsortierung nach Installationszonen mit Angabe von Nutzfrequenz

und Pegeln sowie die notwendige Entkopplungsdämpfung sind in der Zonen-
liste wiedergegeben, siehe Tabelle 10.2 und Bild 10.23. Mit ihrer Hilfe lässt
sich dann die Separation der Teilsysteme und Geräte im Schaltschrank
planen. Zur Entkopplung kommen Filterkomponenten, räumliche Separation

von Baugruppen und/oder spezielle Schirmgehäuse in Frage. Je nach
Frequenzbereich und Feldcharakteristik sind geeignete Schirmmaterialen
auszuwählen (siehe dazu Kap. 5 und 6). Bei der Planung der Schaltschrank-
gliederung ist vor allem auf die Trennung von Anteilen mit hohen Leistungen
(z. B. Umrichter) von Systemen geringer Leistungen (z. B. Steuerelektronik)
zu achten.
Tabelle 10.2: Exemplarische EMV-Zonenliste einer Schaltschrankinstallation.
Störfrequenzen
Übertragungs-
Maßnahmen
Schnittstelle
Leitungsart
frequenzen
EMV-
Gerät
Zone
Pos.
1 6 Netzteil Netzleitung 50 Hz 50 Hz - Separation H07V-K1,5

..MHz
2 5 Wechsel- Stromver- 50 Hz 50 Hz - Filter in H07V-K2,5
richter sorgung …MHz Zwischenkreis
und Eingang
Motorleitung 30-300 50 Hz - Filter in Einfach
Hz …MHz Zwischenkreis geschirmt
Busleitung 1 MHz 1 MHz Filter auf Doppelt
Daten I/O geschirmt,
Twisted-
Pair
3 1 SPS Stromver- DC - Nach
sorgung Montagean-
leitung
Diskret I/O DC - Internes Twisted-
Filterboard Pair
Analog I/O DC - Internes Geschirmt
Filterboard
Profibus Bis 12 Bis 12 Installation Geschirmt,
MHz MHz Twisted-
Pair
ASI-Bus 167 167 kHz Installation Geschirmt,
kHz Twisted-
pair
.. .. .. .. .. .. .. ..
Eine räumliche Trennung innerhalb des Schaltschranks stellt dabei nur eine
Minimallösung dar. Besser sind zwei oder mehr getrennte Schaltschränke für
die einzelnen Funktionen oder eine Trennung durch interne schirmende
Schottung zur adäquaten Komponententrennung. Ist dies aus Platzgründen
nicht möglich, kann eine Kapselung empfindlicher Baugruppen in eigenen

Schirmgehäusen in Kombination mit Filternetzwerken erfolgen.
Ein EMV gerechter Aufbau von Schaltschränken ist umso bedeutender, je

höher der Vernetzungsgrad und die Komplexität der eingesetzten Elektronik
ist. Die EMV-Planung reicht daher von der Strukturplanung eines Schranks
bis zu seiner Einbettung in die jeweilige Umgebung. Potentialausgleich,
Leitungsführung, Schirmkonzepte, Masseanbindung von Kabelschirmen und
Gehäusen, Filterung, schließlich die Gebäudeplanung selbst, bilden ein viel-
schichtiges Interaktionsmodell.
Auch eine sehr sorgfältige EMV-Planung wird im Regelfall nach Zusammen-

schalten aller Komponenten einige unerwartete EMV-Probleme aufweisen,
die umfassende Nachbesserungen zur Folge haben können. Die erfolgreiche
Inbetriebnahme komplexer Anlagen in angemessener Zeit erfordert großes
Erfahrungswissen.
10.8.2 Analyse von EMV-Problemen komplexer Systeme im Flugzeug
Meist kommt eine Betrachtung der EMV vor allem bei der Integration unter-
schiedlicher Systeme in eine gemeinsame Umgebung zu spät oder offenbart
bei der Integrationsphase eine höhere Komplexität als zuvor angenommen.
Selbst wenn die Einzelsysteme als elektromagnetisch verträglich geprüft
worden sind, können beim Zusammenspiel vieler Einzelsysteme neue EMV-
Probleme in erheblichem Umfang auftauchen. Bei der Systemintegration
müssen nicht nur systemspezifische Kenntnisse, sondern auch ein fundiertes
Wissen der Integrationsumgebung selbst vorhanden sein. Meist sind davon
unterschiedliche Disziplinen der Elektrotechnik betroffen. Der Systement-
wickler und Integrierende steht nun vor der schwierigen Aufgabe, sich das
Wissen dieser Disziplinen anzueignen, um sein System in dieser Umgebung
elektromagnetisch verträglich zu integrieren.
Ein Beispiel einer solchen vielseitigen Integrationsumgebung ist ein mo-

dernes Passagierflugzeug. Waren früher Seilzüge, Relais und einfache Hy-
drauliksysteme integriert, so beherbergen moderne Flugzeuge eine Vielzahl
aufwendiger elektrohydraulischer, computergesteuerter Avionicsysteme und
moderne Navigations- und Kommunikationseinrichtungen. Ein Systeminge-
nieur, der in diese Umgebung ein Video-Unterhaltungssystem (engl.: In-flight
entertainment system, IFE) integrieren möchte, muss sich diesbezüglich an
vordefinierte Design- und Installationsvorschriften halten. Tritt nun bei der
Fertigung oder Installation eine Abweichung auf, kann es bei der Inbetrieb-
nahme des Systems zu Interaktionen mit anderen Flugzeugsystemen kom-
men. Die Fehlersuche gestaltet sich dann bei hochgradig komplexen Sys-
temen als sehr aufwendig und verlangt nach einer durchdachten Strategie.
Es gibt dabei leider kein „Kochrezept“, mit dem alle EMV-Probleme gleich-
zeitig zu erschlagen sind. Allerdings gibt es sehr wohl eine Methodik, die im
Grunde die in Kapitel 1 dargestellten Quellen-, Senken- und Pfadanalysen
einschließt. Folgende Punkte sollten bei der Fehlersuche betrachtet werden:
- Störsenken:
Empfängliche Untersysteme/Komponenten, Nutzfrequenzen, EMV
Schutzmechanismen, Topologie Platine/Leitungen/Untersysteme, Charak-
teristik der Störsignale auf angeschlossenen Signal- und Power-Leitungen
(Messung im Zeit- und Frequenzbereich, Transiente, Repetitionsfre-
quenzen, Störfrequenzen, ...)
- Koppelmechanismus:
Messverfahren (Schnüffelsonden, Leitungsmessungen, …), Ausschluss-
verfahren durch partielle Trennung/Abschalten von Leitungen/Unter-
systemen
- Störquelle:
Störerzeugende Untersysteme/Komponenten, Taktfrequenzen, Design-
fehler hinsichtlich EMV, Topologie Platine/Leitungen/Untersysteme, Aus-
kopplung der Störung
Die Reihenfolge der oben aufgeführten Vorgänge ist nicht starr sondern
richtet sich nach Vorkenntnissen und Genauigkeit der Beschreibung des
Störfalls. Eine erfolgreiche Analyse verlangt in Teamarbeit uneinge-
schränkten Zugriff auf das System und seine Subsysteme.
Das Wissen über diskrete Störfrequenzen ermöglicht oft einen Rückschluss

auf den Kopplungsmechanismus. Niederfrequente Anteile werden meist über
Leitungen geführt oder im Nahfeld kapazitiv oder induktiv ein- bzw. aus-
gekoppelt. Hochfrequente Störungen sind meist abgestrahlte Störungen.
Wurde die Störfrequenz bestimmt, lässt sich oftmals durch eine Analyse der
beteiligten Systeme hinsichtlich deren Nutz- bzw. Taktfrequenzen ein ver-
antwortlicher Störer bestimmen. Bei breitbandigen Störern kann oft auf
intermittierende Störer (Motoren), PWM-Schaltungen oder Gleich- bzw.
Wechselrichter geschlossen werden.
Als hypothetisches Beispiel sei hier das Vorgehen einer Störanalyse auf ein-
em VHF-Kommunikationssystem aufgezeigt:
Als Beeinflussung wurde auf zwei Känalen des VHF-Radios ein starkes
Störgeräusch wahrgenommen. Eine Analyse der Störsenke ergab eine Stör-
einkopplung auf die Empfangsantenne. Dieses sogenannte „Front-Door-
Coupling“ war nur auf den Frequenzen fCh1 und fCh2 hörbar. Bei weiteren
Messungen am VHF-Antennenport ergaben sich weitere charakteristische
Frequenzen, die mit der Differenz Δ f=fCh1-fCh2 auftraten. Diese äquidistanten
Störfrequenzen deuten auf Harmonische einer Grundfrequenz hin. Dies
bedeutet in diesem Fall, dass eventuell nach einem Störer mit der Grund-
frequenz fS= Δ f gesucht wird. Ein sequentielles Abschalten einzelner Systeme
ergab ein Beenden des Störgeräuschs bei einem Untersystem. Bei der Analyse
der Einzelkomponenten fiel ein Digital-Baustein des Untersystems auf, der
mit der Frequenz fS getaktet wurde, der aber in der ursprünglichen
Qualifikation unauffällig war. Daraufhin wurden diese Unterkomponenten
begutachtet und ein anderer, dem Digital-Baustein vorgeschalteter, Takt-
Baustein entdeckt, der nicht exakt dem ursprünglich spezifizierten Typ
entsprach. Der IC-Zulieferer hatte die Produktion des alten Bausteins ein-
gestellt und einen Nachfolger mit wesentlich kürzeren Anstiegszeiten ge-
liefert. Diese Änderung, die funktionell keine Auswirkungen hatte, wurde
zum Störfall in der Kommunikationstechnik.
Leider ist in der Realität die Ursachenbestimmung nicht immer so problem-

los. Vielmehr stößt man häufig auf nicht deterministisch reproduzierbare
Beeinflussungsphänomene. Sind diese Beeinflussungen dazu noch Kom-
binationen unterschiedlicher Einzelfehler, so kann eine EMV-Analyse Tage,
wenn nicht Wochen dauern. Weiterführende Literatur gibt es aufgrund der
Komplexität dieses Themas nicht sehr viel. Meist wird das sehr spezielle, auf
Erfahrung aufbauende Wissen in Workshops von Kennern der Branche mit
tiefgehenden EMV-Kenntnissen angeboten.
10.9 EMV in der Medizintechnik
Die Zunahme medizinisch-technischer Diagnose- und Therapiegeräte in den

Operationssälen der Kliniken beinhaltet neben der Verbesserung der Ver-
sorgung der Patienten auch neue Risiken. Verschiedene Geräte, die einzeln
betrachtet die gängigen EMV-Normen und Richtlinien erfüllen, können im
Zusammenwirken mit anderen Geräten unerwartete Effekte hervorrufen. Ein
Planer muss daher alle möglichen Konfliktsituationen erkennen und besei-

tigen können.
In der Medizintechnik bilden fest installierte Geräte, beispielsweise Kern-

spintomographen, Herz-Lungen-Maschinen, aber auch mobile Apparate wie
EKG-Geräte, Sonographen oder Infusionsgeräte, ein vielseitiges Interaktions-
modell für elektromagnetische Beeinflussungen. Der Mensch ist beim Ver-
sagen der Technik unmittelbar vital betroffen. Lebenserhaltende Systeme, die
einen komplexen Verbund von Diagnostik und Eingriffsmöglichkeiten in das
„System Mensch“ darstellen, müssen deshalb umfassend auf ihre elektro-
magnetische Verträglichkeit im klinischen Umfeld untersucht und getestet
werden.
Dabei sind auch Beeinflussungen zu berücksichtigen, die mit dem kurativen

Umfeld nicht direkt in Zusammenhang stehen. Typische Störer sind bei-
spielsweise Personen-Funkrufsysteme oder Mobiltelefone von Patienten.
Bild 10.24 zeigt ein typisches Beeinflussungsschema für den Klinikbereich.
Störquellen
Hyperthermie Personen-Pager
Kernspintomograph Koagulator Mobilfunk (GSM/UMTS/..)
Magnetstimulation Bohrer ISM-Band Applikationen
Röntgengerät Kurzwellendiathermie (RFID, Bluetooth,..)
WLAN
Diagnostik Therapie Implantate Funkdienste
Elektrokardiogramm
Herzschrittmacher
Elektroenzephalografie
Cochlea-Implantate
Neuronavigation Robotische Chirurgie Personen-Pager
Hydrocephalus-Ventile
Anästesiemonitor Brutkasten RFID
Insulinpumpen
Pulsoximeter HF-Chirurgie
Metallstifte/~platten
Temperaturmessung
Neurostimulator
Blutdruckmessung
Störsenken
Bild 10.24: Typisches Störklima im Klinikbereich.
Zur Analyse des Störklimas ist eine Betrachtung der Gebäudestruktur und
-geometrie sowie ein EMV-Zonenkonzept zwingend erforderlich. Spezielle
Baumaterialien, wie z. B. bleibeschichtete Gipsplatten im Trockenbau bzw.
Abgrenzung stark emittierender Geräte bezüglich sensibler Bereiche, sind
10.9 EMV in der Medizintechnik 425
typische Maßnahmen, um eine Klinik elektromagnetisch verträglich zu

gestalten.
Der Neubau eines Klinikgebäudes muss deshalb auch unter EMV-Gesichts-

punkten geplant werden. Hilfsmittel hierzu sind außer Erfahrungswerten im
zunehmenden Maße die numerische Simulation der Wellenausbreitung in
Gebäuden unter Berücksichtigung der jeweiligen Materialparameter, wie
z. B. Wanddämpfungen bzw. Festlegung von Leitungstrassen oder Standorten
von Funkrufsendern (s. a. Abschn. 3.8). Bild 10.25 zeigt eine solche Simu-
lation und die Störpegel in den einzelnen Räumen.
Bild 10.25: Funkfelddämpfung im 2. OG eines Klinikums mit bestimmten Material-

parametern bei 900 MHz, (Quelle: DFG SFB425).
Dieser Themenbereich ist nicht nur als Inter- und Intrasystemkomplex im

Klinikbereich zu verstehen. Herzschrittmacher oder Neurostimulatoren wer-
den von Patienten im alltäglichen Leben getragen und sind Beeinflussungen
unterworfen, die im Zusammenhang mit dem Klinikbereich nicht zwingend
vorhersehbar sind; die Elektroden des Neurostimulators dürfen sich nicht
vom Netzteil eines Radioweckers stören lassen, der Herzschrittmacher darf
beim Benutzen eines Haartrockners oder Mobiltelefons nicht aus dem Takt
geraten.
Nicht deterministische Risiken wie Handys, Laptops von Patienten, alle

möglichen Arten von Geräten, die durch externe Personengruppen in ein
Klinikgebäude eingebracht werden können, stellen schwer einschätzbare Be-
einflussungspotentiale für dort vorhandene elektrische und elektronische
Systeme dar. Dadurch kommt es zu strengen Auflagen, die vom Personal und
Anwendern eingehalten werden müssen, selbst wenn diese oft nicht auf den
ersten Blick einleuchtend sind, oder vom Patienten nicht gerne akzeptiert
werden, wie z. B. der Gebrauch der drahtgebundenen, hauseigenen Telefon-
anlage anstatt des Mobiltelefons.
Hersteller und Entwickler elektrischer und elektronischer Produkte unter-

liegen deswegen schärferen EMV-Normen, was in der Abgrenzung dieser
Normen zu Produkten im Industrie- oder Hausgebrauch ersichtlich wird.
Derzeit wird immense Forschungskapazität und Entwicklungsleistung ein-
gesetzt, um medizintechnische Bereiche in Bezug auf elektromagnetische
Beeinflussung zu optimieren.
10.10 Wirkung elektromagnetischer Felder auf Organismen
Das elektromagnetische Spektrum reicht von elektro- und magnetostatischen

Feldern über elektrische und magnetische 50 Hz-Felder, elektromagnetische
Radiowellen und Licht bis hin zu ionisierender γ -Strahlung, Bild 10.26.
Bild 10.26: Elektromagnetisches Spektrum.
Je nach Intensität und Frequenz erweisen sich elektromagnetische Felder

und Wellen für den Menschen als sehr nützlich oder auch als sehr schädlich.
Im Bereich des ultravioletten Lichts (UV-Licht) und darüber ist die Energie
elektromagnetischer Wellen, definiert durch
10.10 Wirkung elektromagnetischer Felder auf Organismen 427
W = h⋅f
(10-5)
(h: Plancksches Wirkungsquantum, f: Frequenz), hinreichend groß, um aus
der Elektronenhülle von Atomen Elektronen auszulösen, das heißt die
Atome zu ionisieren. Die Strahlung löst mit anderen Worten chemische
Reaktionen und andere Veränderungen aus. Beim Menschen erstrecken sich
diese mit zunehmender Frequenz vom gewünschten Bräunungseffekt bis hin
zu Hautkrebs und auch tiefer liegenden Krebsarten. Die verschiedenen
Erscheinungsformen elektromagnetischer Wellen in diesem Energiebereich
werden oberbegrifflich als ionisierende Strahlung bezeichnet.
Der Bereich des sichtbaren Lichts, ohne den unser Leben auf der Erde gar
nicht möglich wäre, leitet über zum Infrarotlicht (IR-Licht) bzw. zur Wär-
mestrahlung und den Mikrowellen. Die Wirkung von Mikrowellen beruht auf
ihrer Kraftwirkung auf geladene Teilchen
Fe = Q(E + v × B )
. (10-6)
Aufgrund dieser Kraftwirkung oszillieren Elektronen und Ionen (ionisierte

Atome oder Moleküle) im Mikrowellenwechselfeld, schwingen Dipole um
ihre Ruhelage. Die ihnen mitgeteilte kinetische Schwingungsenergie geben
die Teilchen durch Stöße an andere Teilchen ab und erhöhen deren mittlere
kinetische Energie. Diese Energiezufuhr manifestiert sich makroskopisch in
einer Erwärmung bzw. Temperaturerhöhung des bestrahlten Guts und hat in
Mikrowellenherden breite Anwendung gefunden.
Neben der Kraftwirkung elektromagnetischer Felder und Wellen auf elektri-

sche Ladungen und Dipole gemäß (10-6) existiert eine analoge Kraftwirkung
auf magnetische Dipole und die an ihren Enden gedachten magnetischen
Ladungen bzw. die sie verursachenden ampèreschen Kreisströme (Kernspin-
tomographie). Mangels magnetischer Dipole mit hohem Dipolmoment treten
hierbei jedoch keine makroskopischen Wärmeeffekte auf. Nach etwaigen
anderen Effekten wird derzeit geforscht. Die im elektrischen Wechselfeld pro
Volumeneinheit erzeugte spezifische Wärmeleistung ist der Frequenz pro-
portional, nimmt also zu kleineren Frequenzen hin rapide ab. Aufgrund
dieser Frequenzabhängigkeit und des Fehlens auffälliger Korrelationen hat
man in der Vergangenheit geschlossen, dass die in der Kommunikations- und
Energieversorgungstechnik üblicherweise anzutreffenden Feldstärken für die
allgemeine Bevölkerung gefahrlos sind. Bei Kurzzeitversuchen im Labor

konnten in diesem Bereich auch keine unmittelbaren Beeinflussungen fest-
gestellt werden. Lediglich bei erheblich höheren Feldstärken ließen sich
bestimmte Effekte wie Hochfrequenzverbrennungen, Magnetophosphene
(Flimmern in den Augen) und ähnlichem nachweisen, die bereits seit langem
bekannt sind.
Untersuchungen hinsichtlich der Beeinflussung des Menschen durch starke

elektromagnetische Felder sind im Wesentlichen für Personen von Be-
deutung, die beruflich höheren Feldstärken ausgesetzt sind, z. B. Wartungs-
personal von Hochspannungsschaltanlagen, Rundfunk- und Fernsehsende-
anlagen, Industrie HF-Anlagen etc. Mangelnde Befunde aus Kurzzeitunter-
suchungen im Labor widerlegen nicht zwingend, dass eine Langzeit-
exposition mit kleineren Feldstärken nicht etwa doch bezüglich ihrer
Ursache bislang unerklärte Effekte bewirken könnte. Da thermische Effekte
bei kleinen Feldstärken und insbesondere niederen Frequenzen ausscheiden,
denkt man hier insbesondere an nichtthermische, sog. biologische Effekte. So
wurden einzelne Arbeiten veröffentlicht, in denen von Verhaltensstörungen,
Störungen des Immunsystems, Kopfschmerzen, Müdigkeit, bis hin zu er-
höhter Krebshäufigkeit [10.56] etc. berichtet wird. Derartige Zusammen-
hänge sind, falls sie tatsächlich existieren, nur in versuchstechnisch ein-
wandfrei durchgeführten epidemiologischen Langzeitstudien aufzuzeigen.
Das derzeit vorliegende Material über angeblich schädigende Wirkungen
konnte bisher in Kontrollversuchen meist nicht bestätigt werden, die
Thematik wird daher noch kontrovers diskutiert. Angesichts der Erfahrungen
über die Gefährdung beruflich über längere Zeit übernormal hohen Feld-
stärken ausgesetzter Personen sind große Überraschungen nicht sehr wahr-
scheinlich. Dennoch ist eine endgültige Klärung dieser Fragen in höchstem
Maße wünschenswert.
Neben der Erforschung schädlicher Wirkungen besitzt die systematische Er-

forschung bisher nicht erkannter nützlicher Wirkungen vermutlich höheres
Potential. Beispielsweise ist die transkranielle Magnetstimulation (TMS) eine
nicht-invasive Technologie, bei der mit Hilfe starker Magnetfelder Bereiche
des Gehirns stimuliert werden. Die medizinisch anerkannten positiven
Wirkungen elektromagnetischer Felder, beispielsweise bei der Heilung von
Knochenbrüchen, in der Elektrodiathermie usw. geben in dieser Richtung
Anlass zur Hoffnung.
Schließlich sei kurz auf die Frage stark unterschiedlicher zulässiger Grenz-
werte in verschiedenen Ländern eingegangen. Diesen Unterschieden liegen
weniger unterschiedliche Erkenntnisse über die Gefährlichkeit elektroma-

gnetischer Felder zugrunde, als unterschiedliche Definitionen dessen, was
unter einem zulässigen Grenzwert zu verstehen ist. So beruhen die Grenz-
werte Russlands und anderer osteuropäischer Länder häufig auf Feldstärke-
pegeln, denen unterstellt wird, dass sie keine wie auch immer gearteten bio-
logischen Effekte hervorrufen können, während in westlichen Ländern meist
von Feldstärkewerten ausgegangen wird, bei deren Überschreitung nach-
weislich gefährliche Wirkungen auftreten und die dann, gegebenenfalls um
einen Sicherheitsfaktor reduziert, als maximal zulässige Grenzwerte definiert
werden.
Die Diskussion um die Festlegung dem tatsächlichen Gefährdungspotential

angemessener Grenzwerte für die verschiedenen Feldarten und Frequenzen
ist weltweit noch im Fluss. Praktikable Anhaltswerte geben die derzeit in der
Bundesrepublik geltenden Grenzwerte nach VDE 0848 und die 26. Bundes-
immissionsschutzverordnung (26. BImSchG), die zum Teil die EU-Ratsemp-
fehlung 1999/519/EG bzw. 2004/108/EC umsetzt. Speziell im Bereich des
Arbeitsschutzes existieren Unfallverhütungsvorschriften bspw. der Berufs-
genossenschaft für Feinmechanik und Elektrotechnik (BGFE), die zulässige
Werte zur Bewertung unterschiedlicher Expositionsbereiche definiert
[10.66]. Beispielsweise zeigen die Bilder 10.27 und 10.28 Grenzwerte für den
NF Bereich von 0 Hz bis 91 kHz:
1E+05
E
V/m Bereich erhöhter
1E+04
Exposition
1E+03
Expositionsbereich 1
1E+02
1E+01
1E+00
0,1 1 10 100 1000 10000 100000
f / Hz
Bild 10.27: Effektivgrenzwerte niederfrequenter elektrischer Feldstärken zum Schutz

von Personen bei unmittelbarer Einwirkung [10.66].
1E+06
H
A/m 1E+05
1E+04
1E+03
Bereich erhöhter
Exposition
1E+02
1E+01 Expositionsbereich 2
1E+00
0,1 1 10 100 1000 10000 100000
f / Hz
Bild 10.28: Effektivgrenzwerte niederfrequenter magnetischer Feldstärken zum

Schutz von Personen bei unmittelbarer Einwirkung [10.66].
Für niederfrequente Felder sind Bereiche erhöhter Exposition und der Expo-
sitionsbereich 1 sogenannte kontrollierte Bereiche, in denen aufgrund der
Betriebsweise oder der Aufenthaltsdauer sichergestellt ist, dass eine Ex-
position oberhalb der zulässigen Werte von Expositionsbereich 2 nur
vorübergehend erfolgt. Speziell im Bereich erhöhter Exposition darf eine
Aufenthaltsdauer von 2h/Tag nicht überschritten werden.
Unter unmittelbarer Einwirkung sind direkt auf den Menschen einwirkende

Felder zu verstehen. Diese wiederum erzeugen im Köper Ströme, deren zu-
lässige Obergrenzen zu den abgeleiteten Feldstärkegrenzwerten führen. Diese
Grenzwerte berücksichtigen nicht die Existenz von Herzschrittmachern,
Implantaten etc., die eine erhöhte Empfindlichkeit für die betroffenen
Personen mit sich bringen können und für die gegebenenfalls niedrigere
Grenzwerte anzusetzen sind.
Bei hochfrequenten Feldern gilt für die Expositionsdauer im Bereich er-

höhter Exposition eine zulässige Expositionszeit von < 6 min. Im Expo-
sitionsbereich 1 und 2 gilt für die Einwirkdauer > 6 min., sozusagen der
Daueraufenthalt. Die Grenzwerte im Bereich 1 MHz bis 300 GHz zeigen
Bild 10.29 und Bild 10.30.
1E+07
E
V/m 1E+06
Bereich erhöhter Exposition
1E+05
1E+04
1E+03
1E+02
1E+01
1E+00
1E+06 1E+07 1E+08 1E+09 1E+10 1E+11 1E+12
f / Hz
Bild 10.29: Effektivgrenzwerte hochfrequenter elektrischer Feldstärken zum Schutz

1E+03
H
A/m
1E+02
1E+01
Bereich erhöhter Exposition
1E+00
1E-01 Expositionsbereich 2
1E-02
1E+06 1E+07 1E+08 1E+09 1E+10 1E+11 1E+12
f / Hz
Bild 10.30: Effektivgrenzwerte hochfrequenter magnetischer Feldstärken zum Schutz

Die Ersatzfeldstärke in obigen Bildern entspricht einem Feldstärkevektor, der

aus 3 in x-, y- und z-Richtung gemessenen Komponentenvektoren ohne
Berücksichtigung der Phasenlage zusammengesetzt ist.
Die obigen Erläuterungen und die angegebenen Grenzwerte dienen lediglich

einer Einführung in die Problematik. Bei konkreten Problemen und Fragen
bezüglich der genauen Interpretation der angegebenen Grenzwerte sind in
jedem Fall die aktuellen Vorschriften und die umfangreiche einschlägige
Literatur zurate zu ziehen [10.45–10.57].
11 EMV gerechter Entwurf
elektronischer Baugruppen
Auf Leiterplatten und in integrierten Schaltkreisen (IC's) treten grundsätzlich

die gleichen EMV-Phänomene auf wie in verteilten Systemen, deren Kom-
ponenten durch fliegende Verdrahtung untereinander verbunden sind. Es
gelten daher nicht nur die gleichen Koppelmechanismen, sondern auch die
bereits in Kap. 3 für verteilte Systeme beschriebenen Gegenmaßnahmen.
Entscheidend ist, dass der Entwickler selbst vorab „erahnt“, wo Koppelpfade
entstehen können, und die zugehörigen, in keiner Stückliste aufgeführten
parasitären Koppelimpedanzen, wie Streukapazitäten und Streuinduktivitä-
ten, ihrer Größe nach abzuschätzen vermag. Sinngemäß lässt sich für Bau-
gruppen auch eine Unterscheidung in Intrasystem- und Intersystem-Beein-
flussung treffen.
Die folgenden Unterkapitel befassen sich mit dem Einfluss der Leiterplatten-
technologie, optimalen Stromversorgung, Massung und Erdung, dem Über-
sprechen zwischen Leiterbahnen, mit Reflexionen an Leitungsenden sowie
der Kopplung zu benachbarten Baugruppen und Systemen. Das umfangrei-
che Literaturverzeichnis liefert dem Leser darüber hinaus weitere Hilfestell-
ung bei der Lösung spezieller Probleme [z.B. 11.1–11.13 und B33–B47, B49–
B53].
11.1 Leiterplattenwahl
Durch die Wahl der Leiterplattentechnologie wird neben der Integrations-

dichte in entscheidendem Maße auch die elektromagnetische Verträglichkeit
einer Baugruppe beeinflusst.

434 11 EMV gerechter Entwurf elektronischer Baugruppen
Grundsätzlich unterscheidet man einlagige (engl.: single layer), zweilagige

(engl.: double layer) und mehrlagige (engl.: multi layer) Leiterplatten, Bild
11.1.
Lötauge (Pad) Leiterbahn Basismaterial Durchkontaktierung (Via)
Bestückungsseite 0V
a) Einlagige Leiterplatte b) Zweilagige Leiterplatte
Verdeckte Kontaktierung (Buried hole) Durchkontaktierung (Via)
Isolierung (Prepreg)
Sackloch (Blind hole)

c) Mehrlagige Leiterplatte
Bild 11.1: Grundsätzliche Ausführungsformen von Leiterplatten.
Der Schaltungsentwickler fällt seine Entscheidung über die erforderliche

Leiterplattentechnologie zunächst in Abhängigkeit der Komplexität einer
Schaltungsaufgabe. Können nicht mehr alle Leiterbahnen auf einer Seite un-
tergebracht werden, bietet sich der Einsatz zweiseitig kupferbeschichteter
Leiterplatten an. Höchste Packungs- und Leiterbahndichten sind nur auf
mehrlagigen Leiterplatten realisierbar.
Bezieht man neben diesen rein funktionellen Betrachtungen die passive und
aktive Störsicherheit der Baugruppe mit ein, weiß der Fachmann auch bei
geringerer Packungsdichte die Vorzüge der Multilayer-Leiterplatte zu schät-
zen. (Induktionsarmer Aufbau, Schirmbeläge s. Abschn. 11.2 und 11.3).
Schnelle digitale Schaltkreistypen (z.B. ECL, AS-TTL) machen mehrlagige
Leiterplatten unentbehrlich.
Bild 11.2 zeigt ein Beispiel einer 4-lagigen Leiterplatte [B4, B5].
11.1 Leiterplattenwahl 435
Außenlage
(Bestückungsseite und
Signalleiterbahnen)
Innenlage 1
(0 V - Lage)
Innenlage 2
(Ub - Lage)
Außenlage
(Lötseite und Signalleiterbahnen)
Bild 11.2: Beispiel für den Aufbau einer 4-lagigen Leiterplatte.
Die obere Außenlage ist die Bauelemente- oder Bestückungsseite. Auf ihr be-
findet sich auch ein Teil der erforderlichen Signalleiterbahnen (SIG). Die
Innenlage 1 ist als flächenhaftes Bezugspotential (GND- oder 0V-Lage) aus-
gebildet (s. Abschn. 11.2.1.3). Die Signalleiterbahnen auf der Bestückungs-
seite bilden zusammen mit der 0V-Lage sogenannte Mikrostreifenleitungen.
Sie besitzen den Vorteil eines wohl definierten Leitungswellenwiderstands (s.
Abschn. 11.2.3). Die Innenlage 2 führt die Betriebsspannung U b (VCC).
Diese Lage ist, mit Ausnahme von Durchkontaktierungen, ebenfalls flächen-
haft ausgebildet. Die untere Außenlage ist die Lötseite. Auf ihr können
weitere Signalleiterbahnen untergebracht werden.
Falls weitere Innenlagen für Signalleiterbahnen erforderlich sind, können die

Leiterbahnen einer Lage orthogonal zu den Leiterbahnen benachbarter La-
gen verlegt werden, Bild 11.3. Hierdurch lässt sich die kapazitive und induk-
tive Kopplung unterschiedlicher Signalpfade klein halten (s. a. Abschn. 3.2
und 3.3).
Bild 11.3: Orthogonale

Verlegung von Signalleiter-
bahnen auf benachbarten
Leiterplattenlagen.
Leiterplattendesign ist eine der anspruchsvollsten Tätigkeiten eines Elektro-

nikentwicklers. Nicht nur die reine Funktionalität, Materialeinsatz und
Kosten müssen bewertet werden, sondern mit den sekundären Eigenschaften

auch Entkopplung, Signalintegrität, Intra- und Inter-EMV (s. Abschn. 1.2
und 1.3).
Um einen schnellen Eindruck von der Qualität einer Lagenanordnung einer

Leiterplatte zu erhalten, kann man sich grober Kennwerte bedienen, die
nicht direkt quantitativ bestimmt, sondern relativ zu anderen Lagenvarianten
ermittelt werden. Dabei wird vorausgesetzt, dass jeweils 0V, U b und SIG
existieren und jeweils eine Lage komplett beanspruchen. Diese Bewertung
lässt jedoch die spezielle Natur der Signale, wie auch das spätere Layout je
Lage außer Betracht. Sie dient im Wesentlichen nur einer Einschätzung der
Leitenplatteneigenschaften durch qualitative Kennwerte:
- Der Begriff der Entkopplung bedeutet in diesem Zusammenhang die

mögliche Ausbildung eines Flächenkondensators zwischen 0V und U b
mit minimalem Lagenabstand. Je geringer der Abstand dieser beiden
Lagen ist, desto ausgeprägter sind die kapazitiven Effekte und umso
besser die Entkopplung.
- Die Signalintegrität gilt als gut, wenn der SIG-Lage direkt eine 0V Lage
als Nachbarlage angeordnet ist. Ist zwischen diesen beiden Lagen eine
weitere SIG- oder U b -Lage angeordnet verschlechtert sich die Signal-
integrität.
- Die Intra-EMV wird durch eine Schirmung der SIG-Lagen durch eine 0V-
Lage gegenüber der U b verbessert. Je weniger SIG-Lagen also durch eine
0V-Lage bezüglich U b geschirmt sind, desto schlechter wird die Intra-
EMV.
- Die Inter-EMV bezieht sich auf das Emissionsverhalten der Leiterplatte.
Werden alle SIG-Lagen durch eine 0V-Lage nach außen abgeschirmt und
liegen die U b -Lagen ebenfalls innen und können durch eine Kanten-
kontaktierung abgeschirmt werden, so wird eine minimale Emission
erwartet. Liegt jedoch zur SIG-Lage in direkter Nachbarschaft eine U b -
Lage, erhöht sich das Emissionspotential. Wird die U b -Lage nicht beid-
seitig durch 0V abgedeckt erhöht sich das Emissionspotential ebenfalls.
Tabellen 11.1 a) und b) stellen exemplarisch die Eigenschaften von 4-lagigen

und 6-lagigen Leiterplatten bezüglich der oben genannten Bewertungspunkte
gegenüber.
11.1 Leiterplattenwahl 437
Tabelle 11.1 a: Beispiel einer Bewertung der Lagenanordnung einer 4-lagigen Leiter-
platte:
Typ 1 Typ 2 Typ 3 Typ4

Lage 1 SIG SIG SIG 0V
Lage 2 0V SIG 0V SIG
Lage 3 Ub Ub SIG Ub
Lage 4 SIG 0V Ub SIG
Entkopplung Gut Gut Schlecht Schlecht
Signalintegrität Schlecht Schlecht Gut Schlecht
Intra-EMV Mittel Mittel Mittel Schlecht
Inter-EMV Schlecht Schlecht Schlecht Schlecht
Tabelle 11.1 b: Beispiel einer Bewertung der Lagenanordnung einer 6-lagigen Leiter-
platte:
Typ 1 Typ 2 Typ 3 Typ4

Lage 1 SIG SIG 0V SIG
Lage 2 SIG 0V Ub 0V
Lage 3 Ub Ub SIG Ub
Lage 4 0V Ub SIG SIG
Lage 5 SIG 0V Ub 0V
Lage 6 SIG SIG 0V SIG
Entkopplung Gut Gut Gut Gut
Signalintegrität Schlecht Gut Schlecht Gut
Intra-EMV Mittel Gut Schlecht Mittel
Inter-EMV Schlecht Gut Mittel Mittel
Diese Vorgehensweise ist für komplexere Leiterplattenlayouts und -lagen nur

bedingt verlässlich und versagt vollständig, wenn über die Lagenfläche
hinweg der Flächenbezug beispielsweise von SIG auf U b wechselt.
Moderne Leiterplatten-Design-Programme ermöglichen heutzutage nicht nur

das Routing und Layouting, sondern gleichzeitig eine Bewertung des Layouts
hinsichtlich der EMV und des Signalverhaltens. Feldberechnungssimu-
lationen ermöglichen teilweise auch das Abstrahlverhalten der Leiterplatte
zu simulieren.
11.2 Intrasystem-Beeinflussungen
11.2.1 Störsignalverkopplungen über gemeinsame Impedanzen
Auf einer elektronischen Baugruppe sind insbesondere Stromversorgungs-

leitungen und die Schaltungsmasse Übertragungswege elektromagnetischer
Störgrößen (galvanische Kopplung, s. a. Kap. 3). Die an den Kopplungsimpe-
danzen entstehenden Störspannungen können zu unzulässigen Schwank-
ungen der Versorgungsspannung bzw. des Bezugspotentials (engl.: VCC,
ground-ripple bzw. GND-ripple) und damit zu ungewollten Signaländerungen
führen. Im Folgenden werden einige grundsätzliche Empfehlungen für die
niederohmige bzw. niederinduktive Ausführung der Stromversorgungs- und
Masseleitungen diskutiert. Weitere z. T. auf spezielle Anwendungen be-
schränkte Maßnahmen finden sich beispielsweise in [11.16–11.20].
11.2.1.1 Ausführung der Stromversorgungsleitungen
Der logische Zustandswechsel eines integrierten Schaltkreises wird durch

einen steilen Stromimpuls ausgelöst. Da im Schaltaugenblick kurzzeitig beide
Endstufentransistoren leitend sind, fließt für diese Zeit im Hin- und Rück-
leiter der Stromversorgungsleitung zunächst ein Kurzschlussstrom iK , Bild
11.4.
+ Ub + Ub
iK + iL iK + iL iK iK
iL iEL
L H H L
CL RL CL RL
iK iK + iEL
0V 0V
a) Übergang von Low nach High b) Übergang von High nach Low
Bild 11.4: Belastung der Stromversorgungsleitungen während der logischen Zu-

standswechsel eines TTL-Schaltkreises. CL parallel R L ist die Nachbildung der Ein-
gangsimpedanz eines angeschlossenen Gatters. Die Kapazität der Leitung ist CL zu-
geschlagen.
11.2 Intrasystem-Beeinflussungen 439
Bei einem Pegelwechsel von Low nach High überlagert sich dem Strom iK
der Ladestrom iL der angeschlossenen Lastkapazitäten, was im Wesentli-
chen zu einer Belastung der +U b -Leitung führt, Bild 11.4 a). Die Höhe der
Stromimpulse ist dabei abhängig von der Schaltkreistechnologie, der Zahl
der gleichzeitig schaltenden Ausgänge und der kapazitiven Belastung [11.14,
11.21].
Beim Übergang von High nach Low werden die Leitungs- und Eingangska-
pazitäten angeschlossener Schaltkreise entladen (Strom iEL ), Bild 11.4 b). In
diesem Fall tritt zwar in der +U b -Leitung ein deutlich geringerer Strom auf,
dafür wird aber die 0V-Leitung stärker belastet.
Die mit den Schaltvorgängen verbundenen Stromimpulse rufen im Wesentli-

chen an den Induktivitäten der Stromversorgungsleitungen Störspannungen
gemäß uStör = −L di / dt hervor, die zu Einbrüchen der Versorgungsspannung
(engl.: voltage drop) bzw. kurzzeitigen Anhebungen des 0V-Potentials (engl.:
ground-bounce [11.5, 11.9]) führen. Während der Einbruch der Versorgungs-
spannung einen Einbruch des High-Pegels anderer Schaltkreise zur Folge
hat, werden durch Anhebungen des 0V-Potentials die Low-Pegel anderer an
die gleiche 0V-Leitung angeschlossener Schaltkreise angehoben.
Übliche Leiterbahnen besitzen einen mittleren Induktivitätsbelag von

10 nH/cm (s. a. Abschn. 3.1.1, Tabelle 3.1), so dass beispielsweise bei einer
Stromsteilheit von 10 mA pro Nanosekunde bereits an einer 5 cm langen
Leiterbahn ein Spannungseinbruch von 500 mV auftreten kann. Bei digitalen
Systemen sind Schwankungen von ca. 3% der Versorgungsspannung tole-
rierbar [B33]; analoge Schaltungen reagieren wesentlich empfindlicher.
Allein dieses Beispiel verdeutlicht die Forderung nach einer niederinduktiven
Ausführung der Stromversorgungsleitungen. Die Hin- und Rückleitung sollte
deshalb immer so kurz und so breit wie möglich ausgelegt werden. Ein
Beispiel für die EMV gerechte Ausführung auf einer zweilagigen Leiterplatte
wird im Abschn. 3.1.1 diskutiert.
11.2.1.2 Stützung der Versorgungsspannung
Oftmals ist es trotz niederinduktiver Auslegung der Stromversorgungs-

leitungen erforderlich, den während schneller Schaltvorgänge notwendigen
Strom kurzfristig aus sogenannten Stützkondensatoren bereitzustellen. Diese
sind bei einer Einzelbeschaltung so nah wie möglich am integrierten
Schaltkreis zwischen +U b und 0V einzufügen. Der aufgeladene Kondensator
stellt gewissermaßen ein Ladungsreservoir „vor Ort“ dar, aus dem im

Schaltaugenblick der erforderliche Strom sehr schnell zur Verfügung gestellt
und die Schwankungen der Versorgungsspannung innerhalb einer gewissen
Toleranz gehalten werden können (Pufferung der Versorgungsspannung).
Die Größe der in der Praxis benötigten Kondensatoren richtet sich nach dem
Strombedarf (Ladung) und nach der Änderungsgeschwindigkeit der er-
zeugten Logiksignale,
ΔI ⋅ Δ t
C≈ . (11-1)
ΔU
In dieser Gleichung ist ΔU der zulässige Spannungseinbruch und ΔI die

Stromänderung während der Zeit Δt .
Damit die Ladung des Stützkondensators auch schnell genug zur Verfügung
gestellt werden kann, müssen die Anschlussdrähte, die Wege im Kondensa-
torinnern sowie die Leiterbahnstrecken zwischen +U b - und 0V-Anschluss
des integrierten Schaltkreises möglichst niederinduktiv ausgeführt sein. Die
Beläge der Kondensatoren dürfen gleichfalls nur eine geringe Induktivität
aufweisen. Moderne Keramik- und oberflächenmontierbare (SMD-) Kon-
densatoren (engl.: surface-mounted device) erfüllen diese Bedingungen in der
Regel sehr gut. Detaillierte Betrachtungen über verschiedene Kondensator-
typen für Stützzwecke findet der Leser beispielsweise in [11.22].
Grundsätzlich lässt sich festhalten, dass mit zunehmender Flankensteilheit

die Stützkondensatoren umso näher an den +U b und 0V-Anschlüssen des
IC's liegen müssen. Beim klassischen corner-pinning, d.h. +U b - und 0V-An-
schluss liegen sich diagonal gegenüber, ist eine kurze Leiterbahnführung oft
nicht realisierbar, Bild 11.5 [B46].
5 nH
3 cm bzw. 30 nH
Bild 11.5: Beispiel für eine ungünstige Platzierung des Stützkondensators auf einer
einlagigen Leiterplatte.
Eine Möglichkeit, den Stützkondensator auf einer einlagigen Leiterplatte

auch bei corner-pinning induktivitätsarm zu platzieren, ist in Bild 11.6 darge-
stellt. Die Leiterbahnen für +U b und 0V werden dabei schienenartig unter
dem integrierten Schaltkreis hindurch geführt.
Bild 11.6: Induktivitätsarme Platzierung der Stützkondensatoren zur Stützung der

Versorgungsspannung.
Bei sehr schnellen Logikbausteinen sollten die Stützkondensatoren möglichst

unter das Schaltkreisgehäuse gelegt werden. Bild 11.7 [11.24] zeigt eine in-
dividuell realisierbare Möglichkeit. Stützkondensatoren für die Montage
unter oder über dem Schaltkreis sind kommerziell erhältlich (z.B. [11.25]).
0V
Stützkondensator
(SMD-Ausführung)
Leiterbahn
IC
+Ub
Bild 11.7: Mögliche Platzierung eines Stützkondensators bei schnellen Logikschalt-

kreisen (Sicht von unten).
Die Frage nach Größe und Entfernung der Stützkondensatoren hängt vom
Einzelfall ab, so auch die Frage, für wie viele Schaltkreise ein Stützondensa-
tor vorzusehen ist. Eine beispielhafte Stützung könnte folgendermaßen aus-
sehen [B33]:
– Stützkondensatoren in der Größenordnung von 2,2 μF an den Aus-

gängen der Spannungsregler auf der Netzteilplatine. Bei induktivitäts-
armer Stromzuführung kann u. U. auf diese Maßnahme verzichtet werden
[11.26].
– Stützkondensatoren in der Größenordnung von 1 μF auf der Leiterplatte,
und zwar in der Nähe des Versorgungseingangs. Diesem Nachladekon-
densator kommt die Aufgabe eines Ladungsreservoirs für nachfolgende
Stützkondensatoren zu.
– Verteilte Stützkondensatoren in der Größenordnung von 0,1 μF in Ab-
ständen von etwa 5 cm.
– Je nach Arbeitsgeschwindigkeit folgen unmittelbar an jedem Logikschalt-
kreis lokale Stützkondensatoren von 1!10 nF .
11.2.1.3 Gestaltung der Schaltungsmasse
Von wenigen Ausnahmen abgesehen (symmetrische und potentialfreie Si-

gnalübertragung) dient auf einer Flachbaugruppe die Schaltungsmasse (auch
Bezugsleiter, Bezugspotential oder 0V genannt, s. a. Abschn. 1.5.2) als
gemeinsame Rückleitung für die verschiedenen Signalstromkreise. Eine
Störung des Bezugspotentials lässt sich ausschließlich durch Kleinhalten der
Impedanz der Massestruktur vermeiden.
Die Forderung nach einer geringen Induktivität der Schaltungsmasse erfüllt

eine flächenhafte Ausführung (Massefläche, engl.: ground plane). In Bild
11.8 links ist eine optimale Massefläche zu sehen. Sie ist allerdings nur auf
einer zweilagigen Leiterplatte bei geringer Packungsdichte oder bei Verwen-
dung mehrerer Leiterplattenlagen zu realisieren.
Bild 11.8: Links: Flächenhafte Ausbildung der Schaltungsmasse auf der Rückseite
einer zweilagigen Leiterplatte [B33]. Rechts: Kompromiss einer durchgängigen Mas-
sefläche [B36].
Da der Strom infolge des Proximity-Effekts („Nähewirkung“) auch in einer

noch so breiten Rückleitung nur auf einer ähnlichen Bahn fließt wie in der
darüber liegenden Hinleitung [11.27], Bild 11.9, stellt eine entsprechende
Aufteilung der Masse in kleinere Flächen, wie in Bild 11.8 rechts dargestellt,
häufig eine ausreichende Kompromisslösung dar [11.28, B36].
Signalleiterbahnen
(Hinleitung)
Ihin
Irück
Jrück
x
0V
0V (Großflächiger Massebelag)
Bild 11.9: Zur Erläuterung des Proximity-Effekts auf einer zweilagigen Leiterplatte mit
Massefläche als Rückleitung (schematisch). Rechts: Schnitt durch die Leiterplatte.
Ein Massegitter (eng.: ground grid) erfüllt die Forderung nach geringer In-
duktivität ebenfalls recht gut. Die Diagonalen der Maschen sollten dabei
kleiner λ / 20 sein, wobei λ die Wellenlänge der höchsten auftretenden Si-
gnalfrequenz ist [B33, B36], Bild 11.10 [11.21].
λ
< 20
0V 0V
Bild 11.10: Ausbildung der Schaltungsmasse in Form eines Gitters.
Mehrlagige Leiterplatten bieten zusätzlich den Vorteil, dass sich neben der
Schaltungsmasse auch die Zuführung der Versorgungsspannung als Ebene
gestalten lässt, Bild 11.11.
Signallage
Signallage
0 V - Lage Ub - Lage
Bild 11.11: Flächenhafte Ausführung der Schaltungsmasse (0V-Lage) und Betriebs-

spannungszuführung ( U b -Lage) am Beispiel einer 4-lagigen Leiterplatte.
Abschließend sei bemerkt, dass bei Verwendung einer Multilayer-Leiterplatte

die Möglichkeit besteht, eine von der Schaltungsmasse getrennte Schirm-
fläche einzuplanen. Weiterhin können bei ausreichend vielen Lagen die
Schaltungsmasse und die Rückleitung für die Stromversorgung der aktiven
Bauelemente als getrennte Lagen ausgelegt werden. Bei gemischten Schal-
tungen sind analoge und digitale Schaltungsmassen jeweils als eigene Lagen
auszuführen. Da die Kosten für mehrlagige Leiterplatten allerdings mit der
Lagenzahl überproportional steigen, ergibt sich hier sehr schnell eine wirt-
schaftliche Grenze. Als optimale Größe für wenig komplexe Schaltungen
gelten Leiterplatten mit 4 bis 8 Lagen. Effektiv hinsichtlich der EMV lässt
sich ab 6 Lagen ein gutes Konzept entwickeln. Leiterplatten mit 30 oder
mehr Lagen werden für sehr komplexe Anwendungen realisiert.
Zur Erdung der Schaltungsmasse wurden bereits in Abschn. 1.5.2 wichtige

Anmerkungen gemacht. An dieser Stelle sei deshalb nur noch einmal darauf
hingewiesen, dass die Schaltungsmasse analoger und digitaler Schaltungsteile
sowie eines etwaigen Leistungsteils möglichst erst an der Geräte- bzw. der
Gehäuseerde zusammengeführt werden sollten.
Das gleiche gilt auch für die Schaltungsmassen verschiedener Flach-

baugruppen (s. Abschn. 1.5.2). Kabelschirme mehradriger Leitungen dürfen
niemals an die Schaltungsmasse angeschlossen werden. Schließlich sollten
an den Steckverbindungen der Baugruppen für Schaltungsmasse und
Versorgungsspannung jeweils mehrere benachbarte Pins belegt werden.
11.2.2 Übersprechen zwischen parallelen Leiterbahnen
Werden auf gedruckten Leiterplatten zwei oder mehrere Signalleiterbahnen

über längere Strecken parallel und eng beieinander geführt, können durch
Signalüberkopplungen (Übersprechen, engl.: crosstalk) virtuelle Signalspan-
nungen (Störspannungen) an den Eingängen „passiver“ Schaltkreise auftre-
ten, s. a. Abschn. 3.2 bis 3.5. Eine typische Situation zeigt Bild 11.12. Das
Nutzsignal auf der aktiven Leitung koppelt auf die benachbarte (passive)
Leitung ein Störsignal ein, das beim Überschreiten zulässiger Schwellwerte
zu einer Fehlfunktion des elektronischen Schaltkreises und somit der
gesamten Schaltung führt.
Sender
>1 uNutz(t) >1
uStör
>1 >1
uStör(t)
Empfänger
Bild 11.12: Typische Situation für das Auftreten von Störspannungen durch Über-
sprechen zwischen parallelen Signalleitungen.
Besonders schwierig ist die Beurteilung des Übersprechens auf elektrisch

langen Leitungen, wenn also die Anstiegs- und Abfallzeiten der Impulse
kleiner sind als die Laufzeit der Leitungen. Die quantitative Beurteilung des
Übersprechens erfordert eine mathematische Beschreibung gekoppelter
Mehrleitersysteme (s. Abschn. 3.4). Die hieraus ableitbaren allgemein gültigen
Ergebnisse werden im Folgenden vorgestellt.
Da die Ein- und Ausgangsimpedanzverhältnisse logischer Schaltkreise im

Low- und High-Zustand unterschiedlich sind, ergeben sich für die ange-
schlossenen Signalleitungen mehrere Kombinationen unterschiedlicher Be-
triebsbedingungen, die im Folgenden diskutiert werden. Abschließend erhält
der Leser einige allgemeine Hinweise zur Reduzierung störender Koppel-
spannungen.
11.2.2.1 Nebensprechen und Gegensprechen
Bei elektrisch langen Leitungen unterscheidet man zwischen parallelem und

antiparallelem Betrieb [B33, 11.37].
Bild 11.13: Betriebsarten zweier Signalleitungen auf digitalen Baugruppen.
Im Falle des parallelen Betriebs der Leitungen liegen sich am einen Ende
jeweils die Sender und am anderen Ende die Empfänger gegenüber, Bild
11.13 a). Der Signalfluss besitzt auf beiden Leitungen die gleiche Richtung.
Bei antiparallelem Betrieb liegt der Empfänger der einen Leitung gegenüber
dem Sender der anderen Leitung, Bild 11.13 b). Hier sind die Signalflüsse
einander entgegengerichtet.
Darüber hinaus lassen sich die durch Übersprechen auftretenden Störungen

in Nebensprechstörungen und Gegensprechstörungen klassifizieren. Die
Beeinflussung wird als Nebensprechstörung bezeichnet, wenn sich die ge-
störte Leitung im stationären Low- oder High-Zustand befindet, das heißt
passiv ist. Beim Gegensprechen sind alle Leitungen aktiv, Bild 11.14.
Sender Empfänger Sender Empfänger

>1 >1 >1 >1
Leitung 1 aktiv Leitung 1 aktiv
Leitung 2 passiv Leitung 2 passiv

>1 ustör >1 >1 ustör >1
Sender Empfänger Empfänger Sender
a) Paralelles Nebensprechen b) Antiparalleles Nebensprechen
Sender Empfänger
Sender Empfänger
>1 ustör >1
>1 ustör >1
Leitung 1 aktiv
Leitung 1 aktiv
Leitung 2 aktiv Leitung 2 aktiv

>1 ustör >1
>1 ustör >1
Sender Empfänger Empfänger Sender
c) Paralelles Gegensprechen d) Antiparalleles Gegensprechen
Bild 11.14: Zur Erläuterung der Begriffe Nebensprechen und Gegensprechen .

Nebensprechen:
Im Falle des parallelen Nebensprechens ist im Allgemeinen mit einer gerin-

gen Beeinflussung zu rechnen, Bild 11.14 a). Wegen der niedrigen Ausgangs-
impedanz des Senders ist die gestörte Leitung 2 auf dieser Seite quasi kurz-
geschlossen. Bereits mit dem Start der übergekoppelten Spannungswelle be-
ginnt auch schon die Entladung der Leitung, so dass die am Empfänger auf-
tretende Koppelspannung in der Regel zu keiner Störung führt.
Beim antiparallelen Nebensprechen verhindert der hohe Eingangswiderstand

des Empfängers zunächst den Abbau der überkoppelten Störspannung, Bild
11.14 b). Die Störspannungswelle läuft auf der gestörten Leitung zum
Sender, wird dort aufgrund des niedrigen Ausgangswiderstands mit umge-
kehrter Phasenlage reflektiert und baut erst im Zurücklaufen die Spannung
ab. Die Störspannung liegt somit über die doppelte Signallaufzeit mit nahezu
unverminderter Amplitude am Empfänger der gestörten Leitung an.
Befindet sich die gestörte Leitung auf stationärem Low-Potential, werden im

Bereich der Nutzsignalflanken impulsförmige Störspannungen übergekop-
pelt, Bild 11.15 a). Für den angeschlossenen Empfänger sind grundsätzlich
die positiven Störspannungen, das heißt die zur Umschaltschwelle hin-
zeigenden Überschwinger kritisch.
500
1,2
300
0,8
100
0,4
- 100
0
- 300
- 0,4
- 500
- 0,8
- 700
- 1,2
- 900
0 100 200 300 400 500 0 100 200 300 400 500
Zeit in ns Zeit in ns
a) b)
Bild 11.15: Beispiel für im Fall des Nebensprechens übergekoppelte Störspannungen.

a) Die gestörte Leitung befindet sich auf Low-Potential. b) Die gestörte Leitung liegt
auf High-Potential.
Liegt die gestörte Leitung auf High-Potential, ergibt sich eine etwas andere
Problemqualität. Eine übergekoppelte positive Spannung hebt die Ausgangs-
spannung des Senders über dessen High-Potential hinaus an, wodurch auch
der obere Transistor der Ausgangsstufe gesperrt wird (s. Abschn. 11.2.1.1).
Damit ist auch der Ausgang des Senders hochohmig und die gestörte Leitung
ist auf beiden Seiten hochohmig abgeschlossen. Die übergekoppelte Span-
nung steht solange an, bis sie durch eine übergekoppelte fallende Flanke
kompensiert wird, Bild 11.15 b).
Gegensprechen:
Auch für das Gegensprechen ist der antiparallele Betrieb der Signalleitungen
als kritischer einzustufen, weshalb die Betrachtungen auf diesen Fall be-
schränkt werden, Bild 11.14 c). Finden auf beiden Leitungen Signalwechsel
statt, stören sich die Leitungen gegenseitig. Sind dabei die Nutzsignalflüsse
gerade um eine halbe Periode gegeneinander versetzt, entsprechen die Ver-
hältnisse den bereits diskutierten Bedingungen des Nebensprechens. In allen
anderen Fällen überlagern sich die übergekoppelten Störspannungen und die
Nutzsignalspannungen.
Bei Leitungssystemen mit mehr als zwei gekoppelten Signalleitungen (z.B.

Bussystemen) finden im worst case auf allen Leitungen gleichzeitig Signal-
wechsel statt, wodurch erhebliche Störspannungsamplituden auftreten kön-
nen.
11.2.2.2 Allgemeine Maßnahmen zur Reduzierung des Übersprechens
Die Form und Höhe der Übersprechspannungen wird von einer Vielzahl
geometrischer, elektrischer und materialspezifischer Parameter wie
- Leiterbahnlänge, Leiterbahnbreite, Leiterbahnabstand, Leiterbahnplatten-

höhe,
- Ausgangsimpedanz der Sender, Eingangsimpedanz der Empfänger,
- Dielektrizitätszahl
in nur schwer überschaubarer Weise beeinflusst [11.29–11.39].
Um störende Koppelspannungen von vornherein klein zu halten, ist im Ver-

lauf der Leiterbahnverlegung auf möglichst kurze Koppelabschnitte zu ach-
ten. Beispielsweise können für schnelle Schaltkreistypen (AS, ECL, F- und S-
Schaltkreise) kritische Übersprechspannungen bereits bei Koppelabschnitts-
längen von 6 bis 10 cm auftreten. Für TTL-Schaltkreise liegen die Werte
zwischen 15 cm (F, AS) und 25 cm (LS, ALS) [B33]. Die Vergrößerung des
Leiterbahnabstands zeigt insbesondere im Bereich kleiner Abstände

(s < 2 mm) eine erhebliche Reduktionswirkung [11.38, 11.39].
3
a)
2
b)
1
-1
-2
-3
-4
0 20 40 60 80 100
Zeit in ns
Bild 11.16: Beispiel für die Wirksamkeit einer beidseitig mit der Schaltungsmasse
kontaktierten Schirmleiterbahn. a) Koppelabschnitt ohne Schirmleiter, b) Koppel-
abschnitt mit Schirmleiter.
In kritischen Fällen lassen sich die Koppelspannungen durch Einfügen einer

Schirmleiterbahn beträchtlich reduzieren, Bild 11.16 [11.30]. Die Schirm-
leiterbahn sollte dabei an beiden Enden niederinduktiv mit der Schaltungs-
masse verbunden werden, Bild 11.17.
Schirmleiterbahn auf beiden

Seiten mit 0V verbunden
0V
Bild 11.17: Schirmleiterbahn zur Reduzierung störender Koppelspannungen.

Hierdurch wird eine Kurzschlussschleife gebildet, deren Eigenmagnetfeld das

für die Signalüberkopplung mitverantwortliche Magnetfeld der Erreger-
schleife teilweise kompensiert (s. a. Abschn. 3.3). Zusätzlich wirkt die
Schirmleiterbahn als elektrischer Schirm, der die kapazitive Kopplung ver-
ringert (s. a. Abschn. 3.2).
Schließlich sollten die Flankensteilheit der Nutzsignale und die Taktfrequenz

immer auf das erforderliche Maß beschränkt bleiben. Bei Anstiegszeiten
unter 5 ns ist stets mit dem Auftreten kritischer Störspannungswerte zu
rechnen [11.29].
11.2.3 Signalreflexionen auf langen Leitungen
Signalreflexionen und die damit verbundenen Spannungsüberhöhungen

durch Überlagerung hin- und rücklaufender Wellen werden auf digitalen
Baugruppen im Wesentlichen durch Fehlanpassung zwischen dem Leitungs-
wellenwiderstand der Leiterbahn und der Ausgangs- bzw. Eingangsimpedanz
der angeschlossenen integrierten Schaltkreise verursacht. Weiterhin stellen
Stoßstellen, Verzweigungen und Knicke im Zuge der Leiterbahn Wellen-
widerstandsdiskontinuitäten dar, die unter Umständen ebenfalls Ursachen
für das Auftreten von Reflexionen sein können.
Während bei elektrisch kurzen Leitungen die Störsicherheit digitaler Schal-

tungen durch eine Fehlanpassung nicht nennenswert gefährdet wird, führen
die auftretenden Signalreflexionen bei elektrisch langen Leitungen an deren
Anfang zu Stufen in der ansteigenden und abfallenden Signalflanke sowie an
deren Ende zu einem Über- bzw. Unterschwingen des Nutzsignals, Bild
11.18.
U/V U/V
Spannung am Anfang Spannung am Ende
6 6
5 5
4 4
3 3
2 2
1 1
0 0
-1 -1
0 20 40 60 80 100 t/ns 0 20 40 60 80 100 t/ns
Bild 11.18: Beispiel für die Verzerrung der Nutzsignalform durch Reflexionen auf
einer elektrisch langen Leiterbahn.
Die Folge solcher Signalverzerrungen können Fehlschaltungen sowie eine

Verringerung der Verarbeitungsgeschwindigkeit des betroffenen Schaltkreises
sein. Weitere negative Begleiterscheinungen sind eine verstärkte Signal-
überkopplung sowie eine Verschlechterung des Strahlungsspektrums der ge-
samten Baugruppe.
11.2.3.1 Vermeidung von Reflexionen durch Leitungsführung
Bei digitalen Systemen kann mit der Näherungsformel [B45]
1 ( Tr , Tf )min
l krit ≈ (11-2)
2 τL
die kritische Länge abgeschätzt werden, ab der mit Signalreflexionen zu

rechnen ist. In Gleichung (11-2) ist stets der kleinere Wert der Signalan-
stiegszeit Tr bzw. -abfallzeit Tf einzusetzen. Die spezifische Signallaufzeit
τL berechnet sich für eine wie in Bild 11.19 dargestellte Mikrostreifenleitung
zu [11.28]
ε r,eff
τL = . (11-3)
c0
Hierin ist c0 die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum ( c0 = 2,997 ⋅ 108 m / s )

und ε r,eff die effektive Dielektrizitätszahl. Durch letztere wird der Einfluss
des geschichteten Dielektrikums (Luft/Leiterplattensubstrat) auf die Wellen-
ausbreitung entlang der Streifenleitung berücksichtigt.
E w εr = 1
εr > 1 h
Bild 11.19: Schnitt durch eine Mikrostreifenleitung (schematisch).

In Bild 11.20 ist die effektive Dielektrizitätszahl ε r,eff als Funktion der relati-
ven Leiterbahnbreite w/h für verschiedene relative Dielektrizitätszahlen dar-
gestellt.
4,5
εr =
5
4 4,8
4,6
3,5 4,4
4,2
4
3 3,8
3,3
2,5 3,1
2,9
2,8
2 2,5
2,9
2,1
1,5
1
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
w/h
Bild 11.20: Effektive Dielektrizitätszahl von Mikrostreifenleitungen für verschiedene

Substratmaterialien.
Eine näherungsweise Berechnung der effektiven Dielektrizitätszahl erlaubt

folgende Beziehung [11.40]
−0,5
εr + 1 εr − 1 § h·
ε r,eff ≈ + ¨ 1 + 10 ¸
2 2 © w¹
. (11-4)
Bild 11.21 zeigt eine Auswertung von Gleichung (11-2) für verschiedene
Substratmaterialien. Der Einfluss der Leiterbahnbreite w und Subtrathöhe h
auf die spezifische Signallaufzeit τL wurde dabei durch Zugrundelegung
einer aus Bild 11.20 gewonnenen mittleren effektiven Dielektrizitätszahl ver-
nachlässigt.
240 εr = 2,1
2,5
200 3,3
4,2
160 5
120
80
40
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Steilste Impulsflanke in ns
Bild 11.21: Beispiele kritischer Leiterbahnlängen für verschiedene Substratmateria-

lien, abhängig von der steilsten Impulsflanke des Nutzsignals.
Eine Verkürzung der Leiterbahnlänge auf Werte kleiner l krit kann durch ge-
änderte Leitungsführung und/oder Umplatzierung der betreffenden Bauele-
mente erreicht werden.
Die Anpassung des Leiterbahnwellenwiderstands an die Bauelementimpe-

danzen führt in der Regel zu keiner befriedigenden Lösung. Bild 11.22 zeigt
den Wellenwiderstand für gängige Leiterplattensubstrate, abhängig von der
relativen Leiterbahnbreite w/h.
320 100
2,1 εr = 1
280 2,3 90
2,5
80
240 2,8
3,3 70
200 3,8
60
160 5 50
4,6
120 4,2 40
30
80
20
0,01 0,05 0,1 0,5 1 2 3 4 5
w/h
Bild 11.22: Leitungswellenwiderstand von Mikrostreifenleitungen für verschiedene

relative Dielektrizitätszahlen.
Der Wellenwiderstand bewegt sich zwischen Werten von 20 bis 250 Ω , so

dass eine Anpassung insbesondere infolge der hohen Eingangsimpedanzen
der Logikbauelemente (TTL: einige zehn kΩ , CMOS: 1 MΩ ) nicht realisier-
bar ist.
11.2.3.2 Anpassnetzwerke
Eine weitere Verringerung des Effekts von Signalreflexionen ist das Anpassen
des Ausgangswiderstands eines Senderbauteils an den Wellenwiderstand der
angeschlossenen Leitung. Hierzu empfiehlt es sich, einen zusätzlichen Wi-
derstand R S in Serie zu schalten, Bild 11.23 a). R S ist so zu wählen, dass
der Gesamtwiderstand ungefähr dem Wellenwiderstand der Leitung
entspricht. Bei Leitungstreibern (engl.: line driver) ist dieser Serien-
widerstand in der Regel bereits vom Hersteller integriert.
Ub
Ru
a) Serienwiderstand b) Pull-Up-Widerstand
Ub
Ru
Rd Rd
c) Pull-Down-Widerstand d) Thevenin-Abschluss
Ub Ub
Ru
Rd
e) Thevenin-Abschluss für CMOS f) Dioden
Bild 11.23: Netzwerke für die sender- bzw. empfängerseitige Anpassung.

Bei der Pull-up-Anpassung auf der Empfängerseite wird ein Widerstand R u

von der Größe des Wellenwiderstands der Leitung gegen die Versor-
gungsspannung geschaltet, Bild 11.23 b). Schaltet man den Widerstand R d
dem Schaltkreiseingang parallel gegen 0V, spricht man von einer Pull-down-
Anpassung, Bild 11.23 c). Der sogenannte Thevenin-Abschluss besteht aus
der Kombination von Pull-up- und Pull-down-Widerstand, Bild 11.23 d). Bei
dieser Abschlussart sind die Widerstandswerte gleich dem doppelten
Wellenwiderstand zu wählen. Für CMOS-Bauelemente wird aufgrund ihres
hohen Eingangswiderstands eine spezielle Art des Thevenin-Abschlusses
verwendet. Hierbei wird zum Pull-down-Widerstand zusätzlich ein Konden-
sator ( C ≈ 1000 pF ) in Reihe geschaltet, Bild 11.23 e). Die Auswahl der Ab-
schlussart und der erforderlichen Bauelemente richtet sich nach der Wider-
standskennlinie des Logikbauteils. Nähere Auskunft geben hier die Daten-
blätter der integrierten Schaltkreise (z.B. [11.43, 11.44]).
Neben den z. T. vom Hersteller bereits in das Bauteil integrierten Klammer-

dioden besteht die Möglichkeit, den Eingang eines Schaltkreises zur Milde-
rung der Reflexionseffekte zusätzlich mit Dioden zu beschalten, Bild 11.23 f).
Hierdurch können die Über- und Unterschwinger des verzerrten Nutzsignals
sowie eingekoppelte Störsignale auf sichere Werte begrenzt werden.
Für Logikbauelemente ist eine ideale Anpassung aufgrund ihrer nichtlinearen

Eingangs- und Ausgangskennlinien grundsätzlich nicht erreichbar. Oft reicht
jedoch eine einseitige Anpassung aus. Eine Fehlanpassung bis zu 20% wird
dabei toleriert.
Die Verwendung von Anpassnetzwerken ist nicht ganz unproblematisch.

Durch den Einsatz von Anpasswiderständen auf der Empfängerseite rücken
das Low-Potential oder das High-Potential, im Falle des Thevenin-Ab-
schlusses sogar beide, näher an die Umschaltschwelle heran, wodurch der
statische Störabstand des Empfangsschaltkreises verringert wird. Weiterhin
verringert der zusätzliche Stromverbrauch das Fan-Out des Sendeschaltkrei-
ses, die abzuführende Verlustleistung wird größer. Wählt man an Stelle der
in Bild 11.23 eingezeichneten Betriebsspannung U b eine Hilfsspannung
UH < U b , lässt sich die im Abschluss umgesetzte Wärme erheblich reduzie-
ren. Der Aufwand für eine zusätzliche Hilfsspannungsquelle lohnt aber nur
dann, wenn auf der Leiterplatte mehrere lange Leitungen angepasst werden
müssen [11.37]. Für Leitungswellenwiderstände kleiner 50 Ω sind Anpass-
netzwerke häufig nicht mehr geeignet, da in den meisten Fällen die Strom-
aufnahme unzulässig groß wird. Ein weiterer Nachteil der Anpassnetzwerke
besteht darin, dass auf der Leiterplatte mit entsprechendem Kostenaufwand

zusätzliche Bauelemente unterzubringen sind.
11.3 Intersystem-Beeinflussung durch Störabstrahlung
Auf Leiterplatten wirken insbesondere Signal- und Stromversorgungsleitun-

gen als unbeabsichtigte Sendeantennen [11.45]. Aber auch hochintegrierte
Schaltkreise (z. B. Mikroprozessoren) sowie an die Baugruppe angeschlosse-
ne Leitungen können elektromagnetische Energie in nennenswerter Größe
abstrahlen.
11.3.1 Abstrahlung von Signalstromschleifen
Da auf Signalleiterbahnen im Wesentlichen Ströme geschaltet werden, kön-

nen die aus Hin- und Rückleitung aufgespannten Leiterbahnschleifen als
Rahmenantennen interpretiert werden, Bild 11.24.
(z)
H
Abstrahlfläche
θ Hr
r
Hθ
E (y)
(x)
Bild 11.24: Störabstrahlung von Leiterbahnschleifen auf einer einlagigen Leiterplatte

und das Feld einer Rahmenantenne im Kugelkoordinatensystem r, φ, θ .
Im Frequenzbereich ergeben sich in der Umgebung einer Rahmenantenne

mit einer Windung und der Fläche A im Kugelkoordinatensystem r, φ, θ fol-
gende Ausdrücke für die komplexen Amplituden der Feldvektoren (s. a.
Abschn. 5.1) [11.40]:
11.3 Intersystem-Beeinflussung durch Störabstrahlung 457
2
îA sin θ ª 2π § 2π · º § 2π ·
Hθ = 3 «
1 + j r + ¨ j r ¸ » exp ¨ − j r ¸ , (11-5)
2
j 4πr ¬« λ © λ ¹ »¼ © λ ¹
îA cos θ ª 2π º § 2π ·
Hr = 3 «
1 + j r » exp ¨ − j r ¸ , (11-6)
2
j 2πr ¬ λ ¼ © λ ¹
îAZ0 cos θ ª 2π º § 2π ·
Hφ = «1 + j r » exp ¨ − j r ¸ . (11-7)
j2λr 2
¬ λ ¼ © λ ¹
Die Feldstärken hängen somit von der aufgespannten Schleifenfläche A, dem

Scheitelwert des Wechselstroms î , der Frequenz f = c0 / λ ( c0 = Lichtge-
schwindigkeit im freien Raum) und dem Abstand r zwischen Störquelle und
Störsenke ab.
Eine durchdachte Masse und Stromversorgung hinsichtlich der Aussendung

und Empfänglichkeit von Störungen zielt im Wesentlichen darauf ab, die von
Hin- und Rückleitungen gebildeten Schleifenflächen zu minimieren, Bild
11.25.
Abstrahlfläche Abstrahlfläche
0V
0V
Bild 11.25: Vergleich der wirksamen Abstrahlfläche bei einer einlagigen Leiterplatte
(links) und einer zweilagigen Leiterplatte mit Massefläche (rechts).
Aus diesen Abhängigkeiten lassen sich unmittelbar nachfolgende Maßnahm-

en zur Reduzierung der Störstrahlung ableiten.
Schleifenflächen kritischer Leiterbahnen (insbesondere Taktsignalleitungen)

sind möglichst klein zu halten. Auf einer einlagigen Leiterplatte sind hierzu
Signalhin- und -rückleitungen so dicht zusammen wie möglich zu verlegen,
Bild 11.26.
+ +
IC C IC
a) b)
Bild 11.26: Einfacher Aufbau einer Stromversorgung auf Flachbaugruppen. a)

schlecht (große Leitungsfläche), b) gut (minimierte Leitungsfläche mit Stützkonden-
satoren)
Durch eine großflächige Schaltungsmasse auf der Rückseite zweilagiger Lei-

terplatten oder eine Masselage bei mehrlagigen Leiterplatten lassen sich klei-
ne Abstrahlflächen ohne großen Aufwand realisieren.
Bei synchronen Schaltungen gilt:

– Die Taktfrequenz ist so klein wie möglich zu halten (reduziert die
Grundfrequenz f1 = 1/ T , T = Periodendauer),
– steile Signalflanken sind zu vermeiden (reduziert die obere
Knickfrequenz f0 = 1/( πTr ) in der EMV-Tafel (s. Abschn. 1.6.3.1)) und
– nicht für Leiterbahnen beanspruchte Flächen sollten als
Kupferkaschierung bestehen bleiben [11.46, 11.47]. Beispielsweise
führt eine Reduktionsschleife am Rand einer Leiterplatte in 3 mm
Abstand bereits zu einer Verringerung der abgestrahlten magnetischen
Feldstärke um ca. 6dB. Eine als Schirmfläche dienende geschlossene
Kupferfläche auf der Rückseite einer Leiterplatte reduziert die
Feldstärke um ca. 10dB.
11.3.2 Abstrahlungsprobleme bei hochintegrierten Schaltungen
Aufgrund der hohen Integrationsdichte und der enormen Signalverarbei-

tungsgeschwindigkeit stellen Mikroprozessoren und andere hochintegrierte
Schaltungen (z. B. anwenderspezifische integrierte Schaltkreise ASIC's
(engl.: Application Specific Integrated Circuit)) nicht zu vernachlässigende

Störstrahlungsquellen dar. Innerhalb der integrierten Schaltung bilden die
Bonddrähte zu den äußeren Gehäuseanschlüssen sowie die Leiterbahnen auf
dem Siliziumsubstrat ungewollte Antennen. Besonderes Augenmerk ist auf
die externen Stromversorgungsleitungen zu legen. Durch direktes Nebenein-
anderlegen der Anschlüsse für Versorgungsspannung und 0V lässt sich die
resultierende Abstrahlfläche sowohl auf der integrierten Schaltung als auch
auf der Leiterplatte erheblich reduzieren.
Bild 11.27 zeigt, wie durch verschiedene Pin-Belegungen die wirksame

Abstrahlfläche minimiert werden kann [11.48]. Das Pin-Out in Bild 11.27
rechts kommt zusätzlich der induktivitätsarmen Platzierung eines
Stützkondensators sehr entgegen. Mehrere U b - und 0V-Anschlüsse
unterstützen die Bildung kleiner Schleifenflächen auf der Leiterplatte [11.49,
11.50].
Abstrahlfläche
Ub
Ub 0V
0V Ub 0V
Bild 11.27: Einfluss der Pin-Belegung auf die wirksame Abstrahlfläche.
Bei Mikroprozessoren kann durch eine interne Schaltlogik vermieden wer-

den, dass die Ausgangstransistoren der Ausgangstreiberschaltungen gleichzei-
tig durchschalten. Hierdurch lassen sich hochfrequente Störsignale reduzie-
ren, die von den Stromversorgungsleitungen auf der Leiterplatte abgestrahlt
werden können. Dieser Effekt lässt sich durch Abrunden der Signale an der
Stelle des High-Low-Übergangs des Ausgangssignals (engl.: output wave
shaping) zusätzlich unterstützen [11.5, 11.51].
Bei Bussignalen führt das synchrone Schalten mehrerer Signale zu einer

Überlagerung der spektralen Anteile der Einzelsignale. Bereits ein geringfügi-
ger zeitlicher Versatz der Schaltflanken von Bussignalen (engl.: skewing)
kann hier zu einer deutlichen Reduzierung der Störabstrahlung beitragen.
Eine Einschränkung für das Skewing stellt allerdings die Taktrate dar. Je hö-
her die Taktrate ist, desto weniger Zeit bleibt für das Skewing.
Ist eine minimal notwendige Arbeitsfrequenz erforderlich, sollte diese bei-

spielsweise erst innerhalb eines IC's vervielfacht werden (und zwar nur dort
wo es erforderlich ist). Das Abschalten nicht benötigter Steuersignale ver-
ringert zusätzlich das Störpotential der integrierten Schaltung [11.49, 11.52].
Gehäuse von hochintegrierten IC‘s, wie moderne Mikroprozessoren, sind
heutzutage nicht mehr durchsteckmontierbar (engl.: Through Hole
Technology, THT). Sie werden meist als oberflächenmontierbares Bauteil
realisiert (engl.: Surface Mounted Devices, SMD), um Abstrahleffekte durch
Anschlussleitungen zu vermeiden. Bei leistungsfähigen Mikroprozessoren ist
die Anzahl der Pins derart hoch, dass die Seiten nicht mehr ausreichen, um
die Anschlüsse oder SMD-Kontaktierungen aufzunehmen. Deshalb haben
moderne IC‘s häufig keine Pins mehr an den Seiten, sondern sie werden
mittels Kontaktflächen (Land Grid Array, LGA), Pins (engl.: Pin Grid Array,
PGA) oder Lotkugeln (engl.: Ball Grid Array, BGA) an der Unterseite des
Gehäuses auf der Platine befestigt, Bild 11.28.
Bild 11.28: Darstellung eines BGA-ICs.
Des Weiteren sind die unterschiedlichen geometrischen Abstände der

elektrischen Anschlüsse auf einem (ungehäusten) Halbleiterchip (engl.: Die)
und der Leiterplatte zu überbrücken. Die Anschlüsse des IC-Dies (engl.:
Pads) werden mittels Golddraht an ein Zwischenmaterial angeschlossen.
Dieses Zwischenmaterial ist ein gestanztes Kupferblech (engl.: Leadframe)
oder eine miniaturisierte Platine, sogenanntes Substrat. Neue Technologien
verzichten auf Drähte. Dabei wird die funktionale Seite des IC‘s nach unten
auf die Kontaktfläche aufgesetzt (sogenannte Flip-Chip Technologie). Der
Anschluss an die Leiterplatte erfolgt schließlich über „Beinchen“ (Pins) oder
über kleine Lotkugeln (Balls). Diese Art der Anschlusstechnik weist ein weit-
aus besseres Hochfrequenz- und EMV-Verhalten auf als die ursprüngliche
Anschlussart und wird heutzutage in hochentwickelten IC‘s angewendet.
11.3.3 Maßnahmen an Störquellen
Um Schaltungen hinsichtlich der EMV zu optimieren, bedarf es nicht nur

eines optimalen Layouts, sondern ebenfalls der Reduzierung der Störungen
am Ort deren Entstehung auf der Baugruppe selbst. Diese Störungen beruhen
im Wesentlichen auf
- Störungen auf Netzversorgungsleitungen und angeschlossenen Signalleit-

ungen,
- dem Schalten von Relais-Kontakten oder Halbleiterschaltern auf der Bau-
gruppe,
- integrierten Spannungs- und Stromversorgungen (Wechselrichter, Gleich-
richter, Stromrichterschaltungen (IGBT, etc.)),
- systembedingten Nutzfrequenzen (Bustakt, Prozessortakt, HF-Signaler-
zeugung.
Letztgenannte Störquellen sind nur im geringen Umfang reduzierbar, da sie

zum Betrieb des Geräts inhärent notwendig sind.
Geräte, die durch ein Wechsel- oder Gleichstromnetz versorgt werden,

unterliegen damit auch deren ungewollten Einflüssen. Netzgeführte Störung-
en stammen in der Regel von den angeschlossenen Verbrauchern oder von
Stromrichtern. Diese können kapazitiv, induktiv oder galvanisch einge-
koppelt sein. Eingestrahlte Störungen auf die Netzleitung sind meist von
geringer Bedeutung. Ausnahmen bilden unter anderem in der Nähe befind-
liche starke Sender wie Radarstationen oder andere leistungsstarke HF- oder
impulserzeugende Geräte. Beeinflussungen eines Geräts über ein Medium,
das nicht zum gewollten Empfang von Signalen verwendet wird (wie
beispielsweise Stromversorgungsleitungen), nennt man Back-Door Coupling.
Bei der Einkopplung über Empfangseinrichtungen, wie z. B. Antennen,

(engl.: Front-Door Coupling) sind gestrahlte Felder jedoch wieder von Be-
deutung. Dazu kommen selbstverständlich Einkopplungen durch Blitzschlag
(direkt/indirekt, s. a. Abschn. 2.4.6) oder durch Hochspannungsleitungen (s.
Abschn. 2.3.4). Durch Filternetzwerke (s. Abschn. 4.1) und Überspannungs-
schutz (s. Abschn. 4.2) lässt sich eine Baugruppe ausreichend gegen die lei-
tungsgekoppelten Störungen schützen.
Wird auf der Baugruppe eine wechsel- oder gleichgerichtete Spannung

erzeugt, kann dies sowohl zu Intra-, wie auch Intersystem-Beeinflussungen
führen. Insbesondere Leistungshalbeiter, beispielsweise IGBTs (engl.:
insulated-gate bipolar transistor), weisen durch ihre schnellen, steilflankigen
Schaltvorgänge ein erhöhtes Störpotential auf. Vor allem bei induktiven
Lasten (z. B. Drehstrommotoren) werden diese Schaltvorgänge zum Pro-
blem, da beim Schalten Spannungs- und Stromänderungen entstehen und
gemäß dem Induktionsgesetz eine Selbstinduktionsspannung in der Spule
entsteht, s. a. Abschn. 2.4.2 und 10.1.). Die übliche Entstörpraxis stützt sich
auf den Einsatz handelsüblicher Filtersätze, die am netzseitigen Geräte-
anschlusspunkt angeordnet werden, Bild 11.29.
Zwischenkreis
Netzfilter Leitung Motor
Netz CZ
Bild 11.29: Darstellung eines „klassisch“ schlecht entstörten Stromrichters mit Stör-
signalpfad (gestrichelt).
Diese Filter verringern jedoch nur netzseitig leitungsgeführte Störungen und

verhindern nicht die Intrasystem-Beeinflussung. Störungen auf der Aus-
gangsseite werden ebenfalls nicht reduziert. Bei entsprechender Last werden
Störungen dann von den Anschlussleitungen abgestrahlt. Die Störfrequenzen
können bis zu 100 MHz und mehr betragen. Die meist empirische Vor-
gehensweise zur Bestimmung aufwendiger Netzfilter führt hier also nicht zur
gewünschten Verbesserung der EMV.
Effektiver ist ein Schaltungsentwurf unter Berücksichtigung der konstruk-

tiven Umsetzung, die von Anfang an die Optimierung von Ausbreitungs-
wegen von der Entstehungsursache bis zur Störsenke im Auge hat. Dies
geschieht bei IGBT-Stromrichtern entweder durch den Einsatz selektiver
Sperrkreise, die Ausbreitungswege für die Störströme hochohmig machen,

oder durch den Einsatz selektiver Saugkreise, die niederohmige Kurzschluss-
pfade für die Störströme schaffen [B50], s. Bild 11.30.
Zwischenkreis
Netzfilter Leitung Motor
Netz CZ
Schutzleiterdrossel
Bild 11.30: Darstellung eines adäquat entstörten Stromrichters mit Störsignalpfad

(gestrichelt) [B50].
Hier ist zu erkennen, dass sich der Hauptstörpfad im Zwischenkreis selbst

befindet. Der Schutzleiter bleibt weitgehend frei von Störströmen, ebenso der
Netzfilter, auf den bei einer guten Auslegung verzichtet werden kann.
Ergänzend kann über die Ausgangsleitung entweder eine Gleichtaktdrossel

oder ein Kabelschirm gesetzt werden. Die Gleichtaktdrossel blockt zusätzlich
leitungsgebundene Störungen nach außen. Der Kabelschirm verhindert ein
Abstrahlen der Störungen in die Umgebung. Die Motorleitungen werden
über Durchführungskondensatoren durch ein schirmendes Zwischenkreis-
gehäuse geführt.
Obiges Beispiel des Stromrichters veranschaulicht den grundlegenden

Gedanken der Störunterdrückung an der Störquelle: Nämlich das Erkennen
des Störpfads und dessen Minimierung, bzw. das Umleiten der Störung auf
kürzestem Weg zur Störquelle zurück. Dieser Gedanke findet sich im
einfachsten Sinne bei Stütz- und Abblockkondensatoren an IC‘s wieder
(Abschn. 11.2.1.2) und sucht seine Perfektion bei komplexen Baugruppen,
die sowohl Leistungselektronik als auch sensible Regeltechnik enthalten.
12 EMV-Normung und CE-Konformität
12.1 Einführung in das EMV-Vorschriftenwesen
Aufgrund der ubiquitären Präsenz der EMV-Problematik in allen Gebieten

der Elektrotechnik und ihren zahllosen Anwendungen in anderen Branchen
haben sich in der Vergangenheit die verschiedensten Gremien mit EMV-
Normungsaktivitäten befasst. Diese Vielfalt, verbunden mit der generellen
Komplexität der EMV-Thematik und den europäischen Harmonisierungs-
bestrebungen, lässt das Vorschriftenwesen sehr heterogen erscheinen. Um
den Einstieg in diesen Problemkreis zu erleichtern, werden im Folgenden die
Grundzüge und der heutige Stand der EMV-Normung näher erläutert.
Gemäß Kap. 1 sind Kriterien für die elektromagnetische Verträglichkeit eines

Geräts einerseits die Nichtüberschreitung bestimmter Emissionsgrenzwerte,
andererseits die Immunität gegenüber bestimmten Immissionsgrenzwerten.
Beide Kriterien können durch intelligente Systemauslegung, bzw. Leitungs-
führung und gezielten Einsatz von Entstörmitteln bzw. -maßnahmen erfüllt
werden (s. a. Kap. 4).
Aus dieser Sicht lassen sich die EMV-Normen grob in drei bzw. sechs Klas-
sen einteilen (s. a. Abschn. 12.3)
Emissions-Grenzwerte
Emissionsnormen ®
¯ Emissions-Messverfahren und -geräte
Immissions-Grenzwerte (Prüfschärfen)
Störfestigkeitsnormen ®
¯ Störfestigkeits-Prüfverfahren und -geräte
Entstörmittel-Eigenschaften
Entstörmittelnormen ®
¯ Entstörmittel-Prüfverfahren und -geräte

466 12 EMV-Normung
Die Thematik Emission ist Gegenstand der bereits Jahrzehnte bestehenden

klassischen Funk-Entstörung und war in der Vergangenheit durch das Gesetz
über den Betrieb von HF-Geräten (Hochfrequenzgerätegesetz – „HFrG“)
gesetzlich geregelt (das am 31.12.1995 außer Kraft trat) [1.3]. Seit dem
13.11.1992 ist das neue Gesetz über die Elektromagnetische Verträglichkeit
von Geräten „EMVG“ in Kraft, das sowohl die Emission als auch die
Thematik Immission, das heißt, Störfestigkeit bzw. Immunität, regelt. Im
Rahmen von Übergangsbestimmungen [12.13] galt das „HFrG“ parallel zum
neuen EMV-Gesetz bis zum 31.12.1995 und lief dann endgültig aus. Die
Thematik Entstörmittelnormen schließlich betrifft nur das Innenverhältnis
Hersteller/Kunde und berührt den Gesetzgeber im Regelfall nicht.
Die hier vorgenommene übersichtliche Einteilung lässt sich in praxi aufgrund

branchen-, produkt- und umgebungsspezifisch unterschiedlicher Grenzwerte
sowie angesichts der historischen Entwicklung der EMV-Normung derzeit
nicht konsistent realisieren, so dass wahlweise aus übergeordneten Gesichts-
punkten oder historischen Gründen andere Gliederungen praktiziert werden
(s. Abschn. 12.2 und 12.7). Zunächst betrachten wir jedoch die Normungs-
gremien und die rechtlichen Grundlagen der EMV-Normung. Ein Abschnitt
über die Erlangung des Nachweises der Normen- bzw. Gesetzeskonformität
sowie drei nach unterschiedlichen Gesichtspunkten gefilterte Zusammen-
stellungen derzeit verfügbarer Normen schließen das Kapitel ab.
12.2 EMV-Normungsgremien
Auf internationaler Ebene obliegt der IEC (International Electrical Com-

mission) die Normung der gesamten Elektrotechnik und in diesem großen
Rahmen auch die EMV-Normung. Innerhalb der IEC befasst sich mit EMV-
Fragen vorrangig CISPR (Comité International Spécial des Perturbations
Radioélectriques). Die von CISPR unter internationaler Beteiligung erarbei-
teten Empfehlungen bzw. Bestimmungen schaffen die gemeinsame fachliche
Grundlage für die nationalen Bestimmungen der Mitgliedsländer.
In Deutschland liegt der Schwerpunkt der EMV-Normungsarbeit im Komitee

des DKE (Deutsche Elektrotechnische Kommission), deren Unterkomitees in
Teilbereichen der EMV arbeiten und für die Festlegung der entsprechenden
DIN VDE und DIN Normenreihen zuständig sind.
12.2 Normungsgremien 467
Um nationale und internationale Normen als europäische Normen (EN) zu

harmonisieren, wie es von der EG-Kommission in EG-Richtlinien festgelegt
ist, wurde die CENELEC (Comité Européen de Normalisation Electro-
technique) und ETSI (European Telecommunication Standards Institute)
geschaffen, deren technische Komitees (TC) sich mit dieser Aufgabe befassen,
siehe Bild 12.1.
Bild 12.1: Hierarchische Struktur der EMV-Normungsgremien. Innerhalb der Gre-

mien bearbeiten meist mehrere Technical Committees und, innerhalb dieser, sog..
Workings Groups die zahlreichen Facetten der EMV. Erläuterung der Abkürzungen
siehe Text.
Die CENELEC besteht aus dem europäischen Verband der nationalen

Normungsinstitute auf dem Gebiet der Elektrotechnik aus EG, EFTA sowie
weiteren mittel- und osteuropäischen Ländern.
468 12 EMV-Normung
Die vielfältigen rein nationalen Normen und technischen Regeln wurden in

in der jüngeren Vergangenheit weitgehend durch Europäische Normen (EN)
ersetzt. Diese entstehen auf unterschiedliche Weise:
– als von der Europäischen Kommission geforderte Normen zur Ausfüllung

der in EG-Richtlinien aufgestellten grundsätzlichen Anforderungen
– als Einbringung nationaler „amtlicher“ oder „halbamtlicher“ Verord-
nungen und Richtlinien in Form von Normvorschlägen über die natio-
nalen Normungsinstitute (die Mitglieder von CEN bzw. CENELEC sind)
– als Vorschläge der interessierten Fachkreise über die nationalen Nor-
mungsinstitute oder durch kooperierende Konsortien direkt bei CEN bzw.
CENELEC
– als Vereinheitlichung (Harmonisierung) unterschiedlicher nationaler
Normen im Rahmen von CEN bzw. CENELEC
– als Übernahme international (weltweit) harmonisierter Normen (ISO-
bzw. IEC-Publikationen).
Entsprechend dem Dresdener Abkommen von 1996 werden grundsätzlich

alle Normentwürfe der IEC zeitgleich im Rahmen einer Parallelen Umfrage
auch bei CENELEC zur Kommentierung und im Rahmen der anschlie-
ßenden Parallelen Abstimmung zur Annahme gestellt. Die von CENELEC
ratifizierten (verabschiedeten) Europäischen Normen (EN) müssen von allen
CENELEC-Mitgliedern als identische Nationale Normen übernommen wer-
den – in Deutschland durch die DKE als DIN EN.
12.3 Normungsklassen
Innerhalb von CENELEC befasst sich mit EMV-Fragen das Technical Com-
mittee 110, das auch die Störfestigkeit umfassend normt. Die Normen sind
inhaltlich in drei Klassen eingeteilt:
– Fachgrundnormen/Generic Standards beschreiben die Minimalanforder-

ungen für Störaussendung und Störfestigkeit, gekoppelt an die Um-
gebungsart, z. B. Wohnbereich, Industrie, spezielle EMV-Umgebung.
– Grundnormen/Basic Standards beschreiben phänomenbezogene Mess-
und Prüfverfahren zum Nachweis der EMV sowie die geforderten Grenz-
werte (Wichtig zum Beispiel für Hersteller von EMV-Prüfeinrichtungen).
12.3 Normungsklassen 469
– Produktfamlien~ oder Produktnormen/Product Standards enthalten de-

taillierte Angaben über Prüf- und Messaufbauten, Betriebsbedingungen
des Prüflings beim Messen bzw. Prüfen, zulässige Grenzwerte und Prüf-
schärfen etc. für bestimmte Produktfamilien oder Produkte.
Bild 12.2 zeigt die Anwendungsreihenfolge der erwähnten Anforderungen.
Auswahl der
Grenzwerte und Prüfverfahren
nein Produktnorm
vorhanden?
ja
Produktnorm
Emissions- und teilweise nein

Immunitätsgrenzwerte Emissionsgrenzwerte
Immunitätsgrenzwerte
vorhanden? vorhanden?
vorhanden?
ja ja ja
Grenzwerte der Immunitätsgrenzwerte Emissionssgrenzwerte

Produktnorm/ der der
Product-Standard Produktnorm/ Produktnorm/
Product-Standard Product-Standard
Fachgrundnorm
Ergänzende Grenzwerte der
Produktfamiliennorm nein Fachgrundnorm/
vorhanden? Generic-Standard
z.B. EN 61000-6-x
ja
Heimbereich/ Einsatzbereich
Ergänzende Grenzwerte der Industriebereich
Kleinindustrie
Produktfamiliennorm/
Product-Standard
Prüfverfahren
Grundnorm/
Basic-Standard
z.B. EN 61000-4-x
Bild 12.2: Normenauswahl zur Konformitätsbestimmung
Seit 01.01.1992 sind die neuen Europanormen, soweit sie im Amtsblatt der
EG gelistet sind, rechtlich verbindlich. Die am 30.06.1992 existierenden,
470 12 EMV-Normung
vergleichbaren nationalen Normen blieben im Rahmen einer Übergangs-

regelung bis 31.05.1995 alternativ (jedoch ohne die Möglichkeit zur CE-
Kennzeichnung) dazu in Kraft. Seit 01.01.1996 sind die Forderungen an den
freien Warenverkehr innerhalb der EG zu erfüllen, es gelten heute aus-
schließlich die neuen Europanormen bzw. mit ihnen harmonisierte nationale
Normen. Die CENELEC-Europanormen bilden bereits seit geraumer Zeit die
Grundlage für die Harmonisierung nationaler Normen innerhalb der EG-
Mitgliedsländer.
Der Vollständigkeit halber sei noch die Thematik Spektrum-Management

erwähnt. Mit dem Aufkommen der ersten Funksender ergab sich sehr rasch
die Notwendigkeit internationaler Absprachen über eine koordinierte Nut-
zung des Hochfrequenzspektrums. Seit diesen ersten Anfängen obliegt das
Spektrum-Management weltweit der ITU (engl.: International Telecommu-
nication Union, franz.: UIT).
Innerhalb der ITU
– koordiniert das IFRB (International Frequency Regulation Board) in

Verbindung mit den Radio Regulations [2.3] weltweit die Sendefrequen-
zen (engl.: frequency allocation),
– befasst sich das ITU-R (Radiocommunication Bureau), früher CCIR
(Comité Consultatif Internationale de Radiocommunication), mit
technischen und betrieblichen Fragen des Funkverkehrs (und arbeitet
daher eng mit dem IFRB zusammen),
– befasst sich das ITU-T (Telecommunication Standardization Sector),
gegründet am 1. März 1993, früher CCITT (Comité Consultatif Télé-
graphique et Téléphonique), mit technischen und betrieblichen Fragen des
Telegrafie- und Telefonverkehrs.
Auch die mit der ITU getroffenen Vereinbarungen sind rechtlich verbindlich
(s. a. Abschn. 12.4). Auf die Thematik Spektrum-Management wird hier je-
doch nicht weiter eingegangen, da sie für die überwiegende Zahl der Leser
dieses Buches wenig relevant ist. Zusätzliche Information findet man
beispielsweise in [2.1].
Neben den genannten Normungsgremien, die in Zusammenarbeit mit dem

Gesetzgeber oder in seinem Auftrag rechtlich verbindliche EMV-Normen
erarbeiten, gibt es weitere, oft branchenspezifische nationale oder internatio-
nale Gremien, deren Normen zwar nicht rechtlich verbindlich sind, deren
Befolgung aber im ureigensten Interesse eines Herstellers liegen, will er am
12.3 Normungsklassen 471
Markt angemessen beteiligt sein. Typische Beispiele sind die NAMUR Stör-
festigkeitsnormen der chemischen Industrie, ISO-Normen in der Automo-
bilindustrie, RTCA- bzw. EuroCAE-Normen der Luftfahrtindustrie, die
ASTM-Norm für Messzellen zur Bestimmung der Schirmdämpfung leit-
fähiger Kunststoffe usw. (s. Abschn. 12.5).
Schließlich seien zur Vollständigkeit die vom Bundesamt für Wehrtechnik

und Beschaffung (BWB) herausgegebenen Verteidigungsgeräte-Normen er-
wähnt (VG-Normen), die umfassend besondere Aspekte von Verteidigungs-
geräten und insbesondere das Zusammenwirken einzelner Komponenten in
Systemen (Intrasystem-Beeinflussung) berücksichtigen [B24 u. B25]. Sie ent-
sprechen in weiten Teilen amerikanischen Militärnormen (Mil-Standards).
12.4 Rechtliche Grundlagen der EMV - Normung
In der Bundesrepublik wird die elektromagnetische Verträglichkeit elektri-

scher und elektronischer Geräte durch DIN VDE-Normen bzw. europäisch
harmonisierte EN-Normen geregelt. Waren in der Vergangenheit lediglich
maximal zulässige Emissionen gesetzlich begrenzt, werden heute auch
Mindestanforderungen an die Störfestigkeit per Gesetz festgeschrieben [12.3
bis 12.7, u. 12.10–12.13].
Die rechtlichen Grundlagen für die EMV-Normung bilden das
– EMV-Gesetz „EMVG“. (Es betrifft alle Geräte, die elektromagnetische

Störungen verursachen können (früher Hochfrequenzgeräte genannt) oder
deren Betrieb durch diese Störungen beeinträchtigt werden kann. Mit
anderen Worten, alle elektrischen und elektronischen Apparate, Anlagen
und Systeme, die elektrische oder elektronische Bauteile enthalten. Es gilt
nicht für kommerziell vertriebene Amateurfunkeinrichtungen sowie einige
weitere Geräte, für die besondere Richtlinien bestehen. Das EMVG bein-
haltet die Umsetzung der Rahmenrichtlinie 89/336/EWG des Rates der
EG zur EMV in deutsches Recht [12.10, 12.13 bis 12.15]). Es ist seit
13.11.1992 in Kraft und künftig die wichtigste, übergeordnete rechtliche
Grundlage. Die Rahmenrichtline 89/336/EWG wurde durch die Rahmen-
richtlinie 2004/108/EC am 31.12.2004 ersetzt. Die Umsetzung dieser
Richtlinie in deutsches Recht ist seit 26.02.2008 verbindlich, der
Gesetzestext wurde am 29.02.2008 im Bundesgesetzblatt veröffentlicht.
472 12 EMV-Normung
Das EMVG wendet sich an Inverkehrbringer (Hersteller und Importeure)

und Betreiber, vorwiegend jedoch an Erstere.
– Fernmeldeanlagengesetz „FAG“ (betrifft die Erteilung von Genehmigun-
gen zum Errichten und Betreiben von Anlagen und Geräten der Nach-
richtenübermittlung, z. B. Rundfunksender, Telefon, Telegrafie, Telefax
etc. [12.1]). Es galt noch bis 31.12.1997 und wurde ab 01.01.1998 durch
das sogenannte Telekommunikationsgesetz „TKG“ ersetzt, das die Auf-
hebung des Kommunikationsmonopols der Bundespost, beispielsweise die
Existenz privater Kommunikationsnetze etc. berücksichtigt.
Bis zum 31.12.1995 gab es noch die beiden folgenden Gesetze:
– Funkstörgesetz „FunkStörG“ (Gesetz zur Umsetzung von EG-Richtlinien

über die Vereinheitlichung der Funkentstörung in nationales Recht
[12.2]). Dieses Gesetz wurde am 13.11.1992 durch das EMVG ersetzt und
trat am 31.12.1995 außer Kraft. Es wandte sich an Inverkehrbringer.
– Hochfrequenzgerätegesetz „HFrG“ (betraf alle nicht Kommunikations-
zwecken dienenden Geräte, die beabsichtigt oder unbeabsichtigt elektro-
magnetische Energie im Bereich 10 kHz bis 3000 GHz erzeugen [1.3],
sog. Hochfrequenzgeräte). Das „HFrG“ ist seit 13.11.1992 durch das neue
EMV-Gesetz ersetzt und lief am 31.12.1995 endgültig aus. Das Gesetz
wandte sich zwar formal nur an Betreiber, wurde jedoch in praxi so ge-
handhabt, dass Hersteller und Händler bei Standardgeräten für den Be-
treiber bereits eine „Allgemeine Genehmigung“ erwirkt hatten und ver-
langte nur in Spezialfällen, dass der Betreiber selbst zusätzlich eine „Ein-
zelgenehmigung“ erwirkte. Bezüglich des Emissionsschutzes war der
Unterschied zum neuen EMVG daher nur gering.
Nichtbefolgung rechtlich abgedeckter EMV-Normen stellt eine Ordnungs-

widrigkeit dar, die durch hohe Geldstrafen geahndet wird. Darüber hinaus
können die betreffenden Geräte eingezogen werden (s. z. B. [12.2]).
Schließlich sei zumindest erwähnt, dass auch die Zuweisung von Sende-
frequenzen für Radio- und Fernsehrundfunksender durch die ITU (s. Abschn.
12.1) rechtlich abgedeckt ist [12.11].
Die Zuständigkeiten für Einhaltung und Überwachung sowie Novellierung

des EMV-Gesetzes haben sich im Laufe der Zeit öfter geändert. Nach der
Auflösung des Bundesministeriums für Post und Telekommunikation
(BMPT) übernahm das Bundesministerium für Wirtschaft (BMWi) die
weitere Überarbeitung der EMV-Vorschriften. Zusätzlich wurde das Bundes-
12.4 Rechtliche Grundlagen der EMV-Normung 473
amt für Post und Telekommunikation (BAPT) restrukturiert und in die Regu-
lierungsbehörde für Telekommunikation und Post (RegTP) umbenannt. Diese
ging im Juli 2005 in der Bundesnetzagentur für Elektrizität, Gas, Telekom-
munikation, Post und Eisenbahnen (BNetzA) auf. Die BNetzA überwacht
jetzt die gesetzlichen Vorgaben des EMV-Gesetzes und greift bei Verstößen
regulierend ein.
Die Bundesnetzagentur erteilt an Betreiber sogenannte Betriebsgenehmi-

gungen für Kommunikationssender, nicht Kommunikationszwecken dienen-
den Hochfrequenzgeneratoren, Gemeinschaftsantennenanlagen, und bear-
beitet Funkstörungen etc. Es ist ferner die zuständige Behörde für die Aner-
kennungen der im folgenden Abschnitt erwähnten „Benannten Stellen“.
In der Bundesrepublik ist mit dem seit November 1992 in Kraft getretenen
EMV-Gesetz (EMVG) die Elektromagnetische Verträglichkeit gesetzlich ver-
pflichtend für alle „Geräte, die elektromagnetische Störungen verursachen
können oder deren Betrieb durch diese Störungen beeinträchtigt werden
kann.“
Das EMV-Gesetz gilt für alle elektrischen und elektronischen Geräte, die
– neu in der EU hergestellt und innerhalb der EU vertrieben werden
– neu oder gebraucht aus Drittländern zum Vertrieb innerhalb der EU im-
portiert werden.
Es gilt nicht für Geräte, wenn diese

– zum Export außerhalb der EU bestimmt sind
– zum Zwecke der Wiederausfuhr importiert werden
– temporär auf Messen und Ausstellungen betrieben werden
– bereits innerhalb der EU vertrieben wurden und gebraucht weiterverkauft
werden sollen
– luftfahrttechnische Erzeugnisse
– Funkgeräte, die von Funkamateuren im Sinne der im Rahmen der
Konstitution und Konvention der ITU (2) erlassenen Vollzugsordnung
genutzt werden, es sei denn, diese Geräte sind im Handel erhältlich.
– Betriebsmittel, die aufgrund ihrer physikalischen Eigenschaften
a) einen so niedrigen elektromagnetischen Emissionspegel haben oder
in so geringem Umfang zu elektromagnetischen Emissionen beitragen,
dass ein bestimmungsgemäßer Betrieb von Funk- und Telekommunika-
tionsgeräten und sonstigen Betriebsmitteln möglich ist, und
474 12 EMV-Normung
b) unter Einfluss der bei ihrem Einsatz üblichen elektromagnetischen

Störungen ohne unzumutbare Beeinträchtigung betrieben werden
können.
– Militärische Geräte
Ein Hersteller darf das CE-Zeichen selbst anbringen, ist jedoch verpflichtet
eine Konformitätserklärung anzufertigen, siehe Abschn. 12.5.
Bei Bauteilen, die innerhalb der EU in den Verkehr gebracht werden, stellt
sich die Frage, ob sie eine CE-Konformitätskennzeichnung benötigen oder
nicht. Für Bauteile bei denen es sich um reine Zulieferteile handelt, das heißt
die nicht für den Endverbraucher auf dem Markt erhältlich sind, keine eigen-
ständige Funktion aufweisen und in einem Gerät oder System weiterver-
arbeitet werden, kann dies klar verneint werden. Das Gerät oder System be-
darf allerdings beim Inverkehrbringen in der EG einer CE-Konformitäts-
kennzeichnung.
Bauteile und Baugruppen, die auf dem EG Markt vertrieben werden, und die
für Endnutzer erhältlich sind und von diesem in Geräte eingebaut werden,
unterliegen einer CE-Kennzeichnungspflicht.
Schwierig wird es bei einem Bauteil, das sowohl als integriertes Teil eines
Geräts, aber auch als einzelnes, eigenständiges Teil eingesetzt werden kann.
Ein klassisches Beispiel sind Netzteile, die sowohl integriert werden können,
als auch – mit entsprechendem Gehäuse versehen – als selbständige Geräte
zum Einsatz kommen. Als in Verkehr bringende Person muss man dann sehr
aufmerksam bewerten, wie das Bauteil tatsächlich verwendet werden kann:
Ob es nur von Fachpersonal weiterverbaut oder dem Endkonsumenten zu-
gänglich gemacht wird.
Eine Besonderheit bilden die sogenannten ortsfesten Anlagen. Eine ortsfeste

Anlage ist eine besondere Verbindung von Geräten unterschiedlicher Art
oder weiteren Einrichtungen mit dem Zweck, auf Dauer an einem vorbe-
stimmten Ort betrieben zu werden, zum Beispiel vorgefertigte Schalt-
schränke einer Montagelinie einer Fabrik. Aufgrund ihrer Eigenschaften
nehmen Sie nicht am freien Verkehr in der Gemeinschaft teil. Sie benötigen
deswegen keine CE-Kennzeichnung und keine Konformitätserklärung
[12.17]. Grundlegende EMV-Anforderungen müssen jedoch erfüllt sein.
EMV bedingte Störfälle muss der Betreiber beheben. Ortfeste Anlagen sind
nach den anerkannten Regeln der Technik zu installieren. Im Hinblick auf
die Erfüllung grundlegender Schutzanforderungen ist die Verwendung der
12.4 Rechtliche Grundlagen der EMV-Normung 475
vorgesehenen Komponenten dementsprechend zu beschreiben und zu

berücksichtigen. Die jeweiligen anerkannten Regeln der Technik sind zu
dokumentieren. Der verantwortliche Betreiber muss die Unterlagen für die
zuständigen Behörden zu Kontrollzwecken zur Einsicht bereithalten, solange
die ortsfeste Anlage in Betrieb ist.
12.5 Nachweis der Konformität mit dem EMV-Gesetz
Für den Nachweis der Konformität mit dem EMV-Gesetz sind drei Fälle zu
unterscheiden.
– Im Regelfall bestehen bezüglich der Konformitätsbewertung mit den im

EMVG enthaltenen grundlegenden Schutzanforderungen Europanormen
(die jedoch erst dann rechtsverbindlich sind, wenn sie im Amtsblatt der
EG gelistet sind) bzw. mit ihnen harmonisierte nationale Normen, deren
Fundstellen im Amtsblatt des BMWi veröffentlicht werden. Die Geräte
können vom Hersteller selbst oder einem von ihm beauftragten EMV-
Dienstleister (EMV-Testhaus, TÜV, VDE-Prüf- und Zertifizierungsinstitut
„VDE-PZI“, Universitätslabor etc.) gemäß den einschlägigen Normen
typgeprüft werden. Meist genügt es jedoch „anhand der maßgebenden Er-
scheinungen“ die elektromagnetische Verträglichkeit des Gerätes zu be-
werten, um festzustellen, ob es die Schutzanforderungen erfüllt.
Auf Grundlage des technischen Berichts einer erfolgreich bestandenen
Typprüfung oder einer eignen Bewertung „anhand der maßgebenden
Erscheinungen“, stellt der Hersteller eine Konformitätserklärung gemäß
EMVG [12.13] aus, in der er bestätigt, dass das Erzeugnis und alle nach
den gleichen Fertigungsunterlagen hergestellten (baugleichen) Geräte den
Schutzanforderungen der Schutzziele der EG-Richtlinien genügen. Diese
Konformitätserklärung legitimiert für alle baugleichen Geräte die Verwen-
dung der CE-Konformitätskennzeichnung (s. Bild 12.3), die vorrangig für
Kontrollzwecke durch die zuständigen nationalen Behörden vorgesehen
ist und erst in zweiter Linie für Endverbraucher.
Bild 12.3: a) CE-Konformitätskennzeichnung, b) Design-Hilfe.

476 12 EMV-Normung
Die Konformitätserklärung existiert in der Regel nur einmal und muss

beim Hersteller mindestens 10 Jahre nach letztmaligem Inverkehrbringen
eines Geräts aufbewahrt werden. Der Hersteller muss den Inhalt der Kon-
formitätserklärung in einer „Herstellererklärung“ darstellen und seinen
Produkten beilegen. (Im Gegensatz beispielsweise zur Maschinensicher-
heit, bei der eine produktbegleitende Herstellererklärung obligatorisch
ist).
Die mit der CE-Konformitätskennzeichnung versehenen Geräte dürfen
in der gesamten EG in Verkehr gebracht und von jedermann betrieben
werden (entspricht der früheren „Allgemeinen Genehmigung“ des HFrG).
Eine Ausnahme bilden Sendefunkgeräte, auf die weiter unten eingegangen
wird.
Falls für das Gerät auch noch andere europäische Richtlinien gelten,
beispielsweise bezüglich Maschinensicherheit etc. darf die CE-Konformi-
tätskennzeichnung erst dann vergeben werden, wenn das Gerät den
Schutzanforderungen aller existierenden Richtlinien genügt. Die CE-
Konformitätskennzeichnung kann auch bei alleiniger Konformität mit
dem EMV-Gesetz verwendet werden, wenn für andere Richtlinien erst zu
einem späteren Zeitpunkt die CE-Kennzeichnung verbindlich wird,
beispielsweise für die Niederspannungsrichtlinie zum 01.01.1997 oder für
medizinische Produkte zum 14.06.1998.
– In bestimmten Fällen genügt ein Gerät nur teilweise den bestehenden
Normen, oder es handelt sich um ein Gerät, für das noch keine euro-
päischen Normen existieren. In diesem Fall kann der Hersteller von einer
gemäß den Europanormen EN 17025, EN 45002 und EN 45003 sowie
EN 17024, EN 45011 bis EN 45014 [12.16] von der BNetzA anerkannten
„Benannten Stelle“ (engl.: competent body, z. B. VDE-Prüfstelle in Offen-
bach) eine Konformitätsbescheinigung erlangen. Er kann jedoch auch
abweichend davon eine Herstellerselbstbescheinigung in Verbindung mit
Anlage I EMVG [12.13] austellen.
Die „Benannte Stelle“ greift auf technische Beschreibungen und
eventuell bereits vorhandene Prüfberichte akkreditierter Prüflaboratorien
zurück, um die Konformität mit dem EMV-Gesetz zu beurteilen, sie führt
jedoch nicht selbst Messungen durch. Die „Benannte Stelle“ muss von
einem möglicherweise im gleichen Hause befindlichen Prüflabor personell
getrennt sein.
Nach Erhalt der Konformitätsbescheinigung darf der Hersteller die
bereits oben erwähnte Konformitätserklärung ausstellen. Im Sinne des
Gesetzes ist eine „Benannte Stelle“ diejenige Stelle, die technische
Berichte ausfertigt oder anerkennt und Bescheinigungen über die Ein-
12.5 Nachweis der Konformität mit dem EMV-Gesetz 477
haltung der grundlegenden EMV-Schutzanforderungen ausstellt und

hierzu von einem Mitgliedstaat der Europäischen Union oder einem
anderen Vertragsstaat des Abkommens über den europäischen Wirt-
schaftsraum anerkannt ist.
– Schließlich benötigen sogenannte Sendefunkgeräte (Mobilfunkgeräte,
Sender von Einbruchsicherungsanlagen etc.) zum Nachweis der Konfor-
mität eine EG-Baumusterbescheinigung. Diese erlangt ein Hersteller, falls
EN-Normen existieren, von einer der EG-Kommission und den Mit-
gliedsstaaten „Zuständigen Stelle“ (engl.: notified body), in der Bundes-
republik die BnetzA. Im Besitz der EG-Baumusterbescheinigung kann ein
Hersteller anschließend wieder eine Konformitätserklärung ausstellen
und die CE-Konformitätskennzeichnung verwenden. Im Gegensatz zu
den beiden erstgenannten Vorgehensweisen, bei denen richtlinienkonfor-
me Geräte anschließend von jedermann betrieben werden dürfen, benöti-
gen Betreiber von Sendefunkgeräten eine zusätzliche, von der Bundes-
netzagentur für Elektrizität, Gas, Telekommunikation, Post und Eisen-
bahnen (BNetzA) in Mainz bzw. deren Außenstellen zu erteilende
„Besondere Genehmigung“. Sendefunkgeräte, die allgemein genehmigt
sind, z. B. CB-Funkgeräte, bedürfen keiner „Besonderen Betriebsgeneh-
migung“.
Die Erlangung des Nachweises der Konformität mit dem EMV-Gesetz ent-
spricht bezüglich der Emissionen im Wesentlichen dem frühreren Vorgehen
nach dem Hochfrequenzgerätegesetz. Dieses betraf jedoch allein die Funk-
entstörung, das heißt nur einen Teilaspekt der EMV, die Störaussendung.
Dagegen fordert die Benutzung der CE-Konformitätskennzeichnung die Kon-
formität mit der gesamten EMV, das heißt Störaussendung und Störfestigkeit
sowie mit allen weiteren existierenden Richtlinien, z. B. Maschinensicherheit
etc.
Bild 12.4 zeigt den grundsätzlichen Entscheidungsbaum hinsichtlich der

Bestätigung der CE-Konformität mit Ausnahme von Sendefunkgeräten.
Dabei ist das Vorhandensein anwendbarer Normen das erste Entscheidungs-
kriterium im CE-Konformitätsverfahren, s. Abschn. 12.3. Es ist dem Inver-
kehrbringer freigestellt ob er den Nachweis zur Übereinsitmmung mit
anwendbaren Normen per tatsächlicher Prüfung oder per Analyse erbringt.
Sind keine anwendbaren Normen vorhanden, muss der Inverkehrbringer
eine technische Bewertung erstellen, die die elektromagnetische Ver-
träglichkeit dokumentiert. In beiden Fällen kann eine „Benannte Stelle“, s.
Abschn. 12.6, für weitere Stellungsnahme eingebunden werden. Über die
gesamte Fertigungsserie muss sichergestellt werden, dass Änderungen im
478 12 EMV-Normung
Fertigungsprozess oder bei Zulieferteilen nicht zum Verlust der Konformität

führen.
Produkt
(Gerät)
Ja Normen Nein
anwendbar?
Nachweis der
Übereinstimmung mit gemischt
Europäischen Normen
(Nötigenfalls bestätigt
Dokumentation Nachweis der
durch Dokumentation der
der technischen Übereinstimmung mit
akkreditiertes technischen Bewertung
Bewertung Europäischen Normen
Prüflabor.)
Festlegung und Sicherstellung

der internen
Fertigungskontrolle
Technische Dokumentation
nein Benannte Stelle

einbinden?
ja
Stellungnahme
durch Benannte
Stelle
Konformitätserklärung
CE-Kennzeichnung
Bild 12.4: Erlangung der CE-Konformität.
Bei der Kennzeichnung von Produkten mit CE-Konformitätszeichen muss

die EMV-Konformitätserklärung mit erstellt werden und ist verbindlicher
Teil der Gerätedokumentation. Diese umfasst
a. Technische Dokumentation: Anhand der technischen Dokumentation

muss es möglich sein, die Übereinstimmung des Gerätes mit den grund-
legenden Anforderungen dieser Richtlinie zu beurteilen. Sie müssen sich
auf die Konstruktion und die Fertigung des Gerätes erstrecken und
insbesondere Folgendes umfassen:
– Datum der Erklärung
– eine allgemeine Beschreibung des Gerätes
– einen Nachweis der Übereinstimmung des Gerätes mit etwaigen voll-
ständig oder teilweise angewandten harmonisierten EN-Normen
– falls der Hersteller harmonisierte Normen nicht oder nur teilweise an-
gewandt hat, eine Beschreibung und Erläuterung
• der zur Erfüllung der grundlegenden Anforderungen dieser Richt-
linie getroffenen Vorkehrungen einschließlich einer Beschrei-
bung der vorgenommenen Bewertung der elektromagnetischen
Verträglichkeit bei einer Herstellerselbstbescheinigung,
• der Ergebnisse der Entwurfsberechnungen,
• der durchgeführten Prüfungen,
• der Prüfberichte usw.
• eine Erklärung der Benannten Stelle, sofern diese angerufen
wurde.
b. CE-Konformitätserklärung: Die Konformitätserklärung muss mindestens

folgende Angaben enthalten:
– einen Verweis auf die Richtlinie 2004/108/EG des europäischen Parla-
ments und des Rates vom 15. Dezember 2004 [12.10]
– die Identifizierung des Gerätes, für das sie abgegeben wird
– Namen, Unterschrift und Anschrift des Herstellers und gegebenenfalls
seines Bevollmächtigten in der Gemeinschaft
– Gegebenenfalls die Fundstelle der EG-Baumusterbescheinigung (nur
bei Funkanlagen).
Durch das Anbringen des CE-Konformitätszeichens bestätigt der Inverkehr-

bringer die Einhaltung aller innerhalb der EG gültigen Richtlinien, Normen
und Gesetze, die für das Produkt relevant sind. Dies bedeutet auch die Be-
achtung nicht EMV relevanter Eigenschaften, wie zum Beispiel Toxizität
oder Betriebsicherheit. Das CE-Konformitätszeichen ist jedoch kein Qua-
litätssiegel und sichert nicht den einwandfreien Betrieb eines Geräts oder
dessen Güte zu.
480 12 EMV-Normung
Die Sicherstellung der EMV-Konformität muss bereits in der Frühphase der

Produktentwicklung einfließen und erfordert einen nicht vernachlässigbaren
zeitlichen Aufwand. Allein die Sichtung der anzuwendenden Normen und
Interpretation ihrer Anforderungen bedarf einer tiefen Kenntnis des Norm-
ungswesens und dessen Umsetzung.
Die anzuwendenen Normen sind meist, wie in Abschn. 12.2 beschrieben,

unterteilt in Grundnormen/Basic-Standards, Fachgrundnormen/Generic-
Standards, Produktfamilien- und Produktnormen/Product-Standards.
Verschiedene europäische Normen unterscheiden 2 Grenzwertklassen hin-

sichtlich der Störaussendungen. Die Grenzwertklasse A entspricht den typi-
schen Umgebungsbedingungen in Industriegebieten. Die Grenzwertklasse B
repräsentiert Umgebungsbedingungen im allgemeinen Wohnbereich. Geräte
der Grenzwertklasse A, beispielsweise Arbeitsplatzrechner, dürfen vergleichs-
weise hohe Störpegel aufweisen. Geräte der Klasse B, beispielsweise Haus-
haltsgeräte, unterliegen bezüglich ihrer Emissionen schärferen Anforderun-
gen (s. Abschnitt 1.2).
Da der Einsatz eines Geräts in der Regel zum Zeitpunkt des Inverkehr-
bringens nicht eindeutig bekannt ist, müssen den Geräten Informationen
über zu beachtende Einschränkungen für den Betrieb beigelegt werden.
Werden Geräte an Orten betrieben, für die sie nicht ausgelegt sind, beispiels-
weise Betrieb eines Geräts der Klasse A im Wohnbereich, bedürfen sie einer
Besonderen Genehmigung der Bundesnetzagentur für Elektrizität, Gas, Tele-
kommunikation, Post und Eisenbahnen (BNetzA, s. Abschn 12.8). Geräte,
deren Übereinstimmung mit den grundlegenden Anforderungen nach dem
EMVG im Wohnbereich nicht gewährleistet ist, erfordern einen Hinweis auf
diese Nutzungsbeschränkung in einer vor dem Erwerb erkennbaren Form.
Geräte, die keinen solchen Einschränkungen unterliegen, können nach dem
EMVG ohne Genehmigung betrieben werden, was als Betrieb durch
jedermann bezeichnet wird.
Das früher nach einer Typprüfung durch die VDE-Prüfstelle Offenbach

vergebene offizielle Funkschutzzeichen, das sowohl hoheitliche (behördliche)
Konformität als auch Normenkonformität bestätigte, ist obsolet geworden.
Da die CE-Kennzeichnung nur hoheitliche Funktion hat und gemäß § 3 des
EMVG nicht alle Normen zwingend erfüllt werden müssen, wurde vom VDE
als Prüf- und Zertifizierungszeichen das VDE-EMV-Zeichen geschaffen, das
von Herstellern freiwillig erlangt werden kann und dem Endbenutzer volle
Normenkonformität garantiert, Bild 12.5.
Bild 12.5: Neues Prüf- bzw. Zertifizierungszeichen der VDE Prüfstelle in Offenbach,
das dem Endbenutzer volle Normenkonformität garantiert.
Das EMV-Vorschriftenwesen ist aufgrund der Komplexität der Materie, zu-

sätzlich aber auch wegen der europäischen Harmonisierungsbestrebungen
und juristischen Übergangsregelungen zum Teil nur schwer durchschaubar.
Alle gemachten Angaben gelten deshalb ohne Gewähr. Im Einzelfall sind die
aktuellen Normen und der aktuelle Gesetzesstand bei der BNetzA bzw.
seinen Außenstellen, dem BMWi sowie von den lokalen Gewerbeaufsichts-
ämtern zu erfragen.
12.6 Benannte Stellen
Abschnitt 12.5 beschrieb das Verfahren zum Nachweis der Konformität mit
dem EMV-Gesetz. Dabei kann eine sogenannte Benannte Stelle einge-
schaltet werden, wenn
– Harmonisierte Normen nicht vorhanden oder nicht angewandt wurden,

– Harmonisierte Normen nur zum Teil angewandt wurden oder
– Produktzertifizierung nach von der EG nicht anerkannten EMV-Normen
notwendig ist.
Ein Einschalten einer Benannten Stelle ist jedoch auch unter folgenden
Voraussetzungen ratsam:
– Es handelt sich um Produktzertifizierungen, bei denen eine Prüfung jedes

einzelnen Produktes aufgrund der hohen Zahl ähnlicher Produktvari-
anten nicht praktikabel ist.
482 12 EMV-Normung
– Bei Installationen, bei denen Prüfungen gemäß harmonisierter Normen

aufgrund der physikalischen Eigenschaften der Installationen nicht prak-
tikabel sind.
Bei Geräten, bei denen der Hersteller europäisch harmonisierte Normen

nicht oder nur teilweise angewandt hat oder für die keine Normen vor-
handen sind, werden die grundlegenden EMV-Schutzanforderungen als ein-
gehalten betrachtet, wenn die Übereinstimmung mit diesen Schutzanfor-
derungen durch die Bescheinigung einer Benannten Stelle bestätigt wird.
Eine Benannte Stelle erstellt ein EMV-Konzept und bewertet das Produkt im
Hinblick auf seine EMV-Eigenschaften. In den meisten Fällen basieren die
Entscheidungen der Benannten Stellen auf eingeschränkten oder voll-
ständigen EMV-Prüfungen, selten allein auf der Produktdokumentation bzw.
der technischen Beschreibung des Produkts.
Werden EMV-Prüfungen durchgeführt, so muss sichergestellt sein, dass das

beauftragte Prüflaboratorium die betreffenden Anforderungen der euro-
päischen Normen DIN EN ISO/IEC 17025 (Allgemeine Anforderungen an
die Kompetenz von Prüf- und Kalibrierlaboratorien.) und DIN EN ISO/IEC
45002 (allgemeine Kriterien zum Begutachten von Prüflaboratorien) erfüllt.
Aus diesen Forderungen ergibt sich die organisatorische Trennung von

Benannten Stellen und Prüflaboratorien. Ferner ist eine Benannte Stelle
angehalten, entweder selbst die Kriterien gemäß DIN EN ISO/IEC 17025
und DIN EN ISO/IEC 45002 nachzuprüfen oder auf akkreditierte EMV-
Laboratorien zurückzugreifen. Letzteres hat für die EMV-Laboratorien den
Vorteil, dass sie mit allen Benannten Stellen zusammenarbeiten dürfen.
Um Benannte Stelle in Deutschland werden zu können, ist dies bei der Ak-
kreditierungsstelle der Bundesnetzagentur für Elektrizität, Gas, Telekommu-
nikation, Post und Eisenbahnen (BNetzA), Dienststelle Mainz, zu beantra-
gen. Voraussetzung ist, dass der Antragsteller die in §10 des EMVG [12.13]
und die in der Beleihungs- und Anerkennungsverordnung (BAnerkV) ange-
gebenen Voraussetzungen erfüllt.
Eine Benannte Stelle muss ein dokumentiertes Qualitätsmanagementsystem

entsprechend DIN EN 45011 [12.16] unterhalten (allgemeine Anforderungen
an Stellen, die Produktzertifizierungssysteme betreiben). Aus dieser Norm
heraus wurde bezüglich der zutreffenden Kriterien ein Fragenkatalog ent-
wickelt, der sowohl den Antragstellern als auch den von der BNetzA
12.6 Benannte Stellen 483
anerkannten Begutachtern als Bewertungsgrundlage im Anerkennungsver-

fahren dient.
Bei der Begutachtung der Benannten Stelle wird großer Wert auf den
Nachweis der Kompetenz des Personals gelegt. Es wird insbesondere eine
umfassende Kenntnis aller EMV-Phänomene erwartet. Eine entsprechende
Berufsausbildung und -erfahrung ist nachzuweisen. Außerdem muss aktuelles
EMV-Wissen während der Begutachtung durch die korrekte Beantwortung
individueller fachlicher Fragen nachgewiesen werden.
Wichtigste Anforderungen an die Benannten Stellen sind demnach:

– Personal, Mittel und apparative Ausstattung
– technische Kompetenz, berufliche Integrität
– Unabhängigkeit und Verschwiegenheit von Führungskräften und Personal
– Erfüllen zutreffender Forderungen, insbesondere nachfolgender Einzelan-
forderungen
– Haftpflichtversicherung
– freier Zugang der Benannten Stelle für Dritte
– umfassendes Qualitätsmanagementsystem entsprechend DIN EN ISO/
IEC 17025
- Mitgliedschaft im Gremium der nationalen Benannten Stellen
Alle deutschen Benannten Stellen werden nach ihrer Anerkennung im Amts-

blatt der Bundesnetzagentur für Elektrizität, Gas, Telekommunikation, Post
und Eisenbahnen aufgeführt. Das Amtsblatt sowie Antragsunterlagen und
weitere Informationen können unter http://www.bundesnetzagentur.de be-
zogen werden.
12.7 EMV - Normen
Nachstehend werden derzeit existierende DIN VDE-Normen und in der Dis-

kussion befindliche Entwürfe nach Problemkreisen beziehungsweise hi-
storisch gewachsenen Begriffen (z. B. Funk-Entstörung) geordnet aufgelistet.
Eine kompakte Darstellung des Inhalts dieser Normen findet sich im DIN
VDE-Taschenbuch „Elektromagnetische Verträglichkeit 1“ [B23] sowie im
DIN VDE-Taschenbuch „Funk-Entstörung“ [B26] (Anschriften zur Bestel-
lung von Normen siehe Abschn. 12.8). Im Allgemeinen stimmen die DIN
484 12 EMV-Normung
VDE-Vorschriften dank CISPR bzw. CENELEC in wesentlichen Teilen mit

den Vorschriften anderer Länder und den harmonisierten Europäischen
Normen überein.
Ergänzend werden am Ende einer jeden Gruppe auch einige von anderen
Gremien herausgegebene branchenspezifische EMV-Richtlinien bzw. Emp-
fehlungen aufgeführt.
Die Zuordnung der Normen zu den verschiedenen Problemkreisen ist nicht

strikt und mag abhängig vom Standpunkt des Lesers sicher gelegentlich ver-
handlungsfähig sein. Die hier vorgenommene Strukturierung erlaubt jedoch
einen ersten Überblick und hat sich in der Vergangenheit gut bewährt.
Zum schnellen Auffinden von Europanormen bzw. entsprechenden nationa-

len Normen enthält Abschn. 12.7.2 eine Auflistung aller Europanormen nach
fortlaufenden Nummern geordnet.
Das EMV-Vorschriftenwesen unterliegt wegen der bereits oben erwähnten

Harmonisierungsbestrebungen und insbesondere wegen der, zur klassischen
Funk-Entstörung hinzugekommenen, zahlreichen neuen Themen stets dem
Wandel, so dass die Auflistungen keinen Anspruch auf Vollständigkeit er-
heben.
12.7.1 EMV - Normen nach Problemkreisen geordnet
I. Funk-Entstörung und Störschutzmaßnahmen:
DIN VDE 0839 Teil 6-3: EMV; Fachgrundnorm Störaussendung; Teil 1:

Ausgabe 09.07 Wohnbereich, Geschäfts- und Gewerbebereiche
(EN 61000-6-3) sowie Kleinbetriebe.
DIN VDE 0839 Teil 6-4: EMV; Fachgrundnorm Störaussendung; Teil 2:
Ausgabe 09.07 Industriebereich.
(EN 61000-6-4)
DIN VDE 0845 Teil 1: Schutz von Fernmeldeanlagen gegen Blitzeinwir-
Ausgabe 10.87 kungen, statische Aufladungen und Überspannun-
gen aus Starkstromanlagen; Maßnahmen gegen
Überspannungen.
DIN VDE 0872 Teil 13: Ton- und Fernseh-Rundfunkempfänger und ver-
Ausgabe 10.06 wandte Geräte der Unterhaltungselektronik Funk-
12.7 EMV-Normen 485
(EN 55013) störeigenschaften - Grenzwerte und Messverfahren

DIN VDE 0873 Teil 1: Maßnahmen gegen Funkstörungen durch Anlagen
Ausgabe 05.82 der Elektrizitätsversorgung und elektrischer Bah-
nen; Funkstörungen durch Anlagen ab 10 kV
Nennspannung.
DIN VDE 0873 Teil 2: Maßnahmen gegen Funkstörungen durch Anlagen
Ausgabe 06.83 der Elektrizitätsversorgung und elektrischer Bah-
nen; Funkstörungen durch Anlagen unter 10 kV
Nennspannung und durch elektrische Bahnen.
DIN VDE 0875 Teil 11: Industrielle, wissenschaftliche und medizinische
Ausgabe 11.07 Hochfrequenzgeräte (ISM-Geräte) – Funkstörung-
(EN 55011, CISPR 11) en - Grenzwerte und Messverfahren
DIN VDE 0875 Teil 14: Elektromagnetische Verträglichkeit – Anforderung-
Ausgabe 02.10 en an Haushaltgeräte, Elektrowerkzeuge und ähn-
(EN 55014, CISPR 14) liche Elektrogeräte, Teil 1: Störaussendung
DIN VDE 0875 Teil 15: Grenzwerte und Messverfahren für Funkstörungen
Ausgabe 11.09 von elektrischen Beleuchtungseinrichtungen und
(EN 55015, CISPR 15) ähnlichen Elektrogeräten, Teil 1
DIN VDE 0878 Teil 22: Einrichtungen der Informationstechnik – Funkstör-
Ausgabe 05.08 eigenschaften - Grenzwerte und Messverfahren
(EN 55022, CISPR 22)
DIN VDE 0879 Teil 1: Fahrzeuge, Boote und von Verbrennungsmotoren
Ausgabe 04.10 angetriebene Geräte – Funkstöreigenschaften,
(EN 55012, CISPR 12) Grenzwerte und Messverfahren zum Schutz von
Empfängern mit Ausnahme derer, die in den
Fahrzeugen, Booten, Geräten selbst oder in be-
nachbarten Fahrzeugen, Booten, Geräten installiert
sind
DIN VDE 0879 Teil 2: Funk-Entstörung zum Schutz von Empfängern in
Ausgabe 04.10 Fahrzeugen, Booten und Geräten - Grenzwerte und
(EN 55025, CISPR 25) Messverfahren
EWG 72/245 Annex 1: Requirements to be met by vehicles.
EWG 72/245 Annex 2: Model Information Document for EEC type
approval of a vehicle in respect of its Electro-
magnetic Compatibility.
EWG 72/245 Annex 3: EEC Type Approval Certificate in respect of a
vehicle's Electromagnetic Compatibility.
RTCA-DO160 E Environmental conditions and test procedures for
Ausgabe 12.04 airborne equipment
486 12 EMV-Normung
II. Netzrückwirkungen einschließlich Bordnetze:
DIN VDE 0838 Teil 1: Rückwirkungen in Stromversorgungsnetzen, die

Ausgabe 06.87 durch Haushaltgeräte und durch ähnliche elektri-
(EN 60555-1) sche Einrichtungen verursacht werden; Teil 1:
Begriffe.
DIN VDE 0838 Teil 2: Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) Teil 3-
Ausgabe 03.10 2: Grenzwerte - Grenzwerte für Oberschwing-
(EN 61000-3-2) ungsströme (Geräte-Eingangsstrom =< 16 A je
Leiter)
DIN VDE 0838 Teil 3: Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) Teil 3-
Ausgabe 06.09 3: Grenzwerte - Begrenzung von Spannungsänder-
(EN 61000-3-3) ungen, Spannungsschwankungen und Flicker in
öffentlichen Niederspannungs-Versorgungsnetzen
für Geräte mit einem Bemessungsstrom 16 A je
Leiter, die keiner Sonderanschlussbedingung unter-
liegen
DIN 40 839 Teil 1: Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) in
Ausgabe 10.92 Kraftfahrzeugen. Leitungsgebundene Störgrößen,
12 V Bordnetze.
ISO 7637 Part 0: Road vehicles - Electrical disturbance by conduc-
Ausgabe 08.90 tion and coupling. Definitions and General.
ISO 7637 Part 1: Road vehicles - Electrical disturbances from
Ausgabe 2002 conduction and coupling - Part 1: Definitions and
general considerations
ISO 7637 Part 2: Road vehicles - Electrical disturbances from
Ausgabe 2004 conduction and coupling - Part 2: Electrical
transient conduction along supply lines only
ISO 7637 Part 3: Road vehicles - Electrical disturbance by con-
Ausgabe 2007 duction and coupling - Part 3: Vehicles with
nominal 12 V or 24 V supply voltage - Electrical
transient transmission by capacitive and inductive
coupling via lines other than supply lines
III. Entstörmittel:
VDE 0565 Teil 1: Festkondensatoren zur Verwendung in Geräten der

Ausgabe 02.02+Entw. 03.07 Elektronik - Fachgrundspezifikation
(EN 60384-1)
VDE 0565 Teil 1-1: Festkondensatoren zur Verwendung in Geräten der
Ausgabe 04.06 Elektronik - Teil 14: Rahmenspezifikation – Fest-
(EN 60384-14) kondensatoren zur Unterdrückung elektro-
12.7 EMV-Normen 487
magnetischer Störungen, geeignet für Netzbetrieb

Ausgabe 04.06 Elektronik - Teil 14-1: Vordruck für Bauart-
(EN 60384-14-1) spezifikation - Festkondensatoren zur Unterdrück-
ung elektromagnetischer Störungen, geeignet für
Netzbetrieb - Bewertungsstufe D
(60384-14-2) spezifikation - Kondensatoren zur Unterdrückung
elektromagnetischer Störungen, geeignet für Netz-
betrieb - Nur Sicherheitsprüfungen
(EN 60384-14-3) spezifikation - Kondensatoren zur Unterdrückung
elektromagnetischer Störungen, geeignet für Netz-
betrieb - Bewertungsstufe DZ
VDE 0565 Teil 2: Drosseln zur Unterdrückung elektromagnetischer
Ausgabe 02.08 Störungen - Fachgrundspezifikation
(EN 60938-1)
VDE 0565 Teil 2-1: Drosseln zur Unterdrückung elektromagnetischer
Ausgabe 02.08 Störungen - Rahmenspezifikation
(EN 60938-2)
Ausgabe 12.00 Störungen - Teil 2-1: Vordruck für Bauartspezi-
(EN 60938-2-1) fikation; Drosseln, für die Sicherheitsprüfungen
erforderlich sind - Bewertungsstufe D
Ausgabe 12.00 Störungen - Vordruck für Bauartspezifikation;
(EN 60938-2-2) Drosseln, für die nur Sicherheitsprüfungen er-
forderlich sind
VDE 0565 Teil 3: Passive Filter für die Unterdrückung von elektro-
Ausgabe 05.06 magnetischen Störungen - Teil 1: Fachgrundspezifi-
(EN 60939-1) kation
VDE 0565 Teil 3-1: Passive Filter für die Unterdrückung von elektro-
Ausgabe 05.06 magnetischen Störungen - Teil 2: Rahmenspezifika-
(EN 60939-2) tion: Filter, für die Sicherheitsprüfungen vorge-
schrieben sind - Prüfverfahren und allgemeine An-
forderungen
VDE 0565 Teil 3-2: Vollständige Filter zur Unterdrückung von Funk-
Ausgabe 08.05 störungen - Teil 2-1: Vordruck für Bauartspezifik. –
(EN 60939-2-1) Pass.ive Filter zur Unterdrückung elektromagn.
Störungen - Filter, für die Sicherheitsprüfungen
488 12 EMV-Normung
vorgeschrieben sind (Bewertungsstufe D/DZ)

VDE 0565 Teil 3-3: Vollständige Filter zur Unterdrückung von Funk-
Ausgabe 08.05 störungen - Teil 2-2: Vordruck für Bauartspezifika-
(EN 60939-2-2) tion - Passive Filter zur Unterdrückung elektro-
magnetischer Störungen - Filter, für die Sicher-
heitsprüfungen vorgeschrieben sind (nur Sicher-
heitsprüfungen)
VDE V 0565: Leitfaden für die Anwendung von Kondensatoren,
Ausgabe 12.98 Widerständen, Drosseln und vollständigen Filter-
einheiten zur Unterdrückung elektromagnetischer
Störungen
DIN VDE 0845 Teil 1: Schutz von Fernmeldeanlagen gegen Blitzein-
Ausgabe 10.87 wirkungen, statische Aufladungen und Überspan-
nungen aus Starkstromanlagen
IV. Emissionsmesstechnik:
DIN VDE 0876-16 Teil 1-1 Anforderungen an Geräte und Einrichtungen sowie
Ausgabe 10.08 + Entw. 03.09 Festlegung der Verfahren zur Messung der hoch-
(EN 55016-1-1, CISPR 16-1-1) frequenten Störaussendung (Funkstörungen) und
Störfestigkeit - Teil 1-1: Geräte und Einrichtungen
zur Messung der hochfrequenten Störaussendung
(Funkstörungen) und Störfestigkeit - Messgeräte
Ausgabe 08.07 Festlegung der Verfahren zur Messung der hoch-
(Funkstörungen) und Störfestigkeit - Zusatz-/Hilfs-
einrichtungen - Leitungsgeführte Störaussendung
einrichtungen - Störleistung
einrichtungen - Gestrahlte Störaussendung
12.7 EMV-Normen 489
(Funkstörungen) und Störfestigkeit - Messplätze
für die Antennenkalibrierung von 30 bis 1000 MHz
Störfestigkeit - Teil 4-2: Unsicherheiten, Statistik
und Modelle zur Ableitung von Grenzwerten
(Störmodell) - Unsicherheit bei EMV-Messungen
Störfestigkeit - Teil 2-1: Verfahren zur Messung der
hochfrequenten Störaussendung (Funkstörungen)
und Störfestigkeit - Messung der leitungsgeführten
Störaussendung
und Störfestigkeit - Messung der Störleistung
und Störfestigkeit - Messung der gestrahlten Stör-
aussendung
und Störfestigkeit - Messungen der Störfestigkeit
DIN VDE 0838 Teil 11: Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)
Ausgabe 04.01 Grenzwerte - Begrenzung von Spannungsänder-
(EN 61000-3-11) ungen, Spannungsschwankungen und Flicker in
öffentlichen Niederspannungs-Versorgungsnetzen -
Geräte und Einrichtungen mit einem Bemessungs-
strom <= 75 A, die einer Sonderanschlussbe-
490 12 EMV-Normung
dingung unterliegen
EWG 72/245 Annex 5: Method of measurement of radiated narrowband
electromagnetic emissions from motor vehicles.
EWG 72/245 Annex 7: Method of measurement of radiated broadband
electromagn. emission from motor vehicle systems.
EWG 72/245 Annex 8: Method of measurement of radiated narrowband
electromagnetic emission from motor vehicle
systems.
EWG 72/245 Annex 10: Method of checking statistically electromagnetic
radiation from motor vehicles or their systems.
RTCA-DO160 E Sect. 21: Environmental conditions and test procedures for
Ausgabe 12.04 airborne equipment - Section 21: Emission of
Radio Frequency Energy
V. Suszeptibilitätsprüftechnik (Störfestigkeit):
DIN VDE 0839 Teil 6-1: Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)

Ausgabe 10.07 Fachgrundnorm - Störfestigkeit für Wohnbereich,
(EN 61000-6-1) Geschäfts- und Gewerbebereiche sowie Klein-
betriebe
Ausgabe 03.06 Teil 6-2: Fachgrundnormen - Störfestigkeit für In-
(EN 61000-6-2) dustriebereiche
Ausgabe 12.09 Prüf- und Messverfahren - Störfestigkeit gegen die
(EN 61000-4-2) Entladung statischer Elektrizität
DIN VDE 0847 Teil 4-3 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)
Ausgabe 06.08 Teil 4-3: Prüf- und Messverfahren - Prüfung der
(EN 61000-4-3) Störfestigkeit gegen hochfrequente elektroma-
gnetische Felder
(EN 61000-4-4) Störfestigkeit gegen schnelle transiente elektrische
Störgrößen/Burst
Ausgabe 06.07 Prüf- und Messverfahren - Prüfung der Störfestig-
(EN 61000-4-5) keit gegen Stoßspannungen
Ausgabe 12.09 Prüf- und Messverfahren - Störfestigkeit gegen
(EN 61000-4-6) leitungsgeführte Störgrößen, induziert durch hoch-
frequente Felder
12.7 EMV-Normen 491

Ausgabe 12.09 Teil 4-7: Prüf- und Messverfahren - Allgemeiner
(EN 61000-4-7) Leitfaden für Verfahren und Geräte zur Messung
von Oberschwingungen und Zwischenharmon-
ischen in Stromversorgungsnetzen und ange-
schlossenen Geräten
(EN 61000-4-8) keit gegen Magnetfelder mit energietechnischen
Frequenzen
(EN 61000-4-9) keit gegen impulsförmige Magnetfelder
(EN 61000-4-10) keit gegen gedämpft schwingende Magnetfelder
Ausgabe 02.05 Teil 4-11: Prüf- und Messverfahren - Prüfungen der
(EN 61000-4-11) Störfestigkeit gegen Spannungseinbrüche, Kurz-
zeitunterbrechungen und Spannungsschwankung-
en
(EN 61000-4-12) keit gegen gedämpfte Schwingungen
Ausgabe 04.10 Prüf- und Messverfahren - Prüfungen der Stör-
(EN 61000-4-13) festigkeit am Wechselstrom-Netzanschluss gegen
Oberschwingungen und Zwischenharmonische
einschließlich leitungsgeführter Störgrößen aus der
Signalübertragung auf elektrischen Niederspan-
nungsnetzen
(EN 61000-4-14) Störfestigkeit gegen Spannungsschwankungen
Ausgabe 10.03 Teil 4-15: Prüf- und Messverfahren - Flickermeter -
(EN 61000-4-15) Funktionsbeschreibung und Auslegungsspezifikat-
ion
(EN 61000-4-16) Störfestigkeit gegen leitungsgeführte, asymmetri-
sche Störgrößen im Frequenzbereich von 0 Hz bis
492 12 EMV-Normung
150 kHz
(EN 61000-4-17) Störfestigkeit gegen Wechselanteile der Spannung
an Gleichstrom-Netzanschlüssen
Ausgabe 03.08 Teil 4-20: Prüf- und Messverfahren - Messung der
(EN 61000-4-20) Störaussendung und Störfestigkeit in transversal-
elektromagnetischen (TEM-)Wellenleitern
Ausgabe 08.04 Teil 4-21: Prüf- und Messverfahren - Verfahren für
(EN 61000-4-21) die Prüfung in der Modenverwirbelungskammer

Ausgabe 12.01 Prüf- und Messverfahren - Prüfverfahren für Geräte
(EN 61000-4-23) zum Schutz gegen HEMP und andere gestrahlte
Störgrößen
DIN VDE 0872 Teil 20: Ton- und Fernseh-Rundfunkempfänger und ver-
Ausgabe 09.07 wandte Geräte der Unterhaltungselektronik
(EN 55020, CISPR 20) Störfestigkeitseigenschaften - Grenzwerte und Prüf-
verfahren
DIN VDE 0875 Teil 14-2: Elektromagnetische Verträglichkeit
Ausgabe 06.09 Anforderungen an Haushaltgeräte, Elektrowerk-
(EN 55014-2, CISPR 14-2) zeuge und ähnliche Elektrogeräte; Störfestigkeit -
Produktfamiliennorm (Produktfamiliennorm)
DIN VDE 0875 Teil 15-2: Einrichtungen für allgemeine Beleuchtungszwecke
Ausgabe 03.10 EMV-Störfestigkeitsanforderungen
(EN 61547)
DIN VDE 0878 Teil 24: Einrichtungen der Informationstechnik – Störfest-
Ausgabe 07.08 igkeitseigenschaften - Grenzwerte und Prüfver-
(EN 55024, CISPR 24) fahren
Ausgabe 12.91 (Entwurf) Kraftfahrzeugen. Eingekoppelte Störgrößen auf
Sensorleitungen.
Ausgabe 10.92 (Entwurf) Kraftfahrzeugen. Eingestrahlte Störgrößen.
EWG 72/245 Annex 6: Method of testing of immunity of motor vehicles to
electromagnetic radiation.
EWG 72/245 Annex 9: Method of Measurement of immunity of motor
vehicle systems to electromagnetic radiation.
EWG 72/245 Annex 11: Method of checking statistically electromagnetic
12.7 EMV-Normen 493
immunity of motor vehicles or their systems.

SAE J 1113 Electromagnetic Susceptibility Measurement Pro-
Ausgabe 09.00 cedures for Vehicle Components.
Ausgabe 12.04 airborne equipment - Section 18: Audio Frequency
Conducted Susceptibility - Power Inputs
Ausgabe 12.04 airborne equipment - Section 19: Induced Signal
Susceptibility
Ausgabe 12.04 airborne equipment - Section 20: Radio Frequency
Susceptibility (Radiated and Conducted)
Ausgabe 12.04 airborne equipment - Section 22: Lightning
Induced Transient Susceptibility
Ausgabe 12.04 airborne equipment - Section 25: Electrostatic
Discharge
VI. Schirmung und Schirmmesstechnik:
ASTM-D 4935-99 American Society for Testing and Materials.

Standard Test Method for Measuring the Elec-
tromagnetic Shielding Effectiveness of Planar
Materials.
IEEE 299 IEEE Standard for Measuring the Effectiveness of
2006 the Electromagnetic Shielding Enclosure
VG 95 376 Teil 4: Elektromagnetische Verträglichkeit - Grundlagen
Ausgabe 01.07 und Maßnahmen für die Entwicklung und Kon-
struktion von Geräten - Teil 4: Schirmung; Grund-
lagen zur Ermittlung von Schirmdämpfungswerten
VG 95 373 Teil 15: Bundesamt für Wehrtechnik und Beschaffung
Ausgabe 07.98 Elektromagnetische Verträglichkeit von Geräten:
Messverfahren für Kopplungen und Schirmungen.
DIN EN 50147-1 Absorberräume
VDE 0876-147 Teil 1 Schirmdämpfungsmessung
Ausgabe 07.96
DIN IEC 62153 Teil 4-9 Prüfverfahren für metallische Kommunikations-
Ausgabe 03.08 kabel - Teil 4-9: Elektromagnetische Verträglich-
keit (EMV) - Kopplungsdämpfung geschirmter
494 12 EMV-Normung
symmetrischer Kabel - Triaxialverfahren

DIN EN 50289 Teil 1-13 Kommunikationskabel - Spezifikationen für Prüf-
Ausgabe 12.04 verfahren - Teil 1-13: Elektrische Prüfverfahren -
Kopplungsdämpfung oder Schirmdämpfung für
Rangierschnüre, koaxiale konfektionierte Kabel,
konfektionierte Kabel
DIN EN 50289 Teil 1-14 Kommunikationskabel - Spezifikationen für Prüf-
Ausgabe 12.04 verfahren - Teil 1-14: Elektrische Prüfverfahren -
Kopplungsdämpfung oder Schirmdämpfung für
Verbindungstechnik
DIN EN 60512 Teil 23-7 Steckverbinder für elektronische Einrichtungen -
Ausgabe 10.05 Mess- und Prüfverfahren - Teil 23-7: Prüfungen der
Schirmung und Dämpfung - Prüfung 23g: Effektive
Transferimpedanz von Steckverbindern
DIN IEC 61587-3 Mechanische Bauweisen für elektronische Ein-
Ausgabe 06.07 richtungen - Prüfungen für IEC 60917 und IEC
60297 - Teil 3: Schirmdämpfungsprüfungen für
Schränke, Gestelle und Baugruppenträger
Ausgabe 03.06 (Entwurf) kabel - Teil 4-0: Elektromagnetische Verträglich-
keit (EMV) - Beziehung zwischen Kopplungswider-
stand und Schirmdämpfung, empfohlene Grenz-
werte
Ausgabe 05.04 kabel - Teil 4-4: Elektromagnetische Verträglich-
keit (EMV) - Geschirmtes Messverfahren zur
Messung der Schirmdämpfung „as“ bis zu und über
3 GHz
VII. Sonstige:
DIN VDE 0848 Teil 1: Sicherheit in elektrischen, magnetischen und

Ausgabe 08.09 elektromagnetischen Feldern Definitionen, Mess-
(EN 50413) und Berechnungsverfahren
DIN VDE 0848 Teil 3-1: Sicherheit in elektrischen, magnetischen und
Ausgabe 05.02 elektromagnetischen Feldern - Schutz von Per-
sonen mit aktiven Körperhilfsmitteln im Frequenz-
bereich von 0 Hz bis 300 GHz
DIN VDE 0848 Teil 209-1: Sicherheit von Personen in hochfrequenten Feld-
Ausgabe 03.07 ern von handgehaltenen und am Körper getragen-
(EN 62209-1) en schnurlosen Kommunikationsgeräten – Körper-
modelle, Messgeräte und Verfahren Teil 1: Verfahr-
12.7 EMV-Normen 495
en zur Bestimmung der spezifischen Absorptions-

rate (SAR) von handgehaltenen Geräten, die in
enger Nachbarschaft zum Ohr benutzt werden
(Frequenzbereich von 300 MHz bis 3 GHz)
DIN VDE 0848 Teil 226-1: Sicherheit in elektrischen oder magnetischen Feld-
Ausgabe 10.05 ern im niedrigen und mittleren Frequenzbereich -
(EN 62226-1) Verfahren zur Berechnung der induzierten Körper-
stromdichte und des im menschlichen Körper
induzierten elektrischen Feldes Teil 1: Allgemeines
DIN VDE 0848 Teil 357: Ermittlung der Exposition von Personen gegenüber
Ausgabe 05.02 elektromagnetischen Feldern von Geräten, die in
der elektronischen Artikelüberwachung, HF-Identi-
fizierung und ähnlichen Anwendungen verwendet
werden
DIN VDE 0848 Teil 360: Produktnorm zum Nachweis der Übereinstimmung
Ausgabe 05.02 von Mobiltelefonen mit den Basisgrenzwerten für
(EN 50360) die Sicherheit von Personen in elektromagneti-
schen Feldern (300 MHz bis 3 GHz)
DIN VDE 0848 Teil 361: Grundnorm zur Messung der spezifischen Ab-
Ausgabe 06.02 sorptionsrate (SAR) in Bezug auf die Sicherheit
von Personen in elektromagnetischen Feldern von
Mobiltelefonen (300 MHz bis 3 GHz)
DIN VDE 0848 Teil 383: Grundnorm für die Berechnung und Messung der
Ausgabe 06.03 elektromagnetischen Feldstärke und SAR in Bezug
(EN 50383) auf die Sicherheit von Personen in elektroma-
gnetischen Feldernvon Mobilfunk-Basisstationen
und stationären Teilnehmergeräten von schnur-
losen Telekommunikationsanlagen (110 MHz bis
40 GHz);
DIN VDE 0848 Teil 384: Produktnorm zur Konformitätsüberprüfung von
Ausgabe 05.03 Mobilfunk-Basisstationen und stationären Teil-
(EN 50384) nehmergeräten für schnurlose Telekommunika-
tionsanlagen im Hinblick auf die Basisgrenz- und
Referenzwerte bezüglich der Exposition von
Personen gegenüber elektromagnetischen Feldern
(110 MHz bis 40 GHz) - Berufliche Exposition
DIN VDE 0848 Teil 385: Produktnorm zur Konformitätsüberprüfung von
Ausgabe 05.03 Mobilfunk-Basisstationen und stationären Teil-
(EN 50385) nehmergeräten für schnurlose Telekommunika-
tionsanlagen im Hinblick auf die Basisgrenz- und
Referenzwerte bezüglich der Exposition von
(110 MHz bis 40 GHz) - Allgemeinbevölkerung
DIN VDE 0848 Teil 392: Fachgrundnorm zur Demonstration der Kon-
496 12 EMV-Normung
Ausgabe 08.04 formität elektronischer und elektrischer Geräte mit

den Basisgrenzwerten für die Exposition von
(0 Hz bis 300 GHz)
DIN VDE 0848 Teil 400: Grundnorm zum Nachweis der Übereinstimmung
Ausgabe 01.07 von stationären Einrichtungen für Funkübertrag-
(EN 50400) ungen (110 MHz bis 40 GHz), die zur Verwendung
in schnurlosen Telekommunikationsnetzen vorge-
sehen sind, bei ihrer Inbetriebnahme mit den Basis-
grenzwerten oder den Referenzwerten bezüglich
der Exposition der Allgemeinbevölkerung gegen-
über hochfrequenten elektromagnetischen Feldern
Ausgabe 01.07 von stationären Einrichtungen für Funkübertrag-
(EN 50401) ungen (110 MHz bis 40 GHz), die zur Verwendung
in schnurlosen Telekommunikationsnetzen vorge-
sehen sind, bei ihrer Inbetriebnahme mit den Basis-
grenzwerten oder den Referenzwerten bezüglich
der Exposition der Allgemeinbevölkerung gegen-
über hochfrequenten elektromagnetischen Feldern
DIN VDE 0848 Teil 420: Grundnorm für die Berechnung und Messung der
Ausgabe 01.07 Exposition von Personen gegenüber elektroma-
(EN 50420) gnetischen Feldern von einzelnen Rundfunksend-
ern (30 MHz bis 40 GHz)
Ausgabe 01.07 von einzelnen Rundfunksendern mit den Referenz-
(EN 50421) werten oder den Basisgrenzwerten bezüglich der
Exposition der Allgemeinbevölkerung gegenüber
hochfrequenten elektromagnetischen Feldern (30
MHz bis 40 GHz)
12.7.2 EMV-Normen nach Europanormen geordnet
EN 12015 Elektromagnetische Verträglichkeit – Produktfami-

2005-03 lien-Norm für Aufzüge, Fahrtreppen und Fahr-
steige – Störaussendung
EN 12016 Elektromagnetische Verträglichkeit – Produktfami-

2009-02 lien-Norm für Aufzüge, Fahrtreppen und Fahr-
steige – Störfestigkeit
EN 12895 Flurförderzeuge - Elektromagnetische Verträglich-

2001-01 keit
12.7 EMV-Normen 497
EN 13309 Baumaschinen - Elektromagnetische Verträglich-

2008-03 keit von Maschinen mit internem elektrischen
Bordnetz
EN 50083-2 Kabelnetze für Fernsehsignale, Tonsignale und

VDE 0855-200 interaktive Dienste - Teil 2: Elektromagnetische
2007-04 Verträglichkeit von Geräten
EN 50083-2/AA Kabelnetze für Fernsehsignale, Tonsignale und

VDE 0855-200/A3 interaktive Dienste - Teil 2: Elektromagnetische
EN 50083-2/A2 Kabelnetze für Fernsehsignale, Tonsignale und

VDE 0855-200/A2 interaktive Dienste - Teil 2: Elektromagnetische
EN 50083-8 Kabelnetze für Fernsehsignale, Tonsignale und

VDE 0855-8 interaktive Dienste - Teil 8: Elektromagnetische
2002-11 Verträglichkeit von Kabelnetzen
EN 50121-1 Bahnanwendungen - Elektromagnetische Verträg-

VDE 0115-121-1 lichkeit - Teil 1: Allgemeines
2007-07

VDE 0115-121-2 lichkeit - Teil 2: Störaussendung des gesamten
2007-07 Bahnsystems in die Außenwelt
EN 50121-3-1 Bahnanwendungen - Elektromagnetische Verträg-

VDE 0115-121-3-1 lichkeit - Teil 3-1: Bahnfahrzeuge; Zug und ge-
2007-07 samtes Fahrzeug
EN 50121-3-2 Bahnanwendungen - Elektromagnetische Verträg-

VDE 0115-121-3-2 lichkeit - Teil 3-2: Bahnfahrzeuge; Geräte
2007-07

VDE 0115-121-4 lichkeit - Teil 4: Störaussendung und Störfestigkeit
2007-07 von Signal- und Telekommunikationseinrichtungen

VDE 0115-121-5 lichkeit - Teil 5: Störaussendung und Störfestigkeit
2007-07 von ortsfesten Anlagen und Einrichtungen der
Bahnenergieversorgung
EN 50130-4 Alarmanlagen - Teil 4: Elektromagnetische Ver-

VDE 0830-1-4 träglichkeit; Produktfamiliennorm: Anforderungen
2003-09 an die Störfestigkeit von Anlageteilen für Brand-
und Einbruchmeldeanlagen sowie Personen-Hilfe-
rufanlagen
498 12 EMV-Normung
EN 50147-3 Elektromagnetische Verträglichkeit - EMV-Grund-

VDE 0876-147-3 norm - Teil 3: Messungen der Störaussendung in
2000-05 Räumen mit voller Absorberauskleidung
EN 50240 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Pro-

VDE 0545-2 duktnorm für Widerstands-Schweißeinrichtungen
2008-11
EN 50263 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Pro-

VDE 0435-320 duktnorm für Messrelais und Schutzeinrichtungen
2010-04
EN 50270 Elektromagnetische Verträglichkeit - Elektrische

VDE 0843-30 Geräte für die Detektion und Messung von brenn-
2007-05 baren Gasen, toxischen Gasen oder Sauerstoff
EN 50293 Elektromagnetische Verträglichkeit – Straßenver-

VDE 0832-200 kehrs-Signalanlagen - Produktnorm
2002-02
EN 50370-1 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Pro-

VDE 0875-370-1 duktfamiliennorm für Werkzeugmaschinen - Teil 1:
2006-02 Störaussendung
EN 50370-2 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Pro-

VDE 0875-370-2 duktfamiliennorm für Werkzeugmaschinen - Teil 2:
2003-08 Störfestigkeit
EN 55014-1 Elektromagnetische Verträglichkeit – Anforderung-

VDE 0875-14-1 en an Haushaltgeräte, Elektrowerkzeuge und ähn-
2010-02 liche Elektrogeräte - Teil 1: Störaussendung
(IEC/CISPR/F/404/FDIS:2005
EN 55014-2 Elektromagnetische Verträglichkeit – Anforderung-

VDE 0875-14-2 en an Haushaltgeräte, Elektrowerkzeuge und ähn-
2009-06 liche Elektrogeräte - Teil 2: Störfestigkeit;
Produktfamiliennorm (Einschließlich Corrigen-
dum:1997) (IEC/CISPR 14-2:1997 + A1:2001)
EN 55103-1 Elektromagnetische Verträglichkeit – Produkt-

VDE 0875-103-1 familiennorm für Audio-, Video- und audiovisuelle
1997-06 Einrichtungen sowie für Studio-Lichtsteuerein-
richtungen für professionellen Einsatz - Teil 1:
Störaussendung
EN 55103-2 Elektromagnetische Verträglichkeit – Produkt-

VDE 0875-103-2 familiennorm für Audio-, Video- und audiovisuelle
1997-06 Einrichtungen sowie für Studio-Lichtsteuerein-
richtungen für professionellen Einsatz - Teil 2:
Störfestigkeit
12.7 EMV-Normen 499
EN 60118-13 Akustik - Hörgeräte - Teil 13: Elektromagnetische

VDE 0750-11 Verträglichkeit (EMV) (IEC 60118-13:2004)
2006-03
EN 60255-26 Elektrische Relais - Teil 26: Anforderungen an die

VDE 0435-320 elektromagnetische Verträglichkeit für Messrelais
2005-08 und Schutzeinrichtungen (IEC 60255-26:2004)
EN 60601-1-2 Medizinische elektrische Geräte - Teil 1-2: Allge-

VDE 0750-1-2 meine Festlegungen für die Sicherheit; Ergänzungs-
2007-12 norm: Elektromagnetische Verträglichkeit; An-
forderungen und Prüfungen (IEC 60601-1-2:2007)
EN 60870-2-1 Fernwirkeinrichtungen und -systeme - Teil 2:

1997-07 Betriebsbedingungen; Hauptabschnitt 1: Strom-
versorgung und elektromagnetische Verträglichkeit
(IEC 60870-2-1:1995)
EN 60974-10 Lichtbogenschweißeinrichtungen - Teil 10: Elek-

VDE 0544-10 tromagnetische Verträglichkeit (EMV); Anforder-
2008-09 ungen (IEC 60974-10:2007, modifiziert)
EN 61000-2-2 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) - Teil 2-

VDE 0839-2-2 2: Umgebungsbedingungen; Verträglichkeitspegel
2003-02 für niederfrequente leitungsgeführte Störgrößen
und Signalübertragung in öffentlichen Nieder-
spannungsnetzen (IEC 61000-2-2:2002)

VDE 0839-2-4 4: Umgebungsbedingungen; Verträglichkeitspegel
2003-05 für niederfrequente leitungsgeführte Störgrößen in
Industrieanlagen (IEC 61000-2-4:2002)
EN 61000-2-9 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) - Teil 2:

VDE 0839-2-9 Umgebungsbedingungen; Hauptabschnitt 9: Be-
1996-12 schreibung der HEMP-Umgebung; Störstrahlung
EMV-Grundnorm (IEC 61000-2-9:1996)

VDE 0839-2-10 10: Umgebungsbedingungen; Beschreibung der
1999-10 HEMP-Umgebung; Leitungsgeführte Störgrößen
(IEC 61000-2-10:1998)

1999-10 11: Umgebungsbedingungen; Klasseneinteilung von
HEMP-Umgebungen (IEC 77C/71/FDIS: 99)

VDE 0839-2-12 12: Umgebungsbedingungen - Verträglichkeitspegel
2004-01 für niederfrequente leitungsgeführte Störgrößen
und Signalübertragung in öffentlichen Mittel-
500 12 EMV-Normung
spannungsnetzen (IEC 61000-2-12:2003)

VDE 0838-2 2: Grenzwerte - Grenzwerte für Oberschwingungs-
2010-03 ströme (Geräte-Eingangsstrom bis einschließlich
16 A je Leiter) (IEC 61000-3-2:2000 + A1:2008 +
A2:2009)

VDE 0838-3 3: Grenzwerte; Begrenzung von Spannungsänder-
2009-06 ungen, Spannungsschwankungen und Flicker in
öffentlichen Niederspannungs-Versorgungsnetzen
für Geräte mit einem Bemessungsstrom <= 16 A je
Leiter, die keiner Sonderanschlussbedingung
unterliegen (IEC 61000-3-3:1994 + A1:2001)

VDE 0838-11 11: Grenzwerte; Begrenzung von Spannungsänder-
2001-04 ungen, Spannungsschwankungen und Flicker in
öffentlichen Niederspannungs-Versorgungsnetzen;
Geräte und Einrichtungen mit einem Bemessungs-
strom <= 75 A, die einer Sonderanschlussbeding-
ung unterliegen (IEC 61000-3-11:2000)

VDE 0838-12 12: Grenzwerte - Grenzwerte für Oberschwing-
2005-09 ungsströme, verursacht von Geräten und Einricht-
ungen mit einem Eingangsstrom > 16 A und
<= 75 A je Leiter, die zum Anschluss an öffentliche
Niederspannungsnetze vorgesehen sind (IEC
61000-3-12:2004)

VDE 0847-4-1 1: Prüf- und Messverfahren; Übersicht über die
2007-10 Reihe IEC 61000-4 (IEC 61000-4-1:2006)

VDE 0847-4-2 2: Prüf- und Messverfahren; Prüfung der Störfestig-
2009-12 keit gegen die Entladung statischer Elektrizität
(IEC 61000-4-2:2008)

2008-06 keit gegen hochfrequente elektromagnetische
Felder (IEC 61000-4-3:2006 + A1:2007)

VDE 0847-4-3 3: Prüf- und Messverfahren - Prüfung der
2008-06 Störfestigkeit gegen hochfrequente elektro-
magnetische Felder (IEC 77B/485/FDIS:2006)
12.7 EMV-Normen 501

VDE 0847-4-4 4: Prüf- und Messverfahren - Prüfung der Stör-
2005-07 festigkeit gegen schnelle transiente elektrische
Störgrößen/Burst (IEC 61000-4-4:2004)

VDE 0847-4-5 5: Prüf- und Messverfahren; Prüfung der Stör-
2007-06 festigkeit gegen Stoßspannungen (IEC 61000-4-
5:2005)

VDE 0847-4-6 6: Prüf- und Messverfahren; Störfestigkeit gegen
2001-12 leitungsgeführte Störgrößen, induziert durch hoch-
frequente Felder (IEC 61000-4-6:2008)

VDE 0847-4-7 7: Prüf- und Messverfahren; Allgemeiner Leitfaden
2009-12 für Verfahren und Geräte zur Messung von
Oberschwingungen und Zwischenharmonischen in
Stromversorgungsnetzen und angeschlossenen
Geräten (IEC 61000-4-7:2008)

2001-12 keit gegen Magnetfelder mit energietechnischen
Frequenzen (IEC 61000-4-8:1993 + A1:2000)

2001-12 festigkeit gegen impulsförmige Magnetfelder (IEC
61000-4-9:1993 + A1:2000)

2001-12 festigkeit gegen gedämpft schwingende Magnet-
felder (IEC 61000-4-10:2001)

VDE 0847-4-11 11: Prüf- und Messverfahren - Prüfungen der Stör-
2005-02 festigkeit gegen Spannungseinbrüche, Kurzzeit-
unterbrechungen und Spannungsschwankungen
(IEC 61000-4-11:2004)

2007-08 festigkeit gegen gedämpfte Schwingungen (IEC
61000-4-12:2006)

VDE 0847-4-13 13: Prüf- und Messverf.; Prüfungen der Störfestig.
2010-04 am Wechselstrom-Netzanschluss gegen Ober-
502 12 EMV-Normung
schwing. und Zwischenharm. einschl. leitungsgef.

Störgrößen aus der Signalübertrg. auf elektrischen
Niederspgs.netzen (IEC 61000-4-13:2002 +
A1:2009)

2010-04 festigkeit gegen Spannungsschwankungen
(IEC 61000-4-14:1999 + A1:2001 + A2:2009)

VDE 0847-4-15 15: Prüf- und Messverfahren; Flickermeter; Funk-
2003-10 tionsbeschreibung und Auslegungsspezifikation
(IEC 61000-4-15:1997 + A1:2003)

2005-04 festigkeit gegen leitungsgeführte, asymmetrische
Störgrößen im Frequenzbereich von 0 Hz bis 150
kHz (IEC 61000-4-16:1998 + A1:2001)

2005-04 festigkeit gegen Wechselanteile der Spannung an
Gleichstrom-Netzanschlüssen
(IEC 61000-4-17:1999 + A1:2001)

VDE 0847-4-20 20: Prüf- und Messverfahren; Messung der Stör-
2008-03 aussendung und Störfestigkeit in transversal-
elektromagnetischen (TEM-)Wellenleitern
(IEC 61000-4-20:2003 + A1:2006)

VDE 0847-4-21 21: Prüf- und Messverfahren - Verfahren für die
2004-08 Prüfung in der Modenverwirbelungskammer
(IEC 61000-4-21:2003)

VDE 0847-4-23 23: Prüf- und Messverfahren; Prüfverfahren für
2001-12 Geräte zum Schutz gegen HEMP und andere
gestrahlte Störgrößen (IEC 61000-4-23:2000)

VDE 0847-4-24 Prüf- und Messverfahren; Hauptabschnitt 24: Prüf-
1997-11 verfahren für Einrichtungen zum Schutz gegen
leitungsgeführte HEMP-Störgrößen; EMV-Grund-
norm (IEC 61000-4-24:1997)

12.7 EMV-Normen 503
2002-12 festigkeit von Einrichtungen und Systemen gegen

HEMP-Störgrößen (IEC 61000-4-25:2001)

2009-12 festigkeit gegen Unsymmetrie (der Versorgungs-
spannung) (IEC 61000-4-27:2000 + A1:2009)

2009-12 festigkeit gegen Schwankungen der energietechni-
schen Frequenz (Netzfrequenz) (IEC 61000-4-
28:1999 + A1:2001+ A2:2009)

VDE 0847-4-29 29: Prüf- und Messverfahren; Prüfungen der Stör-
2010-04 festigkeit gegen Spannungseinbrüche, Kurzzeitun-
terbrechungen und Spannungsschwankungen an
Gleichstrom-Netzeingängen (IEC 61000-4-29:10)

VDE 0847-4-30 30: Prüf- und Messverfahren – Verf. zur Messung
2009-09 der Spannungsqualität- (IEC 61000-4-30:2008)

VDE 0847-4-34 34: Prüf- und Messverf. - Prüfungen der Störfes-
2010-04 tigkeit von Geräten und Einrichtungen mit einem
Eingangsstrom > 16 A je Leiter gegen Spannungs-
einbrüche, Kurzzeitunterbrechungen und Span-
nungsschwankungen (IEC 77A/498/FDIS:2005 +
A1:2009 + Cor. 2009)

VDE 0847-5-5 Installationsrichtlinien und Abhilfemaßnahmen;
1997-02 Hauptabschnitt 5: Festlegung für Schutzeinricht-
ungen gegen leitungsgeführte HEMP-Störgrößen -
EMV-Grundnorm (IEC 61000-5-5:1996)

VDE 0847-5-7 7: Installationsrichtlinien und Abhilfemaßnahmen;
2001-12 Schutzarten durch Gehäuse gegen elektromagn.
Störgrößen (EM-Code) (IEC 61000-5-7:2001)

VDE 0839-6-1 1: Fachgrundnorm; Störfestigkeit für Wohnbereich,
2002-08 Geschäfts- und Gewerbebereiche sowie Klein-
betriebe (IEC 61000-6-1:1997, modifiziert)
(IEC 77/294/FDIS:2004)
504 12 EMV-Normung

VDE 0839-6-2 2: Fachgrundnormen - Störfestigkeit für Industrie-
2006-03 bereiche (IEC 61000-6-2:2005)

VDE 0839-6-3 3: Fachgrundnormen - Fachgrundnorm Störaus-
2007-09 sendung - Wohnbereich, Geschäfts- und Gewerbe-
bereiche sowie Kleinbetriebe (IEC 61000-6-3:1996,
modifiziert) (IEC/CISPR/H/98/ CDV:2006)

VDE 0839-6-4 4: Fachgrundnormen - Fachgrundnorm Störaus-
2007-09 sendung für Industriebereich (IEC/CISPR/H/99/
CDV:2005) (IEC 61000-6-4:2006)
EN 61204-3 Stromversorgungsgeräte für Niederspannung mit

VDE 0557-3 Gleichstromausgang - Teil 3: Elektromagnetische
2001-10 Verträglichkeit (EMV) (IEC 61204-3:2000)
EN 61543 Fehlerstromschutzeinrichtungen (RCDs) für Haus-

VDE 0664-30 installationen und ähnliche Verwendung – Elektro-
2006-06 magnetische Verträglichkeit (IEC 61543:1995 +
A2:2005)
EN 62153-4-2 Prüfverfahren für metallische Kommunikations-

2004-09 kabel - Teil 4-2: Elektromagnetische Verträg-
lichkeit (EMV) - Schirm- und Kopplungsdämpfung
- Verfahren mit gespeister Zange
(IEC 62153-4-2:2003)
12.8 Wichtige Anschriften
Die in den vorstehenden Kapiteln gebrachte Einführung in die EMV-Nor-

mung kann naturgemäß nur als Leitfaden für das Zurechtfinden in dieser
komplexen Materie dienen. Im konkreten Einzelfall müssen die vollständigen
Vorschriften beschafft und Kontakte mit den zuständigen Behörden bzw.
Organisationen aufgenommen werden. Zu diesem Zweck seien abschließend
noch einige wichtige Adressen aufgeführt:
Bundesnetzagentur für Elektrizität, Gas, Telekommunikation, Post und Eisen-

bahnen - BnetzA
Tulpenfeld 4, 53113 Bonn
sowie
Mittelstraße 2-10, 53175 Bonn
Postfach 80 01, 53105 Bonn
Telefon: +49 228 - 14 0
12.8 Wichtige Anschriften 505
Telefax: +49 228 - 14 8872

Internet: www.bundesnetzagentur.de
VDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut

Merianstraße 28
D-63069 Offenbach
Telefon: +49 69 8306-0
+49 69 8306-600
Telefax: +49 69 8306-555
Internet: www.vde.com
Forschungs- und Technologiezentrum - FTZ

Am Kavalleriesand 3, 64276 Darmstadt
Telefon: +49 6151 83-0
Telefax: +49 6151 834791
Beuth-Verlag (DIN VDE-Bestimmungen)

Burggrafenstraße 6
10787 Berlin
Telefon: +49 30 2601-0
Telefax: +49 30 2601-1260
E-Mail: postmaster@beuth.de
Internet: www.beuth.de
Bundesanzeiger - Verlag (EG-Amtsblatt)

Amsterdamer Str. 192
50735 Köln
Telefon: +40 221 97668-0
Telefax: +49 221 97668-278
Internet: www.bundesanzeiger.de
Society of Automotive Engineers (SAE)

Warrendale PA 15096-0001, 400 Commonwealth-Drive
Telefon: +1 4127764970
Telefax: +1 4127765760
Internet: www.sae.org
International Telecommunication Union (ITU)

Place des Nations, CH-1211 Genève 20
Telefon: +41 227305111
Telefax: +41 227337256
Internet: www.itu.int
International Standard Organisation (ISO)

ISO Central Secretariat:
International Organization for Standardization (ISO)
1, rue de Varembé, Case postale 56
CH-1211 Geneva 20, Switzerland
Telefon: +41 22 749 01 11
506 12 EMV - Normung
Telefax: +41 22 733 34 30

Internet: www.iso.org
International Electrical Comission / Comitee (IEC)

IEC Central Office
3, rue de Varembé
P.O. Box 131
CH - 1211 GENEVA 20
Switzerland
Telefon: +41 22 919 02 11
Telefax: +41 22 919 03 00
Internet: www.iec.ch
Literatur
Bücher über Elektromagnetische Verträglichkeit

B1 KADEN, H.: Wirbelströme und Abschirmungen in der Nachrichtentechnik. 2., vollst. neu
bearb. Aufl. 1959. Nachdruck, 2006, Springer-Verlag, Berlin 2006.
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New York, London, Sidney, Toronto 1988.
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John Wiley, New York 1998.
B6 VANCE, E.: Coupling to Shielded Cables. John Wiley , New York, London, Sidney,
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B7 SMITH, A.: Coupling of External Magnetic Fields to Transmission Lines. John Wiley, New
York, London, Sidney, Toronto 1978.
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Verlag, Berlin 1982.
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B11 HÖLZEL, F.: EMV, Theoret. und Prakt. Hinweise. Hüthig-Verlag, Heidelberg 1983.
B12 KEISER, B.E.: Principles of EMC. Dedham, Mass. Artech 83.
B13 HABIGER, E.: EMV, Störbeeinflussung in Automatisierungsgeräten und -anlagen. VEB-
Verlag Technik, Berlin 1984.
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B15 FGH: Beeinflussungsprobleme elektrischer Energieversorgungsnetze; Forschungsgemein-
schaft für Hochspannungs- und Hochstromtechnik, Mannheim 1985.
B16 DON WHITE - CONSULTANTS: Technical Handbooks on EMC. DWCI-Holland,
Hoogmade, ca. 30 Monographien!
B17 MARDIGIUAN, M.: Electrostatic Discharge. Interference Control Technologies, Inc.
Gainesville, Va. (USA) 1986.
B18 SCHWAB, A.: Begriffswelt der Feldtheorie, 6. unveränd. Aufl., 2002. Springer-Verlag
Berlin, Heidelberg, New York 2002.
B19 SCHWAB, A.: Hochspannungsmeßtechnik, 2. Auflage. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,
New York 1981.
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B21 FEIST, K.H.: Starkstrom Beeinflussung. expert-Verlag, Sindelfingen 1986.
B22 WIESINGER, J., HASSE,P. u. LANDERS, E.: EMV Blitzschutz von elektrischen und
elektronischen Systemen in baulichen Anlagen, VDE-Verlag, Berlin, 2004.
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Normen". 3. Auflage, Beuth-Verlag, Berlin 2007.
B24 DIN: DIN-VDE-Taschenbuch 516. "Elektromagnetische Verträglichkeit 2 - VG-Normen".
Beuth-Verlag, Berlin 1989.
B25 DIN: DIN-VDE-Taschenbuch 517 "Elektromagnetische Verräglichkeit 3 - Harmoni-
sierungsdokumente und VG-Normen in englischer Sprache". 3.Auflage, Beuth-Verlag,
Berlin 2007.
B26 DIN: DIN-VDE-Taschenbuch 505. "Funkentstörung". 3. Auflage, Beuth-Verlag, Berlin
2007.
B27 WARNER, A.: Taschenbuch der Funk-Entstörung. VDE-Verlag, Berlin 1965.
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Teubner, 2005.
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Schriftenreihe - Normen verständlich Band 115, VDE-Verlag, 2004
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DIN 57100/VDE 0100, Teil 410 und 540. 11. Auflage, VDE-Verlag, Berlin 1998.
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12.4 KOHLING, A.: Grundlagen der Funk-Entstörung in der Bundesrepublik Deutschland.
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12.9 MÜLLER, K.O.: Procedures for Granting Licenses for the Operation of RF Devices,
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12.10 - EWG 89/336: Richtlinie des Rates vom 3.5.89 zur Angleichung der Rechtsvorschriften
der Mitgliedsstaaten über die EMV. Amtsblatt der EG Nr. L 139/19 vom 23.5.89.
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15. Dezember 2004 zur Angleichung der Rechtsvorschriften der Mitgliedstaaten über die
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12.11 Gesetz zum Internationalen Fernmeldevertrag vom 12.11.65, BGBL II (1968) S. 931.
12.12 CHUN, E.: "EMV-Zentrum" (mit Normenauflistung). Firmendruckschrift der ASEA
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12.13 Gesetz über die elektromagnetische Verträglichkeit von Geräten vom 18. September 1998
(BGBl. I S. 2882), zuletzt geändert durch Artikel 279 der Verordnung vom 31. Oktober
2006 (BGBl. I S. 2407). Veröffentlichung des geänderten Gesetzes 29.02.2008
12.14 MÖHR, D.: Neues Deutsches EMV-Gesetz ist erschienen. Elektronik 5/ 1993, S. 171 bis
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12.15 SCHERZ, H.: EMV-Gesetz, nun ist es durch! EMV-Journal 3/1992, S. 224 bis 228.
12.16 - DIN EN ISO/IEC 17025: Allgemeine Anforderungen an die Kompetenz von Prüf- und
Kalibrierlaboratorien (ISO/IEC 17025:2005); Deutsche und Englische Fassung EN
ISO/IEC 17025:2005
- DIN EN 45001: 1990 (ersetzt durch DIN EN ISO/IEC 17025:2000)
- DIN EN 45002:1990 (Allgemeine Kriterien zum Begutachten von Prüf Laboratorien)
- DIN EN 45003:1995 (Akkreditierungssysteme für Kalibrier- und Prüflaboratorien)
- DIN EN 45004:1995 (Allgemeine Kriterien für den Betrieb verschiedener Stelle, die
Inspektionen durchführen)
- DIN EN 45010:1998 (Allgemeine Anforderungen an die Begutachtung und
Akkreditierung von Zertifizierungsstellen)
- DIN EN 45011:1998 (Allgemeine Anforderungen an Stellen, die
Produktzertifizierungssysteme betreiben)
- DIN EN 45012:1998 (Allgemeine Anforderungen an Stellen, die
Qualitätsmanagementsysteme begutachten und zertifizieren)
- DIN EN 45013:1990 (Allgemeine Kriterien verstellen, die Personal zertifizieren)
- DIN EN 45014:1998 (Allgemeine Kriterien für Konformitätserklärungen von
Anbietern)
- DIN EN 45020:2007 (Normung und damit zusammenhängende Tätigkeiten -
Allgemeine Begriffe)
- ISO 9001: Qualitätsmanagementsysteme - Anforderungen (ISO 9001:2000-09);
Dreisprachige Fassung EN ISO 9001:2000
12.17 LOERZER, M.: EMV- und Niederspannungsrichtlinie. Sicherheitsanforderungen für den
Maschinenbau im globalen Markt. Deutsches Institut für Normung, Beuth Verlag GmbH
2009
Index
BALUN ....................................... 111, 116, 297

A
Bandbreite ...................................................... 67
Abfallzeit .................................................. 18, 19 -, Empfänger- .......................................... 315
Abhören ............................................................. 5 -, Impuls-.................................................. 314
Ableitstrom .................................................. 163 BAPT ............................................................. 473
Abschaltüberspannung .............................. 332 Basic Standards ........................................... 468
Abschattungseffekt ..................................... 208 Baumusterbescheinigung........................... 477
Absorber .............................................. 223, 349 BCI ................................................................. 361
Absorberkammer ........................................ 299 Beeinflussung
Absorberraum.............................................. 223 -, elektromagnetische .............................. 25
Absorberzange.............................. 21, 306, 366 -, Impuls-.................................................... 75
Absorptionsdämpfung ...................... 266, 269 -, Kurzzeit- ................................................. 75
Admittanzbelagmatrix ............................... 138 -, Langzeit-................................................. 75
Amplitude..................................................... 236 -, leitungsgebundene ................................ 25
-, komplexe .................................................. 7 Beeinflussungsmodell ......................................3
Amplitudendichte . 7, 53, 54, 55, 62, 66, 316 Beinflussungsmatrix ................................... 419
Amplituden-Linienspektrum......... 47, 48, 66 Bel .......................................................................9
Analogsignal ................................................... 15 Benannte Stelle .................. 21, 473, 476, 481
Anpaßnetzwerk ........................................... 454 Anforderungen ....................................... 483
Ansprechspannung..................................... 183 Betriebsgenehmigung ................................. 473
Anstiegszeit .............................................. 18, 19 Bewertung..................................... 23, 281, 309
Antenne Bezugsleiter ........................................... 40, 442
-, bikonische ........................................... 292 Bildschirmgerät ............................................. 73
-, elektrische kurze ................................ 292 Bioorganismen ............................................. 426
-, konisch-logarithmische .................... 292 Blitz .................................................................. 92
-, logarithmisch-periodische ................ 292 Blitzentladung.............................................. 357
Antennenfaktor .................................. 290, 295 Blitzschutz .................................................... 397
Antennengewinn......................................... 293 -, äußerer........................................... 92, 397
Antennenhöhe............................................. 290 -, innerer ........................................... 93, 397
Arbeitsplatzrechner ....................................... 21 Blitzschutzzone ........................................... 398
ASTM-Norm ................................................ 471 Blitzschutzzonen-Konzept ........................ 397
Ausbreitungskonstanten............................ 140 Blitz-Schutzzonen-Konzept ...................... 397
Automatisierung ......................................... 322 Blitzstoßspannung ............................. 333, 336
BMPT............................................................. 472
B
BMWi ............................................................ 472
Babinet-Prinzip ........................................... 202 BNetzA .......................................................... 473
Back-Door Coupling ................................. 461 Bogenspannung ........................................... 184

DOI 10.1007/978-3-642-16610-5, © Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2011
536 Index
Brechungsgesetz .......................................... 252 Differenztastkopf .........................................285

Breitbandantenne........................................ 292 Differenzverstärker ............................113, 413
Breitbandsignal ..................................... 67, 315 Dipol ....................................................... 94, 289
Brennspannung ........................................... 183 -, Fitzgeraldscher ....................................202
bulk current injection........................ 346, 361 -, Linien- ...................................................248
Burst............................................... 86, 332, 347 Dirac-Impuls .................................................. 54
Bürstenfeuer ................................................... 80 Drossel ..................................................162, 170
Bypass-Kapazität .................................... 46, 80 -, stromkompensierte ....................163, 171
Bypass-Technik ......................... 124, 150, 412 Dual-Chamber-Meßzelle ...........................377
Durchgriffskapazität ...................................129
C
Durchgriffsleitwert ......................................365
CCIR .............................................................. 470
E
Comité Consultatif Internationale de
Radiocommunication ....................... 470 Eckeneffekt ...................................................263
CCITT ............................................................ 470 E-Feld Antenne ............................................289
Comité Consultatif Télégraphique et Effektivwertanzeige .....................................313
Téléphonique ..................................... 470 Eigenfrequenz ..............................................164
CE-Konformität, Erlangung ...................... 477 Eigenwelle .....................................................140
CE-Konformitätskennzeichnung .... 476, 477 Eigenwert ......................................................140
CENELEC .................................................... 467 Eindringtiefe ...............................198, 212, 252
CISPR ................................................... 311, 466 Einfügungsdämpfung .........................159, 367
Comité International Spécial des Einfügungsgewinn .......................................163
Perturbations Radioélectriques ...... 466 Einkopplung
click .............................................................. 3, 23 -, induktive ...............................................330
CMR -, kapazitive .............................................329
Common Mode Rejection ............. 37, 114 Eisenpulverkern ...........................................171
CMRR EMB
Common Mode Rejection Ratio ......... 114 Elektromagnetische Beeinflussung ......... 2
Cutoff frequency .......................................... 157 EMC
electromagnetic compatibility.................. 1
D
EMI
Dämpfung electromagnetic interference .................... 2
-, intrinsic ................................................. 367 Emission ........................................................1, 2
Dämpfungskorrektur .................................. 270 Emissionsgrenzwert ....................................465
Dichtung ....................................................... 214 Emissionsmeßtechnik .................................281
Dielektrikum EMV
-, dissipativ............................................... 165 Elektromagnetische Verträglichkeit ....... 1
Dielektrizitätszahl ....................................... 451 EMV-Beinflussungsmatrix .........................419
-, effektive ................................................ 452 EMVG
Differenzdämpfung ............................ 259, 261 EMV-Gesetz ..........................471, 475, 477
Differenzenverfahren ................................. 155 EMV-Matrix .................................................419
Index 537
EMV-Normung ........................................... 465 -, quasistationär ...................................... 198

EMV-Plan.......................................................... 6 -, quasistatisches ............................ 196, 207
EMV-Tafel ................................................ 56, 60 Feldmodell ................................................27, 28
Entkoppeldrossel ........................................ 334 Feldsonden ................................................... 297
Entlader ........................................................... 82 Feldwellenwiderstand .... 200, 210, 268, 291,
Entladung ................................................. 81, 82 355
-, elektrostatische ................................... 341 Fernfeld .................................................. 29, 198
Entstörkondensator ................................... 162 Ferrit
Entstörmaßnahme ...................................... 151 -, dissipativ............................................... 167
Entstörmittelmessung ................................ 363 Ferritantenne ............................................... 296
Entstörmittelnorm ...................................... 466 Ferritkacheln ................................................ 223
Entstörung.................................................... 157 Ferritkern ...................................................... 111
-, unsymmetrische.................................. 170 Ferritperle ..................................... 46, 111, 172
Erde .................................................... 34, 39, 41 Ferritplatte .................................................... 224
Erdpotential ................................................. 125 Filter...................................................... 157, 161
Erdschleife ........................ 105, 134, 150, 408 -, dissipativ............................................... 175
Erdschleifenkopplung................................... 99 -, LC-......................................................... 173
Erdung .......................................................... 220 -dämpfung ............................................... 158
-, beidseitige ............................................ 109 -für Daten- und Telefonleitungen....... 175
-, einseitige ............................ 106, 109, 150 -resonanzen ............................................. 163
-, zweiseitige............................................ 150 Filterbauformen ........................................... 168
-von Kabelschirmen .............................. 149 Filterdämpfung ............................ 24, 163, 383
Erdungsfestpunkt........................................ 400 Fitzgeraldscher Dipol ................................. 203
Erdungssystem............................................. 397 Flächenmasse ................................................. 44
erweiterte Messunsicherheit..................... 320 Flächenstromdichte .................................... 210
ESD Flexwellkabel ............................................... 120
Electrostatic Discharge ......... 81, 341, 393 Fourier
ESD-Generator ........................................... 348 -Transformierte ......................................... 53
EuroCAE ...................................................... 471 Fourier-Integral .......................................46, 52
Fourier-Reihe ...........................................46, 52
F
Freifeld .......................................................... 299
FAG Front-Door Coupling ................................. 461
Fernemeldeanlagengesetz .................... 472 Funkenentladung .......................................... 80
Fangeinrichtung .......................................... 397 Funkenlöschkombination ......................... 176
Faraday-Käfig .............................................. 205 Funkenstrecke .................................... 183, 402
Fast Transients ............................................... 90 Funkentstörung ..............................2, 483, 484
Feinschutz ........................................... 185, 404 Funkschutzzeichen ..................................... 480
Feld Funkstör
-, elektrostatisches ........................ 196, 205 -feldstärke .................................................. 21
-, magnetostatisches ..................... 196, 206 -gesetz ....................................................... 472
-, niederohmiges..................................... 202 -grad ............................................................ 22
538 Index
-leistung ............................................... 20, 21 Gleichtaktspannung ...................................... 32

-meßtechnik ............................................ 281 Glimmbrennspannung ...............................184
-pegel .......................................................... 73 Grenzfrequenz .............................................219
-spannung .................................................. 21 Grenzlastintegral ........................................... 93
Funkstörmeßempfänger ............................. 307 Grenzstörpegel ............................................... 20
Funkstörung ................................................. 289 Grenzwert .............................................. 23, 465
Grenzwertklasse ..................................... 21, 23
G
Grobe Fehler ................................................319
Gasentladungslampe .................................... 78 Grobschutz ..........................................185, 403
Geflechtschirm ................................... 120, 365 Ground Loop ...............................................408
Gegenfeld ...................................................... 211 Grundstörpegel .............................................. 76
Gegensprechen ................................... 445, 448 GTEM-Zellen ...............................................304
Gegentakt Güte Q ..................................................166, 168
-signal ................................................ 24, 329
H
-spannung .................................................. 35
-störquelle ........................................... 30, 32 Handnachbildung ........................................286
-störspannung .................................. 33, 153 Hankelsche Funktion .................................255
-störstrom .................................................. 33 Hauptpotentialausgleich ............................400
-störung .................................... 30, 161, 330 Helmholtzspule ............................................353
Gegentaktspannung...................................... 32 Herstellererklärung .....................................476
Gehäusestrom ................................................ 27 Herstellerselbstbescheinigung ..........476, 479
Generic Standards ...................................... 468 Hertzscher Dipol ................................199, 203
Gerätedokumentation ................................ 478 H-Feld Antenne ...........................................295
Geschaltete Induktivität .............................. 85 HF-Generator................................................. 71
GGKF Hintergrundpegel .......................................... 20
Gleichtakt/Gegentakt- HIRF ................................................................ 97
Konversionsfaktor .............................. 36 Hochdruckgasentladungslampe ................. 79
Gleichstrommotor ........................................ 79 Hochfrequenzgenerator ............................... 71
Gleichtakt Hochfrequenzgerätegesetz................466, 472
-signal ................................................ 24, 329 Hohlraumresonator ...........................211, 260
-spannung .................................................. 35 Hornantenne ................................................292
-störquelle ........................................... 30, 34 Hülle
-störung .................................... 30, 161, 330 -, ferromagnetische .................................207
-strom ......................................................... 35 Hybrid-Ableiterschaltung ..........................186
-unterdrückung ................................ 37, 114 Hybridgenerator .................................335, 338
-unterdrückungsverhältnis ................... 114
I
-verstärkung ............................ 36, 106, 114
Gleichtakt/Gegentakt IEC .................................................................466
-Dämpfung............................. 7, 24, 37, 106 International Electrical Commission .466
-Konversion ........................................ 32, 35 IFRB ...............................................................470
-Konversionsfaktor 36, 38, 105, 114, 115
Index 539
International Frequency Regulation Konformitätsbescheinigung ...................... 476

Board................................................... 470 Konformitätsbewertung ............................. 475
IGBT ............................................................. 462 Konformitätserklärung.... 474, 475, 476, 477
Immission ............................................... 2, 3, 23 Konformitätskennzeichnung .................... 475
Immunität............................................... 1, 2, 23 Kontaktentladung ....................................... 342
Immunitätsprüfung .............................. 23, 327 Kontaktfederleiste ....................................... 215
Impedanz Koppelinduktivität ...................................... 136
-, gemeinsame ............................................ 32 Koppelkapazität .......................................... 136
Impedanzbelagmatrix ................................ 138 Koppelplatte ................................................. 344
Impedanzkonzept ............ 204, 236, 264, 271 Koppelstrecke .............................................. 334
Impulsamplitude ............................................ 52 Kopplung ........................................................ 25
Impulsfläche ................................................... 52 -, elektrische .............................................. 27
Induktivitätsbelag ....................................... 104 -, galvanische.............. 25, 26, 99, 153, 438
Integralverfahren ........................................ 155 -, induktive ....................................... 28, 129
Intermodulation .......................................... 292 -, kapazitive ................................27, 34, 126
Intersystem-Beeinflussung ......4, 5, 153, 433, -, leitungsgebundene ................................ 26
456 -, magnetische ...................28, 32, 129, 153
Intrasystem-Beeinflussung .......4, 5, 433, 438 -, metallische ............................................. 26
Isolationskoordination .............................. 177 Kopplungsimpedanz...26, 38, 100, 118, 360,
Isolationsspannung .................................... 189 363, 407
Isolationswiderstand .................................. 185 Kopplungspfad .................................................5
ITU................................................................. 470 Kopplungswiderstand ....................... 119, 364
International Telecommunication Union Koronaentladung .......................................... 80
........................................................ 68, 470 Körperentladung ......................................... 341
ITU-R ............................................................ 470 Korrekturterm.............................................. 266
Radiocommunication Bureau ............. 470 Kosmisches Rauschen .................................. 67
ITU-T ............................................................. 470 Kugelfunktion .............................................. 262
Telecommunication Standardization Kugelschirm ................................................. 262
Sector .................................................. 470 Kurzschlußstrom ......................................... 338
K L
Kabelmantel .................................................... 27 Langzeitexposition...................................... 428

-strom ....................................................... 122 Layout ........................................................... 103
Kabelschirm ........................................ 220, 363 Leistungshalbeiter ....................................... 462
Kamindurchführung .................................. 218 Leistungsverstärker ..................................... 356
KFZ-Zündanlage ........................................... 76 Leiterplatte
Knackstörung .......................................... 66, 79 Multilayer ....................................... 434, 444
Kohärenz ......................................................... 66 Leitfähigkeit
kombinierte Standardunsicherheit ......... 320 -, dielektrische ........................................ 205
Kommunikationssender ............................... 67 -, magnetische ......................................... 205
Kommutatormotor ........................................ 79 -, relative .................................................. 269
540 Index
Leitung Modendichte ................................................225

-, verlustbehaftet ............................ 165, 176 Modenverwirbelungskammer ..........225, 305
Leitungsdämpfung .......................................... 7 Monopol ........................................................289
Leitungsgleichung ....................................... 141 Multiple-Equipment-Faktor ......................416
Leitungskopplung ....................................... 134
Leitungsmodell .............................................. 27
Leitungswellenwiderstand......................... 355 Nachwirkungsverlust ..................................167
LEMP ............................................................ 397 Nahfeld ............................................................ 29
Lightning Electromagnetic Pulse .......... 92 Nahfeld ..........................................................198
Leuchtröhre.................................................... 79 NAMUR ........................................................471
Leuchtstofflampe.................................... 78, 79 Nebensprechen ..........................367, 445, 447
Lichtleiterstrecke ............................... 112, 189 NEMP ............................................................357
Lightning Direct Effects............................. 397 Nuclear Electromagnetic Pulse ............. 93
Lightning Electromagnetic Pulse ............. 397 Neper ............................................................... 10
Lightning Indirect Effects.......................... 397 Netzausfall ....................................................332
Lightning Protection Zones ...................... 398 Netzfilter ..............................................160, 220
Lochkopplung ............................................. 220 Netzimpedanz ..............................................282
LPZ Netzleitungsfilter .........................................174
-, Lightning Protection Zone ............... 398 Netznachbildung .........................................282
Luftentladung............................................... 341 Δ- 283
T- 284
M
V- 283
Magnetspule ................................................. 387 Netzrückwirkung.................................. 74, 395
Magnetventilantrieb ..................................... 85 Netzstörsimulatorsystem............................346
Margin ............................................................. 16 Netzwerkmodell ............................................ 28
Masse ........................................... 34, 39, 41, 43 Neutralisierungstransformator .................111
Massegitter.................................................... 443 Normenkonformität....................................480
Massepunkt .................................................... 44 Normungsgremien .......................................467
Medizintechnik............................................ 423 Nutzpegel ........................................................ 14
Mehrfachentstörkondensator ................... 170
O
Mehrleitersystem ......................................... 138
Messabweichung ......................................... 319 Oberschwingung ................................... 47, 345
Meßgelände .................................................. 299 Optokoppler ........................................112, 188
Meßgeländedämpfung....................... 300, 302 ortsfeste Anlagen .........................................474
Meßkabine .................................................... 277 Oszilloskop ...................................................406
Meßplatz ....................................................... 299
P
Messunsicherheit in der EMV.................. 318
Mittelschutz.................................................. 403 Pegel
Mittelwertanzeige........................................ 312 -, absoluter ................................................. 13
Modalanalyse ............................................... 139 -, isokeraunischer ..................................... 93
Moden .................................................. 140, 225 -, relativer ................................................... 13
Index 541
Pegel ................................................................... 7 Referenz .......................................................... 43

Pegeldifferenz ................................................. 15 Reflexion .............................................. 450, 451
Perforationsgrad ......................................... 220 Reflexionsdämpfung .......................... 266, 380
Permittivität ................................................. 165 Reflexionsfaktor .......................................... 381
Phasenanschnittsteuerung ........................ 176 RegTP ............................................................ 473
Phasen-Linienspektrum ............................... 48 Resonanz
Plattenleitung............................................... 355 -Bedämpfung........................................... 164
Plattenschirm............................................... 271 Resonanzkatastrophe ................................. 260
Potential Reverberation Chamber ................... 225, 305
-anhebung ......................................... 34, 126 RFID ................................................................ 68
-ausgleichsschiene .................................... 42 Richtkoppler ................................................ 350
-differenz .................................................... 34 Riemannsche Integraldefinition................. 53
Potentialausgleich.............................. 400, 401 Ringerde ........................................................ 153
Primärmaßnahme ............................................ 5 Ringkern ....................................................... 172
Product Standards ...................................... 469 RTCA ............................................................. 471
Produktfamilien .......................................... 469 Rückenzeitkonstante .................................. 340
Propagatormatrix ........................................ 273 Rückwirkungsfeld ............ 209, 211, 239, 249
Proximity-Effekt .................................... 91, 443
S
Prüfpegel.......................................................... 23
Prüfpistole .................................................... 344 Schachtabsorber .......................................... 224
Prüfschärfe ............................. 23, 98, 327, 329 Schaltschrankbau........................................ 415
Pulse Power Technik ........................... 92, 406 Schaltstoßspannung ................................... 336
Schaltungsmasse ......................................... 442
Q
Schirm
Quasi-Spitzenwertanzeige ........................ 309 -, dielektrischer ....................................... 207
quasistationär .............................................. 198 -, elektromagnetischer........................... 195
Quelle -, ferromagnetischer............................... 252
-, funktionale ............................................. 63 -, unmagnetischer ................................... 252
-, nichtfunktionale .................................... 64 Schirmdämpfung .... 7, 24, 37, 196, 235, 363,
378
R
Schirmfaktor ................................ 37, 195, 235
Rahmenantenne ............... 198, 202, 295, 352 Schirmkabine ............................................... 125
Raum Schirmmaterial ............................................ 374
-, geschirmter .......................................... 222 Schirmung .................................................... 128
Raummittelpunktmethode ........................ 369 Schirmungsmaß ........................................... 366
Raummittelpunktsmethode ...................... 370 Schlitzkapazität ........................................... 208
Rauschstörer ............................................ 66, 67 Schnüffelantenne ........................................ 296
Rauschstörquelle............................................ 80 Schnüffelsonde ............................................ 153
Reduktionsfaktor ........................................ 133 Schutzerdung ................................................. 40
Reduktionsleiter .......................................... 132 Schutzkaskade ............................................. 187
Reduktionswirkung .................................... 212 Schutzleiter .................................................... 40
542 Index
Schutzpotentialausgleich ........................... 400 Stabkerndrossel ...........................................171

Schutzschirm ...................................... 116, 118 Stehwellenverhältnis ..........................357, 381
Sekundärmaßnahme ...................................... 5 Störabstand ................................................ 7, 14
Sender -, dynamischer ........................................... 18
-, funktionaler ........................................... 67 -, statischer ................................................. 16
Septum .......................................................... 232 Stördämpfung ................................................. 24
showering arc ................................................. 86 Störeindruck .................................................310
Signalreflexion .................................... 450, 454 Störemission ................................................... 15
Signalübertragung Störfeldstärke ......................................281, 289
-, symmetrische ....................................... 115 Störfestigkeit ..................................................... 2
Signalverzögerungszeit ................................ 19 -, dynamische ............................................ 16
Silizium-Lawinendioden ........................... 182 -, statische .................................................. 16
Simulator ...................................................... 153 Störfestigkeit ................................................... 15
Skalarpotential Störfestigkeitsprüfung .......................... 23, 327
-, magnetisches ....................................... 253 Störgröße
Skewing ......................................................... 459 -, bewertete ................................................ 23
Skin-Effekt.................................................... 198 -, leitungsgebundene ..............................328
SMD ............................................................... 440 Störimpulspaket ...........................................332
Spannung Störleistung ..........................................281, 305
-, induzierte ............................................. 130 Störpegel.......................................................... 13
asymmetrische .......................................... 31 Störquelle .............................................3, 63, 64
Gegentakt .................................................. 32 -, breitbandig ............................................. 65
Gleichtakt .................................................. 32 -, schmalbandig ......................................... 65
symmetrische ............................................ 31 Störschutz .....................................................157
unsymmetrische........................................ 31 Störschwellenpegel ....................................... 14
Spannungsabsenkung................................. 332 Störsenke.................................................... 3, 25
Spannungseinbruch ...................................... 88 Störsicherheit
Spannungsoberschwingung ........................ 74 -, dynamische ............................................ 15
Spannungspegel ............................................... 7 -, statische .................................................. 15
Spannungsschwankung ............................... 74 Störsicherheitsabstand ................................. 14
SPD Störspannung ......................................281, 282
surge protection device ......................... 402 -, asymmetrische .....................................283
Spektralamplituden ...................................... 48 -, symmetrische ................................ 33, 161
Spektraldichte ......................................... 53, 54 -, unsymmetrische .................. 33, 161, 283
Spektralfunktion ........................................... 53 Störspannungsmessung ..............................286
Spektrum ............................................. 281, 426 Störstrahlung .................................................. 26
Spektrumanalysator........................... 307, 317 Störstrom.......................................................286
Spektrum-Management ............................. 470 Störung
Spiralantenne ............................................... 294 -, asymmetrische .....................................169
Spitzenwertanzeige ..................................... 308 -, breitbandige .........................................315
Stabantenne................................ 198, 289, 292 -, inkohärente ..........................................317
Index 543
-, intermittierende ..................................... 67 TEM-Welle ................................................... 265

-, irreversible ................................................ 3 TEM-Zelle .................................................... 374
-, kohärente............................................. 316 -, Doppel-................................................. 376
-, leitungsgebundene ......................... 26, 79 -, koaxiale ................................................ 375
-, reversible................................................... 3 Testmessungen ............................................. 152
-, schmalbandige .................. 315, 345, 349 TKG ............................................................... 472
-, symmetrische ...................................... 170 Totkapazität ................................................. 290
-, transiente ................................................ 56 Transferimpedanz ....................................... 100
-, unsymmetrische.................................. 169 Transformationsmatrix .............................. 139
Stoßentladekreis ......................................... 409 Transmissionsmatrix................................... 272
Stoßgenerator ..................................... 359, 410 Transzorb
Stoßkennlinie .............................................. 185 Transient Zener Absorber .................... 182
Stoßstrom ............................................ 339, 340 Trapezimpuls ................................................. 57
Strahlung ......................................................... 25 Trenntransformator .................. 110, 190, 414
Strahlungskopplung ............................. 29, 142
U
Streifenleiter ................................................ 355
Striplines....................................................... 355 Überlagerungsprinzip ................................. 307
Stromamplitude ............................................. 83 Überschlag
Strominjektion ............................................ 359 -, rückwärtiger ............................... 125, 193
Strominjektionsprüfungen ........................ 360 Überspannung..................................... 335, 338
Strominjektionsverfahren ......................... 346 -, transiente..........................................85, 88
Stromschleife ............................................... 456 Überspannungsableiter .............................. 177
Stromsteilheit ................................................. 83 -, harter............................................ 183, 184
Stromwandler ..................................... 286, 287 -, weicher ................................................. 184
Stützkondensator .............................. 439, 441 Überspannungsschutzeirichtung.............. 402
Superheterodynempfänger .......................... 73 Überspannungsschutzkoordination ........ 177
Superheterodynprinzip.............................. 307 Übersprechen ...................................... 445, 448
Suppressor Diode ....................................... 182 Übertragungsmaß ...................................... 7, 24
surface-mounted device ............................ 440 Umgebungsklasse ............................. 23, 64, 95
surge protective device .............................. 402 Ummagnetisierungsverlust ........................ 167
Symmetriertransformator ......................... 111 Universalmotor ..................................... 79, 390
Symmetrierübertrager .............. 116, 284, 297 ÜSE
Systemanalyse.............................................. 152 Überspannungsschutzeinrichtung ...... 402
Systematische Fehler ................................. 319
V
T
Varistor ......................................................... 402
Technische Unterlagen .............................. 479 VDE-Prüfstelle............................................. 480
Telegraphengleichung ................................ 146 VDR
TEMPEST Voltage Dependent Resistor ................ 178
Temporary Emanation and Spurious Ventilableiter....................................... 186, 401
Transmission........................................... 5 Verlustfaktor ....................................... 166, 168
544 Index
Verträglichkeitspegel .................................... 15 Wirbelstrom ..................................................167

Vorschriftenwesen ...................................... 465 Wirbelstromkonstante ................................238
VSWR WLAN ............................................................. 68
Voltage Standing Wave Ratio ............. 357
X
W
X-Kondensator ....................................162, 392
Wabenkaminfenster.................................... 219
Y
Wanderwelle ................................................ 265
Wechselfeld Y-Kondensator ....................................162, 392
-, elektrisches ........................ 196, 207, 353
Z
-, magnetisches ..................... 196, 207, 208
Welle ZF-Bandbreite ..............................................316
-, elektromagnetische .......... 210, 235, 262 Zufällige Fehler ............................................319
Wellendämpfung ......................................... 276 Zuständige Behörde ....................................473
Wellendämpfungsanteil ............................. 276 Zuständige Stelle .........................................477
Wellengleichung ................................. 211, 237 Zweileitersystem ..........................................135
Wellenleiter ......................................... 351, 354 Zwischenfrequenz ................................ 73, 307
Wellenmatrixmethode................................ 271 Zylinderfunktion .........................................254
Wellenmatrixmethode................................ 271 Zylinderschirm ...........................239, 246, 253
Wellenwiderstand ....................................... 104
Wellenzahl .................................................... 237

2011 Book ElektromagnetischeVerträglichk

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Adolf J.

Schwab · Wolfgang Kürner

ISBN 978-3-642-16609-9 ISBN 978-3-642-16610-5 (eBook)

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1990, 1991, 1994, 1996, 2007, 2011

Einbandentwurf: WMXDesign GmbH, Heidelberg

Gedruckt auf säurefreiem Papier

Springer ist Teil der Fachverlagsgruppe Springer Science+Business Media (www.springer.com)

Dieses Buch ermöglicht Entwicklern, Herstellern und Ingenieuren aller Dis-

Entwurf und Entwicklung elektronischer Systeme erfordern intime Kennt-

Nach einer kurzen Einführung in die allgemeine EMV-Problematik und der

ge Natur elektromagnetischer Beeinflussungen und ihrer Übertragungswege.

Die nachfolgende, detaillierte Erläuterung der verschiedenen Kopplungs-

Eigene Kapitel über die Messung von Störemissionen und Störfestigkeiten

Die 6. Auflage der Elektromagnetischen Verträglichkeit wurde um weite

Springer-Verlag für die rasche Fertigstellung und die ansprechende Aus-

Karlsruhe, September 2010 Adolf J. Schwab, Wolfgang W. Kürner

1 Einführung in die Elektromagnetische Verträglichkeit ....................................................... 1

2.2.1 Kommunikationssender ............................................................................................... 67

3 Koppelmechanismen und Gegenmaßnahmen .................................................................... 99

4 Passive Entstörkomponenten ............................................................................................. 157

5 Elektromagnetische Schirme .............................................................................................. 195

6 Theorie elektromagnetischer Schirme ............................................................................... 235

6.1.3 Zylinderschirm im transversalen Feld ................................................................... 246

7 EMV-Emissionsmesstechnik .............................................................................................. 281

8 EMV-Störfestigkeitsprüftechnik ........................................................................................ 327

8.1.3 Simulation breitbandiger energiereicher Überspannungen

9 EMV-Entstörmittelmessungen ........................................................................................... 363

10 Repräsentative EMV-Probleme .......................................................................................... 387

10.8 EMV von komplexen Systemen ............................................................................................ 415

11 EMV gerechter Entwurf elektronischer Baugruppen ..................................................... 433

12 EMV-Normung und CE-Konformität ................................................................................ 465

Literatur ...................................................................................................................................... 507

Index ............................................................................................................................................ 535

1.1 Elektromagnetische Verträglichkeit,

Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) ist der moderne Oberbegriff für

Unter Elektromagnetischer Verträglichkeit, EMV (engl.: EMC, Electro-Mag-

A. J. Schwab, W. Kürner, Elektromagnetische Verträglichkeit,

Beispiele für Empfänger elektromagnetischer Energie sind neben Rundfunk-

Elektromagnetische Verträglichkeit ist keineswegs selbstverständlich, da das

Elektrische Einrichtungen können gleichzeitig als Empfänger und Sender

„Fähigkeit einer elektrischen Einrichtung, in ihrer elektromagneti-

Electromagnetic Interference). Gelegentlich wird auch die Störgröße selbst

„Einwirkung elektromagnetischer Größen auf Stromkreise, Geräte,

Elektromagnetische Beeinflussungen können sich in reversiblen oder irre-

In der Praxis unterscheidet man reversible Beeinflussungen nach ihrer Stärke

– Beeinflussungen, die gerade noch tolerierbare Funktionsminderungen

Wegen der Vielfalt der in Frage kommenden elektrischen Einrichtungen, und

Bild 1.1: Beeinflussungsmodell mit Störquelle, Koppelmechanismus und Störsenke.

Im Gegensatz zu den Beeinflussungen zwischen verschiedenen Systemen, die

Störquelle Störsenke Störquelle Störsenke

System I System II System

Bild 1.2: Intersystem-Beeinflussung (links) und Intrasystem-Beeinflussung (rechts).

Typische Beispiele für Intrasystembeeinflussungen sind parasitäre Rückkopp-

Wann Sender und Empfänger letztlich als elektromagnetisch verträglich be-

– Empfänger gelten als verträglich, wenn sie in einer elektromagnetisch

Durch geeignete Maßnahmen beim

– Sender (Schirmung, Spektrumbegrenzung, Richtantennen, usw.)

lässt sich in praktisch allen Fällen eine ausreichende elektromagnetische

Bei Intrasystem-Beeinflussungen kann man die Wahrung der elektromagne-

Bei Intersystem-Beeinflussungen des Ton- und Fernsehrundfunkempfangs

Komplexe Systeme verlangen bereits im Planungsstadium die umfassende

Bild 1.3: Kostenkurven K P = f( W EMB ) für rechtzeitig geplante EMV-Maßnahmen und

Das Anstreben des EMV-Kostenminimums setzt eine intime Kenntnis der

3dB 2, 6dB 2, 20dB 10, 120dB 106 .

Für Leistungen gilt dagegen beispielsweise 10dB 10 .