Aluno: _€/edson de Data: {6/04/99 ), J. 10,5 pto) - Desenhe um transistor NPN nas configuragdes EC, BC e CC, mostrando a poaridade das ( Valor. 12 pontos Numero: © 4 Nota: ) 3 Turma: tensdes que devem ser aplicadas em cada terminal ¢ 0 sentido da corrente (convencional) nos mesmos 1-9 i | 8 ‘4 2) (2,5 pto) - Dé 0 significado dos parametros Icbo € Iceo, @ relagao entre eles, e mostre um circuito pratico para medir cada um. wt Gy medy oe? X Ch L4 medic 0" ) 0,, (1,0 pto) - Um transistor possui a = 0,998. Se IE = 12,0mA, qual deve ser o valor de 1B? oo Oo S 4) (2,5 pto) - Calcular as tensdes de polarizagao VeB e Ven e as correntes Ie, Ic IB para 0 circuito abaixo. O circuito possui um transistor NPN de germanio. Dados: : 7 ver=4V ; Vec= 20V Re “ <) vee Re RE=470Q ; Re=5,6KQ ; | . | | = 0,98 ®< 4 ) oe 5) (2,0 pto) - Para o circuito da questo anterior, calcular RE e Rc de forma que 0 novo ponto de operagao do circuit seja: Ven= Vec/2 e Ic=15,0mA. “ C- oO d 9 6) (2,5 pto) - Para 0 circuito ao lado, encontrar RB e Re de forma que 0 ponto de operagio sejas VeE=11V e Ic=10mA Dados: B= 130 e Vcc=20V Silicio: VBR =0,7V VCEs,r=0,3V VCBsar=0,3V Germanio: VBE =0,3V VCEsxr=0,2V. VCBsxr=0,2V c+ Ib Bea/(l-a) a=B/(B+1) le E+ leno Ie=f IB + Ice Relagio aproximada; Ic= a IE Ic=B 1B — Relagao exata: Ic =