NR MAKRON Books Capitulo 4 Tiristores 4a INTRODUCAO O tiristor é um dos mais importantes tipos de dispositivos semicondutores de poténcia, (8s tiristores sio extensivamente utilizados em circuitos de eletronica de poténcia. Eles ssio operados como chaves biestaveis, inco do estado de ndo-condugao para o estado de condugio, Os tiristores podem ser considerados como chaves ideals para muitas aplica- shes, mas os tiristores praticos exibem certas caracteristicas e limitagoes. 4.2 CARACTERISTICAS DOS TIRISTORES O tiristor é um dispositive semicondutor de quatro camadas, de estrutura pnpn, com trés jungGes pn. Ele tem trés terminais: anodo, catodo e gatilho (do inglés gate). A Figura 4.1 ‘mostra o simbolo do tiristor e uma vista da seco transversal das tr8s jungdes ps, Os firistores sio fabricados por difusio, Quando a tensio de anodo ¢ positiva em relagio ao catodo, as jungdes Jy ¢ fs cest2o polarizadas diretamente. A jungio [, esta reversamente polarizada e apenas uma pequena corrente de fuga flui do anodo para o catodo. Diz-se entdo que o tiristor esta na condigao de bloqueio direto (do inglés forward blocking) ou estado destigado (do inglés offstate) ea corrente de fuga & conhecida como corrente de estado desligado Ip. Se a tensdo anodo-catodo Vax for aumentada a um valor suficientemente grande, a jungio reversa- mente polarizada J2 romperd. Isto 6 conhecido como ruptura por avalanche (do inglés avalanche breakdown) e a tensao correspondente 6 chamada fensio de ruptura direta (do inglés forward breakdown voltage ~ Vigo). Como as jundes Js ¢ fy esto diretamente potariza 0a das, havera um movimento livre de portadores através de todas as trés jungdes, resul- tando em uma grande corrente de anodo no sentido direto. O dispositive estara entdo no estado de condugio ow estado ligado (do inglés on-state). A queda de tensio se deve & queda ‘hmica nas quatro camadas e é pequena, tipicamente de 1 V, No estado de condugio, a corrente de anodo ¢ limitada por uma impedancia ou resistencia externa Ry, como mostrado na Figura 42a. A corrente de anodo tem de estar acima de um valor conhecido como corrente de travamento (do inglés latching current - I.) a fim de manter a quantidade necessaria do fluxo de portadores na juncao; de outra forma o dispositive voltard & condigao de bloqueio quando a tensdo anodo-catodo for reduzida. A corrente de travn- ‘mento h, & a minima cortente de anoclo necessaria para manter o tiristor no estado de condugio imediatamente apés um tiristor ter sido ligado e o sinal de gatilho ter sido removido. Uma curva caracteristicatipica vi de um tiristor é mostrada na Figura 4.2b, ‘ (A noo Figura ° F Simolo do tirtor eas ts o, er jncteepn. 6 h ° mrs «atmo I, F Catodo Uma vez que o tirstor conduz, ele se comporta como um diodo em condugio e nio ha controle sobre o dispositive. Ele continuaré a conduzir porque nao ha camada de deplegio devido ao movimento livre de portadores na jungio J. Entretanto, se a corrente direta de anodo for reduzida abaixo de um nivel conhecido como corrente de manutencio (do inglés folding current ~ I), uma regiéo de deplecio se desenvolvers em toro da juncao Jz, devido ao reduzido nimero de portadores, ¢ 0 tiristor estard no estado de bloqueio. A corrente de manutencio esti na ordem de miliampéres e € menor que a corrente de travamento ly. Isto &, fy > Ij A corrente de tracamento Iya minima corrente de anodo para manter 0 tiristor no estado de condugio. A corrente de manutengio é menor que a corrente de travamento.122 Eletrnicn de Poténcia—Circuitas, ispostioos e Aplioaies Cap. 4 Figura 42 Circuito do tiristor ‘aracteristica >i ‘une deste |-— cet fer contcto) bari oa (0) Crate (0) Con emcee Ui Quando a tensio de catodo positiva em relacio ao anodo, a jungdo J> ests diretamente polarizada, mas as jungies |» € |} estio reversamente polarizadas. Isto é, como dois diodos conectados em série, com tensio reversa sobre eles. O tiristor estar no estado de bloqueia reverso e uma corrente de fuga reversa, conhecida como corrente reversa Tre fluiré através do dispositivo. Um tiristor pode ser ligado pelo aumento da tensio direta Vax além de Vo. mas tal forma de ligé-lo pode ser destrutiva, Na pratica, a tensio direta é mantida abaixo de Vao € 0 titistor€ ligado (disparado) pela aplicagao de uma tensio positiva entre seus terminais de gatilho e catodo. Isto é mostrado na Figura 4.2b pelas linhas pontilhadas. Uma vez que o tiristor seja disparado por um sinal de gatilho e sua corrente de anodo seja maior que a corrente de manuten¢ao, o dispositivo continua a conduzir devido & realimentagio positiva, mesmo que o sinal de gatilho seja removido, Um tiristor é um dispositive de retengdo ou travamento. 4.3 | MODELO COM DOIS TRANSISTORES DE UM TIRISTOR ‘Aagdo regenerativa ou de travamento devido a realimentacio positiva pode ser demons- trada pela utilizagio de um modelo de tiristor com dois transistores. Um tiristor pode ser considerado como dois transistores complementares, um pp, 0 transistor Qy, ¢ 0 outro npn, 0 transistor Qz, como mostrado na Figura 43a.Cop.4 Tiristors 123, A corrente de coletor Ic de um tiristor 6 relacionada, em geral, a corrente de emissor Ip ea corrente de fuga da jungio base-coletor, Icpo, como Ie = ale + leno (41) © 0 ganho de covrente em base comum & definido como a = Jc/Ir. Para 0 transistor Qy, a corrente de emissor € a corrente de anodo 1, e a corrente de coletor Ic; pode ser encontrada a partir da Eq, (4.1): Tet = ola + Icno1 42) Figura 3 Modela de um tiristor com dois transistors, rae (a) Esta bien {b) Cheat quvalone onde cy & 0 ganho de corrente e Iejox &a corrente de fuga para Qi. Similarmente para 0 transistor Qo, a corrente de coletor Ico & ea = alk + Icpo2 (a3) onde az é 0 ganho de corrente e Ienon € a corrente de fuga para Qz, Combinando Ici € Icy, obtém-se. ley + ea = aula + Tenor + oalk + Icpoe aay Mas para uma corrente de gatilho de Ic, Ix = I) + Ice resolvendo a Bq, (4.4) para Ia, obtém-se ale + Ieaon + Tenon T= "T= (on + @) (45) (O ganho de corrente a; varia com a corrente de emissor [4 = Ip;€ a2 varia com Ik = I4 + Ig. Uma variagao tipica do ganho de corrente o.com a corrente de emissor Ipé mostrada na Figura 4.4. Se a corrente de gatilho I¢ for subitamente aumentada, por124 Eletrnien de Poténcia~Cireutos, Dispositows e Aplicapes Cap. exemplo de 0 a 1 mA, isto imediatamente aumentard a corrente de anodo Ia, 0 que aumentaré ainda mais a e a3; a2 dependerd de I, ¢ Ic. O aumento nos valores de a & aumentaré ainda mais J4, Portanto, ha um efeito regenerative ou de realimentacdo. positiva, Se (a + 3) tender a unidade, 0 denominador da Eq, (45) se aproximard de 2er0, resultando em uma grande corrente de anodo I», ¢ 0 tiristor sera disparado com, ‘uma pequena corrente de gatilho. Figura sa 10. \Variagio tipica do ganho de a cortente com 3 corrnte de emissor. ae 02 0. —* len to Sob condigdes transitérias, as capacitancias das jungées pm influenciardo a ‘curva caracteristica do tiristor, como mostrado na Figura 45. Se o tiristor estiver no estado de bloqueio, tuma tensio de crescimento rpido (do tipo degrau) aplicada sobre 0 dispositivo causard um fluxo elevado de corrente através dos capacitores das jungdes. A cortente através do capacitor Cp pode ser expressa como aVin at dap ai a aCe jin 4h CaVa) = Va GP + Gp (as) conde Cp e Vip sio a capacitancia e a tensio da jungio Ja espectivamente, e qp € a carga na jungao, Se a taxa de crescimento da tensio do/dt for grande, entao jz sera grande, e isto resultara em correntes de fuga Ics01 e leno2 maiores. De acordo com a Eq, (45), valores suficientemente grandes de Icyo1 € Icnoz podem causar (a + a), tendendo & tunidade, e resultar em um disparo indesejavel do tristor. Entretanto, uma corrente clevada através dos capacitores das jungées pode também danificar o dispositiveCops Tiros 125 te Figura hs Modelo transitéro de um tiristor com dois transstores. 4.4 DISPARO DE UM TIRISTOR Um tiristor é disparado aumentando-se a cortente de anodo. Isto pode ser conseguido através de uma das seguintes formas: Térmica. Se a temperatura de um tiristor for elevada, havers um aumento no nimero de pares elétrons-lacunas que aumentaré as correntes de fuga. Este aumento nas correntes causaré o aumento de a e dz. Devido a acio regenerativa, (ct: + a2) poderso lender a unidade ¢ o tiristor poderd ser disparado. Esse tipo de disparo pode causar agitagdo térmica e é normalmente evitado, Luz. Se for permitido que a luz atinja as jungdes de um tiristor, os pares celétrons-lacunas aumentardo; eo tiistor podera ser disparado. Os tiristores ativados por luz (do inglés light-activated thyristors) sio disparados, permitindo-se que a luz atinja a pastilha de silici. Tensao elevada ou sobretensio. Se a tensio direta anodo-catodo for maior que a tensio direta de ruptura Vso, fluird uma corrente de fuga suficiente para Iniciar o disparo regenerativo. Esse tipo de disparo pode ser destrutivo e deve ser evitado, dv/dt. Pode ser notado a partir da Eq, (4.6) que, se a taxa de erescimento da tensio anodo-catodo for elevada, a corrente de carga das jungies capacitivas pode ser126 __Eletrinien de Poténcia— Cireuites,Dispositivos e Aplicuies Cap. 4 suficiente para disparar o tiristor. Um alto valor de corrente de cangas pode danificar 0 tiristor; e 0 dispositivo tem de ser protegido contra dv/dt elevado. Os fabricantes especi- ficam o do/dt maximo permissivel dos tristores, Corrente de gatitho. Se o tiristor estiver diretamente polarizado, a injega0 da corrente de gatilho pela aplicagio de tensio positiva entre os terminais de gatilho e calodo ird dispari-lo. A medida que a corrente de gatilho aumenta, a tensio de bloquelo dlireta diminut, como mostrado na Figura 46. Figura 46 Estos da corrente de gatilho a tensio debloqueio direta, A Figura 4.7 mostra as formas de onda da corrente de anodo, seguindo a aplicagdo do sinal de gatilho. Hi um atraso de tempo, conhecido como tempo de disparo (do inglés turn-on time ~ fy), entre a aplicacao do sinal de gatilho e a condugio do tiristor, O fon € definido como o intervalo de tempo entre 10% da corrente de gatilho de regime permanente (0,1) e 90% da corrente de regime permanente em estado de condugao do tiristor (0,917); tn a soma do fempo de atraso tae do tempo de subida ty; ty € definido como ‘ intervalo de tempo entre 10% da corrente de gatilho (0,1fc)e 10% da corrente do tiristor ‘emestado de condugio (0,117). O f, 6 0 tempo necessrio para a corrente de anodo crescer dle 10% a 90% da corrente em estado de condugao (ou seja, de 0,17 a 0T7). Esses tempos io ilustrados na Figura 47.Cap.4 Tirstores 127 Figura 47 CCaractersticas de disparo. Os seguintes pontos devem ser considerados no projeto de circuitos de controle de gatitho: 41. Osinal de gatitho deve ser removido apés o disparo do tristor. Um sinal continuo aumentaria a perda de poténcia na jungio do gatilho. 2 Enquanto o tivistor estiver reversamente polatizado, nio deverd haver sinal de gatilho; de outra forma o tiristor poderia falhar devido a um. aumento da corrente de fuga, 3. Allargura do pulso de gatilho 1g tem de ser maior que o tempo necessério, para a corrente de anodo crescer até o valor da corrente de manutengio Iv. Na pratica, a largura do pulso tg normalmente & feita maior que 0 tempo de disparo do tiristor fon Exemplo 4.1 A capacitincia da jungio jz reversamente polarizada em um tristor & Cz = 20 pF © pode ser considerada independente da tensio de estado de blagueio. O valor de limitagio da corrente de ‘carga para disparar otiristor é 16 mA. Determinar o valor eritico do d/d Solucio: Ca = 20pF e ja = 16mA. Como diCpVil critica de do/d a partir da Eq, (46) (6, pode-se encontrar 0 valor do _ ip _ 16x10" at Ca” 20x 10 B00 V/s128 __Eletrinica de Poténcia Cireuitos,Dispositoese Aplicagies Cap. 4 45 PROTECAO CONTRA di/dt Um tiristor necessita de um tempo minimo para espalhar a conducao de corrente unifor- _memente por todas as jungdes. Se a taxa de crescimento da corrente de anodo for muito rapida, comparada & velocidade de espalhamento do processo de disparo, um "ponto jquente” (do ingles ho! spot) localizado ocorrera, devido 3 elevada densidade de corrente, €0 dispositivo poderd falhar, como resultado da temperatura excessiva Os dispositives priticos devem ser protegides contra di/dt elevados. Como exemplo, considerar o circuito da Figura 4.8. Sob operacio em regime permanente, Dyy conduz quando o tiristor T; estiver desligado. Se T; for disparado quando D,, ainda estiver conduzindo, 0 di/at poderd ser muito alto e limitado apenas pela indutancia parasita do circuito. Na pritica, 0 di/dt 6 limitado pela adigdo de um indutor em série L como mostrado na Figura 48. 0 di/dt no sentido direto & di _ Vs aera a7 onde L, 6 indutancia em série, incluindo qualquer indutancia parasita Figura 6 i ty +L Gireaito chopper com indutotes de imitacio de Re aaa diva y D, % ca 4.6 PROTEGAO CONTRA dv/dt Sea chave Chi, da Figura 49a, for fechada em f = 0, um degrau de tensio seré aplicado sobre o tiristor T; e 0 dv/dt pode ser elevado o suficiente para disparar o dispositive. O \to/dt pode ser limitado através da conexdo do capacitor C,, como mostra a Figura 49a (Quando o tiristor T; for disparado, a corrente de descarga do capacitor sera limitada pelo resistor R,, como mostraco na Figura 4.9b,Cop.4 Tiristoes 129 Com um circuito RC, conhecido como circuito snubber (ver Capitulo 16), a tensdo sobre o tiristor crescer exponencialmente, como mostrado na Figura 4.9¢, ¢ 0 dy/ét poderd ser encontrado aproximadamente de do Vs Gf = 06324! Vs 0632.9, (as) © valor da constante de tempo snubber t = R,C, pode ser determinado a partir da Eg. (48) para um valor conhecido de dv/dt. O valor de R, é encontrado a partir da corrente dle descarga Inp, Ree a9) Figuraas Cireuitosde rotegio contra oat fel utilizar mais de um resistor para o do/dt e para a descarga, como mostrado na Figura 49d. O do/dt é limitado por Ry e C,. (Ry + Ra) limita a corrente de descarga de forma que v, Ri + Ro (410) Ire A carga pode formar um circuito em série com a rede snubber, como mostrado na Figura 49e. A partir das Eqs. (3.23) e (3.24), a razio de amortecimento 8 de uma equagio de segunda ordem &130 Circuits, Dspostios e Aplicagies Cap. 4 (an) onde L.é a indutincia parasita e Le R sfo a indutancia e resistencia de carga, respectiva- mente, Para limitar o sobressinal (do inglés overshoot) maximo de tensdo aplicado sobre o tristor, éutilizada uma razio de amortecimento na faixa de 0,5 a 1,0. Se a indutancia da carga for elevada, o que €normalmente caso, R, pode ser grande e C, pequeno para ‘manter o valor desejado de razo de amortecimento. Um valor alto de R, reduzira a corrente de descarga e um valor baixo de C, reduzir as perdas no siiubber. Os circuitos da Figura 49 devem ser totalmente analisados para se determinar © valor desejado de razio de amortecimento que limitaré 0 42/4! ao valor pretendido. Uma vez que a raz30 de amortecimento seja conhecida, R, e C, podem ser encontrados. A mesma rede RC ou. snubber € normalmente utilizada tanto para protecio contra dv/df quanto para supressa0 de tenses transitérias devido ao tempo de recuperacao reversa. A supressdo de tenses transitérias ¢ analisada na Secio 15.4 Exemplo 4.2 A tensio de entrada na Figura 48¢ 6 V, = 200V com uma resisténcia de carga de R indutancias da carga © parasita sio despreziveis ¢ 0 tiistor € operado a uma freq fi = 2 kHz Se o de/dt desejado for 100 V/s ea corrente de descarga tiver de ser limitada a 100 A, ddeterminar (a) o8 valores de R, € Ci, (b) as perdas no snubhere (c) a especificagio de potencia do resistor do subber Solugio: dove, ep = 100A, R = 50,1 eV, = 200V. (@) A partir da Figura 4.9, a corrente de carga do capacitor smubber pode ser expressa 1 emir d fudteneao Cam condo il = 0 = acme dang encod cma Vs it w= gee oo) mque = (fs +) Aten dnt che tor é Re an ont) = Vs~ gig oo) Em = 0.2110) = Vs ~ RVW(Ry + Roeemt Vi, 0368 RV./R. +R): or(Cap.4 Tiros 131 do _ v(t) = 20) __O632 RVs ae CR RE aes A partir da Eq, 9), Re = Vi/trp = 200/100 = 20, AEg. (4.14) dé = 0632 5 x 200 xT G @ +57 x 100 = 01294 (0) As perdas no suubler sio P= 08GV2f 05 « 0,129 x 10° x 200? x 2000 (415) (© Supondo que toda a energia armazenada em C. seja dissipada somente em Ry a especificagao de potincia do resistor snubber 65,2 W. 4.7. DESLIGAMENTO DO TIRISTOR Um tiristor que esteja em estado de condugio pode ser desligado pela redugio da cortente direta a um nivel abaixo da corrente de manutengio ly. Hd varias técnicas para © desligamento de um tiristor, que so discutidas no Capitulo 7. Em todas as técnicas de comutacio, a corrente de anodo conservada abaixo da corrente de manutencio por um. tempo suficientemente grande, de forma que todos os portadores em excesso nas quatro ‘camadas sejam eliminados ou recombinados. Devido as duas juncies pt externas J: ¢ fy, 28 caracteristicas de desligamento seriam similares s de um diodo, exibindo tempo de recuperagio reversaf,, corrente de recuperacio reversa maxima Ig Ing pode ser muito maior que a corrente de bloqueio reversa normal /, Em um circuito conversor comutado pela rede, onde a tensio de entrada é alternada como mostrado na Figura 4.10a, uma tensio reversa aparece sobre 0 tiristor imediatamente apés a corrente direta ir para 0 valor zero. Esta tensio reversa aceleraré o processo de desligamento, eliminando o excesso de portadores nas jungSes Ive fs. As Eqs. (2.6) € (2.7) podem ser aplicadas para calcula te I152 __Eletinica de Poténcia—Circwitos, Dispostivos e Aplicaies Cap. 4 Figura 4.10 Curvas caracterstcas de desligamento, (2) Cheat crated rata rete A jungio pr interna Jz necessitarsé de um tempo, conhecido como tempo de ecombinagio ~ fy, para recombinar o excesso de portadores. Uma tensio reversa negativa reduziria esse tempo de recombinagio, O t,. é dependente da amplitude da tensio reversa. As curvas caracteristicas de desligamento sio mostradas na Figura 4.10a e b, para um circuito comutado pela rede e para um de comutacio forcada, respectivamente. (© tempo de desligamento t, & a soma do tempo de recuperagio reversa ty, € do tempo de recombinacio f,. Ao término do desligamento, uma camada de deplecio desenvolve-se sobre a juncio Jz e 0 tiristor recupera sua capacidade de suportar (blo- quear) tensio direta. Em todas as técnicas de comutacdo no Capitulo 7, uma tensio reversa & aplicada sobre o tiristor durante 0 processo de desligamento. © tempo de destigamento (do inglés turn-off time ~ ty) & 0 valor minimo do intervalo de tempo entre o instante em que a corrente em estado de conducio ¢ diminuCap.4 Tiristores 133 daa zero e aquele em que 0 tiristor 6 capaz de suportar tensio direta sem disparar. O t, depende do valor maximo da corrente de condugio e do valor instantaneo da tensio, ambas em estado de condugao. Acarga reeuperada reversa (do inglés reverse recovered charge ~ Or) € a quanti- dade de carga que tem de ser recuperada durante o processo de desligamento, Sett valor € determinado a partir da drea englobada pelo caminho da corrente de recuperagio reversa. O valor de Qn depend da taxa de decaimento da corrente de conducio © do valor maximo da corrente, ambas em estado de condugio, antes do desligamento, Qn «causa perda de energia correspondente dentro do dispositivo. 4.8 TIPOS DE TIRISTORES Os tiristores slo fabricados quase exclusivamente por difusio, A corrente de anodo necessita de um tempo finito para se propagar por toda a drea da jungio, a partir do ponto proximo ao gatilho, quando o sinal deste ¢ iniciado para o disparo do tiristor. Os fabricantes utilizam vérias estruturas de gatilho para controlar 0 di/dt, o tempo de dlisparo e o tempo de desligamento. Dependendo da construgao fisica, e do comporta- mento do tempo de disparo e de desligamento, os tiristores podem genericamente ser Classificados em nove categorias: 1. Giistores de controle de fase (do inglés phase-control~ SCR); Liristores de chaveamento répido (do inglés fst-switehing —SCR8), Liristores de desligamento pelo gatitho (do inglés gute-turn-of -GTOs), tiristorestriodos bidirecionais (do inglés bidirectional trode ~ TRIACS); 2 3 4 5. tristores de condusio reversa (do inglés reverse-conducting ~ RCTS); 6. _tirstores de indugdo estitica (do inglés static induction —SITH); z. retificadores controlados de silicio ativados por luz (do inglés light-activa ted silcon-controlled rectifiers ~ LASCRs); 8. _ tiristores controlados por FET (do inglés FET-controlled ~ FET-CTHs); 9. tiristores controlados por MOS (do inglés MOS-controlled ~ MCT), 4.8.1 Tiristores de Controle de Fase Este tipo de tiristores geralmente opera na freqiiéncia da rede e & desligado por comuta- do natural. O tempo de desligamento fy é da ordem de 50 a 1001s. Este é 0 mais adequado para aplicagdes de chaveamento em baixa velocidade e & também conhecido134 Bletnnica de Poténcia~Circuitos, Dispositions e Aplicages Cap. como tiristor de conversor (do inglés converter thyristor). Como um tiristor 6 basicamente ‘um dispositive controlado, feito de silicio, ele & também conhecido como retficador controlado de siliio (do inglés silicon-controlled rectifier ~ SCR). A queda de tensio em estado de conducio, Vr, varia tipicamente de 1,15 V para dispositivos de 600 V a 2,5 V para os de 4000 V; ¢ para um tiristor de 5500 A e 1200 V ela E tipicamente 1,25 V. Os tiristores modernos utilizam uma amplificagdo de gatilho, em ‘que um tiristor auxiliar T, é disparado por um sinal de gatilho e entao a saida amplifi- cada de T; € aplicada como um sinal de gatilho para o tiristor principal Ty. Isto & mostrado na Figura 4.11. A amplificagio de gatilho permite elevadas caracteristicas dindmicas com dv/at tipico de 1000 V/s e di/d# tipico de 500 A/ss e simplifica o projeto do circuito através da reducio ou minimizagio do indutor de limitagio do di/dt e dos itcuitos de protecao contra du/dt. a yAnodo Figuea tt i Tirstor com TMT ampliticagio de fo satilho. athe catedo 4.8.2. Tiristores de Chaveamento Rapido Esses tiristores utilizados em aplicagées de chaveamento de alta velocidade com comu- tagio forgada (por exemplo, choppers no Capitulo 9 e inversores no Capitulo 10). Eles tém tempo de desligamento rapido, geralmente de 5 a 50 us, dependendo da faixa de tensio. A queda de tensio direta em estado de conducio varia aproximadamente como uma fungdo inversa do tempo de desligamento ,. Esse tipo de tiristor é também conhecido coma tiristor de inversor (do inglés inverter thyristor) Esses tiristores tém dv/dt elevado de tipicamente 1000V/s e di/dt de 1000 A/jis, O desligamento rapido e di/dt elevado s20 muito importantes para reduzir 0 tamanho e 0 peso dos componentes do circuito de comutagio e/ou reativo. A tensio em estado de conducio de um tiristor de 2200 Ae 1800 V ¢ tipicamente 1,7 V.Os tiristores de inversores com uma capacidade de bloqueio reverso muito limitada, tipicamente 10 V, e lum tempo de desligamento muito répido entre 3.e Sls, so comumente conhecidos como firistores assimetricos (do inglés asymmetrical thyristors ~ ASCRs). Tiristores de cha- veamento ripido de varios tamanhos sao mostrados na Figura 4.12,Cop.4 Tiristors 135 Figura 4.12 ‘Tiristores de chaveamento ripido (cortsia da Powerex, Inc), 4.8.3. Tiristores de Desligamento pelo Gatilho - GTOS Um tiristor de destigamento pelo gatilho (do inglés gate-turn-off ~ GTO), a exemplo de um SCR, pode ser disparado pela aplicagdo de um sinal positive de gatilho, Entretanto, ele pode ser desligado por um sinal negativo de gatilho, Um GTO ¢ um dispositive de retengio e pode ser construfdo para faixas de tensio ¢ corrente similares Aquelas de um SCR. Um GTO ¢ disparado pela aplicagio de um pulso positivo curto e desligado por um pulso negativo curto a seu gatilho. Os GTOs tém vantagens sobre os SCRs: (1) eliminagao dos componentes de comutagao na comutagao forgada, resultando em reducao de custo, peso e volume; 2) redugio no ruido actistico eeletromagnético devido & eliminacio dos Indutores de comutacdo; (3) desligamento mais répido, permitindo elevadas freqiigncias de chaveamento; e (4) melhor eficiéneia dos conversores Em aplicagdes de baixa poténcia, os GTOs tém as seguintes vantagens sobre os transistores bipolares: (1) capacidade de bloqueio de tensdo mais elevada; (2) elevada relagio entre a maxima corrente controlavel e a corrente média; (3) elevada relagao entre a corrente maxima de surto e a corrente média, tipicamente 10:1; (4) alto ganho em estaclo de condugio (corrente de anodo /corrente de gatilho), tipicamente 600; ¢ (5) sinal de gatilho em forma de pulso de curta duragio. Sob condigdes de surto, um GTO vai para a saturacio completa devido ac3o regenerativa, Por outro lado, um transistor bipolar tende a sair da saturagio, Um GTO tem baixo ganho durante o desligamento, tipicamente 6, e requer um pulso de corrente negativa relativamente alto para desligar. Ele tem quedas de tensao em estado de condugao mais altas que os SCRs. A queda de tensio direta tipica de um GTO de 550 A e 1200 V 6 3,4 V. Um GTO de 160 Ae 200 V, do tipo 160 PFT, é mostrado na Figura 4.13 e as jungSes desse GTO s3o mostradas na Figura 414136 ElerOnica de Potincin Cireuitos, Dispositions e Aplicagies Cup. 4 Figura 4.13 G10 de 160 A, 200 V (cortesia International Rectifier Figura 414 Jungdes do GTO 164A da Figura 4.13 (cortesia da Intemational Rectifier. A maxima correntedireta controldvel Irco € 0 valor maximo da corrente em estado de condugao que pode ser desligada pelo controle do gatilho. A tensio de estado de bloqueio ¢ imediatamente reaplicada apés 0 desligamento, e 0 dv/d¢ reaplicado é limi- tado somente pela capacitancia do snubber. Uma vez que 0 GTO esteja desligado, a corrente de carga fj, que & desviada para e carrega 0 capacitor do snubber, determina 0 ‘do/at reaplicado. dv a> fem que C, éa capacitancia do snubber.Cap.4 Tiristores 137 4.8.4 Tiristores Triodos Bidirecionais Um TRIAC pode conduzir em ambos os sentidos e é normalmente utilizado em controle de fase CA (por exemplo, em controladores de tensio CA, no Capitulo 6). Ele pode ser considerado como dois SCRs conectados em antiparalelo com uma conexio de gatilho ‘comum, como mostrado na Figura 4.15a. A curva caracteristica i é mostrada na Figura 4.15c. Como o TRIAC € um dispositive bidirecional, seus terminais no podem ser designados como anodo e catodo. Se o terminal MT> for positive em relagdo ao terminal ‘MT;, 0 TRIAC pode ser disparado pela aplicago de um sinal positivo entre os terminais| de gatilho Ge MT;. Se o terminal MT; for negativo em relagio. a MT, ele pode ser disparado pela aplicagao de um sinal negativo entre o gatilho G e MT}. Nao é necessario que se tenham ambas as polaridades do sinal de gatilho, pois um TRIAC pode ser isparado com um sinal tanto positive como com um negativo de gatilho. Na pratica as sensibilidades variam de um quadrante para outro e os TRIACs normalmente so opera- dos no quadrante I” (tensao e corrente de gatilho positivas) ou no quadrante JIT” (tensio e corrente de gatilho negativas). Figura 4.15 at Te M9 uum TRIAC. ut, (0) Equalete do TRIAC (Sibel do TRING p= Cocca Qusdrante (MT +) ___-condugto, =p Bloque ou cote Disparo, — — cunerae nO, + uncant V Conaigao —| (0) Cura caracterstea vi138 __Eletnice de Poténci~Cireuitos, Dspositoase Aplicagies Cop. 4 4.8.5. Tiristores de Condugao Reversa Em muitos circuitos de choppers e inversores, um diodo em antiparalelo € conectado através de um SCR, a fim de permitir o fluxo de corrente reversa devido a carga indutiva © para melhorar os requisites de desligamento do circuito de comutagio. O diodo igrampeia a tensio reversa de bloqueio do SCR a 1 ou 2 V sob condigdes de regime permanente, Entretanto, sob condigbes transitérias, a tensdo reversa pode atingir até 30 V devido a tensio induzida na indutancia parasita do circuito dentro do dispositivo. Um tiristor de condugio reversa (do inglés reverse-conducting thyristor ~ RCT) & lum compromisso entre as caracteristicas do dispositivo e as exigéncias do circuito; e ele pode ser considerado umm tiristor com um diodo interno em antiparalelo, como mostrado na Figura 4.16, Um RCT é também chamado tiristor assimétrico (do inglés asymmetrical thyristor ~ ASCR). A tensio direta de bloqueio varia de 400 a 2000 V e a especificagio de corrente vai até 500 A. A tensio reversa de bloqueio € tipicamente 30 a 40 V. Como a relagio da cortente direta através do tiristor para a corrente reversa do diodo é fixa para lum dado dispositivo, suas aplicagdes serao limitadas a projetos de circuitos especificos. A Figura 4.16 Tiristor de condugio reversa = RCT, é 2 4.8.6 Tiristores de Indugdo Estatica [As caracteristicas de um tiristor de inducio estatica (do inglés static induction thyristor ~ SITH) sio similares aquelas de um MOSFET, no Capitulo 8. Um SITH & normalmente dlisparado pela aplicacio cle uma tensio positiva no gatilho como os tiristores normais © € desligado pela aplicagio de uma tensio negativa 20 seu gatilho, Um SITH & um dispositive de portadores minoritérios. Como resultado, 0 SITH tem baixa resisténcia ou queda de tensio diretas (em estado de condugio) e pode ser fabricado para faixas de tensio e corrente mais elevadas. Um SITH tem velocidades de chaveamento rapidas e capacidades de dv/t e dli/dt elevadas. O tempo de chaveamento € da ordem de I a 641s. A especificagio de tensio pode ir até 2500 V e a de corrente est limitada a 500 A. Este dispositive é extremamente sensivel ao proceso e pequenas perturbagdes no processo de fabricagio poderiam produzie maiores alteragbes em suas caracterfsticas.Cop.4 Tiistors 139 4.8.7 Retificadores Controlados de Silicio Ativados por Luz Este dispositivo ¢ disparado por radiacio direta de luz na pastilha de silfcio. Os pares elétron-lacuna criados devido a radiagao produzem a corrente de disparo sob a influén- cia do campo elktrico. A estrutura do gatilho ¢ projetada para fornecer-Ihe sensibilidade suficiente para realizar disparo a partir de fontes praticas de luz (por exemplo, LEDs) ¢ para que se consigam altas capacidades de di/dt e dv/dt. Os LASCRs sao utilizados em aplicagées de tensdes e correntes elevadas [por exemplo, transmissao de corrente continua em alta tensio (do inglés high-voltage de — HVDC) compensagao estatica de poténcia reativa ou de volt-ampere reativo (do inglés voll ampere reactive ~ VAR). Um LASCR oferece isolagao elétrica total entre a fonte de isparo por luz eo dispositivo de chaveamento de um conversor de poténcia, que flutta um potencial tio elevado quanto algumas centenas de quilovolts. A especificagio de tensio de um LASCR pode estar na faixa de 4 KV a 1500 A, com uma fente de disparo por luz de menos de 100 mW. O dit tipico € de 250 A/pis ¢ o do/dt pode ser tao elevado ‘quanto 2000 V/s, 4.8.8 Ti Um dispositivo tiristor controlado por FET (do inglés FET-controlled thyristor ~ FET-CTH) combina um MOSFET e um tiristor em paralelo como mostrado na Figura 4.17. Se uma tensio suficiente, tipicamente 3 V, for aplicada a porta (do inglés gate) do MOSFET, uma corrente de disparo para o tiistor sera gerada internamente, Ele tem uma velocidade de chaveamento elevada e altos di/dt e dv/itt jstores Controlados por FET Este dispositivo pode ser disparado como tiristores convencionais, mas ele ndo pode ser desligado através do controle da porta, Este encontra aplicages onde o disparo Stico ¢ utilizado para fornecer isolagio elétrica entre o sinal de entrada ou de controle ¢ © dispositivo de chaveamento do conversor de poténcia, 7 Anode Figura 4.17 Tristorcontrolado por FET. J catodo140 Eletvinica de Poténcia ~ Cireuitos, Dispsitvose Aplicagdes Cap. 4 4.8.9 Tiristores Controlados por MOS Um tiristor controlado por MOS (do inglés MOS-controlled thyristor ~ MCT) combina as caracteristicas cle um tiistor regenerativo de quatro camadas e uma estrutura de gatilhho fou de porla MOS, Um esquematico de uma célula MCT é mostrado na Figura 4.18a. O circuito equivalente é mostrado na Figura 4.18b e o simbolo, na Figura 4.18c. Aestrutura NPNP pode ser representada por um transistor NPN, Qy e um transistor PNP, Qz. A cestrutura de gatilho MOS pode ser representada por um MOSFET de canal p, My e um de canal n, Mp Devido a uma estrutura NPNP em vez de uma PNPN de um SCR convencional, fo anodo serve como terminal de referéncia em relagio a0 qual todos os sinais de gatilho Sio aplicados, Considere que o MCT esteja em seu estado de bloqueio direto © uma tensio negativa Vo. seja aplicada, Um eanal p (ou uma camada de inversio) é formado no material dopado n, levando lacunas a luirem lateralmentea partir doemissor p, Fz de Os (fonte S; do MOSFET de canal, My) através do canal p para abase p, By de Qj (dreno D; do MOSFET de canal p, My), Esse fluxo de lacunas ¢ a corrente de base para 0 transistor NPN, Q}-O emissorn®, Ey de Qy enti injtaelétrons que sio coletados na base 1 B3 e coletorn, Cy), que leva o emissorp, Ey njetarlacunas na base 1, By de forma tal {ue transistor PNP, Qs seja ligado eretenha (trave) 0 MCT. Em resumo, uma tensio de gatilho negativa Vi liga © MOSFET de canal p, My, fornecendo assim a corrente de base pata o transistor Op. Considere que o MCT esteja em seu estado de conducio e uma tensdo positiva Va sea aplicada. Um canal n 6 formado no material dopado com p, levando os elétrons a fluirem lateralmente a partir da base #, Ba de Qo (Fonte Sz do MOSFET de canal n, Mz) através do canal n para o emissor altamente dapado 2, Fy de Qx (dreno D> do MOSFET de canal” ~ My) Este fluxo de elétrons desvia a corrente de base do transistor PNP, Q> de forma que sta jungio base-emissor desligue e acunas néo estejam disponiveis para serem coletadas pela base p, By de Q) (eo coletor p, C2 de Q,). Aeliminagao dessa comrente de lacunas na base p, By eva o transistor NPN, Qj a desligar,e o MCT retorna ao seu estado de blogueto, Em resumo, um pulso positive de gatilho Va desvia a corrente de texcitacio da base de Qy,desligando, dessa forma, o MCT, © MCT pode ser operado como um dispositive controlado pelo gatilho se sua cortente for menor que a corrente maxima controlavel. A tentativa de desligar 0 MCT em correntes maiores que sua corrente maxima controlével nominal pode resul- tar na destruigio do dispositive, Para valores de corrente maiores, o MCT tem de ser desligado como um SCR comum. As larguras do sinal de gatilho no sio criticas para correntes menores nos dispositivos. Para correntes maiores, a largura do pulso de desi gamento deve ser maior. Além disso, 0 gatilho drena um pico de corrente durante 0 esligamento, Em muitas aplicagdes, incluindo inversores e choppers, um pulso continuo de gatilho durante todo o periodo condugio//bloqueio ¢ necessario para evitar 0 estado de ambigtidade.Cop.4 Tiristows 1a ] Figura 4.18 xno | inf [fw cme Esqueméticoe cieuito josrer | caus po i © \ de pees Pha, mel, caine) [ES a so Ui ome, Pe “ ia 1m) heute equvalenta osinoo ‘Um MCT tem (1) baixa queda de tensio direta durante a condugio; (2) tempo de disparo rapido, tipicamente 044s, e tempo de desligamento rapido, tipicamente 1,25us, para um MCT de 300 A, 500 V; (3) baixas perdas de chaveamento; (4) baixa capacidade de bloqucio de tensio reversa; e (5) alta impedincia de entrada de gatilho, 0 que simplifica consideravelmente os circuitos de excitagio. Ele pode efetivamente ser ligado em paralelo para chavear altas correntes, com apenas modestas diminuigdes da cortente nominal por dispositive. Ele nao pode ser facilmente excitado a partir de um transformador de pulsos, pois uma polarizagio continua & necesséria para evitar 0 estado de ambigiiidade.142 Fletninica de Potincie ~Circuitos, Dipositivese Aplicagdes Cap. 4 Exemplo 4.3 Um tristor conduz uma corrente, como mostrado na Figura 4.19, eo pulso de corrente & repetido ‘uma freqincia de fz ~ 50 Hz. Determinar a carrente médlia direta (em estado de conduc) Ir. Solugio: Ip média 1000 A, T = 1/f, = 1/50 = 20.ms ey = = Sus A-sua corrente Toss 2x 5) x 1000 +05 «5 x Jr = php (05% 5 % 1000 + (20.000 ~ 2 x 5) x 1000 + 0.5 « 5 x 1000) = 99954 Figura 19 weal. ----7 ‘renee LZ | bN4 (rae gg b=) 4.9 OPERAGAO EM SERIE DE TIRISTORES Para aplicagdes em tensdes elevadas, dois ou mais tiristores podem ser conectados em série para fornecer a especificacio de tensio. Entretanto, devido & produgio estendida, (05 tistores do mesmo tipo nio sio idénticos. A Figura 4.20 mostra a curva caracteristica em estado de bloqueio de dois tiristores. Para a mesma corrente em estado de bloqueio, suas tensies, também de estado de bloqueio, diferem,Cap-4 Tiistors 43 Figura 4.20, CCaractersticas em estado. de bloqueio de dois tiristores. No caso dos diodos, apenas as tensdes reversas de bloqueio devem ser dividi- das, enquanto para os tiristores as redes de divisio de tensio sio necessérias tanto para 1 condigao reversa quanto para 0 estado de bloqueio. A divisio de tensio normalmente € obtida pela conexao de resistores através de cada tiristor, como mostrado na Figura 4.21. Para uma igual divisdo de tensio, as correntes de estado de bloqueio diferem, como. mostrado na Figura 4.22, Considerar que haja m, tiristores na estrutura, A corrente em estado de bloqueio do tiristor T; € Ip; & as dos outros tiristores so iguais, tal que Ipz = Ip3 = Ion © Ip1 < Ipp. Como 0 tiristor T; tem a menor corrente em estado de bloqueio, caberd a ele a maior tensio. Figura 4.21 fy Tees trstores J concetados em série, Se Iy for a corrente pelo resistor R, em paralelo com Ty, ¢ a8 correntes pelos outros resistores forem iguais de forma que Iz = T3 = Ip, a corrente em estado de blo- queio sera Alp = Ip = Io = Ir-h-+h=h-k ov k=h-Alp144 Eletvinica de Potincia -Ciruitos, Dispositions e Aplicagdes Cap. 4 | Conauesio de fuga para uma distribuigso Igual de tensio, A tensio sobre T; é Vp) = Rh. A.tilizagio das leis de Kirchhoff das tensdes da Vs = Voi + (ns = DBR = Vor + (rs 1)th = Alo) Vor + (1 — DR ~ ns = DR Alo (4.16) nin ~ (ts — DR Alo. A resolugio da Eq, (4.16) para a tensdo Vp sobre 7) di Ve + Os = DR AD Vor = a7) Vpy sera maximo quando Alp for maximo. Para [p) = 0 Alp jo da tensio de regime permanente sobre T), [pz a Eq, (4.17) dda pior Ve + (ns = DRIn2 Vosimisy - (4.18) Durante 0 desligamento, as diferencas na carga armazenada causam diferengas na divisdo da tensdo reversa, como mostrado na Figura 4.23. O tiristor com a menor carga recuperada (ou tempo de recuperagio reversa) enfrentard a tensdo transitéria mais elevada, As capacitancias das jungbes, que controlam as distribuigGes das tenses transi- trias, nao serio apropriadas e normalmente & necessario conectar um capacitor ~ Cy em paralelo com cada tiristor, como mostrado na Figura 4.21. R; limita a corrente de descar- ga. A mesma rede RC normalmente ¢ utilizada para ambas, a divisio do transiente de tensio e a protecio de do/dtCap.4 Tiritores 145 Figura 423, Tempo de recuperacio reversa edivisio de tensio, Atensio transit6ria sobre T; pode ser determinado a partir da Bq, (4.17), pela aplicagdo da relagio da diferenca de tensao, @- _ ag av = Ralp = 201. 20 19) onde Q; € a carga armazenada de Ti ¢ Q2 a carga para os outros tiristores, tal que Or = Os = Qe 01 < Oz. A substituigdo da Eg, (4.19) na Eq. (4.17) dé _ fy, , =aQ vor= Af Yo a ] 420) Apior condigio de divisio da tensio transitéria, que ocorrerd quando Q: = 0 = Qa.é Um fator de diminuigio da capacidade nominal (do inglés derating factor ~ DRF) que normalmente ¢ utilizado para aumentar a confiabilidade da estrutura & definido como, ve eae nisVisimax) (422)146 Eletinice de Potinci Cireitos, Dispositions e Aplicagies Cap. Exemplo 4.4 Dez tristores sio atiizados em uma estrutura para suportar uma tensio CC de V, aximas diferengas da corrente de fuga e da carga de recuperagio dos tiristores sio 10 mA e 150 iC, respectivamente. Cada tiristor tem uma resistencia de divisio de tensio de R = 5648 © capacitancia de Cy ~ 0.54F, Determinar (a) a maxima divisio de tensio de regime permanente Vosinsss (6) 9 fator de diminuigio da capacidade nominal da tensio em regime permanente, (c)a maxima divisio da tensio transitsria Vorimsy € (€) 0 fator de diminuiglo da capacidade nominal dda tonsio transite Solusi0:, = 10, V. = I5RV, Alo = Joz = 10mAe AQ = Qo = 50UC. (@) A parti da Eg (4.18), a maxima divisio de tensio em regime permanente & Vonimay = 15000:4 (0 = 1) x 56 x 10° x 10 x 10-* ‘psimsg = SO a = 2004v (b) A partir da Eq, 4.22), 0 fator de diminuigio da capacidade nominal em regime permanente & 15000 toa 7 515% DRF = 1 - (0) A partir da Bq, (421), a maxima divisdo da tensdo transitsria & 150 x 10°*/05 x 10° 10 - 15000 +10 — 1) Vorimis) = 770 (4) A portir da Bq, (4.22), 0 fator de diminuigio da capacidade nominal em regime transitério é 15000 DRF = 1 — pig = 15.25% 4.10 OPERAGAO EM PARALELO DE TIRISTORES Quando tiristores so conectados em paralelo, a corrente de carga nao ¢ dividida igual- mente devido as diferengas em suas caracteristicas, Se um tiristor conduzir mais corrente que 0s outros, sua dissipagio de poténcia aumentaré, aumentando assim a temperatura dda jungao e diminuindo a resisténcia interna. Isto, por sua vez, aumentaré sua corrente e poder danificar o tiristor. Esta destruicio térmica pode ser evitada colocando-se um dissipador de calor comum, discutido no Capitulo 15, de tal forma que todas as unidades, operem & mesma temperatura.Cap.4 Tiristos 147 Uma pequena resisténcia, como mostrado na Figura 4.24, pode ser conectada fem série com cada tiristor para forgar uma igual divisio de correntes, mas havera uma considerdvel perda de poténcia nessas resisténcias, Uma maneira comum de tratar a divisio de correntes para tiristores consiste em utilizar indutores magneticamente aco- plados, como mostrado na Figura 4.24b. Se a corrente através do tiristor T aumentar, luma tensio de polaridade oposta sera induzida nos enrolamentos do tiristor Tz e a impedancia por meio da malha de T; serd reduzida, aumentando portanto 0 fluxo de corrente através dele Figura 424 Divisio de correntes em tiristores (@) Dhisao estitica de comentes __(b) Dis cndmica de corents 4.11 CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES Em conversores tiristorzados, existem diferentes potenciais em diversos pontos. O cir cuito de poténcia & submetido a uma tensio elevada, geralmente maior que 100 V, © 9 circuito de gatilho & alimentado com uma tensio baixa, tipicamente de 12 a 30 V. E necessério um cicuito de isolagio entre um tiristor individual e seu cicuito de geragio de ppulsos de gatilho, A isolagdo pode ser conseguida tanto por transformadores de pulsos como por optoacopladores. Um optoacoplador pode ser um fototransistor ou foto-SCR, como mostrado na Figura 425. Um pulso de curta duracio para a entrada de um diodo emissor de luz infravermetha (do ingles infrared light-mitting diode ~ ILED),Dy, dispara 0 foto-SCR T; € o tiristor de poténcia T;, & disparado. Esse tipo dle isolagio requer uma fonte de alimentacao separada Ve aumenta 0 custo e 0 pes0 do circuito de disparo. Figura 425148 Eleteinice de Poténcin Cireuitos, Dispositions ¢ Aplicagies Cap. Um arranjo simples de isolagSo com transformadores de pulsos & mostrado na Figura 4.26a. Quando um pulso, de tensio adequada, 6 aplicado a base do transistor de chaveamento Qy, este satura e a tensao CC, Vig aparece no primatio do transformador, induzindo uma tensio pulsada no seu secundario, que € aplicada entre os terminais de gatilho e catodo do tristor. Quando o pulso & removido da base do transistor Oy, 0 mesmo entra em corte, uma tensio de polaridade oposta é induzida no primario € 0 diodo de comutagSo D,, conduz. Avcorrente, devido energia magnética do transformador, deca através de Dy, até zero. Durante esse decaimento transit6rio, uma tensio reversa correspondente ¢ induaida no secundario. A largura do pulso pode ser aumentada colocando-se um capacitor C em paralelo com 0 resistor R, como mostrado ha Figura 4.26b, O transformador conduz corrente unidirecional e o mticleo magnético saturaré,limitando dessa forma a largura do pulso. Esse tipo de isolagio € adequado para pulsos de 50 a 100 us, ipicamente. Figura 4.26 ar peace Iclgio corn ane tranformadr de cfg pasos. (a) Puta cua drags0 (0) Puzo dolonga suaeno een Em muitos conversores de poténcia com cargas indutivas, o perfodo de condu- fo de um tiristor depende do fator de poténcia da carga; portanto, o infcio da condiuc3o to tiristor nao é bem-definido, Nessa situacao, & sempre necessério disparar os tiristores continuamente, Entretanto, uma polarizagio continua de gatilho aumenta as perdas do tiristor, Um trem de pulsos, que & preferivel, pode ser obtido com um enrolamento auxiliar, como mostrado na Figura 4.26c. Quando o transistor Q) € ligado, uma tensto é também induzida no entolamento auxiliar N3 na base de Q de forma que o diodo Dj seja reversamente polarizado e Q; desligue. Enquanto isso, 0 capacitor C; carnega-se através de Rye liga Q; novamente. Esse processo de disparo e desligamento continua enquanto hhouver um sinal de entrada v; para o isolador. Em vez de utilizar um enrolamentoCap.4 Tiistores 49 auxiliar como um oscilador de bloqueio, uma porta légiea AND com um oscilador (ou lum temporizador) poderia gerar um trem de pulsos, como mostrado na Figura 4.26d. Na pratica, a porta AND nao pode excitar o transistor Q; diretamente, e um estdgio amplifi- cador (do inglés buffer) normalmente & conectado antes do transistor. A saida dos circuitos de gatitho da Figura 4.25 ou Figura 4.26 € normalmente conectada entre o gatilho e 0 catodo, juntamente com outros componentes de protecao. do gatilho, como mostrado na Figura 427. O resistor Ry na Figura 4.27a aumenta a capacidade de do/at do tiristor, reduz o tempo de desligamento ¢ aumenta as correntes de travamento e de manutengao. O capacitor Cena Figura 4.27 remove componentes de ruidos de alta freqiiéncia e aumenta a capacidade de dv/dt e o tempo de atraso do gatilho. © diodo Dy na Figura 4.27c protege o gatilho contra tensdes negativas. Entre- tanto, para SCRs assimétricos, 6 desejavel ter alguma polarizacio de tensio negativa no. gatilho para methorar a capacidade de doy/dt e também reduzir o tempo de desligamen- to. Todas essas caracteristicas podem ser combinadas, como mostrado na Figura 4.274, onde o diodo Dj permite que haja apenas pulsos positives e Ry amortece quaisquer ‘oscilagoes transit6rias e limita a corrente de gatilho, Figura 4.27 I "s Ss Circuitos de 4.12 | TRANSISTOR DE UNIJUNCAO transistor de unijungio (do inglés unijunction transistor ~ UT) & comumente utilizado para a geragao de sinais de disparo para SCRs, Um circuito basico de disparo com UJT mostrado na Figura 4.28a, O UJT tem trés terminais designados por emissor E, base | Bt cebase 2 Bi. Entre By e B20 UJT tem as caracteristicas de uma resisténcia comum. Esta 6a resistencia entre bases Ryp e seus valores esto na faixa de 4,7 a 9,1. A curva carac- teristica de um UJT 6 mostrada na Figura 4.28b, Quando uma fonte de alimentagdo CC V, 6 aplicada, o capacitor C é carregado através do resistor R, uma vez que o circuito do emissor do UIT esta em estado aberto. A constante de tempo de carga do circuito é %; = RC. Quando a tensio de emissor Ve, que a mesma que a tenso do capacitor x, atinge a tensio de pico (do inglés penk voltage — Vj). © UJT dispara e o capacitor C descarrega-se através de Rp a uma taxa determinada pela constante de tempo t = RmC. ty 6 muito menor que %. Quando a tensto de150 Eltrinice de Poténcia— Circuito, Dispositcose Aplicasdes Cap. 4 emissor decai a seu ponto do vale (do inglés valley point V,), 0 emissor cessa sua condugio, o UJT desliga e 0 ciclo de carga se repete, As formas de onda do emissor e as tenses de disparo so mostradas na Figura 4.28c. [A forma de onda da tensio de disparo Voy é idéntica & corrente de descarga do capacitor Cj, A tensio de disparo Vi deve ser calculada para ser suficientemente grande para disparar o SCR. O periodo da oscilagdo T é razoavelmente independente da tensio da fonte de alimentagao CC V,, 6 dado por 1 1 Tel=rcin j ea a2) ‘onde o parimetro é chamado de raza intrinseca de equifbrio (do inglés intrinsic stand-off tio). O valor de n esta entre 0,51 e 0,82 O resistor R ¢ limitado a um valor entre 3 KQ. 3 MQ. O limite superior de R é definido pela exigéncia de que a linha de carga formada por R e V, tenha intersegdo com ‘a curva caracteristica do dispositive a direita do ponto de pico, mas a esquerda do ponto do vale, Se a linha de carga no passar & direita do ponto de pico, o UJT nao disparars. Esta condigio sera satisfeita se V, ~ IyR > Vp Isto, =p (424) No ponto do vale Ip = [ye Ve = Vp de tal forma que a condigao para o limite inferior de R que assegure o desligamento seja V, ~ [,R < Vy. Isto.é, R> eve (4.25) ‘A faixarecomendada da tensio de alimentago V, é de 10.235 V. Para valores fixos de n a tenedo de pico Vp varia de acordo com a tensio entre as duas bass, Vip. Vp dado por Vp = nVea + Vol= OSV) = nVs + Vo SV) (426) onde Vp éa queda de tensio direta de um diodo. A largura do pulso de disparo fy é ty = Rec (27)Cap.4 Tiistors 151 Figura 4.28, Circuito de dlisparo com ur (Forms nts = Root fe esinca |» Repo de 'b Me wm ‘ous fe) Cuvacaratrste ession Geralmente, Rp: € limitado a um valor abaixo de 100.2, embora valores de até 2 ou 3KQ sejam possiveis em algumas aplicagdes. Um resistor Rm & normalmente conectado em série com a base 2, para compensar a diminuigio de V, devido a0 aumento de temperatura e para proteger 0 UJT de possivel destruigao térmica, O resistor Rp tem tum valor de 100 ou maior e pode ser determinado aproximadamente por Rea 10! ae Co152 __Eletinica de Poténcia—Cireutos, Dispositioos e Aplicaiee Cap. Exemplo 4.5 Calcular 0 cireuito de disparo da Figura 4.28a, Os parimetros do UJT sio V. = 30V, n= 051, Ip = 1OHA, Vs = 35Vel, = 10mA. A freqiéncia de oscilagio€ = 60 Hze a largura do pulso de disparo é = Ot Solugio: T=1/f=1/60Hz.=16,67 ms. A partir da Eq. (4.26). Vp=0,51%30+0,5= 158. Considerar C » 0,5 uF. A partir das Eqs. (4.24) e (4.25), 0s valores de limitagdo de R sie 30-158 1 a< OS = ama 30-35 Roo MAS = 265k. A partir da Eq. (4.23), 1667 ms = R x OSpF x In[1/(1 ~ 05) que dé R = 46,7K0, {que cai dentro dos valores cle limitagio, A tensio maxima do gatthoé Vy = Vp = 15,8V., A ppartirda Bq, (427), fy _ 50s Ro = = pgp = 1000 A partir da Bq, (4.28), 10g, Re = gate ag = 2 4.13 TRANSISTOR DE UNIJUNCAO PROGRAMAVEL transistor de unijuncio programavel (do inglés programmable unijumction transistor — PUT) é um pequeno tiristor, mostrado na Figura 4.29a, Um PUT pode ser utilizado em tum oscilador de relaxacd0, como mostrado na Figura 429b. A tensdo de gatilho Ve & fornecida pela fonte de alimentagio através do divisor de tensio resistive formado por Rye Rye determina o ponto da tensao de pico V,- No caso do UJT, Vj 6 fixad, para um dispositivo, pela fonte de alimentagio CC. Mas 0 V,, de um PUT pode ser variado alterando-se 0 divisor resistivo R; e Ro. Se a tensao de anodo Vi for menor que a tens0 de gatilho Vg, 0 dispositivo permanecerd em seu estado de bloqueio (desligado). Se V, ultrapassar a tensio de gatilho por uma queda de tensio direta de urn diodo Vn, 0 ponto de pico serd atingido e o dispositive dispararé. Os pontos da corrente de pico Jj da corrente de vale J, dependem ambos da impedancia equivalente do gatilho Rg = RiRy/AR) + Ra)e da fonte de alimentacio V, Geralmente Ry élimitado a um valor abaixo de 100.2.