‘Quem tem medo dos T.E.C? Conhega os transistores de efeito de campo; aprenda a polarizé-los e avaliar seu estado. SE nos raportarmos & historia da Efetrdnica nos Idos de 1948, vamos encontrar uns “papers” (como dizem ‘os americanas} pu- blicados pelo Dr. Schockley, *o pal do transistor", om que ele teori- zava sobre algo a que chamou de ‘transistor unipolar. No entanto, ‘os transistores bipolares foram se tomando populares rapidamen- te 6, pouco a pouco, os técnicos se familigrizaram com eles, de modo que os transistores unipolares, hoje normalments co- nhecides "como transistors de, afeito do campo ou T.E.C. (FET — field effect transistor") ficaram naquels époce um pauco pros: + 86. tendo sido usados, Grants mutt tempo, pela tumma mals avangada. Mesmo as embora os TEC, J4 ténhan to- mado espaco’na Eletranica atual, nnotamos que pouco tem sido es- crito sobre estes semicondutores fe, por isso, nos decidimos a co- locd-los “na rua’. Comegaremos por aprosentar alguns conceitos basicos © mos {rar as principais diferengas en- tre 08 transistores bipolares @ os unipolates, ou TEC. PRINCIPAIS DIFERENGAS Nos ‘ransistores _bipolares, sejam eles p-n-p ou n-p-n, temos dois tipos de portadores de carga fluindo simultaneamente: olde trons @ lacunas. Ja nos TEG., ou unipolares, 86 teremos um tipo de portador de carga flyindo: eléctrons ou lacunas. A condiego para que soja um ou outro se prende unicaren- te a0 faio de tormos TEC. de ‘arial Nou de canal Outras caractoristicas que marcam as diferengas entre os transistores bipolares @ os TE.C. so a3 seguintes: ‘nos bipolares, a corrente de base controla 8 corrente no cofetor (ou emissor): dai serem cles chemedos de dis- positives comdlados por corren- . to; nos TEC., ou unipotares, a corrente (de dreno) é controlada por'uma tensdo {os “saudosistes” vao logo pensar que é algo pare- cide com as valvulas). ANTENNA Temos ainda as seguintes c: racteristices inerontes aos TEC. impedéncia de entrada extrema- mente elta (cerca do 100 MQ) pouco ruidosos, sendo ideals para amplificedores ‘de balxo nivel. “POR DENTRO” DOS TEC. De. acorda com o tipo de construc#o, os TEC. podem ser apresentados como canal N ou canal P, om contraposiséo com fares, que #80 fabricados es verses P-n-p ou n-p-n. Todavia, “a fabricagéo dos TEC. val mals longe, € nos ofe- rece ainda outros dois tipos: os TEC. de jungdo eos de porta isoleda; este ultimo também é conhecido como IGFET (“insulated gate field effect transistor”), ou MOSFET ("metal oxide silicon field-effect transistor), podendo ‘embos ser encontrados com canal N ow canal P, 0 TEC, DE JUNGAO Comecemos por dar uma “othada” no T.E.C. de jung8o, que @ 0 mais popular. A estrutura fi- sica de um semicondutor deste tipo, canal N, bem simplificada, esté na Fig. 1. Nela vemos uma barra de silicio N, a qual é a parte principal do transistor, @ que é de- nominada canal. Neste canal 6 difundida uma pequena regiéo de silicio P. Assim, a barra de silicio vais comportar como um ro- sistor. Em cade extromo desta bar- ta & colocado um terminal. Por convencio, 0 terminal no quel 6 Injetada a corrente chama-so supridovro ("source"), visto que @ cofrente “partira” deste tormi- nal. O outro terminal, 1io extremo opssto da barra, racabe a noma de drono (“drain”). A corrente fluindo entre supridouro e dreno —> 2 packo LCP” FsuPatcoura / PORTA FIG, 1 — Estvture de um TEC. do jangte. PARTE 1 PAULO BRITES 6, em principio, uma relagéo en- ‘tre a tenséo aplicada entre dreno e supridouro ¢ a resisténela da barra. Guanto & regio P, difundida no canal, ela servird para contro- lar 0 fluxo de corrente entre o supridouro ¢ 9 dreno; o terminal a ela associedo recabe o nome de porta (“gato”). Imagine, agora, que é aplicada uma diferenga de potencial entra dreno.e supridouro, serido-0 volt a tenséo na porta, Suponhamos, ainda, que Vor (tensdo entre dre- oe supridouro) va sumentando, partir de 0 volt. A corrente no canal, ou seja, a corrente no dro- no, subiré quase que Iinearmente; entretanto, & medida que Vor val aumentando, a regio de deplecdo fo z VP B¥ps Vos FIG, 2 — Geico ty X Ypp om-um TEC. de fungi. em torno dg material P vat au mentande também, o que faz com que 0 fluxo de corrente comece a se tornar mals difiell, Posto isto num grética, obte- remos a curva mostrada na Fig. 2. Assim, vemos que de 0 volt até o valor Ve, a cortente cresce rapidamente, para depois eo tor- nar constants, de Ve até atinglt BVos. onde a corrente dispare. BVe 6 a tensdo de ruptura (B = “break down"), onde ovorreré @ destruigéio do materlal. Passemos, agora, a descre- ver outro tipo de TEC. 0 TEC. DE PORTA ISOLADA ‘OU MOSFET (Os MOSFET t6m um mecanis mo de controle de_corrente -li geiramento diferente dos JFET. Vejamos, em linhas gerais, como 6 8 construgée de um MOSFET; para tornar as coisas. mais faceis,NI tae DE SILICI er | 0 Sate SUBSTRATO = b) Fig. 3 — Constituicdo de um T.E.C. de porta isolada: a) sobre uma pax ‘tha da slifelo do tipo P (eubstrato) ao crladan duos regldes Nb) & tesenvolvide ume comada de Guide do silicte, que serve de itolaate, sobre 4 qual 4 colocada unm camads de nitrate de silfclo para tmpedir conte: sminagBos; ¢) finelmente, 280 colecados tominais pi 2 contate ‘com of wletrodor. SUPRIDOURO o——_¢—_>+—_ 9 NZ SUBSTRATO FIG. 4 — A eetrutura de um 7.6.0, ée porta smulto somelnante & do dole diodes de luneio ligad reportemo-nos & Fig. 2, a, b @ ¢. Nela vemos uma pastilha’ do si- elo tipo P, que substrat senvolvides: dues regiées de ma- terlal N (Fig 3a). Sobre toda a pastilha desenvolve-se uma ca- mada de 6xido isolante. Todavia, ‘como esta camada de Gxido 6 fa- cilmente contamindvel por ions de sédio presentes no ambiente, sobrepde-se a ela uma camada de nitrato de silicio, a qual ¢ impe- netravel aos ions de sédio,’ fun- sionando como uma blindagem (Fig. 3b). Pasteriormonte, so introduzides dois contatos_meta- licos através desta camada, que vio ter‘as regides de material N difundidas no substrate, e que seréo.os terminals de drono © supridouro. Além disso, um con- tato metélico ligétio diretamente @ camada de nitrate de silicio nos dara o terminal de porta (Fig. 8c) Note que néo hd contato direte entre terminal da porta e 0 substiato. Cabs aqui uma obser- vacao muito importante: a corm “rente dreno-supridouro € extre~ mamente baixa na auséncia de uma tense na porta, visto que o dreno @ © supridouro esto iso lados pelo substrato. Esta ostrutura é similar @ de dois diodes ligados anodo com anodo, como vemos na Fig. 4. Além disso, 0 terminal’ da porta forma um capacitor com 0 substrate, tendo a camada de Sxido {isolante) como dielétrico, Se 0 terminal de porta for ti- gado a um potencial positivo, to- remos um potenclal negative in- lade, ilusteada na Fig. 3, & ‘om série pelos CANAL N INDUZIDO FIG. 5 —= 60 for spliceda’ uma tenato positive a potta do MOSFET, onorers, por indugsc, wm potencial negative no substrate, © que di origom a uma re sito N absizo da comede de Grito, duzido no substrato, formando- se. assim, ‘uma regio N abaixo a catnada de éxido (Fig, 5). ‘Agora, teromos uma corren= te dreno-supridouro no canal, “in- duzida” pela tensio de porta. Esse MOSFET que acabamos de descrever 6 conhecido como “do tipo enriquecido” (“enhance- ment type”). Os MOSFET podem ser também “do tipo deplegso", como veremos a seguir. Voitando a estrutura apresen- tada na Fig. 3c, pode-se difundi um canal N de moderada resisti vidade entre 0 supridouro 6 0 reno, permitinda que haja_cor- ente ‘entre esses dois terminais, ‘mosmo parn wma tensio de porta ula. ‘OXIDO DE SILICIO (Sid2) PORTA () supripouncg | goRENO (oi SEOOD VLA Co 8 "4 P SUSSTRATO. FIG. © — Enteutura de um MOSFET: 3 do po “enriquertdo”; ») 60 tipo ‘deptesac”. Nesta estrutura’temos duas ‘condigdes: para tenso de porta Positiva, .temos_ @ MOSFET em modo entiquecido (Fig. 6a): para uma tenefa de porta negative, to- mos 0 modo deplagéo (Fig, 6b). MODOS DE OPERAGAO Como ficou patente nas ex- planagées anteriores, hi dois mo- dos de operacda dos TEC. ANTENNAa = “DEPLEGAO” <— SOMENTE - DEPLEGAO t) NAO € DEFINIDO NESTA REGIAO 6 sempre caracterizado por uma seta, a qual spontara para dentro seo canal for N, e para fora. auando se tratar do conal P. Para os MOSFET, tomos a0 i todo quatro simbolos,” sendo dois i deles para 0 tipo “enriquecido”, @ dois para o tipo “deplegso/en- riquecido”. Na Fig. 11 mostramas a sim- holo do T.E.C. do. tipo “enrique- cido”, ¢ na Fig. 12, 0 TEC. a0 tipo “deplecéo/enriquecido. Observe atentamente as figu- ras e vela que a diferenga & mi- nima; no tipo “enriquecido” te- Ves mos uma linha interromplda para FIO. 7 — Cur x Vpy em um MOSFET do tipo “epecdo” Tepresentar- canal, enquanto No T.EC. do tipo “deplegao” , ” ss hé portadores de carga presentes “DEPLEGAO” 4_.. & ENRIQUECIDO' ‘no canal para uma tens porta- + supridouro aula; iste significa que pata Vrx = 0 tem-se uma cor Tented reno consderével, Uma polarieagéo negativa na porta, com relagéo ao supridouro, aumenta a eae regido de deplecio e, portanto, reduz a corrente de dreno por causa do “estreitamento” do ca- nal (Fig. 7}. No T.E.C. do tipo “enrique- cido”, a porta deve ser golarizada mente com relacbo do idouro, para produdir port dores ativos no canal ¢ permitir sonducio através dele. Para Ves a cotrente de mivito pequena (Fig. 8). ‘Observa-se, ainda, que a cor tente de dreno sb assume um valor considerdval para Vee acima de um certo valor, conhecide co- mo fenséo de limier (“threshold”). De tudo que foi exposto, os seguintes pontos devem ser enfa- tizados: os JFEC sé operam no modo deplegio: os MOSFET px dem operar em ambos 03 modos: temos MOSFET que s6 operam no modo enriquecido: quando um MOSFET dpora no modo deplagito, ele também pode funcionar no modo onriquocido (Fig. 9). SIMBOLOGIA DOS TEC. Diversos simbotos so utili zados para representar um TEC. fem unt circuito eletrénico. Para o caso dos TEC. de juncdo, temos dois simbolos prin- cipais, que sio os mostredos na Fig. 10, ae b, um para o TEC. de canal N, @ outro, para o de canal P, respectivamente, ‘Chamemos a atengéo para 0 fata de que o terminal de porta ANTENNA -} ps WVps (TH) (+ TENSAO DE LIMIAR FO, 8 — cua, Xj, oF um MOSPET dopo “ertancho" 'b “DEPLEGAG" _ Bee “ENRIQUECIDO" MODO “DEPLEGAO/ ENRIQUECIDO” a Ves wo: FG, 9 — Um MOSFET qos twacons no made “deplgéo™ Yam pods Imclonar mote “emquetia, DRENO ‘D 2 P P PORTA 3) de canal Pe oe “he a s un $ SUPRIDOURO --FIG, 11--- Simbolos de um MOSFET do tipo “énriquecido’ “ad S FiG. 12 — Simbolos SUBSTRATO b) b) de canal P. je um MOSFET do tipo “depiecio”: b) de casal P. SUBSTRATO a) de canal N; SUBSTRATO a) de canal N; que, para o tipo “deplegao/eni quecido”, a linha 6 continua. Uma outra diferenga de sim-, bologia, que deve ser conside-. tada entre os T.E.C. de Jungdo e os de porta isolada, é que, no primeiro, o terminal de porta 6 representado por uma seta, en- quanto que, no segundo, a: seta vai corresponder ao substrato, enquanto a porta é represéntada por um trago que fica separado do restante, lernbrando assim um capacitor. Més que vem, na Parte Il (tile tima), veremos como _polarizar um TE.C., séus principais pard- iietres e, inclusive, wm pouco do T.E.C. na pratica, onde aborda- remes os métédos para obter as caracteristicas deste semicondu- tor e camo realizar provas para avaliar seu estado, ‘000 —0— (OR 1762/A) (Conclui_ no préximo numero) jo a cargo daa NA Parte |, publicada més passado, vimos como gurgiram os transistores de efeito de cam- po @ também suas principais d forengas com relacdo aos transis- tores” bipolars.Tivemos, da mesma forma, 0 ensejo de abor- dar. 05 TEC. de juncao ©: os de Porta igotada do, tipo “enriqueci- do © “doplegio” Nesta Parte 1l veremos como se comportam os TEC. na pré- fica, mostrando come polatizé~ tos, medir seus pardmetros © ve- rificar seu estado, POLARIZANDO UM TEC. Vejemos. inicialmente, algu- mas rogras basicas:. 1) .Coma o dispositive 6 unipolar, 36. de mos ter um tlpo de carga cir- culando ele. Assim, no canal N quam fui & 0 eléetron, ¢ no canal P, o flu- xo 6 de lacunas; 2) Os portado- ves de carga (eléetrons ou Io- cunss) devariio entrar no canal pelo supridouro e salr pelo dre no {repare que © nome destes terminais ajuda a lembrar 0 sen- tido do fluxa de cargas). Reciacinando “em cima” dae duas regras anteriores, podemos FIG. 18 — Polataagto ‘dreno/aupeidouro de um T.E.C, de jangto: 3) TEC. de canal 1b) TEC. oe canal M. BD Concluir como ligat corretamente uma bateria .entre 0 dreno eo supridouro de wm TEC. de jungéo. Antes, porém, lembre-se: eléctrons so carges negatives, ¢ saem do terminal negative da fonte; lacunas sao carges .posi- tivas, @ saem do terminal positive da fonte; 08 portadores majorité- Fios no canal N séo aléctrons, no canal P, lacunas, Com todas estas “dicas”, yoo’ j6 deve ter imaginado co- ino tiger uma bateria entre dreno supridouro. Se fez como na Fig. 13, parabéns! Caso contrario, € bom reler este pardgrafo antes de: prossegui. ANTENNA ‘Quem tem medo dos T.E.C.? PAULO BRITES Entre 0 supridouro © 9 dre- no hé uma regiao “shmica*, cuja resistencia varia entre centenas de quilchms ® alguns quilohms. Asin, a tenséo apliceda entre dreno e supridoura provoca. um fluxo de corrente no canal, fluxo este que, em principio, sé é li- mitado pela resisténcia do mes- mo. Tedavia, 6 possivel controlar esta correnie através da regiéo porta-supridouro, Lembre-se da_diferenga on- tra os TEC. do modo deplecio @ enriquecido. Nos T.E.C. de jun- . 0 nice modo'de operacio 0 de depleego. Neste caso, deve- mos polarizer a junciio ‘porta- supridouro inversomente. * Lembramos. que uma juncia pon polarizads—inversvimente apbe-se ao fluxo de corrente, formanda uma regi8o inteiremen- te varia a0 fluxo de portadores de carga. Ora, como a regio entre porta e supridouro 6 uma jungZo pn, se a polarizarmos in- versamente teremos uma regio do deplego em torno do termi- nal de porta, Esta regio de de- plegdo vai reduzir a lergura do ‘corre uma regite do doptecio no ex ral do T.E.C. Com iste, ni um “esiret: ‘no conal © uma diminui de cartente ontre reno © supAdour. PARTE Il (FIM)* canal, fazendo com que a corren= te-nole tonha “um caminho es- ‘reito para passar” (Fig. 14). ‘A royido de deplagéo pode, como vimos, ser contrlada pelo poteri¢éal entre porta e:supridou- ro e, portanto, a corrente nto oa nal ficaré sob © comando deste patenciel. ‘Quanto maior o valor ahso- tuto de Ves, menor serd 9 corrente de drono (Ix). O malor valor de lp que se pode conseguir € com Vie nolo, Todavia, & medida que a ten- so inverse’ porte-supridouro: vai aumentando, a regio de deple- eo também aumenta, até no Permitir que aja corrente no canal. Este valor de Vos & chama- do de tenso de corte, sendo re- presentado por Vivore,. Neste caso, In é aproximadamente zero. Goncluimos, assim, mals uma regra bésica para polarizer o Polarizago da jungo porta-su- “pridouro de um T.E.C. de jungio —_Na Fig. 18 tomos a polari- zagdo de dois TEC. de juncio, uma pera o canst N, e outre para 0 canal P. Polarizando © T.E.C. de porta ‘solada — Para polarizar um T.E.C. de porta tsolada temos mats um elemento @ analisar: 0 substrata. Em goral, o terminal do subs ttato jd vem’ ligado internamente 20 supridouro, apresentando-se, assim, como um dispositive dé r0s.terminsis. O2 terminais_do dreno © substrato so. ligados diretamente & masea do circuito. Por outro lado, a polarizacso porta-supridauro vai depender do moda de operagéo: “deplego” ou “enriquecido”. (7) Parte I: Antenna, vol, 86, 0? 4 ano 60 1581. Agosto 1981 =. 13/1aa Fra. 15 — Polarizapio porta/supridauro da um T.E.€. de jungSo: a) T.E.C, de canal P: ) T.E.C, oe cana! N, - 110/14 — Agosto 1981 FIG, 18 — Curves caractertaticas de un TEC. de tipo “deplogto” +] Yoo s No caso do modo deplecso, @ porta ¢ ligada a massa através de um resistor de valor bem ele- vado: (1 a 10M), enquanto que, para a modo enriquacido, a porta 6 ligada ao dreno por um resistor (Rx), como se vé nas Figs. 15 ei PARAMETROS DOS T.EC. Os _parémetros fundamentais de um TE. 380: do dreno para Ves = tenséio de corte; de estrangulamento Gq, = transoondutancta, Vamos examinar, 8 seguir, 0 significado de cada um destes pardmetros. Na Fig..18 temos curvas caracteristicas de um ANTENNA: \ DRENO (D) x SUPRIDOURO (S} PORTA (P) 110, 18 — Meltcagho des tenninae So. transistor de aie, He campo arin, TEC. do tipo “deplegio”, aus re~ presenta corca de 80% dos uti- lizados na prética. Trata-se de um grafico que mostra a corrente de reno fo como wma fungio de Vow para diferentes valores de Vrs. ‘A partir destas curvas pode~ mos definir, facilmente, Ines, Vp € Vesa. ‘A ‘corrente lows, por exein~ plo, 6 a carrente de dreno para Ven = 0, 04 sejo, quando coloca- mos a porte © 0 supridouro em curto. Como se’ vé, aumentando @ tonsde entra dreno e supridouro (Win), @ corrente de dreno au monta. Entretanto, @ partir de um corto valor de Vos, 2 correnie de ‘ireno sa mantém constante. Aqui 0 T.E.C. atua como um gora- dor da corrente constante. culo Valor méximo, lo, ocorre para Vu = 0 , Como vimos. existe um ve for de Ves @ partir do qual 2 cor- rente mio aumenifa mais, quando Vrs = 0, Este valor 6 0 Vy ten- so de estrangulamenta (pinch off"). : ‘Chamamos @ atongdo: para 0 fato de que Vos do pode ser au- mentado indefinidamente. Ha um valor, designado como BV (ten- 80 de “break down"), unde ocor- roe ruptura do material, @ 0 va- lor da corrente dispara ireversi- velmento. . Temos ainda a considerar a tenstio de corte ‘porta-supridouro (Wesporr,), que € 0 valor da ten- sdo entre porte supridoura para ‘8 qual a corrente-de dreno & re~ duaida a, proticamente, zero Em garal, o Valor de V, nde .€ fornecido “nos manuals.” Isto porque tem-se a seguinte. rela Vp ~ Venorr, mo Caso queiramos éncontrar 0 valor da corrente de dreno’ (In) para um determinado valor de Vs podemus utilizar # soguinte rel a0 matematica: Vee we(1-=)2 Vo ANTENNA © timo pardmetro que nos esta analisar & 2 transcondutan- cla (gm). Este parametro nos dé a relagao entre a var rente ‘de dreno para wma _varia~ Ho na tensdo Ves. Basicamente, ele traduz o quanto o TEC. 6 ca- paz de amplificer. Em alguns manuais, em vaz de gm, € forecide 0 parimetro Yoo due &, aproximedamente, igual. Ambos| si medidos em S (siemens). Em alguns manuais vamos encontrar Yj, Para Vre = 0. que & 0 mesmo QUE dag: de pos- se deste: valor, podemos encon- trar outros valores de gm, atra- véa da relagso: Te — © TEC. NA PRATICA: MEDINDO OS PARAMETROS ‘Apés tanta teoria, j4 nos pax rece chegada a hora de compro- var tudo © que foi dito. Comoco- mos por verificar os parématros experimentalmente, 0 que, som divide, serviré para embasamen- to de experiéncias futuras. Escolhemos para nossa “¢o- bain” 0 MPF102, um TEC. de Jjungéo canal N, cuja configuragio de terminais € vista na Fig. 13. GM = Gna 20 — Oblangte do parkmetre v, om um TEC. de jungio, FIG, 21 — Determinngso Ge Igy OM UM de juncio. Determinagao de V,, — Nossa pri- moira oxperiéncia determinar a iensfio de’ estrangulamento {Vp} ue, como jé vimos, & aprox lamente igual a tensdo de corte (Vrajonr,). Na Fig. 20 mostramos como proceder para obter 0 valar de V,, @ chamamos a atencdo para o fato de que qualquer va- for entre O5V € 6.0V pode sor, fem geral. esperado. Realizamos as oxperiéncias com dois TEC. MPFI02, sendo que um apresen- tou V,, igual 2 185, © outro, 1.65) Determinagdo de Ins — Passe- mos, agora, a doterminacio da correnta de’ dreno para Vex = 0. Para esta experiéncia, acomponhe © circuito da Fig. 21. Para 05 mes- mos TEC. encontramos 48 ¢ SATA, Obtengdo de Vesywe; — Como J foi enunctado, V,& aproxima- damente Igual a Viryorr), 0 que voce poder comprover ‘38 man- tar 0 circuito sugerido na Fig, 22. Ajuste o potencidmetra pare obter ‘ama corrente In da ordem de 1 04% de Inve, @ quat pode sor considerada ‘ula. Quando voce conseguir "zerar” a corrente Iv. © voltimetra ligado entre @ porta do TEC. ¢ 2 massa estard indi- cando 0 volar de Vesiare). que voc8 constataré ser aproximada- mente igual a Vy, FIG. 22 — Oblenedo 46: Voseorr, om 4M T.E.C, de Jungio, Agosto 1981 — 15/111 |° PONTOS A VERIFICAR Greno/supridoure porta/supridoura porta/dreno, porta/supridaura porta/dreno TABELA | — Verllieagdo de um TEC. pera tung Calculando. gmo — Finalmente, usando a férmula (4) abaixo, po- demos caleular gmo: 2loas geo w Neste ‘caso, vood deverd usar Vp. em lugar de Visco, para ebier maior pracisao. TESTANDO TEC. COM UM OHMIMETRO. ‘Como o V.OM. é um inst mento que esté sempre dispont- vel nia baneada de wm técnico, nada mais justo que. utilizé-lo para veriticar 0 estado de um TEC. Embora esta ogo seje ume prova definitive, ela’ podierd, em muitos casos, determinar 0 es- tado do TEC. Comecemos com 0 TEC. de junedo, € tomemos como panto de, partida 0 seu circuit equiva- lente (Fig. 23) 112/16 — Agosto 1981" POLARIDADE BO V.OM. indiferente direta irate inversa inversa VERIFICAR dreno/supridoura porta/dreno porta/supridoure g_ | areno/substrato supridouro/substrato D | dreno/substrato supridoura/substrato TABELA 11 — Veritleagio de RESISTENCI ESPERADA, 100 far t0 ke? 1k@ (aprox. 1k@ aprox.) bem alta ber alta Jengbo com um VOM. comutado vnimetra”. Analisando este circuito equi- valente podemos cheger as con~ clusdes reunidas na Tabela I. TESTANDO OS MOSFET Para_os MOSFET teremos ‘que considerar doig casos: 08 que ‘86 opsram no modo enriquecido: ‘93 quie operam em ambos os mo- dos: deplecao © enriquecido, Para 0 modo enriquecide, 0 cireuito equivalente 6 visto ‘na Fig. 24. Consideranda que este tipo de MOSFET s6 conduz com algu- ma tensio positiva na porta, um chmimetro deveré medir entre dren e supridouro uma alta re- sisténcia (circuito aberto); tam- bém, deveremos ter circuito aber- to entre porta @ dreno, 9 porta @ supridouro, qualquer que seja 2 Rolaridade ‘do ohmimetro. ‘0 MOSFET que opera no mo- do _deplecdo tem seu circuito equivalente mosizado na Fig. 25, POLARIDADE tum MOSFET do tipo “deplecto me e BG V.OM. ESPERADA indiferente | 1009 a 10K indiforenta- | ° circuito aber:o inditerente | circuito aberto direta 4.000 2 aprox.) Inverse ircuito aberto direte ~ | 1.0008 aprox} | inverea cireuita aberto rane SUBSTRATO 8 FIG, 2¢ — Cleautte equivatente MOSFET do tipo “ensiquecido” D 8 FIG. 25 — clrculto equivatente de um MOSFET do tipo “deplagio”. SUBSTRATO @ dela podemos cone! 8. Veja 0 r= aumo na Tabela It. Para finalizar, desejamos cha- mar a atenggo do leitor para o fato de que os TEC. sto bem mais sensivais a maus tratos do que os transistores bipolares, com os quais a maioria j4 esta bas- tante familiarizada, Qualquer dis- traggo com relagio a polaridades, ou excesso de corrente, ¢ te- ramos o dissabor de ver um TEC. irremodiavelmente danifi- cado, Isto nfo devo, entretarit, de~ sencorajé-lo a efetuar experién- ‘las © monter circuitos com tran= sistores de efelto de campo, dei- xando, sssim,” do usufruir das vantagens que eles podem ofe- recer. ‘Agora, 6°86 redobrar a aten- go e comegar a “curtis” os TEC. © seus circultes. (OR 1762/8) ooo ANTENNA RESISTENCIA |"