Capitolul 4 CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR intra in constructia tuturor dispozitivelor clectronice. Principala sa funcfie este de a contacta diverse regiuni semiconductoare in vederea conect&rii la termi- nalele capsulei. In acest caz contactul trebuie si prezinte o rezistenfa foarte mic& in ambele sensuri de polarizare; un asticl de contact se uumeste contact ohmic. Contactul metal-semiconductor poate avea si conductic uni- lateral’, atunci purtind denumirea de contact redresor. Contactele redre- soare stau la baza constructiei diodelor Schottky. Obfinerea functionarii ohimice sau redresoare a contactului metal-semicondutor se face prin alegerea metalului, a semiconductorului sia gradului de impurificare 4.1, DIAGRAMA ENERGETICA A SEMICONDUCTORULUI IN VECINATATEA SUPRAFETEL Suprafata semiconductorului reprezint{ o discontinuitate a structurii periodice din interiorul monocristalului. In plus atomii de la suprafafa semi- conductorului nu mai au vecini in exterior pentru formarca legaturilor covalente. Toate acestea se traduc prin aparifia in banda intcrzisé a unor nivele energetice numite sidvi rapide de suprafaté (fig. 4.1). Aceste sivele sint relativ dese, astfel incit se defineste o densitate a lor, Dy, care repre~ zinté numirul de nivele pe unitatea de suprafafa si de cnergic. Electronii de la suprafata semiconductorului ocupa o porfiune ¢@, din aceste nivele. Existenta stirilor rapide de suprafati produce modificari in regiunea adiacent&, care se traduc prin aparifia unor regiuni golite. Mecauismul formarii regiunilor golite este prezentat in figura 4.2. (a — pentru un semiconductor de tip »; > — pentru un semiconductor de tip # ; alaturi, este prezentata dia- grama energeticd a unui metal fri a fi in contact cu semiconductor). © Pentru un semiconductor de tip x, clectronii de conductie din apropierea suprafetei tind s{ umple com- plet starile rapide de suprafafi; pe masura umplerii acestora, la suprafafé se acumuleazi sarcini negative, iar in volum—sarcini pozitive (ale ionilor donori). Apare astfel o regiune golité la suprafati si un cimp electric 8 s care se opune transferului de clectroni catre suprafata. E, Se obfine o situatie de echilibru, in urma careia sint ' umplute numai o parte dintre stirile de suprafati. Ma- Fig. 41. 63settee = Nivel zera (vid) (+ ] | / fo "im sal 4 i &e € = ra a Fig. 4.2. gto 9b5q > rimile specifice stratului golit se determin’ la fel ca la joncfiunea p+, ple- cind de la sarcina negativa inchis& in suprafata. a carei densitate superficia- 14 este : = — gD, (Eg — yo — 7Pinn). (4.1) Relafia de mai sus a presupus o densitate a starilor (D,,) constanta ; ma- simea ©%, reprezint& indlfimea barierci pentru electroni in sensul dinspre exterior spre semiconductor. Din condifia de neutralitate globala a sarcinii rezulta : a= INsi, (4.2) unde J; este litimea regiunii golite la echilibru termic. @ in mod asemanator se formeaza o regiune golita Ja un semicondue- tor de tip p. Aici, electronii care ocupau deja stirile rapide de suprafata (din intervalul q®,) trec in banda de valenfi, unde sint nivele energetice libere (echivalent cu prezenfa golurilor). Suprafafa semiconductorului se incarci pozitiv, iar volumul semiconductorului negativ. Neutralitatea glo- bal& a sarcinii impune : gDulGPo — 7 Pap) = 9 Ny, (4.3) unde ®%p reprezinti bariera energeticd pentru goluri. Diagrama energetici a suprafetei semiconductorului poate fi controlata prin diverse procedee tehnologice, de exemplu, prin realizarea unui strat subfire de oxid. 644.2, DIAGRAMA ENERGETICA A CONTACTULUI METAL-SEMICONDUCTOR LA ECHILIBRU TERMIC Metalele au o diagrama energetic& relativ simpla ; ele prezinta o banda de conductie ocupata cu electroni pind in dreptul nivelulai Fermi (£p,). Diagrama energeticd a metalului este prezentata in fiecare dintre figurile 4.2,a si b, iu corelafie cu diagramele corespunz&toare semiconductorului, a fi, in contact cu acesta (s-a considerat cazul aluminiului, iar pentru conductor — siliciul). Prin contactul dintre metal si semiconductor au loc transferuri de elec- troni intre cele dowd parfi, care modificd barierele energetice si sarcinile nete din sistem (implicit, si situatia regimurilor de golire). Condifia de echt- libru termic impune ca mivelul Fermi sa fie constant in toata structura. @ Astfel, la econtactul dintre un metal si un semiconduetor de tip * baricra energetic este prezentata in figura 4.3. La obtinerea ci a contribuit transfcrul de eclectroni in dowd sensuri: — din banda de conductie a semiconductorului spre metal (conform tendinfei naturale a electronului de-a ocupa nivele energetice libere mai joase) : — din metal pe starile rapide de suprafafa neocupate (nivelul Fermi din semiconductor este situat sub nivelul Fermi din metal). ‘Aceste transferuri accentueazi starea de golire a suprafetei; intr-o astfel de situatie, structura prezint& o diferent4 interna de potential si, la fel ca la jonctiunea px, va avea o conductie unilateralé ; deci, acest contact are caractey vedvesor. Principala caracteristica a contactului este inaltimea barierei de potential @,, considerata pentru electroni in sensul dinspre metal spre semiconductor. Electronii care trec dinspre semiconductor spre metal intimpina o barier& gV,, unde cu V» s-a notat diferenta interna de potential din semiconductor. @ La un contact dintre un metal si un semieonduetor de tip p are loc transferul de clectroni dinspre metal spre semiconductor (vezi figurile 4.2, b si 4.4). Scmiconductorul fiind de tip , practic nu are electroni care s& fie transferati in metal. Electronii transferati din metal ocupa starile rapide de suprafata, ducind la micsorarea sarcinii pozitive existente aici inainte de contact. Se poate crea chiar un excedent de sarcind negativa la supra- fafa; aceasta duce la disparitia regiunii golite (de barier4) si formarea unui fe &y &y Fig. 43, Fig. 14, 5 — Disporitive i circuite electronice 65trat de acumulare de goluri la suprafafa. Un asemenea contact metal-semi- conductor are comportare ohmicd. . : : Calculul inalfimii barierei de potenfial (,) impune o cunoastere ama- nunfité a comportarii suprafetei semiconductorului gi a metalului. In prac- tick, ea se determina experimental prin misurari diverse. 4.3. CARACTERISTICA STATICA A CONTACTULUI METAL-SEMICONDUCTOR Descrierea comportirii in regim polarizat electric a contactului metal- semiconductor se poate face conform mai multor teorii, cea mai apropiat’i de realitate find ‘eoria emisiei. Se presupune un contact metal-semicondu tor m, ca in figura 4.5, unde se precizeaz’ si sensul de definifie al tensiuni V, si curentului 1,. @ Bariera ©, este o caracteristica a contactului, practic independenta de polarizare. Indltimea barierei de potential pentru electronii care trec dinspre semiconductor spre metal depinde de polarizare gi este egali cu V.—V,; deci, in polarizare directa (V,= V,), are expresia Vy — Ve, iar in polarizare inversi (V, = — V,) are expresia Vo + Vy. @ Curentul prin struefura este un rezultat al superpozifiei curentului de clectroni dinspre metal spre semiconductor, Iyg, $i a curentului de electroni dinspre semiconductor spre metal, Igy, adica I, = Icy ~ Ius- Cum ©, nu depinde de polarizare, rezulti ch m&rimea curentului Iys este gi ea independent& de polarizare. La echilibru termic (V, = 0), curentul 7, este nul, deci: Tus = Isu(U, = 0). In polarizare directé sint favorizati electronii care trec spre metal, datorité sciderii barierei corespunzitoare; rezult&é c&é Isy> Iys, deci I, > 0; im polavizare inversdé, curentul Igy este redus considerabil, astfel, ca I, & — Iys = — Iq = const. Curentul in polarizare inversa pre- zinta, deci, fenomenul de saturafie ; m&rimea lui, Ig, este dati de legea emisiei, a lui Richardson: a= AyA*T? exp (=H2e unde (4.5) Ay este aria structurii, iar A* —o constant (A* = 120 A cm—?K-2). Curentul Igy depinde de teu- siune printr-o lege asemantoare cu relatia (4.5): Vo~ Vi) Igy = — tal sae exo = Fig. 4.5. (4.6) 66a | Fig. 4.6. Fig. 4.7. ws © ‘inind seama de relatia (4.4), se obfine caracteristica statied : WV, I, |exp (2-4) — 1]. 4.7 [2 (3) an in figura 4.6 se reprezint& calitativ caracteristica staticd a contactului metal-semiconductor redvesor. Dependenfa obfinut& este asemAnitoare cu cea descrisi de relatia (3.58) pentru jonctiunea pn, considerind m= 1; de aceea tensiunea pe structura in polarizare directa are 0 valoare mai mica decit la o jonctiune pn realizata pe acelasi material. De exempiu, la siliciu, o jonctiune pn are circa 0,5 + 0,7 V, iar un contact-metal semiconductor are 0,3 + 0,4 V. Contactul metal-semiconductor cu proprietafi ohmice are o caracteristica staticA bidirectional (fig. 4.7), care poate fi aproximata prin: I _ (4.8) R, unde R, reprezinté rezistenta contactului. Marimea rezistenfei R, se im- pune a fi cit mai micd. Nevoi practice au determinat realizarea unor comport&ri ohmice chiar in sitwatia in care perechea metal-semiconductor are propriet&ti redresoare {de exemplu, aluminiu-siliciu #). Realizind o dopare puternici a semicon- ductorului (7+), se obfine un curent invers I, foarte mare, ceea ce este echivalent cu o conducfie in ambele sensuri. Mecanismul de crestere a lui 1, este legat de micsorarea grosimii regiunii de sarcin% spafiala si aparitia efectului tunel pentru electronii care trec dinspre metal spre semiconductor. 4.4, DIODE SCHOTTKY @ Dioda Schottky este un dispozitiv electronic realizat pe baza unui contact metal-semiconductor redresor ; un exemplu de realizare constructiva este prezentat in figura 4.8. Metalizarea superioara, din aluminiu, realizcazi efectul redresor in contact cu siliciul de tip . Pe spatele dispozitivului, contactul dintre aur si siliciul + realizeazi un contact ohmic. Simbolul 67PLZZ ig. 4.9. Schottky este prezentat in figura 4.9. Pentru o astfcl de structuri, inca barierci de potential (@,) are valoarca tipicd 0,7 V. @ La tensiuni inverse mari si dioda Schottky prezinta Jenomenul de stripungere, in aceleasi condifii ca la jonctitmea pri. Trebuie remarcat cA geometria specific’ a acestor structuri impiedic& tealizarea de tensiuni de strlipungere ridicate in comparatie cu jonctiunile pn (dioda Schottky este echivalent& cu o jonctiune planar’ difuzat& cu ry —> 0). © Principalul avantaj al diodei Schottky fafa de jonctiunea pn este posi- hililatca de lucru la frecvenfe mult mai ridicate. Acest lucru se explic& prin faptul c& funcfionedz& cu purt&tori majoritari (electroni in semiconductor detip n) ; in felul acesta, trecerea curentului nu mai este insofit& de fenomene de difuzic si de generare-recombinare. Singura limitare este legat& de timpw! de tranzit al electronilor prin regiunea de sarcind spatial. Timpii de com tatie pentru diodele Schottky pot ajunge la 100 ps. Ca urmare, se simplific& si circuitul echivalent de semnal mic; el cu- prinde rezistenta interna R, si capacitatea de barier& C,, definite si calculate ca la jonctiunca pn. @ Dioda Schottky este utilizati in detectoarcle de frecvente foarte ridicate, in redresoare de putere care lucreazi la frecvenfe tidicate si in circuite integrate (TTL, — Schottky) pentru cresterea vitezei de co- mutatie a tranzistoarelor bipolare.