> es i724 5.10 Il diodo Zener 1 diodi Zener vengono costruiti con caratteristiche adatte al funzionamento nella regione breakdown. Essi sono caratterizzati da una tensione inversa di breakdown, detta fensione di Zener ¢ indicata con V;, particolarmente stabile e definita, in corrispondenza della quale la caratteristica corrente-tensione diventa quasi verticale. Per questo motivo vengono tipica- ‘mente impiegati come elementi di scabilizzazione della tensione al valore Vz. Caratteristica J-V. In fig. 5.28 @ illustrata Ia caratteristica corrente-tensione di wn diodo Zener. Mentre la curva relativa alla polarizzazione diretta @ simile a quella di un normale iodo a semiconduttore e non presenta aspetti interessanti, la zona di polarizzazione inversa assume un andamento particolare. Per tensioni | V |< V; la corrente @ ridottissima e rag- siunge il valore Jz« (corrente di ginocchio) solo nellintorno di | V|=V;, crescendo poi con ‘andamento quasi verticale, In quest’ultimo tratto della caratteristica inversa la resistenza dinamica r= AV/AT piccolissima e una variazione sostanziale della corrente determina ‘una variazione molto contenuta della tensione ai capi dello Zener. Tensione di Zener. I valore di V, dipende dalla resistivita del materiale delle due zone p ‘ed per cui, regolando opportunamente i dro- gaggi, & possibile realizzare diodi Zener con V,, compreso fra qualche volt ¢ il centinaio di volt. La precisione con cui si ottiene il valore nominale di V; & espressa dalla tolleranza (I, 2, 5, 10, 20%); i valori nominali sono norma~ lizzati in modo analogo a quanto avviene per i resistori. Si pud osservare che, benché esi stano diodi Zener con valori di V; inferiori a 2V, normalmente per stabilizzare tensioni di ‘questa entita si preferisce usare diodi normali in polarizzazione diretta, anche ponendo pitt diodi in serie. Cid a causa della pid elevata resistenza dinamica dei diodi Zener a bassa tensione.Dios e appicazion| Coefficiente termico. La tensione di Zener dipende anche dalla temperatura di lavoro. Per ‘questo fra i dati caratteristici dei diodi Zener viene riportato il coefficiente di temperatura, che esprime la variazione (0 la variazione percentuale) di Vz per ogni grado di variazione della temperatura. In particolare risulta che, per tensioni di Zener inferiori a cirea 5 V, ill coefficiente termico a=AV;/AT é negativo; per Vz superiore a 6 V, il coefficiente & positivo. Per valori intermedi, « pud essere sia positivo sia negativo. Questo fenomeno & dovuto a due differenti meceanismi fisici che determinano la conduzione inversa, Per V,<5'V si ha un breakdown di tipo Zener propriamente detto: il drogaggio molto intenso comporta una giunzione molto stretta e quindi un campo elettrico assai forte, in grado di rompere numerosi legami covalenti e di determinare una corrente considerevole anche con basse tensioni applicate; aumento della temperatura facilita la rottura dei legami € di conseguenza V, diminuisce al erescere di T. Per Vz>6V, si ha un breakdown con effetto valanga: la tensione esterna applicata accelera i portatori provocando collisioni con gli atomi circostanti ¢ una moltiplicazione a valanga di portatori liberi; P'aumento della temperatura fa diminuire la probabilita che le cariche libere acquistino energia a sufficienza per innescare il proceso a valanga © quindi V,aumenta con T. Nonostante queste differenze il termine Zener viene comunemente usato anche per indicare diodi con V maggiore di 6 V. 5.10.1 Circuito stabilizzatore In fig. 5.29a& proposta una tipica struttura circuitale in cui lo Zener, polarizzato inversamen- te, funziona come stabilizzatore della tensione V, contro variazioni della tensione V, e del carico R,, ossia della corrente J,. Dovendo stabilizzare 'uscita V, a una certa tensione, si dovra scesliere un diodo Zener con V; pari a quella tensione. Occorrera poi dimensionare la resistenza R in modo che il diodo sia portato a lavorare nel tratto quasi verticale della curva caratteristica, dove ha luogo l'effetto stabilizzante, Bisogna perd osservare che lo stabilizzatore con diodo Zener presenta seri limiti quando la tensione di ingresso e la corrente [,, assorbita dal carico sono soggette a forti variazioni, Dimensionamento di R. La resistenza limitatrice R deve essere dimensionata tenendo conto delle variazioni possibili della corrente di carico I, (0 di R,) ¢ della tensione di ingresso V,, oltre che della tolleranza sul valore di Vz, in modo che I, non scenda al di sotto del valore In. € non super il valore massimo Fin, imposto dalla massima dissipazione di potenza. 1 valori di massima potenza dissipabile variano, a seconda dello Zener impiegato, fra qualche decimo e qualche decina di watt, a temperatura ambiente. La resistenza R dovra quindi assumere un valore compreso fra Ruy, €d Ray, calcolate ponendosi nelle condizioni pid sfavorevoli. Se V, pud variare fra Vim © Vinay Vz fra Vezenia) © Vegnany Ur, £4 Trgeiny © Exgmaey $i AVE Vice) ~ V zis) pea Teena) * Tuas) Vitaas) = V 26s) R, [5.14] Fatman) * Ta niny © © > AB 19 stabilzzatore ‘con diodo Zener Nel creuito una resistenza Timiatice che port il ‘iodo Zener alivoraee el tratto verticle della inversa dove a tensione 3 costante a variare dela Fig. 5.29 (@) Cieuito in Pato come Stablizzatore di () Circuito ‘equivalent,170 Per la scelta del valore ottimale bisogna osservare che la variazione di V, al variare di V; 2 tanto pit limitata quanto pitt & elevato il valore di. Il cireuitoillutrato in fg. 5.294 pud infatti essere ridisegnato come in fig. .286. Lo Zener & sosttuito dal suo modello equiva. lente formato da un generatore Veg (lensione di ginocchio) in serie alla resistenza dinamica 7 Si icava quindi la tensione di uscita come an Aa? . I Vox Ven Vigra Vex daca Vem aie to REE ta Va [5.5] Derivando rispetto a V; 'eq [5.15] e considerando increment fini, si ricava proprio la vvariazione di V, al variare di V,espressa dal faire di stabilizzazione AV,/AV, come Av, dV, _ ty WW, * WV," Rr, Si pud infine considerare che con un valore pitt elevato di R la zona di lavoro si sposta nella parte pit alta della carattristica; con R pit bassa, la corrente che percorre lo Zener quindi la potenza che esso deve dissipare & maggiore. [5.16] ESEMPIO 5.7 Con riferimento al circuto di fig. 5.294, supponendo che V, possa variare fra 13 © 15V e I {ra 10 © SOmA, dimensionare Re il diodo Zener per ottenere in uscita una tensione stabile V,=10V. sotuzione Si scegie un diodo Zener con Vz nominale pari a 10 e tolleranza 2% si avrd Vijay =98 V © Vein) =102V. La potenza deve essere adguata alle tension e corrent in gioco con una pote P= 1.5 W, Sia Fagg) 150 MA. Per Zu i ud assume il vale [y= 1 mA in ato dai gh tec, egy ua valve Iepgerntate superine, yet empio dell odine del 55 della corrente massima. Scegliamo Tzjqq=7 MA. Sosttuendo nele eq [5.14] s otene —B=02 —_15-98 Rows = F950 x10? 192 Rese = F309 FO- sO 10 AD Conviene sepliere R=47 Poiché la corrente / pud raggiungere un valore massimo par a (15—98)/47=110 mA, R dove essere in grado’ disipare con largo marge almeno foo mW, Un procedimento alterativo, che consente di determinare facilmente la potenzsrchista por il dlodo, i seguente. = Caco Raa con eq, [5.14] ottenendo 49 9 = ‘cepts i woe dt resisienza normalzatoimmedstamente inferior, in questo caso 70 = Ipooeado Ry Taney =100mA GieDlare a ptenza minim siciesta per lo Zener (P= Tzun Vz) At pai a1 W — Scegliere un diodo in grado di dissipare con buon margine il valore di potenza calcolato; in questo caso &adato no Zener da 1.3.0 meglio 3 W s calcolaré Irjgu) CON Teq, [5.14]: in questo caso si ottiene 5.11 Altrl tip! di diodi Diodo Schottky. E costtuito da una giunzione metall-semiconduttoe, per esempio all rinio in giunzione con Si drogato di tipo m. Questo diodo il eu simbolo ® illustrate in fg. £8.08, offre ottime prestazioni per quanto riguarda la velocita di commutazione e trove pertanto largo impiego sia in forma discreta sa nella realizzazione di circuit integra. I -diodo Schottky presenta una caratteristca /-V analoga a quella dei didi al silicio, ‘ma @ caratterizato da una tensione di soglia V, minore, inorno a 0.35 V, e un tempo di ecupero inversof, (nella commutazione ON-OFF) dellordne di 50 ps.Diode appeazion am Diode varicap. L’effetto capacitivo che si manifesta in prossimita di una giunzione, e in particolare la dipendenza di tale effetto dalla tensione di polarizzazione inversa, consentono 4i utilizzare i diodi come capacita variabil ‘Vengono realizzati diodi particolarmente adatti a questa funzione, che prendono il nome di varicap (0 varactor: variable reactor). I valoti capacitivi che si possono ottenere vanno da pochi pF a un centinaio di pF. In fg. 8.306 & riportato il simbolo circuitale, 1 diodi varicap trovano applicazione in alta frequenza, per circuiti modulatori € molt plicatori di frequenza, amplificatori in radiofrequenza, miscelatori, oscillator. iodo emettitore di luce. Indicato comunemente come LED (light emitting diode) e rap- presentato dal simbolo circuitale di fg. §.30¢, ® un dispositivo a giunzione realizzato con particolari materiali semiconduttori, che emette radiazioni luminose quando & attraversato Us eonteute. In un diodo polarizzato direwamente scorre una corrente diretta J, dovuta al movimento contemporaneo di elettroni verso la zona p e di lacune verso la zona n; in prossimita della giunzione @ assai probabile la ricombinazione di coppie clettrone-lacuna con conseguente decadimento dell’energia propria dell'elettrone; cid comporta Vemissione di energia, di tipo termico nei normali diodi, di tipo luminoso nei LED. La lunghezza d’onda della luce generata, che in sostanza determina il colore del LED, dipende dal composto con cui esso realizzato (Fosfuro di galio, arseniuro di gallio, ec.) e dagli agenti drogamtiutilizzati; questo dato viene fornito di solito dalle case costruttrici mediante diagrammi. Lntensita dellemissione aumenta all’aumentare della corrente J, e al diminuire della temperatura. Valoritipici della corrente diretta per una buona luminosita sono compresi fra $e 20mA (CoM [yiqa)=50MA) per tensioni dirette dellordine di 1,622 V. La tensione inversa massima applicable assume valori piuttosto ridotti, del’ordine di 3 +5 V. LED vengono largamente impiegati come elementi visualizzatori c segnalatori luminosi in vita della loro lunga durata, del basso consumo di energia, della velocita di commutazione e delle ridotte dimensioni. La possibilita di assemblare in un unico contenitore numerosi LeD, secondo configurazioni geometriche opportune (display a 7-segmenti, a matrice, ec.), consente di realizzare visualizzatori umerici e alfanumerici por strumentazione, pannelli indicator, orologi Fotodiodo, E un diodo sensibile alle radiazioni luminose rappresentato dal simbolo di fig. 5.304, L'energia luminosa incidente su un fotodiodo polarizzato inversamente crea numerosi portatori liberi, che determinano una corrente inversa di valore sensibile. Tale corrente & proporzionale all’intensita dellenergia luminosa e dipende dalla lunghezza d’onda della radiazione incidente. | fotodiodi trovano applicazione nel campo dei controlli di luminosit, dei controli otici di posizione, velocita, densita e nel campo delle telecomunicazioni, come terminali di fibre ottiche. aopfer D> © i a a ph pf © ® ‘ensersourmaciacr se gomataneL Onecare ones nam > e525 Fie 5.30 Simbolo cireuitale (del dodo Schottys (@)éel dodo varie (Odstexs (acl fotodiodo.